JP6976883B2 - 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、絶縁性基材の厚み方向に貫通する導電体を有し、導電体が絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える異方導電性部材、および異方導電性部材の製造方法、ならびに異方導電性部材を有する接合体および電子デバイスに関し、特に、突出部が絶縁性基材側の基部と基部に連続して設けられた先端部とからなる異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイスに関する。

絶縁性基材の厚み方向に貫通した複数の貫通孔に充填された金属で構成された導電体を備える金属充填微細構造体は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつである。金属充填微細構造体は、例えば、電池用電極、ガス透過膜、センサー、および異方導電性部材等の用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、および機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、およびサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性部材が注目されている。

特許文献１には、異方導電性部材として使用可能な、接合適性と導電性とをあわせもった構造体が記載されている。特許文献１の構造体は、絶縁性基板に導電体が貫通する構造体であって、導電体が円相当径１０〜５００ｎｍであり、かつ絶縁性基板表面からの高さが５０ｎｍ以上の突出部を有するものであり、突出部の表面が金属によって被覆されており、突出部を被覆する被覆層を含めた突出部の高さＨ（ｎｍ）と、被覆層の厚さＴ（ｎｍ）とがＴ／Ｈ≦０．８の関係を満たすものである。
非特許文献１には、陽極酸化アルミニウム（ＡＡＯ）中にめっきで金属を充填し、さらに異種金属を積層させた上で、陽極酸化アルミニウム（ＡＡＯ）を溶解除去し微細なロット状の金属粒子を獲得する方法が記載されている。

特開２００９−２８９７３０号公報

Zhen Wang Mathias Brust, "Fabrication of nanostructure via self-assembly of nanowires within the AAO template", Nanoscale Res Lett (2007) 2:34-39

現在、上述のように半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著であり、電極および端子のサイズはより小さくなり、電極数および端子数はより増加し、端子間の距離もより狭くなってきている。異方導電性部材にも様々な形態の電子部品の電気的な接続に対応できることが要求されている。
しかしながら、特許文献１では、導電体の配置間隔をより狭くした場合、隣接した導電体同士が被覆層によって導通する可能性がある。このため、端子間がより狭い電子部品に対応できない可能性がある。
また、非特許文献１は、交流電解により金属を充填析出させており、長さの変動が回避できず、導電体の長さがばらつくことになる。このため、電子部品の電気的接続に用いるにあたって、外力により導電体が倒れた場合、隣接する導電体同士が接触して導通することがある。

本発明の目的は、導電体の配置間隔をより狭くした場合でも、隣接する導電体同士の導通を抑制し、電気導通性への影響を抑制した異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイスを提供することにある。

上述の目的を達成するために、本発明は、絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた、複数の導電体とを有し、導電体は、絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備え、複数の導電体は、それぞれ突出部の長さが同じであり、突出部は、絶縁性基材側の基部と、基部の絶縁性基材の反対側の端面にだけ設けられた先端部とを備えており、先端部は、基部と異なる組成を有する含金属部位である、異方導電性部材を提供するものである。
先端部を構成する金属は、基部を構成する金属よりイオン化傾向が小さいことが好ましい。
各導電体は、絶縁性基材の表面および裏面から、それぞれ突出した突出部を有することが好ましい。
基部の円相当径と、先端部の円相当径とは同じであることが好ましい。
絶縁性基材は、金属の陽極酸化膜で構成されていることが好ましく、絶縁性基材は、アルミニウムの陽極酸化膜またはチタンの陽極酸化膜で構成されていることが望ましい。

また、本発明は、厚み方向に延在する貫通孔を複数有する絶縁性基材の、貫通孔に、金属で構成された第１導電体を充填する第１導電体充填工程と、貫通孔に第１導電体が充填された絶縁性基材の少なくとも一方の面を平滑化する面平滑化工程と、平滑化した面側にある第１導電体の一部を除去し、第１導電体の表面を平滑化した面より低くする第１導電体除去工程と、第１導電体の表面に、第１導電体とは組成が異なる金属を含む第２導電体を積層する第２導電体積層工程と、絶縁性基材の平滑化した面側の一部を除去し、第１導電体および第２導電体を絶縁性基材から突出させる絶縁性基材除去工程とをこの順に実施する、異方導電性部材の製造方法を提供するものである。
第１導電体除去工程が、第１導電体を溶解する工程であり、絶縁性基材除去工程が、絶縁性基材を溶解する工程であることが好ましい。
第１導電体除去工程の終了から第２導電体積層工程の開始迄の間、絶縁性基材は液体に接触していることが好ましい。
面平滑化工程は、貫通孔に第１導電体が充填された絶縁性基材の両面を平滑化することが好ましい。
第２導電体を構成する金属は、第１導電体を構成する金属よりイオン化傾向が小さいことが好ましい。
絶縁性基材は、金属の陽極酸化膜で構成されていることが好ましく、絶縁性基材は、アルミニウムの陽極酸化膜またはチタンの陽極酸化膜で構成されていることが望ましい。

本発明は、本発明の異方導電性部材と、導電領域を有し、異方導電性部材と接合した部材とを有する、接合体を提供するものである。
また、本発明の接合体を含む、電子デバイスを提供するものである。

本発明によれば、隣接する導電体同士の導通を抑制し、電気導通性への影響を抑制した異方導電性部材を提供することができる。
また、本発明によれば、上述の異方導電性部材の製造方法を提供することができる。
さらには、本発明によれば、異方導電性部材を有する接合体および電子デバイスを提供することができる。

本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的断面である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す平面図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材を拡大して示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第２の例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の貫通孔の形成方法の一例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の異方導電性部材の貫通孔の形成方法の一例の一工程を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第１の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの半導体素子の端子の構成の一例を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第２の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第３の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第４の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第５の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第６の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第７の例を示す模式図である。 本発明の実施形態の電子デバイスの第８の例を示す模式図である。

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイスを詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
また、具体的な数値で表された各種の値については、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。

（異方導電性部材）
図１は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的断面であり、図２は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す平面図であり、図３は本発明の実施形態の異方導電性部材を拡大して示す模式的断面図である。図２では樹脂層１９の図示を省略している。

図１に示す異方導電性部材１０は、絶縁性基材１２と、絶縁性基材１２に設けられ、絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔに貫通した複数の貫通孔１４と、複数の貫通孔１４に設けられた導電体１６とを有する。
複数の導電体１６は、それぞれ絶縁性基材１２の厚み方向に貫通して設けられた柱状部材である。複数の導電体１６は絶縁性基材１２によって互いに電気的に絶縁された状態で存在する。
複数の導電体１６は、それぞれ金属で構成されており導電性を有し、電気の導通路として機能し、電気信号を伝達するものである。後述の接合体および電子デバイスにおいても導電体１６は導通路して機能する。
ここで、「互いに電気的に絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部に存在している各導電体１６が絶縁性基材１２の内部において互いに各導電体間の導通性が十分に低い状態であることを意味する。
異方導電性部材１０は、絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔと直交する方向ｘには導電性が十分に低く、厚み方向Ｄｔに導電性を有する。

導電体１６は、絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの表面１２ａから突出した突出部１６ｂと、裏面１２ｂから突出した突出部１６ｃとを備えるものであり、導電体１６の突出部１６ｂおよび突出部１６ｃを埋設する樹脂層１９が設けられている。また、導電体１６のうち絶縁性基材１２内にある部位、すなわち、貫通孔１４の部分に相当する部位を貫通部１６ａという。貫通部１６ａと、突出部１６ｂ、１６ｃの基部２０とは一体構成である。
図２に示すように、導電体１６は、絶縁性基材１２に対して、中心間距離ｐで配置されている。導電体１６の中心間距離ｐ、および密度等については後に詳細に説明する。

図１に示すように突出部１６ｂおよび突出部１６ｃは、いずれも絶縁性基材１２側の基部２０と、基部２０の絶縁性基材１２の反対側の端面２０ｄにだけ設けられた先端部２１とを備える。先端部２１は、基部２０と異なる組成を有する含金属部位であるが、貫通部１６ａと、突出部１６ｂ、１６ｃの基部２０とは一体構成であり、組成が同じである。導電体１６は、全て金属で構成してもよいが、先端部２１を除く、貫通部１６ａと、突出部１６ｂ、１６ｃの基部２０とが金属で構成される構成でもよい。
端面２０ｄにだけ先端部２１が設けられるとは、導電体１６の突出部１６ｂ、１６ｃのいずれも基部２０の側面２０ｃには層等が何もない状態であり、基部２０の側面２０ｃが先端部２１により覆われることがない状態にあることである。
上述の導電体１６の構成により、異方導電性部材１０では、隣接する導電体１６の配置間隔、すなわち、隣接する導電体１６間の幅ｗを狭くしても、導電体１６の一部が隣接する導電体１６と接触することがなく、隣接する導電体１６同士の導通を抑制、すなわち、隣接する導電体１６同士のリークを抑制することができ、電気導通性への影響を抑制することができる。しかも、導電体１６の配置間隔を狭くできる。

なお、先端部２１は基部２０の酸化を抑制するものであることから、先端部２１が基部２０の端面２０ｄに連続して設けられることが好ましい。この先端部２１が基部２０の端面２０ｄに連続して設けられるとは、基部２０の端面２０ｄと先端部２１との間に、酸化膜等の製造プロセスの過程で形成された層、および意図的に形成された層等がないことをいう。

また、基部２０の円相当径Ｒと、先端部２１の円相当径Ｒｓとが同一であることが好ましい。この場合、隣接する導電体１６の配置間隔、すなわち、隣接する導電体１６間の幅ｗをさらに狭くしても、隣接する導電体１６同士の導通を抑制、すなわち、隣接する導電体１６同士のリークを抑制することができ、電気導通性への影響を抑制することができる。しかも、導電体１６の配置間隔をさらに狭くできる。
なお、基部２０の円相当径Ｒと、先端部２１の円相当径Ｒｓとが同一であるとは、小さい方の円相当径を１００とした場合、大きい方の円相当径が１２０以内にあることをいう。例えば、基部２０の円相当径Ｒが１００ｎｍのとき、先端部２１の円相当径Ｒｓが１２０ｎｍ以下であれば同一であるという。先端部２１の円相当径Ｒｓが１００ｎｍのとき、基部２０の円相当径Ｒが１２０ｎｍ以下であれば同一であるという。
図１では基部２０は柱状であり、先端部２１も柱状であるが、先端部２１は柱状に限定されるものではなく、例えば、先端部２１は半球状または錐状でもよい。

基部２０は金属で構成されている。基部２０を構成する金属のことを第１金属という。基部２０が第１金属で構成されているとは、第１金属を９５質量％以上含有していることをいう。
先端部２１は、上述のように基部２０と異なる組成を有する含金属部位であり、例えば、金属で構成されている。先端部２１を構成する金属のことを第２金属という。先端部２１が第２金属で構成されているとは、第２金属を９５質量％以上含有していることをいう。なお、先端部２１は、基部２０と異なる組成を有する含金属部位であればよく、先端部２１が金属で構成されることに限定されるものではない。例えば、ナノサイズの金属粒子を含む樹脂で構成してもよい。
例えば、基部２０と先端部２１とは組成が異なる金属で構成される。この場合、組成が異なる金属とは、２つの組成を比較した場合、単一金属の場合、構成元素の種類が異なることをいう。合金の場合、含有量が５０質量％以上の主成分を比較した場合、主成分の元素の種類が異なることをいう。

