JP2002168748A - ケミカルフィルタ終点検知モニター、該モニターを備えた基板搬送容器、基板搬送容器充電ステーション、及び、ケミカルフィルタ終点検知方法 - Google Patents
ケミカルフィルタ終点検知モニター、該モニターを備えた基板搬送容器、基板搬送容器充電ステーション、及び、ケミカルフィルタ終点検知方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決課題】クリーンルームなどの浄化に用いられるケ
ミカルフィルタの終点検知を適正に行えるようにする。 【解決課題】水晶振動子２と、該水晶振動子の表面上に
形成され、上記空間内のガス中成分を吸着するための吸
着膜５と、ガス中成分が吸着膜に吸着されることによっ
て生じる、当該吸着膜付きの水晶振動子の重量変化を、
水晶振動子の共振周波数変化として取り出す手段３，
４，６，７とを有し、該共振周波数変化に基づきガス中
成分を定量することによりケミカルフィルタの終点検知
を行うようにしたケミカルフィルタ終点検知モニターを
提供する。
ミカルフィルタの終点検知を適正に行えるようにする。 【解決課題】水晶振動子２と、該水晶振動子の表面上に
形成され、上記空間内のガス中成分を吸着するための吸
着膜５と、ガス中成分が吸着膜に吸着されることによっ
て生じる、当該吸着膜付きの水晶振動子の重量変化を、
水晶振動子の共振周波数変化として取り出す手段３，
４，６，７とを有し、該共振周波数変化に基づきガス中
成分を定量することによりケミカルフィルタの終点検知
を行うようにしたケミカルフィルタ終点検知モニターを
提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶や半導体基板やハ
ードディスク基板電子部品・部材の製造用のクリーンル
ーム等の清浄環境の維持浄化に用いるケミカルフィルタ
の終点検知用モニターに関する。本発明は、所謂半導体
分野にとどまらず、あらゆる清浄空間、環境におけるケ
ミカルフィルタ終点検知用モニターに適用することがで
きる。
ードディスク基板電子部品・部材の製造用のクリーンル
ーム等の清浄環境の維持浄化に用いるケミカルフィルタ
の終点検知用モニターに関する。本発明は、所謂半導体
分野にとどまらず、あらゆる清浄空間、環境におけるケ
ミカルフィルタ終点検知用モニターに適用することがで
きる。
【０００２】
【従来の技術】従来、クリーンルームの環境浄化に用い
るケミカルフィルタの終点検知としては、クリーンルー
ム環境ガス濃度を測定してフィルタへの負荷を予測する
方式、もしくはフィルタ処理後のガス濃度を測定し、濃
度上昇が始まったところを検知する方式が採用されてい
る。一方、ケミカルフィルタの物性変化から終点検知を
する方法も公開されている。
るケミカルフィルタの終点検知としては、クリーンルー
ム環境ガス濃度を測定してフィルタへの負荷を予測する
方式、もしくはフィルタ処理後のガス濃度を測定し、濃
度上昇が始まったところを検知する方式が採用されてい
る。一方、ケミカルフィルタの物性変化から終点検知を
する方法も公開されている。
【０００３】しかし、ケミカルフィルターの除去対象成
分が、例えば、粒子状物質、メタル、イオン、有機物な
ど多種になると、それぞれについて異なる終点検知ツー
ルを用いる必要があり、大型化、コスト高、測定時間の
長期化は否めない。
分が、例えば、粒子状物質、メタル、イオン、有機物な
ど多種になると、それぞれについて異なる終点検知ツー
ルを用いる必要があり、大型化、コスト高、測定時間の
長期化は否めない。
【０００４】一方、環境ガス濃度が高くても、半導体ウ
エーハ等の基板に吸着しにくい分子、逆に環境濃度が低
くても基板に吸着しやすい分子が存在することが近年わ
かってきた。この傾向は基板の表面処理、成膜条件、膜
材料等が変われば挙動も一変することがあるため、今ま
でのように単純に環境ガス濃度でケミカルフィルタの終
点を検知するのは危険な場合がある。
エーハ等の基板に吸着しにくい分子、逆に環境濃度が低
くても基板に吸着しやすい分子が存在することが近年わ
かってきた。この傾向は基板の表面処理、成膜条件、膜
材料等が変われば挙動も一変することがあるため、今ま
でのように単純に環境ガス濃度でケミカルフィルタの終
点を検知するのは危険な場合がある。
【０００５】そこで、環境ガス濃度を測定するのではな
<、環境に放置した基板に吸着した分子を測定する技術
が確立されるようになった。基板に吸着する粒子数を測
定する光散乱式ウエーハ表面検査方法、基板に吸着する
メタルやイオンを純水に溶出しＩＣＰ−ＭＳやＩＣにて
分析する方法、基板を加熱して吸着した有機物をガス化
させＧＣ−ＭＳにて分析する方法等が代表的である。し
かし、前記基板吸着分子を測定する装置はいずれも高額
であり、また、光散乱式ウエーハ表面検査を除き、前処
理を含めた測定所要時間が長いため、これもまたケミカ
ルフィルタの終点検知用モニターとしては不向きであ
る。
<、環境に放置した基板に吸着した分子を測定する技術
が確立されるようになった。基板に吸着する粒子数を測
定する光散乱式ウエーハ表面検査方法、基板に吸着する
メタルやイオンを純水に溶出しＩＣＰ−ＭＳやＩＣにて
分析する方法、基板を加熱して吸着した有機物をガス化
させＧＣ−ＭＳにて分析する方法等が代表的である。し
かし、前記基板吸着分子を測定する装置はいずれも高額
であり、また、光散乱式ウエーハ表面検査を除き、前処
理を含めた測定所要時間が長いため、これもまたケミカ
ルフィルタの終点検知用モニターとしては不向きであ
る。
【０００６】一方、水晶振動子は外部に共振電気回路を
接続すると固有の共振周波数（ｆｑ）で振動するが、そ
の電極表面にガス状分子が吸着すると重量変化が生じ振
動周波数が下がることが知られている。吸着による重量
変化量と周波数変化量（Δｆ）は比例するため、この現
象を利用した高感度微量天秤は様々な計測に用いられ
る。ただし、周波数変化は温度変動によっても生じる、
更に、同じ濃度環境でも温度、圧力の変動があると吸着
重量自体が変わってしまい、また、同様に湿度変動があ
ると水分の吸着量が変動するため、周波数変化に影響す
る。通常、圧力変動は無視できるので、温度と湿度を一
定にすることができれば、ガス濃度の計測も可能であ
る。そこで近年、水晶振動子の表面に測定したいガス状
分子を選択的に吸着する膜を水晶振動子上に被覆し、分
子の吸着量増加に伴う重量変化を共振周波数変化として
取り出し、ガス状分子の吸着量を定量する化学センサー
が、匂いセンサーやガス検出器等のガス計測器に応用さ
