CN104253073A - 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及流量监视方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于通过适当地向衬底收容器内供给惰性气体，从而减轻衬底收容器内的环境气体变化对晶片的影响。提供了一种衬底处理装置(100)，包括：供给惰性气体的净化机构，设于配置衬底收容器(110)的载置部(114)和收纳架(105)中的至少一方；监视部，比较经由所述净化机构供给到所述衬底收容器(110)的惰性气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及管理部，根据从所述监视部输出的所述信号，管理所述衬底收容器(110)的使用。

Description

衬底处理装置、半导体器件的制造方法及流量监视方法
技术领域
本发明涉及在衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及流量监视方法中收容衬底的衬底收容器。
背景技术
以往，作为衬底处理装置的一种的半导体制造装置实施衬底处理工序，所述衬底处理工序作为DRAM、IC等器件的制造工序的一个工序，基于定义了处理条件和处理步骤的制程(工艺制程)来处理衬底(以下称为晶片)。在这种衬底处理装置中，在将多个晶片移载于衬底保持件(以下称为舟皿)的状态下将其装入处理炉内，并实施规定的处理。该情况下，在设于处理炉下部的移载室中，由于在将晶片移载至舟皿的状态下等待处理的开始和结束，存在大气中的氧气(O2)对热处理前或者热处理后的晶片产生影响的情况。因此，设置对移载室内部进行N2置换的机构，并将O2浓度管理为低于规定值。
在该半导体制造装置中，成为处理对象的衬底被收纳于作为衬底收容器的FOUP(front opening unified pod：前开口一体化盒)内，并送入载置部(以下称为装载端口)。在使用FOUP的情况下，由于在将晶片密封的状态下输送晶片，所以即使在周围的环境气体中存在颗粒等，也能够维持晶片的洁净度。
然而，虽然作为衬底收容器的FOUP为密闭容器，但由于其没有完全防止外部空气的流入流出的程度的性能，所以即使在装置送入时为理想状态(例如规定的O2浓度以下)，在装置送出时之前，随着时间经过，氧气(O2)浓度上升。因此，为了将FOUP内的O2浓度保持为恒定，在装置内配置有FOUP期间，需要实施利用N2气体的净化处理。例如，根据专利文献1，公开了FOUP载置于盒体架时供给惰性气体的结构。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-340641号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的目的在于通过监视供给到衬底收容器内的惰性气体的流量，减轻衬底收容器内的环境气体变化对衬底的影响。
用于解决问题的手段
根据本发明的一实施方式，提供一种衬底处理装置，包括：
气体供给部，设于配置衬底收容器的载置部和收纳部中的至少一方，并用于供给规定气体；
监视部，比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定的气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及
管理部，根据从所述监视部输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态。
本发明的其他实施方式提供一种半导体器件的制造方法，包括：
从设于载置部和收纳部中的至少一方的气体供给部向衬底收容器供给规定的气体的工序；
比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定的气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号的工序；
根据所述输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态的工序；以及
将被管理了所述输送状态的所述衬底收容器的衬底输送到处理室中进行处理的工序。
本发明的又一其他实施方式提供一种流量监视方法，包括：
比较载置于所述载置部和所述收纳部中的至少一方的状态下供给到衬底收容器内的气体流量与预先设定的基准值，在比较结果小于所述基准值的情况下输出表示流量异常的信号的工序；
异常指定工序，在低于所述基准值的状态下，当超过了规定的监视时间时，进行输出将所述衬底收容器指定为异常的信号的处理；以及
在低于所述基准值的状态下，当未超过规定的监视时间且所述气体流量变得高于所述基准值时，输出表示异常恢复的信号的工序。
发明的效果
根据本发明的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及流量监视方法，从衬底收容器被送入装置内时直到被送出装置外期间，通过监视供给到所述衬底收容器内的惰性气体的流量，将所述衬底收容器内的环境气体变化对衬底的影响抑制为较低。
附图说明
图1是本发明一实施方式的衬底处理系统的概要结构图。
图2是本发明一实施方式的衬底处理装置的斜透视图。
图3是本发明一实施方式的衬底处理装置的侧面透视图。
图4是本发明一实施方式的衬底处理装置的处理炉的纵剖视图。
图5是本发明一实施方式的衬底处理装置的控制器结构图。
图6是表示向本发明一实施方式的衬底处理装置内送入衬底收容器时的净化设定处理的图。
图7是表示本发明一实施方式的衬底收容器的动作(拾取动作)中的惰性气体停止定时的图。
图8是表示本发明一实施方式的衬底收容器的动作(放置动作)中的惰性气体供给定时的图。
图9是表示本发明一实施方式的衬底处理装置的装载端口上的衬底收容器的送出动作中的惰性气体停止定时的图。
图10是表示监视本发明一实施方式的衬底收容器内的N2气体供给量的处理的图。
图11是表示监视本发明一实施方式的衬底收容器内的N2气体供给量的处理的图。
图12是表示向本发明一实施方式的衬底处理装置内的收纳架(或者载置部)的禁止指定的图。
图13是表示向本发明一实施方式的衬底处理装置内的收纳架和载置部的送入禁止决定处理的图。
图14是用于说明将惰性气体供给到载置于本发明一实施方式的衬底处理装置内的收纳架和载置部上的衬底收容器内的气体供给部的图。
标号说明
100 衬底处理装置
200 晶片(衬底)
500 管理装置
具体实施方式
<本发明的一实施方式>
以下，说明本发明的一实施方式。
(1)衬底处理系统的结构
首先，使用图1说明本发明一实施方式的衬底处理系统的结构。图1是本发明一实施方式的衬底处理系统的概要结构图。
如图1所示，本实施方式的衬底处理系统包括至少一台衬底处理装置100和连接成可与该衬底处理装置100进行数据交换的组管理装置500。衬底处理装置100构成为执行基于制程的处理工艺，所述制程定义有处理步骤和处理条件。衬底处理装置100与组管理装置500之间例如通过局域网(LAN)或广域网(WAN)等网络400来连接。
(2)衬底处理装置的结构
接着，参照图2、图3说明本实施方式的衬底处理装置100的结构。图2是本发明一实施方式的衬底处理装置的斜透视图。图3是本发明一实施方式的衬底处理装置的侧面透视图。此外，本实施方式的衬底处理装置100构成作为在例如晶片等衬底上进行氧化、扩散处理、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)处理等的立式装置。
如图2、图3所示，本实施方式的衬底处理装置100包括构成作为耐压容器的框体111。在框体111的正面壁111a的正面前方部，开设有设置成可维护的、作为开口部的正面维护口103。在正面维护口103上作为开闭正面维护口103的进入机构而设有一对正面维护门104。收纳有硅等晶片(衬底)200的晶片盒(衬底收容器)110作为向框体111内外输送晶片200的载体来使用。
在框体111的正面壁111a上，以连通框体111内外的方式开设有晶片盒送入送出口(衬底收容器送入送出口)112。晶片盒送入送出口112构成为通过前闸门(衬底收容器送入送出口开闭机构)113进行开闭。在晶片盒送入送出口112的正面前方侧设置有装载端口(衬底收容器交接台)114作为载置部。在装载端口114上构成为载置并且定位晶片盒110。晶片盒110构成为由OHT(Overhead Hoist Transport：高架提升传输)等工序内输送装置(未图示)输送到装载端口114上。
