KR100855325B1 - 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

개시된 기판 처리 장치는 공정 챔버, 공정 챔버로부터 기판을 전달받아 이송시키는 트랜스퍼 챔버, 및 트랜스퍼 챔버에 인접하게 배치되며, 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 전달된 기판의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부, 측정된 기판의 온도에 대응하여 기판의 온도를 조정하기 위한 냉각부 및 기판의 온도를 조정하기 위하여 냉각부를 제어하는 제어부를 포함하는 로드락 챔버를 포함한다. 따라서, 기판 처리 장치는 공정이 완료된 기판의 온도를 측정하여 냉각함으로써, 냉각된 기판의 이송 시기를 정확히 예측할 수 있다. 이에 기판의 불량을 방지하고 전체적인 공정 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{LOADLOCK CHAMBER, APPARATUS OF TREATING SUBSTRATE AND METHOD OF TREATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 로드락 챔버를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 처리 장치 200 : 로드 포트
300 : 기판 전달 모듈 400 : 로드락 챔버
410 : 기판 지지부 420 : 온도 측정부
430 : 냉각부 440 : 냉각 가스 생성부
450 : 제어부 500 : 트랜스퍼 챔버
600 : 공정 챔버
본 발명은 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 장치 내에서 기판을 이송하는 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 집적 회로 소자는 반도체 기판 등을 이용하여 제조되는 반도체 소자, 유리 기판 등을 이용하여 제조하는 평판 디스플레이 소자 등을 포함한다. 그리고, 집적 회로 소자는 기판 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다. 각각의 공정에서 기판은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 공정 챔버에 장착되어 처리된다.
이에 최근에는 반도체 장치의 미세화 및 고집적화에 따라 공정의 고정밀도화, 복잡화, 기판의 대구경화 등이 요구되고 있으며, 복합 공정의 증가나 매엽식화에 수반되는 스루풋(Throughput)의 향상이라는 관점에서 반도체 장치는 제조 공정에 사용되는 복수개의 공정 챔버들을 포함한다. 특히, 반도체 장치의 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 클러스터 타입의 반도체 제조 장치가 널리 사용된다.
예를 들어, 반도체 제조 장치는 기판에 대한 일련의 공정이 진행되는 공정 챔버, 기판을 전달받아 외부로 이송시키는 트랜스퍼 챔버 및 트랜스퍼 챔버로부터 기판을 전달받는 로드락 챔버를 포함한다. 한편, 일련의 공정을 거친 기판은 일반적으로 고온의 상태이므로, 로드락 챔버는 기판을 일정 온도까지 적절하게 냉각시켜 외부로 이송한다.
이때, 공정의 종류 및 강도에 따라 기판의 온도가 비균일할 수 있다. 따라서, 로드락 챔버가 일률적으로 기판을 냉각하는 경우, 전달 시의 온도에 대응하여 반출되는 기판의 온도는 불규칙하게 된다. 예를 들어, 기판에 대한 냉각 공정이 장시간 또는 급격하게 진행되는 경우, 기판이 변형되거나 손상될 가능성이 있다. 또한, 기판에 대한 냉각 공정이 단시간 진행되어 기판이 충분히 냉각되지 못하는 경우, 기판을 전달받아 이송하는 장치가 고온에 의해 손상될 가능성이 있다. 따라서, 냉각 공정에서 적절한 냉각이 진행되는 시간 및 냉각 가스 및/또는 냉각수의 양을 정확하게 예측하여 기판을 냉각시켜야 할 필요성이 대두된다.
