JP3149206B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JP3149206B2 JP3149206B2 JP15520491A JP15520491A JP3149206B2 JP 3149206 B2 JP3149206 B2 JP 3149206B2 JP 15520491 A JP15520491 A JP 15520491A JP 15520491 A JP15520491 A JP 15520491A JP 3149206 B2 JP3149206 B2 JP 3149206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- lock chamber
- gas
- nozzle body
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ等の被
加熱処理体の加熱処理に用いられる熱処理装置に関す
る。
加熱処理体の加熱処理に用いられる熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図８は、半導体ウエハの加熱処理を伴う
酸化、ＣＶＤ処理等、半導体装置の製造に用いられる一
般的な熱処理装置の一部を示す。この熱処理装置には、
被加熱処理体としてのウエハ２に加熱等の所定の処理を
施す処理室としてのプロセスチューブ４が設けられ、こ
のプロセスチューブ４の下側にはマニホルド６を介して
ロードロック室８が設けられている。マニホルド６はプ
ロセスチューブ４とロードロック室８とを結合するため
の空間部であり、ロードロック室８は、プロセスチュー
ブ４での被処理前又は被処理後のウエハ２を外気と遮断
する遮断空間である。
酸化、ＣＶＤ処理等、半導体装置の製造に用いられる一
般的な熱処理装置の一部を示す。この熱処理装置には、
被加熱処理体としてのウエハ２に加熱等の所定の処理を
施す処理室としてのプロセスチューブ４が設けられ、こ
のプロセスチューブ４の下側にはマニホルド６を介して
ロードロック室８が設けられている。マニホルド６はプ
ロセスチューブ４とロードロック室８とを結合するため
の空間部であり、ロードロック室８は、プロセスチュー
ブ４での被処理前又は被処理後のウエハ２を外気と遮断
する遮断空間である。
【０００３】プロセスチューブ４は、石英等、被加熱処
理体に対して影響を与えない耐熱材料で一端を閉塞した
円筒体であって、ロードロック室８の上部に垂直に設置
されている。このように垂直にプロセスチューブ４を設
置した処理炉は縦型炉と称されている。このプロセスチ
ューブ４の周囲には、ウエハ２に対して必要な加熱処理
を行うため、ヒータ１０が設置されている。このヒータ
１０には電気的な加熱制御を行うため、加熱制御装置が
接続されており、プロセスチューブ４の処理温度は、Ｃ
ＶＤ処理では５００〜１０００℃、酸化処理や拡散処理
では８００〜１２００℃に設定される。
理体に対して影響を与えない耐熱材料で一端を閉塞した
円筒体であって、ロードロック室８の上部に垂直に設置
されている。このように垂直にプロセスチューブ４を設
置した処理炉は縦型炉と称されている。このプロセスチ
ューブ４の周囲には、ウエハ２に対して必要な加熱処理
を行うため、ヒータ１０が設置されている。このヒータ
１０には電気的な加熱制御を行うため、加熱制御装置が
接続されており、プロセスチューブ４の処理温度は、Ｃ
ＶＤ処理では５００〜１０００℃、酸化処理や拡散処理
では８００〜１２００℃に設定される。
【０００４】このプロセスチューブ４の下端側に設置さ
れたマニホルド６には、処理に応じた処理ガスＧ1 をプ
ロセスチューブ４内に導入するガス導入管１２が設けら
れ、このガス導入管１２には図示しないガス源が制御弁
等を介して接続されている。例えば、ＣＶＤ処理の処理
ガスとして、ポリシリコン膜を形成する場合にはＳｉＨ
4 、シリコン窒化膜を形成する場合にはＮＨ4 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 がこのガス導入管１２を通して導入され、ま
た、パージのための処理ガスとして例えば、Ｎ2 ガス等
が導入される。
れたマニホルド６には、処理に応じた処理ガスＧ1 をプ
ロセスチューブ４内に導入するガス導入管１２が設けら
れ、このガス導入管１２には図示しないガス源が制御弁
等を介して接続されている。例えば、ＣＶＤ処理の処理
ガスとして、ポリシリコン膜を形成する場合にはＳｉＨ
4 、シリコン窒化膜を形成する場合にはＮＨ4 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 がこのガス導入管１２を通して導入され、ま
た、パージのための処理ガスとして例えば、Ｎ2 ガス等
が導入される。
【０００５】このプロセスチューブ４内には石英等の耐
熱材料で形成された円筒状の隔壁１４が設けられてお
り、処理ガスＧ1 はマニホルド６側からプロセスチュー
ブ４を下方から上方に移動した後、隔壁１４の外側に移
動して再びマニホルド６に戻る。即ち、隔壁１４の外面
部におけるマニホルド６には循環させた処理ガスＧ1 又
は初期状態の空気を排出するための排気部として排気管
１６が連結されており、この排気管１６は図示していな
い真空装置に接続されている。即ち、処理ガスＧ1 や空
気は、この真空装置を通して強制的に排出される。
熱材料で形成された円筒状の隔壁１４が設けられてお
り、処理ガスＧ1 はマニホルド６側からプロセスチュー
ブ４を下方から上方に移動した後、隔壁１４の外側に移
動して再びマニホルド６に戻る。即ち、隔壁１４の外面
