JP2012018990A - 統計解析方法及び基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置が解析処理の対象とすべきでない状態にある時に発生したモニタデータを統計処理の対象から除き、統計処理の正確性を向上させる。
【解決手段】基板処理装置からモニタデータを受信し、モニタデータを基に代表値データを生成し、モニタデータの発生時における基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を代表値データに付加してデータベースに格納する工程と、代表値データ及び装置状態情報をデータベースから読み出し、装置状態情報毎に代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと装置状態情報とを比較し、読み出した代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する工程と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置から受信したモニタデータに対して解析処理を行う統計解析方法及び基板処理システムに関する。

レシピに基づく基板処理プロセス（バッチ処理）を繰り返し実行する基板処理装置内には、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置の状態を示すモニタデータ（例えば温度、ガス流量、圧力等の時系列データ）の発生箇所（例えば温度センサ、ガス流量計、圧力計など、以下これらをデータ発生箇所と呼ぶ）が多数存在する。従来、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置群の状態を統合的かつ効率的に管理するため、群管理装置（上位管理装置）が用いられてきた。群管理装置は、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置の状態を示すモニタデータを各基板処理装置から受信してデータベース（ＤＢ）に格納し、モニタデータに対して所定の解析処理を行うように構成されていた。

群管理装置は、データベースに格納されたモニタデータを所定期間（例えばレシピの開始から終了までの期間）分読み出し、読み出したモニタデータから例えば平均値、最大値、最小値、標準偏差等の代表値データを生成してデータベースに格納するように構成されている。そして、群管理装置は、最新の代表値データをデータベースに保存するタイミングで同じ条件で生成された過去の他の代表値データを読み出し、これらの代表値データを統計の母数として統計解析を行うように構成されている。

しかしながら、母数として扱う代表値データ中に不適切なデータが１つでも混在していると、予期せぬ解析結果が算出されてしまい、基板処理装置の健全性などに誤診断を生じさせてしまう場合がある。例えば、生産現場で基板処理装置のテストランを行ったり、基板処理装置に対するメンテナンスを行ったりした場合、テストランやメンテナンス実行時に基板処理装置にて発生したモニタデータ、すなわち、基板処理装置が解析処理の対象とすべきでない状態にある時に発生したモニタデータが群管理装置により収集され、係るモニタデータを基に生成された代表値データ（解析処理の対象とすべきでない代表値データ）がデータベースに格納されることがある。そして、このような代表値データを母数に含んだ状態で解析処理を行うと、基板処理装置の健全性を正確に判定することができず、誤診断を生じさせてしまう要因となる。また、データベースに格納された代表値データは、解析処理を実施する度に読み出されることから、以降の解析処理にも悪影響を与える場合がある。

本発明は、基板処理装置が解析処理の対象とすべきでない状態にある時に発生したモニタデータを統計処理の対象から除き、統計処理の正確性を向上させることが可能な統計解析方法及び基板処理システムを提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板を処理する基板処理装置から受信したモニタデータをデータベースに格納し、前記データベースに格納された前記モニタデータに対して解析処理を行う統計解析方法であって、前記基板処理装置からモニタデータを受信し、前記モニタデータを基に代表値データを生成し、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記データベースに格納する工程と、前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記データベースから読み出し、
前記装置状態情報毎に解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する工程と、を有する統計解析方法が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、前記群管理装置は、前記基板処理装置からモニタデータを受信する通信部と、前記モニタデータを前記通信部から受信して前記記憶部に読み出し可能に格納するモニタデータ受付部と、前記モニタデータ受付部が格納した前記モニタデータを前記記憶部から読み出し、前記モニタデータを基に代表値データを生成して、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記記憶部に格納する代表値生成部と、前記代表値生成部が格納した前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記記憶部から読み出し、前記装置状態情報毎に前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する判断部と、を備える基板処理システムが提供される。

本発明に係る統計解析方法及び基板処理システムによれば、基板処理装置が解析処理の対象とすべきでない状態にある時に発生したモニタデータを統計処理の対象から除き、統計処理の正確性を向上させることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置及び群管理装置のブロック構成図である。 本発明の一実施形態に係る群管理装置の内部動作を例示する模式図である。 本発明の一実施形態に係る除外パラメータを例示する模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。

（１）基板処理システムの構成
まず、図１を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成図である。

図１に示すとおり、本実施形態に係る基板処理システムは、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを実行する少なくとも一台の基板処理装置１００と、基板処理装置１００とデータ交換可能なように接続される群管理装置５００と、を備えている。基板処理装置１００と群管理装置５００との間は、例えば構内回線（ＬＡＮ）や広域回線（ＷＡＮ）等のネットワーク４００により接続されている。

（２）基板処理装置の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００の構成について、図５、図６を参照しながら説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。図６は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の側面透視図である。なお、本実施形
態に係る基板処理装置１００は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、成膜処理などを行う縦型の装置として構成されている。

図５、図６に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウエハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウエハ２００を搬送するキャリアとして使用される。

筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上にはポッド１１０が載置されて位置合わせされるように構成されている。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。

筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。

各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３と、を備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、
ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、で構成されている。図５に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ２００をボート（基板保持具）２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能なように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、基板処理系としての処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図５に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

ボート２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。

図５に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。

（３）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１００の動作について、図５、図６を参照しながら説明する。

図５、図６に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。

筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７
上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。

載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。

ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理室２０１内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。

（４）処理炉の構成
続いて、本実施形態に係る処理炉２０２の構成について、図７を用いて説明する。図７は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の処理炉２０２の縦断面図である。

図７に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１内は、後述するボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのジャケットヒータ２０６が設けられている。ジャケットヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。

後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２の上流側（ノズル２３０との接続側と反対側）には、図示しない複数個のバルブ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源、不活性ガス供給源、ＮＦ_３ガス等のクリーニングガス供給源等が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するように構成されている。主に、ノズル２３０、ガス供給管２３２、図示しない複数個のバルブ、ＭＦＣ２４１、各ガス供給源により、ガス供給系が構成される。

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｏｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御するように構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１
７を処理室２０１内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、搬送制御部２３８が電気的に接続されている。搬送制御部２３８は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。

上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ジャケットヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ジャケットヒータ２０６と温度センサ２６３とには、電気的に温度制御部２３７が接続されている。温度制御部２３７は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ジャケットヒータ２０６への通電具合を調整するように構成されている。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、搬送制御部２３８、温度制御部２３７は、基板処理装置１００全体を制御する表示装置制御部２３９に電気的に接続されている（以下、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、搬送制御部２３８、温度制御部２３７をＩ／Ｏ制御部とも呼ぶ）。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、搬送制御部２３８、温度制御部２３７、及び表示装置制御部２３９は、基板処理装置用コントローラ２４０として構成されている。基板処理装置用コントローラ２４０の構成や動作については、後述する。

（５）処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図７に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２の弁の開度がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ジャケットヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ジャケットヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。

次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２内を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００
の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド１１０内へ格納される（ウエハディスチャージ）。

（６）基板処理装置用コントローラの構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置用コントローラ２４０の構成について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１００及び群管理装置５００のブロック構成図である。

基板処理装置用コントローラ２４０は、処理炉２０２を制御する上述のＩ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）と、上記Ｉ／Ｏ制御部とデータ交換可能なように接続された上述の処理制御部２３９ａと、を備えている。処理制御部２３９ａは、Ｉ／Ｏ制御部を介して処理炉２０２の動作を制御するとともに、処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すデータを収集する（読み出す）ように構成されている。

基板処理装置用コントローラ２４０は、処理制御部２３９ａにデータ交換可能なように接続された主制御部としての表示装置制御部（操作部）２３９を備えている。表示装置制御部２３９には、ディスプレイ等のデータ表示部２４０ａとキーボード等の入力手段２４０ｂとがそれぞれ接続されるように構成されている。表示装置制御部２３９は、操作員による入力手段２４０ｂからの入力（操作コマンドの入力等）を受け付けると共に、基板処理装置１００の状態表示画面や操作入力受付画面等をデータ表示部２４０ａに表示するように構成されている。

また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された搬送制御部２３８と、搬送制御部２３８にデータ交換可能なように接続されたメカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａと、を備えている。メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａには、基板処理装置１００を構成する各部（例えばポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載機構１２５、ボートエレベータ１１５等）が接続されている。搬送制御部２３８は、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して基板処理装置１００を構成する各部の動作を制御するとともに、基板処理装置１００を構成する各部の状態（例えば位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）を示すデータを収集する（読み出す）ように構成されている。

また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続されたデータ保持部２３９ｅを備えている。データ保持部２３９ｅには、基板処理装置用コントローラ２４０に種々の機能を実現するプログラムや、処理炉２０２にて実施される基板処理工程の設定データ（レシピデータ）や、Ｉ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）や搬送制御部２３８から読み出した各種データ等が保持（記憶）されるように構成されている。

また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続された通信
制御部２３９ｂを備えている。また、図示しないが、上述のＩ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）や搬送制御部２３８は、処理制御部２３９ａや表示装置制御部２３９を介さずに通信制御部２３９ｂと直接データ交換可能なようにも接続されている。なお、通信制御部２３９ｂは、後述する基板処理装置１００とネットワーク４００を介してデータ交換可能なように接続されている。

通信制御部２３９ｂは、Ｉ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）を介して読み出した処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すモニタデータを、処理制御部２３９ａ及び表示装置制御部２３９を介して受信し、群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。また、通信制御部２３９ｂは、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して読み出した基板処理装置１００を構成する各部の状態（位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）を示すモニタデータを、搬送制御部２３８及び表示装置制御部２３９を介して受信し、群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。

また、通信制御部２３９ｂは、Ｉ／Ｏ制御部を介して読み出した処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すモニタデータを、処理制御部２３９ａ及び表示装置制御部２３９を介さずに直接受信して群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。また、通信制御部２３９ｂは、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して読み出した基板処理装置１００を構成する各部の状態（位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）を示すモニタデータを、表示装置制御部２３９を介さずに直接受信して群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。

図示しないが、上述のＩ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）や搬送制御部２３８は、処理制御部２３９ａ、表示装置制御部２３９、及び通信制御部２３９ｂを介さずに、群管理装置５００と直接データ交換可能なようにも構成されている。そして、Ｉ／Ｏ制御部は、読み出した処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すモニタデータを、処理制御部２３９ａ、表示装置制御部２３９、通信制御部２３９ｂを介さずに直接に群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。また、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａは、読み出した基板処理装置１００を構成する各部の状態（位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）を示すモニタデータを、表示装置制御部２３９や通信制御部２３９ｂを介さずに直接に群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。

（７）群管理装置の構成
続いて、上述の基板処理装置１００とデータ交換可能なように構成された本実施形態に係る群管理装置５００の構成について、主に図２〜図４を参照しながら説明する。

図２は、本実施形態に係る基板処理装置１００及び群管理装置５００のブロック構成図である。図３は、本実施形態に係る群管理装置５００の内部動作を例示する模式図である。図４は、本実施形態に係る除外パラメータ５０３ｔを例示する模式図である。

図２に示すように、群管理装置５００は、中央処理装置（ＣＰＵ）として構成された制御部５０１と、内部に共有メモリ５０２領域を有するメモリ（図示せず）と、ＨＤＤなどの記憶装置として構成された記憶部５０３と、表示手段としてのディスプレイ装置などのデータ表示部５０５と、キーボード等の入力手段５０６と、通信部としての通信制御部５０４と、を有するコンピュータとして構成されている。上述のメモリ、記憶部５０３、データ表示部５０５、入力手段５０６、通信制御部５０４は、内部バス等を介して制御部５０１とデータ交換可能なように構成されている。

（通信制御部）
通信部としての通信制御部５０４は、ネットワーク４００を介して基板処理装置用コントローラ２４０の通信制御部２３９ｂに接続されていると共に、Ｉ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）及びメカ制御部２４０ｃに接続されている。通信制御部５０４は、基板処理装置１００からモニタデータを受信し、共有メモリ５０２に渡すように構成されている。なお、共有メモリ５０２に渡されるモニタデータには、モニタデータを特定するデータＩＤと、モニタデータの発生時刻を示すデータ時刻情報と、生産情報データと、が付加されるように構成されている。なお、生産情報データには、モニタデータの発生源である基板処理装置１００を特定する装置特定情報（装置名称など）や、モニタデータ発生時に基板処理装置１００が実行していたレシピを特定するレシピ特定情報や、モニタデータの発生時に基板処理装置が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセス特定情報や、膜厚値やウエハ２００の移載ポジションを特定する情報等が含まれている。

（記憶部）
記憶部５０３には、第１格納プログラム、第２格納プログラム、判断プログラム及びデータベースプログラムがそれぞれ格納されている。制御部５０１は、少なくともモニタデータ受付部５１１と、代表値生成部５１２と、判別部５１３とを含み、これらの各プログラムを実行することにより、基板処理装置１００から送信されるモニタデータから解析処理で使用される代表値データを生成するように構成されている。すなわち、第１格納プログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、後述するモニタデータ受付部５１１を群管理装置５００に実現するように構成されている。第２格納プログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、後述する代表値生成部５１２を群管理装置５００に実現するように構成されている。判断プログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、後述する判断部５１３を群管理装置５００に実現するように構成されている。データベースプログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、モニタデータを読み出し可能に格納する第１格納部としてのデータベース５０３ａや、後述する代表値データ等を第２格納部としてのデータベース５０３ｂを、記憶部５０３内にそれぞれ実現するように構成されている。また、記憶部５０３には、基板処理装置１００の装置状態毎に代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータ５０３ｔが、読み出し可能に格納されている。

（除外パラメータ）
図４に例示するように、除外パラメータ５０３ｔには、基板処理装置１００の「装置状態情報」が複数登録される。除外パラメータ５０３ｔに登録される「装置状態情報」とは、統計処理の対象から除外され得る基板処理装置１００の状態をそれぞれ示す情報である。例えば、上述のガス供給系からクリーニングガスとしてのＮＦ_３ガスを処理室２０１内に供給することは、生産レシピの実行中には通常行われない。そのため、「レシピ実施中にＮＦ_３ガスを供給するガス供給系のバルブが一度でも開いた」という状態は、統計処理の対象から除外され得る状態、すなわち、除外したほうが好ましい場合がある状態として、除外パラメータ５０３ｔの「装置状態情報」に登録される。その他、「ポンプ電源がＯＦＦである」、「特定のジャケットヒータ温度が１００℃以下である」、「炉内温度がスタンバイ時より低い」、「製品ウエハの枚数が０枚である」、「受信したモニタデータの値が前回生成した代表値データ値の２倍以上である」、「基板処理装置のメンテナンスボタンが押下状態である」、「特定の装置アラームが発生している」等の状態も、統計処理の対象から除外され得る状態、すなわち、除外したほうが好ましい場合がある状態として、除外パラメータ５０３ｔの「装置状態情報」に登録される。

また、除外パラメータ５０３ｔに登録される「除外動作」とは、前述の「装置状態情報」毎に、基板処理装置１００から受信したモニタデータ（該モニタデータにより生成される代表値データ）を統計解析の対象に含めるか否かを定義する情報である。「除外動作」が「解析処理しない」と定義されていれば、後述する判断部５１３の判断により、受信したモニタデータは解析処理の対象から除外される。また、「除外動作」が「解析処理しない」と定義されていれば、後述する判断部５１３の判断により、受信したモニタデータは解析処理の対象に含まれる。このように、本実施形態では、「装置状態情報」だけではなく、「装置状態情報」と「除外動作」との対により、受信したモニタデータ（該モニタデータにより生成される代表値データ）を解析処理の対象に含めるか否かの方針が決定されるように構成されている。

なお、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」は、第２格納プログラムが起動するときに第２格納プログラムが管理するメモリ領域中に読み出され、代表値生成部５１２によって随時参照可能なように構成されている。また、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」及び「除外動作」は、判断プログラムが起動するときに判断プログラムが管理するメモリ領域中に読み出され、判断部５１３によって随時参照可能なように構成されている。

（モニタデータ受付部）
モニタデータ受付部５１１は、通信制御部５０４が受信して共有メモリ５０２に一時的に格納したモニタデータを、上述のデータＩＤ、データ時刻情報、生産情報データにそれぞれ関連づけて、記憶部５０３に実現された第１格納部としてのデータベース５０３ａに読み出し可能に格納するように構成されている。また、モニタデータ受付部５１１は、通信制御部５０４を介して基板処理装置１００から受信したモニタデータを分析し、基板処理装置１００に発生した各種イベントの内容を解釈するように構成されている。そして、基板処理装置１００にて実行中であったレシピが終了したと解釈した場合には、「レシピ終了通知」を、代表値生成部５１２に対して送信するように構成されている。なお、モニタデータ受付部５１１と代表値生成部５１２との通信は、例えば共有メモリ５０２を介して行われる。すなわち、モニタデータ受付部５１１が共有メモリ５０２に書き込んだ「レシピ終了通知」を、代表値生成部５１２が所定のタイミングで読み出すことで行われる。

（代表値生成部）
代表値生成部５１２は、モニタデータ受付部５１１から「レシピ終了通知」を受信したら、モニタデータ受付部５１１が格納したモニタデータを第１格納部としてのデータベース５０３ａから読み出し、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成するように構成されている。代表値データには、例えば、代表値の名称を示す“代表値名称”情報、平均・最大・最小・標準偏差などの代表値の計算条件を示す“代表値抽出条件”情報、代表値の抽出を行う区間（例えばステップ１０番やステップＤＥＰＯ等）を示す“代表値抽出区間”情報、実際に代表値を抽出した開始日時と終了日時を示す“代表値抽出時間”情報、代表値そのものを示す“代表値”情報、代表値を生成した日時を示す“代表値生成日時”情報、代表値計算に要した時間を示す“代表値計算時間”情報、代表値計算時に使用したデータ点数を示す“データ点数”情報等がそれぞれ格納される。そして、代表値生成部５１２は、生成した代表値データを、記憶部５０３に実現された第２格納部としてのデータベース５０３ｂに読み出し可能に格納するように構成されている。

また、代表値生成部５１２は、データベース５０３ａから読み出したモニタデータ（上述の代表値データの生成に用いたモニタデータ）を分析し、モニタデータの発生時における基板処理装置１００の状態が、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」により特定される状態のいずれかに一致するか否かを判定するように構成されている（除外パターンマッチ）。そして、モニタデータの発生時における基板処理装置１００の
状態が、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」のいずれかに一致する場合、例えば、「レシピ実施中にＮＦ_３ガスを供給するガス供給系のバルブが一度でも開いた」、「ポンプ電源がＯＦＦである」、「特定のジャケットヒータ温度が１００℃以下である」、「炉内温度がスタンバイ時より低い」、「製品ウエハの枚数が０枚である」、「受信したモニタデータの値が前回生成した代表値データ値の２倍以上である」、「基板処理装置のメンテナンスボタンが押下状態である」、「特定の装置アラームが発生している」のいずれかに該当する場合には、該当する「装置状態情報」を代表値データに付加してデータベース５０３ｂに読み出し可能に格納するように構成されている。なお、上述したように、代表値生成部５１２は、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」を随時参照可能なように構成されている。

データベース５０３ｂへの代表値データの格納及び除外パターンマッチが完了したら、代表値生成部５１２は、「代表値生成通知」を判断部５１３に対して送信するように構成されている。なお、代表値生成部５１２と判断部５１３との通信は、例えば共有メモリ５０２を介して行われる。すなわち、代表値生成部５１２が共有メモリ５０２に書き込んだ「代表値生成通知」を、判断部５１３が所定のタイミングで読み出すことで行われる。

（判断部）
判断部５１３は、代表値生成部５１２から「代表値生成通知」を受信したら、代表値生成部５１２が格納した代表値データ及び代表値データに付加されている「装置状態情報」を、データベース５０３ａから読み出すように構成されている。

そして、判断部５１３は、除外パラメータ５０３ｔに記載されている情報と、代表値データに付加されている「装置状態情報」とを比較し、読み出した代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する。すなわち、判断部５１３は、代表値データに付加されている「装置状態情報」に対応する「除外動作」を除外パラメータ５０３ｔから読み出し、「除外動作」が「解析処理しない」と定義されていれば、データベース５０３ｂから読み出した代表値データを解析処理の対象から除外する旨を決定する。また、「除外動作」が「解析処理する」と定義されていれば、データベース５０３ｂから読み出した代表値データを解析処理の対象に含める旨を決定する。その後、解析処理の対象に含める旨が決定された代表値データのみに対して解析処理が行われる。

