KR101698375B1 - 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 기판 수용기 내에 적절히 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판 수용기 내의 분위기 변화에 의한 웨이퍼로의 영향을 경감하는 것을 목적으로 한다.
기판 수용기를 재치하는 재치부 및 수납 선반에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 기판 수용기를 상기 재치부 및 상기 수납 선반 사이에서 반송하는 기판 수용기 반송 기구; 상기 기판 수용기를 상기 재치부에 반입할 때, 상기 기판 수용기 내에 가스를 공급하는 지정의 유무를 적어도 포함하는 정보에 기초하여 가스 공급 지정의 유무를 확인하고, 상기 기판 수용기로의 상기 소정의 가스의 공급을 지시하는 관리부; 및 상기 지시에 기초하여 상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 배치된 상태에서 상기 가스 공급부를 개재하여 상기 소정의 가스를 공급하면서 상기 소정의 가스의 유량이 소정의 기준값보다 크거나 같은 지를 감시하는 것과 함께, 상기 기판 수용기 반송 기구가 상기 기판 수용기를 지지한 상태에서 상기 소정의 가스의 공급을 정지하는 감시부;를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 있어서 기판을 수용하는 기판 수용기에 관한 것이다.
종래, 기판 처리 장치의 일종인 반도체 제조 장치는 DRAM이나 IC 등의 디바이스의 제조 공정의 일 공정으로서 처리 조건 및 처리 순서가 정의된 레시피(프로세스 레시피)에 기초하여 기판(이하, 웨이퍼)을 처리하는 기판 처리 공정이 실시되고 있다. 이와 같은 기판 처리 장치에서는 복수의 웨이퍼를 기판 보지구(保持具)(이하, 보트)에 이재(移載)된 상태에서 처리로 내에 장입(裝入)하고, 소정의 처리가 실시된다. 이 경우 처리로의 하부에 설치되는 이재실에서 웨이퍼가 보트에 이재된 상태에서 처리의 시작 및 종료를 기다리기 때문에, 대기(大氣) 중의 산소(O2)에 의해 열처리 전 또는 열처리 후의 웨이퍼가 영향을 받는 경우가 있다. 그렇기 때문에 이재실 내를 N2 치환하는 기구를 설치하여 O2 농도를 소정값보다 저감하도록 관리되고 있다.
이 반도체 제조 장치에서 처리 대상이 되는 기판은 기판 수용기로서의 FOUP(front opening unified pod) 내에 수납되고 재치부(이하, 로드 포트)에 반입된다. FOUP가 사용되는 경우에는 웨이퍼가 밀폐된 상태에서 반송되기 때문에 주위의 분위기에 파티클 등이 존재해도 웨이퍼의 청정도를 유지할 수 있다.
하지만 기판 수용기로서의 FOUP는 밀폐 용기이지만 외기(外氣)의 유입 유출을 완전히 막을 정도의 성능은 없기 때문에 장치 반입 시에 이상적인 상태(예컨대 소정의 O2 농도 이하)이었다고 해도 장치 반출 시까지 시간 경과와 함께 산소(O2) 농도가 상승한다. 그렇기 때문에 FOUP 내의 O2 농도를 일정하게 유지하기 위해서는 장치 내에 FOUP가 배치되는 동안에 N2가스에 의한 퍼지 처리를 실시할 필요가 있다. 예컨대 특허문헌 1에 의하면, FOUP가 카세트 선반에 재치되었을 때에 불활성 가스를 공급하는 구성이 개시(開示)되어 있다.
1. 일본 특개 2000-340641호 공보
본 발명은 기판 수용기 내에 공급되는 불활성 가스의 유량을 감시하는 것에 의해 기판 수용기 내의 분위기 변화에 의한 기판에 대한 영향을 경감하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판 수용기를 배치하는 재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방(一方)에 설치되고 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부;
상기 가스 공급부를 개재하여 상기 기판 수용기에 공급되는 상기 소정의 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하고, 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 감시부; 및
상기 감시부로부터 출력된 상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 관리하는 관리부;를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면,
재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방에 설치된 가스 공급부로부터 소정의 가스를 기판 수용기에 공급하는 공정;
상기 가스 공급부를 개재하여 상기 기판 수용기에 공급되는 상기 소정의 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하고, 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 공정;
상기 출력된 상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 관리하는 공정; 및
상기 반송 상태가 관리된 상기 기판 수용기의 기판을 처리실에 반송하여 처리하는 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방에 배치된 기판 수용기에 가스를 공급하는 순서;
상기 기판 수용기에 공급되는 상기 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하는 순서;
상기 가스의 유량과 상기 기준값을 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 순서; 및
상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 지정하는 순서;
를 컴퓨터에 실행시키는 유량 감시 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판 수용기가 장치 내에 반입되고 장치 외로 반출될 때까지의 사이에서 상기 기판 수용기 내에 공급되는 불활성 가스의 유량을 감시하는 것에 의해 상기 기판 수용기 내의 분위기 변화에 의한 기판 영향을 낮게 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개요 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 사투시도(斜透視圖).
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 측면 투시도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 처리로의 종단면도(縱斷面圖).
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 컨트롤러 구성도.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 내에 기판 수용기를 반입할 때의 퍼지 설정 처리를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용 용기의 동작(Pick 동작)에서의 불활성 가스 정지 타이밍을 도시하는 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용 용기의 동작(Place 동작)에서의 불활성 가스 공급 타이밍을 도시하는 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 로드 포트 상의 기판 수용기의 반출 동작에서의 불활성 가스 정지 타이밍을 도시하는 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용 용기 내의 N2가스 공급량을 감시하는 처리를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용 용기 내의 N2가스 공급량을 감시하는 처리를 도시하는 도면.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 내의 수납 선반(또는 재치부)로의 금지 지정을 도시하는 도면.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 내의 수납 선반 및 재치부로의 반입 금지 결정 처리를 도시하는 도면.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 내의 수납 선반 및 재치부에 재치된 기판 수용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부를 설명하기 위한 도면.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 기판 처리 시스템의 구성
우선 도 1을 이용하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개요 구성도다.
도 1에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템은 적어도 1대(臺)의 기판 처리 장치(100)와, 이 기판 처리 장치(100)와 데이터 교환 가능하도록 접속되는 군(群) 관리 장치(500)를 구비한다. 기판 처리 장치(100)는 처리 순서 및 처리 조건이 정의된 레시피에 기초하는 처리 프로세스를 실행하도록 구성된다. 기판 처리 장치(100)와 군 관리 장치(500) 사이는 예컨대 구내(構內) 회선(LAN)이나 광역 회선(WAN) 등의 네트워크(400)에 의해 접속된다.
(2) 기판 처리 장치의 구성
계속해서 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 구성에 대하여 도 2, 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 사투시도다. 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 측면 투시도이다. 또한 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 예컨대 웨이퍼 등의 기판에 산화, 확산 처리, CVD처리 등을 수행하는 종형(縱型)의 장치로서 구성된다.
도 2, 도 3에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 내압 용기로서 구성된 광체(筐體)(111)를 구비한다. 광체(111)의 정면 벽(111a)의 정면 전방부(前方部)에는 메인터넌스 가능하도록 설치된 개구부(開口部)로서의 정면 메인터넌스 구(口)(103)가 개설된다. 정면 메인터넌스 구(103)에는 정면 메인터넌스 구(103)를 개폐하는 출입 기구로서 한 쌍의 정면 메인터넌스 도어(104)가 설치된다. 실리콘 등의 웨이퍼(200)(기판)를 수납한 포드(110)(기판 수용기)가 광체(111) 내외로 웨이퍼(200)를 반송하는 캐리어로서 사용된다.
광체(111)의 정면 벽(111a)에는 포드 반입 반출구(112)(기판 수용기 반입 반출구)가 광체(111) 내외를 연통(連通)하도록 개설(開設)된다. 포드 반입 반출구(112)는 프론트 셔터(113)(기판 수용기 반입 반출구 개폐 기구)에 의해 개폐된다. 포드 반입 반출구(112)의 정면 전방측에는 재치부로서 로드 포트(114)[기판 수용기 수도(受渡)대]가 설치된다. 로드 포트(114) 상에 포드(110)가 재치되는 것과 함께 위치가 맞추어지도록 구성된다. 포드(110)는 OHT(Overhead Hoist Transport) 등의 공정 내 반송 장치(도시되지 않음)에 의해 로드 포트(114) 상에 반송되도록 구성된다.
광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 상부에는 수납부로서의 회전식 포드 선반(105)(기판 수용기 재치부)이 설치된다. 회전식 포드 선반(105) 상에는 복수 개의 포드(110)가 보관되도록 구성된다. 회전식 포드 선반(105)은 수직으로 입설(立設)되고 수평면 내에서 간헐적으로 회전되는 지주(116)와, 지주(116)에 상중하단의 각 위치에서 방사상(放射狀)으로 지지된 복수 매의 선반 판(117)(기판 수용기 재치대)을 구비한다. 복수 매의 선반 판(117)은 포드(110)를 복수 개 각각 재치한 상태에서 보지하도록 구성된다.
광체(111) 내에서의 로드 포트(114)와 회전식 포드 선반(105) 사이에는 제1 반송 기구로서의 포드 반송 장치(118)(기판 수용기 반송 장치)가 설치된다. 포드 반송 장치(118)는 포드(110)를 보지한 상태에서 승강 가능한 포드 엘리베이터(118a)(기판 수용기 승강 기구)와, 반송 기구로서의 포드 반송 기구(118b)(기판 수용기 반송 기구)로 구성된다. 포드 반송 장치(118)는 포드 엘리베이터(118a)와 포드 반송 기구(118b)의 연속 동작에 의해 로드 포트(114), 회전식 포드 선반(105), 포드 오프너(121)[기판 수용기 개체(蓋體) 개폐 기구] 사이에서 포드(110)를 서로 반송하도록 구성된다.
광체(111) 내의 하부에는 서브 광체(119)가 광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부로부터 후단에 걸쳐 설치된다. 서브 광체(119)의 정면 벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내외로 반송하는 한 쌍의 웨이퍼 반입 반출구(120)(기판 반입 반출구)가 수직 방향에 상하 2단으로 배열되어 설치된다. 상하단의 웨이퍼 반입 반출구(120)에는 포드 오프너(121)가 각각 설치된다.
각 포드 오프너(121)는 포드(110)를 재치하는 한 쌍의 재치대(122)와, 포드(110)의 캡(개체)을 탈착하는 캡 탈착 기구(123)(개체 탈착 기구)를 구비한다. 포드 오프너(121)는 재치대(122) 상에 재치된 포드(110)의 캡을 캡 탈착 기구(123)에 의해 탈착하는 것에 의해 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성된다.
