JP2003109951A - 基板処理方法 - Google Patents

基板処理方法

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JP2003109951A JP2001302828A JP2001302828A JP2003109951A JP 2003109951 A JP2003109951 A JP 2003109951A JP 2001302828 A JP2001302828 A JP 2001302828A JP 2001302828 A JP2001302828 A JP 2001302828A JP 2003109951 A JP2003109951 A JP 2003109951A
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礼三 布澤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】複数のボートを用いる基板処理方法に於いて、
ボートの個体差に基づく処理品質の相異を解消し、処理
品質の安定化、向上を図る。 【解決手段】反応炉11と、該反応炉内で基板を保持す
る為の複数のボート21a,21bと、該ボートの識別
手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して
基板処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェー
ハ、ガラス基板等の被処理基板に成膜、アニール処理、
拡散処理等の各種処理を行い半導体装置を製造する基板
処理方法に関するものであり、特に2台以上のボートが
使用される基板処理装置に於ける処理方法に関するもの
である。 【0002】 【従来の技術】基板を処理する処理装置として、縦型の
反応炉を具備し、該反応炉内に所定数の被処理基板(以
下ウェーハと称す)を水平姿勢でボートに多段に保持し
て処理するバッチ式の基板処理装置がある。 【0003】更に、スループットを向上することを目的
として、複数のボートを具備するものがある。 【0004】例えば、この種の装置として、特許第26
81055号公報に記載されているものがある。 【0005】特許第2681055号公報に記載されて
いる装置に於いては、ウェーハ移載装置と反応炉の真下
空間との間にボート交換装置が配置されており、ボート
交換装置の回転テーブルの上に2台のボートが載置さ
れ、回転テーブルを中心として2台のボートが180度
ずつ回転することにより、未処理ウェーハを保持するボ
ートと処理済ウェーハを保持するボートとが交換される
様になっている。 【0006】斯かる基板処理装置に於いては、1つのボ
ートについて処理が実行されている間に、他のボートに
対してウェーハ移載装置による処理済ウェーハの払出
し、未処理ウェーハの移載が実行され、次の処理工程の
準備が行われ、全体として処理時間が短縮される様にな
っている。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】複数のボートを使用し
ている場合、各ボートは設計的には同一であるが、ボー
トを構成する材質の純度、又ボートが繰返し使用される
為、不純物の付着状態が相違する等ボート間で個体差が
ある。この為、基板処理の内容とボートとの相性が生
じ、基板を処理した場合、ボートによって処理結果が微
妙に異なることがある。 【0008】従来では、ボートの個体差と処理の内容と
について配慮されてなく、この為使用されるボートによ
って処理品質に不均一性が生じるという不具合があっ
た。 【0009】本発明は斯かる実情に鑑み、ボートの個体
差に基づく処理品質の相異を解消し、処理品質の安定
化、向上を図るものである。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明は、反応炉と、該
反応炉内で基板を保持する為の複数のボートと、該ボー
トの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを
指定して基板処理を行う基板処理方法に係るものであ
る。 【0011】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。 【0012】本実施の形態に係る基板処理装置1は図1
に概略の構成が示される様に、筐体2の内部に縦型反応
炉11を有する縦型拡散・CVD装置(以下CVD装置
と称す)であり、前記筐体2の前面には基板収納容器5
