CN110880465A - 基片处理装置和吹扫方法 - Google Patents

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佐藤淳一
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Abstract

本发明涉及基片处理装置和吹扫方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括：承载器保管架，其载置收纳基片的承载器；气体供给部，其对载置于上述承载器保管架的上述承载器内供给非活性气体；和控制部，其基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对上述承载器内供给上述非活性气体。本发明能够减少非活性气体的使用量。

Description

基片处理装置和吹扫方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和吹扫方法。
背景技术
在批量式的基片处理装置中，为了一次对收纳于多个承载器的晶片进行处理，设置了暂时保管承载器的承载器保管架。对载置于承载器保管架的承载器内供给非活性气体，例如氮气。由此，进行承载器内的氮气置换，保持承载器内的清洁度(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-207306号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够减少非活性气体的使用量的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：承载器保管架，其载置收纳基片的承载器；气体供给部，其对载置于上述承载器保管架的上述承载器内供给非活性气体；和控制部，其基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对上述承载器内供给上述非活性气体。
发明效果
依照本发明，能够减少非活性气体的使用量。
附图说明
图1是表示基片处理装置的结构例的截面图。
图2是图1的基片处理装置的俯视图。
图3是表示承载器的一例的底面的图。
图4是表示承载器保管架中的吹扫气体导入部的一例的图。
图5是表示吹扫系统的一例的图。
图6是表示承载器保管架中的吹扫处理的一例的流程图。
图7是表示承载器保管架中的吹扫处理的另一例的流程图。
图8是表示承载器载置台中的吹扫处理的一例的流程图。
图9是说明基片处理装置的动作的一例的流程图。
附图标记说明
C 承载器
Cin 吸气口
Cout 排气口
P 差压计
W 晶片
1 竖式热处理装置
1A 控制部
18 承载器保管架
19c 供给喷嘴
19d 排气喷嘴。
具体实施方式
以下，参照所附的附图，对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所附的附图中，对相同或相应的部件或零件标注相同或相应的参照附图标记，省略重复的说明。
(基片处理装置)
对一实施方式的基片处理装置进行说明。图1是表示基片处理装置的结构例的截面图。图2是图1的基片处理装置的俯视图。此外，在一实施方式中，作为基片处理装置以具有竖式的热处理炉的竖式热处理装置为例进行说明。不过，基片处理装置也可以为与竖式热处理装置不同的装置。
如图1和图2所示，竖式热处理装置1构成为收纳在壳体11中。壳体11构成竖式热处理装置1的外包装体。在壳体11内，形成有：将作为收纳晶片W的容器的承载器C送入送出装置的承载器输送区域S1；和对承载器C内的晶片W进行输送而送入后述的热处理炉22内的移载区域即晶片输送区域S2。承载器C例如可以为FOUP(Front-Opening Unified Pod，前开式晶片传送盒)。