なお、先端部２１が基部２０と異なる組成を有する含金属部位であるか、または基部２０と先端部２１とが異なる金属で構成されているかについては、異方導電性部材１０の絶縁性基材１２を選択的に溶解して、導電体１６を取り出す。ある金属は溶解し、別の金属は溶解しないエッチング液を用いて、基部２０または先端部２１を選択的に溶解して、基部２０と先端部２１とを分離することにより特定することができる。
基部２０を構成する第１金属が溶解して、先端部２１を構成する第２金属が溶解しないエッチング液、または基部２０を構成する第１金属が溶解せずに、先端部２１を構成する第２金属が溶解するエッチング液を用いて、基部２０または先端部２１を選択的に溶解して、基部２０と先端部２１とを分離する。

基部２０と先端部２１において、先端部２１を構成する第２金属は、イオン化傾向が基部２０を構成する第１金属より小さくてもよく、逆に第２金属は第１金属よりイオン化傾向が大きくてもよい。
先端部２１を構成する第２金属が基部２０を構成する第１金属よりイオン化傾向が小さい場合、先端部２１の酸化が抑制されて、基部２０の酸化も抑制される。
一方、先端部２１を構成する第２金属が基部２０を構成する第１金属よりイオン化傾向が大きい場合、先端部２１が優先的に酸化されて、基部２０の酸化が抑制される。

複数の導電体１６は、それぞれ突出部１６ｂの長さ、すなわち、突出部１６ｂの高さＨが同じであり、全ての先端部２１の先端が平面ＰＬ上にあり、先端部２１が略同一平面上に位置するように設けられている。また、突出部１６ｃについても長さ、すなわち、突出部１６ｂの高さＨが同じであり、全ての先端部２１の先端が平面ＰＬ上にあり、先端部２１が略同一平面上に位置するように設けられている。
上述の突出部１６ｂの長さが同じ、すなわち、先端部が略同一平面上に位置するとは、全ての突出部１６ｂの先端部２１の先端の位置が±１００ｎｍの範囲内にあることをいう。すなわち、突出部１６ｂの先端部２１の先端の変動が±１００ｎｍの範囲内である。
また、上述の突出部１６ｃの長さが同じ、すなわち、先端部が略同一平面上に位置するとは、全ての突出部１６ｃの先端の高低差が±５０ｎｍの範囲内にあることをいう。すなわち、突出部１６ｃの先端部２１の先端の変動が±５０ｎｍの範囲内である。
また、図３に示すように、突出部１６ｂの高さＨとし、突出部１６ｂの先端部２１の高さをＨｓとし、突出部１６ｂの円相当径をＲとする。この場合、Ｈｓ＜２Ｒであることが好ましい。Ｈｓ＜２Ｒを満たせば、隣接する導電体１６同士の電気的な導通、すなわち、リークが確実に抑制される。突出部１６ｂの高さＨは５０ｎｍ以上であることが好ましい。

図１に示す異方導電性部材１０の構成では、絶縁性基材１２の表面１２ａから突出した突出部１６ｂと、裏面１２ｂから突出した突出部１６ｃとがある構成としたが、これに限定されるものではない。異方導電性部材１０は、絶縁性基材１２の少なくとも一方の面に突出部があればよく、すなわち、突出部１６ｂおよび突出部１６ｃのうち、いずれか一方がある構成でもよい。

（異方導電性部材の製造方法の第１の例）
次に、異方導電性部材１０の製造方法の第１の例について説明する。図４〜図８は本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例を工程順に示す模式図である。
図４〜図８において、図１および図２に示す異方導電性部材１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。

まず、図４に示すように、厚み方向Ｄｔに延在する貫通孔１４を複数有する絶縁性基材１２を用意する。
次に、図５に示すように、厚み方向Ｄｔに延在する貫通孔１４を複数有する絶縁性基材１２の、貫通孔１４に、金属で構成された第１導電体２２を充填する。上述の貫通孔１４に第１導電体２２を充填する工程が第１導電体充填工程である。第１導電体２２は、導電体１６の貫通部１６ａと、突出部１６ｂ、１６ｃの基部２０とを構成するものである。第１導電体２２により、導電体１６の貫通部１６ａと突出部１６ｂ、１６ｃの基部２０とが一体に形成される。第１導電体２２を構成する金属は、例えば、上述の第１金属である。
次に、貫通孔１４に第１導電体２２が充填された絶縁性基材１２の少なくとも一方の面を平滑化する。例えば、絶縁性基材１２の表面１２ａを平滑化する。上述の平滑化する工程が面平滑化工程である。面平滑化工程により、絶縁性基材１２の表面１２ａに第１導電体２２が露出される。

次に、図６に示すように、平滑化した面側、すなわち、絶縁性基材１２の表面１２ａ側にある第１導電体２２の一部を除去し、第１導電体２２の表面２２ａを平滑化した面、すなわち、絶縁性基材１２の表面１２ａより低くする。上述の第１導電体２２の一部を除去し、第１導電体２２の表面２２ａを平滑化した面よりも低くする工程が第１導電体除去工程である。
第１導電体除去工程は、例えば、第１導電体２２を溶解する工程である。絶縁性基材１２と第１導電体２２は組成が異なり、例えば、エッチング液を選択することにより、絶縁性基材１２が除去されず、第１導電体２２だけを選択的に除去することができる。
第１導電体除去工程は、第１導電体２２だけを選択的に除去することができれば、エッチング液等を用いた溶解に限定されるものではなく、例えば、ドライエッチング処理でもよい。

次に、図７に示すように、第１導電体２２の表面２２ａに、例えば、第１導電体２２と組成が異なる金属で構成された第２導電体２３を積層する。第２導電体２３は、導電体１６の突出部１６ｂ、１６ｃの先端部２１を構成するものである。第２導電体２３を構成する金属は、例えば、第２金属であり、上述の第１金属と第２金属とは組成が異なる。なお、第２導電体２３は、基部２０（図１参照）となる第１導電体２２と異なる組成を有する金属を含むものであれば、上述の金属に特に限定されるものではない。
上述の第１導電体２２の表面２２ａに、第１導電体２２とは組成が異なる第２導電体２３を積層する工程が第２導電体積層工程である。第２導電体積層工程により、貫通孔１４内で、第１導電体２２に連続して第２導電体２３が積層される。この場合、貫通孔１４が型として機能し、貫通孔１４の内面が突出部１６ｂの基部２０の側面２０ｃ（図３参照）と先端部２１との側面２１ｃ（図３参照）となる。このため、第１導電体２２と第２導電体２３とは円相当径が略同じになる。

第２導電体積層工程では、第２導電体２３は貫通孔１４から溢れないように積層することが好ましい。貫通孔１４から第２導電体２３が溢れた場合、第２導電体２３の研磨等が必要になり、工程が煩雑になる。第２導電体２３の積層量は、例えば、めっき法を用いた場合には、めっき処理時間等のめっき処理条件により調整することができる。
なお、第１導電体２２については、面平滑化工程があるため、貫通孔１４から溢れてもよいが、第２導電体２３と同様に貫通孔１４から溢れてないことが好ましい。この場合、第２導電体２３と同じく、第１導電体２２の積層量は、例えば、めっき法を用いた場合には、めっき処理時間等のめっき処理条件により調整することができる。

次に、図８に示すように、絶縁性基材１２の平滑化した面側、例えば、絶縁性基材１２の表面１２ａ側の一部を除去し、第１導電体２２および第２導電体２３を絶縁性基材１２から突出させる。これにより、絶縁性基材１２の表面１２ａから突出する突出部１６ｂが形成される。なお、第１導電体２２が導電体１６の貫通部１６ａおよび突出部１６ｂ、１６ｃの基部２０となり、第２導電体２３が突出部１６ｂの先端部２１となる。
上述の絶縁性基材１２の平滑化した面側の一部を除去し、第１導電体２２および第２導電体２３を絶縁性基材１２から突出させる工程が絶縁性基材除去工程である。
上述の絶縁性基材１２の平滑化した面側の一部の除去は、例えば、絶縁性基材１２を溶解する工程である。この場合、例えば、エッチング液を選択することにより、第１導電体２２および第２導電体２３がエッチングされず、絶縁性基材１２を選択的にエッチングして絶縁性基材１２を除去することができる。
このようにして、絶縁性基材１２の表面１２ａから突出した突出部１６ｂを有する異方導電性部材１０を得ることができる。
なお、図８に示す状態に対して、例えば、導電体１６の突出部１６ｂを埋設する樹脂層１９を形成してもよい。

上述の第１導電体除去工程の終了から第２導電体積層工程までの間は、第１導電体除去工程の終了から第２導電体積層工程の開始迄の間、乾燥工程を含むことなく、絶縁性基材は液体に接触し続けていることが好ましい。これにより、第１導電体２２の表面２２ａの酸化を抑制することができる。この場合、液体とは、めっき処理のめっき液、詳細には説明していないが各工程間の洗浄工程に用いる純水等である。
なお、液体に接触する以外に、各工程間を減圧雰囲気にしたり、不活性ガス雰囲気にしたりして酸化を抑制するようにしてもよい。第１導電体２２と第２導電体２３とをいずれもめっき法により形成する場合、液体に接触させておく方が、製造ラインを簡素化できる。
なお、第１導電体２２と第２導電体２３とを一連の連続した工程ではない場合には、各工程間を上述のように減圧雰囲気、または不活性ガス雰囲気としてもよい。

（異方導電性部材の製造方法の第２の例）
次に、異方導電性部材１０の製造方法の第２の例について説明する。図９〜図１３は本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第２の例を工程順に示す模式図である。
図９〜図１３において、図４〜図８に示す異方導電性部材の製造方法の第１の例と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。

異方導電性部材１０の製造方法の第２の例は、絶縁性基材１２の両面に突出部１６ｂ、１６ｃを有する異方導電性部材１０の製造方法である。
絶縁性基材１２の表面１２ａに突出部１６ｂを形成する工程は、上述の異方導電性部材の製造方法の第１の例と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０の製造方法の第２の例では、まず、絶縁性基材１２の表面１２ａに突出部１６ｂが形成されたものに対して、絶縁性基材１２の表面１２ａに図９に示すように、導電体１６の突出部１６ｂを埋設する樹脂層１９を形成する。次に、両面粘着剤２４を樹脂層１９に貼り付ける。そして、支持部材２５を両面粘着剤２４に貼り付ける。
次に、面平滑化工程を絶縁性基材１２の裏面１２ｂに対して実施し、絶縁性基材１２の裏面１２ｂに第１導電体２２を露出させる。

支持部材２５は、例えば、シリコン基板が用いられる。支持部材２５としては、シリコン基板以外に、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧａＮおよびアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等のセラミックス基板、ガラス基板、繊維強化プラスチック基板、ならびに金属基板を用いることができる。繊維強化プラスチック基板には、プリント配線基板であるＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）基板等も含まれる。
両面粘着剤２４は、樹脂層１９と支持部材２５とを接着することができれば、その構成は特に限定されるものではなく、例えば、日東電工株式会社製の両面タイプのリバアルファ（登録商標）を用いることができる。