在框体111内的前后方向上的大致中央部的上部，设置有作为收纳部的旋转式晶片盒架(衬底收容器载置部)105。构成为在旋转式晶片盒架105上保管多个晶片盒110。旋转式晶片盒架105包括：垂直地竖立设置且在水平面内间歇旋转的支柱116、在上中下层的各位置呈放射状地由支柱116支承的多片架板(衬底收容器载置台)117。多片架板117构成为在分别载置了多个晶片盒110的状态下保持晶片盒110。
在框体111内的装载端口114与旋转式晶片盒架105之间，设置有作为第一输送机构的晶片盒输送装置(衬底收容器输送装置)118。晶片盒输送装置118由在保持了晶片盒110的状态下可升降的晶片盒升降机(衬底收容器升降机构)118a和作为输送机构的晶片盒输送机构(衬底收容器输送机构)118b构成。晶片盒输送装置118构成为：通过晶片盒升降机118a和晶片盒输送机构118b的连续动作，在装载端口114、旋转式晶片盒架105以及晶片盒开启器(衬底收容器盖体开闭机构)121之间相互输送晶片盒110。
在框体111内的下部，从框体111内的前后方向上的大致中央部到后端设有副框体119。在副框体119的正面壁119a上，沿垂直方向上下两层地排列设有向副框体119内外输送晶片200的一对晶片送入送出口(衬底送入送出口)120。在上下层的晶片送入送出口120上分别设置有晶片盒开启器121。
各晶片盒开启器121包括：载置晶片盒110的一对载置台122和装拆晶片盒110的盖(盖体)的盖装拆机构(盖体装拆机构)123。晶片盒开启器121构成为利用盖装拆机构123将载置于载置台122上的晶片盒110的盖装拆，从而开闭晶片盒110的晶片出入口。
在副框体119内构成移载室124，所述移载室124与设置有晶片盒输送装置118、旋转式晶片盒架105等的空间隔绝流体。在移载室124的前侧区域设置有晶片移载机构(衬底移载机构)125。晶片移载机构125由可使晶片200沿水平方向旋转或直线运动的晶片移载装置(衬底移载装置)125a；和使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机(衬底移载装置升降机构)125b构成。如图2所示，晶片移载装置升降机125b设置于副框体119的移载室124的前方区域右端部与框体111右侧的端部之间。晶片移载装置125a包括作为晶片200的载置部的镊子(衬底保持体)125c。通过这些晶片移载装置升降机125b和晶片移载装置125a的连续动作，构成为能够相对于舟皿(衬底保持件)217装填(装料)和卸载(卸料)晶片200。
在移载室124的后侧区域，构成有收容舟皿217并使之待机的待机部126。在待机部126的上方设有处理炉202。处理炉202的下端部构成为通过炉口闸门(炉口开闭机构)147进行开闭。
如图2所示，在副框体119的待机部126右端部与框体111右侧端部之间设置有使舟皿217升降的舟皿升降机(衬底保持件升降机构)115。在舟皿升降机115的升降台上连结有作为连结件的臂128。在臂128上水平安装有作为盖体的密封盖219。密封盖219构成为垂直地支承舟皿217，并能够封闭处理炉202的下端部。
本实施方式的衬底输送系统主要由旋转式晶片盒架105、舟皿升降机115、晶片盒输送装置(衬底收容器输送装置)118、晶片移载机构(衬底移载机构)125、舟皿217以及后述的旋转机构254构成。这些旋转式晶片盒架105、舟皿升降机115、晶片盒输送装置(衬底收容器输送装置)118、晶片移载机构(衬底移载机构)125、舟皿217以及旋转机构254与输送控制器11电连接。
舟皿217包括多条保持部件。舟皿217构成为将多片(例如50片～125片左右)晶片200以其中心对齐并沿垂直方向整齐排列的状态分别保持水平。
如图2所示，在移载室124的与晶片移载装置升降机125b侧和舟皿升降机115侧相反一侧即左侧端部设置有清洁单元134。清洁单元134由供给风扇和防尘过滤器构成从而供给作为清洁化的环境气体或者惰性气体的清洁空气133。在晶片移载装置125a与清洁单元134之间设置有使晶片的圆周方向的位置对准的作为衬底对准装置的凹口对合装置(未图示)。
从清洁单元134吹出的清洁空气133构成为：流通经过未图示的凹口对合装置、晶片移载装置125a、位于待机部126的舟皿217的周围后，由未图示的导管吸入并排出到框体111的外部或者循环到作为清洁单元134的吸入侧的一次侧(供给侧)，由清洁单元134再次吹出到移载室124内。
此外，在框体111、副框体119的外周安装有未图示的多个装置罩作为向衬底处理装置100内的进入机构。在维护作业时拆下这些装置罩从而保养人员可进入衬底处理装置100内。在与这些装置罩相对的框体111、副框体119的端部设有作为进入传感器的门开关130。另外，与正面维护门104相对的框体111的端部也设有作为进入传感器的门开关130。另外，在装载端口114上设有检测晶片盒110的载置的衬底检测传感器140。这些门开关130和衬底检测传感器140等开关、传感器类器件15与后述的衬底处理装置用控制器240电连接。
(3)衬底处理装置的动作
接着，参照图2、图3说明本实施方式的衬底处理装置100的动作。
如图2、图3所示，当晶片盒110由工序内输送装置(未图示)供给到装载端口114时，由衬底检测传感器140检测到晶片盒110，晶片盒送入送出口112由前闸门113开放。然后，装载端口114上的晶片盒110由晶片盒输送装置118从晶片盒送入送出口112送入框体111内部。
送入框体111内部的晶片盒110由晶片盒输送装置118自动地输送到旋转式晶片盒架105的架板117上并暂时保管。之后，晶片盒110被从架板117上移载到一方晶片盒开启器121的载置台122上。此外，送入框体111内部的晶片盒110也可以由晶片盒输送装置118直接移载到晶片盒开启器121的载置台122上。此时，晶片盒开启器121的晶片送入送出口120由盖装拆机构123关闭，在移载室124内流通并充满清洁空气133。例如，通过在移载室124内充满氮气作为清洁空气133，移载室124内的氧气浓度设定为例如20ppm以下，并远低于大气环境气体即框体111内的氧气浓度。
载置于载置台122上的晶片盒110的开口侧端面被压靠于副框体119的正面壁119a上的晶片送入送出口120的开口边缘部，并且其盖由盖装拆机构123拆卸，开放晶片出入口。之后，由晶片移载装置125a的镊子125c通过晶片出入口从晶片盒110内拾取晶片200，在由凹口对合装置对准方位后，送入位于移载室124后方的待机部126内，并装填(装料)到舟皿217内。在舟皿217内装填晶片200后的晶片移载装置125a返回到晶片盒110，并将下一晶片200装填到舟皿217内。
在该一方(上层或者下层)晶片盒开启器121上的晶片移载机构125将晶片200装填到舟皿217的作业中，另一晶片盒110由晶片盒输送装置118从旋转式晶片盒架105上输送而移载到另一方(下层或者上层)晶片盒开启器121的载置台122上，并同时由晶片盒开启器121进行晶片盒110的开放作业。
在预先指定的片数的晶片200被装填至舟皿217内时，由炉口闸门147封闭着的处理炉202的下端部由炉口闸门147开放。接着，通过利用舟皿升降机115使密封盖219上升，从而向处理炉202内送入(装载)保持有晶片200的组的舟皿217。
装载后，在处理炉202内对晶片200实施任意的处理。处理后，除了利用凹口对合装置135的晶片对准工序，以与上述步骤大致相反的步骤，从处理室201内送出保存有处理后的晶片200的舟皿217，并向框体111外部送出保存有处理后的晶片200的晶片盒110。
(4)处理炉的结构
接着，使用图4说明本实施方式的处理炉202的结构。图4是本发明一实施方式的衬底处理装置100的处理炉202的纵剖视图。
如图4所示，处理炉202包括作为反应管的工艺管203。工艺管203包括作为内部反应管的内管204和设于其外侧的作为外部反应管的外管205。内管204由例如石英(SiO2)或者碳化硅(SiC)等耐热性材料构成。内管204形成为上端和下端开口的圆筒状。在内管204内的筒中空部形成有对作为衬底的晶片200进行处理的处理室201。构成为处理室201内可收容后述的舟皿217。外管205与内管204设置成同心圆状。外管205的内径大于内管204的外径，并形成为上端封闭而下端开口的圆筒状。外管205由例如石英或者碳化硅等耐热性材料构成。
在工艺管203的外侧，以围绕工艺管203的侧壁面的方式设有作为加热机构的加热器206。加热器206构成为圆筒状。加热器206通过由作为保持板的加热器基座251支承而垂直地安装。