서브 광체(119) 내에는 포드 반송 장치(118)나 회전식 포드 선반(105) 등이 설치된 공간으로부터 유체적으로 격리된 이재실(124)이 구성된다. 이재실(124) 전측(前側) 영역에는 웨이퍼 이재 기구(125)(기판 이재 기구)가 설치된다. 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼(200)를 수평 방향으로 회전 또는 직동(直動) 가능한 웨이퍼 이재 장치(125a)(기판 이재 장치)와, 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시키는 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)(기판 이재 장치 승강 기구)로 구성된다. 도 2에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)는 서브 광체(119)의 이재실(124)의 전방 영역 우단부(右端部)와 광체(111) 우측의 단부 사이에 설치된다. 웨이퍼 이재 장치(125a)는 웨이퍼(200)의 재치부로서의 트위저(125c)(기판 보지체)를 구비한다. 이들 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해 웨이퍼(200)를 보트(217)(기판 보지구)에 대하여 장전(裝塡)(charging) 및 탈장(脫裝)(discharging)하는 것이 가능하도록 구성된다.
이재실(124)의 후측 영역에는 보트(217)를 수용하여 대기(待機)시키는 대기부(126)가 구성된다. 대기부(126)의 상방(上方)에는 처리로(202)가 설치된다. 처리로(202)의 하단부는 노구(爐口) 셔터(147)(노구 개폐 기구)에 의해 개폐되도록 구성된다.
도 2에 도시하는 바와 같이 서브 광체(119)의 대기부(126) 우단부와 광체(111) 우측 단부 사이에는 보트(217)를 승강시키는 보트 엘리베이터(115)(기판 보지구 승강 기구)가 설치된다. 보트 엘리베이터(115)의 승강대에는 연결구로서의 암(128)이 연결된다. 암(128)에는 개체로서의 씰 캡(219)이 수평으로 설치된다. 씰 캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하여 처리로(202)의 하단부를 폐색(閉塞) 가능하도록 구성된다.
주로 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 반송 장치(118)(기판 수용기 반송 장치), 웨이퍼 이재 기구(125)(기판 이재 기구), 보트(217) 및 후술하는 회전 기구(254)에 의해 본 실시 형태에 따른 기판 반송계가 구성된다. 이들 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 반송 장치(118)(기판 수용기 반송 장치), 웨이퍼 이재 기구(125)(기판 이재 기구), 보트(217) 및 회전 기구(254)는 반송 컨트롤러(11)에 전기적으로 접속된다.
보트(217)는 복수 개의 보지 부재를 구비한다. 보트(217)는 복수 매(예컨대 50매 내지 125매 정도)의 웨이퍼(200)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서 각각 수평하게 보지하도록 구성된다.
도 2에 도시하는 바와 같이 이재실(124)의 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)측 및 보트 엘리베이터(115)측과 반대측인 좌측 단부에는 클린 유닛(134)이 설치된다. 클린 유닛(134)은 청정화된 분위기 또는 불활성 가스인 클린 에어(133)를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터로 구성된다. 웨이퍼 이재 장치(125a)와 클린 유닛(134) 사이에는 웨이퍼의 원주 방향의 위치를 조정하는 기판 정합 장치로서의 노치(notch) 맞춤 장치(도시되지 않음)가 설치된다.
클린 유닛(134)으로부터 취출(吹出)된 클린 에어(133)는 도시되지 않는 노치 맞춤 장치, 웨이퍼 이재 장치(125a), 대기부(126)에 있는 보트(217)의 주위를 유통한 후, 도시되지 않는 덕트에 의해 흡입되어 광체(111)의 외부에 배기되거나 또는 클린 유닛(134)의 흡입측인 일차측(一次側)(공급측)에까지 순환되어 클린 유닛(134)에 의해 이재실(124) 내에 다시 취출되도록 구성된다.
또한 광체(111), 서브 광체(119)의 외주에는 기판 처리 장치(100) 내로의 출입 기구로서 도시되지 않는 복수의 장치 커버가 설치된다. 이들 장치 커버는 메인터넌스 작업 시에 제거하여 보수원이 기판 처리 장치(100) 내에 출입 가능하도록 이루어진다. 이들 장치 커버와 상대하는 광체(111), 서브 광체(119)의 단부에는 출입 센서로서의 도어 스위치(130)가 설치된다. 또한 정면 메인터넌스 도어(104)와 상대하는 광체(111)의 단부에도 출입 센서로서 도어 스위치(130)가 설치된다. 또한 로드 포트(114) 상에는 포드(110)의 재치를 검지하는 기판 검지 센서(140)가 설치된다. 이들 도어 스위치(130) 및 기판 검지 센서(140) 등의 스위치, 센서류(類)(도시되지 않음)는 후술하는 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 전기적으로 접속된다.
(3) 기판 처리 장치의 동작
다음으로 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 동작에 대하여 도 2, 도 3을 참조하여 설명한다.
도 2, 도 3에 도시하는 바와 같이 포드(110)가 공정 내 반송 장치(도시되지 않음)에 의해 로드 포트(114)에 공급되면, 기판 검지 센서(140)에 의해 포드(110)가 검지되고, 포드 반입 반출구(112)가 프론트 셔터(113)에 의해 개방된다. 그리고 로드 포트(114) 상의 포드(110)가 포드 반송 장치(118)에 의해 포드 반입 반출구(112)로부터 광체(111) 내부로 반입된다.
광체(111) 내부에 반입된 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 회전식 포드 선반(105)의 선반 판(117) 상에 자동적으로 반송되고 일시적으로 보관된다. 그 후, 포드(110)는 선반 판(117) 상으로부터 일방의 포드 오프너(121)의 재치대(122) 상에 이재된다. 또한 광체(111) 내부에 반입된 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 직접 포드 오프너(121)의 재치대(122) 상에 이재되어도 좋다. 이 때 포드 오프너(121)의 웨이퍼 반입 반출구(120)는 캡 탈착 기구(123)에 의해 닫히고, 이재실(124) 내에는 클린 에어(133)가 유통되어 충만된다. 예컨대 이재실(124) 내에 클린 에어(133)로서 질소 가스가 충만되는 것에 의해, 이재실(124) 내의 산소 농도가 예컨대 20ppm 이하가 되어 대기 분위기인 광체(111) 내의 산소 농도보다 훨씬 낮아지도록 설정된다.
재치대(122) 상에 재치된 포드(110)는 그 개구측 단면(端面)이 서브 광체(119)의 정면 벽(119a)에서의 웨이퍼 반입 반출구(120)의 개구 연변부(緣邊部)에 압부(押付)되는 것과 함께, 그 캡이 캡 탈착 기구(123)에 의해 제거되어서 웨이퍼 출입구가 개방된다. 그 후, 웨이퍼(200)는 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 의해 웨이퍼 출입구를 통해서 포드(110) 내로부터 픽업되고, 노치 맞춤 장치에 의해 방위가 조정된 후, 이재실(124)의 후방(後方)에 있는 대기부(126) 내에 반입되어 보트(217) 내에 장전(차징)된다. 보트(217) 내에 웨이퍼(200)를 장전한 웨이퍼 이재 장치(125a)는 포드(110)로 돌아가 다음 웨이퍼(200)를 보트(217) 내에 장전한다.
이 일방(상단 또는 하단)의 포드 오프너(121)에서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전 작업 중에 타방(他方)(하단 또는 상단)의 포드 오프너(121)의 재치대(122) 상에는 별도의 포드(110)가 회전식 포드 선반(105) 상으로부터 포드 반송 장치(118)에 의해 반송되어 이재되고, 포드 오프너(121)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시에 진행된다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217) 내에 장전되면, 노구 셔터(147)에 의해 닫힌 처리로(202)의 하단부가 노구 셔터(147)에 의해 개방된다. 계속해서 웨이퍼(200)군을 보지한 보트(217)는 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승되는 것에 의해 처리로(202) 내에 반입(로딩)된다.
로딩 후는 처리로(202) 내에서 웨이퍼(200)에 임의의 처리가 실시된다. 처리 후는 노치 맞춤 장치(135)에서의 웨이퍼의 정합 공정을 제외하면 전술한 순서와 거의 반대의 순서로 처리 후의 웨이퍼(200)를 격납한 보트(217)가 처리실(201) 내로부터 반출되고, 처리 후의 웨이퍼(200)를 격납한 포드(110)가 광체(111) 외로 반출된다.
(4) 처리로의 구성
계속해서 본 실시 형태에 따른 처리로(202)의 구성에 대하여 도 4를 이용하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 처리로(202)의 종단면도다.
도 4에 도시하는 바와 같이 처리로(202)는 반응관으로서의 프로세스 튜브(203)를 구비한다. 프로세스 튜브(203)는 내부 반응관으로서의 이너 튜브(204)와, 그 외측에 설치된 외부 반응관으로서의 아우터 튜브(205)를 구비한다. 이너 튜브(204)는 예컨대 석영(SiO2) 또는 탄화실리콘(SiC) 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 이너 튜브(204)는 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 이너 튜브(204) 내의 통중공부(筒中空部)에는 기판으로서의 웨이퍼(200)를 처리하는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201) 내는 후술하는 보트(217)를 수용 가능하도록 구성된다. 아우터 튜브(205)는 이너 튜브(204)와 동심원 형상으로 설치된다. 아우터 튜브(205)는 내경이 이너 튜브(204)의 외경보다 크고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 아우터 튜브(205)는 예컨대 석영 또는 탄화실리콘 등의 내열성 재료에 의해 구성된다.
프로세스 튜브(203)의 외측에는 프로세스 튜브(203)의 측벽면을 둘러싸도록 가열 기구로서의 히터(206)가 설치된다. 히터(206)는 원통 형상으로 구성된다. 히터(206)는 보지판으로서의 히터 베이스(251)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다.
아우터 튜브(205)의 하방(下方)에는 아우터 튜브(205)와 동심원 형상이 되도록 매니폴드(209)가 배설(配設)된다. 매니폴드(209)는 예컨대 스텐레스 등에 의해 구성된다. 매니폴드(209)는 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성된다. 매니폴드(209)는 이너 튜브(204)의 하단부와 아우터 튜브(205)의 하단부에 각각 계합(係合)된다. 매니폴드(209)는 이너 튜브(204)의 하단부와 아우터 튜브(205)의 하단부를 지지하도록 설치된다. 또한 매니폴드(209)와 아우터 튜브(205) 사이에는 씰 부재로서의 O링(220a)이 설치된다. 매니폴드(209)가 히터 베이스(251)에 지지되는 것에 의해 프로세스 튜브(203)는 수직으로 설치된 상태가 된다. 프로세스 튜브(203)와 매니폴드(209)에 의해 반응 용기가 형성된다.
