JP2009123777A - 基板移載方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
基板処理装置の稼働中にツイーザのピッチの確認を行い、ツイーザピッチ確認作業を装置を休止させることなく、効率よく行い、更に基板搬送のトラブルを未然に防止する。
【解決手段】
基板６を収納した基板収納容器７を移載棚２３に搬送する第１の工程と、移載機２６がツイーザ２７により前記基板収納容器から基板保持具２８へ基板を搬送する第２の工程と、該第２の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為のツイーザの状態確認工程とを具備する。
【選択図】 図１

Description

本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理等の基板処理を行う基板処理工程に於ける基板移載方法に関するものである。

シリコンウェーハ、ガラス基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理等の基板処理を行う基板処理装置には、１枚ずつ基板処理を行う枚葉式の基板処理装置と複数枚を一度に基板処理するバッチ式の基板処理装置とがある。

バッチ式の基板処理装置では、所定枚数の基板を基板保持具に水平姿勢で多段に保持させ、前記基板保持具を処理炉の処理室に装入し、所定温度に加熱し、処理ガスを導入して所要の処理を実行している。

又、前記基板保持具への基板の装填、払出しは基板移載機によって行われ、基板移載機は移載効率を向上させる為複数枚、例えば５枚の基板載置プレート（ツイーザ）を具備し、該ツイーザに複数枚の基板を載置して、複数枚同時に前記基板保持具に装填し、或は払出しを行っている。

基板移載機による、基板の移載が正しく行われる為には、基板保持具が基板を保持するピッチと、前記ツイーザのピッチが正確に合致している必要がある。

従来、ツイーザのピッチは、所定稼働時間毎の保守点検時に行われており、前記ツイーザのピッチの確認、調整を行う場合、ツイーザピッチ確認ユニットを装置内に設置し、作業者が操作盤より基板移載機を作動させ、ツイーザをツイーザピッチ確認ユニット迄移動させ、モニタ等によりピッチの状態を確認し、狂いを生じている場合は、ピッチの調整等を行っていた。

又、前記ツイーザピッチ確認ユニットを装置内に設置する場合、基板保持具を除去し、基板保持具が設置されていた場所に設置する等しており、ツイーザピッチ確認作業には、基板保持具の取外し、前記ツイーザピッチ確認ユニットの設置取外し、更に基板保持具の取付け等繁雑な作業を伴う。

更に、ツイーザピッチ調整直後は正しい状態で基板の移載が可能であるが、基板処理装置を連続して稼働していると、振動、熱等により、ツイーザのピッチが変化する可能性がある。ツイーザのピッチが変化すると、基板保持具に移載した場合に基板の位置ずれを起し、或はツイーザと基板保持具とが干渉する可能性がある。

従来の方法であると、保守点検時以外は前記ツイーザのピッチの確認、調整を行っていないので、経時的にツイーザのピッチが変化すると基板搬送のトラブルを発生する。

本発明は斯かる実情に鑑み、基板処理装置の稼働中にツイーザのピッチの確認を行い、ツイーザピッチ確認作業を装置を休止させることなく、効率よく行い、更に基板搬送のトラブルを未然に防止するものである。

本発明は、基板を収納した基板収納容器を移載棚に搬送する第１の工程と、移載機がツイーザにより前記基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する第２の工程と、該第２の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為のツイーザの状態確認工程とを具備する基板移載方法に係るものである。

本発明によれば、基板を収納した基板収納容器を移載棚に搬送する第１の工程と、移載機がツイーザにより前記基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する第２の工程と、該第２の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為のツイーザの状態確認工程とを具備するので、基板処理装置の稼働中にツイーザのピッチの確認を行え、ツイーザのピッチの誤差による処理中の事故の発生を防止できると共に基板処理装置を休止させることなくツイーザのピッチの確認ができるので稼働率の向上が図れるという優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置１について説明する。

該基板処理装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面にはメンテナンス可能な様に正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４を開閉する正面メンテナンス扉５が設けられている。

シリコン等からなるウェーハ（基板）６は、ポッド（基板収容器）７に収納され、搬入出され、前記筐体２の正面にはポッド搬入搬出口８が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口８はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）９によって開閉される様になっている。