部におけるマニホルド６には循環させた処理ガスＧ1 又
は初期状態の空気を排出するための排気部として排気管
１６が連結されており、この排気管１６は図示していな
い真空装置に接続されている。即ち、処理ガスＧ1 や空
気は、この真空装置を通して強制的に排出される。
【０００６】また、このプロセスチューブ４には、ロー
ドロック室８側から被加熱処理体としてのウエハ２がウ
エハボート１８を以て搬入及び搬出が行われる。また、
マニホルド６のロードロック室８側の開口部１９にはロ
ードロック室８との遮断手段としてシャッタ２０が設置
されている。このシャッタ２０は、プロセスチューブ４
からウエハボート１８がアンローディングされたとき、
そのアンローディングに連動してマニホルド６の開口部
１９を閉塞する。
ドロック室８側から被加熱処理体としてのウエハ２がウ
エハボート１８を以て搬入及び搬出が行われる。また、
マニホルド６のロードロック室８側の開口部１９にはロ
ードロック室８との遮断手段としてシャッタ２０が設置
されている。このシャッタ２０は、プロセスチューブ４
からウエハボート１８がアンローディングされたとき、
そのアンローディングに連動してマニホルド６の開口部
１９を閉塞する。
【０００７】そして、ロードロック室８には、ウエハボ
ート１８を昇降させ、プロセスチューブ４にウエハ２を
ロード、アンロードさせるための手段としてボートエレ
ベータ２２が設置されている。このボートエレベータ２
２の上面にはウエハボート１８を支持して均熱領域を形
成するための保温筒２４が載置されており、この保温筒
２４にはローディング時、マニホルド６の開口面を閉塞
するための密閉蓋としてのフランジ２６が形成されてい
る。即ち、ローディング時、シャッタ２０が開き、マニ
ホルド６はフランジ２６によってロードロック室８と遮
断される。
ート１８を昇降させ、プロセスチューブ４にウエハ２を
ロード、アンロードさせるための手段としてボートエレ
ベータ２２が設置されている。このボートエレベータ２
２の上面にはウエハボート１８を支持して均熱領域を形
成するための保温筒２４が載置されており、この保温筒
２４にはローディング時、マニホルド６の開口面を閉塞
するための密閉蓋としてのフランジ２６が形成されてい
る。即ち、ローディング時、シャッタ２０が開き、マニ
ホルド６はフランジ２６によってロードロック室８と遮
断される。
【０００８】また、このロードロック室８には、その壁
面部に処理前又は処理後のウエハ２の搬入又は搬出を行
うためのゲート２８が設けられ、このゲート２８には図
示しないゲートバルブが設置されている。そして、この
ロードロック室８には、その壁面部にガス導入管３０及
び排気管３２が設けられており、ガス導入管３０はロー
ドロック室８を非酸化雰囲気とするための不活性ガス等
のパージガスＧ2 等のガス源に接続され、また、排気管
３２には真空装置が接続されている。即ち、ロードロッ
ク室８は、排気管３２を通して真空引きされるととも
に、ガス導入管３０を通して供給されたガスＧ2 又は空
気の排出が行われる。
面部に処理前又は処理後のウエハ２の搬入又は搬出を行
うためのゲート２８が設けられ、このゲート２８には図
示しないゲートバルブが設置されている。そして、この
ロードロック室８には、その壁面部にガス導入管３０及
び排気管３２が設けられており、ガス導入管３０はロー
ドロック室８を非酸化雰囲気とするための不活性ガス等
のパージガスＧ2 等のガス源に接続され、また、排気管
３２には真空装置が接続されている。即ち、ロードロッ
ク室８は、排気管３２を通して真空引きされるととも
に、ガス導入管３０を通して供給されたガスＧ2 又は空
気の排出が行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
熱処理装置では、ロードロック室８内を低圧ないし真空
状態にした後、不活性ガス等によるパージの実施が必要
であるが、そのパージガスＧ2 の通流が処理速度に影響
を与える。ロードロック室８には、処理すべきウエハ２
の移送手段としてのボートエレベータ２２が設置されて
おり、このボートエレベータ２２の機構部分３４、即
ち、機械的な摩耗部分で発生する塵埃からウエハ２を防
護する必要がある。また、パージガスＧ2 をウエハ２に
万遍なく与え、渦流による吹き溜まり状態を生じさせな
いことも必要である。さらに、ロードロック室８は、ボ
ートエレベータ２２等を設置しているので、大型化する
傾向を持っているが、処理空間の狭小化の要求に応える
ため、パージガスの供給機構の占有体積も改善すべきこ
とである。
熱処理装置では、ロードロック室８内を低圧ないし真空
状態にした後、不活性ガス等によるパージの実施が必要
であるが、そのパージガスＧ2 の通流が処理速度に影響
を与える。ロードロック室８には、処理すべきウエハ２
の移送手段としてのボートエレベータ２２が設置されて
おり、このボートエレベータ２２の機構部分３４、即
ち、機械的な摩耗部分で発生する塵埃からウエハ２を防
護する必要がある。また、パージガスＧ2 をウエハ２に
万遍なく与え、渦流による吹き溜まり状態を生じさせな
いことも必要である。さらに、ロードロック室８は、ボ
ートエレベータ２２等を設置しているので、大型化する
傾向を持っているが、処理空間の狭小化の要求に応える
ため、パージガスの供給機構の占有体積も改善すべきこ
とである。
【００１０】そこで、この発明は、ロードロック室にお
けるガス供給の効率化等を図った熱処理装置の提供を目
的とする。
けるガス供給の効率化等を図った熱処理装置の提供を目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の熱処理装置
