JP2012009744A

JP2012009744A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2012009744A
Application number: JP2010146224A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Okamiya; 弘樹岡宮
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2010-06-28
Filing date: 2010-06-28
Publication date: 2012-01-12

Abstract

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという）に所望の薄膜をＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）法によって形成するのに利用して有効な基板処理装置に関する。

ＩＣの製造方法において、ウエハに薄膜を形成する基板処理装置として、バッチ式縦形ホットウオール形ＡＬＤ装置（以下、ＡＬＤ装置という）が使用されることがある。
従来のこの種のＡＬＤ装置として、タンクに充填された液体原料に不活性ガスを供給しして気化させ、該気化ガスを処理室内に供給し、ウエハ上に成膜するものがある。特許文献１参照。

特開２０１０−４０８４５号公報

タンク内の液体原料を不活性ガスによって気化させるＡＬＤ装置においては、タンク内の圧力が液体原料の残留量等によって変動するために、予め設定された目標値のガス流量を処理室内に供給することができない場合が発生し、膜厚に影響を及ぼすという問題点があった。

本発明の目的は、目標のガス流量を常に供給することができる基板処理装置を提供することにある。

前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
基板を処理する処理室と、
タンクに充填された液体原料に不活性ガスを供給することにより、前記液体原料を気化させ、該気化ガスを前記処理室内に供給して基板を処理するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御する制御部と、を有し、
前記ガス供給系は、前記不活性ガスを前記タンクに供給する量を制御する流量制御装置を有し、前記タンクには前記タンク内の絶対圧力を監視する圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記圧力センサの監視圧力値によって前記不活性ガスの流量を制御して前記タンク内の絶対圧力が一定になるように前記ガス供給系を制御する基板処理装置。

前記手段によれば、目標のガス流量を常に供給することができる。

本発明の一実施形態である基板処理装置を示す一部省略斜視図である。図１のII−II線に沿う断面図である。図１のIII −III 線に沿う断面図である。回路図付き一部省略平面断面図である。

以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。

本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法に使用される基板処理装置として構成されている。
本実施形態に係る基板処理装置は、基板としてのウエハに薄膜を形成する成膜工程に使用されるものとして構成されている。
図１に示されているように、基板としてのウエハ１はシリコン等の半導体材料が使用されて薄い円板形状に形成されており、キャリアとしてのオープンカセット（以下、カセットという）２に収納された状態で基板処理装置１０に供給される。

図１および図２に示されているように、基板処理装置１０は筐体１１を備えている。
筐体１１はステンレス鋼材やステンレス鋼板等が使用されて略直方体の箱形状に構築されている。
筐体１１の正面壁１１ａにはメンテナンス可能なように設けられた正面メンテナンス口１２が開設され、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３がこれを開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１の内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。

カセット搬入搬出口１４の筐体１１内側にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出される。
カセットステージ１６にはカセット２が工程内搬送装置によって、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となりカセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１６はカセット２を筐体後方に右回り縦方向９０度回転させるように構成されており、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体後方を向くように動作させるようになっている。

筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。カセット棚１７にはカセット２が収納される移載棚１８が設けられている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。
カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０はカセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとを備えている。カセットエレベータ２０ａはカセット搬送機構２０ｂを昇降可能に構成されており、カセット搬送機構２０ｂはカセット２を保持して搬送可能なように構成されている。
カセット搬送装置２０はカセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続動作により、カセットステージ１６、カセット棚１７、予備カセット棚１９との間で、カセット２を搬送するように構成されている。

カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。
ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２１ａおよびウエハ移載装置２１ｂとを備えており、ウエハ移載装置エレベータ２１ａは筐体１１の右側端部に設置されている。ウエハ移載装置エレベータ２１ａはウエハ移載装置２１ｂを昇降させるように構成されている。ウエハ移載装置２１ｂはツィーザ２１ｃによってウエハ１を保持して、ウエハ１を水平方向に回転ないし直動可能なように構成されている。
ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２１ａおよびウエハ移載装置２１ｂの連続動作により、ウエハ移載装置２１ｂのツィーザ２１ｃによってウエハ１を掬い取り、所定の位置に搬送した後に、ウエハ１を所定の位置に受け渡す。

