KR101772546B1 - 기판 처리 장치, 온도 계측 시스템, 처리 장치의 온도 계측 방법, 반송 장치 및 기록 매체 - Google Patents

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카츠미 타카시마
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Abstract

본 발명은 처리로 내의 온도 균열 영역의 측정의 작업성을 향상시키고, 또한 히터의 균열장의 신뢰성을 향상시키기 위해서, 보지구(保持具)에 보지된 상태로 장입(裝入)된 기판을 처리하는 처리실; 상기 처리실의 온도를 계측하는 온도 계측기; 적어도 상기 기판을 반송하는 반송 장치; 및 상기 처리실의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키고, 상기 처리실의 상기 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기를 취부(取付)한 상태로 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 컨트롤러;를 포함하고, 상기 컨트롤러는 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치, 온도 계측 시스템, 처리 장치의 온도 계측 방법, 반송 장치 및 기록 매체{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, TEMPERATURE MEASUREMENT SYSTEM, METHOD FOR MEASURING TEMPERATURE OF TREATMENT DEVICE, TRANSPORTATION DEVICE, AND MEMORY MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 장치, 온도 계측 시스템, 처리 장치의 온도 계측 방법, 반송 장치 및 기록 매체에 관한 것이다. 예컨대 반도체 웨이퍼(반도체 집적 회로 장치가 제작되는 웨이퍼) 및 유리 기판(액정 디스플레이 장치가 제작되는 기판) 등의 기판 처리에 이용하는 데 유효한 것에 관한 것이다.
종래의 이 종류의 기판 처리 장치에서는 처리로 내의 각 영역의 온도를 측정하는 것이 실시되고 있다. 이같은 기판 처리 장치에서는 예컨대 반응로 내의 구성 부품을 교환한 경우에는 처리로 내의 균열(均熱) 영역이 변하기 때문에 처리로 내의 온도를 계측하여 보정하는 방법이 실시되고 있다. 또한 예컨대 기판 처리 장치를 처음 기동할 때에도 처리로 내의 온도를 계측하여 보정하는 방법이 실시되고 있다. 이 처리로 내의 온도 보정 방법을 실시할 때에는 종래에 다음과 같은 작업이 실시되고 있었다. 우선 작업자가 온도 계측용 승강 치구(治具)(오토 프로파일러)를 개별로 준비하고, 그 치구의 상하(승강) 이동부에 온도 측정기를 취부(取付)하고, 데이터 로거(전자 계측기) 및 PC(Personal Computer)를 접속하여, 승온 시의 처리로 내의 히터 균열 영역의 온도 데이터를 취득한다. 취득한 데이터로부터 작업자가 온도 보정값을 산출한다. 하지만 작업자가 오토 프로파일러를 매번 준비해야 하기 때문에 고비용과 작업성의 저하를 초래한다. 또한 동일한 장치라도 각 작업자의 기량에 따라 온도 보정값의 산출 결과가 달라지는 경우가 있어 제품의 성능이나 품질이 불균일해진다. 여기서 오토 프로파일러를 사용하지 않고 처리로 내의 히터 균열 영역의 온도 데이터를 취득하는 연구가 고려되고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
1. 일본 특개 평9-5172호 공보
하지만 특허문헌 1에는 오토 프로파일러 등의 치구 대신에 이재(移載) 장치를 이용하여 히터의 균열장(均熱長)을 측정하는 것이 개시되어 있지만, 실제로 이재 장치에 측온(測溫) 소자(素子)[열전대(熱電對)]를 취부하는 방법이나 측정 시작 위치에 측온 소자(열전대)를 세팅하는 방법에 대해서는 개시되어 있지 않다. 이것으로는 각 작업자에 의해 측정 시작 위치로의 세팅에 편차가 발생하여 작업자의 기량에 의해 작업성이 저하한다. 그 결과 각 작업자에 의해 히터의 균열장의 측정 포인트에 편차가 발생하고, 결과적으로 온도 제어 성능의 신뢰성이나 기판 품질의 저하가 우려된다.
본 발명의 목적은 처리로 내의 온도 균열 영역의 측정의 작업성을 향상하고, 작업자의 기량과 관계없이 히터의 균열장의 신뢰성을 향상할 수 있는 기판 처리 장치, 온도 계측 시스템, 처리 장치의 온도 계측 방법, 반송 장치 및 기록 매체를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 보지구(保持具)에 보지된 상태로 장입(裝入)된 기판을 처리하는 처리실; 상기 처리실의 온도를 계측하는 온도 계측기; 적어도 상기 기판을 반송하는 반송 장치; 및 상기 처리실의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키고, 상기 처리실의 상기 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기를 취부(取付)한 상태로 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 컨트롤러;를 포함하고, 상기 컨트롤러는 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 피처리체(被處理體)를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기; 상기 피처리체를 반송하는 반송 장치; 상기 온도 계측기를 상기 반송 장치에 취부하기 위한 치구(治具); 및 상기 반송 장치에 상기 치구를 개재하여 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 컨트롤러;를 포함하고, 상기 반송 장치는 상기 치구를 개재하여 상기 온도 계측기에 취부하기 전에 또는 상기 온도 계측기에 의한 온도 계측 전에 미리 설정된 위치에 이동되도록 구성되고, 상기 컨트롤러는 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하도록 구성되는 온도 계측 시스템이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 피처리체를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기, 상기 피처리체를 반송하는 반송 장치와, 상기 온도 계측기 및 상기 반송 장치에 각각 접속되는 컨트롤러를 포함하는 처리 장치의 온도 계측 방법으로서, 상기 컨트롤러는 상기 처리실 내의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키고, 상기 처리실 내의 상기 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하고, 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 처리 장치의 온도 계측 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 피처리체를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기를 취부한 상태에서 승강 가능한 반송 장치로서, 상기 온도 계측기를 취부하기 위한 고정 치구; 및 상기 고정 치구에 대해서 탈착 가능한 온도 계측기 지지 기구의 부착 또는 취외(取外)를 인식하는 센서;를 구비한 반송 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 처리실 내의 온도를 반송 장치에 취부된 온도 계측기에 의해 계측하는 처리를 적어도 포함하는 프로그램을 기록한 컨트롤러에 의해 판독 가능한 기록 매체로서, 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키는 처리; 및 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하고, 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 처리를 포함하는 프로그램을 기록한 컨트롤러로 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
전술한 수단에 의하면, 처리로 내의 온도 측정의 작업성의 향상 및 기판 처리 장치의 히터 균열 영역의 측정 결과의 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 것과 함께 기판 처리 장치의 성능 및 품질 수준을 일정하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 개략의 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 개략의 측면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 처리로를 도시하는 종단면도(縱斷面圖).
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에서의 온도 계측기 지지 기구의 격납 상태를 도시하고, 도 4의 (a)는 측면도, 도 4의 (b)는 평면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에서의 온도 계측기 지지 기구의 돌출 상태를 도시하고, 도 5의 (a)는 측면도, 도 5의 (b)는 평면도.
도 6은 온도 계측기 취부구((取付口)를 도시하고, 도 6의 (a)는 폐쇄 시의 일부 절단 측면도, 도 6의 (b)는 취부 시의 측면도.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 장치의 요부(要部)를 도시하는 블록도.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에서의 처리로 내의 온도 보정 방법을 도시하는 플로우 차트.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에서의 온도 계측기 지지 기구를 웨이퍼 이재 기구에 설치하기 위한 치구 베이스 유닛을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에서의 온도 계측기 지지 기구의 구성을 도시하는 도면.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태에서의 처리로 내의 온도 균열장(均熱長) 영역을 측정하는 구성을 도시하는 도면.
도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에서의 처리로 내의 온도 보정 방법을 도시하는 플로우 차트.
도 13은 본 발명의 제3 실시 형태에서의 처리로 내의 단열판 영역을 포함하는 온도 균열장 영역을 측정하는 구성을 도시하는 도면.
도 14는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 처리로 내의 온도 측정의 변형예를 도시하는 플로우 차트.
도 15는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 처리로 내의 온도의 측정 결과를 도시하는 그래프 예.
도 16은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 처리로 내 온도의 측정 결과를 도시하는 그래프 예.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 다루는 것으로서 구성되고, 반도체 웨이퍼에 산화막 형성이나 확산 및 성막과 같은 처리를 수행하는 것으로서 구성된다. 본 발명에서 피처리체인 기판으로서의 반도체 웨이퍼(200)(이하, 웨이퍼라고 부른다)는 실리콘 등의 반도체로 제작되고, 웨이퍼(200)를 수납하여 반송하는 캐리어(수용기)로서는 FOUP(110)(front opening unified pod)가 사용된다.
도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)(이하, 처리 장치라고 부른다)는 광체(111)(筐體)를 구비한다. 광체(111)의 정면벽(111a)의 정면 전방부(前方部)에는 메인터넌스 가능하도록 설치된 개구부(開口部)로서의 정면 메인터넌스구(口)(103)가 개설되고, 정면 메인터넌스구(103)를 개폐하는 정면 메인터넌스 도어(104, 104)가 각각 설치된다. 광체(111)의 정면벽(111a)에는 FOUP(110)(이하, 포드라고 부른다)를 반입 반출하기 위한 포드 반입 반출구(112)(기판 수용기 반입 반출구)가 광체(111)의 내외를 연통(連通)하도록 개설되고, 포드 반입 반출구(112)는 프런트 셔터(113)(기판 수용기 반입 반출구 개폐 기구)에 의해 개폐되도록 이루어진다. 포드 반입 반출구(112)의 정면 전방측에는 로드 포트(114)(기판 수용기 수도대)가 설치되고, 로드 포트(114)는 포드(110)를 재치하고 위치를 맞추도록 구성된다. 포드(110)는 로드 포트(114) 상에 공정 내 반송 장치(도시되지 않음)에 의해 반입되고, 또한 로드 포트(114) 상으로부터 반출된다.
광체(111) 내의 전후(前後) 방향의 대략 중앙부에서의 상부(上部)에는 회전 가능한 포드 보관용의 수용 선반(105)(기판 수용기 재치 선반)이 설치되고, 기판 수용기 재치 선반(105)은 복수 개의 포드(110)를 보관하도록 구성된다. 즉 기판 수용기 재치 선반(105)은 수직으로 입설(立設)되고, 지주(116)와, 지주(116)에 설치된 n(n은 1 이상)단의 선반판(117)(기판 수용기 재치대)을 구비하고, 복수 매의 선반판(117)은 포드(110)를 복수 개 각각 재치한 상태에서 보지하도록 구성된다. 광체(111) 내에서의 로드 포트(114)와 기판 수용기 재치 선반(105) 사이에는 제1 반송 장치로서의 포드 반송 장치(118)(기판 수용기 반송 장치)가 설치된다. 포드 반송 장치(118)는 포드(110)를 보지한 상태에서 승강 가능한 포드 엘리베이터(118a)(기판 수용기 승강 기구)와, 반송 기구로서의 포드 반송 기구(118b)(기판 수용기 반송 기구)로 구성된다. 포드 반송 장치(118)는 포드 엘리베이터(118a)와 포드 반송 기구(118b)의 연속 동작에 의해 로드 포트(114), 기판 수용기 재치 선반(105), 포드 오프너(121)[기판 수용기 개체(蓋體) 개폐 기구] 사이에서 포드(110)를 반송하도록 구성된다.
