JPWO2018216433A1 - 被処理部材の製造方法および積層体 - Google Patents

被処理部材の製造方法および積層体 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018216433A1
JPWO2018216433A1 JP2019519536A JP2019519536A JPWO2018216433A1 JP WO2018216433 A1 JPWO2018216433 A1 JP WO2018216433A1 JP 2019519536 A JP2019519536 A JP 2019519536A JP 2019519536 A JP2019519536 A JP 2019519536A JP WO2018216433 A1 JPWO2018216433 A1 JP WO2018216433A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processed
adhesive layer
support
manufacturing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019519536A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6991206B2 (ja
Inventor
小川　正太郎
正太郎 小川
健次 市川
健次 市川
浩二 殿原
浩二 殿原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of JPWO2018216433A1 publication Critical patent/JPWO2018216433A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6991206B2 publication Critical patent/JP6991206B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B32B37/025—Transfer laminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/27003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/275—Manufacturing methods by chemical or physical modification of a pre-existing or pre-deposited material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/276—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/27602—Mechanical treatment, e.g. polishing, grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/401—LASER
    • H01L2924/402—Type
    • H01L2924/404—Type being a solid state
    • H01L2924/40404—Yttrium Aluminium Garnet Nd:YAG LASER
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

脆弱な基板であっても、その両面に平滑化処理等の処理を安定して施すことができる被処理部材の製造方法および積層体を提供する。被処理部材の製造方法は金属酸化物を含有する被処理部材と第１の支持体とを第１の接着層により接合する第１接合工程と、被処理部材に第１加工面を形成する第１面加工工程と、接着性を有する支持体、被処理部材を吸着する吸着支持体または第２の接着層と、第１加工面とを接触させる第１面接触工程と、被処理部材と第２の支持体とを第２の接着層により接合する第２接合工程と、被処理部材の第１加工面の裏面に第２加工面を形成する第２面加工工程とを含む。第１面接触工程おいて接着性を有する支持体または吸着支持体と第１加工面とを接触させた場合、接着性を有する支持体または吸着支持体を除去する。第１面接触工程と第２面加工工程との間に被処理部材から第１の接着層を除去する第１の接着層除去工程を含む。

Description

本発明は、金属酸化物を含有する被処理部材の両面に、平滑化処理等の処理を施すための被処理部材の製造方法および被処理部材の製造方法に用いられる積層体に関し、特に、金属酸化物を含有する被処理部材が脆弱であっても、その両面に平滑化処理等の処理を施す被処理部材の製造方法および被処理部材の製造方法に用いられる積層体に関する。
従来から、基板等の被処理部材の両面に対して、平滑化処理等の処理がなされている。基板の両面への平滑化処理について、基板を例にして説明する。
図４８〜図５４は、従来の被処理部材の処理方法を工程順に示す模式図である。図４８〜図５４は、それぞれ従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。
図４８に示すように、第１の支持体１００を用意する。第１の支持体１００には、例えば、ガラス基板またはシリコンウエハが用いられる。
次に、図４９に示すように第１の支持体１００に第１の仮接着層１０２を設ける。第１の仮接着層１０２は、露光または加熱により接着力が低減する仮接着剤または仮接着シート等で構成される。
次に、図５０に示すように裏面１０４ｂを第１の仮接着層１０２に向けて、基板１０４を第１の仮接着層１０２に貼り合せる。この状態で、基板１０４の表面１０４ａに、研磨または研削等の平滑化処理を施す。
次に、露光または加熱により第１の仮接着層１０２の接着力を低減させ、図５１に示すように、基板１０４を第１の支持体１００から剥離する。
次に、図５２に示すように、第２の支持体１０６を用意する。第２の支持体１０６は、第１の支持体１００と同じく、例えば、ガラス基板またはシリコンウエハが用いられる。
次に、図５３に示すように、第２の支持体１０６に第２の仮接着層１０８を設ける。第２の仮接着層１０８は、第１の仮接着層１０２と同じく、露光または加熱により接着力が低減する仮接着剤または仮接着シート等で構成される。
次に、図５４に示すように、表面１０４ａを第２の仮接着層１０８に向けて、基板１０４を第２の仮接着層１０８に貼り合せる。この状態で、基板１０４の裏面１０４ｂに、研磨または研削等の平滑化処理を施す。このようにして、基板１０４の両面に平滑化処理を施している。
基板等の両面への平滑化処理する方法としては、上述のもの以外にも、以下に示すものが提案されている。
特許文献１の薄膜脆性材料の表面研磨方法には、厚さ５００μｍ以下、かつヤング率１．０×１０８以上の薄膜脆性材料を一方の面を固定して他方の面を研磨する方法において、薄膜脆性材料の固定された面と接する固定用表面に深さまたは高さ５〜１００μｍ、ピッチ３０〜２０００μｍの凹凸が設けられており、固定される面と研磨される面とを相互に変更して、少なくとも一方の面を２回以上研磨して両面を研磨することが記載されている。薄膜脆性材料として、陽極酸化皮膜を主体とする構造体が挙げられている。
特許文献１では、薄膜脆性材料を固定部材にＷＡＸ接着剤（日化精工製アルコワックス）を用いて固定した後、貼り付け面と反対の面を研磨し、研磨済みの面を固定部材にＷＡＸ接着剤を用い貼り付け固定した後、他方の面を研磨することが記載されている。
特許文献２の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの第１面を第１接着剤を介し第１基板に仮接合する工程と、第１接着剤の側面が露出し第２接着剤の側面が露出しないように、半導体ウエハの第１面と反対の第２面を第２接着剤を介し第２基板に仮接合する工程と、半導体ウエハが第２基板に仮接合された状態で第１基板を半導体ウエハから剥離する工程とを含む製造方法である。特許文献２は、さらには、第１基板に仮接合された状態で第２面を研磨する工程を含む製造方法である。
特開２０１０−１４９２１１号公報 特開２０１５−２０１５４８号公報
上述の従来の基板の両面への平滑化処理では、基板１０４が薄くて脆弱な材料である場合、基板１０４の移載の際に、基板１０４を第１の支持体１００から剥がし、平滑化処理を施した表面１０４ａを第２の仮接着層１０８に貼り付ける際に、基板１０４に、変形または破壊等のダメージを与えるリスクが発生する。また、基板１０４のサイズが大きくなるほど、上述のリスクが増大する。特に、基板１０４が、金属酸化物のような脆性が低い材料である場合には上述のリスクの増大は顕著である。上述のように基板１０４に変形または破壊等が発生すると、生産の安定性の低下、および歩留まりの低下等が生じ、生産性が低下する。これにより、生産コストが嵩む。
また、上述のように、特許文献１には、薄膜脆性材料を固定部材にＷＡＸ接着剤を用いて固定した後、貼り付け面と反対の面を研磨し、研磨済みの面を固定部材にＷＡＸ接着剤を用い貼り付け固定した後、他方の面を研磨することが記載されている。この場合、研磨していない他方の面と固定部材とを剥がす必要があるが、研磨済みの面と他方の面とがいずれも同一の接着剤で固定されているため、研磨していない面のみで剥離させることが難しい。
また、上述の特許文献２は、半導体を対象としており、半導体よりも脆性が低い等、脆弱な材料には対応できない可能性がある。
このように、脆性が低い等の脆弱なものに対して両面に平滑化処理を施す場合、安定して実施できないのが現状である。
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、金属酸化物を含有する被処理部材が脆弱であっても、その両面に平滑化処理等の処理を安定して施すことができる被処理部材の製造方法および積層体を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明は、金属酸化物を含有する被処理部材と第１の支持体とを第１の接着層を用いて接合する第１接合工程と、金属酸化物を含有する被処理部材を加工して第１加工面を形成する第１面加工工程と、接着性を有する支持体、金属酸化物を含有する被処理部材を吸着する吸着支持体、および第２の接着層のうち、１つと、第１加工面とを接触させる第１面接触工程と、金属酸化物を含有する被処理部材と第２の支持体とを第１加工面と接する第２の接着層を用いて接合する第２接合工程と、金属酸化物を含有する被処理部材を加工して第１加工面の裏面に第２加工面を形成する第２面加工工程とを、この順番で含み、第１面接触工程において、接着性を有する支持体または吸着支持体と、第１加工面とを接触させた場合、接着性を有する支持体または吸着支持体を除去する工程を含み、第１面接触工程と第２接合工程との間、または第２接合工程と第２面加工工程との間に、金属酸化物を含有する被処理部材から第１の接着層を除去する第１の接着層除去工程を含む、被処理部材の製造方法を提供するものである。
第１面接触工程は、接着性を有する仮支持体、または金属酸化物を含有する被処理部材を吸着支持体を用いて、第１加工面を支持する工程を含み、第１加工面が支持された状態で、第１の接着層が除去されることが好ましい。
第１面加工工程と第１の接着層除去工程との間に、第１の接着層の接着力を低減させる第１の接着層変質工程を含むことが好ましい。
第１の接着層変質工程が露光および加熱のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
第２面加工工程の後に、第２の接着層の接着力を低減させる第２の接着層変質工程を含むことが好ましい。
第２の接着層変質工程が露光および加熱のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
第２接合工程と第２面加工工程との間に第１の接着層除去工程を含むことが好ましい。
第１面加工工程と第２接合工程との間に、金属酸化物を含有する被処理部材の第１加工面を第１の転写支持体に転写する第１転写工程と、第１の接着層除去工程と、第１の転写支持体による第１加工面の転写した状態を解除し、金属酸化物を含有する被処理部材の第１加工面以外の部分を第２の転写支持体に転写する第２転写工程と、をこの順に含むことが好ましい。
第１の転写支持体および第２の転写支持体のうち少なくとも一方が、接着性を有する仮支持体であることが好ましい。
第１の転写支持体および第２の転写支持体のうち少なくとも一方が、金属酸化物を含有する被処理部材を吸着する吸着支持体であることが好ましい。
第２接合工程が、金属酸化物を含有する被処理部材の第１加工面に設けられた第２の接着層に第２の支持体を貼付する工程であることが好ましい。
第２接合工程が、第２の支持体に設けられた第２の接着層に金属酸化物を含有する被処理部材を貼付する工程であることが好ましい。
第１接合工程が、第１の支持体に設けられた第１の接着層に金属酸化物を含有する被処理部材を貼付する工程であることが好ましい。
金属酸化物を含有する被処理部材が導電体を含むことが好ましい。導電体が未酸化の金属を含むことが好ましい。金属酸化物が未酸化の金属以外の金属元素を含むことが好ましい。未酸化の金属が遷移金属であることが好ましい。金属酸化物が卑金属の酸化物であることが好ましい。
第１加工面および第２加工面が、ともに算術平均粗さが１μｍ以下の面であることが好ましい。
第２面加工工程が、金属酸化物を含有する被処理部材の面のうち第１の接着層と接していた面を加工する工程であることが好ましい。
第１の接着層の接着力が第２の接着層の接着力よりも常に小さいことが好ましい。
第１の支持体および第２の支持体のうち少なくとも一方が、透過領域を少なくとも１ヶ所有し、透過領域は透過率が２００〜５００ｎｍの波長範囲において７０％以上であることが好ましい。
金属酸化物を含有する被処理部材における第１加工面と第２加工面の間の距離が５０μｍ以下であることが好ましい。露光がレーザー照射または紫外線照射であることが好ましい。
第１の接着層および第２の接着層のうち少なくとも一方が、加熱により接着層の接着性を低減させる材料を含むことが好ましい。
本発明は、第１の支持体、第１の接着層および金属酸化物を含有する被処理部材をこの順に有する、本発明の被処理部材の製造方法に用いられる積層体を提供するものである。
本発明は、金属酸化物を含有する被処理部材が脆弱な基板であっても、その両面に平滑化処理等の処理を安定して施すことができる。