次に、第１導電体除去工程を絶縁性基材１２の裏面１２ｂ側に実施し、第１導電体２２を選択的に除去し、図１０に示すように、第１導電体２２の表面２２ｂを平滑化した面、すなわち、絶縁性基材１２の裏面１２ｂよりも低くする。
次に、第２導電体積層工程を第１導電体２２の表面２２ｂに対して実施し、図１１に示すように、第１導電体２２の表面２２ｂに第２導電体２３を積層する。
第２導電体積層工程により、貫通孔１４内で、第１導電体２２に連続して第２導電体２３を積層する。この場合も、貫通孔１４が型として機能し、貫通孔１４の内面が突出部１６ｃの基部２０の側面２０ｃ（図３参照）と先端部２１との側面２１ｃ（図３参照）となる。このため、第１導電体２２と第２導電体２３とは円相当径が略同じになる。なお、上述のように第２導電体２３は貫通孔１４から溢れないように積層することが好ましい。

次に、絶縁性基材除去工程を絶縁性基材１２の裏面１２ｂに対して実施し、図１２に示すように、絶縁性基材１２の裏面１２ｂ側の一部を除去し、第１導電体２２および第２導電体２３を絶縁性基材１２から突出させる。これにより、絶縁性基材１２の裏面１２ｂから突出する突出部１６ｃが形成され、絶縁性基材１２の両面に突出部１６ｂ、１６ｃを有する異方導電性部材１０を得ることができる。
なお、第１導電体２２が突出部１６ｃの基部２０となり、第２導電体２３が突出部１６ｃの先端部２１となる。

次に、図１３に示すように、絶縁性基材１２の裏面１２ｂに突出部１６ｃを埋設する樹脂層１９を形成してもよい。
この場合、絶縁性基材１２の裏面１２ｂ側の樹脂層１９に保護層２９を設けてもよい。保護層２９は、異方導電性部材１０を絶縁性基材１２の裏面１２ｂ側から保護するものである。
そして、絶縁性基材１２の表面１２ａ側の両面粘着剤２４および支持部材２５を除去する。これにより、図１３に示す形態の異方導電性部材１０を得ることができる。
図１３に示す異方導電性部材１０は、例えば、巻き芯にロール状に巻き取られた状態で保管することができる。異方導電性部材１０の使用時に樹脂層１９を剥離して使用することができる。

保護層２９は、構造体表面を傷等から保護するために用いるものであるため、易剥離テープが好ましい。保護層２９として、例えば、粘着層付きフィルムを用いてもよい。
粘着層付きフィルムとして、例えば、ポリエチレン樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているサニテクト（ＳＵＮＹＴＥＣＴ）〔登録商標〕（株式会社サンエー化研製）、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているＥ−ＭＡＳＫ〔登録商標〕（日東電工株式会社製）、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているマスタック〔登録商標〕（藤森工業株式会社製）等のシリーズ名で販売されている市販品を用いることができる。
また、粘着層付きフィルムを貼り付ける方法は特に限定されず、従来公知の表面保護テープ貼付装置およびラミネーターを用いて貼り付けることができる。

次に、図４に示す貫通孔１４を有する絶縁性基材１２の製造方法について説明する。
図１４および図１５は、本発明の実施形態の異方導電性部材の貫通孔の形成方法の一例の工程順に示す模式図であり、貫通孔１４を有する絶縁性基材１２の製造方法はこれに限定されるものではない。
まず、図１４に示すように、絶縁性基材１２（図１参照）となる基板２６を用意する。
基板２６は、最終的に得られる異方導電性部材１０（図１参照）の絶縁性基材１２の厚み、加工する装置等に応じて大きさおよび厚みが適宜決定されるものである。基板２６は、矩形状または円盤状の板材でも、帯状の板材でもよい。
絶縁性基材１２は、例えば、陽極酸化膜で構成されるものであり、この場合、基板２６は陽極酸化可能な材料で構成される。陽極酸化膜は、例えば、金属を陽極酸化して形成される陽極酸化膜で構成される。陽極酸化膜となる金属は、例えば、アルミニウムまたはチタンである。

次に、基板２６の片側の表面２６ａを陽極酸化処理する。これにより、基板２６の片側の表面２６ａが陽極酸化されて、図１５に示すように、基板２６の厚み方向Ｄｔに延在する複数の貫通孔１４の底部に存在するバリア層２７を有する陽極酸化膜２８が形成される。上述の陽極酸化する工程を陽極酸化処理工程という。
複数の貫通孔１４を有する陽極酸化膜２８には、上述のように貫通孔１４の底部にバリア層２７が存在するが、バリア層２７を除去する。このバリア層２７を除去する工程をバリア層除去工程という。
バリア層除去工程において、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることにより、陽極酸化膜２８のバリア層２７を除去すると同時に、貫通孔１４の底部に金属（金属Ｍ）からなる金属層（図示せず）を形成する。これにより、貫通孔１４の底の基板２６は金属層（図示せず）で被覆される。
基板２６を除去することにより、図４に示すように、貫通孔１４が形成された絶縁性基材１２を得ることができる。
以下、異方導電性部材１０製造方法の各工程についてより具体的に説明する。

〔絶縁性基材形成工程〕
絶縁性基材１２は、例えば、陽極酸化膜で構成される。絶縁性基材を形成するための陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができる。例えば、アルミニウム基板に陽極酸化処理を施して陽極酸化膜を形成する。
陽極酸化処理としては、マイクロポア配列の規則性を高くし、異方導電性部材の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法または定電圧処理を用いることが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法および定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５６］〜［０１０８］段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。

＜陽極酸化処理＞
アルミニウム基板に対する陽極酸化処理における電解液の平均流速は、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであることが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであることがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであることが更に好ましい。
また、電解液を上述の条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため好ましい。このようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ ＯＮＥ製）」等が挙げられる。

陽極酸化処理は、例えば、酸濃度１〜１０質量％の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電する方法を用いることができる。
陽極酸化処理に用いられる溶液としては、酸溶液であることが好ましく、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には、電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ²、電圧３〜３００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であることが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ²、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であることがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ²、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であることが更に好ましい。

＜バリア層除去工程＞
バリア層除去工程は、例えば、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍのイオンを含むアルカリ水溶液を用いて、陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。
上述のバリア層除去工程により、バリア層が除去され、かつ貫通孔の底部に、金属Ｍからなる金属層（図示せず）が形成されることになる。
ここで、水素過電圧（hydrogen overvoltage）とは、水素が発生するのに必要な電圧をいい、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の水素過電圧は−１．６６Ｖである（日本化学学会誌，１９８２、（８），ｐ１３０５−１３１３）。なお、アルミニウムの水素過電圧よりも高い金属Ｍの例およびその水素過電圧の値を以下に示す。
＜金属Ｍおよび水素（１Ｎ Ｈ₂ＳＯ₄）過電圧＞
・白金（Ｐｔ）：０．００Ｖ
・金（Ａｕ）：０．０２Ｖ
・銀（Ａｇ）：０．０８Ｖ
・ニッケル（Ｎｉ）：０．２１Ｖ
・銅（Ｃｕ）：０．２３Ｖ
・錫（Ｓｎ）：０．５３Ｖ
・亜鉛（Ｚｎ）：０．７０Ｖ

本発明においては、第１導電体２２を構成する第１金属と置換反応を起こし、貫通孔の内部に充填される金属の電気的な特性に与える影響が少なくなる理由から、上述のバリア層除去工程で用いる金属Ｍは、第１導電体２２を構成する第１金属よりもイオン化傾向が高い金属であることが好ましい。
具体的には、第１導電体２２を構成する第１金属が銅（Ｃｕ）の場合、上述のバリア層除去工程で用いる金属Ｍとしては、例えば、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ等が挙げられ、中でも、Ｚｎ、Ｎｉを用いることが好ましく、Ｚｎを用いるのがより好ましい。
また、第１導電体２２を構成する第１金属がＮｉの場合、上述のバリア層除去工程で用いる金属Ｍとしては、例えば、Ｚｎ、Ｆｅ等が挙げられ、中でも、Ｚｎを用いることが好ましい。

このような金属Ｍのイオンを含むアルカリ水溶液を用いてバリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、従来公知の化学エッチング処理と同様の方法が挙げられる。

（化学エッチング処理）
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、陽極酸化処理工程後の構造物をアルカリ水溶液に浸漬させ、貫通孔の内部にアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜の貫通孔の開口部側の表面にｐＨ（水素イオン指数）緩衝液に接触させる方法等により、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。

ここで、上述の金属Ｍのイオンを含むアルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０〜６０℃が好ましく、更に１５〜４５℃が好ましく、更に２０〜３５℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述のアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。

また、アルカリ水溶液への浸漬時間は、５〜１２０分であることが好ましく、８〜１２０分であることがより好ましく、８〜９０分であることが更に好ましく、１０〜９０分であることが特に好ましい。なかでも、１０〜６０分であることが好ましく、１５〜６０分であることがより好ましい。

＜バリア層除去工程の他の例＞
バリア層除去工程は、上述以外に、陽極酸化膜のバリア層を除去し、貫通孔の底にアルミニウム基板の一部が露出する工程でもよい。
この場合、バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、陽極酸化処理工程の陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法（以下、「電解除去処理」ともいう。）；エッチングによりバリア層を除去する方法（以下、「エッチング除去処理」ともいう。）；これらを組み合わせた方法（特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法）；等が挙げられる。

〈電解除去処理〉
電解除去処理は、陽極酸化処理工程の陽極酸化処理における電位（電解電位）よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
電解除去処理は、例えば、陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、陽極酸化処理と連続して施すことができる。

電解除去処理は、電解電位以外の条件については、上述した従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液および処理条件を採用することができる。
特に、上述のように電解除去処理と陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。

（電解電位）
電解除去処理における電解電位は、陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的（ステップ状）に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅（ステップ幅）は、バリア層の耐電圧の観点から、１０Ｖ以下であることが好ましく、５Ｖ以下であることがより好ましく、２Ｖ以下であることが更に好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも１Ｖ／秒以下が好ましく、０．５Ｖ／秒以下がより好ましく、０．２Ｖ／秒以下が更に好ましい。

〈エッチング除去処理〉
エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。

（化学エッチング処理）
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にｐＨ（水素イオン指数）緩衝液に接触させる方法等であり、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。

ここで、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。また、酸水溶液の濃度は１質量％〜１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、１５℃〜８０℃が好ましく、更に２０℃〜６０℃が好ましく、更に３０℃〜５０℃が好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０℃〜６０℃が好ましく、更に１５℃〜４５℃が好ましく、更に２０℃〜３５℃であることが好ましい。なお、アルカリ水溶液には、亜鉛および他の金属を含有していてもよい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。

また、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８分〜１２０分であることが好ましく、１０分〜９０分であることがより好ましく、１５分〜６０分であることが更に好ましい。

（ドライエッチング処理）
ドライエッチング処理は、例えば、Ｃｌ₂／Ａｒ混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。

［第１導電体充填工程］
第１導電体充填工程は、上述のように厚み方向に延在する貫通孔を複数有する絶縁性基材の貫通孔に第１導電体を充填する工程である。
第１導電体充填工程は、例えば、上述のバリア層除去工程の後に、めっき法を用いて、陽極酸化膜の貫通孔の内部に第１導電体を充填する。第１導電体は導電体を構成するものである。
＜第１導電体＞
第１導電体は、例えば、第１金属で構成され、第１導電体として充填される金属は、電気抵抗率が１０³Ωｃｍ以下の材料であることが好ましく、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉが好ましく、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉがより好ましく、Ｃｕが更に好ましい。