처리 장치(100)는 산화막 형성 등의 처리를 수행하는 반도체 제조 장치를 구비한다. 반도체 제조 장치의 광체를 구성하는 서브 광체(119)는 광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 하부에 후단(後端)에 걸쳐 구축된다. 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내에 대하여 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입 반출구(120)(기판 반입 반출구)가 한 쌍, 수직 방향으로 상하 2단으로 배열되어 개설되고, 상하단의 웨이퍼 반입 반출구(120, 120)에는 한 쌍의 포드 오프너(121, 121)가 각각 설치된다. 포드 오프너(121)는 포드(110)를 재치하는 재치대(122, 122)와, 포드(110)의 캡(개체)을 탈착하는 캡 탈착 기구(123, 123)(개체 탈착 기구)를 구비한다. 포드 오프너(121)는 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡을 캡 탈착 기구(123)에 의해 탈착하는 것에 의해 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성된다.
서브 광체(119)는 포드 반송 장치(118)나 기판 수용기 재치 선반(105)의 설치 공간으로부터 유체(流體)적으로 격리된 이재실(124)을 구성한다. 이재실(124) 전측(前側) 영역에는 제2 반송 장치로서의 웨이퍼 이재 기구(125)(기판 이재 기구)가 설치된다. 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼 이재 장치(125a)(기판 이재 장치)와 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)(기판 이재 장치 승강 기구)로 구성된다. 웨이퍼 이재 장치(125a)는 트위저(125c)(기판 보지체)에 의해 웨이퍼(200)를 보지하고, 웨이퍼(200)를 수평 방향으로 회전 내지 직동(直動)시킨다. 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)는 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시킨다. 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)를 웨이퍼(200)의 재치부로서 보트(217)(기판 보지구)에 대하여 웨이퍼(200)를 장전(charging) 및 탈장(discharging)한다.
도 1에 도시되는 바와 같이 이재실(124)의 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)측과 반대측인 우측 단부(端部)에는 클린 유닛(134)이 설치된다. 클린 유닛(134)은 공급팬(fan) 및 방진 필터로 구성되고, 청정화된 분위기 또는 불활성 가스인 클린 에어(133)를 공급한다. 웨이퍼 이재 장치(125a)와 클린 유닛(134) 사이에는 웨이퍼의 원주 방향의 위치를 조정시키는 기판 정합 장치로서의 노치(notch) 맞춤 장치(135)가 설치된다.
클린 유닛(134)으로부터 취출(吹出)된 클린 에어(133)는 노치 맞춤 장치(135) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)에 유통된 후에 도시되지 않는 덕트(duct)에 의해 흡입되어 광체(111)의 외부로 배기되거나 또는 클린 유닛(134)의 흡입측인 일차측(一次側)(공급측)까지 순환되어 재차 클린 유닛(134)에 의해 이재실(124) 내에 취출된다.
도 1에 도시되는 바와 같이 이재실(124)에는 제3 반송 장치로서의 보트 엘리베이터(151)(기판 보지구 승강 기구)가 설치된다. 보트 엘리베이터(151)는 보트(217)를 승강시키도록 구성된다. 보트 엘리베이터(151)에 연결된 연결구로서의 암(152)에는 개체로서의 씰 캡(219)이 수평하게 설치되고, 씰 캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하여 처리로(202)의 하단부(下端部)를 폐색(閉塞) 가능하도록 구성된다. 보트(217)는 복수 개의 보지 부재(部材)를 구비하고, 복수 매(예컨대 50매 내지 125매 정도)의 웨이퍼(200)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서 각각 수평하게 보지하도록 구성된다.
다음으로 웨이퍼(200)에 소정의 처리를 수행하는 공정인 기판 처리 공정으로서의 처리 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 포드(110)가 로드 포트(114)에 공급되면 포드 반입 반출구(112)가 프런트 셔터(113)에 의해 개방되고, 로드 포트(114) 상의 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 광체(111)의 내부에 포드 반입 반출구(112)로부터 반입된다. 반입된 포드(110)는 기판 수용기 재치 선반(105)의 지정된 선반판(117)에 포드 반송 장치(118)에 의해 자동적으로 반송되어 수도(受渡)되고, 일시적으로 보관된 후, 선반판(117)으로부터 일방(一方)의 포드 오프너(121)에 반송되어 재치대(122)에 이재되거나 또는 직접 포드 오프너(121)에 반송되어 재치대(122)에 이재된다. 이 때 포드 오프너(121)의 웨이퍼 반입 반출구(120)는 캡 탈착 기구(123)에 의해 닫히고, 이재실(124)에는 클린 에어(133)가 유통되어 충만된다. 예컨대 이재실(124)에는 클린 에어(133)로서 질소 가스가 충만되는 것에 의해 산소 농도가 20ppm 이하로, 광체(111)의 내부(대기 분위기)의 산소 농도보다 훨씬 낮게 설정된다.
재치대(122)에 재치된 포드(110)는 그 개구측 단면이 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에서의 웨이퍼 반입 반출구(120)의 개구 연변부(緣邊部)에 압부(押付)되는 것과 함께 그 캡이 캡 탈착 기구(123)에 의해 제거되어 포드(110)의 웨이퍼 출입구가 개방된다. 웨이퍼(200)는 포드(110)로부터 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 의해 웨이퍼 출입구를 통해서 픽업되고, 노치 맞춤 장치(135)로 웨이퍼(200)를 정합한 후, 보트(217)에 이재되어 장전(웨이퍼 차지)된다. 보트(217)에 웨이퍼(200)를 수도한 웨이퍼 이재 장치(125a)는 포드(110)로 돌아가 다음 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한다.
이 일방(상단 또는 하단)의 포드 오프너(121)에서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼의 보트(217)로의 장전 작업 중에 타방(他方)(하단 또는 상단)의 포드 오프너(121)에는 기판 수용기 재치 선반(105) 내지 로드 포트(114)로부터 다른 포드(110)가 포드 반송 장치(118)에 의해 반송되고, 포드 오프너(121)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시에 진행된다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217) 장전되면, 처리로(202)의 하단부가 노구(爐口) 게이트 밸브(147)에 의해 개방된다. 계속해서 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(151)의 승강대에 의해 상승되고, 씰 캡(219)에 지지되는 보트(217)가 처리로(202) 내에 반입(로딩)된다.
로딩 후에는 처리로(202)에서 웨이퍼(200)에 대한 처리가 실시된다. 처리 후에는 보트 엘리베이터(151)에 의해 보트(217)가 인출(引出)된다. 그 후에는 노치 맞춤 장치(135)에서의 웨이퍼의 정합 공정을 제외하고 대략 전술과 반대의 순서로 웨이퍼(200) 및 포드(110)는 광체(111)의 외부로 불출(拂出)된다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 처리로(202)의 개략 구성도이며, 종단면도로서 도시된다.
도 3에 도시되는 바와 같이 처리로(202)는 가열 기구로서의 히터(206)를 포함한다. 히터(206)는 원통 형상이며, 보지판으로서의 히터 베이스(251)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다.
히터(206)의 내측에는 균열관(205)(외관)이 히터(206)와 동심원으로 배설(配設)된다. 균열관(205)은 탄화규소(SiC) 등의 내열성 재료가 사용되고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 균열관(205)의 내측에는 반응관(204)(내관)이 균열관(205)과 동심원으로 배설된다. 반응관(204)은 석영(SiO2) 등의 내열성 재료가 사용되고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 반응관(204)의 통중공부(筒中空部)는 처리실(201)을 형성하고, 처리실(201)은 웨이퍼(200)를 보트(217)에 의해 수평 자세로 수직 방향에 다단으로 정렬한 상태에서 수용 가능하도록 구성된다.
반응관(204)의 하단부에는 가스 도입부(230)가 설치되고, 가스 도입부(230)로부터 반응관(204)의 천정부(233)(天井部)에 이르기까지 반응관(204)의 외벽을 따라 가스 도입관으로서의 세관(234)(細管)이 배설된다. 가스 도입부(230)로부터 도입된 가스는 세관(234) 내를 유통하여 천정부(233)에 이르고, 천정부(233)에 설치된 복수의 가스 도입구(233a)로부터 처리실(201) 내에 도입된다. 또한 반응관(204)의 하단부의 가스 도입부(230)와 다른 위치에는 반응관(204) 내의 분위기를 배기구(231a)로부터 배기하는 가스 배기부(231)가 설치된다.
가스 도입부(230)에는 가스 공급관(232)이 접속된다. 가스 공급관(232)의 가스 도입부(230)와의 접속측과 반대측인 상류측에는 가스 유량 제어기로서의 MFC(241)(매스 플로우 컨트롤러)를 개재하여 도시되지 않는 처리 가스 공급원, 캐리어 가스 공급원, 불활성 가스 공급원이 접속된다. MFC(241)에는 가스 유량 제어부(235)가 전기적으로 접속되어 공급하는 가스의 유량이 원하는 양이 되도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성된다. 또한 처리실(201) 내에 수증기를 공급할 필요가 있는 경우는 가스 공급관(232)의 MFC(241)보다 하류측에 도시되지 않는 수증기 발생 장치가 설치된다.
가스 배기부(231)에는 가스 배기관(229)이 접속된다. 가스 배기관(229)의 가스 배기부(231)와의 접속측과는 반대측인 하류측에는 압력 검출기로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정 장치(242)를 개재하여 배기 장치(246)가 접속되고, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력이 되도록 배기할 수 있도록 구성된다. 압력 조정 장치(242) 및 압력 센서(245)에는 압력 제어부(236)가 전기적으로 접속되고, 압력 제어부(236)는 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력에 기초하여 압력 조정 장치(242)에 의해 처리실(201) 내의 압력이 원하는 압력이 되도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성된다.
반응관(204)의 하단부에는 반응관(204)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 보지체로서의 베이스(257)와, 노구 개체로서의 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)은 예컨대 스텐레스 등의 금속으로 이루어지고, 원반 형상으로 형성된다. 베이스(257)는 예컨대 석영으로 이루어지고, 원반 형상으로 형성되고, 씰 캡(219) 상에 설치된다. 베이스(257)의 상면(上面)에는 반응관(204)의 하단과 당접(當接)하는 씰 부재로서의 O링(220)이 설치된다. 씰 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는 보트를 회전시키는 회전 기구(254)가 설치된다. 회전 기구(254)의 회전축(255)은 씰 캡(219) 및 베이스(257)를 관통하여 단열통(218)과 보트(217)에 접속되고, 단열통(218) 및 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성된다. 씰 캡(219)은 반응관(204)의 외부에 수직으로 설비된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(151)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되고, 이에 의해 보트(217)를 처리실(201)에 대하여 반입 반출하는 것이 가능하도록 이루어진다. 회전 기구(254) 및 보트 엘리베이터(151)에는 구동(驅動) 제어부(237)가 전기적으로 접속되어 원하는 동작을 하도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성된다.
기판 보지구로서의 보트(217)는 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 이루어지고, 복수 매의 웨이퍼(200)를 수평 자세에서 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 정렬시켜서 보지하도록 구성된다. 보트(217)의 하방(下方)에는 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 이루어지는 원통 형상의 단열 부재로서의 단열통(218)이 보트(217)를 지지하도록 설치되고, 히터(206)로부터의 열이 반응관(204)의 하단측에 전달되기 어렵도록 구성된다.
균열관(205)과 반응관(204) 사이에는 온도 계측기로서의 온도 센서(263)가 설치된다. 히터(206)와 온도 센서(263)에는 전기적으로 온도 제어부(238)가 접속되고, 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(206)로의 통전 상태를 조정하는 것에 의해 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록 원하는 타이밍으로 제어하도록 구성된다.
가스 유량 제어부(235), 압력 제어부(236), 구동 제어부(237), 온도 제어부(238)는 조작부, 입출력부도 구성하고, 기판 처리 장치 전체를 제어하는 주(主)제어부(239)에 전기적으로 접속된다. 이들 가스 유량 제어부(235), 압력 제어부(236), 구동 제어부(237), 온도 제어부(238), 주제어부(239)는 컨트롤러(240)로서 구성된다.