在外管205的下方，以与外管205成为同心圆状的方式配设有集流腔209。集流腔209例如由不锈钢等构成。集流腔209形成为上端和下端开口的圆筒状。集流腔209与内管204的下端部和外管205的下端部分别接合。集流腔209设置成支承内管204的下端部和外管205的下端部。另外，在集流腔209与外管205之间设有作为密封部件的O形环220a。由于集流腔209由加热器基座251支承，工艺管203成为垂直安装的状态。由工艺管203和集流腔209形成反应容器。
作为气体导入部的处理气体喷嘴230a和净化气体喷嘴230b以连通处理室201内部的方式与后述的密封盖219连接。在处理气体喷嘴230a上连接有处理气体供给管232a。在处理气体供给管232a的上游侧(与处理气体喷嘴230a连接一侧的相反侧)，经由作为气体流量控制器的MFC(质量流量控制器)241a连接有未图示的处理气体供给源等。另外，在净化气体喷嘴230b上连接有净化气体供给管232b。在净化气体供给管232b的上游侧(与净化气体喷嘴230b连接一侧的相反侧)，经由作为气体流量控制器的MFC(质量流量控制器)241b连接有未图示的净化气体供给源等。
本实施方式的处理气体供给系统主要由处理气体供给源(未图示)、MFC241a、处理气体供给管232a以及处理气体喷嘴230a构成。本实施方式的净化气体供给系统主要由净化气体供给源(未图示)、MFC241b、净化气体供给管232b以及净化气体喷嘴230b构成。本实施方式的气体供给系统主要由处理气体供给系统和净化气体供给系统构成。在MFC241a、241b上电连接有气体供给控制器14。另外，作为监视部的气体供给控制器14构成为与后述的净化机构连接，并在衬底收容器110内监视净化用的惰性气体供给量。
在集流腔209上设有排出处理室201内的环境气体的排气管231。排气管231配置于由内管204与外管205的间隙形成的筒状空间250的下端部。排气管231与筒状空间250连通。在排气管231的下游侧(与集流腔209连接一侧的相反侧)，从上游侧开始依次连接有作为压力检测器的压力传感器245、例如构成作为APC(Auto Pressure Contoroller：自动压力控制器)的压力调整装置242、真空泵等真空排气装置246。本实施方式的气体排出机构主要由排气管231、压力传感器245、压力调整装置242以及真空排气装置246构成。在压力调整装置242和压力传感器245上电连接有压力控制器13。
在集流腔209的下方设有能够气密地封闭集流腔209的下端开口的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219从垂直方向下侧与集流腔209的下端抵接。密封盖219例如由不锈钢等金属构成。密封盖219形成为圆盘状。在密封盖219的上表面设有与集流腔209的下端抵接的作为密封部件的O形环220b。
在密封盖219的中心部附近、处理室201的相反侧设置有使舟皿旋转的旋转机构254。旋转机构254的旋转轴255贯通密封盖219并从下方支承舟皿217。旋转机构254构成为可通过使舟皿217旋转而使晶片200旋转。
密封盖219构成为通过垂直配备于工艺管203外部的作为衬底保持件升降机构的舟皿升降机115沿垂直方向升降。通过使密封盖219升降，构成为可向处理室201内外输送舟皿217。在旋转机构254和舟皿升降机115上电连接有输送控制器11。
如上所述，作为衬底保持件的舟皿217构成为使多片晶片200以水平姿势且在相互对准中心的状态下整齐排列并保持为多层。舟皿217例如由石英、碳化硅等耐热性材料构成。在舟皿217的下部，以水平姿势多层地配置有多片作为隔热部件的隔热板216。隔热板216形成为圆板形状。隔热板216例如由石英、碳化硅等耐热性材料构成。隔热板216构成为使来自加热器206的热量难以向集流腔209侧传递。
在工艺管203内设置有作为温度检测器的温度传感器263。本实施方式的加热机构主要由加热器206和温度传感器263构成。在这些加热器206和温度传感器263上电连接有温度控制器12。
本实施方式的衬底处理系统主要由气体排出机构、气体供给系统以及加热机构构成。
(5)处理炉的动作
接着，作为半导体器件的制造工序的一个工序，参照图4说明使用上述结构的处理炉202来通过CVD法在晶片200上形成薄膜的方法。此外，在以下的说明中，构成衬底处理装置100的各部的动作由衬底处理装置用控制器240控制。
当多片晶片200被装填(晶片装料)到舟皿217中时，如图4所示，保持有多片晶片200的舟皿217由舟皿升降机115提升并送入(舟皿装载)处理室201内。在该状态下，密封盖219成为经由O形环220b密封集流腔209的下端的状态。
利用真空排气装置246进行真空排气，以使处理室201内成为期望的压力(真空度)。此时，基于压力传感器245测量的压力值，反馈控制压力调整装置242(的阀的开度)。另外，利用加热器206进行加热，以使处理室201内成为期望的温度。此时，基于温度传感器263检测的温度值，反馈控制向加热器206的通电量。接着，利用旋转机构254使舟皿217和晶片200旋转。
接着，从处理气体供给源供给并由MFC241a控制成期望流量的处理气体，在气体供给管232a内流通并从喷嘴230a导入处理室201内。导入的处理气体在处理室201内上升，并从内管204的上端开口向筒状空间250内流出并从排气管231排出。气体在通过处理室201内时与晶片200的表面接触，此时，通过热CVD反应，在晶片200的表面上堆积(沉积)薄膜。
当经过了预先设定的处理时间时，从净化气体供给源供给并由MFC241b控制成期望流量的净化气体被供给到处理室201内，处理室201内被置换成惰性气体，并且处理室201内的压力恢复至常压。
之后，利用舟皿升降机115使密封盖219下降从而集流腔209的下端开口，并且保持处理完的晶片200的舟皿217从集流腔209的下端向工艺管203的外部送出(舟皿卸载)。之后，利用舟皿217取出处理完的晶片200，并保存到晶片盒110内(晶片排出)。
(6)衬底处理装置用控制器的结构
(衬底处理装置用控制器)
以下，参照图5说明作为衬底处理装置用控制器的控制装置240。
该控制装置240主要由CPU等运算控制部25、作为处理控制器的处理控制部20、作为输送控制器11的输送控制部27、由存储器或HDD等构成的存储部28、鼠标或键盘等输入部29以及监视器等显示部31构成。此外，由所述运算控制部25、所述存储部28、所述输入部29以及所述显示部31构成可设定各数据的操作部。
CPU(Central Processing Unit：中央处理器)25构成衬底处理装置用控制器240的中枢，执行存储于未图示的ROM中的控制程序，并按照来自显示部31的指示，执行存储于也构成制程存储部的存储部28中的制程(例如作为衬底处理制程的工艺用制程等)。ROM是由EEPROM、闪存、硬盘等构成，并存储CPU25的动作程序等的存储介质。存储器(RAM)作为CPU25的工作区(暂时存储部)等起作用。
在这里，衬底处理制程是定义了处理晶片200的处理条件、处理步骤等的制程。另外，在制程文件中，按衬底处理的每个步骤设定了发送给输送控制器11、温度控制器12、压力控制器13以及气体供给控制器14等的设定值(控制值)、发送定时等。
另外，本发明的实施方式的衬底处理装置用控制器240不局限于专用的系统，也可使用通常的计算机系统来实现。例如，能够通过从保存了用于执行上述处理的控制程序的外部存储介质(软盘、CD-ROM、USB、外部HDD等)将控制程序安装在通用计算机中，从而构成执行上述处理的衬底处理装置用控制器240。
而且，用于供给这些程序的装置是任意的。除了能够按上述方式经由规定的存储介质供给之外，例如也可以经由通信线路、通信网络以及通信系统等供给。该情况下，例如，也可以在通信网络的公告栏上公布该程序，经由网络载到载波中来提供。而且，通过起动按这种方式提供的程序，并在OS(Operating System：操作系统)的控制下与其他应用程序同样地执行，能够执行上述处理。
所述处理控制部20具有为了对装载于所述处理炉201内的晶片200进行规定的处理而控制所述处理炉201内的温度或压力、导入该处理炉201内的处理气体的流量等的功能。
所述输送控制部27具有经由未图示的驱动电机来控制所述晶片盒输送装置105、所述晶片移载机构125、所述舟皿升降机115等输送机构的驱动的功能。
在所述存储部28中形成存储有各种数据等的数据存储区域32、存储有各种程序的程序存储区域33。
