KR100712942B1 - 기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100712942B1
KR100712942B1 KR1020057016564A KR20057016564A KR100712942B1 KR 100712942 B1 KR100712942 B1 KR 100712942B1 KR 1020057016564 A KR1020057016564 A KR 1020057016564A KR 20057016564 A KR20057016564 A KR 20057016564A KR 100712942 B1 KR100712942 B1 KR 100712942B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
processing system
moisture
water
Prior art date
Application number
KR1020057016564A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050107782A (ko
Inventor
다다히로 오미
아키노부 데라모토
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
다다히로 오미
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사, 다다히로 오미 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20050107782A publication Critical patent/KR20050107782A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100712942B1 publication Critical patent/KR100712942B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 세정에 의해 기판에 부착된 수분을 완전히 제거하여, 그 기판을 수분을 제거한 상태로 성막 장치에 반송하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 기판 처리 시스템(1)으로서, 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치(3)와, 상기 세정 장치(3)에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치(4)와, 상기 수분 제거 장치(4)에 의해 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부(7)를 구비한다.

Description

기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 전공정에서는, 예컨대 웨이퍼 표면에 게이트 절연막이나 게이트 전극막을 형성하는 성막 처리가 이루어지고 있다.
이 게이트 절연막이나 게이트 전극막 등의 성막 처리는 통상 감압 환경 하에서 웨이퍼에 대하여 원료를 가스 상태 또는 플라즈마 상태로 공급하여, 웨이퍼 표면에 있어서의 화학 촉매 반응에 의해서 웨이퍼 표면에 박막을 퇴적시키는 CVD 장치나, 막 재료를 이온 충격에 의해서 스퍼터시켜 웨이퍼 표면에 물리적으로 박막을 퇴적시키는 스퍼터링 장치 등의 성막 장치에 의해 이루어지고 있다.
그런데, 이들 성막 장치에 있어서 웨이퍼에 성막 처리가 실시되기 전에는, 웨이퍼에 부착되어 있는 유기물이나 금속 등의 불순물을 제거하는 웨이퍼의 세정 처리가 이루어진다. 이것은, 웨이퍼에 불순물이 부착되어 있으면, 그 불순물에 의해서 막 형성이 방해를 받아 웨이퍼에 원하는 막이 형성되지 않기 때문이다. 이 세정 처리는 상기 성막 장치와 독립적으로 설치된 세정 장치에 있어서 웨이퍼에 세정 액을 공급함으로써 이루어지고 있다. 또한, 세정 장치에서는 예컨대 웨이퍼를 세정액으로 세정한 후에, 웨이퍼를 고속 회전시켜 건조시키는 웨이퍼의 털기 건조가 이루어지고 있다(예컨대, 일본국 특허 공개 공보 특허 공개 2002-219424호).
따라서, 종래 웨이퍼는 상기 세정 장치에 있어서 세정액을 이용하여 세정되고, 털기 건조된 후, 상기 성막 장치로 반송되어 성막되고 있었다.
그러나, 전술한 세정 장치에서 이루어지는 털기 건조에서는 실제로는, 웨이퍼에 부착된 수분이 완전히 제거되지 못하고 있었다. 또한, 세정 장치에서 성막 장치로 웨이퍼를 반송할 때에, 웨이퍼에 대기 속의 수분이 부착되는 경우가 있었다. 이와 같이 웨이퍼 상에 수분이 남아 있는 상태로 성막 처리가 이루어지면, 그 수분이 전술한 성막 장치에 있어서의 막 형성을 방해하여, 양질의 막이 형성되지 않는다. 특히 최근, 수 nm 정도까지 박막화가 진행되고 있기 때문에, 약간의 수분이 부착되더라도 막 형성에 큰 영향을 미친다. 또한 세정 장치에는, 세정액을 이용하지 않는 건식으로 된 것도 있지만, 습식에 비해서 일반적으로 세정 능력이 낮아, 당초 불순물을 충분히 제거할 수 없다고 하는 문제가 있다. 그 때문에, 세정 장치는 습식을 이용하는 쪽이 바람직하다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 세정에 의해 웨이퍼 등의 기판에 부착된 수분을 완전히 제거하고, 그 기판을 수분을 제거한 상태로 성막 장치 등의 다른 처리 장치에 반송할 수 있는 기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 기판 처리 시스템은, 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와, 상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와, 상기 수분 제거 장치에 의해 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 세정 장치에 의해 세정된 기판을 전용의 수분 제거 장치로 건조하고, 그 건조된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 다른 처리 장치로 반송할 수 있다. 따라서, 기판으로부터 수분을 완전히 제거하고, 그 수분을 제거한 상태로 기판을 반송하여, 다른 처리 장치에 있어서 기판을 처리할 수 있다. 이 결과, 기판이 반송처의 처리 장치에 있어서 수분에 방해를 받지 않는 적정한 처리를 실시할 수 있다.
상기 세정 장치에는 상기 수분 제거 장치가 접속되고, 상기 수분 제거 장치에는 상기 반송부가 접속되며, 상기 반송부에는 상기 다른 처리 장치가 접속되어 있더라도 좋다. 이러한 경우, 세정 장치에서부터 수분 제거 장치, 반송부 및 다른 처리 장치로 이어지는 기판의 연속 반송이 원활하게 이루어진다. 한편, 상기 반송부에는 이 기판 처리 시스템에 대하여 외부로부터 기판을 반입하기 위한 반입출부가 접속되어 있더라도 좋다.