다음으로 이상의 구성에 따른 처리로(202)를 이용하여 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 웨이퍼(200)에 산화, 확산 등의 처리를 수행하는 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대하여 설명한다. 이하의 설명에서 처리 장치를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 컨트롤러(240)에 의해 제어된다.
복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)되면, 도 3에 도시되는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)는 보트 엘리베이터(151)에 의해 들어올려져 처리실(201)에 반입(보트 로딩)된다. 이 상태에서 씰 캡(219)은 베이스(257), O링(220)을 개재하여 반응관(204) 하단을 밀봉한 상태가 된다.
처리실(201) 내가 원하는 압력이 되도록 배기 장치(246)에 의해 배기된다. 이 때 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245)로 측정되고, 측정된 압력에 기초하여 압력 조절기(242)가 피드백 제어 된다. 또한 처리실(201) 내가 원하는 온도가 되도록 히터(206)에 의해 가열된다. 이 때 처리실(201) 내가 원하는 온도 분포가 되도록 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(206)로의 통전 상태가 피드백 제어된다. 계속해서 회전 기구(254)에 의해 단열통(218), 보트(217)가 회전되는 것에 의해 웨이퍼(200)가 회전된다.
이어서 처리 가스 공급원 및 캐리어 가스 공급원으로부터 공급되고 MFC(241)에 의해 원하는 유량이 되도록 제어된 가스는 가스 공급관(232)으로부터 가스 도입부(230) 및 세관(234)을 유통하여 천정부(233)에 이르고, 복수의 가스 도입구(233a)로부터 처리실(201) 내에 샤워 형상으로 도입된다. 도입된 가스는 처리실(201) 내를 유하(流下)하고, 배기구(231a)를 유통하여 가스 배기부(231)로부터 배기된다. 가스는 처리실(201) 내를 통과할 때에 웨이퍼(200)의 표면과 접촉하여 웨이퍼(200)에 대하여 산화, 확산 등의 처리가 이루어진다. 또한 웨이퍼(200)에 대하여 수증기를 이용한 처리를 수행한 경우에는 MFC(241)로 원하는 유량이 되도록 제어된 가스는 수증기 발생 장치에 공급되고, 수증기 발생 장치로 생성된 수증기(H2O)를 포함하는 가스가 처리실(201)에 도입된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 불활성 가스 공급원으로부터 불활성 가스가 공급되어 처리실(201) 내가 불활성 가스로 치환되는 것과 함께 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다.
그 후, 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(151)에 의해 하강되어 반응관(204)의 하단이 개구되는 것과 함께, 처리 완료된 웨이퍼(200)가 보트(217)에 보지된 상태에서 반응관(204)의 하단으로부터 반응관(204)의 외부로 반출(보트 언로딩)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)는 보트(217)에 의해 취출된다(웨이퍼 디스차지).
또한 본 발명의 처리로에서 웨이퍼를 처리할 때의 처리 조건으로서는 예컨대 산화 처리에서는 처리 온도: 실온 내지 1,050℃, 처리 압력: 101,300Pa 이하, 가스종: H2O, 가스 공급 유량: 20sccm이 예시된다. 이들 처리 조건을 각각의 범위 내에 있는 값으로 일정하게 유지하는 것에 의해 웨이퍼에 대한 처리가 이루어진다.
도 7에 도시하는 바와 같이 본 발명에 따른 처리 장치(100)의 주제어 장치(65)는 CPU(Central Processing Unit)로 대표되는 연산 제어부(66), 하드 디스크 등으로 구성되는 기억부(67) 및 입출력 제어부(68)를 구비한다. 연산 제어부(66)에는 디스플레이, 표시 패널 등의 표시부(80)가 접속된다. 입출력 제어부(68)에는 조작부(69) 및 부(副)제어부(58)가 접속된다. CPU로서의 연산 제어부(66)는 주제어 장치(65)의 중추를 구성하고, 기억부(67)에 기억된 제어 프로그램을 실행하고, 조작 패널로서의 표시 장치(80) 또는 조작 단말 등인 조작부(69)로부터의 지시에 따라 레시피 기억부(42)에 기억되는 각종 레시피(예컨대 프로세스용 레시피)를 실행한다. 여기서 전술하 컨트롤러(240)는 주제어부(65)와 부제어부(58)를 적어도 포함하고, 표시부(80) 및 조작부(69)를 포함해도 좋다.
부제어부(58)는 구동 제어부(73) 및 온도 제어부(74) 등의 각 제어부를 개별로 제어한다. 각 제어부는 입출력 제어부(68)를 개재하여 주제어 장치(65)에 각각 접속된다. 여기서는 도시되지 않지만 부제어부(58)는 도 3에 도시된 온도 제어부(238), 가스 유량(235), 압력 제어부(236), 구동 제어부(237)로 구성된다는 것은 말할 필요도 없다. 또한 온도 제어부(238)와 온도 제어부(74), 구동 제어부(237)와 구동 제어부(73)가 각각 동일하다는 것은 말할 필요도 없다. 특히 본원에서 부제어부(58)는 웨이퍼 이재 기구(125)의 구동부[예컨대 웨이퍼 이재 장치(125a)나 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)]를 개별로 제어하는 구동 제어부(73) 등으로 구성된다. 부제어부(58)는 연산 제어부(66)로부터 받은 지령에 기초하여 대응하는 구동부를 구동시키는 것과 함께 구동부의 상태(지령 실행 중, 지령 대기, 실행 완료 등)를 상기 연산 제어부(66)에 피드백하고, 기억부(67)에 포지션 기억(40) 등을 보존한다. 또한 후술하는 노(爐) 내 온도 균열장 측정에 의하면, 온도 제어부(74)는 열전대 등의 온도 센서로서의 온도 계측기가 계측한 온도(실측값)를 입출력 제어부(68)를 개재하여 상기 연산 제어부(66)에 피드백한다. 상기 연산 제어부(66)에 의해 가공이 수행된 후, 온도 보정값 기억(41) 등에 보존되도록 구성된다.
ROM으로서의 기억부(67)는 EEPROM, 플래시 메모리, 하드디스크 등으로 구성되고, CPU의 동작 프로그램 등을 기억하는 기록 매체다. RAM으로서의 입출력 제어부(68)는 CPU의 work area 등으로서 기능한다.
조작부(69)는 처리 장치(100)로부터 이간(離間)된 위치에 배치하는 것이 가능하다. 예컨대 기판 처리 장치(100)가 클린 룸 내에 설치되는 경우에도 조작부(69)는 클린 룸 외의 사무소 등에 배치하는 것이 가능하다. 또한 주제어 장치(65)에는 외부 기억 매체로서의 기록 매체인 USB플래시 메모리 등의 장착 및 취외를 수행하는 탈착부(도시되지 않음)로서의 포트가 설치된다.
본 발명의 실시 형태에 따른 주제어 장치(65)는 전용의 시스템에 한정되지 않고, 통상의 컴퓨터 시스템을 이용해도 실현 가능하다. 예컨대 범용 기계에 전술한 처리를 실행하기 위한 프로그램을 격납한 기록 매체(플렉시블 디스크, CD-ROM, USB 등)로부터 상기 프로그램을 인스톨하는 것에 의해 전술한 처리를 실행하는 주제어 장치(65)를 구성할 수 있다.
그리고 이들 프로그램을 공급하기 위한 수단은 임의다. 전술한 바와 같이 소정의 기록 매체를 개재하여 공급할 수 있는 것 외에 예컨대 통신 회선, 통신 네트워크, 통신 시스템 등을 개재하여 공급해도 좋다. 이 경우, 예컨대 통신 네트워크의 게시판에 상기 프로그램을 게시하고, 이를 네트워크를 개재하여 반송파에 중첩하여 제공해도 좋다. 그리고 이와 같이 제공된 프로그램을 기동하여 OS의 제어 하에서 다른 어플리케이션 프로그램과 마찬가지로 실행하는 것에 의해 전술한 처리를 실행할 수 있다.
여기서 후술하는 실시예1 이후에서 전술한 도 1 또는 도 2의 기판 처리 장치, 도 3의 기판 처리 장치의 처리로, 도 7의 기판 처리 장치의 주제어 장치(65)를 사용하여 실시된다. 따라서 이들에 대해서는 각 실시예에서는 구체적인 설명을 생략한다.
<실시예1>
이하, 도 4 내지 도 6에 도시된 온도 계측기 지지 기구(10)에 대하여 설명한다. 온도 계측기(18)를 취부하기 위한 치구로서의 온도 계측기 지지 기구(10)는 웨이퍼 이재 기구(125)에 설치된다. 온도 계측기 지지 기구(10)는 웨이퍼 이재 기구 접속 암(11)(이하, 제1 암이라고 부른다)과 온도 계측기 지지 암(12)(이하, 제2 암이라고 부른다)을 구비한다. 제1 암(11)은 일단부(一端部)를 웨이퍼 이재 장치(125a)에 추축(11a)(樞軸)으로 회전 가능하도록 지지되고, 제2 암(12)은 일단부를 제1 암(11)의 타단부(他端部)에 추축(12a)으로 회전 가능하도록 연결된다. 웨이퍼 이재 장치(125a)에는 한 쌍의 암받이(arm receiver)(13A, 13B)가 추축(11a) 부근 위치(이하, 프런트 위치라고 부른다) 및 추축(11a)으로부터 제1 암(11)의 길이 정도만 이격된 위치(이하, 리어 위치라고 부른다)에 각각 돌설(突設)된다. 한 쌍의 암받이(13A, 13B)는 상면을 제1 암(11)의 하면(下面)에 각각 당접하는 것에 의해 제1 암(11)을 프런트 위치 및 리어 위치에서 각각 수평하게 지지한다. 리어 위치의 암받이(13B)에 수평하게 지지된 제1 암(11)은 웨이퍼 이재 장치(125a)의 측면에 격납된 상태가 되고(도 4 참조), 프런트 위치의 암받이(13A)에 수평하게 지지되는 제1 암(11)은 웨이퍼 이재 장치(125a)로부터 돌출한 상태가 된다(도 5 참조). 제2 암(12)의 추축(12a)에는 제2 암(12)을 수평하게 지지하는 지지축(14)이 설치된다. 지지축(14)은 제2 암(12)을 제1 암(11)에 대하여 180° 범위의 왕복 회동을 허용하는 것과 함께, 제2 암(12)을 제1 암(11)의 프런트 위치 및 리어 위치에서 각각 수평하게 지지한다. 리어 위치에서 제1 암(11)과 평행해진 제2 암(12)은 웨이퍼 이재 장치(125a)에 격납된 상태가 되고(도 4 참조), 프런트 위치에서 제1 암(11)과 평행해진 제2 암(12)은 웨이퍼 이재 장치(125a)로부터 돌출한 상태가 된다(도 5 참조).
제2 암(12)의 자유 단부(端部)에는 온도 계측기 지지부(15)(이하, 지지부라고 한다)가 설치된다. 지지부(15)는 고정 나사(16) 및 고정 스프링(17)에 의해 온도 계측기(18)를 탈착 가능하도록 지지하도록 구성된다. 도 6에 도시되는 바와 같이 씰 캡(219)에는 온도 계측기(18)를 삽입하기 위한 온도 계측기 삽입구(20)(이하, 삽입구라고 부른다)가 설치된다. 삽입구(20)에는 울트라 토르(Ultra-Torr) 너트(21)가 나합(螺合)되고, 삽입구(20)는 울트라 토르 너트(21)에 의해 개폐되도록 구성된다. 울트라 토르 너트(21)가 개구된 상태에서 취부구(12)에는 온도 계측기(18)가 온도 계측기 지지 기구(10)에 의해 수직 방향 하방으로부터 삽입되어 설치된다. 이 때 온도 계측 지지 기구(10)는 웨이퍼 이재 기구(125)의 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 연직(鉛直) 방향[씰 캡(219)에 대하여 수직]에 승강되기 때문에 온도 계측기(18)는 삽입구(20)에 적절하게 삽입된다.