所述数据存储区域32存储与所述制程文件关联的各种参数。另外，存储有：将所述晶片盒110送入所述框体111内时或者将所述晶片盒110送出到所述框体111外时的作为I/O载台的载置台114上的交接位置的信息、使作为载体装载器的所述晶片盒输送装置118移动到交接位置时的动作顺序、使载体装载器118从交接位置移动时的动作顺序等信息。另外，在所述数据存储区域32中存储有载体信息，所述载体信息至少包含作为按每个晶片盒110进行识别的信息的载体ID、晶片盒110内的晶片200的类别信息。
在所述程序存储区域33中存储有用于进行所述盒体的送入、送出所需的各种程序。例如，存储有：除了晶片盒110的移动期间，适当地向晶片盒110内供给惰性气体(例如N2气体)的气体供给程序34，或者执行气体供给程序34时监视晶片盒110内的气体供给量的流量监视程序35等程序。另外，流量监视程序35分为第一流量监视程序和第二流量监视程序，构成为存储于所述程序存储区域33中。此外，构成为在执行气体供给程序34、流量监视程序35时生成的各种数据存储于所述数据存储区域32中。例如，具有净化指定的晶片盒110从被送入衬底处理装置100内直到被送出，在所述数据存储区域32中存储：表示供给到晶片盒110内的惰性气体流量与时间的关系的数据；还有比较惰性气体供给量与规定的基准值得到的结果的比较结果信号(比较结果信息)，例如惰性气体供给量为规定的基准值以下；流量异常的警报信号(警报信息)；表示惰性气体供给量在规定的基准值以下的状态持续规定时间前成为规定的基准值以上、表示从流量异常恢复的警报恢复信号(异常恢复信息)；基准值以下的状态持续了规定时间时表示指定的异常(异常FOUP指定的有无)的异常指定信号(异常指定信息)；该异常(异常FOUP指定的有无)信息的历史信息；以及表示从异常FOUP指定恢复的指定解除信号(指定解除信息)等数据。
在衬底处理装置用控制器240的显示部31上设有触摸板。触摸板构成为显示操作画面，所述操作画面接受向上述的衬底输送系统、衬底处理系统的操作指令的输入。该操作画面包括：用于确认衬底输送系统或衬底处理系统的状态、向衬底输送系统或衬底处理系统输入的作指示的各种显示栏和操作按钮。此外，操作部只要是电脑、移动电话等操作终端(终端装置)那样是至少包含显示部31和输入部29的结构即可
输送控制器11构成为分别控制构成衬底输送系统的旋转式晶片盒架105、舟皿升降机115、晶片盒输送装置(衬底收容器输送装置)118、晶片移载机构(衬底移载机构)125、舟皿217以及旋转机构254的输送动作。另外，虽然未图示，在构成衬底输送系统的旋转式晶片盒架105、舟皿升降机115、晶片盒输送装置(衬底收容器输送装置)118、晶片移载机构(衬底移载机构)125、舟皿217以及旋转机构254中分别内置有传感器。输送控制器11构成为在这些传感器分别示出规定的值或异常的值等时向衬底处理装置用控制器240通知该内容。
温度控制器12构成为通过控制处理炉202的加热器206的温度来调节处理炉202内的温度，并且在温度传感器263示出规定的值或异常的值等时向衬底处理装置用控制器240通知该内容。
压力控制器13构成为基于利用压力传感器245检测到的压力值控制压力调整装置242从而使理室201内的压力在期望的定时成为期望的压力，并且在压力传感器245示出规定的值或异常的值等时，向衬底处理装置用控制器240通知该内容。
气体供给控制器14构成为通过使气体阀(未图示)开闭来控制来自处理气体供给管232a、净化气体供给管232b的气体的供给或停止。另外，气体供给控制器14构成为控制MFC241a、241b以使供给到处理室201内的气体的流量在期望的定时成为期望的流量。气体供给控制器14构成为在气体阀(未图示)或MFC241a、241b所具有的传感器(未图示)示出了规定的值或异常的值等时，向衬底处理装置用控制器240通知该内容。
而且，作为监视部的气体供给控制器14控制作为后述的气体供给部的净化机构，以使向配置晶片盒110的装载端口114和晶片盒旋转架105供给规定流量以上的惰性气体。另外，该净化机构所具有的检测部(例如MFM、MFC、流量计等)检测惰性气体的流量。而且，气体供给控制器14构成为在由检测部检测出的规定的值示出了异常的值等时向作为管理部的衬底处理装置用控制器240通知。后述的净化机构可以分别设在各装载端口114和晶片盒旋转架105上，但只要是分别供给惰性气体(在本申请中为N2气体)的结构，不特别限定。
作为监视部的气体供给控制器14至少由比较部、判定部和报告部构成，所述比较部比较惰性气体的流量与预先设定的基准值，所述判定部在流量小于基准值的情况下判定为异常，所述报告部向所述管理部报告表示包含流量异常在内的异常的各种警报。各部由包含第一流量监视程序和第二流量监视程序在内的流量监视程序35来实现。另外，不言而喻的是，作为监视部的气体供给控制器14除去晶片盒110的移动期间，执行适当地向晶片盒110内供给惰性气体(例如N2气体)的气体供给程序34。
载置架114和收纳架105的每一个上设有气体供给部(N2净化机构)。例如，在全部载置架114和收纳架105上设有气体供给部(N2净化机构)。而且，气体供给部至少具有检测部。作为检测部，可以在全部气体供给部上连接有流量控制器(MFC)等。例如，也可以构成为：在设于载置架114的气体供给部上连接有流量控制器(MFC)作为检测部，在设于收纳架105的气体供给部上连接有流量测定器(MFM)作为检测部。另外，分别设于载置架114和收纳架105上的气体供给部可以与作为检测部测量气体流量的流量计或者测量规定气体的流量的流量测定器(MFM)、测量氧气浓度的浓度计、测量湿度的湿度计和露点计、控制规定气体的流量的流量控制器(MFC)中的任一个连接，或者与它们的组合连接。
(用于供给惰性气体进行净化的机构)
首先，使用图14说明作为该气体供给部的净化机构。如图所示，在配置作为衬底收容器的晶片盒110的装载端口114和晶片盒旋转架105上设有用于利用惰性气体进行净化的净化机构。净化机构至少包括检测部51和阀52。各晶片盒110构成为当载置于全部装载端口114和全部晶片盒旋转架105中的任一个上时，晶片盒110推压作为突起部的位置传感器53。当接收来自该位置传感器53的信号时，气体供给控制器14构成为使阀52打开，从未图示的N2气体源供给惰性气体，且惰性气体从未图示的气体排气部排出。此外，无需在各装载端口114和各晶片盒旋转架105中分别独立地设置，只要构成为能够向各装载端口114和各晶片盒旋转架105供给规定量的惰性气体(在本实施方式中为N2气体)即可。此外，检测部51优选为测量气体流量的流量计、测量氧气浓度的浓度计、测量湿度的湿度计和露点计、控制规定气体的流量的流量控制器(MFC)以及测量规定气体的流量的流量测定器(MFM)中的任一个。
另外，作为检测部51，也可以不是能够测量流量的部件。例如，也可以是构成为在流量到达规定的基准值的情况下输出信号的流量开关这样的部件。但是，在该情况下，需要适当地进行规定的基准值的设定。该规定的基准值很多情况下由使用的流量检测部的规格必然地决定。
(N2净化指定的设定)
接着，使用图6说明送入衬底收容器时的N2净化设定处理。
由于根据作为FOUP的晶片盒110的形状、晶片200的类别有时不需要供给惰性气体，所以在指示向所述衬底处理装置100送入晶片盒110时，通过N2净化(惰性气体的供给)的有无指定来指示是否向晶片盒110内供给惰性气体。例如，在来自主机等上位计算机的晶片盒110的送入指示数据中，至少由作为晶片盒110的识别信息的载体识别符(CID)、作为收纳于晶片盒110内的晶片200的衬底类别信息的类别(type)以及净化指定(N2Purge)的有无来构成。不特别限定为该构成，例如可以设定有作为工艺制程的衬底处理制程、作为清洁制程的维护制程等。另外，在送入指示数据中也可以加入后述的流量基准值信息、供给监视时间以及异常恢复时间的信息。
衬底处理装置用控制器240在晶片盒110到达装载端口114时接受送入指示数据，并确认有无用于向晶片盒110内供给惰性气体的净化指定。另外，也可以构成为在设于显示部31的操作画面上显示送入指示数据。而且也可以构成为能够对显示在操作画面上的送入指示数据进行编辑。例如，优选构成为能够设定晶片盒110的净化指定的有无。在空的晶片盒110到达装载端口114时接受的送入指示数据中有净化指定的情况下，在操作画面上能够将净化指定从有设定变更为无。由此，能够抑制向不用的空的晶片盒110中错误地供给惰性气体。另外，在收纳了伪衬底的晶片盒110的送入指示数据的净化指定为有的情况下，也同样地能够将净化指定从有设定变更为无。换句话说，在收纳了产品衬底的晶片盒110的送入指示数据的净化指定为无的情况下，能够将净化指定从无设定变更为有。
