KR20210127738A - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 - Google Patents

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타카토모 야마구치
히데나리 요시다
켄지 오노
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

(a) 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구를 반응실 내에서 가열하는 공정; (b) 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 반응실 외로 위치시키도록 기판 보지구를 이동시키는 스텝과, 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 스텝을 포함하는 세트를 반복 수행하는 공정; 및 (c) 복수의 슬롯에 장전된 기판을 반응실 내에 수용시키도록 기판 보지구를 이동시키는 공정을 수행하는 기술을 제공한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
본 개시(開示)는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 일 공정으로서 기판 보지구(保持具)에 장전(裝塡)한 복수의 기판을, 가열된 처리로 내에서 처리하는 기판 처리가 수행되는 경우가 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
1. 일본 특개 2017-194951호 공보
본 개시는 전술한 기판 처리의 생산성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 형태에 따르면, (a) 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구를 반응실 내에서 가열하는 공정; (b) 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 반응실 외로 위치시키도록 기판 보지구를 이동시키는 스텝과, 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 스텝을 포함하는 세트를 반복 수행하는 공정; 및 (c) 복수의 슬롯에 장전된 기판을 반응실 내에 수용시키도록 기판 보지구를 이동시키는 공정을 수행하는 기술이 제공된다.
본 개시에 따르면, 전술한 기판 처리의 생산성을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은 본 개시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치의 투시 사시도.
도 2는 본 개시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치에 설치된 처리로와 그 주변의 구조를 도시하는 도면.
도 3은 본 개시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면.
도 4는 본 개시의 일 형태에 따른 기판 처리 공정을 예시하는 흐름도.
도 5는 본 개시의 일 형태에 따른 웨이퍼의 장전, 탈장(脫裝), 보트의 반입, 반출 동작을 도시하는 개략도.
이하, 도면에 기초하여 본 개시의 기판 처리 장치를 설명한다.
<1. 기판 처리 장치의 구성예>
본 개시의 기판 처리 장치(10)의 구성예에 대해서 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다.
(전체 구성)
도 1에 도시하는 바와 같이 기판 처리 장치(10)는 뱃치(batch)식 종형(縱型) 열처리 장치로서 구성된다. 기판 처리 장치(10)는 내부에 예컨대 처리로(202)가 설치되고, 내압 용기인 광체(筐體)(12)를 구비한다. 기판으로서의 웨이퍼(200)를 광체(12) 내외로 반송하는 데 기판 반송 용기로서의 포드(16)가 이용된다. 포드(16)는 실리콘(Si) 또는 탄화실리콘(SiC) 등에 의해 구성된 웨이퍼(200)를 예컨대 200매 수납 가능하도록 구성된다. 광체(12)에는 포드(16)를 광체(12) 내외로 반송하는 포드 반송구(미도시)가 광체(12)의 내외를 연통하도록 설치된다. 포드 반송구는 개폐 기구로서의 프론트 셔터(17)에 의해 개폐되도록 이루어진다.
광체(12)에는 포드 수도대(受渡臺)로서의 포드 스테이지(18)가 설치된다. 포드 스테이지(18) 상에 덮개를 닫혀진 상태에서 포드(16)가 재치되고, 포드 스테이지(18) 상에서 포드(16)의 위치 맞춤이 가능하도록 이루어진다. 포드(16)는 공정 내 반송 장치(미도시)에 의해 포드 스테이지(18) 상에 재치되고, 또한 포드 스테이지(18) 상으로부터 반출되도록 이루어진다.
광체(12) 내의 상부 공간에는 포드 재치 선반으로서의 회전식 포드 선반(22)이 설치된다. 회전식 포드 선반(22)은, 수직 방향으로 설치되고 수평면(水平面) 내에서 간헐 회전하는 지주(支柱)(미도시)과, 포드 재치대로서의 복수 매의 선반판(22a)을 구비한다. 복수 매의 선반판(22a)은 지주에서의 상하 3단의 각위치에서 수평 자세로 방사상으로 고정되도록 각각 구성된다. 또한 각 선반판(22a)은 포드(16)가 재치되도록 이루어진다.
광체(12) 내의 포드 스테이지(18)와 회전식 포드 선반(22) 사이에는 포드 반송 장치(20)가 설치된다. 포드 반송 장치(20)는 포드(16)를 보지한 상태에서 승강 이동하는 포드 승강 기구로서의 포드 엘리베이터(20a)와, 포드(16)를 보지한 상태에서 수평 이동하는 포드 반송 기구(20b)를 구비한다. 포드 반송 장치(20)는 포드 엘리베이터(20a)와 포드 반송 기구(20b)의 협조 동작에 의해 포드 스테이지(18)와 회전식 포드 선반(22)과 포드 오프너(24) 사이에서 포드(16)를 반송하도록 구성된다.
광체(12) 내의 하부 공간에는 장전실(141)이 설치된다(도 1 및 도 2 참조). 장전실(141)은 포드 반송 장치(20)나 회전식 포드 선반(22) 등이 설치된 광체(12) 내의 다른 공간으로부터 기밀하게 격리된다. 도 1에서는 편의상 장전실(141)의 1측벽을 파선(破線)으로 도시한다. 상기 측벽의 상방(上方)에는 웨이퍼(200)를 장전실(141) 내외로 반송하는 개구(開口)(15)와, 개구(15)를 개폐하는 게이트(15a)가 설치된다. 장전실(141)을 구성하는 서브 광체(13)에는 웨이퍼(200)를 후술하는 웨이퍼 장전 기구(28)에 반송하는 웨이퍼 반송구(14)가 상 하단에 설치된다(도 1 참조). 웨이퍼 반송구(14)는 상하단 각각에 포드 오프너(24)가 설치된다. 포드 오프너(24)는 포드(16)를 재치하는 재치대(25)와, 포드(16)의 개체(蓋體)인 캡을 탈착하는 캡 탈착 기구(26)를 구비한다. 포드 오프너(24)는 재치대(25)에 재치된 포드(16)의 캡을 캡 탈착 기구(26)로 탈착하는 것에 의해 포드(16)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 이루어진다. 포드 오프너(24)의 근방에는 웨이퍼 매수 검출기(27)가 설치된다. 웨이퍼 매수 검출기(27)는 덮개가 열린 포드(16) 내의 웨이퍼(200)의 매수를 검지한다.