또한 전술한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정이 실시될 때에는 온도 계측기 지지 기구(10)는 도 4에 도시된 격납 상태로 유지된다. 즉 제1 암(11)은 리어 위치에서 암받이(13B)에 수평하게 지지되고, 제2 암(12)은 지지축(14)에 의해 리어 위치에서 수평하게 지지된다. 따라서 온도 계측 지지부(10)는 반도체 장치의 제조 방법의 실시를 방해하지 않는다.
다음으로 처리로 내 균열 영역의 온도 데이터 보정 방법에 대하여 도 8 등을 참조하여 설명한다. 예컨대 처리 장치(100) 내의 반응관(204)을 신품과 교환한 경우, 처리로(202) 내의 균열 영역이 바뀌기 때문에 처리로(202) 내의 균열 영역을 다시 측정하고 온도 보정 방법의 실시가 필요해진다.
반응관 교환 시 등의 처리실 내 온도 보정 방법을 실시하기 이전에 (후술하는) 온도 계측 지지부(10)의 지지부가 온도 계측기(18)를 삽입하는 삽입 포트의 직하 위치가 되도록 온도 계측기 기구(10)의 포지션(위치) 정의가 실시되고, 기억부(67)에 포지션 기억(40)으로서 보존된다(스텝A1). 온도 계측기 지지 기구(10)의 포지션 정의는 웨이퍼 이재 기구(125)의 웨이퍼 이재 장치(125a)의 회전[선회(旋回)]축의 엔코더(위치 검출기)의 값 및 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)의 승강축의 엔코더 값을 사용하는 것에 의해 실시할 수 있다.
반응관 교환 시와 같이 처리실 내 온도 보정 방법이 필요해진 경우에는 온도 계측기 지지 기구(10)는 도 4에 도시된 격납 상태로부터 도 5에 도시된 돌출 상태로 이행된다. 즉 제1 암(11)은 상방(上方)으로 180° 회동되어 프런트 위치의 암받이(13A)에 수평하게 지지되고, 동시에 제2 암(12)도 180° 회동되어 지지축(14)에 의해 프런트 위치에서 수평하게 지지된다. 온도 계측기(18)는 돌출한 제2 암(12) 선단부(先端部)의 지지부(15)에 고정 나사(16) 및 고정 스프링(17)에 의해 탈착 가능하도록 취부된다(도 5 참조). 한편, 씰 캡(219)의 삽입구(20)는 울트라 토르 너트(21)에 의해 개방된다. 온도 계측기 지지 기구(10)가 미리 설정되어 기억부(60)에 기억된 포지션 기억(40)을 따라 씰 캡(219)의 삽입구(20) 직하에 반송된다. 계속해서 온도 계측기 지지 기구(10)가 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 상승되는 것에 의해 도 6의 (b)에 도시되는 바와 같이 온도 계측기(18)가 삽입구(20)에 삽입된다. 또한 씰 캡(219)은 보트 엘리베이터(151)에 의해 상승되어 처리로(202)의 하단부가 씰 캡(219)에 의해 폐색된 상태인 것은 말할 필요도 없다. 또한 보트 엘리베이터(151)에 의해 상승되는 보트(217)에는 기판이 장전되지 않아도 좋지만, 일반적으로 실제의 기판 처리 공정을 상정하여 미리 더미 기판이 장전된다. 또한 처리로(202)의 하단부가 씰 캡(219)에 의해 폐색된 후, 씰 캡(219)의 삽입구(20)를 울트라 토르 너트(21)에 의해 개방하고, 온도 계측기(18)를 삽입구(20)에 삽입한 상태에서 지지부(15)에 취부하는 것이 바람직하다(이상, 스텝A2).
다음으로 처리로(202) 내의 온도가 히터(206)에 의해 소정의 온도로 상승되고, 소정의 온도로 안정될 때까지 대기한다(스텝A3). 온도가 안정된 후에 처리로(202) 내의 온도가 처리로(202) 내에 삽입된 온도 계측기(18)에 의해 계측된다. 즉 온도 계측기 지지 기구(10)에 취부된 온도 계측기(18)가 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 하강되는 것에 의해 히터의 균열 영역의 온도가 계측된다. 조작부(69) 및 개별 조작 터미널에 의해 히터 균열 영역이 취득된다(스텝A4). 작업자는 취득한 온도 데이터에 기초하여 온도 보정값을 산출하여 기억부(67) 내의 온도 보정값 기억(41)에 기억한다. 여기서 연산 제어부(66)가 취득한 온도 데이터에 기초하여 자동적으로 온도 보정값을 산출하고, 산출 후, 온도 보정값 기억(41)에 기억해도 좋다(스텝A5). 처리로(202) 내의 히터(206)의 균열 영역이 재차 취득된다. 즉 온도 계측기 지지 기구(10)에 취부된 온도 계측기(18)가 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 상승되고 소정의 온도로 안정된 후에 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 온도 계측기(18)가 하강되는 것에 의해 히터의 균열 영역의 온도가 계측된다(스텝A6). 연산 제어부(66)는 전술과 같이 취득된 히터의 균열 영역의 각 온도(균열 온도)가 각각 규정값 내에 온도가 될 때까지 복수 회 반복한다(스텝A7). 그리고 균열 온도가 규정값에 되면, 온도 보정값의 취득이 종료된다.
이상의 실시 형태(실시예1)에 의하면 다음 효과를 얻을 수 있다.
(1) 개별로 오토 프로파일러를 준비할 필요가 없기 때문에 처리로 내 온도 보정 방법의 작업성을 향상시킬 수 있는 것과 함께 비용을 저감할 수 있다.
(2) 웨이퍼 이재 기구의 엘리베이터를 활용하는 것에 의해 온도 측정기 지지 기구의 위치 결정(포지션 정의)을 간이화할 수 있고, 또한 처리로 내의 균열장을 측정할 때의 시작 위치가 일정해진다.
(3) 온도 계측기 지지 기구를 웨이퍼 이재 기구에 격납 가능하도록 설치하는 것에 의해 처리로 내 온도 균열장의 측정 방법을 실시하지 않을 때에 온도 계측기 지지 기구가 웨이퍼 이재 기구에 의한 이재 작업을 방해하는 것을 방지할 수 있다.
(4) 처리 장치의 주제어 장치나 조작부 및 개별 조작 터미널을 사용하는 것에 의해 처리로 내 균열 영역의 데이터 취득을 실행할 수 있고, 취득된 데이터를 주제어 장치의 기억부에 보존할 수 있고, 각 웨이퍼(제품 웨이퍼, 더미 웨이퍼, 필 웨이퍼 등)의 반송해야 할 포지션(위치)이나 온도 보정값 등도 연산 제어부에서 산출시킨 후에 보존할 수 있다. 따라서 각종 반송 웨이퍼의 위치나 매수 설정이나 온도 보정값과 같은 작업자에 의한 수동 입력을 삭감할 수 있고, 데이터 로거나 PC의 준비도 불필요로 할 수 있다.
(5) 모든 동작이 자동으로 수행되기 때문에 작업자의 기량과 관계없이 균열장 영역의 측정 시작 위치가 결정되기 때문에 균열장 영역의 측정 범위의 신뢰성이 향상(측정 범위의 편차가 대폭적으로 저감)한다. 따라서 온도 제어의 성능이나 처리 기판의 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
(6) 모든 동작이 자동으로 수행되기 때문에 이재실 문을 닫은 상태에서의 작업이 가능하기 때문에 작업자가 최대한 이재실 내에 들어갈 필요가 없어 안전성이 현저하게 향상한다.
(7) 처리로 내 균열 영역의 데이터 취득을 실시간으로 실행할 수 있다. 또한 각 웨이퍼(제품 웨이퍼, 더미 웨이퍼, 충전용 더미(fill dummy) 웨이퍼 등)의 반송해야 할 포지션(위치)이나 취득된 데이터를 주제어 장치(65)의 기억부(67)에 보존할 수 있다. 또한 처리로 내의 온도 보정값의 산출이 연산 제어부(66)에서 수행된 후, 상기 취득 데이터(실측값)와 마찬가지로 온도 보정값 등도 자동적으로 보존할 수 있기 때문에 처리로 내의 균열 온도 영역의 취득에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
<실시예2>
실시예1에서 개별로 오토 프로파일러를 준비하는 것에 의해 비용 저감을 도모할 수 있었지만, 온도 계측기 지지 기구(10)는 웨이퍼 이재 기구(125)에 고정되기 때문에 웨이퍼 이재 기구(125)의 단가가 오르는 문제가 있다. 즉 처리 장치(100)의 비용 저감 문제가 있다. 그래서 본 실시 형태(실시예2)에서는 이 온도 계측기 지지 기구(10)를 종형 장치의 옵션 기능으로서 부가하고, 제품 판매 가격을 유지하는 것을 목적으로 하여 추가 개량을 수행하였다.
이하, 도 9 및 도 10에 도시된 온도 계측기 지지 기구(10)에 대하여 설명한다. 도 9는 각각 고정 치구부로서의 치구 베이스 유닛을 웨이퍼 이재 기구(125)에 고정한 상태를 도시한다. 이와 같이 웨이퍼 이재 기구(125)에 치구 베이스 유닛을 미리 상설(常設)시키는 것에 의해 온도 계측 지지 기구(10)를 필요한 경우에 따라 취부할 수 있도록 이루어진다. 또한 온도 계측 지지 기구(10)의 유무(취부·취외)를 인식하기 위한 센서를 인식부로서 설치하였다. 이에 의해 처리 장치의 주제어 장치나 조작부에서 온도 계측 지지 기구(10)의 유무를 인식할 수 있게 되었다. 이에 의해 작업자가 장치 내에 굳이 들어가지 않아도 이재실 문을 닫은 상태에서 온도 계측 지지 기구(10)의 유무를 인식할 수 있다. 여기서 도시된 치구 베이스 유닛이 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 기판의 반송 동작을 방해하지 않는다는 것은 말할 필요도 없다. 이와 같은 구성에 의해 온도 계측 지지 기구(10)를 옵션 기능으로 하는 것에 의해 비용 삭감을 도모할 수 있다. 또한 실시예2에서 치구 베이스 유닛을 제1 치구로, 온도 계측기 지지 기구(10)를 제2 치구로 해도 좋다.
도 10은 전술한 치구 베이스 유닛에 취부하는 온도 계측기 지지 기구(10)로서의 온도 측정용 툴의 구성을 도시한다. 도 10에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태(실시예2)에서의 온도 측정용 툴은 암1과, 슬라이드 가이드와, 암2와, 베이스1과, 베이스2와, 슬라이드 플레이트와, 스프링과, 기둥 및 기둥 베이스와, 지지부(15)로서의 석영 설치부를 구비한다.