후술하는 씰 캡(219)에는 가스 도입부로서의 처리 가스 노즐(230a) 및 퍼지 가스 노즐(230b)이 처리실(201) 내에 연통하도록 접속된다. 처리 가스 노즐(230a)에는 처리 가스 공급관(232a)이 접속된다. 처리 가스 공급관(232)의 상류측[처리 가스 노즐(230a)과의 접속측과 반대측]에는 가스 유량 제어기로서의 MFC(241a)(매스 플로우 컨트롤러)를 개재하여 도시되지 않는 처리 가스 공급원 등이 접속된다. 또한 퍼지 가스 노즐(230b)에는 퍼지 가스 공급관(232b)이 접속된다. 퍼지 가스 공급관(232b)의 상류측[퍼지 가스 노즐(230b)과의 접속측과 반대측]에는 가스 유량 제어기로서의 MFC(241b)(매스 플로우 컨트롤러)를 개재하여 도시되지 않는 퍼지 가스 공급원 등이 접속된다.
주로 처리 가스 공급원(도시되지 않음), MFC(241a), 처리 가스 공급관(232a) 및 처리 가스 노즐(230a)에 의해 본 실시 형태에 따른 처리 가스 공급계가 구성된다. 주로 퍼지 가스 공급원(도시되지 않음), MFC(241b), 퍼지 가스 공급관(232b) 및 퍼지 가스 노즐(230b)에 의해 본 실시 형태에 따른 퍼지 가스 공급계가 구성된다. 주로 처리 가스 공급계 및 퍼지 가스 공급계에 의해 본 실시 형태에 따른 가스 공급계가 구성된다. MFC(241a, 241b)에는 가스 공급 컨트롤러(14)가 전기적으로 접속된다. 또한 감시부로서의 가스 공급 컨트롤러(14)는 후술하는 퍼지 기구에 접속되고, 기판 수용기(110) 내의 퍼지용 불활성 가스 공급량을 감시하도록 구성된다.
매니폴드(209)에는 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 설치된다. 배기관(231)은 이너 튜브(204)와 아우터 튜브(205)의 극간(隙間)에 의해 형성되는 통 형상 공간(250)의 하단부에 배치된다. 배기관(231)은 통 형상 공간(250)에 연통된다. 배기관(231)의 하류측[매니폴드(209)와의 접속측과 반대측]에는 압력 검지기로서의 압력 센서(245), 예컨대 APC(Auto Pressure Contoroller)로서 구성된 압력 조정 장치(242), 진공 펌프 등의 진공 배기 장치(246)가 상류측부터 순서대로 접속된다. 주로 배기관(231), 압력 센서(245), 압력 조정 장치(242) 및 진공 배기 장치(246)에 의해 본 실시 형태에 따른 가스 배기 기구가 구성된다. 압력 조정 장치(242) 및 압력 센서(245)에는 압력 컨트롤러(13)가 전기적으로 접속된다.
매니폴드(209)의 하방에는 매니폴드(209)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 노구 개체로서의 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)은 매니폴드(209)의 하단에 수직 방향 하측으로부터 당접(當接)되도록 이루어진다. 씰 캡(219)은 예컨대 스텐레스 등의 금속에 의해 구성된다. 씰 캡(219)은 원반 형상으로 형성된다. 씰 캡(219)의 상면에는 매니폴드(209)의 하단과 당접하는 씰 부재로서의 O링(220b)이 설치된다.
씰 캡(219)의 중심부 부근이며 처리실(201)과 반대측에는 보트를 회전시키는 회전 기구(254)가 설치된다. 회전 기구(254)의 회전축(255)은 씰 캡(219)을 관통하여 보트(217)를 하방으로부터 지지한다. 회전 기구(254)는 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시키는 것이 가능하도록 구성된다.
씰 캡(219)은 프로세스 튜브(203)의 외부에 수직으로 설비된 기판 보지구 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성된다. 씰 캡(219)을 승강시키는 것에 의해 보트(217)를 처리실(201) 내외로 반송하는 것이 가능하도록 구성된다. 회전 기구(254) 및 보트 엘리베이터(115)에는 반송 컨트롤러(11)가 전기적으로 접속된다.
전술한 바와 같이 기판 보지구로서의 보트(217)는 복수 매의 웨이퍼(200)를 수평 자세로 또한 서로 중심을 맞춘 상태로 정렬시켜서 다단으로 보지하도록 구성된다. 보트(217)는 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 보트(217)의 하부에는 단열 부재로서의 단열판(216)이 수평 자세로 다단으로 복수 매 배치된다. 단열판(216)은 원판 형상으로 형성된다. 단열판(216)은 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 단열판(216)은 히터(206)로부터의 열을 매니폴드(209)측에 전달되기 어렵도록 구성된다.
프로세스 튜브(203) 내에는 온도 검지기로서의 온도 센서(263)가 설치된다. 주로 히터(206) 및 온도 센서(263)에 의해 본 실시 형태에 따른 가열 기구가 구성된다. 이들 히터(206)와 온도 센서(263)에는 온도 컨트롤러(12)가 전기적으로 접속된다.
주로 가스 배기 기구, 가스 공급계, 가열 기구에 의해 본 실시 형태에 따른 기판 처리계가 구성된다.
(5) 처리로의 동작
계속해서 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정으로서 상기 구성에 따른 처리로(202)를 이용하여 CVD법에 의해 웨이퍼(200) 상에 박막을 형성하는 방법에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 의해 제어된다.
복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)되면, 도 4에 도시하는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)는 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어올려져 처리실(201) 내에 반입(보트 로딩)된다. 이 상태에서 씰 캡(219)은 O링(220b)을 개재하여 매니폴드(209)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
처리실(201) 내가 원하는 압력(진공도)이 되도록 진공 배기 장치(246)에 의해 진공 배기된다. 이 때 압력 센서(245)가 측정한 압력값에 기초하여 압력 조정 장치(242)[의 밸브의 개도(開度)]가 피드백 제어된다. 또한 처리실(201) 내가 원하는 온도가 되도록 히터(206)에 의해 가열된다. 이 때 온도 센서(263)가 검지한 온도값에 기초하여 히터(206)로의 통전량이 피드백 제어된다. 계속해서 회전 기구(254)에 의해 보트(217) 및 웨이퍼(200)를 회전시킬 수 있다.
이어서 처리 가스 공급원으로부터 공급되고 MFC(241a)에 의해 원하는 유량이 되도록 제어된 처리 가스는 가스 공급관(232a) 내를 유통하여 노즐(230a)로부터 처리실(201) 내에 도입된다. 도입된 처리 가스는 처리실(201) 내를 상승하여 이너 튜브(204)의 상단 개구로부터 통 형상 공간(250) 내에 유출하고, 배기관(231)로부터 배기된다. 가스는 처리실(201) 내를 통과할 때에 웨이퍼(200)의 표면과 접촉하고, 이 때 열 CVD 반응에 의해 웨이퍼(200)의 표면 상에 박막이 퇴적(deposition)된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 퍼지 가스 공급원으로부터 공급되고 MFC(241b)에 의해 원하는 유량이 되도록 제어된 퍼지 가스가 처리실(201) 내에 공급되고, 처리실(201) 내가 불활성 가스로 치환되는 것과 함께 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀한다.
그 후, 보트 엘리베이터(115)에 의해 씰 캡(219)이 하강되어 매니폴드(209)의 하단이 개구되는 것과 함께, 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보지하는 보트(217)가 매니폴드(209)의 하단으로부터 프로세스 튜브(203)의 외부로 반출(보트 언로드)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)는 보트(217)로부터 취출(取出)되고, 포드(110) 내에 격납된다(웨이퍼 디스차지).
(6) 기판 처리 장치용 컨트롤러의 구성
(기판 처리 장치용 컨트롤러)
이하, 도 5를 참조하여 기판 처리 장치용 컨트롤러로서의 제어 장치(240)에 대하여 설명한다.
상기 제어 장치(240)는 주로 CPU 등의 연산 제어부(25)와, 처리 컨트롤러로서의 처리 제어부(20)와, 반송 컨트롤러(11)로서의 반송 제어부(27)와, 메모리나 HDD 등으로 이루어지는 기억부(28)와, 마우스나 키보드 등의 입력부(29) 및 모니터 등의 표시부(31)로 구성된다. 한편, 상기 연산 제어부(25)와, 상기 기억부(28)와, 상기 입력부(29)와, 상기 표시부(31)에 의해서 각 데이터를 설정 가능한 조작부가 구성된다.
CPU(25)(Central Processing Unit)은 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)의 중추를 구성하고, 도시되지 않는 ROM에 기억된 제어 프로그램을 실행하고, 표시부(31)로부터의 지시에 따라 레시피 기억부도 구성하는 기억부(28)에 기억되는 레시피(예컨대 기판 처리 레시피로서의 프로세스용 레시피 등)를 실행한다. ROM은 EEPROM, 플래시 메모리, 하드 디스크 등으로 구성되고, CPU(25)의 동작 프로그램 등을 기억하는 기록 매체다. 메모리(RAM)는 CPU(25)의 작업 영역(work area)(일시 기억부) 등으로서 기능한다.
여기서 기판 처리 레시피는 웨이퍼(200)를 처리하는 처리 조건이나 처리 순서 등이 정의된 레시피다. 또한 레시피 파일에는 반송 컨트롤러(11), 온도 컨트롤러(12), 압력 컨트롤러(13), 가스 공급 컨트롤러(14) 등에 송신하는 설정값(제어값)이나 송신 타이밍 등이 기판 처리의 스텝마다 설정된다.
또한 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)는 전용의 시스템뿐만 아니라 통상의 컴퓨터 시스템을 이용해도 실현 가능하다. 예컨대 범용 컴퓨터에 전술한 처리를 실행하기 위한 제어 프로그램을 격납한 외부 기록 매체(플렉시블 디스크, CD-ROM, USB, 외장형 HDD 등)로부터 제어 프로그램을 인스톨하는 것에 의해 전술한 처리를 실행하는 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)를 구성할 수 있다.
그리고 이들의 프로그램을 공급하기 위한 수단은 임의다. 전술한 바와 같이 소정의 기록 매체를 개재하여 공급할 수 있는 것 외에 예컨대 통신 회선, 통신 네트워크, 통신 시스템 등을 개재하여 공급해도 좋다. 이 경우, 예컨대 통신 네트워크의 게시판에 상기 프로그램을 게시하고, 네트워크를 개재하여 반송파에 중첩하여 제공해도 좋다. 그리고 이와 같이 제공된 프로그램을 기동하여 OS의 제어 하에서 다른 어플리케이션 프로그램과 마찬가지로 실행하는 것에 의해 전술한 처리를 실행할 수 있다.
상기 처리 제어부(20)는 상기 처리실(201) 내에 로딩된 웨이퍼(200)에 대하여 소정의 처리가 이루어지도록 상기 처리실(201) 내의 온도나 압력, 상기 처리실(201) 내에 도입되는 처리 가스의 유량 등을 제어하는 기능을 가진다.
