KR102206194B1 - 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포드 덮개 개폐 시에 파티클이 웨이퍼 상에 부착되는 것을 방지하는 구성을 제공한다.
기판이 수납되는 기판 수용기를 재치하는 재치부; 상기 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 공간을 구성하는 가이드부; 상기 덮개 개폐 공간을 상기 기판 수용기와 상기 기판이 보지(保持)되는 기판 보지구 사이에서 상기 기판을 반송하는 이재실로부터 분리하는 게이트부; 상기 덮개 개폐 공간에 설치되고, 상기 기판 수용기의 상기 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구; 상기 재치부에 재치된 기판 수용기에 가스를 도입하는 가스 도입 기구; 상기 가스 도입 기구에 상기 가스를 상기 기판 수용기에 도입시키고, 상기 기판 수용기 내의 가스를 치환하는 것과 함께 압력을 높게 하는 감시부; 및 상기 감시부에 상기 덮개 개폐 공간의 압력보다 상기 기판 수용기 내의 압력을 높게 유지하면서 상기 덮개 개폐 기구에 상기 기판 수용기의 덮개를 열게 하도록 구성되는 제어부;를 구비한 구성이 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터 후프(FOUP: Front Opening Unified Pod)(이하, 포드라고 부른다.) 내에 불활성 가스를 공급하는 대처는 이미 수행되고 있다. 예컨대 특허문헌 1에 따르면, 포드 내에 불활성 가스를 공급하는 구성이 기재되고, 특허문헌 2에 따르면, 포드 내에 불활성 가스를 공급하는 구성 및 이 공급되는 불활성 가스의 유량을 감시하는 구성이 기재된다.
그리고 불활성 가스의 공급에 의해 포드 내부의 분위기를 치환하여 자연 산화막이나 아웃 가스의 부착을 방지했었다. 하지만 포드 개폐 기구의 동작 시에 발생하는 파티클이 기판(웨이퍼)에 부착되는 것은 방지하지 못했다.
1. 일본 특개 2000-340641호 공보 2. 일본 특개 2015-029057호 공보
본 발명의 목적은 포드 덮개 개폐 시에 파티클이 웨이퍼 상에 부착되는 것을 방지하는 구성을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 기판이 수납되는 기판 수용기를 재치하는 재치부; 상기 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 공간을 구성하는 가이드부; 상기 덮개 개폐 공간을 상기 기판 수용기와 상기 기판이 보지(保持)되는 기판 보지구 사이에서 상기 기판을 반송하는 이재실로부터 분리하는 게이트부; 상기 덮개 개폐 공간에 설치되고, 상기 기판 수용기의 상기 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구; 상기 재치부에 재치된 기판 수용기에 가스를 도입하는 가스 도입 기구; 상기 가스 도입 기구에 상기 가스를 상기 기판 수용기에 도입시키고, 상기 기판 수용기 내의 가스를 치환하는 것과 함께 압력을 높게 하는 감시부; 및 상기 감시부에 상기 덮개 개폐 공간의 압력보다 상기 기판 수용기 내의 압력을 높게 유지하면서 상기 덮개 개폐 기구에 상기 기판 수용기의 덮개를 열게 하도록 구성되는 제어부;를 구비한 구성이 제공된다.
본 발명에 따르면, 포드의 덮개 개폐 시에 포드 내부에 수용된 웨이퍼에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 사투시도(斜透視圖).
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 측면 투시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 처리로의 종(縱)단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 가스 도입 기구를 설명하기 위한 도면.
도 6a는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 가스 도입 기구의 씰부의 상세도.
도 6b는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 가스 도입 기구의 씰부의 상세도.
도 7a는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 덮개 개폐 시스템의 동작을 설명하는 도면.
도 7b는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 덮개 개폐 시스템의 동작을 설명하는 도면.
도 7c는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 덮개 개폐 시스템의 동작을 설명하는 도면.
도 7d는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 덮개 개폐 시스템의 동작을 설명하는 도면.
도 7e는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 덮개 개폐 시스템의 동작을 설명하는 도면.
도 7f는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 덮개 개폐 시스템의 동작을 설명하는 도면.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
계속해서 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 구성에 대해서 도 1, 도 2를 참조하면서 설명한다.
도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 내압 용기로서 구성된 광체(筐體)(111)를 구비한다. 광체(111)의 정면벽(111a)의 정면 전방부(前方部)에는 메인터넌스 가능하도록 설치된 개구부(開口部)(103)가 개설(開設)된다. 개구부(103)에는 개구부(103)를 개폐하는 출입 기구로서 한 쌍의 정면 메인터넌스 문(104)이 설치된다. 실리콘 등의 웨이퍼(기판)(200)를 수납한 기판 수용기로서의 포드(110)가 광체(111) 내외로 웨이퍼(200)를 반송하는 캐리어로서 사용된다.
광체(111)의 정면벽(111a)에는 포드 반입반출구(112)가 광체(111) 내외를 연통하도록 개설된다. 포드 반입반출구(112)는 프론트 셔터(113)에 의해 개폐되도록 이루어진다. 포드 반입반출구(112)의 정면 전방측에는 로드 포트(114)가 설치된다. 로드 포트(114) 상에는 포드(110)가 재치되는 것과 함께 위치 맞춤 되도록 구성된다.
광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 상부에는 회전식 포드 선반(105)이 설치된다. 회전식 포드 선반(105) 상에는 복수 개의 포드(110)가 보관되도록 구성된다. 회전식 포드 선반(105)은 수직으로 입설(立設)되어 수평면(水平面) 내에서 간헐적으로 회전되는 지주(116)와, 지주(116)에 상중하단의 각 위치에서 방사상으로 지지된 복수 매의 선반판(117)을 구비한다. 복수 매의 선반판(117)은 포드(110)를 복수 개 각각 재치한 상태에서 보지하도록 구성된다.
광체(111) 내에서의 로드 포트(114)와 회전식 포드 선반(105) 사이에는 제1 반송 장치로서의 포드 반송 장치(118)가 설치된다. 포드 반송 장치(118)는 포드(110)를 보지한 상태에서 승강 가능한 포드 엘리베이터(118a)와, 포드 반송 기구(118b)로 구성된다. 포드 반송 장치(118)는 포드 엘리베이터(118a)와 포드 반송 기구(118b)의 연속 동작에 의해 로드 포트(114), 회전식 포드 선반(105), 재치부로서의 재치대(122) 사이에서 포드(110)를 서로 반송하도록 구성된다.
