CN108428654B - 基板处理系统和基板输送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制微粒的飞散的基板处理系统和基板输送方法。一实施方式的基板处理系统具备：承载件输送区域，其用于相对于基板处理装置输送收容基板的承载件；基板输送区域，其与所述承载件输送区域之间被分隔壁分隔开，该基板输送区域用于将收容于所述承载件的所述基板向处理炉输送；输送口，其形成于所述分隔壁，该输送口用于在所述承载件输送区域与所述基板输送区域之间输送所述基板；开闭门，其对所述输送口进行开闭；以及同压化部件，其使所述基板输送区域的压力与由所述承载件和所述开闭门包围的空间的压力大致同压。

Description

基板处理系统和基板输送方法
技术领域
本发明涉及基板处理系统和基板输送方法。
背景技术
以往以来，在半导体制造工艺中，存在以不同的处理装置进行多个种类的处理的情况。在该情况下，在将半导体晶圆(以下也简称为“晶圆”。)在处理装置之间输送之际，使用被称为FOUP(前开式晶圆传送盒，Front-Opening Unified Pod)的基板收纳容器(承载件)。FOUP具有：容器，其能够水平地载置多片晶圆；以及盖体，其封堵被设置于容器的前表面的出入口，该FOUP构成为能够密闭晶圆。
在处理装置形成有用于将收纳到承载件的晶圆向晶圆输送区域输入的输送口。输送口利用依据FIMS(前开式接口机械标准，Front-Opening Interface MechanicalStandard)标准的开闭门而开闭。开闭门具备用于拆卸被设置于FOUP的前表面的盖体的盖体开闭机构。
在拆卸盖体的情况下，首先，在FOUP的前表面与处理装置的输送口紧密贴合的状态下，盖体开闭机构朝向FOUP的盖体前进，作用于被设置于盖体的锁定机构，解除锁定。接下来，盖体开闭机构在保持着锁定被解除了的盖体的状态下向处理装置内的晶圆输送区域的方向后退，FOUP内的晶圆被向晶圆输送区域开放。
在使FOUP开放之际，向开闭门与FOUP之间的空间供给非活性气体，FOUP的内部被非活性气体置换(参照例如专利文献1)。如此，从FOUP输出的晶圆不暴露于氧，另外，在氧不进入处理装置内那样的状态下进行晶圆向处理装置内的输入。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-166077号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述的方法中，在开闭门与FOUP之间的空间的压力和基板输送区域的压力不同的情况下，在FOUP内的晶圆向晶圆输送区域开放时，由于两者的压力差，产生气体从一者朝向另一者的流动。因此，存在微粒飞散的情况。
因此，鉴于上述问题，目的在于提供一种能够抑制微粒的飞散的基板处理系统。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的一形态的基板处理系统具备：承载件输送区域，其用于相对于基板处理装置输送收容基板的承载件；基板输送区域，其与所述承载件输送区域之间被分隔壁分隔开，该基板输送区域用于将收容于所述承载件的所述基板向处理炉输送；输送口，其形成于所述分隔壁，该输送口用于在所述承载件输送区域与所述基板输送区域之间输送所述基板；开闭门，其对所述输送口进行开闭；以及同压化部件，其使所述基板输送区域的压力与由所述承载件和所述开闭门包围的空间的压力大致同压。
发明的效果
根据公开的基板处理装置，能够抑制微粒的飞散。
附图说明
图1是实施方式的基板处理系统的剖视图。
图2是图1的基板处理系统的俯视图。
图3是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第1结构例的纵剖视图图。
图4是图1的基板处理系统的开闭门附近的横剖视图。
图5是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第2结构例的概略图。
图6是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第3结构例的概略图。
