TWI754053B - 被處理構件的製造方法及積層體 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種即使為脆弱之基板亦能夠對其兩面穩定地實施平
滑化處理等處理之被處理構件的製造方法及積層體。被處理構件的製造方法包括：第1接合製程，藉由第1接著層而將含有金屬氧化物之被處理構件和第1支撐體進行接合；第1面加工製程，在被處理構件上形成第1加工面；第1面接觸製程，使具有接著性之支撐體、吸附被處理構件之吸附支撐體或第2接著層與第1加工面接觸；第2接合製程，藉由第2接著層而將被處理構件和第2支撐體進行接合；及第2面加工製程，在被處理構件的第1加工面的背面形成第2加工面。
Description
本發明涉及一種用於對含有金屬氧化物之被處理構件的兩面實施平滑化處理等處理的被處理構件的製造方法及使用於被處理構件的製造方法中之積層體，尤其涉及一種即使含有金屬氧化物之被處理構件脆弱，亦對其兩面實施平滑化處理等處理之被處理構件的製造方法及使用於被處理構件的製造方法中之積層體。
以往，對基板等被處理構件的兩面實施了平滑化處理等處理。關於對基板兩面的平滑化處理，以基板為例進行說明。
圖48～圖54係以製程順序表示習知之被處理構件的處理方法之示意圖。圖48～圖54係分別表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 如圖48所示，準備第1支撐體100。作為第1支撐體100，例如使用玻璃基板或矽晶圓。 接著，如圖49所示，在第1支撐體100上設置第1臨時接著層102。第1臨時接著層102由藉由曝光或加熱而接著力減小之臨時接著劑或臨時接著片等構成。 接著，如圖50所示，使背面104b面向第1臨時接著層102，並將基板104貼合於第1臨時接著層102。該狀態下，對基板104的表面104a實施研磨或研削等平滑化處理。
接著，藉由曝光或加熱而使第1臨時接著層102的接著力減小，如圖51所示，將基板104從第1支撐體100進行剝離。 接著，如圖52所示，準備第2支撐體106。與第1支撐體100同樣，第2支撐體106例如使用玻璃基板或矽晶圓。 接著，如圖53所示，在第2支撐體106上設置第2臨時接著層108。與第1臨時接著層102同樣，第2臨時接著層108由藉由曝光或加熱而接著力減小之臨時接著劑或臨時接著片等構成。 接著，如圖54所示，使表面104a面向第2臨時接著層108，並將基板104貼合於第2臨時接著層108。該狀態下，對基板104的背面104b實施研磨或研削等平滑化處理。如此對基板104的兩面實施平滑化處理。
作為對基板等兩面進行平滑化處理之方法，除了上述者以外，亦提出有以下所示者。 作為專利文獻1的薄膜脆性材料的表面研磨方法，在將厚度為500μm以下且楊氏係數為1.0×108
以上的薄膜脆性材料的一面進行固定，將另一面進行研磨之方法中記載有：在與薄膜脆性材料的被固定之面接觸之固定用表面，設置有深度或高度為5～100μm、間距為30～2000μm的凹凸，使被固定之面與被研磨之面相互變更，並至少對一面進行2次以上的研磨，從而對兩面進行研磨。作為薄膜脆性材料，可舉出將陽極氧化皮膜作為主體之構造體。 在專利文獻1中記載有：使用WAX接著劑（NIKKA SEIKO CO.,LTD.製造的ARKWAX），將薄膜脆性材料固定於固定構件之後，對與貼附面相反一側的面進行研磨，使用WAX接著劑將完成研磨的面貼附固定於固定構件之後，對另一面進行研磨。
專利文獻2的半導體裝置的製造方法係包括以下製程之製造方法：將半導體晶圓的第1面經由第1接著劑而臨時接合於第1基板之製程；為了使第1接著劑的側面露出、且使第2接著劑的側面不露出，將與半導體晶圓的第1面相反一側的第2面經由第2接著劑而臨時接合於第2基板之製程；及在半導體晶圓被臨時接合於第2基板之狀態下，將第1基板從半導體晶圓進行剝離之製程。專利文獻2係還包括以下製程之製造方法：在臨時接合於第1基板之狀態下，對第2面進行研磨。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-149211號公報 [專利文獻2]日本特開2015-201548號公報
對上述習知之基板的兩面的平滑化處理中，在基板104係薄而脆弱之材料之情況下，當轉移基板104時，將基板104從第1支撐體100進行剝離，在將經過實施平滑化處理之表面104a貼附於第2臨時接著層108時，在基板104上產生變形或破壞等受到損壞之風險。又，基板104的尺寸變得越大，上述風險越增大。尤其，在基板104係如金屬氧化物般脆性低的材料之情況下，上述風險顯著增大。如上所述，若在基板104上產生變形或破壞等，則導致生產穩定性的降低及產率的降低等，且生產率降低。藉此，生產成本增加。
又，如上所述，在專利文獻1中記載有：使用WAX接著劑將薄膜脆性材料固定於固定構件之後，對與貼附面相反側的面進行研磨，並使用WAX接著劑將完成研磨的面貼附固定於固定構件之後，對另一面進行研磨。該情況下，需要剝離出未經研磨之另一面和固定構件，但由於完成研磨的面和另一面均藉由同一接著劑而被固定，因此難以僅在未經研磨的面上進行剝離。 又，在上述專利文獻2中，將半導體作為對象，有可能無法應對比半導體脆性低等脆弱之材料。 如此，在對脆性低等脆弱者的兩面實施平滑化處理之情況下，目前無法穩定地進行實施。
本發明的目的在於消除前述習知技術之問題，並提供一種即使含有金屬氧化物之被處理構件脆弱，亦能夠對其兩面穩定地實施平滑化處理等處理之被處理構件的製造方法及積層體。
為了實現上述目的，本發明係提供一種被處理構件的製造方法者，其依序包括：第1接合製程，使用第1接著層，將含有金屬氧化物之被處理構件和第1支撐體進行接合；第1面加工製程，將含有金屬氧化物之被處理構件進行加工，從而形成第1加工面；第1面接觸製程，使具有接著性之支撐體、吸附含有金屬氧化物之被處理構件之吸附支撐體及第2接著層中之一者與第1加工面接觸；第2接合製程，使用與第1加工面接觸之第2接著層，將含有金屬氧化物之被處理構件和第2支撐體進行接合；及第2面加工製程，將含有金屬氧化物之被處理構件進行加工，從而在第1加工面的背面形成第2加工面，在第1面接觸製程中包括以下製程，亦即，在使具有接著性之支撐體或吸附支撐體與第1加工面接觸之情況下，去除具有接著性之支撐體或吸附支撐體，在第1面接觸製程與第2接合製程之間，或者在第2接合製程與第2面加工製程之間，包括從含有金屬氧化物之被處理構件去除第1接著層之第1接著層去除製程。
較佳為第1面接觸製程包括使用具有接著性之臨時支撐體或吸附含有金屬氧化物之被處理構件之吸附支撐體來支撐第1加工面之製程，在第1加工面被支撐之狀態下，去除第1接著層。 較佳為在第1面加工製程與第1接著層去除製程之間包括減小第1接著層的接著力之第1接著層改性製程。 較佳為第1接著層改性製程包括曝光及加熱中的至少一方。 較佳為在第2面加工製程之後，包括減小第2接著層的接著力之第2接著層改性製程。 較佳為第2接著層改性製程包括曝光及加熱中的至少一方。 較佳為在第2接合製程與第2面加工製程之間，包括第1接著層去除製程。
較佳為在第1面加工製程與第2接合製程之間，依序包括：第1轉印製程，將含有金屬氧化物之被處理構件的第1加工面轉印於第1轉印支撐體；第1接著層去除製程；及第2轉印製程，解除藉由第1轉印支撐體而轉印了第1加工面的狀態，並將除了含有金屬氧化物之被處理構件的第1加工面以外的部分轉印於第2轉印支撐體。 較佳為第1轉印支撐體及第2轉印支撐體中的至少一方係具有接著性之臨時支撐體。 較佳為第1轉印支撐體及第2轉印支撐體中的至少一方係吸附含有金屬氧化物之被處理構件之吸附支撐體。
較佳為第2接合製程係將第2支撐體貼附於第2接著層之製程，前述第2接著層設置於含有金屬氧化物之被處理構件的第1加工面。 較佳為第2接合製程係將含有金屬氧化物之被處理構件貼附於第2接著層之製程，前述第2接著層設置於第2支撐體。 較佳為第1接合製程係將含有金屬氧化物之被處理構件貼附於第1接著層之製程，該第1接著層設置於第1支撐體。
較佳為含有金屬氧化物之被處理構件包含導電體。較佳為導電體包含非氧化金屬。較佳為金屬氧化物包含除了非氧化金屬以外的金屬元素。較佳為非氧化金屬係過渡金屬。較佳為金屬氧化物係賤金屬氧化物。
較佳為第1加工面及第2加工面係算術平均粗糙度均為1μm以下的面。 較佳為第2面加工製程係將含有金屬氧化物之被處理構件的面中與第1接著層接觸之面進行加工之製程。 較佳為第1接著層的接著力始終比第2接著層的接著力小。 較佳為第1支撐體及第2支撐體中的至少一方具有至少1處透射區域，在透射率為200～500nm的波長範圍內，透射區域為70%以上。 較佳為含有金屬氧化物之被處理構件中之第1加工面與第2加工面之間的距離為50μm以下。較佳為曝光為雷射照射或紫外線照射。 較佳為第1接著層及第2接著層中的至少一方包含藉由加熱而減小接著層的接著性之材料。
本發明提供一種積層體，其依序具有第1支撐體、第1接著層及含有金屬氧化物之被處理構件，且使用於本發明的被處理構件的製造方法。 [發明效果]
即使含有金屬氧化物之被處理構件為脆弱之基板，本發明亦能夠對其兩面穩定地實施平滑化處理等處理。
以下，基於圖式所示較佳實施形態，對本發明的被處理構件的製造方法及積層體詳細地進行說明。 另外，以下進行說明之圖係用於說明本發明的例示者，本發明並非係限定於以下所示圖者。 另外，以下，表示數值範圍之“～”包括記載於兩側之數值。例如ε為數值α～數值β係指ε的範圍在包括數值α和數值β之範圍內，若用數學符號來表示，則為α≤ε≤β。 若無特別的記載，則“正交”等角度包括在相應之技術領域中通常容許之誤差範圍。又，“同一”包括在相應之技術領域中通常容許之誤差範圍。
關於被處理構件的製造方法的第1例進行說明。 圖1～圖7係按製程順序表示之本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例之示意圖。圖1～圖7係分別表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 在被處理構件的製造方法的第1例中，作為含有金屬氧化物之被處理構件，以各向異性導電性構件為例進行說明，將含有金屬氧化物之被處理構件作為基板14進行說明。 在被處理構件的製造方法的第1例中，作為基板14，以圓板者為例進行說明，但作為形狀並非係限定於圓板者。 另外，各向異性導電性構件係具有由陽極氧化膜等構成之絕緣性基材40（參閱圖8）之脆性材料。又，含有金屬氧化物之被處理構件並非係限定於各向異性導電性構件者。關於各向異性導電性構件，後面將詳細地進行說明。
首先，如圖1所示，準備第1支撐體10。第1支撐體10係支撐基板14者，具有能夠支撐基板14之大小。第1支撐體10例如為圓形狀。作為第1支撐體10，例如使用玻璃基板、石英玻璃基板或矽基板。 接著，如圖2所示，將第1接著層12貼附於第1支撐體10的表面10a。另外，第1接著層12若為能夠剝離之接著層，則係不受特別限定者。作為能夠剝離之接著層，可以係能夠剝離之雙面接著薄膜，亦可係接著性低的接著層，亦可係藉由曝光及加熱中的至少一方而接著性降低之接著層。較佳為藉由曝光及加熱中的至少一方而接著性降低之接著層。作為藉由加熱而接著性降低之接著層的例子，可舉出Nitto Denko Corporation製造的REVALPHA（註冊商標）或SOMAR CORPORATION製造的SOMATAC（註冊商標）。作為藉由曝光亦即光照射而接著性降低之接著層，除了能夠使用如通常用作切割膠帶之材料以外，亦可列舉出SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD製造的SELFA的光剝離薄膜。又，第1接著層12亦能夠使用接著劑組成物而形成，前述接著劑組成物具有藉由曝光及加熱中的至少一方而接著力降低等接著性減小之功能。曝光中包括基於雷射光之雷射照射及使用了紫外光之紫外線照射。
