JP5441227B2 - 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板移載方法 - Google Patents

Description

本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の被処理基板に成膜、アニール処理、拡散処理等の各種処理を行い半導体装置を製造する基板処理方法に関するものであり、特に２台以上のボートが使用される基板処理装置に於ける処理方法に関するものである。

基板を処理する処理装置として、縦型の反応炉を具備し、該反応炉内に所定数の被処理基板（以下ウェーハと称す）を水平姿勢でボートに多段に保持して処理するバッチ式の基板処理装置がある。

更に、スループットを向上することを目的として、複数のボートを具備するものがある。

例えば、この種の装置として、特許第２６８１０５５号公報に記載されているものがある。

特許第２６８１０５５号公報に記載されている装置に於いては、ウェーハ移載装置と反応炉の真下空間との間にボート交換装置が配置されており、ボート交換装置の回転テーブルの上に２台のボートが載置され、回転テーブルを中心として２台のボートが１８０度ずつ回転することにより、未処理ウェーハを保持するボートと処理済ウェーハを保持するボートとが交換される様になっている。

斯かる基板処理装置に於いては、１つのボートについて処理が実行されている間に、他のボートに対してウェーハ移載装置による処理済ウェーハの払出し、未処理ウェーハの移載が実行され、次の処理工程の準備が行われ、全体として処理時間が短縮される様になっている。

複数のボートを使用している場合、各ボートは設計的には同一であるが、ボートを構成する材質の純度、又ボートが繰返し使用される為、不純物の付着状態が相違する等ボート間で個体差がある。この為、基板処理の内容とボートとの相性が生じ、基板を処理した場合、ボートによって処理結果が微妙に異なることがある。

従来では、ボートの個体差と処理の内容とについて配慮されてなく、この為使用されるボートによって処理品質に不均一性が生じるという不具合があった。

本発明は斯かる実情に鑑み、ボートの個体差に基づく処理品質の相異を解消し、処理品質の安定化、向上を図るものである。

本発明は、反応炉と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボートと、該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行う基板処理方法に係るものである。

本発明によれば、反応炉と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボートと、該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行うので、ボートの個体差に基づく処理品質の相異を解消し、処理品質の安定化、向上が図れるという優れた効果を発揮する。

本発明が実施される基板処理装置の全体斜視図である。 該基板処理装置の平断面図である。 該基板処理装置の立断面図である。 該基板処理装置のボート移送装置の斜視図である。 制御システムを示すブロック図である。 ボート識別手段を示しており、（a）は待機台の平面図、（b）は（a）のＢ−Ｂ矢視図、（c）は（b）のＣ−Ｃ矢視図、（d）はボートのベースの底面図、（e）は（d）のＥ−Ｅ矢視図である。 ボート識別手段の作用説明図であり、（a）は一部切断正面図、（b）は（a）のＢ−Ｂ矢視図、（c）は（a）のＣ−Ｃ矢視図、（d）は（a）のＤ−Ｄ矢視図である。 移載テーブル編集画面を示す図である。 ボートの判断に伴う移載動作のフローチャートである。 処理中の状態を示す表示画面の図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１は図１に概略の構成が示される様に、筐体２の内部に縦型反応炉１１を有する縦型拡散・ＣＶＤ装置（以下ＣＶＤ装置と称す）であり、前記筐体２の前面には基板収納容器５０（例えばウェーハカセット、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔｏｐｎｉｎｇ
ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）等ポッド５０と称す）を授受する授受ステージ８が設けられ、前記筐体１の内部で一側（前方より見て右側）に基板移載機４１が前記授受ステージ８に対向する様に設けられ、前記基板移載機４１の後方にはボートエレベータ２０が筐体内右側に設けられている。前記縦型反応炉１１の直下には熱処理ステージ４が設けられ、前記ボートエレベータ２０はボート２１を、前記熱処理ステージ４の位置から前記縦型反応炉１１に装入、該縦型反応炉１１から前記熱処理ステージ４へ引出しする様になっている。前記ボートエレベータ２０に対向してボート移送装置３０が設けられている。該ボート移送装置３０は前後に待機ステージ５と冷却ステージ６とを具備し、該待機ステージ５、冷却ステージ６と前記熱処理ステージ４間で前記ボート２１の移送を行う。

