KR102517507B1 - 기판 수납 용기, 제어 장치 및 이상 검지 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 수납 용기의 내부의 오염 상태를 검출하는 것을 목적으로 한다.
기판을 수납하는 기판 수납 용기로서, 상기 기판 수납 용기의 내부에, 오염 상태를 검출 가능한 모니터를 갖고, 상기 기판 수납 용기의 내부의 오염 상태를 검출하는 기판 수납 용기가 제공된다.

Description

기판 수납 용기, 제어 장치 및 이상 검지 방법{SUBSTRATE CONTAINER, CONTROL APPARATUS, AND ABNORMALITY DETECTING METHOD}
본 발명은 기판 수납 용기, 제어 장치 및 이상 검지 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서, 복수의 웨이퍼를 기판 수납 용기에 다단으로 수용하여 반송하는 것이 알려져 있다. 기판 수납 용기로는, FOUP(Front Opening Unified Pod)가 이용된다.
FOUP는 로드 포트(LP: Load Port)에 탑재된다. 웨이퍼는, 소정의 타이밍에서 FOUP로부터 반출되고, 기판 처리 장치에 마련된 기판 처리실(PM: Process Module)에서 처리된 후, FOUP에 되돌아간다. 그 때문에, FOUP 내에는, 처리 후의 제품 웨이퍼(이하, 「처리후 웨이퍼」라고 함)와 처리 전의 제품 웨이퍼(이하, 「처리전 웨이퍼」라고 함)가 혼재되는 일이 있다.
에칭 처리를 행한 웨이퍼 표면에는, 프로세스 가스가 흡착되거나, 에칭 반응이 충분히 진행되지 않고 표면에 가스가 잔존하거나, 에칭 대상물이 부착되거나 한다. 이들 잔존물은 대기 중의 수분과 반응하거나, 아웃 가스로 되어 서서히 이탈되거나 함으로써 처리후 웨이퍼의 표면 상태를 조금씩 변화시켜 간다. 그 결과, 처리전 웨이퍼가 변질되거나, 처리후 웨이퍼 상에 형성된 디바이스에 디펙트(결함)가 생기거나, 디바이스 특성에 변화가 생기거나 한다.
많은 경우, 시간 경과와 함께 웨이퍼에 악영향을 주기 때문에, 웨이퍼 처리 후의 시간 관리(「Q-Time」이라고도 함)를 행하고, 규정 시간 내에 다음 공정으로 진행되지 않았던 웨이퍼를 폐기하고 있다. 그래서, 규정 시간을 늘리기 위해, 처리후 웨이퍼가 수용된 FOUP 내부를 N2 가스 등의 불활성 가스로 치환하는 것이 행해지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2013-179287호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2017-17154호 공보
그러나, 특허문헌 1에서는, 기판 수납 용기 내부의 오염 상태를 검출하지 않고, 미리 정해진 유량으로, 미리 정해진 퍼지 시간에 불활성 가스를 공급하고 있다. 그 때문에, 불활성 가스에 의한 퍼지가 과잉으로 되거나, 불충분하거나 한다는 과제가 있다.
상기 과제에 대해, 일 측면에서는, 본 발명은 기판 수납 용기의 내부의 오염 상태를 검출하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 일 형태에 따르면, 기판을 수납하는 기판 수납 용기로서, 상기 기판 수납 용기의 내부에, 오염 상태를 검출 가능한 모니터를 갖고, 상기 기판 수납 용기의 내부의 오염 상태를 검출하는 기판 수납 용기가 제공된다.
일 측면에 의하면, 기판 수납 용기의 내부의 오염 상태를 검출할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 3은 일 실시 형태에 따른 로드 포트 및 FOUP의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 일 실시 형태에 따른 FOUP 스토커(stocker)의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 일 실시 형태에 따른 QCM의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 6은 일 실시 형태에 따른 QCM의 주파수 측정 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 7은 일 실시 형태에 따른 QCM의 표면 상태의 일례를 나타내는 도면.
도 8은 일 실시 형태에 따른 QCM의 중량 측정 결과의 일례를 나타내는 도면.
도 9는 일 실시 형태에 따른 리커버리 처리의 일례를 나타내는 흐름도.
도 10은 일 실시 형태에 따른 리커버리 처리의 일례를 나타내는 흐름도.
도 11은 일 실시 형태에 따른 처리 조건 테이블의 일례를 나타내는 도면.
도 12는 일 실시 형태에 따른 측정 결과의 축적 처리의 일례를 나타내는 흐름도.
도 13은 일 실시 형태에 따른 리커버리 처리의 일례를 나타내는 흐름도.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
[기판 처리 시스템의 전체 구성]
우선, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성의 일례에 대해 도 1을 참조하면서 설명한다.
도 1에서, 기판 처리 시스템(1)은 기판 처리 장치(10), FOUP 퍼지 장치(20), FOUP 스토커(stocker)(30), FOUP 반송 장치(40) 및 호스트 컴퓨터(50)를 구비하고 있다. 또, 기판 처리 장치(10), FOUP 퍼지 장치(20), FOUP 스토커(30) 및 FOUP 반송 장치(40)의 수는 도시한 것에 한정되지 않는다.
기판 처리 장치(10)는, 제어 장치(100)에 의해 제어되고, 기판의 일례인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 에칭 처리, 성막 처리, 클리닝 처리, 애싱 처리 등의 처리를 실시한다. 기판 처리 장치(10)의 상세한 구성 및 동작에 대해서는 후술한다.
FOUP 퍼지 장치(20)는, 제어 장치(200)에 의해 제어되고, 탑재된 FOUP의 내부를, 예를 들면 N2 가스 등의 불활성 가스로 퍼지한다. FOUP 퍼지 장치(20)는, 기판 처리 장치(10)와 별체로 구성되고, 단독으로 FOUP 내를 퍼지할 수 있는 전용의 퍼지 장치이다. FOUP 퍼지 장치(20)의 상세한 구성은 후술하는 기판 처리 장치(10)의 내부에 마련된 로드 포트와 동일하다.
FOUP 스토커(30)는, FOUP를 일시적으로 보관하는 보관고이고, 1 또는 복수의 웨이퍼를 수용한 FOUP를 보관한다. FOUP 스토커(30)는, FOUP 퍼지 장치(20)와 동일한, FOUP의 내부를 퍼지하는 기능을 가지고 있다. FOUP 스토커(30)는, 제어 장치(300)에 의해 제어되고, FOUP의 퍼지 기능에 의해, 탑재된 FOUP의 내부를, 예를 들면 N2 가스로 퍼지한다.