계속해서 처리로(202)의 구성예에 대해서 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다.
(반응관)
도 2에 도시하는 바와 같이 처리로(202)는 반응실로서의 반응관(205)을 포함한다. 반응관(205)은 석영(SiO2) 또는 SiC 등의 내열성을 가지는 비금속 재료에 의해 구성되고, 상단이 폐색(閉塞)되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 반응관(205)의 내측의 통중공부(筒中空部)에는 웨이퍼(200)를 처리하는 처리실(201)이 형성된다. 반응관(205)의 내경은 웨이퍼(200)를 장전한 보트(217)의 최대 외경보다 크게 되도록 구성된다.
반응관(205)의 하방에는 반응관(205)과 동심원 형상으로 매니폴드(209)가 배설(配設)된다. 매니폴드(209)는 예컨대 스텐레스강(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성되고, 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 매니폴드(209)의 내경은 보트(217)의 최대 외경보다 크게 되도록 구성된다. 매니폴드(209)의 상단부는 반응관(205)의 하단부에 계합(係合)되고, 반응관(205)을 지지하도록 이루어진다. 매니폴드(209)와 반응관(205) 사이에는 씰 부재로서의 O링이 설치된다. 매니폴드(209)의 하방에는 후술의 보트(217)로의 웨이퍼(200)의 장전, 또는 보트(217)로부터의 웨이퍼(200)의 탈장을 수행하는 장전실(141)이 설치된다. 장전실(141)의 천판(天板)(142)과 매니폴드(209) 사이에는 씰 부재로서의 O링이 설치된다. 매니폴드(209)가 천판(142)에 지지되는 것에 의해 반응관(205)은 수직으로 설치된 상태가 된다. 또한 천판(142)에는 처리로(202)의 개구부가 되는 노구(爐口)(160)가 설치된다.
(보트)
처리실(201) 내는 기판 보지구로서의 보트(217)가 매니폴드(209)의 하단 개구의 하방측으로부터 반송되도록 구성된다. 보트(217)는 상하로 한 쌍인 천판(210) 및 저판(底板)(211)과, 천판(210) 및 저판(211) 사이에 가설(架設)되어 수직하게 배설된 복수 개의 보지 부재(212)를 구비한다(도 1 참조). 천판(210), 저판(211) 및 보지 부재(212)는 예컨대 SiO2이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 각 보지 부재(212)에는 복수 매의 웨이퍼(200)를 다단으로 지지 가능한 기판 지지부로서의 홈[溝](미도시)이 길이 방향에 등간격으로 배치되어 서로 대향하여 개구되도록 몰설(沒設)된다. 웨이퍼(200)의 외주 연변(緣邊)이 각 보지 부재(212)의 다수 개의 홈 사이에 각각 삽입되는 것에 의해 보트(217)는 복수 매의 웨이퍼(200)를 수평 자세로 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 수직 방향에 다단으로 정렬시켜서 보지한다. 본 명세서에서는 보트(217) 내에 설치된 웨이퍼(200)의 수용 예정 영역을 '슬롯'이라고도 부른다. 보트(217) 내에는 웨이퍼(200)를 수용하는 슬롯이 수직 방향에 다단으로 설치된다.
보트(217)의 하부에는 원판 형상을 한 단열 부재로서의 단열판(216)이 수평 자세로 다단으로 복수 매 배치된다. 단열판(216)은 예컨대 SiO2이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 단열판(216)은 후술하는 히터(206)로부터의 열을 매니폴드(209)측에 전달되기 어렵도록 이루어진다.
보트(217)의 하방에는 보트(217)를 회전시키는 보트 회전 기구(254)가 설치된다. 보트 회전 기구(254)를 구동(驅動)시키는 것에 의해 보트(217)를 처리실(201) 및 장전실(141) 내에서 회전시키는 것이 가능하도록 이루어진다. 보트 회전 기구(254)의 구성에 대해서는 후술한다.
(가스 공급계)
매니폴드(209)에는 처리실(201) 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 노즐(280)이 매니폴드(209)의 측벽을 관통하도록 접속된다. 가스 공급 노즐(280)은 예컨대 SiO2이나 SiC 등에 의해 구성된다. 가스 공급 노즐(280)은 수평부와 수직부를 포함하는 L자 형상으로 형성되고, 수평부가 매니폴드(209)의 측벽에 접속되고, 수직부가 반응관(205)의 내벽과 처리실(201) 내의 웨이퍼(200) 사이에서의 공간에 반응관(205)의 하부로부터 상부의 내벽을 따라 웨이퍼(200)의 적층 방향을 향하여 상승[立上]하도록 설치된다. 가스 공급 노즐(280)의 수직부의 측면에는 가스를 공급하는 복수의 공급공이 각각 웨이퍼(200)의 중심을 향하여 설치된다. 공급공의 개구 지름은 처리실(201) 내의 가스의 유량 분포나 속도 분포를 적정화하도록 적절히 조정할 수 있고, 하부로부터 상부에 걸쳐서 동일로 해도 좋고, 서서히 크게 해도 좋다.