前記縦型反応炉１１は有天円筒状のヒータユニット１８、該ヒータユニット１８と同心に内設された石英製の反応管１３を有し、該反応管１３は反応室１２を画成する。前記反応管１３は炉口フランジ１４を介して前記筐体２に支持され、前記反応管１３には前記反応室１２の上方に開口するガス導入管１７が設けられ、前記炉口フランジ１４には排気管１６が設けられている。前記ガス導入管１７は原料ガス、窒素ガス等のガスを供給する為のガス供給源（図示せず）に接続され、前記排気管１６は前記反応室１２を所定の圧力に保持する為の真空排気装置（図示せず）に接続されている。

前記ポッド５０は処理基板であるウェーハを所定数（例えば２５枚）収納した状態で搬送される密閉式の搬送容器であり、開閉可能な蓋を有している。

ウェーハの搬送容器として前記ポッド５０が使用される場合には、ウェーハが密閉された状態で搬送されることになる為、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウェーハの清浄度は維持することができる。従って、ＣＶＤ装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなる為、クリーンルームに要するコストを低減することができる。

図３に示されている様に、前記ボート２１は下端板２２と該下端板２２に立設された複数本（本実施の形態では３本）の支柱２４に支持された上端板２３を有し、前記支柱２４には所要ピッチで基板保持溝２５が刻設され、該基板保持溝２５にウェーハ７が挿入されることで、該ウェーハ７が前記ボート２１に水平姿勢で保持される。該ボート２１の下端板２２の下には断熱キャップ部２６が形成されており、該断熱キャップ部２６の下側には脚柱２７を介してベース２９が設けられている。前記脚柱２７によって形成された該ベース２９と断熱キャップ部２６間の間隙には後述するボート移送装置３０のアームが嵌合可能となっている。

前記授受ステージ８は前記基板処理装置１の外部に対して前記ポッド５０を授受するものであり、該ポッド５０の蓋（図示せず）を開閉する為のドア開閉装置（図示せず）を具備している。

前記基板移載機４１は送り螺子機構を有するエレベータ４２と、該エレベータ４２により昇降される昇降ベース４３と、該昇降ベース４３に回転可能に設けられた回転テーブル４４と該回転テーブル４４に進退可能に設けられた基板移載ヘッド４６とを具備し、又該基板移載ヘッド４６には前記ウェーハ７を保持する基板移載プレート４７が上下方向に所要段（本実施の形態では５段）設けられている。而して、前記基板移載機４１は昇降、回転、進退の協働により前記授受ステージ８のポッド５０と熱処理ステージ４に位置する降下状態のボート２１との間で前記ウェーハ７を移載可能となっている。

前記ボートエレベータ２０は送り螺子機構によりキャップ１９を昇降可能であり、該キャップ１９には前記ボート２１が載置され、該ボート２１は前記キャップ１９を介して前記ボートエレベータ２０に昇降され、前記熱処理ステージ４の位置から前記縦型反応炉１１に装入、該縦型反応炉１１から前記熱処理ステージ４へ引出しされる様になっている。又、前記キャップ１９は前記ボート２１を前記縦型反応炉１１に装入した状態では、前記縦型反応炉１１の炉口部を気密に閉塞する。

