CN110444496A - 导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备 - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 125
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 87
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 20
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006701 autoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
- H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明提供一种导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备，该方法首先提供一扩散炉管，在扩散炉管内设置一个晶圆盒缓存系统，晶圆盒经由晶圆盒缓存系统装载至扩散炉管内的缓存过程包括如下步骤：通入氮气步骤、排出气体步骤、监测氧气步骤。本发明使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路制造领域，尤其涉及导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备。
背景技术
随着科技的发展，对微电子技术的要求越来越高，微电子存储器面积的不断缩小，对半导体制造工艺的精密程度要求和精确程度要求也越来越高。在集成电路中多晶硅应用于动态随机存取存储器(DRAM)器件结构中位线接触和存储节点接触，随着集成电路的尺寸微缩，多晶硅的导线接触电阻要求越来越高，对硬件和制程控制的要求也越来越高。
多晶硅的接触电阻主要受到底层硅的自然氧化层厚度的影响。自然氧化层的厚度主要取决于晶圆所处环境的氧含量和水汽含量以及时间，环境中氧含量越高，时间越长，自然氧化层厚度越厚，水汽含量越高越能够促进自然氧化层的发生。
扩散炉管是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备。主要反应装置一般分为水平式和直立式两种，半导体材料在高纯净的反应腔内进行高温反应，此过程一般需要通入不同种类的气体或对腔体进行抽真空处理。整个生产过程中，生产设备需要纯净、轻便、耐高温，现有的晶圆氧化炉一般为直通式进气口。目前的炉管设备在晶圆盒缓存区没有氮气气体保护和监控，是整个自然氧化层过程控制中氧化环境最差的部分。然而硅常温下会和空气中的氧气反应(Si+O2→SiO2)，生成一层自然氧化层(<1.5nm)，自然氧化层过厚会提高接触电阻，降低器件性能。
专利公开号为CN104425241A的中国专利，公开了一种自然氧化层的去除方法，在400℃～600℃的温度条件下，使用锗的氢化物去除半导体衬底表面上的自然氧化层。
专利公开号为CN101252083A的中国专利，公开了一种多晶硅栅表面的清洗方法，采用氟化氢清洗多晶硅栅表面；采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。该清洗方法可以有效清除形成于多晶硅栅表面上的自然氧化层和偏磷酸晶体。
以上方法均是在自然氧化层形成之后进一步除去的方法，不能在硅的处理过程中减少自然氧化层的形成。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备，减少晶圆上的自然氧化层的形成。为实现上述技术目的，本发明采取的具体的技术方案为：
一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，包括：提供一扩散炉管，在所述扩散炉管内设置一晶圆盒缓存系统；以及，晶圆盒经由所述晶圆盒缓存系统装载至所述扩散炉管内的缓存过程；所述晶圆盒缓存过程包括如下步骤：
通入氮气的步骤：所述晶圆盒内载入有晶圆，所述晶圆盒置于晶圆盒缓存系统内，所述晶圆盒缓存系统上设有气动调节阀及与所述气动调节阀连接的进气管道，将所述晶圆盒内部调整为负压状态，打开所述气动调节阀后，所述进气管道自动从所述晶圆盒底部向所述晶圆盒内部通入缓冲气体；
