JP4174837B2 - 縦型熱処理炉 - Google Patents

縦型熱処理炉 Download PDF

Info

Publication number
JP4174837B2
JP4174837B2 JP18487697A JP18487697A JP4174837B2 JP 4174837 B2 JP4174837 B2 JP 4174837B2 JP 18487697 A JP18487697 A JP 18487697A JP 18487697 A JP18487697 A JP 18487697A JP 4174837 B2 JP4174837 B2 JP 4174837B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
heat treatment
heating
treatment furnace
vertical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP18487697A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1064836A (ja
Inventor
エス．リー チャングシン
Original Assignee
アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド filed Critical アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド
Publication of JPH1064836A publication Critical patent/JPH1064836A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4174837B2 publication Critical patent/JP4174837B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハを処理するための熱処理炉に関するものであり、特に縦型熱処理炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
熱処理炉は、また拡散炉として公知であり、広く知られているものである。そして、アニール、不純物拡散、酸化、及び化学的蒸気蒸着を含む種々の半導体製造処理を実行するために何年間も使用されてきた。
【０００３】
その結果、これらの処理は、特に品質及び生成物の均一性についての処理変数の影響に関してよく理解されている。一般的に、熱処理炉は、横形または縦型のいずれかの炉を用いる。ある適用例では、縦型熱処理炉は使用中、汚染やウエハのくずの入りこむことを減少させ、発生する粒子を少なくするので好ましく、容易に自動化されうる。そして、それらは相対的に小さな占有面積のため、より少ない床面積ですむ。
【０００４】
従来の二つの型式の拡散炉は、良く知られているように、１ミクロン以下の線幅を維持しながら望ましい深さでの添加不純物（ドーパント）の拡散か、あるいはウエハに酸化層または化学的蒸気蒸着層を形成する等の他の通常の処理技術を達成するために、半導体ウエハを望ましい温度で加熱するように設計されている。処理中にウエハを加熱する必要性は知られており、またよく理解されているし、厳密に監視されている。
従来の縦型熱処理炉は、縦位置の炉内に処理用炉心管を支持するように設計されている。この熱処理炉は、また、一般的には炉心管の内外へウエハボート（台）を移動するための、適当な運搬機構に取りつけられているウエハ台組立体を使用する。
【０００５】
ウエハハンドリング組立体は、一般的には１００個のウエハを保持するウエハカセットから半導体ウエハをウエハ台組立体に運搬するためにウエハ台組立体に平行にかつ隣接して配備されている。このウエハハンドリング組立体は、一般的には炉心管を収容する反応室から分離したロードロック室内にあり、その環境は、厳密に適切な監視がされる構造によって制御されている。ロードロック室に取り付けるウエハハンドリング組立体は、ウエハカセットを１あるいはそれ以上のロードロック室内に収納することによってウエハカセットと分離でき、このロードロック室は、ウエハハンドリング組立体のロードロック部分と選択された流体が連通する。
【０００６】
このようにロードロック室間の連絡により、加熱中のウエハ内に形成される汚染物の発生を減少させあるいは取り除くために、処理中に必要な、正確な環境制御を可能にする。一般的に、ロードロック室は、ウエハカセットからウエハ台へ、そしてその反対にウエハを運搬することができるように、選択的に開放されかつ気密なゲートバルブによって互いに分離されている。
【０００７】
実際に、ウエハ台を取り付けているロードロック室内が真空になると、窒素のような不活性ガスがロードロック室を満たすために導入され、そこから空気を取り除くことができる。ロードロック室から空気を一掃することによって、半導体ウエハ表面に酸化膜が形成されるのを防止する。
【０００８】
上述したように、ロードロック室は、窒素雰囲気中でのウエハ台のローディングあるいはアンローディングを果たすために、半導体ウエハカセット及びウエハハンドリング組立体を収容する他の一連のロードロックに接続されている。このウエハ台には、ウエハの一群を形成するために、ウエハカセットからウエハハンドリング組立体を経由して、ウエハが載置される。それから、一群のウエハは炉内に配置され、そこで上昇する温度下でユーザが選択する処理を受ける。これらの型式の従来の縦型熱処理炉は、ヒューズ(Fuse)等の米国特許第５，２１７，５０１号や、カキザキ等の米国特許第５，３８７，２６５号に開示され、記載されている。
【０００９】