상기 수분 제거 장치는 기판을 가열하기 위한 가열 부재를 갖고 있더라도 좋다. 이러한 경우, 기판을 가열함으로써, 기판에 부착되어 있는 수분을 보다 확실하게 제거할 수 있다.
상기 가열 부재는 복사에 의해서 기판을 가열하는 것이라도 좋다. 이 경우, 기판에 대하여 떨어진 위치로부터 열을 공급할 수 있기 때문에, 기판 표면이 균등하게 얼룩짐 없이 가열되어, 기판면 내의 수분을 남김 없이 제거할 수 있다.
상기 수분 제거 장치는 기판을 회전시키기 위한 회전 기구를 구비하고 있더라도 좋다. 이 회전 기구에 의해, 예컨대 고온 가스가 공급되고 있는 기판을 회전시켜, 기판을 보다 균등하게 건조시킬 수 있다.
상기 수분 제거 장치는 기판에 고온 가스를 공급하는 고온 가스 공급부를 구비하고 있더라도 좋다. 이러한 경우에, 고온 가스에 의해서 기판 표면에 부착된 수분을 확실하게 제거할 수 있다. 한편, 상기 고온 가스란, 적어도 상온보다도 높은 온도의 가스를 말한다. 상기 고온 가스는 산소의 함유량이 4 ppm 이하인 것이 바람직하다. 또, 이 고온 가스 공급부를 구비한 수분 제거 장치는 기판을 회전시키기 위한 회전 기구를 구비하고 있더라도 좋다.
상기 수분 제거 장치는 그 수분 제거 장치 내의 수분 농도를 측정하는 수분 농도 측정 부재를 구비하고 있더라도 좋다. 이 경우, 예컨대 수분 제거 중에 수분 제거 장치 내의 수분 농도를 측정함으로써, 예컨대 기판 상에 수분이 없어진 것을 확인할 수 있다. 이 결과, 수분의 제거를 보다 확실하게 행할 수 있다. 한편, 상기 수분 제거 장치는 그 수분 제거 장치 내를 배기하기 위한 배기부를 구비하고, 상기 수분 농도 측정 부재는 상기 배기부에 설치되더라도 좋다.
또한, 본 발명의 기판 처리 시스템은, 상기 수분 제거 장치와 상기 반송부 사이의 기판의 반송구를 개폐하는 셔터와, 상기 수분 농도 측정 부재로부터의 수분 농도의 측정 결과가 출력되어, 그 측정 결과에 기초하여 상기 셔터의 개폐를 제어하는 제어부를 더 구비하고 있더라도 좋다. 이 경우, 예컨대 수분 제거 장치 내의 수분 농도가 소정의 임계치 이하가 되었을 때에 한해, 셔터를 개방할 수 있다. 따라서, 기판으로부터 수분이 충분히 제거되기 전에 기판이 잘못하여 수분 제거 장치로부터 반출되는 일이 없어, 수분이 남아 있는 기판이 다른 처리 장치에서 처리되는 것을 방지할 수 있다.
상기 수분 제거 장치는 그 수분 제거 장치 내를 감압하는 감압 장치를 구비하고 있더라도 좋다. 이 감압 장치에 의해, 예컨대 수분 제거 장치 내의 압력을 세정 장치 내의 압력과 반송부 내의 압력 사이로 감압할 수 있다. 따라서, 기판을 세정 장치, 수분 제거 장치 및 반송부로 순서에 따라 반송할 때에, 점차로 감압되어 가, 압력 변동에 의한 기판에의 부담을 저감시킬 수 있다.
상기 수분 제거 장치에는 그 수분 제거 장치 내의 전체에 산소 가스 이외의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부가 설치되더라도 좋다. 이 가스 공급부에 의해, 수분 제거 장치 내를 저산소 분위기로 유지할 수 있기 때문에, 예컨대 수분 제거 장치 내에서 기판이 산화되어 기판 상의 막이 변질되는 것을 방지할 수 있다.
상기 반송부는 기판의 반송 통로를 덮는 케이싱을 구비하고, 상기 케이싱에는 상기 반송 통로 내에 건조 기체를 공급하는 건조 기체 공급부가 설치되어 있더라도 좋다. 이 건조 기체 공급부로부터 건조 기체를 공급함으로써, 케이싱 내를 건조 분위기로 유지하여, 반송 중인 기판에 수분이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 건조 기체는 산소 가스 이외의 기체라도 좋다.
