TW201517196A - 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法以及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明，係以藉由對於基板收容器內適宜供給惰性氣體來將起因於基板收容器內之氣體氛圍改變所導致的對於晶圓之影響減輕一事，作為目的。 係提供一種基板處理裝置(100)，其係具備有：清洗機構，係被設置在配置基板收容器(110)之載置部(114)以及收容棚(105)中的至少其中一者處，並供給惰性氣體；和監視部，係對於經由前述清洗機構所供給至前述基板收容器(110)處之惰性氣體之流量和預先所設定的基準值作比較，並輸出代表比較後的結果之訊號；和管理部，係因應於從前述監視部所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器(110)之使用進行管理。

Description

基板處理裝置及半導體裝置的製造方法以及記錄媒體
本發明，係有關於在基板處理裝置及半導體裝置的製造方法以及記錄媒體中的關連於收容基板之基板收容器者。
於先前技術中，身為基板處理裝置之其中一種的半導體製造裝置，係作為DRAM或IC等之元件的製造工程之其中一個工程，而實施有基於被定義有處理條件以及處理程序之配方(製程配方)來對於基板(以下，稱作晶圓)進行處理之基板處理工程。在此種基板處理裝置中，係在將複數之晶圓移載至基板保持具(以下，稱作晶舟)處的狀態下，而裝入至處理爐內，並施加特定之處理。於此情況，在被設置於處理爐之下部的移載室中，由於係於將晶圓移載至了晶舟處的狀態下而等待處理之開始以及結束，因此會有起因於大氣中之氧(O2)而導致對於熱處理前或熱處理後之晶圓造成影響的情況。因此，係設置將移載室內置換為N2之機構，並以將O2濃度降低至特定值的方式來進行管理。
在此半導體製造裝置中，成為處理對象之基板，係被收容在作為基板收容器之FOUP(front opening unified pod)內，並被搬入至載置部(以下，稱作裝載埠)。當使用有FOUP的情況時，由於晶圓係成為在被作了密閉的狀態下而進行搬送，因此，就算是在周圍之氣體氛圍中存在有粒子等，也能夠維持晶圓之清淨度。
然而，作為基板收容器之FOUP，雖然乃身為密閉容器，但是由於係並不具備有能夠完全防止外氣之流入流出的性能，因此，就算是當裝置搬入時乃身為理想狀態(例如，特定之O2濃度以下)，在直到裝置搬出為止，也會隨著時間的經過而使氧(O2)濃度上升。因此，為了將FOUP內之O2濃度保持為一定，在FOUP為被配置於裝置內的期間中，係有必要實施由N2氣體所進行之清洗處理。例如，若依據專利文獻1，則係揭示有下述之構成：亦即是，當FOUP為被載置於卡匣棚處時，係供給惰性氣體。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-340641號公報
本發明，係以藉由對於被供給至基板收容器 內之惰性氣體的流量進行監視來將起因於基板收容器內之氣體氛圍改變所導致的對於基板之影響減輕一事，作為目的。
若依據本發明之其中一種形態，則係提供一種基板處理裝置，其特徵為，係具備有：氣體供給部，係被設置在配置基板收容器之載置部以及收容部中的至少其中一者處，並用以供給特定之氣體；和監視部，係對於經由前述氣體供給部所供給至前述基板收容器處之前述特定之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較，並輸出代表比較後的結果之訊號；和管理部，係因應於從前述監視部所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行管理。
本發明之其他形態，係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，係具備有：從被設置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之氣體供給部來將特定之氣體對於基板收容器作供給之工程；和對於經由前述氣體供給部所供給至前述基板收容器處之前述特定之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較，並輸出代表比較後的結果之訊號之工程；和因應於前述所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行管理之工程；和將使前述搬送狀態被作了管理的前述基板收容器之基板搬送至處理室處並進行處理之工程。
本發明之又一其他形態，係提供一種記錄媒體，其係為記錄有流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，該流量監視程式，係使電腦實行：對於被配置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之基板收容器供給氣體之程序；和對於被供給至前述基板收容器處之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較之程序；和輸出代表前述比較後的結果之訊號之程序；和因應於前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行指定之程序。
若依據本發明之基板處理裝置，則在從基板收容器被搬入至裝置內時起直到被搬出至裝置外為止的期間中，藉由對於被供給至前述基板收容器內之惰性氣體的流量進行監視，起因於前述基板收容器內之氣體氛圍改變所導致的對於基板之影響係被抑制為低。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
500‧‧‧處理裝置
[圖1]係為本發明之其中一種實施形態的基板處理系統之概略構成圖。
[圖2]係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之立體透視圖。
[圖3]係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之側面透視圖。
[圖4]係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之處理爐之縱剖面圖。
[圖5]係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之控制器構成圖。
[圖6]係為對於當將基板收容器搬入至本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置內時之清洗設定處理作展示之圖。
[圖7]係為對於在本發明之其中一種實施形態的基板收容容器之動作(Pick動作)中的惰性氣體停止時序作展示之圖。
[圖8]係為對於在本發明之其中一種實施形態的基板收容容器之動作(Place動作)中的惰性氣體供給時序作展示之圖。
[圖9]係為對於在本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之裝載埠上的基板收容器之搬出動作中的惰性氣體停止時序作展示之圖。
[圖10]係為針對本發明之其中一種實施形態的對於基板收容容器內之N2氣體供給量進行監視的處理作展示之圖。
[圖11]係為針對本發明之其中一種實施形態的對於基板收容容器內之N2氣體供給量進行監視的處理作展示之圖。
[圖12]係為針對本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置內之對於收容棚(或者是載置部)的禁止指定作展 示之圖。
[圖13]係為針對本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置內之對於收容棚以及載置部的搬入禁止決定處理作展示之圖。
[圖14]係為用以針對本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置內之對於被載置在收容棚以及載置部處的基板收容器內而供給惰性氣體之氣體供給部作說明之圖。
〈本發明之其中一種實施形態〉
以下，針對本發明之其中一種實施形態作說明。
(1)基板處理系統之構成
首先，使用圖1，針對本發明之其中一種實施形態的基板處理系統之構成作說明。圖1，係為本發明之其中一種實施形態的基板處理系統之概略構成圖。
如圖1中所示一般，本實施形態之基板處理系統，係具備有至少一台之基板處理裝置100、和以能夠與此基板處理裝置100進行資料交換的方式而作了連接的群管理裝置500。基板處理裝置100，係構成為基於被定義有處理程序以及處理條件之配方來進行處理製程。基板處理裝置100和群管理裝置500之間，例如係藉由設施內線路(LAN)或廣域線路(WAN)等的網路400而被作連 接。
(2)基板處理裝置之構成
接著，參考圖2、圖3，針對本實施形態之基板處理裝置100的構成作說明。圖2，係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之立體透視圖。圖3，係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之側面透視圖。另外，本實施形態之基板處理裝置100，例如係作為對於晶圓等之基板進行氧化、擴散處理、CVD處理等的縱型之裝置而構成之。
如圖2、圖3中所示一般，本實施形態之基板處理裝置100，係具備有作為耐壓容器而構成之框體111。在框體111之正面壁111a的正面前方部處，係被開設有以能夠進行維修的方式所設置之作為開口部之正面維修口103。在正面維修口103處，係作為將正面維修口103作開閉之進入機構，而設置有一對的正面維修扉104。收容有矽等之晶圓(基板)200之盒(基板收容器)110，係作為對於框體111內外而搬送晶圓200之載體而被使用。
在框體111之正面壁111a處，係以使框體111內外相互通連的方式，而開設有盒搬入搬出口(基板收容器搬入搬出口)112。盒搬入搬出口112，係成為藉由前閘門(基板收容器搬入搬出口開閉機構)113而被作開閉。在盒搬入搬出口112之正面前方側處，係作為載置 部而設置有裝載埠(基板收容器授受台)114。在裝載埠114上，係構成為將盒110作載置並且進行對位。盒110，係構成為藉由OHT(Overhead Hoist Transport)等之工程內搬送裝置(未圖示)而被搬送至裝載埠114上。