従来の炉は、約２０インチから約３０インチの長さの処理管内に等温ゾーンを形成し、そこに１５０から２００の間のウエハからなる一群のウエハが配置される。この一群のウエハが比較的大きな熱容量を有するために、温度の上昇率は比較的小さく、例えば約５℃／分から１０℃／分の間にあり、また温度の下降率は比較的小さく、約２．５℃／分から約５℃／分の間にある。これは、一群のウエハ毎に比較的長い熱サイクルを生じ、その結果、ウエハ毎に比較的大きな熱の蓄積を生じる。
【００１０】
これらのそして他の従来の縦型熱処理炉の他の欠点は、一群のウエハ毎に増加するサイクルタイムのために、比較的処理量が低いことである。これらの従来システムは、特に半導体ウエハに対する今日的な更なる要求に適応できるものではない。
【００１１】
これらの炉の欠点は、ウエハをウエハ台に移動し、そしてウエハ台からさらにこのウエハを移動するのに、空気のない環境を形成する前段階のロードロック組立体室を包含することである。これらの状況を達成するために、ロードロック室の通気および除去に含まれる時間は、一群のウエハ毎の全体の処理時間を増加させ、熱処理システムの処理量を減少させることになる。
【００１２】
更に他の欠点は、これらの炉が比較的大きな設置面積を必要とし、クリーンルーム内で比較的大きな床面積を占め、高価なクリーンルームの空間の使用を非効率とすることである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
このような、従来技術の縦型熱処理炉における上述の欠点を解消するために、本発明の目的は、比較的高い処理量を可能にする縦型熱処理炉を提供することである。
【００１４】
本発明の他の目的は、改善された温度の上昇率及び下降率を達成する炉を提供することである。
【００１５】
さらに他の発明の目的は、容易に自動化され、そして比較的小さな床面積を占める熱処理炉を提供することである。
【００１６】
本発明の他の一般的で、より特殊な目的は、部分的に明らかであり、以下の図面及び説明から一部分明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、各請求項に記載の構成を有する。具体的には、本発明は、半導体ウエハの縦型熱処理炉を提供し、この熱処理炉は、半導体ウエハを加熱処理するための加熱室をそれぞれ備える縦型の第１，第２の熱処理炉を有する単一のハウジングを含んでいる。
【００１８】
各々の縦型熱処理炉は、選択された数の半導体ウエハを軸方向に取り付けるために、ウエハ台、この台のエレベータ、モータ、ガイドロッドのような支持構造体を含むウエハ支持組立体を有する。
【００１９】
一つの観点によれば、移動要素は処理用管の内外の縦軸（長手軸線）に沿って支持要素の一つを選択的に動かす。そしてウエハ移動要素は、半導体ウエハを支持要素の一つへ、あるいは支持要素の一つから移動させる。好ましい実施の形態によれば、各縦軸に沿って、また、選択的に加熱室内へ支持要素を移動させるためのウエハ支持組立体の各々と連動する移動要素である。
【００２０】
他の観点によれば、縦型熱処理炉は、制御信号、例えば、位置信号を発生するため、そして位置信号に応じて縦軸に沿って支持構造体の一つの起動、修正あるいは移動、停止等の制御を行うために、位置信号を移動要素に移送するためのユーザが発した制御信号に応答する制御要素を含んでいる。
【００２１】
この制御要素は、各支持構造体の移動速度を独立にあるいは同時に制御する。一つの実施の形態によれば、制御要素は、位置信号を発生するホストコンピュータ、支持構造体と共に動作する運動制御器を含む。この制御要素に加えられる制御信号は、選択された温度勾配上昇率及び温度勾配下降率の各条件の少なくとも一つを表すことができる。
【００２２】
さらに他の観点によれば、移動要素は、第１と第２の支持要素の少なくとも一つの移動速度を示す移動信号を発生することができる。また、制御要素は、この移動信号に応答して縦軸に沿って支持要素の一つの移動速度を制御する。
【００２３】
さらに他の観点によれば、各縦型熱処理炉、例えば、第１と第２の縦型熱処理炉は、各処理室の各々に熱を移す熱発生要素を含む。制御要素は、各熱発生要素の熱エネルギー出力を制御することによって、第１と第２の処理室の温度を独立してあるいは同時に制御する。
【００２４】
一つの実施の形態によれば、制御要素は、実質的に等温環境を形成するために、少なくとも室のある部分に沿って、実質的に一様な温度を保持するように熱発生要素を制御する。
【００２５】
他の観点によれば、縦型熱処理炉は、支持構造体、すなわちウエハ台の回りを雰囲気流体で囲む環境を制御するために適用される加熱スリーブあるいは熱包囲体を有する。加熱スリーブは、ロードロック処理組立体を形成する液密シールを創るために、支持要素の一部を密着係合するようなフランジ付き底部を含む。この組立体は、処理組立体を縦型熱処理炉の加熱室に、選択的に垂直に移動できる垂直移動組立体に結合している。
【００２６】
好ましい実施の形態によれば、加熱スリーブは各縦型熱処理炉と組み合わされる。加えて、加熱スリーブは、支持構造体に関して加熱スリーブを繰り返し、容易に、かつ自動的に係合離脱するために、支持構造体に対して垂直に移動される。
【００２７】
加熱スリーブが支持構造体上に配置され、この支持構造体の底部と密着係合するとき、この組立体は選択された処理技術が行われるロードロック処理室を形成する。この室は、室に１つあるいはそれ以上の選択されたガスを導入し、そして１つあるいはそれ以上のガスを排気する適切な流体分岐管に接続される。
【００２８】
単一の熱処理炉の二重の加熱包囲体と炉を使用することによって、熱処理炉が分離してかつ独立に二つの分離処理技術を実行でき、さらに、炉の使用におけるの柔軟度が増す。
【００２９】