本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の第１面加工工程の一例を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の第１面加工工程の一例を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例に用いられる仮支持体を示す模式的平面図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第５の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第５の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第５の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第６の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第６の例の一工程を示す模式図である。 被処理部材に用いられる異方導電性部材の構成の一例を示す平面図である。 被処理部材に用いられる異方導電性部材の構成の一例を示す模式的断面図である。 被処理部材に用いられる異方導電性部材を有する異方導電材の構成の一例を示す模式的断面図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。 従来の被処理部材の処理方法の一工程を示す模式図である。
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の被処理部材の製造方法および積層体を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
被処理部材の製造方法の第１の例について説明する。
図１〜図７は本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例を工程順に示す模式図である。図１〜図７は、それぞれ本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。
被処理部材の製造方法の第１の例では、金属酸化物を含有する被処理部材として、異方導電性部材を例にして説明するが、金属酸化物を含有する被処理部材のことを、基板１４として説明する。
被処理部材の製造方法の第１の例では、基板１４として、円板のものを例にして説明するが、形状としては円板に限定されるものではない。
なお、異方導電性部材は、陽極酸化膜等で構成される絶縁性基材４０（図８参照）を有する脆性材料である。また、金属酸化物を含有する被処理部材は、異方導電性部材に限定されるものではない。異方導電性部材は後に詳細に説明する。
まず、図１に示すように、第１の支持体１０を用意する。第１の支持体１０は、基板１４を支持するものであり、基板１４を支持できる大きさを有する。第１の支持体１０は、例えば、円形状である。第１の支持体１０には、例えば、ガラス基板、石英ガラス基板またはシリコン基板が用いられる。
次に、図２に示すように、第１の接着層１２を第１の支持体１０の表面１０ａに貼付する。なお、第１の接着層１２は、剥離可能な接着層であれば、特に限定されるものではない。剥離可能な接着層としては、剥離可能な両面接着フィルムであってもよく、接着性が低い接着層であってもよく、露光および加熱のうち少なくとも一方により、接着性が低下する接着層であってもよい。露光および加熱のうち少なくとも一方により、接着性が低下する接着層であることが好ましい。加熱により接着性が低下する接着層の例としては、日東電工株式会社製リバアルファ（登録商標）またはソマール株式会社製ソマタック（登録商標）が挙げられる。露光、すなわち光照射により接着性が低下する接着層としては一般的なダイシングテープとして用いられているような材料を使うことができる他、積水化学工業株式会社製セルファの光剥離フィルムも例として挙げられる。また、第１の接着層１２は、露光および加熱のうち少なくとも一方により、接着力が低下する等、接着性が低減する機能を有する接着剤組成物を用いて形成することもできる。露光には、レーザー光によるレーザー照射および紫外光を用いた紫外線照射が含まれる。
また、第１の接着層１２は、例えば、自己剥離層と両面粘着シートとを組合せた構成でもよい。両面粘着シートには、例えば、日立マクセル株式会社製（Ｎｏ.６３６０００ダイシングテープ）が用いられる。なお、第１の接着層１２の適用には、例えば、テープマウンター等が用いられる。
次に、図３に示すように、例えば、第１の支持体１０上に設けられた第１の接着層１２の表面１２ａに、金属酸化物を含有する被処理部材である基板１４を、第２面１４ｂを向けて、例えば、真空貼り合せ装置（図示せず）を用い、真空雰囲気で第１の接着層１２に接合する。
なお、図３に示すような第１の支持体１０、第１の接着層１２および基板１４をこの順に有する積層体１７は、本発明の被処理部材の製造方法に用いられる。
図３に示す工程が、金属酸化物を含有する被処理部材と第１の支持体１０とを第１の接着層１２を用いて接合する第１接合工程である。第１の接着層１２に基板１４を接合するとは、具体的には第１の接着層１２に基板１４を貼付することが例示される。
図３に示す状態で基板１４の第１面１４ａを加工して第１加工面を形成する。上述の第１面１４ａを加工して第１加工面を形成する工程が第１面加工工程である。第１面加工工程としては、例えば、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、ドライエッチングまたは研削による平滑化処理、および表面へのパターン形成等が挙げられる。
具体的には、基板１４では、図８に示すように、絶縁性基材４０の貫通路４１の内部に、導電体として金属を充填して導通路４２を構成している。基板１４では、貫通路４１に対して金属が溢れて充填された部位５０が生じることがある。なお、基板１４には、貫通路４１が形成されていない基部４３があり、基部４３と第１の接着層１２とが接触している。
図８に示す状態の基板１４の第１面１４ａに平滑化処理を施すことで、図９に示すように第１面１４ａを平坦にする。この場合、基板１４の第１面１４ａは、算術平均粗さ（ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｂ ０６０１−２００１）が１μｍ以下の面であることが好ましい。
平滑化処理は、例えば、平滑化処理を終了する第１面１４ａの反射率を予め定めておき、反射率が、予め定められた値になったとき終了する。これ以外に、予め削る量を定めておき、削った量が予め定められた値になったとき、平滑化処理を終了してもよい。
次に、第１の支持体１０側から、例えば、レーザー光を照射して第１の接着層１２の接着力を低減させる。
上述の第１の接着層１２の接着力を低減させる工程が第１の接着層変質工程である。上述の第１の接着層１２を除去する工程が第１の接着層除去工程である。
レーザー光は、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザー装置を用いて照射される。第１の接着層１２が紫外光により接着力が低減するものであれば、紫外光を照射して接着力を低減する。
なお、第１の接着層１２の接着力を低減させることは、後述の第２の接着層１８接触後であってもよい。第１の接着層１２が自己剥離型の場合は、第１の接着層１２の除去のタイミングが第２の接着層１８の接触と接合を終えた後に限られる。
なお、第１の接着層１２に、自己剥離層があれば、レーザー光により自己剥離層が蒸発し、第１の支持体１０が剥離する。さらに両面粘着シートがあれば、これを剥離する。これにより、基板１４の第２面１４ｂが露出する。
第１の接着層１２がレーザー光の照射または紫外光の照射により接着力が低減するものであるとき、第１の支持体１０を、レーザー光または紫外光を透過するもので構成することが好ましい。この場合、第１の支持体１０は、全体がレーザー光または紫外光を透過するものであってもよいが、例えば、透過領域を少なくとも１ヶ所有することが好ましい。透過領域は透過率が２００〜５００ｎｍの波長範囲において７０％以上であることが好ましい。
なお、透過率は、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｒ ３１０６−１９８５で規定されるものである。
次に、図４に示すように、第２の支持体１６を用意し、第２の支持体１６の表面１６ａに第２の接着層１８を貼付する。第２の支持体１６は、例えば、第１の支持体１０と同じものが用いられる。
第２の接着層１８は、例えば、第１の接着層１２と同じ構成である。しかしながら、基板１４から第１の接着層１２を剥がす際に、第２の接着層１８が基板１４から剥がれないようにするために第１の接着層１２の接着力が第２の接着層１８の接着力よりも常に小さいことが好ましい。ここで、第１の接着層の接着力が、第２の接着層の接着力よりも常に小さいとは、少なくとも第１接合工程から第２接合工程の間において、接着力が常に小さいことを意味する。すなわち、レーザー光の照射または紫外光の照射により第１の接着層１２の接着力が低減しない状態であっても、第１の接着層１２の接着力が第２の接着層１８の接着力よりも小さいことが好ましい。また、後述する第１の接着層除去工程において、第２の接着層１８の接着力の方が、第１の接着層１２の接着力よりも常に大きいことが好ましい。
第１の接着層１２の接着力と第２の接着層１８の接着力は、例えば、接着剤の種類を変えることにより調整することができる。
第２の接着層１８が設けられた第２の支持体１６を、基板１４の第１面１４ａに第２の接着層１８を対向させて配置する。
次に、例えば、真空貼り合せ装置（図示せず）を用いて、真空雰囲気で基板１４の第１面１４ａに第２の接着層１８を接触させて貼付して、図５に示すように第２の支持体１６と基板１４とを接合する。上述の基板１４の第１面１４ａに第２の接着層１８を接触させる工程が第１面接触工程であり、図５に示す工程が、第２の支持体１６と基板１４とを接合する工程が第２接合工程である。
次に、第１の接着層１２を除去し、図６に示すように、第１の支持体１０と基板１４とを剥離する。これにより、第１面１４ａが第２の接着層１８に接合され、第２面１４ｂが露出する。
次に、図７に示すように、第２の支持体１６を反転させて、基板１４の第２面１４ｂに対して平滑化処理を施す。平滑化処理では、第１加工面の裏面に第２加工面を形成する。すなわち、基板１４の第１面１４ａの裏面の第２面１４ｂを加工して第２加工面を得る。この場合、基板１４の第２面１４ｂは、算術平均粗さ（ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｂ ０６０１−２００１）が１μｍ以下の面であることが好ましい。
また、第１加工面と第２加工面の間の距離が５０μｍ以下であること、すなわち、基板１４の第１面１４ａと基板１４の第２面１４ｂとの間の距離Ｄｔ（図４６参照）が５０μｍ以下である態様に適用することが好ましい。このように厚さが５０μｍ以下と薄いものであっても両面に平滑化処理を施すことができる。
ここで、基板１４の第１面１４ａと基板１４の第２面１４ｂとの間の距離（図示せず）は、非接触の位置検出センサを基板１４の両側に配置させて測定する。位置検出センサには、例えば、キーエンス株式会社製のレーザー式変位センサが用いられる。
上述の第２加工面を得る工程が第２面加工工程である。第２面１４ｂの加工は、上述の第１面１４ａの加工と同じであるため詳細な説明は省略する。
また、第２面加工工程は、金属酸化物を含有する被処理部材の面のうち第１の接着層１２と接していた面を加工する工程であることが好ましい。
以上のようにして、絶縁性基材４０（図８参照）を有する異方導電性部材である基板１４の第１面１４ａと第２面１４ｂの両面に対して平滑化処理を施すことができる。
第２の支持体１６側から、例えば、レーザー光（図示せず）または紫外光（図示せず）の照射、または加熱により、第２の接着層１８の接着力を低減させ、第２の接着層１８を除去し、第２の支持体１６から基板１４を剥離する。これにより、第１面１４ａと第２面１４ｂが平滑化処理された基板１４を得ることができる。紫外線照射の露光量としては、限定的ではないが、２５００〜３５００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、２８００〜３３００ｍＪ／ｃｍ２であることが更に好ましい。
上述の露光または加熱により、第２の接着層１８の接着力を低減させる工程が第２の接着層変質工程である。第２の接着層１８の接着力を低減させる場合、露光と加熱を組み合わせてもよい。上述の第２の接着層１８を除去する工程が第２の接着層除去工程である。
第２の接着層１８が紫外光により接着力が低減するものであれば、紫外光を照射して接着力を低減する。
第２の接着層１８がレーザー光の照射または紫外光の照射により接着力が低減するものであるとき、第２の支持体１６を、レーザー光または紫外光を透過するもので構成することが好ましい。この場合、第２の支持体１６は、第１の支持体１０と同じく、全体がレーザー光または紫外光を透過するものであってもよいが、例えば、透過領域を少なくとも１ヶ所有することが好ましい。透過領域は透過率が２００〜５００ｎｍの波長範囲において７０％以上であることが好ましい。
なお、透過率は、第１の支持体１０と同じく、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｒ ３１０６−１９８５で規定されるものである。
また、第１の支持体１０と第２の支持体１６とは同じもので構成してもよく、異なるもので構成してもよい。例えば、第１の支持体１０と第２の支持体１６を、いずれも石英ガラス基板またはシリコン基板としてもよい。また、第１の支持体１０を石英ガラス基板またはシリコン基板とし、第２の支持体１６をシリコン基板または石英ガラス基板としてもよい。
なお、基板１４が、異方導電性部材である場合、平滑化処理を施した後、例えば、導通路４２（図４６参照）を突出させるトリミング処理を施してもよい。
被処理部材の製造方法の第１の例では、基板１４の両面に平滑化処理等の加工を施しているが、基板１４の移載の際に、基板１４を第１の支持体１０から手で剥がすようなことはしない。このため、基板１４の変形および基板１４の破壊等が抑制される。これにより、基板１４の両面の平滑化処理等の加工において、生産の安定性が増し、歩留まりも向上する。生産性が向上し、生産コストも低下する。
次に、被処理部材の製造方法の第２の例について説明する。