前記ボート移送装置３０は、図４に詳細が示されている。

コの字状をし、前記筐体２の壁面に沿って立てられたフレーム３５に鉛直のガイドシャフト３６が設けられ、該ガイドシャフト３６に下スライダ３７、上スライダ３８が摺動自在に設けられている。該上スライダ３８にはモータにより螺子ロッドが回転される送り螺子機構３９が連結され、該送り螺子機構３９により前記上スライダ３８は昇降可能となっている。該上スライダ３８には回転エアシリンダ、ロータリソレノイド等の回転アクチュエータ４０を介してクランク状に屈曲した上アーム３２が設けられ、該上アーム３２は前記回転アクチュエータ４０によって少なくとも１８０°は回転可能となっている。

又、前記下スライダ３７についても同様な構成で、前記送り螺子機構３９が連結され、前記回転アクチュエータ４０を介してクランク状に下アーム３１が前記下スライダ３７に設けられている。又、前記下アーム３１、上アーム３２は回転した場合に相互に干渉しない様な形状となっている。

前記下アーム３１、上アーム３２の水平部分はいずれも円弧形状に形成されており、前記脚柱２７が形成する間隙に嵌合可能であり、嵌合した状態では前記断熱キャップ部２６が前記下アーム３１、上アーム３２に載置され、前記ボート２１は前記下アーム３１、上アーム３２により垂直に支持される様になっている。

前記待機ステージ５には前記ボート２１を垂直に支持する待機台３３が設置されており、前記下アーム３１は、回転、昇降の協働により前記ボート２１を前記待機台３３と熱処理ステージ４のキャップ１９との間で移送する様に構成されている。前記冷却ステージ６には冷却台３４が設置されており、前記上アーム３２は、回転、昇降の協働により前記ボート２１を前記冷却台３４と熱処理ステージ４のキャップ１９との間で移送する様に構成されている。

尚、前記筐体２の側面に設けられたクリーンユニット３と該クリーンユニット３と対向した位置に配置された排気ファン９により前記筐体２内には前記待機ステージ５、冷却ステージ６から熱処理ステージ４を経て流れるクリーンエア１５の一方向流れが形成される。

図５は制御システムを示すブロック図である。

図５に示されている制御システム６０はいずれもコンピュータによって構築されたメインコントローラ６６と複数のサブコントローラ６１，６２，６３，６４とによって構成されている。

サブコントローラとしては、反応室１２の温度を制御する温度制御サブコントローラ６１と、反応室１２の圧力を制御する圧力制御サブコントローラ６２と、原料ガスやキャリアガス及びパージガス等のガス流量を制御するガス制御サブコントローラ６３と、各種のエレべ−タやボート移送装置３０及び基板移載機４１等の機械を制御する機械制御サブコントローラ６４とが構築されており、これらサブコントローラ６１，６２，６３，６４は前記メインコントローラ６６に制御ネットワーク６５によって接続されている。

前記メインコントローラ６６には表示手段及び入力手段（ユーザ・インタフェース）としての制御卓６７及びハードディスク等の記憶装置６８が接続され、該記憶装置６８には基板処理を行う為の制御シーケンスプログラム８６、各種処理開始前に各種処理条件を設定する為の処理条件入力プログラム８７、基板処理の進行状態等をディスプレイ６７ａに表示させる為の表示プログラム８８、或はレシピ等が記憶されている。

前記制御卓６７は前記ディスプレイ６７ａとキーボード及びマウス（図示せず）とを備えており、前記ディスプレイ６７ａにレシピの内容（項目名や制御パラメータの数値等）、処理の進行状態等を表示すると共に、キーボードやマウスによって作業者の指令を伝達する様に構成されている。

前記メインコントローラ６６には各ボートを識別するボート識別手段のボート識別部７１が構築（プログラミング）されており、該ボート識別部７１にはボート識別の為のボート検出装置７２が接続されている。前記ボート識別部７１は前記ボート検出装置７２の検出結果に基づいて各ボートを識別する様に構成されており、前記メインコントローラ６６は前記ボート識別部７１の識別結果に基づいて、各ボートに対応した指令を前記サブコントローラ６１，６２，６３，６４に指令する様になっている。

