JP6945357B2 - 制御装置。 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 66
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 61
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 43
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 59
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 33
- 230000008859 change Effects 0.000 description 32
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002494 quartz crystal microgravimetry Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
- H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
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Description
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理システム1の概略構成の一例について、図1を参照しながら説明する。
続いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置10の構成の一例について、図2を参照しながら説明する。図2に示す基板処理装置10は、クラスタ構造(マルチチャンバタイプ)の装置である。
以下、本発明の一実施形態に係るロードポートLPおよびFOUP60の構成の一例について、図3を参照しながら説明する。なお、図3では、ロードポートLPにFOUP60が載置された状態を示している。また、ロードポートLPは、制御装置100からの指令により、FOUP60内のパージを実行する。
本実施形態では、FOUPパージ装置20は、図3からローダーモジュールLMを形成する隔壁11を省略した、ロードポートLPと同様の構成を有している。また、FOUPパージ装置20は、制御装置200からの指令により、FOUP60内のパージを実行する。
続いて、本発明の一実施形態に係るFOUPストッカー30の構成の一例について、図4を参照しながら説明する。FOUPストッカー30は、FOUP搬入出口31を有し、FOUP60を一時的に保管する保管庫である。
次に、ウェハWの搬送について、図2を参照して説明する。まず、ウェハWは、ロードポートLP1〜LP3に載置されたFOUP60のいずれかから搬出され、基板処理室PM1〜PM4のいずれかに搬入される。具体的には、ウェハWは、ロードポートLP1〜LP3のいずれかに載置されたFUOP60から搬出され、ローダーモジュールLMを介してロードロック室LLM1、2のいずれかへ搬送される。
以下に、図5を参照しながら、QCM70について簡単に説明する。QCM70は、水晶板71を2枚の電極72で挟んだ水晶振動子を支持体73で支持した構成を有する。QCM70の水晶振動子の表面に異物が付着すると、その重量に応じて、以下の式に示すQCM70の共振周波数fが変動する。
この現象を利用し、共振周波数fの変化量により微量な付着物を定量的に測定することができる。共振周波数fの変化は、水晶振動子に付着した物質による弾性定数の変化と物質の付着厚みを水晶密度に換算したときの厚み寸法で決まる。これにより、共振周波数fの変化を付着物の重量に換算することができる。
そこで、制御装置100、200、300、400およびホストコンピュータ50は、QCM70から汚染状態を示す情報の一例として水晶振動子の周波数を受信する。
(1)FOUP60の内部にN2ガス等の不活性ガスを導入する。
(1−1)異常の検知状態に応じて、不活性ガスの流量を制御する。
(1−2)異常の検知状態に応じて、不活性ガスの導入時間を制御する。
(2)FOUP60内のウェハWを基板処理室PM1〜PM4のいずれかに搬送し、所定のガスにより再度ウェハWを処理する。
(3)基板処理室PMにおけるウェハWの処理条件を変更する。
(1)FOUP60をロードポートLP、パージストレージPS、FOUPパージ装置20またはFOUPストッカー30に搬送し、FOUP60の内部にN2ガス等の不活性ガスを導入する。
(2)異常を検知したFOUP60内部のウェハWを基板処理装置10のパージストレージPSまたはFOUPストッカー30に搬送し、パージストレージPSまたはFOUPストッカー30にて搬送したウェハWを所定時間保持する。
次に、一実施形態にかかるリカバリ処理の一例について、図9のフローチャートを用いて説明する。本処理は、例えばFOUP60が基板処理装置10のロードポートLPに載置され、ウェハWに対して処理または搬送が行われている状態(ドック時)で、制御部101により実行される。
次に、一実施形態にかかるリカバリ処理の一例について、図10のフローチャートを用いて説明する。本処理は、ウェハWに対する処理が終了し、FOUP60が基板処理装置10の外部にある状態(アンドック時)で、制御部101により実行される。
次に、一実施形態にかかる測定結果の蓄積処理の一例について、図12のフローチャートを用いて説明する。本処理は、例えばFOUP60に設けられた送信機80から送信されるQCM70の測定結果を受信することで、制御部101により実行される。
次に、一実施形態にかかるリカバリ処理の一例について、図13のフローチャートを用いて説明する。本処理は、例えばFOUP60が基板処理装置10のロードポートLPに載置され、ウェハWに対して処理または搬送が行われている状態(ドック時)で、制御部101により実行される。
20:FOUPパージ装置
30:FOUPストッカー
50:ホストコンピュータ
60:FOUP
70:QCM
100:制御装置
200:制御装置
300:制御装置
400:制御装置
PM:基板処理室
PS:パージストレージ
Claims (6)
- 基板処理室にて所定のガスにより基板に処理を行う基板処理装置の制御装置であって、
基板を収納する基板収納容器の内部に設けられたモニタが検出した前記基板収納容器の内部の汚染状態を示す情報を取得し、
取得した前記汚染状態を示す情報に基づいて、前記基板収納容器の内部の異常を検知し、
前記異常を検知した場合に、リカバリ処理を実行し、
前記基板処理装置の内部にて前記基板収納容器の内部の異常を検知した場合、前記基板処理室にて所定のガスにより再度基板を処理する、および前記基板処理室における基板の処理条件を変更する、の少なくともいずれかのリカバリ処理を実行する制御部を有する、制御装置。 - 前記制御部は、前記リカバリ処理後に、取得した前記汚染状態を示す情報に基づいて、前記基板収納容器の内部の異常を再度検知し、前記異常を再度検知した場合に、前記基板処理室にて所定のガスにより再度基板を処理する、または前記基板処理室における基板の処理条件を変更する、リカバリ処理を実行する、
請求項1に記載の制御装置。 - 基板処理室にて所定のガスにより基板に処理を行う基板処理装置の制御装置であって、
基板を収納する基板収納容器の内部に設けられたモニタが検出した前記基板収納容器の内部の汚染状態を示す情報を取得し、