図１０〜図１８は、本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例を工程順に示す模式図である。図１０〜図１８は、それぞれ本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。図１９は本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第２の例に用いられる仮支持体を示す模式的平面図である。
なお、図１０〜図１９において、図１〜図７に示す構成物と同じ構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
被処理部材の製造方法の第２の例において、図１０〜図１２に示す工程は、被処理部材の製造方法の第１の例の図１〜図３に示す工程と同じであるため、詳細な説明は省略する。
被処理部材の製造方法の第２の例では、接着性を有する仮支持体２０（図１３および図１９参照）を用いる。仮支持体２０は、基板１４を支持するものであり、図１３および図１９に示すように開口部２２ａを有する枠体２２に、接着シート２４が貼り付けられたものである。
枠体２２は、例えば、ステンレス鋼で構成される。開口部２２ａは、基板１４の平面視での外接円よりも大きい直径を有する円形状の穴である。開口部２２ａの形状は、特に限定されるものではない。開口部２２ａは小さい方が、枠体２２の剛性を高くすることができ、枠体２２を小さくすることもできる。また、枠体２２は小さい方が、搬送が容易であり、かつ貼り付けに用いられるマウンター等の貼り付け装置を小さくすることができるため好ましい。
接着シート２４は、第２の接着層１８となるものであり、例えば、両面に接着力があり、かつ露光および加熱のうち少なくとも一方で接着力が低減するもので構成される。接着シート２４は、上述の第１の接着層１２および第２の接着層１８と同じもので構成することができる。
図１３に示すように、第１面１４ａに平滑化処理を施された基板１４の第１面１４ａに対して、仮支持体２０の開口部２２ａを対向して配置する。
次に、基板１４の第１面１４ａに接着シート２４を、例えば、マウンター（図示せず）を用いて貼り付ける（図１４参照）。
基板１４の第１面１４ａへの接着シート２４の貼り付けは、常圧雰囲気で行うことができ、真空雰囲気にする必要がない。このため、生産時間を短縮でき、かつ生産設備を簡素化できる。基板１４の第１面１４ａに接着シート２４を貼り付ける際、接着シート２４に、例えば、ローラをかけて接着面の気泡を取り除くようにしてもよい。
次に、図１４に示すように、接着シート２４で基板１４の第１加工面である第１面１４ａが支持された状態で、被処理部材の製造方法の第１の例と同じく、第１の支持体１０側からレーザー光または紫外光を照射し、第１の接着層１２を除去することで、基板１４と第１の支持体１０とを剥離する。これにより、仮支持体２０の接着シート２４に基板１４が接合された状態となる。接着シート２４が第１面１４ａに接触する前または接触した後に上述の第１の接着層変質工程を含んでもよい。
なお、レーザー光または紫外光は、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザー装置またはアズワン ハンディータイプＵＶ照射装置を用いて照射される。
次に、図１５に示すように、仮支持体２０を反転させる。そして、第２の支持体１６を基板１４と整合する位置に配置する。
次に、図１６に示すように、第２の支持体１６を、仮支持体２０の接着シート２４に、例えば、マウンター（図示せず）を用いて貼付する。基板１４の第１面１４ａ、すなわち、第１加工面に接着シート２４が設けられており、この接着シート２４が第２の接着層１８（図１８参照）となるものである。接着シート２４に第２の支持体１６を貼付する工程が第２接合工程となる。この場合も、常圧雰囲気で行うことができ、真空雰囲気にする必要がない。このように基板１４の移載の際に真空雰囲気にする必要がないことから、生産時間を短縮でき、かつ生産設備を簡素化できる。
次に、図１７に示すように、例えば、カッター２５を用いて、接着シート２４を基板１４の周囲に沿って切断する。これにより、図１８に示すように、基板１４の第２面１４ｂが露出した状態で、第２の支持体１６と基板１４とが第２の接着層１８を介して接合される。次に、基板１４の第２面１４ｂに対して加工を施す。以上のようにして、基板１４の第１面１４ａと第２面１４ｂに対して加工を施すことができる。
第２の支持体１６側から、例えば、レーザー光（図示せず）または紫外光（図示せず）の照射、または加熱により、第２の接着層１８の接着力を低減させ、第２の接着層１８を除去し、第２の支持体１６から基板１４を剥離する。これにより、第１面１４ａと第２面１４ｂが平滑化処理された基板１４を得ることができる。
被処理部材の製造方法の第２の例でも、被処理部材の製造方法の第１の例と同様の効果を得ることができる。また、被処理部材の製造方法の第２の例では、接着シート２４を用いた基板１４の移載の際に真空雰囲気にする必要がなく、生産時間を短縮でき、かつ生産設備を簡素化できることから、生産コストをさらに低くできる。なお、接着シート２４の切断は、カッター２５に限定されるものではない。
次に、被処理部材の製造方法の第３の例について説明する。
図２０〜図２８は、本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例を工程順に示す模式図である。図２０〜図２８は、それぞれ本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第３の例の一工程を示す模式図である。
なお、図２０〜図２８において、図１０〜図１９に示す構成物と同じ構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
被処理部材の製造方法の第３の例において、図２０〜図２２に示す工程は、被処理部材の製造方法の第１の例の図１〜図３に示す工程、および被処理部材の製造方法の第２の例の図１０〜図１２に示す工程と同じであるため、詳細な説明は省略する。
また、被処理部材の製造方法の第３の例において、図２３および図２４に示す工程は、被処理部材の製造方法の第２の例の図１３および図１４に示す工程と同じであるため、詳細な説明は省略する。
被処理部材の製造方法の第３の例では、仮支持体２０の接着シート２４に基板１４の第１面１４ａを貼り付けた後（図２４参照）、図２５に示すように、接着シート２６を開口部２２ａを覆って枠体２２に貼り付ける。そして、基板１４の第２面１４ｂに接着シート２６を貼り付ける。上述の仮支持体２１の接着シート２４に基板１４の第１面１４ａを貼り付ける工程が、第１転写工程となる。
接着シート２６には、例えば、紫外光により接着力が低減するものが用いられる。接着シート２６は、接着シート２４よりも接着力が大きい、また、例えば、接着シート２６には、紫外光により剥離するＵＶ（紫外）剥離シート（積水化学工業株式会社製のセルファＭＰ（商品名））が用いられる。
接着シート２６は、接着シート２４よりも接着力が大きいため、接着力差を利用して基板１４を接着シート２４から剥離させ、図２６に示すように基板１４の第２面１４ｂと接着シート２６とだけ貼り付ける。基板１４の第２面１４ｂと接着シート２６とを貼り付ける工程が第２転写工程となる。
次に、第２の接着層１８が表面１６ａに設けられた第２の支持体１６を用意する。
図２７に示すように、接着シート２６に貼り付けられた基板１４の第１面１４ａに、第２の接着層１８を対向して上述の第２の支持体１６を配置する。
基板１４の第１面１４ａと第２の接着層１８とを接触させて、上述のようにマウンター（図示せず）を用いて貼り付ける。これにより、第２の支持体１６上に設けられた第２の接着層１８に第１面１４ａを向けて基板１４が貼付される。第２の支持体１６上に設けられた第２の接着層１８に基板１４を貼付する工程が第２接合工程となる。
次に、接着シート２６の接着力を低減させて接着シート２６を除去する。これにより、図２８に示すように、基板１４の第２面１４ｂが露出された状態で第２の支持体１６と基板１４とが第２の接着層１８を介して接合される。次に、基板１４の第２面１４ｂに対して加工を施す。以上のようにして、基板１４の第１面１４ａと第２面１４ｂに対して加工を施すことができる。
例えば、第２の支持体１６側から、例えば、加熱または露光により、第２の接着層１８の接着力を低減させ、第２の接着層１８を除去し、第２の支持体１６から基板１４を剥離する。これにより、第１面１４ａと第２面１４ｂが加工された基板１４を得ることができる。
被処理部材の製造方法の第３の例でも、被処理部材の製造方法の第１の例と同様の効果を得ることができる。また、被処理部材の製造方法の第３の例でも、被処理部材の製造方法の第２の例と同様に、接着シート２４および接着シート２６を用いた基板１４の移載の際に真空雰囲気にする必要がなく、生産時間を短縮でき、かつ生産設備を簡素化できることから、生産コストをさらに低くできる。
次に、被処理部材の製造方法の第４の例について説明する。
図２９〜図３９は、本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例を工程順に示す模式図である。図２９〜図３９は、それぞれ本発明の実施形態の被処理部材の製造方法の第４の例の一工程を示す模式図である。
なお、図２９〜図３９において、図１０〜図１９に示す構成物と同じ構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
被処理部材の製造方法の第４の例において、図２９〜図３１に示す工程は、被処理部材の製造方法の第１の例の図１〜図３に示す工程と同じであるため、詳細な説明は省略する。被処理部材の製造方法の第４の例では、基板１４の移載に、後述する第１の転写支持体３０および第２の転写支持体３２を用いる。
被処理部材の製造方法の第４の例では、図３２に示すように、加工が施された基板１４の第１面１４ａに第１の転写支持体３０を接触させる。この工程が第１の転写支持体３０に基板１４が転写される第１転写工程となる。
第１の転写支持体３０は基板１４を吸着する吸着支持体であり、基板１４との接触状態を支持するものである。第１の転写支持体３０は、例えば、多孔質板で構成され、かつ減圧装置に接続されている。減圧装置による第１の転写支持体３０を介した吸着により基板１４と第１の転写支持体３０との接触状態が支持される。
基板１４は第１の転写支持体３０に吸着されて支持された状態で、第１の支持体１０側からレーザー光または紫外光を照射し、図３３に示すように、第１の接着層１２を基板１４から除去し、基板１４から第１の支持体１０を取り除く。なお、転写支持体３０が第１面１４ａに接触する前または接触した後に第１の接着層変質工程を含んでもよい。これにより、第１の転写支持体３０に基板１４が吸着された状態となる。
次に、第２の転写支持体３２を基板１４の第２面１４ｂに対向させて配置する。基板１４を吸着する吸着支持体であり、上述の第１の転写支持体３０と同じ構成であるため、詳細な説明は省略する。
第２の転写支持体３２を基板１４の第１加工面以外の面である第２面１４ｂに接触させ、第２の転写支持体３２により基板１４を吸着し、基板１４を、第１の転写支持体３０と第２の転写支持体３２とで吸着した状態とする。次に、第２の転写支持体３２による基板１４の吸着は維持し、第１の転写支持体３０による基板１４の吸着を停止する。これにより、第１の転写支持体３０と基板１４の第１面１４ａとが接触した状態を解除する。図３５に示すように、基板１４は、第１面１４ａを露出させた状態で第２の転写支持体３２に吸着された状態となる。この工程が第２の転写支持体３２に基板１４が転写される第２転写工程となる。
次に、図３６に示すように、第２の接着層１８が表面１６ａに設けられた第２の支持体１６を用意する。
次に、図３７に示すように、第２の転写支持体３２に吸着された基板１４の第１面１４ａに対向して、第２の接着層１８を向けて第２の支持体１６を配置する。
次に、図３８に示すように、基板１４の第１面１４ａと第２の接着層１８とを接触させて、上述のようにマウンター（図示せず）を用いて貼り付ける。これにより、第２の支持体１６上に設けられた第２の接着層１８に第１面１４ａを向けて基板１４が貼付される。
次に、図３９に示すように、第２の転写支持体３２による基板１４の吸着を停止する。これにより、基板１４の第２面１４ｂが露出された状態で第２の支持体１６と基板１４とが第２の接着層１８を介して接合される。第２の支持体１６と基板１４とが第２の接着層１８を介して接合される工程が第２接合工程となる。
なお、基板１４の第１面１４ａと第２の接着層１８とを接合する際に、第１面１４ａと第２の接着層１８との接合界面への気泡の混入を防ぐために真空雰囲気で接合することが好ましい。
次に、基板１４の第２面１４ｂに対して加工を施す。以上のようにして、基板１４の第１面１４ａと第２面１４ｂに対して加工を施すことができる。
第２の支持体１６側から、例えば、レーザー光（図示せず）または紫外光（図示せず）の照射、または加熱により、第２の接着層１８の接着力を低減させ、第２の接着層１８を除去し、第２の支持体１６から基板１４を剥離する。これにより、第１面１４ａと第２面１４ｂが加工された基板１４を得ることができる。
被処理部材の製造方法の第４の例でも、被処理部材の製造方法の第１の例と同様の効果を得ることができる。また、被処理部材の製造方法の第４の例では、吸着を利用する第１の転写支持体３０と、第２の転写支持体３２とを用いることにより、基板１４の吸着と、基板１４の吸着の停止により、基板１４の保持状態を制御することができるため、レーザー光、紫外光または加熱を利用する接着層に比して、簡素であり、かつ基板１４の移載を速くできる。このため、生産時間を短縮でき、生産コストをさらに低くできる。
なお、被処理部材の製造方法では、被処理部材の製造方法の第３の例と、被処理部材の製造方法の第４の例とを組み合わせてもよい。
例えば、被処理部材の製造方法の第３の例の図２４に示す状態において、図４０に示すように、接着シート２４に基板１４が接合された仮支持体２０（図２４参照）について、基板１４の第２面１４ｂに対向して第２の転写支持体３２を配置する。
次に、図４１に示すように、第２の転写支持体３２と基板１４の第２面１４ｂとを接触させた後、第２の転写支持体３２により基板１４を吸着する。この状態で、例えば、接着シート２４を加熱し、接着シート２４の接着力を低減させて剥離し、接着シート２４を除去する。これにより、図４２に示すように、基板１４の第２面１４ｂが第２の転写支持体３２に吸着され、基板１４の第１面１４ａが露出した状態となる。
そして、上述の図３６に示すように第２の接着層１８が表面１６ａに設けられた第２の支持体１６を用意する。以降は、上述の被処理部材の製造方法の第４の例の通りである。
また、処理部材の製造方法の第４の例の図３４に示す状態では、第２の転写支持体３２を配置しているが、第２の転写支持体３２に代えて、図４３に示すように仮支持体２１を配置してもよい。仮支持体２１は、上述の仮支持体２０と同じ構成であるため、その詳細な説明は省略する。