在装载端口114的惰性气体净化由气体供给控制器14来执行。另外，在前述的送入指示数据内的净化指定为有且被送入指示的晶片盒110到达装载端口114的时刻，衬底处理装置用控制器240确认被送入指示的晶片盒110与载置于装载端口114的晶片盒110为同一个，并通过所述气体供给控制器14开始晶片盒110内的N2净化，向作为载置部的装载端口114上的晶片盒110内供给规定量的N2气体。
在这里指定的净化指定有无的信息按每个晶片盒110作为载体信息来进行管理，以后的N2净化动作按照该净化指定的有无信息来执行。根据来自衬底处理装置控制器240向输送控制器11的送入动作开始指示，在装载端口114上气体供给中的晶片盒110开始借助晶片盒输送装置118向晶片盒开启器121或者旋转式晶片盒架105移动。此外，包含晶片盒110的识别符信息、晶片200的类别信息以及净化有无信息的载体信息存储在存储部28中。
(拾取(Pick)动作中的气体供给)
图7是表示本发明一实施方式的衬底收容器的动作(拾取动作)中的停止惰性气体的定时的图。
如图7所示，作为载体装载器的晶片盒输送装置118按照输送控制器11的指示移动作为衬底收容器的晶片盒110。在这里，与载体装载器118从装载端口114取下晶片盒110的动作(拾取动作)联动，气体供给控制器14停止气体供给。
在晶片盒110被载置于装载端口114或者作为收纳架的旋转式晶片盒架105的状态下利用气体供给控制器14进行气体供给。此时，载体装载器118接受来自输送控制器11的输送开始位置移动指示。
然后，在晶片盒110载置于装载端口114或者旋转式晶片盒架105的状态下利用气体供给控制器14进行气体供给，直到载体装载器118向拾取开始位置的移动结束。
接着，停止由气体供给控制器14进行的气体供给，衬底处理装置用控制器240在N2停止确认后向输送控制器11指示动作开始(拾取动作开始)，并按照来自输送控制器11的拾取动作开始指示，载体装载器118取下晶片盒110。
(放置(Place)动作中的N2供给)
图8是表示本发明一实施方式的衬底收容器的动作中的供给惰性气体的定时的图。
如图8所示，在从装载端口114或者旋转式晶片盒架105送出时，与载体装载器118将FOUP110放置在装载端口114上的动作(放置动作)联动，气体供给控制器14开始惰性气体的供给。
如图8所示，在利用载体装载器118输送晶片盒110的情况下，在装载端口114或者旋转式晶片盒架105上停止气体供给。
然后，开始放置动作，并在从载体装载器118向装载端口114或者旋转式晶片盒架105载置晶片盒110(放置动作)完成后，利用气体供给控制器14开始气体供给。
这样，由于晶片盒110相对于作为载置部的装载端口114、作为收纳部的旋转式晶片盒架105、作为移载部的晶片盒开启器121的移动均经由载体装载器118执行，所以与晶片盒110向各载置部以及各收纳架的放置动作联动地开始气体供给，与拾取动作联动地停止N2供给。
通过以上控制，从向衬底处理装置100内的晶片盒110送入直到送出期间，除了晶片盒110的移动操作期间，能够始终执行惰性气体(例如N2气体)净化。
(从装载端口上的送出动作中的N2供给)
图9是表示本发明一实施方式的衬底处理装置的装载端口114上的衬底收容器110的送出动作中的停止惰性气体的定时的图。
当装载端口114上的晶片盒110送出动作开始时，停止由气体供给控制器14进行的气体供给。
(N2气体流量监视的异常检测和异常FOUP指定处理)
图10是用于说明监视本发明一实施方式的衬底收容器内的气体供给量的处理的图示例子。另外，图10是将执行流量监视程序(第一流量监视程序)时的气体供给量与监视时间的关系图表化的一实施例，该图(原始数据)构成为显示在显示部31上。
衬底处理装置用控制器240执行流量监视程序，在对晶片盒110的气体供给中，在由于某些异常而停止气体供给的情况下，转移至异常状态的监视处理。在这里，异常状态的检测通过供给到晶片盒110内的气体流量的监视来进行。气体供给控制器14在气体流量小于基准值的情况下判定为异常，并向衬底处理装置用控制器240报告表示流量异常的警报。另外，也可以构成为使该异常的详细内容和警报的内容显示在显示部31上。
在气体流量的异常状态下经过了由其他参数指定的监视时间的情况下，将该晶片盒110作为异常FOUP来处理(异常FOUP指定)。具体而言，衬底处理装置用控制器240指定为异常FOUP。此外，晶片盒110移动中的时间不作为气体供给停止时间来处理。
(第一流量监视程序)
当衬底处理装置用控制器240执行流量监视程序时，比较晶片盒110内的气体流量与预先设定的基准值(N2流量基准值)。图10中的(1)或者(3)的状态为正常的状态。接着，图10中的(2)的状态为如下状态：检测到的流量低于基准值并输出表示异常的警报，且低于该基准值的状态在以其他参数预先设定的监视时间(供给监视时间)前，流量到达基准值，警报恢复。另一方面，图10中的(4)的状态为如下状态：流量低于基准值并发生警报后，低于该基准值的状态持续了预先设定的监视时间(供给监视时间)后，对应的晶片盒110被指定为异常FOUP。最后，图10中的(5)是如下状态：当被指定为异常FOUP时，由于不能恢复而禁止在生产中使用。
[表1]
异常检测状态 FOUP状态 异常FOUP历史
(1) 未检测 正常 无
(2) 检测中 正常 无
(3) 未检测 正常 无
(4) 检测中 正常 无
(5) 检测中 异常 有
表1示出了执行图10所示第一流量监视程序时存储在存储部28中的数据的一实施例。表1的纵轴是第一监视时间(供给监视时间)，横轴是存储的数据项目。存储的数据至少包含表示异常检测状态的数据、表示FOUP状态的数据以及表示被指定为异常FOUP的历史的数据。在这里，表示检测流量异常的结果的异常检测状态数据具有未检测(正常)、检测中(异常)这两个状态数据，表示FOUP状态的数据也同样地具有正常、异常这两个状态数据，表示被指定为异常FOUP的历史的数据具有有、无这两个状态数据。
不言而喻的是，作为存储的数据，不限定于上述三种数据。另外，作为一个例子，第一监视时间为15秒。此外，第一监视时间也可以构成为能够设定变更。
(第二流量监视程序)
另外，第二流量监视程序为改良上述第一流量监视程序而成的程序。由于当被指定为异常FOUP时，第一流量监视程序进行禁止使用晶片盒110的处理且程序结束，所以晶片盒110内的衬底保持未处理的状态而放置，不处理地废弃。因此，从优选为尽可能继续衬底处理的观点来看，异常FOUP指定后，当清除规定的条件时，再追加能够恢复异常的处理。
在图11中说明第二流量监视程序。首先，由于状态(1)～状态(5)与第一流量监视程序相同，所以省略说明。
图11的状态(6)为如下状态：在异常FOUP指定后也进行利用气体供给控制器14的气体供给量监视和利用衬底处理装置用控制器240的管理，在预先设定的第二监视时间(异常恢复时间)期间持续超过基准值的状态，解除异常FOUP指定。图11的状态(7)与状态(1)相同，为正常状态。但是，在程序执行中，保留异常FOUP指定的历史。
[表2]
异常检测状态 N2异常FOUP 异常FOUP历史
(1) 未检测 正常 无
(2) 检测中 正常 无
(3) 未检测 正常 无
(4) 检测中 正常 无
(5) 检测中 异常 有
(6) 检测中 异常 有
(7) 未检测 正常 有
表2示出了执行图11所示第二流量监视程序时存储在存储部28中的数据的一实施例。在这里，纵轴和横轴与表1同样。另外，存储在存储部28中的数据也与表1同样。此外，作为一个例子，第二监视时间(异常恢复时间)为60秒。
以上，根据本实施方式，指定为异常FOUP的晶片盒110的处理可与上述两个流量监视程序运用相匹配地选择以下的控制。
(1)在将该FOUP设为禁止使用的情况下，经过了指定时间的晶片盒110变得不能恢复，禁止在生产中使用。
(2)在通过继续气体供给而恢复的情况下，虽然通过异常检测而变成禁止使用，但通过气体供给超过基准值，且供给状态经过了一定时间(异常恢复时间)，由此设为可再次使用。在恢复的情况下，也可按每个FOUP确认成为禁止使用的历史。
此外，上述实施方式仅为一实施例，不言而喻的是，也可以构成为不只是选择上述两种控制，而可同时执行上述两种控制双方。另外，也可以构成为按每个载置架和收纳架独立地执行第一流量监视程序和第二流量监视程序。
(异常FOUP的送出处理)