상기 반송 제어부(27)는 도시되지 않는 구동(驅動) 모터를 개재하여 상기 포드 반송 장치(105), 상기 웨이퍼 이재 기구(125), 상기 보트 엘리베이터(115) 등의 반송 기구의 구동을 제어하는 기능을 가진다.
상기 기억부(28)에는 각종 데이터 등이 격납되는 데이터 격납 영역(32)과, 각종 프로그램이 격납되는 프로그램 격납 영역(33)이 형성된다.
상기 데이터 격납 영역(32)은 상기 레시피 파일과 관련된 각종 파라미터가 격납된다. 또한 상기 포드(110)를 상기 광체(111) 내에 반입할 때 또한 상기 포드(110)를 상기 광체(111) 외로 반출할 때의 I/O스테이지로서의 재치대(114) 상의 수도(受渡) 위치의 정보나, 수도 위치에 캐리어 로더로서의 상기 포드 반송 장치(118)를 이동시킬 때의 동작 순서, 수도 위치로부터 캐리어 로더(118)를 이동시킬 때의 동작 순서 등의 정보가 격납된다. 또한 포드(110)마다 식별하는 정보인 캐리어ID나 포드(110) 내의 웨이퍼(200)의 종별 정보를 적어도 포함하는 캐리어 정보가 상기 데이터 격납 영역(32)에 격납되도록 이루어진다.
상기 프로그램 격납 영역(33)에는 상기 포드(110)의 반입 반출을 수행하는 데 필요한 각종 프로그램이 격납된다. 예컨대 포드(110)의 이동 중을 제외하면 적당량 포드(110) 내에 불활성 가스(예컨대 N2가스)를 공급하는 가스 공급 프로그램(34), 또한 가스 공급 프로그램(34)이 실행될 때, 포드(110) 내의 가스 공급량을 감시하는 유량 감시 프로그램(35) 등의 프로그램이 격납된다. 또한 유량 감시 프로그램(35)은 제1 유량 감시 프로그램과 제2 유량 감시 프로그램으로 분류되고 상기 프로그램 격납 영역(33)에 격납되도록 구성된다. 또한 가스 공급 프로그램(34), 유량 감시 프로그램(35)을 실행하였을 때에 생성되는 각종 데이터는 상기 데이터 격납 영역(32)에 격납되도록 구성된다. 예컨대 퍼지 지정이 있는 포드(110)가 기판 처리 장치(100) 내에 반입되고 반출될 때까지 포드(110) 내에 공급되는 불활성 가스 유량과 시간의 관계를 나타내는 데이터, 또한 불활성 가스 공급량과 소정의 기준값을 비교한 결과의 비교 결과 신호(비교 결과 정보), 예컨대 불활성 가스 공급량이 소정의 기준값 이하가 되어 유량 이상(異常)을 나타내는 알람 신호(알람 정보), 불활성 가스 공급량이 소정의 기준값 이하의 상태가 소정 기간 계속되기 전에 소정의 기준값 이상이 되어 유량 이상으로부터의 회복을 나타내는 알람 회복 신호(이상 회복 정보) 및 기준값 이하의 상태가 소정 기간 계속되었을 때에 지정되는 이상(이상 FOUP 지정의 유무)을 나타내는 이상 지정 신호(이상 지정 정보), 그 이상(이상 FOUP 지정의 유무) 정보의 이력 정보, 이상 FOUP 지정으로부터의 회복을 나타내는 지정 해제 신호(지정 해제 정보) 등의 데이터가 상기 데이터 격납 영역(32)에 격납된다.
기판 처리 장치용 컨트롤러(240)의 표시부(31)에는 터치패널이 설치된다. 터치패널은 전술한 기판 반송계, 기판 처리계로의 조작 커맨드의 입력을 접수하는 조작 화면을 표시하도록 구성된다. 이와 같은 조작 화면은 기판 반송계나 기판 처리계의 상태를 확인하거나, 기판 반송계나 기판 처리계로의 동작 지시를 입력하기 위한 각종 표시란 및 조작 버튼을 구비한다. 또한 조작부는 PC나 모바일 등의 조작 단말(단말 장치)과 같이 적어도 표시부(31)와 입력부(29)를 포함하는 구성이라면 좋다.
반송 컨트롤러(11)는 기판 반송계를 구성하는 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 반송 장치(118)(기판 수용기 반송 장치), 웨이퍼 이재 기구(125)(기판 이재 기구), 보트(217) 및 회전 기구(254)의 반송 동작을 각각 제어하도록 구성된다. 또한 도시되지 않는 기판 반송계를 구성하는 회전식 포드 선반(105), 보트 엘리베이터(115), 포드 반송 반송 장치(118)(기판 수용기 반송 장치), 웨이퍼 이재 기구(125)(기판 이재 기구), 보트(217) 및 회전 기구(254)에는 각각 센서가 내장된다. 반송 컨트롤러(11)는 이들의 센서가 각각 소정 값이나 이상 값 등을 나타내었을 때에 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 그 취지를 통지하도록 구성된다.
온도 컨트롤러(12)는 처리로(202)의 히터(206)의 온도를 제어하는 것에 의해 처리로(202) 내의 온도를 조절하는 것과 함께 온도 센서(263)가 소정 값이나 이상 값 등을 나타내었을 때에 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 그 취지를 통지하도록 구성된다.
압력 컨트롤러(13)는 압력 센서(245)에 의해 검지된 압력값에 기초하여 처리실(201) 내의 압력이 원하는 타이밍에 원하는 압력이 되도록 압력 조정 장치(242)를 제어하는 것과 함께 압력 센서(245)가 소정 값이나 이상 값 등을 나타내었을 때에 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 그 취지를 통지하도록 구성된다.
가스 공급 컨트롤러(14)는 처리 가스 공급관(232a), 퍼지 가스 공급관(232b)으로부터의 가스의 공급이나 정지를 가스 밸브(도시되지 않음)를 개폐시키는 것에 의해 제어하도록 구성된다. 또한 가스 공급 컨트롤러(14)는 처리실(201) 내에 공급하는 가스의 유량이 원하는 타이밍에 원하는 유량이 되도록 MFC(241a, 241b)를 제어하도록 구성된다. 가스 공급 컨트롤러(14)는 가스 밸브(도시되지 않음)나 MFC(241a, 241b)가 구비하는 센서(도시되지 않음)가 소정 값이나 이상 값 등을 나타내었을 때에 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 그 취지를 통지하도록 구성된다.
또한 감시부로서의 가스 공급 컨트롤러(14)는 포드(110)를 배치하는 로드 포트(114) 및 포드 회전 선반(105)에 불활성 가스를 소정의 유량 이상을 공급하도록 후술하는 가스 공급부로서의 퍼지 기구를 제어한다. 또한 이 퍼지 기구가 구비하는 검출부[예컨대 MFM(Mass Flow Meter), MFC, 유량계 등]가 불활성 가스의 유량을 검출한다. 그리고 가스 공급 컨트롤러(14)는 검출부에서 검출된 소정 값이 이상 값 등을 나타내었을 때에 관리부로서의 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 통지하도록 구성된다. 후술하는 퍼지 기구는 각 로드 포트(114) 및 포드 회전 선반(105)에 각각 설치해도 좋지만, 각각 불활성 가스(본원에서는 N2가스)를 공급하는 구성이라면 특히 한정되지 않는다.
감시부로서의 가스 공급 컨트롤러(14)는 불활성 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하는 비교부와, 유량이 기준값을 밑돈 경우에 이상이라고 판정하는 판정부와, 유량 이상을 포함하는 이상을 나타내는 각종 알람을 상기 관리부에 보고하는 보고부로 적어도 구성된다. 각 부는 제1 유량 감시 프로그램과 제2 유량 감시 프로그램을 포함하는 유량 감시 프로그램(35)에 의해 실현된다. 또한 감시부로서의 가스 공급 컨트롤러(14)가 포드(110)의 이동 중을 제외하면 적당량 포드(110) 내에 불활성 가스(예컨대 N2가스)를 공급하는 가스 공급 프로그램(34)을 실행하는 것은 말할 필요도 없다.
재치 선반(114) 및 수납 선반(105)의 각각 가스 공급부(N2퍼지 기구)가 설치된다. 예컨대 모든 재치 선반(114) 및 수납 선반(105)에 가스 공급부(N2퍼지 기구)가 설치된다. 그리고 가스 공급부는 검출부를 적어도 포함한다. 검출부로서 모든 가스 공급부에 유량 제어기(MFC) 등이 접속되어도 좋다. 예컨대 재치 선반(114)에 설치된 가스 공급부에는 검출부로서 유량 제어기(MFC)가 접속되고, 수납 선반(105)에 설치된 가스 공급부에는 검출부로서 유량 측정기(MFM)가 접속되도록 구성해도 좋다. 또한 재치 선반(114) 및 수납 선반(105)에 각각 설치된 가스 공급부는 검출부로서 가스 유량을 계측하는 유량계 또는 소정 가스의 유량을 측정하는 유량 측량기(MFM), 산소 농도를 계측하는 농도계, 습도를 계측하는 습도계 및 노점계(露点計), 소정 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기(MFC) 중 어느 하나가 접속되거나 또는 이들의 조합이 접속되어도 좋다.
(불활성 가스를 공급하여 퍼지하기 위한 기구)
우선, 도 14를 이용하여 가스 공급부로서의 퍼지 기구에 관하여 설명한다. 도시되는 바와 같이 기판 수용기로서의 포드(110)를 배치하는 로드 포트(114) 및 포드 회전 선반(105)에 불활성 가스에 의한 퍼지를 수행하기 위한 퍼지 기구가 설치된다. 퍼지 기구는 검출부(51)와 밸브(52)를 적어도 구비한다. 각 포드(110)가 모든 로드 포트(114) 및 모든 포드 회전 선반(105) 중 어느 하나에 재치되면, 돌기부로서의 위치 센서(53)를 포드(110)가 압부할 수 있는 구성으로 이루어진다. 이 위치 센서(53)로부터의 신호를 수신하면 가스 공급 컨트롤러(14)가 밸브(52)를 열림으로 하고, 도시되지 않는 N2가스원(源)으로부터 불활성 가스를 공급되고, 도시되지 않는 가스 배기부로부터 불활성 가스가 배기되도록 구성된다. 또한 각 로드 포트(114) 및 각 포드 회전 선반(105)에 하나씩 개별로 설치할 필요는 없고, 각 로드 포트(114) 및 각 포드 회전 선반(105)에 소정량의 불활성 가스(본 실시 형태에서는 N2가스)를 공급 가능하도록 구성되면 좋다. 또한 검출부(51)는 가스 유량을 계측하는 유량계, 산소 농도를 계측하는 농도계, 습도를 계측하는 습도계 및 노점계, 소정 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기(MFC), 소정 가스의 유량을 측정하는 유량 측량기(MFM) 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한 검출부(51)는 유량을 측정할 수 있는 것이 아니어도 좋다. 예컨대 유량이 소정의 기준값에 도달한 경우에 신호를 출력하도록 구성되는 유량 스위치와 같은 것이어도 좋다. 단, 이 경우 소정의 기준값을 적절하게 설정할 필요가 있다. 이 소정의 기준값은 사용되는 유량검출부의 사양으로 필연적으로 결정되는 경우가 많다.