又，第1接著層12例如亦可為將自剝離層和雙面黏著片進行了組合之構成。作為雙面黏著片，例如使用Hitachi Maxell,Ltd.製造的（No.636000切割膠帶）。另外，在第1接著層12的應用中例如使用膠帶貼片機等。
接著，如圖3所示，例如使第2面14b面向設置於第1支撐體10上之第1接著層12的表面12a，例如使用真空貼合裝置（未圖示）將含有金屬氧化物之被處理構件亦即基板14在真空環境下接合於第1接著層12。 另外，依序具有如圖3所示之第1支撐體10、第1接著層12及基板14之積層體17使用於本發明的被處理構件的製造方法中。
圖3所示製程係，使用第1接著層12，將含有金屬氧化物之被處理構件和第1支撐體10進行接合之第1接合製程。將基板14接合於第1接著層12係指，具體而言，可例示出將基板14貼附於第1接著層12。 在圖3所示狀態下，將基板14的第1面14a進行加工，從而形成第1加工面。加工上述第1面14a而形成第1加工面之製程係第1面加工製程。作為第1面加工製程，例如可舉出基於化學機械研磨（CMP）、乾式蝕刻或研削之平滑化處理、以及對表面的圖案形成等。
具體而言，在基板14中，如圖8所示，在絕緣性基材40的貫通路41的內部，將金屬作為導電體進行填充而構成導電通路42。在基板14中，有時會生成金屬被溢出填充到貫通路41之部位50。另外，在基板14中存在未形成有貫通路41之基部43，基部43與第1接著層12接觸。 藉由對圖8所示狀態的基板14的第1面14a實施平滑化處理，如圖9所示，將第1面14a設為平坦。該情況下，基板14的第1面14a較佳為算術平均粗糙度（JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準） B 0601-2001）為1μm以下的面。 例如預先設定結束平滑化處理之第1面14a的反射率，當反射率成為預先設定之值時，平滑化處理結束。此外，預先設定研削量，當研削量成為預先設定之值時，可以結束平滑化處理。
接著，從第1支撐體10側，例如照射雷射光而減小第1接著層12的接著力。 減小上述第1接著層12的接著力之製程係第1接著層改性製程。去除上述第1接著層12之製程係第1接著層去除製程。 雷射光例如使用YAG（Yttrium Aluminum Garnet：釔鋁石榴石）雷射裝置而照射。若第1接著層12係因紫外光而接著力減小者，則照射紫外光而減小接著力。 另外，可以在後述第2接著層18的接觸之後減小第1接著層12的接著力。在第1接著層12為自剝離型的情況下，去除第1接著層12的時刻限定於結束第2接著層18的接觸和接合之後。
另外，若在第1接著層12中存在自剝離層，則自剝離層因雷射光而進行蒸發，第1支撐體10進行剝離。進而，若存在雙面黏著片，則將其進行剝離。藉此，基板14的第2面14b露出。
在第1接著層12係藉由雷射光的照射或紫外光的照射而接著力減小者時，較佳為由使雷射光或紫外光透射者構成第1支撐體10。該情況下，第1支撐體10可以係整體使雷射光或紫外光透射者，但較佳為例如具有至少1處透射區域。較佳為在透射率為200～500nm的波長範圍內透射區域為70%以上。 另外，透射率係由JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準） R 3106-1985規定者。
接著，如圖4所示，準備第2支撐體16，在第2支撐體16的表面16a貼附第2接著層18。第2支撐體16例如使用與第1支撐體10相同者。 第2接著層18係例如與第1接著層12相同的構成。然而，在從基板14剝離第1接著層12時，為了避免第2接著層18從基板14被剝離，較佳為第1接著層12的接著力始終比第2接著層18的接著力小。在此，第1接著層的接著力始終比第2接著層的接著力小係指，至少在從第1接合製程至第2接合製程期間接著力始終小。亦即，較佳為即使在藉由雷射光的照射或紫外光的照射而第1接著層12的接著力不會減小之狀態下，第1接著層12的接著力亦比第2接著層18的接著力小。又，在後述第1接著層去除製程中，較佳為第2接著層18的接著力始終比第1接著層12的接著力大。 第1接著層12的接著力和第2接著層18的接著力例如能夠藉由改變接著劑的種類而進行調整。
使第2接著層18對向基板14的第1面14a，並配置設置有第2接著層18之第2支撐體16。 接著，例如使用真空貼合裝置（未圖示），在真空環境下使第2接著層18接觸並貼附於基板14的第1面14a，從而，如圖5所示，將第2支撐體16和基板14進行接合。使第2接著層18與上述基板14的第1面14a接觸之製程係第1面接觸製程，圖5所示之將第2支撐體16和基板14進行接合之製程係第2接合製程。 接著，去除第1接著層12，如圖6所示，將第1支撐體10和基板14進行剝離。藉此，第1面14a接合於第2接著層18，且第2面14b露出。
接著，如圖7所示，使第2支撐體16進行反轉，對基板14的第2面14b實施平滑化處理。平滑化處理中，在第1加工面的背面形成第2加工面。亦即，將基板14的第1面14a的背面的第2面14b進行加工，從而得到第2加工面。該情況下，較佳為基板14的第2面14b係算術平均粗糙度（JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準） B 0601-2001）為1μm以下的面。 又，較佳為應用於第1加工面與第2加工面之間的距離為50μm以下，亦即，基板14的第1面14a與基板14的第2面14b之間的距離Dt（參閱圖46）為50μm以下之態樣。如此，即使厚度係50μm以下的薄者，亦能夠對兩面實施平滑化處理。 在此，基板14的第1面14a與基板14的第2面14b之間的距離（未圖示）藉由使非接觸的位置檢測感測器配置於基板14的兩側而進行測定。作為位置檢測感測器，例如可使用KEYENCE CORPORATION.製造的雷射式位移感測器。
上述獲得第2加工面之製程係第2面加工製程。第2面14b的加工由於與上述第1面14a的加工相同，因此省略詳細說明。 又，較佳為第2面加工製程係將含有金屬氧化物之被處理構件的面中與第1接著層12接觸之面進行加工之製程。 如上所述，能夠對具有絕緣性基材40（參閱圖8）之各向異性導電性構件亦即基板14的第1面14a和第2面14b的兩面實施平滑化處理。 從第2支撐體16側，例如藉由雷射光（未圖示）或紫外光（未圖示）的照射或加熱而減小第2接著層18的接著力，去除第2接著層18，並從第2支撐體16剝離基板14。藉此，能夠獲得第1面14a和第2面14b被實施平滑化處理之基板14。作為紫外線照射的曝光量並不受限定，但較佳為2500～3500mJ/cm2
,進一步較佳為2800～3300mJ/cm2
。 藉由上述曝光或加熱而使第2接著層18的接著力減小之製程係第2接著層改性製程。在使第2接著層18的接著力減小之情況下，亦可將曝光和加熱進行組合。去除上述第2接著層18之製程係第2接著層去除製程。
若第2接著層18係因紫外光而接著力減小者，則照射紫外光而減小接著力。 在第2接著層18係藉由雷射光的照射或紫外光的照射而接著力減小者時，則較佳為由使雷射光或紫外光透射者構成第2支撐體16。該情況下，與第1支撐體10同樣，第2支撐體16可以係整體使雷射光或紫外光透射者，但例如較佳為具有至少1處透射區域。較佳為在透射率為200～500nm的波長範圍內透射區域為70%以上。 另外，與第1支撐體10同樣，透射率係由JIS（Japanese Industrial Standards：日本工業標準） R 3106-1985規定者。 又，第1支撐體10和第2支撐體16可以由相同者構成，亦可由不同者構成。例如第1支撐體10和第2支撐體16可均設為石英玻璃基板或矽基板。又，亦可將第1支撐體10設為石英玻璃基板或矽基板，將第2支撐體16設為矽基板或石英玻璃基板。
另外，在基板14係各向異性導電性構件之情況下，在實施平滑化處理之後可實施例如使導電通路42（參閱圖46）突出之修剪處理。
在被處理構件的製造方法的第1例中，在基板14的兩面實施平滑化處理等加工，但在轉移基板14時，不會用手從第1支撐體10剝離基板14。因此，可抑制基板14的變形及基板14的破壞等。藉此，在基板14的兩面的平滑化處理等加工中，生產的穩定性增加，且產率亦提高。生產性提高，且生產成本亦降低。
接著，對被處理構件的製造方法的第2例進行說明。 圖10～圖18係按製程順序表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例之示意圖。圖10～圖18係分別表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。圖19係表示在本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例中所使用之臨時支撐體之示意俯視圖。 另外，在圖10～圖19中，對與圖1～圖7所示構成物相同之構成物標示同一符號，並省略其詳細說明。
在被處理構件的製造方法的第2例中，圖10～圖12所示製程由於與被處理構件的製造方法的第1例的圖1～圖3所示製程相同，因此省略詳細說明。 在被處理構件的製造方法的第2例中使用具有接著性之臨時支撐體20（參閱圖13及圖19）。臨時支撐體20係支撐基板14者，且係如圖13及圖19所示在具有開口部22a之框體22上貼附有接著片24者。 框體22例如由不鏽鋼構成。開口部22a係具有比基板14的俯視下的外切圓大的直徑之圓形狀孔。開口部22a的形狀並無特別限定。若開口部22a小，則能夠提高框體22的剛性，亦能夠減小框體22。又，若框體22小，則容易輸送，且能夠減小貼附中所使用之貼片機等貼附裝置，因此較佳。
接著片24係成為第2接著層18者，例如由兩面具有接著力、且藉由曝光及加熱中的至少一方而接著力減小者構成。接著片24能夠由與上述第1接著層12及第2接著層18相同者構成。
如圖13所示，將臨時支撐體20的開口部22a對向配置於基板14的被實施了平滑化處理之第1面14a。 接著，在基板14的第1面14a上，例如使用貼片機（未圖示）貼附接著片24（參閱圖14）。 接著片24對基板14的第1面14a的貼附能夠在正常壓力環境下進行，無需設成真空環境。因此，能夠縮短生產時間，且能夠簡化生產設備。在基板14的第1面14a上貼附接著片24時，可以在接著片24上例如施加輥子，以移除接著面的氣泡。 接著，如圖14所示，在由接著片24支撐基板14的第1加工面亦即第1面14a之狀態下，與被處理構件的製造方法的第1例同樣，從第1支撐體10側照射雷射光或紫外光，並去除第1接著層12，藉此，將基板14和第1支撐體10進行剝離。藉此，成為基板14接合於臨時支撐體20的接著片24上之狀態。亦可在接著片24與第1面14a接觸之前或接觸之後包括上述第1接著層改性製程。 另外，雷射光或紫外光例如使用YAG（Yttrium Aluminum Garnet：釔鋁石榴石）雷射裝置或AS ONE Corporation 便捷式UV照射裝置而照射。
接著，如圖15所示，使臨時支撐體20進行反轉。然後，將第2支撐體16配置於與基板14匹配之位置。 接著，如圖16所示，例如使用貼片機（未圖示）將第2支撐體16貼附於臨時支撐體20的接著片24上。接著片24設置於基板14的第1面14a亦即第1加工面上，該接著片24係成為第2接著層18（參閱圖18）者。將第2支撐體16貼附於接著片24上之製程成為第2接合製程。該情況下，亦能夠在正常壓力環境下進行，無需設成真空環境。如此，在轉移基板14時，由於無需設成真空環境，因此能夠縮短生產時間，且能夠簡化生產設備。
