JP2009088314A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】データの受信状態の監視が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール(A)〜(Z)と、これら装置側モジュール(A)〜(Z)と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール(A)〜(Z)と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール(A)〜(Z)に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール(A)〜(Z)と、これら装置側モジュール(A)〜(Z)と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール(A)〜(Z)と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール(A)〜(Z)に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。
【選択図】図1
Description
本発明は基板処理装置に関するものであり、特に、データ通信の状態を監視することにより通信の良否を判定する基板処理装置に関するものである。
従来の基板処理装置は、装置側のモジュールと制御系統の通信を、回線の接続、切断の状態により監視しており、その結果や履歴をモニタに表示させることで、オペレータや監視者に周知させている。また、通信の履歴をメールで監視者に送付し、周知させることにより、通信状態の正常化を行っている。
しかし、通信回線の接続状態が画面上に表示されていても、各種機器やプログラムからデータが送られてきているかどうかを判断し、結果を監視者に通知する手段が備えられていないので、データの送受信が正常に行われているかどうかを確認することができないし、データを正しく運用することができないことがある。
例えば、従来の基板処理装置において、基板処理室を加熱するためのヒータを、10℃/秒の昇温レートで常温(20℃)から100℃に昇温している最中に通信障害が発生し、数秒後に自然に回復した場合を想定する。このような場合、時系列順にデータをグラフ上にプロットすると、通信障害が発生する直前のデータに続いて通信障害の回復後のデータをプロットすることになるので、制御状態と異なったグラフが作成されてしまう。
例えば、従来の基板処理装置において、基板処理室を加熱するためのヒータを、10℃/秒の昇温レートで常温(20℃)から100℃に昇温している最中に通信障害が発生し、数秒後に自然に回復した場合を想定する。このような場合、時系列順にデータをグラフ上にプロットすると、通信障害が発生する直前のデータに続いて通信障害の回復後のデータをプロットすることになるので、制御状態と異なったグラフが作成されてしまう。
そこで、本発明はデータ通信の状態から通信の正常、異常を判定する基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明に係る好ましい態様は、半導体製造装置に設けられ、データを送信又は受信する複数の装置側モジュールと、これら装置側モジュールと通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュールと監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成された基板処理装置を提供する。
本発明によれば、基板処理装置において、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断することができ、データ通信の状態を監視者に通知することができる。
まず、図9乃至図11を参照して本発明に係る基板処理装置を説明し、次に、図1乃至図8を参照して本実施の形態に係る基板処理装置の通信監視システムについて説明する。
<基板処理装置>
基板処理装置は、本実施の形態においては、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。
なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行う縦型の装置(以下、単に基板処理装置という)を適用した場合について説明する。
基板処理装置は、本実施の形態においては、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。
なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行う縦型の装置(以下、単に基板処理装置という)を適用した場合について説明する。
図9は、本発明に適用される基板処理装置の平面透視図として示されている。また、図10は図9に示す基板処理装置の側面透視図である。
図9及び図10に示されているように、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したウエハキャリアとしてフープ(基板収容器。以下ポッドという。)110が使用されている本発明の基板処理装置100は、筐体111を備えている。
筐体111の正面壁111aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。
筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口112の正面前方側にはロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されており、ロードポート114はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
図9及び図10に示されているように、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したウエハキャリアとしてフープ(基板収容器。以下ポッドという。)110が使用されている本発明の基板処理装置100は、筐体111を備えている。
筐体111の正面壁111aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。
筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口112の正面前方側にはロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されており、ロードポート114はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されており、回転式ポッド棚105は複数個のポッド110を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚105は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117とを備えており、複数枚の棚板117はポッド110を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されており、ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118はポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚105は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117とを備えており、複数枚の棚板117はポッド110を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されており、ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118はポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。
筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。
サブ筐体119の正面壁119aにはウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には一対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ121はポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。ポッドオープナ121は載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体119の正面壁119aにはウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には一対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ121はポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。ポッドオープナ121は載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体119はポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105の設置空間から流体的に隔絶された移載室124を構成している。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されており、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125a及びウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。
これら、ウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ボート(基板保持具)217に対してウエハ200を装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
これら、ウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ボート(基板保持具)217に対してウエハ200を装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
図9に示されているように移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されており、ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウエハ200の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置135が設置されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135及びウエハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135及びウエハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
移載室124の後側領域には、大気圧未満の圧力(以下、負圧という。)を維持可能な機密性能を有する筐体(以下、耐圧筐体という。)140が設置されており、この耐圧筐体140によりボート217を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室141が形成されている。
耐圧筐体140の正面壁140aにはウエハ搬入搬出開口(基板搬入搬出開口)142が開設されており、ウエハ搬入搬出開口142はゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)143によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の一対の側壁にはロードロック室141へ窒素ガスを給気するためのガス供給管144と、ロードロック室141を負圧に排気するための排気管145とがそれぞれ接続されている。
ロードロック室141上方には、処理炉202が設けられている。
処理炉202の下端部は炉口ゲートバルブ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。耐圧筐体140の正面壁140aの上端部には、炉口ゲートバルブ147を処理炉202の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー149が取り付けられている。
耐圧筐体140の正面壁140aにはウエハ搬入搬出開口(基板搬入搬出開口)142が開設されており、ウエハ搬入搬出開口142はゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)143によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の一対の側壁にはロードロック室141へ窒素ガスを給気するためのガス供給管144と、ロードロック室141を負圧に排気するための排気管145とがそれぞれ接続されている。
ロードロック室141上方には、処理炉202が設けられている。
処理炉202の下端部は炉口ゲートバルブ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。耐圧筐体140の正面壁140aの上端部には、炉口ゲートバルブ147を処理炉202の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー149が取り付けられている。
図9に示されるように、耐圧筐体140にはボート217を昇降させるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置される。
ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム128には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成される。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成される。
ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム128には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成される。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成される。
次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
図9及び図10に示されるように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロードポート114の上のポッド110はポッド搬送装置118によって筐体111の内部へポッド搬入搬出口112から搬入される。
搬入されたポッド110は回転式ポッド棚105の指定された棚板117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124にはクリーンエア133として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