排出气体的步骤：所述晶圆盒缓存系统的气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述晶圆盒内的气体通过所述排气管道排出；
监测氧气的步骤：所述晶圆盒缓存系统的氧气监测装置取样测取所述排气管道内的氧气浓度。
作为改进的技术方案，所述晶圆盒缓存系统在通入氮气的步骤令所述晶圆的表面在所述扩散炉管内与氧化剂减少发生生成一层二氧化硅膜的氧化反应，在所述扩散炉管的炉体加热系统中所述晶圆上生成的多晶硅具有导电作用且和底层部分电学相连或全部电学相连。
作为改进的技术方案，在通入氮气的步骤中，打开所述气动调节阀后，所述进气管道自动从所述晶圆盒底部向所述晶圆盒内部通入氮气，所述进气管道内的氮气流量由设置在所述进气管道上的质量流量控制器或流量计控制，所述氮气流量介于10slm～500slm。
作为改进的技术方案，在排出气体的步骤中，在所述排气管道上设有分支排气管道，所述晶圆盒内的气体通过所述分支排气管道汇集到所述排气管道排出。
作为改进的技术方案，在监测氧气的步骤中，在所述分支排气管道连通有取样管道，在所述取样管道上设有取样阀，开启所述取样阀后，所述分支排气管道内的部分气体进入所述取样管道，所述取样阀的数量为3个～10个。
作为改进的技术方案，在监测氧气的步骤中，在所述取样管道上设有所述氧气监测装置，开启所述取样阀后，所述氧气监测装置检测所述取样管道内的氧气浓度，取样频率介于1秒/次～30秒/次，单次取样过程中仅有一个所述取样阀呈开启状态，其它所述取样阀呈关闭状态。
本发明还提供一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，包括：
步骤S1：对所述晶圆盒进行氧化前预清洁，去除附在所述晶圆盒上的杂质；
步骤S2：将所述晶圆盒放置在氮气吹扫台上，通过喷吹氮气去除杂质颗粒；
步骤S3：利用机械手臂将所述晶圆盒从氮气吹扫台上抓取到扩散炉管设备内的取片装载位置；
步骤S4：所述晶圆盒在扩散炉管内的取片装载位置上进行晶圆盒开门前氮气吹扫，防止杂质颗粒附着到所述晶圆盒内的晶圆上；
步骤S5：待所述晶圆盒关门后，利用机械手臂将所述晶圆盒传送至所述晶圆盒缓存系统；
步骤S6：利用机械手臂将所述晶圆盒从所述晶圆盒缓存系统传送至取片装载位置，步骤S5～S6包括如上述的缓存过程；
步骤S7：所述晶圆盒在取片装载位置进行氮气吹扫净化，防止杂质颗粒附着；
步骤S8：在所述扩散炉管内对所述晶圆表面进行导电多晶硅触点的扩散生成处理。
本发明还提供一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，所述扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，所述气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，所述晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，所述氮气通入装置中设有与所述晶圆盒连通的进气管道及与所述进气管道连接的气动调节阀，所述气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。
作为改进的技术方案，在所述进气管道上设有质量流量控制器或流量计。
作为改进的技术方案，在所述排气管道上设有分支排气管道，在所述分支排气管道上连通有取样管道，在所述取样管道上设有取样阀，所述取样阀的数量为3个～10个。
作为改进的技术方案，在单次取样过程中仅有一个所述取样阀呈开启状态，其它所述取样阀呈关闭状态。
作为改进的技术方案，所述氧气监测装置设置于所述分支排气管道上，所述氧气监测装置的取样频率介于1秒/次～30秒/次。
作为改进的技术方案，所述分支排气管道的末端设置于所述排气管道上，所述分支排气管道的末端与所述排气管道连通。
作为改进的技术方案，所述进气管道向所述晶圆盒中通入的缓冲气体包括氮气，所述氮气流量介于10slm～500slm。
有益效果
本发明改进了导电多晶硅触点的扩散生成方法，增加了晶圆缓存步骤中的氮气缓存步骤，同时本发明还改进了扩散炉管设备的晶圆盒缓存系统，由简单的晶圆盒临时存储改进为带有对晶圆盒内进行氮气吹扫和氧气监控的系统。本发明方法通过使用对晶圆盒氮气吹扫的方法，降低氧化制程前的环境氧气浓度，氧气监测装置按照一定的频率对晶圆盒排气进行采样，监测各晶圆盒内的氧气浓度。本发明的导电多晶硅触点的扩散生成方法克服了氧化制程过程中晶圆盒内氧气环境恶劣和产生较厚自然氧化层的弊端。通过对晶圆盒内氮气吹扫来使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。