前記ポッド搬入搬出口８の正面前方側にはポッド授受台１１が設置されており、該ポッド授受台１１は、載置されたポッド７の位置合せ機能を有している。該ポッド７は前記ポッド授受台１１上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又、該ポッド授受台１１上から搬出される様になっている。

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１２が設置されており、該回転式ポッド棚１２は複数個のポッド７を保管する様に構成されている。即ち、前記回転式ポッド棚１２は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１３と、該支柱１３に上下複数段（図示では４段）に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置板）１４とを備えており、複数枚の棚板１４はポッド７を複数個宛それぞれ載置し、保管可能となっている。

前記筐体２内に於ける前記ポッド授受台１１と前記回転式ポッド棚１２との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１５が設置されており、該ポッド搬送装置１５は、ポッド７を保持して昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１６と搬送ロボット（基板収容器搬送機構）１７とで構成されており、前記ポッド搬送装置１５は前記ポッドエレベータ１６と前記搬送ロボット１７との協働により、前記ポッド授受台１１、前記回転式ポッド棚１２、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１８との間で、ポッド７を搬送する様に構成されている。

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１９が後端に亘って構築されている。前記サブ筐体１９の正面壁２１にはウェーハ６を前記サブ筐体１９内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口２２が１対、垂直方向に上下２段に開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口２２，２２には１対の前記ポッドオープナ１８，１８がそれぞれ設置されている。

該ポッドオープナ１８はポッド７を載置する載置台２３と、前記ポッド７のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構２４とを備えている。前記ポッドオープナ１８は前記載置台２３に載置されたポッド７のキャップを前記キャップ着脱機構２４によって着脱することにより、ポッド７のウェーハ出入れ口を開閉する様に構成されている。

前記サブ筐体１９は前記ポッド搬送装置１５や前記回転式ポッド棚１２の設置空間から流体的に隔絶された移載室２５を構成している。該移載室２５の前側領域にはウェーハ移載機２６が設置されており、該ウェーハ移載機２６は、ウェーハ６を保持する所要枚数のツイーザ（基板保持体）２７を具備し、該ツイーザ２７を水平方向に回動、進退、昇降可能であり、回動、進退、昇降の協働で、ウェーハ６をボート（基板保持具）２８に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）する様に構成されている。

前記ウェーハ移載機２６に対向してクリーンユニット２９が設置され、該クリーンユニット２９は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３１を供給する様、供給ファン及び防塵フィルタを具備している。前記ウェーハ移載機２６と前記クリーンユニット２９との間には、ウェーハ６の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置３２が設置されている。

前記ウェーハ移載機２６に対向し、前記ツイーザ２７の動作範囲内にツイーザピッチ確認ユニット８１が設けられ、該ツイーザピッチ確認ユニット８１はフォトセンサ、ラインセンサ等の検出器を具備し、前記ツイーザ２７間のピッチが設定値であるかどうか、設定値に対して許容範囲内にあるかどうかを検出するものであり、検出結果は後述するモニタに表示される様になっている。

前記クリーンユニット２９から吹出された前記クリーンエア３１は、前記ノッチ合せ装置３２及び前記ウェーハ移載機２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、又は前記クリーンユニット２９の吸込み側である１次側（供給側）に迄循環され、再び前記クリーンユニット２９によって、前記移載室２５内に吹出される様に構成されている。

前記移載室２５の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という）を維持可能な気密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という）３３が設置されており、該耐圧筐体３３により前記ボート２８を収納可能なロードロック室３４が形成されている。

前記耐圧筐体３３の正面壁にはウェーハ搬入搬出開口３５が開設されており、該ウェーハ搬入搬出開口３５はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）３６によって開閉される様になっている。前記耐圧筐体３３の１対の側壁には前記ロードロック室３４へ窒素ガスを供給する為のガス供給管３７と、前記ロードロック室３４を負圧に排気する為の排気管３８とがそれぞれ接続されている。

前記ロードロック室３４上方には、処理炉４１が設けられている。該処理炉４１の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）４２により開閉される様に構成されている。前記耐圧筐体３３の正面壁の上端部には、前記炉口ゲートバルブ４２を前記処理炉４１の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー４３が取付けられている。

前記耐圧筐体３３には前記ボート２８を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）４４が設置されている。該ボートエレベータ４４に連結された連結具としてのアーム４５には蓋体としてのシールキャップ４６が水平に設けられており、該シールキャップ４６は前記ボート２８を垂直に支持し、前記処理炉４１の下端部を閉塞可能な様に構成されている。