図9及び図10に示されるように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロードポート114の上のポッド110はポッド搬送装置118によって筐体111の内部へポッド搬入搬出口112から搬入される。
搬入されたポッド110は回転式ポッド棚105の指定された棚板117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124にはクリーンエア133として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
載置台122に載置されたポッド110はその開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ポッド110のウエハ出し入れ口が開放される。
また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室141のウエハ搬入搬出開口142がゲートバルブ143の動作により開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口142を通じてロードロック室141に搬入され、ボート217へ移載されて装填(ウエハチャージング)される。
ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。
また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室141のウエハ搬入搬出開口142がゲートバルブ143の動作により開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口142を通じてロードロック室141に搬入され、ボート217へ移載されて装填(ウエハチャージング)される。
ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。
この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載装置125aによるウエハ200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121には回転式ポッド棚105乃至ロードポート114から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ200がボート217装填されると、ウエハ搬入搬出開口142がゲートバルブ143によって閉じられ、ロードロック室141は排気管145から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室141が処理炉202内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ147は炉口ゲートバルブカバー149の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115の昇降台161によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。
ロードロック室141が処理炉202内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ147は炉口ゲートバルブカバー149の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115の昇降台161によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。
ローディング後は、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ115によりボート217が引き出され、更に、ロードロック室141内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ143が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ200及びポッド110は筐体111の外部へ払い出される。
<処理炉>
図9は、本発明に適用される基板処理装置の平面透視図として示されている。また、図10は図9に示す基板処理装置の側面透視図である。
図9は、本発明に適用される基板処理装置の平面透視図として示されている。また、図10は図9に示す基板処理装置の側面透視図である。
図11に示されているように、処理炉202は加熱機構としてのヒータ206を有する。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ206の内側には、ヒータ206と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ203が配設されている。プロセスチューブ203は内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205とから構成されている。インナーチューブ204は、例えば石英(SiO2)又は炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。
インナーチューブ204の筒中空部には処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ205は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。
インナーチューブ204の筒中空部には処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ205は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。
アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。
マニホールド209は、インナーチューブ204とアウターチューブ205に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間にはシール部材としてのOリング220aが設けられている。
マニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209により反応容器が形成される。
マニホールド209は、インナーチューブ204とアウターチューブ205に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間にはシール部材としてのOリング220aが設けられている。
マニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209により反応容器が形成される。
後述するシールキャップ219にはガス導入部としてのノズル230が処理室201内に連通するように接続されており、ノズル230にガス供給管232が接続されている。
ガス供給管232のノズル230との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス供給管232のノズル230との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されており、筒状空間250に連通している。
排気管231のマニホールド209との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ245及び圧力調整装置242を介して真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置242及び圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は圧力センサ245により検出された圧力に基づいて圧力調整装置242により処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