承载器输送区域S1和晶片输送区域S2被分隔壁2分隔。承载器输送区域S1是处于大气气氛下的区域，是输送收纳于承载器C的晶片W的区域。各处理装置之间的区域相当于承载器输送区域S1，在一实施方式中，竖式热处理装置1的外部的清洁室内的空间相当于承载器输送区域S1。另一方面，为了防止在送入的晶片W形成自然氧化膜，使晶片输送区域S2成为非活性气体气氛，例如氮气(N2)气体气氛，维持成与承载器输送区域S1相比清洁度高且低氧浓度。在以后的说明中，令承载器输送区域S1和晶片输送区域S2的排列方向为竖式热处理装置1的前后方向。
在分隔壁2设置有用于在承载器输送区域S1与晶片输送区域S2之间输送晶片W的输送口20。输送口20由开闭门5开闭。在开闭门5设置有开闭承载器C的盖体的盖体开闭机构6。输送口20、开闭门5和盖体开闭机构6是按照FIMS(Front-Opening InterfaceMechanical Standard)标准而构成的。
承载器输送区域S1包括第一输送区域12和位于第一输送区域12的后方侧(晶片输送区域S2侧)的第二输送区域13。
如图2所示，在第一输送区域12设置有在左右方向排列地配置的2个装载端口14。装载端口14是在承载器C被送入竖式热处理装置1时，接收承载器C的送入用的载置台。装载端口14设置在壳体11的壁开放的部位，使从外部进入竖式热处理装置1成为可能的。具体而言，利用设置于竖式热处理装置1的外部的承载器输送装置(未图示)，能够向装载端口14上送入并载置承载器C以及从装载端口14向外部送出承载器C。此外，装载端口14在上下有2层，因此能够同时进行承载器C的送入和送出。
另外，在配置于第一输送区域12的装载端口14的上下，设置有承载器保管架18。承载器保管架18是暂时保管承载器C的保管用的载置台。承载器保管架18也设置于第二输送区域13，不过为了在竖式热处理装置1内尽可能多地保管承载器C，也可以设置在第一输送区域12的不存在装载端口14的位置。
另外，可以为载置承载器C的装载端口14在第一输送区域12的上下方向设置多层。装载端口14在上下方向设置多层的情况下，各个装载端口14在左右方向也可以排列地设置多个。此外，也可以在各装载端口14的载置面，在例如3个部位设置用于定位承载器C的销15。
也可以在装载端口14设置供给喷嘴19a和排气喷嘴19b。在承载器C的底面例如设置有吸气口和排气口。因此，装载端口14也可以在载置着承载器C时与承载器C的吸气口嵌合的位置设置供给喷嘴19a，载置着承载器C时与承载器C的排气口嵌合的位置设置排气喷嘴19b。通过设置供给喷嘴19a和排气喷嘴19b，能够在承载器C载置于装载端口14上时，对承载器C内供给N2气体等非活性气体，进行承载器C内的非活性气体置换。由此，虽然空间内被非活性气体充满但是在没有供给非活性气体的状态下输送的承载器C，在被送入竖式热处理装置1内的装载端口14的阶段能够再次开始非活性气体的供给。因此，能够将承载器C内继续保持为清洁的状态。
此外，装载端口14上的承载器C的非活性气体置换也可以在将收纳有已结束处理的晶片W的承载器C从竖式热处理装置1送出时进行，也可以在送出时进行载置于装载端口14上的承载器C内的非活性气体置换。
另外，在装载端口14上进行非活性气体置换时供给到承载器C的非活性气体的流量，若以N2气体为例，需要为1(l/min)以上。具体而言，例如可以为10～20(l/min)的范围，优选为13～17(l/min)，更优选为15(l/min)。
在第二输送区域13的下部，在上下方向排列地设置有2个(参照图1)的承载器载置台16。各承载器载置台16构成为在前后能够移动。在承载器载置台16的载置面，也与装载端口14同样地在3个部位设置有用于定位承载器C的销15。在一实施方式中，承载器载置台16在上下方向排列地设置有2个，不过也可以在左右方向排列地设置多个。
如图1所示，在第二输送区域13的上部侧设置有保管承载器C的承载器保管架18。承载器保管架18由2层以上的架构成，各架能够左右地载置2个承载器C。在图1中示出了架为3层的例子。此外，承载器保管架18也被称为缓冲架或储藏架。
