JP2015073062A - 基板処理装置、パージ装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を処理する処理容器と、前記基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを実行する第1パージ部と、前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを実行する第2パージ部と、備える。
【選択図】図1
Description
まず、本実施形態に係る基板処理装置100の構成について、主に図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置100の斜透視図である。図2は、本実施形態に係る基板処理装置100の側面透視図である。本実施形態に係る基板処理装置では、半導体装置や半導体素子を製造する工程の内、基板に膜を形成する工程や、膜を改質する工程等が行われる。ここで、半導体装置とは、上述のLSIのような集積回路、マイクロプロセッサ、半導体メモリ等である。また、半導体素子とは、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ等である。
筐体111内であってロードポート114の後方には、ポッド110の搬送空間となる基板収容器搬送室150が構成されている。
筐体111内におけるロードポート114の近傍には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。筐体111内のポッド搬送装置118のさらに奥、筐体111内の前後方向の略中央部における上方には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。
筐体111内であって、ロードポート114の近傍、例えば上方には、ポッド110内の雰囲気をパージし、ポッド110内の酸素濃度を所定管理値以下にする、第1パージ部(主載置部)としての主置換棚160が設けられている。ここでパージとは、後述のようにポッド110内の酸素濃度を下げることをいう。主置換棚160には、図4に示す、主パージポートが設けられている。主パージポートには、主ガス供給口410と、主ガス排気口420が設けられている。主ガス供給口410には、ガス供給管411が接続されている。ガス供給管411には、主流量制御装置412が設けられ、後述のコントローラ280によって流量が制御されるように構成されている。主流量制御装置412は、バルブ(不図示)とマスフローコントローラ(不図示)のいずれか若しくは両方で構成されている。主ガス排気口には、ガス排気管421が接続されている。また、ガス排気管421に主排気バルブ422を設け、ガス排気量を調整できるように構成しても良い。また、ガス排気管421に、ポッド110内またはポッド110からの排気ガス中の酸素濃度を検出する酸素濃度計423を設けても良い。また、ポッド110内またはポッド110からの排気ガス中の湿度を検出する露点計424を設けても良い。
筐体111内であって、基板収容器搬送室150の後方には、第2パージ部(副載置部)としての副置換棚(ポッド棚)105が設けられている。ポッド棚105には、複数枚の棚板117(基板収容器載置台)が設けられ、複数個のポッド110が保管されるように構成されている。また、複数の棚板にはそれぞれ副パージポートが設けられており、ポッド110内をパージ(ガス置換)することによって、ポッド110内の酸素濃度を所定管理値以下にできるようになっている。なお、ポッド棚105は、回転式に構成しても良い。回転式のポッド棚105では、複数枚の棚板117に加えて、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116が設けられている。図5に示すように、副パージポートには、副ガス供給口510と、副ガス排気口520が設けられている。副ガス供給口510には、ガス供給管511が設けられている。ガス供給管511には副流量制御装置512が設けられ、後述のコントローラ280で流量を制御できるように構成されている。副流量制御装置512は、バルブ(不図示)とマスフローコントローラ(不図示)のいずれか若しくは両方で構成されている。副ガス排気口には、ガス排気管521が設けられている。ガス排気管521には、副排気バルブ522を設けて排気量を調整できるように構成しても良い。また、ガス排気管521に、ポッド110内または排気ガス中の酸素濃度を検出する酸素濃度計523を設けても良い。また、ポッド110内または排気ガス中の湿度を検出する露点計524を設けても良い。
上記した第1パージ部と第2パージ部により、基板処理装置100に好適なパージ装置が構成される。
酸素濃度の所定管理値として、第1管理値と第2管理値が設定されている。第1管理値と第2管理値データは後述の記録媒体に記録され、後述のCPU280aでの算出結果によって変更できるように構成されている。また、第1管理値と第2管理値は、入力装置281から入力されるデータで設定できるように構成されている。好ましくは、第1管理値は、第2管理値よりも低く設定されている。より好ましくは、第1管理値は、600ppmであり、第2管理値は600ppm以上1000ppm以下である。主載置部では、第1管理値以下になるようにパージされ、副載置部では、第2管理値以下になるようにパージされる(以下、第1管理値以下にパージすることを第1パージ、第2管理値以下にすることを第2パージと呼ぶ)。
ポッド110内の酸素濃度の調整では、上述の酸素濃度計423,523を用いてポッド110内の酸素濃度または排気ガス中の酸素濃度を検出して、検出した酸素濃度値に基づいてフィードバック制御しても良い。また、事前に、不活性ガスの供給量と供給時間とポッド110内の酸素濃度の関係を求めておき、それらの関係に基づき、不活性ガスの供給量と供給時間の設定によって調整できるようにしても良い。
続いて、本実施形態に係る処理容器202の構成について、図3を用いて説明する。図3は、本実施形態に係る基板処理装置100が備える処理容器202の縦断面図である。
