JP2012220395A - Qcmセンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水晶振動子12の表面に対する物質の吸着による水晶振動子12の共振周波数の変化に基づいて物質の質量を測定するQCMセンサ10において、水晶振動子12の表面に設けた電極14と、電極14の表面に形成した薄いシリコン層16と、シリコン層16の表面に対するエッチング処理によって形成した表面積を増大するための微細な凹凸18とを有するようにする。
【選択図】図3
Description
工程1は、電極14の表面に薄いシリコン層16を形成するものである。電極14は、金などの導電性素材で構成することができる。シリコン層16は、この電極表面に対する電子ビーム蒸着法やスパッタ法の適用により形成する。シリコン層16の厚さは、数百nmに設定するのが好ましい。これ以上の厚さではセンサ重量が重くなり、吸着による周波数変化が鈍くなってしまうおそれがあるので留意する必要がある。
工程2は、半導体製造技術を利用してシリコン層16の表面に凹凸18用の適切なパターンを加工形成するものである。利用する半導体製造技術としては、レジストを塗布して露光処理することなどが挙げられる。図2は、この表面加工によるパターンの一例である。同心円状の規則的なパターンが形成してある。
工程3は、さらにシリコン層16の表面をエッチング処理して微細な凹凸18を形成するものである。エッチングの方法はガスを使用したドライ法(CF4やC2F6+SF6)や薬液を使用したウェット法のいずれでもよい。
(2)浸漬温度:23〜110℃
(3)浸漬時間:2〜20分
12 水晶振動子
14 電極
16 シリコン層
18 凹凸
Claims (2)
- 水晶振動子の表面に対する物質の吸着による前記水晶振動子の共振周波数の変化に基づいて前記物質の質量を測定するQCMセンサにおいて、
前記水晶振動子の表面に設けた電極と、前記電極の表面に形成した薄いシリコン層と、前記シリコン層の表面に対するエッチング処理によって形成した表面積を増大するための微細な凹凸とを有することを特徴とするQCMセンサ。 - 請求項1に記載のQCMセンサを製造する方法であって、
前記電極の表面に薄いシリコン層を形成した後、前記シリコン層の表面に対するエッチング処理によって表面積を増大するための微細な凹凸を形成することを特徴とするQCMセンサの製造方法。
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CN110426451A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率的量测方法 |
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2011
- 2011-04-12 JP JP2011087938A patent/JP2012220395A/ja active Pending
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