この熱処理炉は、さらに、温度上昇率及び温度下降率を増加させ、一群のウエハを処理するに必要な全時間を減少させ、すべての炉の処理量を増加させる。これは、大きさが小さい単一ハウジング内に二つの炉をひとまとめにすることによって、また、増加したウエハピッチを有し、より小さなバッチサイズを処理するウエハ台を使用することによって、すべて達成される。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の形式に従う２つ垂直炉１２，１４を一部切り欠いて見た本発明の縦型熱処理炉１０における斜視図を示している。
【００３１】
熱処理炉１０は、コンパクトで比較的小さな占有面積を有するように設計されている。たとえば、１つの実施の形態によれば、幅約４０インチ（101,6cm)、奥行約６５インチ(165cm) 、高さ約９６．５インチ(245.1cm) 程である。一般的に、熱処理炉は、アーニリング、拡散、酸化、そして低圧及び高圧の化学気相成長法（ＣＶＤ）を含む種々の半導体製造工程を実行するために使用される。
【００３２】
図示された熱処理炉１０は、一対の垂直炉（第１，第２の加熱手段）１４，１２を包囲する外側の主ハウジング１６を有する。このハウジング１６は、複数の側面１６Ａと１つの前面１６Ｂで構成され、その内部にウエハを収納する区画室を含んでいる。
【００３３】
垂直方向に間隔をとった一対の円形コンベヤ(carousel)２６，２８が８つのウエハカセットを支持しており、このウエハカセットは多数のウエハを保持し、区画室内に取付られている。
【００３４】
これらのウエハは、処理または未処理のウエハのいずれかである。ドアパネル２２は、区画室２０を包囲しかつ覆っている。図示されるように、モニター３０がハウジング１６の前面１６Ｂに取り付けられ、作業者が、選択した処理制御パラメータ、例えば、温度、加工時間、ガスの種類、及びその他の選択処理制御パラメータを監視できるようになっている。
【００３５】
図３において、ウエハカセット２４は円形コンベヤ２８上に取付けられている。３軸ウエハ搬送組立体３６は機械式搬送アーム３６Ａを有し、このアームが選択したカセット２４からそれぞれの垂直炉１４，１２にあるウエハボート（ウエハ台）４０の１つにウエハＷを搬送する。
【００３６】
円形コンベヤ２８は、所定の位置に、選択したウエハカセットを位置決めるために選択的に回転でき、これにより、機械式搬送アーム３６Ａが特定のカセットからウエハを移動したり、また、カセット上に配置できるようになる。
【００３７】
このように、図示された熱処理炉１０は、炉の操作中に選択した制御とウエハの連続加工が可能である。ウエハ搬送組立体（ウエハ搬送手段）３６は、搬送アーム３６Ａが上段円形コンベヤ２８あるいは下段円形コンベヤ２６上にあるウエハカセット２４にアクセスできるように、垂直方向に動けることが望ましい。
【００３８】
ウエハのハンドリングや加工に関連してウエハ搬送組立体の操作と同じように、熱処理炉での使用において有益な種々のタイプの搬送組立体は、当業者であれば、容易に理解できかつ評価されている。
【００３９】
図１〜図３、特に図２において、本発明である熱処理炉１０の構成が示されている。この垂直炉（第１加熱手段）１４は、円筒形の処理管４４を備えて閉鎖端部４４Ａと開放端部４４Ｂを有している。処理管４４は加熱室（第１の加熱室）４６を形成している。処理管４４はアルミナ、シリコンカーバイド（炭化けい素）、及びその他のセラミック材料等の高熱用材料から形成することができ、好ましくは石英で構成されている。
【００４０】
処理管は適切な加熱要素４８により取り囲まれ、この加熱要素は、耐熱性材料または主熱源としての高周波加熱型温度放射体蓄熱器(RF heated black body cavity susceptor) を用いている。この熱源の特別なタイプは、簡単に実装でき、炉内温度を安定かつ均一に制御できる信頼性のある技術として特徴付けられかつ広く受け入られている。
【００４１】
１つの実施の形態によれば、加熱要素４８は、ヒーターモジュールの一部分を形成し、垂直方向に向いた、３ゾーンを有する抵抗体加熱ユニットである。この加熱要素は軽量で高温度用金属線によって構成することができる。加熱要素を取り巻く断熱材は、高い断熱値と低い熱量を持つセラミックファイバーによって構成することができる。すべての加熱要素が温度変化に対して素早く反応できるように設計されている。加熱モジュールは、加熱室４６を冷やす空気冷却システムを備えることもできる。処理管４４の口径及び垂直炉の外寸法は、収納するウエハの寸法変化に応じて大きさが決められる。
【００４２】
加熱要素４８は、管の内部を所定の温度、例えば、ＣＶＤ法の場合は、４００℃〜１２００℃、酸化あるいは拡散の場合は、８００℃〜１２００℃に加熱するためにそれぞれの処理管４４の回りに配置されている。制御ユニット６６は、処理技術の緊急性に従って、処理管４４の温度を調整するのに使用される。
【００４３】
例えば、ある実例によると、光パイロメータ等の温度センサが室温を感知するのに用いられ、このセンサは制御ユニット６６に連結することができる。加熱ユニットは、従来技術において公知のように、加熱室内の恒温加熱ゾーンを形成することが望ましい。
【００４４】
ハウジング１６は、断熱支柱５０によって支持されたウエハボート４０を有するウエハ支持組立体５４を囲っている。このウエハ支持組立体５４の底部５４Ａは、一体に形成され半径方向外方に伸びる縁板５４Ｂを備えている。
【００４５】
図示されたウエハ支持組立体５４は、ガイド棒６０に嵌合して摺動するボートエレベータ（昇降器）５８に連結されている。こうして、ウエハ支持組立体５４は、ガイド棒の垂直軸線に沿って垂直方向に動いて、ボートエレベータを加熱室４６の内外に選択的に移動することができる。
【００４６】
垂直炉１２（第２加熱手段）も同様に構成されている。即ち、垂直炉１２にも、第２の加熱室４６’、第２ウエハ支持組立体（図示略）等を備えている。
【００４７】