광체(111) 내의 하부에는 서브 광체(119)가 광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부로부터 후단(後端)에 걸쳐서 설치된다. 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내외로 반송하는 포드(110)를 재치하는 재치부(122)가 상하에 각각 설치된다. 서브 광체(119) 내에는 포드 반송 장치(118)나 회전식 포드 선반(105) 등이 설치된 반송 공간으로부터 격리된 이재실(124)이 구성된다.
후술하는 덮개 개폐 시스템은 이재실(124)과 후술하는 덮개 개폐 공간(124a)을 구분하는 경계부(121)(이후, 가이드부라고도 부른다.)와, 포드(110)를 재치하는 재치부(122)와, 포드(110)의 덮개로서의 캡(120)을 탈착하는 포드 오프너로서의 캡 탈착 기구(123)(덮개 개폐 기구)를 적어도 구비한다. 또한 덮개 개폐 시스템에는 후술하는 게이트부로서의 패널(121a)이 설치된다.
여기서 재치부(122)에는 포드(110)의 내부에 불활성 가스를 분출하는 기구로서의 가스 도입 기구(1)를 구비하지만, 가스 도입 기구(1)에 대해서는 후술한다. 또한 정면벽(119a)에는 후술하는 배기 기구(VENT)가 설치되고, 후술하는 덮개 개폐 공간(124a)의 분위기를 배기하도록 구성된다. 이들 가스 도입 기구(1) 및 배기 기구(VENT)를 덮개 개폐 시스템에 포함시켜도 좋다.
이재실(124) 전측(前側) 영역에는 이재 장치로서의 웨이퍼 이재 기구(125)가 설치된다. 이재 장치(125)는 웨이퍼(200)를 수평 방향으로 회전 또는 직동(直動) 가능한 웨이퍼 이재 장치(125a)와, 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시키는 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)로 구성된다. 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)는 서브 광체(119)의 이재실(124)의 전방 영역 우단부(右端部)와 광체(111) 우측의 단부 사이에 설치된다. 웨이퍼 이재 장치(125a)는 웨이퍼(200)의 보지부로서의 트위저(125c)(기판 보지체)를 구비한다. 이들 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해 이재 장치(125)는 웨이퍼(200)를 기판 재치 도구로서의 보트(217)에 대하여 장전(裝塡, charging) 및 탈장(脫裝, discharging)하는 것이 가능하도록 구성된다. 이 웨이퍼(200)의 장전 및 탈장에 관해서는 후술한다.
도 2에 도시하는 바와 같이 보트(217)를 수용하여 대기시키는 대기부(126)의 상방(上方)에는 처리로(202)가 설치된다. 처리로(202)의 하단부는 노구(爐口) 셔터(147)에 의해 개폐되도록 구성된다.
도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이 이재실(124) 내에는 보트(217)를 승강시키는 보트 엘리베이터(115)가 설치된다. 보트 엘리베이터(115)의 승강대에는 암(128)이 연결된다. 암(128)에는 씰 캡(219)이 수평하게 설치된다. 씰 캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하고, 처리로(202)의 하단부를 폐색(閉塞) 가능하도록 구성된다.
주로 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 장치(118), 이재 장치(125), 보트(217) 및 덮개 개폐 기구(123)에 의해 본 실시 형태에 따른 반송 기구가 구성된다. 이들 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 장치(118), 이재 장치(125), 보트(217) 및 덮개 개폐 기구(123)는 후술하는 반송 컨트롤러로서의 반송 제어부(27)에 전기적으로 접속된다.
보트(217)는 복수 개의 보지 부재를 구비한다. 보트(217)는 복수 매의 웨이퍼(200)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서 각각 수평하게 보지하도록 구성된다.
(2) 처리로의 구성
계속해서 본 실시 형태에 따른 처리로(202)의 구성에 대해서 도 3을 이용하여 설명한다.
도 3에 도시하는 바와 같이 처리로(202)는 반응관으로서의 프로세스 튜브(203)를 구비한다. 프로세스 튜브(203)는 내부 반응관으로서의 이너 튜브(204)와, 그 외측에 설치된 외부 반응관으로서의 아우터 튜브(205)를 구비한다. 내부 반응관(204)은 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 내부 반응관(204) 내의 통중공부(筒中空部)에는 기판으로서의 웨이퍼(200)를 처리하는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은 후술하는 보트(217)를 수용 가능하도록 구성된다. 외부 반응관(205)은 내부 반응관(204)과 동심원 형상으로 설치된다. 외부 반응관(205)은 내경이 내부 반응관(204)의 외경보다 크고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다.
프로세스 튜브(203)의 외측에는 프로세스 튜브(203)의 측벽면을 둘러싸도록 가열 기구로서의 히터(206)가 설치된다. 히터(206)는 원통 형상으로 구성된다. 히터(206)는 보지판으로서의 히터 베이스(251)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다.
외부 반응관(205)의 하방(下方)에는 외부 반응관(205)과 동심원 형상이 되도록 매니폴드(209)가 배설(配設)된다. 또한 매니폴드(209)는 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 매니폴드(209)는 내부 반응관(204)의 하단부와 외부 반응관(205)의 하단부를 지지하도록 설치되고, 내부 반응관(204)의 하단부와 외부 반응관(205)의 하단부에 각각 계합(係合)된다. 또한 매니폴드(209)와 외부 반응관(205) 사이에는 O링(220a)이 설치된다. 매니폴드(209)가 히터 베이스(251)에 지지되는 것에 의해 프로세스 튜브(203)는 수직으로 설치된 상태가 된다. 프로세스 튜브(203)와 매니폴드(209)에 의해 반응 용기가 형성된다.
후술하는 씰 캡(219)에는 처리 가스 노즐(230a) 및 퍼지 가스 노즐(230b)이 처리실(201)에 연통하도록 접속된다. 처리 가스 노즐(230a)에는 처리 가스 공급관(232a)이 접속된다. 처리 가스 공급관(232a)의 상류측[처리 가스 노즐(230a)과의 접속측과 반대측]에는 가스 유량 제어기로서의 매스 플로우 컨트롤러(241a)(이하, MFC라고 약칭한다.)를 개재하여 도시되지 않는 처리 가스 공급원 등이 접속된다. 또한 퍼지 가스 노즐(230b)에는 퍼지 가스 공급관(232b)이 접속된다. 퍼지 가스 공급관(232b)의 상류측[퍼지 가스 노즐(230b)과의 접속측과 반대측]에는 MFC(241b)를 개재하여 도시되지 않는 퍼지 가스 공급원 등이 접속된다. MFC(241a, 241b)에는 가스 공급 컨트롤러(14)가 전기적으로 접속된다.