0(例えばウェーハカセット、FOUP(front
opning unified pod)等ポッド50
と称す)を授受する授受ステージ8が設けられ、前記筐
体1の内部で一側(前方より見て右側)に基板移載機4
1が前記授受ステージ8に対向する様に設けられ、前記
基板移載機41の後方にはボートエレベータ20が筐体
内右側に設けられている。前記縦型反応炉11の直下に
は熱処理ステージ4が設けられ、前記ボートエレベータ
20はボート21を、前記熱処理ステージ4の位置から
前記縦型反応炉11に装入、該縦型反応炉11から前記
熱処理ステージ4へ引出しする様になっている。前記ボ
ートエレベータ20に対向してボート移送装置30が設
けられている。該ボート移送装置30は前後に待機ステ
ージ5と冷却ステージ6とを具備し、該待機ステージ
5、冷却ステージ6と前記熱処理ステージ4間で前記ボ
ート21の移送を行う。 【0013】前記縦型反応炉11は有天円筒状のヒータ
ユニット18、該ヒータユニット18と同心に内設され
た石英製の反応管13を有し、該反応管13は反応室1
2を画成する。前記反応管13は炉口フランジ14を介
して前記筐体2に支持され、前記反応管13には前記反
応室12の上方に開口するガス導入管17が設けられ、
前記炉口フランジ14には排気管16が設けられてい
る。前記ガス導入管17は原料ガス、窒素ガス等のガス
を供給する為のガス供給源(図示せず)に接続され、前
記排気管16は前記反応室12を所定の圧力に保持する
為の真空排気装置(図示せず)に接続されている。 【0014】前記ポッド50は処理基板であるウェーハ
を所定数(例えば25枚)収納した状態で搬送される密
閉式の搬送容器であり、開閉可能な蓋を有している。 【0015】ウェーハの搬送容器として前記ポッド50
が使用される場合には、ウェーハが密閉された状態で搬
送されることになる為、周囲の雰囲気にパーティクル等
が存在していたとしてもウェーハの清浄度は維持するこ
とができる。従って、CVD装置が設置されるクリーン
ルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなる
為、クリーンルームに要するコストを低減することがで
きる。 【0016】図3に示されている様に、前記ボート21
は下端板22と該下端板22に立設された複数本(本実
施の形態では3本)の支柱24に支持された上端板23
を有し、前記支柱24には所要ピッチで基板保持溝25
が刻設され、該基板保持溝25にウェーハ7が挿入され
ることで、該ウェーハ7が前記ボート21に水平姿勢で
保持される。該ボート21の下端板22の下には断熱キ
ャップ部26が形成されており、該断熱キャップ部26
の下側には脚柱27を介してベース29が設けられてい
る。前記脚柱27によって形成された該ベース29と断
熱キャップ部26間の間隙には後述するボート移送装置
30のアームが嵌合可能となっている。 【0017】前記授受ステージ8は前記基板処理装置1
の外部に対して前記ポッド50を授受するものであり、
該ポッド50の蓋(図示せず)を開閉する為のドア開閉
装置(図示せず)を具備している。 【0018】前記基板移載機41は送り螺子機構を有す
るエレベータ42と、該エレベータ42により昇降され
る昇降ベース43と、該昇降ベース43に回転可能に設
けられれた回転テーブル44と該回転テーブル44に進
退可能に設けられた基板移載ヘッド46とを具備し、又
該基板移載ヘッド46には前記ウェーハ7を保持する基
板移載プレート47が上下方向に所要段(本実施の形態
では5段)設けられている。而して、前記基板移載機4
1は昇降、回転、進退の協働により前記授受ステージ8
のポッド50と熱処理ステージ4に位置する降下状態の
ボート21との間で前記ウェーハ7を移載可能となって
いる。 【0019】前記ボートエレベータ20は送り螺子機構
によりキャップ19を昇降可能であり、該キャップ19
には前記ボート21が載置され、該ボート21は前記キ
ャップ19を介して前記ボートエレベータ20に昇降さ
れ、前記熱処理ステージ4の位置から前記縦型反応炉1
1に装入、該縦型反応炉11から前記熱処理ステージ4
へ引出しされる様になっている。又、前記キャップ19
は前記ボート21を前記縦型反応炉11に装入した状態
では、前記縦型反応炉11の炉口部を気密に閉塞する。 【0020】前記ボート移送装置30は、図4に詳細が
示されている。 【0021】コの字状をし、前記筐体2の壁面に沿って
立てられたフレーム35に鉛直のガイドシャフト36が
設けられ、該ガイドシャフト36に下スライダ37、上
スライダ38が摺動自在に設けられている。該上スライ