前記ボート２８は複数本の保持部材を備えており、所要数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ６をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持する様に構成されている。

次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。

前記ポッド７が前記ポッド授受台１１に供給されると、前記ポッド搬入搬出口８が前記フロントシャッタ９によって開放され、前記ポッド授受台１１の上のポッド７は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口８から搬入される。

搬入されたポッド７は、前記回転式ポッド棚１２の指定された前記棚板１４へ前記ポッド搬送装置１５によって搬送され、一時的に保管された後、前記棚板１４から前記ポッドオープナ１８に搬送されて前記載置台２３に移載されるか、若しくは直接前記ポッドオープナ１８に搬送されて前記載置台２３に移載される。

前記ポッド７が前記回転式ポッド棚１２から前記ポッドオープナ１８に搬送されるか、或は前記ポッド授受台１１から直接、前記ポッドオープナ１８に搬送されるかは、前記回転式ポッド棚１２のポッド７の格納状態、或は基板処理装置１の基板処理進行状態によって適宜決定される。

又、基板処理のプロセスが開始され、ポッド７が前記ポッドオープナ１８に搬送される工程、或は該ポッドオープナ１８から基板が前記ボート２８に移載される工程の前工程として、ツイーザピッチ確認工程が実行される。尚、ツイーザピッチ確認工程は、プロセスが開始される度、或はプロセスが所定回数実行される度に、或は前記処理炉４１での基板処理がなされ、前記ウェーハ移載機２６による基板移載が行われていない場合に、適宜実行され、好ましくはプロセスが開始される度に実行される。

前記ウェーハ移載機２６が前記ツイーザ２７を前記ツイーザピッチ確認ユニット８１に挿入し、該ツイーザピッチ確認ユニット８１により前記ツイーザ２７間のピッチが確認され、ピッチが正常であった場合にプロセスが続行され、異常であった場合は、警告、処理の停止が行われる。

前記ウェーハ搬入搬出口２２は前記キャップ着脱機構２４によって閉じられており、前記移載室２５にはクリーンエア３１が流通され、充満されている。例えば、前記移載室２５にクリーンエア３１として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

前記ツイーザ２７間のピッチが正常であった場合プロセスが実行される。

前記載置台２３に載置されたポッド７は、その開口側端面が前記ウェーハ搬入搬出口２２の開口縁辺部に押付けられると共に、そのキャップが前記キャップ着脱機構２４によって取外され、ポッド７のウェーハ出入れ口が開放される。前記ロードロック室３４は、予め内部が大気圧状態とされており、前記ウェーハ搬入搬出開口３５が前記ゲートバルブ３６の動作により開放されると、ウェーハ６はポッド７から前記ウェーハ移載機２６によってウェーハ出入れ口を通じてピックアップされ、前記ノッチ合せ装置３２にてウェーハを整合した後、前記ウェーハ搬入搬出開口３５を通じて前記ロードロック室３４に搬入され、前記ボート２８へ移載されて装填（ウェーハチャージング）される。前記ボート２８にウェーハ６を移載した前記ウェーハ移載機２６はポッド７に戻り、次のウェーハ６を前記ボート２８に装填する。

一方（上段又は下段）の前記ポッドオープナ１８に於ける前記ウェーハ移載機２６によるウェーハ６の前記ボート２８への装填作業中に、他方（下段又は上段）の前記ポッドオープナ１８には前記回転式ポッド棚１２又は前記ポッド授受台１１から別のポッド７が前記ポッド搬送装置１５によって搬送され、前記ポッドオープナ１８によるポッド７の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウェーハ６が前記ボート２８に装填されると、前記ウェーハ搬入搬出開口３５が前記ゲートバルブ３６によって閉じられ、前記ロードロック室３４は前記排気管３８から真空引きされることにより、減圧される。

前記ロードロック室３４が前記処理炉４１内の圧力と同圧に減圧されると、前記処理炉４１の下端部が前記炉口ゲートバルブ４２によって開放され、該炉口ゲートバルブ４２は前記炉口ゲートバルブカバー４３に収納される。