機械式搬送組立体３６の搬送アーム３６Ａは、複数のウエハを選択的に、円形コンベヤ２６，２８上に取り付けられた選択カセット２４から、いずれか一方の炉１２あるいは１４のウエハボート４０の１つに移動する。ウエハボートは、処理すべき多数のウエハ、例えば、約５０〜約１００個のウエハ、好ましくは約７５個のウエハを選択的に保持する。
【００４８】
このように、ウエハボートは従来のものと同じように約半分の数のウエハを保持する。このウエハの１バッチの数の減少は、そのバッチの全熱容量を減らし、炉内の温度勾配率を上昇させる。この上昇した温度勾配率により、ウエハが高温にさらされる全時間が減少する。
【００４９】
ウエハピッチとして知られた所定の垂直間隔で、ウエハはウエハボート上に配置される。そして、このウエハピッチは５ｍｍ〜２０ｍｍ程離れていることが好ましく、最も好ましいのは１０ｍｍ〜２０ｍｍ程である。この選択されたウエハピッチは、比較的大きな間隔が垂直方向に隣接するウエハ間に与えられており、その結果、ウエハ内部及びウエハ間の温度をより均一にする。これに対比して、いくつかの従来の設定では、一般的に、標準の炉の加工に対して約３ｍｍ〜約５ｍｍのウエハピッチを使用している。
【００５０】
この大きめのウエハピッチは、ウエハの均一性を悪化させずウエハに比較的大きな温度勾配を持たせることができるという、重要な利点を有する。また、この大きめのウエハピッチは、アームが動作時に比較的大きなスペースを持てるので、ウエハボートへのロード及びアンロード時において、機械式搬送アーム３６Ａの機械的な許容公差に幅を持たせることができる。
【００５１】
ウエハボートへのウエハバッチ数をより少なくすることは、熱処理中の加熱時における半導体ウエハの量をより少なくすることを意味する。したがって、半導体ウエハは、温度勾配を容易に上下することができ、システム全体の処理量を増加させることができる。
【００５２】
再び図２において、サーボモータ（作動手段）６４は、ガイド棒６０に沿ってボートエレベータ５８を制御する。このサーボモータ６４は、動作コントローラ６８を含む制御ユニット（制御手段）６６によって、電気リード線７０に通って伝送される選択信号を介して制御される。
【００５３】
この図示された動作コントローラ６８は、データライン７６によって示されるようにホストコンピュータ７４と電気的に接続されている。同様に、コンピュータ７４はデータ取得段７２と双方向に伝送でき、図示された炉の熱処理作業に関連した選択処理データを蓄積している。データはデータライン７８を通ってホストコンピュータ７４とデータ取得段７２との間で伝送される。
【００５４】
ロボットコントローラ８２も信号ライン８０によってコンピュータ７４と双方向に通信でき、電気リード線８６を通って選択された制御信号をウエハ搬送組立体３６に伝送する。このようにロボットコントローラ８２は、選択位置と搬送アーム３６Ａの相対移動を制御し、円形コンベヤ２６，２８の一方に取り付けられた選択カセット２４のウエハを取り除いたり載置したりする。
【００５５】
こうして、コンピュータ７４、動作コントローラ６８、データ取得段７２、およびロボットコントローラ８２は、閉ループフィードバック制御段を形成し、機械式搬送アーム３６Ａの相対移動を制御するとともに、ウエハ支持組立体５４を選択的に上昇及び下降させる。
【００５６】
当業者であれば、一つあるいはそれ以上の動作コントローラと、データ取得段と、ロボットコントローラとは、ハードウエア及びソフトウエアの両方あるいは一方に実装されそれぞれの段部が与えられるというよりもむしろ、これらの段部はコンピュータ７４の一部として形成されていると考えるであろう。
【００５７】
図示された熱処理炉１０は、更に処理管４４内に据え付けられる寸法の加熱スリーブ（雰囲気制御手段）１００を含んでいる。処理管への据付けの場合と同様に、加熱スリーブ１００も高温用材料、例えば、石英で形成されており、閉端部１００Ａ及び開放端部１００Ｂを有している。加熱スリーブの開放端部１００Ｂは、外側に広がる縁部１００Ｃをさらに含んでいる。
【００５８】
加熱スリーブ１００は、ガイド軸６０あるいは他の適合する構造体に嵌合して摺動するスリーブエレベータ１０４に結合されている。加熱スリーブ１００はウエハ支持組立体５４に対して独立して動作可能である。
【００５９】
加熱スリーブ１００の相対的な垂直位置は、制御ユニット６６の動作コントローラ６８によってフィードバック制御される。例えば、この動作コントローラ６８は、サーボモータ６４を選択的に作動して、加熱スリーブ１００またはウエハ支持組立体５４あるいは両方を同時に上げたり下げたりするのに用いることができる。
【００６０】
加熱スリーブの縁１００Ｃは、液密シール及び気密シールを形成するためにウエハ支持組立体５４の縁部分５４Ｂと密着して係合するようになっている。こうして、加熱スリーブ１００が、ウエハボートと支柱５０の上方に配置され、ウエハ支持組立体５４の縁部分５４Ｂに密着係合するとき、この加熱スリーブ１００はロードロック処理室１０８を形成する。
【００６１】
加熱スリーブ１００は雰囲気制御機構を形成するためにウエハ支持組立体と協動し、処理管４４の加熱室４６の環境から除外したウエハボート４０に取り付けられたウエハの雰囲気環境を制御する。
【００６２】
こうして、この加熱スリーブは、例えば、垂直方向に移動可能なロードロック室が、加熱室４６内に選択的に配置されるように、加熱スリーブの縁１００Ｃがウエハ支持組立体５４の縁部分５４Ｂに密着した時、１つの選択された場所において、このスリーブが作動する。
【００６３】
加熱スリーブ１００は、ウエハ支持組立体５４といっしょに加熱室４６の中を上下し、温度勾配の上昇（加熱）中も、下降（冷却）中もウエハの周囲の環境が厳密に制御されている。
【００６４】
図２において、ガスマニホルド管構造体が、ウエハ支持組立体５４と加熱スリーブ１００に連結でき、炉１４に連結したロードロック処理室１０８の流動環境を制御する。例えば、一つの実施の形態によると、ガスボックスに入った選択された処理ガスを処理室１０８の上部に搬送するために、小さな石英の導管がガスボックス１１２とウエハ支持組立体５４の縁板に連結されている。処理ガスは、適切な排出ポート、即ち、処理室の下部に位置する排出ポートを介してウエハボートの上を通過し、そして、排出用配管を通してガスボックス排出ポートに排出される。