前記ボート検出装置７２は前記待機台３３、冷却台３４及びキャップ１９にそれぞれ設置されており、各ボート検出装置７２が前記メインコントローラ６６のボート識別部７１にそれぞれ接続されている。前記待機台３３、冷却台３４及びキャップ１９にそれぞれ設置された各ボート検出装置７２の構成は実質的には同一であるので、ボート検出装置７２については図６及び図７に示されている待機台３３に設置されたものを説明する。

前記待機台３３の上面には横断面が逆台形である位置合わせ溝８１が３条、前記待機台３３の上面の中心から中心角を３等分した方向に放射状に配置されて刻設されている。該待機台３３には周面から中心側に向って凹部８０が形成され、前記待機台３３の断面は工の字状となっている。前記３条の位置合わせ溝８１の１つに有無検出部７３及び識別用検出部７４が設けられ、該有無検出部７３、識別用検出部７４は、前記ボート検出装置７２を形成する。該有無検出部７３と識別用検出部７４は同一構造であるので、該識別用検出部７４について説明する。

前記位置合わせ溝８１には鉛直方向に保持穴７５が穿設され、該保持穴７５にプラグ７６が上下自在に設けられ、該プラグ７６はスプリング７７により上方に付勢されている。又、前記プラグ７６は下方に押されることで、下端が前記凹部８０に突出可能な形状となっている。リミットスイッチ７８が前記プラグ７６と同心となる様配設され、前記リミットスイッチ７８のアクチュエータは前記プラグ７６の下端に当接する様になっている。該プラグ７６は弗素樹脂等の耐熱性及び耐摩耗性を有した材料によって形成されている。

前記ベース２９の下面の凹部８４が形成され、該凹部８４の内周面は前記待機台３３の外周面と契合する様に逆テーパ形状となっている。又、前記凹部８４の底面には、同一円周上の３等分割した位置に３個の位置合わせ突起８２が下方に向け突設されており、該位置合わせ突起８２は前記位置合わせ溝８１の逆台形に対応した切頭円錐形状に形成され、前記ベース２９と前記待機台３３とが嵌合した状態で、前記位置合わせ突起８２と位置合わせ溝８１とが嵌合可能となっている。

又、前記凹部８４の底面には、前記位置合わせ突起８２の１つを通る同一半径上で、且つ中心点からの距離が前記有無検出部７３及び識別用検出部７４と同一である位置に被検出子７９が設けられている。該被検出子７９は前記位置合わせ突起８２の位置合わせ機能を損わない様、前記位置合わせ溝８１には接触せず前記プラグ７６のみを押下する形状となっている。前記被検出子７９は石英や炭化シリコン（SiC ）によって形成されたベース２９の下面に螺着され、着脱可能となっている。

而して、前記被検出子７９が前記有無検出部７３、識別用検出部７４の位置に合致した状態で、前記ボート２１が前記待機台３３に載置された時にのみ、前記リミットスイッチ７８が作動する。

前記識別用検出部７４に対応する外側の被検出子７９ａは一方のボート（以下、第１ボートとする）２１ａには取付けられているが、他方のボート（以下、第２ボートとする）２１ｂには取付けられていない。従って、前記識別用検出部７４が前記被検出子７９を検出した時には第１ボート２１ａと判断することができ、前記識別用検出部７４が被検出子７９ａを検出しない時には第２ボート２１ｂと判断することができる。

又、前記有無検出部７３は内側の被検出子７９ｂを検出することで、前記待機台３３に前記ボート２１が載置されているかどうかを検出することができる。又、前記被検出子７９ｂが前記位置合わせ溝８１に嵌合し、更に前記有無検出部７３は内側の被検出子７９ｂを検出することで、前記ボート２１の前記待機台３３、冷却台３４等に対する向きの決定機能、向きが正しいかどうかの判断機能も有する。