매니폴드(209)에는 처리실(201)의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 설치된다. 배기관(231)은 내부 반응관(204)과 외측 반응관(205)의 극간(隙間)에 의해 형성되는 통 형상 공간(250)의 하단부에 배치된다. 배기관(231)은 통 형상 공간(250)에 연통한다. 배기관(231)의 하류측[매니폴드(209)과의 접속측과 반대측]에는 압력 센서(245), 예컨대 APC(Automatic Pressure Controller)로서 구성된 압력 조정 장치(242), 진공 펌프(246)가 상류측부터 순서대로 접속된다. 또한 압력 조정 장치(242) 및 압력 센서(245)에는 압력 컨트롤러(13)가 전기적으로 접속된다.
매니폴드(209)의 하방에는 매니폴드(209)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 개체로서의 씰 캡(219)이 원반 형상에 설치된다. 씰 캡(219)은 매니폴드(209)의 하단에 수직 방향 하측으로부터 당접(當接)되도록 이루어진다. 씰 캡(219)의 상면에는 매니폴드(209)의 하단과 당접하는 씰 부재로서의 O링(220b)이 설치된다.
씰 캡(219)의 중심부 부근이며 처리실(201)과 반대측에는 보트(217)를 회전시키는 회전 기구(254)가 설치된다. 회전 기구(254)는 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시키는 것이 가능하도록 구성된다. 회전 기구(254)의 회전축(255)은 씰 캡(219)을 관통하여 보트(217)를 하방으로부터 지지한다. 보트(217)의 하부에는 단열 부재로서의 단열판(216)이 수평 자세로 다단으로 복수 매 배치된다. 단열판(216)은 원판 형상으로 형성된다.
씰 캡(219)은 프로세스 튜브(203)의 외부에 수직으로 설비된 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성된다. 씰 캡(219)을 승강시키는 것에 의해 보트(217)를 처리실(201) 내외로 반송하는 것이 가능하도록 구성된다. 회전 기구(254) 및 보트 엘리베이터(115)에는 반송 제어부(27)가 전기적으로 접속된다.
프로세스 튜브(203) 내에는 온도 검지기로서의 온도 센서(263)가 설치된다. 주로 히터(206) 및 온도 센서(263)에 의해 본 실시 형태에 따른 가열 기구가 구성된다. 이들 히터(206)와 온도 센서(263)에는 온도 컨트롤러(12)가 전기적으로 접속된다.
(3) 처리로의 동작
계속해서 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정으로서 처리로(202)를 이용하여 웨이퍼(200) 상에 박막을 형성하는 방법에 대해서 도 3을 참조하면서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 의해 제어된다.
복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)되면, 복수 매의 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)는 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져 처리실(201)내에 반입(보트 로딩)된다. 이 상태에서 씰 캡(219)은 O링(220b)을 개재하여 매니폴드(209)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
처리실(201)이 원하는 압력(진공도)이 되도록 진공 배기 장치(246)에 의해 진공 배기된다. 이때 압력 센서(245)가 측정한 압력값에 기초하여 압력 조정 장치(242)[의 밸브의 개도(開度)]가 피드백 제어된다. 또한 처리실(201)이 원하는 온도가 되도록 히터(206)에 의해 가열된다. 이때 온도 센서(263)가 검지한 온도값에 기초하여 히터(206)로의 통전량이 피드백 제어된다. 계속해서 회전 기구(254)에 의해 보트(217) 및 웨이퍼(200)가 회전된다.
다음으로 처리 가스 공급원으로부터 공급되고 MFC(241a)로 원하는 유량이 되도록 제어된 처리 가스는 가스 공급관(232a) 내를 유통하여 노즐(230a)로부터 처리실(201)에 도입된다. 도입된 처리 가스는 처리실(201)을 상승하여 이너 튜브(204)의 상단 개구로부터 통 형상 공간(250) 내에 유출되고 배기관(231)으로부터 배기된다. 가스는 처리실(201)을 통과할 때 웨이퍼(200)의 표면과 접촉하고, 예컨대 이때 열 반응에 의해 웨이퍼(200)의 표면 상에 박막이 퇴적된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 퍼지 가스 공급원으로부터 공급되어 MFC(241b)로 원하는 유량이 되도록 제어된 퍼지 가스가 처리실(201)에 공급되고, 처리실(201)이 불활성 가스로 치환되는 것과 함께 처리실(201)의 압력이 상압으로 복귀된다.
그 후, 보트 엘리베이터(115)에 의해 씰 캡(219)이 하강되어 매니폴드(209)의 하단이 개구되는 것과 함께, 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보지하는 보트(217)가 매니폴드(209)의 하단으로부터 프로세스 튜브(203)의 외부로 반출(보트 언로딩)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)는 보트(217)로부터 취출(取出)되고, 포드(110) 내에 격납된다(웨이퍼 디스차징).
(4) 기판 처리 장치용 컨트롤러의 구성(기판 처리 장치용 컨트롤러)
이하, 도 4를 참조하여 기판 처리 장치용 컨트롤러로서의 제어 장치(240)(이후, 제어부라고도 부른다.)에 대해서 설명한다.
제어부(240)는 주로 CPU 등의 연산 제어부(25)와, 처리 컨트롤러로서의 처리 제어부(20)와, 반송 제어부(27)와, 메모리(RAM)나 HDD 등으로 이루지는 ROM(35)을 구비하는 기억부(28)와, 마우스나 키보드 등의 입력부(29) 및 모니터 등의 표시부(31)로 구성된다. 또한 연산 제어부(25)와 기억부(28)와 입력부(29)와 표시부(31)에 의해서 각 데이터를 설정 가능한 조작부가 구성된다.
CPU(Central Processing Unit)(25)은 제어부(240)의 중추를 구성하고, ROM(35)에 기억된 제어 프로그램을 실행하여 표시부(31)로부터의 지시에 따라 레시피 기억부도 구성하는 기억부(28)에 기억되는 레시피(예컨대 기판 처리 레시피로서의 프로세스 레시피 등)를 실행한다. ROM(35)은 EEPROM, 플래시 메모리, 하드 디스크 등으로 구성되고, CPU(25)의 동작 프로그램 등을 기억하는 기록 매체다. 메모리(RAM)는 CPU(25)의 일시 기억부(work area)로서 기능한다.