본 발명의 일 목적은 반도체 장치 내에서 기판의 온도를 측정하여 냉각 공정을 진행하는 로드락 챔버를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 로드락 챔버를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 로드락 챔버를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버는 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 상기 전달된 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부, 상기 측정된 기판의 온도에 대응하여 상기 기판의 온도를 조정하기 위한 냉각부, 및 상기 기판의 온도를 조정하기 위하여 상기 냉각부를 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 온도 측정부는 적외선 카메라가 될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 냉각부는 상기 기판 지지부의 상부에 배치되는 가스 분사부를 포함하고, 상기 가스 분사부를 통하여 냉각 가스를 제공하여 상기 기판의 온도를 조정한다. 또한, 상기 냉각 가스는 N2 가스를 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기한 로드락 챔버는 전달된 기판의 온도를 측정한 후에 냉각함으로써, 적절한 냉각 공정의 시간을 예측하여 전체적인 냉각 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버로부터 기판을 전달받아 이송시키는 트랜스퍼 챔버, 및 상기 트랜스퍼 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 상기 전달된 기판의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부, 상기 측정된 기판의 온도에 대응하여 상기 기판의 온도를 조정하기 위한 냉각부, 및 상기 기판의 온도를 조정하기 위하여 상기 냉각부를 제어하는 제어부를 포함하는 로드락 챔버를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 온도 측정부는 적외선 카메라가 될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 냉각부는 상기 기판 지지부의 상부에 배치되는 가스 분사부를 포함하고, 상기 가스 분사부를 통하여 냉각 가스를 제공하여 상기 기판의 온도를 조정한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판들이 수용된 용기가 놓이는 로드 포트, 상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버의 사이에 배치되며, 상기 용기로부터 상기 기판을 반출입하는 기판 전달 모듈을 더 포함한다.
이에 따라, 상기한 기판 처리 장치는 전달된 기판의 온도를 측정한 후에 냉각함으로써, 적절한 냉각 공정의 시간을 예측하여 전체적인 냉각 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 로드락 챔버 내에 형성된 기판 지지부가 기판을 전달받아 지지하는 단계, 온도 측정부가 상기 전달된 기판의 온도를 측정하는 단계, 및 냉각부가 상기 측정된 온도에 대응하여 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 냉각된 기판을 외부로 이송하는 단계를 더 포함한다.
이러한 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 로드락 챔버는 전달된 기판의 온도를 측정한 후에 냉각함으로써, 적절한 냉각 공정의 시간을 예측하여 전체적인 냉각 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 기판이 적절하게 냉각되어 외부로 이송됨으로써, 기판의 불량을 방지하여 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 기판, 챔버 및 장치들의 두께와 크기 등은 그 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 이하에서 설명하는 로드락 챔버는 기판을 처리하는 장치, 즉 기판 식각 장치 기판 애싱(ashing) 장치 등 모두에 적용할 수 있음은 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 로드락 챔버를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 로드 포트(200), 기판 전달 모듈(300), 로드락 챔버(400), 트랜스퍼 챔버(500) 및 공정 챔버(600)를 포함한다.
로드 포트(200)는 후술할 공정 챔버(600)들에서 처리되는 복수 개의 기판(W)들이 적재된 용기(도시되지 않음)가 자동화 시스템(도시되지 않음)에 의해 형성된다. 용기는 동일한 공정이 수행되는 복수 개의 기판(W)들을 소정 단위 개수로 수용하여 각 공정 챔버 등의 공정 설비로 이송하기 위한 수단으로, 예를 들어, 전면 개방 일체식 포드(Front Opening Unified Pod : FOUP)가 사용된다.
기판 전달 모듈(300)은 로드 포트(200)의 일 측과 인접하게 배치된다. 기판 전달 모듈(300)은 이송 수단(310)을 포함한다. 이송 수단(310)은 로드 포트(200)의 용기에 적재된 기판(W)을 반출입한다.
트랜스퍼 챔버(500)는 후술할 로드락 챔버(400)의 일 측에 배치된다. 트랜스퍼 챔버(500)는 내부에 배치된 이송 로봇(510)을 포함한다. 이송 로봇(510)는 로드락 챔버(400)로부터 전달받은 기판(W)을 공정 챔버(600)로 이송시킨다. 또한, 이송 로봇(510)는 기설정된 공정이 완료된 기판(W) 및 세정 공정이 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(400)로 전달한다.
공정 챔버(600)들은 다양한 기판 공정을 수행하는 다수의 챔버들로 마련될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(600)들은 기판(W) 상에 물질막의 증착을 위해 반응 가스들을 공급하도록 구성된 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 증착된 물질막의 식각을 위해 가스를 공급하도록 구성된 식각 챔버 또는 사진 공정 후 기판(W) 상에 남아 있는 감광막 층을 제거하도록 구성된 에싱(Ashing) 챔버 등을 포함한다.