以下、上記した基板処理装置による基板処理方法を説明する。

前記ボート２１の個体差が処理品質に影響を及す基板処理を実行する場合は、処理条件として第１ボート２１ａ、第２ボート２１ｂのいずれか処理に適したボートを選択する。

前記制御卓６７より処理条件入力プログラム８７を起動する。該処理条件入力プログラム８７の起動と共に前記表示プログラム８８が起動され、前記ディスプレイ６７ａには図８で示される移載テーブル編集画面８９が表示される。

該移載テーブル編集画面８９では該移載テーブル編集画面８９のテーブルのファイル名９１が示される。前記移載テーブル編集画面８９上で処理に必要な各種設定を行う。

ウェーハチャージコマンド入力部９２ではダミーウェーハ、モニタウェーハ、プロダクトウェーハ等、各種ウェーハをチャージするか、ディスチャージするかどうかを設定する。時間入力部９３では、処理後のウェーハの冷却時間を設定する。スタート条件設定部９４ではウェーハの移載、バッチプロセスを手動で開始するか、自動で開始するかを設定する。ボート指定部９５では、複数あるボートのどれを指定して基板処理を実行するか、或は指定しないで処理を実行するかを設定する。

更に、図示していないが基板処理に対応するレシピを指定する。

処理条件が設定されると、前記制御シーケンスプログラム８６が起動される。

指定されたレシピが前記記憶装置６８から読込まれ、前記メインコントローラ６６のＲＡＭ等に展開されて、各サブコントローラ６１，６２，６３，６４に指令されることによって実施される。

尚、基板処理が実行される前に、前記移載テーブル編集画面８９でボートが指定されたかどうかが判断され、判断結果に応じて基板処理がなされる。

図１に示される様に、前記第１ボート２１ａが前記待機ステージ５の待機台３３に載置され、前記第２ボート２１ｂが前記冷却ステージ６の冷却台３４に載置された状態であるとする。前記第１ボート２１ａには前記被検出子７９ａが取付けられ、前記第２ボート２１ｂには前記被検出子７９ａが取付けられていないので、前記待機台３３のボート検出装置７２のリミットスイッチ７８は作動し、前記冷却台３４のボート検出装置７２のリミットスイッチ７８は作動しない。各ボート検出装置７２の作動状態は前記ボート識別部７１により監視されており、前記メインコントローラ６６は前記第１ボート２１ａ、第２ボート２１ｂがどこにあるかを判断する。

図９に示す様に、処理シーケンスが開始されると、対象ウェーハのボート２１への移載が可能かどうかが判断される。即ち、前記授受ステージ８に所定のウェーハが収納されたポッド５０が載置されているか、更に該ポッド５０の蓋が開けられウェーハの移載準備が完了しているかが判断される。

次に、空きボートがあるか、ボートの指定はされているかが順次判断される。ボートの指定がない場合は、空きボートがあると判断されると、ボートの識別は行われずに前記メインコントローラ６６から前記機械制御サブコントローラ６４へ前記基板移載機４１の駆動指令が発せられ、該基板移載機４１による前記ポッド５０から前記待機ステージ５のボート２１へのウェーハ７の移載処理が開始される。

ボートの指定があると、更に空きボートが指定ボートであるかどうかが、前記ボート識別部７１の判断に基づきなされる。空きボートが指定ボートであった場合、即ち、図１に示される様に、指定ボートが第１ボート２１ａであり、又該第１ボート２１ａが空きであった場合、上記と同様に該基板移載機４１による前記ポッド５０から前記待機ステージ５の第１ボート２１ａへのウェーハ７の移載処理が開始される。

尚、空きボートがなかった場合、空きボートがあっても指定のボートでなかった場合は、ウェーハ７の移載処理は実行されず、該当した条件がなかったことが前記ディスプレイ６７ａに表示され、作業者は該ディスプレイ６７ａに表示された情報で、ボートの指定の必要ない他の基板処理を行う様にするか、或は指定のボートが空く迄他の基板処理を続行させるか等の選択を行う。