ダ38にはモータにより螺子ロッドが回転される送り螺
子機構39が連結され、該送り螺子機構39により前記
上スライダ38は昇降可能となっている。該上スライダ
38には回転エアシリンダ、ロータリソレノイド等の回
転アクチュエータ40を介してクランク状に屈曲した上
アーム32が設けられ、該上アーム32は前記回転アク
チュエータ40によって少なくとも180°は回転可能
となっている。 【0022】又、前記下スライダ37についても同様な
構成で、前記送り螺子機構39が連結され、前記回転ア
クチュエータ40を介してクランク状に下アーム31が
前記下スライダ37に設けられている。又、前記下アー
ム31、上アーム32は回転した場合に相互に干渉しな
い様な形状となっている。 【0023】前記下アーム31、上アーム32の水平部
分はいずれも円弧形状に形成されており、前記脚柱27
が形成する間隙に嵌合可能であり、嵌合した状態では前
記断熱キャップ部26が前記下アーム31、上アーム3
2に載置され、前記ボート21は前記下アーム31、上
アーム32により垂直に支持される様になっている。 【0024】前記待機ステージ5には前記ボート21を
垂直に支持する待機台33が設置されており、前記下ア
ーム31は、回転、昇降の協働により前記ボート21を
前記待機台33と熱処理ステージ4のキャップ19との
間で移送する様に構成されている。前記冷却ステージ6
には冷却台34が設置されており、前記上アーム32
は、回転、昇降の協働により前記ボート21を前記冷却
台34と熱処理ステージ4のキャップ19との間で移送
する様に構成されている。 【0025】尚、前記筐体2の側面に設けられたクリー
ンユニット3と該クリーンユニット3と対向した位置に
配置された排気ファン9により前記筐体2内には前記待
機ステージ5、冷却ステージ6から熱処理ステージ4を
経て流れるクリーンエア15の一方向流れが形成され
る。 【0026】図5は制御システムを示すブロック図であ
る。 【0027】図5に示されている制御システム60はい
ずれもコンピュータによって構築されたメインコントロ
ーラ66と複数のサブコントローラ61,62,63,
64とによって構成されている。 【0028】サブコントローラとしては、反応室12の
温度を制御する温度制御サブコントローラ61と、反応
室12の圧力を制御する圧力制御サブコントローラ62
と、原料ガスやキャリアガス及びパージガス等のガス流
量を制御するガス制御サブコントローラ63と、各種の
エレべ−タやボート移送装置30及び基板移載機41等
の機械を制御する機械制御サブコントローラ64とが構
築されており、これらサブコントローラ61,62,6
3,64は前記メインコントローラ66に制御ネットワ
ーク65によって接続されている。 【0029】前記メインコントローラ66には表示手段
及び入力手段(ユーザ・インタフェース)としての制御
卓67及びハードディスク等の記憶装置68が接続さ
れ、該記憶装置68には基板処理を行う為の制御シーケ
ンスプログラム86、各種処理開始前に各種処理条件を
設定する為の処理条件入力プログラム87、基板処理の
進行状態等をディスプレイ67aに表示させる為の表示
プログラム88、或はレシピ等が記憶されている。 【0030】前記制御卓67は前記ディスプレイ67a
とキーボード及びマウス(図示せず)とを備えており、
前記ディスプレイ67aにレシピの内容(項目名や制御
パラメータの数値等)、処理の進行状態等を表示すると
共に、キーボードやマウスによって作業者の指令を伝達
する様に構成されている。 【0031】前記メインコントローラ66には各ボート
を識別するボート識別手段のボート識別部71が構築
(プログラミング)されており、該ボート識別部71に
はボート識別の為のボート検出装置72が接続されてい
る。前記ボート識別部71は前記ボート検出装置72の
検出結果に基づいて各ボートを識別する様に構成されて
おり、前記メインコントローラ66は前記ボート識別部
71の識別結果に基づいて、各ボートに対応した指令を
前記サブコントローラ61,62,63,64に指令す
る様になっている。 【0032】前記ボート検出装置72は前記待機台3
3、冷却台34及びキャップ19にそれぞれ設置されて
おり、各ボート検出装置72が前記メインコントローラ
66のボート識別部71にそれぞれ接続されている。前
記待機台33、冷却台34及びキャップ19にそれぞれ
設置された各ボート検出装置72の構成は実質的には同
一であるので、ボート検出装置72については図6及び
図7に示されている待機台33に設置されたものを説明