筐体１１内における後端部の片側にはボートエレベータ２２が設置されている。
ボートエレベータ２２の昇降台に連結された連結具としてのアーム２３には、蓋体としてのシールキャップ２４が水平に据え付けられている。シールキャップ２４は後記する炉口を開閉するように構成されているとともに、後記するボートを垂直に支持するように構成されている。

カセット棚１７の上方には前側クリーンユニット２５が設置されている。
前側クリーンユニット２５は供給ファンや防塵フィルタ等によって構築されており、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１内の前側エリアに流通させる。
また、図１に便宜的に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ２１ａおよびボートエレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部には、後側クリーンユニット２６が設置されている。
後側クリーンユニット２６は供給ファンや防塵フィルタ等によって構築されており、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１内の後側エリアに流通させた後に、排気装置によって筐体１１の外部に排気させる。

ここで、以上の構成に係る基板処理装置１０のウエハ１の搬送作動を説明する。
図１および図２に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向くように、筐体１１の後方に右周り縦方向９０度回転させられる。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へカセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管される。
その後、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載される。
なお、カセット２はカセット搬送装置２０によって移載棚１８に直接的に搬送されることもある。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ１はウエハ移載装置２１ｂのツィーザ２１ｃによってカセット２からウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、後記するボートに装填（チャージング）される。ウエハ１を受け渡したウエハ移載装置２１ｂはカセット２に戻り、次のウエハ１をボートに装填する。

図１および図２に示されているように、筐体１１の後端部の上にはＡＬＤ法を実施する処理炉（以下、ＡＬＤ装置という）３０が設置されている。
ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ順次に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う方法、である。
そして、ＡＬＤ法においては、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給することによって成膜を行う。また、膜厚の制御は、反応性ガス供給のサイクル数によって実行することができる。例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合には、複数種類のガスの供給は２０サイクル実行される。

図２、図３および図４に示されているように、ＡＬＤ装置３０は反応管３１を備えている。反応管３１は基板であるウエハ１を処理する反応容器を構成している。反応管３１は石英（ＳｉＯ2 ）が用いられて一体的に形成されている。反応管３１は一端が開口し他端が閉塞した円筒形状に形成されており、反応管３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。

反応管３１はマニホールド３３の上にシールリング３３Ａを挟まれて載置されており、反応管３１はマニホールド３３が筐体１１に据え付けられることにより、筐体１１に水平に支持されている。反応管３１およびマニホールド３３の筒中空部は、複数枚のウエハ１を収容して処理する処理室３２を形成している。
マニホールド３３はステンレス鋼等によって上下両端が開口した円筒形状に形成されており、マニホールド３３の下端には炉口３４が形成されている。
炉口３４は図１に示されたシャッタ２７によって開閉される。

図３に示されているように、シールキャップ２４は炉口３４の内径よりも大きい径の外径を有する円盤形状に形成されている。シールキャップ２４はシールリング２４ａによって炉口３４を気密シールするように構成されている。
シールキャップ２４の中心線上には、回転駆動装置６３によって回転駆動される回転軸６４が挿通されており、回転軸６４はシールキャップ２４と共に昇降するように構成されている。回転軸６４の上端には支持台６５が垂直に設置されており、支持台６５の上には保持具としてのボート７０が垂直に立脚されて支持されている。

ボート７０は上下で一対の端板７１、７２と、両端板７１と７２との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持柱７３とを備えている。複数本の保持柱７３には多数条の保持溝７４が長手方向に等間隔に配されて、同一平面内で互いに対向して開口するように没設されている。
そして、ウエハ１の外周縁辺が各保持柱７３の多数条の保持溝７４間にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１がボート７０に水平にかつ互いに中心を揃えられた状態で整列されて保持されるようになっている。

図２に示されているように、ＡＬＤ装置３０は加熱装置（加熱手段）であるヒータ６２を備えており、ヒータ６２は反応管３１の外部に反応管３１の周囲を包囲するように同心円に設備されている。ヒータ６２は処理室３２を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。

マニホールド３３の側壁の一部には、処理室３２を排気する排気管３５の一端が接続されている。図４に示されているように、排気管３５の他端は真空ポンプ３６にＡＰＣバルブ（メインバルブ）３７を介して接続されている。
なお、ＡＰＣバルブ３７は、弁体を開閉することによって処理室３２の排気および排気停止を実行し、かつ、弁体の開度を調節して排気量を調整することによって処理室３２の圧力を制御する。