ウェーハ７の移載処理を行い、予定された全てのウェーハ７の移載が完了すると、図１の状態となる。尚、図１は便宜的に処理済のウェーハを保持した第２ボート２１ｂが前記冷却ステージ６で冷却されている状態を示している。

移載が完了すると、更に次の制御シーケンスが順次実行される。

尚、各ステージ毎にボート検出装置７２が設けられているので、どのボートがどの位置にあるかは容易に判断することができる。判断結果は前記ディスプレイ６７ａに表示される。即ち、基板処理が実行されている状態で、前記表示プログラム８８が起動され、処理状況が前記ディスプレイ６７ａに表示される。

図１０は、基板処理中に表示される表示画面９６を示す。

該表示画面９６では詳細は省略してあるが、例えばボート表示部９７にはボートの状態がイラストで示され、どのボートがどの位置に、どの状態かが直ちに判別できる様になっている。その他、実行されているレシピのファイル名、処理中の圧力、温度等が表示される。

以下は、前記第１ボート２１ａが指定された場合に続いて実行される基板処理について説明する。

前記待機ステージ５にて指定の枚数のウェーハ７が前記第１ボート２１ａに装填されると、該第１ボート２１ａは前記ボート移送装置３０の下アーム３１によって前記待機ステージ５から前記熱処理ステージ４へ移送され、前記キャップ１９の上に移載される。前記第１ボート２１ａを前記キャップ１９に移載した下アーム３１は前記待機ステージ５に戻る。

前記キャップ１９にも前記ボート検出装置７２及び位置合わせ溝８１が前記待機台３３と同様に配設されている為、前記キャップ１９に移載された前記第１ボート２１ａは正確に位置合わせされ、前記ボート識別部７１によって有無を確認されると共に識別されることになる。前記メインコントローラ６６は前記第１ボート２１ａに対応した制御条件を温度制御サブコントローラ６１、圧力制御サブコントローラ６２、ガス制御サブコントローラ６３及び機械制御サブコントローラ６４に指令する。

前記第１ボート２１ａは前記ボートエレベータ２０によって上昇されて前記縦型反応炉１１の反応室１２に搬入される。前記第１ボート２１ａが完全に装入されると、前記キャップ１９は前記反応室１２を気密に閉塞する。

該反応室１２が所定の真空度に前記排気管１６を介して真空排気され、前記ヒータユニット１８によって所定の処理温度（例えば、８００〜１０００℃）に均一加熱される。前記反応室１２の温度が安定すると、処理ガスが該反応室１２に前記ガス導入管１７を介して所定の流量供給される。供給された処理ガスが加熱により活性化し、前記ウェーハ７に所定の成膜処理が施される。

前記第１ボート２１ａに対する成膜処理の間に、前記第２ボート２１ｂが前記待機ステージ５の待機台３３の上に前記ボート移送装置３０によって移載され、前記ポッド５０のウェーハ７が第２ボート２１ｂに前記基板移載機４１によって移載される。

この際、前記第２ボート２１ｂのベース２９に突設された３個の位置合わせ突起８２が前記待機台３３の三条の位置合わせ溝８１にそれぞれ嵌合する為、前記第２ボート２１ｂは前記待機台３３に正確に軸心合わせされると共に、向きが予め指定された方向を向いた状態になっている。而して、前記基板移載機４１によるウェーハ７の第２ボート２１ｂへの移載作業は適正に実行される。

前記第２ボート２１ｂのベース２９には前記識別用検出部７４に対応した被検出子７９ａが取付けられていない為、前記ボート検出装置７２は被検出子７９ｂを検出するが、被検出子７９ａを検出しない状態になる。而して、前記ボート識別部７１は第２ボート２１ｂと判断し、その判断結果を前記メインコントローラ６６に送信する。該メインコントローラ６６は前記待機台３３に前記第２ボート２１ｂがあることを確認し、前記記憶装置６８に記憶させると共に前記ディスプレイ６７ａに状態を表示させる。