れるようになった。
接続すると固有の共振周波数（ｆｑ）で振動するが、そ
の電極表面にガス状分子が吸着すると重量変化が生じ振
動周波数が下がることが知られている。吸着による重量
変化量と周波数変化量（Δｆ）は比例するため、この現
象を利用した高感度微量天秤は様々な計測に用いられ
る。ただし、周波数変化は温度変動によっても生じる、
更に、同じ濃度環境でも温度、圧力の変動があると吸着
重量自体が変わってしまい、また、同様に湿度変動があ
ると水分の吸着量が変動するため、周波数変化に影響す
る。通常、圧力変動は無視できるので、温度と湿度を一
定にすることができれば、ガス濃度の計測も可能であ
る。そこで近年、水晶振動子の表面に測定したいガス状
分子を選択的に吸着する膜を水晶振動子上に被覆し、分
子の吸着量増加に伴う重量変化を共振周波数変化として
取り出し、ガス状分子の吸着量を定量する化学センサー
が、匂いセンサーやガス検出器等のガス計測器に応用さ
れるようになった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
を踏まえて成されたものであり、ケミカルフィルタ処理
ガスを一定時間成膜処理した水晶振動子に暴露し、分子
の吸着量増加に伴う重量変化を周波数変化量として取り
出し、ガス状分子の吸着量を定量することにより、測定
したいガス状分子の成分毎に分析法を変えることなくコ
ンパクト、安価、即答性のある検知モニターを提供する
ことを基本的目的とする。また、本発明は、そのような
検知モニターを備えた、基板搬送装置、基板搬送装置を
充電するための充電ステーションを提供することを特徴
とする。更に本発明は、そのような基板搬送装置や充電
ステーションのケミカルフィルタの終点を検知するため
の方法を提供することを目的とする。
を踏まえて成されたものであり、ケミカルフィルタ処理
ガスを一定時間成膜処理した水晶振動子に暴露し、分子
の吸着量増加に伴う重量変化を周波数変化量として取り
出し、ガス状分子の吸着量を定量することにより、測定
したいガス状分子の成分毎に分析法を変えることなくコ
ンパクト、安価、即答性のある検知モニターを提供する
ことを基本的目的とする。また、本発明は、そのような
検知モニターを備えた、基板搬送装置、基板搬送装置を
充電するための充電ステーションを提供することを特徴
とする。更に本発明は、そのような基板搬送装置や充電
ステーションのケミカルフィルタの終点を検知するため
の方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
検知モニターは、液晶や半導体基板等を処理するクリー
ンルームや搬送保管用のウエハ搬送容器等の所要の閉鎖
可能空間の浄化に用いられるケミカルフィルタの終点検
知を行うケミカルフィルタ終点検知モニターであって、
水晶振動子と、該水晶振動子の表面上に形成され、上記
空間内のガス中成分を吸着するための吸着膜であって、
ガス中成分に対して、同空間内で処理される半導体基板
等の表面形成物質と同様の吸着特性を有する物質で形成
された吸着膜と、ガス中成分が吸着膜に吸着されること
によって生じる、当該吸着膜付きの水晶振動子の重量変
化を、水晶振動子の共振周波数変化として取り出す手段
とを有し、該共振周波数変化に基づきガス中成分を定量
することによりケミカルフィルタの終点検知を行うよう
にしたことを基本的特徴とする。本検知モニターの設置
は、半導体等の電子部材・部品以外の分野は勿論、それ
以外の分野、例えば極めてデリケートな生体培養システ
ム、バイオセンサ，バイオチップ等の保管などの分野で
も用いることができる。また、上記吸着膜は、測定しよ
うとするガス中成分を吸着するのに適した材料で形成す
ることもできる。すなわち、本発明に係るモニターで
は、ケミカルフィルタ処理ガスを一定時間、成膜処理し
た水晶振動子に暴露し、粒子状物質、メタル、イオン、
有機物に関わらず、分子の吸着量増加に伴う重量変化を
周波数変化量として取り出して終点検知を行う。測定し
たいガス成分毎に終点検知するためには、対象成分毎
に、水晶振動子上に被覆する膜を変えることが重要であ
る。しかも、被覆する膜が水晶振動子の共振を妨げるほ
ど重くては肝心の吸着分子を感度よく測定できな<なる
ので膜の選定及び処理方法は重要である。本発明は基板
に吸着しにくいが悪影響を及ぼす酸や塩基に対してはイ
オン交換体や酸乃至塩基性膜を採用し、基板に吸着しや
すい分子に対しては、その環境で運用する製品基板に成
膜すると同様の処理を水晶振動子に施すことにより、上
記課題を解決することを可能にした。具体的には、上記
の如きケミカルフィルタ終点検知モニターを、内部のガ
スをケミカルフィルタを通して浄化するようになされて
いる基板搬送容器に取付けることもできる。当該基板搬
送容器は、その運用履歴に関する情報を記憶する記憶装
置を備えるようにすることができる。また、上記の如き
ケミカルフィルタ終点検知モニターを、内部のガスを浄
化するためのケミカルフィルタを備える基板搬送容器
を、充電するための充電ステーションに設けることもで
きる。基板搬送容器には当該搬送容器の運用履歴を記憶
する記憶装置を設け、充電ステーションには、該記憶装
置から運用履歴情報を取り出し、必要に応じて、同搬送
容器内の上記ケミカルフィルタの終点検知を行うように
するための手段を設けることもできる。本発明では、ま
た、ケミカルフィルタを備え、内部のガスを浄化するよ
うにした基板搬送容器であって、当該容器内に、上記の
如きケミカルフィルタ終点検知モニターを有する基板搬
送容器を用意し、該基板搬送容器に基板を収納して、種
々の処理プロセス間で搬送するようになし、各処理プロ
セス毎（すなわち、各プロセス開始前や終了後等）に、
上記ケミカルフィルタ終点検知モニターを作動させて上
記ケミカルフィルタの終点検知を行うようにしたことを
特徴とする基板搬送容器のケミカルフィルタ終点検知方
法を提供する。また，本発明では、ケミカルフィルタを
備え、内部のガスを浄化するようにした基板搬送容器で
あって、当該容器内に、上記の如きケミカルフィルタ終
点検知モニターを有する基板搬送容器を用意し、上記終
点検知を、当該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し
行うようにようにしたことを特徴とするケミカルフィル
タ終点検知方法を提供する。具体的には、終点検知を、
一定時間間隔をもって定期的に行うようにすることがで
きる。また、基板搬送容器のケミカルフィルタの終点を