(N2퍼지 지정의 설정)
다음으로 도 6을 이용하여 기판 수용기 반입 시의 N2퍼지 설정 처리에 대하여 설명한다.
FOUP으로서의 포드(110)의 형상이나 웨이퍼(200)의 종별에 따라서 불활성 가스의 공급이 불필요해지는 경우가 있기 때문에 포드(110) 내에 불활성 가스를 공급할지에 대한 여부는 상기 기판 처리 장치(100)로의 포드(110) 반입 지시 시에 N2퍼지(불활성 가스의 공급)의 유무 지정에 의해 지시한다. 예컨대 호스트 컴퓨터 등의 상위 컴퓨터로부터의 포드(110)의 반입 지시 데이터는 포드(110)의 식별 정보로서의 캐리어 식별자(CID), 포드(110) 내에 수납되는 웨이퍼(200)의 기판 종별 정보로서의 종별(Type), 퍼지 지정(N2 Purge)의 유무로 적어도 구성된다. 이 구성으로 특히 한정되지 않고, 예컨대 프로세스 레시피로서의 기판 처리 레시피, 클리닝 레시피로서의 메인터넌스 레시피 등이 설정되어도 좋다. 또한 반입 지시 데이터에 후술하는 유량 기준값 정보, 공급 감시 시간 및 이상 회복 시간의 정보를 포함시켜도 좋다.
기판 처리 장치용 컨트롤러(240)는 포드(110)가 로드 포트(114)에 도착하였을 때, 반입 지시 데이터를 접수하여 포드(110) 내에 불활성 가스를 공급하기 위한 퍼지 지정의 유무를 확인한다. 또한 표시부(31)에 설치된 조작 화면 상에 반입 지시 데이터를 표시하도록 구성해도 좋다. 또한 조작 화면에 표시된 반입 지시 데이터를 편집할 수 있도록 구성해도 좋다. 예컨대 포드(110)의 퍼지 지정의 유무를 설정할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다. 빈 포드(110)가 로드 포트(114)에 도착하였을 때에 접수한 반입 지시 데이터에 퍼지 지정이 있음[有]인 경우에 조작 화면 상에서 퍼지 지정을 있음에서 없음[無]으로 설정 변경할 수 있다. 이에 의해 불필요한 빈 포드(110)에 잘못되어 불활성 가스가 공급되는 것을 억제할 수 있다. 또한 더미 기판을 수납한 포드(110)의 반입 지시 데이터의 퍼지 지정이 있음인 경우에도 마찬가지로 퍼지 지정을 있음에서 없음으로 설정 변경할 수 있다. 바꿔 말하면, 제품 기판을 수납한 포드(110)의 반입 지시 데이터의 퍼지 지정이 없음인 경우, 퍼지 지정을 없음에서 있음으로 설정 변경 가능하다.
로드 포트(114)에서의 불활성 가스 퍼지는 가스 공급 컨트롤러(14)에 의해 실행된다. 또한 전술한 반입 지시 데이터 내의 퍼지 지정이 있음으로 반입 지시된 포드(110)가 로드 포트(114)에 도착한 시점에서 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)가 반입 지시된 포드(110)와 로드 포트(114) 상에 재치된 포드(110)가 동일하다고 확인하고, 상기 가스 공급 컨트롤러(14)에 의해 포드(110) 내의 N2퍼지가 시작되고 재치부로서의 로드 포트(114) 상의 포드(110) 내에 소정량의 N2가스가 공급된다.
여기서 지정한 퍼지 지정의 유무 정보는 포드(110)마다 캐리어 정보로서 관리되고, 이후의 N2퍼지 동작은 이 퍼지 지정의 유무 정보에 따라 실행된다. 로드 포트(114) 상에서 가스 공급 중인 포드(110)는 기판 처리 장치 컨트롤러(240)로부터 반송 컨트롤러(11)에 반입 동작 시작 지시에 의해 포드 오프너(121) 또는 회전식 포드 선반(105)에 포드 반송 장치(118)에 의한 이동이 시작된다. 또한 포드(110)의 식별자 정보나 웨이퍼(200)의 종별 정보와 함께 퍼지 유무 정보를 포함하는 캐리어 정보는 기억부(28)에 격납된다.
(Pick 동작에서의 가스 공급)
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용기의 동작(Pick 동작)에서의 불활성 가스를 정지하는 타이밍을 도시하는 도면이다.
도 7에 도시하는 바와 같이 기판 수용기로서의 포드(110)의 이동은 반송 컨트롤러(11)의 지시에 따라 캐리어 로더로서의 포드 반송 장치(118)에 의해 수행한다. 여기서 캐리어 로더(118)가 로드 포트(114)로부터 포드(110)를 집어드는 동작(Pick 동작)에 연동하여, 가스 공급 컨트롤러(14)는 가스 공급을 정지한다.
포드(110)가 로드 포트(114) 또는 수납 선반으로서의 회전식 포드 선반(105)에 재치된 상태에서, 가스 공급 컨트롤러(14)에 의해 가스 공급이 수행된다. 이 때 캐리어 로더(118)가 반송 컨트롤러(11)로부터의 반송 시작 위치 이동 지시를 접수한다.
그리고 캐리어 로더(118)가 Pick 시작 위치로의 이동이 종료될 때까지 포드(110)는 로드 포트(114) 또는 회전식 포드 선반(105)에 재치된 상태이며, 가스 공급 컨트롤러(14)에 의해 가스 공급이 수행된다.
다음으로 가스 공급 컨트롤러(14)에 의한 가스 공급이 정지되고, 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)는 N2정지 확인 후, 반송 컨트롤러(11)로 동작 시작(Pick 동작 시작)을 지시하고, 반송 컨트롤러(11)로부터의 Pick 동작 시작 지시에 따라 캐리어 로더(118)는 포드(110)를 집어든다.
(Place 동작에서의 N2 공급)
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용기의 동작에서의 불활성 가스를 공급하는 타이밍을 도시하는 도면이다.
도 8과 같이 로드 포트(114) 또는 회전식 포드 선반(105)으로부터의 반출 시에는 캐리어 로더(118)가 FOUP(110)를 로드 포트(114)에 재치하는 동작(Place 동작)에 연동하여, 가스 공급 컨트롤러(14)는 불활성 가스의 공급을 시작한다.
도 8에 도시되는 바와 같이 포드(110)가 캐리어 로더(118)에 의해 반송되는 경우, 로드 포트(114) 또는 회전식 포드 선반(105)으로의 가스 공급이 정지된다.
그리고 Place 동작이 시작되고, 포드(110)를 캐리어 로더(118)로부터 로드 포트(114) 또는 회전식 포드 선반(105)으로 재치(Place 동작)하는 것이 완료된 후, 가스 공급 컨트롤러(14)에 의해 가스 공급이 시작된다.
이와 같이 재치부로서의 로드 포트(114) 및 수납부로서의 회전식 포드 선반(105) 및 이재부로서의 포드 오프너(121)에 대한 포드(110)의 이동은 모두 캐리어 로더(118)를 개재하여 실행하기 때문에, 각 재치부 및 각 수납 선반에 포드(110)의 Place 동작과 연동하여 가스 공급이 개시되고, Pick 동작과 연동하여 N2 공급이 정지된다.
이상의 제어에 의해 기판 처리 장치(100) 내로의 포드(110) 반입부터 반출까지의 사이에 포드(110)의 이동 동작 중을 제외하면 상시 불활성 가스(예컨대 N2가스) 퍼지의 실행이 가능해진다.
(로드 포트 상으로부터의 반출 동작에서의 N2 공급)
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 로드 포트(114) 상의 기판 수용기(110)의 반출 동작에서의 불활성 가스를 정지하는 타이밍을 도시하는 도면이다.
로드 포트(114) 상의 포드(110) 반출 동작이 시작되면, 가스 공급 컨트롤러(14)에 의한 가스 공급이 정지된다.
(N2가스 유량 감시에 의한 이상 검지와 이상 FOUP 지정 처리)
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 수용기 내의 가스 공급량을 감시하는 처리를 설명하기 위한 도시예다. 또한 도 10은 유량 감시 프로그램(제1 유량 감시 프로그램)이 실행되었을 때의 가스 공급량과 감시 시간의 관계를 그래프로 도시한 일 실시예이며, 이 그래프[원시 데이터(raw data)]는 표시부(31)에 표시되도록 구성된다.
기판 처리 장치용 컨트롤러(240)는 유량 감시 프로그램을 실행하고, 포드(110)에 대한 가스 공급 중에 어떠한 이상에 의해 가스 공급이 정지된 경우 이상 상태의 감시 처리로 이행한다. 여기서 이상 상태의 검지는 포드(110) 내에 공급되는 가스 유량을 감시하는 것에 의해 수행된다. 가스 공급 컨트롤러(14)는 가스 유량이 기준값을 밑돈 경우에 이상이라고 판정하고, 유량 이상을 나타내는 알람을 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 보고한다. 또한 그 이상의 상세 내용 및 알람의 내용을 표시부(31)에 표시하도록 구성해도 좋다.
가스 유량의 이상 상태가 별도의 파라미터로 지정하는 감시 시간을 경과한 경우에는 상기 포드(110)를 이상 FOUP로서 취급한다(이상 FOUP 지정). 구체적으로는 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)가 상기 포드(110)를 이상 FOUP으로 지정한다. 또한 포드(110)가 이동 중의 시간은 가스 공급 정지 시간으로서 취급하지 않는다.
(제1 유량 감시 프로그램)
기판 처리 장치용 컨트롤러(240)가 유량 감시 프로그램을 실행하면, 포드(110) 내의 가스 유량과 미리 설정된 기준값(N2 유량 기준값)이 비교된다. 도 10의 (1) 또는 도 10의 (3)의 상태는 정상적인 상태다. 다음으로 도 10의 (2)의 상태는 검지된 유량이 기준값보다 낮아져 이상을 나타내는 알람을 출력하고, 그 기준값보다 낮은 상태를 다른 파라미터로 미리 설정된 감시 시간(공급 감시 시간)까지 유량이 기준값에 도달하여 알람이 회복된 상태다. 또한 도 10의 (4)의 상태는 유량이 기준값보다 밑돌고, 알람이 발생한 후, 그 기준값보다 낮은 상태가 미리 설정된 감시 시간(공급 감시 시간) 계속된 결과, 해당 포드(110)가 이상 FOUP으로 지정된 상태다. 마지막으로 도 10의 (5)는 이상 FOUP으로 지정되면, 복구 불가능으로서 생산에서의 사용이 금지된 상태다.