在作为收纳架的旋转式晶片盒架105或者装载端口114中，在气体流量保持异常状态的状态下送出晶片盒110的情况下，之后禁止向该位置送入晶片盒110。这是为了防止气体供给有可能异常的状态下送入下一晶片盒110而成为异常。
图12是表示将作为收纳架的旋转式晶片盒架105设为禁止使用的处理的流程。在FOUP110的拾取动作开始时，确认对象FOUP110是否为指定为异常FOUP，在异常FOUP的情况下，在进行设为禁止使用的处理后结束拾取动作。
(FOUP的送出处理)
图13是表示在送入FOUP110时决定配置在哪个架上的配置决定处理的流程。除了在架上是否有FOUP、载体类别是否一致的处理之外，还追加了在架上没有FOUP110的情况下确认架是否被指定为禁止使用的处理。由此，抑制了无用地产生错误。
<本发明的一实施方式的效果>
这样，在本实施方式中，通过在晶片盒110中执行惰性气体净化，能够减轻晶片盒内的环境气体变化对晶片的影响。另外，通过监视气体流量，能够防止在异常状态下执行生产。在本实施方式中，提供了在由于故障等而停止了N2供给的情况下，或者在没有供给足够的N2的情况下，晶片盒110内的O2浓度不会升高的晶片盒110的气体监视方法。而且，在检测到晶片盒110内的浓度变高等向晶片盒110的N2供给状态的异常，且异常状态持续一定时间以上的情况下，能够禁止该晶片盒110的使用。由此，能够识别发生了N2异常的晶片盒110，并能够作为处理结果的确认基准来运用。
另外，如果使用流量计，与在各架上设置MFC的情况相比，能够以低成本执行惰性气体净化。并且，在本实施方式中，通过监视气体流量，例如，即使在气体供给用的阀打开的情况下，也能够立即掌握没有供给气体或供给量不足的情况。另外，通过不使用这种产生了气体流量的不良情况的晶片盒110，能够抑制衬底质量下降。
<本发明的其他实施方式>
在本实施方式中，详细说明了气体供给量，但不限定于此，例如在O2浓度的情况下也能够应用本发明。由此，提供了在由于故障等而停止了惰性气体的供给的情况下，或者在没有供给足够的气体的情况下，不用担心晶片盒110内的O2浓度升高的晶片盒110内的气体流量监视方法。另外，在检测到晶片盒110内的O2浓度变高等向晶片盒110的气体供给状态的异常，且异常状态持续一定时间以上的情况下，能够禁止该晶片盒110的使用。
另外，在本实施方式中，作为惰性气体，以氮气(N2气体)为例来列举并进行了详细说明，但作为惰性气体，也可以是氦气(He气)、氖气(Ne气)、氩气(Ar气)等。
此外，在本实施方式中，示出了半导体制造装置作为衬底处理装置的一例，但不限于半导体制造装置，也可以是处理LCD装置这样的玻璃衬底的装置。另外，衬底处理的具体内容不限，不仅仅是成膜处理，也可以是退火处理、氧化处理、氮化处理、扩散处理等处理。另外，成膜处理也可以是例如形成氧化膜、氮化膜的处理、形成包含金属的膜的处理。
以上，具体地说明了本发明的实施方式，但本发明不限于上述实施方式，在不脱离其技术思想的范围内可以进行各种变更。
<本发明的优选方式>
以下，附记本发明的优选方式。
(附记1)
根据本发明的一实施方式，衬底处理装置包括：
气体供给部，设于配置衬底收容器的载置部和收纳部中的至少一方，并用于供给规定气体；监视部，比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定的气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及管理部，根据从所述监视部输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态。
(附记2)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记1的衬底处理装置中，
关于所述监视部，
如果在所述规定的气体的流量小于所述基准值的状态下超过了预先设定的监视时间，则向所述管理部输出将被供给了所述规定气体的所述衬底收容器指定为异常的信号(异常指定信号)，
关于所述管理部，
当接受所述信号(异常指定信号)时，禁止向所述载置部和所述收纳架中的至少一方进行所述被指定为异常的对象的衬底收容器的送入和送出。
(附记3)
进一步优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记2的衬底处理装置中，
关于所述监视部，
当在向指所述定为异常的衬底收容器供给的所述规定气体的流量超过所述基准值的状态并经过了规定的一定时间时，向所述管理部输出将所述异常的指定解除的信号(指定解除信号)，
关于所述管理部，
当接受所述信号(指定解除信号)时，能够向所述载置部和所述收纳架中的至少一方进行解除了所述异常的指定的衬底收容器的送入和送出。
(附记4)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记1的衬底处理装置中，
所述监视部在所述规定气体的流量低于基准值并向所述管理部输出表示流量异常的警报信号后，在经过预先指定的监视时间之前所述气体的流量超过所述基准值时，向所述管理部输出表示所述异常已恢复的恢复信号。
(附记5)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记1的衬底处理装置中，
所述监视部至少包括比较所述气体的流量与预先设定的基准值的比较部、在所述流量小于所述基准值的情况下判定为异常的判定部、以及向所述管理部报告表示包含所述流量异常在内的异常的各种警报的报告部。
(附记6)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记1的衬底处理装置中，
所述气体供给部至少具有：用于至少供给所述气体的阀和检测所述气体的流量的检测部。
(附记7)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记6的衬底处理装置中，
所述检测部为测量气体流量的流量计或者流量测定器(MFM)、测量氧气浓度的浓度计、测量湿度的湿度计和露点计以及控制规定气体的流量的流量控制器(MFC)中的任一个。
(附记8)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记6的衬底处理装置中，
所述检测部为流量开关。
(附记9)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记1的衬底处理装置中，
所述管理部根据收纳于所述衬底收容器的衬底的类别，在配置于所述载置部和所述收纳架中的至少一方的状态下，向所述监视部输出向所述衬底收容器供给惰性气体的指示。
(附记10)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记1的衬底处理装置中，
所述管理部构成为如果收纳于所述衬底收容器的衬底的类别为产品衬底则输出向所述衬底收容器供给惰性气体的指示，并构成为如果收纳于所述衬底收容器的衬底的类别为伪衬底则不向所述衬底收容器供给惰性气体。
(附记11)
根据本发明的其他实施方式，提供一种流量监视程序和存储有流量监视程序的存储介质，流量监视程序包括：
比较供给到衬底收容器的气体的流量与预先设定的基准值的处理，所述衬底收容器配置于载置部和收纳部中的至少一方；以及
根据表示所述比较的结果的信号(比较结果信号)，输出从指定所述流量异常的信号(警报信号)、指定所述流量异常的恢复的信号(警报恢复信号)、指定所述衬底收容器的输送状态的信号(异常指定信号、指定解除信号)选择的一个信号的处理。
(附记12)
优选的是，提供第一流量监视程序，在附记11的流量监视程序和存储有流量监视程序的存储介质中，第一流量监视程序包括：
检测在载置于所述载置部和所述收纳架的状态下供给到衬底收容器内的气体流量，并与预先设定的基准值比较的处理；
在比较的结果为低于所述基准值的情况下输出警报的处理；
在低于所述基准值的状态下监视是否持续规定的监视时间的处理；
在超过了所述规定的监视时间的情况下将所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP)的处理；以及
禁止输送被指定为所述异常(异常FOUP)的所述衬底收容器和所述衬底收容器内的衬底的处理。
(附记13)
优选的是，提供第二流量监视程序，在附记11的流量监视程序和存储有流量监视程序的存储介质中，第二流量监视程序包括：
检测在载置于所述载置部和所述收纳架的状态下供给到衬底收容器内的气体流量，并与预先设定的基准值比较的处理；