＜充填方法＞
貫通孔の内部に第１導電体を充填するめっき処理の方法としては、例えば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。
ここで、着色等に用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。

そのため、電解めっき法により金属を充填する場合は、パルス電解または定電位電解の際に休止時間をもうける必要がある。休止時間は、１０秒以上必要で、３０〜６０秒であることが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
更に、電解電圧は、通常２０Ｖ以下であって望ましくは１０Ｖ以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位＋１Ｖ以内で定電位電解を行なうことが好ましい。なお、定電位電解を行なう際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ社、北斗電工社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。

めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０〜２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。

めっき液は、界面活性剤を含むことが好ましい。
界面活性剤としては公知のものを使用することができる。従来メッキ液に添加する界面活性剤として知られているラウリル硫酸ナトリウムをそのまま使用することもできる。親水性部分がイオン性（カチオン性・アニオン性・双性）のもの、非イオン性（ノニオン性）のものいずれも利用可能であるが、メッキ対象物表面への気泡の発生等を回避する点でカチオン線活性剤が望ましい。めっき液組成における界面活性剤の濃度は１質量％以下であることが望ましい。

なお、無電解めっき法では、貫通孔がアスペクトの高いマイクロポアからなる孔である場合、貫通孔の内部に金属を完全に充填には長時間を要するので、電解めっき法により第１導電体を充填することが望ましい。

［面平滑化工程］
絶縁性基材の貫通孔に第１導電体を充填した後に、絶縁性基材の表面を研磨し、第１導電体を、絶縁性基材の表面に露出させる。この場合、例えば、第１導電体と、絶縁性基材とが同一面の状態になるまで平坦化する。平滑化には、例えば、化学的機械的研磨が用いられる。例えば、絶縁性基材の面と第１導電体の端面とが、表面粗さが２０ｎｍ以下となる状態に研磨する。例えば、絶縁性基材の反射光の変化等の光学的な変化、または面平滑化処理に用いた研磨装置にかかる絶縁性基材間の摩擦力の変化を利用して、平滑化の終点を検出する。

［第１導電体除去工程］
第１導電体除去工程は、絶縁性基材の平滑化した面側にある第１導電体の一部を除去し、第１導電体の表面を平滑化した面より低くする工程である。
第１導電体除去工程では、上述の絶縁性基材、例えば、アルミニウム等の陽極酸化膜を溶解せずに、第１導電体だけを溶解するエッチング液を用いる。第１導電体除去工程では、硝酸溶液、またはアミノ酸を含むアルカリ水溶液をエッチング液として用いることができる。

［第２導電体積層工程］
第１導電体とは異なる組成の第２導電体を、第１導電体の表面に積層する。第２導電体の積層方法は、積層することができれば、特に限定されるものではなく、第１導電体の充填と同じ方法を用いることができる。第２導電体も第１導電体と同様に、例えば、めっき法により形成される。上述のように、第２導電体２３は貫通孔１４から溢れないように積層するために、第２導電体２３の積層量は、例えば、めっき法を用いた場合には、めっき処理時間等のめっき処理条件により調整することができる。
第２導電体は、第１導電体と異なる金属であれば、特に限定されるものではなく、例えば、第１導電体で挙げられた金属を用いることができる。

［絶縁性基材除去工程］
絶縁性基材除去工程は、絶縁性基材の平滑化した面側の一部を除去し、第１導電体および第２導電体を絶縁性基材から突出させる工程である。絶縁性基材除去工程により、突出部が形成される。絶縁性基材除去工程では、配線基板等の被接着物との圧着性が良好となる理由から、突出部として、第１導電体および第２導電体を絶縁性基材の表面から１０〜１０００ｎｍ突出させることが好ましく、５０〜５００ｎｍ突出させることがより好ましい。

絶縁性基材の一部除去は、例えば、上述の第１導電体および第２導電体を溶解せず、絶縁性基材、例えば、アルミニウム等の陽極酸化膜を溶解する酸水溶液またはアルカリ水溶液に対して、第１導電体および第２導電体が充填された貫通孔を有する陽極酸化膜を接触させることにより行うことができる。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸漬法が好ましい。

酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であることが好ましい。
また、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８〜１２０分であることが好ましく、１０〜９０分であることがより好ましく、１５〜６０分であることが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。

［基板除去工程］
基板除去工程は、絶縁性基材が、例えば、アルミニウム基板がある陽極酸化膜の場合、絶縁性基材除去工程の後に、アルミニウム基板を除去する工程である。アルミニウム基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。

＜アルミニウム基板の溶解＞
上述のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いることが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、１μｍ／分以上であることが好ましく、３μｍ／分以上であることがより好ましく、５μｍ／分以上であることが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、０．１ｎｍ／分以下となることが好ましく、０．０５ｎｍ／分以下となるのがより好ましく、０．０１ｎｍ／分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下または８以上となる処理液であることが好ましく、そのｐＨが３以下または９以上であることがより好ましく、２以下または１０以上であることが更に好ましい。

アルミニウムを溶解する処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであることが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドすることが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、アルミニウムを溶解する処理液の組成は、特に限定されるものではく、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、および王水等を用いることができる。

また、アルミニウムを溶解する処理液の酸またはアルカリ濃度は、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
更に、アルミニウムを溶解する処理液を用いた処理温度は、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。

また、上述のアルミニウム基板の溶解は、上述の金属充填工程後のアルミニウム基板を上述の処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸漬法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒〜５時間が好ましく、１分〜３時間がより好ましい。
なお、絶縁性基材が、例えば、チタン基板がある陽極酸化膜の場合、チタン基板を除去する工程である。

〔樹脂層形成工程〕
異方導電性部材の搬送性が向上する理由から、樹脂層形成工程を有してもよい。ここで、樹脂層形成工程とは、上述の絶縁性基材除去工程の後であって上述の基板除去工程の前に、突出部となる第１導電体および第２導電体が突出した側の絶縁性基材の面に、樹脂層を設ける工程である。

上述の樹脂層を構成する樹脂材料としては、具体的には、例えば、エチレン系共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びセルロース系樹脂等を挙げることができるが、搬送性の観点と、異方導電性部材として使用しやすくする観点から、上述の樹脂層は、剥離可能な粘着層付きフィルムであることが好ましく、加熱処理または紫外線露光処理により粘着性が弱くなり、剥離可能となる粘着層付きフィルムであることがより好ましい。

上述の粘着層付きフィルムは特に限定されず、熱剥離型の樹脂層、および紫外線（ultraviolet：ＵＶ）剥離型の樹脂層等が挙げられる。
ここで、熱剥離型の樹脂層は、常温では粘着力があり、加熱するだけで容易に剥離可能なもので、主に発泡性のマイクロカプセル等を用いたものが多い。
また、粘着層を構成する粘着剤としては、具体的には、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤等が挙げられる。

また、ＵＶ剥離型の樹脂層は、ＵＶ硬化型の接着層を有するもので硬化により粘着力が失われて剥離可能になるというものである。
ＵＶ硬化型の接着層としては、ベースポリマーに、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に導入したポリマー等が挙げられる。炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするもことが好ましい。
更に、アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは単独で使用することができるが、ＵＶ硬化性のモノマーまたはオリゴマーを配合することもできる。
ＵＶ硬化型の接着層は、ＵＶ照射により硬化させるために光重合開始剤を併用することが好ましい。光重合開始剤としては、ベンゾインエーテル系化合物；ケタール系化合物；芳香族スルホニルクロリド系化合物；光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。

熱剥離型の樹脂層の市販品としては、例えば、ＷＳ５１３０Ｃ０２、ＷＳ５１３０Ｃ１０等のインテリマー〔登録商標〕テープ（ニッタ株式会社製）；ソマタック〔登録商標〕ＴＥシリーズ（ソマール株式会製）；Ｎｏ．３１９８、Ｎｏ．３１９８ＬＳ、Ｎｏ．３１９８Ｍ、Ｎｏ．３１９８ＭＳ、Ｎｏ．３１９８Ｈ、Ｎｏ．３１９５、Ｎｏ．３１９６、Ｎｏ．３１９５Ｍ、Ｎｏ．３１９５ＭＳ、Ｎｏ．３１９５Ｈ、Ｎｏ．３１９５ＨＳ、Ｎｏ．３１９５Ｖ、Ｎｏ．３１９５ＶＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４Ｌ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＬＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４Ｍ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＭＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４Ｈ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＨＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＬＳＣ、Ｎｏ．３１９３５ＭＳ、Ｎｏ．３１９３５ＨＳ、Ｎｏ．３１９３Ｍ、Ｎｏ．３１９３ＭＳ等のリバアルファ〔登録商標〕シリーズ（日東電工株式会社製）；等が挙げられる。

ＵＶ剥離型の樹脂層の市販品としては、例えば、ＥＬＰ ＤＵ−３００、ＥＬＰ ＤＵ−２３８５ＫＳ、ＥＬＰ ＤＵ−２１８７Ｇ、ＥＬＰ ＮＢＤ−３１９０Ｋ、ＥＬＰ ＵＥ−２０９１Ｊ等のエレップホルダー〔登録商標〕（日東電工株式会社製）；Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−２１０、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−２０３、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−２０２、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−１７５、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−６７５（いずれもリンテック株式会社製）；スミライト〔登録商標〕ＦＬＳのＮ８０００シリーズ（住友ベークライト株式会社製）；ＵＣ３５３ＥＰ−１１０（古河電気工業株式会社製）；等のダイシングテープ、ＥＬＰ ＲＦ−７２３２ＤＢ、ＥＬＰ ＵＢ−５１３３Ｄ（いずれも日東電工株式会社製）；ＳＰ−５７５Ｂ−１５０、ＳＰ−５４１Ｂ−２０５、ＳＰ−５３７Ｔ−１６０、ＳＰ−５３７Ｔ−２３０（いずれも古河電気工業株式会社製）；等のバックグラインドテープを利用することができる。

また、上述の粘着層付きフィルムを貼り付ける方法は特に限定されず、従来公知の表面保護テープ貼付装置およびラミネーターを用いて貼り付けることができる。

以下、異方導電性部材１０の構成についてより具体的に説明する。

〔絶縁性基材〕
絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０¹⁴Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する樹脂層を構成する高分子材料と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。

絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等のセラミックス基材、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン基材、ポリイミド基材、これらの複合材料等が挙げられる。絶縁性基材としては、これ以外に、例えば、貫通孔を有する有機素材上に、セラミックス材料またはカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜したものであってもよい。

絶縁性基材としては、所望の平均開口径を有する貫通孔が貫通孔として形成され、電気の導通路となる導電体を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であることが好ましい。
絶縁性基材は、金属の陽極酸化膜で構成されていることが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜で構成されていることがより好ましい。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、マグネシウム、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
絶縁性基材は、上述のように、例えば、金属の陽極酸化膜で構成されるが、その中でもバルブ金属であるアルミニウムの陽極酸化膜、またはチタンの陽極酸化膜であることがより好ましい。
アルミニウムは、寸法安定性がよく、比較的安価であることから陽極酸化膜を構成するものとして好ましい。
また、チタンは、アルミニウムと同じくバルブ金属（弁金属）であり、かつ寸法安定性がよいため陽極酸化膜を構成するものとして好ましい。