지지부(15)는 석영 열전대(TC) 등의 온도 계측기(18)가 설치된다. 또한 베이스1, 베이스2는 각각 미조정 기구로서 기능하고, 슬라이드 플레이트는 평행 이동 기구로서 기능하고, 스프링은 편심(偏芯)·편각(偏角) 기구로서 기능한다. 이와 같은 기능에 의해 지지부(15)에 설치된 온도 계측기(18)가 파손되지 않도록 구성된다. 또한 석영 열전대(TC) 등의 온도 계측기(18)의 삽입 위치는 각 장치에 의해 다르기 때문에 암1과 암2 사이에 슬라이드 가이드를 설치하고 암2를 신축 가능한 구조로 한다. 이에 의해 암2의 길이를 조정할 수 있다. 또한 온도 계측 지지 기구(10)는 옵션이기 때문에 운반 및 보관에도 편리하도록 이루어진다. 이와 같이 온도 계측 지지 기구(10)는 장치 사양, 장치로 기판에 수행되는 처리(예컨대 막종) 등에 한정되지 않고, 치구 베이스 유닛을 개재하여 웨이퍼 이재 기구(125)에 취부 가능하도록 구성된다.
도 11은 본 실시 형태(실시예2)에서의 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정할 때의 이재실 내의 웨이퍼 이재 기구(125)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
우선 보트(217)에 기판을 만충전(full charge)하고 보트 로드를 수행한다. 단 기판 처리를 실시한 상태와 마찬가지인 경우를 상정하여 소정 매수의 기판으로 만충전하기 위해서 더미 기판이 이용된다. 또한 본 실시 형태의 구성에 한정되지 않는다는 것은 말할 필요도 없다. 예컨대 기판은 만충전이 아니어도 좋고, 극간(隙間)이 있어도 좋고, 또한 기판 없이 수행되어도 좋다.
다음으로 처리로 내(울트라 톨부)에 석영 보호관을 삽입하여 고정한다. 그리고 웨이퍼 이재 기구(125)를 소정의 위치로 이동시킨 후, 웨이퍼 이재 기구(125)에 측정용 툴로서의 온도 계측 지지 기구(10)를 취부한다. 이 석영 보호관에 석영 열전대(TC) 등의 온도 계측기(18)를 삽입하여 온도 계측 지지 기구(10)의 석영 설치부에 온도 계측기(18)를 설치한다. 마지막으로 온도 계측기(18)와 처리 장치(100)의 계측기를 접속한다.
처리로 내의 온도 균열 영역의 측정은 미리 설정해둔 소정의 온도로 처리로 내의 온도가 안정되면, 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 온도 계측기(18)가 하강되는 것에 의해 히터의 균열 영역의 온도가 계측된다. 그리고 취득된 온도가 규정값 내에 온도가 될 때까지 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의한 온도 계측기(18)의 측정 시작 위치로 상승 및 하강시키면서 수행하는 온도 계측이 반복 수행된다.
다음으로 본 실시 형태(실시예2)에서의 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정하는 방법에 대하여 구체적으로 설명한다. 우선 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정하는 레시피는 작업자에 의해 예컨대 표시 장치(80) 또는 조작부(69에서 작성된다. 그리고 온도 균열 영역을 측정하는 레시피(이후, 균열장 측정 레시피)가 주제어 장치(65)의 기억부(67)에 미리 격납된다.
다음으로 도 12의 플로우 차트를 이용하여 균열장 레시피를 실행하여 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정하는 공정에 대하여 설명한다.
균열장 레시피가 조작부(69)의 소정의 버튼이 압하되어 시작된다. 그러자 히터의 균열장을 측정하는 횟수n 및 카운터i가 각각 설정된다. 도 12의 플로우 차트에는 횟수n의 값이 ?로 도시되어 있지만, 실제는 레시피 작성 시에 작업자가 설정하는 소정의 한계값(자연수)이 설정된다는 것은 말할 필요도 없다.
또한 이재기로서의 웨이퍼 이재 기구(125)가 소정의 위치에 이동된다. 그리고 원하는 치구 취부가 종료되는 것을 대기한다. 구체적으로는 웨이퍼 이재 기구(125)에 고정되는 치구 베이스 유닛에 대한 온도 계측기 지지 기구(10)의 취부 및 온도 계측기 지지 기구(10)와 온도 계측기(18)의 취부가 종료될 때까지 대기한다.
설치가 종료된 후, 비교 스텝으로 이행되어 횟수n과 카운터i의 크기가 비교된다. 그리고 카운터i가 횟수n보다 크지 않기 때문에 다음 스텝으로 이행되어 균열장 측정이 시작된다.
우선 균열장 측정을 시작하는 위치에 이동하는 이동 스텝이 실행된다. 단, 균열장 레시피를 시작할 때에는 측정 시작 위치 근방에 웨이퍼 이재 기구는 이동하기 때문에 다음 포지션 체크 공정으로 즉시 이행한다. 다음으로 각축의 포지션 체크가 수행되고, 포지션 에러가 발생하면 균열장 레시피는 종료된다. 또한 이 포지션 체크가 OK인 경우, 다음 간섭 체크로 이행한다. 다음으로 Z축[웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)의 동작 축]의 포지션이 노구 셔터 간섭 설정값을 초과하지 않는지 체크된다. 간섭 에러가 발생하면 균열장 레시피는 종료된다. 또한 체크가 OK인 경우, 다음 시작 위치 체크로 이행된다. 다음으로 Z축이 소정 시간(예컨대 600초) 이내에 측정 시작 위치에 위치하는지 체크된다. 소정 시간 내에 측정 시작 위치까지 이동하지 못한 경우, 시작 위치 타임아웃 에러가 발생하여 균열장 레시피는 종료된다. 체크가 OK인 경우, 온도 계측기(18)가 측정 시작 위치에 이동 종료된다.
그리고 처리로 내가 소정의 온도로 안정될 때까지 대기한다.
온도가 안정된 후, 균열장의 측정이 시작된다. 구체적으로는 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)의 하강 동작에 따라 온도 계측기(18)가 하강된다. 온도 계측기(18)에 의해 처리로 내의 각 측정 포인트의 온도가 계측된다. 또한 이 온도 데이터는 도 7에 도시하는 바와 같이 온도 제어부를 개재하여 주제어 장치(65)의 기억부(67)에 온도 실측값 기억(43)에 격납된다.
온도 계측기(18)가 하강하면서 처리로 내의 온도 계측을 수행하는 것에 의해 균열장의 측정이 균열장 측정 종료 위치에 도착할 때까지 수행된다. 여기서 미리 설정된 시간 내에 종료 위치에 없다고 판정되면, 종료 위치 타임아웃 에러가 발생하여 균열장 레시피가 종료된다. 설정 시간 내에 균열장 측정 종료 위치에 온도 계측기(18)가 위치하면 균열장 측정이 종료된다. 이 때 작업자는 취득한 온도 데이터에 기초하여 온도 보정값을 산출하여 적절한 온도 보정값을 기억(41)에 기억한다. 그리고 온도 보정값의 변경을 수행한다. 또한 연산 제어부(66)를 취득한 온도 데이터에 기초하여 온도 보정값을 자동적으로 산출하도록 구성해도 좋다는 것은 말할 필요도 없다. 도시되지 않지만 균열장 측정 후에 온도 보정값 취득 공정을 포함시켜도 좋다. 또한 연산 제어부(66)가 온도 보정값의 산출을 상기 반송 장치를 하강시키는 것과 함께 상기 온도 계측기에 의해 계측된 온도로부터 자동적으로 온도 보정값을 산출하도록 구성되어도 좋다.
균열장 측정이 종료된 후, 균열장 측정 카운터i에 1이 더해진다. 그리고 재차 비교 스텝에 피드백되어 균열장 측정 카운터i와 횟수n의 비교가 수행된다.
비교한 결과, 횟수n보다 균열장 측정 카운터i가 큰 경우 균열장 레시피가 종료된다. 또한 횟수n보다 균열장 측정 카운터i가 크지 않는 경우 다음 이동 스텝으로 이행되어 균열장 측정이 다시 시작된다. 그리고 측정 시작 위치에 이동할 때, 각축의 포지션 체크, 간섭 체크, 시작 위치 체크 등이 각각 실행된다.
균열장의 재측정이 종료된 후, 균열장 측정 카운터i에 1이 더해진다. 그리고 재차 비교 스텝에 피드백되고 균열장 측정 카운터i와 횟수n의 비교가 수행된다. 여기서 카운터i가 횟수n 이상이 되면 균열장 레시피는 종료된다.
또한 각 축의 포지션(위치) 체크는 상시 수행된다. 소정의 주기(예컨대 1초 주기)로 수행되기 때문에 웨이퍼 이재 기구(125)에 치구 베이스 유닛을 개재하여 설치된 온도 계측기(18)를 승강시키는 도중에 이상(異常)이 발생해도 즉시 정지시킬 수 있다. 이에 의해 온도 계측기(18)와 석영 보호관의 접촉에 의한 석영 파손의 발생과 같은 사고가 발생하지 않도록 할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 복수의 균열장 레시피를 실행하도록 구성해도 좋다. 예컨대 균열장 측정 카운터i와 횟수n을 적절히 소정의 수치로 설정하고, 1회째의 측정은 균열장 레시피A, 2회째의 측정은 균열장 레시피B, 3회째의 측정은 균열장 레시피C로 각각 처리로 내의 온도 측정 조건의 다른 레시피를 실행하도록 구성해도 좋다. 또한 균열장 레시피A를 3회 반복하면 다음으로 균열장 레시피B를 실행하는 것과 같이 횟수마다 레시피를 변경해도 좋다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 도 12의 플로우 차트와 같이 균열장 레시피가 시작되면, 웨이퍼 이재 기구(125)에 고정되는 치구 베이스 유닛에 대한 온도 계측기 지지 기구(10)의 취부 및 온도 계측기 지지 기구(10)와 온도 계측기(18)의 취부가 종료될 때까지 대기하는 공정이 있지만, 이에 한정되지 않는다. 웨이퍼 이재 기구(125)와 온도 계측기 지지 기구(10)와 온도 계측기(18)의 각각의 취부가 종료되면, 균열장 레시피가 시작되도록 구성해도 좋다. 단, 이 경우, 웨이퍼 이재 기구(125)에 온도 계측기 지지 기구(10)를 설치할 때의 웨이퍼 이재 기구(125)의 이동은 수동으로 수행된다. 예컨대 오프라인(Local)으로 전용의 단말에 의해 조작된다.
이상의 실시 형태(실시예2)에 의하면, 실시예1에서 갖는 효과와 더불어 다음 효과를 얻을 수 있다.
(7) 탈착 가능한 온도 계측기 지지 기구를 종형 장치의 옵션으로서 부가할 수 있기 때문에 제품 판매 가격을 유지할 수 있다. 예컨대 종형 장치의 기판 처리(프로세스)에 한정되지 않고 사용할 수 있기 때문에 제품 판매 가격에 영향이 미치지 않는다. 또한 적어도 전술한 온도 계측기 지지 기구와 균열장 레시피의 세트로 본 종형 장치의 온도 측정 시스템을 구성하는 것에 의해 부품 교환 등의 개조 및 교환 후의 세트업이 작업자의 기량과 관계없이 용이해진다.
(8) 제1 치구로서 치구 베이스 유닛을 웨이퍼 이재 기구(125)에 고정하고, 이에 센서가 설치된다. 이에 의해 작업자가 장치 내에 굳이 들어가지 않아도 이재실 문을 닫은 상태에서 온도 계측기 지지 기구의 유무를 인식할 수 있게 되었다. 이에 의해 작업자가 굳이 이재실 내에 들어갈 필요가 없기 때문에 안전성이 현저하게 향상한다.
(9) 조작 화면 상에서 균열장 레시피를 작성하고, 이를 실행하는 것에 의해 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정할 수 있다. 이에 의해 작업자가 최대한 이재실 내에 들어갈 필요가 없기 때문에 안전성이 현저하게 향상한다.
(10) 작업자는 균열장 레시피를 복수 작성하고, 이를 실행하는 것에 의해 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정할 수 있다. 예컨대 균열장 레시피A, 균열장 레시피B, 균열장 레시피C에 의해 각각 처리로 내의 온도 측정 조건이 다른 레시피를 실행하는 것에 의해 다종다양한 조건으로 균열장을 측정할 수 있다.