接著，如圖17所示，例如使用切割機25沿基板14的周圍切斷接著片24。藉此，如圖18所示，在基板14的第2面14b露出之狀態下，第2支撐體16與基板14經由第2接著層18而接合。接著，對基板14的第2面14b實施加工。如上所述，能夠對基板14的第1面14a和第2面14b實施加工。 從第2支撐體16側，例如藉由雷射光（未圖示）或紫外光（未圖示）的照射或加熱，減小第2接著層18的接著力，去除第2接著層18，並從第2支撐體16剝離基板14。藉此，能夠獲得第1面14a和第2面14b經過平滑化處理之基板14。
在被處理構件的製造方法的第2例中，亦能夠獲得與被處理構件的製造方法的第1例相同的效果。又，在被處理構件的製造方法的第2例中，在使用接著片24來轉移基板14時，無需設成真空環境，能夠縮短生產時間，且能夠簡化生產設備，藉此，能夠進一步降低生產成本。另外，接著片24的切斷並不限定於切割機25。
接著，對被處理構件的製造方法的第3例進行說明。 圖20～圖28係按製程順序表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例之示意圖。圖20～圖28係分別表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 另外，在圖20～圖28中，對與圖10～圖19所示構成物相同之構成物標示同一符號，並省略其詳細說明。
在被處理構件的製造方法的第3例中，圖20～圖22所示製程由於與被處理構件的製造方法的第1例的圖1～圖3所示製程、及被處理構件的製造方法的第2例的圖10～圖12所示製程相同，因此省略詳細說明。 又，在被處理構件的製造方法的第3例中，圖23及圖24所示製程由於與被處理構件的製造方法的第2例的圖13及圖14所示製程相同，因此省略詳細說明。 在被處理構件的製造方法的第3例中，在臨時支撐體20的接著片24上貼附基板14的第1面14a之後（參閱圖24），如圖25所示，將接著片26覆蓋於開口部22a並貼附於框體22。然後，在基板14的第2面14b上貼附接著片26。在上述臨時支撐體21的接著片24上貼附基板14的第1面14a之製程成為第1轉印製程。
作為接著片26，例如可使用藉由紫外光而接著力減小者。接著片26的接著力比接著片24大，又，例如作為接著片26，使用藉由紫外光而進行剝離之UV（紫外）剝離片（SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD製造的SELFA MP（商品名稱））。 接著片26由於接著力比接著片24大，因此利用接著力差從接著片24剝離基板14，如圖26所示，僅將基板14的第2面14b與接著片26進行貼附。將基板14的第2面14b與接著片26進行貼附之製程成為第2轉印製程。
接著，準備在表面16a設置有第2接著層18之第2支撐體16。 如圖27所示，在貼附於接著片26上之基板14的第1面14a上，與第2接著層18對向而配置上述第2支撐體16。 使基板14的第1面14a與第2接著層18進行接觸，並如上所述使用貼片機（未圖示）進行貼附。藉此，在設置於第2支撐體16上之第2接著層18上，朝向第1面14a貼附基板14。在設置於第2支撐體16上之第2接著層18上貼附基板14之製程成為第2接合製程。
接著，減小接著片26的接著力並去除接著片26。藉此，如圖28所示，在基板14的第2面14b露出之狀態下，第2支撐體16與基板14經由第2接著層18而被接合。接著，對基板14的第2面14b實施加工。如上所述，能夠對基板14的第1面14a和第2面14b實施加工。 例如從第2支撐體16側，例如藉由加熱或曝光而減小第2接著層18的接著力，去除第2接著層18，並從第2支撐體16剝離基板14。藉此，能夠獲得第1面14a和第2面14b被加工之基板14。
在被處理構件的製造方法的第3例中，亦能夠獲得與被處理構件的製造方法的第1例相同的效果。又，在被處理構件的製造方法的第3例中，亦與被處理構件的製造方法的第2例同樣，在使用接著片24及接著片26來轉移基板14時，無需設成真空環境，能夠縮短生產時間，且能夠簡化生產設備，藉此，能夠進一步降低生產成本。
接著，對被處理構件的製造方法的第4例進行說明。 圖29～圖39係按製程順序表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例之示意圖。圖29～圖39係分別表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 另外，在圖29～圖39中，對與圖10～圖19所示構成物相同之構成物標示同一符號，並省略其詳細說明。
在被處理構件的製造方法的第4例中，圖29～圖31所示製程由於與被處理構件的製造方法的第1例的圖1～圖3所示製程相同，因此省略詳細說明。在被處理構件的製造方法的第4例中，在基板14的轉移中使用後述第1轉印支撐體30及第2轉印支撐體32。
在被處理構件的製造方法的第4例中，如圖32所示，使第1轉印支撐體30與被實施加工之基板14的第1面14a進行接觸。該製程成為基板14轉印於第1轉印支撐體30之第1轉印製程。 第1轉印支撐體30係吸附基板14之吸附支撐體，係支撐與基板14的接觸狀態者。第1轉印支撐體30例如由多孔質板構成，且連接於減壓裝置。經由依據減壓裝置之第1轉印支撐體30而進行吸附，藉此支撐基板14與第1轉印支撐體30的接觸狀態。 基板14在被第1轉印支撐體30吸附且支撐之狀態下，從第1支撐體10側照射雷射光或紫外光，如圖33所示，從基板14去除第1接著層12，從基板14移除第1支撐體10。另外，亦可在轉印支撐體30與第1面14a接觸之前或接觸之後包括第1接著層改性製程。藉此，成為基板14吸附於第1轉印支撐體30之狀態。
接著，將第2轉印支撐體32對向配置於基板14的第2面14b。由於係吸附基板14之吸附支撐體，且係與上述第1轉印支撐體30相同之構成，因此省略詳細說明。 使第2轉印支撐體32與除了基板14的第1加工面以外的面亦即第2面14b接觸，由第2轉印支撐體32而吸附基板14，設為藉由第1轉印支撐體30和第2轉印支撐體32吸附基板14之狀態。接著，維持藉由第2轉印支撐體32對基板14的吸附，並停止藉由第1轉印支撐體30對基板14的吸附。藉此，解除第1轉印支撐體30與基板14的第1面14a接觸之狀態。如圖35所示，基板14成為在第1面14a露出之狀態下被第2轉印支撐體32吸附之狀態。該製程成為在第2轉印支撐體32上轉印基板14之第2轉印製程。
接著，如圖36所示，準備第2接著層18設置於表面16a之第2支撐體16。 接著，如圖37所示，與吸附於第2轉印支撐體32之基板14的第1面14a對向，朝向第2接著層18配置第2支撐體16。 接著，如圖38所示，使基板14的第1面14a與第2接著層18接觸，並如上所述使用貼片機（未圖示）進行貼附。藉此，使第1面14a朝向設置於第2支撐體16上之第2接著層18而將基板14進行貼附。 接著，如圖39所示，停止藉由第2轉印支撐體32對基板14的吸附。藉此，在基板14的第2面14b露出之狀態下，第2支撐體16與基板14經由第2接著層18而被接合。第2支撐體16與基板14經由第2接著層18而被接合之製程成為第2接合製程。 另外，在接合基板14的第1面14a與第2接著層18時，為了防止氣泡混入第1面14a與第2接著層18的接合界面，較佳為在真空環境下進行接合。
接著，對基板14的第2面14b實施加工。如上所述，能夠對基板14的第1面14a和第2面14b實施加工。 從第2支撐體16側，例如藉由雷射光（未圖示）或紫外光（未圖示）的照射或加熱，減小第2接著層18的接著力，去除第2接著層18，並從第2支撐體16剝離基板14。藉此，能夠得到第1面14a和第2面14b被加工之基板14。
在被處理構件的製造方法的第4例中，亦能夠獲得與被處理構件的製造方法的第1例相同的效果。又，在被處理構件的製造方法的第4例中，藉由使用利用吸附之第1轉印支撐體30和第2轉印支撐體32，並藉由基板14的吸附和停止基板14的吸附，能夠控制基板14的保持狀態，因此與利用雷射光、紫外光或加熱之接著層相比簡單，且能夠迅速轉移基板14。因此，能夠縮短生產時間，能夠進一步降低生產成本。
另外，在被處理構件的製造方法中，亦可將被處理構件的製造方法的第3例和被處理構件的製造方法的第4例進行組合。 例如在被處理構件的製造方法的第3例的圖24所示狀態中，如圖40所示，關於基板14接合於接著片24上之臨時支撐體20（參閱圖24），與基板14的第2面14b對向而配置第2轉印支撐體32。 接著，如圖41所示，在使第2轉印支撐體32與基板14的第2面14b接觸之後，藉由第2轉印支撐體32而吸附基板14。該狀態下，例如加熱接著片24，減小接著片24的接著力並進行剝離，去除接著片24。藉此，如圖42所示，成為基板14的第2面14b被吸附於第2轉印支撐體32，且基板14的第1面14a露出之狀態。 而且，如上述圖36所示，準備在表面16a設置有第2接著層18之第2支撐體16。以下，如上述被處理構件的製造方法的第4例。
又，在處理構件的製造方法的第4例的圖34所示狀態下，配置有第2轉印支撐體32，但如圖43所示，亦可配置臨時支撐體21以代替第2轉印支撐體32。由於臨時支撐體21為與上述臨時支撐體20相同之構成，因此省略其詳細說明。 使臨時支撐體21的接著片24與基板14的第2面14b接觸，並使用例如貼片機（未圖示）進行貼合。 接著，停止第1轉印支撐體30的吸附，使第1轉印支撐體30從基板14分開。
接著，在使臨時支撐體21進行反轉之後，如圖27使示，在貼附於接著片24之基板14的第1面14a上，與第2接著層18對向而配置上述第2支撐體16。 使基板14的第1面14a與第2接著層18接觸，如上所述，使用貼片機（未圖示）進行貼附。接著，減小接著力並去除接著片24。藉此，如圖28所示，在基板14的第2面14b露出之狀態下，第2支撐體16與基板14經由第2接著層18而被接合。接著，對基板14的第2面14b實施加工。如上所述，能夠對基板14的第1面14a和第2面14b實施加工。
以下，對用作基板14之各向異性導電性構件進行說明。 圖45係表示使用於被處理構件中之各向異性導電性構件的構成的一例之俯視圖，圖46係表示使用於被處理構件中之各向異性導電性構件的構成的一例之示意剖面圖，圖47係表示具有使用於被處理構件中之各向異性導電性構件之各向異性導電材料的構成的一例之示意剖面圖。
圖45及圖46所示各向異性導電性構件15係具備由無機材料構成之絕緣性基材40和複數個導電通路42之構件，該導電通路42向絕緣性基材40的厚度方向Z（參閱圖46）貫通，且以彼此電絕緣之狀態被設置。 關於各向異性導電性構件15，如上所述，在基板14的兩面經過平滑化處理之狀態下，如圖46所示，第1面14a及第2面14b均為平坦之面，而未突出有導電通路42。 絕緣性基材40例如由鋁的陽極氧化物構成。導電通路42係在向絕緣性基材40的厚度方向貫通之貫通路41的內部填充了金屬者。例如在鋁的陽極氧化膜上形成之微孔的內部填充金屬而構成導電通路42。
在此，“彼此電絕緣之狀態”係指，存在於絕緣性基材內部之各導電通路在絕緣性基材內部，各導電通路之間的彼此的導通性非常低的狀態。 關於各向異性導電性構件15，導電通路42彼此電絕緣，在與絕緣性基材40的厚度方向Z（參閱圖46）正交之方向x上，導電性非常低，在厚度方向Z上具有導電性。如此，各向異性導電性構件15係顯示各向異性導電性之構件。