【００６５】
ガスボックスは、関連したガスパネル、即ち、ガスパネル１１２Ａに連結され、また制御ユニット６６にも連結することができる。他のガスボックス１１６とこれに関連したガスパネル１１６Ａはもう一つの垂直炉１２に対応している。当業者には、二つのガスボックスが一つのガスボックスに置き換えられるということがわかるであろう。
【００６６】
ガス導入パイプが処理室１０８内に伸び、選択された処理ガスの通路を構成する。種々の処理ガスは、半導体ウエハ上に選択された薄膜を形成するために、処理室の中に導かれる。例えば、酸素が酸化薄膜を形成するために、ＳｉＨ4 がポリシリコン薄膜を形成するために、さらにＮＨ4 とＳｉＨ2 ＣＬ2 がシリコン窒化薄膜(silicon nitride film)を形成するためにこの処理室に導かれる。
【００６７】
更に、窒素のような浄化ガスが選択的に処理室１０８に導かれ、そこから空気を取り除く。周知のように、半導体ウエハの高温処理中及びアニーリング中に、この処理室内に空気が存在すると、半導体ウエハ上に厚くて質の悪い酸化被膜を形成する。
【００６８】
更に、ウエハから自然の酸化薄膜を取り除くためのクリーニングガスが処理室１０８に送り込まれる。このクリーニングガスは、例えば、ＮＦ3 やＨＣＬのようなプラズマレス・エッチング用ガス、水素のような還元ガス、あるいは他の適切なガスなどである。ガス導入パイプは、加熱スリーブ１００の上部あるいは下部に形成され、ウエハ支持組立体５４に取り付けられている。
【００６９】
排出パイプは、処理室１０８の導入ガスを選択的に浄化するために、加熱スリーブやウエハ支持組立体で同様に形成される。つまり、加熱スリーブ内にあるガスは、排出パイプを通して排出することができ、それによって、加熱スリーブ内が所定の真空度になるまで、あるいはガス導入パイプから予め送られているガスを取り除く。
【００７０】
加熱中に処理室に送られたガスは、高温のうちに分解され、半導体ウエハの露出した表面に堆積する。その結果、予め選択された量のガスが処理室に送られ、選択された厚さを有する薄膜がウエハ上に形成される。
【００７１】
操作上、機械式搬送組立体３６の搬送アーム３６Ａは、ロボットコントローラ８２によってフィードバック制御され、ウエハカセット２４あるいはウエハボート４０上に選択ウエハを配置させたり、ウエハを取り除いたりする。
【００７２】
一つの実施の形態によると、ウエハ支持組立体の垂直位置が変化すると、機械式搬送アーム３６Ａは、ウエハボート４０に処理すべく選択された数のウエハバッチを載せる。
【００７３】
前述したように、バッチサイズは一般的に従来のウエハのバッチサイズの約半分である。搬送アーム３６Ａは、選択したウエハカセット２４からウエハを取り除くことによってウエハボート４０を載せる。一度、ウエハボート４０が載置されると、加熱スリーブ１００の開放端１００Ｂに位置する縁１００Ｃがウエハ支持組立体５４の縁板５４Ｂに密着あるいは一致するまで、制御ユニット６６の動作コントローラ６８は、サーボモーター６４に選択信号を出力して加熱スリーブ１００をガイド棒６０に沿って下げる。
【００７４】
代わりに、サーボモータは、加熱スリーブ縁１００Ｃに密着するウエハ組立体ユニットの縁プレートを持ち上げる。所望ならば、選択されたガスが、加熱スリーブ１００とウエハ支持組立体５４によって形成されたロードロック処理室１０８に導かれる。
【００７５】
加熱スリーブ１００及びウエハ支持組立体５４の両方または一方が、選択的に持ち上げられて、処理管４４の加熱室４６に導かれる。ウエハバッチは、かなり加速された温度勾配上昇率で、実行すべき特定の処理技術による選択された処理温度にまで加熱要素により加熱される。処理ガスはウエハ上の薄膜を形成するために供給される。
【００７６】
ユーザーが選択した炉１４の等温加熱ゾーンにおける持続時間の後で、加熱スリーブ１００とウエハ支持組立体５４は、加熱室４６から下降し取り除かれる。ウエハはロードロック処理室１０８に置かれ、そこで比較的速い温度勾配下降率で冷却される。ウエハの温度は、放射冷却によって（直接冷却も使用可能であるが）、ウエハの温度が所望値、例えば、５０℃あるいはそれ以下になるまで下げられる。
【００７７】
このウエハが冷却されると、コンピュータ７４がサーボモータを作動させて、加熱スリーブ１００をウエハ支持組立体５４に対して上昇させ、相互の密着関係を離脱させる。ウエハボート４０上に収納された加工ウエハは、ウエハ搬送組立体によって連続的に取り除かれウエハカセットに運ばれる。
【００７８】
増加したウエハピッチと同様にウエハボートのより少ないバッチサイズのために、温度勾配の上昇率及び下降率はかなり高められる。例えば、温度勾配上昇率がかなり増加し、毎分当たり１００℃に近付くあるいはこれを越えることができる。
【００７９】
同様に、温度勾配下降率は、大きくなり、５０℃／ｍｉｎに近付き、あるいはそれを越える。しかしながら、実際の適用例では、一分間に約３０℃〜７５℃間の温度勾配上昇率と、一分間に約１５℃〜約４０℃間の温度勾配下降率であれば十分である。これら温度勾配の上昇率及び下降率の増大は、バッチ処理時間を大幅に短縮することによって熱処理炉１０の処理量をかなり増加させる。
【００８０】
温度勾配下降率は、熱を下げるためにウエハの表面に流す冷却ジェットスチームを導入することによってさらに影響を受けている。例えば、窒素のような非酸化不活性ガスを室１０８に導くことができる。あるいはスリーブ１００がウエハ支持組立体５４から遊離している状況では、ウエハに直接注がれ、ウエハの冷却時間をさらに短縮する。
【００８１】