図3に示すように、処理容器202は反応管203を備えている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201は、ウエハ200を保持するボート217を収容可能に構成されている。
図6に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ280は、CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random Access Memory)280b、記憶装置280c、I/Oポート280dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM280b、記憶装置280c、I/Oポート280dは、内部バス280eを介して、CPU280aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ280には、入出力装置281として、例えばタッチパネル、マウス、キーボード、操作端末等が接続されていてもよい。また、コントローラ280には、表示部として、例えばディスプレイ等が接続されていてもよい。
次に、本実施形態に係る基板処理装置100の動作と基板収容器の搬送工程および基板の搬送工程について、主に図1、図2、図7を用いて説明する。本実施形態に係る基板収容器の搬送工程は、図7の様になっている。
図1及び図2に示すように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。そして、ロードポート114上のポッド110は、ポッド搬送装置118によってポッド搬入搬出口112から筐体111内部へと搬入される。
筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によってポッドオープナ121に搬送され、ポッドオープナ121の載置台122上に搬送される。ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、搬送室124内にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、不活性ガス等のクリーンエア133で搬送室124内が充満されることにより、搬送室124内の酸素濃度が例えば20ppm以下となり、大気雰囲気である筐体111内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。
ポッドオープナ121でポッド110内のウエハ200の枚数がカウントされた後、ポッド110は、ポッド棚105に搬送され、載置される。ポッド棚105に載置されたポッド110は、副パージポートにより、ポッド110内の酸素濃度が第2管理値以下になるように、第2パージされる。第2パージは、載置されている間に継続して行われても良いし、任意の時間で間欠的に行われても良い。また、ポッド110をロードポート114からポッド棚105への搬送工程は、ポッド棚105に載置可能なポッド数だけ繰返されてもよい。
ポッド棚105に載置されている複数のポッド110の内、成膜対象となったポッド110がポッド棚105から主置換棚160に搬送される。主置換棚160に搬送されたポッド110は、主置換棚160上に載置される。主載置棚160に載置されたポッド110は、主載置部160に設けられた主パージポートにより第1パージ(プリパージ)される。
主載置棚160で第1パージされたポッド110は、主載置棚160からポッドオープナ121に搬送され、ポッドオープナ121の載置台122上に搬送される。載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。このときには、T120のようにパージが行われずに、開放される。ポッド110が開放されると、ウエハ搬送装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてポッド110内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて円周方向の位置合わせがされた後、搬送室124の後方にある待機部126内へ搬入され、ボート217内に装填(チャージング)される。ボート217内にウエハ200を装填したウエハ搬送装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217内に装填する。
このようにしてボートへのウエハ装填T150が行われる。
続いて、基板搬出工程について図8を用いて説明する。
ボートアンローディング後、空のポッド110は、ポッド棚105からポッドオープナ121に搬送される。
ポッド110が、ポッドオープナ121に載置されると、ボートへのウエハ装填T50工程とは逆の手順でポッド110に処理済みのウエハ200が収容される。収容が終わったポッド110は、ポッド棚105に再度搬送される。このポッド110へのウエハ200の収容から、ポッド110のポッド棚105の再搬送はボート217で処理されたウエハ200が全て収容されるまで繰返される。例えば、ボート217にウエハ200が100枚装填され、ポッド110がウエハ200を20枚収容可能な場合には、5回繰返される。なお、本工程において、ポッド110に処理済のウエハ200が収容される際に、ポッドオープナ121で第1パージを行っても良い。
処理済みのウエハ200が収容されたポッド110がポッド棚105に所定の数、再搬送された後、ポッド110をポッド105からロードポート114へ搬送される。
ロードポート114へ搬送されたポッド110は、ロードポート114から筐体111の外へと搬出される。ポッド110をポッド棚105からロードポート114を介して筐体111の外に搬出する工程は、上述の様に所定の数繰返される。