続いて、前記シールキャップ４６が前記ボートエレベータ４４によって上昇され、前記ボート２８が前記処理炉４１内へ装入（ローディング）される。ローディング後は、前記処理炉４１にてウェーハ６に所要の処理が実施される。

処理後は、前記ボートエレベータ４４により前記ボート２８が引出され、更に、前記ロードロック室３４内部を大気圧に復圧させた後に前記ゲートバルブ３６が開かれる。その後は、前記ノッチ合せ装置３２でのウェーハの整合工程を除き、上述と逆の手順で、ウェーハ６及びポッド７は筐体２の外部へ払出される。

次に、図３を参照して、前記処理炉４１について説明する。

前記処理炉４１は加熱機構としてのヒータ５１を有する。該ヒータ５１は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース５２に支持されることにより垂直に設置されている。

前記ヒータ５１の内側には、該ヒータ５１と同心に反応管５３が配設され、該反応管５３は内部反応管５４と、該内部反応管５４と同心に、外側に設けられた外部反応管５５とから構成されている。

前記内部反応管５４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。前記内部反応管５４は処理室５６を画成し、該処理室５６には前記ボート２８が収納される。

前記外部反応管５５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。

前記外部反応管５５の下方には、該外部反応管５５と同心円状にマニホールド６０が配設されている。該マニホールド６０は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。前記マニホールド６０に、前記内部反応管５４と前記外部反応管５５が支持されている。前記マニホールド６０と前記外部反応管５５との間にはシール部材としてのＯリングが設けられている。前記マニホールド６０が前記ヒータベース５２に支持されることにより、前記反応管５３は垂直に据付けられた状態となっている。該反応管５３と前記マニホールド６０により反応容器が形成される。

前記シールキャップ４６にはガス導入部としてのノズル５７が前記処理室５６内に連通する様に接続されており、前記ノズル５７にはガス供給管５８が接続されている。該ガス供給管５８の前記ノズル５７との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）５９を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。該ＭＦＣ５９には、ガス流量制御部６１が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記マニホールド６０には、前記処理室５６内の雰囲気を排気する排気管６２が設けられている。該排気管６２は、前記内部反応管５４と前記外部反応管５５との隙間によって形成される筒状空間６３の下端部に連通している。前記排気管６２の前記マニホールド６０との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ６４及び圧力調整装置６５を介して真空ポンプ等の真空排気装置６６が接続されており、前記処理室５６内の圧力が所定の圧力（真空度）となる様真空排気し得る様に構成されている。

前記圧力調整装置６５及び前記圧力センサ６４には、圧力制御部６７が電気的に接続されており、該圧力制御部６７は前記圧力センサ６４により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置６５により前記処理室５６内の圧力が所望の圧力となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記マニホールド６０の下端開口は炉口部６８を構成し、該炉口部６８は前記シールキャップ４６により気密に閉塞可能となっており、該シールキャップ４６は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シールキャップ４６の下面側には前記ボート２８を回転させる回転機構６９が設置されている。

該回転機構６９の回転軸７１は前記シールキャップ４６を貫通して、ボート載置台７２を支持し、該ボート載置台７２には前記ボート２８が載置され、前記ボート載置台７２を回転させることで前記ボート２８及び該ボート２８に保持されたウェーハ６を回転させる様に構成されている。

前記シールキャップ４６は前記ボートエレベータ４４に前記アーム４５を介して支持され、前記ボートエレベータ４４の昇降動で前記ボート２８が前記処理室５６に装脱される様に構成されている。前記回転機構６９及び前記ボートエレベータ４４には、駆動制御部７３が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記ボート２８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ６を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート２８の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板７４が水平姿勢で多段に配置されており、前記ヒータ５１からの熱が前記マニホールド６０側に伝わり難くなる様構成されている。

前記反応管５３内には、温度検出器としての温度センサ７５が設置されている。前記ヒータ５１と前記温度センサ７５には、電気的に温度制御部７６に接続されており、前記温度センサ７５により検出された温度情報に基づき前記ヒータ５１への通電具合を調整することにより前記処理室５６内の温度が所望の温度分布となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記ガス流量制御部６１、前記圧力制御部６７、前記駆動制御部７３、前記温度制御部７６は、入出力部、データ送信部を具備し、基板処理装置全体を制御する主制御部７７に電気的に接続されている。これら、前記ガス流量制御部６１、前記圧力制御部６７、前記駆動制御部７３、前記温度制御部７６、前記主制御部７７はコントローラ７８として構成されている。