在框體111內之前後方向的略中央部處之上部，係被設置有作為收容部之旋轉式盒棚(基板收容器載置部)105。在旋轉式盒棚105上，係構成為保管有複數個的盒110。旋轉式盒棚105，係具備有被垂直地立起設置並且在水平面內而間歇性地旋轉之支柱116、和於支柱116處而在上中下段之各位置處被以輻射狀而作支持之複數枚之棚板(基板收容器載置台)117。複數枚之棚板117，係構成為將盒110以分別作複數個之載置的狀態下來作保持。
在框體111內之裝載埠114和旋轉式盒棚105之間，係被設置有作為第1搬送機構之盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118。盒搬送裝置118，係藉由能夠在保持有盒110的狀態下而進行升降之盒升降機(基板收容器升降機構)118a、和作為搬送機構之盒搬送機構(基板收容器搬送機構)118b，而構成之。盒搬送裝置118，係構成為藉由盒升降機118a和盒搬送機構118b之連續動作，而在裝載埠114、旋轉式盒棚105、盒開啟機(基板收容器蓋體開閉機構)121之間，將盒110相互作搬送。
在框體111內之下部，係從框體111內之前後方向的略中央部起一直涵蓋至後端地而設置有副框體 119。在副框體119之正面壁119a處，係於垂直方向上作上下二段之並排地而設置有將晶圓200在副框體119內外作搬送之一對的晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)120。在上下段之晶圓搬入搬出口120處，係分別被設置有盒開啟機121。
各盒開啟機121，係具備有載置盒110之一對的載置台122、和將盒110之帽(蓋體)作裝卸之帽裝卸機構(蓋體裝卸機構)123。盒開啟機121，係構成為藉由以帽裝卸機構123來對於被載置在載置台122上之載置盒110的帽進行裝卸，來將盒110之晶圓進出口作開閉。
在副框體119內，係構成有與被設置有盒搬送裝置118和旋轉式盒棚105等之空間作了流體性隔離之移載室124。在移載室124之前側區域處，係被設置有晶圓移載機構(基板移載機構)125。晶圓移載機構125，係藉由使晶圓200能夠在水平方向上進行旋轉乃至於直線運動之晶圓移載裝置(基板移載裝置)125a、和使晶圓移載裝置125a進行升降之晶圓移載裝置升降機(基板移載裝置升降機構)125b，而構成之。如圖2中所示一般，晶圓移載裝置升降機125b，係被設置在副框體119之移載室124的前方區域右端部和框體111右側之端部之間。晶圓移載裝置125a，係具備有作為晶圓200之載置部的鉗子(基板保持體)125c。藉由此些之晶圓移載裝置升降機125b以及晶圓移載裝置125a之連續動作，而構成為能夠將晶圓200對於晶舟(基板保持具)217進行裝填 (charging)以及卸下(discharging)。
在移載室124之後側區域處，係構成有收容晶舟217並使其待機之待機部126。在待機部126之上方，係被設置有處理爐202。處理爐202之下端部，係構成為藉由爐口閘門(爐口開閉機構)147來作開閉。
如圖2中所示一般，在副框體119之待機部126右端部和框體111右側端部之間，係被設置有使晶舟217升降之晶舟升降機(基板保持具升降機構)115。在晶舟升降機115之升降台處，係連結有作為連結具之臂128。在臂128處，係水平地安裝有作為蓋體之密封帽219。密封帽219，係將晶舟217垂直地作支持，並構成為能夠將處理爐202之下端部閉塞。
主要係藉由旋轉式盒棚105、晶舟升降機115、盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟127以及後述之旋轉機構254，而構成本實施形態之基板搬送系。此些之旋轉式盒棚105、晶舟升降機115、盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟127以及旋轉機構254，係被與搬送控制器11作電性連接。
晶舟217係具備有複數根的保持構件。晶舟217，係構成為將複數枚(例如，50枚~125枚程度)之晶圓200，以使該些之中心相互對齊地而在垂直方向上作了整列的狀態下，來分別水平地作保持。
如圖2中所示一般，在移載室124的身為與晶圓移載裝置升降機125b側以及晶舟升降機115側相反側之左側端部處，係被設置有清淨單元134。清淨單元134，係以供給作了清淨化的氣體氛圍或者是身為惰性氣體之清淨空氣133的方式，而藉由供給扇以及防塵濾網來構成之。在晶圓移載裝置125a和清淨單元134之間，係被設置有作為使晶圓之圓周方向的位置作整合之基板整合裝置的缺口對位裝置(未圖示)。
從清淨單元134所吹出之清淨空氣133，係構成為：在於未圖示之缺口對位裝置、晶圓移載裝置125a、位於待機部126處之晶舟217的周圍而流通之後，被未圖示之導管所吸入並被排氣至框體111之外部，或者是一直循環至身為清淨單元134之吸入側的一次側(供給側)處並藉由清淨單元134來再度吹出至移載室124內。
另外，在框體111、副框體119之外周，係被安裝有作為對於基板處理裝置100內之進入機構的未圖示之複數之裝置罩蓋。此些之裝置罩蓋，在進行維修作業時係被卸下，維修人員係成為能夠進入至基板處理裝置100內。在與此些之裝置罩蓋相對的框體111、副框體119之端部處，係被設置有作為進入感測器之門開關130。又，在與正面維修扉104相對的框體111之端部處，亦係作為進入感測器而被設置有門開關130。又，在裝載埠114上，係被設置有檢測出盒110之載置的基板偵測感測器140。此些之門開關130以及基板偵測感測器140等的開 關、感測器類15，係被與後述之基板處理裝置用控制器240作電性連接。
(3)基板處理裝置之動作
接著，參考圖2、圖3，針對本實施形態之基板處理裝置100的動作作說明。
如圖2、圖3中所示一般，若是盒110藉由工程內搬送裝置(未圖示)而被供給至裝載埠114處，則係藉由基板偵測感測器140而偵測出盒110，盒搬入搬出口112係藉由前閘門113而被開放。之後，裝載埠114上之盒110，係藉由盒搬送裝置118而被從盒搬入搬出口112來搬入至框體111內部。
被搬入至框體111內部之盒110，係藉由盒搬送裝置118而被自動地搬送至旋轉式盒棚105之棚板117上，並被暫時性地作保管。之後，盒110，係從棚板117上而被移載至其中一方之盒開啟機121的載置台122上。另外，被搬入至框體111內部之盒110，係亦可藉由盒搬送裝置118而直接地移載至盒開啟機121之載置台122上。此時，盒開啟機121之晶圓搬入搬出口120，係藉由帽裝卸機構123而被關閉，在移載室124內，係流通並充滿有清淨氣體133。例如，藉由在移載室124內作為清淨氣體133而使氮氣充滿，移載室124內之氧濃度係成為例如20ppm以下，而被設定為遠低於身為大氣氛圍之框體111內的氧濃度者。
被載置在載置台122上之盒110，係使其之開口側端面被推壓附著於副框體119之正面壁119a處的晶圓搬入搬出口120之開口緣邊部，並且藉由帽裝卸機構123來將其之帽卸下，而使晶圓進出口開放。之後，晶圓200，係藉由晶圓移載裝置125a之鉗子125c而通過晶圓進出口來從盒110內而拾起，並在藉由缺口對位裝置來使方位被作了整合之後，被搬入至位在移載室124之後方的待機部126內，再被裝填(charging)至晶舟217內。將晶圓200裝填至晶舟217內之後的晶圓移載裝置125a，係回到盒110處，並將下一個晶圓200裝填至晶舟217內。
在此其中一方(上段或下段)之盒開啟機121處的由晶圓移載機構125所進行之晶圓200之對於晶舟217的裝填作業中，其他的盒110係從旋轉室盒棚105上而藉由盒搬送裝置118來搬送並移載至另外一方(下段或上段)之盒開啟機121的載置台122上，由盒開啟機121所進行之盒110之開放作業係被同時進行。
若是預先所指定了的枚數之晶圓200被裝填至晶舟217內，則藉由爐口閘門147而被作了關閉的處理爐202之下端部，係藉由爐口閘門147而被開放。接著，將晶圓200群作了保持的晶舟217，係藉由以晶舟升降機115來使密封帽219上升，而被搬入(裝載)至處理爐202內。
在裝載後，於處理爐202內係對於晶圓200 而實施任意之處理。在處理後，除了在缺口對位裝置135處之晶圓的整合工程以外，係藉由以上述之程序略相反的程序，來將收容有處理後之晶圓200的晶舟217從處理室201內搬出，並將收容有處理後之晶圓200的盒110搬出至框體111外。
(4)處理爐之構成
接著，使用圖4，針對本實施形態之處理爐202的構成作說明。圖4，係為本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置100之處理爐202之縱剖面圖。
如同圖4中所示一般，處理爐202，係具備有作為反應管之製程管203。製程管203，係具備有作為內部反應管之內管204、和被設置於其外側處之作為外部反應管之外管205。內管204，例如係藉由石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等之耐熱性材料所構成。內管204，係被形成為使上端以及下端作了開口的圓筒形狀。在內管204內之筒中空部處，係被形成有對於作為基板之晶圓200進行處理的處理室201。處理室201內，係構成為能夠收容後述之晶舟217。外管205，係與內管204成同心圓狀地而被設置。外管205，係被形成為內徑為較內管204之外徑更大並且使上端閉塞而使下端作了開口的圓筒形狀。外管205，例如係藉由石英或碳化矽等之耐熱性材料所構成。
在製程管203之外側，係以包圍製程管203 之側壁面的方式，而被設置有作為加熱機構之加熱器206。加熱器206，係構成為圓筒形狀。加熱器206，係藉由被作為保持板之加熱器基底251所支持，而被垂直地安裝。
在外管205之下方，係以與外管205成同心圓狀的方式，而配設有歧管209。歧管209，例如係藉由不鏽鋼等所構成。歧管209，係被形成為使上端以及下端作了開口的圓筒形狀。歧管209，係分別與內管204之下端部和外管205之下端部作卡合。歧管209，係以支持內管204之下端部和外管205之下端部的方式，而被設置。另外，在歧管209和外管205之間，係被設置有作為密封構件之O型環220a。藉由使歧管209被加熱器基底251所支持，製程管203係成為被被垂直地作了安裝的狀態。藉由製程管203和歧管209，而形成反應容器。