は、被加熱処理体（ウエハ２）を加熱処理すべきプロセ
スチューブ（４）に連結されて前記被加熱処理体を収容
して真空に保持し、又は任意のガス雰囲気に保持するロ
ードロック室（８）を備えた熱処理装置であって、前記
ロードロック室に排気孔（３２）を備えるとともに、前
記ロードロック室の内部にウエハボート（１８）上の前
記被加熱処理体にガス噴射をするノズル体（４２）を設
置し、このノズル体に形成されているガス噴出口（ガス
噴射口４６）の形成密度を前記排気孔に遠い側を密、前
記排気孔に近い側を粗に設定してなることを特徴とす
る。
は、被加熱処理体（ウエハ２）を加熱処理すべきプロセ
スチューブ（４）に連結されて前記被加熱処理体を収容
して真空に保持し、又は任意のガス雰囲気に保持するロ
ードロック室（８）を備えた熱処理装置であって、前記
ロードロック室に排気孔（３２）を備えるとともに、前
記ロードロック室の内部にウエハボート（１８）上の前
記被加熱処理体にガス噴射をするノズル体（４２）を設
置し、このノズル体に形成されているガス噴出口（ガス
噴射口４６）の形成密度を前記排気孔に遠い側を密、前
記排気孔に近い側を粗に設定してなることを特徴とす
る。
【００１２】また、この発明の熱処理装置において、前
記ノズル体は、複数の前記ガス噴出口を備えたパイプで
構成し、前記ロードロック室の内壁の角部に配設された
ことを特徴とする。
記ノズル体は、複数の前記ガス噴出口を備えたパイプで
構成し、前記ロードロック室の内壁の角部に配設された
ことを特徴とする。
【００１３】
【作用】この熱処理装置では、ロードロック室に設置さ
れたノズル体のガス噴出口からウエハボート上の各ウエ
ハ等の被加熱処理体に一様なガス噴射が行われる。即
ち、このノズル体に形成されているガス噴出口の形成密
度を排気孔に遠い側を密、排気孔に近い側を粗に設定し
たことにより、噴射ガスの一様化が進むことから、従来
のような一点からガスを供給した場合に比較してロード
ロック室の壁面部から一様なガス噴射が行われ、迅速な
パージが実施される。しかも、このノズル体では、ロー
ドロック室の壁面側から一様にパージガスを被加熱処理
体に与えるため、ウエハボート上の各被加熱処理体に万
遍なくパージガスが与えられ、渦流による吹き溜まり状
態を生じさせることがない。
れたノズル体のガス噴出口からウエハボート上の各ウエ
ハ等の被加熱処理体に一様なガス噴射が行われる。即
ち、このノズル体に形成されているガス噴出口の形成密
度を排気孔に遠い側を密、排気孔に近い側を粗に設定し
たことにより、噴射ガスの一様化が進むことから、従来
のような一点からガスを供給した場合に比較してロード
ロック室の壁面部から一様なガス噴射が行われ、迅速な
パージが実施される。しかも、このノズル体では、ロー
ドロック室の壁面側から一様にパージガスを被加熱処理
体に与えるため、ウエハボート上の各被加熱処理体に万
遍なくパージガスが与えられ、渦流による吹き溜まり状
態を生じさせることがない。
【００１４】また、この熱処理装置では、ノズル体は、
複数のガス噴射口を備えたパイプで構成し、前記ロード
ロック室の内壁の角部に配設することにより、処理空間
の狭小化の要求に応え、その占有体積も小さくすること
ができる。
複数のガス噴射口を備えたパイプで構成し、前記ロード
ロック室の内壁の角部に配設することにより、処理空間
の狭小化の要求に応え、その占有体積も小さくすること
ができる。
【００１５】
【実施例】図１ないし図３は、この発明の熱処理装置の
一実施例を示す。被加熱処理体としてのウエハ２を加熱
処理すべきプロセスチューブ４が設置され、その周囲部
にはヒータ１０が設置されている。このプロセスチュー
ブ４の下側にはマニホルド６を介してロードロック室８
が設置されている。このロードロック室８は、ウエハ２
を収容して真空に保持し、又は任意のガス雰囲気に保持
する密閉チャンバを構成している。
一実施例を示す。被加熱処理体としてのウエハ２を加熱
処理すべきプロセスチューブ４が設置され、その周囲部
にはヒータ１０が設置されている。このプロセスチュー
ブ４の下側にはマニホルド６を介してロードロック室８
が設置されている。このロードロック室８は、ウエハ２
を収容して真空に保持し、又は任意のガス雰囲気に保持
する密閉チャンバを構成している。
【００１６】このロードロック室８は真空に保持される
ため、耐圧構造を成し、その前面部にはドア３６がヒン
ジ３８を介して開閉可能に取り付けられている。このロ
ードロック室８の上面にはマニホルド６に開口された開
口部１９が設けられ、ロードロック室８とプロセスチュ
ーブ４との間のウエハ２の移動はこの開口部１９を通し
て行われる。また、このロードロック室８の側面部に
は、透明材料で閉塞されて内部状況を透視可能な窓４０
が形成されている。
ため、耐圧構造を成し、その前面部にはドア３６がヒン
ジ３８を介して開閉可能に取り付けられている。このロ
ードロック室８の上面にはマニホルド６に開口された開
口部１９が設けられ、ロードロック室８とプロセスチュ
ーブ４との間のウエハ２の移動はこの開口部１９を通し
て行われる。また、このロードロック室８の側面部に
は、透明材料で閉塞されて内部状況を透視可能な窓４０
が形成されている。
【００１７】そして、このロードロック室８の内部に
は、図２及び図３に示すように、処理すべきウエハ２を
ウエハボート１８とともに昇降させる昇降手段としての
ボートエレベータ２２が設置されているとともに、この
ボートエレベータ２２の移動空間を避けてロードロック
室８の内壁面部にはパージガスＧ2 を供給すべきノズル
体４２が設置されている。また、このノズル体４２から