(11) 균열장 레시피를 실행하는 것에 의해 균열장의 측정 시작 위치 및 측정 종료 위치가 작업자의 기량과 관계없이 일정하게 유지할 수 있다. 이에 의해 처리로 내의 온도 균열 영역을 측정 결과의 신뢰성이 유지되고, 온도 제어의 성능이나 기판 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
<실시예2의 변형예>
전술한 도 12의 플로우 차트에서는, 균열장의 측정을 미리 설정된 횟수를 반드시 실행하지 않으면 균열장 레시피는 종료되지 않았다. 또한 반대로 균열장의 측정은 미리 설정된 온도 범위 내의 온도가 아니어도 설정 횟수에 도달하면 종료된다. 따라서 균열장 측정의 실행 횟수는 작업자의 기량에 의존하는 부분이 있다.
한편, 도 14는 도 12의 플로우 차트를 실시예1의 플로우 차트(도 8 참조)와 마찬가지로 소정의 규정값(미리 설정된 온도) 범위 내의 온도이면, 균열장 측정이 종료되는 플로우 차트로 변형한 도면이다. 도 14는 측정 시작 위치인지에 대한 여부를 확인하는 스텝(스텝1)과, 처리로 내의 온도가 안정될 때까지 대기하는 스텝(스텝2)과, 처리로 내의 균열장을 측정하는 스텝(스텝3)과, 균열장 측정을 종료할지에 대한 여부를 판정하는 스텝(스텝4)을 포함하는 균열 제어 프로그램을 도시하는 플로우 차트다. 이와 같이 본 플로우 차트와 실시예2의 플로우 차트는 플로우 차트의 반복을 결정하는 스텝(또한 이 스텝의 내용)이 다르다.
다음으로 도 14의 플로우 차트에 대하여 구체적으로 설명한다.
우선 균열장 레시피가 실행 시작되면, 균열장 측정을 시작하는 위치로 이동하는 이동 스텝이 실행된다. 단, 균열장 레시피의 시작 시에는 미리 측정 시작 위치에 웨이퍼 이재 기구(125)가 이동하기 때문에 다음 포지션 체크 공정으로 이행한다. 다음으로 각축의 포지션 체크가 수행되고, 포지션 에러가 발생하면 균열장 레시피는 종료된다. 또한 이 포지션 체크가 OK의 경우, 다음 간섭 체크로 이행된다. 다음으로 Z축[웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)의 동작 축]의 위치가 노구 셔터 간섭 설정값을 초과하지 않았는지 체크된다. 요컨대 웨이퍼 이재 기구(125)와 노구 셔터가 간섭하는지 체크된다. 간섭 에러가 발생하면 균열장 레시피는 종료된다. 또한 체크가 OK인 경우, 다음 시작 위치 체크로 이행된다. 다음으로 Z축이 소정 시간(예컨대 600초) 이내에 측정 시작 위치에 위치하는지 체크된다. 여기서 본 체크 공정에서도 균열장 레시피를 시작할 때에는 미리 측정 시작 위치로 웨이퍼 이재 기구(125)가 이동하고, 다음 온도 안정 체크 공정으로 이행된다. 필요에 따라 미조정(微調整)을 위해서 이동하기도 하지만, 소정 시간 내에 측정 시작 위치까지 이동하지 못한 경우에는 시작 위치 타임아웃 에러가 발생하여 균열장 레시피는 종료된다. 체크가 OK인 경우, 온도 계측기(18)가 측정 시작 위치에 이동 종료된다(이상, STEP1).
그리고 처리로 내가 소정의 온도로 안정될 때까지 대기하는 온도 안정 체크 공정이 실행된다(이상, STEP2).
온도가 안정된 후, 균열장의 측정이 시작된다. 측정은 실시예2와 마찬가지로 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)의 하강 동작에 따라 온도 계측기(18)가 하강된다. 온도 계측기(18)에 의해 처리로 내의 각 측정 포인트의 온도가 계측된다. 또한 이 온도 데이터는 도 7에 도시되는 바와 같이 온도 제어부를 개재하여 주제어 장치(65)의 기억부(67)에 온도 실측값 기억(43)에 격납된다.
처리로 내의 온도 계측은 균열장 측정 종료 위치에 도착할 때까지 수행된다. 여기서 미리 설정된 시간 내에 종료 위치에 없다고 판정되면, 종료 위치 타임아웃 에러가 발생하여 균열장 레시피가 종료된다. 설정 시간 내에 균열장 측정 종료 위치에 온도 계측기(18)가 위치하면 균열장 측정이 종료된다. 이 때 작업자는 취득한 온도 데이터에 기초하여 온도 보정값을 산출하여 기억부(67) 내의 온도 보정값 기억(41)에 기억한다. 여기서 연산 제어부(66)가 취득한 온도 데이터에 기초하여 자동적으로 온도 보정값을 산출하고, 산출 후 온도 보정값 기억(41)에 기억해도 좋다(이상, STEP3).
연산 제어부(66)는 전술과 같이 취득된 히터의 균열 영역의 각 온도(균열 온도)가 각각 규정값 내에 온도가 될 때까지 복수 회 반복한다. 연산 제어부(66)는 소정의 판단 기준, 예컨대 소정 상하한값 내(규정값 내)의 온도가 소정의 길이 이상인지를 판정한다. 이 소정의 판정 기준에 미치지 않는 경우, 처리로(202) 내의 히터(206)의 균열 영역이 재차 취득된다. 즉 STEP1의 균열장 측정을 시작하는 위치로 이동하는 이동 스텝으로 이행되고, 온도 계측기 지지 기구(10)에 취부된 온도 계측기(18)가 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 상승되어 측정 시작 위치로 되돌려진다. 그리고 각 체크 공정을 거쳐 소정의 온도로 안정된(STEP2) 후에 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)에 의해 온도 계측기(18)가 하강되는 것에 의해 히터의 균열 영역의 온도가 계측된다(STEP3). 그리고 균열장 측정 결과가 규정값에 들어가면(판단 기준 내에 들어가면) 연산 제어부(66)는 균열장 측정을 종료하고, 온도 보정값의 취득이 종료된다(이상, STEP4).
여기서 각 축의 포지션(위치) 체크는 도 12에 도시되는 플로우 차트(실시예2)와 마찬가지로 상시 수행된다. 이와 같이 소정의 주기(예컨대 1초 주기)로 수행하는 것에 의해 웨이퍼 이재 기구(125)에 취부된 온도 계측기(18)를 승강시키는 도중에 이상이 발생해도 즉시 정지시킬 수 있고, 온도 계측기(18)와 석영 보호관의 접촉에 의한 석영 분해의 발생과 같은 사고가 발생하지 않도록 할 수 있다.
<실시예1 및 실시예2의 계측 결과의 표시예>
도 15 및 도 16은 균열장 측정 결과에 의해 온도 제어부(74)가 취득하는 온도 데이터의 표시예를 도시한다. 도 15는 소정의 판단 기준(규정값)을 만족시킨 온도 측정 결과를 그래프로 도시하고, 소정의 온도 상하한값 내(설정 온도 ± 상하한값)에서 소정의 온도 설정 범위가 소정의 길이 이상인 경우를 도시한다. 예컨대 설정 온도 700℃, 상하한값 ±2℃, 온도 플랫 존이 900mm 이상이다. 또한 설정 온도에 따라 다르지만 온도 플랫 존은 950mm 이상이 바람직하다. 단, 처리로(202)의 크기에 따라 1,200mm 정도가 한계값이다. 또한 설정 온도는 프로세스 및 막종에 따라 다르지만 100℃ 이하(예컨대 실온) 내지 1,200℃ 정도의 어닐링로(爐)까지 미친다. 상세는 후술하지만, 최근의 저온 프로세스에서는 400℃ 이하, 또한 100℃ 이하로 균열장을 측정하는 요구가 늘고 있다.
도 16에는 4회의 균열장 측정 결과가 함께 표시된다. 또한 도 16은 1회째 내지 3회째의 균열장 측정 결과는 소정의 판단 기준(규정값)을 벗어나고 있고, 4회째의 균열장 측정 결과는 소정의 판단 기준(규정값)을 만족시키는 상태를 나타낸다. 또한 본 발명에서는 균열장을 측정할 때에 웨이퍼 이재 기구(125)를 이용하는 것에 의해 온도 계측 시작 위치를 상시 일정하게 할 수 있다. 또한 균열장 레시피에 의한 측정을 수행하도록 하면, 계측 범위를 설정 가능하기 때문에 온도 계측 시작 위치 및 온도 계측 종료 위치를 상시 일정하게 할 수 있다.
세트업 시 등에 실행되는 균열장 측정은 처리 장치(100)의 특성상 중요한 공정이며 판단 기준이 엄격하게 설정된다. 따라서 규정값 범위 내에 들어가기 위해서는 복수 회의 측정이 필요하다. 또한 처리로(202) 내의 균열장의 측정은 온도 계측기(18)를 웨이퍼 이재 기구(125)에 취부하고, 이 웨이퍼 이재 기구(125)를 승강시키는 시스템을 구축하기 때문에 기판을 처리하기 위한 레시피인 프로세스 레시피를 실행한 경우와 마찬가지로 균열장을 측정하기 위한 레시피인 균열장 레시피를 실행할 수 있다. 이에 의해 균열장 레시피를 실행하여 처리로 내의 온도 분포가 소정의 온도 상하한값 내(설정 온도 ± 상하한값)에서 소정의 온도 설정 범위가 소정의 길이 이상인지를 확인할 수 있다. 이와 같이 프로세스 레시피와 마찬가지로 가스 유량, 노 내 압력, 히터 온도 등의 제어 파라미터를 설정하는 것에 의해 실제의 기판 처리와 마찬가지의 처리 조건으로 균열장 측정이 가능해진다.
또한 상세는 후술하지만, 설정 온도에 의해 기판 처리 영역 내의 균열장뿐만 아니라 기판 처리 영역의 하부의 온도가 단열판 영역의 온도로부터 받는 영향을 고려할 필요가 있다. 이 경우, 기판 처리 영역뿐만 아니라 단열판 영역도 온도 측정을 수행한다.
전술한 실시예1 또는 실시예2(변형예를 포함한다)에서 설명한 처리로 내의 온도 균열 영역의 측정은 기판 처리 장치의 세트업 시나 처리로를 구성하는 부품인 보트(217) 등의 교환 시 등의 메인터넌스(보수) 시에 실시된다.
<실시예1 및 실시예2(변형예를 포함한다)의 응용예1>
즉, 전술한 실시예1 또는 실시예2(변형예를 포함한다)에 의하면, 전술한 처리 장치(100)의 세트업 방법이 다음과 같이 제공된다. 처리실을 구성하는 각 부품을 조립하는 조립 공정; 기판을 보지구에 이재하는 이재 장치에 탈착 가능하도록 설치된 온도 계측기를 상기 처리실로 반입하는 스텝과, 상기 이재 장치를 강하시키는 것에 의해 상기 처리실 내의 온도를 상기 온도 계측기에 의해 계측하는 스텝과, 상기 온도 계측기에 의해 계측된 상기 온도에 기초하여 보정값을 산출하는 스텝과, 상기 계측된 온도를 소정의 판정 기준과 비교하는 비교 스텝을 포함하는 온도 보정 공정; 및 상기 온도 보정 공정이 종료된 후에 상기 처리실 내를 기판 처리 온도보다 큰 온도로 가열하는 가열 공정;을 적어도 포함한다.