也可以为在承载器保管架18的底面，也与装载端口14同样地设置供给喷嘴和排气喷嘴，进行载置于承载器保管架18上的承载器C内的非活性气体置换。在承载器保管架18上的非活性气体置换中，对承载器C供给的非活性气体的流量也可以与装载端口14同样，若以N2气体为例，需要为1(l/min)以上。具体而言，例如可以为10～20(l/min)的范围，优选13～17(l/min)的范围，更优选15(l/min)。此外，包含承载器保管架18的供给喷嘴和排气喷嘴的结构和功能的详细情况，在后文述说。
如上所述，在装载端口14和承载器保管架18中，优选进行非活性气体置换。FOUP等承载器C并不是完全密封的，因此，在使用盖体开闭机构6的封闭空间中进行了非活性气体置换后，为了维持湿度，优选继续进行非活性气体置换。所以，在装载端口14和承载器保管架18中，也优选继续置换非活性气体。此外，在使用盖体开闭机构6进行了非活性气体置换后，为了继续维持承载器C内的湿度，如上所述，非活性气体的流量需要为1(l/min)以上。
在第二输送区域13设置有在装载端口14、承载器载置台16和承载器保管架18之间输送承载器C的承载器输送机构21。承载器输送机构21包括第一引导21a、第二引导21b、移动部21c、臂部21d和手部21e。第一引导21a构成为在上下方向延伸。第二引导21b构成为与第一引导21a连接，在左右方向延伸。移动部21c构成为能够一边被第二引导21b引导一边在左右方向移动。臂部21d具有1个关节和2个臂部，设置于移动部21c。手部21e设置于臂部21d的前端。
在分隔壁2设置有使承载器输送区域S1与晶片输送区域S2连通的晶片W的输送口20。在输送口20设置有从晶片输送区域S2侧封闭该输送口20的开闭门5。开闭门5与驱动机构(未图示)连接，开闭门5构成为能够通过驱动机构而在前后方向和上下方向自由移动，能够开闭输送口20。
在晶片输送区域S2设置有下端作为炉口而开口的竖式的热处理炉22。热处理炉22能够收纳晶片W，具有用于进行晶片W的热处理的石英制的圆筒状的处理容器22a。处理容器22a的周围配置有圆筒状的加热器22b，通过加热器22b加热，对收纳的晶片W进行热处理。热处理炉22的下方，将多个晶片W保持为架状的晶舟23隔着隔热部24载置于端盖25上。端盖25支承于升降机构26上，利用升降机构26将晶舟23送入或者送出热处理炉22。
在晶舟23与分隔壁2的输送口20之间设置有晶片输送机构27。晶片输送机构27包括引导机构27a、移动体27b、叉27c、升降机构27d和旋转机构27e。引导机构27a是长方体状。引导机构27a安装在沿铅垂方向延伸的升降机构27d，构成能够通过升降机构27d在铅垂方向移动，并且能够通过旋转机构27e转动。移动体27b设置成能够在引导机构27a上沿长边方向进退移动。叉27c是经由移动体27b安装的移载机，设置有多个(例如5个)。由于具有多个叉27c，因此能够同时移载多个晶片W，能够缩短晶片W的输送所需的时间。不过，叉27c也可以为1个。
另外，在竖式热处理装置1设置有例如由计算机构成的控制部1A。控制部1A包括由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等。在程序中编入有命令(各步骤)，以使得被从控制部1A对竖式热处理装置1的各部发送控制信号，进行上述的各处理工序。由该控制信号控制承载器C的输送、晶片W的输送、盖体的开闭、开闭门5的开闭、对承载器C内供给非活性气体等动作，进行晶片W的输送和处理。程序保存在计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO(磁光盘)、存储卡等存储介质而被安装到控制部1A。
接着，参照图3至图5，说明进行载置于承载器保管架18的承载器C内的非活性气体置换的机构的一例。
图3是表示承载器C的一例的底面的结构的图。承载器C根据用途能够采用各种结构，例如如图3所示，具有吸气口Cin和排气口Cout。当从吸气口Cin供给氮气，从排气口Cout进行排气时，能够进行承载器C内的非活性气体置换。
此外，在图3中，吸气口Cin为3个，排气口Cout为1个，不过不一定必须使用所有的吸气口Cin，能够根据需要使用用途合适的吸气口Cin。