상기 반송부에는 상기 반송 통로 내의 분위기를 감압하는 감압 기구가 설치되어 있더라도 좋다. 또한, 상기 감압 기구는 상기 반송 통로 내의 압력이 상기 다른 처리 장치 내의 압력과 상기 수분 제거 장치 내의 압력 사이가 되도록 제어할 수 있는 제어부를 구비하고 있더라도 좋다. 즉, 반송 통로 내의 압력을 P1, 다른 처리 장치 내의 압력을 P2, 수분 제거 장치 내의 압력을 P3으로 한 경우, 감압 기구는 P2<P1<P3이 되도록 제어하는 제어부를 구비하고 있더라도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 다른 처리 장치에 있어서의 처리가 높은 감압도로 이루어지더라도, 수분 제거 장치, 반송부, 다른 처리 장치의 순으로 감압도를 올릴 수 있기 때문에, 급격한 감압 변동에 의해서 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
상기 다른 처리 장치는 기판 상에 막을 형성하는 성막 장치라도 좋다. 이러한 경우, 성막 장치에는 수분이 제거된 상태의 기판이 반입되기 때문에, 성막 처리를 적정히 행할 수 있다. 또한, 이 성막 장치를 구비한 기판 처리 시스템은 상기 성막 장치에 있어서 기판 상에 형성된 막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 부재를 더 구비하고 있더라도 좋다. 이 막 두께 측정 부재에 의해, 기판 상에 형성된 막의 막 두께를 조기에 검사할 수 있다. 따라서, 만일 막이 적정히 형성되어 있지 않은 경우에는, 그 기판이 대량으로 제조되기 전에 즉시 성막 장치를 정지하고 그 문제점을 수정할 수 있다. 한편, 상기 다른 처리 장치는 에칭 장치라도 좋다.
또한, 상기 세정 장치는 하우징으로 덮여 있으며, 산소 가스 이외의 가스를 상기 하우징 내에 공급하는 급기부를 구비하고 있더라도 좋다. 세정 장치에 있어서, 기판에 수분이 부착되면, 그 수분에 의해 주변 분위기 중의 산소가 기판과 반응하기 쉽게 된다. 본 발명과 같이 세정 장치가 급기부를 구비하여, 하우징 내에 산소 이외의 가스를 공급함으로써, 하우징 내를 저산소 분위기로 유지하여, 산소와 기판과의 반응을 억제할 수 있다. 따라서, 예컨대 기판 상의 막이 산화되어 막이 변질되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 기판 처리 시스템은 이 기판 처리 시스템 내의 전체를 분위기 제어할 수 있도록 구성되어 있더라도 좋다.
또한, 본 발명에 따르면, 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와, 상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와, 상기 수분 제거 장치에 의해 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치에 반송하기 위한 반송부를 구비하는 기판 처리 시스템을 이용하여, 반도체 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 횡단면의 설명도이다.
도 2는 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도이다.
도 3은 수분 제거 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도이다.
도 4는 수분 제거 장치의 척의 평면도이다.
도 5는 제1 성막 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도이다.
도 6은 제2 성막 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도이다.
도 7은 히터를 구비한 수분 제거 장치 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설 명도이다.
도 8은 막 두께 측정용 프로브를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 횡단면의 설명도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
기판 처리 시스템(1)은 이 처리 시스템에 대하여 외부로부터 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입출부(2)와, 세정액을 이용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치(3)와, 웨이퍼(W)에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치(4)와, 웨이퍼(W) 상에 소정의 막을 형성하는 2대의 성막 장치(5, 6)와, 이들 장치 사이 및 각 장치와 반입출부(2) 사이에서의 웨이퍼(W) 반송을 하기 위한 반송부(7)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
예컨대 반입출부(2)의 X 방향 정방향 측(도 1의 우측)에 반송부(7)가 접속되어 있다. 반송부(7)의 배면측인 Y 방향 정방향 측(도 1의 상측)에, 수분 제거 장치(4)와, 제1 성막 장치(5) 및 제2 성막 장치(6)가 접속되어 있다. 또한, 수분 제거 장치(4)의 배면 측에는 세정 장치(3)가 접속되어 있다. 즉, 수분 제거 장치(4)는 세정 장치(3)와 반송부(7) 사이에 배치되어 있다.
반입출부(2)는 예컨대 카세트 적재대(10)와 반송 챔버(11)가 X 방향(도 1의 좌우 방향)으로 병렬되어 일체로 된 구성을 갖고 있다. 카세트 적재대(10)에는 예컨대 25장의 웨이퍼(W)를 다단으로 배치시켜 수용하는 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 밀폐성을 갖는 카세트(12)를 적재할 수 있다. 카세트 적재대(10)에는 카세트(12)를 Y 방향(도 1의 상하 방향)을 따라서, 예컨대 2개 적재할 수 있다.
반송 챔버(11)는 예컨대 전체가 케이스(13)로 덮여 있으며, 반송 챔버(11) 내에 청정한 기체를 공급하여, 반송 챔버(11) 내를 청정한 분위기로 유지할 수 있다. 반송 챔버(11)에는 카세트(12)로부터 빼내어진 웨이퍼(W)를 위치맞춤하는 얼라이먼트 스테이지(14)가 설치되어 있다. 또한 반송 챔버(11)에는 카세트(12), 얼라이먼트 스테이지(14) 및 반송부(7)에 대하여 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송체(15)가 설치되어 있다.