図４に示されているように、処理室３２内には第一ノズル４０および第二ノズル５０が設けられている。第一ノズル４０および第二ノズル５０は複数種類、ここでは２種類の処理ガスを処理室３２内へ供給する供給経路を構成している。
第一ノズル４０および第二ノズル５０はエルボ管形状に形成されており、エルボ管の下腕部分が反応管３１側壁を貫通し、上腕部分が垂直に立脚した状態で、反応管３１に支持されている。
第一ノズル４０の上腕部は反応管３１内壁とウエハ１との間における円弧状の空間に配置されており、反応管３１下部から上部内壁にウエハ１の積載方向に沿って延在している。第一ノズル４０の側面には、ガスを供給する供給孔４１が複数個開設されている。複数個のガス供給孔４１は下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、かつ、同じ開口ピッチで設けられている。
第二ノズル５０の上腕部も反応管３１内壁とウエハ１との間における円弧状の空間に配置されており、反応管３１下部から上部内壁にウエハ１の積載方向に沿って延在している。第二ノズル５０の側面には、ガスを供給する供給孔５１が複数個開設されている。複数個のガス供給孔５１は下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、かつ、同じ開口ピッチで設けられている。

図４に示されているように、第二ノズル５０の外側端には第二ガス供給管５２の下流側端が接続されており、第二ガス供給管５２の上流側端には第二ガス供給装置５３が接続されている。第二ガス供給管５２には上流方向から順に、流量制御装置である第一マスフローコントローラ５４、開閉弁である第二バルブ５５がそれぞれ設けられている。
第二ガス供給管５２にはキャリアガスを供給する第二キャリアガス供給管５６が合流されている。第二キャリアガス供給管５６には上流方向から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ（以下、第二キャリアガスＭＦＣという）５７および開閉弁であるバルブ（以下、第二キャリアガスバルブという）５８が設けられている。

図４に示されているように、第一ノズル４０の外側端には、気化ガスを処理室に供給するガス供給系としての第一ガス供給管４２の下流側端が接続されており、第一ガス供給管４２の上流側端には、図５に示された気化ガス供給装置４３が接続されている。第一ガス供給管４２の途中には開閉弁である第一バルブ４５が設けられている。
第一ガス供給管４２にはキャリアガスを供給する第一キャリアガス供給管４６が合流されている。第一キャリアガス供給管４６には上流方向から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ（以下、第一キャリアガスＭＦＣという）４７および開閉弁であるバルブ（以下、第一キャリアガスバルブという）４８が設けられている。

気化ガス供給装置４３は液体原料８０を供給するためのタンク８１を備えており、タンク８１内には液体原料８０が貯留されている。タンク８１には第一ガス供給管４２の上流側端が挿入されている。
タンク８１には液体原料を供給するための液体原料供給管８２の一端が接続されており、液体原料供給管８２の他端には液体原料８０を補給する補給タンク８３が接続されている。タンク８１には一端が不活性ガス供給源８４に接続された不活性ガス供給管８５の他端が挿入されており、不活性ガス供給管８５の挿入端部は液体原料８０内に浸漬されている。不活性ガス供給管８５にはタンク８１側から順に、開閉弁８６、レギュレータ８７が設けられている。
タンク８１にはタンク８１内の絶対圧（absolute pressue) を計測する圧力センサ８８が接続されている。絶対圧（絶対圧力）とは、完全真空状態を基準として測った圧力であり、絶対圧＝ゲージ圧＋大気圧、の関係がある。圧力センサ８８としては、隔膜式真空計が使用されている。

ＡＬＤ装置３０はガス供給系を制御する制御部としてのコントローラ６１（図４参照）を備えており、コントローラ６１はパネルコンピュータやパーソナルコンピュータ等によって構築されている。
便宜上、一部の図示は省略するが、図４に示されているように、コントローラ６１は、真空ポンプ３６、ＡＰＣバルブ３７、気化ガス供給装置４３、第二ガス供給装置５３、マスフローコントローラ４７、５４、５７、バルブ４５、４８、５５、５８等に接続され、これらを制御する。
コントローラ６１には圧力センサ８８が接続されており、コントローラ６１は圧力センサ８８によってタンク８１内の絶対圧を監視し、圧力センサ８８の計測圧力値に基づいて不活性ガス供給管８５の供給流量を調整することにより、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。