予測し、当該基板搬送容器の運用履歴から上記予測した
終点が近づいた時点で、終点検知を行うようにすること
もできる。本発明は、更に、ケミカルフィルタを備え、
内部のガスを浄化するようにした基板搬送容器と、該基
板搬送容器を受け入れて、同基板搬送容器を充電するた
めの充電ステーションであって、充電中の基板搬送容器
内のガス中成分を定量することにより、上記ケミカルフ
ィルタの終点検知を行うための上記の如きケミカルフィ
ルタ終点検知モニターを備えた充電ステーションとを用
意し、充電ステーションが基板搬送容器を充電中に、上
記ケミカルフィルタ終点検知モニターを作動させて上記
ケミカルフィルタの終点検知を行うようにしたことを特
徴とする基板搬送容器のケミカルフィルタ終点検知方法
を提供する。具体的には、終点検知を当該基板搬送容器
の充電時毎に行うようにすることができる。また、終点
検知を、当該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し行
うようにようにすることもできる。より具体的には、終
点検知を、一定時間間隔をもって定期的に行うことがで
きる。更に、上記基板搬送容器のケミカルフィルタの終
点を予測し、当該基板搬送容器の運用履歴から上記予測
した終点が近づいた時点で、終点検知を行うようにする
こともできる。これらを行う場合、上記基板搬送容器に
当該容器の運用履歴を記憶する記憶装置を設け、上記充
電ステーションにおいて、該記憶装置に記憶された上記
運用履歴を呼び出し、これに基づき上記終点検知を行う
ようにすることができる。
検知モニターは、液晶や半導体基板等を処理するクリー
ンルームや搬送保管用のウエハ搬送容器等の所要の閉鎖
可能空間の浄化に用いられるケミカルフィルタの終点検
知を行うケミカルフィルタ終点検知モニターであって、
水晶振動子と、該水晶振動子の表面上に形成され、上記
空間内のガス中成分を吸着するための吸着膜であって、
ガス中成分に対して、同空間内で処理される半導体基板
等の表面形成物質と同様の吸着特性を有する物質で形成
された吸着膜と、ガス中成分が吸着膜に吸着されること
によって生じる、当該吸着膜付きの水晶振動子の重量変
化を、水晶振動子の共振周波数変化として取り出す手段
とを有し、該共振周波数変化に基づきガス中成分を定量
することによりケミカルフィルタの終点検知を行うよう
にしたことを基本的特徴とする。本検知モニターの設置
は、半導体等の電子部材・部品以外の分野は勿論、それ
以外の分野、例えば極めてデリケートな生体培養システ
ム、バイオセンサ，バイオチップ等の保管などの分野で
も用いることができる。また、上記吸着膜は、測定しよ
うとするガス中成分を吸着するのに適した材料で形成す
ることもできる。すなわち、本発明に係るモニターで
は、ケミカルフィルタ処理ガスを一定時間、成膜処理し
た水晶振動子に暴露し、粒子状物質、メタル、イオン、
有機物に関わらず、分子の吸着量増加に伴う重量変化を
周波数変化量として取り出して終点検知を行う。測定し
たいガス成分毎に終点検知するためには、対象成分毎
に、水晶振動子上に被覆する膜を変えることが重要であ
る。しかも、被覆する膜が水晶振動子の共振を妨げるほ
ど重くては肝心の吸着分子を感度よく測定できな<なる
ので膜の選定及び処理方法は重要である。本発明は基板
に吸着しにくいが悪影響を及ぼす酸や塩基に対してはイ
オン交換体や酸乃至塩基性膜を採用し、基板に吸着しや
すい分子に対しては、その環境で運用する製品基板に成
膜すると同様の処理を水晶振動子に施すことにより、上
記課題を解決することを可能にした。具体的には、上記
の如きケミカルフィルタ終点検知モニターを、内部のガ
スをケミカルフィルタを通して浄化するようになされて
いる基板搬送容器に取付けることもできる。当該基板搬
送容器は、その運用履歴に関する情報を記憶する記憶装
置を備えるようにすることができる。また、上記の如き
ケミカルフィルタ終点検知モニターを、内部のガスを浄
化するためのケミカルフィルタを備える基板搬送容器
を、充電するための充電ステーションに設けることもで
きる。基板搬送容器には当該搬送容器の運用履歴を記憶
する記憶装置を設け、充電ステーションには、該記憶装
置から運用履歴情報を取り出し、必要に応じて、同搬送
容器内の上記ケミカルフィルタの終点検知を行うように
するための手段を設けることもできる。本発明では、ま
た、ケミカルフィルタを備え、内部のガスを浄化するよ
うにした基板搬送容器であって、当該容器内に、上記の
如きケミカルフィルタ終点検知モニターを有する基板搬
送容器を用意し、該基板搬送容器に基板を収納して、種
々の処理プロセス間で搬送するようになし、各処理プロ
セス毎（すなわち、各プロセス開始前や終了後等）に、
上記ケミカルフィルタ終点検知モニターを作動させて上
記ケミカルフィルタの終点検知を行うようにしたことを
特徴とする基板搬送容器のケミカルフィルタ終点検知方
法を提供する。また，本発明では、ケミカルフィルタを
備え、内部のガスを浄化するようにした基板搬送容器で
あって、当該容器内に、上記の如きケミカルフィルタ終
点検知モニターを有する基板搬送容器を用意し、上記終
点検知を、当該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し
行うようにようにしたことを特徴とするケミカルフィル
タ終点検知方法を提供する。具体的には、終点検知を、
一定時間間隔をもって定期的に行うようにすることがで
きる。また、基板搬送容器のケミカルフィルタの終点を
予測し、当該基板搬送容器の運用履歴から上記予測した
終点が近づいた時点で、終点検知を行うようにすること
もできる。本発明は、更に、ケミカルフィルタを備え、
内部のガスを浄化するようにした基板搬送容器と、該基
板搬送容器を受け入れて、同基板搬送容器を充電するた
めの充電ステーションであって、充電中の基板搬送容器
内のガス中成分を定量することにより、上記ケミカルフ
ィルタの終点検知を行うための上記の如きケミカルフィ
ルタ終点検知モニターを備えた充電ステーションとを用
意し、充電ステーションが基板搬送容器を充電中に、上
記ケミカルフィルタ終点検知モニターを作動させて上記
ケミカルフィルタの終点検知を行うようにしたことを特
徴とする基板搬送容器のケミカルフィルタ終点検知方法
を提供する。具体的には、終点検知を当該基板搬送容器
の充電時毎に行うようにすることができる。また、終点
検知を、当該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し行