FOUP 반송 장치(40)는, 제어 장치(400)에 의해 제어되고, 기판 처리 장치(10)와, FOUP 퍼지 장치(20)와, FOUP 스토커(30)의 사이에서 FOUP를 반송한다.
호스트 컴퓨터(50)는, 제어 장치(100, 200, 300, 400)와 접속되고, 제어 장치(100, 200, 300, 400)와 제휴하여, 기판 처리 시스템(1)이 설치되어 있는 공장 전체의 제조 공정을 관리한다. 모듈 콘트롤러나 이큅먼트(Equipment) 콘트롤러에 의해, 제어 장치(100, 200, 300, 400)가 구성되어도 좋다.
또한, 제어 장치(100, 200, 300, 400) 및 호스트 컴퓨터(50)는, 본 실시 형태에서 나타내는 기판 처리실에서 소정의 가스에 의해 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치(10)를 포함하는 기판 처리 시스템(1)을 제어하는 제어 장치의 일례이다.
[기판 처리 장치의 구성]
계속해서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 구성의 일례에 대해 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2에 나타내는 기판 처리 장치(10)는 클러스터 구조(멀티 챔버 타입)의 장치이다.
도 2의 기판 처리 장치(10)는 기판 처리실 PM(Process Module)1~4, 반송실 VTM(Vacuum Transfer Module), 로드록실 LLM(Load Lock Module)1, 2, 로더 모듈 LM(Loader Module), 로드 포트 LP(Load Port)1~3 및 퍼지 스토리지 PS(Purge Storage)를 가진다. 기판 처리실 PM1~PM4에서는, 웨이퍼 W에 소망하는 처리가 실시된다.
기판 처리실 PM1~PM4는 반송실 VTM에 인접하여 배치된다. 기판 처리실 PM1~PM4를 총칭하여, 기판 처리실 PM이라고도 한다. 기판 처리실 PM1~PM4와 반송실 VTM은 게이트 밸브 GV의 개폐에 의해 연통한다. 기판 처리실 PM1~PM4는 소정의 진공 분위기로 감압되고, 그 내부에서 웨이퍼 W에 에칭 처리, 성막 처리, 클리닝 처리, 애싱 처리 등의 처리가 실시된다.
반송실 VTM의 내부에는, 웨이퍼 W를 반송하는 반송 장치 VA가 배치되어 있다. 반송 장치 VA는 굴신(屈伸) 및 회전이 자유로운 2개의 로봇 암 AC, AD를 가진다. 각 로봇 암 AC, AD의 선단부에는, 각각 픽 C, D가 장착되어 있다. 반송 장치 VA는, 픽 C, D의 각각 웨이퍼 W를 유지 가능하고, 게이트 밸브 GV의 개폐에 따라 기판 처리실 PM1~PM4와 반송실 VTM의 웨이퍼 W의 반입 및 반출을 행한다. 또한, 반송 장치 VA는 로드록실 LLM1, 2에의 웨이퍼 W의 반입 및 반출을 행한다.
로드록실 LLM1, 2는 반송실 VTM와 로더 모듈 LM의 사이에 마련되어 있다. 로드록실 LLM1, 2는, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환하여 웨이퍼 W를 대기측의 로더 모듈 LM으로부터 진공측의 반송실 VTM으로 반송하거나, 진공측의 반송실 VTM으로부터 대기측의 로더 모듈 LM으로 반송하거나 한다.
로더 모듈 LM의 긴 변의 측벽에는, 로드 포트 LP1~LP3이 마련되어 있다. 로드 포트 LP1~LP3에는, 예를 들면 25매의 웨이퍼 W가 수납된 FOUP 또는 빈 FOUP가 탑재된다. 로더 모듈 LM은 로드 포트 LP1~LP3 내의 FOUP로부터 반출된 웨이퍼 W를 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나에 반입한다. 또한, 로더 모듈 LM은 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나로부터 반출된 웨이퍼 W를 FOUP에 반입한다.
또한, 로더 모듈 LM의 긴 변의 측벽에는, 로드 포트 LP1~LP3과 함께 퍼지 스토리지 PS가 마련되어 있다. 퍼지 스토리지 PS에는, 로더 모듈 LM에 의해 처리 완료된 웨이퍼 W가 반입되고, 대기 분위기에서 일시적으로 유지되고, N2 퍼지된다. 또한, 일시적으로 유지된 처리 완료된 웨이퍼 W는 로더 모듈 LM에 의해 로드 포트 LP1~LP3 내의 FOUP에 반입된다.
기판 처리 장치(10)를 제어하는 제어 장치(100)는 제어부의 일례인 CPU(Central Processing Unit)(101), ROM(Read Only Memory)(102), RAM(Random Access Memory)(103) 및 HDD(Hard Disk Drive)(104)를 가진다. 제어 장치(100)는 HDD(104)에 한정하지 않고 SSD(Solid State Drive) 등의 다른 기억 영역을 가져도 좋다. HDD(104), RAM(103) 등의 기억 영역에는, 프로세스의 순서, 프로세스의 조건, 반송 조건 등이 설정된 레시피가 저장되어 있다. 또, 이 이후 CPU(101)를 제어부(101)라고도 칭한다.
CPU(101)는, 레시피에 따라 각 기판 처리실 PM에서의 웨이퍼 W의 처리를 제어하고, 웨이퍼 W의 반송을 제어한다. HDD(104)나 RAM(103)에는, 후술하는 기판 반송 처리나 클리닝 처리를 실행하기 위한 프로그램이 기억되어도 좋다. 기판 반송 처리나 클리닝 처리를 실행하기 위한 프로그램은 기억 매체에 저장되어 제공되어도 좋고, 네트워크를 통해 외부 장치로부터 제공되어도 좋다.
또한, RAM(103)에는, 기판 처리의 조건을 나타내는 처리 조건 테이블(103A)과, QCM의 측정 결과가 축적되는 측정 결과 테이블(103B)이 기억되어 있다. 처리 조건 테이블(103A) 및 측정 결과 테이블(103B)에 대해서는 후술한다.
또한, 제어 장치(200, 300, 400) 및 호스트 컴퓨터(50)는 각각 동일한 구성을 가져도 좋다.
기판 처리실 PM, 반송실 VTM, 로드록실 LLM, 로더 모듈 LM 및 로드 포트 LP 및 퍼지 스토리지 PS의 수는, 본 실시 형태에서 나타내는 개수에 한정되지 않고, 몇개이더라도 좋다. 후술하는 바와 같이, 로드 포트 LP에는 FOUP가 탑재되고, FOUP 내에는 모니터가 설치된다. 모니터는 FOUP 내에 1개 이상 설치된다.