前記第２ボート２１ｂが空であり、次バッチ処理に適したボートである場合は、上述した手順で、対象となるウェーハが移載され、処理済のウェーハが保持されている場合は、前記第２ボート２１ｂから前記ポッド５０に処理済ウェーハが払出された後前記第２ボート２１ｂへのウェーハ７の移載が行われる。

前記第１ボート２１ａに対する基板処理が完了すると、該第１ボート２１ａが前記ボートエレベータ２０によって下降されて、前記第１ボート２１ａが前記縦型反応炉１１の反応室１２から引出される。処理後の第１ボート２１ａ（保持されたウェーハ７群を含む）は高温の状態になっている。

処理済み第１ボート２１ａは前記熱処理ステージ４から前記冷却ステージ６へ前記上アーム３２によって直ちに移送される。ここで、前記冷却台３４にも前記ボート検出装置７２及び位置合わせ溝８１が前記待機台３３と同様に配設されている為、前記冷却台３４に移載された第１ボート２１ａは正確に位置合わせされ、前記ボート識別部７１によって有無を確認されると共に識別されることになる。

前記冷却ステージ６は前記クリーンユニット３の近傍に位置しており、高温状態の第１ボート２１ａは前記クリーンユニット３から吹出されるクリーンエア１５によって極めて効果的に冷却される。

前記冷却台３４に於いて、例えば１５０℃以下に冷却された第１ボート２１ａは、前記ボート移送装置３０によって前記熱処理ステージ４を経由して前記待機ステージ５に移送される。尚、この間に前記第２ボート２１ｂに対する未処理ウェーハ７の移載は完了し、前記縦型反応炉１１への装入も完了している。

前記第１ボート２１ａが前記待機台３３に戻されると、前記基板移載機４１は前記第１ボート２１ａから処理済ウェーハ７を受け取って前記授受ステージ８のポッド５０に移載していく。この際も、前記有無検出部７３及び識別用検出部７４の両方が前記ベース２９の両方の被検出子７９ａ，７９ｂを検出した状態になる為、前記制御システム６０のボート識別部７１は第１ボート２１ａと判断し、その判断結果を前記メインコントローラ６６に送信する。該メインコントローラ６６はその判断結果を前記記憶装置６８に記憶させると共に前記ディスプレイ６７ａに表示させる。

以降、処理に対応したボート２１が指定された場合、指定されない場合、指定条件に応じて第１ボート２１ａと第２ボート２１ｂとによる基板処理が繰返される。

尚、前記ボート検出装置７２では前記リミットスイッチ７８を使用したが、超音波センサ等の検出器でもよく、又前記被検出子７９が設けられる位置は底面でなく、前記ベース２９の周面であってもよい。更に、上記実施の形態ではボートが載置されるステージにはそれぞれボート検出装置７２を設けたが、上記した様に該ボート検出装置７２からの信号、前記ボート識別部７１の識別結果を時系列的に前記記憶装置６８に記憶させることで、ボートの状態が判断できるので、前記ボート検出装置７２は一箇所に設けられていてもよい。

１ 基板処理装置
５ 待機ステージ
６ 冷却ステージ
７ ウェーハ
８ 授受ステージ
１１ 縦型反応炉
１９ キャップ
２０ ボートエレベータ
２１ ボート
３０ ボート移送装置
３３ 待機台
３４ 冷却台
６６ メインコントローラ
６７ 制御卓
６８ 記憶装置
７１ ボート識別部
７２ ボート検出装置
７３ 有無検出部
７４ 識別用検出部
８１ 位置合わせ溝
８６ 制御シーケンスプログラム
８７ 処理条件入力プログラム
８８ 表示プログラム

Claims (4)