여기서 기판 처리 레시피는 웨이퍼(200)를 처리하는 처리 조건이나 처리 순서 등이 정의된 레시피다. 또한 레시피 파일에는 반송 컨트롤러(27), 온도 컨트롤러(12), 압력 컨트롤러(13), 가스 공급 컨트롤러(14) 등에 송신하는 설정값(제어값)이나 송신 타이밍 등이 기판 처리의 스텝별로 설정된다.
처리 제어부(20)는 상기 처리로(202) 내에 로딩된 웨이퍼(200)에 대하여 소정의 처리가 이루어지도록 처리로(202) 내의 온도나 압력, 상기 처리로(202) 내에 도입되는 처리 가스의 유량 등을 제어하는 기능을 가진다.
반송 제어부(27)는 도시되지 않는 구동(驅動) 모터를 개재하여 포드 반송 장치(105), 웨이퍼 이재 기구(125), 보트 엘리베이터(115) 등의 기판을 반송하는 반송 기구의 구동을 제어하는 기능을 가진다. 예컨대 반송 제어부(27)는 기판을 반송하는 반송 기구를 구성하는 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 장치(118), 웨이퍼 이재 기구(125), 보트(217) 및 회전 기구(254)의 반송 동작을 실행시키도록 구성된다.
기억부(28)에는 각종 데이터 등이 격납되는 데이터 격납 영역(32)과, 기판 처리 레시피를 포함하는 각종 프로그램이 격납되는 프로그램 격납 영역(33)이 형성된다.
데이터 격납 영역(32)은 레시피 파일과 관련된 각종 파라미터가 격납된다. 또한 포드(110)별로 식별하는 정보인 캐리어 ID나 포드(110) 내의 웨이퍼(200)의 종별 정보를 적어도 포함하는 캐리어 정보가 데이터 격납 영역(32)에 격납되도록 이루어진다. 프로그램 격납 영역(33)에는 전술한 기판 처리 레시피를 포함하는 장치를 제어하는 데 필요한 각종 프로그램이 격납된다. 또한 프로그램 격납 영역(33)에는 후술하는 덮개 개폐 제어 프로그램이 격납된다.
제어부(240)의 표시부(31)에는 터치패널이 설치된다. 터치패널은 전술한 기판 반송계, 기판 처리계로의 조작 커맨드의 입력을 접수하는 조작 화면을 표시하도록 구성된다. 이러한 조작 화면은 기판 반송계나 기판 처리계의 상태를 확인하거나, 기판 반송계나 기판 처리계로의 동작 지시를 입력하기 위한 각종 표시란 및 조작 버튼을 구비한다. 또한 조작부는 컴퓨터나 모바일 등의 조작 단말(단말 장치)과 같이 적어도 표시부(31)와 입력부(29)를 포함하는 구성이라면 좋다.
온도 컨트롤러(12)는 처리로(202)의 히터(206)의 온도를 제어하는 것에 의해 처리로(202) 내의 온도를 조절하는 것과 함께, 온도 센서(263)가 소정값이나 이상값 등을 나타냈 때 제어부(240)에 통지를 수행하도록 구성된다.
압력 컨트롤러(13)는 압력 센서(245)에 의해 검지된 압력값에 기초하여 처리실(201)의 압력이 원하는 타이밍에 원하는 압력이 되도록 압력 조정 장치(242)를 제어하는 것과 함께, 압력 센서(245)가 소정값이나 이상값 등을 나타냈을 때 제어부(240)에 통지를 수행하도록 구성된다. 압력 컨트롤러(13)는 후술하는 가스 도입 기구(1)의 조정부에 의한 포드(110) 내의 압력을 조정하도록 제어한다. 구체적으로는 압력 센서(8)에 의해 검지된 압력값에 기초하여 포드(110) 내의 압력이 원하는 타이밍에 원하는 압력이 되도록 압력 조정 장치(7)를 제어하도록 구성된다. 또한 압력 컨트롤러(13)는 포드(110) 내의 압력과 이재실(124)[덮개 개폐 공간(124a)]의 압력을 감시하여 압력 조정하도록 구성된다. 이후, 압력 컨트롤러(13)는 압력을 감시하기 위한 감시부라고 부르는 경우가 있다.
가스 공급 컨트롤러(14)는 처리실(201)에 공급하는 가스의 유량이 원하는 타이밍에 원하는 유량이 되도록 MFC(241a, 241b)를 제어하도록 구성된다. 가스 공급 컨트롤러(14)는 후술하는 가스 도입 기구(1)에 의한 포드(110)에 공급하는 가스의 유량이 원하는 유량이 되도록 제어하도록 구성된다.
(5) 가스 도입 기구
도 5, 도 6을 이용하여 본 실시 형태에서의 가스 도입 기구(1)에 대해서 설명한다.
도 5에 도시하는 바와 같이 가스 도입 기구(1)는 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기(4)와, 가스의 유로를 구성하는 가스 공급관으로서의 가스 배관(3)과, 포드(110)에 가스를 도입하는 가스 도입부를 포함하는 씰부(2)와, 포드(110) 내의 압력을 조정하는 조정부를 포함하는 구성으로 이루어지고, 가스 도입 기구(1)는 도시되지 않는 감시부(13)에 의해 포드(110) 내의 압력을 소정 압력 이상으로 유지하도록 구성된다.
재치대(122)에는 포드(110)의 내부에 불활성 가스를 분출하는 기구로서의 가스 도입 기구(1)를 구비하고, 포드(110)의 내부에 불활성 가스를 유입하도록 구성된다. 가스 도입 기구(1)에는 씰부(2)가 설치되고, 상기 씰부(2)는 포드(110)가 재치부(122)에 반송되면 가스 배관(3)이 포드(110) 내에 연통하도록 설치된다.
노즐로서의 가스 배관(3)의 접속측의 상류측에는 가스 유량 제어기로서 유량계(4)와 밸브(5)를 개재하여 도시되지 않는 불활성 가스 공급원이 접속된다. 유량계(4)와 밸브(5)는 도시되지 않는 감시부(13)와 전기적으로 접속되고, 감시부는 포드(110) 내에 공급하는 가스의 유량이 원하는 양과 원하는 타이밍이 되도록 유량계(4) 및 밸브(5)를 제어하도록 구성된다.