图7是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第4结构例的概略图。
附图标记说明
1、立式热处理装置；2、分隔壁；5、开闭门；20、输送口；22、热处理炉；54、封闭空间；80A～80D、同压化部件；81、连接配管；82、开闭阀；83、过滤器；84、孔板(orifice)；85、止回阀；86、压差计；91a、91b、非活性气体供给装置；93a、93b、排气调整阀；94a、94b、排气泵；S1、承载件输送区域；S2、晶圆输送区域；C、承载件；W、晶圆。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的形态进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上相同的结构，标注相同的附图标记，从而省略重复的说明。
对本发明的实施方式的基板处理系统进行说明。图1是实施方式的基板处理系统的剖视图。图2是图1的基板处理系统的俯视图。此外，在实施方式中，列举具备立式热处理装置的基板处理系统为例来进行说明，该立式热处理装置具有立式的热处理炉，但并不限定于此，能够适用于具备除了立式热处理装置以外的各种基板处理装置的基板处理系统。
如图1和图2所示，立式热处理装置1收容于壳体11而构成。壳体11构成立式热处理装置1的外包装体。在壳体11内形成有：承载件输送区域S1，其用于将收纳有晶圆W的容器即承载件C相对于装置输入、输出；以及作为移载区域的晶圆输送区域S2，其用于输送承载件C内的晶圆W而向随后论述的热处理炉22内输入。承载件C是被称为例如FOUP(Front-OpeningUnified Pod)的基板收纳容器。
承载件输送区域S1和晶圆输送区域S2之间被分隔壁2分隔开。承载件输送区域S1是处于大气气氛下的区域，是输送已收纳到承载件C的晶圆W的区域。各处理装置间的区域相当于承载件输送区域S1，在本实施方式中，立式热处理装置1的外部的无尘室内的空间相当于承载件输送区域S1。另一方面，晶圆输送区域S2为了防止在输入来的晶圆W形成氧化膜而设为非活性气体气氛例如氮(N2)气气氛，清洁度比承载件输送区域S1的清洁度高、且维持在较低的氧浓度。在以后的说明中，将承载件输送区域S1和晶圆输送区域S2的排列方向设为立式热处理装置1的前后方向。
在分隔壁2设置有用于在承载件输送区域S1与晶圆输送区域S2之间输送晶圆W的输送口20。在输送口20设置有对输送口20进行开闭的开闭门5，在开闭门5的承载件输送区域S1侧设置有盖体开闭机构6。输送口20、开闭门5、以及盖体开闭机构6依据FIMS(Front-Opening Interface Mechanical Standard)标准构成。
承载件输送区域S1包括第1输送区域12和位于第1输送区域12的后方侧(晶圆输送区域S2侧)的第2输送区域13。
如图1所示，在第1输送区域12设置有承载件保管架18和在上下方向配置成两层的加载部14。加载部14是在承载件C输入到立式热处理装置1时收容承载件C的输入用的载置台。加载部14设置于壳体11的壁被开放的部位，能够从外部接近立式热处理装置1。具体而言，利用设置于立式热处理装置1的外部的承载件输送装置(未图示)能够进行承载件C向加载部14上的输入载置以及承载件C从加载部14向外部的输出。另外，加载部14上下存在两层，因此，能够在两处进行承载件C的输入和输出。
另外，在第1输送区域12的在上下方向配置成两层的加载部14之间设置有承载件保管架18。承载件保管架18也设置于第2输送区域13，但也可以是，为了在立式热处理装置1内能够更多地保管承载件C，也设置于第1输送区域12的没有存在加载部14的位置。
如图2所示，载置承载件C的加载部14也可以沿着第1输送区域12的左右方向排列设置有两个。在图2中，表示图1中的下层侧的加载部14，但也可以是，上层侧的加载部14也沿着左右方向排列设置有多个。另外，在各加载部14的载置面，对承载件C进行定位的销15设置于例如3个部位。