1. 基板をチャージするかディスチャージするかどうかを設定するコマンド入力部と、複数のボートのどのボートを指定して基板処理を実行するか、或は指定しないで基板処理を実行するかを設定するボート指定部を少なくとも有し、処理に必要な各種設定を行う編集画面上で設定される処理条件の内容に応じて基板処理を行う基板処理方法であって、
   前記編集画面上で前記処理条件を設定する工程と、
   前記コマンド入力部で設定された前記基板の移載準備を行う工程と、
   空きボートの有無、および前記ボート指定部でのボートの指定の有無を判断する工程と、
   対象の前記基板をボートへ移載する移載工程と、を有し、
   前記移載工程では、
   前記空きボートが、前記ボート指定部で設定された指定ボートの場合、または、前記ボート指定部で指定ボートが設定されていない場合、前記基板の移載を開始し、
   前記空きボートが、前記指定ボートではない場合に、前記空きボートに前記基板の移載を行わない基板処理方法。
   
2. 基板をチャージするかディスチャージするかどうかを設定するコマンド入力部と、複数のボートのどのボートを指定して基板処理を実行するか、或は指定しないで基板処理を実行するかを設定するボート指定部を少なくとも有し、処理に必要な各種設定を行う編集画面上で設定される処理条件の内容に応じて基板処理を行うよう制御する制御部を備えた基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記編集画面上で前記処理条件が設定されると、
   前記コマンド入力部で設定された前記基板の移載準備を行う工程と、
   空きボートの有無、および前記ボート指定部でのボートの指定の有無を判断する工程と、
   対象の前記基板をボートへ移載する移載工程と、を実行し、
   前記移載工程では、
   前記空きボートが、前記ボート指定部で設定された指定ボートの場合、または、前記ボート指定部で指定ボートが設定されていない場合、前記基板の移載を開始し、
   前記空きボートが、前記指定ボートではない場合に、前記空きボートに前記基板の移載を行わない基板処理装置。
   
3. 処理対象の基板をチャージするかディスチャージするかどうかを設定するコマンド入力部と、複数あるボートのどのボートを指定して基板処理を実行するか、或は指定しないで基板処理を実行するかを設定するボート指定部を少なくとも有し、処理に必要な各種設定を行う編集画面上で設定される処理条件の内容に応じて基板処理を行う半導体装置の製造方法であって、
   前記編集画面上で前記処理条件を設定する工程と、
   前記コマンド入力部で設定された前記基板の移載準備を行う工程と、
   空きボートの有無、および前記ボート指定部でのボートの指定の有無を判断する工程と、前記基板をボートへ移載する移載工程と、前記指定された前記ボートを反応炉内に搬入して成膜処理を行う工程を有し、
   前記移載工程では、
   前記空きボートが、前記ボート指定部で設定された指定ボートの場合、または、前記ボート指定部で指定ボートが設定されていない場合、前記基板の移載を開始し、
   前記空きボートが、前記指定ボートではない場合に、前記空きボートに前記基板の移載を行わない半導体装置の製造方法。
   
4. 処理対象の基板をチャージするかディスチャージするかどうかを設定するコマンド入力部と、複数のボートのどのボートを指定して基板処理を実行するか、或は指定しないで基板処理を実行するかを設定するボート指定部を少なくとも有し、処理に必要な各種設定を行う編集画面上で設定される処理条件を設定する工程と、
   前記コマンド入力部で設定された前記基板の移載準備を行う工程と、
   空きボートの有無、および前記ボート指定部でのボートの指定の有無を判断する工程と、前記基板をボートへ移載する移載工程と、を有し、
   前記移載工程では、
   前記空きボートが、前記ボート指定部で設定された指定ボートの場合、または、前記ボート指定部で指定ボートが設定されていない場合、前記基板の移載を開始し、
   前記空きボートが、前記指定ボートではない場合に、前記空きボートに前記基板の移載を行わない基板移載方法。