반송부(7)는 X 방향을 따라서 긴 반송 통로(20)를 갖고, 반송 통로(20)의 X 방향 부방향 측의 일단부는 반입출부(2)의 반송 챔버(11)에 접속되어 있다. 반송부(7)는 반송 통로(20)의 전체를 덮어, 내부를 밀폐할 수 있는 케이싱(21)을 구비하고 있다. 반송 통로(20)에는 반송 통로(20)를 따라서 연장되는 레일(22)이 설치되어 있다. 레일(22) 상에는 스테이지(23)가 설치되어 있고, 이 스테이지(23)는 레일(22)에 부착된 도시하지 않는 모터에 의해서 레일(22) 위를 X 방향으로 이동할 수 있다. 스테이지(23) 상에는 웨이퍼 반송 기구(25)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(25)는 스테이지(23)에 의해서 X 방향을 따라서 이동이 자유롭다.
웨이퍼 반송 기구(25)는 웨이퍼(W)를 유지하는 2라인의 유지 부재(26)와, 이 유지 부재(26)를 지지하며 소정의 수평 방향으로 진퇴가 자유로운 다관절형의 아암(27)을 구비하고 있다. 이 아암(27)은 수직 축 둘레의 e 방향으로 회전이 자유로우며, 유지 부재(26)를 소정의 방향으로 향하게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 반송 기구(25)는 반송부(7)에 접속된 반입출부(2), 수분 제거 장치(4), 성막 장치(5, 6)의 각 정면으로 이동하여, 유지 부재(26)를 수평 방향으로 진퇴시킴으로써, 반입출부(2), 수분 제거 장치(4) 및 성막 장치(5, 6)에 대하여 각각 웨이퍼(W)를 반입출할 수 있다.
반송부(7)의 케이싱(21)에는 반송 통로(20) 내에 예컨대 수분 농도가 1.2% 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하인 건조 기체를 공급하는 건조 기체 공급부로서의 가스 공급관(30)이 접속되어 있다. 가스 공급관(30)은 반송부(7)의 외부에 설치된 가스 공급원(31)에 통하고 있으며, 건조 기체는 이 가스 공급원(31)으로부터 공급된다. 가스 공급관(30)에는 밸브(32), 매스플로우 컨트롤러(33)가 접속되어 있고, 반송 통로(20) 내에는 소정 압력의 가스가 공급된다. 한편, 본 실시형태에서는 건조 기체로서, 산소 가스 이외의 가스, 예컨대 질소 가스가 이용된다.
반송부(7)의 케이싱(21)에는 케이싱(21)의 외부에 설치된 진공 펌프 등의 배기 장치(34)에 통하는 배기관(35)이 접속되어 있다. 배기 장치(34)에는 배기압을 제어할 수 있는 제어부(36)가 설치되어 있어, 케이싱(21) 내를 소정의 압력으로까지 감압할 수 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 배기 장치(34), 배기관(35) 및 제어부(36)에 의해 감압 기구가 구성되어 있다.
반송부(7)와 반송 챔버(11)와의 접속부에는 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송구(40)가 형성되어 있고, 이 반송구(40)에는 게이트 밸브(41)가 설치되어 있다. 이 게이트 밸브(41)에 의해서, 반송 챔버(11)의 분위기와 반송부(7)의 분위기를 차단할 수 있다.
전술한 바와 같이 반송부(7)의 배면 측에는 수분 제거 장치(4), 성막 장치(5, 6)가 길이 방향(X 방향)을 따라서 반입출부(2)측에서부터 차례로 접속되어 있다. 반송부(7)와 각 장치(4∼6)와의 접속부에는 각각 웨이퍼(W)의 반송구(50, 51, 52)가 형성되어 있고, 각 반송구(50∼52)에는 게이트 밸브(53, 54, 55)가 설치되어 있다. 이 각 게이트 밸브(53∼55)에 의해서, 반송부(7)와 각 장치(4∼6)와의 분위기를 차단할 수 있다. 또한, 수분 제거 장치(4)의 배면 측에 위치하는 수분 제거 장치(4)와 세정 장치(3)와의 접속부에도 반송구(56)와 그 게이트 밸브(57)가 설치되어 있다.
세정 장치(3)는 예컨대, 도 2에 도시한 바와 같이 하우징(60) 내에, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 척(61)을 구비하고 있다. 척(61)은 예컨대 도시하지 않는 흡착 기구에 의해 웨이퍼(W)를 흡착 유지할 수 있다. 척(61)은 회전 모터(62)에 의해서 회전 가능하게 구성되어 있다. 이 회전 모터(62)에 의해서, 척(61) 상의 웨이퍼(W)를 소정의 속도로 회전할 수 있다. 척(61)의 바깥쪽에는 척(61)의 주위를 둘러싸는 컵(63)이 마련되어 있다. 컵(63)은 상면이 개구되며 바닥을 갖는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 액체는 이 컵(63)에 의해 받아내어져 회수된다. 컵(63)의 바닥부에는 예컨대 배출구(64)가 형성되어 있어, 컵(63)으로 회수한 액체는 배출구(64)로부터 배출된다.