図２には、炉の加熱室４６内に選択的に配置されたウエハ支持組立体５４と加熱スリーブ１００が示されている。図示されてはいないが、同様の加熱及び処理構造体があり、これは垂直炉１２に関連している。例えば、垂直炉１２は、選択された加熱要素によって取り囲まれている処理管４４を有している。選択的に垂直方向に移動可能な加熱スリーブ１００とウエハ支持組立体５４もまた、この垂直炉に関連し、処理管内に選択的に配置可能となっている。
【００８２】
このように本発明は、一つのホストコンピュータ（あるいは図２に示される複数の統合された制御段階）とウエハ搬送組立体を用いて、対応する垂直炉１２，１４の内外に個々に、また独立して移動可能な一対のウエハボートを選択的に載置することができる。また、本発明の熱処理炉１０は、一対の処理管、一対の加熱スリーブ１００、そして一対のウエハ支持組立体５４を備えている。垂直炉１２，１４は、さらに図１と図３に示されるように、非対称の形状で互いに関連して配置され、炉１０の全体の寸法を最小化させ、かつ、比較的小さな床面積を与えている。
【００８３】
本発明の熱処理炉は、比較的小さな床面積を有する小さなハウジングにおいて、処理量を減少させることなく温度勾配の上昇率及び下降率を高めることが可能である。なぜなら、本発明の熱処理炉はウエハの加熱と冷却の時間を速めるので、それぞれのバッチが必要とする熱容量がかなり軽減される。これにより大幅なコストを削減でき、処理量の増加をもたらす。
【００８４】
本発明の他の利点は、二つの垂直炉を使用し、必要に応じてそれぞれの炉でお互いに独立した個々のウエハバッチで二つの別々の半導体処理技術を形成することができるということである。例えば、ポリシリコン薄膜が一方の炉においてあるバッチ上に配置されている間に、酸化薄膜はもう一つの炉で他のウエハバッチの上に形成することができる。一つのハウジング内に配置されたマルチ処理複合炉は、今まで知られた熱処理炉よりも大きな利点有する非常に柔軟性のある熱処理炉を提供する。
【００８５】
更に、一つのハウジング内に二つの炉を配置することによって、ウエハ全処理時間を短縮することができ、システムの処理量を増加させることができる。例えば、他方のウエハバッチが他方の炉に配置されて冷却、取り出しが可能となり、別のウエハバッチが載置されたりしながら、一方のウエハバッチを一方の炉で処理することができる。
【００８６】
この二つの炉の配置によって、ウエハバッチの全処理時間を２５％あるいはそれ以上削減することができ、それとともにオペレータのインターフェイス要求を軽減することができる。
【００８７】
一つのパッケージの中に組み込まれ、フロアスペースを最小化した二つの垂直炉の配置によって、この２つの炉が、単一のウエハの機械式搬送組立体を分担することができる。従来の技術においてトータル処理時間を約２５％短縮する結果、さらに効果的に搬送組立体を使用することができる。
【００８８】
図３にもまた本発明の炉１２，１４の非対称の配置を示している。二つの垂直炉１２，１４が、ハウジング１６内に対称的に位置している場合、二つの垂直炉１２，１４は、境界線４７に対して対称であり、かつ軸４９に沿って同一線上にに並ぶことになる。この配置では、より大きなハウジングの床面積を与えることになる。
【００８９】
例えば、一つの炉が軸４９から離れるように動き、ハウジング内に炉が非対称的に配置されると、ハウジングの床面積は、二つの炉１２，１４のオーバーラップ部分Ａに相当する量だけ削減される。このハウジングを小さくできるということは、炉が一般的に床面積あたりの費用が重要となるクリーンルームに備えつけられるので、大いなる利点を提供する。
ここで、熱処理炉の装置の大きさを減少させることは、それ自体でクリーンルームのスペースを小さくすることができ、そこにより多くの熱処理炉を置くことができる。これによりコストを削減する一方で、設備の効率と処理量を高めることができる。
【００９０】
一つの実施の形態によれば、垂直炉は約４０インチの幅を持っている。炉が軸４９に沿って配置された場合、炉自体は、ハウジング１６の幅の少なくても８０インチを占めることになる。図示されているように、炉１２，１４が非対称的に配置されるとオーバラップ部Ａは約８インチとなり、ハウジングの幅に対して炉の占めるスペースを１０％程、あるいは他の配置に関してはそれ以上を削減することができる。当業者であれば、他の非対称な炉の配置が存在し、さらに、本明細書の一部として形成することは確実であると思うであろう。
【００９１】
炉１２，１４の非対称的配置はまた、両方の垂直炉を便利にするために、適切な位置に配置することができることにより、一つのウエハ搬送組立体３６の使用を最も効果的にする。
【００９２】
こうして本発明は前述の説明から明らかなように、前述の目的を効果的に達成するように思われる。発明の範疇から離れることなく上記構造において確かな変化をもたらすので、上記説明に含まれるあるいは付随の図に示されたすべての問題は、実例として説明され、本義を限定するものではない。
【００９３】
また以下のクレームは、ここに述べられた本発明の一般的および特別の特徴、そして文言に関してそれらの間に存在すると思われる本発明の特許請求の範囲をカバーするものであると理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る熱処理炉の平面図である。
【図２】図１の熱処理炉の内部を示す一部断面で示す斜視図である。
【図３】図１の熱処理炉内に置かれたウエハ搬送手段の上面図であり、さらに本発明に係る非対称の炉の配置を示す図である。
【符号の説明】
１０ 熱処理炉
１２，１４ 垂直炉
１６ ハウジング
２０ 区画室
２４ ウエハカセット
２６，２８ 円形コンベヤ
３０ モニター
３６ ウエハ搬送組立体
４４ 処理管
４６ 加熱室
５４ ウエハ支持組立体
５８ ボートエレベータ
６０ ガイド棒
６４ サーボモータ
６６ 制御ユニット
７４ ホストコンピュータ