在加载部14也可以设置有供给喷嘴19a和排气喷嘴19b。一般而言，在承载件C的底面设置有进气口和排气口。因此，也可以是，在加载部14，在载置有承载件C时与承载件C的进气口嵌合的位置设置有供给喷嘴19a，在与承载件C的排气口嵌合的位置设置有排气喷嘴19b。通过设置供给喷嘴19a和排气喷嘴19b，在承载件C载置到加载部14上之际，向承载件C的内部供给N2气体等非活性气体，能够进行承载件C内部的非活性气体置换。由此，虽然空间内被非活性气体充满，但在没有非活性气体的供给的状态下输送来的承载件C能够在输入到立式热处理装置1内的加载部14的阶段立即再次开始非活性气体的供给。因此，能够将承载件C内继续保持于清洁的状态。
此外，也可以是，加载部14上的承载件C的非活性气体置换也能够在将收容有处理结束完毕的晶圆W的承载件C从立式热处理装置1输出之际进行，在输出之际进行载置到加载部14上的承载件C内部的非活性气体置换。
另外，若列举N2气体为例，则加载部14上的非活性气体置换之际向承载件C供给的非活性气体的流量需要是1(L/min)以上。具体而言，例如也可以是10(L/min)～20(L/min)的范围，优选也可以是13(L/min)～17(L/min)，更优选也可以是15(L/min)。
在第2输送区域13，以相对于加载部14前后排列的方式沿左右配置有两个承载件载置台16。各承载件载置台16构成为沿着前后移动自如。在承载件载置台16的载置面，也与加载部14同样地，对承载件C进行定位的销15设置于3个部位。而且，在承载件载置台16的载置面，也设置有用于对承载件C进行固定的钩16a。在本实施方式中，承载件载置台16沿着左右方向排列设置有两个，但也可以沿着上下方向排列设置有多个。
如图1所示，在第2输送区域13的上部侧设置有保管承载件C的承载件保管架18。承载件保管架18由两层以上的架构成，各架能够沿着左右载置两个承载件C。在图1中，表示架是两层的例子。此外，承载件保管架18也被称为储料器。
也可以是，在承载件保管架18的底面，也以与加载部14相同的方式设置有供给喷嘴和排气喷嘴，进行载置到承载件保管架18上的承载件C内部的非活性气体置换。对于承载件保管架18上的非活性气体置换，也可以是，向承载件C供给的非活性气体的流量也与加载部14同样，若列举N2气体为例，需要是1(L/min)以上。具体而言，也可以是，例如是10(L/min)～20(L/min)的范围，优选是13(L/min)～17(L/min)的范围，更优选是15(L/min)。
如此，在加载部14和承载件保管架18中不一定是必须的，但优选进行小流量的非活性气体置换。FOUP等承载件C并不是完全密封，因此，在使用了盖体开闭机构6的随后论述的封闭空间54中的非活性气体置换之后，为了湿度维持，也优选继续进行非活性气体置换。因此，在加载部14和承载件保管架18中，也优选持续置换非活性气体。此外，在使用了盖体开闭机构6的非活性气体置换之后，为了继续维持承载件C内的湿度，如上述那样需要是1(L/min)以上。
在第2输送区域13设置有将承载件C在加载部14、承载件载置台16与承载件保管架18之间输送的承载件输送机构21。承载件输送机构21具备：引导部21a，其沿着左右延伸且升降自如；移动部21b，其一边被引导部21a引导一边左右移动；以及关节臂21c，其设置于移动部21b，且保持承载件C沿着水平方向输送。
在分隔壁2设置有使承载件输送区域S1和晶圆输送区域S2连通的晶圆W的输送口20。在输送口20设置有从晶圆输送区域S2侧封堵该输送口20的开闭门5。在开闭门5连接有驱动机构50，开闭门5构成为利用驱动机构50沿着前后方向和上下方向移动自如，输送口20被开闭。开闭门5和输送口20的周围的结构的详细情况随后论述。
在晶圆输送区域S2设置有下端作为炉口开口的立式的热处理炉22。在热处理炉22的下方侧，将许多片晶圆W保持成架状的晶圆舟皿23隔着绝热部24载置于盖25之上。盖25支承于升降机构26之上，晶圆舟皿23利用升降机构26相对于热处理炉22输入或输出。
在晶圆舟皿23与分隔壁2的输送口20之间设置有晶圆输送机构27。晶圆输送机构27构成为沿着在左右延伸的引导机构27a移动、并且绕铅垂轴线转动的移动体27b设置有例如5个进退自如的臂27c，在晶圆舟皿23与承载件载置台16上的承载件C之间输送晶圆W。