する。 【0033】前記待機台33の上面には横断面が逆台形
である位置合わせ溝81が3条、前記待機台33の上面
の中心から中心角を3等分した方向に放射状に配置され
て刻設されている。該待機台33には周面から中心側に
向って凹部80が形成され、前記待機台33の断面は工
の字状となっている。前記3条の位置合わせ溝81の1
つに有無検出部73及び識別用検出部74が設けられ、
該有無検出部73、識別用検出部74は、前記ボート検
出装置72を形成する。該有無検出部73と識別用検出
部74は同一構造であるので、該識別用検出部74につ
いて説明する。 【0034】前記位置合わせ溝81には鉛直方向に保持
穴75が穿設され、該保持穴75にプラグ76が上下自
在に設けられ、該プラグ76はスプリング77により上
方に付勢されている。又、前記プラグ76は下方に押さ
れることで、下端が前記凹部80に突出可能な形状とな
っている。リミットスイッチ78が前記プラグ76と同
心となる様配設され、前記リミットスイッチ78のアク
チュエータは前記プラグ76の下端に当接する様になっ
ている。該プラグ76は弗素樹脂等の耐熱性及び耐摩耗
性を有した材料によって形成されている。 【0035】前記ベース29の下面の凹部84が形成さ
れ、該凹部84の内周面は前記待機台33の外周面と契
合する様に逆テーパ形状となっている。又、前記凹部8
4の底面には、同一円周上の3等分割した位置に3個の
位置合わせ突起82が下方に向け突設されており、該位
置合わせ突起82は前記位置合わせ溝81の逆台形に対
応した切頭円錐形状に形成され、前記ベース29と前記
待機台33とが嵌合した状態で、前記位置合わせ突起8
2と位置合わせ溝81とが嵌合可能となっている。 【0036】又、前記凹部84の底面には、前記位置合
わせ突起82の1つを通る同一半径上で、且つ中心点か
らの距離が前記有無検出部73及び識別用検出部74と
同一である位置に被検出子79が設けられている。該被
検出子79は前記位置合わせ突起82の位置合わせ機能
を損わない様、前記位置合わせ溝81には接触せず前記
プラグ76のみを押下する形状となっている。前記被検
出子79は石英や炭化シリコン(SiC )によって形成さ
れたベース29の下面に螺着され、着脱可能となってい
る。 【0037】而して、前記被検出子79が前記有無検出
部73、識別用検出部74の位置に合致した状態で、前
記ボート21が前記待機台33に載置された時にのみ、
前記リミットスイッチ78が作動する。 【0038】前記識別用検出部74に対応する外側の被
検出子79aは一方のボート(以下、第1ボートとす
る)21aには取付けられているが、他方のボート(以
下、第2ボートとする)21bには取付けられていな
い。従って、前記識別用検出部74が前記被検出子79
を検出した時には第1ボート21aと判断することがで
き、前記識別用検出部74が被検出子79aを検出しな
い時には第2ボート21bと判断することができる。 【0039】又、前記有無検出部73は内側の被検出子
79bを検出することで、前記待機台33に前記ボート
21が載置されているかどうかを検出することができ
る。又、前記被検出子79bが前記位置合わせ溝81に
嵌合し、更に前記有無検出部73は内側の被検出子79
bを検出することで、前記ボート21の前記待機台3
3、冷却台34等に対する向きの決定機能、向きが正し
いかどうかの判断機能も有する。 【0040】以下、上記した基板処理装置による基板処
理方法を説明する。 【0041】前記ボート21の個体差が処理品質に影響
を及す基板処理を実行する場合は、処理条件として第1
ボート21a、第2ボート21bのいずれか処理に適し
たボートを選択する。 【0042】前記制御卓67より処理条件入力プログラ
ム87を起動する。該処理条件入力プログラム87の起
動と共に前記表示プログラム88が起動され、前記ディ
スプレイ67aには図8で示される移載テーブル編集画
面89が表示される。 【0043】該移載テーブル編集画面89では該移載テ
ーブル編集画面89のテーブルのファイル名91が示さ
れる。前記移載テーブル編集画面89上で処理に必要な
各種設定を行う。 【0044】ウェーハチャージコマンド入力部92では
ダミーウェーハ、モニタウェーハ、プロダクトウェーハ
等、各種ウェーハをチャージするか、ディスチャージす
るかどうかを設定する。時間入力部93では、処理後の
ウェーハの冷却時間を設定する。スタート条件設定部9
4ではウェーハの移載、バッチプロセスを手動で開始す
るか、自動で開始するかを設定する。ボート指定部95