仮支持体２１の接着シート２４を、基板１４の第２面１４ｂに接触させて、例えば、マウンター（図示せず）を用いて貼り合せる。
次に、第１の転写支持体３０の吸着を停止し、第１の転写支持体３０を基板１４から離間させる。
次に、仮支持体２１を反転させた後、図２７に示すように、接着シート２４に貼り付けられた基板１４の第１面１４ａに、第２の接着層１８を対向して上述の第２の支持体１６を配置する。
基板１４の第１面１４ａと第２の接着層１８とを接触させて、上述のようにマウンター（図示せず）を用いて貼り付ける。次に、接着力を低減させて接着シート２４を除去する。これにより、図２８に示すように、基板１４の第２面１４ｂが露出された状態で第２の支持体１６と基板１４とが第２の接着層１８を介して接合される。次に、基板１４の第２面１４ｂに対して加工を施す。以上のようにして、基板１４の第１面１４ａと第２面１４ｂに対して加工を施すことができる。
以下、基板１４として用いた異方導電性部材について説明する。
図４５は被処理部材に用いられる異方導電性部材の構成の一例を示す平面図であり、図４６は被処理部材に用いられる異方導電性部材の構成の一例を示す模式的断面図であり、図４７は被処理部材に用いられる異方導電性部材を有する異方導電材の構成の一例を示す模式的断面図である。
図４５および図４６に示す異方導電性部材１５は、無機材料からなる絶縁性基材４０と、絶縁性基材４０の厚み方向Ｚ（図４６参照）に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、導電材からなる複数の導通路４２とを備える部材である。
異方導電性部材１５は、上述のように基板１４の両面が平滑化処理された状態では、図４６に示すように第１面１４ａおよび第２面１４ｂはいずれも導通路４２が突出しておらず、平坦な面である。
絶縁性基材４０は、例えば、アルミニウムの陽極酸化物により構成される。導通路４２は、絶縁性基材４０の厚み方向に貫通した貫通路４１の内部に金属を充填したものである。例えば、アルミニウムの陽極酸化膜に形成されたマイクロポアの内部に金属が充填されて導通路４２が構成される。
ここで、「互いに電気的に絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部に存在している各導通路が絶縁性基材の内部において互いに各導通路間の導通性が十分に低い状態であることを意味する。
異方導電性部材１５は、導通路４２が互いに電気的に絶縁されており、絶縁性基材４０の厚み方向Ｚ（図４６参照）と直交する方向ｘには導電性が十分に低く、厚み方向Ｚに導電性を有する。このように異方導電性部材１５は異方導電性を示す部材である。
導通路４２は、図４５および図４６に示すように、互いに電気的に絶縁された状態で絶縁性基材４０を厚み方向Ｚに貫通して設けられている。
さらに、導通路４２は、上述のトリミング処理により図４６に示すように、絶縁性基材４０の表面４０ａおよび４０ｂから突出した突出部分４２ａおよび突出部分４２ｂを有する構成でもよい。異方導電性部材１５は、さらに、絶縁性基材４０の表面４０ａおよび裏面４０ｂに設けられた樹脂層４４を具備してもよい。樹脂層４４は、粘着性を備え、接合性を付与するものでもある。突出部分４２ａおよび突出部分４２ｂの長さは、６ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、図４６においては、絶縁性基材４０の表面４０ａおよび４０ｂに樹脂層４４を有するものを示しているが、これに限定されるものではなく、絶縁性基材４０の少なくとも一方の表面に、樹脂層４４を有する構成でもよい。
同様に、図４６に示すように導通路４２は両端に突出部分４２ａおよび突出部分４２ｂがあるが、これに限定されるものではなく、絶縁性基材４０の少なくとも樹脂層４４を有する側の表面に突出部分を有する構成でもよい。
図４６に示す異方導電性部材１５の厚みｈは、例えば、５０μｍ以下である。また、異方導電性部材１５は、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）が１０μｍ以下であることが好ましい。
ここで、異方導電性部材１５の厚みｈは、異方導電性部材１５を、電界放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、異方導電性部材１５の輪郭形状を取得し、厚みｈに相当する領域について１０点測定した平均値のことである。
また、異方導電性部材１５のＴＴＶ（Total Thickness Variation）は、異方導電性部材１５をダイシングで支持基体４６ごと切断し、異方導電性部材１５の断面形状を観察して求めた値である。
異方導電性部材１５は、移送、搬送および運搬ならびに保管等のために図４７に示すように支持基体４６の上に設けられる。支持基体４６と異方導電性部材１５の間に剥離層４７が設けられている。支持基体４６と異方導電性部材１５は剥離層４７により、分離可能に接着されている。上述のように異方導電性部材１５が支持基体４６の上に剥離層４７を介して設けられたものを異方導電材２８という。
支持基体４６は、異方導電性部材１５を支持するものであり、例えば、シリコン基板で構成されている。支持基体４６としては、シリコン基板以外に、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧａＮおよびアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス基板、ガラス基板、繊維強化プラスチック基板、ならびに金属基板を用いることができる。繊維強化プラスチック基板には、プリント配線基板であるＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）基板等も含まれる。
また、支持基体４６としては、可撓性を有し、かつ透明であるものを用いることができる。可撓性を有し、かつ透明な支持基体４６としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンおよびＴＡＣ（トリアセチルセルロース）等のプラスチックフィルムが挙げられる。
ここで、透明とは、位置合せに使用する波長の光で透過率が８０%以上であることをいう。このため、波長４００〜８００ｎｍの可視光全域で透過率が低くてもよいが、波長４００〜８００ｎｍの可視光全域で透過率が８０％以上であることが好ましい。透過率は、分光光度計により測定される。
剥離層４７は、支持層４８と剥離剤４９が積層されたものであることが好ましい。剥離剤４９が異方導電性部材１５に接しており、剥離層４７を起点にして、支持基体４６と異方導電性部材１５が分離する。異方導電材２８では、例えば、予め定められた温度に加熱することで、剥離剤４９の接着力が弱まり、異方導電性部材１５から支持基体４６が取り除かれる。
剥離剤４９には、例えば、日東電工株式会社製リバアルファ（登録商標）、およびソマール株式会社製ソマタック（登録商標）等を用いることができる。
以下、異方導電性部材１５についてより具体的に説明する。
〔絶縁性基材〕
絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する樹脂層を構成する高分子材料と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等のセラミックス基材、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン基材、ポリイミド基材、これらの複合材料等が挙げられる。絶縁性基材としては、これ以外に、例えば、貫通路を有する有機素材上に、セラミックス材料またはカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜したものであってもよい。
絶縁性基材としては、所望の平均開口径を有するマイクロポアが貫通路として形成され、後述する導通路を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であることが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜であることがより好ましい。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であることが好ましい。
絶縁性基材における各導通路の間隔は、５ｎｍ〜８００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであることがさらに好ましい。絶縁性基材における各導通路の間隔がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
ここで、各導通路の間隔とは、隣接する導通路間の幅ｗ（図４６参照）をいい、異方導電性部材の断面を電界放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、隣接する導通路間の幅を１０点で測定した平均値をいう。
〔導通路〕
複数の導通路は、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、導電材からなる。導通路は導電体である。
導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、かつ、各導通路の突出部分の端部が後述する樹脂層に埋設されていてもよい。
＜導電材＞
導通路を構成する導電材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、およびニッケルが好ましく、銅および金がより好ましい。上述の導通路、すなわち、導電体は、未酸化の金属で構成されることが好ましい。未酸化の金属は、例えば、遷移金属であり、遷移金属は、例えば、上述の銅である。
＜突出部分＞
導通路の突出部分は、導通路が絶縁性基材の表面から突出した部分であり、また、突出部分の端部は、樹脂層に埋設している。
異方導電性部材と電極とを圧着等の手法により電気的接続、または物理的に接合する際に、突出部分が潰れた場合の面方向の絶縁性を十分に確保できる理由から、導通路の突出部分のアスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が０．５以上５０未満であることが好ましく、０．８〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましい。
また、異方導電性部材の接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハの表面形状に追従する観点から、導通路の突出部分の高さは、上述のように２０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
導通路の突出部分の高さは、異方導電性部材の断面を電界放出形走査型電子顕微鏡により２万倍の倍率で観察し、導通路の突出部分の高さを１０点で測定した平均値をいう。
導通路の突出部分の直径は、異方導電性部材の断面を電界放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導通路の突出部分の直径を１０点で測定した平均値をいう。
＜他の形状＞
導通路は柱状であり、導通路の直径ｄ（図４６参照）は、突出部分の直径と同様、５ｎｍ超１０μｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
また、導通路は絶縁性基材によって互いに電気的に絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は、２万個／ｍｍ2以上であることが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であることがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であることがさらに好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であることが最も好ましい。
さらに、隣接する各導通路の中心間距離ｐ（図４５参照）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであることがさらに好ましい。
〔樹脂層〕
樹脂層は、絶縁性基材の表面に設けられ、上述の導通路を埋設するものである。すなわち、樹脂層は、絶縁性基材の表面、および絶縁性基材から突出した導通路の端部を被覆するものである。
樹脂層は、接続対象に対して接合性を付与するものである。樹脂層は、例えば、５０℃〜２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。
以下、樹脂層の組成について説明する。樹脂層は、高分子材料を含有するものである。樹脂層は酸化防止材料を含有してもよい。
＜高分子材料＞
樹脂層に含まれる高分子材料としては特に限定されないが、半導体チップまたは半導体ウエハと異方導電性部材との隙間を効率よく埋めることができ、半導体チップまたは半導体ウエハとの密着性がより高くなる理由から、熱硬化性樹脂であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
＜酸化防止材料＞
樹脂層に含まれる酸化防止材料としては、具体的には、例えば、１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１，２，３，４−テトラゾール、５−メチル−１，２，３，４−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−コハク酸、１，２，３−トリアゾール、４−アミノ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジアミノ−１，２，３−トリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジカルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−酢酸、４−カルボキシ−５−カルボキシメチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−カルボキシ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジカルボキシ−１，２，４−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール−３−酢酸、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、ベンゾフロキサン、２，１，３−ベンゾチアゾール、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、カテコール、ｏ−アミノフェノール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、メラミン、およびこれらの誘導体が挙げられる。