なお、この空ポッドの搬送T210からロードポートから搬出T230で、ポッド棚105に格納されているポッドを全て搬出するまで繰返しても良いし、任意の個数だけ搬出するようにしても良い。また、空のポッド110に処理済みのウエハ200を収容した後、ポッド110をポッド105に再搬送せずにロードポート114へ搬送して筐体111の外に搬出するようにしても良い。
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について、図10を用いて説明する。係る基板処理工程は、上述の基板処理装置100により実施される。ここでは一例として、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によりウエハ200上に薄膜を形成する成膜工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
まず、複数枚のウエハ200をボート217に装填(ウエハチャージ)し、複数枚のウエハ200を保持したボート217を、ボートエレベータ115によって持ち上げて反応管203内(処理室201内)に搬入(ボートローディング)する。この状態で、反応管203の下端開口部である炉口は、シールキャップ219によりシールされた状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ234によって真空排気する。この際、反応管203内の圧力を圧力センサ232で測定し、この測定した圧力値に基づきAPCバルブ233(の弁の開度)をフィードバック制御する(圧力調整)。また、処理室201内が所望の温度(例えば500℃〜1200℃、好ましくは1000℃)となるように、ヒータ207によって処理室201内を加熱する。この際、温度センサ225が検出した温度値に基づき、ヒータ207への供給電力をフィードバック制御する(温度調整)。
処理室201内が、所望の圧力、所望の温度に達したら、処理ガス供給管221から反応管203内への処理ガスの供給を開始する。すなわち、バルブ224を開け、MFC223で流量制御しながら、処理ガス供給源222から反応管203内に処理ガスを供給する。処理ガスは、処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。反応管203内に処理ガスを供給しつつ、APCバルブ233の開度を調整し、真空ポンプ234から排気する。予め設定された処理時間が経過したら、バルブ224を閉じ、反応管203内への処理ガスの供給を停止する。
成膜工程(S30)が終了したら、ヒータ207への電力供給を停止して冷却工程(S40)を開始する。冷却工程(S40)では、冷却媒体流路205への冷却媒体の供給、冷却媒体流路205からの冷却媒体の排出などが行われる。
冷却工程(S40)が終了したら、APCバルブ233の開度を調整して処理室201内の圧力を大気圧に復帰させる。そして、上述した基板搬入工程に示した手順と逆の手順によりボート217を処理室201内から搬出(ボートアンロード)する。そして、処理済のウエハ200をボート217から脱装(ウエハディスチャージ)して、ポッド110内へ収容し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
ロードポート114にポッド110が載置されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。そして、ロードポート114上のポッド110は、ポッド搬送装置118によって、ポッド搬入搬出口112から筐体111の内部に搬入される。
ロードポート114から筐体111の内部に搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によってポッド棚105に搬送される。この搬送は、ポッド棚105に載置可能なポッド数や、基板処理工程に必要なポッド数だけ繰返される。ポッド棚105に載置されたポッド110には、上述の第2パージが行われる。なお、ポッド棚105に載置される時間が短時間の場合は、第2パージを行わなくてもよい。
ポッド棚105に載置されたポッド110は、ポッド棚105から主載置棚160へ搬送され、主載置棚160に載置される。主載置棚160に載置されたポッド110では、上述の第1パージが行われる。
主載置棚160でポッド110内の酸素濃度が第1管理値以下になるパージが行われたポッド110は、主載置棚160からポッドオープナ121へ搬送され、ポッドオープナ121の載置台122上に載置される。載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。このときには、T120のようにパージが行われずに開放される。ポッド110が開放されると、ウエハ枚数カウンタ装置(不図示)によってポッド110内のウエハ200の枚数のカウントやウエハ200の状態がチェックされる。ウエハ200の枚数がカウントされた後、上述のT150の手順でウエハ200がボート217に装填される。
装填が完了すると、上述の様にボートローディングが行われる。ボートローディング後は、上述の基板処理工程が行われ、上述の基板搬出工程が行われる。
本実施形態によれば、上述の実施形態に示す1つ又は複数の効果を奏する。また、以下に示す1つまたは複数の効果も奏する。
以上、本発明の他の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
上述のT100と同様に行われるので説明を省略する。
筐体111の内部に搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって、主置換棚160に搬送される。主置換棚160に搬送されたポッド110は、上述のT140と同様に、第1パージされる。
主置換棚160でパージされたポッド110を主載置棚160からポッドオープナ121に搬送され、ポッドオープナ121の載置台122上に載置される。載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。このときには、T120のようにパージが行われずに開放される。ポッド110が開放されると、ウエハ枚数カウンタ装置(不図示)によってポッド110内のウエハ200の枚数のカウントやウエハ200の状態がチェックされる。