如圖45及圖46所示，導電通路42在彼此電絕緣之狀態下，在厚度方向Z上貫通設置有絕緣性基材40。 進而，如圖46所示，導電通路42亦可為藉由上述修剪處理而具有從絕緣性基材40的表面40a及40b突出之突出部分42a及突出部分42b之構成。各向異性導電性構件15還可以具有設置於絕緣性基材40的表面40a及背面40b之樹脂層44。樹脂層44可以係具備黏著性且賦予接合性者。突出部分42a及突出部分42b的長度較佳為6nm以上，更佳為30nm～500nm。
又，圖46中示出在絕緣性基材40的表面40a及40b具有樹脂層44者，但並不限定於此，亦可為在絕緣性基材40的至少一表面具有樹脂層44之構成。 同樣地，如圖46所示，導電通路42在兩端具有突出部分42a及突出部分42b，但並不限定於此，亦可為在絕緣性基材40的至少具有樹脂層44之一側表面具有突出部分之構成。
圖46所示各向異性導電性構件15的厚度h例如為50μm以下。又，各向異性導電性構件15的TTV（Total Thickness Variation：總厚度變異）較佳為10μm以下。 在此，各向異性導電性構件15的厚度h係，藉由場發射型掃描式電子顯微鏡以20萬倍的倍率觀察各向異性導電性構件15，獲得各向異性導電性構件15的輪郭形狀，關於相當於厚度h之區域在10處進行了測定之平均值。 又，各向異性導電性構件15的TTV（Total Thickness Variation：總厚度變異）係，藉由切割連同支撐基體46一同切斷各向異性導電性構件15，並觀察各向異性導電性構件15的剖面形狀而求出之值。
各向異性導電性構件15為了移送、輸送及搬運及保管等，如圖47所示設置於支撐基體46上。在支撐基體46與各向異性導電性構件15之間設置有剝離層47。支撐基體46與各向異性導電性構件15藉由剝離層47可分離地被接著。將如上所述各向異性導電性構件15經由剝離層47而設置於支撐基體46上者稱作各向異性導電材料28。 支撐基體46係支撐各向異性導電性構件15者，例如由矽基板構成。作為支撐基體46，除了矽基板以外，還能夠使用例如SiC、SiN、GaN及氧化鋁（Al2
O3
）等陶瓷基板、玻璃基板、纖維強化塑料基板及金屬基板。纖維強化塑料基板中亦包含印刷配線基板亦即FR-4（Flame Retardant Type4：阻燃型4）基板等。
又，作為支撐基體46，能夠使用具有撓性且透明者。作為具有撓性且透明之支撐基體46，例如可舉出PET（聚對酞酸乙二酯）、聚環烯烴、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、PEN（聚萘二甲酸乙二酯）、PE（聚乙烯）、PP（聚丙烯）、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯及TAC（三乙醯纖維素）等塑料薄膜。 在此，透明係指在對位中所使用之波長的光中透射率為80%以上。因此在波長400～800nm的可見光所有區域透射率可以較低，但較佳為在波長400～800nm的可見光所有區域透射率為80%以上。透射率藉由分光光度計而測定。
剝離層47較佳為積層了支撐層48和剝離劑49者。剝離劑49與各向異性導電性構件15接觸，支撐基體46與各向異性導電性構件15以剝離層47為起點而分離。在各向異性導電材料28中，例如藉由加熱至預先設定之溫度，剝離劑49的接著力減弱，支撐基體46從各向異性導電性構件15被移除。 作為剝離劑49，例如能夠使用Nitto Denko Corporation製造的REVALPHA（註冊商標）及SOMAR CORPORATION製造的SOMATAC（註冊商標）等。
以下，對各向異性導電性構件15更具體地進行說明。 〔絕緣性基材〕 絕緣性基材由無機材料構成，若為具有與構成以往公知的各向異性導電性薄膜等之絕緣性基材相同程度的電阻率（1014
Ω・cm程度）者，則並無特別限定。 另外，“由無機材料構成”係指用於與構成後述樹脂層之高分子材料進行區別之規定，並不限定於僅由無機材料構成之絕緣性基材，而係將無機材料作為主要成分（50質量%以上）之規定。
作為絕緣性基材，例如可舉出金屬氧化物基材、金屬氮化物基材、玻璃基材、碳化矽、氮化矽等陶瓷基材、類金剛石碳等碳基材、聚醯亞胺基材、它們的複合材料等。作為絕緣性基材，除此以外，亦可為例如在具有貫通路之有機原體上由包含50質量%以上之陶瓷材料或碳材料之無機材料成膜者。
作為絕緣性基材，具有所希望的平均開口直徑之微孔作為貫通路而形成，從容易形成後述之導電通路之理由，較佳為金屬氧化物基材，更佳為閥金屬的陽極氧化膜。 在此，作為閥金屬，具體而言，例如可舉出鋁、鉭、鈮、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍、銻等。其中，較佳為尺寸穩定性良好且價格較低廉之鋁的陽極氧化膜（基材）。
絕緣性基材中之各導電通路的間隔較佳為5nm～800nm，更佳為10nm～200nm，進一步較佳為50nm～140nm。若絕緣性基材中之各導電通路的間隔在該範圍內，則絕緣性基材作為絕緣性分隔壁而充份地發揮功能。 在此，各導電通路的間隔係指相鄰之導電通路之間的寬度w（參閱圖46），係指藉由場發射型掃描式電子顯微鏡以20萬倍的倍率觀察各向異性導電性構件的剖面，在10處對相鄰之導電通路之間的寬度進行了測定之平均值。
〔導電通路〕 複數個導電通路在絕緣性基材的厚度方向上貫通，並由以彼此電絕緣之狀態設置之導電材料構成。導電通路為導電體。 導電通路具有從絕緣性基材的表面突出之突出部分，且各導電通路的突出部分的端部可以埋設於後述樹脂層中。
＜導電材料＞ 構成導電通路之導電材料若為電阻率為103
Ω・cm以下的材料，則並無特別限定，作為其具體例，適宜地例示出摻雜了金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鎳（Ni）、銦之氧化錫（ITO）等。 其中，從電傳導性的觀點考慮，較佳為銅、金、鋁及鎳，更佳為銅及金。上述導電通路亦即導電體較佳為由非氧化金屬構成。非氧化金屬例如為過渡金屬，過渡金屬例如為上述銅。
＜突出部分＞ 導電通路的突出部分係導電通路從絕緣性基材的表面突出之部分，又，突出部分的端部埋設於樹脂層中。
在藉由壓接等方法將各向異性導電性構件和電極進行電連接或物理接合時，從能夠充份地確保突出部分壓扁之情況的平面方向的絕緣性之理由考慮，導電通路的突出部分的縱橫比（突出部分的高度/突出部分的直徑）較佳為0.5以上且小於50，更佳為0.8～20，進一步較佳為1～10。
又，從跟隨各向異性導電性構件的連接對象的半導體晶片或半導體晶圓的表面形狀之觀點考慮，如上所述，導電通路的突出部分的高度較佳為20nm以上，更佳為100nm～500nm。 導電通路的突出部分的高度係指，藉由場發射型掃描式電子顯微鏡以2萬倍的倍率觀察各向異性導電性構件的剖面，並在10處對導電通路的突出部分的高度進行了測定之平均值。 導電通路的突出部分的直徑係指，藉由場發射型掃描式電子顯微鏡觀察各向異性導電性構件的剖面，並在10處對導電通路的突出部分的直徑進行了測定之平均值。
＜其他形狀＞ 導電通路呈柱狀，與突出部分的直徑同樣，導電通路的直徑d（參閱圖46）較佳為超過5nm且10μm以下，更佳為20nm～1000nm，進一步較佳為100nm以下。
又，導電通路係以藉由絕緣性基材而彼此電絕緣之狀態存在者，其密度較佳為2萬個/mm2
以上，更佳為200萬個/mm2
以上，進一步較佳為1000萬個/mm2
以上，特佳為5000萬個/mm2
以上，最佳為1億個/mm2
以上。
進而，相鄰之各導電通路的中心間距離p（參閱圖45）較佳為20nm～500nm，更佳為40nm～200nm，進一步較佳為50nm～140nm。
〔樹脂層〕 樹脂層係設置於絕緣性基材的表面，並埋設上述導電通路者。亦即，樹脂層係被覆絕緣性基材的表面及從絕緣性基材突出之導電通路的端部者。 樹脂層係對連接對象賦予接合性者。樹脂層例如在50℃～200℃的溫度範圍內顯示流動性，較佳為在200℃以上硬化者。 以下，對樹脂層的組成進行說明。樹脂層係含有高分子材料者。樹脂層可含有抗氧化材料。
＜高分子材料＞ 作為樹脂層中所包含之高分子材料並無特別限定，但從能夠有效地填補半導體晶片或半導體晶圓與各向異性導電性構件的間隙、且與半導體晶片或半導體晶圓的密接性變得更高之理由，較佳為熱硬化性樹脂。 作為熱硬化性樹脂，具體而言，可舉出例如環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯系樹脂等。 其中，從絕緣可靠性進一步提高且耐化學性優異之理由，較佳為使用聚醯亞胺樹脂和/或環氧樹脂。
＜抗氧化材料＞ 作為樹脂層中所包含之抗氧化材料，具體而言，例如可舉出1,2,3,4-四唑、5-胺基-1,2,3,4-四唑、5-甲基-1,2,3,4-四唑、1H-四唑-5-乙酸、1H-四唑-5-琥珀酸、1,2,3-三唑、4-胺基-1,2,3-三唑、4,5-二胺基-1,2,3-三唑、4-羧基-1H-1,2,3-三唑、4,5-二羧基-1H-1,2,3-三唑、1H-1,2,3-三唑-4-乙酸、4-羧基-5-羧甲基-1H-1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑、3-羧基-1,2,4-三唑、3,5-二羧基-1,2,4-三唑、1,2,4-三唑-3-乙酸、1H-苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸、苯并呋喃、2,1,3-苯并噻唑、鄰苯二胺、間苯二胺、兒茶酚、鄰胺基酚、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噁唑、三聚氰胺及該等衍生物。 其中，較佳為苯并三唑及其衍生物。 作為苯并三唑衍生物，可舉出在苯并三唑的苯環具有羥基、烷氧基（例如甲氧基、乙氧基等）、胺基、硝基、烷基（例如甲基、乙基、丁基等）、鹵素原子（例如氟、氯、溴、碘等）等之取代苯并三唑。又，亦能夠舉出萘三唑、萘雙三唑、以及被取代之取代萘三唑、取代萘雙三唑等。
又，作為樹脂層中所包含之抗氧化材料的其他例，可舉出通常之抗氧化劑，亦即，高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、酚化合物、烷醇胺、氫醌類、銅螯合劑、有機胺、有機銨鹽等。
樹脂層中所包含之抗氧化材料的含量並無特別限定，從防腐蝕效果的觀點考慮，相對於樹脂層的總質量較佳為0.0001質量%以上，更佳為0.001質量%以上。又，在該接合步驟中，從得到適宜之電阻抗之理由，較佳為5.0質量%以下，更佳為2.5質量%以下。
＜防遷移材料＞ 從藉由捕獲樹脂層中可含有之金屬離子、鹵離子和源自半導體晶片及半導體晶圓之金屬離子而進一步提高絕緣可靠性之理由，樹脂層較佳為含有防遷移材料。
作為防遷移材料，例如能夠使用離子交換體，具體而言，能夠使用陽離子交換體和陰離子交換體的混合物、或者能夠僅使用陽離子交換體。 在此，陽離子交換體及陰離子交換體分別例如能夠從後述之無機離子交換體及有機離子交換體中適宜地進行選擇。
（無機離子交換體） 作為無機離子交換體，例如可舉出以含氫氧化鋯為代表之金屬的含氫氧化物。 作為金屬的種類，例如除了鋯以外，還已知有鐵、鋁、錫、鈦、銻、鎂、鈹、銦、鉻及鉍等。 其中鋯系者對陽離子Cu2+
、Al3+
具有交換能力。又，關於鐵系者，亦對Ag+
、Cu2+
具有交換能力。 同樣地，錫系、鈦系、銻系者係陽離子交換體。 另一方面，鉍系者對陰離子Cl-
具有交換能力。 又，鋯系者依據製造條件顯示陰離子的交換能力。鋁系、錫系者亦同樣。 作為除此以外的無機離子交換體，已知有以磷酸鋯為代表之多價金屬的酸性鹽、以鉬酸銨為代表之雜多酸鹽、不溶性亞鐵氰化物等合成物。 該等無機離子交換體的一部分已市售，例如已知有TOAGOSEI CO.,LTD.的商品名稱為IGUAZU“IXE”中之各種品級。 另外，除了合成物品以外，亦可使用作為天然產物之沸石、或蒙脫石之類之無機離子交換體粉末。