次に、以上の構成に係るＡＬＤ装置３０を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）膜をウエハ１上に成膜する場合について説明する。
酸化シリコン膜をウエハ１の上にＡＬＤ装置によって形成する場合には、ＴＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ₃ ）₂ ］₄ ：テトラキスジメチルアミノシリコン）、と、オゾン（Ｏ₃ ）とが使用される。これにより、３００〜６００℃の低温で、高品質の酸化シリコンを成膜することができる。

ボート７０を処理室３２に搬入後、以下の３つのステップを順次実行する。
（ステップ１）
第一ガス供給管４２にはＴＤＭＡＳガスを流し、第一キャリアガス供給管４６にはキャリアガス（窒素ガス）を流す。すなわち、第一ガス供給管４２の第一バルブ４５、第一キャリアガスバルブ４８および排気管３５のＡＰＣバルブ３７を共に開ける。
キャリアガスは第一キャリアガス供給管４６から流れ、第一キャリアガスＭＦＣ４７により流量調整される。
気化ガス供給装置４３において、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスが供給されると、不活性ガスが液体原料８０を気化させ、該気化ガスを第一ガス供給管４２に供給する。この際に、コントローラ６１は圧力センサ８８によってタンク８１内の絶対圧を常時監視し、この監視圧力値が予め設定された一定の目標値になるように、レギュレータ８７を制御する。
第一ガス供給管４２に送出された気化ガスは、流量調整されたキャリアガスを混合し、第一ノズル４０のガス供給孔４１から処理室３２内に供給されつつ、排気管３５から排気される。
この時、ＡＰＣバルブ３７を適正に調整し処理室３２内の圧力を所定値に維持する。
気化ガス供給装置４３で制御するＴＤＭＡＳの供給量は、例えば、１ｇ／ｍｉｎである。ＴＤＭＡＳガスにウエハ１を晒す時間は、例えば、８秒間である。
このとき、ヒータ６２の温度はウエハの温度が３００〜６００℃の範囲内の所定値になるよう設定してある。
ＴＤＭＡＳを処理室３２内に供給することで、ウエハ１上の下地膜等の表面部分と表面反応（化学吸着）する。

（ステップ２）
第一ガス供給管４２の第一バルブ４５を閉め、ＴＤＭＡＳの供給を停止する。
このとき、排気管３５のＡＰＣバルブ３７は開いたままとし、処理室３２内を２０Ｐａ以下となるまで真空ポンプ３６によって排気し、残留ＴＤＭＡＳガスを処理室３２内から排除する。このとき、窒素等の不活性ガスを処理室３２内へ供給すると、さらに、残留ＴＤＭＡＳガスを排除する効果が高まる。

（ステップ３）
第二ガス供給管５２にオゾンを流し、第二キャリアガス供給管５６にキャリアガス（窒素ガス）を流す。すなわち、第二ガス供給管５２の第二バルブ５５および第二キャリアガス供給管５６の第二キャリアガスバルブ５８を共に開く。
キャリアガスは第二キャリアガス供給管５６から流れ、第二キャリアガスＭＦＣ５７により流量調整される。オゾンは第二ガス供給管５２から流れ、第一マスフローコントローラ５４により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第二ノズル５０のガス供給孔５１から処理室３２内に供給されつつ排気管３５から排気される。
この時、ＡＰＣバルブ３７を適正に調整して処理室３２内の圧力を所定圧力値に維持する。
オゾンにウエハ１を晒す時間は、例えば、３０秒間である。
ウエハの温度は、ステップ１のＴＤＭＡＳガスの供給時と同じく、３００〜６００℃の範囲内の所定値となるようヒータ６２を設定する。
オゾンの供給により、ウエハ１の表面に化学吸着したＴＤＭＡＳとオゾンとが表面反応して、ウエハ１上に酸化シリコン膜が成膜される。
成膜後、第二ガス供給管５２の第二バルブ５５および第二キャリアガス供給管５６の第二キャリアガスバルブ５８を閉じ、真空ポンプ３６により処理室３２内を排気し、残留するオゾンの成膜に寄与した後のガスを排除する。
このとき、窒素等の不活性ガスを反応管３１内に供給すると、さらに、残留するオゾンの成膜に寄与した後のガスを処理室３２から排除する効果が高まる。