次に、上記構成に係る前記処理炉４１を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ６上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作は前記コントローラ７８により制御される。

所定枚数のウェーハ６が前記ボート２８に装填されると、該ボート２８は、前記ボートエレベータ４４によって上昇され、前記処理室５６に装入される。この状態では、前記シールキャップ４６は前記炉口部６８を気密に閉塞する。

前記処理室５６内が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置６６によって真空排気される。この際、前記処理室５６内の圧力は、前記圧力センサ６４で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力制御部６７は前記圧力調整装置６５をフィードバック制御する。又、前記処理室５６内が所望の温度となる様に前記ヒータ５１によって加熱される。この際、前記処理室５６内が所望の温度分布となる様に前記温度センサ７５が検出した温度情報に基づき前記ヒータ５１への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構６９により前記ボート２８が回転されることで、ウェーハ６が回転される。

次いで、処理ガス供給源から供給され、前記ＭＦＣ５９にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管５８を流通して前記ノズル５７から前記処理室５６内に導入される。導入されたガスは前記処理室５６内を上昇し、前記内部反応管５４の上端を折返し、前記筒状空間６３を流下して前記排気管６２から排気される。ガスは前記処理室５６内を通過する際にウェーハ６の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ６の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室５６内が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室５６内の圧力が常圧に復帰される。

その後、ボートエレベータ４４により前記シールキャップ４６が降下されて、前記マニホールド６０の下端が開口されると共に、処理済ウェーハ６が前記ボート２８に保持された状態で前記炉口部６８から前記反応管５３の外部に引出される。その後、処理済ウェーハ６は前記ウェーハ移載機２６により前記ボート２８より払出される。

尚、成膜処理は、ＣＶＤ処理の他にもＰＶＤ処理が含まれ、酸化膜、窒化膜、金属膜の生成も含まれ、又複数のツイーザ２７を用いてウェーハ、基板の搬送を行う基板の処理方法、基板処理装置に実施可能であることは言う迄もない。

次に、図４を参照して前記ツイーザピッチ確認ユニット８１について説明する。

該ツイーザピッチ確認ユニット８１は前記ツイーザ２７の可動範囲内に設けられ、該ツイーザ２７，２７間のピッチを検出する為のセンサ８２，８３を具備している。該センサ８２，８３としては、例えばフォトセンサが用いられ、該センサ８２，８３を前記ツイーザ２７が横切った場合に検出信号が発せられる様になっている。

前記ツイーザ２７が前記ツイーザピッチ確認ユニット８１に装入され、前記ツイーザ２７が上昇されると、上段の前記ツイーザ２７から順に前記センサ８２，８３を横切る。

前記ツイーザ２７の上昇速度を所定速度一定とすると、前記センサ８２，８３から発せられる信号の時間間隔が前記ツイーザ２７，２７間のピッチに対応し、又前記時間間隔に前記所定速度を掛けたものが前記ツイーザ２７，２７間のピッチとなる。

前記時間間隔を測定し、該時間間隔が設定した時間に対して等しいか、許容誤差範囲にあるかどうかを判定することで、ツイーザピッチが確認できる。又、前記センサ８２，８３を複数設け、測定時間を平均化することでツイーザピッチ確認精度が向上する。更に、図示の如く水平方向に複数設け、前記センサ８２，８３検出時の時間差を検出することで、前記ツイーザ２７の傾斜を検出することができる。

尚、前記ウェーハ移載機２６の昇降機構部にエンコーダ等昇降位置を検出できる、上下位置検出器を設け、前記センサ８２，８３からの信号を受信した時の高さ位置を検出することで、前記ツイーザ２７のピッチを確認することができる。或は、ラインセンサを設け、該ラインセンサにより全てのツイーザ２７を含む像を取得し、前記ラインセンサより直接前記ツイーザ２７のピッチを確認してもよい。