附图说明
图1绘示本发明提供的一种扩散炉管的硬件结构示意图。
图2绘示本发明提供的一种氮气缓存系统的示意图。
图3绘示本发明提供的一种氮气缓存系统的工作原理图。
图4绘示采用本发明提供的一种导电多晶硅触点的扩散生成方法后晶圆盒内氧气浓度曲线图。
图5绘示本发明提供的一种取样阀工作示意图。
图6绘示采用本发明提供的一种导电多晶硅触点的扩散生成方法形成的产品的剖面结构示意图。
图中，1、晶圆盒；2、进气管道；3、排气管道；4、质量流量控制器；5、分支排气管道；6、取样管道；7、取样阀；8、氧气监测装置；9、多晶硅；10、自然氧化层；11、晶圆；12、金属；13、气动调节阀。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本发明实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
扩散炉管是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备。主要反应装置一般分为水平式和直立式两种，半导体材料在高纯净的反应腔内进行高温反应，此过程一般需要通入不同种类的气体或对腔体进行抽真空处理。整个生产过程中生产设备需要纯净、轻便、耐高温。
本发明人研究发现，目前扩散炉管设备在晶圆盒1缓存区没有氮气气体保护和监控，是整个晶圆11氧化过程中氧化环境最差的部分。在传统扩散炉管中的反应步骤包括：
步骤1：对所述晶圆盒1进行氧化前预清洁，去除附在所述晶圆盒1上的杂质；
步骤2：将所述晶圆盒1放置在氮气吹扫台上，通过喷吹氮气去除杂质颗粒；
步骤3：利用机械手臂将所述晶圆盒1从氮气吹扫台上抓取到扩散炉管设备内的取片装载位置；
步骤4：所述晶圆盒1在扩散炉管内的取片装载位置上进行晶圆盒1开门前氮气吹扫，防止杂质颗粒附着到所述晶圆盒1内的晶圆11上；
步骤5：待所述晶圆盒1关门后，利用机械手臂将所述晶圆盒1传送至所述晶圆盒缓存系统；
步骤6：将晶圆盒1放置在设备内的晶圆盒缓存系统；
步骤7：利用机械手臂将所述晶圆盒1从所述晶圆盒缓存系统传送至取片装载位置；
步骤8：所述晶圆盒1在取片装载位置进行氮气吹扫净化，防止杂质颗粒附着；
步骤9：在所述扩散炉管内对所述晶圆11表面进行导电多晶硅触点的扩散生成处理。
在上述步骤6中氧气浓度较高，在金属12和多晶硅9的下方形成较厚的自然氧化层10，晶圆11常温下会和空气中氧气发生反应(Si+O2→SiO2)生成一层自然氧化层10自然氧化层10过厚会提高接触电阻，降低器件性能。自然氧化层10的上方为多晶硅9，自然氧化层10的下方为硅，自然氧化层10的下方还可以为多晶硅9。
实施例1
本实施例提供一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，步骤包括提供一扩散炉管，在所述扩散炉管内设置一晶圆盒缓存系统；以及，晶圆盒1经由所述晶圆盒缓存系统装载至所述扩散炉管内的缓存过程；所述晶圆盒缓存过程包括如下步骤：
通入氮气步骤：在每个晶圆盒1的底部通入氮气，保持晶圆盒1内部呈负压状态，当有晶圆盒1放置在晶圆盒缓存系统内的缓存位置时，打开与进气管道2连接的气动调节阀13，然后会自动向晶圆盒1内部通入氮气，无晶圆盒1放置的缓存位置上无氮气通入。氮气通过进气管道2进入晶圆盒1，氮气的流量介于10slm(标准升/分钟)～500slm，在该流量范围内，晶圆盒1内部气体浓度更易于分析和控制，在进气管道2上可以设有质量流量控制器4或者设有流量计，用以控制流入的气体流量。本实施例中晶圆盒1数量可以介于1个～18个，单个晶圆盒1的氮气进气口数量可以介于1个～2个。
排出气体步骤：在排气管道3上设有分支排气管道5，上述晶圆盒1底部的排气通过所述分支排气管道5汇集到排气管道3后排出。
本实施例可在晶圆氧化制程垂直炉管设备内实施，晶圆盒1内载入有晶圆11，此处的晶圆11是广义的，晶圆盒缓存系统在通入氮气的步骤令所述晶圆11的表面在所述扩散炉管内与氧化剂减少发生生成一层二氧化硅膜的氧化反应，在所述扩散炉管的炉体加热系统中所述晶圆11上生成的多晶硅9具有导电作用且和底层部分电学相连或全部电学相连。