웨이퍼(W)에 세정액을 공급하는 세정 노즐(65)은 컵(63)의 외측의 대기 위치에서부터 척(61) 상의 처리 위치까지, 예컨대 도시하지 않는 이동 아암에 의해서 이동할 수 있다. 세정 노즐(65)은 예컨대 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 가는 길이 형상 을 갖고, 그 바닥부에는 길이 방향을 따라서 복수의 토출 구멍(66)이 직선형으로 병설되어 있다. 세정 노즐(65)에는 하우징(60)의 외부에 설치된 세정액 공급원(67)에 연통하는 공급관(68)이 접속되어 있다. 따라서, 세정액 공급원(67)으로부터의 세정액이 세정 노즐(65)에 공급되면, 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 직선형으로 배치된 각 토출 구멍(66)으로부터 세정액이 토출된다. 그리고, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W) 전면에 세정액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 불순물을 씻어 낼 수 있다. 또한, 하우징(60)에는 하우징(60)의 외부에 설치된 가스 공급 장치(69)에 연통하는 급기부로서의 가스 급기관(H)이 접속되어 있다. 가스 공급 장치(69)는 가스 급기관(H)을 통하여 하우징(60) 내에 산소 가스 이외의 가스, 예컨대 질소 가스를 공급할 수 있다. 따라서, 이 질소 가스의 공급에 의해서, 하우징(60) 내를 저산소 분위기로 할 수 있다.
수분 제거 장치(4)는 도 3에 도시한 바와 같이 내부가 밀폐 가능하며, 외형이 대략 직방체 형상인 하우징(70)을 갖고 있다. 하우징(70) 내에는 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하는 척(71)이 설치되어 있다. 척(71)은 하우징(70)의 중심보다도 반송부(7)가 접속된 게이트 밸브(53) 측에 설치되어 있다. 척(71)은 예컨대 상면이 개구된 대략 원통 형상으로 형성되어 있고, 평면에서 보아 환상으로 수평의 상단부(71a)를 갖고 있다. 척(71)은 이 상단부(71a)에서 웨이퍼(W)의 주연부를 지지한다. 척(71)의 상단부(71a)에는 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남을 방지하는 핀(72)이 복수개 세워 설치되어 있다. 핀(72)은 예컨대 도 4에 도시한 바와 같이 상단부(71a) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 외형에 따른 위치에 등간격으로 설치되고 있으 며, 각 핀(72)에 의해 웨이퍼(W)의 측면을 외측으로부터 누름으로써 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 척(71)은 도 3에 도시한 바와 같이 회전 모터(73)에 의해 수직 축 둘레로 회전이 자유로우며, 척(71)에 유지된 웨이퍼(W)는 소정의 속도로 회전할 수 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 척(71)과 회전 모터(73)에 의해서 웨이퍼(W)의 회전 기구를 구성하고 있다.
척(71) 상의 웨이퍼(W)에 대향하는 위치에는 웨이퍼(W)의 표면에 고온 가스를 공급하는 제1 가스 공급 노즐(74)이 설치되어 있다. 제1 가스 공급 노즐(74)은 웨이퍼(W)의 중심에서부터 등거리 떨어진, 예컨대 2곳에 설치되어 있다. 척(71)의 내측의 중공부에는 제2 가스 공급 노즐(75)이 설치되어 있다. 제2 가스 공급 노즐(75)의 상면에는 예컨대 2개의 가스 분출구(75a)가 설치되어 있고, 척(71)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 고온 가스를 공급할 수 있다. 가스 분출구(75a)는 도 4에 도시한 바와 같이 평면에서 보아 웨이퍼(W)의 중심부를 원심으로 하는 동일 원주 상에 등간격으로 형성되어 있다. 한편, 본 실시형태에 있어서, 제1 가스 공급 노즐(74)과 제2 가스 공급 노즐(75)이 고온 가스 공급부로서 이용되고 있다.
제1 및 제2 가스 공급 노즐(74, 75)에는 도 3에 도시한 바와 같이 가스 공급장치(76)에 연통한 가스 공급관(77)이 접속되어 있다. 가스 공급관(77)에는 펄프(78), 매스플로우 컨트롤러(79)가 설치되어 있어, 제1 및 제2 가스 공급 노즐(74, 75)로부터는 소정량의 고온 가스를 분출할 수 있다. 또한, 가스 공급 장치(76)는 예컨대 고온 가스의 가열 기구(80)를 구비하고 있다. 따라서, 가스 공급 장치(76)에 있어서 가스를 고온으로 하고, 제1 및 제2 가스 공급 노즐(74, 75)로부터는 소 정 온도의 고온 가스를 분출할 수 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 고온 가스의 종류로서, 웨이퍼(W)의 표면과 반응하지 않는, 예컨대 산소 함유량이 4 ppm 이하인 질소 가스가 이용되고 있다.
또한, 하우징(70)에는 하우징(70) 내의 전체에 가스를 공급하는 가스 공급구(80)가 형성되어 있다. 가스 공급구(80)에는 하우징(70)의 외부에 설치된 가스 공급원(81)에 연통하는 가스 공급부로서의 공급관(82)이 접속되어 있다. 공급관(82)에는 밸브(83), 매스플로우 컨트롤러(84)가 설치되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 가스 공급구(80)로부터 도입되는 가스로서, 상기 제1 및 제2 가스 공급 노즐(74, 75)로부터 분출되는 고온 가스와 동일한 종류의 산소 농도가 4 ppm 이하인 질소 가스가 이용되고 있다.