在後述之密封帽219處，係以與處理室201內相通連的方式而被連接有作為氣體導入部之處理氣體噴嘴230a以及清洗氣體噴嘴230b。在處理氣體噴嘴230a處，係被連接有處理氣體供給管232a。在處理氣體供給管232之上游側(與處理氣體噴嘴230a間之連接側相反之側)處，係經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流控制器)241a，而被連接有未圖示之處理氣體供給源等。又，在清洗氣體噴嘴230b處，係被連接有清洗氣體供給管232b。在清洗氣體供給管232b之上游側(與清洗氣體噴嘴230b間之連接側相反之側)處，係經由作為氣體流 量控制器之MFC(質量流控制器)241b，而被連接有未圖示之清洗氣體供給源等。
主要係藉由處理氣體供給源(未圖示)、和MFC241a、和處理氣體供給管232a、以及處理氣體噴嘴230a，而構成本實施形態之處理氣體供給系。主要係藉由清洗氣體供給源(未圖示)、和MFC241b、和清洗氣體供給管232b、以及清洗氣體噴嘴230b，而構成本實施形態之清洗氣體供給系。主要係藉由處理氣體供給系以及清洗氣體供給系，而構成本實施形態之氣體供給系。在MFC241a、241b處，係被電性連接有氣體供給控制器14。又，作為監視部之氣體供給控制器14，係被與後述之清洗機構作連接，並構成為對於在基板收容器110內之清洗用之惰性氣體供給量作監視。
在歧管209處，係被設置有將處理室201之氣體氛圍作排氣的排氣管231。排氣管231，係被配置在藉由內管204和外管205間之空隙所形成的筒狀空間250之下端部處。排氣管231，係與筒狀空間250相通連。在排氣管231之下游側(與歧管209間之連接側的相反側)處，係從上游側起，而依序連接有作為壓力檢測器之壓力感測器245、例如作為APC(Auto Pressure Controller)而構成之壓力調整裝置242、真空幫浦等之真空排氣裝置246。主要係藉由排氣管231、壓力感測器245、壓力調整裝置242以及真空排氣裝置246，而構成本實施形態之氣體排氣機構。在壓力調整裝置242以及壓力感測器245 處，係被電性連接有壓力控制器13。
在歧管209之下方，係被設置有作為能夠將歧管209之下端開口氣密地作閉塞的爐口蓋體之密封帽219。密閉帽219，係成為從垂直方向下側起而與歧管209之下端相抵接。密封帽219，例如係藉由不鏽鋼等之金屬所構成。密封帽219，係被形成為圓盤狀。在密封帽219之上面，係被設置有與歧管209之下端相抵接的作為密封構件之O形環220b。
在密封帽219之中心部附近的與處理室201相反側處，係被設置有使晶舟旋轉之旋轉機構254。旋轉機構254之旋轉軸255，係貫通密封帽219並從下方而支持晶舟217。旋轉機構254，係構成為能夠藉由使晶舟217旋轉來使晶圓200旋轉。
密封帽219，係構成為藉由被垂直地設置於製程管203之外部的作為基板保持具升降機構之晶舟升降機115，而在垂直方向上作升降。藉由使密封帽219進行升降，而構成為能夠將晶舟217朝向處理室201內外作搬送。在旋轉機構254以及晶舟升降機115處，係被電性連接有搬送控制器11。
如同上述一般，作為基板保持具之晶舟217，係構成為將複數枚之晶圓200，以水平姿勢且使中心相互對齊的狀態來作整列，並作多段保持。晶舟217，例如係藉由石英或碳化矽等之耐熱性材料所構成。在晶舟217之下部，作為絕熱構件之絕熱板216，係以水平姿勢而多段 地作複數枚配置。絕熱板216，係被形成為圓板形狀。絕熱板216，例如係藉由石英或碳化矽等之耐熱性材料所構成。絕熱板216，係構成為使從加熱器206而來之熱難以被傳導至歧管209側。
在製程管203內，係被設置有作為溫度檢測器之溫度感測器263。主要係藉由加熱器206以及溫度感測器263，而構成本實施形態之加熱機構。在此些之加熱器206和溫度感測器263處，係被電性連接有溫度控制器12。
主要係藉由氣體排氣機構和氣體供給系以及加熱機構，而構成本實施形態之基板處理系。
(5)處理爐之動作
接著，作為半導體元件之製造工程的其中一個工程，針對使用上述構成之處理爐202來藉由CVD法而在晶圓200上形成薄膜的方法，參考圖4來作說明。另外，在以下之說明中，構成基板處理裝置100之各部分的動作，係藉由基板處理裝置用控制器240而被控制。
若是複數枚之晶圓200被裝填(charging)至晶舟217中，則如同圖4中所示一般，將複數枚之晶圓200作了保持的晶舟217，係藉由晶舟升降機115而被舉升，並被搬入(晶舟裝載)至處理室201內。在此狀態下，密封帽219係成為隔著O形環220b而將歧管209之下端作了密封的狀態。
以使處理室201內成為所期望之壓力(真空度)的方式，而藉由真空排氣裝置246來進行真空排氣。此時，基於壓力感測器245所測定出的壓力值，壓力調整裝置(242)之閥的開度係被作反饋控制。又，以使處理室201內成為所期望之溫度的方式，而藉由加熱器206來進行加熱。此時，基於溫度感測器263所檢測出的溫度值，對於加熱器206之通電量係被作反饋控制。接著，藉由旋轉機構254，而使晶舟217以及晶圓200旋轉。
接著，藉由處理氣體供給源所供給而來並藉由MFC241a而被控制為會成為所期望之流量的處理氣體，係在氣體供給管232a內流通，並從噴嘴230a而被導入至處理室201內。被導入了的處理氣體，係在處理室201內上升，並從內管204之上端開口而流出至筒狀空間250內，再從排氣管231而被排氣。氣體，在通過處理室201內時，係與晶圓200之表面相接觸，此時，藉由熱CVD反應，在晶圓200之表面上係被堆積(沈積)有薄膜。
若是經過預先所設定了的處理時間，則從清洗氣體供給源所供給而來並藉由MFC241b而被控制為會成為所期望之流量的清洗氣體，係被供給至處理室201內，處理室201內係被置換為惰性氣體，並且處理室201內之壓力係回復為常壓。
之後，藉由晶舟升降機115來使密封帽219下降，而使歧管209之下端開口，並且使將完成處理之晶 圓200作保持的晶舟217從歧管209之下端來搬出(晶舟卸載)至製程管203之外部。之後，完成處理之晶圓200，係被從晶舟217而取出，並被收容於盒110內(晶圓卸載)。
(6)基板處理裝置用控制器之構成 (基板處理裝置用控制器)
以下，參考圖5，針對作為基板處理裝置用控制器之控制裝置240進行說明。
該控制裝置240，主要係由CPU等之演算控制部25、和作為處理控制器之處理控制部20、和作為搬送控制器11之搬送控制部27、和由記憶體或HDD等所成之記憶部28、和滑鼠或鍵盤等之輸入部29、以及螢幕等之顯示部31，而構成之。另外，係藉由前述演算控制部25和前述記憶部28和前述輸入部29以及前述顯示部31，而構成能夠對於各資料進行設定之操作部。
CPU(Central Processing Unit)25，係構成基板處理裝置用控制器240之中樞，並實行被記憶在未圖示之ROM中的控制程式，且依據從顯示部31而來之指示，而實行被記憶在亦構成配方記憶部之記憶部28中的配方(例如，作為基板處理配方之製程用配方等)。ROM，係由EEPROM、快閃記憶體、硬碟等所構成，並身為將CPU25之動作程式等作記憶之記錄媒體。記憶體(RAM)，係作為CPU25之工作區域(暫時記憶部)等 而起作用。
於此，基板處理配方，係為被定義有對於晶圓200進行處理之處理條件或處理程序等的配方。又，在配方檔案中，係於基板處理之每一步驟中，分別設定有送訊至搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、氣體供給控制器14等處的設定值(控制值)和送訊時序等。
又，本發明之實施形態之基板處理裝置用控制器240，係並不依存於專用之系統，而可使用通常之電腦系統來實現之。例如，係可藉由對於汎用之電腦，而從儲存有用以實行上述之處理的控制程式之外部記錄媒體(軟碟、CD-ROM、USB、外接HDD等)來將控制程式作安裝，而構成實行上述之處理的基板處理裝置用控制器240。
又，用以供給此些之程式的手段，係可為任意之手段。除了能夠如同上述一般而經由特定之記錄媒體來進行供給之外，例如，亦可經由通訊線路、通訊網路、通訊系統等來作供給。於此情況，例如，係亦可在通訊網路之公告欄處揭示該程式，並經由網路來重疊於傳播波而作提供。之後，藉由啟動如此這般所被提供之程式，並在OS之控制下而與其他之應用程式同樣的來實行，係能夠實行上述之處理。
前述處理控制部20，係具備有對於被裝載置前述處理爐201內之晶圓200，而以進行特定之處理的方 式來對於前述處理爐201內之溫度和壓力、被導入至該處理爐201內之處理氣體之流量等作控制的功能。
前述搬送控制部27，係具備有經由未圖示之驅動馬達來對於前述盒搬送裝置105、前述晶圓移載機構125、前述晶舟升降機115等之搬送機構的驅動作控制之功能。
在前述記憶部28中，係被形成有儲存各種資料之資料儲存區域32、和儲存各種程式之程式儲存區域33。
前述資料儲存區域32，係儲存有關連於前述配方檔案之各種的參數。又，係儲存有：當將前述盒110搬入至前述框體111內時或者是當將前述盒110搬出至前述框體111外時的在作為I/O平台之載置台114上的授受位置之資訊和在使作為載體裝載機之前述盒搬送裝置118移動至授受位置處時的動作順序以及在從授受位置而使載體裝載機118移動時之動作順序等的資訊。又，在前述資料儲存區域32中，係成為儲存有載體資訊，該載體資訊，係至少包含身為對於各盒110之每一者進行辨識的資訊之載體ID和盒110內之晶圓200之種類資訊。
在前述程式儲存區域33中，係被儲存有為了進行前述卡匣3之搬入、搬出所需要的各種程式。例如，係儲存有：除了盒110之移動中以外，而適宜對於盒110內供給惰性氣體(例如，N2氣體)之氣體供給程式34、和在實行氣體供給程式34時而對於盒110內之氣體供給 量作監視之流量監視程式35等的程式。又，流量監視程式35，係構成為被分類成第1流量監視程式和第2流量監視程式並儲存在前述程式儲存區域33中。另外，在實行氣體供給程式34、流量監視程式35時所產生的各種資料，係構成為被儲存在前述資料儲存區域32中。例如，在前述資料儲存區域32中，係儲存有對於在從存在有清洗指定之盒110被搬入至基板處理裝置100內起直到被搬出為止的期間中而被供給至盒110內之惰性氣體流量與時間之間的關係作展示之資料，並更進而儲存有身為對於惰性氣體供給量和特定之基準值作了比較後的結果之比較結果訊號(比較結果資訊)、例如當惰性氣體供給量成為特定之基準值以下時的代表流量異常之警報訊號(警報資訊)、當惰性氣體供給量乃身為特定之基準值以下的狀態在持續特定期間之前而成為特定之基準值以上時的代表從流量異常而回復之警報回復訊號(異常回復資訊)、以及代表當基準值以下之狀態持續了特定期間時所指定的異常(異常FOUP指定之有無)的異常指定訊號(異常指定資訊)、該異常(異常FOUP指定之有無)資訊之履歷資訊、代表從異常FOUP指定而有所回復的指定解除訊號(指定解除資訊)等的資料。