图4是表示承载器保管架18中的吹扫气体导入部的一例的图。图4的(a)是表示一实施方式的竖式热处理装置1的承载器保管架18的构成的图。如图4的(a)所示，在承载器保管架18的载置面的正面形成有多个孔，能够对承载器C供给气体。此外，也可以构成为在承载器载置台16的载置面的表面也形成多个孔，能够对承载器C供给气体。
图4的(b)是将承载器保管架18的一例的正面放大的图。如图4的(b)所示，在承载器保管架18的正面形成有供给喷嘴19c和排气喷嘴19d。供给喷嘴19c与承载器C的吸气口Cin嵌合，经由承载器C的吸气口Cin对承载器C内供给氮气。排气喷嘴19d与承载器C的排气口Cout嵌合，经由承载器C的排气口Cout对承载器C内进行排气。因此，在承载器C载置于承载器保管架18上时，供给喷嘴19c和排气喷嘴19d分别形成在与承载器C的吸气口Cin和排气口Cout嵌合的位置。
图4的(c)是表示承载器保管架18的供给喷嘴19c的图。形成于承载器保管架18的正面的供给喷嘴19c与处于背面的供给管191连接，构成为能够供给气体。供给喷嘴19c和供给管191作为气体供给部发挥作用。
图4的(d)是表示承载器保管架18的排气喷嘴19d的图。形成于承载器保管架18的正面的排气喷嘴19d与处于背面的排气管192连接，构成为能够排出气体。排气喷嘴19d和排气管192作为气体排气部发挥作用。
承载器保管架18具有这样的供给喷嘴19c和排气喷嘴19d，由此能够利用承载器C的吸气口Cin和排气口Cout在保管期间进行非活性气体置换。
此外，图2所示的装载端口14的供给喷嘴19a和排气喷嘴19b也与承载器保管架18的供给喷嘴19c和排气喷嘴19d同样，构成为与供给管191和排气管192连接。
图5是表示吹扫系统的一例的图。如图5所示，吹扫系统包括从非活性气体的流动的上游侧按如下顺序设置的开闭阀V1、调节器R、过滤器F1、流量控制器M、开闭阀V2、过滤器F2、供给喷嘴19c、排气喷嘴19d、开闭阀V3、差压计P。另外，吹扫系统具有控制上述的各部的动作的控制部1A。
开闭阀V1、V2、V3是开闭非活性气体的流路的阀。开闭阀V2、V3与各承载器C对应地设置，控制对各承载器C供给、切断非活性气体。调节器R将供给的高压的非活性气体调节为与用途相应的压力。过滤器F1、F2是除去非活性气体所含的固体物质、油分、水分等杂质的气体过滤器。流量控制器M与各承载器C对应地设置，调节对各承载器C供给的非活性气体的流量。差压计P测量承载器C的内部与外部之间的压力差。
另外，也可以在这样的氮气的供给系统的中途，例如在承载器保管架18的排气喷嘴19d内设置能够检测承载器C内的湿度的传感器，能够根据湿度来管理承载器C内的气氛。并且，在装载端口14的排气喷嘴19b内也可以设置能够检测湿度的传感器。另外，也可以不直接检测湿度，而根据某些换算值来推定承载器C内的湿度，管理基于湿度的承载器C内的气氛。
控制部1A基于承载器信息、基片信息中至少任意者控制开闭阀V2、V3的开闭动作，由此控制是否对承载器C内供给非活性气体。控制部1A包括获取部101、判断部102、阀控制部103、存储部104、输入接收部105和设定改变部106。
获取部101获取吹扫系统的各种信息。作为各种信息，例如可以举出载置于承载器保管架18的承载器C的承载器信息和基片信息、安装于承载器载置台16和承载器保管架18的在位传感器(未图示)的检测值、差压计P的检测值。
作为承载器信息，例如可以举出承载器类别、承载器制造商。承载器类别例如包括产品基片用、仿真基片用、监视器基片用这些类别。产品基片用、仿真基片用和监视器基片用分别是表示为收纳产品基片、仿真基片和监视器基片的承载器的信息。此外，作为承载器类别，可以包含上述类别以外的类别。承载器制造商例如是表示A公司、B工作、C工作等制造承载器的制造商的信息。
作为基片信息，例如可以举出基片的有无、基片的个数、基片的使用状况。基片的有无是表示在承载器内是否收纳有基片的信息。基片的个数是表示收纳于承载器内的基片的个数的信息。基片的使用状况是表示收纳于承载器内的基片的处理状态的信息，例如包括未处理的状态、已处理的状态。