うようにようにすることもできる。より具体的には、終
点検知を、一定時間間隔をもって定期的に行うことがで
きる。更に、上記基板搬送容器のケミカルフィルタの終
点を予測し、当該基板搬送容器の運用履歴から上記予測
した終点が近づいた時点で、終点検知を行うようにする
こともできる。これらを行う場合、上記基板搬送容器に
当該容器の運用履歴を記憶する記憶装置を設け、上記充
電ステーションにおいて、該記憶装置に記憶された上記
運用履歴を呼び出し、これに基づき上記終点検知を行う
ようにすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明に係るケミカルフィ
ルタ終点検知モニターの一実施形態を示す正面図（図１
a）および側面図（図２b）である。該モニターは、固有
の共振周波数で振動する円盤状の水晶振動子２、その両
側面に金などで形成された金属電極３、それぞれの電極
の接続端子４、電極３上に形成されて周囲の所要のガス
成分を吸着するための膜層５からなるセンサー１と、該
センサー１に接続端子４を介して接続された共振回路６
と、該共振回路に接続された周波数検出器７とを有して
いる。図示の例では、膜層５は、吸着面積を大きくする
ために、水晶振動子２の両面に設けた両金属電極上に設
けているが、一方の金属電極上だけに設けることも可能
である。センサー１は、ケミカルフィルタの設定された
クリーンルーム内に設定され、該フィルタ透過後のクリ
ーンルーム内の汚染分子を吸着するようになされる。汚
染分子が吸着されると、その分だけ膜層５の重量が増加
するため、水晶振動子２の共振周波数が低下する。この
共振周波数を周波数検出器７にて測定することにより、
ケミカルフィルタ処理ガス中の汚染分子の基板付着量を
測定することができる。
基づいて説明する。図１は、本発明に係るケミカルフィ
ルタ終点検知モニターの一実施形態を示す正面図（図１
a）および側面図（図２b）である。該モニターは、固有
の共振周波数で振動する円盤状の水晶振動子２、その両
側面に金などで形成された金属電極３、それぞれの電極
の接続端子４、電極３上に形成されて周囲の所要のガス
成分を吸着するための膜層５からなるセンサー１と、該
センサー１に接続端子４を介して接続された共振回路６
と、該共振回路に接続された周波数検出器７とを有して
いる。図示の例では、膜層５は、吸着面積を大きくする
ために、水晶振動子２の両面に設けた両金属電極上に設
けているが、一方の金属電極上だけに設けることも可能
である。センサー１は、ケミカルフィルタの設定された
クリーンルーム内に設定され、該フィルタ透過後のクリ
ーンルーム内の汚染分子を吸着するようになされる。汚
染分子が吸着されると、その分だけ膜層５の重量が増加
するため、水晶振動子２の共振周波数が低下する。この
共振周波数を周波数検出器７にて測定することにより、
ケミカルフィルタ処理ガス中の汚染分子の基板付着量を
測定することができる。
【００１０】水晶振動子はＡＴカット６〜１０ＭＨｚ基
本波振動のものを採用するのが望ましい。また、被覆す
る膜が水晶振動子の共振を妨げるほど重くては肝心の吸
着分子の重量変化を感度よく測定できなくなるため、一
般的に、被覆することによる共振周波数変化率（周波数
変化量／共振周波数）Δｆ／ｆｑは０.１以下とするこ
とが必要といわれており、さらに高感度微量天秤として
使用するためには、膜層の影響をその１／１０におさえ
ることが好ましい。一方、水晶振動子の周波数変化量Δ
ｆと振動子厚み変化ΔＸ（含電極、膜層）には以下の関
係が成り立つことが知られている。よって、センサー１
の膜層５は共振周波数ｆｑと膜材質の密度を式１に代入
した計算値ΔＸ以下に成膜する。 ΔＸ＝Ｎ×（ρｑ／ρｆ）×（１／ｆｑ2）×Δｆ ＝Ｎ×（ρｑ／ρｆ）×（１／ｆｑ2）×０.０１ｆｑ ＝Ｎ×（ρｑ／ρｆ）×（０.０１／ｆｑ） ・・・・＜式１＞ ΔＸ：振動子厚み変化（ｍｍ） Δｆ：周波数変化量（Ｈｚ） Ｎ：周波数定数 １６７０ＫＨｚ・ｍｍ ρｑ：水晶の密度 ２.６５４ｇ／ｃｍ3 ρｆ：膜材質の密度（ｇ／ｃｍ3） ｆｑ：共振周波数（Ｈｚ） 被覆する膜が水晶振動子の共振を妨げるほど重くては肝
心の吸着分子の重量変化を感度よく測定できな<なるの
で、膜の選定及び処理方法は重要である。
本波振動のものを採用するのが望ましい。また、被覆す
る膜が水晶振動子の共振を妨げるほど重くては肝心の吸
着分子の重量変化を感度よく測定できなくなるため、一
般的に、被覆することによる共振周波数変化率（周波数
変化量／共振周波数）Δｆ／ｆｑは０.１以下とするこ
とが必要といわれており、さらに高感度微量天秤として
使用するためには、膜層の影響をその１／１０におさえ
ることが好ましい。一方、水晶振動子の周波数変化量Δ
ｆと振動子厚み変化ΔＸ（含電極、膜層）には以下の関
係が成り立つことが知られている。よって、センサー１
の膜層５は共振周波数ｆｑと膜材質の密度を式１に代入
した計算値ΔＸ以下に成膜する。 ΔＸ＝Ｎ×（ρｑ／ρｆ）×（１／ｆｑ2）×Δｆ ＝Ｎ×（ρｑ／ρｆ）×（１／ｆｑ2）×０.０１ｆｑ ＝Ｎ×（ρｑ／ρｆ）×（０.０１／ｆｑ） ・・・・＜式１＞ ΔＸ：振動子厚み変化（ｍｍ） Δｆ：周波数変化量（Ｈｚ） Ｎ：周波数定数 １６７０ＫＨｚ・ｍｍ ρｑ：水晶の密度 ２.６５４ｇ／ｃｍ3 ρｆ：膜材質の密度（ｇ／ｃｍ3） ｆｑ：共振周波数（Ｈｚ） 被覆する膜が水晶振動子の共振を妨げるほど重くては肝
心の吸着分子の重量変化を感度よく測定できな<なるの
で、膜の選定及び処理方法は重要である。
【００１１】水晶振動子の共振周波数は水晶振動子重量
変化以外に、温度の影響、また、重量変化に水分吸着量
も含まれることから湿度の影響を受ける。しかしケミカ
ルフィルタは調温調湿直後のクリーンルームユーティリ
ティーエリアや半導体製造装置内や浄化機能を持つ基板
搬送容器に搭載されるのでこれらの変動はきわめて低い
状態にコントロールされている。よって一般環境の匂い
センサーやガス検出器に比べ、他要因の影響を受けにく
い精度の高い測定が可能である。
変化以外に、温度の影響、また、重量変化に水分吸着量
も含まれることから湿度の影響を受ける。しかしケミカ
ルフィルタは調温調湿直後のクリーンルームユーティリ
ティーエリアや半導体製造装置内や浄化機能を持つ基板
搬送容器に搭載されるのでこれらの変動はきわめて低い
状態にコントロールされている。よって一般環境の匂い
センサーやガス検出器に比べ、他要因の影響を受けにく
い精度の高い測定が可能である。
【００１２】膜層５については、検知対象成分毎に、膜