이상 검지 상태 FOUP 상태 이상 FOUP 이력
(1) 미검지 정상 없음
(2) 검지 중 정상 없음
(3) 미검지 정상 없음
(4) 검지 중 정상 없음
(5) 검지 중 이상 있음
표 1은 도 10에 도시되는 제1 유량 감시 프로그램을 실행하였을 때, 기억부(28)에 격납되는 데이터의 일 실시예를 도시한 도면이다. 표 1의 종축(縱軸)은 제1 감시 시간(공급 감시 시간), 횡축(橫軸)은 격납되는 데이터 항목이다. 격납되는 데이터는 이상 검지 상태를 나타내는 데이터와, FOUP 상태를 나타내는 데이터와, 이상 FOUP가 지정된 이력을 나타내는 데이터를 적어도 포함한다. 여기서 유량의 이상을 검지한 결과를 나타내는 이상 검지 상태 데이터는 미검지(정상)와 검지 중(이상)의 2개의 상태 데이터를 포함하고, FOUP 상태를 나타내는 데이터도 마찬가지로 정상과 이상의 2개의 상태 데이터를 포함하고, 이상 FOUP가 지정된 이력을 나타내는 데이터는 있음과 없음의 2개의 상태 데이터를 포함한다.
격납되는 데이터로서 전술한 3개의 데이터에 한정되지 않는다는 것은 말할 필요도 없다. 또한 제1 감시 시간은 일 예로서 15초다. 또한 제1 감시 시간은 설정 변경 가능하도록 구성되어도 좋다.
(제2 유량 감시 프로그램)
또한 제2 유량 감시 프로그램은 상기 제1 유량 감시 프로그램을 개량한 것이다. 제1 유량 감시 프로그램은 이상 FOUP가 지정되면 포드(110)의 사용을 금지하는 처리를 수행하고 프로그램이 종료되기 때문에, 포드(110) 내의 기판이 미처리 상태로 방치되어 처리되지 않고 폐기된다. 그렇기 때문에 가능한 한 기판 처리를 계속하는 것이 바람직하다고 하는 관점에서, 이상 FOUP가 지정된 후 소정의 조건을 클리어(clear)하면 다시 이상을 회복할 수 있는 처리를 추가하였다.
도 11에서 제2 유량 감시 프로그램에 대하여 설명한다. 우선 상태(1) 내지 상태(5)까지는 제1 유량 감시 프로그램과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
도 11의 상태(6)는 이상 FOUP가 지정된 후에도 가스 공급 컨트롤러(14)에 의한 가스 공급량의 감시 및 기판 처리 장치용 컨트롤러(240)에 의한 관리를 수행하고, 기준값을 초과한 상태가 미리 설정된 제2 감시 시간(이상 회복 시간) 동안 계속되어 이상 FOUP 지정이 해제된 상태다. 도 11의 상태(7)는 상태(1)와 마찬가지인 정상상태다. 단, 프로그램 실행 중에 이상 FOUP가 지정된 이력은 남는다.
이상 검지 상태 N2이상 FOUP 이상 FOUP 이력
(1) 미검지 정상 없음
(2) 검지 중 정상 없음
(3) 미검지 정상 없음
(4) 검지 중 정상 없음
(5) 검지 중 이상 있음
(6) 검지 중 이상 있음
(7) 미검지 정상 있음
표 2는 도 11에 도시되는 제2 유량 감시 프로그램을 실행하였을 때, 기억부(28)에 격납되는 데이터의 일 실시예를 도시한 도면이다. 여기서 종축 및 횡축은 표 1과 마찬가지이다. 또한 기억부(28)에 격납되는 데이터도 표 1과 마찬가지이다. 한편, 제2 감시 시간(이상 회복 시간)은 일 예로서 60초다.
이상, 본 실시 형태에 의하면, 이상 FOUP 지정한 포드(110)의 취급은 2개의 상기 유량 감시 프로그램 운용에 맞춰서 이하의 제어를 선택 가능하다.
(1) 해당 FOUP을 사용 금지로 하는 경우, 지정 시간을 경과한 포드(110)는 복구 불가능이 되어 생산에서의 사용을 금지한다.
(2) 계속적인 가스 공급에 의해 회복되는 경우, 이상 검지에 의해 사용 금지가 되지만, 가스 공급이 기준값을 웃돌고, 공급 상태가 일정 시간(이상 회복 시간) 경과하는 것에 의해 다시 사용 가능해진다. 회복된 경우에도 사용 금지가 된 이력은 FOUP마다 확인 가능하다.
한편, 전술한 실시 형태는 일 실시예에 지나지 않고, 전술한 2개의 제어를 선택할 뿐만 아니라 전술한 2개의 제어를 양방(兩方) 모두 실행 가능하도록 구성되어도 좋다는 것은 말할 필요가 없다. 또한 제1 유량 감시 프로그램 및 제2 유량 감시 프로그램은 재치 선반 및 수납 선반 각각에서 개별로 실행되도록 구성해도 좋다.
(이상 FOUP의 반출 처리)
수납 선반으로서의 회전식 포드 선반(105) 또는 로드 포트(114)에서 가스 유량이 이상 상태로 포드(110)가 반출된 경우에는, 이후 상기 위치로의 포드(110)의 반입을 금지한다. 이는 가스 공급이 이상이 되는 가능성이 있는 상태에서 다음 포드(110)를 반입하여 이상이 되는 것을 막기 위해서다.
도 12는 수납 선반으로서의 회전식 포드 선반(105)을 사용 금지로 하는 처리를 도시하는 플로우 차트다. FOUP(110)의 Pick 동작 시작 시에 대상이 되는 FOUP(110)가 이상 FOUP 지정인지에 대한 여부를 확인하고, 이상 FOUP의 경우, 사용 금지로 하는 처리를 수행한 후, Pick 동작을 종료하도록 구성된다.
(FOUP의 반출 처리)
도 13은 FOUP(110) 반입 시에 어느 선반에 배치할지를 결정하는 배치 결정 처리를 도시하는 플로우 차트다. 선반에 FOUP가 있는지, 캐리어 종별이 일치하는지에 대한 처리와 더불어 선반에 FOUP(110)가 없는 경우에 선반이 사용 금지로 지정되어 있지 않은지를 확인하는 처리를 추가한다. 이에 의해 불필요하게 에러가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
<본 발명의 일 실시 형태에서의 효과>
이와 같이 본 실시 형태에서는 포드(110)에 불활성 가스 퍼지를 실행하는 것에 의해 포드 내의 분위기 변화에 의한 웨이퍼로의 영향을 경감할 수 있다. 또한 가스 유량의 감시에 의해 이상 상태에서 생산을 실행하는 것을 방지할 수 있다. 본 실시 형태에서는 고장 등에 의해 N2의 공급이 정지한 경우 또한 충분한 N2이 공급되지 않은 경우, 포드(110) 내의 O2 농도가 높아질 우려가 없는 포드(110)의 가스 감시 방법이 제공된다. 또한 포드(110) 내의 농도가 높아지는 등 포드(110)로의 N2 공급 상태의 이상을 검지하고, 일정 시간 이상(以上), 이상 상태가 계속되는 경우에는 그 포드(110)의 사용을 금지할 수 있다. 이에 의해 N2의 이상이 발생한 포드(110)를 식별할 수 있고, 처리 결과의 확인 기준으로서 운용할 수 있다.
또한 유량계를 이용하면, 각 선반에 MFC를 설치한 경우에 비해 저비용으로 불활성 가스 퍼지를 실행할 수 있다. 또한 본 실시 형태에서 가스 유량을 감시하는 것에 의해, 예컨대 가스 공급용의 밸브가 열려 있는 경우에도 가스가 공급되지 않거나 공급량이 부족한 것을 바로 파악할 수 있다. 또한 이와 같은 가스 유량의 불량이 발생한 포드(110)를 사용하지 않는 것에 의해 기판의 품질의 저하를 억제할 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
본 실시 형태에서는 가스 공급량에 관하여 상세히 서술하였지만 이에 한정되지 않고, 예컨대 O2 농도의 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 이에 의해 고장 등에 의해 불활성 가스의 공급이 정지된 경우 또한 충분한 가스가 공급되지 않은 경우, 포드(110) 내의 O2 농도가 높아질 우려가 없는 포드(110) 내의 가스 유량의 감시 방법이 제공된다. 또한 포드(110) 내의 O2 농도가 높아지는 등 포드(110)로의 가스 공급 상태의 이상을 검지하고, 일정 시간 이상, 이상 상태가 계속되는 경우에는 그 포드(110)의 사용을 금지할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는 불활성 가스로서 질소 가스(N2가스)를 예에 예를 들어서 상세히 서술하였지만, 불활성 가스로서 헬륨가스(He가스), 네온 가스(Ne가스), 아르곤 가스(Ar가스) 등에서도 좋다.
또한 본 실시 형태에서는 기판 처리 장치의 일 예로서 반도체 제조 장치를 들었지만 반도체 제조 장치에 한정되지 않고, LCD 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 장치이어도 좋다. 또한 기판 처리의 구체적 내용은 불문이며, 성막 처리뿐만 아니라 어닐링 처리, 산화 처리, 질화 처리, 확산 처리 등의 처리이어도 좋다. 또한 성막 처리는 예컨대 산화막, 질화막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리이어도 좋다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였지만 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경이 가능하다.
<본 발명의 바람직한 형태>
이하, 본 발명의 바람직한 형태에 대하여 부기(附記)한다.