在基板處理裝置用控制器240之顯示部31處，係設置有觸控面板。觸控面板，係以顯示接收對於上述之基板搬送系、基板處理系之操作指令的輸入之操作畫面的方式，而構成之。該操作畫面，係具備有用以對於基 板搬送系和基板處理系之狀態作確認或者是用以輸入對於基板搬送系和基板處理系之動作指示的各種顯示欄以及操作鍵。另外，操作部，係如同個人電腦或行動終端等之操作終端(終端裝置)一般地，只要身為至少包含有顯示部31和輸入部29之構成即可。
搬送控制器11，係以對於構成基板搬送系之旋轉式盒棚105、晶舟升降機115、盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217以及旋轉機構254之搬送動作分別進行控制的方式，而構成之。又，雖並未圖示，但是，在構成基板搬送系之旋轉式盒棚105、晶舟升降機115、盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217以及旋轉機構254中，係分別內藏有感測器。搬送控制器11，係構成為當此些之感測器分別展現有既定之值或異常之值等時，將此對於基板處理裝置用控制器240而進行通知。
溫度控制器12，係構成為藉由對於處理爐202之加熱器206的溫度作控制，而調節處理爐202內之溫度，並且當溫度感測器263展現有既定之值或異常之值等時，將此對於基板處理裝置用控制器240而進行通知。
壓力控制器13，係構成為基於藉由壓力感測器245所檢測出的壓力值，來以使處理室201內之壓力會在所期望之時序處而成為所期望之壓力的方式，來對於壓力調整裝置242進行控制，並且當壓力感測器245展現有 既定之值或異常之值等時，將此對於基板處理裝置用控制器240而進行通知。
氣體供給控制器14，係構成為藉由使氣體閥(未圖示)進行開閉，而對於從處理氣體供給管232a、洗淨氣體供給管232b而來之氣體的供給或停止作控制。又，氣體供給控制器14，係構成為以使供給至處理室201內之氣體的流量在所期望之時序處而成為所期望之流量的方式，來對於MFC241a、241b進行控制。氣體供給控制器14，係構成為當氣體閥(未圖示)和MFC241a、241b所具備之感測器(未圖示)分別展現有既定之值或異常之值等時，將此對於基板處理裝置用控制器240而進行通知。
進而，作為監視部之氣體供給控制器14，係以對於配置盒110之裝載埠114以及盒旋轉棚105而將對惰性氣體作特定之流量以上之供給的方式，來對於後述之作為氣體供給部之清洗機構進行控制。又，此清洗機構所具備之檢測部(例如，MFM、MFC、流量計等)，係檢測出惰性氣體之流量。又，氣體供給控制器14，係構成為藉由檢測部所檢測出的特定之值為展現有異常之值等時，將此對於作為管理部之基板處理裝置用控制器240而進行通知。後述之清洗機構，雖然亦可分別設置在各裝載埠114以及盒旋轉棚105處，但是，只要是能夠分別供給惰性氣體(在本案中，係為N2氣體)之構成，則係並不特別作限定。
作為監視部之氣體供給控制器14，係至少由對於惰性氣體之流量和預先所設定了的基準值進行比較之比較部、和當流量為低於基準值的情況時則判定為異常之判定部、以及將代表包含有流量異常的異常之各種警報對於前述管理部作報告之報告部，所構成之。各部，係藉由包含有第1流量監視程式和第2流量監視程式之流量監視程式35而實現之。又，當然的，作為監視部之氣體供給控制器14，係實行除了盒110之移動中以外，而適宜對於盒110內供給惰性氣體(例如，N2氣體)之氣體供給程式34。
在載置棚114以及收容棚105之各者處，係分別設置有氣體供給部(N2清洗機構)。例如，係在所有的載置棚114以及收容棚105處，設置有氣體供給部(N2清洗機構)。又，氣體供給部係至少具備有檢測部。作為檢測部，係亦可在所有的氣體供給部處，連接流量控制器(MFC)等。例如，係亦可構成為：在被設置於載置棚114之氣體供給部處，係作為檢測部而被連接有流量控制器(MFC)，在被設置於收容棚105之氣體供給部處，係作為檢測部而被連接有流量測定器(MFM)。又，分別被設置於載置棚114以及收容棚105處之氣體供給部，係作為檢測部而被連接有計測氣體流量之流量計或對於特定氣體之流量作測定之流量測定器(MFM)、對於氧濃度作計測之濃度計、對於濕度作計測之濕度計以及露點計、對於特定氣體之流量作控制之流量控制器(MFC)， 此些中之至少一者，或者是，亦可連接有此些之組合。
(用以供給惰性氣體並進行清洗之機構)
首先，使用圖14，對於此作為氣體供給部之清洗機構作說明。如同圖示一般，係設置有用以對於配置作為基板收容器之盒110的裝載埠114以及盒旋轉棚105而進行由惰性氣體所致之清洗的清洗機構。清洗機構，係至少具備有檢測部51和閥52。各盒110，係構成為若是被載置於所有的裝載埠114以及所有的盒旋轉棚105之任一者處，則會使盒110將作為突起部之位置感測器110作壓下。又，係構成為：若是受訊從此位置感測器53而來之訊號，則氣體供給控制器14，係將閥52設為開，並從未圖示之N2氣體源而供給惰性氣體，且從未圖示之排氣部而使惰性氣體被排氣。另外，係並不需要在各裝載埠114以及各盒旋轉棚105處而1個1個地個別作設置，只要是構成為能夠對於各裝載埠114以及各盒旋轉棚105供給特定量之惰性氣體(在本實施形態中，係為N2氣體)即可。另外，檢測部51，較理想，係身為計測氣體流量之流量計、對於氧濃度作計測之濃度計、對於濕度作計測之濕度計以及露點計、對於特定氣體之流量作控制之流量控制器(MFC)，對於特定氣體之流量作測定之流量測定器(MFM)，此些中之任一者。
又，作為檢測部51，係亦可並非為能夠對於流量作測定者。例如，亦可為以當流量到達了既定之基準 值的情況時會輸出訊號的方式所構成的流量開關一般之物。但是，於此情況，係有必要適當地進行既定之基準值的設定。此既定之基準值，多係為依據所使用之流量檢測部的規格而必然性地決定者。
(N2清洗指定之設定)
接下來，使用圖6，針對基板收容器搬入時之N2清洗設定處理作說明。
依存於作為FOUP之盒110的形狀或晶圓200之種類，由於係會有不需要進行惰性氣體之供給的情況，因此，針對是否要對於盒110內供給惰性氣體一事，係在對於前述基板處理裝置100所進行之盒110搬入指示時，依據N2清洗(惰性氣體之供給)的有無之指定來下指示。例如，在從主電腦等之上位電腦而來之盒110之搬入指示資料中，係構成為至少包含有作為盒110之辨識資訊的載體辨識子(CID)、作為被收容於盒110內之晶圓200的基板種類資訊之種類(Type)、清洗指定(N2 Purge)之有無。又，係並不特別限定於此構成，例如，亦可設定有作為製程配方之基板處理配方、作為洗淨配方之維修配方等。又，在搬入指示資料中，係亦可包含有後述之流量基準值資訊、供給監視時間以及異常回復時間之資訊。
基板處理裝置用控制器240，係當盒110到達裝載埠114處時，接收搬入指示資料，並對於用以對盒 110內供給惰性氣體之清洗指定的有無作確認。又，係亦可構成為在被設置於顯示部31處之操作畫面上而顯示搬入指示資料。進而，係亦可構成為能夠對於被顯示在操作畫面上之搬入指示資料進行編輯。例如，較理想，係構成為能夠對於盒110之清洗指定的有無進行設定。當在空的盒110到達裝載埠114處時所接收到的搬入指示資料中之清洗指定乃身為有的情況時，係能夠在操作畫面上而將清洗指定之設定從有來變更成無。藉由此，係能夠對於錯誤地對於不必要進行供給之空的盒110而供給惰性氣體的情形作抑制。又，當在收容有假基板之盒110的搬入指示資料中之清洗指定乃身為有的情況時，係同樣的能夠將清洗指定之設定從有來變更成無。換言之，當在收容有製品基板之盒110的搬入指示資料中之清洗指定乃身為無的情況時，係能夠將清洗指定之設定從無來變更成有。
在裝載埠114處之惰性氣體清洗，係藉由氣體供給控制器14來實行。又，在前述之搬入指示資料內的清洗指定乃身為有的被作了搬入指示之盒110到達了裝載埠114之時間點處，基板處理裝置用控制器240，係確認被作了搬入指示之盒110和被載置在裝載埠114上之盒110乃身為同一者，並藉由前述氣體供給控制器14來開始盒110內之N2清洗，而對於作為載置部之裝載埠114上的盒110內供給特定量之N2氣體。
於此所指定了的清洗指定之有無的資訊，係於各盒110之每一者處而作為載體資訊來管理，後續之 N2清洗動作，係依據此清洗指定之有無的資訊來實行。在裝載埠114上之身為氣體供給中之狀態的盒110，係藉由從基板處理裝置控制器240所對於搬送控制器11之搬入動作開始指示，而開始由盒搬送裝置118所進行之朝向盒開啟機121或者是旋轉式盒棚105之移動。另外，包含有清洗有無之資訊的載體資訊，係與盒110之辨識子資訊和晶圓200之種類資訊一同地而被儲存在記憶部28中。
(在Pick動作中之氣體供給)
圖7，係為對於在本發明之其中一種實施形態的基板收容器之動作(Pick動作)中的使惰性氣體停止之時序作展示之圖。
如圖7中所示一般，作為基板收容器之盒110的移動，係由作為載體裝載機之盒搬送裝置118依據搬送控制器11之指示來進行。於此，與載體裝載機118將盒110從裝載埠114而拾起之動作(Pick動作)相互連動地，氣體供給控制器14係停止氣體之供給。
盒110，係在被載置於裝載埠114或者是作為收容棚之旋轉式盒棚105處的狀態下，藉由氣體供給控制器14而被進行氣體之供給。此時，載體裝載機118係接收從搬送控制器11而來的搬送開始位置移動指示。
之後，直到載體裝載機118之朝向Pick開始位置的移動結束為止，盒110係身為被載置於裝載埠114或者是旋轉式盒棚105處的狀態，並藉由氣體供給控制器 14而被進行有氣體之供給。