供給されるパージガスＧ2 を整流するリフレクタ４４が
ボートエレベータ２２側に設置されている。
は、図２及び図３に示すように、処理すべきウエハ２を
ウエハボート１８とともに昇降させる昇降手段としての
ボートエレベータ２２が設置されているとともに、この
ボートエレベータ２２の移動空間を避けてロードロック
室８の内壁面部にはパージガスＧ2 を供給すべきノズル
体４２が設置されている。また、このノズル体４２から
供給されるパージガスＧ2 を整流するリフレクタ４４が
ボートエレベータ２２側に設置されている。
【００１８】このノズル体４２は、円筒形のパイプを以
てロードロック室８の一内壁面の角部に沿って上方を凸
とするＵ字形を成しており、図４に示すように、両端部
を閉塞するとともにその周囲部に複数のガス噴射口４６
が所定の間隔で形成されたものであり、一定の間隔で固
定脚４８が形成されている。この実施例では、ガス噴射
口４６の形成密度に規則性を持たせ、上部側及び排気孔
３２（図８）に最も遠い側を密にし、下方側を粗に形成
しており、その一端にガス導入管５０が接続されてロー
ドロック室８の外部のガス源からパージガスＧ2 が導入
される。また、図５に示すように、ノズル体４２は、固
定脚４８によってロードロック室８の内壁に一定の間隔
を持たせてボルト５２によって固定され、ノズル体４２
に形成された各ガス噴射口４６は、パイプ状を成すノズ
ル体４２の周面方向に形成されてパージガスＧ2 を放射
状に噴射するようになっている。
てロードロック室８の一内壁面の角部に沿って上方を凸
とするＵ字形を成しており、図４に示すように、両端部
を閉塞するとともにその周囲部に複数のガス噴射口４６
が所定の間隔で形成されたものであり、一定の間隔で固
定脚４８が形成されている。この実施例では、ガス噴射
口４６の形成密度に規則性を持たせ、上部側及び排気孔
３２（図８）に最も遠い側を密にし、下方側を粗に形成
しており、その一端にガス導入管５０が接続されてロー
ドロック室８の外部のガス源からパージガスＧ2 が導入
される。また、図５に示すように、ノズル体４２は、固
定脚４８によってロードロック室８の内壁に一定の間隔
を持たせてボルト５２によって固定され、ノズル体４２
に形成された各ガス噴射口４６は、パイプ状を成すノズ
ル体４２の周面方向に形成されてパージガスＧ2 を放射
状に噴射するようになっている。
【００１９】このような構成によれば、ロードロック室
８の空気を排気管３２から排出した後、ガス源から供給
されたパージガスＧ2 をノズル体４２を通してロードロ
ック室８の内部に一様に供給することができる。この場
合、ノズル体４２は、ロードロック室８の内壁面の角部
に設置されているので、ロードロック室８の内部を可及
的速やかにパージガスＧ2 でパージすることができる。
しかも、ボートエレベータ２２の背面側に排気管３２が
形成されているので、ノズル体４２からのパージガスＧ
2 がウエハ２を上流側にして一様に供給されるととも
に、ウエハ２に渦流が生じるのが防止されるので、ボー
トエレベータ２２側で生じた摩耗粉等の塵埃からウエハ
２の汚染を防止することができる。
８の空気を排気管３２から排出した後、ガス源から供給
されたパージガスＧ2 をノズル体４２を通してロードロ
ック室８の内部に一様に供給することができる。この場
合、ノズル体４２は、ロードロック室８の内壁面の角部
に設置されているので、ロードロック室８の内部を可及
的速やかにパージガスＧ2 でパージすることができる。
しかも、ボートエレベータ２２の背面側に排気管３２が
形成されているので、ノズル体４２からのパージガスＧ
2 がウエハ２を上流側にして一様に供給されるととも
に、ウエハ２に渦流が生じるのが防止されるので、ボー
トエレベータ２２側で生じた摩耗粉等の塵埃からウエハ
２の汚染を防止することができる。
【００２０】また、ロードロック室８の内部空間が立方
体を成し、その内部のノズル体４２がロードロック室８
の内壁面の角部に配設されているため、ボートエレベー
タ２２の移動空間に何等支障を来すことがなく、ロード
ロック室８の内部空間を広く利用することができる。
体を成し、その内部のノズル体４２がロードロック室８
の内壁面の角部に配設されているため、ボートエレベー
タ２２の移動空間に何等支障を来すことがなく、ロード
ロック室８の内部空間を広く利用することができる。
【００２１】次に、図６は、この発明の熱処理装置の他
の実施例を示す。前記実施例ではノズル体４２をＵ字形
に形成したが、この実施例では、複数の凹凸部を持つ千
鳥状としたものであり、図示しないが、その表面にはガ
ス噴射口４６が形成されている。この実施例において
も、ガス噴射口４６の形成密度は、排気孔に最も遠い部
分を密、近い側を粗に形成されている。このような構成
によっても、前記実施例と同様の効果が得られる。
の実施例を示す。前記実施例ではノズル体４２をＵ字形
に形成したが、この実施例では、複数の凹凸部を持つ千
鳥状としたものであり、図示しないが、その表面にはガ
ス噴射口４６が形成されている。この実施例において
も、ガス噴射口４６の形成密度は、排気孔に最も遠い部
分を密、近い側を粗に形成されている。このような構成
によっても、前記実施例と同様の効果が得られる。
【００２２】次に、図７は、この発明の熱処理装置の他
の実施例を示す。前記実施例のノズル体４２はＵ字形又
は千鳥状に形成したが、この実施例では、ロードロック
室８の内壁面形状に対応した平板状としたものである。
この実施例においても、ガス噴射口４６の形成密度は、
排気孔に最も遠い部分を密、近い側を粗に形成されてい
る。このような構成によっても、前記実施例と同様の効
果が得られる。