（有機離子交換體） 在有機離子交換體中，作為陽離子交換體可舉出具有磺酸基團之交聯聚苯乙烯，此外，亦可舉出具有羧酸基團、膦酸基團或次膦酸基團者。 又，作為陰離子交換體，可舉出具有季銨基團、季鏻基團或叔鋶基團之交聯聚苯乙烯。
該等無機離子交換體及有機離子交換體只要考慮到慾捕獲之陽離子、陰離子的種類、關於該離子的交換容量而適宜地選擇即可。當然，可混合使用無機離子交換體和有機離子交換體。 電子元件的製造製程中包括進行加熱之步驟，因此較佳為無機離子交換體。
又，從機械強度的觀點考慮，防遷移材料與上述之高分子材料的混合比較佳為，例如將防遷移材料設為10質量%以下，更佳為將防遷移材料設為5質量%以下，進一步較佳為將防遷移材料設為2.5質量%以下。又，從抑制接合了半導體晶片或半導體晶圓和各向異性導電性構件時的遷移之觀點考慮，較佳為將防遷移材料設為0.01質量%以上。
＜無機填充劑＞ 樹脂層較佳為含有無機填充劑。 作為無機填充劑並無特別限制，能夠從公知者適宜地進行選擇，例如可舉出高嶺土、硫酸鋇、鈦酸鋇、氧化矽粉末、微粉狀氧化矽、氣相法二氧化矽、無定形二氧化矽、結晶性二氧化矽、熔融二氧化矽、球狀二氧化矽、滑石、黏土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、雲母、氮化鋁、氧化鋯、氧化釔、碳化矽、氮化矽等。
從防止無機填充劑進入導電通路之間，且進一步提高導通可靠性之理由考慮，較佳為無機填充劑的平均粒徑比各導電通路的間隔大。 無機填充劑的平均粒徑較佳為30nm～10μm，更佳為80nm～1μm。 在此，平均粒徑將藉由雷射衍射散射式粒徑測定裝置（Nikkiso Co.,Ltd.製造的Microtrac MT3300）測定之一次粒徑設為平均粒徑。
＜硬化劑＞ 樹脂層可以含有硬化劑。 在含有硬化劑之情況下，從抑制與作為連接對象的半導體晶片或半導體晶圓的表面形狀的接合不良之觀點考慮，不使用常溫下為固體的硬化劑，而更佳為含有常溫下為液體的硬化劑。 在此，“常溫下為固體”係指在25℃下為固體，例如係指熔點比25℃高的溫度之物質。
作為硬化劑，具體而言，例如可舉出二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸之芳香族胺、脂肪族胺、4-甲基咪唑等咪唑衍生物、二氰二胺、四甲基胍、硫脲加成胺、甲基六氫鄰苯二甲酸酐等羧酸酐、羧酸醯肼、羧酸醯胺、多酚化合物、酚醛清漆樹脂、多硫醇等，從該等硬化劑中能夠適宜地選擇在25℃下為液體者。另外，硬化劑可單獨使用1種，亦可並用2種以上。
在樹脂層中，在不損傷其特性之範圍內，可含有通常廣泛地添加到半導體封裝體的樹脂絕緣膜中之分散劑、緩衝劑、黏度調整劑等各種添加劑。
＜形狀＞ 從保護各向異性導電性構件的導電通路之理由考慮，樹脂層的厚度比導電通路的突出部分的高度大，較佳為1μm～5μm。
＜透明絕緣體＞ 透明絕緣體由在包括上述〔樹脂層〕中舉出之材料者中、可見光透射率為80%以上者構成。因此，關於各材料省略詳細說明。 在透明絕緣體中，在主要成分（高分子材料）與上述〔樹脂層〕相同之情況下，透明絕緣體與樹脂層之間的密接性變得良好，因此較佳。 透明絕緣體形成於沒有電極等之部分，因此較佳為不包含上述〔樹脂層〕的＜抗氧化材料＞及上述〔樹脂層〕的＜防遷移材料＞。 透明絕緣體中CTE（線性膨脹係數）接近於矽等支撐體者，由於各向異性導電材料的翹曲減少，因此較佳為包含上述〔樹脂層〕的＜無機填充劑＞。 在透明絕緣體中，在高分子材料和硬化劑與上述〔樹脂層〕相同之情況下，溫度及時間等硬化條件變得相同，因此較佳。 另外，可見光透射率為80%以上係指，在波長為400～800nm的可見光波長區域中，光透射率為80%以上。光透射率係使用在JIS（日本工業標準） K 7375：2008中規定之“塑料--總光線透射率及總光線反射率的求出方法”而測定者。
[各向異性導電性構件的製造方法] 圖45及圖46所示各向異性導電性構件15的製造方法並無特別限定，例如具有：導電通路形成製程，使導電材料存在於設置於絕緣性基材之貫通路中，從而形成導電通路；及實施本發明的被處理構件的製造方法之製程。 還具有：修剪製程，使導電通路突出；及樹脂層形成製程，在修剪製程之後，在絕緣性基材的表面及導電通路的突出部分形成樹脂層。
〔絕緣性基材的製作〕 絕緣性基材較佳為具有金屬氧化物者。從將導電通路的開口直徑及突出部分的縱橫比設為上述範圍之觀點考慮，絕緣性基材較佳為對閥金屬實施陽極氧化處理而形成之基板。 作為陽極氧化處理，能夠藉由依序實施以下處理而製作。例如在絕緣性基材由鋁的陽極氧化物構成之情況下，對鋁基板進行陽極氧化之陽極氧化處理、及在陽極氧化處理之後貫通基於因陽極氧化而生成之微孔之孔之貫通化處理。
鋁基板並無特別限定，作為其具體例，可舉出：純鋁板；將鋁作為主要成分，並包含微量的異質元素之合金板；在低純度的鋁（例如再生材料）上蒸鍍了高純度鋁之基板；在矽晶圓、石英、玻璃等的表面，藉由蒸鍍、濺射等方法而被覆高純度鋁之基板；層合了鋁之樹脂基板等。在鋁基板中，藉由後述陽極氧化處理製程而設置陽極氧化膜之表面的鋁純度較佳為99.9質量%以上，更佳為99.99質量%以上。若鋁純度在上述範圍內，則微孔排列的規律性變得充份。又，在本發明中，鋁基板中實施後述陽極氧化處理製程之表面較佳為被實施預熱處理、脫脂處理及鏡面拋光處理。 關於在絕緣性基材的製作中所使用之鋁基板及對鋁基板實施之各處理製程，能夠採用與日本特開2008-270158號公報的＜0041＞～＜0121＞段中所記載者相同者。 另外，金屬氧化物較佳為包含除了非氧化金屬以外的金屬元素者。金屬氧化物例如係賤金屬氧化物，賤金屬氧化物例如係鋁的氧化物。另外，如上所述，非氧化金屬例如係銅。
〔導電通路形成製程〕 導電通路形成製程係，使導電性材料存在於設置於絕緣性基材之貫通路中之製程。 在此，作為使金屬存在於貫通路中之方法，例如可舉出與日本特開2008-270158號公報的＜0123＞～＜0126＞段及[圖4]中所記載之各種方法（電解鍍覆法或無電解鍍覆法）相同之方法。 又，在電解鍍覆法或無電解鍍覆法中，較佳為預先設定基於金、鎳、銅等之電極層。作為該電極層的形成方法，例如可舉出濺射等氣相處理、無電解鍍覆等液體層處理、及組合該等之處理等。 藉由金屬填充製程而得到在形成導電通路的突出部分之前的各向異性導電性構件。
另一方面，導電通路形成製程亦可為具有以下製程之方法，來代替日本特開2008-270158號公報中所記載之方法，前述製程例如包括：陽極氧化處理製程，對鋁基板的單側表面（以下，亦稱作“單面”。）實施陽極氧化處理，在鋁基板的單面形成具有存在於厚度方向之微孔和存在於微孔底部之阻隔層之陽極氧化膜；阻隔層去除製程，在陽極氧化處理製程之後，去除陽極氧化膜的阻隔層；金屬填充製程，在阻隔層去除製程之後，實施電解鍍覆處理，並對微孔內部填充金屬；及基板去除製程，在金屬填充製程之後去除鋁基板，得到金屬填充微細構造體。
＜陽極氧化處理製程＞ 陽極氧化處理製程係，藉由對鋁基板的單面實施陽極氧化處理，在鋁基板的單面形成陽極氧化膜之製程，前述陽極氧化膜具有存在於厚度方向之微孔和存在於微孔底部之阻隔層。 陽極氧化處理能夠利用以往公知的方法，但從提高微孔排列規律性且確保各向異性導電性之觀點考慮，較佳為利用自有序化法或恆定電壓處理。 在此，關於陽極氧化處理的自有序化法或恆定電壓處理，能夠實施與日本特開2008-270158號公報的＜0056＞～＜0108＞段及[圖3]中所記載之各處理相同的處理。
＜阻隔層去除製程＞ 阻隔層去除製程係，在陽極氧化處理製程之後，去除陽極氧化膜的阻隔層之製程。藉由去除阻隔層，鋁基板的一部分經由微孔而露出。 去除阻隔層之方法並無特別限定，例如可舉出：在比陽極氧化處理製程的陽極氧化處理中之電位低的電位下，以電化學的方式溶解阻隔層之方法（以下，亦稱作“電解去除處理”。）；藉由蝕刻而去除阻隔層之方法（以下，亦稱作“蝕刻去除處理”。）；組合該等之方法（尤其，在實施了電解去除處理之後，藉由蝕刻去除處理而去除所殘留之阻隔層之方法）等。
〈電解去除處理〉 電解去除處理若係在比陽極氧化處理製程的陽極氧化處理中之電位（電解電位）低的電位下實施之電解處理，則並無特別限定。 電解溶解處理例如在陽極氧化處理製程結束時降低電解電位，藉此能夠與陽極氧化處理連續實施。
關於除了電解電位以外的條件，電解去除處理能夠採用與上述以往公知的陽極氧化處理相同的電解液及處理條件。 尤其，如上所述，在連續實施電解去除處理和陽極氧化處理之情況下，較佳為使用相同的電解液進行處理。
（電解電位） 電解去除處理中之電解電位較佳為連續或逐級（階梯狀）降低至比陽極氧化處理中之電解電位低的電位。 在此，從阻隔層的耐電壓的觀點考慮，逐級降低電解電位時的降低幅度（階梯幅度）較佳為10V以下，更佳為5V以下，進一步較佳為2V以下。 又，從生產性等觀點考慮，連續或逐級降低電解電位時的電壓降低速度較佳為均為1V/秒以下，更佳為0.5V/秒以下，進一步較佳為0.2V/秒以下。
〈蝕刻去除處理〉 蝕刻去除處理並無特別限定，但可為使用酸性水溶液或鹼性水溶液進行溶解之化學蝕刻處理，亦可為乾式蝕刻處理。
（化學蝕刻處理） 藉由化學蝕刻處理而去除阻隔層例如為如下方法，亦即，使陽極氧化處理製程之後的構造物浸漬於酸性水溶液或鹼性水溶液中，在微孔的內部填充酸性水溶液或鹼性水溶液之後，使pH（氫離子指數）緩衝液接觸到陽極氧化膜的微孔的開口部側表面之方法等，能夠僅使阻隔層選擇性地進行溶解。
在此，在使用酸性水溶液之情況下，較佳為使用硫酸、磷酸、硝酸、鹽酸等無機酸或該等混合物的水溶液。又，酸性水溶液的濃度較佳為1質量%～10質量%。酸性水溶液的溫度較佳為15℃～80℃，進一步較佳為20℃～60℃，進一步較佳為30℃～50℃。 另一方面，在使用鹼性水溶液之情況下，較佳為使用選自由氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰構成之組中之至少一種鹼性水溶液。又，鹼性水溶液的濃度較佳為0.1質量%～5質量%。鹼性水溶液的溫度較佳為10℃～60℃，進一步較佳為15℃～45℃，進一步較佳為20℃～35℃。另外，鹼性水溶液中可含有鋅及其他金屬。 具體而言，例如可適宜地使用50g/L、40℃的磷酸水溶液、0.5g/L、30℃的氫氧化鈉水溶液、0.5g/L、30℃的氫氧化鉀水溶液等。 另外，作為pH緩衝液，能夠適宜地使用與上述酸性水溶液或鹼性水溶液對應之緩衝液。
又，在酸性水溶液或鹼性水溶液中的浸漬時間較佳為8分鐘～120分鐘，更佳為10分鐘～90分鐘，進一步較佳為15分鐘～60分鐘。
（乾式蝕刻處理） 乾式蝕刻處理例如較佳為使用Cl2
/Ar混合氣體等氣體種類。
＜金屬填充製程＞ 金屬填充製程係，在阻隔層去除製程之後實施電解鍍覆處理，從而對陽極氧化膜中之微孔的內部填充金屬之製程，例如可舉出與日本特開2008-270158號公報的＜0123＞～＜0126＞段及[圖4]中所記載之各種方法相同之方法（電解鍍覆法或無電解鍍覆法）。 另外，在電解鍍覆法或無電解鍍覆法中，能夠將上述阻隔層去除製程之後經由微孔而露出之鋁基板作為電極而利用。
＜基板去除製程＞ 基板去除製程係，在金屬填充製程之後去除鋁基板，並得到金屬填充微細構造體之製程。 作為去除鋁基板之方法，例如可舉出使用處理液僅溶解鋁基板，而不溶解金屬填充製程中填充到微孔內部之金屬及作為絕緣性基材的陽極氧化膜之方法等。
作為處理液，例如可舉出氯化汞、溴/甲醇混合物、溴/乙醇混合物、王水、鹽酸/氯化銅混合物等水溶液等，其中，較佳為鹽酸/氯化銅混合物。 又，作為處理液的濃度，較佳為0.01mol/L～10mol/L，更佳為0.05mol/L～5mol/L。 又，作為處理溫度，較佳為-10℃～80℃，更佳為0℃～60℃。