では、複数あるボートのどれを指定して基板処理を実行
するか、或は指定しないで処理を実行するかを設定す
る。 【0045】更に、図示していないが基板処理に対応す
るレシピを指定する。 【0046】処理条件が設定されると、前記制御シーケ
ンスプログラム86が起動される。 【0047】指定されたレシピが前記記憶装置68から
読込まれ、前記メインコントローラ66のRAM等に展
開されて、各サブコントローラ61,62,63,64
に指令されることによって実施される。 【0048】尚、基板処理が実行される前に、前記移載
テーブル編集画面89でボートが指定されたかどうかが
判断され、判断結果に応じて基板処理がなされる。 【0049】図1に示される様に、前記第1ボート21
aが前記待機ステージ5の待機台33に載置され、前記
第2ボート21bが前記冷却ステージ6の冷却台34に
載置された状態であるとする。前記第1ボート21aに
は前記被検出子79aが取付けられ、前記第2ボート2
1bには前記被検出子79aが取付けられていないの
で、前記待機台33のボート検出装置72のリミットス
イッチ78は作動し、前記冷却台34のボート検出装置
72のリミットスイッチ78は作動しない。各ボート検
出装置72の作動状態は前記ボート識別部71により監
視されており、前記メインコントローラ66は前記第1
ボート21a、第2ボート21bがどこにあるかを判断
する。 【0050】図9に示す様に、処理シーケンスが開始さ
れると、対象ウェーハのボート21への移載が可能かど
うかが判断される。即ち、前記授受ステージ8に所定の
ウェーハが収納されたポッド50が載置されているか、
更に該ポッド50の蓋が開けられウェーハの移載準備が
完了しているかが判断される。 【0051】次に、空きボートがあるか、ボートの指定
はされているかが順次判断される。ボートの指定がない
場合は、空きボートがあると判断されると、ボートの識
別は行われずに前記メインコントローラ66から前記機
械制御サブコントローラ64へ前記基板移載機41の駆
動指令が発せられ、該基板移載機41による前記ポッド
50から前記待機ステージ5のボート21へのウェーハ
7の移載処理が開始される。 【0052】ボートの指定があると、更に空きボートが
指定ボートであるかどうかが、前記ボート識別部71の
判断に基づきなされる。空きボートが指定ボートであっ
た場合、即ち、図1に示される様に、指定ボートが第1
ボート21aであり、又該第1ボート21aが空きであ
った場合、上記と同様に該基板移載機41による前記ポ
ッド50から前記待機ステージ5の第1ボート21aへ
のウェーハ7の移載処理が開始される。 【0053】尚、空きボートがなかった場合、空きボー
トがあっても指定のボートでなかった場合は、ウェーハ
7の移載処理は実行されず、該当した条件がなかったこ
とが前記ディスプレイ67aに表示され、作業者は該デ
ィスプレイ67aに表示された情報で、ボートの指定の
必要ない他の基板処理を行う様にするか、或は指定のボ
ートが空く迄他の基板処理を続行させるか等の選択を行
う。 【0054】ウェーハ7の移載処理を行い、予定された
全てのウェーハ7の移載が完了すると、図1の状態とな
る。尚、図1は便宜的に処理済のウェーハを保持した第
2ボート21bが前記冷却ステージ6で冷却されている
状態を示している。 【0055】移載が完了すると、更に次の制御シーケン
スが順次実行される。 【0056】尚、各ステージ毎にボート検出装置72が
設けられているので、どのボートがどの位置にあるかは
容易に判断することができる。判断結果は前記ディスプ
レイ67aに表示される。即ち、基板処理が実行されて
いる状態で、前記表示プログラム88が起動され、処理
状況が前記ディスプレイ67aに表示される。 【0057】図10は、基板処理中に表示される表示画
面96を示す。 【0058】該表示画面96では詳細は省略してある
が、例えばボート表示部97にはボートの状態がイラス
トで示され、どのボートがどの位置に、どの状態かが直
ちに判別できる様になっている。その他、実行されてい
るレシピのファイル名、処理中の圧力、温度等が表示さ
れる。 【0059】以下は、前記第1ボート21aが指定され
た場合の続いて実行される基板処理について説明する。 【0060】前記待機ステージ5にて指定の枚数のウェ
ーハ7が前記第1ボート21aに装填されると、該第1
ボート21aは前記ボート移送装置30の下アーム31
によって前記待機ステージ5から前記熱処理ステージ4
へ移送され、前記キャップ19の上に移載される。前記
第1ボート21aを前記キャップ19に移載した下アー