判断部102基于获取部101所获取的安装于承载器载置台16的在位传感器等的检测值，判断在承载器载置台16是否载置有承载器C。此外，判断部102基于获取部101获取的安装于承载器保管架18的在位传感器等的检测值，判断承载器C是否载置于承载器保管架18。
另外，判断部102基于获取部101所获取的承载器信息、基片信息中至少任意者，判断载置于承载器保管架18的承载器C是否为吹扫对象。在一实施方式中，判断部102基于获取部101获取的承载器信息以及存储于存储部104的表示承载器信息与有无吹扫的关系的承载器关系信息，判断获取部101获取的承载器信息是否为吹扫对象。例如作为存储于存储部104的承载器关系信息，在承载器信息为“产品基片用”“仿真基片用”和“监视器基片用”的情况下的有无吹扫分别被设定为“有吹扫”“无吹扫”和“无吹扫”。在该情况下，判断部102在获取部101获取的承载器信息为“产品基片用”时，判断为承载器C是吹扫对象。另一方面，判断部102在获取部101获取的承载器信息为“仿真基片用”或者“监视器基片用”时，判断为承载器C不是吹扫对象。
另外，判断部102基于获取部101获取的基片信息以及存储于存储部104的表示基片信息与有无吹扫的关系的基片关系信息，判断获取部101获取的基片信息是否为吹扫对象。例如，作为存储于存储部104的基片关系信息，在基片信息为“有基片”和“无基片”的情况下的有无吹扫分别被设定为“有吹扫”和“无吹扫”。该情况下，判断部102在获取部101获取的基片信息为“有基片”时，判断为承载器C是吹扫对象。另一方面，判断部102在获取部101获取的基片信息为“无基片”时，判断为承载器C不是吹扫对象。
此外，判断部102的判断可以基于获取部101获取的承载器信息和基片信息中任意者进行，也可以基于两者进行。在基于承载器信息和基片信息这两者进行判断的情况下，判断部102例如可以在承载器信息和基片信息这两者为“有吹扫”时判断为是吹扫对象，也可以在任意者为“有吹扫”时判断为是吹扫对象。
另外，也可以为判断部102判断由差压计P测量的承载器C的内部与外部之间的压力差是否在规定的阈值以下。
阀控制部103基于判断部102的判断结果控制开闭阀V2、V3的开闭动作，由此控制对承载器C内供给、切断非活性气体。阀控制部103例如在判断部102判断为载置于承载器保管架18的承载器C为吹扫对象时，打开分别控制对该承载器保管架18供给和排出非活性气体的开闭阀V2、V3。另一方面，阀控制部103例如在判断部102判断为载置于承载器保管架18的承载器C不是吹扫对象时，关闭分别控制对该承载器保管架18供给和排出非活性气体的开闭阀V2、V3。
另外，也可以为阀控制部103在对承载器C内供给非活性气体时控制开闭阀V2、V3的开闭动作，以使得对承载器C内间歇性地供给非活性气体。通过对承载器C内间歇性地供给非活性气体，能够减少非活性气体的消耗量。
另外，也可以为在由差压计P测量的压力差成为了规定的阈值以下时，视为承载器C内的非活性气体不泄露到承载器C的外部，阀控制部103控制开闭阀V2、V3，以使得对承载器C内供给非活性气体。由此，仅在压力差成为了规定的阈值以下时对承载器C内供给非活性气体，因此能够减少非活性气体的消耗量。
另外，也可以为在承载器C载置于承载器载置台16的情况下，阀控制部103基于该承载器C是否为吹扫对象的承载器，控制对承载器C内供给非活性气体的时间。例如，阀控制部103在承载器C为吹扫对象的承载器的情况下，控制对供给到承载器C内的非活性气体的供给、切断进行控制的开闭阀(未图示)的动作，使得对该承载器C内供给非活性气体的时间变短。此时，该承载器C内在承载器保管架18中已进行了非活性气体置换，因此即使缩短承载器载置台16上的承载器C内的非活性气体置换的时间，也能够获得充分的吹扫效果。此外，能够减少非活性气体的使用量。
存储部104存储包含如下信息的信息，即：表示承载器信息与有无吹扫的关系的承载器关系信息；和表示基片信息与有无吹扫的关系的基片关系信息。