Claims (6)

  1. 単一のハウジング(16)を有する半導体ウエハの縦型熱処理炉において、
    半導体ウエハ(W) を熱処理するための第１の加熱室(46)を形成する手段を含み、第１の長手軸線に沿って伸びる縦型の第１加熱手段(14)と、
    半導体ウエハ(W) を熱処理するための第２の加熱室(46') を形成する手段を含み、かつ第２の長手軸線に沿って伸びる縦型の第２加熱手段(12)と、
    選択された数の半導体ウエハ(W) を軸方向に取付ける第１の支持手段を含む第１ウエハ支持組立体(54)と、
    選択された数の半導体ウエハ(W) を軸方向に取付ける第２の支持手段を含む第２ウエハ支持組立体(54') と、
    前記対応する長手軸線に沿って前記第１，第２の支持手段の少なくとも１つを選択的に移動するための作動手段(64)と、
    前記第１，第２の支持手段に連動して、前記第１，第２の支持手段の少なくとも１つに選択的に半導体ウエハを給排する１つのウエハ搬送手段(36)とを前記ハウジング内に備え、
    前記第１、第２加熱手段（ 12,14 ）は、前記ハウジングの床面積を縮小するために、単一のハウジング内に相前後して配置され、かつ前記ハウジングの幅方向に関して前記第１、第２加熱手段の断面形状がオーバーラップするように、ハウジングの長手軸線に対して非対称に配置されていることを特徴とする半導体ウエハの熱処理炉。
  2. 位置信号を発生し、この位置信号を作動手段(64)に伝送するための制御信号に応答する制御手段(66)をさらに備え、前記作動手段(64)が、前記位置信号に応答して対応する長手軸線に沿って前記第１，第２の支持手段の少なくとも１つを移動することを特徴とする請求項１記載の熱処理炉。
  3. 作動手段(64)は、第１ウエハ支持手段(54)に連動して第１位置信号(70)に応答して第１の長手軸線に沿って第１の支持手段を移動するための第１作動手段と、第２ウエハ支持手段(54') に連動して第２位置信号(70') に応答して第２の長手軸線に沿って第２の支持手段を移動するための第２作動手段とを備えていることを特徴とする請求項１記載の熱処理炉。
  4. 第１，第２の加熱室(46,46')の各々の温度を独立して制御するための制御手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１記載の熱処理炉。
  5. 第１，第２のウエハ支持組立体(54,54')の各々は、ボートエレベータに結合したウエハボート(40)と、対応する軸線に沿う鉛直方向に前記ボートエレベータを移動する作動手段(64)とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の熱処理炉。
  6. 第１加熱手段(14)は、第１の支持手段を取り囲む雰囲気ガスを選択的に制御する雰囲気制御手段を含み、この雰囲気制御手段は、第１の加熱室(46)内に選択的に変位可能であることを特徴とする請求項１記載の熱処理炉。
JP18487697A 1996-07-10 1997-07-10 縦型熱処理炉 Expired - Fee Related JP4174837B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2144296P 1996-07-10 1996-07-10
US021442 1996-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1064836A JPH1064836A (ja) 1998-03-06
JP4174837B2 true JP4174837B2 (ja) 2008-11-05