반대측인 하류측에는 포드(110) 내의 분위기를 배기하는 가스 배관(6)이 설치되고, 포드(110) 내의 압력 검출기로서의 압력 센서(8) 및 압력 조정 장치(7)를 개재하여 포드(110) 내의 압력이 소정의 압력이 되도록 동작하도록 구성된다. 이들 압력 센서(8) 및 압력 조정 장치(7)를 조정부라고도 부르며, 이 조정부는 감시부(13)에 의해 제어되도록 구성된다.
다음으로 씰부(2)의 상세에 대해서 도 6a 내지 도 6b를 이용하여 설명한다. 도 6a에 도시하는 바와 같이 가스 공급관으로서의 가스 배관(3)의 주변은 불활성 가스가 누설되지 않도록 씰 재료(2a)와 상기 씰 재료(2a)를 보지하는 보지부로서의 부품(2b)으로 구성된다. 이 구성에 의해 씰 재료(2a)를 보지하는 부품(2b)으로 가스 배관(3)과 포드(110) 사이를 밀폐할 수 있으므로, 포드(110)의 불활성 가스 유입구의 높이, 형상, 재질에 차이가 있어도 불활성 가스가 외부에 누설되지 않고 불활성 가스를 포드 내에 도입할 수 있다.
씰부(2)는 포드(110) 내의 하측에 씰 재료(2a)를 당접하도록 보지부(2b)가 지지하는 구성이다. 보지부(2b)는 예컨대 용수철 등의 신축 가능한 부재로 구성된다. 그 신축하는 힘으로 씰 재료(2a)를 포드(110)의 하측으로부터 밀어 올리도록 구성된다. 또한 씰 재료(2a)는 고무 등의 탄성 변형 가능한 부재이며, 예컨대 패킹이나 O링 등이 선택된다. 이들의 구성에 따르면, 탄성체 변형(반력)을 이용하여 누설되지 않도록 할 수 있고, 가스 배관(3)과 포드(110) 사이를 밀폐할 수 있다.
또한 도 6b에 도시하는 바와 같이 포드(110)가 재치되는 것과 함께 씰 재료(2c)를 압압(押壓)하도록 구성되어도 좋다. 이러한 구성에 의해서도 가스 배관(3)과 포드(110)의 사이를 외부로부터 밀폐할 수 있다. 보지부(2d)에 보지되는 씰 재료(2c)의 재질은 씰 재료(2a)와 마찬가지이지만, 경도가 낮은 고무 등으로 구성된다. 따라서 부드러운 고무의 수축을 이용하는 것에 의해 포드(110)의 구성과 상관없이 포드(110)를 재치할 때 가스 배관(3)과 포드(110)의 밀폐성을 보지할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 실시 형태에 따르면, 포드(110)의 덮개를 열기 전(포드 덮개 개폐 기구 동작 전)에 포드(110) 내부를 불활성 가스로 가압[양압(陽壓)으로]할 수 있다. 이에 의해 포드(110)의 덮개가 열렸을 때 발생한 파티클을 포드(110) 내에 침입을 억제할 수 있기 때문에 포드(110) 내부에 수용된 웨이퍼(200)로의 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
(6) 덮개 개폐 시스템
다음으로 덮개 개폐 시스템에 의한 포드(110)의 덮개를 개폐하는 동작에 대해서 설명한다. 이 포드(110)의 덮개 개폐는 이재 장치(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전(웨이퍼 차징) 및 보트(217)로부터의 탈장(웨이퍼 디스차징) 시에 적절히 수행된다. 이하, 도 7a 내지 도 7f는 웨이퍼 차징(웨이퍼 차지 공정) 시의 동작을 도시한다. 이 포드(110)의 덮개 개폐는 이재 장치(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전 및 보트(217)로부터의 탈장 시에 적절히 수행된다. 이하, 도면을 참조하면서 웨이퍼 차징(웨이퍼 차지 공정) 시의 동작을 도시한다. 또한 도 7a 내지 도 7f를 통틀어서 기재할 때 이후 도 7이라고 약칭한다.
우선, 도 도 7a 내지 도 7f를 이용하여 덮개 개폐 시스템의 구성에 대해서 설명한다. 덮개 개폐 시스템은 정면벽(119a)과의 사이에 덮개 개폐 공간(124a)을 구성하는 경계부(121)와, 포드(110)를 재치하는 재치부(122)와, 포드(110)의 덮개(120)를 탈착하는 덮개 개폐 기구(123)와, 도시되지 않는 덮개 개폐 공간(124a)에 설치되는 게이트부(121a)를 적어도 포함하도록 구성된다. 또한 도시되지 않는 가스 도입 기구(1), 배기 기구(VENT)도 덮개 개폐 시스템에 포함해도 좋다. 게이트부(121a)에 대해서는 후술한다.
도 7a는 포드(110)가 재치부(122)에 재치된 상태를 모식적으로 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에서 이때 덮개 개폐 제어 프로그램이 제어부(240)에 의해 실행 개시된다. 이하, 덮개 개폐 시스템을 구성하는 각 부의 동작은 제어부(240)에 의해 제어된다.
도 7a에서는 도 5에 도시하는 가스 도입 기구(1)에 의한 불활성 가스가 포드(110) 내에 공급된다. 그리고 포드(110) 내부에 불활성 가스가 유통되고, 이재실(124)[또는 덮개 개폐 공간(124a)]의 압력보다 양압으로 제어된다. 또한 압력 또는 퍼지 가스 유량은 미리 설정되어 있다. 예컨대 본 실시 형태에서는 이재실(124)의 2배의 압력으로 설정된다.
도 7b는 포드(110)의 덮개(120)를 덮개 개폐 기구(123)에 압당(押當)하고, 덮개(120)를 덮개 개폐 기구(123)에 장착한 상태를 도시하는 도면이다. 또한 도 5에 도시된 가스 도입 기구(1)는 이 도 7b 이후의 상태에서도 포드(110) 내에 불활성 가스(예컨대 N2 가스)를 공급할 수 있도록 구성된다. 이에 의해 포드(110) 내의 압력을 양압으로 보지할 수 있다.
도 7c는 덮개(120)를 제거한 상태를 도시하는 도면이다. 이와 같이 재치부(122) 상에 재치된 포드(110)의 덮개(120)를 덮개 개폐 기구(123)에 의해 탈착하는 것에 의해 포드(110)의 웨이퍼 출입구(120a)를 개폐하도록 구성된다. 이때 포드(110)는 양압으로 보지되므로 덮개 개폐 기구(123)의 동작에 의한 미소한 파티클이 발생해도 포드(110)에 유입되지 않는다. 예컨대 포드(110)의 압력은 이재실(124)[덮개 개폐 공간(124a)]의 압력의 2배로 보지된다. 또한 포드(110)로의 미세한 파티클의 침입을 억제할 수 있으면 되므로 포드(110) 내의 압력은 이재실(124)[덮개 개폐 공간(124a)]의 압력의 2배로 한정되지 않고, 양압이라면 2배 미만(예컨대 1.1배)이어도 좋고, 또한 2배 이상이어도 좋다.