層５を形成する材料を変えることが好ましい。例えば無
機塩基性物質であるＮＨ３や無機酸であるＨＣＩ等は基
板に吸着するのではなく基板上に処理した膜や配線と化
学反応をおこし、悪影響を及ぼすので、基板に見たてた
膜には吸着しない。よって、この場合には、ゲル型イオ
ン交換樹脂を電極上に塗布することが好ましい。通常は
スチレンージビニルべンゼン共重合体にスルホン基を導
入したカチオン吸着剤、スチレンージビニルべンゼン共
重合体に４級アンモニウム基を導入したアニオン吸着剤
を用いるが、これに限るものではない。また、酸又は塩
基性の薬液を膜層として保持することができれば中和反
応を利用して酸性の薬液により塩基性ガスを、塩基性の
薬液により酸性ガスを吸着させてもよい。具体的には、
ハロゲン系ガスには水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、カチオン吸着剤としてリン酸、しゅう酸、酒石酸な
どを用いる。その他有機金属錯体等を用いても良い。
層５を形成する材料を変えることが好ましい。例えば無
機塩基性物質であるＮＨ３や無機酸であるＨＣＩ等は基
板に吸着するのではなく基板上に処理した膜や配線と化
学反応をおこし、悪影響を及ぼすので、基板に見たてた
膜には吸着しない。よって、この場合には、ゲル型イオ
ン交換樹脂を電極上に塗布することが好ましい。通常は
スチレンージビニルべンゼン共重合体にスルホン基を導
入したカチオン吸着剤、スチレンージビニルべンゼン共
重合体に４級アンモニウム基を導入したアニオン吸着剤
を用いるが、これに限るものではない。また、酸又は塩
基性の薬液を膜層として保持することができれば中和反
応を利用して酸性の薬液により塩基性ガスを、塩基性の
薬液により酸性ガスを吸着させてもよい。具体的には、
ハロゲン系ガスには水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、カチオン吸着剤としてリン酸、しゅう酸、酒石酸な
どを用いる。その他有機金属錯体等を用いても良い。
【００１３】これに対して、検知対象成分が有機成分で
ある場合には、膜層５を、基板に見立てた銅やポリシリ
コンで形成するようにすることが好ましい。前述の如
く、近年、ガス中濃度が低くても基板に吸着しやすい成
分があること、また、その逆のものがあることが分かっ
てきており、その傾向は、特に有機物成分に強く、した
がって、従来のように単純に有機物成分の濃度に基づき
終点検知をしていたのでは、適正な検知を行うことはで
きない。例えば、クリーンルームに大量に存在するトル
エン等は、基板表面には吸着しにくい。したがって、ト
ルエン濃度の増大に基づき終点と判断しても、トルエン
自体による基板への影響はまだ小さく、しかも、他の成
分についてもまだ終点には至っておらず、フィルタが十
分に使用可能な場合があるが、従来は、このような場合
には、安全サイドに立ち、フィルタを交換していた。本
発明では、このような状況に対処するため、電極３上に
設ける膜層５を、基板に見立てた銅やポリシリコンで形
成するようにする。このようにすることにより、終点検
知を、基板に実際に吸着される成分の検知に基づき行う
ことができ、したがって、そのような成分がフィルタに
よって適正に除去できなくなるまで、当該フィルタを使
用することが可能となる。これに対し、検知対象を選択
せずにガス中に存在するトータル有機物を測定したい場
合は、膜として、吸着性能に優れた活性炭超微粒子等を
利用することも可能である。尚、前述の如く、膜層厚み
は式１のΔＸ以下に制限する。
ある場合には、膜層５を、基板に見立てた銅やポリシリ
コンで形成するようにすることが好ましい。前述の如
く、近年、ガス中濃度が低くても基板に吸着しやすい成
分があること、また、その逆のものがあることが分かっ
てきており、その傾向は、特に有機物成分に強く、した
がって、従来のように単純に有機物成分の濃度に基づき
終点検知をしていたのでは、適正な検知を行うことはで
きない。例えば、クリーンルームに大量に存在するトル
エン等は、基板表面には吸着しにくい。したがって、ト
ルエン濃度の増大に基づき終点と判断しても、トルエン
自体による基板への影響はまだ小さく、しかも、他の成
分についてもまだ終点には至っておらず、フィルタが十
分に使用可能な場合があるが、従来は、このような場合
には、安全サイドに立ち、フィルタを交換していた。本
発明では、このような状況に対処するため、電極３上に
設ける膜層５を、基板に見立てた銅やポリシリコンで形
成するようにする。このようにすることにより、終点検
知を、基板に実際に吸着される成分の検知に基づき行う
ことができ、したがって、そのような成分がフィルタに
よって適正に除去できなくなるまで、当該フィルタを使
用することが可能となる。これに対し、検知対象を選択
せずにガス中に存在するトータル有機物を測定したい場
合は、膜として、吸着性能に優れた活性炭超微粒子等を
利用することも可能である。尚、前述の如く、膜層厚み
は式１のΔＸ以下に制限する。
【００１４】図２は図１に示した終点検知モニターを備
えるケミカルフィルタファンユニットCの構成図であ
る。図２において、１はセンサー、８は該センサー１が
設定され、ファン９からのガスがケミカルフィルタ１０
で処理されて供給されるチャンバーである。図２におい
て、便宜上センサー１は１つだけ設置されているが、実
際は対象ガス分子ごとに複数個のセンサーを設置するこ
とが可能である。
えるケミカルフィルタファンユニットCの構成図であ
る。図２において、１はセンサー、８は該センサー１が
設定され、ファン９からのガスがケミカルフィルタ１０
で処理されて供給されるチャンバーである。図２におい
て、便宜上センサー１は１つだけ設置されているが、実
際は対象ガス分子ごとに複数個のセンサーを設置するこ
とが可能である。
【００１５】図３は、図１に示した終点検知モニターを
備えた基板搬送容器Ｔを示す。基板搬送用容器Ｔは、ク
リーンルーム内で種々の処理プロセス（成膜プロセス、
露光プロセス等）を通される基板を、各処理装置(処理
工程)の間で搬送するための容器で、多数の基板を収納
するものであり、図示の容器Ｔは内部環境を浄化するた
めに、内部ガスを循環させるファン９と、循環されるガ
スを浄化するフィルタ１８を備えている。フィルタ１８
は、ケミカルフィルタ１０と、粒子除去フィルタ１０'
とからなり、センサー１はケミカルフィルタ１０の内側
（ガスの下流側）に設けられており、当該容器内部のガ
スのクリーン度を判定して、ケミカルフィルタの終点検