ウエハ枚数や状態がチェックされたポッド110は、ポッドオープナ121からポッド棚105に搬送され、ポッド棚105で第2パージが施される。このパージは、載置されている間に継続して行われても良いし、間欠的に行われても良い。
ポッド棚105で待機されたポッド110を、再びポッドオープナ121に搬送し、ポッド110内のウエハをボート217内に装填される。
本実施形態によれば、上述の実施形態に示す1つ又は複数の効果を奏する。また、以下に示す1つまたは複数の効果も奏する。
以上、本発明の更に他の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
上述のT100と同様に行われるので説明を省略する。
上述のT420と同様に行われるので説明を省略する。
主置換棚160でポッド110内の酸素濃度を第1管理値以下にパージされたポッド110が、主置換棚160からポッド棚105に搬送される。ポッド棚105に載置されたポッド110は、第2パージされる。なお、このパージは、待機中に継続して行っても良いし、間欠的に行われても良い。
ポッド棚105で待機されたポッド110をポッドオープナ121に搬送される。ポッドオープナ121に載置されたポッド110からボート217へウエハ200が搬送され上述のように基板処理が行われる。
本実施形態であっても、上述の実施形態に示す1つ又は複数の効果を奏する。
以上、本発明の更に他の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
上述のT110と同様に行われるので説明を省略する。
上述のT120と同様に行われるので説明を省略する。
ウエハ枚数や状態がチェックされたポッド110は、主置換棚160に搬送される。主置換棚160に搬送されたポッド110は、第1パージされる。
第1管理値以下にパージされたポッド110は、主置換棚160からポッド棚105に搬送されて、第2パージされる。このパージは、載置されている間に継続して行われても良いし、間欠的に行われても良い。
ポッド棚105で待機されたポッド110を、再びポッドオープナ121に搬送し、ポッド110内のウエハをボート217内に装填される。
本実施形態であっても、上述の実施形態に示す1つ又は複数の効果を奏する。
以上、本発明の更に他の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
図16は、ポッドオープナ121の平面断面図である。図16に示すように、載置台122の上面には位置決めピン28が設けられる。この位置決めピン28により、載置台122の所定位置にポッド110が載置される。また、ポッドオープナ121は、ポッドオープナ筐体48を備える。ポッドオープナ筐体48の内部(収容室49)には、上記したキャップ着脱機構123が収容される。キャップ着脱機構123は、ウエハ搬入搬出口120の閉塞と開放を行うことができる。なお、符号54,55,56は、キャップ着脱機構123でウエハ搬入搬出口120を閉塞したときの気密性を確保するためのパッキンである。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
一態様によれば、
基板を処理する処理容器と、
前記基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを実行する第1パージ部と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを実行する第2パージ部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板収容器を開閉する基板収容器開閉部と、
前記基板収容器を保管する基板収容器保管棚と、
を備え、前記第1パージ部は前記基板収容器開閉部に設けられ、前記第2パージ部は前記基板収容器保管棚に設けられる基板処理装置が提供される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板処理装置に前記基板収容器を搬入する際に前記基板収容器が載置される基板収容器受渡し台と、
前記基板収容器を保管する基板収容器保管棚と、
を備え、前記第1パージ部は前記基板収容器受渡し台に設けられ、前記第2パージ部は前記基板収容器保管棚に設けられる基板処理装置が提供される。
付記1から3のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板収容器を搬送する基板収容器搬送装置と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から前記第2パージ部に搬送するように前記基板収容器搬送装置を制御する搬送制御部と、
前記第1パージ部に前記基板収容器があるときに前記第1パージを実行するように前記第1パージ部を制御すると共に、前記第1パージ部から第2パージ部に前記基板収容器が搬送されたときに前記第2パージを実行するように前記第2パージ部を制御するパージ制御部と、を備える。
付記1または2の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板収容器を搬送する基板収容器搬送装置と、
前記基板処理装置に前記基板収容器が搬入された際、前記基板収容器を前記第1パージ部に搬送し、次いで、前記第1パージ部から前記第2パージ部に搬送するように前記基板収容器搬送装置を制御する搬送制御部と、
前記第1パージ部に前記基板収容器が搬送されたときに前記第1パージを実行するように前記第1パージ部を制御すると共に、前記第1パージ部から前記第2パージ部に前記基板収容器が搬送されたときに前記第2パージを実行するように前記第2パージ部を制御するパージ制御部と、を備える。