하우징(70)의 바닥부에는 하우징(70)의 외부에 설치된 펌프 등의 감압 장치(85)에 연통된 배기부로서의 배기관(86)이 접속되어 있다. 이 배기관(86)에 의해서, 하우징(70) 내의 질소 가스를 배기할 수 있다. 또한, 배기관(86)으로부터의 배기에 의해서 하우징(70) 내를 감압시킬 수 있다. 배기관(86)에는 수분 농도 측정 부재로서의 수분 농도 센서(87)가 설치되어 있다. 수분 농도 센서(87)의 측정 결과는 예컨대 셔터로서의 게이트 밸브(53)의 개폐를 제어하는 제어부(88)에 출력할 수 있다. 제어부(88)는 예컨대 하우징(70) 내의 수분 농도에 기초하여 게이트 밸브(83)의 개폐를 제어한다. 따라서, 제어부(88)는 예컨대 하우징(70) 내의 수분 농도가 미리 설정된 임계치 이하로 되었을 때에 게이트 밸브(53)를 개방할 수 있다.
척(71)의 이웃이며, 하우징(70)의 중앙부보다도 세정 장치(3) 측에는 척(71) 과 세정 장치(3) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 웨이퍼 반송체(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(90)는 예컨대 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 부재(91)와, 이 유지 부재(91)를 지지하여 직선적으로 진퇴시키는 다관절형의 아암(92)을 갖고 있다. 아암(92)은 회전이 자유로우며, 유지 부재(91)의 방향을 바꿀 수 있다. 따라서, 척(71) 상의 웨이퍼(W)를 유지 부재(91)로 지지하여 방향을 바꿔, 웨이퍼(W)를 반송구(56)를 통하여 세정 장치(3) 내로 반송할 수 있다.
제1 성막 장치(5)는 예컨대 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)의 표면에 게이트 절연막을 형성하기 위한 플라즈마 처리 장치이다. 제1 성막 장치(5)는 예컨대 도 5에 도시한 바와 같이 상면이 개구되고, 바닥을 지닌 원통형의 진공 용기(100)를 갖고 있다. 진공 용기(100)의 상면의 개구부에는 원반 형상이며 중공인 가스 공급부(101)가 상기 개구부를 막도록 설치되어 있다. 가스 공급부(101)의 하면에는 다수의 가스 공급 구멍(101a)이 형성되어 있어, 가스 공급부(101) 내로 도입되는 반응 가스, 예컨대 실란(SiH4) 가스가 진공 용기(100) 내에 샤워형으로 공급된다. 가스 공급부(101)의 상측에는 안테나(102)가 설치되어 있다. 안테나(102)에는 진공 용기(100)의 외부에 설치된 마이크로파 공급 장치(103)에 연통하는 동축 도파관(104)이 접속되어 있다. 안테나(102)는 수직 방향의 복수의 관통 구멍(102a)을 구비하고 있으며, 마이크로파 공급 장치(103)로부터 동축 도파관(104)을 통하여 전파된 마이크로파는 안테나(102)의 관통 구멍(102a), 가스 공급부(101)를 통해 진공 용기(100) 내에 방사된다. 이 마이크로파의 방사에 의해, 진공 용기(100)의 상부에 플라즈마 발생 영역(P)을 형성할 수 있다.
진공 용기(100) 내부이며, 가스 공급부(101)에 대향하는 위치에는, 웨이퍼(W)를 얹어 놓는 적재대(106)가 설치되어 있다. 적재대(106)에는 예컨대 교류 전원(107)으로부터의 급전에 의해서 발열하는 히터(108)가 내장되어 있어, 이 히터(108의) 발열에 의해서 적재대(106) 상의 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다. 진공 용기(100)의 측벽의 상부 부근에는 가스 공급관(109)이 접속되어 있다. 이 가스 공급관(109)은 예컨대 진공 용기(100)의 내주면을 따라서 환상으로 복수 설치되어 있다. 가스 공급관(109)은 예컨대 산소 가스나 희가스 등의 반응 가스의 공급원(110)에 접속되어 있다. 이 각 가스 공급관(109)과 상기 가스 공급부(101)로부터의 반응 가스의 도입에 의해서, 플라즈마 발생 영역(P)에 반응 가스가 공급되며, 안테나(102)로부터의 마이크로파에 의해서 반응 가스가 플라즈마화된다. 진공 용기(100)의 바닥부에는 터보 분자 펌프 등의 배기 장치(111)에 통하는 배기관(112)이 접속되어 있어, 진공 용기(100) 내부는 소정의 압력으로 감압할 수 있다.
이어서, 제2 성막 장치(6)의 구성을 설명한다. 제2 성막 장치(6)는 예컨대 웨이퍼(W)에 게이트 전극막을 형성하기 위한 CVD 처리 장치이다. 제2 성막 장치(6)는 도 6에 도시한 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 하우징(120)을 갖고, 하우징(120) 내에는 웨이퍼(W)를 얹어 놓는 적재대(121)가 설치되어 있다. 적재대(121)는 하우징(120)의 외부에 설치된 교류 전원(122)으로부터의 급전에 의해서 발열하는 히터(123)가 내장되고 있다. 이 히터(123)의 발열에 의해서 적재대(121) 상의 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다. 또한, 적재대(121)에는 도시하지 않는 회전 기구가 설치 되고 있어, 적재대(121) 상의 웨이퍼(W)를 소정의 회전 속도로 회전할 수 있다.