知を行うようになっている。図３において、浄化機能を
行うためのファン９、ケミカルフィルタ１０、粒子除去
フィルタ１０'、及び、ケミカルフィルタ１０に接続さ
れた共振回路６並びに周波数検出器７は、基板搬送容器
本体の側面に取り付けられて蓋体１６によりカバーされ
ている。蓋体内部は容器本体１１よりも流路面積が小さ
いために、ガスの流れが速く、対象ガス成分の吸着効率
が高くなり好ましい。また、センサーはケミカルフィル
タ１０の下流側(内側)に配置することが好ましいが、基
板搬送容器内に収納している基板からの脱ガスが顕著な
場合は、ケミカルフィルタ１０と粒子除去フィルタ１
０'との間にセンサー１を配置することも行われる。こ
れは、当該搬送容器内でのファン９の作動が通常は、３
０分毎に間欠的に行われるので、停止しているときに
は、基板からの脱ガスが濃度拡散によって、フィルタよ
りも内側にあるセンサーに影響を与え、適正な終点検知
の支障となる虞もあるので、これを回避するためであ
る。基板はベアの状態から製品になるまでに何百工程も
のプロセスを経る。搬送容器がある特定のプロセス間の
往復をする場合は、保管する基板に悪影響を与えるター
ゲットガスのモニタリングを行うことが可能である。し
かし、通常、搬送容器は内部に収納するロットと１対１
で対応している。その場合には、搬送容器で移送するプ
ロセスの、開始から終了までの周波数減少許容範囲を周
波数検出器に記憶させてお<ことにより、容器内環境の
異常を的確に把握することが可能である。該基板搬送容
器におけるケミカルフィルタの終点検知は、各処理プロ
セス毎（すなわち、各プロセス開始前や終了後等）に、
上記ケミカルフィルタ終点検知モニターを作動させて行
うようにすることができる。また，上記終点検知を、当
該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し行うようによ
うにすることができる。具体的には、終点検知を、一定
時間間隔をもって定期的に行うようにしたり、基板搬送
容器のケミカルフィルタの終点を予測し、当該基板搬送
容器の運用履歴から上記予測した終点が近づいた時点
で、終点検知を行うようにすることもできる。
備えた基板搬送容器Ｔを示す。基板搬送用容器Ｔは、ク
リーンルーム内で種々の処理プロセス（成膜プロセス、
露光プロセス等）を通される基板を、各処理装置(処理
工程)の間で搬送するための容器で、多数の基板を収納
するものであり、図示の容器Ｔは内部環境を浄化するた
めに、内部ガスを循環させるファン９と、循環されるガ
スを浄化するフィルタ１８を備えている。フィルタ１８
は、ケミカルフィルタ１０と、粒子除去フィルタ１０'
とからなり、センサー１はケミカルフィルタ１０の内側
（ガスの下流側）に設けられており、当該容器内部のガ
スのクリーン度を判定して、ケミカルフィルタの終点検
知を行うようになっている。図３において、浄化機能を
行うためのファン９、ケミカルフィルタ１０、粒子除去
フィルタ１０'、及び、ケミカルフィルタ１０に接続さ
れた共振回路６並びに周波数検出器７は、基板搬送容器
本体の側面に取り付けられて蓋体１６によりカバーされ
ている。蓋体内部は容器本体１１よりも流路面積が小さ
いために、ガスの流れが速く、対象ガス成分の吸着効率
が高くなり好ましい。また、センサーはケミカルフィル
タ１０の下流側(内側)に配置することが好ましいが、基
板搬送容器内に収納している基板からの脱ガスが顕著な
場合は、ケミカルフィルタ１０と粒子除去フィルタ１
０'との間にセンサー１を配置することも行われる。こ
れは、当該搬送容器内でのファン９の作動が通常は、３
０分毎に間欠的に行われるので、停止しているときに
は、基板からの脱ガスが濃度拡散によって、フィルタよ
りも内側にあるセンサーに影響を与え、適正な終点検知
の支障となる虞もあるので、これを回避するためであ
る。基板はベアの状態から製品になるまでに何百工程も
のプロセスを経る。搬送容器がある特定のプロセス間の
往復をする場合は、保管する基板に悪影響を与えるター
ゲットガスのモニタリングを行うことが可能である。し
かし、通常、搬送容器は内部に収納するロットと１対１
で対応している。その場合には、搬送容器で移送するプ
ロセスの、開始から終了までの周波数減少許容範囲を周
波数検出器に記憶させてお<ことにより、容器内環境の
異常を的確に把握することが可能である。該基板搬送容
器におけるケミカルフィルタの終点検知は、各処理プロ
セス毎（すなわち、各プロセス開始前や終了後等）に、
上記ケミカルフィルタ終点検知モニターを作動させて行
うようにすることができる。また，上記終点検知を、当
該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し行うようによ
うにすることができる。具体的には、終点検知を、一定
時間間隔をもって定期的に行うようにしたり、基板搬送
容器のケミカルフィルタの終点を予測し、当該基板搬送
容器の運用履歴から上記予測した終点が近づいた時点
で、終点検知を行うようにすることもできる。
【００１６】図４は図１に示した終点検知モニターを備
えた基板搬送容器充電ステーション２４での、充電操作
を説明するための図である。図４aは、図３に示したと
同様にファンユニット９及びケミカルフィルタ１０を備
え浄化機能を持つ基板搬送容器であり、容器本体１１と
底部基板搬出入ドア１２とを有している。この搬送容器
は、図３に示したものと異なり、それ自体では、終点モ
ニターを備えていない。該搬送容器が前記基板搬送容器
は充電ステーション２４に入ると、通常は、図４（c）
に示すように、ドア１２は開蓋されることなく、当該充
電ステーションの充電コネクター１４及び搬送容器の電
池充電端子１３を通して充電が行われる。充電ステーシ
ョン２４は、図１に示したと同様にセンサー１、共振回
路６、周波数検出器７を備える終点検知モニターを備え
ており、当該充電ステーションで充電される基板搬送容
器内にあるケミカルフィルタ１０の終点検知を、適宜、
行うことができる。終点検知を行う場合には、図４
（ｂ）に示すように、ドア１２が外され、終点検知モニ
ターが接続される。接続されたモニターは、ドア１２に
代わって基板容器本体内部を外部から閉じ、同内部を汚
染させることなくケミカルフィルタの終点検知を行うこ
とができる。前記基板搬送容器は基板ロット管理用情報
記憶装置１５を搭載しており、充電ステーション側で、
該記憶装置から当該容器(ケミカルフィルタ)の使用頻度
に関する情報を終点検知のための情報として読み出すこ
とができるようになっている。すなわち、終点検知は、