[로드 포트 및 FOUP의 구성]
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 로드 포트 LP 및 FOUP(60)의 구성의 일례에 대해 도 3을 참조하면서 설명한다. 또, 도 3에서는, 로드 포트 LP에 FOUP(60)가 탑재된 상태를 나타내고 있다. 또한, 로드 포트 LP는, 제어 장치(100)로부터의 지령에 의해, FOUP(60) 내의 퍼지를 실행한다.
도 3(a)에서, FOUP(60)는, 앞쪽이 개구된 상자 모양의 형상을 갖고 있고, 이 개구를 밀폐하는 덮개(61)를 구비하고 있다. FOUP(60)의 하면은, 로더 모듈 LM을 형성하는 격벽(11)의 바깥쪽에 마련된, 로드 포트 LP의 탑재대(12)에 의해 지지된다. FOUP(60)는, FOUP 반송 장치(40)에 의해 기판 처리 장치(10)의 외부로부터 반송되고, 탑재대(12)의 상면에 탑재된다. 또, 로더 모듈 LM 내에는, 위쪽으로부터 아래쪽으로 향하는 가스 흐름, 소위 다운 플로우가 형성되어 있다.
탑재대(12)는 격벽(11)의 외면에 마련된 지지 부재(13)에 의해 지지되어 있다. 탑재대(12)의 뒤쪽에는, 계지 부재(14)가 마련되고, 탑재대(12)와 FOUP(60)를 소정의 위치에서 계지(클램프)한다.
격벽(11)에서의 덮개(61)에 대향하는 위치에는, 포트 도어(15)가 마련되어 있다.
포트 도어(15)는 개폐 자유롭게 구성되어 있다. 그 때문에, 포트 도어(15)와 덮개(61)를 접촉하게 한 상태에서 포트 도어(15)를 개폐 조작하는 것에 의해, 덮개(61)를 개폐할 수 있다.
또한, FOUP(60)의 내부에는, 웨이퍼 W가, 예를 들면 25매, 수평 또한 등간격으로 다단으로 배치되어 있다.
FOUP(60)의 내부에는, QCM(Quartz Crystal Microbalance)(70)이 마련되어 있다. QCM(70)은 FOUP(60) 내부의 오염 상태를 검출 가능한 모니터의 일례이다.
QCM(70)은, FOUP(60)의 상면에 마련되어도 좋고, FOUP(60)의 하면에 마련되어도 좋고, 측면으로 마련되어도 좋다. 여기서, 기판 처리실 PM에서 웨이퍼 W의 처리에 사용된 소정의 가스의 종류(무게)에 따라, 가스가 체류하는 개소에 QCM(70)을 부착하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 오염 상태를 고정밀도로 검출할 수 있다. 또한, QCM(70)은 FOUP(60)의 내부에 복수 마련되어도 좋다.
FOUP(60)의 내부에는, QCM(70)의 측정 결과를 외부로 송신하는 송신기(80)가 마련되어 있다. 또한, 송신기(80)에는, 전원이 내장되어 있다. 또, QCM(70)의 구동 전력은, FOUP(60)가 탑재되는 탑재대에 마련된 도시하지 않은 커넥터로부터 공급되어도 좋고, QCM(70)에 내장된 전원으로부터 공급되어도 좋다.
또한, QCM(70)의 측정 결과는, FOUP(60)가 탑재되는 탑재대(12)에 마련된 도시하지 않은 커넥터를 거쳐서 제어 장치(100)에 출력되거나, 또는 송신기(80)를 거쳐서 제어 장치(100)에 송신된다. 이것에 의해, 제어 장치(100)는 FOUP(60)가 검출한 FOUP(60) 내부의 오염 상태를 나타내는 정보를 취득할 수 있다.
도 3(b)에 나타내는 바와 같이, FOUP(60)의 바닥부의 4모서리에는, 예를 들면 3개의 가스 공급구(62)와, 1개의 가스 배기구(63)가 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 가스 공급구(62) 중 2개는 덮개(61)와 반대측에, 1개는 덮개(61)측에 각각 배치되어 있다. 가스 배기구(63)는 덮개(61)측에 배치되어 있다.
가스 공급구(62)에는, 퍼지 가스로서 예를 들면 N2 가스를 공급하는 도시하지 않은 가스 공급원이, 도 3(a)에 나타내는 급기관(16)을 거쳐서 접속되어 있다. 또한, 가스 배기구(63)에는, 도시하지 않은 배기 기구가, 배기관(17)을 거쳐서 접속되어 있고, 각 가스 공급구(62)로부터 공급된 N2 가스를 배기할 수 있다.
급기관(16)에는, 파티클이나 수분을 제거하는 필터(18)가 마련되어 있다.
또한, 덮개(61)와 반대측에 마련된 2개의 가스 공급구(62)에는, FOUP(60) 내를 연직 위쪽으로 연장되는 다공질체(64)가 마련되어 있다. 다공질체(64)는 가스 공급구(62)로부터 공급된 N2 가스를 각 웨이퍼 W간에 균등하게 분배한다.
또한, 배기관(17)에는, 역류 방지 밸브(19)가 마련되고, FOUP(60)에 외부로부터 가스가 역류하는 것을 방지한다.
[FOUP 퍼지 장치의 구성]
본 실시 형태에서는, FOUP 퍼지 장치(20)는, 도 3으로부터 로더 모듈 LM을 형성하는 격벽(11)을 생략한, 로드 포트 LP와 동일한 구성을 가지고 있다. 또한, FOUP 퍼지 장치(20)는, 제어 장치(200)로부터의 지령에 의해, FOUP(60) 내의 퍼지를 실행한다.
[FOUP 스토커의 구성]
계속해서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 FOUP 스토커(30)의 구성의 일례에 대해 도 4를 참조하면서 설명한다. FOUP 스토커(30)는, FOUP 반입출구(31)를 갖고, FOUP(60)를 일시적으로 보관하는 보관고이다.
FOUP 스토커(30)는, 1 또는 복수의 FOUP의 보관 장소에, FOUP 퍼지 장치(20)와 동일한 FOUP 퍼지 기구를 가져도 좋다. 또한, FOUP 스토커(30)는, 제어 장치(300)로부터의 지령에 의해, FOUP(60) 내의 퍼지를 실행한다.
[웨이퍼 W의 반송]
다음에, 웨이퍼 W의 반송에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 우선, 웨이퍼 W는, 로드 포트 LP1~LP3에 탑재된 FOUP(60) 중 어느 하나로부터 반출되고, 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나에 반입된다. 구체적으로는, 웨이퍼 W는, 로드 포트 LP1~LP3 중 어느 하나에 탑재된 FOUP(60)로부터 반출되고, 로더 모듈 LM을 거쳐서 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나로 반송된다.