また、前述したステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより、ウエハ１上に所定の膜厚の酸化シリコン膜を成膜することができる。

前記実施形態によれば、次の効果が得られる。

（１）液体原料が充填され気化ガス供給管が接続されたタンクに、タンク内の絶対圧力を監視する圧力センサを設け、タンク内の絶対圧力が一定になるように不活性ガスの流量を圧力センサの監視圧力値によって制御することにより、液体原料の残留量等に関わらず、予め設定された目標値の気化ガスを供給することができるので、膜厚を常に一定に形成することができる。

（２）膜厚を常に一定に形成することにより、所望の成膜を再現性良く実現することができるので、ＡＬＤ装置の性能および信頼性を向上させることができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、絶対圧を監視する圧力センサとしては隔膜式真空計を使用するに限らない。

前記実施形態では、気化させたＴＤＭＡＳガスとオゾンガスとを交互に供給して酸化シリコン膜を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、液体原料を不活性ガスによって気化させる場合全般に適用することができる。

前記実施形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。

本発明の好ましい態様を付記する。
（１）基板を処理する処理室と、
タンクに充填された液体原料に不活性ガスを供給することにより、前記液体原料を気化させ、該気化ガスを前記処理室内に供給して基板を処理するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御する制御部と、を有し、
前記ガス供給系は、前記不活性ガスを前記タンクに供給する量を制御する流量制御装置を有し、前記タンクには前記タンク内の絶対圧力を監視する圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記圧力センサの監視圧力値によって前記不活性ガスの流量を制御して前記タンク内の絶対圧力が一定になるように前記ガス供給系を制御する基板処理装置。
（２）タンク内に充填された液体原料に不活性ガスを供給して気化させた気化ガスによって成膜するＡＬＤ装置において、
流量制御装置の流量を自動設定することにより、前記タンク内の圧力を常時一定に維持することを特徴とするＡＬＤ装置。

１…ウエハ（基板）、２…カセット、
１０…基板処理装置、１１…筐体、１１ａ…正面壁、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、
２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２１ａ…ウエハ移載装置エレベータ、２１ｂ…ウエハ移載装置、２１ｃ…ツィーザ、２２…ボートエレベータ、２３…アーム、２４…シールキャップ、２４ａ…シールリング、２５…前側クリーンユニット、２６…後側クリーンユニット、２７…シャッタ、
３０…ＡＬＤ装置（処理炉）、３１…反応管、３２…処理室、３３…マニホールド、３３Ａ…シールリング、３４…炉口、３５…排気管、３６…真空ポンプ、３７…ＡＰＣバルブ、３８…排気管、３９…ＡＰＣバルブ、
４０…第一ノズル（ガスノズル）、４１…第一ガス供給孔、４２…第一ガス供給管（ガス供給系）、４３…気化ガス供給装置、４５…第一バルブ、４６…第一キャリアガス供給管、４７…第一キャリアガスＭＦＣ、４８…第一キャリアガスバルブ、
５０…第二ノズル（ガスノズル）、５１…第二ガス供給孔、５２…第二ガス供給管、５３…第二ガス供給装置、５４…第一マスフローコントローラ、５５…第二バルブ、５６…第二キャリアガス供給管、５７…第二キャリアガスＭＦＣ、５８…第二キャリアガスバルブ、
６１…コントローラ、６２…ヒータ、６３…回転駆動装置、６４…回転軸、６５…支持台、
７０…ボート、７１…端板、７２…端板、７３…保持柱、７４保持溝、
８０…液体原料、８１…タンク、８２…液体原料供給管、８３…補給タンク、８４…不活性ガス供給源、８５…不活性ガス供給管、８６…開閉弁、８７…レギュレータ、８８…圧力センサ。

Claims

基板を処理する処理室と、
タンクに充填された液体原料に不活性ガスを供給することにより、前記液体原料を気化させ、該気化ガスを前記処理室内に供給して基板を処理するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御する制御部と、を有し、
前記ガス供給系は、前記不活性ガスを前記タンクに供給する量を制御する流量制御装置を有し、前記タンクには前記タンク内の絶対圧力を監視する圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記圧力センサの監視圧力値によって前記不活性ガスの流量を制御して前記タンク内の絶対圧力が一定になるように前記ガス供給系を制御する基板処理装置。