상기 비교 스텝에서 계측된 온도가 소정의 판정 기준 내에 들어간 경우, 상기 보정값을 이용하여 상기 가열 공정 및 기판을 처리하는 기판 처리 공정이 실행된다. 한편, 계측된 온도가 소정의 판정 기준을 벗어난 경우, 상기 이재 장치를 상승시켜서 온도 측정 시작 위치에 이동하는 이동 스텝이 실행된다. 그리고 재차 상기 이재 장치를 강하시키는 것에 의해 상기 처리실 내의 균열장의 측정이 수행된다.
<실시예1 및 실시예2(변형예를 포함한다)의 응용예2>
즉 전술한 실시예1 또는 실시예2(변형예를 포함한다)에 의하면, 전술한 처리 장치(100)의 메인터넌스(보수)를 하기 위한 수단이 다음과 같이 제공된다. 처리실 내를 구성하는 부품 중 보지구 등의 부품을 교환하는 공정; 및 기판을 상기 보지구에 이재하는 이재 장치에 탈착 가능하도록 설치된 온도 계측기를 상기 처리실로 반입하는 스텝과, 상기 이재 장치를 강하시키는 것에 의해 상기 처리실 내의 온도를 상기 온도 계측기에 의해 계측하는 스텝과, 상기 온도 계측기에 의해 계측된 온도에 기초하여 보정값을 산출하는 스텝과, 상기 계측된 온도를 소정의 판정 기준과 비교하는 비교 스텝을 포함하는 온도 보정 공정;을 적어도 포함한다.
상기 비교 스텝에서 계측된 온도가 소정의 판정 기준 내에 들어간 경우, 상기 보정값을 이용하여 상기 교환한 부품을 보호하기 위한 프리코팅 처리나 기판을 처리하는 기판 처리 공정이 실행된다. 한편, 계측된 온도가 소정의 판정 기준을 벗어난 경우, 상기 이재 장치를 상승시켜서 온도 측정 시작 위치에 이동하는 이동 스텝이 실행된다. 그리고 재차 상기 이재 장치를 강하시키는 것에 의해 상기 처리실 내의 균열장의 측정이 수행된다.
이상의 실시 형태(실시예3 또는 실시예4)에 의하면, 실시예1 또는 실시예2에서 갖는 효과와 더불어 다음 효과를 얻을 수 있다.
(12) 실시예1 또는 실시예2에 따른 처리로 내의 온도 균열 영역의 측정 방법을 기판 처리 장치의 세트업이나 메인터넌스에 적용하는 것에 의해 결과적으로 기판 처리 장치에서의 비가동 시간(메인터넌스나 세트업 등의 시간)이 저감되기 때문에 기판 처리 장치의 장치 가동률이 향상한다.
<실시예3>
실시예1이나 실시예2에서 히터의 균열장 영역의 측정 범위는 도 14에 도시되는 바와 같이 기판 처리 영역(E)이 대상이었다. 따라서 도 14에 도시되는 바와 같이 히터의 균열장의 측정 범위는 기판 처리 영역(E)이었기 때문에 단열판 영역(F)의 온도의 측정은 필요하지 않았다. 하지만 기판 처리 영역(E) 뿐만 아니라 단열판 영역(F)의 온도에 관한 정보를 취득하는 요구가 높아지고 있다. 예컨대 히터 개발 시에는 최대 균열장을 확인하기 위해서 기판 처리 영역과 단열판 영역의 양방(兩方)의 온도를 계측한다. 예컨대 단열판 영역으로부터의 방열이 큰 경우에 기판 처리 영역과 단열판 영역의 온도 구배(勾配)를 확인할 필요가 있다. 단열판 영역으로부터의 방열에 의해 기판 처리 영역의 하부의 면내(面內) 온도에 편차가 발생해도 이 온도 구배를 확인하는 것에 의해 단열판 영역의 영향을 확인할 수 있다.
종래의 프로세스 온도(처리 온도)는 노구부(단열판 영역)로부터의 방열의 영향은 다소 있었을지도 모르지만, 기판 처리 결과(기판의 품질)에 대한 영향은 거의 없었다. 하지만 프로세스 온도(처리 온도)의 저온화가 진행됨에 따라 기판 처리 결과에 대한 영향을 무시할 수 없게 되었다. 예컨대 처리 온도가 400℃ 이하, 또한 100℃ 이하의 프로세스가 되면, 처리 장치(100)에서 온도 변화에 민감하게 반응한다. 이와 같은 저온에서의 성막 요구가 높아져 도 14의 단열판 영역(F)의 온도를 측정할 필요가 있다. 예컨대 단열판 영역(F)의 온도 변화에 의해 도입하는 가스의 온도가 변화하므로, 처리 가스 도입부는 영향을 받는다.
본 실시예(실시예3)에서 도 14에 도시되는 바와 같이 기둥으로서의 파악부(把握部)의 길이를 변경하는 것만으로도 조정할 수 있다. 예컨대 파악부를 짧게 구성하는 것에 의해 이재기로서의 웨이퍼 이재 기구(125)의 측정 위치를 바꾸지 않고 온도 측정 포인트를 변경한다.
또한 본 실시예(실시예3)에서 처리로 내의 온도 균열장의 측정 요령은 실시예2(변형예를 포함한다)와 마찬가지이기 때문에 설명은 생략한다.
이와 같이 기둥으로서의 파악부의 길이를 바꾸는 것만으로도 처리로 내의 온도 측정 포인트를 변경하는(하측에 시프트시키는) 것에 의해 단열판 영역(F)을 측정 가능해졌다. 또한 측정 치구를 사용하지 않아도 균열장을 측정하는 범위를 통상보다 크게 하는 것에 의해서도 단열판 영역(F부)이 측정 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.
이상의 실시 형태(실시예3)에 의하면, 실시예1 및 실시예2에서 갖는 효과와 더불어 다음 효과를 얻을 수 있다.
(13) 지금까지 측정 불가능했던 단열판 영역에 관한 온도 측정이 가능해졌다. 이에 의해 기판 처리 장치에서 온도 변화에 민감한 프로세스에 대응할 수 있게 되었다.
또한 본 발명은 이상의 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경이 가능하다는 것은 말할 필요도 없다. 예컨대 온도 계측기 지지 기구는 제1 암 및 제2 암의 매니퓰레이터에 의해 구성하는 것에 한정되지 않고, 다관절 로봇에 의해 구성해도 좋고, 슬라이드식의 매니퓰레이터나 리니어 액츄에이터 등등에 의해 구성해도 좋다. 또한 온도 계측기는 복수 설치해도 좋고, 온도 측정기의 개수에 맞춰서 온도 측정기 지지 기구를 복수 설치해도 좋다.
또한 조작부(69)는 복수의 처리 장치(100)를 관리하는 호스트 컴퓨터 등의 관리 장치이어도 좋다.
상기 실시 형태에서는 웨이퍼를 처리한 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 액정 패널의 유리 기판이나 자기 디스크나 광(光) 디스크 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치 전반에 적용할 수 있다.
또한 산화막 형성에 한정되지 않고, 확산이나 CVD나 어닐링 및 애싱 등의 처리 전반에 적용할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명(본 실시 형태)에서의 바람직한 형태를 부기(附記)한다.
(부기1)
보지구에 보지된 상태로 장입된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기;
적어도 상기 보지구에 상기 기판을 반송하는 반송 장치; 및
적어도 상기 반송 장치와 상기 온도 계측기에 접속되는 컨트롤러;
를 포함하고,
상기 컨트롤러는 상기 처리실 내의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시킨 후, 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 승강시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 기판 처리 장치.
(부기2)
상기 컨트롤러는 상기 처리실 내의 상기 온도를 측정하기 위한 소정의 시퀀스를 실행하는 것에 의해 계측 조건을 변경시켜서 상기 처리실 내의 상기 온도를 반복 계측 가능하도록 구성된다.
(부기3)
상기 컨트롤러는 상기 반송 장치가 소정의 시작 위치를 벗어난 경우에 상기 소정의 시퀀스에 의한 온도 계측을 실행하지 않고 종료하도록 구성되는 부기2의 기판 처리 장치.
(부기4)
상기 컨트롤러는 상기 반송 장치가 소정의 종료 위치에 소정의 시간 내에 도달하지 않은 경우에 상기 소정의 시퀀스에 의한 온도 계측을 종료하도록 구성되는 부기2의 기판 처리 장치.
(부기5)
상기 컨트롤러는 상기 반송 장치를 하강시키는 것과 함께 상기 온도 계측기에 의해 계측된 상기 온도로부터 온도 보정값을 산출하도록 구성되는 부기1의 기판 처리 장치.
(부기6)
보지구에 보지된 상태로 장입된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기;
적어도 상기 보지구에 상기 기판을 반송하는 반송 장치; 및
적어도 상기 반송 장치와 상기 온도 계측기에 접속되는 컨트롤러;
를 포함하고,
상기 컨트롤러는 상기 처리실 내의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시킨 후, 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 승강시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 기판 처리 장치의 온도 계측 방법.
(부기7)
기판을 보지한 보지구를 처리실에 장입한 상태에서 상기 기판을 처리하는 기판 처리 공정과, 상기 처리실 내의 온도가 반송 장치에 취부된 온도 계측기에 의해 계측되는 온도 계측 공정을 적어도 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 온도 계측 공정은 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키는 공정; 및
상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
(부기8)
기판이 장전된 캐리어를 반입 및 반출하는 로드 포트;
상기 캐리어를 수납하는 수납 선반;
상기 수납 선반에 수납된 상기 캐리어를 재치하는 재치 선반;
상기 캐리어를 상기 로드 포트와 상기 수납 선반과 상기 재치 선반 사이에서 반송하는 제1 반송 장치;
상기 기판을 보지하는 보지구;
상기 재치 선반에 재치된 상기 캐리어와 상기 보지구 사이에서 상기 기판을 반송하는 제2 반송 장치;
상기 보지구에 보지된 상기 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기;
상기 온도 계측기를 상기 제2 반송 장치에 취부하는 온도 계측기 지지 기구; 및
상기 제1 반송 장치와 상기 제2 반송 장치와 상기 수납 선반과 상기 로드 포트와 상기 온도 계측기와 상기 온도 계측기 지지 기구를 제어하는 컨트롤러;
를 포함하는 기판 처리 장치.
(부기9)
기판이 장전된 캐리어를 로드 포트에 반입하는 스텝;
상기 캐리어를 상기 로드 포트로부터 수납 선반으로 제1 반송 장치에 의해 반송하는 스텝;
상기 캐리어를 상기 수납 선반으로부터 재치 선반으로 상기 제1 반송 장치에 의해 반송하는 스텝;
상기 재치 선반에 재치된 상기 캐리어의 상기 기판을 보지구로 제2 반송 장치에 의해 이재하는 스텝;
상기 기판이 이재된 상기 보지구를 처리실에 반입하는 스텝;
상기 보지구의 상기 기판을 상기 처리실 내에서 처리하는 스텝;
상기 기판을 처리한 상기 보지구를 상기 처리실로부터 반출하는 스텝;
온도 계측기를 상기 제2 반송 장치에 설치하는 스텝;
상기 처리실 내의 온도를 상기 온도 계측기에 의해 계측하는 스텝; 및
상기 온도 계측기에 의해 계측된 상기 온도를 한계값과 비교하는 스텝;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
(부기10)
기판을 처리하는 처리실;
상기 기판을 보지하는 보지구; 및
상기 기판을 상기 보지구에 이재하는 이재 장치;
를 구비하고,
상기 이재 장치에는 상기 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기를 지지하는 온도 계측기 지지 기구가 설치되고,
상기 이재 기구는 상기 온도 계측기 지지 기구에 설치된 상기 온도 계측기를 승강 가능하도록 구성되는 기판 처리 장치.