输入接收部105接收用户改变承载器关系信息和基片关系信息的设定的操作。
设定改变部106在输入接收部105接收改变设定的操作时，改写以改变存储于存储部104的承载器关系信息和基片关系信息的设定。例如，输入接收部105接收将“监视器基片用”的吹扫设定从“无吹扫”切换为“有吹扫”的操作时，设定改变部106对存储于存储部104的“监视器基片用”的吹扫设定进行改写而改变为“有吹扫”。
(吹扫处理)
参照图6，说明对载置于承载器保管架18的承载器C的吹扫处理(吹扫方法)的一例。图6是表示承载器保管架18中的吹扫处理的一例的流程图。图6所示的吹扫处理例如由控制部1A按规定时间反复执行。以下，作为一例，对多个承载器保管架18中一个承载器保管架18的吹扫处理进行说明，不过对于其他承载器保管架18的吹扫处理也是同样的。
首先，判断部102判断在承载器保管架18是否载置有承载器C(步骤S11)。在承载器保管架18是否载置有承载器C例如是基于获取部101获取的安装于承载器保管架18的在位传感器等的检测值来判断的。
在步骤S11中，在判断部102判断为在承载器保管架18载置有承载器C时，获取部101获取该承载器C的承载器信息和基片信息(步骤S12)。另一方面，在步骤S11中，在判断部102判断为在承载器保管架18没有载置承载器C时，阀控制部103关闭开闭阀V2、V3，停止对承载器C内供给非活性气体(步骤S15)。然后，在步骤S15后，结束处理。
接着，判断部102基于获取部101获取的承载器信息、基片信息中至少任意者，判断载置于承载器保管架18的承载器C是否为吹扫对象(步骤S13)。
在步骤S13中，在判断部102判断为载置于承载器保管架18的承载器C为吹扫对象时，阀控制部103打开开闭阀V2、V3，开始对承载器C内供给非活性气体(步骤S14)。此时，也可以为阀控制部103控制开闭阀V2、V3的开闭动作，以对承载器C内间歇性地供给非活性气体。通过对承载器C内间歇性地供给非活性气体，能够减少非活性气体的消耗量。然后，在步骤S14后，结束处理。另一方面，在步骤S13中，在判断部102判断为载置于承载器保管架18的承载器C不是吹扫对象时，阀控制部103关闭开闭阀V2、V3，停止对承载器C内供给非活性气体(步骤S15)。然后，在步骤S15后，结束处理。
在图6的吹扫处理中，基于承载器信息、基片信息中至少任意者判断载置于承载器保管架18的承载器C是否为吹扫对象，仅在承载器C是吹扫对象的情况下，对承载器C内供给非活性气体。由此，与对载置于承载器保管架18的承载器C总是供给非活性气体的情况相比，能够减少非活性气体的使用量。
参照图7，说明对载置于承载器保管架18的承载器C的吹扫处理的另一例。图7是表示承载器保管架18中的吹扫处理的另一例的流程图。图7所示的吹扫处理例如由控制部1A按规定时间反复执行。以下，作为一例，说明对多个承载器保管架18中一个承载器保管架18的吹扫处理，但是对其他承载器保管架18的吹扫处理也是同样的。
首先，执行步骤S21～S23。步骤S21～S23的处理与步骤S11～S13的处理相同。
在步骤S23中，在判断部102判断为载置于承载器保管架18的承载器C是吹扫对象时，判断部102判断由差压计P测量的压力差是否为规定的阈值以下(步骤S24)。
在步骤S24中，在判断部102判断为由差压计P测量的压力差在规定的阈值以下时，阀控制部103控制开闭阀V2、V3以使得在预定的时间中对承载器C内供给非活性气体(步骤S25)。然后，在步骤S25后，结束处理。另一方面，在步骤S24中，在判断部102判断为由差压计P测量的压力差比规定的阈值大时，阀控制部103关闭开闭阀V2、V3，停止对承载器C内供给非活性气体(步骤S26)。然后，在步骤S26后，结束处理。
在图7的吹扫处理中，基于承载器信息、基片信息中至少任意者判断载置于承载器保管架18的承载器C是否为吹扫对象，仅在承载器C为吹扫对象的情况下，对承载器C内供给非活性气体。由此，与对载置于承载器保管架18的承载器C总是供给非活性气体的情况相比，能够减少非活性气体的使用量。