接著，由氣體供給控制器14所致之氣體供給係停止，基板處理裝置用控制器240，係在確認了N2之停止後，對於搬送控制器11而下達動作開始(Pick動作開始)的指示，依據從搬送控制器11而來之Pick動作開始指示，載體裝載機118係將盒110拾起。
(在Place動作中之N2供給)
圖8，係為對於在本發明之其中一種實施形態的基板收容器之動作中的供給惰性氣體之時序作展示之圖。
如同圖8一般，在從裝載埠114或旋轉式盒棚105而搬出時，與載體裝載機118將FOUP110放置在裝載埠114處之動作(Place動作)相互連動地，氣體供給控制器14係開始惰性氣體之供給。
如同圖8中所示一般，當盒110正藉由載體裝載機118而被搬送的情況時，於裝載埠114或者是旋轉式盒棚105處，氣體之供給係被停止。
之後，Place動作係開始，在盒110之從載體裝載機118而對於裝載埠114或者是旋轉式盒棚105之載置(Place動作)結束後，藉由氣體供給控制器14，氣體之供給係開始。
如此這般，對於作為載置部之裝載埠114和作為收容部之旋轉式盒棚105以及作為移載部之盒開啟機121的盒110之移動，由於係全部透過載體裝載機118來 實行，因此，與對於各載置部以及各收容棚之盒110的Place動作相互連動地，氣體供給係開始，與Pick動作相互連動地，N2之供給係被停止。
藉由以上之控制，在對於基板處理裝置100內之從盒110之搬入起直到搬出為止的期間中，除了盒110之移動動作中以外，係成為能夠恆常實行惰性氣體(例如，N2氣體)清洗之實行。
(在從裝載埠上之搬出動作中之N2供給)
圖9，係為對於在本發明之其中一種實施形態的基板處理裝置之裝載埠114上的基板收容器110之搬出動作中的此惰性氣體停止之時序作展示之圖。
若是裝載埠114上之盒110之搬出動作開始，則由氣體供給控制器14所進行之氣體供給係停止。
(由N2氣體流量監視所進行之異常檢測和異常FOUP指定處理)
圖10，係為用以針對本發明之其中一種實施形態的對於基板收容器內之氣體供給量進行監視的處理作說明之圖示例。又，圖10，係為將實行了流量監視程式(第1流量監視程式)時之氣體供給量和監視時間之間的關係作了圖表化之其中一個實施例，本圖表(原始資料)，係構成為被顯示在顯示部31處。
基板處理裝置用控制器240，係實行流量監視 程式，並在對於盒110之氣體供給中，當起因於某些之異常而導致氣體供給停止的情況時，移行至異常狀態之監視處理。於此，異常狀態之檢測，係藉由對於被供給至盒110內之氣體流量的監視而進行。氣體供給控制器14，當氣體流量為低於基準值的情況時，係判定為異常，並將代表流量異常之警報對於基板處理裝置用控制器240作報告。又，係亦可構成為將該異常之詳細內容以及警報之內容顯示在顯示部31處。
當氣體流量之異常狀態為經過了另外藉由參數所指定之監視時間的情況時，係將該盒110作為異常FOUP來處理(異常FOUP指定)。具體而言，基板處理裝置用控制器240，係指定異常FOUP。另外，當盒110正在移動中的時間，係作為氣體供給停止時間而並不作計算。
(第1流量監視程式)
若是基板處理裝置用控制器240實行流量監視程式，則盒110內之氣體流量和預先所設定了的基準值(N2流量基準值)係被作比較。在圖10中之(1)或(3)之狀態，係為正常之狀態。接著，在圖10中之(2)之狀態，所檢測出之流量係成為較基準值更低，而輸出代表異常之警報，又，該較基準值而更低之狀態，係在到達依據其他參數而預先所設定了的監視時間(供給監視時間)之前，流量便到達基準值，而警報係作了回復。另一方面，在圖 10中之(4)之狀態，流量係成為較基準值更低，而發生了警報，之後，該較基準值而更低之狀態，係持續了預先所設定的監視時間(供給監視時間)，其結果，該盒110係成為被指定為異常FOUP之狀態。最後，在圖10中之(5)，係為若是被指定為異常FOUP，則係作為無法回復者，而成為將在生產中的使用作了禁止之狀態。
表1，係為對於當實行了圖10中所示之第1流量監視程式時，被儲存在記憶部28中的資料之其中一個實施例作展示者。表1之縱軸，係為第1監視時間(供給監視時間)，橫軸係為被儲存之資料項目。被儲存之資料，係至少包含有代表異常檢測狀態之資料、和代表FOUP狀態之資料、以及代表被作了異常FOUP指定的履歷之資料。於此，代表對於流量之異常作了檢測的結果之異常檢測狀態資料，係具備未檢測(正常)、檢測中(異常)之2個的狀態資料，代表FOUP狀態之資料，亦同樣的，係具備正常、異常之2個的狀態資料，代表被作了異 常FOUP指定的履歷之資料，係具備有、無之2個的狀態資料。
當然的，作為被儲存之資料，係並不被限定於上述之3個資料。又，第1監視時間，作為其中一例，係為15秒。另外，第1監視時間，係亦可構成為能夠對設定作變更。
(第2流量監視程式)
又，第2流量監視程式，係為對於上述第1流量監視程式作了改良者。第1流量監視程式，由於若是被作了異常FOUP指定，則會進行禁止盒110之使用的處理並使程式結束，因此，盒110內之基板係會在維持於未處理的狀態下而被擱置，而並不被進行處理地直接被廢棄。因此，從以能夠盡可能地持續進行基板處理一事為理想的觀點來看，係追加了在異常FOUP指定後若是滿足特定之條件則能夠使異常回復之處理。
在圖11中，針對第2流量監視程式作說明。首先，狀態(1)~狀態(5)，由於係為與第1流量監視程式相同，因此係省略說明。
圖11之狀態(6)，係為在異常FOUP指定後，仍進行由氣體供給控制器14所致之氣體供給量的監視以及由基板處理裝置用控制器240所致之管理，並且超過了基準值之狀態為在預先所設定之第2監視時間(異常回復時間)的期間中有所持續，而異常FOUP指定被作了 解除的狀態。圖11之狀態(7)，係與狀態(1)相同，為正常之狀態。但是，在程式實行中，係殘留有其為一度成為了異常FOUP指定之履歷。
表2，係為對於當實行了圖11中所示之第2流量監視程式時，被儲存在記憶部28中的資料之其中一個實施例作展示者。於此，縱軸以及橫軸係為與表1相同。又，被儲存在記憶部28中之資料亦係與表1相同。另外，第2監視時間(異常回復時間)，作為其中一例，係為60秒。
以上，若依據本實施形態，則被指定為異常FOUP之盒110的處理，係能夠配合於2個的上述流量監視程式運用來選擇以下之控制。
(1)當將該FOUP設為禁止使用的情況時，經過了指定時間後之盒110，係成為無法回復，並將在生產中之使用設為禁止。
(2)當藉由氣體供給之持續而作了回復的情況時，雖然係起因於異常檢測而成為禁止使用，但是，起因於氣體供給超過基準值的供給狀態經過一定之時間(異常回復時間)，係再度設為能夠使用。又，係構成為：在有所回復的情況時，亦能夠對於各FOUP之每一者而確認成為了禁止使用的履歷。
另外，上述之實施形態，係僅為其中一實施例，當然的，係不僅是對於上述之2個控制作選擇，而亦可構成為能夠實行上述之2個的控制之雙方。又，第1流量監視程式以及第2流量監視程式，係亦可構成為對於載置棚以及收容棚之各者而個別地實行。
(異常FOUP之搬出處理)
在作為收容棚之旋轉式盒棚105或裝載埠114處，當在維持於氣體流量為異常的狀態下而盒110被搬出的情況時，之後，係禁止對於該位置之盒110的搬入。此係為了防止在氣體供給仍會有成為異常之可能性的狀態下而搬入下一個盒110並成為異常的情形之故。
圖12，係為對於將作為收容棚之旋轉式盒棚105設為禁止使用的處理作展示之流程圖。係構成為：在FOUP110之Pick動作開始時，係確認對象之FOUP110是否身為異常FOUP指定，當身為異常FOUP的情況時，係在進行了將其設為禁止使用的處理之後，結束Pick動作。
(FOUP之搬出處理)
圖13，係為針對在FOUP110之搬入時而決定要將其配置在哪個棚處之配置決定處理作展示的流程圖。除了確認在棚中是否存在有FOUP以及載體種類是否為一致的處理之外，更進而追加有當在棚中並未存在有FOUP110的情況時，對於該棚是否被指定為禁止使用一事作確認之處理。藉由此，係能夠對於無謂地發生錯誤的情形作抑制。
〈本發明之其中一種實施形態中之效果〉
如此這般，在本實施形態中，藉由對於盒110實行惰性氣體清洗，係能夠將起因於盒內之氣體氛圍改變所導致的對於晶圓之影響減輕。又，藉由氣體流量之監視，係能夠防止在維持為異常狀態的情況下而實行生產。在本實施形態中，係提供一種：就算是當起因於故障等而停止了N2之供給的情況時，或者是當並未供給充分之N2的情況時，也不會有盒110內之O2濃度變高的可能性之盒110之氣體監視方法。進而，當檢測出像是盒110內之濃度變高等的對於盒110之N2供給狀態之異常，並且該異常狀態為持續了一定時間以上的情況時，係能夠禁止該盒110之使用。藉由此，係能夠辨識出發生了N2異常之盒110，並能夠作為處理結果之確認基準來運用。
又，若是使用流量計，則相較於在各棚處設置MFC的情況，係能夠以更低的成本來實行惰性氣體清 洗。進而，在本實施形態中，藉由對於氣體流量作監視，例如，係亦能夠對於就算是當氣體供給用之閥被開啟的情況時氣體也並未被作供給或者是供給量有所不足的情況立即作掌握。又，藉由並不使用此種發生有氣體流量之問題的盒110，係能夠對於基板之品質的降低作抑制。
〈本發明之其他實施形態〉
在本實施形態中，雖係針對氣體供給量作了詳細敘述，但是，係並不被限定於此，例如，就算是在O2濃度的情況時，亦能夠適用本發明。藉由此，係提供一種：就算是當起因於故障等而停止了惰性氣體之供給的情況時，或者是當並未供給充分之氣體的情況時，也不會有盒110內之O2濃度變高的可能性之盒110內之氣體流量監視方法。又，當檢測出像是盒110內之O2濃度變高等的對於盒110之氣體供給狀態之異常，並且該異常狀態為持續了一定時間以上的情況時，係能夠禁止該盒110之使用。
又，在本實施形態中，作為惰性氣體，雖係列舉氮氣(N2氣體)為例來作了詳細敘述，但是，作為惰性氣體，係亦可為氦氣(He氣體)、氖氣(Ne氣體)、氬氣(Ar氣體)等。
另外，在本實施形態中，作為基板處理裝置之其中一例，雖係展示有半導體製造裝置，但是，係並不被限定於半導體製造裝置，而亦可為LCD裝置一般之對於玻璃基板進行處理之裝置。又，關於基板處理之具體性 內容，係並不作限定，不僅是成膜處理，亦可為退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理等之處理。又，成膜處理，例如係亦可為形成氧化膜、氮化膜之處理，形成包含有金屬的膜之處理。
以上，雖係針對本發明之實施形態作了具體性說明，但是，本發明係不被上述實施形態所限定，在不脫離發明之要旨的範圍內，係可作各種之變更。