ケミカルフィルタの使用回数が少ない場合には行う必要
がなく、使用回数が増え、フィルタ交換時期が近づいた
時点で、そのことを上記情報から得て、行うようにする
ことができる。しかし終点検知は、必要に応じて行えば
良く、基板搬送容器の充電時毎に行ったり、一定時間間
隔をもって定期的に行うこともできる。
えた基板搬送容器充電ステーション２４での、充電操作
を説明するための図である。図４aは、図３に示したと
同様にファンユニット９及びケミカルフィルタ１０を備
え浄化機能を持つ基板搬送容器であり、容器本体１１と
底部基板搬出入ドア１２とを有している。この搬送容器
は、図３に示したものと異なり、それ自体では、終点モ
ニターを備えていない。該搬送容器が前記基板搬送容器
は充電ステーション２４に入ると、通常は、図４（c）
に示すように、ドア１２は開蓋されることなく、当該充
電ステーションの充電コネクター１４及び搬送容器の電
池充電端子１３を通して充電が行われる。充電ステーシ
ョン２４は、図１に示したと同様にセンサー１、共振回
路６、周波数検出器７を備える終点検知モニターを備え
ており、当該充電ステーションで充電される基板搬送容
器内にあるケミカルフィルタ１０の終点検知を、適宜、
行うことができる。終点検知を行う場合には、図４
（ｂ）に示すように、ドア１２が外され、終点検知モニ
ターが接続される。接続されたモニターは、ドア１２に
代わって基板容器本体内部を外部から閉じ、同内部を汚
染させることなくケミカルフィルタの終点検知を行うこ
とができる。前記基板搬送容器は基板ロット管理用情報
記憶装置１５を搭載しており、充電ステーション側で、
該記憶装置から当該容器(ケミカルフィルタ)の使用頻度
に関する情報を終点検知のための情報として読み出すこ
とができるようになっている。すなわち、終点検知は、
ケミカルフィルタの使用回数が少ない場合には行う必要
がなく、使用回数が増え、フィルタ交換時期が近づいた
時点で、そのことを上記情報から得て、行うようにする
ことができる。しかし終点検知は、必要に応じて行えば
良く、基板搬送容器の充電時毎に行ったり、一定時間間
隔をもって定期的に行うこともできる。
【００１７】図５は、図２に示すケミカルフィルタファ
ンユニットにおける終点検知モニターの性能を確かめる
ため、〇：新品ケミカルフィルタを装着した場合、△：
使用期間２０ヶ月のケミカルフィルタを装着した場合、
×：ケミカルフィルタを装着しなかった場合の共振周波
数変化（Δｆ／ｆｑ）を示したものである。図において
ｆｑは吸着前の振動子の共振周波数である。またΔｆは
周波数の変化量である。単にケミカルフィルタを外すだ
けではセンサー部１に暴露される風量が装着時と装着し
ない場合とで変わるため、双方の流速を同じになるよう
に調整した。その結果２時問後の周波数変化率は、新品
ケミカルフィルタを装着した場合０.００１以下、使用
期間２０ヶ月のケミカルフィルタを装着した場合は約
０.０１、フィルタを装着しなかった場合は０.１以上で
あった。以上より、本発明モニターによるフィルタの終
点検知の実用性が確認できた。
ンユニットにおける終点検知モニターの性能を確かめる
ため、〇：新品ケミカルフィルタを装着した場合、△：
使用期間２０ヶ月のケミカルフィルタを装着した場合、
×：ケミカルフィルタを装着しなかった場合の共振周波
数変化（Δｆ／ｆｑ）を示したものである。図において
ｆｑは吸着前の振動子の共振周波数である。またΔｆは
周波数の変化量である。単にケミカルフィルタを外すだ
けではセンサー部１に暴露される風量が装着時と装着し
ない場合とで変わるため、双方の流速を同じになるよう
に調整した。その結果２時問後の周波数変化率は、新品
ケミカルフィルタを装着した場合０.００１以下、使用
期間２０ヶ月のケミカルフィルタを装着した場合は約
０.０１、フィルタを装着しなかった場合は０.１以上で
あった。以上より、本発明モニターによるフィルタの終
点検知の実用性が確認できた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、ケ
ミカルフィルタの終点検知において、ケミカルフィルタ
で処理したガス中に含まれる成分が、保護したい基板表
面に悪影響を及ぼさない範囲か否かを直接的に検知する
ことができる。また粒子、有機物、イオンを問わず同じ
原理で測定が可能なため、コンパクト、安価、即答性の
ある検知モニターを提供することが可能である。
ミカルフィルタの終点検知において、ケミカルフィルタ
で処理したガス中に含まれる成分が、保護したい基板表
面に悪影響を及ぼさない範囲か否かを直接的に検知する
ことができる。また粒子、有機物、イオンを問わず同じ
原理で測定が可能なため、コンパクト、安価、即答性の
ある検知モニターを提供することが可能である。
【図１】本発明の終点モニターの１実施例を示す構成図
である
である
【図２】図１の終点モニターを備えるケミカルフィルタ
ファンユニットの構成図である
ファンユニットの構成図である
【図３】図１の終点モニターを備えた、浄化機能を持つ
基板搬送容器の構成図である。
基板搬送容器の構成図である。
【図４】図１の終点モニターを備える基板搬送容器充電
ステーションで行われる容器充電、容器充電/フィルタ
終点検知を説明するための図であり、図４（a）は、基
板搬送容器、図４（b）は容器充電/フィルタ終点検知時
の基板搬送容器及び充電ステーション、図４（c）はフ
ィルタ終点検知を行わず容器充電のみを行っている状態
の基板搬送容器及び充電ステーションを示す図である。
ステーションで行われる容器充電、容器充電/フィルタ
終点検知を説明するための図であり、図４（a）は、基
板搬送容器、図４（b）は容器充電/フィルタ終点検知時
の基板搬送容器及び充電ステーション、図４（c）はフ
ィルタ終点検知を行わず容器充電のみを行っている状態
の基板搬送容器及び充電ステーションを示す図である。
【図５】本発明に係るセンサーの振動数と時間の関係を
示す図である。
示す図である。
【符号の説明】 １ センサー ２ 水晶振
動子 ３ 全属電極 ４ 端子 ５ 膜層 ６ 共振回
路 ７ 周波数検出器 ８ チャン
バー ９ ファンユニット １０ ケミ
カルフィルタ １１ 浄化機能を持つ基板搬送容器本体 １２ 底部
基板搬出入ドア １３ 二次電池充電端子 １４ 充電
コネクター １５ 基板ロット管理用情報記憶装置 １６ 蓋体
動子 ３ 全属電極 ４ 端子 ５ 膜層 ６ 共振回
路 ７ 周波数検出器 ８ チャン
バー ９ ファンユニット １０ ケミ