로드락 챔버(400)는 기판 전달 모듈(300)의 일 측에 배치된다. 로드락 챔버(400)는 공정 챔버(600)들로 이송되는 기판(W)들이 임시적으로 놓이는 로딩 챔버와 공정이 완료되어 공정 챔버(600)들로부터 전달받은 기판(W)들이 임시적으로 놓이는 언로딩 챔버를 포함한다. 기판(W)이 로드락 챔버(400) 내로 이송되면, 컨트롤러(도시되지 않음)가 로드락 챔버(400)의 내부를 감압하여 초기 저진공 상태로 만들고, 이를 통해 외부 물질이 공정 챔버(600)들 및 트랜스퍼 챔버(500)로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
로드락 챔버(400)는 기판 지지부(410), 온도 측정부(420), 냉각부(430), 냉각 가스 생성부(440) 및 제어부(450)를 포함한다.
기판 지지부(410)는 기판(W)을 전달받아 지지한다. 기판 지지부(410)는 트랜 스퍼 챔버(500)의 이송 로봇(510)으로부터 전달된 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(410)는 예를 들어, 정전력에 의해 기판(W)을 흡착 지지하는 정전척(electro static chuck : ESC)을 포함한다. 이와 달리, 기판 지지부(410)는 기계적 클램핑 방식에 의하여 기판(W)을 고정할 수 있다. 또한, 기판 지지부(410)는 진공 압에 의해 기판(W)을 흡착 지지하는 방식의 진공척(vacuun chuck)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(410)는 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해, 기판(W)보다 넓은 면의 지지면을 가진다.
온도 측정부(420)는 예를 들어, 로드락 챔버(400)의 내부에 배치된다. 이와 달리, 온도 측정부(420)는 로드락 챔버(400)의 외부에 배치되어, 소정의 측정 라인(도시되지 않음)에 의해 기판(W)과 연결될 수 있다.
온도 측정부(420)는 전달된 기판(W)의 온도를 측정한다. 온도 측정부(420)는 예를 들어, 적외선 카메라이다. 예를 들어, 온도 측정부(420)는 비접촉식 적외선 카메라를 포함한다. 구체적으로, 비접촉식 적외선 카메라는 적외선을 기판(W)에 조사하여 기판(W)으로부터 반사되는 적외선을 입력받아 열정보를 검출하는 것이다. 이와 같이, 온도 측정부(420)가 비접촉식 적외선 온도계를 포함하는 경우, 온도 측정부(420)는 로드락 챔버(400)의 외부에 배치될 수 있다. 이와 달리, 온도 측정부(420)는 열화상 적외선 카메라를 포함할 수 있다. 구체적으로, 열호상 적외선 카메라는 물체 자체, 즉 기판(W)으로부터 나오는 적외선을 입력받아 열정보를 검출하는 것이다. 따라서, 온도 측정부(420)가 열화상 적외선 카메라를 포함하는 경우, 온도 측정부(420)는 로드락 챔버(400)의 내부에 배치되는 것이 바람직하다. 이와 달리, 온도 측정부(420)는 기판(W)의 온도를 적절하게 측정할 수 있다면, 다양한 종류의 온도 측정 수단들을 포함할 수 있으며, 각각의 온도 측정 수단들은 다양한 위치에 배치될 수 있을 것이다.
한편, 온도 측정부(420)는 전달된 기판(W)의 온도를 측정하여 제어부(450)에 온도 정보를 제공함으로써, 기판의 냉각 공정에서 예를 들어, 기판의 냉각에 사용되는 냉각 가스의 분사량을 조절하기 위한 것이다. 따라서, 온도 측정부(420)가 일련의 공정이 진행된 기판(W)의 온도를 측정하여, 냉각부(430)가 상기 측정한 온도에 대응하여 냉각 가스를 적절히 분사함으로써, 기판(W)이 적절한 온도까지 냉각될 수 있다.
냉각부(430)는 측정된 온도에 대응하여 기판(W)의 온도를 조정한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 냉각부(430)는 기판(W)에 냉각 가스를 분사한다. 예를 들어, 냉각 가스는 N2 가스를 포함할 수 있다. 이와 달리, 냉각부(430)는 기판을 냉각시킬 수 있다면 다양한 냉각 가스를 포함할 수 있으며, 따라서 냉각 가스는 N2 가스에 한정되지 않는다고 할 것이다.