在比较的结果为低于所述基准值的情况下输出警报的处理；
在低于所述基准值的状态下监视是否持续规定的监视时间的处理；
在超过了所述规定的监视时间的情况下将所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP)的处理；以及
在被指定为所述异常(异常FOUP)的衬底收容器内的气体流量超过所述基准值的状态下并超过了规定的恢复时间的情况下，解除所述异常的指定(异常FOUP指定)的处理。
(附记14)
进一步优选的是，在附记12的第一流量监视程序或者附记13的第二流量监视程序中，包括：
在所述规定的监视时间期间，当所述气体流量到达所述基准值时，输出恢复所述警报的信号的处理。
(附记15)
根据本发明的其他实施方式，提供一种流量监视方法，包括：
比较载置于所述载置部和所述收纳部中的至少一方的状态下供给到衬底收容器内的气体流量与预先设定的基准值，在比较结果小于所述基准值的情况下输出表示流量异常的信号(警报信号)的工序；
异常指定工序，在低于所述基准值的状态下，当超过了规定的监视时间时，进行输出将所述衬底收容器指定为异常的信号(异常指定信号)的处理，；以及
在低于所述基准值的状态下，当未超过规定的监视时间且所述气体流量变得高于所述基准值时，输出表示所述异常恢复的信号(警报恢复信号)的工序。
(附记16)
优选的是，提供一种流量监视方法，在附记15的流量监视方法中，具有如下工序：
所述异常指定工序后，在所述气体流量高于所述基准值的状态下并超过了规定的监视时间时，输出解除被指定给所述衬底收容器的所述异常的信号(指定解除信号)。
(附记17)
根据本发明的其他实施方式，提供一种输送管理方法，包括：
在载置于载置部和收纳架的状态下供给到衬底收容器内的气体流量低于规定的基准值的状态下超过了规定的监视时间时，将所述衬底收容器指定为异常的工序；以及
禁止输送被指定为所述异常的所述衬底收容器的工序。
(附记18)
根据本发明的其他实施方式，提供一种衬底输送方法，包括：
衬底输送工序，在载置部与收纳部之间输送收容衬底的衬底收容器；以及
载置工序，将所述衬底收容器载置于载置部或者收纳部，
所述载置工序包括：
在供给到所述衬底收容器内的气体流量低于规定的基准值的状态下超过了规定的监视时间时，将所述衬底收容器指定为异常的工序，
禁止输送被指定为所述异常的所述衬底收容器(以及所述衬底处理装置内的衬底)的工序。
(附记19)
根据本发明的其他实施方式，一种半导体装置的制造方法，包括：
衬底输送工序，具有在载置部与收纳部之间输送收容衬底的衬底收容器的衬底输送工序以及将所述衬底收容器载置于载置部或者收纳部的载置工序；
移载工序，向衬底保持件移载衬底；以及
处理工序，将保持有衬底的所述衬底保持件插入处理炉内并处理所述衬底，
所述载置工序包括：
在供给到所述衬底收容器内的气体流量低于规定的基准值的状态下超过了规定的监视时间时，将所述衬底收容器指定为异常的工序，
禁止输送被指定为所述异常的所述衬底收容器(以及所述衬底处理装置内的衬底)的工序。
(附记20)
根据本发明的其他实施方式，提供一种衬底处理装置，包括：
气体供给部，向载置衬底收容器的载置部和收纳架供给规定气体；
衬底收容器输送机构(第一输送机构)，在所述载置部与所述收纳架之间输送所述衬底收容器；
管理部，在向所述载置部送入所述衬底收容器时，基于至少包含有无向所述衬底收容器内供给气体的指定的信息来确认气体供给指定的有无，并指示向所述衬底收容器供给所述气体；以及
监视部，在具有所述气体供给指定的情况下，基于所述指示，在所述衬底收容器配置于所述载置部和所述收纳架的状态下经由所述气体供给部供给所述气体，同时监视所述气体的流量是否为规定的基准值以上，并且在所述第一输送机构支承所述衬底收容器的状态下停止所述气体的供给。
(附记21)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记20的衬底处理装置中，所述管理部，将在气体流量小于基准值的状态下超过了预先指定的监视时间的所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP)，禁止被指定为所述异常(异常FOUP)的所述衬底收容器向所述载置部和所述收纳架中的至少一方送入和送出。
(附记22)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记21的衬底处理装置中，所述管理部，当在向被指定(异常FOUP指定)为所述异常的所述衬底收容器的气体供给量超过所述基准值的状态下经过了一定时间时，解除所述异常FOUP指定(异常的指定)，并能够向所述载置部和所述收纳架中的至少一方送入和送出。
(附记23)
优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记20的衬底处理装置中，
所述监视部在所述气体的流量低于基准值并判断为异常，并向所述管理部输出表示所述异常的信号(警报信号)后，当经过预先指定的监视时间之前所述气体的流量超过基准值时，向所述管理部输出表示所述异常已恢复的信号(警报恢复信号)。
(附记24)
根据本发明的其他实施方式，提供一种衬底处理装置，具有：
气体供给部，向配置衬底收容器的载置部和收纳架中的至少一方供给规定气体；
监视部，在所述衬底收容器配置于所述载置部和收纳架中的至少一方的状态下经由所述气体供给部供给所述规定气体，并监视经由所述气体供给部供给的所述规定的气体的流量是否为预先设定的基准值以上；以及
管理部，将在所述规定的气体的流量小于所述基准值的状态下超过了预先指定的监视时间的所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP)，禁止被指定为异常FOUP的所述衬底收容器向所述载置部和所述收纳架中的至少一方送入和送出。
(附记25)
进一步优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记24的衬底处理装置中，所述管理部
当在向被指定为所述异常(异常FOUP)的所述衬底收容器的N2气体供给量超过所述基准值的状态下经过了规定的一定时间时，解除异常的指定(异常FOUP指定)，并能够向所述载置部和所述收纳架中的至少一方送入和送出。
(附记26)
进一步优选的是，提供一种衬底处理装置，在附记24或附记25的衬底处理装置中，所述管理部
在向所述载置部送入所述衬底收容器时，至少确认包含识别信息和衬底类别信息在内的信息中的供给所述规定气体的指定的有无信息，并使所述监视部向所述衬底收容器内供给气体。
(附记27)
根据本发明的其他实施方式，提供一种存储有第一流量监视程序和第二流量监视程序的存储介质，包括：
检测在载置于所述载置部和所述收纳架的状态下供给到衬底收容器内的气体流量，并与规定的基准值比较的处理；
在比较结果为低于所述基准值的情况下产生警报的处理；
在低于所述基准值的状态下监视是否持续规定的监视时间的处理；以及
在超过了所述规定的监视时间的情况下将所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP指定)的处理。
(附记28)
根据本发明的其他实施方式，提供一种存储有第一流量监视程序和第二流量监视程序的存储介质，包括：
检测在载置于所述载置部和所述收纳架的状态下供给到衬底收容器内的气体流量，并与规定的基准值比较的处理；
在比较的结果为低于所述基准值的情况下产生警报的处理；
在低于所述基准值的状态下监视是否持续规定的监视时间的处理；
在超过了所述规定的监视时间的情况下将所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP指定)的处理；以及
在被指定(异常FOUP指定)为所述异常的衬底收容器内的气体流量超过所述基准值的状态下并超过了规定的恢复时间的情况下，解除所述异常FOUP指定的处理。
(附记29)
根据本发明的其他实施方式，提供一种衬底处理装置，具有：
气体供给部，向配置衬底收容器的载置部和收纳架中的至少一方供给气体；
第一输送机构，在所述载置部与所述收纳架之间输送所述衬底收容器；
管理部，向所述载置部送入所述衬底收容器时，至少确认净化指定的有无信息，管理包含识别信息、衬底类别信息以及向所述衬底收容器内供给气体的净化指定的有无在内的信息；以及
监视部，基于所述信息的内容，在所述衬底收容器配置于所述载置部和收纳架中的至少一方的状态下经由所述气体供给部供给所述规定气体，并监视经由所述气体供给部供给的所述气体的流量是否为预先设定的基准值以上，