另外，在立式热处理装置1设置有由例如计算机构成的控制部1A。控制部1A具备由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等。在程序中编入有命令(各步骤)，以便从控制部1A向立式热处理装置1的各部发送控制信号，使已述的各处理工序进行。承载件C的输送、晶圆W的输送、盖体41的开闭、开闭门5的开闭、非活性气体向承载件C内的供给、随后论述的开闭阀82的开闭等动作被该控制信号控制，进行晶圆W的输送和处理。程序被储存于计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)和存储卡等存储介质而被安装于控制部1A。
图3是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第1结构例的纵剖视图。图4是图1的基板处理系统的开闭门5附近的横剖视图。此外，在图3和图4中，示出利用承载件载置台16使承载件C移动到用于与晶圆输送区域S2之间交接晶圆W的交接位置的状态。
对承载件C进行说明。承载件C包括作为容器主体的承载件主体31和盖体41。在承载件主体31的左右呈多层地设置有支承晶圆W的背面侧周缘部的支承部32。在承载件主体31的前表面形成有晶圆W的取出口33。
在承载件主体31的上部设置有用于在承载件输送机构21输送承载件C之际把持承载件C的把持部36。在承载件主体31的下部设置有凹部37和槽部38。凹部37与加载部14和承载件载置台16的销15嵌合。槽部38与承载件载置台16的钩16a卡合。通过槽部38与钩16a之间的卡合，承载件主体31被固定于承载件载置台16。
在盖体41设置有绕水平轴线转动的圆板状的转动部43。转动部43具备与闩键67卡合的卡合孔44。通过转动部43转动90度，盖体41被固定于承载件主体31。例如，承载件C具备这样的锁定机构，能够将盖体41锁定于承载件主体31。
在盖体41的前表面，以与转动部43的卡合孔44重叠的方式开口有闩键67的插入口40。闩键67被插入插入口40，到达卡合孔44，通过使转动部43旋转，能够解除承载件C的盖体41的锁定。
对开闭门5和晶圆W的输送口20进行说明。在输送口20的靠承载件输送区域S1侧的口缘部，在承载件主体31的开口缘部34所抵接的位置设置有密封构件51。在输送口20的侧缘部侧铅垂地设置有非活性气体供给管52。非活性气体供给管52沿上下设置有在铅垂方向延伸的气体供给口53，向晶圆W的交接位置处的由承载件C和开闭门5包围的封闭空间54供给非活性气体。在输送口20的下端部设置有横长的排气口55。在排气口55，为了抑制横向上的排气的偏差而设置有多孔质体55a。
开闭门5形成为以其周缘部朝向承载件输送区域S1侧弯曲、整体上成为凹状的方式弯曲而成的箱体。在呈箱体的开闭门5的开口缘设置有密封构件56，开闭门5夹着密封构件56与输送口20的缘部紧密贴合。
在开闭门5的承载件输送区域S1侧设置有用于拆卸盖体41的盖体开闭机构6。盖体开闭机构6具备与盖体41相对、并且收容盖体开闭机构6的驱动机构的相对板61，相对板61构成为利用进退机构62沿着前后方向移动自如。
在相对板61的内部收容有使盖体开闭机构6驱动的机械部分的驱动机构，但也可以根据需要设置有与其内部空间连接的排气口602。排气口602与真空泵604连接、构成为相对板61的内部空间可进行排气即可。在图3中，排气口602设置有连接到相对板61的下部的下部排气口602a以及连接到相对板61的中央部的中央排气口602b这两个，成为最终汇合而排气口602与真空泵604连接的结构。然而，只要能够对相对板61的内部空间进行排气，排气口602能够设置于与相对板61的内部空间连通的各种场所。另外，排气口602的数量也根据用途而进行各种变化即可。
另外，在立式热处理装置1设置有使晶圆输送区域S2的压力与由承载件C和开闭门5包围的封闭空间54的压力大致同压的同压化部件80A。同压化部件80A包括连接配管81和开闭阀82。
连接配管81是将晶圆输送区域S2和封闭空间54连接的气体配管。连接配管81的一端在输送口20的下方与晶圆输送区域S2连通，另一端在排气口55的附近与封闭空间54连通。优选连接配管81是PTFE(聚四氟乙烯，polytetrafluoroethylene)管等氟树脂管。由此，获得在开闭阀82的开闭时等利用管的带电将在连接配管81的内部产生的微粒等去除的过滤器效果。