絶縁性基材１２の厚みｈｔは、１〜１０００μｍの範囲内であるのが好ましく、５〜５００μｍの範囲内であるのがより好ましく、１０〜３００μｍの範囲内であるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
絶縁性基材１２の厚みｈｔは、絶縁性基材１２を、厚み方向Ｄｔに対して集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）で切削加工し、その断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、絶縁性基材１２の輪郭形状を取得し、厚みｈｔに相当する領域について１０点測定した平均値のことである。
なお、異方導電性部材１０の厚みｈは、特に限定されるものではなく、絶縁性基材１２の厚みｈｔ、突出部１６ｂ、１６ｃの高さＨ、樹脂層１９の厚みにより、適宜決定されるものである。また、異方導電性部材１０は、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）が１０μｍ以下であることが好ましい。
ここで、異方導電性部材１０の厚みｈは、異方導電性部材１０を、電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、異方導電性部材１０の輪郭形状を取得し、厚みｈに相当する領域について１０点測定した平均値のことである。

絶縁性基材１２における各貫通孔１４の間隔は、５ｎｍ〜８００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであることが更に好ましい。絶縁性基材における各貫通孔の間隔がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。貫通孔の間隔は、導通体の間隔と同じである。
ここで、貫通孔の間隔、すなわち、導電体の間隔とは、隣接する導電体間の幅ｗ（図１参照）をいい、異方導電性部材の断面を電界放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、隣接する導電体間の幅を１０点で測定した平均値をいう。

〔アルミニウム基板〕
陽極酸化膜を形成するためのアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。

アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理工程により陽極酸化膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であることが好ましく、９９．９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９質量％以上であることが更に好ましい。アルミニウム純度が上述の範囲であると、貫通孔配列の規則性が十分となる。アルミニウム基板には、例えば、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） １０５０材が用いられる。

また、本発明においては、アルミニウム基板のうち陽極酸化処理工程を施す片側の表面は、あらかじめ熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されることが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００４４］〜［００５４］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理の前の鏡面仕上げ処理は、例えば、電解研磨であり、電解研磨には、例えば、リン酸を含有する電解研磨液が用いられる。

〔チタン基板〕
陽極酸化膜を形成するためのチタン基板は、多孔質の陽極酸化膜を形成することができれば、特に限定されるものではなく、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｈ４６００：２０１２で規定されるチタンおよびチタン合金を用いることができるが、純チタンが好ましい。

〔導電体〕
複数の導電体は、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた柱状の部材である。導電体は、上述のように貫通部と基部と先端部とからなる。
導電体は、絶縁性基材の表面から突出した突出部を有しており、かつ先端部の高さは揃っている。なお、各導電体は上述のように樹脂層に埋設されていてもよい。

＜突出部＞
異方導電性部材と電極とを圧着等の手法により電気的接続、または物理的に接合する際に、突出部が潰れた場合の面方向の絶縁性を十分に確保できる理由から、導電体の突出部分のアスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が０．５以上５０未満であることが好ましく、０．８〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましい。

また、接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハの表面形状に追従する観点から、導電体の突出部の高さは、１００ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
さらには、半導体チップまたは半導体ウエハの接続対象と電気的接続する際に外力により導電体が倒れて隣接する導電体同士の接触を抑制する観点から、突出部の先端部の先端は高さが揃っていること、すなわち、突出部の先端部の先端が同一面上に位置することが好ましい。
導電体の突出部の高さは、異方導電性部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２万倍の倍率で観察し、導電体の突出部の高さを１０点で測定した平均値をいう。
基部は、絶縁性基材から突出した部分であり、側面に層等は設けられておらず、先端部の一部が基部の側面に配置されることもない。
先端部は、接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハに接する側にあるものである。先端部は、基部の酸化を抑制、特に基部の端部の酸化を抑制するためのものであり、先端部により導電体の導電性を確保する。
導電体の基部の円相当径Ｒは、基部を円柱とみなし、導電体の突出部の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導電体の突出部の基部の直径を１０点で測定した平均値をいう。
導電体の先端部の円相当径Ｒｓは、先端部を円柱とみなし、導電体の突出部の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導電体の突出部の先端部の直径を１０点で測定した平均値をいう。
上述のように先端部２１を構成する第２金属と、基部２０を構成する第１金属とはイオン化傾向が異なることが好ましい。この場合、具体的な金属の組合せとしては、先端部２１を構成する第２金属が基部２０を構成する第１金属よりイオン化傾向が小さい場合、例えば、第２金属がＮｉの場合、第１金属はＡｕ、Ｃｕ、Ｓｎである。
先端部２１を構成する第２金属が第１金属よりもイオン化傾向が大きい場合、例えば、第２金属がＣｕの場合、第１金属はＳｎである。

＜他の形状＞
導電体は柱状であり、突出部１６ｂ、１６ｃの円相当径Ｒは、５ｎｍ超１０μｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、先端部２１の円相当径Ｒｓは、隣接する導電体同士の導通を抑制する観点から、突出部１６ｂ、１６ｃの円相当径Ｒと同じであることが好ましい。

また、導電体は絶縁性基材によって互いに電気的に絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は、２００万個／ｍｍ²以上であることが好ましく、１０００万個／ｍｍ²以上であることがより好ましく、５０００万個／ｍｍ²以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ²以上であることが最も好ましい。
さらに、隣接する各導電体の中心間距離ｐ（図２参照）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであることがさらに好ましい。

〔樹脂層〕
上述のように、樹脂層は、絶縁性基材の表面と裏面に設けられ、上述のように導電体の突出部を埋設するものである。すなわち、樹脂層は絶縁性基材から突出した突出部を被覆し、突出部を保護する。
樹脂層は、上述の樹脂層形成工程により形成されるものである。樹脂層は、例えば、５０℃〜２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。
樹脂層は、上述の樹脂層形成工程により形成されるものであるが、以下に示す、樹脂剤の組成を用いることもできる。以下、樹脂層の組成について説明する。樹脂層は、高分子材料を含有するものである。樹脂層は酸化防止材料を含有してもよい。

＜高分子材料＞
樹脂層に含まれる高分子材料としては特に限定されないが、半導体チップまたは半導体ウエハと異方導電性部材との隙間を効率よく埋めることができ、半導体チップまたは半導体ウエハとの密着性がより高くなる理由から、熱硬化性樹脂であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。

＜酸化防止材料＞
樹脂層に含まれる酸化防止材料としては、具体的には、例えば、１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１，２，３，４−テトラゾール、５−メチル−１，２，３，４−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−コハク酸、１，２，３−トリアゾール、４−アミノ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジアミノ−１，２，３−トリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジカルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−酢酸、４−カルボキシ−５−カルボキシメチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−カルボキシ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジカルボキシ−１，２，４−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール−３−酢酸、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、ベンゾフロキサン、２，１，３−ベンゾチアゾール、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、カテコール、ｏ−アミノフェノール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、メラミン、およびこれらの誘導体が挙げられる。
これらのうち、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体が好ましい。
ベンゾトリアゾール誘導体としては、ベンゾトリアゾールのベンゼン環に、ヒドロキシル基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、アミノ基、ニトロ基、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）等を有する置換ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、ナフタレントリアゾール、ナフタレンビストリアゾール、と同様に置換された置換ナフタレントリアゾール、置換ナフタレンビストリアゾール等も挙げることができる。

また、樹脂層に含まれる酸化防止材料の他の例としては、一般的な酸化防止剤である、高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、フェノール化合物、アルカノールアミン、ハイドロキノン類、銅キレート剤、有機アミン、有機アンモニウム塩等が挙げられる。

樹脂層に含まれる酸化防止材料の含有量は特に限定されないが、防食効果の観点から、樹脂層の全質量に対して０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましい。また、本接合プロセスにおいて適切な電気抵抗を得る理由から、５．０質量％以下が好ましく、２．５質量％以下がより好ましい。

＜マイグレーション防止材料＞
樹脂層は、樹脂層に含有し得る金属イオン、ハロゲンイオン、ならびに半導体チップおよび半導体ウエハに由来する金属イオンをトラップすることによって絶縁信頼性がより向上する理由から、マイグレーション防止材料を含有しているのが好ましい。

マイグレーション防止材料としては、例えば、イオン交換体、具体的には、陽イオン交換体と陰イオン交換体との混合物、または、陽イオン交換体のみを使用することができる。
ここで、陽イオン交換体および陰イオン交換体は、それぞれ、例えば、後述する無機イオン交換体および有機イオン交換体の中から適宜選択することができる。

（無機イオン交換体）
無機イオン交換体としては、例えば、含水酸化ジルコニウムに代表される金属の含水酸化物が挙げられる。
金属の種類としては、例えば、ジルコニウムのほか、鉄、アルミニウム、錫、チタン、アンチモン、マグネシウム、ベリリウム、インジウム、クロム、ビスマス等が知られている。
これらの中でジルコニウム系のものは、陽イオンのＣｕ²⁺、Ａｌ³⁺について交換能を有している。また、鉄系のものについても、Ａｇ⁺、Ｃｕ²⁺について交換能を有している。同様に、錫系、チタン系、アンチモン系のものは、陽イオン交換体である。
一方、ビスマス系のものは、陰イオンのＣｌ^-について交換能を有している。
また、ジルコニウム系のものは条件に製造条件によっては陰イオンの交換能を示す。アルミニウム系、錫系のものも同様である。
これら以外の無機イオン交換体としては、リン酸ジルコニウムに代表される多価金属の酸性塩、モリブドリン酸アンモニウムに代表されるヘテロポリ酸塩、不溶性フェロシアン化物等の合成物が知られている。
これらの無機イオン交換体の一部は既に市販されており、例えば、東亜合成株式会社の商品名イグゼ「ＩＸＥ」における各種のグレードが知られている。
なお、合成品のほか、天然物のゼオライト、またはモンモリロン石のような無機イオン交換体の粉末も使用可能である。

（有機イオン交換体）
有機イオン交換体には、陽イオン交換体としてスルホン酸基を有する架橋ポリスチレンが挙げられ、そのほかカルボン酸基、ホスホン酸基またはホスフィン酸基を有するものも挙げられる。
また、陰イオン交換体として四級アンモニウム基、四級ホスホニウム基または三級スルホニウム基を有する架橋ポリスチレンが挙げられる。

これらの無機イオン交換体および有機イオン交換体は、捕捉したい陽イオン、陰イオンの種類、そのイオンについての交換容量を考慮して適宜選択すればよい。勿論、無機イオン交換体と有機イオン交換体とを混合して使用してもよいことはいうまでもない。
電子素子の製造工程では加熱するプロセスを含むため、無機イオン交換体が好ましい。

また、マイグレーション防止材料と上述の高分子材料との混合比は、例えば、機械的強度の観点から、マイグレーション防止材料を１０質量％以下とすることが好ましく、マイグレーション防止材料を５質量％以下とすることがより好ましく、更にマイグレーション防止材料を２．５質量％以下とすることが更に好ましい。また、半導体チップまたは半導体ウエハと異方導電性部材とを接合した際のマイグレーションを抑制する観点から、マイグレーション防止材料を０．０１質量％以上とすることが好ましい。