所述管理部在具有所述净化的指定的情况下，设为可选择：
第一控制，将在所述流量小于基准值的状态下超过了预先指定的监视时间的所述衬底收容器指定为异常(异常FOUP)，被指定为异常(异常FOUP)的所述衬底收容器被禁止向所述载置部和所述收纳架送入和送出；以及
第二控制，执行所述第一控制后，当向被指定为所述异常(异常FOUP)的所述衬底收容器的气体流量超过所述基准值的状态下经过了规定的一定时间时，解除所述异常的指定(异常FOUP指定)，并能够向所述载置部和所述收纳架送入和送出。
(附记30)
根据本发明的其他实施方式，一种流量监视方法，具有：
比较载置于所述载置部和所述收纳部的状态下供给到衬底收容器内的气体流量与预先设定的基准值，在比较结果小于所述基准值的情况下输出表示流量异常的信号的工序；
异常指定工序，在低于所述基准值的状态下，当超过了规定的监视时间时，进行输出将所述衬底收容器指定为异常的信号的处理；以及
在低于所述基准值的状态下，当未超过规定的监视时间且所述气体流量变得高于所述基准值时，输出表示所述异常恢复的信号的工序。
(附记31)
根据本发明的其他实施方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有：
从设于载置部和收纳部中的至少一方的气体供给部向衬底收容器供给规定气体的工序；
比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号的工序；
根据所述输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态的工序；以及
将被管理了所述输送状态的所述衬底收容器的衬底输送到处理室中进行处理的工序。
(附记32)
根据本发明的其他实施方式，提供一种存储有流量监视程序的存储介质，包括：
比较供给到衬底收容器的气体的流量与预先设定的基准值的处理，所述衬底收容器配置于载置部和收纳部中的至少一方；以及
根据表示所述比较结果的信号，输出从指定所述流量异常的信号、指定所述流量异常的恢复的信号、指定所述衬底收容器的输送状态的信号选择的一个信号的处理。
(附记33)
根据本发明的其他实施方式，提供一种存储有流量监视程序的存储介质，包括：
向配置于载置部和收纳部中的至少一方的衬底收容器供给气体的处理；
比较供给到所述衬底收容器的气体的流量与预先设定的基准值的处理；
输出表示所述比较的结果的信号的处理；以及
根据所述信号指定所述衬底收容器的输送状态的处理。

Claims (15)

1.一种衬底处理装置，包括：
气体供给部，设于配置衬底收容器的载置部和收纳部中的至少一方，并用于供给规定气体；
监视部，比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及
管理部，根据从所述监视部输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述监视部，若在所述规定气体的流量小于所述基准值的状态下超过了预先设定的监视时间，则向所述管理部输出将被供给了所述规定气体的所述衬底收容器指定为异常的信号，
所述管理部，当接受所述信号时，禁止被指定为所述异常的对象的衬底收容器向所述载置部和所述收纳部中的至少一方进行送入和送出。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
所述监视部，当在向指定为所述异常的衬底收容器供给的所述规定气体的流量超过所述基准值的状态下经过了规定的一定时间时，向所述管理部输出将所述异常的指定解除的信号，
所述管理部，当接受所述信号时，能够向所述载置部和所述收纳部中的至少一方进行解除了所述异常的指定的衬底收容器的送入和送出。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述监视部在所述规定气体的流量低于基准值并向所述管理部输出表示流量异常的警报信号后，在经过预先指定的监视时间之前所述气体的流量超过所述基准值时，向所述管理部输出表示所述异常已恢复的恢复信号。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述监视部至少包括：比较所述气体的流量与预先设定的基准值的比较部、在所述流量小于所述基准值的情况下判定为异常的判定部、以及向所述管理部报告表示包含所述流量异常在内的异常的各种警报的报告部。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述管理部根据收纳于所述衬底收容器的衬底的类别，在配置于所述载置部和收纳架中的至少一方的状态下，向所述监视部输出向所述衬底收容器供给惰性气体的指示。
7.一种流量监视方法，包括：
比较载置于所述载置部和所述收纳部中的至少一方的状态下供给到衬底收容器内的气体流量与预先设定的基准值，在比较结果小于所述基准值的情况下输出表示流量异常的信号的工序；
异常指定工序，在低于所述基准值的状态下，当超过了规定的监视时间时，进行输出将所述衬底收容器指定为异常的信号的处理；以及
在低于所述基准值的状态下，当未超过规定的监视时间且所述气体流量变得高于所述基准值时，输出表示异常恢复的信号的工序。
8.根据权利要求7所述的流量监视方法，其中，
具有如下工序：所述异常指定工序后，在所述气体流量高于所述基准值的状态下超过了规定的监视时间时，输出将被指定给所述衬底收容器的所述异常解除的信号即指定解除信号。
9.一种衬底处理装置，包括：
气体供给部，向载置衬底收容器的载置部和收纳架供给规定气体；
衬底收容器输送机构，在所述载置部与所述收纳架之间输送所述衬底收容器；
管理部，在向所述载置部送入所述衬底收容器时，基于至少包含有无向所述衬底收容器内供给气体的指定的信息来确认气体供给指定的有无，并指示向所述衬底收容器供给所述气体；以及
监视部，基于所述指示，在所述衬底收容器配置于所述载置部和所述收纳架的状态下经由所述气体供给部供给所述气体，同时监视所述气体的流量是否为规定的基准值以上，并且在所述衬底收容器输送机构支承所述衬底收容器的状态下停止所述气体的供给。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，
在具有所述气体供给指定的情况下，所述管理部，将在气体流量小于基准值的状态下超过了预先指定的监视时间的所述衬底收容器指定为异常，禁止被指定为所述异常的所述衬底收容器向所述载置部和所述收纳架中的至少一方送入和送出。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其中，
在具有所述气体供给指定的情况下，所述管理部，当在向被指定为所述异常的所述衬底收容器的气体供给量超过所述基准值的状态下经过了一定时间时，解除所述异常的指定，并能够向所述载置部和所述收纳架中的至少一方送入和送出。
12.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，
所述监视部在所述气体的流量低于基准值并判断为异常，并向所述管理部输出表示所述异常的信号后，当经过预先指定的监视时间之前所述气体的流量超过基准值时，向所述管理部输出表示所述异常已恢复的信号。
13.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，
所述管理部根据收纳于所述衬底收容器的衬底的类别，在配置于所述载置部和所述收纳架中的至少一方的状态下，向所述监视部输出向所述衬底收容器供给惰性气体的指示。
14.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，
所述管理部构成为如果收纳于所述衬底收容器的衬底的类别为产品衬底则输出向所述衬底收容器供给惰性气体的指示，并构成为如果收纳于所述衬底收容器的衬底的类别为伪衬底则不向所述衬底收容器供给惰性气体。
15.一种半导体器件的制造方法，包括：
从设于载置部和收纳部中的至少一方的气体供给部向衬底收容器供给规定气体的工序；
比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号的工序；
根据所述输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态的工序；以及
将被管理了所述输送状态的所述衬底收容器的衬底输送到处理室中进行处理的工序。
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