〈本發明之理想形態〉
以下，針對本發明之理想形態作附記。
(附記1)
若依據本發明之其中一種形態，則係為一種基板處理裝置，其特徵為，係具備有：氣體供給部，係被設置在配置基板收容器之載置部以及收容部中的至少其中一者處，並用以供給特定之氣體；和監視部，係對於經由前述氣體供給部所供給至前述基板收容器處之前述特定之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較，並輸出代表比較後的結果之訊號；和管理部，係因應於從前述監視部所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行管理。
(附記2)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記1之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述監視 部，若是前述特定之氣體之流量為低於前述基準值的狀態超過了預先所設定的監視時間，則對於前述管理部輸出將被供給了前述特定之氣體之前述基板收容器指定為異常的訊號(異常指定訊號)，前述管理部，若是接收前述訊號(異常指定訊號)，則係禁止對於前述被指定為異常的對象之基板收容器之前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出。
(附記3)
更理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記2之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述監視部，若是在對於前述被指定為異常之基板收容器的前述特定之氣體之流量為超過前述基準值的狀態下，而經過一定之時間，則對於前述管理部輸出將前述異常之指定解除的訊號(指定解除訊號)，前述管理部，若是接收前述訊號(指定解除訊號)，則係使對於從前述異常之指定而解除了基板收容器之前述載置部以及前述收容部中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出成為可能。
(附記4)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記1之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述監視部，在前述特定之氣體之流量為低於基準值，並對於前述管理部而輸出了代表流量異常的警告訊號之後，若是在經 過預先所指定了的監視時間前，前述氣體之流量成為超過前述基準值，則對於前述管理部輸出代表前述異常已有所回復的回復訊號。
(附記5)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記1之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述監視部，係至少由對於前述氣體之流量和預先所設定了的基準值進行比較之比較部、和當前述特定之氣體之流量為低於基準值的情況時則判定為異常之判定部、以及將代表包含有前述流量異常的異常之各種警報對於前述管理部作報告之報告部，所構成之。
(附記6)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記1之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述氣體供給部，係至少具備有用以供給前述氣體之閥、和檢測出前述氣體的流量之檢測部。
(附記7)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記6之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述檢測部，係身為計測氣體流量之流量計或者是流量測定器(MFM)、對於氧濃度作計測之濃度計、對於濕度作計測 之濕度計以及露點計、對於特定氣體之流量作控制之流量控制器(MFC)，此些中之任一者。
(附記8)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記6之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述檢測部，係身為流量開關。
(附記9)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記1之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述管理部，係對於前述監視部，而輸出因應於被收容在前述基板收容器中之基板的種類來在被配置於前述載置部以及前述收容棚中之至少其中一者處的狀態下而對於前述基板收容器供給惰性氣體之指示。
(附記10)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記1之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述管理部，係構成為若是被收容在前述基板收容器中之基板的種類乃身為製品基板，則輸出對於前述基板收容器供給惰性氣體之指示，並構成為若是被收容在前述基板收容器中之基板的種類乃身為假基板，則並不對於前述基板收容器供給惰性氣體。
(附記11)
若依據本發明之其他形態，則係提供一種流量監視程式、以及記錄有流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，該流量監視程式，係使電腦實行：針對對於被配置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之基板收容器所供給之氣體的流量和預先所設定的基準值作比較之程序；和因應於代表前述比較後的結果之訊號(比較結果訊號)，來輸出從對於前述流量異常作指定之訊號(警報訊號)和對於前述流量異常之回復作指定之訊號(警報回復訊號)以及對於前述基板收容器之搬送狀態作指定之訊號(異常指定訊號、指定解除訊號)中所選擇之1個的訊號之程序。
(附記12)
較理想，係提供一種記錄有第1流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，其係在附記11之流量監視程式以及記錄有流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體中，具備有下述特徵：亦即是，該流量監視程式，係使電腦實行：檢測出基板收容器內之在載置於前述載置部以及前述收容棚處的狀態下所供給之氣體流量，並與預先所設定的基準值作比較之程序；和當比較後之結果為較前述基準值更低的情況時，輸出警報之程序；和對於是否在較前述基準值更低的狀態下而持續了特定之監視時間一事作監視之程序；和當超過了前述特定之監視時間的情況時，將前述基板收 容器指定為異常(異常FOUP)之程序；和禁止前述被指定為異常(異常FOUP)之前述基板收容器以及前述基板收容器內之基板的搬送之程序。
(附記13)
較理想，係提供一種記錄有第2流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，其係在附記11之流量監視程式以及記錄有流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體中，具備有下述特徵：亦即是，該流量監視程式，係使電腦實行：檢測出基板收容器內之在載置於前述載置部以及前述收容棚處的狀態下所供給之氣體流量，並與預先所設定的基準值作比較之程序；和當比較後之結果為較前述基準值更低的情況時，輸出警報之程序；和對於是否在較前述基準值更低的狀態下而持續了特定之監視時間一事作監視之程序；和當超過了前述特定之監視時間的情況時，將前述基板收容器指定為異常(異常FOUP)之程序；和在前述被指定為異常(異常FOUP)之基板收容器內的氣體流量為超過前述基準值之狀態下而超過了特定之回復時間的情況時，將前述異常之指定(異常FOUP指定)解除之程序。
(附記14)
進而，較理想，在記錄有附記12之第1流量監視程式或者是附記13之第2流量監視程式的電腦可讀取之記錄媒體中，係具備有下述特徵：亦即是，該流量監視程 式，係使電腦實行：在前述特定之監視時間的期間中，若是前述氣體流量到達前述基準值，則輸出使前述警報回復的訊號之程序。
(附記15)
若依據本發明之又一其他形態，則係為一種流量監視方法，其特徵為，具備有：在對於基板收容器內之在載置於前述載置部以及前述收容部中之至少其中一者處的狀態下所供給之氣體流量和預先所設定了的基準值進行了比較後，當其結果為低於前述基準值的情況時，輸出代表流量異常的訊號(警報訊號)之工程；和在較前述基準值而更低的狀態下，若是超過了特定之監視時間，則進行輸出將基板收容器指定為異常之訊號(異常指定訊號)的處理之異常指定工程；和在較前述基準值而更低的狀態下，若是尚未超過特定之監視時間前述氣體流量便成為較前述基準值而更高，則輸出代表前述異常回復之訊號(警報回復訊號)之工程。
(附記16)
較理想，係為一種流量監視方法，其係在附記12之流量監視方法中，具備有下述特徵：亦即是，係具備有：在前述異常指定工程之後，若是於前述氣體流量為較前述基準值更高的狀態下而超過了特定之監視時間，則輸出將前述基板收容器所被指定之前述異常解除的訊號(指定解 除訊號)之工程。
(附記17)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種搬送管理方法，其特徵為，具備有：在對於基板收容器內之在載置於載置部以及收容棚處的狀態下所供給之氣體流量乃為較特定之基準值而更低的狀態下，若是超過了特定之監視時間，則將前述基板收容器指定為異常之工程；和禁止前述被指定為異常之前述基板收容器的搬送之工程。
(附記18)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種基板搬送方法，其特徵為，具備有：將收容基板之基板收容器在載置部和收容部之間進行搬送之基板搬送工程；和將前述基板收容器載置於載置部或收容部處之載置工程，前述載置工程，係具備有：若是對於前述基板收容器內所供給之氣體流量為較特定之基準值而更低的狀態超過了特定之監視時間，則將前述基板收容器指定為異常之工程；和禁止前述被指定為異常之前述基板收容器(以及前述基板處理裝置內之基板)的搬送之工程。