これらのうち、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体が好ましい。
ベンゾトリアゾール誘導体としては、ベンゾトリアゾールのベンゼン環に、ヒドロキシル基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、アミノ基、ニトロ基、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）等を有する置換ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、ナフタレントリアゾール、ナフタレンビストリアゾール、と同様に置換された置換ナフタレントリアゾール、置換ナフタレンビストリアゾール等も挙げることができる。
また、樹脂層に含まれる酸化防止材料の他の例としては、一般的な酸化防止剤である、高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、フェノール化合物、アルカノールアミン、ハイドロキノン類、銅キレート剤、有機アミン、有機アンモニウム塩等が挙げられる。
樹脂層に含まれる酸化防止材料の含有量は特に限定されないが、防食効果の観点から、樹脂層の全質量に対して０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましい。また、本接合プロセスにおいて適切な電気抵抗を得る理由から、５．０質量％以下が好ましく、２．５質量％以下がより好ましい。
＜マイグレーション防止材料＞
樹脂層は、樹脂層に含有し得る金属イオン、ハロゲンイオン、ならびに半導体チップおよび半導体ウエハに由来する金属イオンをトラップすることによって絶縁信頼性がより向上する理由から、マイグレーション防止材料を含有しているのが好ましい。
マイグレーション防止材料としては、例えば、イオン交換体、具体的には、陽イオン交換体と陰イオン交換体との混合物、または、陽イオン交換体のみを使用することができる。
ここで、陽イオン交換体および陰イオン交換体は、それぞれ、例えば、後述する無機イオン交換体および有機イオン交換体の中から適宜選択することができる。
（無機イオン交換体）
無機イオン交換体としては、例えば、含水酸化ジルコニウムに代表される金属の含水酸化物が挙げられる。
金属の種類としては、例えば、ジルコニウムのほか、鉄、アルミニウム、錫、チタン、アンチモン、マグネシウム、ベリリウム、インジウム、クロム、ビスマス等が知られている。
これらの中でジルコニウム系のものは、陽イオンのＣｕ2+、Ａｌ3+について交換能を有している。また、鉄系のものについても、Ａｇ+、Ｃｕ2+について交換能を有している。
同様に、錫系、チタン系、アンチモン系のものは、陽イオン交換体である。
一方、ビスマス系のものは、陰イオンのＣｌ-について交換能を有している。
また、ジルコニウム系のものは条件に製造条件によっては陰イオンの交換能を示す。アルミニウム系、錫系のものも同様である。
これら以外の無機イオン交換体としては、リン酸ジルコニウムに代表される多価金属の酸性塩、モリブドリン酸アンモニウムに代表されるヘテロポリ酸塩、不溶性フェロシアン化物等の合成物が知られている。
これらの無機イオン交換体の一部は既に市販されており、例えば、東亜合成株式会社の商品名イグゼ「ＩＸＥ」における各種のグレードが知られている。
なお、合成品のほか、天然物のゼオライト、またはモンモリロン石のような無機イオン交換体の粉末も使用可能である。
（有機イオン交換体）
有機イオン交換体には、陽イオン交換体としてスルホン酸基を有する架橋ポリスチレンが挙げられ、そのほかカルボン酸基、ホスホン酸基またはホスフィン酸基を有するものも挙げられる。
また、陰イオン交換体として四級アンモニウム基、四級ホスホニウム基または三級スルホニウム基を有する架橋ポリスチレンが挙げられる。
これらの無機イオン交換体および有機イオン交換体は、捕捉したい陽イオン、陰イオンの種類、そのイオンについての交換容量を考慮して適宜選択すればよい。勿論、無機イオン交換体と有機イオン交換体とを混合して使用してもよいことはいうまでもない。
電子素子の製造工程では加熱するプロセスを含むため、無機イオン交換体が好ましい。
また、マイグレーション防止材料と上述した高分子材料との混合比は、例えば、機械的強度の観点から、マイグレーション防止材料を１０質量％以下とすることが好ましく、マイグレーション防止材料を５質量％以下とすることがより好ましく、さらにマイグレーション防止材料を２．５質量％以下とすることがさらに好ましい。また、半導体チップまたは半導体ウエハと異方導電性部材とを接合した際のマイグレーションを抑制する観点から、マイグレーション防止材料を０．０１質量％以上とすることが好ましい。
＜無機充填剤＞
樹脂層は、無機充填剤を含有しているのが好ましい。
無機充填剤としては特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカ、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられる。
導通路間に無機充填剤が入ることを防ぎ、導通信頼性がより向上する理由から、無機充填剤の平均粒子径が、各導通路の間隔よりも大きいことが好ましい。
無機充填剤の平均粒子径は、３０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、８０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましい。
ここで、平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒子径測定装置(日機装（株）製マイクロトラックＭＴ３３００)で測定される、一次粒子径を平均粒子径とする。
＜硬化剤＞
樹脂層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハの表面形状との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
硬化剤としては、具体的には、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンのような芳香族アミン、脂肪族アミン、４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、テトラメチルグアニジン、チオ尿素付加アミン、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等のカルボン酸無水物、カルボン酸ヒドラジド、カルボン酸アミド、ポリフェノール化合物、ノボラック樹脂、ポリメルカプタン等が挙げられ、これらの硬化剤から、２５℃で液体のものを適宜選択して用いることができる。なお、硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
樹脂層には、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に半導体パッケージの樹脂絶縁膜に添加されている分散剤、緩衝剤、粘度調整剤等の種々の添加剤を含有させてもよい。
＜形状＞
異方導電性部材の導通路を保護する理由から、樹脂層の厚みは、導通路の突出部分の高さより大きく、１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
＜透明絶縁体＞
透明絶縁体は、上述の〔樹脂層〕に挙げている材料から構成されるもののうち、可視光透過率が８０％以上であるもので構成される。このため、各材料に関し、詳細な説明は省略する。
透明絶縁体において、主成分（高分子材料）が上述の〔樹脂層〕と同じである場合、透明絶縁体と樹脂層との間の密着性が良好となるため好ましい。
透明絶縁体は、電極等がない部分に形成するため、上述の〔樹脂層〕の＜酸化防止材料＞および上述の〔樹脂層〕の＜マイグレーション防止材料＞を含まないことが好ましい。
透明絶縁体はＣＴＥ（線膨張係数）がシリコン等の支持体に近い方が、異方導電材の反りが減るため、上述の〔樹脂層〕の＜無機充填剤＞を含むことが好ましい。
透明絶縁体において、高分子材料と硬化剤が、上述の〔樹脂層〕と同じである場合、温度および時間等の硬化条件が同じになるため好ましい。
なお、可視光透過率が８０％以上とは、光透過率が波長４００〜８００ｎｍの可視光波長域において、８０％以上のことをいう。光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック--全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
［異方導電性部材の製造方法］
図４５および図４６に示す異方導電性部材１５の製造方法は特に限定されないが、例えば、絶縁性基材に設けられた貫通路に導電材を存在させて導通路を形成する導通路形成工程と、本発明の被処理部材の製造方法を実施する工程とを有する。
さらに、導通路を突出させるトリミング工程と、トリミング工程の後に絶縁性基材の表面および導通路の突出部分に樹脂層を形成する樹脂層形成工程とを有する。
〔絶縁性基材の作製〕
絶縁性基材は、金属酸化物を有するものであることが好ましい。絶縁性基材は、導通路の開口径、および突出部分のアスペクト比を上述の範囲とする観点から、バルブ金属に対して陽極酸化処理を施して形成した基板が好ましい。
陽極酸化処理としては、例えば、絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化物で構成される場合、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理、および陽極酸化処理の後に、陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する貫通化処理をこの順に施すことにより作製することができる。
アルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理工程により陽極酸化膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９９．９質量％以上であるのが好ましく、９９．９９質量％以上であるのがより好ましい。アルミニウム純度が上述の範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。また、本発明においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理工程を施す表面は、予め熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
絶縁性基材の作製に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、特開２００８−２７０１５８号公報の＜００４１＞〜＜０１２１＞段落に記載したものと同様のものを採用することができる。
なお、金属酸化物は、未酸化の金属以外の金属元素を含むものであることが好ましい。金属酸化物は、例えば、卑金属の酸化物であり、卑金属の酸化物は、例えば、アルミニウムの酸化物である。なお、未酸化の金属は上述のように、例えば、銅である。
〔導通路形成工程〕
導通路形成工程は、絶縁性基材に設けられた貫通路に導電性材料を存在させる工程である。
ここで、貫通路に金属を存在させる方法としては、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の＜０１２３＞〜＜０１２６＞段落および［図４］に記載された各方法（電解めっき法または無電解めっき法）と同様の方法が挙げられる。
また、電解めっき法または無電解めっき法においては、金、ニッケル、銅等による電極層を予め設けることが好ましい。この電極層の形成方法としては、例えば、スパッタ等の気相処理、無電解めっき等の液層処理、およびこれらを組合せた処理等が挙げられる。
金属充填工程により、導通路の突出部分が形成される前の異方導電性部材が得られる。
一方、導通路形成工程は、特開２００８−２７０１５８号公報に記載された方法に代えて、例えば、アルミニウム基板の片側の表面（以下、「片面」ともいう。）に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜のバリア層を除去するバリア層除去工程と、バリア層除去工程の後に電解めっき処理を施してマイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程とを有する工程を有する方法であってもよい。
＜陽極酸化処理工程＞
陽極酸化処理工程は、アルミニウム基板の片面に陽極酸化処理を施すことにより、アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する工程である。
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、異方導電性を担保する観点から、自己規則化法または定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法または定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の＜００５６＞〜＜０１０８＞段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
＜バリア層除去工程＞
バリア層除去工程は、陽極酸化処理工程の後に、陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。バリア層を除去することにより、マイクロポアを介してアルミニウム基板の一部が露出することになる。
バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、陽極酸化処理工程の陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法（以下、「電解除去処理」ともいう。）；エッチングによりバリア層を除去する方法（以下、「エッチング除去処理」ともいう。）；これらを組み合わせた方法（特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法）；等が挙げられる。