前記ツイーザピッチ確認ユニット８１で検出した結果は、前記駆動制御部７３に送信される。

図５は、ツイーザのピッチ確認動作を実行させる為の制御ブロック図である。尚、図１〜図４と同等のものには同符号を付してある。又、図５中、８８は操作部を示す。

前記駆動制御部７３は第１ＣＰＵ９１、第１記憶部９２、動作制御部９３、データ入出力部９４、データ送受信部９５等を具備し、該データ送受信部９５を介して前記主制御部７７とデータの送受信が可能となっている。前記第１記憶部９２には、前記ツイーザピッチ確認ユニット８１によるピッチ確認結果を基に、ピッチの正常、異常を判断し、処理を実行させるか、警告を発するか、処理を停止させるか等を判断し、実行する処理プログラム等が格納されている。

尚、図中、９９は複数の基板処理装置１を統括し、各基板処理装置１に基板処理の内容、実行を指令する上位コンピュータである。

又、図中、１０１はシーケンサであり、基板処理装置１に於ける前記ポッド搬送装置１５の搬送作動の実行、制御、前記ボートエレベータ４４の昇降作動の実行、制御、前記ウェーハ移載機２６の基板移載の実行、制御等を行うものであり、以下は前記ツイーザピッチ確認ユニット８１に於けるツイーザピッチ確認作動に関して説明する。

前記シーケンサ１０１は、第２ＣＰＵ１０２、第２記憶部１０３等を具備し、該第２記憶部１０３にはツイーザピッチ確認作動を実行させる為のシーケンスプログラム、前記ツイーザピッチ確認ユニット８１から送信される信号を基に前記ツイーザ２７のピッチを演算（測定）する演算プログラム、得られたピッチが所定のピッチか、或は所定の許容範囲に含まれているかを判断する判断プログラム等が格納され、又前記第２記憶部１０３には前記ツイーザ２７のピッチの測定が時系列で記録される様になっている。

前記シーケンサ１０１で得られたピッチ測定結果は、前記データ入出力部９４、前記第１ＣＰＵ９１を介して前記第１記憶部９２に格納される。前記第１ＣＰＵ９１は前記処理プログラムを展開し、前記第１記憶部９２から前記ピッチ測定結果に基づき所要の処理を実行する。

図６を参照して、ツイーザピッチ確認工程を含む前記ポッド搬送装置１５、前記ウェーハ移載機２６によるウェーハ搬送動作について説明する。

前記上位コンピュータ９９より、基板処理内容、処理条件等が前記主制御部７７に送信されると共にプロセス実行の指令が前記主制御部７７に発せられる。

プロセス実行の指令を受けることで、ツイーザピッチ確認工程が実行される。

前記シーケンサ１０１よりツイーザピッチ確認動作に必要なシーケンスデータが前記駆動制御部７３に送信され、前記シーケンスデータに基づき前記ウェーハ移載機２６が駆動制御される。即ち、前記ツイーザ２７が前記ツイーザピッチ確認ユニット８１に挿入され、次に所定速度で上昇又は下降（図４では上昇を示している）させる。前記センサ８２，８３からの前記ツイーザ２７検出信号が取得され、前記シーケンサ１０１に送信される。

該シーケンサ１０１により前記ツイーザ２７のピッチが演算され、ピッチの演算結果、及びピッチが正常か、許容範囲内かの判断が前記駆動制御部７３に送信される。

該駆動制御部７３は、正常レベルである時は処理を続行し、又誤差がある場合は、誤差の程度に応じて警告レベル、異常レベルが設定され、誤差が警告レベルの場合は、処理を続行すると共に警告メッセージを発し、ウェーハの搬送ができない状態になり、基板処理装置１が停止する前にツイーザ２７のピッチ調整が必要であることを作業者に知らせる。

又、誤差が許容値を超え、異常レベルである場合は、処理を停止し、事故の発生を防止すると共に異常メッセージを発する。

又、ツイーザピッチ確認結果は、前記主制御部７７によって前記上位コンピュータ９９に報告され、又ツイーザピッチ確認結果に基づき決定した処理の内容についても前記上位コンピュータ９９に報告される。

処理の続行が決定されると、前記ポッド搬送装置１５により前記回転式ポッド棚１２から前記ポッド７が前記ポッドオープナ１８へ搬送される。尚、前記回転式ポッド棚１２にポッド７がない場合は、前記ポッド授受台１１から直接前記ポッドオープナ１８に搬送される。