付記1から5のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1パージ部は、前記基板収容器に前記第1流量で不活性ガスを供給することによって前記基板収容器内の酸素濃度を第1管理値以下に低下させるように構成され、前記第2パージ部は、前記基板収容器に前記第2流量で不活性ガスを供給することによって前記基板収容器内の酸素濃度を第2管理値以下に維持するように構成される。
付記6の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2管理値は、前記第1管理値よりも高い酸素濃度である。
一態様によれば、
基板が処理される処理容器と、
前記基板が収容される基板収容器をパージする第1パージ部と、
前記基板収容器を搬送する基板収容器搬送装置と、
前記基板収容器搬送装置が設けられた基板収容器搬送室と、
前記基板収容器を開閉する基板収容器開閉部と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から前記基板収容器開閉部へ搬送する際に、前記第1パージ部で前記基板収容器内の酸素濃度が所定管理値以下になるように前記基板収容器内をパージするように前記第1パージ部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記8の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板収容器搬送室に前記収容器内をパージする第2パージ部が設けられている。
付記8または9の基板処理装置であって、好ましくは、
前記所定管理値は、第1管理値と、前記第1管理値よりも高い酸素濃度である第2管理値とを有する。
付記8,9,10のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記第1パージ部で前記酸素濃度が前記第1管理値以下に低下された前記基板収容器を前記第2パージ部で前記第2管理値以下に維持するようにパージする。
付記11の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記基板収容器を前記第1パージ部から第2パージ部に搬送する際に、前記第1パージ部で第1管理値になるようにパージする。
付記6、10、11、12のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1管理値は600ppmであり前記第2管理値は600ppm以上1000ppm以下である。
付記1から7、9から13のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1パージ部に設けられた主パージポートが前記基板収容器内に第1流量でガスを供給し、
前記第2パージ部に設けられた副パージポートが前記基板収容器内に第2流量でガスを供給する。
付記14の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1流量は、前記第2流量よりも多い。
付記1または15の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1流量は20slm以上100slmであり、
前記第2流量は、0.5slm以上20slmである。
一態様によれば、
基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを実行する第1パージ部と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを実行する第2パージ部と、
を有するパージ装置が提供される。
付記17のパージ装置であって、好ましくは、
前記第1パージ部は、基板処理装置に設置された、前記基板収容器を開閉する前記基板収容器開閉部に設けられ、前記第2パージ部は、前記基板処理装置に設置された、前記基板収容器を保管する基板収容器保管棚に設けられる。
付記17のパージ装置であって、
前記第1パージ部は、基板処理装置に設置された、前記基板収容器を前記基板処理装置に搬入する際に前記基板収容器が載置される基板収容器受渡し台に設けられ、前記第2パージ部は、前記基板処理装置に設置された、前記基板収容器を保管する基板収容器保管棚に設けられる。
更に他の態様によれば、
基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを第1パージ部で実行する第1パージ工程と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から第2パージ部に搬送する工程と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを第2パージ部で実行する第2パージ工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記20の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第1パージ工程では、前記基板収容器に前記第1流量で不活性ガスを供給することによって前記基板収容器内の酸素濃度を第1管理値以下に低下させ、
前記第2パージ工程では、前記基板収容器に前記第2流量で不活性ガスを供給することによって前記基板収容器内の酸素濃度を第2管理値以下に維持する。
付記21の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第2管理値は、前記第1管理値よりも高い酸素濃度である。
更に他の態様によれば、
基板収容器が搬送される基板収容器搬送室から基板搬送室に基板収容器開閉装置を介して基板を搬送する工程と、
前記基板を前記基板搬送室から前記処理容器に搬送する工程と、
前記基板収容器を前記容器開閉装置に搬送する前に、前記基板収容器内の酸素濃度を第1管理値以下になるようにパージする第1パージ工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
更に他の態様によれば、