하우징(120) 내의 상부이며, 적재대(121)에 대향하는 위치에는 웨이퍼(W)의 표면 전면에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 헤드(124)가 설치되어 있다. 가스 공급 헤드(124)는 예컨대 대략 원통 형상으로 형성되어 있다. 가스 공급 헤드(124)의 하면에는 다수의 가스 분출구(125)가 형성되어 있다. 가스 공급 헤드(124)의 상면의 중앙부에는 하우징(120)의 외부에 설치된 가스 공급 장치(126)에 연통하는 가스 도입관(127)이 접속되어 있다. 본 실시형태에서는, 가스 공급 장치(126)로부터 공급되는 가스로서, 예컨대 실란 가스가 이용된다.
하우징(120)의 하부에는 진공 펌프 등의 배기 장치(128)에 통하는 배기관(129)이 접속되어 있고, 이 배기관(129)으로부터의 배기에 의해서, 하우징(120) 내의 분위기를 배출하거나, 하우징(120) 내를 감압할 수 있다.
이상과 같이, 기판 처리 시스템(1)을 구성하는 반입출부(2), 반송부(7), 세정 장치(3), 수분 제거실(4), 제1 성막 장치(5) 및 제2 성막 장치(6)는 각각에 있어서 개별적으로 분위기 제어할 수 있기 때문에, 결과적으로 기판 처리 시스템(1) 내의 전체를 분위기 제어할 수 있다.
기판 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있으며, 이어서 기판 처리 시스템(1)의 작용에 관해서 설명한다. 웨이퍼(W)의 처리시에는, 반송부(7)의 케이싱(21)에 가스 공급관(30)으로부터 건조한 질소 가스가 공급되어, 반송부(7) 내가 건조한 저산소 분위기로 유지된다. 또한, 배기관(35)으로부터 배기가 이루어져, 반송부(7) 내는 소정의 압력으로 감압된다. 예컨대 반송부(7) 내의 압력은 제1 성막 장 치(5)와 제2 성막 장치(6) 내의 압력보다도 높은 압력으로 유지된다. 본 실시형태에 있어서는, 제1 성막 장치(5)에 있어서의 성막 처리는 1.33 Pa∼665 Pa 정도로 이루어지고, 제2 성막 장치(6)에 있어서의 성막 처리는 1.33 Pa∼1330 Pa 정도로 이루어지기 때문에, 반송부(7) 내는 그것보다도 높다, 예컨대 133×102 pa 정도의 감압 분위기로 유지된다.
세정 장치(3)의 하우징(60) 내에는 가스 급기관(H)으로부터 질소 가스가 공급되어, 하우징(60) 내가 저산소 분위기로 유지된다. 세정 장치(3) 내는 예컨대 상압으로 유지되고, 수분 제거 장치(4) 내는 배기관(86)으로부터의 배기에 의해서, 반송부(7)의 압력과 세정 장치(3)의 압력 사이인 133×102 pa∼상압 정도의 압력으로 유지된다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 반송 순서인 세정 장치(3), 수분 제거 장치(4), 반송부(7), 제1 성막 장치(5)의 순으로 감압도가 높게 되고 있다. 또한, 수분 제거 장치(4) 내에는 가스 공급구(80)로부터 질소 가스가 항상 공급되고 있어, 수분 제거 장치(4) 내는 저산소 분위기로 유지되고 있다. 한편, 반송 챔버(11) 내의 압력은 거의 상압으로 유지되어 있다. 기판 처리 시스템(1) 내의 복수의 게이트 밸브(41, 53, 54, 55, 57)는 통상은 폐쇄되어 있으며, 웨이퍼(W)가 통과할 때에만 개방된다.
그리고, 카세트 적재대(10)에 카세트(12)가 적재되면, 웨이퍼 반송체(15)에 의해 카세트(12)로부터 미처리의 웨이퍼(W)가 1장 빼내어져, 얼라이먼트 스테이지(14)로 반송된다. 얼라이먼트 스테이지(14)에 있어서 위치맞춤이 이루어진 웨이퍼 (W)는, 반송구(40)를 통하여 반송부(7) 내로 반송되어, 웨이퍼 반송 기구(25)에 건네어진다. 웨이퍼 반송 기구(25)에 건네어진 웨이퍼(W)는 반송구(50)로부터 수분 제거 장치(4) 내로 반송되어, 척(71)에 건네어진다. 그리고, 척(71)에 건네어진 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(90)에 의해서 세정 장치(3)로 반송된다.
세정 장치(3)에서는, 저산소 분위기 하에서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)에 세정액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)로부터 유기물 등의 불순물이 씻어 내어진다. 세정이 종료된 웨이퍼(W)는 저산소 분위기 내로 유지된 상태로, 웨이퍼 반송체(90)에 의해서 수분 제거 장치(4) 내로 반송되어, 도 3에 도시한 바와 같이 척(71) 상에 지지된다.