监测氧气步骤：在分支排气管道5上设有取样管道6，在取样管道6上设有取样阀7，取样阀7的数量为3个～10个，单次取样过程中仅有一个取样阀7呈开启状态，其它取样阀7呈关闭状态。
图5表示取样阀7的工作原理图，以三个晶圆盒1及三个取样阀7为例，但本发明不限于三个取样阀7，取样阀A代表晶圆盒A的取样阀7，取样阀B代表晶圆盒B的取样阀7，取样阀C代表晶圆盒C的取样阀7，“1”表示开启，“0”表示关闭，每个晶圆盒1取样时间为1秒～30秒。本实施例中各晶圆盒1排气汇集于同一条排气管排出。
取样测取所述晶圆盒1排气管内的氧气浓度，在取样管道6上设有氧气监测装置8，开启取样阀7后，所述分支排气管道5内的部分气体进入所述取样管道6，氧气监测装置8自动检测所述取样管道6内的氧气浓度，即对各晶圆盒1的气体样品进行监测分析，提供晶圆盒1内的实时氧气浓度，以保证对晶圆盒1内部气体浓度的有效监控。其中，取样频率介于1秒/次～30秒/次。
本发明实施例还提供了一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，具体包括以下步骤：
步骤S1：如图4中①所示，对晶圆盒1进行预清洁，去除附在晶圆盒1上的杂质；
步骤S2：如图4中②所示，利用机械手臂将晶圆盒1放置在氮气吹扫台上，通过喷吹氮气去除杂质颗粒；
步骤S3：如图4中③所示，利用机械手臂将晶圆盒1从氮气吹扫台上抓取到扩散炉管设备内的取片装载(FIMSPORT)位置；
步骤S4：如图4中④所示，晶圆盒1在扩散炉管设备内的FIMSPORT位置上进行晶圆盒1开门前氮气吹扫，防止杂质颗粒附着晶圆盒1内的晶圆11上；
步骤S5：如图4中⑤所示，待晶圆盒1关门后利用机械手臂将晶圆盒1传送至晶圆盒缓存系统；如图4中⑥所示，将晶圆盒1放置在设备内晶圆盒缓存系统，开启氮气缓冲系统，监测氧气流量；
步骤S6：如图4中⑦所示，利用机械手臂将晶圆盒1从晶圆盒缓存系统传送至取片装载(FIMSPORT)位置；
步骤S7：如图4中⑧所示，晶圆盒1在FIMSPORT位置进行氮气吹扫净化，防止杂质颗粒附着；
步骤S8：如图4中⑨所示，在扩散炉管内对晶圆11表面进行导电多晶硅触点的扩散生成处理。具体的，可以进行晶圆氧化制程，对晶圆11进行氧化。
上述的图4为采用本发明实施例提供的一种导电多晶硅触点的扩散生成方法后其中一个晶圆盒1中的氧气浓度曲线图。如图4中⑥所示，实施本发明后，晶圆盒1内氧气浓度停止增加，反而急剧下降，直到稳定在很低的浓度。结合图6可以发现，采用本发明实施例提供的一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，在金属12和多晶硅9的下方形成较薄的自然氧化层10，在步骤S5中氧气浓度大大降低，硅常温和氧气反应(Si+O2→SiO2)生成的自然氧化层10大大变薄降低了接触电阻。本发明改善了晶圆11环境，减少了自然氧化层10的形成，从而使接触电阻减小。自然氧化层10的上方为多晶硅9，自然氧化层10的下方为硅，自然氧化层10的下方还可以为多晶硅9。
实施例2
本实施例提供一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，其中气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统(如图1、图2、图3所示)，晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒1并包括氮气通入装置、氧气监测装置8及气体排出装置，氮气通入装置中设有与晶圆盒1连通的进气管道2及与所述进气管道2连接的气动调节阀13，在进气管道2上可以设有质量流量控制器4或者设有流量计用以控制气体通入的流量，保证晶圆盒1内部的氮气通入量在要求的范围之内。保持晶圆盒1内部呈负压状态，当晶圆盒1放置于晶圆盒缓存系统内的缓存位置时，气体自动通过进气管道2通入晶圆盒1，在进气管道2中通入的气体可以包括氮气，氮气流量介于10slm～500slm，在该流量范围内，晶圆盒1内部气体浓度更易于分析和控制。
气体排出装置包括与晶圆盒1连通的排气管道3，在排气管道3上设有分支排气管道5，在分支排气管道5上设有取样管道6，在取样管道6上设有取样阀7，取样阀7的数量为3个～10个，单次取样过程中仅有一个取样阀7呈开启状态，其它取样阀7呈关闭状态。