另外，图7的吹扫处理中，在承载器C的内部与外部之间的压力差为规定的阈值以下时，对承载器C内供给非活性气体。由此，能够进一步减少非活性气体的消耗量。
参照图8，说明对载置于承载器载置台16的承载器C的吹扫处理的一例。图8是表示承载器载置台16中的吹扫处理的一例的流程图。图8所示的吹扫处理例如由控制部1A按规定时间反复执行。以下，作为一例，说明对多个承载器载置台16中一个承载器载置台16的吹扫处理，但是对其他承载器载置台16的吹扫处理也是同样的。
首先，判断部102判断在承载器载置台16是否载置有承载器C(步骤S31)。在承载器载置台16是否载置有承载器C例如是基于获取部101获取的安装于承载器载置台16的在位传感器等的检测值来判断的。
在步骤S31中，在判断部102判断为在承载器载置台16载置有承载器C的情况下，判断部102判断载置于承载器载置台16的承载器C是否为吹扫对象的承载器(步骤S32)。
在步骤S32中，在判断为载置于承载器载置台16的承载器C是吹扫对象的承载器时，阀控制部103控制开闭阀V2、V3的开闭动作，以使得在第一时间中对承载器C内供给非活性气体(步骤S33)。然后，在步骤S33后，结束处理。另一方面，在步骤S32中，在判断为载置于承载器载置台16的承载器C不是吹扫对象时，阀控制部103控制开闭阀V2、V3的开闭动作，以使得在第二时间中对承载器C内供给非活性气体(步骤S34)。然后，在步骤S34后，结束处理。此外，将第一时间设定为比第二时间短。在载置于承载器载置台16的承载器C为吹扫对象的承载器时，在承载器保管架18对承载器C内进行了吹扫，因此能够在短时间内对承载器C内充分进行吹扫。由此，能够减少在承载器载置台16中对承载器C内供给的非活性气体的消耗量。
(基片处理装置的动作)
关于一实施方式的基片处理装置的动作，以利用上述的竖式热处理装置1对晶片W进行热处理的情况为例进行说明。图9是说明基片处理装置的动作的一例的流程图。
首先，利用沿清洁室的顶部移动的自动输送机械手(未图示)，将承载器C载置在装载端口14(步骤S101)。其中，也可以代替自动输送机械手，用户将承载器C载置在装载端口14。
接着，利用承载器输送机构21将承载器C输送到承载器载置台16上，承载器载置台16向分隔壁2移动(步骤S102)。由此，承载器C的开口缘部与处于分隔壁2的输送口20的周围的口缘部的密封部件气密地抵接。
接着，利用盖体开闭机构6卸下承载器C的盖体，从气体供给口(未图示)对承载器C内供给非活性气体(例如N2气体)，将承载器C内置换为非活性气体(步骤S103)。
承载器C内的非活性气体置换完成时，开闭门5打开，利用在晶片输送机构27的叉27c的前端安装的映射传感器(mapping sensor)，对承载器C内的晶片W的个数进行计数(步骤S104)。对承载器C内的晶片W的个数进行了计数后，关闭开闭门5，并且利用盖体开闭机构6将盖体安装到承载器C。
接着，利用承载器输送机构21，将承载器C从承载器载置台16输送到承载器保管架18(步骤S105)。
接着，对载置于承载器保管架18的承载器C进行使用图6或者图7说明的吹扫处理(步骤S106)。在承载器C载置于承载器保管架18期间继续进行吹扫处理。
接着，利用承载器输送机构21将承载器C从承载器保管架18输送到承载器载置台16上，承载器载置台16向分隔壁2移动(步骤S107)。由此，承载器C的开口缘部与处于分隔壁2的输送口20的周围的口缘部的密封部件气密地抵接。
接着，利用盖体开闭机构6卸下承载器C的盖体，从气体供给口(未图示)对承载器C内供给非活性气体(例如N2气体)，将承载器C内置换为非活性气体(步骤S108)。此时，进行使用图8说明的吹扫处理。即，基于载置于承载器载置台16的承载器C是否为吹扫对象的承载器，控制对承载器C内供给非活性气体的时间。
接着，打开开闭门5，利用晶片输送机构27将承载器C内的晶片W送入晶片输送区域S2内(步骤S109)。
接着，对送入到晶片输送区域S2的晶片W进行热处理(步骤S110)。