ム31は前記待機ステージ5に戻る。 【0061】前記キャップ19にも前記ボート検出装置
72及び位置合わせ溝81が前記待機台33と同様に配
設されている為、前記キャップ19に移載された前記第
1ボート21aは正確に位置合わせされ、前記ボート識
別部71によって有無を確認されると共に識別されるこ
とになる。前記メインコントローラ66は前記第1ボー
ト21aに対応した制御条件を温度制御サブコントロー
ラ61、圧力制御サブコントローラ62、ガス制御サブ
コントローラ63及び機械制御サブコントローラ64に
指令する。 【0062】前記第1ボート21aは前記ボートエレベ
ータ20によって上昇されて前記縦型反応炉11の反応
室12に搬入される。前記第1ボート21aが完全に装
入されると、前記キャップ19は前記反応室12を気密
に閉塞する。 【0063】該反応室12が所定の真空度に前記排気管
16を介して真空排気され、前記ヒータユニット18に
よって所定の処理温度(例えば、800〜1000℃)
に均一加熱される。前記反応室12の温度が安定する
と、処理ガスが該反応室12に前記ガス導入管17を介
して所定の流量供給される。供給された処理ガスが加熱
により活性化し、前記ウェーハ7に所定の成膜処理が施
される。 【0064】前記第1ボート21aに対する成膜処理の
間に、前記第2ボート21bが前記待機ステージ5の待
機台33の上に前記ボート移送装置30によって移載さ
れ、前記ポッド50のウェーハ7が第2ボート21bに
前記基板移載機41によって移載される。 【0065】この際、前記第2ボート21bのベース2
9に突設された3個の位置合わせ突起82が前記待機台
33の三条の位置合わせ溝81にそれぞれ嵌合する為、
前記第2ボート21bは前記待機台33に正確に軸心合
わせされると共に、向きが予め指定された方向を向いた
状態になっている。而して、前記基板移載機41による
ウェーハ7の第2ボート21bへの移載作業は適正に実
行される。 【0066】前記第2ボート21bのベース29には前
記識別用検出部74に対応した被検出子79aが取付け
られていない為、前記ボート検出装置72は被検出子7
9bを検出するが、被検出子79aを検出しない状態に
なる。而して、前記ボート識別部71は第2ボート21
bと判断し、その判断結果を前記メインコントローラ6
6に送信する。該メインコントローラ66は前記待機台
33に前記第2ボート21bがあることを確認し、前記
記憶装置68に記憶させると共に前記ディスプレイ67
aに状態を表示させる。 【0067】前記第2ボート21bが空であり、次バッ
チ処理に適したボートである場合は、上述した手順で、
対象となるウェーハが移載され、処理済のウェーハが保
持されている場合は、前記第2ボート21bから前記ポ
ッド50に処理済ウェーハが払出された後前記第2ボー
ト21bへのウェーハ7の移載が行われる。 【0068】前記第1ボート21aに対する基板処理が
完了すると、該第1ボート21aが前記ボートエレベー
タ20によって下降されて、前記第1ボート21aが前
記縦型反応炉11の反応室12から引出される。処理後
の第1ボート21a(保持されたウェーハ7群を含む)
は高温の状態になっている。 【0069】処理済み第1ボート21aは前記熱処理ス
テージ4から前記冷却ステージ6へ前記上アーム32に
よって直ちに移送される。ここで、前記冷却台34にも
前記ボート検出装置72及び位置合わせ溝81が前記待
機台33と同様に配設されている為、前記冷却台34に
移載された第1ボート21aは正確に位置合わせされ、
前記ボート識別部71によって有無を確認されると共に
識別されることになる。 【0070】前記冷却ステージ6は前記クリーンユニッ
ト3の近傍に位置しており、高温状態の第1ボート21
aは前記クリーンユニット3から吹出されるクリーンエ
ア15によって極めて効果的に冷却される。 【0071】前記冷却台34に於いて、例えば150℃
以下に冷却された第1ボート21aは、前記ボート移送
装置30によって前記熱処理ステージ4を経由して前記
待機ステージ5に移送される。尚、この間に前記第2ボ
ート21bに対する未処理ウェーハ7の移載は完了し、
前記縦型反応炉11への装入も完了している。 【0072】前記第1ボート21aが前記待機台33に
戻されると、前記基板移載機41は前記第1ボート21
aから処理済ウェーハ7を受け取って前記授受ステージ
8のポッド50に移載していく。この際も、前記有無検
出部73及び識別用検出部74の両方が前記ベース29
の両方の被検出子79a,79bを検出した状態になる