の実施例を示す。前記実施例のノズル体４２はＵ字形又
は千鳥状に形成したが、この実施例では、ロードロック
室８の内壁面形状に対応した平板状としたものである。
この実施例においても、ガス噴射口４６の形成密度は、
排気孔に最も遠い部分を密、近い側を粗に形成されてい
る。このような構成によっても、前記実施例と同様の効
果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、次の効果が得られる。 ａ．従来のような一点からガスを供給した場合に比較
し、ノズル体に形成されたガス噴出口の形成密度を排気
孔に遠い側を密、排気孔に近い側を粗に設定したので、
ロードロック室の壁面部から一様なガス噴射を得ること
ができるとともに、迅速なパージを実施することがで
き、不必要な渦流が防止でき、ウエハ等の被加熱処理体
を塵埃から防護することができる。 ｂ．ノズル体は、複数のガス噴出口を備えたパイプで構
成し、ロードロック室の内壁の角部に配設することで、
処理空間の狭小化の要求に応え、その占有体積も小さく
することができる。
ば、次の効果が得られる。 ａ．従来のような一点からガスを供給した場合に比較
し、ノズル体に形成されたガス噴出口の形成密度を排気
孔に遠い側を密、排気孔に近い側を粗に設定したので、
ロードロック室の壁面部から一様なガス噴射を得ること
ができるとともに、迅速なパージを実施することがで
き、不必要な渦流が防止でき、ウエハ等の被加熱処理体
を塵埃から防護することができる。 ｂ．ノズル体は、複数のガス噴出口を備えたパイプで構
成し、ロードロック室の内壁の角部に配設することで、
処理空間の狭小化の要求に応え、その占有体積も小さく
することができる。
【図１】この発明の熱処理装置の一実施例を示す斜視図
である。
である。
【図２】図１に示した熱処理装置のロードロック室にお
けるノズル体の配置を示す図である。
けるノズル体の配置を示す図である。
【図３】図１に示した熱処理装置のロードロック室にお
けるノズル体の配置を示す水平断面図である。
けるノズル体の配置を示す水平断面図である。
【図４】図２に示したノズル体を示す平面図である。
【図５】図４に示したノズル体のＶ−Ｖ線断面図であ
る。
る。
【図６】ノズル体の他の実施例を示す斜視図である。
【図７】ノズル体の他の実施例を示す斜視図である。
【図８】従来の熱処理装置を示す縦断面図である。
２ ウエハ（被加熱処理体） ４ プロセスチューブ ８ ロードロック室 １８ ウエハボート ４２ ノズル体 ４６ ガス噴射口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 C23C 16/00 H01L 21/22
Claims (2)
- 【請求項１】 被加熱処理体を加熱処理すべきプロセス
チューブに連結されて前記被加熱処理体を収容して真空
に保持し、又は任意のガス雰囲気に保持するロードロッ
ク室を備えた熱処理装置であって、前記ロードロック室に排気孔を備えるとともに、 前記ロ
ードロック室の内部にウエハボート上の前記被加熱処理
体にガス噴射をするノズル体を設置し、このノズル体に
形成されているガス噴出口の形成密度を前記排気孔に遠
い側を密、前記排気孔に近い側を粗に設定してなること
を特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記ノズル体は、複数の前記ガス噴出口
を備えたパイプで構成し、前記ロードロック室の内壁の
角部に配設されたことを特徴とする請求項１記載の熱処
理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15520491A JP3149206B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 熱処理装置 |
| US07/886,873 US5273423A (en) | 1991-05-30 | 1992-05-22 | Heat treatment apparatus |
| KR1019920009399A KR0168078B1 (ko) | 1991-05-30 | 1992-05-30 | 열처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15520491A JP3149206B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352426A JPH04352426A (ja) | 1992-12-07 |
| JP3149206B2 true JP3149206B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=15600780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15520491A Expired - Fee Related JP3149206B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5273423A (ja) |
| JP (1) | JP3149206B2 (ja) |
| KR (1) | KR0168078B1 (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5249960A (en) * | 1991-06-14 | 1993-10-05 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus |
| FR2697003B1 (fr) * | 1992-10-16 | 1994-11-18 | Commissariat Energie Atomique | Système de manipulation et de confinement d'objets plats dans des boîtes individuelles. |
| US5407350A (en) * | 1992-02-13 | 1995-04-18 | Tokyo Electron Limited | Heat-treatment apparatus |
| US5378145A (en) * | 1992-07-15 | 1995-01-03 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Treatment system and treatment apparatus |
| US5697749A (en) * | 1992-07-17 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus |
| JP2833946B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | エッチング方法および装置 |
| JP3258748B2 (ja) * | 1993-02-08 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP3262623B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2002-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理方法及び装置 |
| JP3218488B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| KR100221983B1 (ko) * | 1993-04-13 | 1999-09-15 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
| US5447431A (en) * | 1993-10-29 | 1995-09-05 | Brooks Automation, Inc. | Low-gas temperature stabilization system |
| JPH07305056A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-21 | Futaba Corp | 蛍光体の熱処理方法及び装置 |
| JP3239977B2 (ja) * | 1994-05-12 | 2001-12-17 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
| JPH08213446A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH0945597A (ja) * | 1995-05-25 | 1997-02-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 |
| KR100238998B1 (ko) * | 1995-07-26 | 2000-01-15 | 우치가사키 기이치로 | 가열로 |
| JP3504784B2 (ja) * | 1995-09-07 | 2004-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
| KR100189981B1 (ko) * | 1995-11-21 | 1999-06-01 | 윤종용 | 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
| US5820366A (en) * | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
| JPH10107122A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基板カセットの搬入装置 |
| NL1005410C2 (nl) * | 1997-02-28 | 1998-08-31 | Advanced Semiconductor Mat | Stelsel voor het laden, behandelen en ontladen van op een drager aangebrachte substraten. |
| JP3406488B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2003-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| TW432578B (en) | 1997-09-18 | 2001-05-01 | Tokyo Electron Ltd | A vacuum processing apparatus |
| US6000905A (en) * | 1998-03-13 | 1999-12-14 | Toro-Lira; Guillermo L. | High speed in-vacuum flat panel display handler |
| JP3396431B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2003-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化処理方法および酸化処理装置 |