냉각부(430)는 예를 들어, 돔 형태의 샤워 헤드의 형상을 가질 수 있다. 즉, 냉각부(430)는 샤워 헤드를 가지며, 복수개의 가스 분출홀들을 갖는다. 이에, 냉각부(430)는 복수개의 가스 분사홀들을 통하여 방사상의 형태로 냉각 가스를 분사한다. 따라서, 냉각부(430)는 냉각 가스를 기판(W) 상의 전면에 균일하게 분사할 수 있다. 이에 기판(W)은 전체적으로 균일하게 냉각될 수 있다. 이와 달리, 냉각부는 샤워 헤드의 형상을 가지고, 기판(W)의 상부에 배치되어 기판(W)에 냉각 가스를 분 사하는 형태가 아니라, 기판 지지부(410)에 냉각 가스가 공급되는 냉각 가스 라인(도시되지 않음)을 통하여 냉각 가스를 공급할 수도 있다.
예를 들어, 냉각 가스 생성부(440)는 냉각 가스를 생성하여 냉각부(430)에 냉각 가스를 제공한다. 따라서, 냉각부(430)는 냉각 가스 생성부(440)로부터 생성된 냉각 가스를 냉각 공급 라인을 통하여 전달받아, 기판(W)의 전면에 분사한다. 이와 달리, 기판 처리 장치(100)는 냉각 가스가 아닌 별도의 냉각 부재를 생산하여 냉각부(430)에 제공하는 냉각 소스 공급부(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.
제어부(450)는 냉각부(430)가 분사하는 냉각 가스의 양을 조절한다. 제어부(450)는 온도 측정부(420)가 측정한 기판(W)의 온도에 대응하여, 냉각부(430)가 분사할 냉각 가스의 양을 조절한다. 구체적으로, 제어부(450)는 온도 측정부(420)로부터 기판(W)의 온도에 관한 정보를 입력받아, 기설정된 온도와 비교한다. 이에, 측정된 기판의 온도가 기설정된 온도와 차이가 있는 경우, 제어부(450)는 냉각부(430)를 제어하여 분사되는 냉각 가스의 양을 조절한다. 예를 들어, 온도 측정부(420)가 측정한 기판의 온도가 기설정된 온도보다 상대적으로 낮은 경우, 제어부(450)는 분사되는 냉각 가스의 양을 줄이거나 분사되는 시간을 줄이도록 제어한다. 또한, 온도 측정부(420)가 측정한 기판의 온도가 기설정된 온도보다 상대적으로 높은 경우, 제어부(450)는 분사되는 냉각 가스의 양을 늘이거나 분사되는 시간을 늘이도록 제어한다.
이에 따라, 기판(W)은 공정이 완료된 후의 온도에 따라 적절하게 냉각될 수 있다. 따라서, 기판(W)이 일정한 온도까지 균일하게 냉각되어 외부로 이송되므로, 기판(W)이 급격하게 냉각되어 불량이 발생하는 것이 방지된다. 또한, 기판(W)이 충분하게 냉각되지 않고 외부로 이송될 경우, 상기 기판(W)을 전달받은 이송 부재 등이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 전체적인 공정 효율 및 수율이 향상된다.
로드락 챔버(400)는 배기구(460), 배기 라인(470) 및 배기 부재(480)를 더 포함한다. 예를 들어, 배기구(460)는 로드락 챔버(400)의 바닥면에 배치된다. 이와 달리, 배기구(460)은 로드락 챔버(400)의 양 측벽의 하단에 배치될 수 있다. 배기 라인(470)은 배기구(450)와 연결되며, 배기 부재(480)는 배기 라인(470)과 연결된다. 배기 부재(480)는 예를 들어, 로드락 챔버(400)의 내부의 식각 가스 및 세정 가스를 배출하기 위한 배기 펌프 등과 같은 배기 수단을 포함한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 로드락 챔버 내에 형성된 기판 지지부가 기판을 전달받아 지지하는 단계(S100), 온도 측정부가 전달된 기판의 온도를 측정하는 단계(S200), 냉각부가 측정된 온도에 대응하여 기판을 냉각하는 단계(S300) 및 냉각된 기판을 외부로 이송하는 단계(S400)를 포함한다.
구체적으로 살펴보면, 로드락 챔버(400)는 공정 챔버(600)에서 공정이 완료된 기판(W)을 트랜스퍼 챔버(500)를 통해 전달받는다. 예를 들어, 로드락 챔버(400) 내에 배치된 기판 지지부(410)가 기판(W)을 전달받아 지지한다.