또한 도 7c는 이재실(124) 사이의 웨이퍼(200)를 이재 장치(125)가 반송하기 위한 공간을 게이트부(121a)로 폐색한 도면이기도 하다. 제어부(240)는 덮개 개폐 기구(123)에 의해 덮개(120)를 포드(110)로부터 제거하고, 덮개 개폐 기구(123)와 함께 게이트부(121a)를 동작시켜서 이재실(124)과 덮개 개폐 공간(124a)을 분리하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 포드(110) 내를 불활성 가스로 미리 치환하고 있기는 하나, 일반적으로는 포드(110) 내는 이재실(124)에 비하면 고산소 농도 상태인 한편, 이재실(124)은 저산소 농도(20ppm 이하) 상태이며, 이재실(124)에 산소가 유입되는 것을 방지하기 위해서 게이트부(121a)에 의해 격리되고 있다.
본 실시 형태에 따르면, 덮개 개폐 기구(123)에 의해 덮개(120)가 제거되면, 전술한 바와 같이 포드(110) 내는 덮개 개폐 공간(124a)의 압력보다 압력이 높아지도록 불활성 가스가 공급되므로(또는 불활성 가스로 충만되어 있으므로) 덮개 개폐 기구(123)의 동작에 의한 미소한 파티클이 포드(110) 내에 혼입되는 것을 저감할 수 있다. 또한 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)에 의한 불활성 가스 공급 및 배기 기구(VENT)에 의한 배기에 의해, 포드(110)의 덮개(120)를 열림(開)으로 할 때 포드(110) 내의 가스 및 덮개 개폐 공간(124a)의 분위기가 배기 기구(VENT)에 흐르도록 구성되고, 포드(110) 내에 도입된 불활성 가스가 배기 기구(VENT)의 방향으로 흐르도록 유로를 형성하도록 구성된다. 이에 의해 덮개 개폐 기구(123)의 동작에 의한 미소한 파티클의 포드(110) 내로의 혼입을 억제하는 효과를 기대할 수 있다.
그리고 이재실(124)과 덮개 개폐 공간(124a)을 분리한 상태에서 계속해서 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)에 의한 불활성 가스 공급 또는 배기 기구(VENT)에 의한 배기에 의해 포드(110) 내 및 덮개 개폐 공간(124a)의 압력을 이재실(124)의 압력보다 높게 유지하면서, 포드(110) 내 및 덮개 개폐 공간(124a)을 N2 분위기로 치환하도록 구성된다. 또한 배기 기구(VENT)에 의한 배기는 게이트부(121a)에 의해 이재실(124)과 덮개 개폐 공간(124a)을 분리한 후 정지해도 좋고, 또한 소정의 압력[예컨대 이재실(124)의 2배 정도]이 되면 배기 기구(VENT)를 동작시켜서 덮개 개폐 공간(124a)을 배기하도록 구성해도 좋다. 또한 N2 분위기로 치환하면서 덮개 개폐 공간(124a)의 산소 농도를 소정의 한계값 이하로 하도록 구성해도 좋다. 또한 본 실시 형태에서는 미리 불활성 가스에 의해 포드(110) 내를 N2로 치환하기 때문에, 필요한 산소 농도까지 도달하는 시간을 단축할 수 있다.
도 7d에 도시하는 바와 같이 덮개 개폐 공간(124a)의 N2 치환이 끝나면(산소 농도가 한계값 이하가 되면), 이재 장치(125)에 의한 웨이퍼(200)의 반송이 가능하도록 포드(110)의 덮개(120)와 덮개 개폐 기구(123)를 슬라이드하도록 구성된다. 이때 도 7d의 화살표(점선)는 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)로부터의 불활성 가스의 흐름을 나타내고, 이재실(124)로부터 배기 기구(VENT)로 이어지는 화살표(실선)는 가스 분위기의 흐름을 나타낸다. 여기서 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)로부터의 불활성 가스의 공급도 정지해도 좋다. 또한 도시되지 않지만 게이트부(121a)도 덮개 개폐 공간(124a)의 소정 위치(초기 위치)로 이동된다.
그리고 도7d에서 이재 장치(125)에 의한 웨이퍼(200)의 반송이 수행된다. 여기서 이재 장치(125)에 의한 웨이퍼(200)의 반송이 시작되어도 포드(110) 내의 분위기 및 이재실(124)의 분위기는 덮개 개폐 공간(124a)을 흘러 배기 기구(VENT)에 의해 배기되도록 구성해도 좋다. 이에 의해 이재 장치(125)의 동작에 의해 파티클이 발생해도 포드(110) 내로의 침입을 저감하는 효과를 기대할 수 있다. 또한 이재 장치(125)에 의한 웨이퍼(200)의 반송 중에 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)로부터 불활성 가스를 공급하도록 구성해도 좋다.
도 7e에 도시하는 바와 같이 포드(110) 내에 웨이퍼(200)가 없어지면, 포드(110)에 덮개(120)를 설치하기 위해서 포드(110)의 덮개(120)와 덮개 개폐 기구(123)를 슬라이드한다. 이때도 배기 기구(VENT)에 의해 이재실(124)의 분위기를 배기하도록 구성해도 좋고, 또한 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)로부터 불활성 가스를 공급하도록 구성해도 좋다. 또한 도시되지 않는 게이트부(121a)로 이재실(124)과 덮개 개폐 공간(124a)의 분리를 수행한 뒤 포드(110)의 덮개(120)와 덮개 개폐 기구(123)를 동작시켜도 좋다.
그 후, 포드(110)에 덮개(120)가 돌아가고(도 7f), 포드(110)가 재치부(122)의 원래 위치(도 7a에 도시하는 포드의 위치)에 돌아간다. 이 포드(110)는 도시되지 않는 포드 회전 선반(105)에 돌아가, 웨이퍼(200)가 수납되는 새로운 포드(110)가 재치부(122)에 반송되고 도 7a 내지 도 7f의 덮개 개폐의 동작이 수행된다. 도 7a 내지 도 7f의 덮개의 개폐 동작은 소정 매수의 웨이퍼(200)가 이재 장치(125)에 의해 도시되지 않는 보트(217)에 장전될 때까지 반복된다.