웨이퍼 W가 반입된 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나에서는, 배기 처리(진공 흡인)가 행해져, 실내가 대기 분위기로부터 진공 분위기로 전환된다. 이 상태에서 웨이퍼 W는 반송 장치 VA에 의해 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나로부터 반출되고, 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나로 반입되고, 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나에서 웨이퍼 W의 처리가 개시된다.
예를 들면, 기판 처리실 PM1에 웨이퍼 W가 공급되고, 플라즈마 에칭 처리가 실행되는 경우의 일례를 설명한다. 기판 처리실 PM1에서 소정의 가스로부터 플라즈마가 생성되고, 그 플라즈마의 작용에 의해 기판 처리실 PM1의 탑재대에 탑재된 웨이퍼 W가 플라즈마 처리된다. 처리 후, 기판 처리실 PM1 내부는 N2 가스로 퍼지된다.
그 후, 게이트 밸브 GV가 열리고, 처리 완료된 웨이퍼 W가 반출되고, 반송실 VTM에 반입된다. 또한, 처리 완료된 웨이퍼 W는 반송 장치 VA에 의해 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나에 반입된다. 처리 완료된 웨이퍼 W가 반출된 로드록실 LLM1, 2 중 어느 하나의 내부는 진공 분위기로부터 대기 분위기로 전환된다. 계속해서, 처리 완료된 웨이퍼 W는 로더 모듈 LM을 거쳐서 로드 포트 LP1~LP3 중 어느 하나에 탑재된 FOUP(60)에 반입된다.
이 때, FOUP(60) 내에서는, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스나 기판 처리실 PM1~PM4로부터 확산되어 오는 가스 성분에 의해, 처리전 웨이퍼 W가 변질되거나, 웨이퍼 W 상에 형성된 디바이스에 디펙트(결함)가 생기거나, 디바이스 특성에 변화가 생기거나 할 우려가 있다.
그래서, 본 실시 형태에서는, FOUP(60) 내에서, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스나 기판 처리실 PM1~PM4로부터 확산되어 오는 가스 성분을 QCM(70)에 의해 측정하고, 측정 결과에 따라 FOUP(60) 내의 이상을 검지할 수 있고, 필요한 경우에는 리커버리 처리를 실행한다. 이것에 의해, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스에 의한 영향을 저감할 수 있다.
[QCM]
이하에, 도 5를 참조하면서, QCM(70)에 대해 간단히 설명한다. QCM(70)은 수정판(71)을 2매의 전극(72)의 사이에 둔 수정 진동자를 지지체(73)로 지지한 구성을 가진다. QCM(70)의 수정 진동자의 표면에 이물이 부착되면, 그 중량에 따라, 이하의 식으로 나타내는 QCM(70)의 공진 주파수 f가 변동한다.
f=1/2t(√C/ρ)
t: 수정판의 두께, C: 탄성 정수, ρ: 밀도
이 현상을 이용하여, 공진 주파수 f의 변화량에 의해 미량인 부착물을 정량적으로 측정할 수 있다. 공진 주파수 f의 변화는 수정 진동자에 부착된 물질에 의한 탄성 정수의 변화와 물질의 부착 두께를 수정 밀도로 환산했을 때의 두께 치수로 정해진다. 이것에 의해, 공진 주파수 f의 변화를 부착물의 중량으로 환산할 수 있다.
이러한 원리를 이용하여, QCM(70)은 공진 주파수 f를 나타내는 검출치를 출력한다. 예를 들면, 제어부(101)는, QCM(70)으로부터 출력된 검출치에 근거하여, 주파수의 변화를 부착물의 중량으로 환산하는 것에 의해, 막 두께 또는 성막 속도를 산출할 수 있다. 또, QCM(70)이 검출한 공진 주파수 f는 FOUP(60) 내부의 오염 상태를 나타내는 정보의 일례이다.
QCM(70)은, 수정 진동자를 사용한 미량 부착물 모니터이고, 얇은 수정판의 양면에 전극을 마련한 구조를 가지고 있다. QCM(70)의 표면에 이물이 부착되면 수정판의 중량이 증가하여, 진동의 주파수가 조금 저하하기 때문에, 이것을 전용의 회로로 모니터링한다. 수정판의 구조나 회로에 따라 바뀌지만, 1ng 이하의 이물의 부착을 검지할 수 있는 것도 있고, 매우 고감도인 센서이다.
또한, QCM(70)은, 공간 내의 가스를 직접 계측하는 것이 아니고, QCM(70)의 표면에 부착된 것을 계측하는 것임이 중요하다. 즉, 단지 처리후 웨이퍼로부터 가스가 방출되어도, 그것이 다른 웨이퍼나 FOUP(60)의 내벽에 부착, 반응하지 않으면, 아무런 문제를 일으키지 않는다. 그 때문에, FOUP(60) 내의 웨이퍼 등에 직접 영향을 주는, 「표면에 부착, 흡착, 반응하는」 가스를 모니터링할 필요가 있기 있으므로, 이물 부착 모니터인 QCM(70)이 최적의 센서라고 말할 수 있다.
여기서, QCM(70)을 에칭 장치에 설치하고, 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스 성분을 모니터링한 결과를 도 6에 나타낸다. 도 6으로부터, 시간에 따라 주파수가 선형적으로 변화하고 있어, 센서로서 이용 가능하다는 것을 알 수 있다.
또한, QCM(70)의 표면에는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 미리 레지스트, Si, SiO2 및 SiN 중 어느 하나로 피복된 막(74)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 막(74)은 기판 처리실 PM에서 웨이퍼 W에 처리를 행할 때에 부착되는 지배적인 막을 선택하는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, QCM(70)은, 표면에 부착된 이물을 계측하는 것이기 때문에, QCM(70)의 표면을 웨이퍼 W의 표면에 근접한 상태로 하는 것에 의해, 주파수의 변화를 고정밀도로 검출할 수 있다. 단, QCM(70)의 표면은 반드시 레지스트, Si, SiO2 및 SiN에 의해 피복되어 있지 않아도 좋다.
또, 좁은 폐쇄 공간에 아웃 가스원이 되는 물질이 존재하고 있으면, 그 중에서도 특히 재부착되기 쉬운, 즉 오염을 일으키기 쉬운 성분이 QCM(70)의 표면에 부착되고, 중량 변화로서 계측된다. 아웃 가스의 발생량이 증가하면, QCM(70)은 이것에 추종하여 반응한다.