가스 공급 노즐(280)의 상류단에는 가스 공급관(232)이 접속된다. 가스 공급관(232)은 상류측에서 4개로 분기된다. 4개로 분기된 가스 공급관(232)에는 상류측부터 순서대로 가스 공급원(191 내지 194), 가스 유량 제어 장치로서의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(181 내지 184) 및 개폐 밸브로서의 밸브(171 내지 174)가 각각 접속된다. 가스 공급원(191)으로는 예컨대 실란(SiH4) 가스, 디실란(Si2H6) 가스, 디클로로실란(SiH2Cl2) 가스 등의 Si 원소 함유 가스가 공급된다. 가스 공급원(192)으로는 예컨대 게르만(GeH4) 가스 등의 게르마늄(Ge) 원소 함유 가스가 공급된다. 가스 공급원(193)으로는 수소(H2) 가스가 공급된다. 가스 공급원(194)으로는 불활성 가스로서 예컨대 질소(N2) 가스가 공급된다. 밸브(171 내지 173)를 여는 것에 의해 처리 가스로서의 Si 원소 함유 가스 및 Ge 원소 함유 가스와 희석 가스로서의 H2과의 혼합 가스가 처리실(201) 내에 공급된다. 또한 밸브(171 내지 173)를 닫고 밸브(174)를 여는 것에 의해 가스 공급 노즐(280) 내가 퍼지 가스로서의 N2 가스에 의해 퍼지된다. 퍼지 가스의 유량은 MFC(184)에 의해 조정하는 것이 가능하다.
MFC(181 내지 184) 및 밸브(171 내지 174)에는 후술하는 컨트롤러(240)가 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(240)는 처리실(201) 내에 공급하는 가스의 유량이 소정의 타이밍에 소정의 유량이 되도록 MFC(181 내지 184)의 개도를 제어할 수 있다. 주로 가스 공급 노즐(280), 가스 공급관(232), 밸브(171 내지 174), MFC(181 내지 184), 가스 공급원(191 내지 194)에 의해 가스 공급계가 구성된다.
(히터)
반응관(205)의 외측에는 반응관(205)의 측벽면을 둘러싸는 동심원 형상으로, 반응관(205) 내를 가열하는 가열 기구로서의 히터(206)가 설치된다. 히터(206)는 원통 형상으로 형성된다. 히터(206)는 보지판으로서의 히터 베이스(미도시)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다. 히터(206)의 근방에는 처리실(201) 내의 온도를 검출하는 온도 검출기로서의 온도 센서(미도시)가 설치된다. 히터(206) 및 온도 센서에는 후술하는 컨트롤러(240)가 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(240)는 처리실(201) 내의 온도가 소정의 타이밍에 소정의 온도 분포가 되도록 온도 센서에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(206)로의 공급 전력을 소정의 타이밍으로 제어한다.
(배기계)
매니폴드(209)의 측벽에는 처리실(201) 내를 배기하는 배기관(231)이 설치된다. 배기관(231)의 하류측[매니폴드(209)와의 접속측과 반대측]에는 상류측부터 순서대로 처리실(201) 내의 압력을 검지하는 압력 검지 수단으로서의 압력 센서(미도시), 압력 조정 장치로서의 APC(Auto Pressure Controller)밸브(242), 진공 펌프(246)가 설치된다. APC 밸브(242)는 그 개도(開度)에 의해 처리실(201) 내의 압력을 조정한다. 또한 압력 센서는 배기관(231) 내에 한정되지 않고, 처리실(201) 내에 설치되어도 좋다.
압력 센서 및 APC 밸브(242)에는 후술하는 컨트롤러(240)가 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(240)는 압력 센서에 의해 검지한 압력 정보에 기초하여 처리실(201) 내의 압력이 소정의 타이밍에 소정의 압력(진공도)이 되도록 APC 밸브(242)의 개도를 제어한다. 주로 배기관(231), 압력 센서 APC 밸브(242) 및 진공 펌프(246)에 의해 배기계가 구성된다.
(웨이퍼 장전 기구)
도 1에 도시하는 바와 같이 장전실(141)의 외측에는 기판 장전 기구로서의 웨이퍼 장전 기구(28)가 설치된다. 웨이퍼 장전 기구(28)는 기판 보지체로서의 트위저(32) 상에 웨이퍼(200)를 재치하여 수평 방향으로 이동시키는 기판 장전 장치로서의 웨이퍼 장전 장치(28a)와, 웨이퍼 장전 장치(28a)를 승강 이동시키는 기판 장전 장치 승강 기구로서의 웨이퍼 장전 장치 엘리베이터(미도시)를 구비한다. 웨이퍼 장전 장치(28a)와 웨이퍼 장전 장치 엘리베이터와의 협조 동작에 의해 개구(15)를 개재하여 장전실(141)의 외측으로부터 장전실(141)의 내부에 웨이퍼(200)를 반입하여 보트(217) 내의 슬롯에 장전하는 것이 가능하도록 이루어진다. 또한 웨이퍼 장전 장치(28a)와 웨이퍼 장전 장치 엘리베이터의 협조 동작에 의해 보트(217) 내의 슬롯으로부터 웨이퍼(200)를 취출(取出)하고(탈장하고), 개구(15)를 개재하여 장전실(141)의 내부로부터 장전실(141)의 외측으로 반출하는 것이 가능하도록 이루어진다. 후술하는 웨이퍼 장전, 탈장의 순서에 따르면, 웨이퍼 장전 장치 엘리베이터를 생략할 수 있다. 또한 본 개시의 웨이퍼 장전 기구(28)는 장전실(141)의 외측 상방에 배치되지만, 도 1에서는 편의상 장전실(141)의 외측 하방에 도시한다.