(부기1)
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판 수용기를 배치하는 재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방(一方)에 설치되고 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부;
상기 가스 공급부를 개재하여 상기 기판 수용기에 공급되는 상기 소정의 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하고, 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 감시부; 및
상기 감시부로부터 출력된 상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 관리하는 관리부;
를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기2)
바람직하게는 부기1의 기판 처리 장치로서, 상기 감시부는 상기 소정의 가스의 유량이 상기 기준값을 밑돈 상태에서 미리 설정된 감시 시간(제1 감시 시간)을 초과하면 상기 소정의 가스가 공급된 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 신호(이상 지정 신호)를 상기 관리부에 출력하고, 상기 관리부는 상기 신호(이상 지정 신호)를 수신하면 상기 이상으로 지정된 대상인 기판 수용기의 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 금지하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기3)
또한 바람직하게는 부기2의 기판 처리 장치로서, 상기 감시부는 상기 이상으로 지정된 기판 수용기로의 상기 소정의 가스의 유량이 상기 기준값을 넘은 상태에서 소정의 일정 시간(제2 감시 시간) 경과하면 상기 이상의 지정을 해소하는 신호(지정 해제 신호)를 상기 관리부에 출력하고, 상기 관리부는 상기 신호(지정 해제 신호)를 수신하면 상기 이상의 지정이 해소된 기판 수용기의 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 가능하게 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기4)
바람직하게는 부기1의 기판 처리 장치로서, 상기 감시부는 상기 소정의 가스의 유량이 기준값을 밑돌아 유량 이상을 나타내는 알람 신호를 상기 관리부에 출력한 후, 미리 지정된 감시 시간(제1 감시 시간) 경과 전에 상기 가스의 유량이 상기 기준값을 웃돌면 상기 이상이 회복된 것을 나타내는 회복 신호를 상기 관리부에 출력하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기5)
바람직하게는 부기1의 기판 처리 장치로서, 상기 감시부는, 상기 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하는 비교부; 상기 유량이 상기 기준값을 밑돈 경우에 이상이라고 판정하는 판정부; 및 상기 유량의 이상 상태를 포함하는 상기 이상을 나타내는 각종 알람을 상기 관리부에 보고하는 보고부;를 적어도 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기6)
바람직하게는 부기1의 기판 처리 장치로서, 상기 가스 공급부는, 적어도 상기 가스를 공급하기 위한 밸브; 및 상기 가스의 유량을 검출하는 검출부;를 적어도 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기7)
바람직하게는 부기6의 기판 처리 장치로서, 상기 검출부는, 가스 유량을 계측하는 유량계 또는 유량 측량기(MFM); 산소 농도를 계측하는 농도계; 습도를 계측하는 습도계 및 노점계; 소정 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기(MFC); 중 어느 하나인 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기8)
바람직하게는 부기6의 기판 처리 장치로서, 상기 검출부는 유량 스위치인 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기9)
바람직하게는 부기1의 기판 처리 장치로서, 상기 관리부는 상기 기판 수용기에 수납된 기판의 종별에 따라 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 배치된 상태에서 상기 기판 수용기에 불활성 가스를 공급하는 지시를 상기 감시부에 출력하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기10)
바람직하게는 부기1의 기판 처리 장치로서, 상기 관리부는 상기 기판 수용기에 수납된 기판의 종별이 제품 기판이면 상기 기판 수용기에 불활성 가스를 공급하는 지시를 출력하도록 구성되고, 상기 기판 수용기에 수납된 기판의 종별이 더미 기판이면 상기 기판 수용기에 불활성 가스를 공급하지 않도록 구성되는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기11)
본 발명의 다른 형태에 의하면,
재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방에 배치된 기판 수용기에 공급되는 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하는 처리; 및
상기 비교한 결과를 나타내는 신호(비교 결과 신호)에 따라 상기 유량 이상을 지정하는 신호(알람 신호), 상기 유량 이상의 회복을 지정하는 신호(알람 회복 신호), 상기 기판 수용기의 반송 상태를 지정하는 신호(이상 지정 신호, 지정 해제 신호)로부터 선택되는 하나의 신호를 출력하는 처리;
를 포함하는 유량 감시 프로그램 및 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체가 제공된다.
(부기12)
바람직하게는 부기11의 유량 감시 프로그램 및 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체에서,
기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량을 검출하고 미리 설정된 기준값과 비교하는 처리;
비교 결과, 상기 기준값보다 낮은 경우에 알람을 출력하는 처리;
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간 동안 계속할지 감시하는 처리;
상기 소정의 감시 시간을 경과한 경우에 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP)으로 지정하는 처리; 및
상기 이상(이상 FOUP)으로 지정된 상기 기판 수용기 및 상기 기판 수용기 내의 기판의 반송을 금지하는 처리;를 포함하는 제1 유량 감시 프로그램이 더 제공된다.
(부기13)
바람직하게는 부기11의 유량 감시 프로그램 및 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체에서,
기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량을 검출하고 미리 설정된 기준값과 비교하는 처리;
비교 결과, 상기 기준값보다 낮은 경우에 알람을 출력하는 처리;
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간(제1 감시 시간) 동안 계속되는지 감시하는 처리;
상기 소정의 감시 시간을 경과한 경우에 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP)으로 지정하는 처리; 및
상기 이상(이상 FOUP)으로 지정된 기판 수용기 내의 가스 유량이 상기 기준값을 넘은 상태에서 소정의 회복 시간을 경과한 경우에 상기 이상의 지정(이상 FOUP 지정)을 해제하는 처리;를 포함하는 제2 유량 감시 프로그램이 더 제공된다.
(부기14)
또한 바람직하게는 부기12의 제1 유량 감시 프로그램 또는 부기13의 제2 유량 감시 프로그램에서, 상기 소정의 감시 시간 동안 상기 가스 유량이 상기 기준값에 도달하면 상기 알람을 회복하는 신호를 출력하는 처리를 더 포함한다.
(부기15)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납부 중 적어도 일방에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량과 미리 설정된 기준값을 비교한 결과, 상기 기준값을 밑돈 경우에 유량 이상을 나타내는 신호(알람 신호)를 출력하는 공정;
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간(제1 감시 시간)을 초과하면 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 신호(이상 지정 신호)를 출력하는 처리를 수행하는 이상 지정 공정; 및
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간을 경과하지 않고 상기 가스 유량이 상기 기준값보다 높아지면 상기 이상 회복을 나타내는 신호(알람 회복 신호)를 출력하는 공정;을 포함하는 유량 감시 방법이 제공된다.
(부기16)
바람직하게는 부기12의 유량 감시 방법으로서, 상기 이상 지정 공정 후, 상기 가스 유량이 상기 기준값보다 높은 상태에서 소정의 감시 시간을 초과하면 상기 기판 수용기에 지정된 상기 이상을 해제하는 신호(지정 해제 신호)를 출력하는 공정을 더 포함하는 유량 감시 방법이 제공된다.
(부기17)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기가 재치부 및 수납 선반에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량이 소정의 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간을 초과하면 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 공정; 및
상기 이상으로 지정된 상기 기판 수용기의 반송을 금지하는 공정;을 포함하는 반송 관리 방법이 제공된다.
(부기18)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 수용하는 기판 수용기를 재치부와 수납부 사이에서 반송하는 기판 반송 공정; 및
상기 기판 수용기를 재치부 또는 수납부에 재치하는 재치 공정;을 포함하는 기판 반송 방법으로서,
상기 재치 공정은, 상기 기판 수용기 내에 공급되는 가스 유량이 소정의 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간을 초과하면 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 공정; 및 상기 이상으로 지정된 상기 기판 수용기(및 상기 기판 처리 장치 내의 기판)의 반송을 금지하는 공정;을 포함하는 기판 반송 방법이 제공된다.
(부기19)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 수용하는 기판 수용기를 재치부와 수납부 사이에서 반송하는 기판 반송 공정;
상기 기판 수용기를 재치부 또는 수납부에 재치하는 재치 공정을 포함하는 기판 반송 공정;
기판을 기판 보지구에 이재 하는 이재 공정; 및
기판을 보지한 상기 기판 보지구를 처리로 내에 삽입하여 상기 기판을 처리하는 처리 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 재치 공정은, 상기 기판 수용기 내에 공급되는 가스 유량이 소정의 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간을 초과하면 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 공정; 및
상기 이상으로 지정된 상기 기판 수용기(및 상기 기판 처리 장치 내의 기판)의 반송을 금지하는 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기20)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기를 재치하는 재치부 및 수납 선반에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 기판 수용기를 상기 재치부 및 상기 수납 선반 사이에서 반송하는 기판 수용기 반송 기구(제1 반송 기구);
상기 기판 수용기를 상기 재치부에 반입할 때, 상기 기판 수용기 내에 가스를 공급하는 지정의 유무를 적어도 포함하는 정보에 기초하여 가스 공급 지정의 유무를 확인하고 상기 기판 수용기로의 상기 가스의 공급을 지시하는 관리부; 및
상기 가스 공급 지정이 있는 경우, 상기 지시에 기초하여 상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 배치된 상태에서 상기 가스 공급부를 개재하여 상기 가스를 공급하면서 상기 가스의 유량이 소정의 기준값 이상인지를 감시하는 것과 함께 상기 제1 반송 기구가 상기 기판 수용기를 지지한 상태에서 상기 가스의 공급을 정지하는 감시부;를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기21)
바람직하게는 부기20의 기판 처리 장치로서, 상기 관리부는, 가스 유량이 기준값을 밑돈 상태에서 미리 지정된 감시 시간을 경과한 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP)으로 지정하고, 상기 이상(이상 FOUP)으로 지정된 상기 기판 수용기의 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 금지하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기22)
바람직하게는 부기21의 기판 처리 장치로서, 상기 관리부는 상기 이상으로 지정(이상 FOUP 지정)된 상기 기판 수용기로의 가스 공급량이 상기 기준값을 초과한 상태에서 일정 시간이 경과하면 상기 이상 FOUP 지정(이상의 지정)을 해소하고, 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 가능하게 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기23)
바람직하게는 부기20의 기판 처리 장치로서, 상기 감시부는 상기 가스의 유량이 기준값을 밑돌아 이상이라고 판단하고 상기 이상을 나타내는 신호(알람 신호)를 상기 관리부에 출력한 후, 미리 지정된 감시 시간이 경과하기 전에 상기 가스의 유량이 기준값을 웃돌면 상기 이상이 회복된 것을 나타내는 신호(알람 회복 신호)를 상기 관리부에 출력하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기24)
본 발명의 다른 형태에 의하면,
기판 수용기를 배치하는 재치부 및 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 배치된 상태에서 상기 가스 공급부를 개재하여 상기 소정의 가스를 공급하고, 상기 가스 공급부를 개재하여 공급되는 상기 소정의 가스의 유량이 미리 설정된 기준값 이상인지를 감시하는 감시부; 및
상기 소정의 가스의 유량이 상기 기준값을 밑돈 상태에서 미리 지정된 감시 시간을 경과한 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP)으로 지정하고, 이상 FOUP으로 지정된 상기 기판 수용기의 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 금지하는 관리부;를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기25)
또한 바람직하게는 부기24의 기판 처리 장치로서, 상기 관리부는 상기 이상(이상 FOUP)으로 지정된 상기 기판 수용기로의 N2가스 공급량이 상기 기준값을 초과한 상태에서 소정의 일정 시간 경과하면 이상의 지정(이상 FOUP 지정)을 해소하고, 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 가능하게 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기26)
또한 바람직하게는 부기24 또는 부기25의 기판 처리 장치로서, 상기 관리부는 상기 기판 수용기를 상기 재치부에 반입할 때, 식별 정보 및 기판 종별 정보를 포함하는 정보 중 적어도 상기 소정의 가스를 공급하는 지정의 유무 정보를 확인하고, 상기 감시부에 상기 기판 수용기 내에 가스를 공급시키는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기27)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량을 검출하고, 소정의 기준값과 비교하는 처리;
비교 결과, 상기 기준값보다 낮은 경우에 알람을 발생하는 처리;
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간 동안 계속할지 감시하는 처리; 및
상기 소정의 감시 시간을 경과한 경우에 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP 지정)으로 지정하는 처리;를 포함하는 제1 유량 감시 프로그램 및 제1 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체가 제공된다.