〈電解除去処理〉
電解除去処理は、陽極酸化処理工程の陽極酸化処理における電位（電解電位）よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
電解溶解処理は、例えば、陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、陽極酸化処理と連続して施すことができる。
電解除去処理は、電解電位以外の条件については、上述した従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液および処理条件を採用することができる。
特に、上述したように電解除去処理と陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。
（電解電位）
電解除去処理における電解電位は、陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的（ステップ状）に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅（ステップ幅）は、バリア層の耐電圧の観点から、１０Ｖ以下であることが好ましく、５Ｖ以下であることがより好ましく、２Ｖ以下であることがさらに好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも１Ｖ／秒以下が好ましく、０．５Ｖ／秒以下がより好ましく、０．２Ｖ／秒以下がさらに好ましい。
〈エッチング除去処理〉
エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学的エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。
（化学エッチング処理）
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にｐＨ（水素イオン指数）緩衝液に接触させる方法等であり、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。
ここで、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。また、酸水溶液の濃度は１質量％〜１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、１５℃〜８０℃が好ましく、さらに２０℃〜６０℃が好ましく、さらに３０℃〜５０℃が好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０℃〜６０℃が好ましく、さらに１５℃〜４５℃が好ましく、さらに２０℃〜３５℃であることが好ましい。なお、アルカリ水溶液には、亜鉛および他の金属を含有していてもよい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。
また、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８分〜１２０分であることが好ましく、１０分〜９０分であることがより好ましく、１５分〜６０分であることがさらに好ましい。
（ドライエッチング処理）
ドライエッチング処理は、例えば、Ｃｌ2／Ａｒ混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。
＜金属充填工程＞
金属充填工程は、バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して陽極酸化膜におけるマイクロポアの内部に金属を充填する工程であり、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の＜０１２３＞〜＜０１２６＞段落および［図４］に記載された各方法と同様の方法（電解めっき法または無電解めっき法）が挙げられる。
なお、電解めっき法または無電解めっき法においては、上述したバリア層除去工程の後にマイクロポアを介して露出するアルミニウム基板を電極として利用することができる。
＜基板除去工程＞
基板除去工程は、金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る工程である。
アルミニウム基板を除去する方法としては、例えば、処理液を用いて、金属充填工程においてマイクロポアの内部に充填した金属および絶縁性基材としての陽極酸化膜を溶解せずに、アルミニウム基板のみを溶解させる方法等が挙げられる。
処理液としては、例えば、塩化水銀、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水、塩酸／塩化銅混合物等の水溶液等が挙げられ、中でも、塩酸／塩化銅混合物であることが好ましい。
また、処理液の濃度としては、０．０１ｍｏｌ／Ｌ〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
また、処理温度としては、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
〔トリミング工程〕
トリミング工程は、導通路形成工程後の異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる工程である。
なお、トリミング工程の前に、特定の形状に成形する工程を有していてもよい。この場合、例えば、トムソン刃を用いて特定の形状に成形される。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば特に限定されず、例えば、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１質量％〜１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、２５℃〜６０℃であることが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０℃〜５０℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８分〜１２０分であることが好ましく、１０分〜９０分であることがより好ましく、１５分〜６０分であることがさらに好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理（トリミング処理）を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
トリミング工程において導通路の突出部分の高さを厳密に制御する場合は、導通路形成工程後に絶縁性基材と導通路の端部とを同一平面状になるように加工した後、絶縁性基材を選択的に除去（トリミング）することが好ましい。
ここで、同一平面状に加工する方法としては、例えば、物理的研磨（例えば、遊離砥粒研磨、バックグラインド、サーフェスプレーナー等）、電気化学的研磨、これらを組み合わせた研磨等が挙げられる。
また、上述した導通路形成工程またはトリミング工程の後に、金属の充填に伴い発生した導通路内の歪を軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも気体密度または気圧の低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、材料を加圧しながら行うことが好ましい。
〔樹脂層形成工程〕
樹脂層形成工程は、トリミング工程後に絶縁性基材の表面および導通路の突出部分に樹脂層を形成する工程である。
ここで、樹脂層を形成する方法としては、例えば、上述した酸化防止材料、高分子材料、溶媒（例えば、メチルエチルケトン等）等を含有する樹脂組成物を絶縁性基材の表面および導通路の突出部分に塗布し、乾燥させ、必要に応じて焼成する方法等が挙げられる。
樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコーター、ロールコーター、エアナイフコーター、スクリーンコーター、バーコーター、カーテンコーター、スピンコーター等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０℃〜１００℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱する処理、減圧下において０℃〜８０℃の温度で、十数分〜数時間、加熱する処理等が挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する高分子材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０℃〜２４０℃の温度で２分間〜６０分間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０℃〜８０℃の温度で２分間〜６０分間加熱する処理等が挙げられる。
製造方法においては、上述した各工程は、各工程を枚葉で行うことも可能であるし、アルミニウムのコイルを原反としてウェブで連続処理することもできる。また、連続処理する場合には各工程間に適切な洗浄工程、乾燥工程を設置することが好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、使用量、物質量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
本実施例では、以下に示す実施例１〜実施例２０および比較例１の被処理部材の製造方法により、被処理部材を処理した。本実施例では、実施例１〜実施例２０および比較例１の被処理部材の製造方法における欠陥の発生および処理後の導電性を評価した。欠陥の発生および導電性の結果を下記表１〜表４に示す。なお、下記表１〜表４において、「−」はないことを示す。
また、実施例１〜実施例２０および比較例１の被処理部材の製造方法に用いた各部材を下記表１〜表４に示す。なお、下記表１〜表４に示す接着力は、剥離角度１８０°、引張速度３００ｍｍ／分の条件にて測定した値である。
欠陥の発生および導電性の評価方法について説明する。
［欠陥の発生］
本発明に関わる工程の直前工程（後述の＜円形加工工程＞）の後から、２回目の研磨処理工程に至るまでに、被処理部材において発生した３０μｍ以上のクラック等の欠陥の数で評価した。
欠陥は、以下に示すようにして測定した。
後に詳細に説明する被処理部材は赤外線を透過しないため、赤外線を用いると被処理部材のクラックを明確に検出できる。
赤外線顕微鏡を用いて被処理部材の平面視全域の検査画像を取得し、取得した検査画像に対して二値化処理を施し、検査画像の二値化画像を得た。二値化画像の黒色部の長さを測長した。黒色部のなかから、３０μｍを閾値として欠陥を抽出した。
なお、赤外線顕微鏡に、オリンパス株式会社製 半導体／ＦＰＤ検査顕微鏡ＭＸ６１（商品名）を使用した。レンズには、オリンパス株式会社製 近赤外領域（７００ｎｍ〜１３００ｎｍ）観察用の対物レンズＬＭＲＬＮ５ＸＩＲ（商品名）を用いた。また、ステージには、メルツホイザー社製 正立顕微鏡用自動ＸＹステージを使用した。
欠陥の発生は、Ｎ個／１００ｃｍ２で表され、以下の評価基準にて評価した。
Ａ：Ｎ＜５
Ｂ：５≦Ｎ＜２０
Ｃ：２０≦Ｎ＜１００
Ｄ：１００≦Ｎ
［導電性］
２回目の研磨処理工程が終了した後の処理部材の表面と裏面に、金属接続部を介して、日置電機株式会社のＲＭ３５４２を使用し、４端子法にて、２回目の研磨処理工程が終了した後の処理部材の厚み方向の抵抗率を算出した。導電性は、上述の抵抗率を用いて、以下の評価基準にて評価した。
Ａ：安定して抵抗率が１×１０−４Ω・ｍ未満であるもの
Ｂ：安定して抵抗率が１×１０−４Ω・ｍ以上であるもの
Ｃ：抵抗率がばらついたり、安定した抵抗率を示さないもの
Ｄ：通電しないもの
以下、実施例１〜実施例２０について説明する。
＜実施例１＞
実施例１では、まず、直径２００ｍｍ、厚さ１ｍｍの円盤状の石英ガラス基板に自己剥離テープ（第１の接着剤、積水化学工業株式会社製セルファ）を貼り付けた。この上に、被処理部材を貼り合わせた。このとき、被処理部材の貼り合せには、真空貼り合せ装置（アユミ工業株式会社製を改造したもの）を使用した。その後、被処理部材の第１面を化学的機械的研磨で処理した。
一方、直径２００ｍｍ、厚さ０．７７５ｍｍの円盤状のシリコン（Ｓｉ）基板に、熱剥離シート（第２の接着剤、日東電工株式会社製リバアルファ）を、マウンターにて貼り付けた後、化学的機械的研磨で処理をした被処理部材を、上述の真空貼り合せ装置で貼り合せた。この後、石英ガラス基板側から、紫外線照射（照射量３０００ｍＪ／ｃｍ２）して、自己剥離テープの接着力を低減させて被処理部材を剥離させ、露出した未処理面（第２面）を化学的機械的研磨で処理した。被処理部材については、後に説明する。なお、紫外線照射のことを下記表１〜表４では、ＵＶ照射と記した。また、第１の接着剤が第１の接着層を構成し、第２の接着剤が第２の接着層を構成する。
上述の化学的機械的研磨の処理は、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００のＣＭＰ（chemical mechanical polishing）スラリーを用い、４時間実施した。被処理部材の化学的機械的研磨の後の厚さは４０μｍであり、第１面および第２面の表面粗さは算術平均粗さで０．１μｍであった。
＜実施例２＞
実施例２では、まず、実施例１と同様に、石英ガラス基板に自己剥離テープ（第１の接着剤）を貼り付け被処理部材を貼り合せた後、第１面を化学的機械的研磨で処理した。
石英ガラス基板よりも十分大きな穴を持つ、厚さ１ｍｍのステンレス鋼板で形成されたドーナツ状の枠体を準備し、枠体に上述の熱剥離シート（第２の接着剤）を貼り付けた。熱剥離シートを研磨処理した被処理部材に、マウンターを使用して貼り付けた後、石英ガラス基板側から紫外線照射（照射量３０００ｍＪ／ｃｍ２）して、自己剥離テープの接着力を低減させて被処理部材を剥離した。次に、枠体全体を反転させた後、上述のシリコン基板に、マウンターを使用して貼り付け、熱剥離シートをシリコン基板の大きさにカッターにて円形にカットした。この後、露出した未処理面を化学的機械的研磨で処理した。
化学的機械的研磨は、上述の＜実施例１＞に説明したとおりである。
＜実施例３＞
実施例３では、まず、実施例１と同様に、石英ガラス基板に自己剥離テープ（第１の接着剤）を貼り付け、被処理部材を貼り合せた後、第１面を化学的機械的研磨で処理した。
石英ガラス基板よりも十分大きな穴を持つ、厚さ１ｍｍのステンレス鋼板で形成されたドーナツ状の枠体を準備し、枠体に、中間仮着対象１（日東電工株式会社製ＳＰＶ−２００）を貼り付けた。中間仮着対象１を化学的機械的研磨で処理した被処理部材の第１面に、マウンターを使用して貼り付けた後、紫外線照射して、自己剥離テープの接着力を低減させて被処理部材を剥離した。さらに、枠体の裏側に中間仮着対象２（日東電工株式会社製リバアルファ）を、被処理部材の未処理面に貼り付けた。中間仮着対象２を未処理面に貼り付けることにより、中間仮着対象１と中間仮着対象２との接着力の差を利用して、中間仮着対象１および中間仮着対象２のうち、中間仮着対象１を剥離した。
一方、上述のシリコン基板に、上述の熱剥離シート（第２の接着剤）をマウンターにて貼り付けた。その後、枠体の中間仮着対象２に貼り付けられた状態の被処理部材の第１面に、熱剥離シートを介してシリコン基板をマウンターにより貼り付けた。さらに、石英ガラス基板側から紫外線照射（照射量３０００ｍＪ／ｃｍ２）して、中間仮着対象２を剥離した後、露出した未処理面を化学的機械的研磨で処理した。
化学的機械的研磨は、上述の＜実施例１＞に説明したとおりである。
＜実施例４＞
実施例４では、まず、実施例１と同様に、石英ガラス基板に自己剥離テープ（第１の接着剤）を貼り付け、被処理部材を貼り合せた後、第１面を化学的機械的研磨で処理した。
真空貼り合せ装置内で、多孔質の第１の吸着板を、被処理部材の研磨面に接触させ吸着した後、紫外線照射して、自己剥離テープの接着力を低減させて被処理部材を剥離した。次に、第２の吸着板によって、被処理部材の未処置面を吸着させた後、第１の吸着板の吸着を外して、被処理部材から切り離した。
一方、上述のシリコン基板に、上述の熱剥離シート（第２の接着剤）をマウンターにて貼り付けた後、上述の真空貼り合せ装置内にて、第２の吸着板に吸着された被処理部材を、シリコン基板に、真空貼り合せ装置内で貼り合せた。そして、第２の吸着板の吸着を外して、被処理部材から切り離した。その後、露出した未処理面を化学的機械的研磨で処理した。
化学的機械的研磨は、上述の＜実施例１＞に説明したとおりである。
＜実施例５＞
実施例５は、実施例１に比して、自己剥離テープ（第１の接着剤）にリンテック株式会社製ＳＲＬ０７５９（品名）（両面微粘着シート）を用い、紫外線照射することなく、被処理部材を剥離させた点以外は実施例１と同じである。
＜実施例６＞
実施例６は、実施例１に比して、自己剥離テープ（第１の接着剤）に、ソマール株式会社製ソマタック（登録商標）ＰＳ−１１５１ＣＲ（製品品番）を用いた点以外は実施例１と同じである。実施例６に用いた自己剥離テープ（ソマール株式会社製ソマタック（登録商標）ＰＳ−１１５１ＣＲ（製品品番））は、温度６０℃に加熱し続け、加熱を止めると接着力が低下する。このため、下記表２の「第１の支持体」の「接着層変質条件」の欄に「冷却（６０℃→２０℃）」と記した。
＜実施例７＞
実施例７は、実施例１に比して、熱剥離シート（第２の接着剤）にリンテック株式会社製ＳＲＬ０７５９（品名）（両面微粘着シート）を用いた点以外は実施例１と同じである。
＜実施例８＞
実施例８は、実施例１に比して、熱剥離シート（第２の接着剤）にソマール株式会社製ソマタック（登録商標）ＰＳ−１１５１ＣＲ（製品品番）を用いた点以外は実施例１と同じである。実施例８の熱剥離シートは、上述のように温度６０℃に加熱し続け、加熱を止めると接着力が低下する。このため、下記表２の「第２の支持体」の「接着層変質条件」の欄に「冷却（６０℃→２０℃）」と記した。
＜実施例９＞
実施例９は、実施例１に比して、被処理部材のマイクロポアに何も充填されていない点以外は実施例１と同じである。
＜実施例１０＞
実施例１０は、実施例１に比して、被処理部材のマイクロポアに銅に代えてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が充填されている点以外は実施例１と同じである。なお、被処理部材のマイクロポアへのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の充填には蒸着を用いた。また、下記表２で「導電体種」の欄に「ＩＴＯ」と記した。
＜実施例１１＞
実施例１１は、実施例１に比して、被処理部材のマイクロポアに銅に代えてアルミニウムが充填されている点以外は実施例１と同じである。なお、被処理部材のマイクロポアへのアルミニウムの充填には蒸着を用いた。
＜実施例１２＞
実施例１２は、実施例１に比して、被処理部材のマイクロポアに銅に代えてマグネシウムが充填されている点以外は実施例１と同じである。なお、被処理部材のマイクロポアへのマグネシウムの充填には蒸着を用いた。
＜実施例１３＞
実施例１３は、実施例１に比して、被処理部材の化学的機械的研磨の後の第１面および第２面の表面粗さが、算術平均粗さで０．５μｍである点以外は実施例１と同じである。＜実施例１４＞
実施例１４は、実施例１に比して、直径２００ｍｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス基板に代えて、直径２００ｍｍ、厚さ０．７７５ｍｍのシリコン基板を用い、自己剥離テープ（第１の接着剤）に、ソマール株式会社製ソマタック（登録商標）ＰＳ−１１５１ＣＲ（製品品番）を用いた点、および直径２００ｍｍ、厚さ０．７７５ｍｍの円盤状のシリコン（Ｓｉ）基板に代えて、直径２００ｍｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス基板を用い、熱剥離シート（第２の接着剤）として自己剥離テープ（積水化学工業株式会社製セルファ）を用いた点以外は実施例１と同じである。
＜実施例１５＞
実施例１５は、実施例１に比して、被処理部材の化学的機械的研磨の後の厚さを８０μｍとした点以外は実施例１と同じである。
＜実施例１６＞
実施例１６は、実施例１に比して、自己剥離テープ（第１の接着剤）の接着力の低減にレーザー照射を用いた点以外は実施例１と同じである。レーザー照射には、キーエンス株式会社製ＭＤ−Ｘ１５００（型式）を用いた。レーザー照射は、波長３８０ｎｍ、出力５Ｗ、スキャン速度３ｍ／秒、送り巾５０μｍで実施した。
＜実施例１７＞
実施例１７は、実施例１に比して、直径２００ｍｍ、厚さ０．７７５ｍｍの円盤状のシリコン（Ｓｉ）基板に代えて、直径２００ｍｍ、厚さ１ｍｍの円盤状の石英ガラス基板を用いた点、石英ガラス基板に熱剥離シート（第２の接着剤）として自己剥離テープ（積水化学工業株式会社製セルファ）を貼り付けた点以外は実施例１と同じである。
＜実施例１８＞
実施例１８は、実施例１に比して、マイクロポア孔径が１００ｎｍであり、マイクロポア密度が５００万個／ｃｍ２である点以外は実施例１と同じである。実施例１８は、後述の＜陽極酸化処理工程＞において、電圧を変化させた以外は実施例１と同様に作製した。
＜実施例１９＞
実施例１９は、実施例１に比して、被処理部材の化学的機械的研磨に代えて、機械研磨を実施した点以外は実施例１と同じである。機械研磨は、ＣＭＰスラリーをダイヤモンド研磨剤に変更した以外は、上述の化学的機械的研磨の処理と同じである。被処理部材の化学的機械的研磨の後の第１面および第２面の表面粗さが、算術平均粗さで１μｍ以上であった。
＜実施例２０＞
実施例１９は、実施例１に比して、石英ガラス基板の厚みを２ｍｍとし、シリコン基板の厚みを１．５ｍｍとした点以外は実施例１と同じである。
＜比較例１＞
比較例１は、実施例１に比して、実施例１の被処理部材を熱剥離シートに貼付する工程と、被処理部材を自己剥離テープから剥離する工程の順序を入れ替えた点以外は実施例１と同じである。
以下、実施例１〜実施例２０および比較例１に用いた被処理部材について説明する。被処理部材は、酸化アルミニウムを用いて構成した。
被処理部材である酸化アルミニウム材は、以下に示す工程により作製されたものである。
＜電解研磨処理工程＞
基板に、高純度のアルミニウム基板（住友軽金属社製（株式会社ＵＡＣＪ社製）、純度９９．９９質量％、０．２ｍｍ厚）を用いた。アルミニウム基板を直径２２０ｍｍの面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下に示す組成の電解研磨液を用い、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で電解研磨処理をした。陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速はアズワン株式会社製渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷを用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬工業株式会社製試薬） ６６０ｍＬ（ミリリットル）
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
＜陽極酸化処理工程＞
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．３０ｍｏｌ／Ｌ（リットル）硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。その後、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、１時間の再陽極酸化処理を施した。なお、プレ陽極酸化処理及び再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、撹拌加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は、アズワン株式会社製渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷを用いて計測した。
＜貫通化処理工程＞
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、５質量％リン酸に温度３０℃、３０分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、マイクロポアからなる貫通孔を有する陽極酸化皮膜からなる構造体（絶縁性基材）を作製した。なお、マイクロポア孔径が７０ｎｍであり、マイクロポア密度が１０００万個／ｃｍ２であった。
＜金属充填処理工程＞
次いで、上述の貫通化処理後の構造体の一方の表面に銅電極を密着させ、銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっきを行なった。硫酸銅／硫酸／塩酸＝２００／５０／１５（ｇ／Ｌ）の混合溶液を温度２５℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、貫通孔に銅が充填された構造体（異方導電性部材前駆体）を製造した。ここで、定電圧パルス電解は、株式会社 山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を−２Ｖに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が３００秒になるように、１回の電解時間が６０秒の電解処理を、各電解処理の間に４０秒の休止時間を設けて５回施した。
＜円形加工工程＞
金属充填処理した部材を水洗し、乾燥した後、富士商工マシナリー株式会社製ＵＤＰ−３０００を使用して、トムソン刃にて、直径１９９ｍｍの円形に打抜いた。
表１〜表４に示すように、実施例１〜実施例２０は、比較例１に比して、発生した３０μｍ以上の欠陥の数が少なかった。また、導電性については、導電体種がない実施例９を除いて、実施例１〜８および実施例１０〜２０は、比較例１よりも良好な結果が得られた。
実施例５、６は、実施例１とは第１の接着剤が異なり、実施例１に比して欠陥の数がわずかに多かった。
実施例７、８は、実施例１とは第２の接着剤が異なり、実施例１に比して欠陥の数が多かった。
実施例９は、実施例１とは導電体種がない点で異なり、実施例１に比して欠陥の数がわずかに多く、かつ導電性が劣った。
実施例１０〜１２は、実施例１とは導電体種が異なり、実施例１に比して欠陥の数がわずかに多く、かつ導電性がわずかに劣った。
実施例１３および実施例１９は、実施例１よりも算術平均粗さが粗く、実施例１に比して導電性がわずかに劣った。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の被処理部材の製造方法および積層体について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
１０、１００ 第１の支持体
１０ａ、１２ａ、１６ａ、４０ａ、１０４ａ 表面
１２ 第１の接着層
１４，１０４ 基板
１４ａ 第１面
１４ｂ 第２面
１５ 異方導電性部材
１６、１０６ 第２の支持体
１７ 積層体
１８ 第２の接着層
２０、２１ 仮支持体
２２ 枠体
２２ａ 開口部
２４ 接着シート
２５ カッター
２６ 接着シート
２８ 異方導電材
３０ 第１の転写支持体
３２ 第２の転写支持体
４０ 絶縁性基材
４０ｂ、１０４ｂ 裏面
４１ 貫通路
４２ 導通路
４２ａ、４２ｂ 突出部分
４３ 基部
４４ 樹脂層
４６ 支持基体
４７ 剥離層
４８ 支持層
４９ 剥離剤
５０ 部位
１０２ 第１の仮接着層
１０８ 第２の仮接着層
Ｄｔ 距離
Ｚ 厚み方向
ｈ 厚み
ｐ 中心間距離
ｘ 方向

Claims (26)

  1. 金属酸化物を含有する被処理部材と第１の支持体とを第１の接着層を用いて接合する第１接合工程と、
    前記被処理部材を加工して第１加工面を形成する第１面加工工程と、
    接着性を有する支持体、前記被処理部材を吸着する吸着支持体、および第２の接着層のうち、１つと、前記第１加工面とを接触させる第１面接触工程と、
    前記被処理部材と第２の支持体とを前記第１加工面と接する前記第２の接着層を用いて接合する第２接合工程と、
    前記被処理部材を加工して前記第１加工面の裏面に第２加工面を形成する第２面加工工程とを、この順番で含み、
    前記第１面接触工程において、前記接着性を有する支持体または前記吸着支持体と、前記第１加工面とを接触させた場合、前記接着性を有する支持体または前記吸着支持体を除去する工程を含み、
    前記第１面接触工程と前記第２接合工程との間、または前記第２接合工程と前記第２面加工工程との間に、前記被処理部材から前記第１の接着層を除去する第１の接着層除去工程を含む、被処理部材の製造方法。
  2. 前記第１面接触工程は、前記接着性を有する支持体または前記吸着支持体を用いて、前記第１加工面を支持する工程を含み、