〔修剪製程〕 修剪製程係，僅去除導電通路形成製程之後的各向異性導電性構件表面的絕緣性基材的一部分，使導電通路突出之製程。 另外，在修剪製程之前，可具有成形為特定的形狀之製程。該情況下，例如使用湯姆遜刀片來成形為特定的形狀。 在此，若修剪處理在不溶解構成導電通路之金屬之條件下進行，則並無特別限定，例如在使用酸性水溶液之情況下，較佳為使用硫酸、磷酸、硝酸、鹽酸等無機酸或該等混合物的水溶液。其中，從安全性優異之觀點考慮，較佳為不含鉻酸之水溶液。酸性水溶液的濃度較佳為1質量%～10質量%。酸性水溶液的溫度較佳為25℃～60℃。 另一方面，在使用鹼性水溶液之情況下，較佳為使用選自由氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰構成之組中之至少一種鹼性水溶液。鹼性水溶液的濃度較佳為0.1質量%～5質量%。鹼性水溶液的溫度較佳為20℃～50℃。 具體而言，例如可適宜地使用50g/L、40℃的磷酸水溶液、0.5g/L、30℃的氫氧化鈉水溶液或0.5g/L、30℃的氫氧化鉀水溶液。 在酸性水溶液或鹼性水溶液中的浸漬時間較佳為8分鐘～120分鐘，更佳為10分鐘～90分鐘，進一步較佳為15分鐘～60分鐘。在此，浸漬時間係指在重複進行了短時間的浸漬處理（修剪處理）之情況下各浸漬時間的合計時間。另外，各浸漬處理期間，可實施清洗處理。
在修剪製程中嚴格地控制導電通路的突出部分的高度之情況下，較佳為在導電通路形成製程之後，在將絕緣性基材和導電通路的端部加工成同一平面狀之後，選擇性地去除（修剪）絕緣性基材。 在此，作為加工成同一平面狀之方法，例如可舉出物理研磨（例如游離磨粒研磨、背面研磨、表面刨平等）、電化學研磨、組合該等之研磨等。
又，在上述導電通路形成製程或修剪製程之後，以減小伴隨金屬的填充而產生之導電通路內的變形為目的，能夠實施加熱處理。 從抑制金屬氧化之觀點考慮，較佳為在還元性環境下實施加熱處理，具體而言，較佳為在氧濃度為20Pa以下進行，更佳為在真空下進行。在此，真空係指氣體密度或氣壓比大氣壓低的空間的狀態。 又，以矯正為目的，較佳為一邊加壓材料，一邊進行加熱處理。
〔樹脂層形成製程〕 樹脂層形成製程係，在修剪製程之後，在絕緣性基材的表面及導電通路的突出部分形成樹脂層之製程。 在此，作為形成樹脂層之方法，例如可舉出將含有上述抗氧化材料、高分子材料、溶劑（例如甲基乙基酮等）等之樹脂組成物塗佈於絕緣性基材的表面及導電通路的突出部分並使其乾燥，根據需要，進行燒成之方法等。 樹脂組成物的塗佈方法並無特別限定，例如能夠使用凹版塗佈法、反向塗佈法、模塗法、刮刀塗佈機、輥塗機、氣刀塗佈機、絲網塗佈機、棒塗機、簾幕塗佈機、旋塗機等以往公知的塗佈方法。 又，塗佈後的乾燥方法並無特別限定，例如可舉出在大氣下且在0℃～100℃的溫度下加熱幾秒鐘～幾十分鐘之處理，在減壓下且在0℃～80℃的溫度下加熱十幾分鐘～幾小時之處理等。 又，乾燥後的燒成方法依據所使用之高分子材料而不同，因此並無特別限定，但在使用聚醯亞胺樹脂之情況下，例如可舉出在160℃～240℃的溫度下加熱2分鐘～60分鐘之處理等，在使用環氧樹脂之情況下，例如可舉出在30℃～80℃的溫度下加熱2分鐘～60分鐘之處理等。
在製造方法中，關於上述各製程，能夠以片料進行各製程，亦能夠將鋁線圈設為原材料以捲筒材料進行連續處理。又，在進行連續處理之情況下，較佳為在各製程之間設置適當之清洗製程、乾燥製程。 [實施例]
以下，舉出實施例進一步具體地說明本發明的特徵。以下實施例所示之材料、試劑、使用量、材料量、比例、處理內容、處理順序等只要不脫離本發明的宗旨，則能夠適宜地進行變更。從而，本發明的範圍不應係被以下所示具體例限定地解釋者。 在本實施例中，藉由以下所示實施例1～實施例20及比較例1的被處理構件的製造方法，對被處理構件進行了處理。在本實施例中，對實施例1～實施例20及比較例1的被處理構件的製造方法中之缺陷的產生及處理後的導電性進行了評價。將缺陷的產生及導電性的結果示於下述表1～表4中。另外，下述表1～表4中，“-”表示無。 又，將在實施例1～實施例20及比較例1的被處理構件的製造方法中所使用之各構件示於下述表1～表4中。另外，下述表1～表4中所示出之接著力係，在剝離角度180°、拉伸速度300mm/分鐘的條件下所測定之值。
對缺陷的產生及導電性的評價方法進行說明。 [缺陷的產生] 從進行有關本發明之製程之前的製程（後述＜圓形加工製程＞）之後至第2次研磨處理製程為止，藉由在被處理構件中產生之30μm以上的裂縫等缺陷的數量而進行了評價。 如下所示測定了缺陷。 後面詳細進行說明之被處理構件不會透射紅外線，因此若使用紅外線，則能夠明確地檢測被處理構件的裂縫。 使用紅外線顯微鏡，獲取被處理構件的俯視下所有區域的檢查圖像，對所獲取之檢查圖像實施二值化處理，得到了檢查圖像的二值化圖像。並測定出二值化圖像的黑色部分的長度。在黑色部分中，將30μm作為閾值並抽取了缺陷。 另外，作為紅外線顯微鏡而使用了Olympus Corporation製造的半導體/FPD檢查顯微鏡MX61（商品名稱）。作為透鏡而使用了Olympus Corporation製造的近紅外區域（700nm～1300nm）觀察用物鏡LMRLN5XIR（商品名稱）。又，作為平台而使用了Marzhauser公司製造的正立顯微鏡用自動XY平台。 缺陷的產生由N個/100cm2
來表示，並按以下評價基準進行了評價。 A：N＜5 B：5≤N＜20 C：20≤N＜100 D：100≤N
[導電性] 在第2次研磨處理製程結束之後的處理構件的表面和背面，經由金屬連接部，並使用HIOKI E.E. CORPORATION的RM3542，藉由4端子法而算出第2次研磨處理製程結束之後的處理構件的厚度方向的阻抗率。使用上述阻抗率，藉由以下評價基準對導電性進行了評價。 A：穩定且阻抗率小於1×10-4
Ω・m者 B：穩定且阻抗率為1×10-4
Ω・m以上者 C：阻抗率有偏差，或者不顯示穩定之阻抗率者 D：未通電者
以下，對實施例1～實施例20進行說明。 ＜實施例1＞ 在實施例1中，首先，在直徑200mm、厚度1mm的圓盤狀石英玻璃基板上，貼附了自剝離膠帶（第1接著劑、SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD製造的SELFA）。將被處理構件貼合於其上。此時，在貼合被處理構件時，使用了真空貼合裝置（改造了AYUMI INDUSTRY Co.,Ltd.製造者）。之後，藉由化學機械研磨對被處理構件的第1面進行了處理。 另一方面，在直徑200mm、厚度0.775mm的圓盤狀矽（Si）基板上，藉由貼片機貼附熱剝離片（第2接著劑，Nitto Denko Corporation製造的REVALPHA）之後，用上述真空貼合裝置貼合了藉由化學機械研磨經過處理之被處理構件。之後，從石英玻璃基板側進行紫外線照射（照射量3000mJ/cm2
），從而減小自剝離膠帶的接著力，並剝離被處理構件，藉由化學機械研磨對所露出之未處理面（第2面）進行了處理。關於被處理構件，後面將進行說明。另外，下述表1～表4中，將紫外線照射標記為UV照射。又，第1接著劑構成第1接著層，第2接著劑構成第2接著層。 上述化學機械研磨的處理中使用株式會社 Fujimi Incorporated.製造的PNANERLITE-7000的CMP（chemical mechanical polishing）漿料實施了4小時。被處理構件的化學機械研磨之後的厚度為40μm，第1面及第2面的表面粗糙度以算術平均粗糙度計為0.1μm。
＜實施例2＞ 在實施例2中，首先，與實施例1同樣，在石英玻璃基板上貼附自剝離膠帶（第1接著劑）並貼合被處理構件之後，藉由化學機械研磨對第1面進行了處理。 準備具有比石英玻璃基板足夠大的孔、且由厚度為1mm的不鏽鋼板形成之甜甜圈狀框體，在框體上貼附了上述熱剝離片（第2接著劑）。使用貼片機，將熱剝離片貼附於經過研磨處理之被處理構件之後，從石英玻璃基板側進行紫外線照射（照射量3000mJ/cm2
），從而減小自剝離膠帶的接著力並剝離出被處理構件。接著，在使整個框體反轉之後，使用貼片機將其貼附於上述矽基板上，並藉由切割機將熱剝離片以矽基板的大小切割成圓形。之後，藉由化學機械研磨對所露出之未處理面進行了處理。 化學機械研磨如上述＜實施例1＞中已進行說明。
＜實施例3＞ 在實施例3中，首先，與實施例1同樣，在石英玻璃基板上貼附自剝離膠帶（第1接著劑）並貼合了被處理構件之後，藉由化學機械研磨對第1面進行了處理。 準備具有比石英玻璃基板足夠大的孔、且由厚度為1mm的不鏽鋼板形成之甜甜圈狀框體，在框體上貼附了中間臨時接著對象1（Nitto Denko Corporation製造的SPV-200）。使用貼片機，將中間臨時接著對象1貼附於藉由化學機械研磨進行了處理之被處理構件的第1面之後，進行紫外線照射，從而減小自剝離膠帶的接著力並剝離出被處理構件。進而，在框體的背面側，將中間臨時接著對象2（Nitto Denko Corporation製造的REVALPHA）貼附於被處理構件的未處理面。藉由將中間臨時接著對象2貼附於未處理面，利用中間臨時接著對象1與中間臨時接著對象2的接著力之差，在中間臨時接著對象1及中間臨時接著對象2中剝離出中間臨時接著對象1。 另一方面，在上述矽基板上，藉由貼片機貼附了上述熱剝離片（第2接著劑）。之後，在貼附於框體的中間臨時接著對象2之狀態下的被處理構件的第1面上，隔著熱剝離片，藉由貼片機貼附了矽基板。進而，從石英玻璃基板側進行紫外線照射（照射量3000mJ/cm2
）而剝離中間臨時接著對象2之後，藉由化學機械研磨對所露出之未處理面進行了處理。 化學機械研磨如上述＜實施例1＞中已進行說明。
＜實施例4＞ 在實施例4中，首先，與實施例1同樣，在石英玻璃基板上貼附自剝離膠帶（第1接著劑）並貼合被處理構件之後，藉由化學機械研磨對第1面進行了處理。 在真空貼合裝置內，使多孔質的第1吸附板與被處理構件的研磨面接觸並吸附之後，進行紫外線照射而減小自剝離膠帶的接著力，從而剝離出被處理構件。接著，藉由第2吸附板而吸附被處理構件的未處理面之後，解除第1吸附板的吸附，並從被處理構件進行了分離。 另一方面，在上述矽基板上，藉由貼片機貼附上述熱剝離片（第2接著劑）之後，在上述真空貼合裝置內，將吸附於第2吸附板之被處理構件貼合於矽基板。然後，解除第2吸附板的吸附，並從被處理構件進行了分離。之後，藉由化學機械研磨對所露出之未處理面進行了處理。 化學機械研磨如上述＜實施例1＞中已進行說明。
＜實施例5＞ 與實施例1相比，在實施例5中，作為自剝離膠帶（第1接著劑）而使用LINTEC Corporation製造的SRL0759（商品名稱）（雙面微黏著片），且不進行紫外線照射而剝離被處理構件，除了該點以外，與實施例1相同。 ＜實施例6＞ 與實施例1相比，在實施例6中，作為自剝離膠帶（第1接著劑）使用了SOMAR CORPORATION製造的SOMATAC（註冊商標）PS-1151CR（產品編號），除了該點以外，與實施例1相同。實施例6中所使用之自剝離膠帶（SOMAR CORPORATION製造的SOMATAC（註冊商標）PS-1151CR（產品編號））持續加熱至溫度60℃，若停止加熱，則接著力降低。因此，在下述表2的“第1支撐體”的“接著層改性條件”一欄中標記為“冷卻（60℃→20℃）”。
＜實施例7＞ 與實施例1相比，在實施例7中，作為熱剝離片（第2接著劑）而使用了LINTEC Corporation製造的SRL0759（商品名稱）（雙面微黏著片），除了該點以外，與實施例1相同。 ＜實施例8＞ 與實施例1相比，在實施例8中，作為熱剝離片（第2接著劑）而使用了SOMAR CORPORATION製造的SOMATAC（註冊商標）PS-1151CR（產品編號），除了該點以外，與實施例1相同。實施例8的熱剝離片如上所述持續加熱至溫度60℃，若停止加熱，則接著力降低。因此，在下述表2的“第2支撐體”的“接著層改性條件”一欄中標記為“冷卻（60℃→20℃）”。
＜實施例9＞ 與實施例1相比，在實施例9中，被處理構件的微孔中未填充有任何物質，除了該點以外，與實施例1相同。 ＜實施例10＞ 與實施例1相比，在實施例10中，在被處理構件的微孔中填充有ITO（Indium Tin Oxide：銦錫氧化物）來代替銅，除了該點以外，與實施例1相同。另外，在對被處理構件的微孔填充ITO（Indium Tin Oxide：銦錫氧化物）時利用了蒸鍍。又，下述表2中在“導電體種類”一欄中標記為“ITO”。 ＜實施例11＞ 與實施例1相比，在實施例11中，在被處理構件的微孔中填充有鋁來代替銅，除了該點以外，與實施例1相同。另外，在對被處理構件的微孔填充鋁時利用了蒸鍍。 ＜實施例12＞ 與實施例1相比，在實施例12中，在被處理構件的微孔中填充有鎂來代替銅，除了該點以外，與實施例1相同。另外，在對被處理構件的微孔填充鎂時利用了蒸鍍。
＜實施例13＞ 與實施例1相比，在實施例13中，被處理構件的化學機械研磨之後的第1面及第2面的表面粗糙度以算術平均粗糙度計為0.5μm，除了該點以外，與實施例1相同。 ＜實施例14＞ 與實施例1相比，在實施例14中，使用直徑為200mm、厚度為0.775mm的矽基板來代替直徑為200mm、厚度為1mm的石英玻璃基板，且作為自剝離膠帶（第1接著劑）而使用了SOMAR CORPORATION製造的SOMATAC（註冊商標）PS-1151CR（產品編號），及使用直徑為200mm、厚度為1mm的石英玻璃基板來代替直徑為200mm、厚度為0.775mm的圓盤狀矽（Si）基板，且作為熱剝離片（第2接著劑）而使用了自剝離膠帶（SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD製造的SELFA），除了該點以外，與實施例1相同。 ＜實施例15＞ 與實施例1相比，在實施例15中，將被處理構件的化學機械研磨之後的厚度設為80μm，除了該點以外，與實施例1相同。
＜實施例16＞ 與實施例1相比，在實施例16中，在減小自剝離膠帶（第1接著劑）的接著力時使用了雷射照射，除了該點以外，與實施例1相同。雷射照射中使用了KEYENCE CORPORATION.製造的MD-X1500（型號）。以波長380nm、輸出5W、掃描速度3m/秒、進料寬度50μm實施了雷射照射。 ＜實施例17＞ 與實施例1相比，在實施例17中，使用了直徑為200mm、厚度為1mm的圓盤狀石英玻璃基板來代替直徑為200mm、厚度為0.775mm的圓盤狀矽（Si）基板，又，在石英玻璃基板上貼附了作為熱剝離片（第2接著劑）之自剝離膠帶（SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD製造的SELFA），除了該點以外，與實施例1相同。 ＜實施例18＞ 與實施例1相比，在實施例18中，微孔孔徑為100nm，微孔密度為500萬個/cm2
，除了該點以外，與實施例1相同。實施例18在後述＜陽極氧化處理製程＞中改變了電壓，除此以外，以與實施例1相同的方式進行了製作。
＜實施例19＞ 與實施例1相比，在實施例19中，實施了機械研磨來代替被處理構件的化學機械研磨，除了該點以外，與實施例1相同。機械研磨中將CMP漿料變更為金剛石研磨劑，除此以外，與上述化學機械研磨的處理相同。被處理構件的化學機械研磨之後的第1面及第2面的表面粗糙度以算術平均粗糙度計為1μm以上。 ＜實施例20＞ 與實施例1相比，在實施例19中，將石英玻璃基板的厚度設為2mm，將矽基板的厚度設為1.5mm，除了該點以外，與實施例1相同。
＜比較例1＞ 與實施例1相比，在比較例1中，替換了以下製程之順序，亦即：將實施例1的被處理構件貼附於熱剝離片之製程；及從自剝離膠帶剝離被處理構件之製程，除了該點以外，與實施例1相同。
以下，對使用了實施例1～實施例20及比較例1之被處理構件進行說明。被處理構件使用氧化鋁而構成。 作為被處理構件之氧化鋁材係藉由以下所示製程而製作者。 ＜電解研磨處理製程＞ 作為基板而使用了高純度的鋁基板（Sumitomo Metal Industries,Ltd.製造（UACJ Corporation.製造）、純度為99.99質量%、厚度為0.2mm）。將鋁基板進行切割，以便能夠以直徑為220mm的面積進行陽極氧化處理，使用以下所示組成的電解研磨液，在電壓25V、液體溫度65℃、液體流速3.0m/分鐘的條件下進行了電解研磨處理。陰極設為碳電極，電源使用了GP0110-30R（TAKASAGO LTD.製造）。又，電解液的流速使用AS ONE Corporation製造的旋渦式流量監控器FLM22-10PCW而測量。 （電解研磨液組成） ・85質量%磷酸（Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製造的試劑） 660mL（毫升） ・純水160mL ・硫酸150mL ・乙二醇30mL
＜陽極氧化處理製程＞ 接著，對電解研磨處理之後的鋁基板，用0.30mol/L（升）硫酸的電解液，在電壓25V、液體溫度15℃、液體流速3.0m/分鐘的條件下，實施了5小時的陽極氧化預處理。之後，實施了使經過陽極氧化預處理之後的鋁基板經12小時浸漬於0.2mol/L鉻酸酐、0.6mol/L磷酸的混合水溶液（液溫：50℃）中之脫膜處理。之後，用0.30mol/L硫酸的電解液，在電壓25V、液體溫度15℃、液體流速3.0m/分鐘的條件下，實施了1小時的再陽極氧化處理。另外，陽極氧化預處理及再陽極氧化處理均將陰極設為不鏽鋼電極，電源使用了GP0110-30R（TAKASAGO LTD.製造）。又，作為冷卻裝置，使用了NeoCool BD36（Yamato Scientific Co.,Ltd.製造）、作為攪拌加熱裝置，使用了成對攪拌器PS-100（TOKYO RIKAKIKAI CO,LTD.製造）。進而，電解液的流速使用AS ONE Corporation製旋渦式流量監控器FLM22-10PCW而測定。
＜貫通化處理製程＞ 接著，在20質量%氯化汞水溶液（升汞）中，在20℃下浸漬3小時，藉此溶解鋁基板，進而，在5質量%磷酸中，在溫度30℃下浸漬30分鐘，藉此去除陽極氧化皮膜的底部，製作出由陽極氧化皮膜構成之構造體（絕緣性基材），前述陽極氧化皮膜具有由微孔構成之貫通孔。另外，微孔孔徑為70nm，微孔密度為1000萬個/cm2
。
＜金屬填充處理製程＞ 接著，使銅電極密接於上述貫通化處理之後的構造體的一表面，將銅電極設為陰極，將鉑金設為正極，並進行了電解鍍覆。在將硫酸銅/硫酸/鹽酸=200/50/15（g/L）的混合溶液保持為溫度25℃之狀態下，作為電解液而使用，並實施恆定電壓脈衝電解，藉此，製造出在貫通孔中填充有銅之構造體（各向異性導電性構件前體）。在此，使用yamamoto-ms co.,ltd.製造的鍍覆裝置，並使用HOKUTO DENKO CORP.製造的電源（HZ-3000），在鍍覆液中進行循環伏安法來確定析出電位之後，將皮膜側的電位設定為-2V，藉此進行了恆定電壓脈衝電解。又，恆定電壓脈衝電解的脈衝波形為矩形波。具體而言，在各電解處理之間設定40秒鐘的中止時間，實施了5次的1次電解時間為60秒鐘的電解處理，以使電解的總處理時間成為300秒鐘。
＜圓形加工製程＞ 對經過金屬填充處理之構件進行了水洗並乾燥之後，使用Fujishoko-machinery Co,.Ltd製造的UDP-3000，藉由湯姆遜刀片衝壓成直徑為199mm的圓形。
[表1] 
[表2] 
[表3] 
[表4] 
如表1～表4所示，與比較例1相比，實施例1～實施例20中所產生之30μm以上的缺陷的數量少。又，關於導電性，除了沒有導電體種類之實施例9以外，實施例1～8及實施例10～20可獲得比比較例1更好之結果。 在實施例5、6中，第1接著劑與實施例1者不同，與實施例1相比，缺陷的數量稍多。 在實施例7、8中，第2接著劑與實施例1者不同，與實施例1相比，缺陷的數量稍多。 在實施例9中，與實施例1不同點在於沒有導電體種類，與實施例1相比，缺陷的數量稍多且導電性差。 在實施例10～12中，導電體種類與實施例1者不同，與實施例1相比，缺陷的數量稍多且導電性稍差。 在實施例13及實施例19中，算術平均粗糙度比實施例1粗糙，與實施例1相比，導電性稍差。
本發明係基本上如上所示構成者。以上，對本發明的被處理構件的製造方法及積層體進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述之實施形態，在不脫離本發明的主旨之範圍內，當然，可進行各種改進或變更。
10、100‧‧‧第1支撐體10a、12a、16a、40a、104a‧‧‧表面12‧‧‧第1接著層14、104‧‧‧基板14a‧‧‧第1面14b‧‧‧第2面15‧‧‧各向異性導電性構件16、106‧‧‧第2支撐體17‧‧‧積層體18‧‧‧第2接著層20、21‧‧‧臨時支撐體22‧‧‧框體22a‧‧‧開口部24‧‧‧接著片25‧‧‧切割機26‧‧‧接著片28‧‧‧各向異性導電材料30‧‧‧第1轉印支撐體32‧‧‧第2轉印支撐體40‧‧‧絕緣性基材40b、104b‧‧‧背面41‧‧‧貫通路42‧‧‧導電通路42a、42b‧‧‧突出部分43‧‧‧基部44‧‧‧樹脂層46‧‧‧支撐基體47‧‧‧剝離層48‧‧‧支撐層49‧‧‧剝離劑50‧‧‧部位102‧‧‧第1臨時接著層108‧‧‧第2臨時接著層d‧‧‧直徑Dt‧‧‧距離Z‧‧‧厚度方向h‧‧‧厚度p‧‧‧中心間距離w‧‧‧寬度x‧‧‧方向
圖1係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖2係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖3係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖4係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖5係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖6係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖7係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的一製程之示意圖。 圖8係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的第1面加工製程的一例之示意圖。 圖9係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第1例的第1面加工製程的一例之示意圖。 