| JP3769417B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2006-04-26 | 株式会社東芝 | 基板収納容器 |
| JP4578615B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| DE19937513B4 (de) * | 1999-08-09 | 2004-05-06 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtungen und Verfahren zur gleichverteilten Gasinjektion bei der Behandlung von Halbleitersubstraten |
| JP2001284433A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-10-12 | Sony Corp | 基板移載装置及び基板移載方法 |
| US6387823B1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-05-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling deposition process using residual gas analysis |
| KR100364656B1 (ko) * | 2000-06-22 | 2002-12-16 | 삼성전자 주식회사 | 실리사이드 증착을 위한 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치 |
| JP4876322B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック室、その排気方法及び熱処理装置 |
| JP2003017543A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置 |
| KR100496133B1 (ko) * | 2002-11-30 | 2005-06-17 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조장치 |
| US20080236487A1 (en) * | 2004-09-15 | 2008-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc., | Semiconductor Manufacturing Apparatus And Semiconductor Device Manufacturing Method |
| KR100760992B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-09-21 | 세메스 주식회사 | 기판의 위치 전환 장치 |
| JP2009088437A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の導入ポート機構及び処理システム |
| US8007275B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-08-30 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for heating semiconductor wafers |
| JP5381054B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2014-01-08 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロードポート |
| TW202030801A (zh) * | 2018-10-28 | 2020-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有退火迷你環境的處理腔室 |
| JPWO2020189205A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2021-12-16 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル |
| JP2020188254A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2988980A (en) * | 1957-07-01 | 1961-06-20 | Hans R Tschudin | Heat distribution panel |
| US4610628A (en) * | 1983-12-28 | 1986-09-09 | Denkoh Co., Ltd. | Vertical furnace for heat-treating semiconductor |
| DE3867573D1 (de) * | 1987-09-03 | 1992-02-20 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | Elektronisch geregeltes fluidumaufhaengungssystem mit vorausberechneter und rueckgekoppelter regelung der fahrzeuglage. |