為、前記制御システム60のボート識別部71は第1ボ
ート21aと判断し、その判断結果を前記メインコント
ローラ66に送信する。該メインコントローラ66はそ
の判断結果を前記記憶装置68に記憶させると共に前記
ディスプレイ67aに表示させる。 【0073】以降、処理に対応したボート21が指定さ
れた場合、指定されない場合、指定条件に応じて第1ボ
ート21aと第2ボート21bとによる基板処理が繰返
される。 【0074】尚、前記ボート検出装置72では前記リミ
ットスイッチ78を使用したが、超音波センサ等の検出
器でもよく、又前記被検出子79が設けられる位置は底
面でなく、前記ベース29の周面であってもよい。更
に、上記実施の形態ではボートが載置されるステージに
はそれぞれボート検出装置72を設けたが、上記した様
に該ボート検出装置72からの信号、前記ボート識別部
71の識別結果を時系列的に前記記憶装置68に記憶さ
せることで、ボートの状態が判断できるので、前記ボー
ト検出装置72は一箇所に設けられていてもよい。 【0075】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応炉
と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボートと、
該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボ
ートを指定して基板処理を行うので、ボートの個体差に
基づく処理品質の相異を解消し、処理品質の安定化、向
上が図れるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明が実施される基板処理装置の全体斜視図
である。 【図2】該基板処理装置の平断面図である。 【図3】該基板処理装置の立断面図である。 【図4】該基板処理装置のボート移送装置の斜視図であ
る。 【図5】制御システムを示すブロック図である。 【図6】ボート識別手段を示しており、(a)は待機台
の平面図、(b)は(a)のB−B矢視図、(c)は(b)
のC−C矢視図、(d)はボートのベースの底面図、
(e)は(d)のE−E矢視図である。 【図7】ボート識別手段の作用説明図であり、(a)は
一部切断正面図、(b)は(a)のB−B矢視図、(c)
は(a)のC−C矢視図、(d)は(a)のD−D矢視図
である。 【図8】移載テーブル編集画面を示す図である。 【図9】ボートの判断に伴う移載動作のフローチャート
である。 【図10】処理中の状態を示す表示画面の図である。 【符号の説明】 1 基板処理装置 5 待機ステージ 6 冷却ステージ 7 ウェーハ 8 授受ステージ 11 縦型反応炉 19 キャップ 20 ボートエレベータ 21 ボート 30 ボート移送装置 33 待機台 34 冷却台 66 メインコントローラ 67 制御卓 68 記憶装置 71 ボート識別部 72 ボート検出装置 73 有無検出部 74 識別用検出部 81 位置合わせ溝 86 制御シーケンスプログラム 87 処理条件入力プログラム 88 表示プログラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/68 H01L 21/68 A N (72)発明者 布澤 礼三 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 井田 かおり 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Fターム(参考) 4K030 GA01 GA12 HA12 KA04 KA39 KA41 5F031 CA02 CA05 FA05 FA07 FA11 FA15 GA02 GA36 GA47 GA49 GA50 HA62 HA64 HA67 JA08 JA17 JA22 JA49 JA51 KA03 KA11 KA12 KA20 LA12 LA15 MA28 NA03 PA04 5F045 DP19 DQ05 EB02 EM10 EN04 EN06

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 反応炉と、該反応炉内で基板を保持する
    為の複数のボートと、該ボートの識別手段を有し、基板
    処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行うこ
    とを特徴とする基板処理方法。
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