排気管231のマニホールド209との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ245及び圧力調整装置242を介して真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置242及び圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は圧力センサ245により検出された圧力に基づいて圧力調整装置242により処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219はマニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。
シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
シールキャップ219の上面にはマニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられる。
シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。
シールキャップ219はプロセスチューブ203の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構254及びボートエレベータ115には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
シールキャップ219の上面にはマニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられる。
シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。
シールキャップ219はプロセスチューブ203の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構254及びボートエレベータ115には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるよう構成されている。
プロセスチューブ203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。
ヒータ206と温度センサ263には、電気的に温度制御部238が接続されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調整することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ヒータ206と温度センサ263には、電気的に温度制御部238が接続されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調整することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。
これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239はコントローラ(以下、装置コントローラという)240として構成されている。
これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239はコントローラ(以下、装置コントローラという)240として構成されている。
次に、上記構成に係る処理炉202を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、CVD法によりウエハ200上に薄膜を形成する方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作は装置コントローラ240により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図11に示されるように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入(ボートローディング)される。
この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空排気装置246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置242が、フィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206によって加熱される。
この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転される。
この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転される。
次いで、処理ガス供給源から供給され、マスフローコントローラ(MFC)241にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管232を流通してノズル230から処理室201内に導入される。
導入されたガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250に流出して排気管231から排気される。
ガスは処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
導入されたガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250に流出して排気管231から排気される。
ガスは処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に保持された状態でマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部に搬出(ボートアンローディング)される。その後、処理済のウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
<通信監視システム>
次に、図1乃至図8を参照して本実施の形態に係る基板処理装置の通信監視システムについて説明する。
図1においては、簡便のため、前記温度制御部238、前記圧力制御部236、前記ガス流量制御部235、前記駆動制御部237等の装置側モジュールを装置側モジュール(A)〜(Z)で表し、各装置側モジュール(A)〜(Z)に接続される温度センサ263、圧力センサ245、ガス流量計としてのマスフローコントローラ241、弁、アクチュエータ等の基板処理系、基板搬送系のポジションセンサを、それぞれセンサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]で表している。
次に、図1乃至図8を参照して本実施の形態に係る基板処理装置の通信監視システムについて説明する。
図1においては、簡便のため、前記温度制御部238、前記圧力制御部236、前記ガス流量制御部235、前記駆動制御部237等の装置側モジュールを装置側モジュール(A)〜(Z)で表し、各装置側モジュール(A)〜(Z)に接続される温度センサ263、圧力センサ245、ガス流量計としてのマスフローコントローラ241、弁、アクチュエータ等の基板処理系、基板搬送系のポジションセンサを、それぞれセンサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]で表している。