(附記19)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將收容基板之基板 收容器在載置部和收容部之間進行搬送之基板搬送工程；和具有將前述基板收容器載置於載置部或收容部處的載置工程之基板搬送工程；和將基板移載至基板保持具處之移載工程；和將保持有基板之前述基板保持具插入至處理爐內，並對於前述基板進行處理之處理工程，前述載置工程，係具備有：若是對於前述基板收容器內所供給之氣體流量為較特定之基準值而更低的狀態超過了特定之監視時間，則將前述基板收容器指定為異常之工程；和禁止前述被指定為異常之前述基板收容器(以及前述基板處理裝置內之基板)的搬送之工程。
(附記20)
若依據本發明之又一其他實施形態，則係提供一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：氣體供給部，係對於載置基板收容器之載置部以及收容棚供給特定之氣體；和基板收容器搬送機構(第1搬送機構)，係將前述基板收容器在前述載置部以及前述收容棚之間作搬送；和管理部，係在將前述基板收容器搬入至前述載置部處時，基於至少包含有對於前述基板收容器而供給氣體之指定的有無之資訊，來確認氣體供給指定之有無，並針對對於前述基板收容器之前述氣體之供給進行指示；和監視部，係當存在有前述氣體供給指定的情況時，基於前述指示，而一面在前述基板收容器為被配置在前述載置部以及前述收容棚處的狀態下而經由前述氣體供給部來供給前述氣體，一面對於 前述氣體之流量是否成為特定之基準值以上一事作監視，並且在前述第1搬送機構為將前述基板收容器作了支持的狀態下，停止前述氣體之供給。
(附記21)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記20之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述管理部，係將在氣體流量為低於基準值的狀態下而超過了預先所指定的監視時間之前述基板收容器，指定為異常(異常FOUP)，被指定為前述異常(異常FOUP)之前述基板收容器，係禁止其之對於前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出。
(附記22)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記21之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述管理部，若是在對於被指定為前述異常(異常FOUP)之前述基板收容器的氣體供給量為超過前述基準值的狀態下而經過一定時間，則係將前述異常FOUP指定(異常之指定)解除，並使對於前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出成為可能。
(附記23)
較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記20 之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述監視部，在前述特定之氣體之流量為低於基準值，而判斷為異常，並對於前述管理部而輸出了代表前述異常的訊號(警告訊號)之後，若是在經過預先所指定了的監視時間前，前述氣體之流量成為超過基準值，則對於前述管理部輸出代表前述異常已有所回復的訊號(警報回復訊號)。
(附記24)
若依據本發明之其他形態，則係提供一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：氣體供給部，係對於配置基板收容器之載置部以及收容棚中的至少其中一者供給特定之氣體；和監視部，係在前述基板收容器為被配置在前述載置部以及收容棚中之至少其中一者處的狀態下而經由前述氣體供給部來供給前述特定之氣體，並對於經由前述氣體供給部所供給之前述特定之氣體的流量是否成為預先所設定了的基準值以上一事作監視；和管理部，係將在前述特定之氣體的流量為低於前述基準值的狀態下而超過了預先所指定的監視時間之前述基板收容器，指定為異常(異常FOUP)，被指定為異常FOUP之前述基板收容器，係禁止其之對於前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出。
(附記25)
進而，較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附 記24之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述管理部，若是在對於被指定為前述異常(異常FOUP)之前述基板收容器的N2氣體供給量為超過前述基準值的狀態下而經過特定之一定時間，則係將異常之指定(異常FOUP指定)解除，並使對於前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出成為可能。
(附記26)
進而，較理想，係提供一種基板處理裝置，其係在附記24或附記25之基板處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，前述管理部，係在將前述基板收容器搬入至前述載置部時，對於包含有辨識資訊以及基板種類資訊之資訊中的至少供給前述特定之氣體的指定之有無資訊作確認，並使前述監視部對於前述基板收容器內供給氣體。
(附記27)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種第1流量監視程式以及記錄有第1流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，其特徵為，該第1流量監視程式，係使電腦實行：檢測出基板收容器內之在載置於前述載置部以及前述收容棚處的狀態下所供給之氣體流量，並與特定之基準值作比較之程序；和當比較後之結果為較前述基準值更低的情況時，產生警報之程序；和對於是否在較前述基準值更低的狀態下而持續了特定之監視時間一事作監視之程序； 和當超過了前述特定之監視時間的情況時，將前述基板收容器指定為異常(異常FOUP指定)之程序。
(附記28)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種第2流量監視程式以及記錄有第1流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，其特徵為，該第2流量監視程式，係使電腦實行：檢測出基板收容器內之在載置於前述載置部以及前述收容棚處的狀態下所供給之氣體流量，並與特定之基準值作比較之程序；和當比較後之結果為較前述基準值更低的情況時，產生警報之程序；和對於是否在較前述基準值更低的狀態下而持續了特定之監視時間一事作監視之程序；和當超過了前述特定之監視時間的情況時，將前述基板收容器指定為異常(異常FOUP指定)之程序；和在前述被指定為異常(異常FOUP指定)之基板收容器內的氣體流量為超過前述基準值之狀態下而超過了特定之回復時間的情況時，將前述異常FOUP指定解除之程序。
(附記29)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：氣體供給部，係對於配置基板收容器之載置部以及收容棚中的至少其中一者供給特定之氣體；和第1搬送機構，係將前述基板收容器在前述載置部和前述收容棚之間進行搬送；和管理部，係當將前述 基板收容器搬入至前述載置部時，至少對於清洗指定之有無資訊作確認，並對於在辨識資訊以及基板種類資訊中而包含有對於前述基板收容器內供給氣體之清洗指定的有無之資訊作管理；和監視部，係基於前述資訊之內容，而在前述基板收容器為被配置在前述載置部以及收容棚中之至少其中一者處的狀態下而經由前述氣體供給部來供給前述特定之氣體，並對於經由前述氣體供給部所供給之前述氣體的流量是否成為預先所設定了的基準值以上一事作監視，前述管理部，當存在有前述清洗之指定的情況時，係能夠對於第1控制以及第2控制作選擇，該第1控制，係構成為：在前述流量為低於前述基準值的狀態下而超過了預先所指定的監視時間之前述基板收容器，係被指定為異常(異常FOUP)，被指定為異常(異常FOUP)之前述基板收容器，係禁止其之對於前述載置部以及前述收容棚中的搬入以及搬出，該第2控制，係構成為：在前述第1控制被實行之後，若是在對於前述被指定為異常(異常FOUP)之前述基板收容器所供給的氣體流量為超過了前述基準值之狀態下而經過特定之一定時間，則解除前述異常之指定(異常FOUP指定)，並使對於前述載置部以及前述收容棚所進行之搬入以及搬出成為可能。
(附記30)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種流量監視方法，其特徵為，具備有：在對於在被載置於前述載置 部以及前述收容部之至少其中一者處的狀態下之基板收容器內所供給之氣體流量和預先所設定了的基準值進行了比較後，當其結果為低於前述基準值的情況時，輸出代表流量異常的訊號之工程；和在較前述基準值而更低的狀態下，若是超過了特定之監視時間，則進行輸出將基板收容器指定為異常之訊號的處理之異常指定工程；和在較前述基準值而更低的狀態下，若是尚未超過特定之監視時間前述氣體流量便成為較前述基準值而更高，則輸出代表前述異常回復之訊號之工程。
(附記31)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，係具備有：從被設置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之氣體供給部來將特定之氣體對於基板收容器作供給之工程；和對於經由前述氣體供給部所供給至前述基板收容器處之前述特定之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較，並輸出代表比較後的結果之訊號之工程；和因應於前述所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行管理之工程；和將使前述搬送狀態被作了管理的前述基板收容器之基板搬送至處理室處並進行處理之工程。