또한 보트(217)로부터의 탈장(웨이퍼 디스차징)에 대해서도 전술한 바와 같이 도 7a 내지 도 7f의 덮개 개폐 동작이 보트(217)에 장전된 모든 웨이퍼(200)가 탈장될 때까지 반복된다.
(7) 기판 처리 장치의 동작
다음으로 도 1, 도 2, 도 7을 이용하여 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 동작에 대해서 설명한다. 도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 포드(110)가 공정 내 반송 장치(미도시)에 의해 로드 포트(114)에 공급되면 기판 검지 센서(140)에 의해 포드(110)가 검지되고, 포드 반입반출구(112)가 프론트 셔터(113)에 의해 개방된다. 그리고 로드 포트(114) 상의 포드(110)가 포드 반송 장치(118)에 의해 포드 반입반출구(112)로부터 광체(111) 내부로 반입된다.
광체(111) 내부에 반입된 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 회전식 포드 선반(105)의 선반판(117) 상에 자동적으로 반송되고 일시적으로 보관된다. 그 후, 포드(110)는 선반판(117) 상으로부터 재치대(122) 상에 이재된다. 도 1, 도 7a에 도시하는 바와 같이 포드(110)가 반송되어 재치대(122)에 이재되면, 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)에 의해 포드(110)의 하면으로부터 불활성 가스가 유입된다. 또한 광체(111) 내부에 반입된 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 직접 재치대(122) 상에 이재되어도 좋다.
도 7b 내지 도 7c에 도시하는 바와 같이 재치대(122) 상에 재치된 포드(110)는 그 개구측 단면이 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에서의 웨이퍼 반입반출구의 개구 연변부(緣邊部)에 압부(押付)되는 것과 함께 그 덮개(120)가 덮개 개폐 기구(123)에 의해 제거되어 웨이퍼 출입구(120a)가 개방된다. 그 때 도 5에 도시한 가스 도입 기구(1)에 의해 미리 포드(110) 내의 압력은 이재실(124)[덮개 개폐 공간(124a)]의 압력보다 높게 설정되고, 그 결과, 이재실(124)로부터의 분위기가 포드(110)에 도입하는 흐름이 발생하기 어려워진다. 이에 의해 덮개 개폐 기구(123)의 동작에 의해 파티클이 발생해도 포드(110) 내로의 도입이 저감된다.
본 실시 형태에 따르면, 정면벽(119a)과 경계부(121)에 의해 구분되는 덮개 개폐 공간(124a)을 설치하고, 또한 정면벽(119a) 근방에 배기 기구(VENT)를 설치하고, 덮개 개폐 기구(123)의 동작에 의해 덮개(120)를 열 때, 제어부(240)는 포드(110)로부터 배기 기구(VENT)로의 유로를 형성하는 것에 의해서, 이 덮개 개폐 공간(124a)의 분위기를 원하는 분위기로 제어하거나 또는 포드(110) 내의 압력을 제어한다. 또한 제어부(240)는 도 7c에 도시하는 게이트부(121a)와 경계부(121)에 의한 이재실(124)과 덮개 개폐 공간(124a) 분리 후, 포드(110) 내 및 덮개 개폐 공간(124a)의 불활성 가스(예컨대 N2 가스)에 의한 치환 동작을 제어하거나, 포드(110) 내 및 덮개 개폐 공간(124a)의 압력을 제어한다.
다음으로 제어부(240)는 도 7d에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(200)를 반송 가능하도록 덮개(120), 덮개 개폐 기구(123) 등을 동작시킨다. 그 후, 웨이퍼(200)는 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 의해 웨이퍼 출입구(120a)를 통해서 포드(110) 내로부터 웨이퍼(200)를 픽업하고, 도시되지 않는 노치(notch) 맞춤 장치로 방위(方位)를 조정한 후 이재실(124)의 후방에 있는 대기부(126) 내에 반입하고 보트(217)에 장전한다. 그리고 보트(217)에 웨이퍼(200)를 장전한 웨이퍼 이재 장치(125a)는 포드(110)에 돌아가 다음 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한다.
이 일방(상단 또는 하단)의 재치대(122) 상의 포드(110)에서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전 작업 중에 타방(他方)(하단 또는 상단)의 재치대(122) 상에는 별도의 포드(110)가 회전식 포드 선반(105) 상으로부터 포드 반송 장치(118)에 의해 반송되고, 도 7a 내지 도 7c에 도시하는 가스 도입 기구(1)에 의한 포드(110) 내의 가압 제어 및 덮개 개폐 기구(123)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시 진행된다.
그리고 이 일방(상단 또는 하단)의 재치대(122) 상의 포드(110) 내의 웨이퍼(200)가 없어지면, 도 7e 및 도 7f와 같이 덮개 개폐 기구(123)에 의해 덮개(120)가 포드(110)에 돌아가는 것과 함께 도 7a에 도시하는 위치에 포드(110)가 이동된다. 한편, 별도의 포드(110)에서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전이 병행해서 시작된다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전되면, 노구 셔터(147)에 의해 닫힌 처리로(202)의 하단부가 노구 셔터(147)에 의해 개방된다. 계속해서 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)는 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승되는 것에 의해 처리로(202) 내에 반입(로딩)된다.
로딩 후는 처리로(202) 내에서 웨이퍼(200)에 임의의 처리가 실시된다. 처리 후는 노치 맞춤 장치(135)에서의 웨이퍼의 정합 공정을 제외하고 전술한 순서와 거의 반대의 순서로, 처리 후의 웨이퍼(200)를 격납한 보트(217)가 처리실(201)로부터 반출되고, 처리 후의 웨이퍼(200)를 격납한 포드(110)가 광체(111) 외로 반출된다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
또한 본 발명의 실시 형태에 따른 제어부(240)는 전용의 시스템이 아니어도 통상의 컴퓨터 시스템을 이용해서 실현 가능하다. 예컨대 범용 기계에 전술한 각종 처리를 실행하기 위한 프로그램을 격납한 외부 기록 매체(USB 메모리, 외장형 HDD 등)로부터 제어 프로그램을 인스톨하는 것에 의해 전술한 처리를 실행하는 제어부(240)를 구성할 수 있다.