図1は、装置コントローラ及び通信監視システムの一例を示す解説図である。図示されるように、通信状態を監視するための監視モジュールは、実施の形態では、例えば、前記装置コントローラ240で構成される。各センサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]は、それぞれ通信回線を介して対応する装置側モジュール(A)〜(Z)に接続される。なお、監視モジュールを通信機能、ロギング機能を備えたロギング装置で構成し、インタネット等の外部通信回線と内部通信回線を介して各装置側モジュール(A)〜(Z)に接続してもよい。
装置コントローラ240にはモニタ270が接続される。モニタ270に表示される操作画面、モニタ画面やレシピ選択・実行画面等の画面データやレシピ等の前記基板処理装置100の制御に必要なプログラムやテーブルは、装置コントローラ240の固定記憶装置に格納される。
装置側モジュール(A)〜(Z)は、データ通信による制御又はモニタのため前記監視モジュールとしての装置コントローラ240に通信回線を介して接続されている。
装置コントローラ240にはモニタ270が接続される。モニタ270に表示される操作画面、モニタ画面やレシピ選択・実行画面等の画面データやレシピ等の前記基板処理装置100の制御に必要なプログラムやテーブルは、装置コントローラ240の固定記憶装置に格納される。
装置側モジュール(A)〜(Z)は、データ通信による制御又はモニタのため前記監視モジュールとしての装置コントローラ240に通信回線を介して接続されている。
監視モジュールとしての前記装置コントローラ240は、ポーリング要求を行うポーリング要求側の通信プログラムと、ポーリングの要求に対応してポーリングデータをポーリング要求側の通信プログラムに送信する通信プログラムにより、各装置側モジュール(A)〜(Z)にそれぞれ接続されたセンサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]との間のデータの通信状態を監視する。
ポーリング側の通信プログラム(以下、監視側通信プログラムという)は、装置コントローラ240に備えられるプログラム格納部に格納されており、ポーリングデータの送信側のプログラム(以下、装置側通信プログラムという)は、各装置側モジュール(A)〜(Z)に設けられているプログラム格納部に格納されている。これらの通信プログラムは、装置コントローラ240の起動時に動作し、装置側モジュール240のシャットダウン時に終了する。
なお、これらのプログラムは、前記主制御部239に接続されているハードディスクなどの固定記憶装置に格納してもよい。
なお、これらのプログラムは、前記主制御部239に接続されているハードディスクなどの固定記憶装置に格納してもよい。
装置側通信プログラムは、データの検出日時、センサのID、データの送信先のIDを各センサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]の検出値にリンクさせてこれを送付先の装置側モジュール(A)〜(Z)に送信するようにプログラムされており、監視側通信プログラムは、例えば、下式(1)により通信状態を判定し、判定結果を主制御部239又は監視者側の通信端末の少なくともいずれか一方に送信し、前記基板処理装置100の装置作業者又は監視者の少なくとも一方に、リアルタイムに送信するようにプログラムされる。
また、監視側通信プログラムは、ポーリングデータ毎に、通信状態の正常、異常の判定結果を加えてこれを装置コントローラ240に備えられたハードディスク等の固定記憶装置にロギングデータとして格納するようにプログラムされる。
また、監視側通信プログラムは、ポーリングデータ毎に、通信状態の正常、異常の判定結果を加えてこれを装置コントローラ240に備えられたハードディスク等の固定記憶装置にロギングデータとして格納するようにプログラムされる。
T≦Tset…(1)
但し、Tはポーリングの開始からポーリングデータが受信されまでの受信間隔、Tsetは判定値(以下、通信監視タイマ値という)である。
但し、Tはポーリングの開始からポーリングデータが受信されまでの受信間隔、Tsetは判定値(以下、通信監視タイマ値という)である。
図2は通信監視タイマ値の一例を示す解説図である。
通信監視タイマ値は、通信が正常な状態で予めポーリングを実施し、各センサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]から装置側モジュール(A)〜(Z)を経て監視側モジュールにポーリングデータが受信されるまでの受信間隔であり、各センサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]のサンプリングレートにそれぞれ応答遅れを加えることによって算出された値と同じである。
このように、通信監視タイマ値を決定すると、センサ[Aa]〜[Zz]毎の通信監視タイマ値としてそれぞれ信頼性よく監視できる。
通信監視タイマ値は、通信が正常な状態で予めポーリングを実施し、各センサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]から装置側モジュール(A)〜(Z)を経て監視側モジュールにポーリングデータが受信されるまでの受信間隔であり、各センサ[Aa]〜[Az],[Ba]〜[Bz],…,[Za]〜[Zz]のサンプリングレートにそれぞれ応答遅れを加えることによって算出された値と同じである。
このように、通信監視タイマ値を決定すると、センサ[Aa]〜[Zz]毎の通信監視タイマ値としてそれぞれ信頼性よく監視できる。
図3及び図4はセンサ[Aa]〜[Zz]と装置側モジュール(A)〜(Z)と、対応する監視側モジュールとの間のデータ通信の一例を示す。
図3はポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tset以下となった場合を示している。
このような場合、監視側通信プログラムは、センサ[Aa]と装置側モジュール(A)との間の通信が正常と判定し、通信が正常の判定結果を前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方に送信して監視者や周囲に通信が正常であることを周知させる。また、通信が正常の判定結果を、ポーリングデータにリンクさせて装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
このような場合、監視側通信プログラムは、センサ[Aa]と装置側モジュール(A)との間の通信が正常と判定し、通信が正常の判定結果を前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方に送信して監視者や周囲に通信が正常であることを周知させる。また、通信が正常の判定結果を、ポーリングデータにリンクさせて装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
図4はポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tsetを越えた場合を示している。
このような場合、監視側通信プログラムは、装置側モジュール[A]が異常と判定し、前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方にアラームの発動信号を送信してアラームを作動させるか、又は、判定結果をメールに添付して監視者の通信端末に送付する。これにより、通信の異常が監視者乃至周囲に報知され、通信の回復が促される。また、この際に、監視側通信プログラムは、ポーリングデータに判定結果をリンクさせたデータを装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