(附記32)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種記錄有 流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，該流量監視程式，係使電腦實行：針對對於被配置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之基板收容器所供給之氣體的流量和預先所設定的基準值作比較之程序；和因應於代表前述比較後的結果之訊號，來輸出從對於前述流量異常作指定之訊號和對於前述流量異常之回復作指定之訊號以及對於前述基板收容器之搬送狀態作指定之訊號中所選擇之1個的訊號之程序。
(附記33)
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種記錄有流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，該流量監視程式，係使電腦實行：對於被配置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之基板收容器供給氣體之程序；和對於被供給至前述基板收容器處之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較之程序；和輸出代表前述比較後的結果之訊號之程序；和因應於前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行指定之程序。
100‧‧‧基板處理裝置
400‧‧‧網路
500‧‧‧管理裝置

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為，係具備有：氣體供給部，係被設置在配置基板收容器之載置部以及收容部中的至少其中一者處，並用以供給特定之氣體；和監視部，係對於經由前述氣體供給部所供給至前述基板收容器處之前述特定之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較，並輸出代表比較後的結果之訊號；和管理部，係因應於從前述監視部所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行管理。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述監視部，若是前述特定之氣體之流量為低於前述基準值的狀態超過了預先所設定的監視時間，則對於前述管理部輸出將被供給了前述特定之氣體之前述基板收容器指定為異常的訊號，前述管理部，若是接收前述訊號，則係禁止前述被指定為異常的對象之基板收容器之對於前述載置部以及前述收容部中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中，前述監視部，若是在對於前述被指定為異常之基板收容器的前述特定之氣體之流量為超過前述基準值的狀態下，而經過一定之時間，則對於前述管理部輸出將前述異 常之指定解除的訊號，前述管理部，若是接收前述訊號，則係使前述異常之指定被解除了的基板收容器之對於前述載置部以及前述收容部中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出成為可能。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述監視部，在前述特定之氣體之流量為低於基準值，並對於前述管理部而輸出了代表流量異常的警告訊號之後，若是在經過預先所指定了的監視時間前，前述氣體之流量成為超過前述基準值，則對於前述管理部輸出代表前述異常已有所回復的回復訊號。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述監視部，係至少由對於前述氣體之流量和預先所設定了的基準值進行比較之比較部、和當前述流量為低於前述基準值的情況時則判定為異常之判定部、以及將代表包含有前述流量異常的異常之各種警報對於前述管理部作報告之報告部，所構成之。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述管理部，係對於前述監視部，而輸出因應於被收容在前述基板收容器中之基板的種類來在被配置於前述載置部以及前述收容棚中之至少其中一者處的狀態下而對於前述基板收容器供給惰性氣體之指示。
  7. 一種記錄媒體，係為記錄有流量監視程式之電腦可讀取之記錄媒體，該流量監視程式，係使電腦實行：對於被配置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之基板收容器供給氣體之程序；和對於被供給至前述基板收容器處之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較之程序；和輸出代表前述比較後的結果之訊號之程序；和因應於前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行指定之程序。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之記錄媒體，其中，係包含有：因應於前述訊號，來輸出從對於前述流量異常作指定之訊號和對於前述流量異常之回復作指定之訊號以及對於前述基板收容器之搬送狀態作指定之訊號中所選擇之1個的訊號之程序。
  9. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：氣體供給部，係對於載置基板收容器之載置部以及收容棚供給特定之氣體；和基板收容器搬送機構，係將前述基板收容器在前述載置部以及前述收容棚之間作搬送；和管理部，係在將前述基板收容器搬入至前述載置部處時，基於至少包含有對於前述基板收容器內而供給氣體之指定的有無之資訊，來確認氣體供給指定之有無，並針對 對於前述基板收容器之前述氣體之供給進行指示；和監視部，係基於前述指示，而一面在前述基板收容器為被配置在前述載置部以及前述收容棚處的狀態下而經由前述氣體供給部來供給前述氣體，一面對於前述氣體之流量是否成為特定之基準值以上一事作監視，並且在前述基板收容器搬送機構為將前述基板收容器作了支持的狀態下，停止前述氣體之供給。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理裝置，其中，當存在有前述氣體供給指定的情況時，前述管理部，係將在氣體流量為低於基準值的狀態下而超過了預先所指定的監視時間之前述基板收容器指定為異常，被指定為前述異常之前述基板收容器，係禁止對於前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之基板處理裝置，其中，當存在有前述氣體供給指定的情況時，前述管理部，若是在對於被指定為前述異常之前述基板收容器的氣體供給量為超過前述基準值的狀態下而經過一定時間，則係將前述異常之指定解除，並使對於前述載置部以及前述收容棚中的至少其中一者所進行的搬入以及搬出成為可能。
  12. 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理裝置，其中，前述監視部，在前述氣體之流量為低於基準值而判斷 為異常，並對於前述管理部而輸出了代表前述異常的訊號之後，若是在經過預先所指定了的監視時間前，前述氣體之流量成為超過基準值，則對於前述管理部輸出代表前述異常已有所回復一事的訊號。
  13. 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理裝置，其中，前述管理部，係對於前述監視部，而輸出因應於被收容在前述基板收容器中之基板的種類來在被配置於前述載置部以及前述收容棚中之至少其中一者處的狀態下而對於前述基板收容器供給惰性氣體之指示。
  14. 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理裝置，其中，前述管理部，係構成為若是被收容在前述基板收容器中之基板的種類乃身為製品基板，則輸出對於前述基板收容器供給惰性氣體之指示，並構成為若是被收容在前述基板收容器中之基板的種類乃身為假基板，則並不對於前述基板收容器供給惰性氣體。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，係具備有：從被設置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之氣體供給部來將特定之氣體對於基板收容器作供給之工程；和對於經由前述氣體供給部所供給至前述基板收容器處之前述特定之氣體之流量和預先所設定的基準值作比較， 並輸出代表比較後的結果之訊號之工程；和因應於前述所輸出之前述訊號來對於前述基板收容器之搬送狀態進行管理之工程；和將使前述搬送狀態被作了管理的前述基板收容器之基板搬送至處理室處並進行處理之工程。
  16. 一種記錄媒體，係為記錄有流量監視程式之記錄媒體，該流量監視程式，係具備有：對於供給至被配置在載置部以及收容部中的至少其中一者處之基板收容器的氣體之流量和預先所設定了的基準值進行比較之程序；和根據前述比較後，從對於結果前述流量異常作指定之訊號和對於前述流量異常之回復作指定之訊號以及對於前述基板收容器之搬送狀態作指定之訊號中而輸出所選擇之1個的訊號之程序。
  17. 一種流量監視方法，其特徵為，具備有：在對於在被載置於前述載置部以及前述收容部之至少其中一者處的狀態下之基板收容器內所供給之氣體流量和預先所設定了的基準值進行了比較後，當其結果為低於前述基準值的情況時，輸出代表流量異常的訊號之工程；和在較前述基準值而更低的狀態下，若是超過了特定之監視時間，則進行輸出將前述基板收容器指定為異常之訊號的處理之異常指定工程；和在較前述基準值而更低的狀態下，若是尚未超過特定 之監視時間前述氣體流量便成為較前述基準值而更高，則輸出代表前述異常回復之訊號之工程。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之流量監視方法，其中，係具備有：在前述異常指定工程之後，若是於前述氣體流量為較前述基準值更高的狀態下而超過了特定之監視時間，則輸出將前述基板收容器所被指定之前述異常解除的訊號(指定解除訊號)之工程。
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