圖10係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖11係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖12係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖13係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖14係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖15係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖16係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖17係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖18係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例的一製程之示意圖。 圖19係表示在本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第2例中所使用之臨時支撐體之示意俯視圖。 圖20係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖21係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖22係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖23係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖24係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖25係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖26係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖27係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖28係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第3例的一製程之示意圖。 圖29係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖30係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖31係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖32係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖33係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖34係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖35係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖36係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖37係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖38係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖39係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第4例的一製程之示意圖。 圖40係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第5例的一製程之示意圖。 圖41係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第5例的一製程之示意圖。 圖42係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第5例的一製程之示意圖。 圖43係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第6例的一製程之示意圖。 圖44係表示本發明的實施形態的被處理構件的製造方法的第6例的一製程之示意圖。 圖45係表示使用於被處理構件之各向異性導電性構件的構成的一例之俯視圖。 圖46係表示使用於被處理構件之各向異性導電性構件的構成的一例之示意剖面圖。 圖47係表示具有使用於被處理構件之各向異性導電性構件之各向異性導電材料的構成的一例之示意剖面圖。 圖48係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 圖49係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 圖50係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 圖51係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 圖52係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 圖53係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。 圖54係表示習知之被處理構件的處理方法的一製程之示意圖。
10:第1支撐體
10a、16a:表面
12:第1接著層
14:基板
14a:第1面
14b:第2面
16:第2支撐體
17:積層體
18:第2接著層
Claims (25)
- 一種被處理構件的製造方法，其依序包括：第1接合製程，使用第1接著層，將含有金屬氧化物之被處理構件和第1支撐體進行接合；第1面加工製程，將該被處理構件進行加工，從而形成第1加工面；第1面接觸製程，使具有接著性之支撐體、吸附該被處理構件之吸附支撐體及第2接著層中之一者與該第1加工面接觸；第2接合製程，使用與該第1加工面接觸之該第2接著層，將該被處理構件和第2支撐體進行接合；及第2面加工製程，將該被處理構件進行加工，從而在該第1加工面的背面形成第2加工面，在該第1面接觸製程中包括以下製程，亦即，在使具有該接著性之支撐體或該吸附支撐體與該第1加工面接觸之情況下，去除具有該接著性之支撐體或該吸附支撐體，在該第1面接觸製程與該第2接合製程之間，或者在該第2接合製程與該第2面加工製程之間，包括從該被處理構件去除該第1接著層之第1接著層去除製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1面接觸製程包括使用具有該接著性之支撐體或該吸附支撐體來支撐該第1加工面之製程，在該第1加工面被支撐之狀態下，去除該第1接著層。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中在該第1面加工製程與該第1接著層去除製程之間，包括減小該第1接著層的接著力之第1接著層改性製程。
- 如申請專利範圍第3項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1接著層改性製程包括曝光及加熱中的至少一方。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中在該第2面加工製程之後，包括減小該第2接著層的接著力之第2接著層改性製程。
- 如申請專利範圍第5項所述之被處理構件的製造方法，其中該第2接著層改性製程包括曝光及加熱中的至少一方。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中在該第2接合製程與該第2面加工製程之間，包括該第1接著層去除製程。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中在該第1面加工製程與該第2接合製程之間，依序包括：第1轉印製程，將該被處理構件的該第1加工面轉印於第1轉印支撐體；該第1接著層去除製程；及 第2轉印製程，解除藉由該第1轉印支撐體而轉印了該第1加工面的狀態，並將除了該被處理構件的該第1加工面以外的部分轉印於第2轉印支撐體。
- 如申請專利範圍第8項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1轉印支撐體及該第2轉印支撐體中的至少一方係具有接著性之臨時支撐體。
- 如申請專利範圍第8項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1轉印支撐體及該第2轉印支撐體中的至少一方係吸附該被處理構件之吸附支撐體。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第2接合製程係將該第2支撐體貼附於該第2接著層之製程，該第2接著層設置於該被處理構件的該第1加工面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第2接合製程係將該被處理構件貼附於該第2接著層之製程，該第2接著層設置於該第2支撐體。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1接合製程係將該被處理構件貼附於該第1接著層之製程，該第1接著層設置於該第1支撐體。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該被處理構件包含導電體。
- 如申請專利範圍第14項所述之被處理構件的製造方法，其中該導電體包含非氧化金屬。
- 如申請專利範圍第15項所述之被處理構件的製造方法，其中該金屬氧化物包含除了該非氧化金屬以外的金屬元素。
- 如申請專利範圍第15項所述之被處理構件的製造方法，其中該非氧化金屬係過渡金屬。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該金屬氧化物係賤金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1加工面及該第2加工面係算術平均粗糙度均為1μm以下的面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第2面加工製程係將該被處理構件的面中與該第1接著層接觸之面進行加工之製程。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1接著層的接著力始終比該第2接著層的接著力小。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1支撐體及該第2支撐體中的至少一方具有至少1處透射區域，在透射率為200~500nm的波長範圍內，該透射區域為70%以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該被處理構件中之該第1加工面與該第2加工面之間的距離為50μm以下。
- 如申請專利範圍第4項所述之被處理構件的製造方法，其中該曝光為雷射照射或紫外線照射。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被處理構件的製造方法，其中該第1接著層及該第2接著層中的至少一方包含藉由加熱而減小接著層的接著性之材料。
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