＜無機充填剤＞
樹脂層は、無機充填剤を含有しているのが好ましい。
無機充填剤としては特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカ、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられる。

導電体間に無機充填剤が入ることを防ぎ、導通信頼性がより向上する理由から、無機充填剤の平均粒子径が、各導電体の間隔よりも大きいことが好ましい。
無機充填剤の平均粒子径は、３０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、８０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましい。
ここで、平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒子径測定装置(日機装（株）製マイクロトラックＭＴ３３００)で測定される、一次粒子径を平均粒子径とする。

＜硬化剤＞
樹脂層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハの表面形状との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。

硬化剤としては、具体的には、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンのような芳香族アミン、脂肪族アミン、４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、テトラメチルグアニジン、チオ尿素付加アミン、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等のカルボン酸無水物、カルボン酸ヒドラジド、カルボン酸アミド、ポリフェノール化合物、ノボラック樹脂、ポリメルカプタン等が挙げられ、これらの硬化剤から、２５℃で液体のものを適宜選択して用いることができる。なお、硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

樹脂層には、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に半導体パッケージの樹脂絶縁膜に添加されている分散剤、緩衝剤、粘度調整剤等の種々の添加剤を含有させてもよい。

＜形状＞
導電体を保護する理由から、樹脂層の厚みは、導電体の突出部の高さより大きく、１μｍ〜５μｍであることが好ましい。

（電子デバイス）
以下、異方導電性部材１０（図１等参照）を用いた電子デバイスについて説明する。
図１６は本発明の実施形態の電子デバイスの第１の例を示す模式図である。図１７は本発明の実施形態の電子デバイスの半導体素子の端子の構成の一例を示す模式的断面図である。図１８は本発明の実施形態の電子デバイスの第２の例を示す模式図である。図１９は本発明の実施形態の電子デバイスの第３の例を示す模式図である。図２０は本発明の実施形態の電子デバイスの第４の例を示す模式図である。なお、接合体は、電子デバイスの一部を構成するものである。後述の半導体素子が、例えば、接合体の導電領域を有し異方導電性部材に接合した部材である。導電領域は半導体素子の導電を担う端子等に該当する。

図１６に示す電子デバイス３０のように、異方導電性を示す異方導電性部材１０を介して半導体素子３２と半導体素子３４とを積層方向Ｄｓに接合して、半導体素子３２と半導体素子３４とを電気的に接続してもよい。異方導電性部材１０は、積層方向Ｄｓに導通する導電体１６（図１参照）を有し、ＴＳＶ（Through Silicon Via）の機能を果たす。なお、異方導電性部材１０はインターポーザーとしても利用することができる。

半導体素子３２、３４は、例えば、図１７に示すように、それぞれ複数の端子５０を有する。複数の端子５０は、半導体を接合するものである。端子５０は、半導体素子３２、３４を電気的に接続する端子５０ａと、半導体素子３２、３４を接合するが電気的には接続しない端子５０ｂとを含む。端子５０ａは半導体素子３２、３４の信号を外部に取り出すものである。端子５０ｂは半導体素子３２、３４で発生した熱を外部に放熱したり、電子デバイス３０の接合強度を維持したりするためのものである。
端子５０は、例えば、図１７に示す構成である。図１７に示すように半導体素子３２、３４は、半導体層５２と、再配線層５４と、パッシベーション層５６とを有する。再配線層５４とパッシベーション層５６とは電気的に絶縁された絶縁層である。半導体層５２の表面５２ａには、特定の機能を発揮する回路等が形成された素子領域（図示せず）が設けられている。素子領域については後に説明する。なお、半導体層５２の表面５２ａが、半導体の端子５０が設けられている面に相当する。
半導体層５２の表面５２ａ上に再配線層５４が設けられている。再配線層５４では、半導体層５２の素子領域に電気的に接続される配線５７が設けられている。配線５７にパッド５８が設けられており、配線５７とパッド５８は導通する。配線５７とパッド５８とにより、素子領域との信号の授受が可能となり、かつ素子領域への電圧等の供給ができる。

再配線層５４の表面５４ａにパッシベーション層５６が設けられている。パッシベーション層５６には、配線５７に設けられたパッド５８に端子５０ａが設けられている。端子５０ａは半導体層５２と電気的に接続されている。
また、再配線層５４には、配線５７が設けられていないが、パッド５８だけが設けられている。配線５７に設けられていないパッド５８に端子５０ｂが設けられている。端子５０ｂは半導体層５２と電気的に接続されていない。

端子５０ａの端面５０ｃと端子５０ｂの端面５０ｃは、いずれもパッシベーション層５６の表面５６ａと一致しており、いわゆる面一の状態であり、端子５０ａと端子５０ｂはパッシベーション層５６の表面５６ａから突出していない。図１７に示す端子５０ａと端子５０ｂは、例えば、研磨することによりパッシベーション層５６の表面５６ａと面一にされる。

端子５０ａと端子５０ｂは、パッシベーション層５６の表面５６ａと面一であることに限定されるものではなく、パッシベーション層５６の表面５６ａに対して突出してもよい。この場合、パッシベーション層５６の表面５６ａに対する端子５０ａと端子５０ｂの突出量であるリセス量は、例えば、２００ｎｍ以上１μｍ以下である。
リセス量が２００ｎｍ未満では、図１７に示す突出していない構成と略同じであり、高い精度で研磨する必要がある。一方、リセス量が１μｍを超えると、パッド電極を設ける一般的な構成と同じであり、半田ボール等を用いて接合する必要がある。
端子５０ａと端子５０ｂがパッシベーション層５６の表面５６ａに対して突出しているため、パッシベーション層５６の表面５６ａに、端子５０ａと端子５０ｂを保護するための樹脂層（図示せず）を設けてもよい。

上述のリセス量は、半導体素子３２、３４において端子５０ａと端子５０ｂとを含む断面の画像を取得し、画像解析により端子５０ａの輪郭および端子５０ｂの輪郭を取得し、端子５０ａの端面５０ｃと端子５０ｂの端面５０ｃを検出する。パッシベーション層５６の表面５６ａから端子５０ａの端面５０ｃとの距離、および端子５０ｂの端面５０ｃの距離を求めることにより得ることができる。
端子５０ａの端面５０ｃと端子５０ｂの端面５０ｃは、いずれもパッシベーション層５６の表面５６ａから最も離れた位置にある面のことであり、一般的に上面と呼ばれる面のことである。

半導体層５２は、半導体であれば、特に限定されるものではなく、シリコン等で構成されるが、これに限定されるものではなく、炭化ケイ素、ゲルマニウム、ガリウムヒ素または窒化ガリウム等であってもよい。
再配線層５４は、電気的に絶縁性を有するもので構成され、例えば、ポリイミドで構成される。
また、パッシベーション層５６も、電気的に絶縁性を有するもので構成され、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）またはポリイミドで構成される。
配線５７およびパッド５８は、導電性を有するもので構成され、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、またはアルミニウム合金等で構成される。

端子５０ａおよび端子５０ｂは、配線５７およびパッド５８と同様に導電性を有するもので構成され、例えば、金属または合金で構成される。具体的には、端子５０ａおよび端子５０ｂは、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、またはアルミニウム合金等で構成される。
なお、端子５０ａおよび端子５０ｂは、導電性を有するものであればよく、金属または合金で構成されることに限定されるものではなく、半導体素子分野において端子、または電極パッドと呼ばれるものに用いられる材料を適宜利用可能である。

電子デバイス３０は、図１６に示す構成以外に、例えば、図１８に示す電子デバイス３０のように、異方導電性部材１０を介して半導体素子３２と半導体素子３４と半導体素子３６を積層方向Ｄｓに積層して接合し、かつ電気的に接続した構成としてもよい。
また、図１９に示す電子デバイス３０のように、インターポーザー３７と異方導電性部材１０を用いて、半導体素子３２と半導体素子３４と半導体素子３６を積層方向Ｄｓに積層して接合し、かつ電気的に接続した構成としてもよい。

また、図２０に示す電子デバイス３０のように光学センサーとして機能するものでもよい。図２０に示す電子デバイス３０は、半導体素子４０とセンサチップ４２とが異方導電性部材１０を介して積層方向Ｄｓに積層されている。また、センサチップ４２にはレンズ４４が設けられている。
半導体素子４０は、ロジック回路が形成されたものであり、センサチップ４２で得られる信号を処理することができれば、その構成は特に限定されるものではない。
センサチップ４２は、光を検出する光センサーを有するものである。光センサーは、光を検出することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサーまたはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーが用いられる。
なお、図２０に示す電子デバイス３０では、半導体素子４０とセンサチップ４２とを異方導電性部材１０を介して接続したが、これに限定されるものではなく、半導体素子４０とセンサチップ４２とを直接接合する構成でもよい。
レンズ４４は、センサチップ４２に光を集光することができれば、その構成は特に限定されるものではなく、例えば、マイクロレンズと呼ばれるものが用いられる。

なお、上述の半導体素子３２、半導体素子３４および半導体素子３６は、素子領域（図示せず）を有する。
素子領域とは、電子素子として機能するための、コンデンサ、抵抗およびコイル等の各種の素子構成回路等が形成された領域である。素子領域には、例えば、フラッシュメモリ等のようなメモリ回路、マイクロプロセッサおよびＦＰＧＡ（field-programmable gate array）等のような論理回路が形成された領域、無線タグ等の通信モジュールならびに配線が形成された領域がある。素子領域には、これ以外に、発信回路、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が形成されてもよい。ＭＥＭＳとは、例えば、センサー、アクチュエーターおよびアンテナ等である。センサーには、例えば、加速度、音および光等の各種のセンサーが含まれる。

上述のように、素子領域は素子構成回路等が形成されており、半導体素子には、例えば、再配線層（図示せず）が設けられている。
積層デバイスでは、例えば、論理回路を有する半導体素子と、メモリ回路を有する半導体素子の組合せとすることができる。また、半導体素子を全てメモリ回路を有するものとしてもよく、また、全て論理回路を有するものとしてもよい。また、電子デバイス３０における半導体素子の組合せとしては、センサー、アクチュエーターおよびアンテナ等と、メモリ回路と論理回路との組み合わせでもよく、電子デバイス３０の用途等に応じて適宜決定されるものである。

〔半導体素子〕
半導体素子としては、特に限定されず、上述のもの以外に、例えば、ロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）（例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）等）、マイクロプロセッサ（例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等）、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＨＭＣ（Hybrid Memory Cube）、ＭＲＡＭ（MagneticRAM：磁気メモリ）とＰＣＭ（Phase-Change Memory：相変化メモリ）、ＲｅＲＡＭ（Resistive RAM：抵抗変化型メモリ）、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）、フラッシュ・メモリ（ＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュ）等）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、（例えば、携帯端末のマイクロフラッシュ、車載用、プロジェクタ光源、ＬＣＤバックライト、一般照明等）、パワー・デバイス、アナログＩＣ（Integrated Circuit）、（例えば、ＤＣ（Direct Current）−ＤＣ（Direct Current）コンバータ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、（例えば、加速度センサ、圧力センサ、振動子、ジャイロセンサ等）、ワイヤレス（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）、ＦＭ（Frequency Modulation）、ＮＦＣ（Nearfieldcommunication）、ＲＦＥＭ（RF Expansion Module）、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、ＷＬＡＮ（WirelessLocalAreaNetwork）等）、ディスクリート素子、ＢＳＩ（Back Side Illumination）、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、カメラモジュール、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、Passiveデバイス、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタ、ＲＦＩＰＤ（Radio Frequency Integrated Passive Devices）、ＢＢ（Broadband）等が挙げられる。
半導体素子は、例えば、１つで完結したものであり、半導体素子単体で、回路またはセンサ等の特定の機能を発揮するものである。

電子デバイスとしては、１つの半導体素子に複数の半導体素子を接合する形態である１対複数の形態に限定されるものではなく、複数の半導体素子と複数の半導体素子とを接合する形態である複数対複数の形態でもよい。
図２１は本発明の実施形態の電子デバイスの第５の例を示す模式図であり、図２２は本発明の実施形態の電子デバイスの第６の例を示す模式図であり、図２３は本発明の実施形態の電子デバイスの第７の例を示す模式図であり、図２４は本発明の実施形態の電子デバイスの第８の例を示す模式図である。

複数対複数の形態としては、例えば、図２１に示すように、１つの半導体素子３２に対して、異方導電性部材１０を用いて半導体素子３４と半導体素子３６とが接合され、かつ電気的に接続された形態の電子デバイス６０が例示される。半導体素子３２は、インターポーザー機能を有するものであってもよい。
また、例えば、インターポーザー機能を有するデバイス上に、論理回路を有する論理チップ、およびメモリーチップ等の複数のデバイスを積層することも可能である。また、この場合、それぞれのデバイスごとに電極サイズが異なっていても接合することができる。
図２２に示す電子デバイス６１では、電極６８の大きさは同じではなく、大きさが異なるものが混在しているが、１つの半導体素子３２に対して、異方導電性部材１０を用いて半導体素子３４と半導体素子３６とが接合され、かつ電気的に接続されている。さらに半導体素子３４に半導体素子６６が異方導電性部材１０を用いて接合され、かつ電気的に接続されている。半導体素子３４と半導体素子３６とに跨って半導体素子６７が異方導電性部材１０を用いて接合され、かつ電気的に接続されている。

また、図２３に示す電子デバイス６２のように、１つの半導体素子３２に対して、異方導電性部材１０を用いて半導体素子３４と半導体素子３６とが接合され、かつ電気的に接続されている。さらに半導体素子３４に半導体素子６６と半導体素子６７とが異方導電性部材１０を用いて接合され、半導体素子３６に半導体素子７１が異方導電性部材１０を用いて接合され、かつ電気的に接続されている構成とすることもできる。

上述のような構成の場合に、光導波路を含むようなデバイス表面にＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）のような発光素子、およびＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーのような受光素子を積層することで高周波を想定したシリコンフォトニクスへの対応も可能となる。
例えば、図２４に示す電子デバイス６３のように、１つの半導体素子３２に対して、異方導電性部材１０を用いて半導体素子３４と半導体素子３６とが接合され、かつ電気的に接続されている。さらに半導体素子３４に半導体素子６６と半導体素子６７とが異方導電性部材１０を用いて接合され、半導体素子３６に半導体素子７１が異方導電性部材１０を用いて接合され、かつ電気的に接続されている。半導体素子３２には光導波路７３が設けられている。半導体素子３６には発光素子７５が設けられ、半導体素子３４には受光素子７６が設けられている。半導体素子３６の発光素子７５から出力された光Ｌｏは、半導体素子３２の光導波路７３を通過し、半導体素子３４の受光素子７６に出射光Ｌｄとして出射される。これにより、上述のシリコンフォトニクスに対応することができる。
なお、異方導電性部材１０には、光Ｌｏおよび出射光Ｌｄの光路に相当する箇所に穴７２が形成されている。

また、異方導電性部材１０は、上述の電子デバイス以外に、シリコンインターポーザーまたはガラスインターポーザーと貼り合わせた、配線プロセスを簡易化したインターポーザーとして利用することができる。さらには、プリント配線基板またはフレキシブル基板とリジッド基板との接続、フレキシブル基板同士の接続、リジッド基板同士の接続等にも使用できる。その他、異方導電性部材１０は検査機器のプローブおよびヒートシンクとしても使用可能である。

なお、異方導電性部材１０を用いた接合体および電子デバイスが用いられる最終製品としては、特に限定されず、例えば、スマートＴＶ、移動体通信端末、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、デスクトップＰＣ（Personal computer）、ノートＰＣ、ネットワーク機器（ルーター、スイッチング）、有線インフラ機器、デジタルカメラ、ゲーム機、コントローラ、データセンター、サーバー、ＨＰＣ（high-performance computing）、グラフィックカード、ネットワークサーバ、ストレージ、チップセット、車載（電子制御機器、運転支援システム）、カーナビ、ＰＮＤ（Personal Navigation Device）、照明（一般照明、車載照明、ＬＥＤ照明、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）照明）、テレビ、ディスプレイ、ディスプレイ用パネル（液晶パネル、有機ＥＬパネル、電子ペーパー）、音楽再生端末、産業用機器、産業用ロボット、検査装置、医療機器、生活家電および家事家電等の白物家電、宇宙用機器、航空機用機器、ならびにウェアラブルデバイス等が好適に挙げられる。

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイスについて詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。

以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、および、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
本実施例では、下記表１および表２に示す実施例１〜１１および比較例１〜３について接合性、隣接導通および導通抵抗を評価した。接合性、隣接導通および導通抵抗の評価結果を下記表３に示す。なお、下記表１において、Ｍ１は第１金属を示し、Ｍ２は第２金属を示す。また、下記表１および表２において「―」は該当するものがないことを示す。
次に、評価項目である接合性、隣接導通および導通抵抗について説明する。

（接合性の評価）
接合性は、万能型ボンドテスターDage-4000（ノードソンアドバンストテクノロジー株式会社製）を用いてシェア強度を測定して評価した。
接合性は、以下に示すＴＥＧチップ（Test Element Group chip）に異方導電性部材を接合した。この状態で、シェア強度を測定し、得られた破壊荷重から異方導電性部材の単位面積当たりの接合強度値を求めた。接合性は、接合強度値に基づき、以下に示す評価基準により評価した。
「Ａ」：２０ＭＰａ≦接合強度
「Ｂ」：１０ＭＰａ≦接合強度＜２０ＭＰａ
「Ｃ」：接合強度＜１０ＭＰａ

＜ＴＥＧチップ＞
Ｃｕパッドを有するＴＥＧチップ（Test Element Group chip）とインターポーザーを用意した。これらの内部には、導通抵抗を測定するデイジーチェインパターンと絶縁抵抗を測定する櫛歯パターンを含む。これらの、絶縁層はＳｉＮである。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が２５％のチップを用意した。ＴＥＧチップが半導体チップに相当する。インターポーザーは周囲に取出し配線を含むためチップサイズは１０ｍｍ四方のものを用意した。
次いで、ＴＥＧチップ、異方導電性部材およびインターポーザーをこの順で積層するように、チップボンダー（ＤＢ２５０、澁谷工業株式会社製）を用いて温度２７０℃、１０分の条件で接合した。この際ＴＥＧチップとインターポーザーのＣｕパッドの位置がズレないよう予めチップの角に形成したアライメントマークにより位置を合わせて接合した。

以下、ショートと導通抵抗について説明する。隣接導通の評価と導通抵抗の評価には、上述のＴＥＧチップ（Test Element Group chip）を用いた。

（隣接導通の評価）
インターポーザーの櫛歯パターン部分の引出し配線パッドに抵抗測定用の信号線を半田で接合し常温、大気中で導通評価を行った。
抵抗値の結果に基づき、以下に示す評価基準にて評価した。
「Ａ」：抵抗値が設計抵抗の０．１倍以上
「Ｂ」：抵抗値が設計抵抗の０．０１倍以上０．１倍未満
「Ｃ」：抵抗値が設計抵抗の０．００１倍以上０．０１倍未満
「Ｄ」：抵抗値が設計抵抗の０．００１倍未満

（導通抵抗の評価）
インターポーザーのデイジーチェインパターン部分の引出し配線パッドに抵抗測定用の信号線を半田で接合し常温、大気中で導通評価を行った。
抵抗値の結果に基づき、以下に示す評価基準にて評価した。
「Ａ」：抵抗値が設計抵抗の１０倍未満
「Ｂ」：抵抗値が設計抵抗の１０倍以上１００倍未満
「Ｃ」：抵抗値が設計抵抗の１００倍以上１０００倍未満
「Ｄ」：抵抗値が設計抵抗の１０００倍以上

以下、実施例１〜１１および比較例１〜３について説明する。
（実施例１）

［異方導電性部材］
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
さらに、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） １０５０材のアルミニウム基板を得た。
アルミニウム基板を、直径２００ｍｍ（８インチ）のウエハ状に形成した後、以下に示す各処理を施した。

＜電解研磨処理＞
上述のアルミニウム基板に対して、以下の組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ

＜陽極酸化処理工程＞
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施し、絶縁性基材となる陽極酸化膜を得た。
電解研磨処理後のアルミニウム膜に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム膜を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件の条件で、３時間４５分の再陽極酸化処理を施し、膜厚３０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。さらに、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。

＜バリア層除去工程＞
次いで、上述の陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、貫通孔であるマイクロポアを介してアルミニウム基板を露出させた。

ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、ＦＥ−ＳＥＭ（Field emission - Scanning Electron Microscope）により表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは１８μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢ（Focused Ion Beam）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ²であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１６８］および［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の［００２４］〜［００２７］段落に記載された方法で測定し、算出した。

＜第１導電体充填工程＞
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施し、第１導電体として銅を充填した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、陽極酸化膜のマイクロポアの内部に銅を充填した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ²

＜面平滑化工程＞
次いで、銅が充填された陽極酸化膜の表面にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施して陽極酸化膜を５μｍ研磨した。これにより、陽極酸化膜の表面を平滑化し、充填した銅を露出させた。
ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００を用いた。

銅を充填した後の陽極酸化膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、８０％であった。
また、銅を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。

＜第１導電体除去工程＞
マイクロポアに充填された銅の一部を、３０％硝酸水溶液を用いて３０秒間処理することで３００ｎｍ分除去し、銅の表面を平滑化した面より低くした。
＜第２導電体積層工程＞
銅の表面に、第２導電体としてＳｎ（スズ）を積層した。
具体的には、市販の無電解Ｓｎ（スズ）めっき液（サブスターＳＮ−５：奥野製薬工業社製）を指定のとおり建浴した物を用い、液温を５０℃とし１０秒間処理した後、純水で洗浄した。このとき、マイクロポア中の第１導電体（銅）に積層された第２導電体（スズ）の高さは２０ｎｍであった。

＜絶縁性基材除去工程＞
構造体を、水酸化カリウム水溶液（濃度：０．１ｍｏｌ／Ｌ、液温度：２０℃）に浸漬させ、導電体の突出部の高さが１００ｎｍ（下記表１参照）になるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解した。これにより、銅の基部と、Ｓｎ（スズ）の先端部の突出部を形成した。
＜基板除去工程＞
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去し、陽極酸化膜の裏面を露出させた。