开闭阀82设置于连接配管81。通过使开闭阀82打开，经由连接配管81连接起来的晶圆输送区域S2和封闭空间54连通，晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力成为大致同压。此外，“大致同压”是指同压和处于两个压力差的绝对值小于400Pa的范围。开闭阀82的动作由控制部1A控制。控制部1A在使隔着例如密封构件56与输送口20的缘部紧密贴合着的开闭门5从输送口20的缘部分开之前使开闭阀82打开。由此，晶圆输送区域S2和封闭空间54连通，晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力成为大致同压。因此，在使开闭门5与输送口20的缘部分开之际，不产生从晶圆输送区域S2朝向封闭空间54、或、从封闭空间54朝向晶圆输送区域S2的气体的流动。其结果，能够抑制微粒在晶圆输送区域S2与封闭空间54之间飞散。
图5是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第2结构例的概略图。如图5所示，第2结构例的同压化部件在连接配管81除了设置有开闭阀82之外、还设置有过滤器83和孔板84这点与第1结构例不同。
同压化部件80B包括连接配管81、开闭阀82、过滤器83、以及孔板84。
连接配管81是将晶圆输送区域S2和封闭空间54连接的气体配管。连接配管81的一端与晶圆输送区域S2连通，另一端与封闭空间54连通。
开闭阀82设置于连接配管81。通过使开闭阀82打开，经由连接配管81连接起来的晶圆输送区域S2和封闭空间54连通，晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力成为大致同压。开闭阀82的动作由控制部1A控制。控制部1A在使隔着例如密封构件56与输送口20的缘部紧密贴合着的开闭门5从输送口20的缘部分开之前使开闭阀82打开。由此，晶圆输送区域S2和封闭空间54连通，晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力成为大致同压。因此，在使开闭门5与输送口20的缘部分开之际，不产生从晶圆输送区域S2朝向封闭空间54、或、从封闭空间54朝向晶圆输送区域S2的气体的流动。其结果，能够抑制微粒在晶圆输送区域S2与封闭空间54之间飞散。
过滤器83设置于连接配管81的位于封闭空间54与开闭阀82之间的部分。过滤器83在开闭阀82的开闭时等将连接配管81的内部产生的微粒等去除。在图5中示出过滤器83设置于连接配管81的位于开闭门5与开闭阀82之间的部分的情况，但并不限定于此，例如过滤器83也可以设置于连接配管81的位于晶圆输送区域S2与开闭阀82之间的部分。另外，过滤器83也可以设置于连接配管81的位于开闭门5与开闭阀82之间的部分、以及连接配管81的位于晶圆输送区域S2与开闭阀82之间的部分。
孔板84设置于连接配管81的位于封闭空间54与过滤器83之间的部分。孔板84抑制打开了开闭阀82时的急剧的压力变动。图5中示出了孔板84设置于连接配管81的位于封闭空间54与过滤器83之间的部分的情况，但并不限定于此，也可以设置于连接配管81的其他位置。
图6是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第3结构例的概略图。如图6所示，第3结构例的同压化部件80C在包括两个系统的连接配管这点与第1结构例不同。
同压化部件80C包括第1连接配管81a和第2连接配管81b。
第1连接配管81a是将晶圆输送区域S2和封闭空间54连接的气体配管。第1连接配管81a的一端与晶圆输送区域S2连通，另一端与封闭空间54连通。在第1连接配管81a上从晶圆输送区域S2侧起按照止回阀85a、过滤器83a、开闭阀82a、以及孔板84a的顺序设置。
第2连接配管81b是将晶圆输送区域S2和封闭空间54连接的气体配管。第2连接配管81b的一端与晶圆输送区域S2连通，另一端与封闭空间54连通。在第2连接配管81b从封闭空间54侧起按照止回阀85b、过滤器83b、开闭阀82b、以及孔板84b的顺序设置。