このような場合、監視側通信プログラムは、装置側モジュール[A]が異常と判定し、前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方にアラームの発動信号を送信してアラームを作動させるか、又は、判定結果をメールに添付して監視者の通信端末に送付する。これにより、通信の異常が監視者乃至周囲に報知され、通信の回復が促される。また、この際に、監視側通信プログラムは、ポーリングデータに判定結果をリンクさせたデータを装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
このように、本実施の形態の監視側通信プログラムは、各装置側モジュール(A)〜(Z)の装置側通信プログラムに通信回線を通じてポーリングの要求を行い、各センサ[Aa]〜[Zz]から監視側モジュールの監視側通信プログラムに受信されるポーリングデータの受信間隔のタイミングに基づいてセンサ[Aa]〜[Zz]毎に通信状態の良否を判定する。
<ロギングデータの運用例>
次に、前記主制御部239の固定記憶装置にロギングデータとして格納したポーリングデータの運用例について説明する。
このロギングデータは、グラフ又は表の作成データ及び解析のためのデータとして運用され、必要に応じてモニタ画面上に表示される。
ロギングデータとして格納された、複数のポーリングデータには、ポーリングデータ毎にセンサID、データ検出年日時、データ送信先のID、データの項目名、通信状態の判定結果がリンクしている。
このため、装置側モジュール毎に通信が正常な判定結果で検索されたポーリングデータのみをグラフデータとし、これらのデータをデータの検出日時に対応してグラフ上にプロットさせると、通信の異常によりポーリングデータの一部が欠如した場合でも、正確なグラフを作成することが可能となり、グラフをリアルタイムにモニタ画面上に表示させることができる。これは表の場合も同様である。
次に、前記主制御部239の固定記憶装置にロギングデータとして格納したポーリングデータの運用例について説明する。
このロギングデータは、グラフ又は表の作成データ及び解析のためのデータとして運用され、必要に応じてモニタ画面上に表示される。
ロギングデータとして格納された、複数のポーリングデータには、ポーリングデータ毎にセンサID、データ検出年日時、データ送信先のID、データの項目名、通信状態の判定結果がリンクしている。
このため、装置側モジュール毎に通信が正常な判定結果で検索されたポーリングデータのみをグラフデータとし、これらのデータをデータの検出日時に対応してグラフ上にプロットさせると、通信の異常によりポーリングデータの一部が欠如した場合でも、正確なグラフを作成することが可能となり、グラフをリアルタイムにモニタ画面上に表示させることができる。これは表の場合も同様である。
<群管理システム>
図5は前記基板処理装置を複数備えた群管理システムの一例を示す。なお、図5では、基板処理装置を<A>〜<Z>で表している。
図5に示すように、各基板処理装置<A>〜<Z>には、図1で説明した装置コントローラ240がそれぞれ搭載されており、装置コントローラ240が通信回線を介して各基板処理装置<A>〜<Z>の各装置側モジュール(a)〜(z)に接続される。
各センサ[a]〜[z]は、この実施の形態では、データ検出の際にデータ検出年日時、センサのID、データの送信先のID、データの項目名のデータ、基板処理装置のIDを検出データに加えて、対応する装置側通信モジュール(a)〜(z)に送信するように構成されている。
そして、監視プログラムは、各基板処理装置<A>〜<Z>の装置側モジュール(A)〜(Z)のデータを集約する装置側通信プログラムからのデータに対してポーリングの監視を行い、基板処理装置<A>〜<Z>毎、装置側モジュール(A)〜(Z)毎に通信状態の正常、異常を判定する。
図5は前記基板処理装置を複数備えた群管理システムの一例を示す。なお、図5では、基板処理装置を<A>〜<Z>で表している。
図5に示すように、各基板処理装置<A>〜<Z>には、図1で説明した装置コントローラ240がそれぞれ搭載されており、装置コントローラ240が通信回線を介して各基板処理装置<A>〜<Z>の各装置側モジュール(a)〜(z)に接続される。
各センサ[a]〜[z]は、この実施の形態では、データ検出の際にデータ検出年日時、センサのID、データの送信先のID、データの項目名のデータ、基板処理装置のIDを検出データに加えて、対応する装置側通信モジュール(a)〜(z)に送信するように構成されている。
そして、監視プログラムは、各基板処理装置<A>〜<Z>の装置側モジュール(A)〜(Z)のデータを集約する装置側通信プログラムからのデータに対してポーリングの監視を行い、基板処理装置<A>〜<Z>毎、装置側モジュール(A)〜(Z)毎に通信状態の正常、異常を判定する。
図6は前記式(1)に用いられる通信監視タイマ値の一例を示す。図示されるように、通信監視タイマ値は、装置側モジュール(A)〜(Z)毎に異なっており、それぞれ装置側モジュール(A)〜(Z)毎の特性等を加味した応答遅れを加えた値が用いられる。
図7及び図8は基板処理装置毎の通信の一例として基板処理装置<A>のセンサ(a)、例えば前記温度センサ263と対応する装置側モジュール(A)、例えば、温度制御部238との間のデータ通信の様子を示す。
図7はポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tset以下となった場合を示している。
このような場合、監視側通信プログラムは、センサ[a]と装置側モジュール(A)との間の通信が正常と判定し、通信が正常の判定結果を前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方に送信して監視者や周囲に通信が正常であることを周知させる。また、通信が正常の判定結果を、ポーリングデータに加えて装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
このような場合、監視側通信プログラムは、センサ[a]と装置側モジュール(A)との間の通信が正常と判定し、通信が正常の判定結果を前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方に送信して監視者や周囲に通信が正常であることを周知させる。また、通信が正常の判定結果を、ポーリングデータに加えて装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
図8はポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tsetを越えた場合を示している。
このような場合、監視側通信プログラムは、センサ(a)又は装置側モジュール[A]又は装置側通信プログラムが異常と判定し、基板処理装置<A>の主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方にアラームの発動信号を送信してアラームを作動させるか、判定結果をメールに添付して監視者の通信端末に送付する。
これにより、基板処理装置<A>〜<Z>毎に通信の異常が監視者乃至周囲に報知され、通信の回復が促される。また、この際、監視側通信プログラムは、ポーリングデータに判定結果をリンクさせたデータを装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
このような場合、監視側通信プログラムは、センサ(a)又は装置側モジュール[A]又は装置側通信プログラムが異常と判定し、基板処理装置<A>の主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方にアラームの発動信号を送信してアラームを作動させるか、判定結果をメールに添付して監視者の通信端末に送付する。