图5表示取样阀7的工作原理图，以三个晶圆盒1及三个取样阀7为例，但本发明不限于三个取样阀7，取样阀A代表晶圆盒A的取样阀7，取样阀B代表晶圆盒B的取样阀7，取样阀C代表晶圆盒C的取样阀7，“1”表示开启，“0”表示关闭，每个晶圆盒1取样时间为1秒～30秒。取样阀7取样之后由氧气监测装置8进行监测分析，氧气监测装置8设置于分支排气管道5上，通过对晶圆盒1的排气进行采样分析，分别对各晶圆盒1内的氧气浓度进行监测。氧气监测装置8的取样频率介于1秒/次～30秒/次。
分支排气管道5的末端设置于排气管道3上，分支排气管道5的末端与排气管道3连通，分支排气管道5中的气体最终汇集到排气管道3中排出。在本实施例中通过在扩散炉管内设置晶圆盒缓存系统，有效降低了晶圆盒1在晶圆盒缓存系统存放时内部的氧气浓度，同时通过氧气监测装置8和质量流量控制器4等装置，对晶圆盒1内部的氧气、氮气等气体浓度和流量进行实时监控和调整，有效保证晶圆11在晶圆盒缓存系统存放时氧气浓度保持较低水平，减少了自然氧化层10的形成，避免了过高的接触电阻，大大提高了器件性能。
综上，本发明提供了一种导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备，本发明通过使用对晶圆盒1氮气吹扫的方法，降低制程前的环境氧气浓度，氧气监测装置8按照一定的频率，对晶圆盒1的排气进行采样分析，对各晶圆盒1内的氧气浓度进行监测，大大降低了氧化层的形成几率。本发明提供的设备由简单的晶圆盒1临时存储改进为带有对晶圆盒1内进行氮气吹扫和氧气监控的缓存系统。新的缓存系统克服了制程过程中晶圆盒1内氧气环境最恶劣和产生较厚自然氧化层10的弊端。通过对晶圆盒1内氮气吹扫来使得晶圆自然氧化层10更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。
以上仅为本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些均属于本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，包括：提供一扩散炉管，在所述扩散炉管内设置一晶圆盒缓存系统；以及，晶圆盒经由所述晶圆盒缓存系统装载至所述扩散炉管内的缓存过程；所述晶圆盒缓存过程包括如下步骤：
通入氮气的步骤：所述晶圆盒内载入有晶圆，所述晶圆盒置于晶圆盒缓存系统内，所述晶圆盒缓存系统上设有气动调节阀及与所述气动调节阀连接的进气管道，将所述晶圆盒内部调整为负压状态，打开所述气动调节阀后，所述进气管道自动从所述晶圆盒底部向所述晶圆盒内部通入缓冲气体；
排出气体的步骤：所述晶圆盒缓存系统的气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述晶圆盒内的气体通过所述排气管道排出；
监测氧气的步骤：所述晶圆盒缓存系统的氧气监测装置取样测取所述排气管道内的氧气浓度。
2.根据权利要求1所述的导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，所述晶圆盒缓存系统在通入氮气的步骤令所述晶圆的表面在所述扩散炉管内与氧化剂减少发生生成一层二氧化硅膜的氧化反应，在所述扩散炉管的炉体加热系统中所述晶圆上生成的多晶硅具有导电作用且和底层部分电学相连或全部电学相连。
3.根据权利要求1所述的导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，在通入氮气的步骤中，打开所述气动调节阀后，所述进气管道自动从所述晶圆盒底部向所述晶圆盒内部通入氮气，所述进气管道内的氮气流量由设置在所述进气管道上的质量流量控制器或流量计控制，所述氮气流量介于10slm～500slm。
4.根据权利要求1所述的导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，在排出气体的步骤中，在所述排气管道上设有分支排气管道，所述晶圆盒内的气体通过所述分支排气管道汇集到所述排气管道排出。
5.根据权利要求1所述的导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，在监测氧气的步骤中，在所述分支排气管道连通有取样管道，在所述取样管道上设有取样阀，开启所述取样阀后，所述分支排气管道内的部分气体进入所述取样管道，所述取样阀的数量为3个～10个。
6.根据权利要求5所述的导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，在监测氧气的步骤中，在所述取样管道上设有所述氧气监测装置，开启所述取样阀后，所述氧气监测装置检测所述取样管道内的氧气浓度，取样频率介于1秒/次～30秒/次，单次取样过程中仅有一个所述取样阀呈开启状态，其它所述取样阀呈关闭状态。