接着，使用盖体开闭机构6将处理后的晶片W送入承载器C内(步骤S111)。
接着，收纳有处理后的晶片W的承载器C由承载器输送机构21输送到承载器保管架18(步骤S112)。
接着，对载置于承载器保管架18的承载器C进行使用图6或者图7说明的吹扫处理(步骤S113)。
接着，承载器C由承载器输送机构21从承载器保管架18输送到装载端口14(步骤S114)。此外，收纳有处理后的晶片W的承载器C也可以不被输送到承载器保管架18，而从承载器载置台16被输送到装载端口14。
接着，将收纳有已处理的晶片W的承载器C从竖式热处理装置1送出，输送到下一处理装置(步骤S115)。
如以上所说明的那样，依照一实施方式的基片处理装置，基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对载置于承载器保管架18的承载器C内供给非活性气体。所以，与对载置于承载器保管架18的承载器C内总是供给非活性气体的情况相比，能够减少非活性气体的使用量。
应当认为，本发明公开的实施方式在所有方面均是例示，并非限定性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其思想的基础上，能够以各种方式省略、置换和改变。

Claims (7)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
承载器保管架，其载置并保管收纳基片的承载器；
气体供给部，其对载置于所述承载器保管架的所述承载器内供给非活性气体；和
控制部，其基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对所述承载器内供给所述非活性气体。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述承载器信息包括承载器类别、承载器制造商中至少任意者。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片信息包括基片的有无、基片的个数、基片的使用状况中至少任意者。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在对所述承载器内供给所述非活性气体时，控制所述气体供给部以使得对所述承载器内间歇性地供给所述非活性气体。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
具有测量所述承载器的内部与外部之间的压力差的差压计，
所述控制部在由所述差压计测量的所述压力差成为了规定的阈值以下时，控制所述气体供给部以对所述承载器内供给所述非活性气体。
6.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
承载器输送区域，其能够送入送出收纳基片的承载器；
晶片输送区域，其对被送入到所述承载器输送区域的承载器内的基片进行输送而将其送入处理炉；和
控制部，
在所述承载器输送区域设置有：载置并保管承载器的承载器保管架；承载器载置台，其在将承载器内的基片输送到所述晶片输送区域时载置承载器；以及气体供给部，其对载置于所述承载器保管架和所述承载器载置台的所述承载器内供给非活性气体，
所述控制部基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对载置于所述承载器保管架的承载器内供给非活性气体，并且基于在载置于所述承载器载置台的承载器是否为在所述承载器保管架中被供给了非活性气体的承载器，控制对该承载器供给非活性气体的时间。
7.一种吹扫方法，其特征在于，包括：
将收纳基片的承载器载置在承载器保管架的步骤；
基于承载器信息、基片信息中至少任意者，判断是否对所述承载器内供给非活性气体的步骤；和
在所述判断的步骤中判断为供给非活性气体时，对载置于所述承载器保管架的所述承载器内供给非活性气体的步骤。
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