これにより、基板処理装置<A>〜<Z>毎に通信の異常が監視者乃至周囲に報知され、通信の回復が促される。また、この際、監視側通信プログラムは、ポーリングデータに判定結果をリンクさせたデータを装置コントローラ240の固定記憶装置にロギングデータとして格納する。
このように、本実施の形態の監視側通信プログラムは、基板処理装置<A>〜<Z>毎、センサ[Aa]〜[Zz]毎に、通信プログラムに通信回線を通じてポーリングの要求を行い、装置側通信プログラムから受信されるポーリングデータ、すなわち、検出データに付加データを加えたデータの受信間隔に基づいて通信の良否を監視し、監視結果によっては通信の復旧を喚起する。
<ロギングデータの運用例>
次に、前記固定記憶装置にロギングデータとして格納したポーリングデータの運用について説明する。
ロギングデータは、解析、グラフ又は表の作成データとして利用され、必要に応じてモニタ画面上に表示される。
前記したように、ポーリングデータには、データ検出時のデータとしてセンサID、データ検出年日時、データ送信先のID、基板処理装置<A>〜<Z>のID及び通信状態の判定結果がリンクしている。
このため、このような群管理システムにおいても、基板処理装置<A>〜<Z>毎、装置側モジュール(A)〜(Z)毎に通信が正常な判定結果のポーリングデータのみをグラフデータとし、これらのデータをデータの検出日時に対応してグラフ上にプロットさせると、通信の異常よりポーリングデータの一部が欠如した場合でも、正確なグラフを作成することが可能となり、このグラフを、リアルタイムにモニタ画面上に表示させることができる。これは表の場合も同様である。
<ロギングデータの運用例>
次に、前記固定記憶装置にロギングデータとして格納したポーリングデータの運用について説明する。
ロギングデータは、解析、グラフ又は表の作成データとして利用され、必要に応じてモニタ画面上に表示される。
前記したように、ポーリングデータには、データ検出時のデータとしてセンサID、データ検出年日時、データ送信先のID、基板処理装置<A>〜<Z>のID及び通信状態の判定結果がリンクしている。
このため、このような群管理システムにおいても、基板処理装置<A>〜<Z>毎、装置側モジュール(A)〜(Z)毎に通信が正常な判定結果のポーリングデータのみをグラフデータとし、これらのデータをデータの検出日時に対応してグラフ上にプロットさせると、通信の異常よりポーリングデータの一部が欠如した場合でも、正確なグラフを作成することが可能となり、このグラフを、リアルタイムにモニタ画面上に表示させることができる。これは表の場合も同様である。
<センサの動作監視>
前記したように、センサ[Aa]〜[Zz]及び装置側モジュール(A)〜(Z)と監視側モジュールの通信を監視する監視システムでは、センサ[Aa]〜[Zz]が正常に動作することを前提とするシステムである。このため、このような監視システムを用いれば、各センサ[a]〜[z]の動作が正常かどうかも同時に監視することになる。
例えば、図5乃至図8で説明した群管理システムのように、装置コントローラ240から各装置側モジュール(A)〜(Z)の装置側通信プログラムにポーリングの要求を行い、式(1)に基づいて各センサ[Aa]〜[Zz]から監視側モジュールへのポーリングデータの受信間隔を監視し、各センサ[Aa]〜[Zz]の動作の良否を判定する。
例えば、図7に示すように、ポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tset以下となった場合、監視側通信プログラムは、センサ(a)と対応する装置側モジュール[A]間の通信が正常、センサ[a]の動作が正常と判定する。そして、この際に、監視プログラムは、基板処理装置<A>の主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方にアラームの発動信号を送信してアラームを作動させるか、判定結果をメールに添付して監視者の通信端末に送付する。
前記したように、センサ[Aa]〜[Zz]及び装置側モジュール(A)〜(Z)と監視側モジュールの通信を監視する監視システムでは、センサ[Aa]〜[Zz]が正常に動作することを前提とするシステムである。このため、このような監視システムを用いれば、各センサ[a]〜[z]の動作が正常かどうかも同時に監視することになる。
例えば、図5乃至図8で説明した群管理システムのように、装置コントローラ240から各装置側モジュール(A)〜(Z)の装置側通信プログラムにポーリングの要求を行い、式(1)に基づいて各センサ[Aa]〜[Zz]から監視側モジュールへのポーリングデータの受信間隔を監視し、各センサ[Aa]〜[Zz]の動作の良否を判定する。
例えば、図7に示すように、ポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tset以下となった場合、監視側通信プログラムは、センサ(a)と対応する装置側モジュール[A]間の通信が正常、センサ[a]の動作が正常と判定する。そして、この際に、監視プログラムは、基板処理装置<A>の主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方にアラームの発動信号を送信してアラームを作動させるか、判定結果をメールに添付して監視者の通信端末に送付する。
また、図8に示すように、ポーリングデータの受信間隔Tが通信監視タイマ値Tsetを越えた場合、監視側通信プログラムは、センサ[a]又は装置側モジュール(A)との間の通信が異常と判定し、装置側モジュール[A]と接続するセンサ[Ab]〜[Az]の健常性を確認することで、センサ[Aa]のみ動作が異常と判定することが可能で、通信が異常の判定結果とセンサ[a]の動作が異常の判定結果とを前記主制御部239又は監視者の通信端末の少なくともいずれか一方に送信して監視者や周囲に通信が異常であることを周知させる。
そして、データ通信の状態とセンサの動作の判定結果、すなわち、通信の正常、異常に加え、センサの正常、異常のデータを、ポーリングデータにリンクさせ、これをロギングデータとして装置コントローラ240の固定記憶装置に格納する。
なお、前記した各実施の形態では、センサと装置側モジュール間のデータ通信の状態を監視する説明をしたが、基板処理系及び基板搬送系を制御するための装置側モジュールとこれによって制御されるアクチュエータ(弁を含む)との間で制御値(レシピの設定値等)及びモニタ値のデータ通信の状態の監視に適用してもよい。この場合、アクチュエータから対応する装置側モジュールの通信プログラムを経て監視側モジュールに受信される受信間隔Tを、式(1)に基づいて監視し、通信の良否及び通信モジュールとしてのアクチュエータ動作の良否、すなわち、正常、異常を監視する。なお、この場合に、監視タイマ値Tsetには、アクチュエータが所定量動作するまでの動作タイミングに応答遅れを加えた値を用いるものとする。
なお、前記した各実施の形態では、センサと装置側モジュール間のデータ通信の状態を監視する説明をしたが、基板処理系及び基板搬送系を制御するための装置側モジュールとこれによって制御されるアクチュエータ(弁を含む)との間で制御値(レシピの設定値等)及びモニタ値のデータ通信の状態の監視に適用してもよい。この場合、アクチュエータから対応する装置側モジュールの通信プログラムを経て監視側モジュールに受信される受信間隔Tを、式(1)に基づいて監視し、通信の良否及び通信モジュールとしてのアクチュエータ動作の良否、すなわち、正常、異常を監視する。なお、この場合に、監視タイマ値Tsetには、アクチュエータが所定量動作するまでの動作タイミングに応答遅れを加えた値を用いるものとする。
以下、本発明の好ましい態様を付記する。
[実施の態様1]