여기서, FOUP(60) 내를 모의(模擬)한 좁은 폐쇄 공간(배관)에 QCM(70)을 설치하고, QCM(70)의 표면에 부착된 이물의 중량을 모니터링한 결과를 도 8에 나타낸다. 도 8로부터, 아웃 가스원을 도입한 직후, 및 아웃 가스원을 가열한 직후에, QCM(70)의 표면에 부착된 이물의 중량이 변화하고 있다는 것을 알 수 있다.
[제어부의 처리]
그래서, 제어 장치(100, 200, 300, 400) 및 호스트 컴퓨터(50)는 QCM(70)으로부터 오염 상태를 나타내는 정보의 일례로서 수정 진동자의 주파수를 수신한다.
그리고, 제어부(101)는, 수정 진동자의 주파수의 변화량이 미리 정해진 임계치를 넘은 경우에, FOUP(60) 내부의 이상을 검지한다. 또한, 제어부(101)는, FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 에러 통지를 행한다. 또, 에러의 통지처는, 예를 들면 오퍼레이터용의 모니터 장치나 다른 제어 장치(100, 200, 300, 400) 및 호스트 컴퓨터(50) 등이어도 좋다.
또한, 제어부(101)는, FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 필요에 따라, 이하에 나타내는 리커버리 처리를 실행한다.
구체적으로는, 제어부(101)는, 기판 처리 장치(10) 내에서 FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 이하의 리커버리 처리 중 적어도 어느 하나를 실행할 수 있다. 이하, 기판 처리 장치(10) 내에 FOUP(60)가 탑재되어 있는 상태에서 행하는 리커버리 처리를 도크시의 리커버리 처리라고도 한다.
(1) FOUP(60)의 내부에 N2 가스 등의 불활성 가스를 도입한다.
(1-1) 이상의 검지 상태에 따라, 불활성 가스의 유량을 제어한다.
(1-2) 이상의 검지 상태에 따라, 불활성 가스의 도입 시간을 제어한다.
(2) FOUP(60) 내의 웨이퍼 W를 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나에 반송하고, 소정의 가스에 의해 재차 웨이퍼 W를 처리한다.
(3) 기판 처리실 PM에서의 웨이퍼 W의 처리 조건을 변경한다.
제어부(101)는, 기판 처리 장치(10) 외에서 FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 이하의 리커버리 처리 중 어느 하나를 실행해도 좋다. 이하, 기판 처리 장치(10) 외에 FOUP(60)가 탑재되어 있는 상태에서 행하는 리커버리 처리를, 언도크시의 리커버리 처리라고도 한다.
(1) FOUP(60)를 로드 포트 LP, 퍼지 스토리지 PS, FOUP 퍼지 장치(20) 또는 FOUP 스토커(30)에 반송하고, FOUP(60)의 내부에 N2 가스 등의 불활성 가스를 도입한다.
(2) 이상을 검지한 FOUP(60) 내부의 웨이퍼 W를 기판 처리 장치(10)의 퍼지 스토리지 PS 또는 FOUP 스토커(30)에 반송하고, 퍼지 스토리지 PS 또는 FOUP 스토커(30)에서, 반송한 웨이퍼 W를 소정 시간 유지한다.
또한, 제어부(101)는, 1번 리커버리 처리를 실행한 후에, QCM(70)의 측정 결과에 근거하여, FOUP(60) 내부의 이상을 재차 검지하고, FOUP(60) 내부의 이상을 재차 검지한 경우에, FOUP(60) 내의 웨이퍼 W를 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나에 반송하고, 소정의 가스에 의해 재차 웨이퍼 W를 처리하는 리커버리 처리, 또는 기판 처리실 PM에서의 웨이퍼 W의 처리 조건을 변경하는 리커버리 처리를 실행해도 좋다.
또한, 제어부(101)는, 1번 리커버리 처리를 실행한 후에, QCM(70)의 측정 결과에 근거하여, FOUP(60) 내부의 이상을 재차 검지하고, FOUP(60) 내부의 이상을 재차 검지한 경우에, 웨이퍼 W의 결함을 검사하는 장치에 의해, FOUP(60) 내부의 웨이퍼 W의 패턴 검사를 실행해도 좋다.
또한, 제어부(101)는, QCM(70)의 측정 결과를 RAM(103)의 측정 결과 테이블(103B)에 축적하고, 축적한 소정 시간 내의 측정 결과에 근거하여, FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 상기의 리커버리 처리를 실행해도 좋다.
[도크시의 실시간 리커버리 처리]
다음에, 일 실시 형태에 따른는 리커버리 처리의 일례에 대해 도 9의 흐름도를 이용하여 설명한다. 본 처리는, 예를 들면 FOUP(60)가 기판 처리 장치(10)의 로드 포트 LP에 탑재되고, 웨이퍼 W에 대해서 처리 또는 반송이 행해지고 있는 상태(도크시)에서, 제어부(101)에 의해 실행된다.
본 처리가 개시되면, 제어부(101)는 FOUP(60)에 설치된 QCM(70)(수정 진동자)에 의한 측정을 개시한다(스텝 S11). 또, FOUP(60)에 복수의 QCM(70)이 설치되어 있는 경우, 복수의 QCM(70)의 각각에 의해 측정이 개시된다.
계속해서, 제어부(101)는 소정 시간에 대한 QCM(70)의 주파수의 변화량을 산출한다(스텝 S12). 여기서, 소정 시간으로서는, 예를 들면 QCM(70)이 측정한 가장 가까운 시점에서의 수개~수십개의 측정치를 측정하는 시간이라도 좋다.
다음에, 제어부(101)는 QCM(70)의 주파수의 변화량이 미리 정해진 제 1 임계치보다 큰지 여부를 판정한다(스텝 S13). 제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 1 임계치 이하라고 판정한 경우, 스텝 S11로 되돌아가서, 스텝 S11~S13의 처리를 반복한다. 제 1 임계치는, 미리 정해진 FOUP(60) 내의 이상을 검지하기 위한 값이고, 제 1 임계치 이상인 경우, FOUP(60) 내는 비정상이라고 판정된다.
제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 1 임계치 이상이라고 판정한 경우, 에러 통지를 행한다(스텝 S14). 예를 들면, 오퍼레이터용의 모니터 장치 등에 에러 통지된다.
계속해서, 제어부(101)는, 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 퍼지 시간에 따라, 로드 포트 LP에 의해, FOUP(60)의 내부에 N2 가스 등의 불활성 가스를 도입한다(스텝 S15).