(부기28)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량을 검출하고, 소정의 기준값과 비교하는 처리;
비교 결과, 상기 기준값보다 낮은 경우에 알람을 발생하는 처리;
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간 동안 계속할지 감시하는 처리;
상기 소정의 감시 시간을 경과한 경우에 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP 지정)으로 지정하는 처리; 및
상기 이상으로 지정(이상 FOUP 지정)된 기판 수용기 내의 가스 유량이 상기 기준값을 초과한 상태에서 소정의 회복 시간을 경과한 경우에 상기 이상 FOUP 지정을 해제하는 처리;를 포함하는 제2 유량 감시 프로그램 및 제1 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체가 제공된다.
(부기29)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기를 배치하는 재치부 및 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 기판 수용기를 상기 재치부와 상기 수납 선반 사이에서 반송하는 제1 반송 기구;
상기 기판 수용기를 상기 재치부에 반입할 때, 적어도 퍼지 지정의 유무 정보를 확인하고, 식별 정보 및 기판 종별 정보에 상기 기판 수용기 내에 가스를 공급하는 퍼지 지정의 유무를 포함하는 정보를 관리하는 관리부; 및
상기 정보의 내용에 기초하여 상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 배치된 상태에서 상기 가스 공급부를 개재하여 상기 소정의 가스를 공급하고, 상기 가스 공급부를 개재하여 공급되는 상기 가스의 유량이 미리 설정된 기준값 이상인지를 감시하는 감시부;를 포함하고,
상기 관리부는, 상기 퍼지 지정이 있음인 경우 상기 유량이 기준값을 밑돈 상태에서 미리 지정된 감시 시간을 경과한 상기 기판 수용기를 이상(이상 FOUP)으로 지정하고, 이상(이상 FOUP)으로 지정된 상기 기판 수용기의 상기 재치부 및 상기 수납 선반으로의 반입 및 반출을 금지되는 제1 제어; 및
상기 제1 제어가 실행된 후, 상기 이상(이상 FOUP)으로 지정된 상기 기판 수용기로의 가스 유량이 상기 기준값을 초과한 상태에서 소정의 일정 시간이 경과하면 상기 이상의 지정(이상 FOUP 지정)이 해소되고, 상기 재치부 및 상기 수납 선반으로의 반입 및 반출이 가능해지는 제2 제어;를 선택 가능하게 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기30)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납부에 재치된 상태에서, 공급되는 가스 유량과 미리 설정된 기준값을 비교한 결과, 상기 기준값을 밑돈 경우에 유량 이상을 나타내는 신호를 출력하는 공정;
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간을 초과하면 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 신호를 출력하는 처리를 수행하는 이상 지정 공정; 및
상기 기준값보다 낮은 상태에서 소정의 감시 시간을 경과하지 않고 상기 가스 유량이 상기 기준값보다 높아지면 상기 이상 회복을 나타내는 신호를 출력하는 공정;을 포함하는 유량 감시 방법이 제공된다.
(부기31)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방에 설치된 가스 공급부로부터 소정의 가스를 기판 수용기에 공급하는 공정;
상기 가스 공급부를 개재하여 상기 기판 수용기에 공급되는 상기 소정의 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하고, 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 공정;
상기 출력된 상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 관리하는 공정; 및
상기 반송 상태가 관리된 상기 기판 수용기의 기판을 처리실에 반송하여 처리하는 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기32)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방에 배치된 기판 수용기에 공급되는 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하는 처리; 및
상기 가스의 유량과 상기 기준값을 비교한 결과를 나타내는 신호에 따라 상기 유량 이상을 지정하는 신호, 상기 유량 이상의 회복을 지정하는 신호, 상기 기판 수용기의 반송 상태를 지정하는 신호로부터 선택되는 하나의 신호를 출력하는 처리;를 포함하는 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체가 제공된다.
(부기33)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
재치부 및 수납부 중 적어도 어느 일방에 배치된 기판 수용기에 가스를 공급하는 처리;
상기 기판 수용기에 공급되는 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하는 처리;
상기 가스의 유량과 상기 기준값을 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 처리; 및
상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 지정하는 처리;
를 포함하는 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체가 제공된다.
100: 기판 처리 장치 200: 웨이퍼(기판)
500: 관리 장치

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  9. 기판 수용기를 재치하는 재치부 및 수납 선반에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 기판 수용기를 상기 재치부 및 상기 수납 선반 사이에서 반송하는 기판 수용기 반송 기구;
    상기 기판 수용기를 상기 재치부에 반입할 때, 상기 기판 수용기 내에 가스를 공급하는 지정의 유무를 적어도 포함하는 정보에 기초하여 가스 공급 지정의 유무를 확인하고, 상기 기판 수용기로의 상기 소정의 가스의 공급을 지시하는 관리부; 및
    상기 지시에 기초하여 상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 배치된 상태에서 상기 가스 공급부를 개재하여 상기 소정의 가스를 공급하면서 상기 소정의 가스의 유량이 소정의 기준값보다 크거나 같은 지를 감시하는 것과 함께, 상기 기판 수용기 반송 기구가 상기 기판 수용기를 지지한 상태에서 상기 소정의 가스의 공급을 정지하는 감시부;
    를 구비한 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가스 공급 지정이 있는 경우, 상기 관리부는,
    상기 소정의 가스의 유량이 상기 기준값을 밑돈 상태에서 제1 감시 시간을 경과한 상기 기판 수용기를 이상(異常)으로 지정하고, 상기 이상으로 지정된 상기 기판 수용기의 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 금지하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가스 공급 지정이 있는 경우, 상기 관리부는,
    상기 이상으로 지정된 상기 기판 수용기로의 상기 소정의 가스의 공급량이 상기 기준값을 초과한 상태에서 제2 감시 시간이 경과하면, 상기 이상의 지정을 해소하고, 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방으로의 반입 및 반출을 가능하게 하는 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 감시부는 상기 소정의 가스의 유량이 상기 기준값을 밑돌아 이상이라고 판단하고 상기 이상을 나타내는 신호를 상기 관리부에 출력한 후, 제1 감시 시간이 경과하기 전에 상기 소정의 가스의 유량이 상기 기준값을 웃돌면 상기 이상이 회복된 것을 나타내는 신호를 상기 관리부에 출력하는 기판 처리 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 관리부는 상기 기판 수용기에 수납된 기판의 종별에 따라 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 배치된 상태에서 상기 기판 수용기에 불활성 가스를 공급하는 지시를 상기 감시부에 출력하는 기판 처리 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 관리부는 상기 기판 수용기에 수납된 기판의 종별이 제품 기판이면 상기 기판 수용기에 불활성 가스를 공급하는 지시를 출력하도록 구성되고, 상기 기판 수용기에 수납된 기판의 종별이 더미 기판이면 상기 기판 수용기에 불활성 가스를 공급하지 않도록 구성되는 기판 처리 장치.
  15. 재치부 및 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 설치된 가스 공급부로부터 소정의 가스를 기판 수용기에 공급하는 공정;
    상기 가스 공급부를 개재하여 상기 기판 수용기에 공급되는 상기 소정의 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교하고, 비교한 결과를 나타내는 신호를 출력하는 공정;
    상기 출력된 상기 신호에 따라 상기 기판 수용기의 반송 상태를 관리하는 공정; 및
    상기 반송 상태가 관리된 상기 기판 수용기의 기판을 처리실에 반송하여 처리하는 공정;
    을 포함하고,
    상기 소정의 가스를 기판 수용기에 공급하는 공정에서는,
    상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 배치된 상태에서 상기 소정의 가스를 공급하면서, 상기 가스의 유량이 소정의 기준값 이상인지를 감시함과 함께, 상기 기판 수용기가 반송된 상태에서 상기 소정의 가스의 공급을 정지하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 기판 수용기를 재치부에 반입할 때에, 상기 기판 수용기 내에 가스를 공급하는 지정의 유무를 적어도 포함하는 정보에 기초하여 가스 공급 지정의 유무를 확인하고 상기 기판 수용기로의 상기 가스의 공급을 지시하는 단계;
    상기 지시에 기초하여 상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 수납 선반에 배치된 상태에서 상기 가스를 공급하면서, 상기 가스의 유량이 소정의 기준값 이상인지를 감시하는 단계; 및
    상기 기판 수용기를 상기 재치부 및 상기 수납 선반 사이에서 반송할 때는 상기 가스의 공급을 정지하는 단계;
    를 컴퓨터에 실행시키는 유량 감시 프로그램이 격납된 기록 매체.
  17. 재치부 및 수납 선반 중 적어도 어느 일방에 설치된 가스 공급부로부터 소정의 가스를 기판 수용기에 공급하는 공정;
    상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반 중 적어도 일방에 재치된 상태에서, 공급되는 가스의 유량과 미리 설정된 기준값을 비교한 결과, 상기 기준값을 밑돈 경우에 상기 가스의 유량의 이상 상태를 나타내는 신호를 출력하는 공정;
    상기 기준값보다 낮은 상태에서 제1 감시 시간을 초과하면 상기 기판 수용기를 이상으로 지정하는 신호를 출력하는 처리를 수행하는 이상 지정 공정; 및
    상기 기준값보다 낮은 상태에서 상기 제1 감시 시간을 경과하지 않고 상기 가스의 유량이 상기 기준값보다 높아지면, 상기 기판 수용기에 지정된 상기 이상의 회복을 나타내는 신호를 출력하는 공정;
    을 포함하고,
    상기 소정의 가스를 기판 수용기에 공급하는 공정에서는,
    상기 기판 수용기가 상기 재치부 및 상기 수납 선반에 배치된 상태에서 상기 소정의 가스를 공급하면서, 상기 가스의 유량이 소정의 기준값 이상인지를 감시함과 함께, 상기 기판 수용기가 반송된 상태에서 상기 소정의 가스의 공급을 정지하는 유량 감시 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 이상 지정 공정 후, 상기 가스의 유량이 상기 기준값보다 높은 상태에서 제2 감시 시간을 초과하면, 상기 기판 수용기에 지정된 상기 이상을 해제하는 신호(지정 해제 신호)를 출력하는 공정을 더 포함하는 유량 감시 방법.
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