7.一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，包括：
步骤S1：对所述晶圆盒进行氧化前预清洁，去除附在所述晶圆盒上的杂质；
步骤S2：将所述晶圆盒放置在氮气吹扫台上，通过喷吹氮气去除杂质颗粒；
步骤S3：利用机械手臂将所述晶圆盒从氮气吹扫台上抓取到扩散炉管设备内的取片装载位置；
步骤S4：所述晶圆盒在扩散炉管内的取片装载位置上进行晶圆盒开门前氮气吹扫，防止杂质颗粒附着到所述晶圆盒内的晶圆上；
步骤S5：待所述晶圆盒关门后，利用机械手臂将所述晶圆盒传送至所述晶圆盒缓存系统；
步骤S6：利用机械手臂将所述晶圆盒从所述晶圆盒缓存系统传送至取片装载位置，步骤S5～S6包括如权利要求1所述的缓存过程；步骤S7：所述晶圆盒在取片装载位置进行氮气吹扫净化，防止杂质颗粒附着；
步骤S8：在所述扩散炉管内对所述晶圆表面进行导电多晶硅触点的扩散生成处理。
8.一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，所述扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，其特征在于，所述气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，所述晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，所述氮气通入装置中设有与所述晶圆盒连通的进气管道及与所述进气管道连接的气动调节阀，所述气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。
9.根据权利要求8所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，在所述进气管道上设有质量流量控制器或流量计。
10.根据权利要求8所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，在所述排气管道上设有分支排气管道，在所述分支排气管道上连通有取样管道，在所述取样管道上设有取样阀，所述取样阀的数量为3个～10个。
11.根据权利要求10所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，在单次取样过程中仅有一个所述取样阀呈开启状态，其它所述取样阀呈关闭状态。
12.根据权利要求10所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，所述氧气监测装置设置于所述分支排气管道上，所述氧气监测装置的取样频率介于1秒/次～30秒/次。
13.根据权利要求10所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，所述分支排气管道的末端设置于所述排气管道上，所述分支排气管道的末端与所述排气管道连通。
14.根据权利要求8所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，所述进气管道向所述晶圆盒中通入的缓冲气体包括氮气，所述氮气流量介于10slm～500slm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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| CN110444496A true CN110444496A (zh) | 2019-11-12 |
Family
ID=68427157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810423475.XA Pending CN110444496A (zh) | 2018-05-06 | 2018-05-06 | 导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN110444496A (zh) |
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