カルフィルタ １１ 浄化機能を持つ基板搬送容器本体 １２ 底部
基板搬出入ドア １３ 二次電池充電端子 １４ 充電
コネクター １５ 基板ロット管理用情報記憶装置 １６ 蓋体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 貴士 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 3E096 AA06 BA15 CA01 DA13 FA03 4D012 CA10 CB00 CE02 CF10 CG01 CH01 4D020 AA10 BA30 BB01 CA01 DA02 DB09 5F031 CA02 DA08 EA14 NA15
Claims (16)
- 【請求項１】所要の閉鎖可能空間の浄化に用いられるケ
ミカルフィルタの終点検知を行うケミカルフィルタ終点
検知モニターであって、 水晶振動子と、 該水晶振動子の表面上に形成され、上記空間内のガス中
成分を吸着するための吸着膜であって、ガス中成分に対
して、同空間内で処理される半導体基板等の表面形成物
質と同様の吸着特性を有する物質で形成された吸着膜
と、 上記ガス中成分が上記吸着膜に吸着されることによって
生じる、当該吸着膜付き水晶振動子の重量変化を、水晶
振動子の共振周波数変化として取り出す手段とを有し、
該共振周波数変化に基づきガス中成分を定量することに
よりケミカルフィルタの終点検知を行うようにしたケミ
カルフィルタ終点検知モニター。 - 【請求項２】所要の閉鎖可能空間の浄化に用いられるケ
ミカルフィルタの終点検知を行うケミカルフィルタ終点
検知モニターであって、 測定しようとするガス中成分を吸着するための吸着膜が
表面に形成された水晶振動子と、 上記ガス中成分が上記膜に吸着されることによって生じ
る当該水晶振動子の重量変化を、水晶振動子の共振周波
数変化として取り出す手段とを有し、 該共振周波数変化に基づきガス中成分を定量することに
よりケミカルフィルタの終点検知を行うケミカルフィル
タ終点検知モニター。 - 【請求項３】ケミカルフィルタを備え、内部のガスを浄
化するようにした基板搬送容器であって、当該容器内
に、請求項１若しくは２に記載のケミカルフィルタ終点
検知モニターを有することを特徴とする基板搬送容器。 - 【請求項４】当該基板搬送容器の運用履歴に関する情報
を記憶する記憶装置を備える請求項３に記載の基板搬送
容器。 - 【請求項５】ケミカルフィルタを備え内部のガスを浄化
するようにした基板搬送容器を充電するための充電ステ
ーションであって、充電中の基板搬送容器内のガス中成
分を定量することにより、上記ケミカルフィルタの終点
検知を行うための、請求項１若しくは２に記載のケミカ
ルフィルタ終点検知モニターを備えた充電ステーショ
ン。 - 【請求項６】上記基板搬送容器が備える当該搬送容器の
運用履歴を記憶する記憶装置から運用履歴情報を取り出
し、必要に応じて、同搬送容器内の上記ケミカルフィル
タの終点検知を行うようにした請求項５に記載の充電ス
テーション。 - 【請求項７】ケミカルフィルタを備え、内部のガスを浄
化するようにした基板搬送容器であって、当該容器内
に、請求項１若しくは２に記載のケミカルフィルタ終点
検知モニターを有する基板搬送容器を用意し、 該基板搬送容器に基板を収納して、種々の処理プロセス
間で搬送するようになし、 各処理プロセス毎に、上記ケミカルフィルタ終点検知モ
ニターを作動させて上記ケミカルフィルタの終点検知を
行うようにしたことを特徴とする基板搬送容器のケミカ
ルフィルタ終点検知方法。 - 【請求項８】ケミカルフィルタを備え、内部のガスを浄
化するようにした基板搬送容器であって、当該容器内
に、請求項１若しくは２に記載のケミカルフィルタ終点
検知モニターを有する基板搬送容器を用意し、上記終点
検知を、当該基板搬送容器の運用履歴に基づき決定し行
うようにようにしたことを特徴とする請求項７に記載の
ケミカルフィルタ終点検知方法。 - 【請求項９】終点検知を、一定時間間隔をもって定期的
に行うことを特徴とする請求項８に記載のケミカルフィ
ルタ終点検知方法。 - 【請求項１０】上記基板搬送容器のケミカルフィルタの
終点を予測し、当該基板搬送容器の運用履歴から上記予
測した終点が近づいた時点で、終点検知を行うようにし
たことを特徴とする請求項８に記載のケミカルフィルタ
終点検知方法。 - 【請求項１１】ケミカルフィルタを備え、内部のガスを
浄化するようにした基板搬送容器と、 該基板搬送容器を受け入れて、同基板搬送容器を充電す
るための充電ステーションであって、充電中の基板搬送
容器内のガス中成分を定量することにより、上記ケミカ
ルフィルタの終点検知を行うための、請求項１若しくは
２に記載のケミカルフィルタ終点検知モニターを備えた
充電ステーションとを用意し、 充電ステーションが基板搬送容器を充電中に、上記ケミ
カルフィルタ終点検知モニターを作動させて上記ケミカ
ルフィルタの終点検知を行うようにしたことを特徴とす
る基板搬送容器のケミカルフィルタ終点検知方法。 - 【請求項１２】終点検知を当該基板搬送容器の充電時毎
に行うようにしたことを特徴とする請求項１１に記載の
ケミカルフィルタ終点検知方法。 - 【請求項１３】終点検知を、当該基板搬送容器の運用履
歴に基づき決定し行うようにようにしたことを特徴とす
る請求項１１に記載のケミカルフィルタ終点検知方法。 - 【請求項１４】終点検知を、一定時間間隔をもって定期
的に行うことを特徴とする請求項１３に記載のケミカル
フィルタ終点検知方法。 - 【請求項１５】上記基板搬送容器のケミカルフィルタの
終点を予測し、当該基板搬送容器の運用履歴から上記予
測した終点が近づいた時点で、終点検知を行うようにし
たことを特徴とする請求項１３に記載のケミカルフィル
タ終点検知方法。 - 【請求項１６】上記基板搬送容器に当該容器の運用履歴
を記憶する記憶装置を設け、上記充電ステーションにお
いて、該記憶装置に記憶された上記運用履歴を呼び出
し、これに基づき上記終点検知を行うようにしたことを
特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載のケミ
カルフィルタ終点検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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2000
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