그리고 이들의 프로그램을 공급하기 위한 수단은 임의다. 전술과 같이 소정의 기록 매체를 개재하여 공급할 수 있는 것 외에 예컨대 통신 회선, 통신 네트워크, 통신 시스템 등을 개재하여 공급해도 좋다. 이 경우, 예컨대 통신 네트워크의 게시판에 상기 프로그램을 게시하고 네트워크를 개재하여 반송파에 중첩하여 제공해도 좋다. 그리고 이와 같이 제공된 프로그램을 기동하여 OS의 제어 하에서 다른 어플리케이션 프로그램과 마찬가지로 실행하는 것에 의해 전술한 처리를 실행할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는 기판 처리 장치의 일례로서 반도체 제조 장치를 제시하지만 반도체 제조 장치에 한정되지 않고, LCD 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 장치이어도 좋다. 또한 기판 처리의 구체적 내용은 불문이며, 성막 처리뿐만 아니라 어닐링 처리, 산화 처리, 질화 처리, 확산 처리 등의 처리이어도 좋다. 또한 성막 처리는 예컨대 산화막, 질화막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리이어도 좋다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
1: 가스 도입 기구 100: 기판 처리 장치
200: 웨이퍼(기판)

Claims (13)

  1. 기판이 수납되는 기판 수용기를 재치하는 재치부;
    상기 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 공간을 구성하는 가이드부;
    상기 덮개 개폐 공간을 상기 기판 수용기와 상기 기판이 보지(保持)되는 기판 보지구 사이에서 상기 기판을 반송하는 이재실로부터 분리하는 게이트부;
    상기 덮개 개폐 공간에 설치되고, 상기 기판 수용기의 상기 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구;
    상기 재치부에 재치된 기판 수용기에 가스를 도입하는 가스 도입 기구;
    상기 가스 도입 기구에 의해 상기 가스를 상기 기판 수용기에 도입시키고, 상기 기판 수용기 내의 가스를 치환하는 것과 함께 압력을 높게 하는 감시부; 및
    상기 감시부에 의해 상기 덮개 개폐 공간의 압력보다 상기 기판 수용기 내의 압력을 높게 유지하면서 상기 덮개 개폐 기구에 의해 상기 기판 수용기의 덮개를 열게 하도록 구성되는 제어부;
    를 구비하고,
    상기 감시부는, 상기 이재실과 상기 덮개 개폐 공간을 상기 게이트부에 의해 분리한 상태에서는 상기 가스 도입 기구에 의한 상기 가스의 공급에 의해 상기 기판 수용기 내 및 상기 덮개 개폐 공간의 압력을 상기 이재실의 압력보다 높게 유지하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 도입 기구는 상기 기판 수용기 내를 불활성 가스 분위기로 치환하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 가스 도입 기구에 의해 상기 가스를 상기 기판 수용기에 도입시키고, 상기 기판 수용기 내의 압력을 상기 이재실의 압력보다 큰 압력으로 유지하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 기판 수용기가 상기 재치부에 재치되면, 상기 가스 도입 기구에 의해 상기 가스를 상기 기판 수용기에 도입시키고, 상기 기판 수용기 내의 압력을 상기 이재실의 압력보다 크게 하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 이재실과 상기 덮개 개폐 공간을 상기 게이트부에 의해 격리시킨 후, 상기 이재실 및 상기 덮개 개폐 공간의 압력보다 상기 기판 수용기 내의 압력을 높게 하면서 상기 게이트부를 슬라이드시키도록 구성되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 게이트부에 의해 상기 이재실과 상기 덮개 개폐 공간을 분리한 후, 상기 기판 수용기의 덮개를 열림(開)으로 하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 덮개 개폐 기구에 의해 상기 덮개가 제거되는 상기 기판 수용기의 근방에 설치되고, 상기 덮개 개폐 공간의 분위기를 배기하는 배기 기구를 더 구비하고,
    상기 제어부는 상기 기판 수용기의 덮개를 열림으로 할 때 상기 가스 도입 기구에 공급된 상기 가스가 상기 기판 수용기로부터 상기 배기 기구의 방향으로 흐르는 유로를 형성하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 덮개 개폐 기구에 의해 상기 덮개가 제거된 기판 수용기와 기판 보지구 사이에서 상기 기판을 반송하는 이재 장치를 더 구비하고,
    상기 이재 장치는 상기 게이트부가 소정의 초기 위치로 이동한 후, 상기 기판 수용기 내의 상기 기판의 반송을 시작하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 가스 도입 기구는 상기 덮개 개폐 공간을 불활성 가스 분위기로 치환하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가스 도입 기구는,
    가스의 유량을 제어하는 유량 제어기;
    가스의 유로를 구성하는 가스 배관;
    상기 기판 수용기에 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 가스 도입부와 상기 기판 수용기를 외부로부터 밀폐하는 씰부를 포함하는 퍼지 가스 공급부; 및
    상기 기판 수용기 내의 압력을 조정하는 조정부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 씰부는 상기 가스 도입부와 상기 기판 수용기를 밀폐하는 씰 재료와, 상기 씰부를 보지하는 보지부를 설치하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 보지한 상태에서 상기 기판 보지구가 처리실에 장입(裝入)되고, 상기 기판을 처리하도록 구성되는 처리로를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  13. 기판이 수납되는 기판 수용기를 재치하는 공정;
    상기 기판 수용기의 덮개를 열림으로 하는 공정;
    상기 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 공간과, 상기 기판 수용기와 상기 기판이 보지되는 기판 보지구 사이에서 상기 기판을 반송하는 이재실을 분리하는 공정;
    상기 덮개가 열린 상기 기판 수용기와 상기 기판 보지구 사이에 상기 기판을 이재하는 이재 공정; 및
    상기 기판을 보지한 상태에서 상기 기판 보지구를 처리실에 장입하여 상기 기판을 처리하는 처리 공정;
    을 포함하고,
    상기 기판 수용기를 재치하는 공정에서는 가스를 상기 기판 수용기에 도입하여 상기 기판 수용기 내의 가스를 치환하는 것과 함께 압력을 높게 하고,
    상기 덮개를 열림으로 하는 공정에서는 상기 덮개 개폐 공간의 압력보다 상기 기판 수용기 내의 압력을 높게 유지하면서 덮개 개폐 기구에 의해 상기 기판 수용기의 덮개를 열도록 구성되고,
    상기 덮개 개폐 공간과 상기 이재실을 분리하는 공정에서는 상기 가스를 상기 기판 수용기에 도입하여 상기 기판 수용기 내 및 상기 덮개 개폐 공간의 압력을 상기 이재실의 압력보다 높게 유지하는 반도체 장치의 제조 방법.
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