半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュールと、これら装置側モジュールと通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュールと監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成された基板処理装置。
ここで、装置側モジュールとは、基板処理を実行するための設定値又は駆動制御値を送信するモジュール、例えば、温度制御部、圧力制御部、ガス流量制御部のことをいう。
装置側モジュールはセンサ又は基板処理系、基板搬送系のアクチュエータ等と接続され、センサ又はアクチュエータとの間でデータ通信を行う。装置側モジュールは、センサの場合、センサから基板処理装置の処理状態、運転状態等の検出データを受信し、アクチュエータの場合は、アクチュエータに対して基板処理に対応した設定値(駆動制御値)を送信する。
監視モジュールは、コントローラで構成され、装置側モジュールとセンサ間又は装置側モジュールとアクチュエータ間のデータ(通信データ)の受信間隔を監視し、これらの間でデータが正常に受信されているかどうかを判断する。
このように、実施の態様1では、回線の接続だけでなく、データ通信の状態(タイミング)により、通信の良否を判定する。
半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュールと、これら装置側モジュールと通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュールと監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成された基板処理装置。
ここで、装置側モジュールとは、基板処理を実行するための設定値又は駆動制御値を送信するモジュール、例えば、温度制御部、圧力制御部、ガス流量制御部のことをいう。
装置側モジュールはセンサ又は基板処理系、基板搬送系のアクチュエータ等と接続され、センサ又はアクチュエータとの間でデータ通信を行う。装置側モジュールは、センサの場合、センサから基板処理装置の処理状態、運転状態等の検出データを受信し、アクチュエータの場合は、アクチュエータに対して基板処理に対応した設定値(駆動制御値)を送信する。
監視モジュールは、コントローラで構成され、装置側モジュールとセンサ間又は装置側モジュールとアクチュエータ間のデータ(通信データ)の受信間隔を監視し、これらの間でデータが正常に受信されているかどうかを判断する。
このように、実施の態様1では、回線の接続だけでなく、データ通信の状態(タイミング)により、通信の良否を判定する。
[実施の態様2]
半導体製造装置に設けられるデータ送信又は受信する複数の装置側モジュールと、これら装置側モジュールと通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュールと監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具え、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するようにした基板処理装置の通信状態監視方法。
半導体製造装置に設けられるデータ送信又は受信する複数の装置側モジュールと、これら装置側モジュールと通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュールと監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具え、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するようにした基板処理装置の通信状態監視方法。
[実施の態様3]
前記通信モジュールがセンサ又はアクチュエータである付記2記載の通信状態検出方法。
前記通信モジュールがセンサ又はアクチュエータである付記2記載の通信状態検出方法。
[実施の態様4]
実施の態様2又は3の記載の基板処理装置の通信状態検出方法を用い、ポーリングの要求により前記通信モジュールから前記装置モジュール又は前記装置モジュールから前記通信モジュールに受信される通信データの受信間隔を監視することにより、前記接続装置の動作を監視するようにした基板処理装置の動作診断方法。
実施の態様2又は3の記載の基板処理装置の通信状態検出方法を用い、ポーリングの要求により前記通信モジュールから前記装置モジュール又は前記装置モジュールから前記通信モジュールに受信される通信データの受信間隔を監視することにより、前記接続装置の動作を監視するようにした基板処理装置の動作診断方法。
なお、本発明の実施の形態では、半導体製造装置として縦型の基板処理装置を説明したが枚葉式の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また、基板(ウエハ)を処理する半導体製造装置だけでなく、LCD装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。
このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。
240 装置コントローラ(監視モジュール)
<A>〜<z> 基板処理装置
[a]〜[z] センサ
(A)〜(Z) 装置側モジュール
<A>〜<z> 基板処理装置
[a]〜[z] センサ
(A)〜(Z) 装置側モジュール
Claims (1)
- 半導体製造装置に設けられ、データを送信又は受信する複数の装置側モジュールと、
これら装置側モジュールと通信する監視モジュールと、
各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュールと監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、
を具えた基板処理装置であって、
前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュールに受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成された
基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007257198A JP2009088314A (ja) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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ID=40661328
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Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009135255A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Tatsumo Kk | 通信記録装置、およびこれを備えた障害解析装置 |
US10978310B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-04-13 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium capable of adjusting substrate temperature |
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-
2007
- 2007-10-01 JP JP2007257198A patent/JP2009088314A/ja active Pending
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