Family

ID=21804261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18487697A Expired - Fee Related JP4174837B2 (ja) 1996-07-10 1997-07-10 縦型熱処理炉

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5820366A (ja)
EP (1) EP0818807B1 (ja)
JP (1) JP4174837B2 (ja)
CN (1) CN1109779C (ja)
DE (1) DE69733923T2 (ja)
TW (1) TW379359B (ja)

Families Citing this family (250)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820366A (en) * 1996-07-10 1998-10-13 Eaton Corporation Dual vertical thermal processing furnace
JP3396431B2 (ja) * 1998-08-10 2003-04-14 東京エレクトロン株式会社 酸化処理方法および酸化処理装置
JP3664897B2 (ja) 1998-11-18 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US6294394B1 (en) * 1999-07-01 2001-09-25 Voyan Technology Ramp rate limiter to control stress during ramping
JP4578615B2 (ja) * 1999-07-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US6410455B1 (en) 1999-11-30 2002-06-25 Wafermasters, Inc. Wafer processing system
US6452196B1 (en) 1999-12-20 2002-09-17 Axcelis Technologies, Inc. Power supply hardening for ion beam systems
US6610968B1 (en) * 2000-09-27 2003-08-26 Axcelis Technologies System and method for controlling movement of a workpiece in a thermal processing system
ATE373701T1 (de) * 2001-01-26 2007-10-15 Liconic Ag Klimatisierter lagerschrank
KR100443121B1 (ko) * 2001-11-29 2004-08-04 삼성전자주식회사 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치
JP4132932B2 (ja) * 2002-04-12 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US7022192B2 (en) * 2002-09-04 2006-04-04 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer susceptor
EP1560944B1 (en) 2002-11-15 2014-03-05 TEL Solar AG Apparatus for vacuum treating two dimensionally extended substrates and method for manufacturing such substrates
KR100491161B1 (ko) 2002-11-26 2005-05-24 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치
US6799940B2 (en) 2002-12-05 2004-10-05 Tokyo Electron Limited Removable semiconductor wafer susceptor
US7214274B2 (en) * 2003-03-17 2007-05-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for thermally insulating adjacent temperature controlled processing chambers
DE10329868A1 (de) * 2003-07-02 2005-01-20 Dynamic Microsystems Semiconductor Equipment Gmbh Lagersystem für Wafer
US6855916B1 (en) 2003-12-10 2005-02-15 Axcelis Technologies, Inc. Wafer temperature trajectory control method for high temperature ramp rate applications using dynamic predictive thermal modeling
CN100356505C (zh) * 2003-12-26 2007-12-19 清华大学 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备
DE102004024207B4 (de) * 2004-05-10 2016-03-24 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten
US7205231B2 (en) * 2004-10-29 2007-04-17 Axcelis Technologies, Inc. Method for in-situ uniformity optimization in a rapid thermal processing system
US7371998B2 (en) * 2006-07-05 2008-05-13 Semitool, Inc. Thermal wafer processor
EP1972874B1 (de) * 2007-03-20 2019-02-13 Liconic Ag Automatisiertes Substanzenlager
JP4464993B2 (ja) * 2007-06-29 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
US7806684B2 (en) * 2007-10-02 2010-10-05 United Microelectronics Corp. Method of semiconductor process and semiconductor apparatus system
CN101414570B (zh) * 2007-10-18 2011-11-23 联华电子股份有限公司 半导体工艺方法以及半导体装置系统
KR100945912B1 (ko) * 2008-01-10 2010-03-05 주식회사 비아트론 반도체 소자의 열처리 장치
JP5274213B2 (ja) * 2008-11-14 2013-08-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法
CN102080264B (zh) * 2009-11-26 2012-12-12 中科晶电信息材料（北京）有限公司 晶片垂直退火的方法及其装置
TWI408327B (zh) * 2010-12-03 2013-09-11 Tangteck Equipment Inc 擴散爐裝置的加熱冷卻方法
CN102094248B (zh) * 2010-12-31 2012-07-11 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种退火装置和方法
US20120171002A1 (en) * 2011-01-05 2012-07-05 Electro Scientific Industries, Inc Apparatus and method for transferring a substrate
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9048271B2 (en) 2011-09-29 2015-06-02 Asm International N.V. Modular semiconductor processing system
TW201327712A (zh) * 2011-11-01 2013-07-01 Intevac Inc 以電漿處理太陽能電池晶圓之系統架構
KR101772546B1 (ko) * 2012-05-28 2017-08-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 온도 계측 시스템, 처리 장치의 온도 계측 방법, 반송 장치 및 기록 매체
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103938273A (zh) * 2014-02-21 2014-07-23 上海华力微电子有限公司 一种双扩散炉管系统
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN105088334B (zh) * 2014-04-28 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 顶盖装置及工艺设备
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101720620B1 (ko) * 2015-04-21 2017-03-28 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 챔버 세정방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR101930456B1 (ko) * 2018-05-03 2018-12-18 주식회사 유진테크 기판 처리 시스템
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11703229B2 (en) * 2018-12-05 2023-07-18 Yi-Ming Hung Temperature adjustment apparatus for high temperature oven
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
CN110993550B (zh) * 2019-12-25 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR102360996B1 (ko) * 2020-05-12 2022-02-09 평화오일씰공업 주식회사 열전도 방식 씰 링 열처리 장치
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221229A (ja) * 1985-07-22 1987-01-29 Hitachi Ltd 処理装置
US5057287A (en) * 1988-11-01 1991-10-15 Sfa, Inc. Liquid encapsulated zone melting crystal growth method and apparatus
KR0155158B1 (ko) * 1989-07-25 1998-12-01 카자마 젠쥬 종형 처리 장치 및 처리방법
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
JPH03125453A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Toshiba Corp 半導体ウエハ移送装置
US5041719A (en) * 1990-06-01 1991-08-20 General Electric Company Two-zone electrical furnace for molecular beam epitaxial apparatus
KR0153250B1 (ko) * 1990-06-28 1998-12-01 카자마 겐쥬 종형 열처리 장치
JPH04243126A (ja) * 1991-01-17 1992-08-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置及びその制御方法
JP3149206B2 (ja) * 1991-05-30 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5387265A (en) * 1991-10-29 1995-02-07 Kokusai Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer reaction furnace with wafer transfer means
US5407350A (en) * 1992-02-13 1995-04-18 Tokyo Electron Limited Heat-treatment apparatus
JP3258748B2 (ja) * 1993-02-08 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5662470A (en) * 1995-03-31 1997-09-02 Asm International N.V. Vertical furnace
US5820366A (en) * 1996-07-10 1998-10-13 Eaton Corporation Dual vertical thermal processing furnace

Also Published As

Publication number Publication date
DE69733923D1 (de) 2005-09-15
US5961323A (en) 1999-10-05
CN1109779C (zh) 2003-05-28
EP0818807B1 (en) 2005-08-10
DE69733923T2 (de) 2006-05-18
TW379359B (en) 2000-01-11
US5820366A (en) 1998-10-13
CN1186128A (zh) 1998-07-01
EP0818807A3 (en) 2000-04-05
JPH1064836A (ja) 1998-03-06
EP0818807A2 (en) 1998-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4174837B2 (ja) 縦型熱処理炉
KR0149442B1 (ko) 기판상의 층용착 방법 및 그 처리 시스템
EP1156518B1 (en) Heat treating device and heat treating method
US6780251B2 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
KR100613171B1 (ko) 반도체 기판 냉각 방법 및 장치
US20040052618A1 (en) Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
US20030038127A1 (en) System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
US20100154711A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101291957B1 (ko) 성막 장치, 그 운전 방법 및 상기 방법의 실행을 위한 기억 매체
JP2005533378A (ja) 熱処理装置及び設定可能な垂直チャンバ
JPH05152224A (ja) 急速熱処理装置
JP2001332602A (ja) 熱洗浄と熱処理との間のウェハ環境を制御するための装置および方法
US4957781A (en) Processing apparatus
JP2012023073A (ja) 基板処理装置および基板の製造方法
US5080039A (en) Processing apparatus
KR102375496B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법, 그리고 기판 처리 프로그램
WO2021033461A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
KR100350612B1 (ko) 이중수직형열처리로(爐)
JP6995902B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに基板処理プログラム
JP2744933B2 (ja) 縦型処理装置及び処理装置
JP3497317B2 (ja) 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置
JP2005056905A (ja) 基板処理装置
JP2012033619A (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2011198957A (ja) 基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法
JP2011204735A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040527

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040527

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080116

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080415

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080418

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080716

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080811

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees