WO2014050808A1

WO2014050808A1 - 統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及び記録媒体

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Publication number: WO2014050808A1
Application number: PCT/JP2013/075686
Authority: WO
Inventors: 中野　稔; 斎藤　剛
Original assignee: 株式会社日立国際電気
Priority date: 2012-09-26
Filing date: 2013-09-24
Publication date: 2014-04-03
Also published as: JP6262137B2; JPWO2014050808A1; US20150253762A1

Abstract

基板処理装置から収集される各種情報を蓄積し、蓄積されたデータを利用して、半導体製造工場に設置された各基板処理装置の省エネルギ化に必要な情報を表示することにより、基板処理装置における省エネ対策の立案を容易に行うために、例えば、基板を処理する基板処理装置と、基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を含む管理装置を備える統合管理システムが提供される。

Description

[規則26に基づく補充 23.10.2013]　統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及び記録媒体

　本発明は、基板処理を実施する基板処理装置に接続される管理装置を備える統合管理システム、少なくとも一台の基板処理装置の各状態を示す情報を管理する管理装置、基板処理装置の情報表示方法及び記録媒体に関する。

　基板処理装置には、温度やガス流量等を示すデータ（モニタデータ）及び基板処理装置の稼動状態を示すデータ（イベントデータ）等の情報発生個所が多数発生する。従って、基板処理装置の状態を管理するため、基板処理装置とデータ交換可能なように接続された管理装置が用いられることがある。管理装置は、上述のような基板処理装置の稼動状態を示すデータ、基板処理装置のプロセス（基板処理）の進行状況を示すデータ及び処理対象である基板の搬送状況を示すデータなどを基板処理装置から受信し、受信した各データを蓄積部に読み出し可能に格納するように構成されている。そして、基板処理装置のユーザや保守員（以下、操作員とも呼ぶ）は、上述の管理装置を操作して蓄積部に格納された所定のデータを読み出して解析を行う。

　一方、近年、基板処理装置の一つである半導体製造装置が多数稼動している半導体製造工場においては、電力消費量の削減、温室効果ガスの削減などの省エネ対策を図ることが求められている。省エネ対策の立案には、装置稼働率、電力消費量、ガス消費量等を示すユーティリティデータを把握する必要がある。そこで、操作員は、省エネ対策に必要な電力消費量等のデータを特定する情報を適宜選択して管理装置に入力し、所定のデータを取得している。そして、読み出したデータを所定の解析方法に基づいて解析し、省エネ対策を図っている。

　ここで、電力消費量やガス消費量等の省エネ対策に必要なデータをモニタ（監視）するシステムは、基板処理装置で生産される製品の品質とは関係ない別のシステムである。このため、本システムを利用しても、管理装置に接続される一部の基板処理装置、もしくは一部の基板処理装置群に関するデータしか解析できない。従い、多数の基板処理装置が設置されている半導体製造工場での各基板処理装置の稼働率や、電力消費量、ガス消費流量等の省エネ対策に必要な各種データを把握することが困難であった。

　本発明は、半導体製造工場内に設置された各基板処理装置から収集される各種データを蓄積し、蓄積されたデータを利用して、各基板処理装置の省エネルギ化に必要なデータに加工して表示することが可能な統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及び記録媒体を提供することを目的とする。

　本発明の一態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置と、　前記基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を含む管理装置と、を備える統合管理システムが提供される。

　本発明の他の態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、　前記蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を備える管理装置が提供される。

　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積工程と、　前記蓄積工程で蓄積した情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示する表示工程と、を有する基板処理装置の情報表示方法が提供される。

　本発明の更に他の態様によれば、基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を所定のデータテーブルを作成して蓄積するステップと、　所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付け、前記所定のデータテーブルを繰返し検索するステップと、　前記検索による情報取得を終了するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムを読み取り可能な記録媒体が提供される。

　本発明に係る統合管理システム、管理装置及び基板処理装置の情報表示方法によれば、各基板処理装置の装置稼働率、電力消費量、不活性ガス消費量等の各種情報を表示することができるので、半導体製造工場全体（または特定のエリア全体）における省エネルギ化の状態、又は工場に設置された各基板処理装置について省エネルギ化の状態を示す各種情報を把握できる。更に、これらの情報を利用してデータ分析に行うことにより、省エネ対策に貢献することができる。

本発明の一実施形態に係る統合管理システムの概略構成図である。本発明の一実施形態にかかる管理装置の概略構成図である。本発明の一実施形態にかかるコマンド画面を例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかる蓄積部が作成するデータテーブルを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかる制御部が情報提供プログラムを実行する際のフロー図である。本発明の一実施形態にかかるオーバービュー画面を例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図であり、特定の装置（例えば、基板処理装置を暦日で表示させるラジオボタンが押下されたときに表示される図であり、（ａ）は、基板処理装置で消費される合計の電力消費量を示し、（ｂ）は、ヒータを加熱するのに供給される電力消費量を示し、（ｃ）は、ポンプを駆動するのに消費される電力消費量を示し、（ｄ）は、コントローラで消費される電力消費量を示す。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図であり、特定のエリアを暦週（一週間）で表示させるラジオボタンが押下されたときに表示される図であり、（ａ）は、特定のエリアに設置される基板処理装置全体で消費される合計の電力消費量を示し、（ｂ）は、特定のエリアに設置される基板処理装置（装置Ａ）の合計電力消費量を示し、（ｃ）は、特定のエリアに設置される基板処理装置（装置Ｂ）の合計電力消費量を示し、（ｄ）は、特定のエリアに設置される基板処理装置（装置Ｃ）の合計電力消費量を示す。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかるグラフを例示する概略図である。本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える縦型処理炉の縦断面概略構成図である。本発明の他の実施形態にかかる管理装置の概略構成図である。本実施形態で好適に用いられる枚葉式の装置の処理室部分の縦断面概略図である。本発明の更に他の実施形態にかかるオーバービュー画面を例示する概略図である。本発明の変形例にかかる制御部が情報提供プログラムを実行する際のフロー図である。

＜本発明の一実施形態＞　本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

（１）統合管理システムの構成　まず、本実施形態にかかる統合管理システム１０３の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態にかかる統合管理システム１０３の概略構成図である。

　図１に示すように、本実施の形態では、統合管理システム１０３が、複数の基板処理システム１００と、この基板処理システム１００とデータ交換可能なように構成され、基板処理システム１００を統合管理する統合管理装置としての管理装置５００と、を備えて構成されている。図１では、基板処理システム１００は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピを実行することで基板処理を実行する基板処理装置１０１と、この基板処理装置１０１とデータ交換可能なように接続された上位管理装置としての群管理装置１０２と、を備えて構成されている。なお、図１では、一台の基板処理装置１０１に対して一台の群管理装置１０２が設けられているが、この形態に限定されるものではない。例えば、複数の基板処理装置１０１に対して一台の群管理装置１０２が設けられていてもよい。また、基板処理システム１００には、群管理装置１０２が設けられていなくてもよい。すなわち、基板処理システム１００は、複数の基板処理装置１０１（基板処理装置群）だけで構成しても良い。また、統合管理システム１０３は、基板処理装置１０１だけで構成される複数の基板処理システム１００に対して、一台の群管理装置１０２を設けるように構成しても良い。また、図１に点線で示すように、群管理装置１０２から直接統合管理装置５００へデータが送信されるように構成しても良い。

（２）管理装置の構成　続いて、上述の基板処理システム１００とデータ交換可能なように構成された本実施の形態に係る管理装置５００の構成について、主に図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、本実施形態にかかる管理装置５００の概略構成図である。図３は、本実施形態にかかるコマンド画面を例示する概略図である。

　図１及び図２に示すように、管理装置５００は、基板処理システム１００とデータ交換可能なように接続されている。基板処理システム１００と管理装置５００との間は、例えば構内回線（ＬＡＮ）や広域回線（ＷＡＮ）等のネットワーク４００により接続されている。

　管理装置５００は、中央処理装置（ＣＰＵ）として構成された制御部５０１と、内部にメモリ領域を有するメモリ（ＲＡＭ）５０２と、ＨＤＤなどの記憶装置として構成された記憶部５０３と、表示手段としてのディスプレイ装置などの表示部５０８と、通信手段としての通信制御部５０４と、を有するコンピュータとして構成されている。上述のメモリ５０２、記憶部５０３、通信制御部５０４は、内部バス５０７等を介して制御部（ＣＰＵ）５０１とデータ交換可能なように構成される。また、制御部（ＣＰＵ）５０１は、図示しない時計機能を有している。また、メモリ５０２は、制御部（ＣＰＵ）５０１によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。管理装置５００には、ディスプレイ装置等の表示部５０８が接続されている。表示部５０８は、例えばタッチパネル等で構成されており、後述する図３に示すようなコマンド画面を表示したり、加工表示部５０６で作成されたグラフ等を表示したりする。

（通信制御部）　通信制御部５０４は、ネットワーク４００を介して後述する基板処理システム１００（基板処理装置１０１）が備えるコントローラ２８０に接続されている。通信制御部５０４は、基板処理システム１００からのモニタデータ等の情報を受信し、メモリ５０２に渡すように構成される。通信制御部５０４がモニタデータ等の情報を受信するタイミングとしては、所定のデータ取得間隔（例えば０．１秒間隔）の定期的なタイミングや、例えばレシピやステップが終了する等の所定のイベントが発生したタイミング、或いは情報が発生する毎のタイミング等がある。

（記憶部）　記憶部５０３は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）等から構成されている。記憶部５０３内には、例えば、基板処理システム１００の動作を制御する制御プログラムや、基板処理システム１００から基板処理装置１０１に関する情報を収集するデータ収集プログラム、基板処理システム１００から収集した情報のうち所定の情報を所定の形式で蓄積部５０５に格納するデータ蓄積プログラム、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたレシピ等が、読み出し可能に格納されている。また、記憶部５０３には、後述するデータ分析プログラムが格納されている。このデータ分析プログラムが制御部５０１により実行されることで、後述する蓄積部５０５内に格納されたデータテーブルが展開され、加工表示部５０６によりデータが加工され、後述する例えば図３に示すようなコマンド画面や、後述する例えば図６に示すようなオーバービュー画面等が表示されるように構成されている。

　ここで、データ蓄積プログラムは、後述する蓄積部５０５に蓄積される情報の管理を行うプログラムである。データ蓄積プログラムは、例えば、基板処理システム１００から収集した所定の情報を、データ分析プログラムからの要求により、所定のフォーマットで蓄積部５０５内に格納する。すなわち、データ蓄積プログラムは、基板処理システム１００から収集した所定の情報を、例えば図４に示すデータテーブルにして蓄積部５０５内に格納する。なお、データ蓄積プログラムは、制御部５０１により実行される。

　また、レシピは、後述の基板処理工程における各手順を後述のコントローラ２８０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものである。すなわち、レシピとは、例えば成膜された膜厚が目標値と一致するような、目的とする成膜処理等の基板処理工程が行えるように、時間ステップ毎に、温度設定値、ガス流量設定値、圧力設定値などの設定を行えるようにした仕組み（シーケンス）を有する、いわゆる実行テーブルである。このレシピを実行するための制御プログラムや搬送機構を制御するための搬送プログラム等を総称して、単にプログラムという。尚、本実施の形態において、プログラムには、上記レシピの他に、データ蓄積プログラムおよびデータ分析プログラム（情報提供プログラム）が含まれるのはいうまでもない。

　なお、管理装置５００は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）５０９を用意し、かかる記録媒体５０９を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施の形態に係る管理装置５００を構成することができる。なお、この汎用のコンピュータにプログラムを供給するための手段は、記録媒体５０９を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、記録媒体５０９を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。

（蓄積部）　蓄積部５０５は、基板処理システム１００から、上述のメモリ５０２を介して、基板処理装置１０１に関する情報を取得して読み出し可能に蓄積するように構成されている。蓄積部５０５としては、例えばＲＤＢ（Ｒｅｌａｔｉｏｎａｌ　Ｄａｔａ　Ｂａｓｅ）が構築される。

　蓄積部５０５には、例えば、基板処理システム１００の稼働状況に関する稼働情報や、基板処理システム１００で消費される電力に関する電力消費情報、基板処理システム１００で消費されるガスに関するガス消費量情報等の各種情報（データ）が基板処理システム１００から取得されて読み出し可能に蓄積される。図４は、本実施形態にかかる蓄積部５０５に作成されているデータテーブルを例示する概略図である。本実施の形態では、テーブルは、例えば、装置稼働時間情報と、レシピ特定情報と、電力消費情報とで少なくとも構成されている。尚、管理装置５００は、記憶部５０３とは別に、図示しない蓄積部５０５に相当する蓄積手段を個別に備え、例えば、データ蓄積プログラムを実行することにより、上記稼動情報、電力消費情報、ガス消費量情報等を含む情報が所定の形式で前記蓄積手段に格納されるように構成されていても良い。また、記憶部５０３に格納されているテーブルやプログラム等のファイルが、メモリ５０２に読み出されて制御部（ＣＰＵ）５０１に実行されることにより、蓄積部５０５が管理装置５００に実現されるように構成しても良い。

　以下、図４で示された蓄積部５０５に作成されているデータテーブルに関して詳述する。

　稼働情報は、情報の発生源である稼働している基板処理システム１００が備える基板処理装置１０１を特定する装置特定情報（装置名称、工場内のエリアを特定する測定箇所など）と、基板処理システム１００の稼働開始時刻及び稼働停止時刻を特定する稼働時間情報と、基板処理システム１００が備える基板処理装置１０１が実行した基板処理のレシピを特定するレシピ特定情報（レシピ名称、レシピの実行開始時刻及びレシピの実行停止時刻、レシピ終了状態（正常終了か異常終了）など）と、を有する。なお、本実施の形態において、装置稼働率(以後、単に稼働率と記載する場合がある)とは、基板処理システム１００が備える基板処理装置１０１が、１日（２４時間）のうち基板処理を実施するための所定のレシピを実行している時間の割合のことをいう。すなわち、レシピ終了後、次のレシピ開始までの間は、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）は稼働している状態ではないとする。従って、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）が稼働している時間は、基板処理のレシピが実行されている時間（レシピ実行時間）に相当し、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働開始時刻及び稼働停止時刻が、レシピの実行開始時刻及びレシピの実行停止時刻と一致する。

　電力消費情報は、基板処理装置１０１の装置電力消費量情報と、基板処理装置１０１の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する電力消費時間情報と、を有する。また、電力消費情報は、後述する基板処理装置１０１が備える加熱部であるヒータ２０７の電力消費量を示す加熱電力消費量情報と、ヒータ２０７の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する加熱時間情報と、を有してもよく、後述する基板処理装置１０１が備える排気部である真空ポンプ２４６の電力消費量を示す排気電力消費量情報と、真空ポンプ２４６の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する排気時間情報と、を有してもよく、後述する基板処理装置１０１が備えるコントローラ２８０の電力消費量を示す制御電力消費量情報と、コントローラ２８０の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する制御時間情報と、を有してもよい。

　装置電力消費量情報、加熱電力消費量情報、排気電力消費量情報、制御電力消費量情報として、例えば、単位（例えばｋＷｈ等）と、所定のデータ取得間隔内の各電力消費量の合計値、最大値、最小値、又は平均値のうちから選択される少なくともいずれか一つの情報とを示す。なお、本実施の形態では、蓄積部５０５は、各電力消費量情報として、所定のデータ取得間隔内の各電力消費量の平均値を取得して蓄積するようにしている。

　ガス消費量情報は、後述する不活性ガス供給系の不活性ガス消費量情報と、不活性ガス消費開始時刻及び不活性ガス消費停止時刻を特定する不活性ガス消費時間情報と、を有する。また、ガス消費量情報は、後述する処理ガス供給系の処理ガス消費量情報と、処理ガス消費開始時刻及び処理ガス消費停止時刻を特定する処理ガス消費時間情報と、を有してもよい。

　ガス消費量情報として、例えば、単位（例えばｋｍ^３やｌ等）と、所定のデータ取得間隔内の不活性ガス又は処理ガスの消費量の生データ（測定値）、合計値（積算値）、最大値、最小値、又は平均値のうちから選択される少なくともいずれか一つ以上の情報とを示す。なお、本実施の形態では、蓄積部５０５は、不活性ガス消費量情報又は処理ガス消費量情報として、所定のデータ取得間隔内の各ガス消費量の平均値を取得して蓄積するようにしている。

　なお、稼働情報、電力消費情報、ガス消費量情報の個数は、同一の所定期間内であってもそれぞれ異なる場合がある。すなわち、稼働情報のデータ取得間隔は、時間単位、あるいは日単位等で行われることが多い。また、電力消費情報のデータ取得間隔は、例えば電力センサのデータ収集間隔に依存し、例えば秒単位等で行われることが多い。また、ガス消費量情報は、例えばガス流量センサのデータ収集間隔に依存し、例えば秒単位等で行われることが多い。処理ガス消費量情報は、基板処理の内容に応じて１秒以下のデータ収集間隔の場合もある。不活性ガス消費量情報は、基板処理時は処理内容に応じて１秒以下のデータ収集間隔で行われ、一方、処理室に連接されている移載室内をパージするために、ガス供給部から不活性ガスを移載室内に供給するときは、時間単位、あるいは日単位のデータ収集間隔で行われる。このように、データ取得間隔は、使用される用途にも依存する。

　なお、図４に示すデータテーブルでは、電力消費情報等の項目に処理ガス消費量情報及び不活性ガス消費量情報のガス消費量情報が含まれているが、この形態に限定されるものではない。例えば、ガス消費量情報を別の項目としてもよいのはいうまでもない。更に、例えば冷却水の流量（供給量）等を項目に追加してもよく、本実施の形態に限定しなくてもよいのはいうまでもない。

（加工表示部）　管理装置５００の起動と共に、記憶部５０３に格納されているテーブルやプログラム等のファイルと同様にデータ分析プログラムが、メモリ５０２に読み出される。そして、制御部５０１が、例えば後述する図３に示すコマンド画面から、例えばデータ表示要求（指示）等の指令を受信すると、読み出されたデータ分析プログラムが制御部（ＣＰＵ）５０１に実行されることにより、加工表示部５０６が、管理装置５００に実現されるように構成されている。次に、加工表示部５０６は、蓄積部５０５内に構築されているデータテーブルを検索して、蓄積部５０５に蓄積された稼働情報、電力消費情報又はガス消費量情報等の少なくともいずれかの情報を含む情報から、指定された所定の情報を、指定された所定期間で抽出するように構成されている。そして、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から抽出した情報と、かかる情報に関連付けられた時間情報等を計算して作成した省エネルギ化の指標となる情報とを、メモリ５０２に一時的に保持するように構成されている。

　ここで、後述する基板処理装置１０１が備える制御部としてのコントローラ２８０が管理装置５００と同様な構成を備えていても良い。この場合、コントローラ２８０は記憶部５０３とは別に、上述の蓄積部５０５に相当する蓄積部を備えていてもよい。そして、コントローラ２８０は、例えば、図示しないデータ蓄積プログラムを実行することにより、上述の稼動情報、電力消費情報、ガス消費量情報等を含む情報が所定の形式で蓄積部に格納されるように構成されていても良い。このとき、コントローラ２８０が、上述したような加工表示部５０６を具備し、データ分析プログラムを実行することでコントローラ２８０が備える加工表示部５０６が実現されるように構成されていてもよい。同様に、群管理装置１０２の制御部としてのコントローラが管理装置５００と同様な構成を備え、このコントローラがデータ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを実行するように構成されていても良い。

（３）管理装置の動作　続いて、本実施形態にかかる管理装置５００の動作について説明する。

　まず、管理装置５００が起動されると、記憶部５０３に格納されている各プログラムの実行が開始される。これにより、例えば、データ収集プログラムが実行され、通信制御部５０４が、時刻データが付加されたモニタデータ等を含む各種データを基板処理装置１０１から受信し、メモリ５０２に渡す。次に、制御部５０１が、メモリ５０２に格納されている基板処理装置１０１に関する情報を読み出し、蓄積部としての蓄積部５０５に格納する。本実施の形態においては、制御部５０１がデータ蓄積プログラムを実行することで、所定の情報を所定の形式（例えば図４に示すようなデータテーブルの形式）で、蓄積部５０５に格納する。なお、制御部５０１がデータ分析プログラムを実行することで、所定の情報を所定の形式で、蓄積部５０５に格納してもよい。また、制御部５０１がデータ分析プログラムの実行を開始すると、加工表示部５０６が、蓄積部５０５に格納された情報を所定の条件に従いデータテーブルを検索して、前記所定の条件で指定された所定の情報を取得し、加工する。

（コマンド画面）　図３は、本実施形態にかかるコマンド画面を例示する概略図である。図３に示されるように、コマンド画面上のラジオボタンが押下されることで、データ分析プログラムの開始設定が行われる。また、コマンド画面は、ラジオボタンが押下された場合、押下されたラジオボタンが色分け表示されるように構成されている。

　ここで、項目『工場全体』は、蓄積部５０５内の半導体製造工場に設置されている全ての基板処理装置１０１に関する情報を加工して表示部５０８に表示するように構成されていることを示す。尚、全ての基板処理装置１０１を表示対象の基板処理装置として固定する必要は無く、例えば、周期的なメンテナンスや異常が発生して停止した基板処理装置を表示対象から除外するようにしても良い。但し、半導体製造工場に設置されている全ての基板処理装置１０１に関する情報を表示することが好ましい。

　また、項目『エリア』は、蓄積部５０５内の半導体製造工場内の特定のエリア、例えば、あるフロアに設置されている全ての基板処理装置１０１（又は基板処理装置群）に関する情報を加工して表示部５０８に表示するように構成されていることを示す。具体的には、例えば３階建ての建屋で、あるフロア（例えば、２階）が『エリア１』、『エリア２』、『エリア３』の３つのエリアに分けられている場合、２階のフロア全体に設置されている全ての基板処理装置１０１（又は基板処理装置群）を、『エリア１』、『エリア２』、『エリア３』の３つのエリアにさらに分け、図３で示されるようなコマンド画面に、項目『エリア１』、『エリア２』、『エリア３』を表示させて選択するように構成してもよい。

　また、項目『基板処理装置』は、蓄積部５０５内の半導体製造工場に設置されている特定の基板処理装置１０１に関する情報を加工して表示部５０８に表示するように構成されていることを示す。このとき、上述したように、他の項目を別画面で表示させて選択するように構成しても良い。また、例えばメーカ別、製造ライン別、装置型式別等に選択して表示できるように構成しても良い。

　また、項目『暦月』、『暦週』、『暦日』は、それぞれ月毎、週毎、日毎に蓄積部５０５内の情報を加工して表示部５０８に表示するように構成されていることを示す。つまり、これらの項目を選択することで、蓄積部５０５内のデータ検索を行う周期が指定される。項目『暦月（年度比較）』は、当月から所定の期間、例えば６ヶ月間、本年度の情報と昨年度の情報との比較が行われることを示す。

　図３に示すコマンド画面は表形式で表示されており、項目として『工場全体』、『エリア』、『基板処理装置』、『歴月』、『歴週』、『歴日』が示されているが、この形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。すなわち、例えば、コマンド画面は、新規に項目を追加する、項目を削除する等、任意に変更できるように構成されている。項目として、上述のコマンドの他、例えば『ライン』、『前工程』等を表示させてもよい。項目『ライン』は、半導体製造工場内の半導体装置（デバイス）を製造するライン（以後、製造ラインと称する）のうち、所定の製造ラインに設置されている複数の基板処理装置１０１に関する情報を蓄積部５０５から取得し、この取得した情報を加工して表示部５０８に表示することを示す。項目『前工程』は、半導体製造工場内で、例えば、成膜装置、アニール装置、酸化装置等の前工程で使用される基板処理装置１０１に関する情報を蓄積部５０５から取得し、この取得した情報を加工して表示部５０８に表示することを示す。また、項目『後工程』を同様に表示させてもよい。例えば、露光装置、乾燥装置、塗布装置、加熱装置等の後工程で使用される基板処理装置１０１に関する情報を蓄積部５０５から取得し、この取得した情報を加工して表示部５０８に表示することを示す。また、例えば半導体製造工場が３階建ての建屋である場合、図３に示すコマンド画面に、１階に設置されている基板処理装置１０１等を示す項目『フロア１』を始め、『フロア２』や『フロア３』を表示させ、建屋のフロア毎に選択するように構成しても良い。この場合、各フロアに設置されている基板処理装置１０１、又は、基板処理装置１０１に関する情報を蓄積部５０５から取得し、この取得した情報を加工して表示部５０８に表示することを示す。また、例えば半導体製造工場内に複数の群管理装置１０２が配置され、例えば、管理装置５００、群管理装置１０２、基板処理装置１０１の３階層で構成される場合、図３に示すコマンド画面に、『管理』等を表示させ、少なくとも一台の基板処理装置１０１等に接続されている群管理装置１０２毎に選択できるように構成しても良い。ここで、基板処理装置１０１に関する情報は、モニタデータ及びイベントデータだけでなく、基板処理装置１０１で消費されたユーティリティデータに関する情報（電力消費情報、不活性ガス消費情報、冷却水流量情報）、又は、基板処理装置１０１で実行されたレシピに関する情報（レシピ特定情報）等も含むのは言うまでも無い。

　尚、本実施の形態において、以下、基板処理装置１０１を中心に説明するが、表示対象は、基板処理装置１０１に限定されず、基板処理装置１０１以外の他の装置であっても良い。例えば、膜厚測定器やパーティクルカウンタ等を表示対象としても良い。更に、基板処理結果（例えば、膜厚等）のデータ等に関する情報も蓄積部５０５に蓄積するようにしても良い。

　次に、制御部５０１は、例えば、図３に示すコマンド画面から例えばデータ表示要求（指示）等の指令を受信すると、データ分析プログラムを実行することにより加工表示部５０６を実現する。そして、加工表示部５０６は、蓄積部５０５に蓄積された情報のうち、上記指令により指定された所定期間内の所定の基板処理システム１００の情報を取り出す。そして、取り出した情報と、かかる情報に関連付けられた時間情報とを加工してメモリ５０２に保持する。

　例えば、加工表示部５０６は、所定期間内に基板処理システム１００（又は基板処理装置１０１）の実行した基板処理のレシピを特定するレシピ特定情報（レシピ名称、レシピの実行開始時刻及びレシピの実行停止時刻、レシピ終了状態）から基板処理装置１０１の稼働率を算出する。

　例えば、加工表示部５０６は、所定期間内に基板処理システム１００（又は基板処理装置１０１）の稼働開始時刻及び稼働停止時刻が発生した回数を計算して合計稼働回数を算出し、算出した合計稼働回数を、上記指令により指定された所定期間に関連付けられた時刻情報に基づいてグラフや表等を作成し、表示部５０８に表示させる。

（情報提供プログラム）　次に、本実施の形態に係るデータ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを含む情報提供プログラムを実行する様子を、主に図５を用いて説明する。図５は、制御部５０１（ＣＰＵ）がデータ分析プログラムを含む情報提供プログラムを実行する際のフロー図である。

　まず、管理装置５００に電源が投入されると、制御部５０１が起動される。そして、制御部５０１が、記憶部５０３内からデータ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを含む各種プログラムを取得する。制御部５０１によって、取得した各種プログラムがメモリ５０２に送信されると、メモリ５０２が各種プログラム読み込み、メモリ５０２内に展開される。これにより、各種プログラムが起動されて、各種プログラムの実行が開始される（Ｓｔｅｐ１）。

　制御部５０１は、データ蓄積プログラムを実行して、例えば、稼働情報、電力消費情報、不活性ガス消費情報などのユーティリティデータについて、蓄積部５０５内に所定のデータテーブルを作成する。なお、本実施の形態において、特に図示しないが、制御部５０１がデータ蓄積プログラムを実行することで、温度やガス流量等を示すデータ（モニタデータ）及び基板処理装置１０１の稼働状態を示すデータ（イベントデータ）についても同様に、データテーブルを作成しているのは言うまでもない。なお、上述のデータテーブルの作成は、制御部５０１がデータ蓄積プログラムを実行することによって行われる場合に限らず、制御部５０１がデータ分析プログラムを実行することによって行われてもよい。すなわち、データ分析プログラムに、上述のデータテーブルを作成する機能を追加しても良い（Ｓｔｅｐ２）。

　次に、制御部５０１により起動されたデータ分析プログラムが、メモリ５０２内に展開されて待機状態となる。すなわち、表示部５０８に、例えば図３に示すコマンド画面が表示されて、ラジオボタン等のボタンの押下を待つ。なお、本実施の形態においては、例えば図３に示すコマンド画面から所定のラジオボタンが押下されると、データ分析プログラムが実行されるように構成されている。そして、ラジオボタン等のボタンが押下されて、データ分析プログラムが実行されると、データ表示要求（指示）が制御部５０１に送信される（Ｓｔｅｐ３）。尚、本実施の形態に限定されることはなく、例えば、本ステップ（Ｓｔｅｐ３）で図３に示すコマンド画面ではなく、図６のオーバービュー画面が表示されるように構成してもよい。

　ラジオボタン等のボタンが押下され、制御部５０１がデータ表示要求（指示）を受信すると、制御部５０１は、データ表示要求（指示）データの内容を確認し、所定の条件を導出する（Ｓｔｅｐ４）。

　次に、制御部５０１は、データ蓄積プログラムを実行して、上述の所定の条件に基づいて、蓄積部５０５内のデータテーブル(図４)を検索し、所定のデータ（情報）を取得する（Ｓｔｅｐ５）。次に、本実施の形態においては、制御部５０１が、メモリ５０２を介して検索した結果を受け取り、データの取得が終了したか否か判断する（Ｓｔｅｐ６）。制御部５０１がデータの取得が終了したと判断した場合、次のステップ（Ｓｔｅｐ７）へ移行する。制御部５０１がデータの取得が終了していないと判断した場合、再度上述のＳｔｅｐ５へ戻る。そして、データ蓄積プログラムにデータの検索を行わせ、所定の条件を満たすデータを取得する。全てのデータを取得するまで、同様の動作が繰り返される。具体的に、図６のオーバービュー画面について補足すると、上記Ｓｔｅｐ５において、図３のラジオボタンの押下で指示されるデータ（表示期間及び表示範囲を示すデータ）に基づいて、基板処理装置１０１で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び基板処理装置１０１の装置稼働率に関連する情報が少なくとも取得される。

　制御部５０１がデータの取得が終了したと判断したら、制御部５０１は、データ分析プログラムを実行して、取得したデータを加工する（Ｓｔｅｐ７）。例えば、上述の所定の条件に従い、基板処理装置１０１で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び基板処理装置１０１の装置稼働率のうち、少なくともいずれか一つの所定期間のデータを作成する。ここで、電力消費量について説明すると、例えば１時間当たりの電力消費量を、２４時間分積算し、１日の電力消費量データを作成する。そして、１日分の電力消費量データを７日分積算し、１週間の電力消費量データを作成する。また、１日分の電力消費量データを１ヶ月分積算し、１ヶ月の電力消費量データを作成する。また、場合に応じて１日分の電力消費量データを１年分積算し、１年の電力消費量データを作成することが可能である。制御部５０１は、データ分析プログラムを実行して、不活性ガス消費量及び基板処理装置１０１の装置稼働率も、同様に不活性ガス消費量データ、装置稼働率データをそれぞれ１日分作成し、この１日分のそれぞれのデータを基に算出する。具体的には、所定の条件に応じて、１年分の不活性ガス消費量データ及び装置稼働率データが、１週間分、１か月分と積算され、不活性ガス消費量及び基板処理装置１０１の装置稼働率が作成される。また、所定の条件に従い、工場全体に設置されている基板処理装置１０１について、取得データの加工が行われる。図６のオーバービュー画面では、上記Ｓｔｅｐ７において、Ｓｔｅｐ５で取得された情報（基板処理装置１０１で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び基板処理装置１０１の装置稼働率に関連する情報）に基づいて、所定の表示期間における稼働状態（エリア内の基板処理装置１００の稼働状態を示す情報）、合計電力消費量（エリア内に配置された全ての基板処理装置１００の電力消費量を合計した情報）、合計Ｎ２ガス消費量（エリア内に配置された全ての基板処理装置１００が消費したＮ２ガス量を合計した情報）、平均稼働率（エリア内に配置された全ての基板処理装置１００のレシピ実行状態を示す情報）がエリア毎に作成される。

　そして、制御部５０１は、データ分析プログラムを実行させて、上述の所定の条件に基づいて、加工されたデータを所定の形式で例えば表示部５０８に表示する（Ｓｔｅｐ８）。特に、図３（コマンド画面）で項目『工場全体』、及び項目『月暦』、『歴週』、『歴日』のうちいずれか一つが選択されると、図６で示すようなオーバービュー画面が表示される。図３（コマンド画面）で項目『エリア』または『基板処理装置』が選択されると、所定のデータ（情報）をグラフ形式で表示部５０８に表示されるように構成する。また、これにより、電力消費量データ、不活性ガス消費量データ、装置稼働率データを突き合せたとき、視認性を向上させることができる。なお、表示されるグラフの形式は、本実施の形態に限定されない。ここで、項目『エリア』及び項目『月暦』、『歴週』、『歴日』のうちいずれか一つが選択されると、図６で示すようなオーバービュー画面が表示されるように構成してもよいのは言うまでもない。

　制御部５０１は、加工したデータを所定の形式で表示したら、上述のステップ（Ｓｔｅｐ３）に戻り、次のデータ表示要求（指示）を待つ。よって、本実施の形態によれば、後述する図６のオーバービュー画面及び図７～図１４のグラフから所定のボタンが押下されても、データ分析プログラムが制御部５０１により実行されるように構成されている。なお、本実施の形態において、このようなデータ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを含む情報提供プログラムの終了は、管理装置５００の電源が切られたときであるのは言うまでもない。

［実施例１］（オーバービュー画面）　次に、実施例１として、図３に示すコマンド画面において、項目『工場全体』及び『月暦』を示すラジオボタンが押下された場合に表示されるオーバービュー画面の一例を、図６を用いて説明する。なお、オーバービュー画面とは、コマンド画面で選択された項目の条件を満たす基板処理装置１０１の動作内容の概略を示す画面である。ここでの動作内容は、省エネルギ化の状態を示す情報に関する内容である。なお、図示されていないが、基板処理装置１０１で使用される（冷却）水の流量（消費量）を表示するようにしても良いのはいうまでも無い。

　ここで、図６に示す本実施例では、『日による選択』の項目に『２０１２／４／１０』と表示されている。従って、図６に示すオーバービュー画面を表示させた日は、２０１２年４月１０日である。この場合、デフォルトで表示期間は、２０１２年３月１日から２０１２年３月３１日となるように構成されている。これは『年月による選択』の項目が『２０１２／０３』の検索が押下された場合と同じになるためである。図６に示す画面において、表示期間は、『期間による選択』の設定を変更することで、例えば、２０１２年３月１０日から２０１２年４月１０日に変更できることは言うまでも無い。すなわち、図６に示す画面で、『年月による選択』（期間の変更）、『期間による選択』（期間の変更）、『日による選択』（期間の変更なし）が可能である。

　また、図６では、工場全体がエリア１～エリア６の６つのエリアに区分けされ、各エリアにそれぞれ所定数の基板処理装置１０１等が配置されている様子が示されている。尚、各エリアはそれぞれ、基板処理装置１０１を稼動するための所謂クリーンルームである必要は無く、例えば、基板処理装置１０１を構成する部品（ヒータ２１７等）を開発するためのエリア（例えば、実験室等）であっても良い。また、全ての基板処理装置１０１を表示対象として固定する必要は無いが、特定のエリアに設置されている全ての基板処理装置１０１に関する情報を表示することが好ましいことは言うまでも無い。

　項目『装置名称』には、装置名称が示される。基板処理装置１０１等には、一般的に例えば「２８号機」のような名称が付けられている。

　項目『機種』には、機種の名称が示される。本実施例では機種の名称をアルファベットで示している。例えば、同じアルファベットが付けられていれば、装置名称が異なっていても、同様の基板処理が実施される（例えば、同じ膜が形成される）ことを示す。また、本実施例では、例えば、アルファベット一文字は、成膜処理等を行う基板処理装置を示し、アルファベット２文字は、膜厚測定器、抵抗測定器、パーティクルカウンタなどの測定器を示している。

　項目『状態』には、稼動中か休止中のどちらかが示される。基板処理装置１０１内に基板が搬入されているか否かに関わらず基板処理装置１０１が停止状態（例えば、メンテナンス中）でない限り稼働中である。なお、項目『状態』は、稼働中と休止中とで色分表示してもよい。同様に上述の測定器に関しては、測定しているかどうかではなく、電源がＯＮ状態かＯＦＦ状態かで、稼動中か休止中のどちらかが表示される。

　項目『責任者』には、メーカ名や装置管理者などが示されている。本実施例では、例えば、項目『機種』と同様に、装置管理者をアルファベットで表示している。

　尚、項目『装置名称』、項目『機種』、項目『責任者』は、それぞれ適宜編集可能であるのはいうまでも無い。例えば、機種の名称や装置管理者は、本実施例のようなアルファベットだけに限定されず、アルファベットと数字の組合せなど種々の構成で示されても良い。

　項目『電力』には、各基板処理装置１０１で使用された電力消費量が示されている。すなわち、図６に示す場合、２０１２年３月１日から２０１２年３月３１日の間に使用された電力消費量が示されている。

　項目『Ｎ_２』には、各基板処理装置１０１で使用された窒素（Ｎ_２）ガス消費量が示されている。すなわち、図６に示す場合、２０１２年３月１日から２０１２年３月３１日の間に使用されたＮ_２ガス消費量が示されている。なお、図６では、項目『Ｎ_２』は全て０（ゼロ）であるが、実際には、数値が表示される。

　項目『稼働率』には、基板処理装置１０１が２４時間（１日）のうちレシピを実行している時間（割合）の１ヶ月（表示期間）における平均値が示されている。図６では、稼働率は、平均値を割合（％）で表示している。なお、項目『稼働率』で示される値が閾値から外れた場合、管理装置５００は異常と判断し、例えば赤色等で表示してもよい。

　また、項目『電力』、項目『Ｎ_２』、項目『稼働率』は、同じ機種間で数値比較を行い、最大数値及び最小数値を、色分して表示しても良い。また、各項目でそれぞれ適当な閾値を予め決めておき、例えば各項目でそれぞれ示される値が、所定の閾値を超えた場合と超えない場合とで色分して表示しても良い。

　次に、各エリアに関する項目について説明する。項目『稼動状態』には、各エリア内に配置される基板処理システム１００（または基板処理装置１０１）のうち、項目『状態』が稼働中である基板処理システム１００（または基板処理装置１０１）の割合が示されている。

　項目『合計電力消費量』には、各エリア内に配置される基板処理装置１０１のそれぞれの項目『電力』で表示される電力消費量の総和が示されている。また、項目『合計Ｎ_２消費量』には、各エリア内に配置される基板処理装置１０１のそれぞれの項目『Ｎ_２』で表示されるＮ_２ガス消費量の総和が示されている。

　項目『平均稼働率』には、各エリア毎の稼働中の基板処理システム１００（または基板処理装置１０１）の数（台数）で項目『稼働率』で表示される数値の総和を平均したものが示されている。すなわち、（各エリア内の『稼働率』で表示される数値の合計／各エリア内の稼働中の基板処理装置１０１の台数）×１００で求められる数値である。

　なお、図６に示す項目『装置名称』のうち、２６号機及び４７号機は、枚葉型の基板処理装置を示している。先ず、２６号機は、３つの処理室を備えている。よって、項目『装置名称』には、２６－１号機、２６－２号機、２６－３号機という名称が付けられている。また、項目『機種』は、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３と表示されている。ここで、項目『電力』には、各処理室毎の消費電力量がそれぞれ表示されており、２６－１号機、２６－２号機、２６－３号機のそれぞれの電力消費量の総和は、２６号機の電力消費量と同じになる。また、責任者は、同じ人（全て、アルファベットのＦで記載）であるが、処理室毎に、責任者を適宜変更しても良い。なお、項目『機種』も同様に、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３と表示されているが、適宜変更可能に構成されている。４７号機も同様に各項目が表示されているが、項目『装置名称』４７－１の項目『機種』ＰＭ１は、項目『状態』が稼働中だが、項目『装置名称』４７－２の項目『機種』ＰＭ２は、項目『状態』が休止中（メンテナンス中）であることが分かる。

　このように、実施例１によれば、各基板処理装置の装置稼働率、電力消費量、不活性ガス消費量等の各種情報を画面上に表示することができるので、半導体製造工場全体（または特定のエリア全体）における省エネルギ化の状態、又は工場に設置された各基板処理装置について省エネルギ化の状態を示す各種情報を一括して把握できる。また、半導体製造工場全体（または特定のエリア全体）に設置された基板処理装置等の個々の省エネルギ化の詳細状態を把握することにより、これらの情報を利用してデータ分析に行うことにより、省エネ対策に貢献することができる。例えば、装置稼働率が低い基板処理装置１０１を一つのエリアに集約し、このエリア以外の基板処理装置１０１による縮退運用を行うようにするなどの省エネ対策を施すことができる。これにより、半導体製造工場全体における省エネ効果が期待できる。

　図６に示すオーバービュー画面上で、例えば、エリア１内の項目『装置名称』が押下されると、データ分析プログラムが実行され、エリア１内の全ての装置が選択される。ここで、図１４は、図６に示すエリア１内の３号機と５号機とが選択された後、項目『稼働率』が押下されたときの画面である。図６と図１４とでは、同じ３号機（または５号機）であっても稼働率が異なるが、例えば、図６における表示期間等の違いにより稼働率は異なるため、重要ではない。

　また、加工表示部５０６は、図１４に示すように、例えば、所定期間の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働状況を、時間軸と一致させて表示させてもよい。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の稼働開始時刻及び稼働停止時刻の稼働時間情報を取得し、稼働開始時刻及び稼働停止時刻を時間軸に沿って表示してもよい。このとき、加工表示部５０６は、例えば、蓄積部５０５から所定期間のレシピ特定情報からレシピ名を取得してレシピ名を併記してもよく、蓄積部５０５から所定期間の装置特定情報を取得して装置名称（本実施の形態では３号機等）を併記してもよく、さらに、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働率等を併記してもよい。これにより、操作員の技量によらずに、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の省エネルギ化の状態をより迅速かつ正確に解析できる。

　また、図６に示すオーバービュー画面上で、エリア１内の３号機が選択された後、項目『電力』が押下されると、例えば後述する図１２に示す画面が表示される。尚、図１２は、図６において２０１０年１２月２６日から２０１０年１２月３１日の表示期間で項目『電力』が押下された場合の図である。

　また、加工表示部５０６は、図１２に示すように、例えば、所定期間（例えば１日）毎の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計電力消費量、合計加熱電力消費量、合計排気電力消費量、合計制御電力消費量を計算して、上記表示期間複数の所定期間毎にそれぞれグラフを作成し、これらのグラフを１画面上に対比可能に表示してもよい。

　また、図６に示すオーバービュー画面上で、エリア１内の３号機が選択され、そして、項目『稼働率』と項目『電力』が選択されると、データ分析プログラムが実行され、例えば後述する図１６に示すレシピの実行履歴と合計電力消費率とが表示される。尚、図１６において、時間軸（横軸）は設定変更できるが、基本的に２４時間（１日）である。また、図１４でレシピＡ、レシピＢのうちいずれかが選択されると、データ分析プログラムが実行され、図１６のように選択されたレシピの実行履歴とそのレシピ実行時の電力消費率のグラフが時系列に表示されるように構成してもよい。

　また、加工表示部５０６は、図１６に示すように、合計電力消費率と、図１４に示す基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働状況とを時間軸を一致させて時系列表示してもよい。すなわち、加工表示部５０６は、まず、蓄積部５０５から所定期間内の装置特定情報、稼働時間情報、レシピ特定情報、装置電力消費量情報及び電力消費時間情報を取得する。そして、加工表示部５０６は、所定期間内における所定の単位時間当たりの電力消費量がもっとも高い電力消費量に対する、単位時間当たりの電力消費量の割合を計算し、この値を電力消費率とする。そして、上述したように、加工表示部５０６は、所定期間の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働状況を示すグラフを作成し、所定期間内の単位時間当たりの電力消費率を示すグラフと、時間軸を一致させて時系列表示してもよい。なお、単位時間当たりの電力消費率でなくてもよく、単位時間当たりの電力消費量を示すグラフであってもよい。また、グラフ中の縦罫線及び横罫線はなくてもよい。これにより、操作員の技量によらずに、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の状態をより迅速かつ正確に解析できる。

　更に、図６のオーバービュー画面上で、エリア１内の３号機が選択され、項目『電力』と項目『Ｎ_２』が選択されると、データ分析プログラムが実行され、図１５に示すように、選択された基板処理装置が実行したレシピ毎に合計電力消費量及び合計Ｎ_２消費量とが表示される。ここで、加工表示部５０６は、図１５に示すように、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の表示期間内の合計電力消費量及び合計不活性ガス消費量をレシピの種類毎に計算して表示される。このとき、図１５に示すように、レシピの実行回毎に電力消費量及び不活性ガス消費量を計算して表示してもよい。

　すなわち、加工表示部５０６は、まず、蓄積部５０５から装置特定情報と、稼働時間情報と、レシピ特定情報とを取得する。上述したように、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働情報の稼働開始時刻及び稼働停止時刻がそのままレシピの実行開始時刻及び実行停止時刻となる。従って、１回の稼働開始時刻から稼働停止時刻までの間に、１回のレシピが実行されることとなるため、加工表示部５０６は、稼働開始時刻及び稼働停止時刻と、レシピ特定情報とを関連付けて、例えばレシピＡの１回目・・・、レシピＢの１回目・・・、というように、レシピの種類毎に実行回番号を付ける。その後、加工表示部５０６は、稼働開始時刻から稼働停止時刻まで（１回のレシピ実行時間）を所定期間とし、蓄積部５０５から所定期間内の電力消費情報及び不活性ガス消費量情報を取得し、所定期間の合計電力消費量及び合計不活性ガス消費量を計算してグラフ化し、１画面上に対比可能に表示してもよい。これにより、操作員の技量によらずに、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の省エネルギ化の状態をより迅速かつ正確に解析できる。

　また、複数の所定期間（レシピの実行回数）毎に電力消費量グラフ又は不活性ガス消費量グラフを作成し、これらのグラフを１画面上に対比可能に表示してもよい。このとき、加工表示部５０６は、レシピ特定情報を取得して、レシピ名やレシピ終了状況（正常終了、異常終了等）を併記してもよく、装置特定情報を取得して装置名称等を併記してもよく、レシピ実行終了時刻（稼働停止時刻）等を併記してもよい。なお、合計電力消費量及び合計不活性ガス消費量を示すグラフに限定されず、加工表示部５０６は、合計加熱電力消費量、合計排気電力消費量、合計制御電力消費量、合計処理ガス消費量のいずれであっても、レシピの種類毎及びレシピの実行回毎に計算して表示できる。これにより、操作員の技量によらずに、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の省エネルギ化の状態をより迅速かつ正確に解析できる。

　また、本実施の形態では特に記載しないが、図６において、項目『機種』が基板処理装置を示す場合(アルファベット１文字)に、本実施の形態における省エネルギ化の状態を示す対象にしてもよい。これは、項目『機種』が基板処理装置ではない場合(アルファベット２文字)も、装置稼働率(項目『稼働率』)の計算の対象とすると、

　また、本実施の形態では特に記載しないが、図６において、項目『機種』および項目『責任者』毎にソートして表示させる機能を設けてもよい。

［実施例２］　次に、実施例２として、図３に示すコマンド画面において、項目『工場全体』を暦月（年度比較）で表示させるラジオボタンを押下した場合に表示されるグラフの一例を図７～図１１に示す。尚、図７～図１１は、所定期間内の各月（又は隔週）の棒グラフを年度毎に上下に並べて月毎（又は週毎）の年度比較ができるように表示されている。なお、表示形態は、この形態に限定されるものではない。この他、例えば、本年度のある月（又はある週）の棒グラフと前年度の同月（又は同週）の棒グラフとを上下に並べて月毎（又は週毎）の年度比較ができるように表示してもよい。また、図７～図１１に示すグラフも、上述したようにデータ分析プログラムが制御部５０１により実行されて実現される加工表示部５０６により表示するよう構成されているのは言うまでも無い。

（合計稼働回数グラフ作成例）　加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間（例えば１ヶ月）の稼働時間情報を取得し、所定期間内に稼働開始時刻及び稼働停止時刻が発生した回数を計算し、所定期間内の合計稼働回数を計算する。そして、図７に示すように、加工表示部５０６は、計算した基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計稼働回数をグラフ化し、例えば一定期間（例えば６か月）の本年度の各月の合計稼働回数と前年度の各月の合計稼働回数とを比較しやすいように表示できる。

（合計稼働時間グラフ作成例）　加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間（例えば１ヶ月）の稼働時間情報を取得し、所定期間内の合計稼働時間を計算する。そして、図８に示すように、加工表示部５０６は、計算した基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計稼働時間をグラフ化し、例えば一定期間（例えば６か月）の本年度の各月の合計稼働時間と前年度の各月の合計稼働時間とを比較しやすいように表示できる。

（稼働率グラフ作成例）　加工表示部５０６は、まず、蓄積部５０５から所定期間（例えば１ヶ月）の稼働時間情報を取得し、上述のように基板処理システム１００の合計稼働時間を計算する。その後、加工表示部５０６は、所定期間に対する合計稼働時間の割合を計算し、この割合を稼働率とする。すなわち、例えば所定期間を２４時間とし、基板処理システム１００の合計稼働時間（レシピ実行時間）が１２時間であった場合、基板処理システム１００の稼働率は５０％となる。そして、図９に示すように、加工表示部５０６は、計算した基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の稼働率をグラフ化し、例えば一定期間（例えば６か月）の本年度の各月の稼働率と前年度の各月の稼働率とを比較しやすいように表示できる。

（電力消費量グラフ作成例）　加工表示部５０６は、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の所定期間内（例えば１か月）の合計電力消費量を計算して表示できる。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の装置電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計電力消費量を計算する。そして、図１０に示すように、加工表示部５０６は、計算した基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計電力消費量をグラフ化し、例えば一定期間（例えば６か月）の本年度の各月の電力消費量と前年度の各月の電力消費量とを比較しやすいように表示できる。尚、本実施例では、複数の基板処理装置１０１が設置された半導体製造工場を３つのエリアに分け、各エリア毎に所定期間内の合計電力消費量を計算している。そして各エリア毎の合計電力消費量の合計を工場全体の合計電力消費量として表示している。このとき、図１０に示すように、工場全体の各月の合計電力消費量が各エリア別に分かるように、例えば各エリア毎に色分けして表示してもよい。

（合計不活性ガス消費量グラフ作成例）　加工表示部５０６は、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の所定期間内（例えば１か月）の不活性ガス消費量を計算して表示できる。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の不活性ガス消費量情報を取得し、所定期間内の合計不活性ガス消費量を計算する。そして、図１１に示すように、加工表示部５０６は、計算した合計不活性ガス消費量をグラフ化し、例えば一定期間（例えば６か月）の本年度の各月の合計不活性ガス消費量と前年度の各月の合計不活性ガス消費量とを比較しやすいように表示できる。なお、本実施例でも図１０と同様に、半導体製造工場を３つのエリアに分け、工場全体の各月の不活性ガス消費量が、各エリア別に分かるように表示されている。

　また、加工表示部５０６は、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の所定期間内の処理ガス消費量を計算して表示してもよい。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の処理ガス消費量情報を取得し、所定期間内の合計処理ガス消費量を計算する。そして、加工表示部５０６は、計算した合計処理ガス消費量をグラフ化して表示してもよい。通常、処理ガスはプロセスステップ（基板処理段階）のみで使用されるため、処理ガスの消費量は不活性ガスと比較して極めて少ない。従って、処理ガスの消費量を監視しても省エネ対策を施す効果が少ないため、本実施例では省略する。

　このように、実施例２によれば、基板処理装置１０１の合計電力消費量や合計稼働回数等の各種情報を歴週、歴月、歴日等で表示することで、基板処理装置１０１の各種情報を把握し、その情報を利用してデータ分析に役立てることができる。その結果、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の省エネルギ化の状態の解析及び省エネ対策の立案に貢献することができる。

［実施例３］　次に、図３に示すコマンド画面において、項目『基板処理装置』を暦日（１日１日の月日の経過）で表示させるラジオボタンを押下した場合に表示されるグラフの一例を図１２に示す。なお、図３に示すコマンド画面で表示されたラジオボタンが押下されて、制御部５０１がデータ表示要求（指示）の指令を受信すると、データ分析プログラムが実行されて加工表示部５０６が実現される。

　加工表示部５０６は、図１２（ａ）に示すように、基板処理装置１０１の合計電力消費量を１日毎に計算してグラフ化して表示する。本実施の形態では、合計電力消費量は、後述するヒータ２０７の電力消費量と、後述する真空ポンプ２４６の電力消費量と、後述するコントローラ２８０の電力消費量との合計量である。また、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、コントローラ２８０の電力消費量をそれぞれ計算し、基板処理装置１０１の合計電力消費量を、図１２（ａ）に示すように、電力消費量毎に色分け等して表示してもよい。

　加工表示部５０６は、後述するヒータ２０７の所定期間内（例えば１日）の電力消費量である合計加熱電力消費量を計算して表示する。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間のヒータ２０７の加熱電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計加熱電力消費量を計算し、図１２（ｂ）に示すように、計算した合計加熱電力消費量をグラフ化して表示する。

　加工表示部５０６は、後述する真空ポンプ２４６の所定期間内（例えば１日）の電力消費量である合計排気電力消費量を計算して表示する。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の真空ポンプ２４６の排気電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計排気電力消費量を計算し、図１２（ｃ）に示すように、計算した合計排気電力消費量をグラフ化して表示する。

　加工表示部５０６は、後述するコントローラ２８０の所定期間内（例えば１日）の電力消費量である合計制御電力消費量を計算して表示する。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間のコントローラ２８０の制御電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計制御電力消費量を計算し、図１２（ｄ）に示すように合計制御電力消費量をグラフ化して表示する。

　このように、実施例３によれば、基板処理装置１０１の合計電力消費量を１日毎に計算してグラフ化して表示することで、基板処理装置１０１の各種情報を把握し、その情報を利用してデータ分析を行うことができる。その結果、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の省エネルギ化の状態解析及び省エネ対策の立案に貢献することができる。

［実施例４］　次に、図３に示すコマンド画面において、項目『エリア』を暦週（１週間毎の経過）で表示させるラジオボタンを押下した場合に表示されるグラフの一例を図１３に示す。なお、図３に示すコマンド画面で表示されたラジオボタンが押下されて、制御部５０１がデータ表示要求（指示）の指令を受信すると、データ分析プログラムが実行されて加工表示部５０６が実現される。

　加工表示部５０６は、図１３（ａ）に示すように、特定のエリアに設置される基板処理装置１０１（若しくは基板処理装置群）で消費される合計電力消費量の総計を１週間毎に計算してグラフ化して表示する。本実施の形態では、合計電力消費量の総計は、特定のエリアに設置される全ての基板処理装置１０１のそれぞれで消費される合計電力消費量を合計したものである。尚、合計電力消費量は、上述の実施例３と同様に、ヒータ２０７の電力消費量と、真空ポンプ２４６の電力消費量と、コントローラ２８０の電力消費量との合計である。また、装置Ａの合計電力消費量、装置Ｂの合計電力消費量、装置Ｃの合計電力消費量をそれぞれ計算し、エリアに設置される全ての基板処理装置１０１の合計電力消費量の総計を、図１３（ａ）に示すように、基板処理装置１０１の合計電力消費量毎に色分け等して表示してもよい。

　加工表示部５０６は、装置Ａの所定期間内（例えば１週間）の電力消費量である合計加熱電力消費量を計算して表示する。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の装置Ａの加熱電力消費量情報、排気電力消費量情報、制御電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計電力消費量を計算し、図１３（ｂ）に示すように、計算した装置Ａの合計電力消費量をグラフ化して表示する。

　加工表示部５０６は、装置Ｂの所定期間内（例えば１週間）の電力消費量である合計排気電力消費量を計算して表示する。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の装置Ｂの加熱電力消費量情報、排気電力消費量情報、制御電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計電力消費量を計算し、図１３（ｃ）に示すように、計算した装置Ｂの合計電力消費量をグラフ化して表示する。

　加工表示部５０６は、装置Ｃの所定期間内（例えば１週間）の電力消費量である合計制御電力消費量を計算して表示する。すなわち、加工表示部５０６は、蓄積部５０５から所定期間の装置Ｃの加熱電力消費量情報、排気電力消費量情報、制御電力消費量情報を取得し、所定期間内の合計電力消費量を計算し、図１３（ｄ）に示すように、計算した装置Ｃの合計電力消費量をグラフ化して表示する。

　また、各基板処理装置１０１（装置Ａ、装置Ｂ、装置Ｃ）毎に、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、コントローラ２８０の電力消費量をそれぞれ計算し、図１３（ｂ）～図１３（ｄ）において、各基板処理装置１０１（装置Ａ、装置Ｂ、装置Ｃ）のそれぞれの電力消費量を、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、コントローラ２８０毎にさらに色分け表示してもよい。

　このように、実施例４によれば、基板処理装置１０１の合計電力消費量等の各種情報を歴週、歴月、歴日等で表示することで、基板処理装置１０１の各種情報を把握し、その情報を利用してデータ分析に役立てることができる。その結果、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の省エネルギ化の状態の解析及び省エネ対策の立案に貢献することができる。

（グラフ突き合せ例）　また、加工表示部５０６は、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計稼働回数、合計稼働時間、稼働率、合計電力消費量、合計加熱電力消費量、合計排気電力消費量、合計制御電力消費量、合計不活性ガス消費量、合計処理ガス消費量の少なくとも２つを計算してグラフ化し、時間軸を合わせて１画面上に対比可能に突き合せて表示してもよい。

　すなわち、加工表示部５０６は、例えば、複数の所定期間（例えば１か月）の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計稼働回数、合計稼働時間、稼働率、合計電力消費量、あるいは合計不活性ガス消費量等の少なくとも２つを計算して、複数の所定期間毎にグラフを作成し、これらのグラフを時間軸を合わせて１画面上に対比可能に表示してもよい。例えば、図７及び図８に示す、所定期間の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計稼働回数を示すグラフと、合計稼働時間を示すグラフと、を１画面上に対比可能に表示してもよい。また、例えば、図１０及び図１１に示す、所定期間の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計電力消費量を示すグラフと、合計不活性ガス消費量を示すグラフと、を１画面上に対比可能に表示してもよい。

　また、加工表示部５０６は、図１２に示すように、例えば、複数の所定期間（例えば１日）の基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の合計電力消費量、合計加熱電力消費量、合計排気電力消費量、合計制御電力消費量を計算して、複数の所定期間毎にそれぞれグラフを作成し、これらのグラフを１画面上に対比可能に表示してもよい。

　この場合において、所定期間の合計電力消費量を示すグラフ、合計加熱電力消費量を示すグラフ、合計排気電力消費量を示すグラフ、合計制御電力消費量を示すグラフのうち、少なくとも２つのグラフが１画面上に対比可能に表示されていればよい。

　このように、少なくとも２つのグラフを、時間軸を合わせて１画面上に対比可能に突き合せて表示することにより、操作員の技量によらずに、基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）の省エネルギ化の状態をより迅速かつ正確に解析できる。その結果、省エネ対策の立案を容易にそして正確に行うことができる。

　なお、図１２及び図１３に示すグラフも、上述したようにデータ分析プログラムより表示するよう構成されているのは言うまでも無い。

（４）基板処理装置の構成＜基板処理装置（１）＞（縦型処理炉）　図１７は本実施の形態で好適に用いられる基板処理装置１０１が備える縦型処理炉の縦断面概略構成図である。

　図１７に示されているように、処理炉２０２は反応管２０３を備えている。反応管２０３は、耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成され、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。

　反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料により構成されている。マニホールド２０９は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、反応管２０３を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。主に、反応管２０３と、マニホールド２０９とにより反応容器が形成されている。

　マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円板状に形成されている。シールキャップ２１９とマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。

（基板保持具）　シールキャップ２１９上には、例えば石英キャップから成る断熱体２１８を介して基板保持具としてのボート２１７が立設されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、上述したように複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて管軸方向に多段に保持されるように構成されている。

　シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボート２１７を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、ボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は反応管２０３の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ２１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。

（加熱部）　反応管２０３の外側には、反応管２０３の側壁面を囲う同心円状に、処理室２０１内を加熱する加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は、円筒形状に形成されている。ヒータ２０７は、保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。

　反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサが設置されている。ヒータ２０７及び温度センサには、後述するコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、処理室２０１内の温度が所定の温度分布となるように、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２０７への供給電力を所定のタイミングにてそれぞれ制御するように構成されている。

（ガス供給系）　マニホールド２０９には、第１ガス導入部としての第１ノズル２３３ａと、第２ガス導入部としての第２ノズル２３３ｂとが、マニホールド２０９を貫通するように設けられている。第１ノズル２３３ａには、第１ガス供給管２３２ａが接続され、第２ノズル２３３ｂには、第２ガス供給管２３２ｂが接続されている。このようにマニホールド２０９には、２本のノズル２３３ａ及び２３３ｂと、２本のガス供給管２３２ａ及び２３２ｂとが接続されており、処理室２０１内に複数種類、ここでは少なくとも２種類の処理ガスを供給できるように構成されている。

　マスフローコントローラ２４１ａ～２４１ｄ及びバルブ２４３ａ～２４３ｄには、後述するコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、マスフローコントローラ２４１ａ～２４１ｄを制御するように構成されている。

　主に、第１ガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ及び第１ノズル２３３ａにより、第１ガス供給系が構成される。なお、第１ガス供給源２４０ａを第１ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に、第２ガス供給管２３２ｂ、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ及び第２ノズル２３３ｂにより、第２ガス供給系が構成される。なお、第２ガス供給源２４０ｂを第２ガス供給系に含めて考えてもよい。第１ガス供給系及び第２ガス供給系により、本実施の形態にかかる処理ガス供給系が構成される。

　主に、第１不活性ガス供給管２３２ｃ、マスフローコントローラ２４１ｃ及びバルブ２４３ｃにより、第１不活性ガス供給系が構成される。なお、第１不活性ガス供給源２４０ｃや第１ガスノズル２３３ａを第１不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に第２不活性ガス供給管２３２ｄ、マスフローコントローラ２４１ｄ及びバルブ２４３ｄにより、第２不活性ガス供給系が構成される。なお、第２不活性ガス供給源２４０ｄや第２ガスノズル２３３ｂを第２不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。第１不活性ガス供給系及び第２不活性ガス供給系により、本実施の形態にかかる不活性ガス供給系が構成される。

　第１ガス供給系、第２ガス供給系、第１不活性ガス供給系及び第２不活性ガス供給系により、本実施の形態にかかるガス供給系が構成される。

　第１ガス供給管２３２ａからは、原料ガスとして、例えばシリコン元素（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２３２ａを介して処理室２０１内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）ガスを用いることができる。

　第２ガス供給管２３２ｂからは、反応ガスとして、例えば窒素元素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ_３）ガスを用いることができる。

　第１不活性ガス供給管２３２ｃ及び第２不活性ガス供給管２３２ｄからは、不活性ガスが、それぞれマスフローコントローラ２４１ｃ及び２４１ｄ、バルブ２４３ｃ及び２４３ｄ、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第１ノズル２３３ａ、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給される。不活性ガスとしては、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の１８族元素や、Ｎ_２ガスを用いることができる。

（排気部）　マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、及び排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。

　圧力センサ２４５及びＡＰＣバルブ２４２には、後述するコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、圧力センサ２４５により検知した圧力情報に基づいて、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ２４２を制御するように構成されている。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２及び圧力センサ２４５により排気系が構成される。なお、真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。

（制御部）　制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、マスフローコントローラ２４１ａ～２４１ｄ、バルブ２４３ａ～２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ、回転機構２６７、ボートエレベータ２１５等に接続されている。コントローラ２８０により、マスフローコントローラ２４１ａ～２４１ｄによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ～２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４２の開閉及び圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサに基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節動作、ボートエレベータ２１５の昇降動作等の制御が行われる。

（５）基板処理工程　次に、上述の基板処理システム１００の縦型の処理炉２０２を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程である基板処理工程について説明する。一例として、基板としてのウエハ２００上に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜する工程例について図１７を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理システム１００を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。

　なお、本実施の形態では、一例として、原料ガスとしてシリコンを含むＤＣＳガスを、反応ガスとして窒素含有ガスであるＮＨ_３ガスを加熱された処理室２０１内に供給し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハ２００上にＳｉＮ膜を形成する。

（基板搬入工程）　まず、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。そして、図１７に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ２１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートロード）する。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

（圧力・温度調整工程）　処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４２の弁の開度をフィードバック制御する（圧力調整）。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０７によって加熱する。この際、処理室２０１内が所望の温度分布、具体的には処理室２０１内でＣＶＤ反応が生じるような温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ２０７への供給電力をフィードバック制御する（温度調整）。続いて、ボート回転機構２６７によりボート２１７、すなわちウエハ２００の回転を開始する。圧力調整、温度調整、ウエハ２００の回転は、少なくとも後述する成膜工程の終了まで継続する。

（成膜工程）　続いて、処理室２０１内に反応ガスであるＮＨ_３ガスを供給する。具体的には、第２ガス供給管２３２ｂに設けられたバルブ２４３ｂを開ける。これにより、マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整しつつ、ガス供給源２４２ｂから供給されたＮＨ_３ガスの第２ノズル２３１ｂを介した処理室２０１内への供給が開始される。同時に、第１不活性ガス供給管２３２ｃに設けられたバルブ２４３ｃ又は第２不活性ガス供給管２３２ｄに設けられたバルブ２４３ｄの少なくともいずれかを開け、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスであるＡｒガスを、処理室２０１内に供給してもよい。

　次に、ＮＨ_３ガスで充満した処理室２０１内に、原料ガスであるＤＣＳガスを供給する。具体的には、第１ガス供給管２３２ａに設けられたバルブ２４３ａを開けることで、第１ガス供給源２４２ａから供給されたＤＣＳガスの第１ノズル２３１ａを介した処理室２０１内への供給が開始される。同時に、第１不活性ガス供給管２３２ｃに設けられたバルブ２４３ｃ又は第２不活性ガス供給管２３２ｄに設けられたバルブ２４３ｄの少なくともいずれかを開け、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスであるＡｒガスを、処理室２０１内に供給してもよい。

　ＮＨ_３ガスで充満した処理室２０１内に供給されたＤＣＳガスは、Ｎ_２ガスにより希釈及び拡散されつつ、処理室２０１内を通過する際に加熱されたウエハ２００の表面と接触する。その結果、ウエハ２００上にＳｉＮ膜が堆積（デポジション）する。

　所定時間が経過して、ＳｉＮ膜が所定の膜厚となったら、バルブ２４３ａを閉じ、処理室２０１内へのＤＣＳガスの供給を停止する。その後、バルブ２４３ｂを閉じ、処理室２０１内へのＮＨ_３ガスの供給を停止する。

（パージ工程）　処理室２０１内へのＤＣＳガス及びＮＨ_３ガスの供給を停止した後、バルブ２４３ｃ又はバルブ２４３ｄの少なくともいずれかは開けたままとし、処理室２０１内へのＡｒガスの供給を継続して行う。これにより、処理室２０１内をＡｒガスによりパージし、処理室２０１内に残留している残留ガスや反応生成物を除去する。

（大気圧復帰・基板搬出工程）　パージが完了したら、ヒータ２０７への電力供給を停止して処理室２０１内を降温させると共に、ＡＰＣバルブ２４２の開度を調整して処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰させる。そして、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順によりボート２１７を処理室２０１内から搬出（ボートアンロード）し、所定膜厚のＳｉＮ膜が成膜されたウエハ２００をボート２１７から脱装（ウエハディスチャージ）して、本実施の形態に係る基板処理工程を終了する。

（６）他の基板処理装置の構成＜基板処理装置（２）＞（枚葉処理室）　図１９は、本実施形態で好適に用いられる枚葉式装置の処理室としてのＭＭＴ装置の縦断面概略図である。本ＭＭＴ装置は、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ　Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　Ｔｙｐｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、基板としてのウエハ２００をプラズマ処理する装置である。

　図１９に示すように、処理室３０１を構成する処理容器３０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器３１０と、第２の容器である碗型の下側容器３１１と、を備えている。

　処理室３０１内の底側中央には、ウエハ２００を支持するサセプタ３１７が配置されている。サセプタ３１７は、ウエハ２００の金属汚染を低減することができるように非金属材料で形成されている。

　サセプタ３１７の内部には、加熱機構としてのヒータ３１７ｂが一体的に埋め込まれており、ウエハ２００を加熱できるようになっている。ヒータ３１７ｂに電力が供給されると、ウエハ２００表面が所定温度（例えば室温～１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、サセプタ３１７には、温度センサが設けられている。ヒータ３１７ｂ及び温度センサには、上述のコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ３１７ｂへの供給電力を所定のタイミングにて制御するように構成されている。

　また、サセプタ３１７の内部には、インピーダンスを変化させる電極が装備されている。この電極は、インピーダンス可変機構３７４を介して設置されている。インピーダンス可変機構３７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、電極及びサセプタ３１７を介してウエハ２００の電位を制御できるようになっている。なお、インピーダンス可変機構３７４には、上述のコントローラ２８０が電気的に接続されている。

　上側容器３１０の上部に開設された開口には、蓋体３３３が気密に設けられている。蓋体３３３の下部には、遮蔽プレート３４０が設けられている。蓋体３３３と遮蔽プレート３４０との間の空間がバッファ室３３７である。バッファ室３３７は、ガス導入部３３４より導入される処理ガスを分散する分散空間として機能する。そして、バッファ室３３７を通過した処理ガスが、遮蔽プレート３４０の側部のガス吹出口３３９から処理室３０１内に供給される。

　ガス導入部３３４には、ガス供給管３３２が接続されている。ガス供給管３３２には、上流側から順に、処理ガスや不活性ガスを供給するガス供給源、流量制御装置としてのマスフローコントローラ３４１、開閉弁であるバルブ３４３ａが設けられている。マスフローコントローラ３４１及びバルブ３４３ａには、上述のコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、処理室３０１内に供給するガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ３４１及びバルブ３４３ａの開閉を制御するように構成されている。このように、バルブ３４３ａを開閉させることにより、マスフローコントローラ３４１により流量制御しながら、ガス供給管３３２、バッファ室３３７及びガス吹出口３３９を介して処理室３０１内に、処理ガスや不活性ガスを自在に供給できるように構成されている。主にガス供給管３３２、マスフローコントローラ３４１及びバルブ３４３ａにより、本実施の形態にかかるガス供給部が構成されている。なお、ガス供給源を本実施の形態にかかるガス供給部に含めて考えてもよい。

　下側容器３１１の側壁下方には、処理室３０１内から処理ガス等を排気するガス排気口３３５が設けられている。ガス排気口３３５には、ガスを排気するガス排気管３３１の上流端が接続されている。ガス排気管３３１には、圧力調整器であるＡＰＣ３４２、開閉弁であるバルブ３４３ｂ、排気装置である真空ポンプ３４６が、上流から順に設けられている。ＡＰＣ３４２、バルブ３４３ｂ、真空ポンプ３４６には、上述のコントローラ２８０が電気的に接続されている。真空ポンプ３４６を作動させ、バルブ３４３ｂを開けることにより、処理室３０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ３４２の開度を調整することにより、処理室３０１内の圧力値を調整できるように構成されている。

　処理容器３０３（上側容器３１０）の外周には、処理室３０１内のプラズマ生成領域３２４を囲うように、筒状電極３１５が設けられている。筒状電極３１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。筒状電極３１５は、インピーダンスの整合を行う整合器３７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源３７３に接続されている。筒状電極３１５は、処理室３０１内に供給される処理ガスをプラズマ励起させる放電機構として機能する。

　処理室３０１内に少なくとも処理ガスを供給した後、筒状電極３１５に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、上部磁石３１６ａ及び下部磁石３１６ｂを用いて磁界を形成することにより、処理室３０１内のプラズマ生成領域３２４にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。

　尚、本実施の形態に係る枚葉処理室を用いて行われる基板処理工程は、少なくとも基板搬入工程と、基板処理工程と、基板搬出工程とを有する。すなわち、上述の縦型処理炉を用いて行われる基板処理工程と同様に、例えば、基板搬入工程と、圧力・温度調整工程と、処理工程と、パージ工程と、大気圧復帰・基板搬出工程と、を有する。

　本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

　（ａ）本実施形態によれば、基板を処理する基板処理装置１０１で消費される電力に関する電力消費情報、基板処理装置１０１で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は基板処理装置１０１の稼働状況に関する稼働情報の少なくともいずれかの情報を取得して読み出し可能に蓄積する蓄積部５０５と、蓄積部５０５から所定の条件を満たす情報を取得し、基板処理装置１０１で消費される電力消費量、不活性ガス消費量又は基板処理装置１０１の稼働率の少なくともいずれかを算出して表示部５０８に表示する加工表示部５０６と、を含む管理装置５００を備えている。これにより、低コストで、操作員の技量によらずに、半導体製造工場全体（または特定のエリア全体）に設置された各基板処理装置１０１について省エネルギの状態を迅速かつ正確に解析することができる。従って、基板処理装置１０１の省エネ対策を施したり、基板処理装置１０１の異常現象の発生を解析したりすることが容易になる。すなわち、基板処理装置１０１の省エネ対策の立案を容易に行うことができる。さらに、基板処理装置１０１の問題点の認識、基板処理装置１０１の故障の前兆把握、レシピの問題点の察知等、操作員の思考を補助するツールとして役立たせることができる。

（ｂ）本実施形態によれば、蓄積部５０５が、基板処理装置１０１の稼働状況を示す稼働情報として、稼働している基板処理装置１０１を特定する装置特定情報と、基板処理装置１０１の稼働開始時刻及び稼働停止時刻を特定する稼働時間情報と、基板処理装置１０１が実行した基板処理のレシピを特定するレシピ特定情報と、を蓄積するように構成されている。そして、加工表示部５０６が、蓄積部５０５から装置特定情報、稼働時間情報又はレシピ特定情報の少なくともいずれかを取得することで、基板処理装置１０１の所定期間内の合計稼働回数と、基板処理装置１０１の所定期間内の合計稼働時間と、基板処理装置１０１の所定期間内の稼働率と、を計算して表示するように構成されている。これにより、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の稼働率や、稼働状況等を迅速かつ正確に解析して把握できる。従って、基板処理装置１０１の省エネ対策を施しやすくなる。また、基板処理装置１０１の省エネ対策を立案する際、操作員の思考を補助するツールとしても役立たせることができる。

（ｃ）本実施形態によれば、蓄積部５０５が、基板処理装置１０１の電力消費状況を示す電力消費情報として、基板処理装置１０１の装置電力消費量情報と、基板処理装置１０１の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する電力消費時間情報と、を蓄積するように構成されている。そして、加工表示部５０６が、蓄積部５０５から装置電力消費量情報と、電力消費時間情報とを取得することで、基板処理装置１０１の所定期間内の合計電力消費量を計算して表示するように構成されている。これにより、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の合計電力消費量を迅速かつ正確に解析して把握でき、省エネ対策に役立てることができる。また、電力消費量の削減を図ることで、温室効果ガスの発生を削減することができる。

（ｄ）本実施形態によれば、蓄積部５０５が、基板処理装置１０１のガス消費状況を示すガス消費量情報として、ガス供給系の付帯設備から供給される不活性ガス消費量情報と、不活性ガス消費開始時刻及び不活性ガス消費停止時刻を特定する不活性ガス消費時間情報と、を蓄積するように構成されている。そして、加工表示部５０６が、蓄積部５０５から不活性ガス消費量情報と、不活性ガス消費時間情報とを取得することで、基板処理装置１０１の所定期間内の合計不活性ガス消費量を計算して表示するように構成されている。これにより、操作員の技量によらずに、消費量の多い不活性ガスの消費量を迅速かつ正確に解析して把握でき、省エネ対策に役立てることができる。

（ｅ）本実施形態によれば、基板処理装置１０１が、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７を備え、蓄積部５０５が、ヒータ２０７の電力消費量である加熱電力消費量情報と、ヒータ２０７の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する加熱時間情報と、を蓄積するように構成されている。そして、加工表示部５０６が、蓄積部５０５から加熱電力消費量情報と、加熱時間情報とを取得することで、ヒータ２０７の所定期間内の合計加熱電力消費量を計算して表示するように構成されている。これにより、基板処理装置１０１の中で、特に電力消費量の多いヒータ２０７の電力消費量を、操作員の技量によらずに、迅速かつ正確に解析して把握でき、省エネ対策に役立てることができる。

（ｆ）本実施形態によれば、ウエハ２００を処理する処理室２０１内を排気するガス排気系の付帯設備である真空ポンプ２４６を備え、蓄積部５０５が、真空ポンプ２４６の電力消費量である排気電力消費量情報と、真空ポンプ２４６の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する排気時間情報と、を蓄積するように構成されている。そして、加工表示部５０６が、蓄積部５０５から排気電力消費量情報と、排気時間情報とを取得することで、真空ポンプ２４６の所定期間内の合計排気電力消費量を計算して表示するように構成されている。これにより、基板処理装置１０１の中で、電力消費量の多い真空ポンプ２４６の電力消費量を、操作員の技量によらずに迅速かつ正確に解析して把握でき、省エネ対策に役立てることができる。

（ｇ）本実施形態によれば、基板処理装置１０１が、少なくともヒータ２０７及び真空ポンプ２４６を制御するコントローラ２８０を備え、蓄積部５０５が、コントローラ２８０の電力消費量である制御電力消費量情報と、コントローラ２８０の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する制御時間情報と、を蓄積するように構成されている。そして、加工表示部５０６が、蓄積部５０５から制御電力消費量情報と、制御時間情報とを取得することで、コントローラ２８０の所定期間内の合計制御電力消費量を計算して表示するように構成されている。これにより、基板処理装置１０１の中で、電力消費量の多いコントローラ２８０の電力消費量を、操作員の技量によらずに迅速かつ正確に解析して把握でき、省エネ対策に役立てることができる。

（ｈ）本実施形態によれば、加工表示部５０６は、上述の合計稼働回数、合計稼働時間、稼働率、合計電力消費量、合計加熱電力消費量、合計排気電力消費量、合計制御電力消費量及び合計不活性ガス消費量をグラフ化して表示するように構成されている。これにより、視認性を向上させることができ、操作員が、基板処理システム１００の状態をより迅速かつ正確に解析でき、基板処理装置１０１の問題点や異常をより見つけやすくなる。

（ｉ）本実施形態によれば、加工表示部５０６は、上述の合計稼働回数、合計稼働時間、稼働率、合計電力消費量、合計加熱電力消費量、合計排気電力消費量、合計制御電力消費量及び合計不活性ガス消費量のうち、少なくとも２つをグラフ化して、時間軸を合わせて１画面上に対比可能に表示するように構成されている。これにより、視認性を向上させることができ、操作員が、基板処理装置１０１の状態をより迅速かつ正確に解析でき、基板処理装置１０１の問題点や異常をより見つけやすくなる。

　例えば、図９に示す稼働率のグラフと、図１０及び図１２に示す合計電力消費量等のグラフや、図１１に示す合計不活性ガス消費量のグラフと、を時間軸を合わせて一画面上に対比可能に表示することで、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の問題点や異常等をより見つけやすくなる。すなわち、例えば、基板処理装置１０１の稼働率の上昇に伴って、合計電力消費量や、合計不活性ガス消費量も上昇している、というような、操作員が考える関係性とあっているかどうかを確認することで、基板処理装置１０１の状態を、操作員の技量によらずに迅速かつ正確に把握することができる。また、例えば、基板処理装置１０１に省エネ対策（例えば、レシピ終了後、次のレシピの実行までの間のヒータ２０７の設定温度を低くして待機電力を少なくする、パージ用の不活性ガスの設定値を少なくする等）を施した場合、対策前の月と対策後の月とを比較し、基板処理装置１０１の稼働率が変わっていなくても、合計電力消費量や、合計不活性ガス消費量が減っていることを確認することで、省エネ対策の効果が発揮されていることが、操作員の技量によらずに、迅速かつ正確に確認できる。また、例えば、個々の基板処理システム１００の稼働率と、合計電力消費量、合計不活性ガス消費量等の個々のデータとを集約し、操作員に情報提供することで、例えば工場全体の省エネ対策を立案する際の補助ツールとして用いることができ、省エネ対策の効果をより発揮させやすくなる。

　また、例えば、図１５に示すように、所定期間内における合計電力消費量のグラフと、合計不活性ガス消費量のグラフと、を基板処理装置１０１が実行したレシピの種類毎に、時間軸を合わせて１画面上に対比可能に表示することで、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の問題点や異常等を見つけやすくなる。すなわち、例えば、基板処理装置１０１に異常がないか、レシピの変更が行われていないか、レシピのシーケンス実行に異常がないか等を解析する手がかりとすることができる。また、このように、レシピの種類毎に合計電力消費量や、合計不活性ガス消費量を比較することで、レシピの種類による合計電力消費量及び合計不活性ガス消費量を確認することができ、省エネ対策を施しやすくなる。具体的には、例えば、図１５に示すように、基板処理装置１０１が所定期間内に実行したレシピＡのうち、レシピ終了状況が正常終了と判定された実行回（Ｎｏ．２～Ｎｏ．７）であっても、実行回番号Ｎｏ．２～Ｎｏ．５と、実行回番号Ｎｏ．６～Ｎｏ．７とを比較した場合、実行回番号Ｎｏ．６及びＮｏ．７の合計電力消費量が、実行回番号Ｎｏ．２～Ｎｏ．５よりも多くなっていることが分かる。従って、実行回番号Ｎｏ．６及びＮｏ．７は、基板処理装置１０１に異常が発生している可能性があると容易に解析することができる。また、例えば、図１５では、レシピＢよりもレシピＡの方が、合計電力消費量及び合計不活性ガス消費量が多いことが分かる。しかしながら、操作員の思考が、レシピＢの方がレシピＡよりも、合計電力消費量及び合計不活性ガス消費量が多いはずであるという認識であれば、実行するレシピを間違っている、レシピのシーケンス実行に異常が発生している、基板処理装置１０１に異常が発生している等、基板処理装置１０１に問題や異常が発生していると、容易に解析できる。

　また、例えば、図１６に示すように、基板処理装置１０１の稼働状況を示すグラフと、合計電力消費率のグラフとを時間軸を合わせて１画面上に対比可能に表示することで、操作員の技量によらずに、基板処理装置１０１の問題点や異常等を見つけやすくなる。すなわち、例えば、１回目及び２回目に実行したレシピＡの電力消費率のグラフの形状と、５回目に実行したレシピＡの電力消費率のグラフの形状とが、同じレシピを実行したにも関わらず異なっている。従って、５回目に実行したレシピＡに、何らかの異常現象が発生したと容易に解析することができる。また、例えば、１回目のレシピＡの実行終了後、２回目のレシピＡの実行開始までの間の基板処理装置１０１の待機電力を低くして省エネを図ることができるというような、基板処理装置１０１の問題点を見つけることもできる。また、例えば、基板処理システム１００の稼働開始時、すなわちレシピの実行開始時には、例えばヒータ２０７の温度を上げるので電力消費量が多くなり、基板処理装置１０１に対する負荷が大きくなる、というような基板処理装置１０１の問題点を見つけることもできる。

　また、例えば、加工表示部５０６は、基板処理装置１０１の負荷率を計算して表示するようにしてもよい。一般的に、基板処理装置１０１は、負荷率の高い状態が長時間続くと、ブレーカが落ちたり、基板処理装置１０１の老朽化が早くなる場合がある。このため、基板処理装置１０１の負荷率を解析することで、基板処理装置１０１の更新計画に役立てたり、ブレーカの見直し、電源配線の見直しといった対策を取ることができる。

　また、上述の実施形態では、少なくとも２つのグラフを一画面上に対比可能に表示したが、例えば、稼働率や、合計電力消費量を数値で表して一画面上に対比可能に表示してもよい。

　また、上述の実施形態では、蓄積部５０５は、取得した情報をテーブル形式で蓄積したが、これに限定されるものではなく、取得した情報が蓄積部５０５に読み出し可能に蓄積されていればよい。

　また、上述の実施形態では、蓄積部５０５は、メモリ５０２を介して、基板処理システム１００からの情報を取得したが、これに限定されるものではなく、例えば、蓄積部５０５が、基板処理装置１０１から直接情報を取得するように構成してもよい。

　また、上述の実施形態では、蓄積部５０５は、装置電力消費量情報、加熱電力消費量情報、排気電力消費量情報、制御電力消費量情報、不活性ガス消費量情報等として、所定のデータ取得間隔内の各消費量の平均値を蓄積し、加工表示部５０６は、平均値の各情報を基に合計電力消費量等を計算して表示するようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、装置電力消費量情報、不活性ガス消費量情報等として、所定のデータ取得間隔内の各消費量の最大値や最小値を蓄積し、加工表示部５０６は、最大値や最小値の各情報を基に、合計電力消費量等を計算して表示するようにしてもよい。

　また、上述の実施形態では、群管理装置１０２は、基板処理装置１０１毎に設置したが、群管理装置１０２は、後述するように複数の基板処理装置１０１で共有してもよい。

　また、本実施形態では、ネットワーク接続型の電力センサと、不活性ガス消費量センサと、を取り付け、省エネ対策を立案するのに必要なデータ収集を自動化し、蓄積部内に蓄積した。これにより、情報集計等に手間をかけずに済むようになる。更に、冷却水についても同様に流量センサを取り付け、データ収集するようにしても良い。

＜本発明の他の実施形態＞　以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

　例えば、図１８に示すように、基板処理システム１００と、１つ又は複数の基板処理装置１０１の情報を操作者に提供するコンピュータシステムである群管理装置としてのモニタサーバ１０２と、１つ又は複数のモニタサーバ１０２の情報を操作者に提供するコンピュータシステムである統合管理装置としての管理装置（例えば、ホストコンピュータ）５１０と、の３階層で構成してもよい。具体的には、例えばモニタサーバ１０２は、所定のエリア毎に設置し、所定のエリアに属する１つ又は複数の基板処理システム１００を統合的に管理し、管理装置５１０は、工場全体の１つ又は複数の基板処理システム１００を統合的に管理するように構成してもよい。なお、基板処理システム１００と、モニタサーバ１０２と、管理装置５１０とは、ＬＡＮ等のネットワーク４００を介してそれぞれ接続されている。また、図示されるように、基板処理システム１００は、枚葉式装置や縦型装置などが混在しても良い。また、基板処理システム１００に付帯設備を含めるようにしても良い。

　このとき、管理装置５１０にて、データ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを含む情報提供プログラムを実装する場合、モニタサーバ１０２、あるいは基板処理システム１００は、管理装置５１０にリモートログインを行う必要がある。このログインが正常に終了すると、データ分析プログラムを実行することができるように構成されている。ログインに失敗したモニタサーバ１０２、あるいは基板処理システム１００に対して、管理装置５１０では、データ分析プログラムを実行できないように構成されていることはいうまでもない。この場合、データベースである蓄積部５０５は、管理装置５１０にて構築される。

　モニタサーバ１０２にて、データ分析プログラムを実装する場合、基板処理システム１００は、それぞれ接続しているモニタサーバ１０２にリモートログインを行うことで、データ分析プログラムを実行することができるように構成されている。例えば、モニタサーバ１０２に接続されている基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）のログインが失敗した場合、モニタサーバ１０２では、データ分析プログラムを実行できないように構成されていることはいうまでもない。これは、モニタサーバ１０２に接続されている基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）で消費される省エネに関するデータに漏れが生じると正確な解析が行えないからである。但し、全ての基板処理システム１００（若しくは基板処理装置１０１）がログイン失敗してもデータ分析プログラムを実行しても良い。尚、このとき、蓄積部５０５は、モニタサーバ１０２にて構築される。

　基板処理システム１００のコントローラ２８０にて、データ分析プログラムを実装する場合、管理装置５１０あるいはモニタサーバ１０２は、基板処理システム１００にリモートログインを行うことで、データ分析プログラムを実行した結果を参照できるように構成されている。このとき、蓄積部５０５は、基板処理システム１００にて構築される。

　また、管理装置５１０は、例えば工場全体のデータ分析プログラムを実行し、モニタサーバ１０２は、例えば所定のエリア内のデータ分析プログラムを実行し、基板処理システム１００は、基板処理システム１００内のデータ分析プログラムを実行してもよい。このとき、必要な情報を管理装置５１０から、モニタサーバ１０２あるいは基板処理システム１００にダウンロードしたり、モニタサーバ１０２から、基板処理システム１００にダウンロードできる。また、必要な情報を、基板処理システム１００からモニタサーバ１０２、あるいは管理装置５１０にアップロードしたり、モニタサーバ１０２から、管理装置５１０にアップロードすることもできる。この場合、蓄積部５０５は、管理装置５１０、モニタサーバ１０２、基板処理システム１００のコントローラ２８０にて、それぞれ構築される。

＜本発明の更に他の実施形態＞　図２０は、基板処理システム１００と、１つ又は複数の基板処理装置１０１の情報を操作者に提供するコンピュータシステムである群管理装置としてのモニタサーバ１０２と、１つ又は複数のモニタサーバ１０２の情報を操作者に提供するコンピュータシステムである統合管理装置としての管理装置（例えば、ホストコンピュータ）５００と、の３階層で構成された統合管理システムにおけるオーバービュー画面の一例を示す図である。

図２０に示すオーバービュー画面と図６に示すオーバービュー画面の違いは、各エリアに配置される基板処理装置１０１群に関する省エネ化の指標となる情報を表示させるか群管理装置１０２に接続される基板処理装置１０１毎に省エネ化の指標となる情報を表示させるかの違いだけであって、その他の各項目の内容は同じである。

　上述の他の実施形態によっても、各基板処理装置の装置稼働率、電力消費量、不活性ガス消費量等の各種情報を画面上に表示することができるので、群管理装置１０２に接続される各基板処理装置１０１又は各膜厚測定器等における省エネルギ化の状態を示す各種情報を一括して把握できる。また、群管理装置１０２に接続される基板処理装置１０１等の個々の省エネルギ化の詳細状態を把握することにより、これらの情報を利用してデータ分析に行うことにより、省エネ対策に貢献することができる。例えば、装置稼働率が低いので、全ての基板処理装置１０１を一つの群管理装置１０２に接続し、縮退運用を行うようにするなどの省エネ対策を施すことができる。これにより、省エネ効果が期待できる。

　また、本発明は、基板処理装置１０１と群管理装置１０２とが同じフロア内（同じクリーンルーム内）に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置１０１をクリーンルーム内に配置すると共に、群管理装置１０２を事務所内（クリーンルームとは異なるフロア内）に配置し、ＬＡＮ等のネットワーク４００を介して、レシピの進行状況や基板処理装置１０１の状態を遠隔から監視し解析するようにしてもよい。或いは、管理装置５００が備える一部の構成、例えば表示部５０８のみを事務所内に配置してもよい。

＜本発明の変形例＞　図２１は、情報提供プログラムを実行するためのフローの変形例を示す図である。図２１は、情報提供プログラム起動後、図３に示すコマンド画面ではなく図６に示すオーバービュー画面を表示するフローの一例を提供するものである。尚、Ｓｔｅｐ１及びＳｔｅｐ２は、図５と同じ内容であるので、説明を省略し、以下、Ｓｔｅｐ３から説明する。

Ｓｔｅｐ３は、予め設定されている所定の条件に応じてデータテーブルを検索し、所望のデータを取得する工程であり、Ｓｔｅｐ４は、データ取得の終了を判定する工程である。このＳｔｅｐ３及びＳｔｅｐ４は、データ取得工程である。具体的に、Ｓｔｅｐ３では、所定の条件に設定されているデータ取得期間を示す表示期間データ、データ取得対象の範囲を示す表示範囲データに基づいてデータテーブルを検索し、ユーティリティデータの測定値、例えば、基板処理装置１０１で消費される電力消費量、不活性ガス消費量、及びレシピ特定情報、稼働情報などの基板処理装置１０１の装置稼働率に関連する情報が少なくとも取得される。例えば、稼働情報であれば、表示期間において、稼働開始時刻及び稼働終了時刻が繰り返し取得される。Ｓｔｅｐ４では全てのデータ取得が、全てのデータ取得が終了したと判定されるまで繰り返し行われる。そして、Ｓｔｅｐ４で全てのデータが取得されたと判定されると、次のＳｔｅｐ５へ移行する。

Ｓｔｅｐ５は、取得したデータを加工して画面を表示するデータ加工工程である。具体的には、データ加工部５０６により、データ取得工程（Ｓｔｅｐ３及びＳｔｅｐ４）で取得された情報（例えば、基板処理装置１０１で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び基板処理装置１０１の装置稼働率に関連する情報）に基づいて、所定の表示期間における稼働状態（エリア内の基板処理装置１００の稼働状態を示す情報）、合計電力消費量（エリア内に配置された全ての基板処理装置１００の電力消費量を合計した情報）、合計Ｎ２ガス消費量（エリア内に配置された全ての基板処理装置１００が消費したＮ２ガス量を合計した情報）、平均稼働率（エリア内に配置された全ての基板処理装置１００のレシピ実行状態を示す情報）がエリア毎に作成される。本実施の形態では、図６を自動的に表示するように構成されているが、例えば、省エネ状態を表示させる所定のボタン（省エネボタン等）を押下されると図６が表示されるように構成してもよい。次に、データ表示要求を待つ待機工程に移行する（Ｓｔｅｐ６）。

そして、Ｓｔｅｐ６においてデータ表示要求指示が有れば、そのデータ表示内容を確認し、所定の条件を導出する（Ｓｔｅｐ７）。導出した所定の条件に基づいてデータテーブルを検索して所定のデータを取得し（Ｓｔｅｐ８）、取得したデータを加工して所定の形式で表示する（Ｓｔｅｐ９）。その後、Ｓｔｅｐ６に戻り、次のデータ表示要求を待つ。

尚、本実施例（変形例）においても、図６のオーバービュー画面所定のボタンが押下されると、データ分析プログラムが制御部５０１により実行されるように構成されている。そして、実施例１と同様に図１４～図１６のグラフを表示するように構成される。なお、本実施の形態において、このようなデータ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを含む情報提供プログラムの終了は、管理装置５００の電源が切られたときであるのは言うまでもない。

また、本実施例（変形例）における図２１のデータ蓄積プログラム及びデータ分析プログラムを含む情報提供プログラムフローでは省略したが、ログイン処理を追加するようにしてもよい。

また、本実施例（変形例）における情報提供プログラムにより表示される画面は、図６に示すオーバービュー画面に限定されず、例えば、図２０に示すオーバービュー画面を表示するようにしてもよいのは言うまでもない。

　また、本実施例（変形例）と本実施の形態（特に、実施例１）の違いは、図６に示すオーバービュー画面の表示フローが異なるだけで本実施の形態（特に、実施例１）における効果を奏するのは言うまでもない。

ここで、上述の変形例を含む本実施の形態において、図６のオーバービュー画面上で所定の項目が選択された後、同一画面上に設けられた実行ボタンが押下されると、データ表示要求指示が制御部５０１に送信され、このデータ表示要求指示を受け付けた前記制御部５０１がデータ分析プログラムを実行するように構成してもよい。

　また、本発明は、処理工程において、酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本発明は、これらの各種基板処理装置が一つの基板処理システムに混在していてもよい。

　さらに、本発明は、上述のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等の基板処理装置にも適用できる。

＜本発明の好ましい態様＞　以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

　（付記１）本発明の一態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置と、　前記基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を含む管理装置と、を備える統合管理システムが提供される。

　（付記２）　付記１の統合管理システムであって、好ましくは、　前記基板処理装置には、付帯設備が付帯されて設置されており、　前記蓄積部は、前記基板処理装置及び前記付帯設備に関する情報を取得して読み出し可能に蓄積するように構成されている。

　（付記３）　付記１の統合管理システムであって、また好ましくは、　前記蓄積部は、少なくとも　前記稼働情報として、稼働している前記基板処理装置を特定する装置特定情報と、前記基板処理装置の稼働開始時刻及び稼働停止時刻を特定する稼働時間情報と、前記基板処理装置が実行した基板処理のレシピを特定するレシピ特定情報と、を蓄積し、　前記電力消費情報として、前記基板処理装置の装置電力消費量情報と、前記基板処理装置の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する電力消費時間情報と、を蓄積し、　前記ガス消費量情報として、ガス供給系の不活性ガス消費量情報と、不活性ガス消費開始時刻及び不活性ガス消費停止時刻を特定する不活性ガス消費時間情報と、を蓄積するように構成されている。

　（付記４）　付記１の統合管理システムであって、また好ましくは、　前記基板処理装置は、　基板を加熱する加熱部と、　前記基板処理装置に設けられた前記基板を処理する処理室内を排気する排気部と、　少なくとも前記加熱部及び前記排気部を制御する制御部と、を備え、　前記蓄積部は、前記電力消費情報として、少なくとも　前記加熱部の電力消費量を示す加熱電力消費量情報と、前記加熱部の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する加熱時間情報と、　前記排気部の電力消費量を示す排気電力消費量情報と、前記排気部の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する排気時間情報と、　前記制御部の電力消費量を示す制御電力消費量情報と、前記制御部の電力消費開始時刻及び電力消費停止時刻を特定する制御時間情報と、を蓄積するように構成されている。

　（付記５）　付記１の統合管理システムであって、また好ましくは、　前記蓄積部は、　前記ガス消費量情報として、前記ガス供給系の処理ガス消費量情報と、処理ガス消費開始時刻及び処理ガス消費停止時刻を特定する処理ガス消費時間情報と、を少なくとも蓄積するように構成されている。

　（付記６）　付記１の統合管理システムであって、また好ましくは、　前記加工表示部は、　前記基板処理装置の所定期間内の合計稼働回数と、　前記基板処理装置の所定期間内の合計稼働時間と、　前記基板処理装置の所定期間内の稼働率と、　前記基板処理装置の所定期間内の合計電力消費量と、　前記加熱部の所定期間内の合計加熱電力消費量と、　前記排気部の所定期間内の合計排気電力消費量と、　前記制御部の所定期間内の合計制御電力消費量と、　前記ガス供給系の所定期間内の合計不活性ガス消費量と、を計算するように構成されている。

　（付記７）　付記６の統合管理システムであって、また好ましくは、　前記加工表示部は、　前記合計稼働回数、前記合計稼働時間、前記稼働率、前記合計電力消費量、前記合計加熱電力消費量、前記合計排気電力消費量、前記合計制御電力消費量及び前記合計不活性ガス消費量をグラフ化して表示するように構成されている。

　（付記８）　付記６の統合管理システムであって、また好ましくは、　前記加工表示部は、　前記合計稼働回数、前記合計稼働時間、前記稼働率、前記合計電力消費量、前記合計加熱電力消費量、前記合計排気電力消費量、前記合計制御電力消費量及び前記合計不活性ガス消費量のうち、少なくとも２つをグラフ化して、時間軸を合わせて１画面上に対比可能に表示するように構成されている。

　（付記９）　本発明の他の態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を備える管理装置が提供される。

　（付記１０）　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積工程と、前記蓄積工程で蓄積した情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示する表示工程と、を有する基板処理装置の情報表示方法が提供される。

　（付記１１）　付記１０の基板処理装置の情報表示方法であって、好ましくは、前記蓄積工程では、前記稼働情報として、稼働している前記基板処理装置を特定する装置特定情報と、前記基板処理装置の稼働開始時刻及び稼働停止時刻を特定する稼働時間情報と、前記基板処理装置が実行した基板処理のレシピを特定するレシピ特定情報がそれぞれ蓄積され、　前記表示工程では、前記稼働時間情報と前記レシピ特定情報とに基づいて、前記基板処理装置毎に稼働率を算出し、前記稼働率の表示期間における平均値を算出して表示する。

（付記１２）　付記１１の基板処理装置の情報表示方法であって、好ましくは、前記稼働率は、１日におけるレシピ実行時間の割合である。

（付記１３）　付記１１の基板処理装置の情報表示方法であって、好ましくは、前記表示工程では、算出した前記稼働率を前記装置特定情報で特定した稼働中の前記基板処理装置について平均した平均装置稼働率を算出して表示する。

（付記１４）　付記１１の基板処理装置の情報表示方法であって、好ましくは、前記レシピ特定情報は、レシピ名称、レシピの実行開始時刻及びレシピの実行停止時刻、レシピ終了状態（正常終了か異常終了）などのうち少なくとも一つを有する請求項４の基板処理装置の情報表示方法。

（付記１５）　付記１０の基板処理装置の情報表示方法であって、好ましくは、前記表示工程では、前記基板処理装置毎に算出された電力消費量、不活性ガス消費量をそれぞれ前記基板処理装置の台数分積算して、合計電力消費量、合計不活性ガス消費量を算出するとともに、前記基板処理装置毎の稼働率を前記基板処理装置の台数分で平均した平均装置稼働率を算出して表示する。

（付記１６）　付記１０の基板処理装置の情報表示方法であって、好ましくは、前記蓄積工程では、前記各種情報を格納する所定のデータテーブルが作成され、　前記表示工程では、所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付け、前記所定のデータテーブルを繰返し検索し、前記検索による情報取得を終了した後、前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する。

　（付記１７）本発明の更に他の態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置を管理する管理装置で実行される情報提供プログラムであって、　前記基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積するステップと、所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムが提供される。

　（付記１８）　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積するステップと、　所定の条件を満たす情報を取得するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムが提供される。

　（付記１９）　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を所定のデータテーブルを作成して蓄積するステップと、　所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付け、前記所定のデータテーブルを繰返し検索するステップと、　前記検索によるデータ取得を終了するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムが提供される。

　（付記２０）　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理を実施する基板処理装置を管理する管理装置で実行される情報提供プログラムを読み取り可能な記録媒体であって、　前記基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積するステップと、所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

　（付記２１）　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積するステップと、　所定の条件を満たす情報を取得するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムを読み取り可能な記録媒体が提供される。

　（付記２２）　本発明の更に他の態様によれば、　基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を所定のデータテーブルを作成して蓄積するステップと、　所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付け、前記所定のデータテーブルを繰返し検索するステップと、　前記検索による情報取得を終了するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムを読み取り可能な記録媒体が提供される。

　（付記２３）本発明の更に他の態様によれば、所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付けるステップと、基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報が規定された所定のデータテーブルを繰返し検索するステップと、　前記検索による情報取得を終了するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備えるデータ分析プログラムをコンピュータにより読み取り可能な記録媒体が提供される。

　（付記２４）　本発明の更に他の態様によれば、　所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付けるステップと、基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報が規定された所定のデータテーブルを繰返し検索するステップと、　前記検索による情報取得を終了するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備えるデータ分析プログラムが提供される。

尚、この出願は、２０１２年９月２６日に出願された日本出願特願２０１２－２１２５５３を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。

本発明によれば、半導体製造工場内に設置された各基板処理装置から収集される各種データを蓄積し、蓄積されたデータを利用して、各基板処理装置の省エネルギ化に必要なデータに加工して表示することが可能な統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及び記録媒体を提供することができる。

　１０１　基板処理装置　２００　ウエハ（基板）　５００　管理装置　５０５　蓄積部　５０６　加工表示部

Claims

基板処理を実施する基板処理装置と、　前記基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を含む管理装置と、を備える統合管理システム。
基板処理を実施する基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積部と、　前記蓄積部に蓄積された情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する加工表示部と、を備える管理装置。
基板処理を実施する基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を蓄積する蓄積工程と、　前記蓄積工程で蓄積した情報から所定の条件を満たす情報を取得し、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示する表示工程と、を有する基板処理装置の情報表示方法。
前記蓄積工程では、前記稼働情報として、稼働している前記基板処理装置を特定する装置特定情報と、前記基板処理装置の稼働開始時刻及び稼働停止時刻を特定する稼働時間情報と、前記基板処理装置が実行した基板処理のレシピを特定するレシピ特定情報がそれぞれ蓄積され、　前記表示工程では、前記稼働時間情報と前記レシピ特定情報とに基づいて、前記基板処理装置毎に稼働率を算出し、前記稼働率の表示期間における平均値を算出して表示する請求項３の基板処理装置の情報表示方法。
前記稼働率は、１日におけるレシピ実行時間の割合である請求項４の基板処理装置の情報表示方法。
前記表示工程では、算出した前記稼働率を前記装置特定情報で特定した稼働中の前記基板処理装置について平均した平均装置稼働率を算出して表示する請求項４の基板処理装置の情報表示方法。
前記レシピ特定情報は、レシピ名称、レシピの実行開始時刻及びレシピの実行停止時刻、レシピ終了状態（正常終了か異常終了）などのうち少なくとも一つを有する請求項４の基板処理装置の情報表示方法。
前記表示工程では、前記基板処理装置毎に算出された電力消費量、不活性ガス消費量をそれぞれ前記基板処理装置の台数分積算して、合計電力消費量、合計不活性ガス消費量を算出するとともに、前記基板処理装置毎の稼働率を前記基板処理装置の台数分で平均した平均装置稼働率を算出して表示する請求項３記載の基板処理装置の情報表示方法。
前記蓄積工程では、前記各種情報を格納する所定のデータテーブルが作成され、　前記表示工程では、所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付け、前記所定のデータテーブルを繰返し検索し、前記検索による情報取得を終了した後、前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出する請求項３の基板処理装置の情報表示方法。
基板処理装置で消費される電力に関する電力消費情報、前記基板処理装置で消費されるガスに関するガス消費量情報、又は前記基板処理装置の稼働状況に関する稼働情報を含む各種情報を所定のデータテーブルを作成して蓄積するステップと、　所定の条件を満たす情報を取得する指示を受付け、前記所定のデータテーブルを繰返し検索するステップと、　前記検索による情報取得を終了するステップと、　前記所定の条件に基づいて取得した情報から、前記基板処理装置で消費される電力消費量、不活性ガス消費量及び前記基板処理装置の装置稼働率のうち少なくともいずれか一つを算出して表示するステップと、を備える情報提供プログラムを読み取り可能な記録媒体。