开闭阀82a和开闭阀82b由控制部1A控制成联动地动作。控制部1A在使隔着例如密封构件56与输送口20的缘部紧密贴合着的开闭门5从输送口20的缘部分开之前使开闭阀82a和开闭阀82b打开。由此，晶圆输送区域S2与封闭空间54连通，晶圆输送区域S2的压力与封闭空间54的压力成为大致同压。具体而言，在晶圆输送区域S2的压力比封闭空间54的压力高的情况下，晶圆输送区域S2的气体经由第1连接配管81a向封闭空间54流动，从而晶圆输送区域S2的压力与封闭空间54的压力成为大致同压。另一方面，在晶圆输送区域S2的压力比封闭空间54的压力低的情况下，封闭空间54的气体经由第2连接配管81b向晶圆输送区域S2流动，从而晶圆输送区域S2的压力与封闭空间54的压力成为大致同压。因此，在使开闭门5与输送口20的缘部分开之际，不产生从晶圆输送区域S2朝向封闭空间54、或、从封闭空间54朝向晶圆输送区域S2的气体的流动。其结果，能够抑制微粒在晶圆输送区域S2与封闭空间54之间飞散。
图7是表示图1的基板处理系统的同压化部件的第4结构例的概略图。在图7中，以粗实线表示气体管线，以虚线表示电气控制系统。如图7所示，第4结构例的同压化部件80D以基于晶圆输送区域S2与封闭空间54之间的压力差进行控制、以使晶圆输送区域S2的压力与封闭空间54的压力成为大致同压这点与第1结构例不同。
在晶圆输送区域S2连接有非活性气体供给装置91a、氧浓度计92a、排气调整阀93a、以及排气泵94a等。非活性气体供给装置91a经由非活性气体供给管52和气体供给口53(均参照图3)将N2气体等非活性气体向晶圆输送区域S2供给。从非活性气体供给装置91a供给的非活性气体的流量由控制器100控制。氧浓度计92a对晶圆输送区域S2内的氧浓度进行检测，将检测值向控制器100发送。排气调整阀93a是对由排气泵94a排出的非活性气体的流量进行控制的阀。排气调整阀93a的开度由控制器100控制。
在封闭空间54连接有非活性气体供给装置91b、氧浓度计92b、排气调整阀93b、以及排气泵94b等。非活性气体供给装置91b向封闭空间54供给N2气体等非活性气体。从非活性气体供给装置91b供给的非活性气体的流量由控制器100控制。氧浓度计92b对封闭空间54内的氧浓度进行检测，将检测值向控制器100发送。排气调整阀93b是对由排气泵94b排出的非活性气体的流量进行控制的阀。排气调整阀93b的开度由控制器100控制。
同压化部件80D包括连接配管81、压差计86、以及控制器100。
连接配管81是将晶圆输送区域S2和封闭空间54连接的气体配管。连接配管81的一端与晶圆输送区域S2连通，另一端与封闭空间54连通。
压差计86设置于连接配管81。压差计86是对连接配管81内的晶圆输送区域S2侧的压力与封闭空间54侧的压力之差进行检测的压力传感器。由压差计86检测到的检测值向控制器100发送。
控制器100基于由氧浓度计92a检测的晶圆输送区域S2内的氧浓度对从非活性气体供给装置91a供给的非活性气体的流量和排气调整阀93a的开度进行调整。控制器100基于由氧浓度计92b检测的封闭空间54内的氧浓度对从非活性气体供给装置91b供给的非活性气体的流量和排气调整阀93b的开度进行调整。
另外，控制器100在对晶圆输送区域S2内和封闭空间54内的氧浓度进行了控制之后，基于由压差计86检测的检测值对晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力中的至少任一个进行控制，以使晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力成为大致同压。具体而言，控制器100对从非活性气体供给装置91a供给的非活性气体的流量、从非活性气体供给装置91b供给的非活性气体的流量、排气调整阀93a的开度、以及排气调整阀93b的开度中的至少任一个进行调整。由此，晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力中的至少任一个被控制，晶圆输送区域S2的压力和封闭空间54的压力成为大致同压。因此，在使开闭门5与输送口20的缘部分开之际，不产生从晶圆输送区域S2向封闭空间54、或、从封闭空间54朝向晶圆输送区域S2的气体的流动。其结果，能够抑制微粒在晶圆输送区域S2与封闭空间54之间飞散。