＜裏面側面平滑化工程＞
次いで、陽極酸化膜の裏面に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施し、陽極酸化膜を５μｍ分を研磨して、裏面を平滑化した。これにより、陽極酸化膜の裏面に銅を露出させた。
ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００を用いた。
＜裏面側第１導電体除去工程＞
陽極酸化膜の裏面側について、陽極酸化膜の表面と同様の方法で、マイクロポアに充填された銅の一部を、過酸化水素１０％とグリシン１０％の混合溶液を用いて１０分間処理することで３００ｎｍ分除去し、銅の表面を平滑化した面より低くした。
＜裏面側第２導電体積層工程＞
陽極酸化膜の裏面側について、陽極酸化膜の表面と同様の方法で、銅の表面に、Ｓｎ（スズ）を２０ｎｍ積層した。
＜裏面側絶縁性基材除去工程＞
陽極酸化膜の裏面側について、導電体の突出部の高さが１００ｎｍ（下記表１参照）になるように陽極酸化膜の裏面を選択的に溶解した。これにより、絶縁性基材の厚みが８μｍであり、かつ絶縁性基材の両面に突出部がある異方導電性部材を得た。
実施例１では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、乾燥工程を設け、第１導電体を除去した後に、銅の表面を乾燥させて、銅の表面にＳｎ（スズ）を積層した。

（実施例２）
実施例２は、絶縁性基材の片面にだけ突出部を設けた点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
実施例２では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＳｎ（スズ）を積層した。

（実施例３）
実施例３は、絶縁性基材の厚みが１５μｍである点、充填した金属を銅からニッケル（Ｎｉ）に変更した点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
ニッケル充填方法は以下に示す組成のニッケルめっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部にニッケルを充填した。
＜ニッケルめっき液組成＞
・硫酸ニッケル ３００ｇ／Ｌ
・塩化ニッケル ６０ｇ／Ｌ
・ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・温度 ５０℃
・電流密度 ５Ａ／ｄｍ²
実施例３では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態でニッケルの表面を乾燥させることなく、ニッケルの表面にＳｎ（スズ）を積層した。

（実施例４）
実施例４は、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
実施例４では、実施例２と同様に第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＳｎ（スズ）を積層した。

（実施例５）
実施例５は、絶縁性基材の厚みが１３μｍである点、充填した金属をＣｕからＮｉに変更した点、先端部を厚さ２０ｎｍのＡｕ（金）とした点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
ニッケルの充填方法は、実施例３と同じとした。
ニッケルへのＡｕ（金）の積層は、具体的には、市販の無電解Ａｕ（金）めっき液（フラッシュゴールドＮＣ：奥野製薬工業社製）と亜硫酸金（Ｉ）ナトリウム溶液を指定のとおり建浴した物を用い、液温を７０℃とし１０秒間処理した後、純水で洗浄した。このとき、マイクロポア中の第１導電体（銅）に積層された第２導電体（Ａｕ）の高さは２０ｎｍであった。
実施例５では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態でニッケルの表面を乾燥させることなく、ニッケルの表面にＡｕ（金）を積層した。

（実施例６）
実施例６は、絶縁性基材の厚みが９μｍである点、先端部をＡｕ（金）とした点、銅の除去を溶解以外とした点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
実施例６では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。
実施例６では、平坦化処理後の表面に銅の無電解メッキ処理を施し、一様な膜を形成後その表面に接着テープを張り付けたのちテープを剥離することで貫通孔中の表面に近い部分の銅を剥離除去した。無電解銅めっきにはＯＰＣカッパーＡＦ（奥野製薬工業社製）を用いた。
実施例６では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＡｕ（金）を積層した。

（実施例７）
実施例７は、絶縁性基材の厚みが９μｍである点、および先端部をＡｕ（金）とした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例７では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。

（実施例８）
実施例８は、絶縁性基材の厚みが９μｍである点、および先端部をＡｕ（金）とした点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
実施例８では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。
実施例８では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＡｕ（金）を積層した。

（実施例９）
実施例９は、絶縁性基材の厚みが９μｍである点、絶縁性基材の片面にだけ突出部を設けた点、先端部をＡｕ（金）とした点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
実施例９では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。
実施例９では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＡｕ（金）を積層した。

（実施例１０）
実施例１０は、絶縁性基材の厚みが１７μｍである点、絶縁性基材をチタンの陽極酸化膜とした点、先端部をＡｕ（金）とした点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
実施例１０では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。
実施例１０では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＡｕ（金）を積層した。
チタンの陽極酸化膜は、濃度０．０１Ｍの塩酸水溶液中で電圧２０Ｖ、温度−２℃の状態を維持しながら陽極酸化を４５分間実施して作製した。

（実施例１１）
実施例１１は、絶縁性基材の厚みが１４μｍである点、基部がＮｉ（ニッケル）である点、先端部がＣｕ（銅）である点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は以外は、実施例１と同じとした。
ニッケルの充填方法は、実施例３と同じとした。銅の形成方法は、実施例１と同じとした。
実施例１１では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態でニッケルの表面を乾燥させることなく、ニッケルの表面に銅を積層した。

（比較例１）
比較例１は、絶縁性基材の厚みが１０μｍである点、および先端部をＡｕ（金）とした点、平滑化工程を実施していない点、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は、実施例１と同じとした。
比較例１では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。
また、比較例１では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、銅の表面にＡｕ（金）を積層した。

（比較例２）
比較例２は、絶縁性基材の厚みが１１μｍである点、および先端部がない点以外は、実施例１と同じとした。また、比較例２では、第１導電体除去工程、および第２導電体積層工程を実施していない。このため、乾燥工程もない。

（比較例３）
比較例３は、絶縁性基材の厚みが９μｍである点、突出部がない点、先端部がＡｕ（金）である点、および第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に乾燥工程がない点以外は以外は、実施例１と同じとした。
比較例３では、Ａｕ（金）の先端部を実施例５と同じ方法で作製した。
比較例３では、第１導電体除去工程と第２導電体積層工程との間に、第１導電体を除去した後、純水に浸漬した状態で銅の表面を乾燥させることなく、陽極酸化膜の面に露出した銅に金を積層した。

表３に示すように実施例１〜１１は、比較例１〜３に比して導通抵抗が優れていた。
比較例１は、導通抵抗が悪かった。これは、比較例１では、面平滑化処理を実施していないため、導通路先端の高さにバラつきが生じ、電極に接触する導通路の数が減ったことによるためである。比較例２は先端部がない構成であり、導通抵抗が悪く、接合性も悪かった。
比較例３は、第１導電体が除去されておらず、先端部が接触する可能性が高く、隣接導通が悪かった。

１０ 異方導電性部材
１２ 絶縁性基材
１２ａ 表面
１２ｂ 裏面
１４ 貫通孔
１６ 導電体
１６ｂ、１６ｃ 突出部
１９ 樹脂層
２０ 基部
２０ｃ、２１ｃ 側面
２０ｄ 端面
２１ 先端部
２２ 第１導電体
２２ａ、２２ｂ 表面
２３ 第２導電体
２４ 両面粘着剤
２５ 支持部材
２６ 基板
２６ａ 表面
２７ バリア層
２８ 陽極酸化膜
２９ 保護層
３０、６０、６１、６２、６３ 電子デバイス
３２，３４，３６ 半導体素子
３７ インターポーザー
４０ 半導体素子
４２ センサチップ
４４ レンズ
５０、５０ａ、５０ｂ 端子
５０ｃ 端面
５２ 半導体層
５２ａ、５４ａ、５６ａ 表面
５４ 再配線層
５６ パッシベーション層
５７ 配線
５８ パッド
６６、６７、７１ 半導体素子
６８ 電極
７２ 穴
７３ 光導波路
７５、７６ 発光素子
Ｄｓ 積層方向
Ｄｔ 厚み方向
Ｈ 高さ
ｈ 異方導電性部材の厚み
Ｈｓ 高さ
ｈｔ 絶縁性基材の厚み
Ｌｄ 出射光
Ｌｏ 光
Ｒ、Ｒｓ 円相当径
ｐ 中心間距離
ｘ 方向
ｗ 導電体間の幅

Claims (15)

1. 絶縁性基材と、
   前記絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた、複数の導電体とを有し、
   前記導電体は、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備え、
   複数の前記導電体は、それぞれ前記突出部の長さが同じであり、
   前記突出部は、前記絶縁性基材側の基部と、前記基部の前記絶縁性基材の反対側の端面にだけ設けられた先端部とを備えており、前記基部は、側面が露出し、
   前記先端部は、前記基部と異なる組成を有する含金属部位であり、
   前記基部の円相当径と、前記先端部の円相当径とは同じである、異方導電性部材。
2. 前記先端部を構成する金属は、前記基部を構成する金属よりイオン化傾向が小さい、請求項１に記載の異方導電性部材。
3. 前記先端部を構成する金属は、前記基部を構成する金属よりイオン化傾向が大きい、請求項１に記載の異方導電性部材。
4. 前記各導電体は、前記絶縁性基材の表面および裏面から、それぞれ突出した前記突出部を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性部材。
5. 前記絶縁性基材は、金属の陽極酸化膜で構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性部材。
6. 前記絶縁性基材は、アルミニウムの陽極酸化膜またはチタンの陽極酸化膜で構成されている、請求項５に記載の異方導電性部材。
7. 厚み方向に延在する貫通孔を複数有する絶縁性基材の、前記貫通孔に、金属で構成された第１導電体を充填する第１導電体充填工程と、
   前記貫通孔に前記第１導電体が充填された前記絶縁性基材の少なくとも一方の面を平滑化する面平滑化工程と、
   平滑化した面側にある前記第１導電体の一部を除去し、前記第１導電体の表面を前記平滑化した面より低くする第１導電体除去工程と、
   前記第１導電体の前記表面に、前記第１導電体とは組成が異なる金属を含む第２導電体を積層する第２導電体積層工程と、
   前記絶縁性基材の前記平滑化した面側の一部を除去し、前記第１導電体および前記第２導電体を前記絶縁性基材から突出させる絶縁性基材除去工程とをこの順に実施する、異方導電性部材の製造方法。
8. 前記第１導電体除去工程が、前記第１導電体を溶解する工程であり、
   前記絶縁性基材除去工程が、前記絶縁性基材を溶解する工程である、請求項７に記載の異方導電性部材の製造方法。
9. 前記第１導電体除去工程の終了から前記第２導電体積層工程の開始迄の間、前記絶縁性基材は液体に接触している、請求項７または８に記載の異方導電性部材の製造方法。
10. 前記面平滑化工程は、前記貫通孔に前記第１導電体が充填された前記絶縁性基材の両面を平滑化する７〜９のいずれか１項に記載の異方導電性部材の製造方法。
11. 前記第２導電体を構成する金属は、前記第１導電体を構成する金属よりイオン化傾向が小さい、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の異方導電性部材の製造方法。
12. 前記絶縁性基材は、金属の陽極酸化膜で構成されている、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の異方導電性部材の製造方法。
13. 前記絶縁性基材は、アルミニウムの陽極酸化膜またはチタンの陽極酸化膜で構成されている、請求項１２に記載の異方導電性部材の製造方法。
14. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の異方導電性部材と、導電領域を有し、前記異方導電性部材と接合した部材とを有する、接合体。
15. 請求項１４に記載の接合体を含む、電子デバイス。

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