FOUP(60)가 로드 포트 LP에 탑재되고, 웨이퍼 W에 대해 처리가 행해지고 있는 상태에서는, FOUP(60)의 덮개(61)가 열려 있기 때문에, FOUP(60)의 내부에 도입된 불활성 가스가 덮개(61)로부터 배기되지만, 상술한 바와 같이 다운 플로우가 형성되어 있으므로, 기판 처리실 PM이 오염되는 일은 없다.
또한, 제어부(101)는, 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 퍼지 스토리지 유지 시간에 따라, 웨이퍼 W에 대해, 퍼지 스토리지 PS에서 유지하는 시간을 연장한다(스텝 S16). 또, 스텝 S15 및 스텝 S16는 어느 한쪽만이 실행되어도 좋다.
다음에, 제어부(101)는 소정 시간에 대한 QCM(70)의 주파수의 변화량을 산출한다(스텝 S17). 여기서의 소정 시간은 스텝 S12를 실행할 때의 최근의 소정 시간이다.
다음에, 제어부(101)는 QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 1 임계치보다 큰지 여부를 판정한다(스텝 S18). 제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 1 임계치 이하라고 판정한 경우, 본 처리를 종료한다.
제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 1 임계치보다 크다고 판정한 경우, 에러 통지를 행한다(스텝 S19).
계속해서, 제어부(101)는, FOUP(60) 내부의 웨이퍼 W를 퍼지 스토리지 PS에 반송하고, 퍼지 스토리지 PS에서 웨이퍼 W를 유지하거나, FOUP(60) 내부의 웨이퍼 W를 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나에 반송하고, 재클리닝을 실행한다(스텝 S20).
이 때, 퍼지 스토리지 PS에서의 웨이퍼 W의 유지는 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 퍼지 스토리지 유지 시간에 따라 실행된다. 또한, 기판 처리실 PM에서의 재클리닝은 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 드라이 클리닝(DC)의 시간에 따라 실행된다.
여기서, 퍼지 스토리지 PS에서의 웨이퍼 W의 유지, 또는 기판 처리실 PM에서의 재클리닝 대신에, 웨이퍼 W에 대한 후처리로서, 애싱이나 웨이퍼 W의 가열, 도시하지 않은 세정 장치에서의 표면 처리를 실행할 수 있다. 이들 처리는 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 처리 조건에 근거하여 실행된다.
다음에, 제어부(101)는, 예를 들면 QCM(70)의 주파수의 변화량에 근거하여, 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)의 각 조건을 갱신하고(스텝 S21), 본 처리를 종료한다. 또, 갱신한 처리 조건 테이블(103A)은 다음의 사이클에서의 리커버리 처리에 적용된다. 또, 스텝 S20 및 스텝 S21는 어느 한쪽만이 실행되어도 좋다. 또한, 스텝 S14, S19의 에러 통지는 행하지 않아도 좋다.
이와 같이, FOUP(60)가 기판 처리 장치(10)의 로드 포트 LP에 탑재되고, 웨이퍼 W에 대해 처리가 행해지고 있는 상태에서 FOUP(60) 내부의 이상이 검지된 경우에, 2단계의 리커버리 처리를 실시간으로 실행하는 것에 의해, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스에 의한 영향을 저감할 수 있다.
[언도크시의 실시간 리커버리 처리]
다음에, 일 실시 형태에 따른 리커버리 처리의 일례에 대해 도 10의 흐름도를 이용하여 설명한다. 본 처리는, 웨이퍼 W에 대한 처리가 종료되고, FOUP(60)가 기판 처리 장치(10)의 외부에 있는 상태(언도크시)에서, 제어부(101)에 의해 실행된다.
본 처리가 개시되면, 제어부(101)는 FOUP(60)에 설치된 QCM(70)(수정 진동자)에 의한 측정을 개시한다(스텝 S31).
계속해서, 제어부(101)는 소정 시간에 대한 QCM(70)의 주파수의 변화량을 산출한다(스텝 S32).
다음에, 제어부(101)는 QCM(70)의 주파수의 변화량이 미리 정해진 제 2 임계치보다 큰지 여부를 판정한다(스텝 S33). 제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 2 임계치 이하라고 판정한 경우, 스텝 S31로 되돌아가서, 스텝 S31~S33의 처리를 반복한다. 또, 제 2 임계치는, 제 1 임계치와 동일한 값이어도, 상이한 값이어도 좋다.
제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 2 임계치보다 크다고 판정한 경우, 에러 통지를 행한다(스텝 S34).
계속해서, 제어부(101)는, FOUP 반송 장치(40)의 제어 장치(400)에 대해 지령을 내리고, FOUP(60)를 기판 처리 장치(10), FOUP 퍼지 장치(20) 및 FOUP 스토커(30) 중 어느 하나에 반송시킨다(스텝 S35).
다음에, 제어부(101)는, 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 퍼지 시간에 따라, 로드 포트 LP 또는 FOUP 퍼지 장치에 의해, FOUP(60)의 내부에 N2 가스 등의 불활성 가스를 도입한다(스텝 S36).
또한, FOUP(60)가 기판 처리 장치(10)에 반송된 경우에는, 제어부(101)는, 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 퍼지 스토리지 유지 시간에 따라, FOUP(60) 내의 웨이퍼 W를 퍼지 스토리지 PS에서 유지한다(스텝 S37). 또, 스텝 S36 및 스텝 S37은 어느 한쪽만이 실행되어도 좋다.
다음에, 제어부(101)는 소정 시간에 대한 QCM(70)의 주파수의 변화량을 산출한다(스텝 S38).
다음에, 제어부(101)는 QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 2 임계치보다 큰지 여부를 판정한다(스텝 S39). 제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 2 임계치 이하라고 판정한 경우, 본 처리를 종료한다.
제어부(101)는, QCM(70)의 주파수의 변화량이 제 2 임계치보다 크다고 판정한 경우, 에러 통지를 행한다(스텝 S40).
계속해서, 제어부(101)는, FOUP(60) 내부의 웨이퍼 W를 기판 처리실 PM1~PM4 중 어느 하나에 반송하고, 재클리닝을 실행하거나, 웨이퍼 W의 결함을 검사하는 장치에 의해, FOUP(60) 내부의 웨이퍼 W의 패턴 검사를 실행한다(스텝 S41).
이 때, 기판 처리실 PM에서의 재클리닝은 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 드라이 클리닝(DC)의 시간에 따라 실행된다.
여기서, 기판 처리실 PM에서의 재클리닝 대신에, 웨이퍼 W에 대한 후처리로서, 애싱이나 웨이퍼 W의 가열, 도시하지 않은 세정 장치에서의 표면 처리를 실행할 수 있다. 이들 처리는 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)에 기재된 처리 조건에 근거하여 실행된다.
다음에, 제어부(101)는, 예를 들면 QCM(70)의 주파수의 변화량에 근거하여, 도 11에 나타낸 처리 조건 테이블(103A)의 각 조건을 갱신하고(스텝 S42), 본 처리를 종료한다. 또, 스텝 S41의 재클리닝 및 패턴 검사는 한쪽 또는 양쪽 실행되어도 좋다.
이와 같이, 웨이퍼 W에 대한 처리가 종료하고, FOUP(60)가 기판 처리 장치(10)로부터 떨어져 있는 상태에서 FOUP(60) 내부의 이상이 검지된 경우에, 2단계의 리커버리 처리를 실시간으로 실행하는 것에 의해, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스에 의한 영향을 저감할 수 있다. 단, 리커버리 처리는, 1단계이어도 좋고, 3단계 이상의 리커버리 처리를 실행해도 좋다.
또, 처리 조건 테이블(103A)은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 퍼지 스토리지 유지 시간 등의 처리 조건이 설정된 테이블이다. 처리 조건 테이블(103A)은, 제어 장치(100) 내에 기억되어도 좋고, 호스트 컴퓨터(50)에 기억되어도 좋고, 제어 장치(100)에 네트워크를 거쳐서 접속되는 클라우드 컴퓨터에 기억되어도 좋다.
[QCM의 측정 결과의 축적 처리]
다음에, 일 실시 형태에 따른 측정 결과의 축적 처리의 일례에 대해 도 12의 흐름도를 이용하여 설명한다. 본 처리는, 예를 들면 FOUP(60)에 마련된 송신기(80)로부터 송신되는 QCM(70)의 측정 결과를 수신함으로써, 제어부(101)에 의해 실행된다.
본 처리가 개시되면, 제어부(101)는 FOUP(60)에 설치된 QCM(70)에 의한 측정을 개시한다(스텝 S51).
계속해서, 제어부(101)는, QCM(70)의 측정 결과를 RAM(103)의 측정 결과 테이블(103B)에 축적하고(스텝 S52), 처리를 종료한다.
상기 QCM의 측정 결과의 축적은, 도 12에 나타내는 바와 같이 이상 검지의 처리와는 다른 타이밍에 별도로 실행되어도 좋고, 도 10에 나타내는 QCM의 측정 및 이상 검지의 처리와 동시에 측정 결과 테이블(103B)에 축적해도 좋다.
또한, 측정 결과 테이블(103B)에는, 도 6에 나타내는 소정의 시간 경과에 따른 주파수를 축적해도 좋다. 측정 결과 테이블(103B)은, 제어 장치(100) 내에 기억되어도 좋고, 호스트 컴퓨터(50)에 기억되어도 좋고, 제어 장치(100)에 네트워크를 거쳐서 접속되는 클라우드 컴퓨터에 기억되어도 좋다.
[축적된 QCM의 측정 결과에 근거하는 비실시간 리커버리 처리]
다음에, 일 실시 형태에 따른 리커버리 처리의 일례에 대해 도 13의 흐름도를 이용하여 설명한다. 본 처리는, 예를 들면 FOUP(60)가 기판 처리 장치(10)의 로드 포트 LP에 탑재되고, 웨이퍼 W에 대해 처리 또는 반송이 행해지고 있는 상태(도크시)에서, 제어부(101)에 의해 실행된다.
본 처리가 개시되면, 제어부(101)는 RAM(103)에 기억된 측정 결과 테이블(103B)을 읽어들인다(스텝 S61).
계속해서, 제어부(101)는, 측정 결과 테이블(103B)에 근거하여, 경과 시간에 따른 소정 시간에 대한 QCM(70)의 주파수의 변화량을 산출한다(스텝 S62). 여기서, 소정 시간으로서는, 1로트 전의 측정 결과 테이블(103B)의 정보의 대응하는 소정 시간을 사용해도 좋고, 수로트 전의 측정 결과 테이블(103B)의 정보를 사용해도 좋다.
다음에, 제어부(101)는 QCM(70)의 주파수의 변화량이 미리 정해진 제 3 임계치보다 큰지 여부를 판정한다(스텝 S63). 또, 제 3 임계치는 제 1 임계치, 제 2 임계치과 동일한 값이어도, 상이한 값이어도 좋다.
또, 이 이후의 처리는, 임계치가 제 3 임계치인 것 이외는 상술한 도 9의 스텝 S14 이후(도크시의 리커버리 처리의 경우), 또는 도 10의 스텝 S34 이후(언도크시의 리커버리 처리의 경우)의 흐름도와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
이와 같이, 제어부(101)가, QCM(70)의 측정 결과를 RAM(103)의 측정 결과 테이블(103B)에 축적하고, 축적한 소정 시간 내의 측정 결과에 근거하여, FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 비실시간으로 리커버리 처리를 실행하는 것에 의해, 장기간에서 FOUP(60) 내부의 오염 상태를 파악하고, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스에 의한 영향을 저감할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 FOUP(60)에 의하면, 웨이퍼 W를 수납하는 FOUP(60)이고, FOUP(60)의 내부에, 오염 상태를 검출 가능한 QCM(70)을 갖고, FOUP(60)의 내부의 오염 상태를 검출하는 FOUP(60)가 제공되므로, FOUP(60)의 내부의 오염 상태를 검출할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 제어 장치에 의하면, 웨이퍼 W를 수납하는 FOUP(60)의 내부에 마련된 QCM(70)이 검출한 FOUP(60)의 내부의 오염 상태를 나타내는 정보를 취득하고, 취득한 오염 상태를 나타내는 정보에 근거하여, FOUP(60)의 내부의 이상을 검지하고, FOUP(60) 내부의 이상을 검지한 경우에, 리커버리 처리를 실행한다. 그 때문에, 처리 완료된 웨이퍼 W로부터의 아웃 가스에 의한 영향을 저감할 수 있다.
이상, 기판 수납 용기, 제어 장치 및 이상 검지 방법을 상기 실시 형태에 의해 설명했지만, 본 발명에 따른 기판 수납 용기, 제어 장치 및 이상 검지 방법은, 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은 모순되지 않는 범위에서 조합될 수 있다.
예를 들면, FOUP에 설치하는 모니터는, QCM에 한정되지 않고, QCM 이외의 센서를 이용해도 좋다. 모니터의 다른 예로서는, 정전 용량식의 센서가 생각된다. 정전 용량식의 센서에서는, 정전 용량을 계측함으로써, 반응 생성물의 퇴적량을 측정할 수 있다.