이어서, 온도 측정부(420)가 기판 지지부(410) 상에 배치된 기판(W)의 온도 를 측정한다. 앞에서 언급한 바와 같이, 온도 측정부(420)는 예를 들어, 적외선 카메라가 될 수 있다.
이어서, 제어부(450)가 온도 측정부(420)로부터 측정된 온도에 관한 정보를 입력 받아 기설정된 기판(W)의 온도와 비교한다. 이에, 제어부(450)는 측정된 기판(W)의 온도가 기설정된 온도에 비하여 낮은 경우, 냉각부(430)를 제어하여 냉각 가스의 양을 줄이거나 냉각 가스의 분사 시간을 증가시킨다. 또한, 제어부(450)는 측정된 기판(W)의 온도가 기설정된 온도에 비하여 높은 경우, 냉각부(430)을 제어하여 냉각 가스의 양을 늘이거나 분사 시간을 감소시킨다.
그 후, 냉각부(430)는 제어부(450)의 제어에 따라, 기판(W)의 전면에 균일하게 냉각 가스를 분사한다. 예를 들어, 냉각 가스는 N2 가스를 포함한다. 이와 달리, 기판(W)을 충분하게 냉각시킬 수 있다면, 냉각 가스는 다양한 종류의 가스를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판(W)의 공정의 종류 및 강도 등에 관계없이, 로드락 챔버(400)는 기판(W)의 온도를 측정하며 냉각시킨다. 따라서, 기판(W)이 급격하게 냉각되어 기판(W)이 손상되거나 불량해지는 것이 방지된다. 또한, 기판(W)이 적절하게 냉각되지 못하여, 기판(W)을 이송하는 이송 수단이 손상되는 것이 방지된다. 따라서, 로드락 챔버(400)는 온도 측정부(420), 냉각부(430), 제어부(450) 등을 구비하여, 기판(W) 등의 불량을 방지하여 전체적인 공정 효율 및 수율을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 로드락 챔버는 전달받은 기판의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부, 측정된 온도에 대응하여 기판의 온도를 조정하기 위한 냉각부 및 냉각부를 제어하는 제어부를 포함한다. 따라서, 로드락 챔버는 공정의 종류 및 강도에 관계없이 기판을 적절하게 냉각시킴으로써, 외부로 이송할 수 있는 이송 시기를 정확하게 예측할 수 있다. 따라서, 기판 등의 불량을 방지하여 전체적인 공정 효율 및 수율을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부;
    상기 전달된 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부;
    상기 기판 지지부의 상부에 배치되는 가스 분사부를 포함하고, 상기 측정된 기판의 온도에 대응하여 상기 가스 분사부를 통하여 N2 가스를 상기 기판으로 제공하여 상기 기판의 온도를 조정하기 위한 냉각부; 및
    상기 기판의 온도를 조정하기 위하여 상기 냉각부를 제어하는 제어부를 포함하는 로드락 챔버.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 온도 측정부는 적외선 카메라인 것을 특징으로 하는 로드락 챔버.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버로부터 기판을 전달받아 이송시키는 트랜스퍼 챔버; 및
    상기 트랜스퍼 챔버에 인접하게 배치되며, 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 상기 전달된 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부, 상기 측정된 기판의 온도에 대응하여 상기 기판의 온도를 조정하기 위한 냉각부, 및 상기 기판의 온도를 조정하기 위하여 상기 냉각부를 제어하는 제어부를 갖는 로드락 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 온도 측정부는 적외선 카메라인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 기판 지지부의 상부에 배치되는 가스 분사부를 포함하고, 상기 가스 분사부를 통하여 냉각 가스를 제공하여 상기 기판의 온도를 조정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제5 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는
    상기 기판들이 수용된 용기가 놓이는 로드 포트; 및
    상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버의 사이에 배치되며, 상기 용기로부터 상기 기판을 반출입하는 기판 전달 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 로드락 챔버 내에 형성된 기판 지지부가 기판을 전달받아 지지하는 단계;
    온도 측정부가 상기 전달된 기판의 온도를 측정하는 단계; 및
    냉각부가 상기 측정된 온도에 대응하여 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 냉각된 기판을 외부로 이송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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