(보트 엘리베이터)
도 2에 도시하는 바와 같이 장전실(141)을 구성하는 서브 광체(13)의 측벽의 외면에는 보트(217)를 승강 이동시키는 반송 기구로서의 보트 엘리베이터(115)가 설치된다. 보트 엘리베이터(115)는 하(下) 기판(245), 가이드 샤프트(264), 볼 나사(244), 상(上) 기판(247), 승강 모터(248), 승강 기판(252) 및 벨로즈(265)를 구비한다. 하 기판(245)은 장전실(141)을 구성하는 측벽의 외면에 수평 자세에서 고정된다. 하 기판(245)에는 승강대(249)와 감합(嵌合)하는 가이드 샤프트(264) 및 승강대(249)와 나합(螺合)하는 볼 나사(244)가 각각 연직 자세로 설치된다. 가이드 샤프트(264) 및 볼 나사(244)의 상단에는 상 기판(247)이 수평 자세로 고정된다. 볼 나사(244)는 상 기판(247)에 설치된 승강 모터(248)에 의해 회전시킬 수 있도록 구성된다. 가이드 샤프트(264)는 승강대(249)의 상하동을 허용하면서 수평 방향의 회전을 억제하도록 구성된다. 볼 나사(244)를 회전시키는 것에 의해 승강대(249)가 승강 가능하도록 이루어진다.
승강대(249)에는 중공의 승강 샤프트(250)가 수직 자세로 고정된다. 승강대(249)와 승강 샤프트(250)의 연결부는 기밀하게 구성된다. 승강 샤프트(250)는 승강대(249)와 함께 승강되도록 구성된다. 승강 샤프트(250)의 하방측 단부(端部)는 장전실(141)을 구성하는 천판(142)을 관통한다. 장전실(141)의 천판(142)에 설치되는 관통공의 내경은 승강 샤프트(250)와 천판(142)이 접촉하지 않도록 승강 샤프트(250)의 외경보다 크게 형성된다. 장전실(141)과 승강대(249) 사이에는 승강 샤프트(250)의 주위를 피복하도록 신축성을 가지는 중공 신축체로서의 벨로즈(265)가 설치된다. 승강대(249)와 벨로즈(265)의 연결부 및 천판(142)과 벨로즈(265)의 연결부는 각각 기밀하게 구성되고, 장전실(141) 내의 기밀이 보지되도록 이루어진다. 벨로즈(265)는 승강대(249)의 승강량에 대응할 수 있는 충분한 신축량을 가진다. 벨로즈(265)의 내경은 승강 샤프트(250)와 벨로즈(265)가 접촉하지 않도록 승강 샤프트(250)의 외경보다 충분히 크게 형성된다.
장전실(141) 내에 돌출된 승강 샤프트(250)의 하단에는 승강 기판(252)이 수평 자세로 고정된다. 승강 샤프트(250)와 승강 기판(252)의 연결부는 기밀하게 구성된다. 승강 기판(252)의 상면에는 O링 등의 씰 부재를 개재하여 씰 캡(219)이 기밀하게 설치된다. 씰 캡(219)은 예컨대 스텐레스 등의 금속에 의해 구성되고, 원반 형상으로 형성되고, 보트(217)를 하방으로부터 수직하게 지지하는 것과 함께, 보트 엘리베이터(115)가 상승했을 때 처리로(202)의 하단부에 설치된 노구(160)를 폐색하도록 형성된다. 승강 모터(248)를 구동해서 볼 나사(244)를 회전시키고, 승강대(249), 승강 샤프트(250), 승강 기판(252) 및 씰 캡(219)을 상승시키는 것에 의해 처리실(201) 내에 보트(217)가 반입되는 것과 함께 처리로(202)의 개구부인 노구(160)가 씰 캡(219)에 의해 폐색 가능하도록 이루어진다. 승강 모터(248)를 구동해서 볼 나사(244)를 회전시키고, 승강대(249), 승강 샤프트(250), 승강 기판(252) 및 씰 캡(219)을 하강시키는 것에 의해 처리실(201) 내로부터 보트(217)가 반출된다. 승강 모터(248)에는 후술하는 컨트롤러(240)가 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(240)는 보트 엘리베이터(115)가 소정의 동작을 소정의 타이밍으로 제어한다.
승강 기판(252)의 하면에는 O링 등의 씰 부재를 개재하여 구동부 커버(253)가 기밀하게 설치된다. 승강 기판(252)과 구동부 커버(253)와에 의해 구동부 수납 케이스(256)가 구성된다. 구동부 수납 케이스(256)의 내부는 장전실(141) 내의 분위기와 격리된다. 구동부 수납 케이스(256)의 내부에는 보트 회전 기구(254)가 설치된다. 보트 회전 기구(254)에는 전력 공급 케이블(258)이 접속된다. 전력 공급 케이블(258)은 승강 샤프트(250)의 상단으로부터 승강 샤프트(250) 내를 통해서 보트 회전 기구(254)까지 이끌어지고, 보트 회전 기구(254)에 전력을 공급하도록 구성된다. 보트 회전 기구(254)가 구비하는 회전축(255)의 상단부는 씰 캡(219)을 관통하여 전술한 보트(217)를 하방으로부터 지지한다. 보트 회전 기구(254)를 작동시키는 것에 의해 보트(217)에 보지된 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내 및 장전실(141) 내에서 회전시키는 것이 가능하도록 이루어진다. 보트 회전 기구(254)에는 후술하는 컨트롤러(240)가 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(240)는 보트 회전 기구(254)가 소정의 동작을 소정의 타이밍으로 제어한다.
구동부 수납 케이스(256)의 내부이며 보트 회전 기구(254)의 주위에는 냉각 기구(257)가 설치된다. 냉각 기구(257) 및 씰 캡(219)에는 냉각 유로(259)가 형성된다. 냉각 유로(259)에는 냉각수를 공급하는 냉각수 배관(260)이 접속된다. 냉각수 배관(260)은 승강 샤프트(250)의 상단으로부터 승강 샤프트(250) 내를 통해서 냉각 유로(259)까지 이끌어지고, 냉각 유로(259)에 각각 냉각수를 공급하도록 구성된다.
(컨트롤러)
도 3에 도시하는 바와 같이 제어부로서의 컨트롤러(240)는 CPU(Central Processing Unit)(300), RAM(Random Access Memory)(302), 기억 장치(304), I/O 포트(306)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(302), 기억 장치(304), I/O 포트(306)는 내부 버스(308)를 개재하여 CPU(300)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(240)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(310)가 접속된다.
기억 장치(304)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(304) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리에서의 각 순서를 컨트롤러(240)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 제어 프로그램, 프로세스 레시피 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 프로세스 레시피를 단순히 레시피라고도 부른다. 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. RAM(302)은 CPU(300)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(306)는 전술한 MFC(181 내지 184), 밸브(171 내지 174), APC 밸브(242), 진공 펌프(246), 히터(206), 회전 기구(254), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속된다.
CPU(300)는 기억 장치(304)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(310)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(304)로부터 레시피를 판독하도록 구성된다. CPU(300)는 판독한 레시피의 내용을 따르도록 MFC(181 내지 184)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(171 내지 174)의 개폐 동작, APC 밸브(242)의 개폐 동작 및 압력 센서에 기초하는 APC 밸브(242)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서에 기초하는 히터(206)의 온도 조정 동작, 회전 기구(254)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성된다.
컨트롤러(240)는 외부 기억 장치(312)에 격납된 전술한 프로그램을 컴퓨터에 인스톨하는 것에 의해 구성할 수 있다. 외부 기억 장치(312)는 예컨대 HDD 등의 자기 디스크, CD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리 등을 포함한다. 기억 장치(304)나 외부 기억 장치(312)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(304) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(312) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 컴퓨터로의 프로그램의 제공은 외부 기억 장치(312)를 이용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 수행해도 좋다.
<2. 기판 처리 장치의 동작예>
본 개시의 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼(200)의 탈장이나 장전, 보트(217)의 반입이나 반출, 성막 처리를 포함하는 일련의 처리(이하, 뱃치 처리라고도 부른다)를 반복 수행한다. 성막 처리는 후술하는 바와 같이 웨이퍼(200)를 가열한 상태에서 수행하기 때문에, 성막 처리를 실시하면 웨이퍼(200)뿐만 아니라 처리실(201) 내의 각종 부재, 즉 보트(217)나 반응관(205) 등도 가열된 상태가 된다. 이하, 소정의 뱃치 처리(n회째)에서의 성막 처리가 완료되고, 가열된 웨이퍼(200)나 보트(217)를 가열된 처리실(201) 내에서 반출하고, 다음 뱃치 처리(n+1회째)를 실시하는 일련의 동작 플로우에 대해서 도 4를 이용하여 구체적으로 설명한다.
(보트 이동 공정)
n회째의 성막 처리 공정(스텝 10, 이하, 스텝을 'S'로 생략한다)이 완료되면, 보트 이동 공정(S20)을 수행한다. 보트 이동 공정(S20)에서는 보트(217)의 전체를 처리실(201) 내로부터 장전실(141) 내에 이동시키는 것이 아니라 일부만을 이동시킨다. 구체적으로는 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)를 1슬롯 분량만 처리실(201) 내로부터 장전실(141) 내에 이동(하강)시키도록 보트 엘리베이터(115)를 동작시킨다[도 5의 (b) 참조]. 1슬롯 분량의 이동이 완료되면 보트(217)의 이동을 정지시킨다.
또한 후술하는 웨이퍼(200)의 탈장 및 장전을 안전하게 수행하기 위해서 적어도 보트(217)의 이동을 정지시킨 후는 보트(217)의 회전을 정지시켜두는 것이 바람직하다.
(웨이퍼 탈장·장전 공정)
보트 이동 공정(S20)이 완료되면, 웨이퍼 탈장·장전 공정(S30)을 수행한다. 웨이퍼 탈장·장전 공정(S30)에서는 게이트(15a)를 하강시켜서 개구(15)를 개방하고, 웨이퍼 장전 기구(28)를 작동시켜 반응관(205) 외로 이동시킨 보트(217)의 슬롯 내로부터 처리 완료된 웨이퍼(200)(1매)를 탈장하고, 개구(15)를 개재하여 장전실(141)의 내부로부터 장전실(141)의 외측으로 상기 웨이퍼(200)를 반출하고, 포드 오프너(24)에 세트된 포드(16) 내에 수용한다. 또한 웨이퍼 장전 기구(28)를 작동시켜 새로운 웨이퍼(200)가 수용된 포드(16) 내로부터 새로운 웨이퍼(200)(1매)를 취출하고, 개구(15)를 개재하여 장전실(141)의 외측으로부터 장전실(141)의 내부로 상기 웨이퍼(200)를 반입하고, 처리 완료된 웨이퍼(200)를 탈장해서 비어진 슬롯 내에 새로운 웨이퍼(200)를 장전한다. 보트(217)가 정지된 상태로 되어 있으므로 웨이퍼(200)의 탈장 및 장전을 안전하게 또한 확실하게 수행할 수 있다.
(보트 이동과 웨이퍼 탈장·장전의 반복)
복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 반응관(205) 외로 위치시키도록 보트(217)를 이동시키는 스텝과, 상기 일부의 슬롯에 웨이퍼(200)를 장전하는 스텝을 포함하는 세트를, 대상의 웨이퍼 모두가 탈장 및 장전될 때까지 반복 수행한다[도 5의 (b), 도 5의 (c) 참조]. 이하, 본 명세서에서 보트(217)의 이동과 웨이퍼(200)의 탈장 및 장전을 세트로서 반복 수행하는 공정을 '반복 공정'이라고 생략해서 부르는 경우가 있다. 또한 대상의 웨이퍼가 모두 탈장 및 장전된다란 예컨대 최하단으로부터 최상단까지의 모든 슬롯에 수용된 처리 완료된 웨이퍼(200)가 탈장되어 비어진 슬롯에 모두 새로운 웨이퍼(200)가 장전되는 것을 말한다.
전술한 바와 같이 성막 처리를 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200)뿐만 아니라 보트(217)나 반응관(205) 등도 가열된 상태가 된다. 1회의 반복 공정(S20, S30)에서는 보트(217)의 전체를 장전실(141) 내에 반출시키는 것이 아니라 1슬롯 분량만 이동시키므로, 가열된 상태의 보트(217)의 일부가 반응관(205)의 내부에 삽입된 상태가 되어 보트(217)의 강온을 억제할 수 있다.
또한 보트(217)의 일부가 반응관(205)의 내부에 삽입된 상태가 되는 것에 의해 노구(160)가 보트(217)에 의해 폐색되고, 노구(160)를 개재한 반응관(205) 내의 복사(輻射)에 의한 강온을 억제할 수 있다.
이로부터 기판 처리의 생산성을 높일 수 있는 것과 함께, 히터(206)로의 공급 전력을 저감시켜도 반응관(205) 내의 온도를 일정하게 유지하는 것이 용이해진다.
보트(217)의 상단의 천판(210)을 반응관(205)의 하단에 형성된 노구(160)와 대응된 형상으로 하고, 노구(160)의 전체를 개방시키지 않도록 한다[도 5의(c) 참조]. 이렇게 하면 보트 이동 공정(S20)에서 보트(217)를 최대한 이동(하강)시킨 경우에도 보트(217)의 상단의 천판이 노구(160)를 폐색하므로 처리실(201) 내의 강온을 보다 억제할 수 있다.
(보트 반입 공정)
대상의 웨이퍼를 모두 탈장 및 장전하면, 보트 반입 공정(S40)을 수행한다. 보트 반입 공정(S40)에서는 복수의 슬롯에 장전된 웨이퍼(200)를 반응관(205)[처리실(201)] 내에 수용시키도록 보트(217)를 도중에 정지시키지 않고 연속적으로 상승시킨다. 게이트(15a)를 상승시켜서 개구(15)를 폐색한다[도 5의 (d) 참조].
또한 보트 반입 공정(S40)에서는 보트(217)를 회전시키면서 상승시킨다. 장전실(141)로부터 처리실(201) 내에 반입된 웨이퍼(200)는 처리실(201) 내의 여열에 의해 가열되지만, 이와 같이 하면 처리실(201) 내에 반입된 웨이퍼(200)를 주(周) 방향에 걸쳐서 균일하게 가열시키는 것이 가능해진다.
보트 이동 공정(S20), 웨이퍼 탈장·장전 공정(S30), 보트 반입 공정(S40)은 파티클이 외부로부터 유입되지 않는 수단을 확보한 뒤에 처리실(201) 내와 장전실(141) 내를 진공 상태(감압 상태)로 해서 수행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 것에 의해 보트(217), 처리실(201) 내 등의 강온을 한층 더 억제할 수 있다.
(성막 처리 공정)
보트 반입 공정(S40)이 완료되면, n+1회째의 성막 처리 공정(S10)을 수행한다. 이 공정에서는 처리실(201) 내를 소정의 압력, 온도로 해서 반응관(205) 내에 삽입된 보트(217)를 가열한다. 처리 가스와 희석 가스의 혼합 가스를 처리실(201) 내에 공급하고, 웨이퍼(200) 표면상에 소정의 막을 퇴적시킨다[도 5의 (a) 참조].
그 후, 전술한 보트 이동 공정(S20), 웨이퍼 탈장·장전 공정(S30), 보트 반입 공정(S40), 성막 처리 공정(S10)을 포함하는 일련의 뱃치 처리가 반복 수행한다.
<3. 본 개시의 효과>
본 개시의 효과를 종래예와 비교하면서 설명한다.
종래, 웨이퍼 탈장·장전 공정은 보트(217)의 전체를 처리실(201) 내로부터 장전실(141) 내에 완전히 반출시킨 후, 완전히 반출시킨 상태에서 수행되고 있으므로 상기 공정이 종료될 때에는 처리실(201) 내나 보트(217)의 온도는 현저하게 저하되고 있을 우려가 있다. 그 결과, 다음 뱃치 처리를 수행할 수 있는 처리실(201) 내나 보트(217)를 최적의 처리 온도로 회복시키는 데 시간을 소요하고, 기판 처리의 생산성의 저하가 발생한다.
(a) 이에 대하여, 본 개시의 기판 처리 장치(10)에 따르면, 보트(217)가 다단으로 포함하는 슬롯 중 일부의 슬롯을 반응관(205) 외로 위치시키도록 보트(217)를 이동시키는 스텝과, 상기 일부의 슬롯에 웨이퍼(200)를 장전하는 스텝을 포함하는 세트를 반복 수행하고, 대상의 웨이퍼가 모두 탈장 및 장전되면, 복수의 슬롯에 장전된 웨이퍼(200)를 반응관(205) 내에 수용시키도록 보트(217)를 도중에 정지시키지 않고 연속적으로 상승시킨다.
이와 같이 1회의 반복 공정(S20, S30)에서는 보트(217)의 전체를 장전실(141) 내에 반출시키지 않고, 1슬롯 분량만을 이동시키므로, 가열된 상태의 보트(217)의 일부가 반응관(205)의 내부에 삽입된 상태가 되어 보트(217)의 강온을 억제할 수 있다.
또한 보트(217)의 일부가 반응관(205)의 내부에 삽입된 상태가 되는 것에 의해 노구(160)가 보트(217)로 폐색되어 노구(160)를 개재한 반응관(205) 내의 복사에 의한 강온을 억제할 수 있다.
이로부터 기판 처리의 생산성을 높일 수 있는 것과 함께 히터(206)로의 공급 전력을 저감시켜도 반응관(205) 내의 온도를 일정하게 유지하는 것이 용이해진다.
(b) 보트 반입 공정(S40)에서는 보트(217)를 도중에 정지시키지 않고 연속적으로 상승시키는 것에 대해, 반복 공정(S20, S30)에서는 보트(217)를 1슬롯씩 하강시켜 그때마다 보트(217)를 정지시키므로, 보트 반입 공정에서의 보트(217)의 속도는 반복 공정에서의 보트(217)의 속도보다 크다. 이에 의해 웨이퍼(200)의 탈장 및 장전을 안전하게 수행할 수 있는 것과 함께 처리실(201) 내나 보트(217)의 강온을 억제할 수 있고, 결과로서 기판 처리의 생산성을 높일 수 있다.
(c) 본 개시의 기판 처리 장치(10)에 따르면, 보트 이동 공정(S20)에서는 보트(217)를 1슬롯씩 하강시키고, 또한 개구(15)를 장전실(141)의 측벽의 상방에 설치하고, 또한 웨이퍼 장전 기구(28)를 장전실(141)의 외측 상방에 배치하므로, 웨이퍼(200)의 탈장 및 장전이 장전실(141) 내의 상방 높은 위치[도 5의 (b), 도 5의 (c)에 도시하는 A의 위치 참조]에서 수행되고, 웨이퍼 장전 기구(28)를 상승 및 하강시키는 웨이퍼 장전 장치 엘리베이터를 생략할 수 있다. 이에 의해 보트(217)의 강온을 보다 억제할 수 있는 것과 함께, 기판 처리 장치(10)의 구성을 보다 간소하게 할 수 있다.
(d) 본 개시는 탈장 및 장전되는 웨이퍼(200)의 매수가 많은 경우에 특히 유익하다. 예컨대 탈장 및 장전에 1매당 5초 필요하다고 가정하면, 종래 기술에서는 200매의 웨이퍼를 모두 탈장 및 장전하는 데 1,000초(약 17분)간 보트(217)가 반응관(205) 외로 이동한 상태가 되고, 그동안의 강온은 현저한 것이 되기 때문이다.
<4. 변형예>
이상, 본 개시의 형태를 구체적으로 설명했다. 하지만 본 개시의 형태는 전술한 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경이 가능하다.
전술한 개시에서는 성막 처리 공정(S10)에서 웨이퍼(200)를 장전한 보트(217)를 장전실(141) 내로부터 처리실(201) 내에 반입한 후에 혼합 가스를 처리실(201) 내에 공급하는 것을 예시했지만 이에 한정되지 않고, 보트(217)를 처리실(201) 내에 반입하는 도중에 처리실(201) 내로의 혼합 가스의 공급을 시작해도 좋다. 이와 같이 하는 것에 의해 보다 신속히 성막 처리를 종료할 수 있다.
전술한 개시에서는 종형 열처리 장치에서의 보트(217)의 상하 이동을 예시했지만 이에 한정되지 않고, 반응관(205) 외로 1슬롯씩 보트(217)를 이동할 수 있는 것이라면, 횡형(橫型) 열처리 장치에서 보트(217)를 수평 이동시켜도 좋다. 이 경우에서도 전술한 개시와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
전술한 개시에서는 보트 이동 공정(S20)에서 1슬롯 분량만 보트(217)를 이동시키는 것을 예시했지만 이에 한정되지 않고, 2슬롯 분량, 3슬롯 분량 보트(217)를 이동시켜도 좋다. 이 경우에서도 전술한 개시와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 단, 1슬롯 분량만으로 하는 것이 강온 억제 효과를 최대로 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다.
전술한 개시에서는 보트 반입 공정(S40)에서 보트(217)를 회전시키면서 상승시키는 것을 예시했지만 이에 한정되지 않고, 보트(217)를 회전시키지 않아도 좋다. 단, 회전시키는 것이 웨이퍼(200)를 균일하게 가열할 수 있다는 점에서 바람직하다.
전술한 개시에서는 최하단으로부터 최상단까지의 모든 슬롯에 웨이퍼(200)가 수용되고 있는 것을 예시했다. 하지만 이에 한정되지 않고, 예컨대 최하단으로부터 중단까지의 슬롯에밖에 웨이퍼(200)가 보지되지 않은 경우이어도 좋다. 이 경우에는 최하단으로부터 중단까지의 모든 슬롯에 수용된 처리 완료된 웨이퍼(200)가 탈장되어 비어진 슬롯에 모두 새로운 웨이퍼(200)가 장전될 때까지 반복 공정(S20, S30)을 수행한다.
전술한 개시에서는 스텝에 포함되는 가열 처리로서 성막 처리를 예시했지만 이에 한정되지 않고, 가열을 수반하는 것이라면 어닐링, 에칭, 확산 처리 등 다른 처리이어도 좋다. 이 경우에서도 전술한 개시와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
<5. 본 개시의 바람직한 형태>
이하, 본 개시의 바람직한 형태에 대해서 부기(付記)한다.
(부기1)
본 개시의 일 형태에 따르면, (a) 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구를 반응실 내에서 가열하는 공정; (b) 상기 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 상기 반응실 외로 위치시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 스텝과, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 스텝을 포함하는 세트를 반복 수행하는 공정; 및 (c) 상기 복수의 슬롯에 장전된 기판을 상기 반응실 내에 수용시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 2)
바람직하게는, (b)에서는 1세트마다 이동시키는 상기 기판 보지구의 이동 거리를 1슬롯 분량으로 하는 부기 1에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 3)
바람직하게는, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 스텝에서는 상기 슬롯 내에 장전된 기판을 상기 기판과는 다른 기판과 교체하는 부기 1 또는 부기 2에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 4)
바람직하게는, 이동시킨 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 스텝에서는 상기 기판 보지구의 이동을 정지시키는 부기 1 내지 부기 3 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 5)
바람직하게는, (b)에서는 상기 기판 보지구의 상단에 설치되고 상기 반응실의 노구와 대응된 형상을 가진 천판에 의해 상기 노구의 전체를 개방시키지 않도록 하는 부기 1 내지 부기 4 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 6)
바람직하게는, (b)에서는 상기 기판 보지구를 최대한 이동시킨 경우에도 상기 노구와 대응된 형상을 가진 천판에 의해 상기 노구의 전체를 개방시키지 않도록 하는 부기 5에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 7)
바람직하게는, (c)에서는 상기 기판 보지구를 회전시키면서 이동시키는 부기 1 내지 부기 6 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 8)
바람직하게는, (a), (b), (c) 중 어느 공정에서도 상기 반응실 내의 온도를 소정의 기판 처리 온도로 유지하는 부기 1 내지 부기 7 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 9)
바람직하게는,
(c)에서의 상기 기판 보지구의 속도를 (b)에서의 상기 기판 보지구의 속도보다 크게 하는 부기 1 내지 부기 8 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기 10)
본 개시의 다른 일 형태에 따르면, 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구; 상기 기판 보지구를 수용하는 반응실; 상기 반응실 내를 가열하는 가열 기구; 상기 기판 보지구를 상기 반응실의 내외로 반송하는 반송 기구; 상기 슬롯 내에 기판을 장전하는 기판 장전 기구; 및 상기 가열 기구, 상기 반송 기구 및 상기 기판 장전 기구에 접속된 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, (a) 상기 기판 보지구를 상기 반응실 내에서 가열하는 처리와, (b) 상기 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 상기 반응실 외로 위치시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 처리와, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 처리를 포함하는 세트를 반복하는 처리와, (c) 상기 복수의 슬롯에 장전된 기판을 상기 반응실 내에 수용시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 처리를 수행하도록 상기 가열 기구, 상기 반송 기구 및 상기 기판 장전 기구를 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기 11)
본 개시의 또 다른 일 형태에 따르면, (a) 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구를 기판 처리 장치의 반응실 내에서 가열하는 순서; (b) 상기 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 상기 반응실 외로 위치시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 순서와, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 순서를 포함하는 세트를 반복하는 순서; 및 (c) 상기 복수의 슬롯에 장전된 기판을 상기 반응실 내에 수용시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 순서를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
10: 기판 처리 장치 202: 처리로
217: 보트 28: 웨이퍼 장전 기구
115: 보트 엘리베이터 240: 컨트롤러
205: 반응관 206: 히터
201: 처리실 200: 웨이퍼
141: 장전실 209: 매니폴드
280: 가스 공급 노즐

Claims (12)

  1. (a) 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구(保持具)를 반응실 내에서 가열하는 공정;
    (b) 상기 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 상기 반응실 외로 위치시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 스텝과, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전(裝塡)하는 스텝을 포함하는 세트를 반복 수행하는 공정; 및
    (c) 상기 복수의 슬롯에 장전된 기판을 상기 반응실 내에 수용시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    (b)에서는 1세트마다 이동시키는 상기 기판 보지구의 이동 거리를 1슬롯 분량으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 스텝에서는 상기 슬롯 내에 장전된 기판을 상기 기판과는 다른 기판과 교체하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    이동시킨 상기 일부의 슬롯으로 기판을 장전하는 스텝에서는 상기 기판 보지구의 이동을 정지시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    (b)에서는 상기 기판 보지구의 상단에 설치되고 상기 반응실의 노구(爐口)와 대응된 형상을 가지는 천판(天板)에 의해 상기 노구의 전체를 개방시키지 않도록 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    (b)에서는 상기 기판 보지구를 최대한 이동시킨 경우에도 상기 노구와 대응된 형상을 가지는 천판에 의해 상기 노구의 전체를 개방시키지 않도록 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (c)에서는 상기 기판 보지구를 회전시키면서 이동시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a), (b), (c) 중 어느 공정에서도 상기 반응실 내의 온도를 소정의 기판 처리 온도로 유지하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a), (b), (c) 중 어느 공정에서도 상기 반응실 내의 압력과 상기 반응실 외의 압력을 감압 상태로 유지하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    (c)에서의 상기 기판 보지구의 속도를 (b)에서의 상기 기판 보지구의 속도보다 크게 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구;
    상기 기판 보지구를 수용하는 반응실;
    상기 반응관 내를 가열하는 가열 기구;
    상기 기판 보지구를 상기 반응실의 내외로 반송하는 반송 기구;
    상기 슬롯 내로 기판을 장전하는 기판 장전 기구; 및
    상기 가열 기구, 상기 반송 기구 및 상기 기판 장전 기구에 접속된 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는,
    (a) 상기 기판 보지구를 상기 반응실 내에서 가열하는 처리와,
    (b) 상기 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 상기 반응실 외로 위치시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 처리와, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 처리를 포함하는 세트를 반복하는 처리와,
    (c) 상기 복수의 슬롯에 장전된 기판을 상기 반응실 내에 수용시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 처리
    를 수행하도록 상기 가열 기구, 상기 반송 기구 및 상기 기판 장전 기구를 제어하는 기판 처리 장치.
  12. (a) 기판을 수용하는 슬롯을 다단으로 포함하는 기판 보지구를 기판 처리 장치의 반응실 내에서 가열하는 순서;
    (b) 상기 복수의 슬롯 중 일부의 슬롯을 상기 반응실 외로 위치시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 순서와, 상기 일부의 슬롯에 기판을 장전하는 순서를 포함하는 세트를 반복하는 순서; 및
    (c) 상기 복수의 슬롯에 장전된 기판을 상기 반응실 내에 수용시키도록 상기 기판 보지구를 이동시키는 순서
    를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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