또한, 제어부는, FOUP에 웨이퍼가 반입된 직후의 단시간에서의 QCM의 주파수의 변화량(변화 속도)을 산출하고, 이 변화 속도가 미리 정해진 임계치도 큰 경우에, 반입된 웨이퍼에 의한 아웃 가스의 영향이 크다고 하고, 당해 웨이퍼에 대한 재클리닝을 실행해도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에는, 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 장치뿐만 아니라, 그 외의 장치를 적용할 수 있다. 그 외의 장치로서는, 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma), 래디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리곤파 여기형 플라즈마(HWP: Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 이온 가속기 공명 플라즈마(ECR: Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등이어도 좋다. 또한, 반응성 가스와 열에 의해 에칭이나 성막 처리를 행하는 플라즈마리스(plasmaless)의 장치여도 좋다.
또한, 본 명세서에서는, 웨이퍼에 대해 설명했지만, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.
10: 기판 처리 장치
20: FOUP 퍼지 장치
30: FOUP 스토커
50: 호스트 컴퓨터
60: FOUP
70: QCM
100: 제어 장치
200: 제어 장치
300: 제어 장치
400: 제어 장치
PM: 기판 처리실
PS: 퍼지 스토리지

Claims (20)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판 처리실에서 소정의 가스에 의해 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치의 제어 장치로서,
    기판을 수납하는 기판 수납 용기의 내부에 마련된 모니터가 검출한 상기 기판 수납 용기의 내부의 오염 상태를 나타내는 정보를 취득하고,
    취득한 상기 오염 상태를 나타내는 정보에 근거하여, 상기 기판 수납 용기의 내부의 이상을 검지하고,
    상기 이상을 검지한 경우에, 리커버리 처리를 실행하는 제어부를 가지고,
    상기 제어부는, 상기 기판 처리 장치의 외부에서 상기 기판 수납 용기의 내부의 이상을 검지한 경우, 이상을 검지한 상기 기판 수납 용기를 상기 기판 처리 장치의 로드 포트, 퍼지 스토리지, FOUP 퍼지 장치 또는 FOUP 스토커에 반송하고, 상기 로드 포트, 상기 퍼지 스토리지, 상기 FOUP 퍼지 장치 또는 FOUP 스토커에서 상기 기판 수납 용기의 내부에 불활성 가스를 도입시키는 리커버리 처리를 실행하거나, 혹은 이상을 검지한 상기 기판 수납 용기의 내부의 기판을 상기 퍼지 스토리지 또는 FOUP 스토커에 반송하고, 상기 퍼지 스토리지 또는 FOUP 스토커에서, 반송한 기판을 소정 시간 유지하는 리커버리 처리를 실행하고,
    상기 제어부는, 상기 리커버리 처리 후에, 취득한 상기 오염 상태를 나타내는 정보에 근거하여, 상기 기판 수납 용기의 내부의 이상을 재차 검지하고, 상기 이상을 재차 검지한 경우에, 기판의 결함을 검사하는 장치에 의해, 상기 기판 수납 용기의 내부의 기판의 패턴 검사를 실행하는
    제어 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 이상을 검지한 경우에, 에러 통지를 행하는
    제어 장치.
  7. 삭제
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는, 취득한 상기 오염 상태를 나타내는 정보를 축적한 기억부를 참조하여, 축적한 소정 시간 내의 상기 오염 상태를 나타내는 정보에 근거해서, 상기 기판 수납 용기의 내부의 이상을 검지한 경우에, 리커버리 처리를 실행하는
    제어 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기판 처리 장치의 내부에서 상기 기판 수납 용기의 내부의 이상을 검지한 경우, 상기 기판 수납 용기의 내부에 불활성 가스를 도입시키는 리커버리 처리, 상기 기판 처리실에서 소정의 가스에 의해 재차 기판을 처리하는 리커버리 처리, 및 상기 기판 처리실에서의 기판의 처리 조건을 변경하는 리커버리 처리 중 적어도 어느 하나의 리커버리 처리를 실행하는
    제어 장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 리커버리 처리 후에, 취득한 상기 오염 상태를 나타내는 정보에 근거하여, 상기 기판 수납 용기의 내부의 이상을 재차 검지하고, 상기 이상을 재차 검지한 경우에, 상기 기판 처리실에서 소정의 가스에 의해 재차 기판을 처리하는 리커버리 처리, 또는 상기 기판 처리실에서의 기판의 처리 조건을 변경하는 리커버리 처리를 실행하는
    제어 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 5 항에 있어서,
    상기 모니터는 수정 진동자인
    제어 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수정 진동자의 표면에는 미리 레지스트, Si, SiO2 및 SiN 중 어느 하나가 피복되어 있는
    제어 장치.
  16. 제 5 항에 있어서,
    상기 모니터는 기판 처리실에서 기판의 처리에 사용된 소정의 가스의 종류에 따라 상기 기판 수납 용기의 내부의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 어느 하나에 마련되는
    제어 장치.
  17. 대기 분위기 하에서 기판을 반송하는 로더 모듈과,
    상기 로더 모듈에 접속되는 로드 포트와,
    상기 로드 포트에 재치되는 기판 용기와,
    상기 기판 용기의 내부의 오염 상태를 검출하는 모니터와,
    진공 분위기 하에서 상기 기판을 반송하는 반송실과,
    상기 로더 모듈과 상기 반송실 사이에 배치되는 로드록실과,
    상기 반송실에 접속되는 복수의 기판 처리실과,
    컨트롤러로서,
    상기 복수의 기판 처리실 중 하나에서 상기 기판을 처리하고,
    상기 반송실, 상기 로드록실 및 상기 로더 모듈을 통해 상기 기판 용기에 처리한 상기 기판을 반송하고,
    상기 모니터에 의해 상기 기판 용기의 내부의 오염 상태를 검출하고,
    검출한 상기 오염 상태에 기초하여 리커버리 처리를 실행하는,
    상기 컨트롤러를 구비하고,
    상기 리커버리 처리는, 상기 기판 용기의 내부에 배치된 처리한 상기 기판을 상기 반송실, 상기 로드록실 및 상기 로더 모듈을 통해 상기 복수의 기판 처리실 중 어느 하나로 반송하는 것과, 처리한 상기 기판을 클리닝하는 것을 포함하는
    기판 처리 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 모니터는 수정 진동자인
    기판 처리 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 수정 진동자의 표면에는 미리 레지스트, Si, SiO2 및 SiN 중 어느 하나가 피복되어 있는
    기판 처리 시스템.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 모니터는 기판 처리실에서 기판의 처리에 사용된 소정의 가스의 종류에 따라 상기 기판 용기의 내부의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 어느 하나에 마련되는
    기판 처리 시스템.
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