    前記第１加工面が支持された状態で、前記第１の接着層が除去される請求項１に記載の被処理部材の製造方法。
  3. 前記第１面加工工程と前記第１の接着層除去工程との間に、前記第１の接着層の接着力を低減させる第１の接着層変質工程を含む、請求項１または２に記載の被処理部材の製造方法。
  4. 前記第１の接着層変質工程が露光および加熱のうち少なくとも一方を含む、請求項３に記載の被処理部材の製造方法。
  5. 前記第２面加工工程の後に、前記第２の接着層の接着力を低減させる第２の接着層変質工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  6. 前記第２の接着層変質工程が露光および加熱のうち少なくとも一方を含む、請求項５に記載の被処理部材の製造方法。
  7. 前記第２接合工程と前記第２面加工工程との間に前記第１の接着層除去工程を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  8. 前記第１面加工工程と前記第２接合工程との間に、
    前記被処理部材の前記第１加工面を第１の転写支持体に転写する第１転写工程と、
    前記第１の接着層除去工程と、
    前記第１の転写支持体による前記第１加工面の転写した状態を解除し、前記被処理部材の前記第１加工面以外の部分を第２の転写支持体に転写する第２転写工程と、をこの順に含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  9. 前記第１の転写支持体および前記第２の転写支持体のうち少なくとも一方が、接着性を有する仮支持体である、請求項８に記載の被処理部材の製造方法。
  10. 前記第１の転写支持体および前記第２の転写支持体のうち少なくとも一方が、前記被処理部材を吸着する吸着支持体である、請求項８または９に記載の被処理部材の製造方法。
  11. 前記第２接合工程が、前記被処理部材の前記第１加工面に設けられた前記第２の接着層に前記第２の支持体を貼付する工程である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  12. 前記第２接合工程が、前記第２の支持体に設けられた前記第２の接着層に前記被処理部材を貼付する工程である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  13. 前記第１接合工程が、前記第１の支持体に設けられた前記第１の接着層に前記被処理部材を貼付する工程である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  14. 前記被処理部材が導電体を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  15. 前記導電体が未酸化の金属を含む、請求項１４に記載の被処理部材の製造方法。
  16. 前記金属酸化物が前記未酸化の金属以外の金属元素を含む、請求項１５に記載の被処理部材の製造方法。
  17. 前記未酸化の金属が遷移金属である、請求項１５または１６に記載の被処理部材の製造方法。
  18. 前記金属酸化物が卑金属の酸化物である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  19. 前記第１加工面および前記第２加工面が、ともに算術平均粗さが１μｍ以下の面である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  20. 前記第２面加工工程が、前記被処理部材の面のうち前記第１の接着層と接していた面を加工する工程である、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  21. 前記第１の接着層の接着力が前記第２の接着層の接着力よりも常に小さい、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  22. 前記第１の支持体および前記第２の支持体のうち少なくとも一方が、透過領域を少なくとも１ヶ所有し、前記透過領域は、透過率が２００〜５００ｎｍの波長範囲において７０％以上である、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  23. 前記被処理部材における前記第１加工面と前記第２加工面の間の距離が５０μｍ以下である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  24. 前記露光がレーザー照射または紫外線照射である、請求項４または６に記載の被処理部材の製造方法。
  25. 前記第１の接着層および前記第２の接着層のうち少なくとも一方が、加熱により接着層の接着性を低減させる材料を含む、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法。
  26. 前記第１の支持体、前記第１の接着層および前記被処理部材をこの順に有する、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の被処理部材の製造方法に用いられる積層体。
JP2019519536A 2017-05-24 2018-04-27 被処理部材の製造方法 Active JP6991206B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017102912 2017-05-24
JP2017102912 2017-05-24
PCT/JP2018/017195 WO2018216433A1 (ja) 2017-05-24 2018-04-27 被処理部材の製造方法および積層体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018216433A1 true JPWO2018216433A1 (ja) 2020-04-09
JP6991206B2 JP6991206B2 (ja) 2022-01-12

Family

ID=64396772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019519536A Active JP6991206B2 (ja) 2017-05-24 2018-04-27 被処理部材の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200009845A1 (ja)
JP (1) JP6991206B2 (ja)
KR (1) KR102281480B1 (ja)
TW (1) TWI754053B (ja)
WO (1) WO2018216433A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7220796B2 (ja) * 2019-08-16 2023-02-10 富士フイルム株式会社 構造体の製造方法
JP7173091B2 (ja) * 2020-05-08 2022-11-16 信越半導体株式会社 平面研削方法
CN112968119B (zh) * 2020-12-18 2022-02-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片的转移方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04210361A (ja) * 1990-12-14 1992-07-31 Seiko Electronic Components Ltd ウエハの両面加工方法
JP2002168748A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Ebara Corp ケミカルフィルタ終点検知モニター、該モニターを備えた基板搬送容器、基板搬送容器充電ステーション、及び、ケミカルフィルタ終点検知方法
JP2003206451A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Nitto Denko Corp 熱剥離型粘着シートを用いた易損傷性被加工物の両面加工方法
JP2008251781A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2015098565A (ja) * 2013-11-20 2015-05-28 東京応化工業株式会社 処理方法
JP2015201548A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社ソシオネクスト 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3859682B1 (ja) * 2005-09-08 2006-12-20 東京応化工業株式会社 基板の薄板化方法及び回路素子の製造方法
JP2010149211A (ja) 2008-12-24 2010-07-08 Fujifilm Corp 薄膜脆性材料の表面研磨方法
TWI425066B (zh) * 2010-09-09 2014-02-01 Hitachi Chemical Co Ltd Preparation method of adhesive composition, circuit board for connecting circuit member, and manufacturing method of semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04210361A (ja) * 1990-12-14 1992-07-31 Seiko Electronic Components Ltd ウエハの両面加工方法
JP2002168748A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Ebara Corp ケミカルフィルタ終点検知モニター、該モニターを備えた基板搬送容器、基板搬送容器充電ステーション、及び、ケミカルフィルタ終点検知方法
JP2003206451A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Nitto Denko Corp 熱剥離型粘着シートを用いた易損傷性被加工物の両面加工方法
JP2008251781A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2015098565A (ja) * 2013-11-20 2015-05-28 東京応化工業株式会社 処理方法
JP2015201548A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社ソシオネクスト 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201901784A (zh) 2019-01-01
KR20190126852A (ko) 2019-11-12
KR102281480B1 (ko) 2021-07-26
TWI754053B (zh) 2022-02-01
JP6991206B2 (ja) 2022-01-12
US20200009845A1 (en) 2020-01-09
WO2018216433A1 (ja) 2018-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6808815B2 (ja) 積層デバイス、積層体および積層デバイスの製造方法
TWI829851B (zh) 陽極氧化處理方法及各向異性導電性構件的製造方法
JPWO2018216433A1 (ja) 被処理部材の製造方法および積層体
JP6818707B2 (ja) 金属膜、構造体、複合材料、構造体の製造方法、および複合材料の製造方法
WO2017150058A1 (ja) 異方導電性接合部材、半導体デバイス、半導体パッケージおよび半導体デバイスの製造方法
KR20160147990A (ko) 이방 도전성 부재 및 다층 배선 기판
WO2019039071A1 (ja) 構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージ
JP6976883B2 (ja) 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイス
JP6412587B2 (ja) 多層配線基板
JP6663487B2 (ja) 電子素子、半導体素子を含む構造体
JP7394956B2 (ja) 金属充填微細構造体、及び金属充填微細構造体の製造方法
JP6773884B2 (ja) 半導体デバイス、積層体ならびに半導体デバイスの製造方法および積層体の製造方法
JP6580642B2 (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
JP7369797B2 (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
WO2021177013A1 (ja) 充填微細構造体および搬送方法
TWI765092B (zh) 金屬填充微細結構體的製造方法及絕緣性基材
JP6764809B2 (ja) 金属充填微細構造体の製造方法
TWI774841B (zh) 半導體元件的製造方法及接合構件
JP2023013811A (ja) 構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210419

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20211005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211101

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20211101

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20211110

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20211116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6991206

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150