取得した前記汚染状態を示す情報に基づいて、前記基板収納容器の内部の異常を検知し、
前記異常を検知した場合に、リカバリ処理を実行し、
前記基板処理装置の外部にて前記基板収納容器の内部の異常を検知した場合、異常を検知した前記基板収納容器を前記基板処理装置のロードポート、パージストレージ、FOUPパージ装置またはFOUPストッカーに搬送し、前記ロードポート、前記パージストレージ、前記FOUPパージ装置またはFOUPストッカーにて前記基板収納容器の内部に不活性ガスを導入させる、リカバリ処理を実行するか、或いは、異常を検知した前記基板収納容器の内部の基板を前記パージストレージまたはFOUPストッカーに搬送し、前記パージストレージまたはFOUPストッカーにて搬送した基板を所定時間保持する、リカバリ処理を実行し、
前記リカバリ処理後に、取得した前記汚染状態を示す情報に基づいて、前記基板収納容器の内部の異常を再度検知し、前記異常を再度検知した場合に、前記基板処理室にて所定のガスにより再度基板を処理する、または前記基板処理室における基板の処理条件を変更する、リカバリ処理を実行する、制御部を有する、
制御装置。 - 基板処理室にて所定のガスにより基板に処理を行う基板処理装置の制御装置であって、
基板を収納する基板収納容器の内部に設けられたモニタが検出した前記基板収納容器の内部の汚染状態を示す情報を取得し、
取得した前記汚染状態を示す情報に基づいて、前記基板収納容器の内部の異常を検知し、
前記異常を検知した場合に、リカバリ処理を実行し、
前記基板処理装置の外部にて前記基板収納容器の内部の異常を検知した場合、異常を検知した前記基板収納容器を前記基板処理装置のロードポート、パージストレージ、FOUPパージ装置またはFOUPストッカーに搬送し、前記ロードポート、前記パージストレージ、前記FOUPパージ装置またはFOUPストッカーにて前記基板収納容器の内部に不活性ガスを導入させる、リカバリ処理を実行するか、或いは、異常を検知した前記基板収納容器の内部の基板を前記パージストレージまたはFOUPストッカーに搬送し、前記パージストレージまたはFOUPストッカーにて搬送した基板を所定時間保持する、リカバリ処理を実行し、
前記リカバリ処理後に、取得した前記汚染状態を示す情報に基づいて、前記基板収納容器の内部の異常を再度検知し、前記異常を再度検知した場合に、基板の欠陥を検査する装置により、前記基板収納容器の内部の基板のパターン検査を実行する、制御部を有する、
制御装置。 - 前記制御部は、前記異常を検知した場合に、エラー通知を行う、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記制御部は、取得した前記汚染状態を示す情報を蓄積した記憶部を参照して、蓄積した所定時間内の前記汚染状態を示す情報に基づき、前記基板収納容器の内部の異常を検知した場合に、リカバリ処理を実行する、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の制御装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017113770A JP6945357B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 制御装置。 |
TW107118107A TWI759488B (zh) | 2017-06-08 | 2018-05-28 | 控制裝置及基板處理裝置 |
US16/001,294 US11462444B2 (en) | 2017-06-08 | 2018-06-06 | Substrate container, controller, and abnormality detection method |
KR1020180065297A KR102517507B1 (ko) | 2017-06-08 | 2018-06-07 | 기판 수납 용기, 제어 장치 및 이상 검지 방법 |
CN201810582590.1A CN109037126B (zh) | 2017-06-08 | 2018-06-07 | 基板收纳容器、控制装置和异常探测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017113770A JP6945357B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 制御装置。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018207050A JP2018207050A (ja) | 2018-12-27 |
JP6945357B2 true JP6945357B2 (ja) | 2021-10-06 |
Family
ID=64563613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017113770A Active JP6945357B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 制御装置。 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11462444B2 (ja) |
JP (1) | JP6945357B2 (ja) |
KR (1) | KR102517507B1 (ja) |
CN (1) | CN109037126B (ja) |
TW (1) | TWI759488B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2017
- 2017-06-08 JP JP2017113770A patent/JP6945357B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-28 TW TW107118107A patent/TWI759488B/zh active
- 2018-06-06 US US16/001,294 patent/US11462444B2/en active Active
- 2018-06-07 KR KR1020180065297A patent/KR102517507B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-07 CN CN201810582590.1A patent/CN109037126B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180134300A (ko) | 2018-12-18 |
TW201907504A (zh) | 2019-02-16 |
TWI759488B (zh) | 2022-04-01 |
US20180358249A1 (en) | 2018-12-13 |
US11462444B2 (en) | 2022-10-04 |
KR102517507B1 (ko) | 2023-04-03 |
CN109037126B (zh) | 2023-06-27 |
JP2018207050A (ja) | 2018-12-27 |
CN109037126A (zh) | 2018-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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