| US4876949A (en) * | 1988-04-18 | 1989-10-31 | Thermo-Aire Systems, Inc. | Low temperature air induction diffuser |
| US5118286A (en) * | 1991-01-17 | 1992-06-02 | Amtech Systems | Closed loop method and apparatus for preventing exhausted reactant gas from mixing with ambient air and enhancing repeatability of reaction gas results on wafers |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP15520491A patent/JP3149206B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-22 US US07/886,873 patent/US5273423A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-30 KR KR1019920009399A patent/KR0168078B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0168078B1 (ko) | 1999-02-01 |
| KR920022427A (ko) | 1992-12-19 |
| US5273423A (en) | 1993-12-28 |
| JPH04352426A (ja) | 1992-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3149206B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US5820366A (en) | Dual vertical thermal processing furnace | |
| US5443648A (en) | Vertical heat treatment apparatus with a rotary holder turning independently of a liner plate | |
| US5407350A (en) | Heat-treatment apparatus | |
| US5360336A (en) | Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus | |
| US5127365A (en) | Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts | |
| WO2005029566A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| US5500388A (en) | Heat treatment process for wafers | |
| JPH0653141A (ja) | 熱処理成膜装置 | |
| US4981436A (en) | Vertical type heat-treatment apparatus | |
| JPS62206826A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| TW201133560A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| JP6992156B2 (ja) | 処理装置、排気システム、半導体装置の製造方法 | |
| KR20090037200A (ko) | 수직형 확산로의 공정 튜브내의 진공 유지 장치 및 그 방법 | |
| JP3081886B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH05243170A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3340147B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH058936U (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04118923A (ja) | 熱処理炉 | |
| KR100364089B1 (ko) | 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치 | |
| JPH06124909A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2000077346A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH04111417A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2659926B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH06196428A (ja) | 半導体基板の処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |