JP6175432B2 - 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体 - Google Patents

基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP6175432B2
JP6175432B2 JP2014518416A JP2014518416A JP6175432B2 JP 6175432 B2 JP6175432 B2 JP 6175432B2 JP 2014518416 A JP2014518416 A JP 2014518416A JP 2014518416 A JP2014518416 A JP 2014518416A JP 6175432 B2 JP6175432 B2 JP 6175432B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
temperature measuring
processing
processing chamber
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014518416A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013180010A1 (ja
Inventor
渡辺　明人
明人 渡辺
直也 宮下
直也 宮下
克美 高島
克美 高島
本田　繁
繁 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2014518416A priority Critical patent/JP6175432B2/ja
Publication of JPWO2013180010A1 publication Critical patent/JPWO2013180010A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6175432B2 publication Critical patent/JP6175432B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G01K1/146—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations arrangements for moving thermometers to or from a measuring position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

本発明は、基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体に関する。例えば、半導体ウエハ（半導体集積回路装置が作り込まれるウエハ）およびガラス基板（液晶ディスプレイ装置が作り込まれる基板）等の基板を処理するのに利用して有効なものに関する。
従来のこの種の基板処理装置においては、処理炉内各領域の温度を測定することが実施されている。 このような基板処理装置においては、例えば、反応炉内の構成部品を交換した場合には、処理炉内の均熱領域が変わるため、処理炉内の温度を計測して補正する方法が実施されている。また例えば、基板処理装置を初めて起動する際にも処理炉内の温度を計測して補正する方法が実施される。この処理炉内温度補正方法を実施する際には、従来、次のような作業が実施されていた。 先ず、作業者が、温度計測用昇降治具（オートプロファイラ）を個別に準備し、その治具の上下(昇降)移動部へ温度測定器を取り付け、データロガー（電子計測器）、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）を接続し、昇温時の処理炉内ヒータ均熱領域の温度データを取得する。取得したデータから、作業者が温度補正値を算出する。ところが、作業者がオートプロファイラを毎回準備しなければならないため、コスト高と作業性の低下を招来する。また、同一の装置であっても、各作業者の技量によって温度補正値の算出結果が異なることがあり、製品の性能や品質がバラバラとなる。ここで、オートプロファイラを使用しないで、処理炉内のヒータ均熱領域の温度データを取得する工夫が考えられている。例えば特許文献１参照。
特開平９−５１７２号公報
しかしながら、特許文献１には、オートプロファイラ等の冶具の代替として移載装置を利用してヒータの均熱長を測定することが開示されているが、実際に、移載装置に測温素子(熱電対)をどのようにして取付け、測定開始位置に測温素子(熱電対)をどのようにセッティングしているかは開示されていない。これでは、各作業者によって測定開始位置へのセッティングにバラツキが生じてしまい、作業者の技量によって作業性が低下してしまう。その結果、各作業者によってヒータの均熱長の測定ポイントにバラツキが生じ、結果として、温度制御性能の信頼性や基板品質の低下が懸念される。
本発明の目的は、処理炉内の温度均熱領域の測定の作業性を向上し、作業者の技量に関係なく、ヒータの均熱長の信頼性を向上することができる基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体を提供することにある。
本発明の一態様によれば、保持具に保持した状態で装入された基板を処理する処理室と、前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、少なくとも前記保持具に前記基板を搬送する搬送装置と、前記処理室内の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室内の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、被処理体を処理する処理室内の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器を前記搬送装置に取り付けるための冶具と、前記搬送装置に前記冶具を介して前記温度計測器を取り付けた状態で、前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する温度計測システムが提供される。
本発明の更に他の態様によれば、被処理体を処理する処理室内の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器及び前記搬送装置にそれぞれ接続されるコントローラと、を有する処理装置の温度計測方法であって、前記コントローラは、前記処理室内の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室内の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理装置の温度計測方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、被処理体を処理する処理室内の温度を計測する温度計測器を取り付けた状態で昇降可能な搬送装置であって、前記温度計測器を取り付けるための固定冶具と、前記固定冶具と着脱可能な温度計測器支持機構の取付けまたは取外しを認識するセンサを備えた搬送装置が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、処理室内の温度が搬送装置に取り付けられた温度計測器によって計測される処理を少なくとも有するプログラムをコントローラで読み取り可能な記録媒体であって、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させる処理と、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理を有するプログラムをコントローラで読み取り可能な記録媒体が提供される。
前記した手段によれば、処理炉内温度測定の作業性の向上及び基板処理装置のヒータ均熱領域の測定結果の信頼性の向上を図ることができるとともに、基板処理装置の性能及び品質水準を一定にすることができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す概略の平面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す概略の側面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉を示す縦断面図である。 本発明の第一の実施形態における温度計測器支持機構の格納状態を示しており、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。 本発明の第一の実施形態における温度計測器支持機構の突出状態を示しており、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。 温度計測器取付口を示しており、（ａ）は閉鎖時の一部切断側面図、（ｂ）は取付時の側面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御装置の要部を示すブロック図である。 本発明の第一の実施形態における処理炉内温度補正方法を示すフローチャートである。 本発明の第二の実施形態における温度計測器支持機構をウェハ移載機構に取り付けるための冶具ベースユニットを説明するための図である。 本発明の第二の実施形態における温度計測器支持機構の構成を示す図である。 本発明の第二の実施形態における処理炉内の温度均熱長領域を測定する構成を示す図である。 本発明の第二の実施形態における処理炉内温度補正方法を示すフローチャートである。 本発明の第三の実施形態における処理炉内の断熱板領域を含む温度均熱長領域を測定する構成を示す図である。 本発明の第二の実施形態に係る処理炉内温度測定の変形例を示すフローチャートである。 本発明の第二の実施形態に係る処理炉内温度の測定結果を示すグラフ例である。 本発明の第二の実施形態に係る処理炉内温度の測定結果を示すグラフ例である。
本発明に係る基板処理装置は、被処理体として半導体ウエハを扱うものとして構成されており、半導体ウエハに酸化膜形成や拡散および成膜のような処理を施すものとして構成されている。 本発明において、被処理体である基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという）２００はシリコン等の半導体から作製されており、ウエハ２００を収納して搬送するキャリア（収容器）としては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod)１１０が使用されている。
図１および図２に示されているように、本発明に係る基板処理装置（以下、処理装置という）１００は筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。 筐体１１１の正面壁１１１ａには、ＦＯＵＰ（以下、ポッドという）１１０を搬入搬出するためのポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。 ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転可能なポッド保管用の収容棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、基板収容器載置棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、基板収容器載置棚１０５は垂直に立設され、支柱１１６と、支柱１１６にｎ（ｎは１以上）段の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。 筐体１１１内におけるロードポート１１４と基板収容器載置棚１０５との間には、第一搬送装置としてのポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８はポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、基板収容器載置棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
処理装置１００は酸化膜形成等の処理を施す半導体製造装置を備えている。半導体製造装置の筐体を構成するサブ筐体１１９は、筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部に後端にわたって構築されている。 サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。 ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や基板収容器載置棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域には第二搬送装置としてのウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５はウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａとウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。ウエハ移載装置１２５ａはツイーザ（基板保持体）１２５ｃによってウエハ２００を保持して、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動させる。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂはウエハ移載装置１２５ａを昇降させる。ウエハ移載機構１２５はウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）する。
図１に示されているように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、クリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４は供給フアンおよび防塵フィルタで構成されており、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給する。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出される。
図１に示されているように、移載室１２４には第三搬送装置としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１５１が設置されている。ボートエレベータ１５１はボート２１７を昇降させるように構成されている。ボートエレベータ１５１に連結された連結具としてのアーム１５２には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
次に、ウエハ２００に所定の処理を施す工程である基板処理工程としての処理装置１００の動作について説明する。 図１および図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。 搬入されたポッド１１０は基板収容器載置棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。 例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハ２００を整合した後、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には基板収容器載置棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７装填されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１５１の昇降台によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に処理が実施される。 処理後は、ボートエレベータ１５１によりボート２１７が引き出される。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概ね、前述と逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
図３は本発明に係る半導体製造装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
図３に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０６の内側には均熱管（外管）２０５がヒータ２０６と同心円に配設されている。均熱管２０５は炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。均熱管２０５の内側には反応管（内管）２０４が均熱管２０５と同心円に配設されている。反応管２０４は石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０４の筒中空部は処理室２０１を形成しており、処理室２０１はウエハ２００をボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
反応管２０４の下端部にはガス導入部２３０が設けられており、ガス導入部２３０から反応管２０４の天井部２３３に至るまで反応管２０４の外壁に添ってガス導入管としての細管２３４が配設されている。ガス導入部２３０から導入されたガスは、細管２３４内を流通して天井部２３３に至り、天井部２３３に設けられた複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内に導入される。また、反応管２０４の下端部のガス導入部２３０と異なる位置には、反応管２０４内の雰囲気を排気口２３１ａから排気するガス排気部２３１が設けられている。
ガス導入部２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のガス導入部２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 なお、処理室２０１内に水蒸気を供給する必要がある場合は、ガス供給管２３２のＭＦＣ２４１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
ガス排気部２３１にはガス排気管２２９が接続されている。ガス排気管２２９のガス排気部２３１との接続側とは反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。 圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
反応管２０４の下端部には、反応管２０４の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース２５７と、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９とが設けられている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。ベース２５７は例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ２１９の上に取付けられている。ベース２５７の上面には反応管２０４の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられる。 シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９およびベース２５７を貫通して、断熱筒２１８とボート２１７に接続されており、断熱筒２１８およびボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。 シールキャップ２１９は反応管２０４の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１５１によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４およびボートエレベータ１５１には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて保持するように構成されている。ボート２１７の下方には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材としての断熱筒２１８がボート２１７を支持するように設けられており、ヒータ２０６からの熱が反応管２０４の下端側に伝わりにくくなるように構成されている。
均熱管２０５と反応管２０４との間には、温度計測器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
次に、以上の構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ２００に酸化、拡散等の処理を施す方法(半導体装置の製造方法)について説明する。以下の説明において、処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージング）されると、図３に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１５１によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はベース２５７、Ｏリング２２０を介して反応管２０４下端をシールした状態となる。
処理室２０１内が所望の圧力となるように排気装置２４６によって排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。 また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。 続いて、回転機構２５４により、断熱筒２１８、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
次いで、処理ガス供給源およびキャリアガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２からガス導入部２３０および細管２３４を流通し天井部２３３に至り、複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内にシャワー状に導入される。 導入されたガスは処理室２０１内を流下し、排気口２３１ａを流通してガス排気部２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、ウエハ２００に対して酸化、拡散等の処理がなされる。 なお、ウエハ２００に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含むガスが処理室２０１に導入される。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
その後、シールキャップ２１９がボートエレベータ１５１によって下降されて、反応管２０４の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態で反応管２０４の下端から反応管２０４の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７よって取出される（ウエハディスチャージング）。
なお、本発明の処理炉にてウエハを処理する際の処理条件としては、例えば、酸化処理においては、処理温度：室温〜１０５０℃、処理圧力：１０１３００Ｐａ以下、ガス種：Ｈ２Ｏ、ガス供給流量：２０ｓｃｃｍが例示される。これらの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハに処理がなされる。
図７に示されているように、本発明に係る処理装置１００の主制御装置６５は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ)で代表される演算制御部６６、ハードディスク等で構成される記憶部６７および入出力制御部６８を具備している。演算制御部６６にはディスプレイ、表示パネル等の表示部８０が接続されている。入出力制御部６８には操作部６９および副制御部５８が接続されている。ＣＰＵとしての演算制御部６６は、主制御装置６５の中枢を構成し、記憶部６７に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネルとしての表示装置８０又は操作端末等である操作部６９からの指示に従って、レシピ記憶部４２に記憶されている各種レシピ（例えば、プロセス用レシピ）を実行する。ここで、前述のコントローラ２４０は、主制御部６５と、副制御部５８とを少なくとも含み、表示部８０及び操作部６９を含むようにしても良い。
副制御部５８は、駆動制御部７３及び温度制御部７４などの各制御部を個別に制御する。各制御部は、入出力制御部６８を介して、主制御装置６５にそれぞれ接続されている。ここでは、図示されていないが、副制御部５８は、図３で示された温度制御部２３８、ガス流量２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７で構成されるのは言うまでもない。また、温度制御部２３８と温度制御部７４、駆動制御部２３７と駆動制御部７３がそれぞれ同一であるのはいうまでもない。特に、本願において、副制御部５８は、ウエハ移載機構１２５の駆動部（例えば、ウエハ移載装置１２５ａやウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ）を個別に制御する駆動制御部７３等から構成されている。副制御部５８は、演算制御部６６から受けた指令に基づき対応する駆動部を駆動させるとともに、駆動部の状態（指令の実行中、指令待ち、実行完了等）を前記演算制御部６６にフィードバックし、記憶部６７にポジション記憶４０等を保存する。また、後述する炉内温度均熱長測定によれば、温度制御部７４は、熱電対等の温度センサとしての温度計測器が計測した温度(実測値)を入出力制御部６８を介して前記演算制御部６６にフィードバックする。前記演算制御部６６により加工が行われた後、温度補正値記憶４１等に保存されるように構成される。
ＲＯＭとしての記憶部６７は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵの動作プログラム等を記憶する記録媒体である。ＲＡＭとしての入出力制御部６８は、ＣＰＵのワークエリアなどとして機能する。
操作部６９は、処理装置１００から離間した位置に配置することが可能である。例えば、基板処理装置１００がクリーンルーム内に設置されている場合であっても、操作部６９はクリーンルーム外の事務所等に配置することが可能である。また、主制御装置６５には、外部記憶媒体としての記録媒体であるＵＳＢフラッシュメモリ等の装着及び取外しを行う着脱部(図示しない)としてのポートが設けられている。
本発明の実施の形態にかかる主制御装置６５は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する主制御装置６５を構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
ここで、後述する実施例１以降において、上述した図１または図２の基板処理装置、図３の基板処理装置の処理炉、図７の基板処理装置の主制御装置６５を使用して実施される。従い、これらについては、各実施例では、特に詳細説明を省略する。
＜実施例１＞ 以下、図４〜図６に示された温度計測器支持機構１０について説明する。 温度計測器１８を取り付けるための冶具としての温度計測器支持機構１０はウエハ移載機構１２５に設置されている。温度計測器支持機構１０はウエハ移載機構接続アーム（以下、第一アームという）１１と、温度計測器支持アーム（以下、第二アームという）１２とを備えている。第一アーム１１は一端部をウエハ移載装置１２５ａに枢軸１１ａで回転自在に支持されており、第二アーム１２は一端部を第一アーム１１の他端部に枢軸１２ａで回転自在に連結されている。 ウエハ移載装置１２５ａには一対のアーム受け１３Ａ、１３Ｂが、枢軸１１ａ付近位置（以下、フロント位置という）と、枢軸１１ａから第一アーム１１の長さ程度だけ離れた位置（以下、リア位置という）と、にそれぞれ突設されている。一対のアーム受け１３Ａ、１３Ｂは上面を第一アーム１１の下面にそれぞれ当接することにより、第一アーム１１をフロント位置およびリア位置においてそれぞれ水平に支持する。リア位置のアーム受け１３Ｂに水平に支持された第一アーム１１はウエハ移載装置１２５ａの側面に格納された状態になり（図４参照）、フロント位置のアーム受け１３Ａに水平に支持された第一アーム１１はウエハ移載装置１２５ａから突出した状態になる（図５参照）。 第二アーム１２の枢軸１２ａには第二アーム１２を水平に支持する支持軸１４が設けられている。支持軸１４は第二アーム１２を第一アーム１１に対して１８０度範囲の往復回動を許容するとともに、第二アーム１２を第一アーム１１のフロント位置およびリア位置においてそれぞれ水平に支持する。リア位置において第一アーム１１と平行になった第二アーム１２は、ウエハ移載装置１２５ａに格納された状態になり（図４参照）、フロント位置において第一アーム１１と平行になった第二アーム１２は、ウエハ移載装置１２５ａから突出した状態になる（図５参照）。
第二アーム１２の自由端部には温度計測器支持部（以下、支持部という）１５が設置されている。支持具１５は固定ねじ１６および固定ばね１７によって、温度計測器１８を着脱自在に支持するように構成されている。 図６に示されているように、シールキャップ２１９には温度計測器１８を挿入するための温度計測器挿入口（以下、挿入口という）２０が設けられている。挿入口２０にはウルトラトールナット２１が螺合されており、挿入口２０はウルトラトールナット２１によって開閉されるように構成されている。ウルトラトールナット２１が開口された状態で、取付口１２には温度計測器１８が温度計測器支持機構１０によって垂直方向下方から挿入されて設置される。この際、温度計測支持機構１０はウエハ移載機構１２５のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって鉛直方向（シールキャップ２１９に対して垂直）に昇降されるので、温度計測器１８は挿入口２０に適正に挿入される。
なお、前述した半導体装置の製造方法の一工程が実施される際には、温度計測器支持機構１０は図４に示された格納状態に維持される。すなわち、第一アーム１１はリア位置でアーム受け１３Ｂに水平に支持され、第二アーム１２は支持軸１４によってリア位置で水平に支持されている。したがって、温度計測器機構１０は半導体装置の製造方法の実施を妨害することはない。
次に、処理炉内均熱領域の温度データ補正方法について図８等を参照して説明する。 例えば、処理装置１００内の反応管２０４を新品のものと交換した場合、処理炉２０２内の均熱領域が変わるため、処理炉２０２内の均熱領域を再度測定し、温度補正方法の実施が必要になる。
反応管交換時等の処理室内温度補正方法を実施する以前に、（後述する）温度計測器機構１０の支持部が温度計測器１８を挿入する挿入ポートの真下の位置になるよう温度計測器機構１０のポジション（位置）定義が実施され、記憶部６７にポジション記憶４０として保存される（ステップＡ１）。 温度計測器支持機構１０のポジション定義は、ウエハ移載機構１２５のウエハ移載装置１２５ａの回転（旋回）軸のエンコーダ（位置検出器）の値と、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの昇降軸のエンコーダ値を使用することにより、実施することができる。
反応管交換時のように、処理室内温度補正方法が必要になった場合に際しては、温度計測器支持機構１０は図４に示された格納状態から図５に示された突出状態に移行される。すなわち、第一アーム１１は上方に１８０度回動されてフロント位置のアーム受け１３Ａに水平に支持され、同時に、第二アーム１２も１８０度回動されて支持軸１４によってフロント位置で水平に支持される。 温度計測器１８は突出した第二アーム１２先端部の支持部１５に固定ねじ１６および固定ばね１７によって着脱自在に取り付けられる（図５参照）。 他方、シールキャップ２１９の挿入口２０はウルトラトールナット２１によって開放される。 温度計測器支持機構１０が予め設定されて記憶部６０に記憶されたポジション記憶４０に従ってシールキャップ２１９の挿入口２０の真下に搬送される。続いて、温度計測器支持機構１０がウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって上昇されることにより、図６（ｂ）に示されているように、温度計測器１８が挿入口２０に挿入される。 尚、シールキャップ２１９は、ボートエレベータ１５１によって上昇されて、処理炉２０２の下端部がシールキャップ２１９によって閉塞されている状態であるのはいうまでもない。また、ボートエレベータ１５１により上昇されるボート２１７には基板が装填されていなくてもよいが、一般的に実際の基板処理工程を想定して、予めダミー基板が装填されている。また、処理炉２０２の下端部がシールキャップ２１９によって閉塞された後、シールキャップ２１９の挿入口２０をウルトラトールナット２１によって開放し、温度計測器１８を挿入口２０に挿入した状態で、支持具１５に取り付けるようにするのが好ましい。以上、（ステップＡ２）。
次に、処理炉２０２内の温度がヒータ２０６によって所定の温度に上昇されて、所定の温度に安定されるまで待機する（ステップＡ３）。 温度安定後に、処理炉２０２内の温度が処理炉２０２内に挿入された温度計測器１８によって計測される。すなわち、温度計測器支持機構１０に取り付けられた温度計測器１８が、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって下降されることによりヒータの均熱領域の温度が計測される。操作部６９および個別操作ターミナルによりヒータ均熱領域取得が取得される。（ステップＡ４）。 作業者は取得した温度データに基づいて温度補正値を算出し、記憶部６７内の温度補正値記憶４１に記憶する。ここで、演算制御部６６が、取得した温度データに基づいて自動的に温度補正値を算出し、算出後、温度補正値記憶４１に記憶するようにしてもよい。（ステップＡ５）。 処理炉２０２内のヒータ２０６の均熱領域が再度取得される。すなわち、温度計測器支持機構１０に取り付けられた温度計測器１８が、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって上昇され、所定の温度に安定後に、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって温度計測器１８が、下降されることによりヒータの均熱領域の温度が計測される。（ステップＡ６）。 演算制御部６６は、上記のように取得されたヒータの均熱領域の各温度（均熱温度）がそれぞれ規定値内に入るまで何度も繰り返す（ステップＡ７）。 そして、均熱温度が規定値に入ると、温度補正値の取得が終了する。
以上の実施形態(実施例１)によれば、次の効果が得られる。
（１）個別にオートプロファイラを準備する必要がないため、処理炉内温度補正方法の作業性を向上させることができるとともに、コストを低減させることができる。
（２）ウエハ移載機構のエレベータを活用することにより、温度測定器支持機構の位置決め（ポジション定義）を簡易化することができ、また、処理炉内の均熱長を測定する際の開始位置が一定となる。
（３）温度計測器支持機構をウエハ移載機構に格納可能に設置することにより、処理炉内温度均熱長の測定方法を実施しない時に、温度計測器支持機構がウエハ移載機構による移載作業を妨害するのを防止することができる。
（４）処理装置の主制御装置や操作部および個別操作ターミナルを使用することにより、処理炉内均熱領域のデータ取得を実行することができ、取得されたデータを主制御装置の記憶部に保存することができ、各ウエハ（製品ウエハ、ダミーウエハ、フィルウエハ等）の搬送すべきポジション（位置）や温度補正値等も演算制御部で算出させた後、保存することができる。よって、各種搬送ウエハの位置や枚数設定や、温度補正値のような作業者による手入力を削減することができ、データロガーやＰＣの準備も不要とすることができる。
（５）全ての動作が自動で行われるため、作業者の技量に関係なく、均熱長領域の測定開始位置が決まるので、均熱長領域の測定範囲の信頼性が向上(測定範囲のバラツキが大幅に低減)する。よって、温度制御の性能や処理基板の品質を一定に保つことができる。
（６）全ての動作が自動で行われるため、移載室扉を閉めた状態での作業が可能であるので、作業者が極力移載室内に入る必要が無いため安全性が格段に向上する。
（７）処理炉内均熱領域のデータ取得をリアルタイムで実行することができる。また、各ウエハ（製品ウエハ、ダミーウエハ、フィルウエハ等）の搬送すべきポジション（位置）や取得されたデータを主制御装置６５の記憶部６７に保存することができる。また、処理炉内の温度補正値の算出が演算制御部６６で行われた後、前記取得データ（実測値)と同様に、温度補正値等も自動的に保存することができるので、処理炉内の均熱温度領域の取得にかかる時間を短縮できる。
＜実施例２＞ 実施例１において、個別にオートプロファイラを準備するよりコスト低減が図られたが、温度計測器支持機構１０は、ウエハ移載機構１２５に固定されているため、ウエハ移載機構１２５の単価が上がってしまうという問題がある。つまり、処理装置１００のコスト低減という問題がある。そこで、本実施の形態(実施例２)においては、この温度計測器支持機構１０を縦型装置のオプション機能として付加し、製品販価を維持することを目的として更に改良を行った。
以下、図９及び図１０に示された温度計測器支持機構１０について説明する。図９は、それぞれ固定冶具部としての冶具ベースユニットをウエハ移載機構１２５に固定した状態を示している。このように、ウエハ移載機構１２５に治具ベースユニットを常設させておくことで、温度計測支持機構１０を必要な場合に応じて取り付けができるようになっている。また、温度計測支持機構１０の有無（取り付け・取外し）を認識するためのセンサを認識部として設けた。これにより、処理装置の主制御装置や操作部で温度計測支持機構１０の有無が認識できるようになった。これにより、作業者が装置内にわざわざ入ることなく、移載室扉を閉めた状態で温度計測支持機構１０の有無を認識できる。ここで、図示の治具ベースユニットが、ウエハ移載機構１２５による基板の搬送動作を妨げないことは言うまでもない。このような構成により、温度計測支持機構１０をオプション機能とすることにより、コスト削減が図られる。尚、実施例２において、冶具ベースユニットを第一の冶具と、温度計測器支持機構１０を第二の冶具としてもよい。
図１０（ａ）（ｂ）は、上述の冶具ベースユニットに取り付ける温度計測支持機構１０としての温度測定用ツールの構成を示している。図１０に示すように、本実施の形態(実施例２)における温度測定用ツールは、アーム１と、スライドガイドと、アーム２と、ベース１と、ベース２と、スライドプレートと、バネと、柱及び柱ベースと、支持部１５としての石英設置部と、を備えている。
支持部１５は、石英熱電対(ＴＣ)等の温度計測器１８が設置される。また、ベース１、ベース２はそれぞれ微調整機構として機能し、スライドプレートは、平行移動機構として機能し、バネは、偏芯・偏角機構として機能する。このような機能により、支持部１５に設置された温度計測器１８が破損しないように構成されている。また、石英熱電対(ＴＣ)等の温度計測器１８の挿入位置は、各装置により異なるため、アーム１とアーム２の間にスライドガイドを設け、アーム２を伸縮可能な構造としている。これにより、アーム２の長さを調整することができる。また、温度計測支持機構１０はオプションのため、持運びや保管にも便利なようになっている。このように、温度計測支持機構１０は、装置仕様、装置で基板に施される処理(例えば、膜種)等によらず、冶具ベースユニットを介してウエハ移載機構１２５に取付け可能に構成されている。
図１１は、本実施の形態(実施例２)における処理炉内の温度均熱領域を測定するときの移載室内のウエハ移載機構１２５の動作を説明するための図である。
先ず、ボート２１７に基板をフルチャージし、ボートロードを行う。但し、基板処理を実施した状態と同じ場合を想定し、所定枚数の基板でフルチャージするため、ダミー基板が利用される。尚、本実施形態の構成に限定されないのは言うまでもない。例えば、基板はフルチャージでなくてもよく、隙間があってもよく、また、基板なしでも構わない。
次に、処理炉内(ウルトラトール部)に石英保護管を挿入し、固定する。そして、ウエハ移載機構１２５を所定の位置に移動後、ウエハ移載機構１２５に測定用ツールとしての温度計測支持機構１０を取り付ける。この石英保護管に石英熱電対(ＴＣ)等の温度計測器１８を挿入し、温度計測支持機構１０の石英設置部に温度計測器１８を設置する。最後に、温度計測器１８と処理装置１００の計測器を接続する。
処理路内の温度均熱領域の測定は、予め設定しておいた所定の温度で処理炉内の温度が安定したら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって温度計測器１８が、下降されることによりヒータの均熱領域の温度が計測される。そして、取得された温度が規定値内に入るまで、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによる温度計測器１８の測定開始位置への上昇と、下降させながらの温度計測と、が繰り返し行われる。
次に、本実施の形態(実施例２)における処理炉内の温度均熱領域を測定する方法について詳細を説明する。先ず、処理炉内の温度均熱領域を測定するレシピは、作業者により、例えば、表示装置８０または操作部６９で作成される。そして、温度均熱領域を測定するレシピ(以後、均熱長測定レシピ)を主制御装置６５の記憶部６７に予め格納される。
次に、図１２のフローチャートを用いて、均熱長レシピを実行して処理炉内の温度均熱領域を測定する工程について説明する。
均熱長レシピが操作部６９の所定のボタンを押下されて開始される。すると、ヒータの均熱長を測定する回数ｎ、及びカウンタｉがそれぞれ設定される。図１２のフローチャートには、回数ｎの値が？と記されているが、実際はレシピ作成時に作業者が設定する所定の閾値(自然数)が設定されているのは言うまでも無い。
また、移載機としてのウエハ移載機構１２５が所定の位置に移動される。そして、所望の冶具取り付けが終了するのを待機する。具体的には、ウエハ移載機構１２５に固定されている冶具ベースユニットへの温度計測器支持機構１０の取り付け、及び温度計測器支持機構１０と温度計測器１８の取り付けが終了するまで待機する。
取り付けが終了後、比較ステップに移行し、回数ｎとカウンタｉの大きさが比較される。そして、カウンタｉが回数ｎより大きくないので次のステップへ移行し、均熱長測定が開始される。
まず、均熱長測定を開始する位置へ移動する移動ステップが実行される。但し、均熱長レシピの開始時は、測定開始位置近傍にウエハ移載機構は移動しているので、次のポジションチェック工程に直ぐに移行する。次に、各軸のポジションチェックが行われ、ポジションエラーが発生すると、均熱長レシピは終了する。また、このポジションチェックがＯＫの場合、次の干渉チェックに移行する。次に、Ｚ軸(ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの動作軸)のポジションが炉口シャッタ干渉設定値を超えていないかチェックされる。干渉エラーが発生すると、均熱長レシピは終了する。また、チェックＯＫの場合、次の開始位置チェックに移行する。次に、Ｚ軸が所定時間(例えば、６００秒)以内に測定開始位置に位置しているかチェックされる。所定時間内に測定開始位置まで移動できなかった場合、開始位置タイムアウトエラーが発生し、均熱長レシピは終了する。チェックＯＫの場合、温度計測器１８が測定開始位置に移動終了となる。
そして、処理炉内が所定の温度に安定するまで待機する。
温度安定後、均熱長の測定が開始される。具体的には、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの下降動作に伴い、温度計測器１８が下降される。温度計測器１８により処理炉内の各測定ポイントの温度が計測される。尚、この温度データは、図７に示すように、温度制御部を介して主制御装置６５の記憶部６７に温度実測値記憶４３に格納される。
温度計測器１８が下降しながら処理路内の温度計測を行うことにより、均熱長の測定が均熱長測定終了位置に到着するまで行われる。ここで、予め設定された時間内に終了位置にいないと判定されると、終了位置タイムアウトエラーが発生し、均熱長レシピが終了する。設定時間内に均熱長測定終了位置に温度計測器１８が位置していれば、均熱長測定が終了となる。このとき、作業者は、取得した温度データに基づいて温度補正値を算出し、適宜温度補正値記憶４１に記憶する。そして、温度補正値の変更を行う。尚、演算制御部６６を取得した温度データに基づいて温度補正値を自動的に算出するように構成してもよいのはいうまでもない。図示していないが均熱長測定後に、温度補正値取得工程を含めても構わない。更に、演算制御部６６が、温度補正値の算出を前記搬送装置を下降させると共に前記温度計測器により計測された温度から自動的に温度補正値を算出するよう構成されていても構わない。
均熱長測定が終了後、均熱長測定カウンタｉに１が加えられる。そして、再度比較ステップへフィードバックされ、均熱長測定カウンタｉと回数ｎの比較が行われる。
比較した結果、回数ｎより均熱長測定カウンタｉが大きい場合、均熱長レシピが終了する。また、回数ｎより均熱長測定カウンタｉが大きくない場合、次の移動ステップへ移行し、均熱長測定が再度開始される。そして、測定開始位置への移動の際、各軸のポジションチェック、干渉チェック、開始位置チェック等がそれぞれ実行される。
均熱長の再測定終了後、均熱長測定カウンタｉに１が加えられる。そして、再度比較ステップへフィードバックされ、均熱長測定カウンタｉと回数ｎの比較が行われる。ここで、カウンタｉが回数ｎ以上になると、均熱長レシピは終了する。
尚、各軸のポジション(位置)チェックは、常時行われている。所定の周期(例えば、1秒周期)で行われているので、ウエハ移載機構１２５に治具ベースユニットを介して取り付けられた温度計測器１８を昇降させている途中に異常が発生しても即時に停止させることができる。これにより、温度計測器１８と石英保護管との接触による石英割れの発生というような事故は起きないようにすることができる。
また、本実施の形態によれば、複数の均熱長レシピを実行するように構成しても良い。例えば、均熱長測定カウンタｉと回数ｎを適宜所定の数値に設定して、１回目の測定は均熱長レシピＡ、２回目の測定は均熱長レシピＢ、３回目の測定は均熱長レシピＣとそれぞれ処理炉内の温度測定条件の異なるレシピを実行するように構成しても良い。また、均熱長レシピＡを３回繰り返したら次に均熱長レシピＢを実行するというように回数毎にレシピを変更するようにしても良い。
また、本実施の形態によれば、図１２のフローチャートのように均熱長レシピが開始されると、ウエハ移載機構１２５に固定されている冶具ベースユニットへの温度計測器支持機構１０の取り付け、及び温度計測器支持機構１０と温度計測器１８の取り付けが終了するまで待機する工程があるが、この限りではない。ウエハ移載機構１２５と温度計測器支持機構１０と温度計測器１８のそれぞれの取り付けが終了すると、均熱長レシピが開始するように構成しても良い。但し、この場合、ウエハ移載機構１２５に温度計測器支持機構１０を取り付ける際のウエハ移載機構１２５の移動は、手動で行われる。例えば、オフライン(Local)で専用の端末により操作される。
以上の実施形態(実施例２)によれば、実施例１で奏する効果に加え、次の効果が得られる。 （７）この着脱可能な温度計測器支持機構を縦型装置のオプションとして付加できるので、製品販価を維持することができる。たとえば、縦型装置の基板処理（プロセス）によらず、使用することができるので、製品販価に影響を及ぼさない。また、少なくとも上述の温度計測器支持機構と均熱長レシピとのセットで本縦型装置の温度測定システムを構成することにより、部品交換などの改造及び交換後のセットアップが、作業者の技量に関係なく容易に可能となる。 （８）第一の冶具として治具ベースユニットをウエハ移載機構１２５に固定し、これにセンサが設けられている。これにより、作業者が装置内にわざわざ入ることなく、移載室扉を閉めた状態で温度計測器支持機構の有無が認識できるようになった。よって、作業者が極力移載室内に入る必要が無いため安全性が格段に向上する。 （９）操作画面上で、均熱長レシピを作成し、これを実行することにより、処理炉内の温度均熱領域を測定することができる。これにより、よって、作業者が極力移載室内に入る必要が無いため安全性が格段に向上する。 （１０）作業者は、均熱長レシピを複数作成し、これを実行することにより、処理炉内の温度均熱領域を測定することができる。例えば、均熱長レシピＡ、均熱長レシピＢ、均熱長レシピＣとそれぞれ処理炉内の温度測定条件の異なるレシピを実行することにより、多種態様な条件で均熱長を測定できる。 （１１）均熱長レシピを実行することにより、均熱長の測定開始位置及び測定終了位置が、作業者の技量に関係なく、一定に保つことができる。これにより、処理炉内の温度均熱領域を測定結果の信頼性が保たれ、温度制御の性能や基板品質を一定に保つことができる。
＜実施例２の変形例＞上述した図１２のフローチャートでは、均熱長の測定が予め設定された回数を必ず実行されなければ、均熱長レシピは終了しなかった。また、反対に、均熱長の測定が予め設定された温度範囲内に収まらなくても、設定回数に到達したら終了してしまう。よって、均熱長測定の実行回数は、作業者の技量に依存するところがある。
一方、図１４は、図１２のフローチャートを、実施例１のフローチャート(図８参照)と同様に、所定の規定値(予め設定された温度)範囲に収まっていれば、均熱長測定が終了するフローチャートに変形したものである。図１４は、測定開始位置か否かを確認するステップ(ステップ１)と、処理炉内の温度が安定するまで待機するステップ(ステップ２)と、処理炉内の均熱長を測定するステップ(ステップ３)と、均熱長測定を終了するか判定するステップ(ステップ４)を有する均熱制御プログラムを示すフロー図である。このように、本フローは、実施例２のフローチャートとは、フローチャートの繰り返しを決定するステップ(また、このステップの内容)が異なる。
次に、図１４のフローチャートについて詳述する。
まず、均熱長レシピが実行開始されると、均熱長測定を開始する位置へ移動する移動ステップが実行される。但し、均熱長レシピの開始時は、予め測定開始位置にウエハ移載機構１２５は移動しているので、次のポジションチェック工程に移行する。次に、各軸のポジションチェックが行われ、ポジションエラーが発生すると、均熱長レシピは終了する。また、このポジションチェックがＯＫの場合、次の干渉チェックに移行する。次に、Ｚ軸(ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの動作軸)の位置が炉口シャッタ干渉設定値を超えていないかチェックされる。要するにウエハ移載機構１２５と炉口シャッタが干渉するかどうかがチェックされる。干渉エラーが発生すると、均熱長レシピは終了する。また、チェックＯＫの場合、次の開始位置チェックに移行する。次に、Ｚ軸が所定時間(例えば、６００秒)以内に測定開始位置に位置しているかチェックされる。ここで、本チェック工程においても、均熱長レシピの開始時は、予め測定開始位置にウエハ移載機構１２５は移動しており、次の温度安定チェック工程に移行する。必要に応じて微調整のため移動することもあるが、尚、所定時間内に測定開始位置まで移動できなかった場合、開始位置タイムアウトエラーが発生し、均熱長レシピは終了する。チェックＯＫの場合、温度計測器１８が測定開始位置に移動終了となる（以上、ＳＴＥＰ１）。
そして、処理炉内が所定の温度に安定するまで待機する温度安定チェック工程が実行される（以上、ＳＴＥＰ２）。
温度安定後、均熱長の測定が開始される。測定は、実施例２と同様に、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの下降動作に伴い、温度計測器１８が下降される。温度計測器１８により処理炉内の各測定ポイントの温度が計測される。尚、この温度データは、図７に示すように、温度制御部を介して主制御装置６５の記憶部６７に温度実測値記憶４３に格納される。
処理路内の温度計測は、均熱長測定終了位置に到着するまで行われる。ここで、予め設定された時間内に終了位置にいないと判定されると、終了位置タイムアウトエラーが発生し、均熱長レシピが終了する。設定時間内に均熱長測定終了位置に温度計測器１８が位置していれば、均熱長測定が終了となる。このとき、作業者は取得した温度データに基づいて温度補正値を算出し、記憶部６７内の温度補正値記憶４１に記憶する。ここで、演算制御部６６が、取得した温度データに基づいて自動的に温度補正値を算出し、算出後、温度補正値記憶４１に記憶するようにしてもよい（以上、ＳＴＥＰ３）。
演算制御部６６は、上記のように取得されたヒータの均熱領域の各温度（均熱温度）がそれぞれ規定値内に入るまで何度も繰り返す。演算制御部６６は、所定の判断基準、例えば、所定の上下限値内(規定値内)の温度が、所定の長さ以上、になっているかを判定する。この所定の判定基準を満たさない場合、処理炉２０２内のヒータ２０６の均熱領域が再度取得される。すなわち、ＳＴＥＰ１の均熱長測定を開始する位置へ移動する移動ステップへ移行され、温度計測器支持機構１０に取り付けられた温度計測器１８が、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって上昇され、測定開始位置に戻される。そして、各チェック工程を経て、所定の温度に安定(ＳＴＥＰ２)後に、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって温度計測器１８が、下降されることによりヒータの均熱領域の温度が計測される(ＳＴＥＰ３)。そして、均熱長測定結果が規定値に入る(判断基準内に収まる)と、演算制御部６６は、均熱長測定を終了し、温度補正値の取得が終了する。（以上、ＳＴＥＰ４）。
ここで、各軸のポジション(位置)チェックは、図１２で示されるフローチャート(実施例２)と同様に常時行われている。このように、所定の周期(例えば、1秒周期)で行うことにより、ウエハ移載機構１２５に取り付けられた温度計測器１８を昇降させている途中に、異常が発生しても即時に停止させることができ、温度計測器１８と石英保護管との接触による石英割れの発生という事故が起きないようにすることができる。
＜実施例１及び実施例２の計測結果の表示例＞図１５及び図１６は、均熱長測定結果により温度制御部７４が取得する温度データの表示例を示す。図１５は、所定の判断基準(規定値)を満たした温度測定結果をグラフで示しており、所定の温度上下限値内(設定温度±上下限値)において、所定の温度設定範囲が所定の長さ以上である場合を示している。一例を挙げれば、設定温度７００℃、上下限値±２℃、温度フラットゾーンが９００ｍｍ以上である。また、設定温度にもよるが、温度フラットゾーンは、９５０ｍｍ以上が好ましい。但し、処理炉２０２の大きさにより、１２００ｍｍ程度が限界値である。尚、設定温度は、プロセス及び膜種にもよるが、１００℃以下(例えば、室温)から１２００℃程度のアニール炉に及ぶ。詳細は後述するが、近年の低温プロセスでは、４００℃以下、更には、１００℃以下で均熱長を測定する要求が増えてきている。
図１６には、４回の均熱長測定結果が重ね合わせ表示されている。また、図１６は、１回目〜３回目の均熱長測定結果は、所定の判断基準(規定値)から外れており、４回目の均熱長測定結果は、所定の判断基準(規定値)を満たしている様子を示している。また、本発明では、均熱長を測定する際に、ウエハ移載機構１２５を利用することにより、温度計測開始位置を、常に一定とすることができる。更に、均熱長レシピによる測定を行うようにすれば、計測範囲を設定可能なため、温度計測開始位置及び温度計測終了位置を、常に一定とすることができる。
セットアップ時などで実行される均熱長測定は、処理装置１００の特性上、重要な工程であり、判断基準が厳しく設定されている。よって、規定値範囲内に入るには、複数回の測定が必要となる。更に、処理炉２０２内の均熱長の測定は、温度計測器１８をウエハ移載機構１２５に取付け、このウエハ移載機構１２５を昇降させるシステムを構築しているため、基板を処理するためのレシピであるプロセスレシピを実行する場合と同様に均熱長を測定するためのレシピである均熱長レシピを実行することができる。これにより、均熱長レシピを実行して、処理炉内の温度分布が、所定の温度上下限値内(設定温度±上下限値)において、所定の温度設定範囲が所定の長さ以上であるかを確認することができる。このように、プロセスレシピと同様に、ガス流量、炉内圧力、ヒータ温度等の制御パラメータを設定することで、実際の基板処理と同様な処理条件で均熱長測定が可能となる。
尚、詳細は後述するが、設定温度により、基板処理領域内の均熱長だけでなく、基板処理領域の下部の温度が、断熱板領域の温度から受ける影響を考慮する必要がある。この場合、基板処理領域だけでなく断熱板領域も温度測定を行う。
上述の実施例１または実施例２(変形例を含む)で説明した処理炉内の温度均熱領域の測定は、基板処理装置のセットアップ時や処理炉を構成する部品であるボート２１７等の交換時などのメンテナンス(保守)時に実施される。
＜実施例１及び実施例２(変形例を含む)の応用例１＞ つまり、上述の実施例１または実施例２(変形例を含む)によれば、前記した処理装置１００のセットアップ方法が、次の通り提供される。処理室を構成する各部品を組立する組立工程と、基板を保持具に移載する移載装置に着脱自在に設けられた温度計測器が前記処理室に搬入されるステップと、前記移載装置を降下させることにより、前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、前記温度計測器によって計測された温度に基づいて補正値が算出されるステップと、前記計測された温度が所定の判定基準と比較される比較ステップと、を有する温度補正工程と、 前記温度補正工程終了後、前記処理室内を基板処理温度よりも大きい温度に加熱する加熱工程と、を少なくとも有する。
上記比較ステップにおいて、計測された温度が所定の判定基準内に収まった場合、上記補正値を用いて上記加熱工程及び基板を処理する基板処理工程が実行される。一方、計測された温度が所定の判定基準から外れた場合、前記移載装置を上昇させて温度測定開始位置へ移動する移動ステップが実行される。そして、再度、前記移載装置を降下させることにより、前記処理室内の均熱長の測定が行われる。
＜実施例１及び実施例２(変形例を含む)の応用例２＞ つまり、上述の実施例１または実施例２(変形例を含む)によれば、前記した処理装置１００のメンテナンス(保守)をするための手段が、次の通り提供される。処理室内を構成する部品のうち保持具等の部品を交換する工程と、基板を前記保持具に移載する移載装置に着脱自在に設けられた温度計測器が前記処理室に搬入されるステップと、前記移載装置を降下させることにより、前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、前記温度計測器によって計測された温度に基づいて補正値が算出されるステップと、前記計測された温度が所定の判定基準と比較される比較ステップと、を有する温度補正工程と、を少なくとも有する。
上記比較ステップにおいて、計測された温度が所定の判定基準内に収まった場合、上記補正値を用いて、前記交換した部品を保護するためのプリコート処理や基板を処理する基板処理工程が実行される。一方、計測された温度が所定の判定基準から外れた場合、前記移載装置を上昇させて温度測定開始位置へ移動する移動ステップが実行される。そして、再度、前記移載装置を降下させることにより、前記処理室内の均熱長の測定が行われる。
以上の実施形態(実施例３または実施例４)によれば、実施例１または実施例２で奏する効果に加え、次の効果が得られる。 （１２）実施例１または実施例２にかかる処理炉内の温度均熱領域の測定方法を基板処理装置のセットアップやメンテナンスに適用することにより、結果的に、基板処理装置における非稼働時間(メンテナンスやセットアップ等の時間)が低減されるため、基板処理装置の装置稼働率が向上する。
＜実施例３＞ 実施例１や実施例２において、ヒータの均熱長領域の測定範囲は、図１４に示されるように基板処理領域（Ｅ部）が対象であった。よって、図１４に示されるように、ヒータの均熱長の測定範囲は、基板処理領域（Ｅ部）であったため、断熱板領域（Ｆ部）の温度の測定は必要なかった。ところが、基板処理領域（Ｅ部）だけでなく、断熱板領域（Ｆ部）の温度に関する情報を取得する要求が高まっている。例えば、ヒータ開発時は、最大均熱長を確認するために、基板処理領域と断熱板領域の両方の温度を計測する。例えば、断熱板領域からの放熱が大きい場合に、基板処理領域と断熱板領域の温度勾配を確認する必要がある。断熱板領域からの放熱により、基板処理領域の下部の面内温度にバラツキが生じても、この温度勾配を確認することで断熱板領域の影響を確認することができる。
従来のプロセス温度（処理温度）は、炉口部（断熱板領域）からの放熱の影響は、多少あったかもしれないが、基板処理結果（基板の品質）への影響はほとんど無かった。しかしながら、プロセス温度（処理温度）の低温化が進むにつれて、基板処理結果への影響が無視できなくなってきている。例えば、処理温度が４００℃以下、更に、１００℃以下のプロセスになると、処理装置１００において温度変化に敏感に反応する。このような低温での成膜要求が高まっており、図１４の断熱板領域(Ｆ部)を温度測定する必要がある。例えば、処理ガス導入部は、断熱板領域(Ｆ部)の温度変化により、導入するガスの温度が変化して影響を受ける。
本実施例(実施例３)において、図１４に示されるように、柱としての把握部の長さを変更するだけで調整できる。例えば、把握部を短いもので構成することにより、移載機としてのウエハ移載機構１２５の測定位置を変えずに温度測定ポイントを変更する。
尚、本実施例(実施例３)において、処理炉内の温度均熱長の測定要領は実施例２(変形例を含む)と同様であるので説明は省略する。
このように、柱としての把握部の長さを変えるだけで、処理炉内の温度測定ポイントを変更する(下側にシフトさせる)ことで断熱板領域(Ｆ部)を測定可能となった。また、測定冶具を使用しなくても、均熱長を測定する範囲を通常より大きくすることでも断熱板領域(Ｆ部)が測定可能であるのはいうまでも無い。
以上の実施形態(実施例３)によれば、実施例１および実施例２で奏する効果に加え、次の効果が得られる。 （１３）これまで測定不可能だった断熱板領域に関する温度測定が可能になった。これにより、基板処理装置において温度変化に敏感なプロセスに対応できるようになった。
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 例えば、温度計測器支持機構は、第一アームおよび第二アームのマニピュレータによって構成するに限らず、多関節ロボットによって構成してもよいし、スライド式のマニピュレータやリニアアクチュエータ等々によって構成してもよい。また、温度計測器は複数設けても良く、温度測定器の数に合わせて温度測定器支持機構を複数設けても良い。
また、操作部６９は、複数の処理装置１００を管理するホストコンピュータ等の管理装置であってもよい。
前記実施形態においては、ウエハを処理する場合について説明したが、本発明は液晶パネルのガラス基板や磁気ディスクや光ディスク等の基板を処理する基板処理装置全般に適用することができる。
また、酸化膜形成に限らず、拡散やＣＶＤやアニールおよびアッシング等の処理全般に適用することができる。
上述のように、本発明(本実施の形態)における好ましい態様を付記する。
（１）保持具に保持した状態で装入された基板を処理する処理室と、 前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、 少なくとも前記保持具に前記基板を搬送する搬送装置と、少なくとも前記搬送装置と前記温度計測器とに接続されるコントローラと、を有し、前記コントローラは、前記処理室内の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させた後、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させながら前記温度計測器からの温度を取得する基板処理装置。
（２）前記コントローラは、前記処理室内の温度を測定するための所定のシーケンスを実行することにより、計測条件を変更させて前記処理室内の温度を繰り返し計測可能に構成されている。
（３）前記コントローラは、前記搬送装置が所定の開始位置から外れている場合に、前記所定のシーケンスによる温度計測を実行しないで終了するように構成されている（２）の基板処理装置。
（４）前記コントローラは、前記搬送装置が所定の終了位置に、所定の時間内に到達していない場合に、前記所定のシーケンスによる温度計測を終了するように構成されている（２）の基板処理装置。
（５）前記コントローラは、前記搬送装置を下降させると共に前記温度計測器により計測された温度から温度補正値を算出するよう構成されている（１）の基板処理装置。
（６）保持具に保持した状態で装入された基板を処理する処理室と、 前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、 少なくとも前記保持具に前記基板を搬送する搬送装置と、少なくとも前記搬送装置と前記温度計測器とに接続されるコントローラと、を有し、前記コントローラは、前記処理室内の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させた後、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させながら前記温度計測器からの温度を取得する基板処理装置の温度計測方法。
（７）基板を保持した保持具を処理室に装入した状態で前記基板に処理する基板処理工程と、 前記処理室内の温度が搬送装置に取り付けられた温度計測器によって計測される温度計測工程と、を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、更に、前記温度計測工程は、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させる工程と、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得する工程を有する半導体装置の製造方法。
（８）基板が装填されたキャリアが搬入出されるロードポートと、 前記キャリアを収納する収納棚と、 前記収納棚に収納されたキャリアを載置する載置棚と、 前記キャリアを、前記ロードポートと前記収納棚と前記載置棚との間で搬送する第一搬送装置と、 前記基板を保持する保持具と、 前記載置棚に載置された前記キャリアと前記保持具との間で前記基板を搬送する第二搬送装置と、 前記保持具に保持された前記基板を処理する処理室と、 前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、 前記温度計測器を前記第二搬送装置へ取り付ける温度計測器支持機構と、 前記第一搬送装置と前記第二搬送装置と前記収納棚と前記ロードポートと前記温度計測器と前記温度計測器支持機構とを制御するコントローラと、 を有する基板処理装置。
（９）基板が装填されたキャリアがロードポートへ搬入されるステップと、 前記キャリアが前記ロードポートから収納棚へ第一搬送装置によって搬送されるステップと、 前記キャリアが前記収納棚から載置棚へ前記第一搬送装置によって搬送されるステップと、 前記載置棚に載置された前記キャリアの前記基板が保持具へ第二搬送装置によって移載されるステップと、 前記基板を移載された前記保持具が処理室へ搬入されるステップと、 前記保持具の前記基板が前記処理室内で処理されるステップと、 前記基板を処理された前記保持具が前記処理室から搬出されるステップと、 温度計測器が前記第二搬送装置に設けられるステップと、 前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、 前記温度計測器によって計測された各温度が閾値と比較されるステップと、 を有する半導体装置の製造方法。
（１０）基板を処理する処理室と、 前記基板を保持する保持具と、 前記基板を前記保持具に移載する移載装置と、を備えており、 前記移載装置には前記処理室内の温度を計測する温度計測器を支持する温度計測器支持機構が設けられており、前記移載機構は前記温度計測器支持機構に取り付けられた前記温度計測器を昇降可能に構成されている基板処理装置。
（１１）基板を保持具に移載する移載装置に着脱自在に設けられた温度計測器が前記処理室に搬入されるステップと、 前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、 前記温度計測器によって計測された各温度が閾値と比較されるステップと、 を有する温度補正工程と、 複数の基板を保持した保持具を処理室内に挿入した状態で、前記基板を処理する基板処理工程と、を有する半導体装置の製造方法。
（１２）処理室内を構成する、ヒータ及び反応管等を含む部品を組立する組立工程と基板を保持具に移載する移載装置に着脱自在に設けられた温度計測器が前記処理室へ前記移載装置によって搬入されるステップと、 前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、 前記温度計測器によって計測された各温度が閾値と比較されるステップと、 を有する温度補正工程と、 前記温度補正工程終了後、前記処理室内を基板処理温度よりも大きい温度に加熱する加熱工程と、を少なくとも有する基板処理装置のセットアップ方法。
（１３）処理室内を構成する部品のうち保持具等を含む部品を交換する工程と基板を前記保持具に移載する移載装置に着脱自在に設けられた温度計測器が前記処理室へ前記移載装置によって搬入されるステップと、 前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、 前記温度計測器によって計測された各温度が閾値と比較されるステップと、 を有する温度補正工程と、 を少なくとも有する基板処理装置のメンテナンス（保守)方法。
（１４）被処理体を処理する処理室内の温度を計測する温度計測器と、 前記被処理体を搬送する搬送装置と、 前記温度計測器を前記搬送装置に取り付けるための冶具と、前記搬送装置に前記冶具を介して前記温度計測器を取り付けた状態で、前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する温度計測システム。
（１５）更に、前記搬送装置には、前記温度計測器を支持する温度計測器支持機構が設けられ、 前記治具は、前記温度計測器支持機構に取り付けられる（１４）の温度計測システム。
（１６）更に、前記搬送装置には、センサが設けられ、 前記センサは、前記治具が前記温度計測器支持機構に取り付けられているかを検出する（１５）の温度計測システム。
（１７）前記搬送装置は、前記温度計測器支持機構を介して前記温度計測器に取り付ける前、または、前記温度測定器による温度計測を前に、予め設定された位置に移動されるように構成され、前記温度計測器により前記処理室内の温度を計測する際は、降下されるように構成されている（１４）の温度計測システム。
（１８）基板を保持具に移載する移載装置であって、 前記移載装置には処理室内の温度を計測する温度計測器を支持する温度計測器支持機構が設けられ、前記温度計測器支持機構前を介して取り付けられた記温度計測器を昇降可能に構成されている移載装置。
（１９）前記移載装置は、前記温度計測器支持機構を介して前記温度計測器に取り付ける前、または、前記温度測定器による温度計測を前に、予め設定された位置に移動されるように構成され、前記温度計測器により前記処理室内の温度を計測する際は、降下されるように構成されている（１８）の移載装置。
（２０）被処理体を処理する処理室内の温度を計測する温度計測器と、 前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器及び前記搬送装置にそれぞれ接続されるコントローラと、を有する処理装置の温度計測方法であって、前記処理室内の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室内の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理装置の温度計測方法。
（２１）被処理体を処理する処理室内の温度を計測する温度計測器を取り付けた状態で昇降可能な搬送装置であって、前記温度計測器を取り付けるための固定冶具部と、前記固定冶具部と着脱可能な温度計測器支持機構の取付けまたは取外しを認識するセンサを備えた搬送装置。
（２２）前記処理室内の温度を計測する前に、予め設定された位置で前記固定冶具に温度計測器支持機構が取り付けられ、前記処理室内の温度を計測する際に、前記温度計測器支持機構に前記温度計測器を取り付けた状態で移動するように構成される（２１）の搬送装置。
（２３）処理室内の温度が搬送装置に取り付けられた温度計測器によって計測される処理を少なくとも有するプログラムをコントローラで読み取り可能な記録媒体であって、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させる処理と、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理を有するプログラムをコントローラで読み取り可能な記録媒体。
（２４）処理室内の温度が搬送装置に取り付けられた温度計測器によって計測される処理を少なくとも有するプログラムであって、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させる処理と、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を移動させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理を有するプログラム。
この出願は、２０１２年５月２８日に出願された日本出願特願２０１２−１２１２０３を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
各種ヒータの温度均熱長を測定する技術に係り、半導体を製造するのに用いられる炉に限られることなく、各炉に適用可能である。
１０…温度計測器支持機構、１１…第一アーム（ウエハ移載機構接続アーム）、１１ａ…枢軸、１２…第二アーム（温度計測器支持アーム）、１２ａ…枢軸、１３Ａ、１３Ｂ…アーム受け、１４…支持軸、１５…支持具（温度計測器支持具）、１６…固定ねじ、１７…固定ばね、１８…温度計測器、２０…挿入口、２１…ウルトラトールナット、４０…ポジション記憶、４１…温度補正値記憶、５８…駆動サブ制御部、６５…主制御装置、６６…演算制御部、６７…記憶部、６８…入出力制御部、６９…操作部、７３…サブ制御部、８０…表示部、１００…処理装置（基板処理装置）、１１０…ポッド（キャリア）、１１８…ポッド搬送装置（第一搬送装置）、１２５…ウエハ移載機構（第二搬送装置）、１２５ａ…ウエハ移載装置、１２５ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、１５１…ボートエレベータ、２００…ウエハ（基板）、２０２…処理炉、２１７…ボート（保持具）、２１９…シールキャップ。

Claims (17)

  1. 保持具に保持した状態で装入された基板を処理する処理室と、前記処理室の温度を計測する温度計測器と、少なくとも前記保持具に前記基板を搬送する搬送装置と、前記処理室の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する基板処理装置。
  2. 被処理体を処理する処理室の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器を前記搬送装置に取り付けるための冶具と、前記搬送装置に前記冶具を介して前記温度計測器を取り付けた状態で、前記搬送装置を昇降させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する温度計測システム。
  3. 被処理体を処理する処理室の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器及び前記搬送装置にそれぞれ接続されるコントローラと、を有する処理装置の温度計測方法であって、前記コントローラは、前記処理室の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理装置の温度計測方法。
  4. 被処理体を処理する処理室の温度を計測する温度計測器を取り付けた状態で昇降可能な搬送装置であって、前記温度計測器を取り付けるための冶具と、前記冶具と着脱可能な温度計測器支持機構の取付けまたは取外しを認識するセンサを備え、
    前記処理室の温度を計測する前に、予め設定された位置で前記治具に温度計測器支持機構が取り付けられ、前記処理室の温度を計測する際に前記温度計測器を取り付けた状態で昇降するように構成されている搬送装置。
  5. 処理室の温度が搬送装置に取り付けられた温度計測器によって計測される処理を行う処理装置を制御するためのコンピュータにおいて実行されるプログラムであって、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させる処理と、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理が実行される処理装置をコンピュータによって制御させるためのプログラム。
  6. 前記コントローラは、前記処理室の温度を測定するための所定のシーケンスを実行することにより、計測条件を変更させて前記処理室の温度を繰り返し計測するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  7. 更に、前記温度計測器を支持する温度計測器支持機構と、前記温度計測器支持機構が取り付けられる冶具と、前記冶具に設けられるセンサと、を有し、
    前記センサは、前記治具が前記温度計測器支持機構に取り付けられているかを検出する請求項１記載の基板処理装置。
  8. 前記搬送装置は、前記温度計測器支持機構を介して前記温度計測器に取り付ける前、または、前記温度計測による温度計測の前に、予め設定された位置に移動されるよう構成されている請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記コントローラは、前記搬送装置が所定の開始位置から外れている場合、前記所定のシーケンスを実行しないで終了するように構成されている請求項６記載の基板処理装置。
  10. 前記コントローラは、前記搬送装置が所定の終了位置に、所定時間内に到達しない場合に、前記所定のシーケンスによる温度計測を終了するように構成されている請求項６記載の基板処理装置。
  11. 前記コントローラは、前記温度計測器により計測された温度から温度補正値を算出するよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  12. 基板を処理する処理室と、前記基板を保持する保持具と、前記基板を保持具に搬送する搬送装置と、
    前記処理室の温度を計測する温度計測器を支持する温度計測器支持機構と、がそれぞれ設けられ、
    前記搬送装置は、予め設定された位置に移動され前記温度計測器支持機構が取付けられ、前記処理室の温度を計測するために前記温度計測器支持機構を介して前記温度計測器を昇降させるように構成されている基板処理装置。
  13. 被処理体を処理する処理室の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器を前記搬送装置に取り付けるための冶具と、がそれぞれ設けられ、前記搬送装置に前記冶具を介して前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を昇降させるよう構成されている温度計測システム。
  14. 保持具に保持した状態で装入された基板を処理する処理室と、前記処理室の温度を計測する温度計測器と、少なくとも前記保持具に前記基板を搬送する搬送装置と、前記処理室の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を降下させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する基板処理装置。
  15. 被処理体を処理する処理室の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器を前記搬送装置に取り付けるための冶具と、前記搬送装置に前記冶具を介して前記温度計測器を取り付けた状態で、前記搬送装置を降下させながら、前記温度計測器からの温度を取得するコントローラと、を有する温度計測システム。
  16. 被処理体を処理する処理室の温度を計測する温度計測器と、前記被処理体を搬送する搬送装置と、前記温度計測器及び前記搬送装置にそれぞれ接続されるコントローラと、を有する処理装置の温度計測方法であって、前記コントローラは、前記処理室の温度を計測する前に、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させ、前記処理室の温度を計測する際に、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を降下させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理装置の温度計測方法。
  17. 処理室の温度が搬送装置に取り付けられた温度計測器によって計測される処理を行う処理装置を制御するためのコンピュータにおいて、実行されるプログラムであって、前記搬送装置を、予め設定された位置に移動させる処理と、前記温度計測器を取り付けた状態で前記搬送装置を降下させながら、前記温度計測器からの温度を取得する処理が実行される処理装置を、コンピュータによって制御させるためのプログラム。





JP2014518416A 2012-05-28 2013-05-23 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体 Active JP6175432B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014518416A JP6175432B2 (ja) 2012-05-28 2013-05-23 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012121203 2012-05-28
JP2012121203 2012-05-28
JP2014518416A JP6175432B2 (ja) 2012-05-28 2013-05-23 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体
PCT/JP2013/064380 WO2013180010A1 (ja) 2012-05-28 2013-05-23 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013180010A1 JPWO2013180010A1 (ja) 2016-01-21
JP6175432B2 true JP6175432B2 (ja) 2017-08-02

Family

ID=49673208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014518416A Active JP6175432B2 (ja) 2012-05-28 2013-05-23 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10340164B2 (ja)
JP (1) JP6175432B2 (ja)
KR (1) KR101772546B1 (ja)
CN (1) CN104364888B (ja)
WO (1) WO2013180010A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10297481B2 (en) * 2013-03-21 2019-05-21 Tokyo Electron Limited Magnetic annealing apparatus
US9136243B2 (en) * 2013-12-03 2015-09-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements
JP6454425B2 (ja) * 2015-09-28 2019-01-16 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN108885993B (zh) * 2016-03-24 2019-12-10 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
CN107424947A (zh) * 2017-08-16 2017-12-01 君泰创新（北京）科技有限公司 薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统
US10978322B2 (en) * 2017-08-30 2021-04-13 Tokyo Electron Limited Transfer device, substrate processing apparatus, and transfer method
WO2020188675A1 (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN111755359B (zh) * 2019-03-26 2024-04-12 株式会社国际电气 基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法
US11915960B2 (en) * 2019-07-31 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
JP6916920B1 (ja) * 2020-03-04 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、治具、半導体装置の製造方法および基板処理装置の校正方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283163A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置およびその温度制御方法
US6193506B1 (en) * 1995-05-24 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates
JPH095172A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Kokusai Electric Co Ltd 温度測定方法
KR970017970A (ko) 1995-09-26 1997-04-30 김광호 반도체 제조공정의 화학반응장치
US5820366A (en) * 1996-07-10 1998-10-13 Eaton Corporation Dual vertical thermal processing furnace
KR100272245B1 (ko) 1997-09-30 2000-12-01 구자홍 번인 보드의 위치결정장치
JP4426024B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
JP2004022943A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20050067757A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-31 Takeshi Suga Sheet feeding apparatus and image forming apparatus having the same
CN100367460C (zh) * 2003-10-30 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 热处理装置及热处理方法
JP2008117810A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Sharp Corp 熱処理装置および熱処理装置における加熱条件取得方法
JP5273961B2 (ja) * 2007-07-20 2013-08-28 株式会社日立国際電気 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5373550B2 (ja) * 2009-10-26 2013-12-18 アズビル株式会社 温度制御装置および異常判定方法
JP2011109040A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Nikon Corp 半導体基板ホルダ及び温度検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013180010A1 (ja) 2013-12-05
US20150099235A1 (en) 2015-04-09
US10340164B2 (en) 2019-07-02
CN104364888A (zh) 2015-02-18
KR20150008128A (ko) 2015-01-21
KR101772546B1 (ko) 2017-08-29
CN104364888B (zh) 2017-02-22
JPWO2013180010A1 (ja) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6175432B2 (ja) 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体
JP6403431B2 (ja) 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
JP6545396B2 (ja) 基板処理装置、振動検出システム及びプログラム
JP6581718B2 (ja) 基板処理装置、コントローラ及び部品管理プログラム
JP6186000B2 (ja) 基板処理装置のメンテナンス方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理装置のメンテナンスプログラム
JP5546197B2 (ja) 基板処理システム、群管理装置および基板処理装置の情報解析方法
KR101549435B1 (ko) 관리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치의 파일 관리 방법
JP4917660B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法、装置状態遷移方法、基板処理装置の保守方法及び状態遷移プログラム
JP2015106575A (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、制御プログラム及び半導体装置の製造方法
JP2012018990A (ja) 統計解析方法及び基板処理システム
WO2011021635A1 (ja) 基板処理システム、群管理装置及び基板処理システムにおける表示方法
KR102206194B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7030772B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6823575B2 (ja) 基板処理装置、反応管及び半導体装置の製造方法
JP2011243677A (ja) 基板処理装置
JP2012119557A (ja) 基板処理装置
JP5273961B2 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2019062191A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2013074039A (ja) 群管理装置
JP5531003B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置のメンテナンス方法および半導体装置の製造方法
JP2014116453A (ja) データ取得方法及び基板処理装置の管理装置
JP2013239656A (ja) 基板処理装置
JP2011204865A (ja) 基板処理装置
JP2012216703A (ja) 基板処理装置
JP2013055239A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170608

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170621

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170710

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6175432

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250