前記ポッドオープナ１８で、前記ポッド７の蓋が開かれ、前記ウェーハ移載機２６により前記ポッド７から前記ボート２８にウェーハが移載される。ウェーハの移載は、前記ポッド７のウェーハ６がなくなる迄、更にポッド７の予定個数分のウェーハ６の移載が完了する迄繰返し実行される。

而して、プロセスを実行する度に、ツイーザピッチが確認されるので、プロセス処理途中でツイーザピッチの狂いによるウェーハ６の位置ずれ、前記ツイーザ２７とウェーハ６、前記ボート２８との干渉等、事故の発生が防止される。

尚、ツイーザピッチ確認は、前記処理炉４１による処理が実行されている最中で、前記ウェーハ移載機２６によるウェーハ６の移載が行われていない時に実行されてもよい。

又、保守調整後の調整状態を確認する場合にも、ツイーザピッチ確認が実行され、この場合は、ハンディターミナル８７により作業者が指示して行うことができる。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板を収納した基板収納容器を移載棚に搬送する第１の工程と、移載機がツイーザにより前記基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する第２の工程と、該第２の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為のツイーザの状態確認工程とを具備することを特徴とする基板移載方法。

（付記２）基板を収納した基板収納容器を移載棚に搬送する第１の工程と、移載機が複数のツイーザにより前記基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する第２の工程と、基板を保持した前記基板保持具を反応炉に装入する第３の工程と、基板を処理し、処理後前記基板保持具を前記反応炉から取出す第４の工程と、前記第２の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為に前記移載機をツイーザ確認ユニットにアクセスさせる第５の工程を具備することを特徴とする基板処理方法。

（付記３）前記第５の工程は、前記第１の工程の前に実行される付記１又は付記２の基板移載方法又は基板処理方法。

（付記４）前記第５の工程に於ける前記ツイーザの調整状態の確認は、前記ツイーザ間のピッチの調整状態が確認される付記１又は付記２の基板移載方法又は基板処理方法。

（付記５）前記第５の工程で確認した結果と予め設定した規定値とを比較し、比較結果に応じて基板移載の態様を決定する付記１又は付記２の基板移載方法又は基板処理方法。

（付記６）前記規定値の確認結果との差に応じて正常レベル、警告レベル、異常レベルを設定し、正常レベルの場合は、基板の搬送を実行し、警告レベルの場合は警告メッセージを発すると共に基板の搬送を実行し、異常レベルの場合は、異常メッセージを発すると共に基板の搬送を停止する付記５の基板移載方法又は基板処理方法。

（付記７）基板収納容器を格納する移載棚と、前記基板収納容器を前記移載棚に搬送する収納容器搬送装置と、基板を所要枚数保持する基板保持具と、複数のツイーザを有し、該ツイーザにより複数の基板が移載可能であり、前記基板保持具と前記移載棚の基板収納容器との間で基板を移載する基板移載機と、前記基板保持具を収納し、基板を処理する処理炉と、前記収納容器搬送装置、前記基板移載機を駆動制御する制御装置とを具備し、該制御装置は、前記基板移載機が前記基板収納容器から前記基板保持具へ基板を搬送する工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。

本発明が実施される基板処理装置の平面図である。 該基板処理装置の側断面図である。 該基板処理装置に用いられる処理炉の立断面図である。 本発明に用いられるツイーザピッチ確認ユニットの概略説明図である。 ツイーザのピッチ確認動作を実行させる為の制御ブロック図である。 本発明に於けるウェーハ搬送動作のシーケンス図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
６ ウェーハ
７ ポッド
１２ 回転式ポッド棚
１５ ポッド搬送装置
１８ ポッドオープナ
２４ キャップ着脱機構
２６ ウェーハ移載機
２７ ツイーザ
２８ ボート
４１ 処理炉
４４ ボートエレベータ
４５ アーム
５１ ヒータ
６１ ガス流量制御部
６７ 圧力制御部
７３ 駆動制御部
７６ 温度制御部
７７ 主制御部
７８ コントローラ
８１ ツイーザピッチ確認ユニット
９１ 第１ＣＰＵ
９２ 第１記憶部
１０１ シーケンサ
１０３ 第２記憶部

Claims (1)

1. 基板を収納した基板収納容器を移載棚に搬送する第１の工程と、移載機がツイーザにより前記基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する第２の工程と、該第２の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為のツイーザの状態確認工程とを具備することを特徴とする基板移載方法。

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