基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを第1パージ部で実行する第1パージ手順と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から第2パージ部に搬送する手順と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを第2パージ部で実行する第2パージ手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
更に他の態様によれば、
基板収容器が搬送される基板収容器搬送室から基板搬送室に基板収容器開閉装置を介して基板を搬送する手順と、
前記基板を前記基板搬送室から前記処理容器に搬送する手順と、
前記基板収容器を前記容器開閉装置に搬送する前に、前記基板収容器内の酸素濃度を第1管理値以下になるようにパージする第1パージ手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
更に他の態様によれば、
基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを第1パージ部で実行する第1パージ手順と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から第2パージ部に搬送する手順と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを第2パージ部で実行する第2パージ手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
更に他の態様によれば、
基板収容器が搬送される基板収容器搬送室から基板搬送室に基板収容器開閉装置を介して基板を搬送する手順と、
前記基板を前記基板搬送室から前記処理容器に搬送する手順と、
前記基板収容器を前記容器開閉装置に搬送する前に、前記基板収容器内の酸素濃度を第1管理値以下になるようにパージする第1パージ手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
105 ポッド棚
110 ポッド
111 筐体
114 ロードポート
117 棚板
118 ポッド搬送装置
121 ポッドオープナ
124 基板搬送室
125 ウエハ搬送機構
150 基板収容器搬送室
160 主載置棚
202 処理容器
203 反応管
217 ボート
280 制御部(コントローラ)
280a CPU
280b RAM
280c 記憶装置
280d I/Oポート
281 入力装置
282 外部記憶装置
410 主ガス供給口
412 主流量制御装置
422 主排気バルブ
423 酸素濃度計
424 露点計
510 副ガス供給口
512 副流量制御装置
522 副排気バルブ
523 酸素濃度計
524 露点計
Claims (7)
- 基板を処理する処理容器と、
前記基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを実行する第1パージ部と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを実行する第2パージ部と、
を有する基板処理装置。 - 前記基板収容器を開閉する基板収容器開閉部と、
前記基板収容器を保管する基板収容器保管棚と、
を備え、前記第1パージ部は前記基板収容器開閉部に設けられ、前記第2パージ部は前記基板収容器保管棚に設けられる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置に前記基板収容器を搬入する際に前記基板収容器が載置される基板収容器受渡し台と、
前記基板収容器を保管する基板収容器保管棚と、
を備え、前記第1パージ部は前記基板収容器受渡し台に設けられ、前記第2パージ部は前記基板収容器保管棚に設けられる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板収容器を搬送する基板収容器搬送装置と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から前記第2パージ部に搬送するように前記基板収容器搬送装置を制御する搬送制御部と、
前記第1パージ部に前記基板収容器があるときに前記第1パージを実行するように前記第1パージ部を制御すると共に、前記第1パージ部から第2パージ部に前記基板収容器が搬送されたときに前記第2パージを実行するように前記第2パージ部を制御するパージ制御部と、
を備える請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを実行する第1パージ部と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを実行する第2パージ部と、
を有するパージ装置。 - 基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを第1パージ部で実行する第1パージ工程と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から第2パージ部に搬送する工程と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを第2パージ部で実行する第2パージ工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板が収容される基板収容器に不活性ガスを第1流量で供給する第1パージを第1パージ部で実行する第1パージ手順と、
前記基板収容器を前記第1パージ部から第2パージ部に搬送する手順と、
前記基板収容器に不活性ガスを前記第1流量よりも少ない第2流量で供給する第2パージを第2パージ部で実行する第2パージ手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
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