在第4结构例中，列举控制器100以晶圆输送区域S2的压力与封闭空间54的压力成为大致同压的方式进行控制的情况为例进行了说明，但也可以不使用控制器100，而是控制部1A进行上述的控制。
此外，在上述的实施方式中，晶圆W是基板的一个例子，晶圆输送区域S2是基板输送区域的一个例子。非活性气体供给装置91a是第1非活性气体供给装置的一个例子，非活性气体供给装置91b是第2非活性气体供给装置的一个例子。排气调整阀93a和排气泵94a是第1排气装置的一个例子，排气调整阀93b和排气泵94b是第2排气装置的一个例子。
以上，对用于实施本发明的形态进行了说明，但上述内容并不限定发明的内容，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。

Claims (8)

1.一种基板处理系统，其具备：
承载件输送区域，其用于相对于基板处理装置输送收容基板的承载件；
基板输送区域，其与所述承载件输送区域之间被分隔壁分隔开，该基板输送区域用于将收容于所述承载件的所述基板向处理炉输送；
输送口，其形成于所述分隔壁，该输送口用于在所述承载件输送区域与所述基板输送区域之间输送所述基板；
开闭门，其对所述输送口进行开闭；以及
同压化部件，其使所述基板输送区域的压力与由所述承载件和所述开闭门包围的空间的压力大致同压，
所述同压化部件包括第1连接配管和第2连接配管，所述第1连接配管连接所述基板输送区域和所述空间，在所述基板输送区域的压力比所述空间的压力高的情况下，所述基板输送区域的气体经由该第1连接配管向所述空间流动；所述第2连接配管连接所述基板输送区域和所述空间，在所述基板输送区域的压力比所述空间的压力低的情况下，所述空间的气体经由所述第2连接配管向所述基板输送区域流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述同压化部件还包括与所述第1连接配管和所述第2连接配管分别相对应地设置的第1开闭阀和第2开闭阀。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中，
所述同压化部件还包括与所述第1连接配管和所述第2连接配管分别相对应地设置的第1孔板和第2孔板。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其中，
所述同压化部件还包括与所述第1连接配管和所述第2连接配管分别相对应地设置的第1过滤器和第2过滤器。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其中，
所述同压化部件还包括与所述第1连接配管和所述第2连接配管分别相对应地设置的第1止回阀和第2止回阀。
6.根据权利要求2或3所述的基板处理系统，其中，
所述第1连接配管和所述第2连接配管均由氟树脂形成。
7.一种基板输送方法，其是基板处理系统中的基板输送方法，该基板处理系统具备：
承载件输送区域，其相对于基板处理装置输送收容基板的承载件；
基板输送区域，其与所述承载件输送区域之间被分隔壁分隔开，该基板输送区域将收容于所述承载件的所述基板向处理炉输送；
输送口，其形成于所述分隔壁，该输送口用于在所述承载件输送区域与所述基板输送区域之间输送所述基板；
开闭门，其对所述输送口进行开闭；以及
同压化部件，其使所述基板输送区域的压力与由所述承载件和所述开闭门包围的空间的压力大致同压，
在该基板输送方法中，在使所述基板输送区域和所述空间连通时，使所述基板输送区域的压力和所述空间的压力大致同压，
所述同压化部件包括第1连接配管和第2连接配管，所述第1连接配管连接所述基板输送区域和所述空间，在所述基板输送区域的压力比所述空间的压力高的情况下，所述基板输送区域的气体经由该第1连接配管向所述空间流动；所述第2连接配管连接所述基板输送区域和所述空间，在所述基板输送区域的压力比所述空间的压力低的情况下，所述空间的气体经由所述第2连接配管向所述基板输送区域流动。
8.根据权利要求7所述的基板输送方法，其中，
在向所述基板输送区域和所述空间供给了非活性气体的状态下，使所述基板输送区域的压力和所述空间的压力大致同压。
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