なお、判断部５１３は、「代表値生成通知」により生成されたことが通知された最新の代表値データを読み出す際に、同じ条件で生成された過去の他の代表値データを読み出すように構成されている。そして、読み出した過去の代表値データのそれぞれに対して、解析処理の対象に含めるか否かを判定するように構成されている。そして、解析処理の対象に含める旨が決定された過去の代表値データのみを解析処理の母数に加えるように構成されている。これにより、解析処理の母数の品質を向上させ、統計処理の正確性を向上させることが可能となる。

なお、判断部５１３は、代表値データを解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を、代表値データに付加してデータベース５０３ｂに格納するように構成されていてもよい。このように構成することで、解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を再利用することができる。そして、過去の代表値データに対して解析処理の対象に含めるか否かの判定を繰り返し行う必要がなくなり、解析処理の効率を高めることが可能となる。

また、判断部５１３は、代表値データを解析処理の対象から除外する旨を決定した場合であっても、係る代表値データを破棄することなくデータベース５０３ｂに残しておくように構成されている。解析処理の対象に含めるか否かの方針は、代表値データをデータベース５０３ｂに残したまま、除外パラメータ５０３ｔに登録されている「除外動作」の内
容を書き換えることで変更されるように構成されている。そのため、当初は解析処理の対象に含めない予定であった代表値データを、過去に遡って容易に解析処理の対象に含めることができる。

（８）群管理装置の動作
続いて、本実施形態に係る群管理装置５００の動作について図３を参照しながら説明する。係る動作は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。

第１格納プログラム、第２格納プログラム、判断プログラム及びデータベースプログラムが、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、モニタデータ受付部５１１、代表値生成部５１２、判断部５１３、データベース５０３ａが起動する。

群管理装置５００の通信制御部５０４が、基板処理装置１００からモニタデータを受信し、共有メモリ５０２に格納する。

モニタデータ受付部５１１が、通信制御部５０４が受信して共有メモリ５０２に格納したモニタデータを、記憶部５０３に実現されたデータベース５０３ａに読み出し可能に格納する。また、モニタデータ受付部５１１は、通信制御部５０４を介して基板処理装置１００から受信したモニタデータを分析し、基板処理装置１００に発生した各種イベントの内容を解釈する。そして、基板処理装置１００にて実行中であったレシピが終了した解釈した場合には、「レシピ終了通知」を、代表値生成部５１２に対して送信する。

代表値生成部５１２が、モニタデータ受付部５１１が格納したモニタデータをデータベース５０３ａから読み出し、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成する。そして、代表値生成部５１２が、生成した代表値データを、記憶部５０３に実現された第２格納部としてのデータベース５０３ｂに読み出し可能に格納する。

また、代表値生成部５１２は、データベース５０３ａから読み出したモニタデータ（上述の代表値データの生成に用いたモニタデータ）を分析し、モニタデータの発生時における基板処理装置１００の状態が、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」により特定される状態のいずれかに一致するか否かを判定する（除外パターンマッチ）。そして、モニタデータの発生時における基板処理装置１００の状態が、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」のいずれかに一致する場合には、該当する「装置状態情報」を代表値データに付加してデータベース５０３ｂに読み出し可能に格納する。そして、代表値生成部５１２は、「代表値生成通知」を判断部５１３に対して送信する。

判断部５１３が、代表値生成部５１２が格納した代表値データ及び代表値データに付加されている「装置状態情報」を、データベース５０３ｂから読み出す。そして、判断部５１３は、除外パラメータ５０３ｔに記載されている情報と、代表値データに付加されている「装置状態情報」とを比較し、読み出した代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する。すなわち、判断部５１３は、代表値データに付加されている「装置状態情報」に対応する「除外動作」を除外パラメータ５０３ｔから読み出し、「除外動作」が「解析処理しない」と定義されていれば、データベース５０３ａから読み出した代表値データを解析処理の対象から除外する旨を決定する。また、「除外動作」が「解析処理する」と定義されていれば、データベース５０３ｂから読み出した代表値データを解析処理の対象に含める旨を決定する。

その後、解析処理の対象に含める旨が決定された代表値データのみに対して解析処理が
行われる。

（９）本発明の一実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態に係る代表値生成部５１２は、データベース５０３ａから読み出したモニタデータ（代表値データの生成に用いたモニタデータ）を分析し、モニタデータの発生時における基板処理装置１００の状態が、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」により特定される状態のいずれかに一致するか否かを判定する。そして、モニタデータの発生時における基板処理装置１００の状態が、除外パラメータ５０３ｔに格納されている「装置状態情報」のいずれかに一致する場合には、該当する「装置状態情報」を代表値データに付加してデータベース５０３ｂに格納する。また、本実施形態に係る判断部５１３は、代表値生成部５１２が格納した代表値データ及び代表値データに付加されている「装置状態情報」をデータベース５０３ｂから読み出し、除外パラメータ５０３ｔに記載されている情報と、代表値データに付加されている「装置状態情報」とを比較し、読み出した代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定するように構成されている。

これにより、解析処理の対象に含める旨が決定された代表値データのみに対して解析処理が行うようにすることが可能となる。そして、基板処理装置１００が解析処理の対象とすべきでない状態にある時に発生した代表値データ（すなわちモニタデータ）を統計処理の対象から除き、統計処理の正確性を向上させることが可能となる。

なお、代表値データを解析処理の対象に含めない旨の判定は群管理装置５００が自動で行うように構成されていることから、統計処理に関する作業員の工数を大幅に低減できる。例えば、テストランやメンテナンス時に群管理装置５００のモニタデータ収集機能や統計解析機能を停止しておく等の作業員の作業が不要になる。

（ｂ）本実施形態に係る判断部５１３は、「代表値生成通知」により生成されたことが通知された最新の代表値データを読み出す際に、同じ条件で生成された過去の他の代表値データを読み出すように構成されている。そして、過去の代表値データのそれぞれに対しても、解析処理の対象に含めるか否かを判定する。そして、解析処理の対象に含める旨が決定された過去の代表値データのみを解析処理の母数に加える。これにより、解析処理の母数の品質を向上させ、統計処理の正確性を向上させることが可能となる。

（ｃ）なお、本実施形態に係る判断部５１３が、代表値データを解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を、代表値データに付加してデータベース５０３ｂに格納するように構成されていれば、解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を再利用することができる。そして、過去の代表値データに対して解析処理の対象に含めるか否かの判定を繰り返し行う必要がなくなり、解析処理の効率を高めることが可能となる。

（ｄ）本実施形態では、「装置状態情報」だけではなく、「装置状態情報」と「除外動作」との対により、受信したモニタデータ（該モニタデータにより生成される代表値データ）を解析処理の対象に含めるか否かの方針を決定する。すなわち、「装置状態情報」の情報を除外パラメータ５０３ｔに残したまま、「除外動作」の内容を「統計解析する」又は「統計解析しない」のいずれかに書き換えることのみにより、上述の方針の変更や調整を容易に行うことが可能なように構成されている。これにより、基板処理装置１００の運用を行う現場作業員や、統計解析を行う作業員の負担を低減させることが可能となる。

（ｅ）本実施形態に係る判断部５１３は、代表値データを解析処理の対象から除外する旨
を決定した場合であっても、係る代表値データを破棄することなくデータベース５０３ｂに残しておく。そして、解析処理の対象に含めるか否かの方針は、代表値データをデータベース５０３ｂに残したまま、除外パラメータ５０３ｔに登録されている「除外動作」の内容を書き換えることで変更される。そのため、当初は解析処理の対象に含めない予定であった代表値データを、過去に遡って容易に解析処理の対象に含めることができる。例えば、図４では特定のジャケットヒータの温度が１００℃以下であった基板処理装置１００から受信したモニタデータは解析処理の対象に含めない旨が例示されているが、本実施形態に係る判断部５１３は、解析処理の対象に含めないと判定した代表値データを破棄することなくデータベース５０３ｂに残していることから、ジャケットヒータ温度状態に関する除外パラメータ５０３ｔの「除外動作」を「統計解析する」に書き換えるだけで、過去に遡って容易に解析処理の対象に含めることができる。

＜本発明の他の実施形態＞
本発明は、基板処理装置１００と群管理装置５００とが同じフロア（同じクリーンルーム内）に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置１００をクリーンルーム内に配置すると共に、群管理装置５００を事務所内（クリーンルームとは異なるフロア）に配置し、レシピの進行状況や基板処理装置１００の状態を遠隔から監視するようにしてもよい。

本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による成膜処理の他、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。

本発明は、本実施形態に係る半導体製造装置等のウエハ基板を処理する基板処理装置に限らず、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の望ましい態様について付記する。

（付記１）
基板を処理する基板処理装置から受信したモニタデータをデータベースに格納し、前記データベースに格納された前記モニタデータに対して解析処理を行う統計解析方法であって、
前記基板処理装置からモニタデータを受信し、前記モニタデータを基に代表値データを生成し、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記データベースに格納する工程と、
前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記データベースから読み出し、前記装置状態情報毎に前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する工程と、
を有する統計解析方法。

（付記２）
好ましくは、付記１の統計解析方法において、
更に、前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を前記代表値に付加して前記データベースに格納する工程を有する。

（付記３）
基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記基板処理装置からモニタデータを受信する通信部と、
前記モニタデータを前記通信部から受信して前記記憶部に読み出し可能に格納するモニタデータ受付部と、
前記モニタデータ受付部が格納した前記モニタデータを前記記憶部から読み出し、前記モニタデータを基に代表値データを生成して、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記記憶部に格納する代表値生成部と、
前記代表値生成部が格納した前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記記憶部から読み出し、前記装置状態情報毎に前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する判断部と、を備える
基板処理システム。

（付記４）
好ましくは、付記３に記載の基板処理システムであって、
前記判断部は、前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を前記代表値に付加して前記記憶部に格納する。

（付記５）
基板を処理する基板処理装置に接続される群管理装置であって、
前記基板処理装置からモニタデータを受信する通信部と、
前記モニタデータを前記通信部から受信して記憶部に読み出し可能に格納するモニタデータ受付部と、
前記モニタデータ受付部が格納した前記モニタデータを前記記憶部から読み出し、前記モニタデータを基に代表値データを生成して、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記記憶部に格納する代表値生成部と、
前記代表値生成部が格納した前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記記憶部から読み出し、前記装置状態情報毎に前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する判断部と、
を備える群管理装置。

（付記６）
好ましくは、付記５に記載の群管理装置であって、
前記判断部は、前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を前記代表値に付加して前記記憶部に格納する。

１００ 基板処理装置
２００ ウエハ（基板）
５００ 群管理装置
５０１ 制御部
５０２ 共有メモリ
５０３ 記憶部
５０３ａ データベース（第１格納部）
５０３ｂ データベース（第２格納部）
５０３ｔ 除外パラメータ
５０４ 通信制御部（通信部）
５１１ モニタデータ受付部
５１２ 代表値生成部
５１３ 判断部

Claims (3)

1. 基板を処理する基板処理装置から受信したモニタデータをデータベースに格納し、前記データベースに格納された前記モニタデータに対して解析処理を行う統計解析方法であって、
   前記基板処理装置からモニタデータを受信し、前記モニタデータを基に代表値データを生成し、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記データベースに格納する工程と、
   前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記データベースから読み出し、前記装置状態情報毎に前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する工程と、を有する
   ことを特徴とする統計解析方法。
2. 基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、
   前記群管理装置は、
   前記基板処理装置からモニタデータを受信する通信部と、
   前記モニタデータを前記通信部から受信して前記記憶部に読み出し可能に格納するモニタデータ受付部と、
   前記モニタデータ受付部が格納した前記モニタデータを前記記憶部から読み出し、前記モニタデータを基に代表値データを生成して、前記モニタデータの発生時における前記基板処理装置の状態を特定する装置状態情報を前記代表値データに付加して前記記憶部に格納する代表値生成部と、
   前記代表値生成部が格納した前記代表値データ及び前記装置状態情報を前記記憶部から読み出し、前記装置状態情報毎に前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かが予め定義された除外パラメータと前記装置状態情報とを比較し、読み出した前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かを判定する判断部と、を備える
   ことを特徴とする基板処理システム。
3. 前記判断部は、前記代表値データを解析処理の対象に含めるか否かの判定結果を前記代表値に付加して前記記憶部に格納する
   ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。

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