(부기11)
기판을 보지구에 이재하는 이재 장치에 탈착 가능하도록 설치된 온도 계측기를 상기 처리실에 반입하는 스텝과, 상기 처리실 내의 온도를 상기 온도 계측기에 의해 계측하는 스텝과, 상기 온도 계측기에 의해 계측된 상기 온도를 한계값과 비교하는 스텝을 포함하는 온도 보정 공정; 및
복수의 기판을 보지한 보지구를 상기 처리실 내에 삽입한 상태에서 상기 복수의 기판을 처리하는 기판 처리 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
(부기12)
처리실 내를 구성하는 히터 및 반응관 등을 포함하는 부품을 조립하는 조립 공정;
기판을 보지구에 이재하는 이재 장치에 탈착 가능하도록 설치된 온도 계측기를 상기 처리실로 상기 이재 장치에 의해 반입하는 스텝과, 상기 처리실 내의 온도를 상기 온도 계측기에 의해 계측하는 스텝과, 상기 온도 계측기에 의해 계측된 상기 온도를 한계값과 비교하는 스텝을 포함하는 온도 보정 공정; 및
상기 온도 보정 공정이 종료된 후, 상기 처리실 내를 기판 처리 온도보다 높은 온도로 가열하는 가열 공정;
을 적어도 포함하는 기판 처리 장치의 세트업 방법.
(부기13)
처리실 내를 구성하는 부품 중 보지구 등을 포함하는 부품을 교환하는 공정; 및
기판을 상기 보지구에 이재하는 이재 장치에 탈착 가능하도록 설치된 온도 계측기를 상기 처리실로 상기 이재 장치에 의해 반입하는 스텝과, 상기 처리실 내의 온도를 상기 온도 계측기에 의해 계측하는 스텝과, 상기 온도 계측기에 의해 계측된 상기 온도를 한계값과 비교하는 스텝을 포함하는 온도 보정 공정;
을 적어도 포함하는 기판 처리 장치의 메인터넌스(보수) 방법.
(부기14)
피처리체를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기;
상기 피처리체를 반송하는 반송 장치;
상기 온도 계측기를 상기 반송 장치에 취부하기 위한 치구; 및
상기 반송 장치에 상기 치구를 개재하여 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서, 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 온도를 취득하는 컨트롤러;
를 포함하는 온도 계측 시스템.
(부기15)
또한 상기 반송 장치에는 상기 온도 계측기를 지지하는 온도 계측기 지지 기구가 설치되고, 상기 치구는 상기 온도 계측기 지지 기구에 설치되는 부기14의 온도 계측 시스템.
(부기16)
또한 상기 반송 장치에는 센서가 설치되고, 상기 센서는 상기 치구가 상기 온도 계측기 지지 기구에 취부되었는지를 검출하는 부기15의 온도 계측 시스템.
(부기17)
상기 반송 장치는 상기 온도 계측기 지지 기구를 개재하여 상기 온도 계측기에 취부하기 전에 또는 상기 온도 측정기에 의한 온도 계측 전에 미리 설정된 위치에 이동되도록 구성되고, 상기 온도 계측기에 의해 상기 처리실 내의 온도를 계측할 때에는 강하되도록 구성되는 부기14의 온도 계측 시스템.
(부기18)
기판을 보지구에 이재하는 이재 장치로서,
상기 이재 장치에는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기를 지지하는 온도 계측기 지지 기구가 설치되고, 상기 온도 계측기 지지 기구의 앞을 개재하여 설치된 상기 온도 계측기를 승강 가능하도록 구성되는 이재 장치.
(부기19)
상기 이재 장치는 상기 온도 계측기 지지 기구를 개재하여 상기 온도 계측기에 취부하기 전에 또는 상기 온도 측정기에 의한 온도 계측 전에 미리 설정된 위치에 이동되도록 구성되고, 상기 온도 계측기에 의해 상기 처리실 내의 온도를 계측할 때에는 강하되도록 구성되는 부기18의 이재 장치.
(부기20)
피처리체를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기와, 상기 피처리체를 반송하는 반송 장치와, 상기 온도 계측기 및 상기 반송 장치에 각각 접속되는 컨트롤러를 포함하는 처리 장치의 온도 계측 방법으로서,
상기 처리실 내의 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키고, 상기 처리실 내의 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 처리 장치의 온도 계측 방법.
(부기21)
피처리체를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기를 취부한 상태에서 승강 가능한 반송 장치로서,
상기 온도 계측기를 취부하기 위한 고정 치구부; 및
상기 고정 치구부와 탈착 가능한 온도 계측기 지지 기구의 부착 또는 취외를 인식하는 센서;
를 구비한 반송 장치.
(부기22)
상기 처리실 내의 온도를 계측하기 전에 미리 설정된 위치에서 상기 고정 치구에 온도 계측기 지지 기구가 취부되고, 상기 처리실 내의 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기 지지 기구에 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 이동하도록 구성되는 부기21의 반송 장치.
(부기23)
처리실 내의 온도를 반송 장치에 취부된 온도 계측기에 의해 계측하는 처리를 적어도 포함하는 프로그램을 기록한 컨트롤러에 의해 판독 가능한 기록 매체로서,
상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키는 처리; 및
상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 처리;
를 포함하는 프로그램을 기록한 컨트롤러에 의해 판독 가능한 기록 매체.
(부기24)
처리실 내의 온도를 반송 장치에 취부된 온도 계측기에 의해 계측하는 처리를 적어도 포함하는 프로그램으로서,
상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키는 처리; 및
상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 처리;
를 포함하는 프로그램.
이 출원은 2012년 5월 28일에 출원된 일본 출원 특원 2012-121203에 기초하여 우선권의 이익을 주장하며, 그 개시 전체를 인용하는 것에 의해 여기에 반영한다.
각종 히터의 온도 균열장을 측정하는 기술에 따라 반도체를 제조하는 데 이용되는 노(爐)에 한정되지 않고 각 노에 적용 가능하다.
10: 온도 계측기 지지 기구
11: 제1 암(웨이퍼 이재 기구 접속 암)
11a: 추축 12: 제2 암(온도 계측기 지지 암)
12a: 추축 13A, 13B: 암받이
14: 지지축 15: 지지부(온도 계측기 지지부)
16: 고정 나사 17: 고정 스프링
18: 온도 계측기 20: 삽입구
21: 울트라 토르 너트 40: 포지션 기억
41: 온도 보정값 기억 58: 구동 서브 제어부
65: 주제어 장치 66: 연산 제어부
67: 기억부 68: 입출력 제어부
69: 조작부 73: 서브 제어부
80: 표시부 100: 처리 장치(기판 처리 장치)
110: 포드(캐리어) 118: 포드 반송 장치(제1 반송 장치)
125: 웨이퍼 이재 기구(제2 반송 장치)
125a: 웨이퍼 이재 장치
125b: 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터 151: 보트 엘리베이터
200: 웨이퍼(기판) 202: 처리로
217: 보트(보지구) 219: 포지션 캡

Claims (20)

  1. 보지구(保持具)에 보지된 상태로 장입(裝入)된 기판을 처리하는 처리실;
    상기 처리실의 온도를 계측하는 온도 계측기;
    적어도 상기 기판을 반송하는 반송 장치; 및
    상기 처리실의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키고, 상기 처리실의 상기 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기를 취부(取付)한 상태로 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 컨트롤러;
    를 포함하고,
    상기 컨트롤러는 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 기판 처리 장치.
  2. 피처리체(被處理體)를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기;
    상기 피처리체를 반송하는 반송 장치;
    상기 온도 계측기를 상기 반송 장치에 취부하기 위한 치구(治具); 및
    상기 반송 장치에 상기 치구를 개재하여 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하는 컨트롤러;
    를 포함하고,
    상기 반송 장치는 상기 치구를 개재하여 상기 온도 계측기에 취부하기 전에 또는 상기 온도 계측기에 의한 온도 계측 전에 미리 설정된 위치에 이동되도록 구성되고, 상기 컨트롤러는 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하도록 구성되는 온도 계측 시스템.
  3. 피처리체를 처리하는 처리실 내의 온도를 계측하는 온도 계측기, 상기 피처리체를 반송하는 반송 장치와, 상기 온도 계측기 및 상기 반송 장치에 각각 접속되는 컨트롤러를 포함하는 처리 장치의 온도 계측 방법으로서,
    상기 컨트롤러는 상기 처리실 내의 상기 온도를 계측하기 전에 상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키고, 상기 처리실 내의 상기 온도를 계측할 때에 상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하고, 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 처리 장치의 온도 계측 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 온도 계측기를 상기 반송 장치에 취부하기 위한 온도 계측기 지지 기구를 더 포함하고,
    상기 반송 장치는,
    상기 온도 계측기 지지 기구를 취부하기 위한 고정 치구; 및
    상기 고정 치구에 대해서 탈착 가능한 상기 온도 계측기 지지 기구의 부착 또는 취외(取外)를 인식하는 센서;
    를 더 구비한 기판 처리 장치.
  5. 처리실 내의 온도를 반송 장치에 취부된 온도 계측기에 의해 계측하는 처리를 적어도 포함하는 프로그램을 기록한 컨트롤러에 의해 판독 가능한 기록 매체로서,
    상기 반송 장치를 미리 설정된 위치로 이동시키는 처리; 및
    상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 이동시키면서 상기 온도 계측기에 의해 상기 온도를 취득하고, 취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 반송 장치를 승강시키면서 반복해서 온도를 계측하는 처리;
    를 포함하는 프로그램을 기록한 컨트롤러로 판독 가능한 기록 매체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 처리실 내의 온도를 측정하기 위한 소정의 시퀀스를 실행하는 것에 의해 계측 조건을 변경시켜서 상기 처리실 내의 온도를 반복 계측 가능하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 반송 장치가 소정의 시작 위치를 벗어난 경우에 상기 소정의 시퀀스를 실행하지 않고 종료하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 반송 장치가 소정의 종료 위치에 소정의 시간 내에 도달하지 않은 경우에 상기 소정의 시퀀스에 의한 온도 계측을 종료하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 온도 계측기에 의해 계측된 온도로부터 온도 보정값을 산출하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 보지한 보지구를 처리실에 장입한 상태에서 상기 기판에 처리하는 기판 처리 공정과, 상기 처리실 내의 온도가 반송 장치에 취부된 온도 계측기에 의해 계측되는 온도 계측 공정을 적어도 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 온도 계측 공정은,
    상기 반송 장치를 미리 설정된 위치에 이동시키는 공정; 및
    상기 온도 계측기를 취부한 상태에서 상기 반송 장치를 승강시키면서 상기 온도 계측기로부터의 온도를 취득하는 공정;
    을 포함하고,
    취득된 온도가 각각 규정값 내의 온도가 될 때까지 상기 온도 계측 공정을 반복해서 온도를 계측하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 온도 계측 공정 이후에 수행되며, 상기 온도 계측기에 의해 계측된 각각의 상기 온도를 한계값과 비교되는 스텝을 포함하는 온도 보정 공정
    을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 온도 보정 공정이 종료된 후, 상기 처리실의 온도를 기판 처리 온도보다 높은 온도로 가열하는 가열 공정
    을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제2항에 있어서,
    상기 반송 장치에는 상기 온도 계측기를 지지하는 온도 계측기 지지 기구가 더 설치되고,
    상기 치구는 상기 온도 계측기 지지 기구에 취부되는 온도 계측 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 반송 장치에는 센서가 더 설치되고,
    상기 센서는 상기 치구가 상기 온도 계측기 지지 기구에 취부되었는지를 검출하는 온도 계측 시스템.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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