척(71) 상에 웨이퍼(W)가 지지되면, 회전 모터(73)에 의해 척(71)이 회전되어, 웨이퍼(W)가 예컨대 2000 rpm 이상, 바람직하게는 3000 rpm 이상의 속도로 회전된다. 계속해서 제1 가스 공급 노즐(74)과 제2 가스 공급 노즐(75)로부터 고온, 예컨대 50℃∼100℃ 정도의 질소 가스가 분출되어, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면과 이면에 고온 가스가 분사된다. 이 고온 가스의 분사에 의해서, 웨이퍼(W)의 양면에 부착되어 있었던 수분이 증발하여 제거된다. 이 때, 웨이퍼(W)에 분사되는 고온 가스의 총 공급량은 예컨대 실내의 상대 습도로부터 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 수분의 분자량을 산출하여, 그 분자량의 수분을 증발시키는 데 필요한 열량으로부터 구하도록 하더라도 좋다.
제어부(88)에서는, 수분 농도 센서(87)에 의해 수분 제거 장치(4) 내의 수분 농도를 항상 모니터링하고 있으며, 예컨대 상기 고온 가스의 공급은 수분 제거 장 치(4) 내의 수분 농도가 미리 설정해 둔 임계치 이하로 저하될 때까지 이루어진다. 수분 농도가 임계치보다 내려가면, 고온 가스의 공급이 정지되고, 웨이퍼(W)의 회전도 정지된다. 또한, 수분 농도가 임계치보다도 내려간 것을 트리거로 하여, 제어부(88)에 의해 게이트 밸브(53)가 개방된다.
게이트 밸브(53)가 개방되면, 웨이퍼 반송 기구(25)의 유지 부재(26)가 수분 제거 장치(4) 내에 진입하여, 웨이퍼(W)를 수취하여 반송부(7)로 반출한다. 그 후 웨이퍼 반송 기구(25)는 레일(22) 위를 제1 성막 장치(5)의 정면까지 이동하여, 반송구(51)로부터 웨이퍼(W)를 제1 성막 장치(5) 내로 반입한다. 그 동안, 웨이퍼(W)는 건조 분위기 내를 통과하기 때문에, 웨이퍼(W)에 수분이 부착되는 일은 없다.
제1 성막 장치(5)에 반송된 웨이퍼(W)는, 적재대(106) 상에 적재되고, 진공 용기(100) 내를 감압한 상태로, 가스 공급관(109)이나 가스 공급부(101)로부터 산소 가스나 실란(SiH4) 가스 등의 반응 가스가 공급되어, 그 반응 가스가 마이크로파에 의해서 플라즈마화된다. 그리고, 그 플라즈마에 의해서 웨이퍼(W)의 표면에서 화학 반응이 일어나, 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘산화막 등의 게이트 절연막이 형성된다. 게이트 절연막이 형성된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 반송부(7)에 반송되어, 반송부(7)를 통하여 제2 성막 장치(6)로 반송된다.
제2 성막 장치(6)에서는, 하우징(120) 내를 감압하고, 웨이퍼(W)를 가열한 상태로, 웨이퍼(W)에 대하여 반응 가스인 예컨대 실란 가스가 공급되어, 웨이퍼(W)의 표면에서 화학 반응을 일으켜 웨이퍼(W) 상에 다결정 실리콘 혹은 TaN, Ta, W, TiN 등의 메탈 재료 등의 게이트 전극막이 형성된다.
게이트 전극막이 형성되면, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해서 반송부(7)로 반출되고, 반송부(7)를 통하여 반송 챔버(11)의 근방까지 반송된다. 그리고, 반송구(40)를 통하여 반송 챔버(11) 내에 반송되어, 웨이퍼 반송체(15)에 의해서 카세트(12)로 되돌려진다. 이렇게 해서 일련의 웨이퍼(W)의 세정 및 성막 처리가 종료된다.
이상의 실시형태에 따르면, 세정 장치(3)의 이웃에 수분 제거 장치(4)를 설치하여, 수분 제거 장치(4)로부터 제1 성막 장치(5)까지의 반송 통로(20)를 갖는 반송부(7)를 건조 분위기로 유지할 수 있도록 했기 때문에, 수분 제거 장치(4)에 있어서 웨이퍼(W)로부터 수분을 충분히 제거하여, 그 상태를 유지하면서 웨이퍼(W)를 제1 성막 장치(5)에 반송할 수 있다. 이 결과, 웨이퍼(W)로부터 수분을 완전히 제거한 상태로 성막 처리를 할 수 있어, 성막 처리가 수분에 의해 방해를 받는 일없이 적정히 이루어진다.
수분 제거 장치(4)에, 제1 가스 공급 노즐(74)과 제2 가스 공급 노즐(75)을 설치했기 때문에, 웨이퍼(W)의 양면에 고온의 질소 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)에서 완전히 수분을 제거할 수 있다. 이 때, 회전 모터(73)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키도록 했기 때문에, 웨이퍼(W)의 전면에 고온의 가스가 골고루 공급되어, 수분을 보다 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 고온의 가스에는 산소의 함유량이 4 ppm 이하인 질소 가스가 이용되었기 때문에, 웨이퍼(W)의 산화를 방지하고, 웨이퍼 표층막의 변질을 방지할 수 있다. 또한, 세정 장치(3)에 가스 급기관(H)을 설치하여, 세정 장치(3)의 하우징(60) 내를 저산소 분위기로 하고, 또한 수분 제거 장치(4)에도 가스 공급관(82)을 설치하여, 케이싱(70) 내를 저산소 분위기로 했기 때문에, 세정 장치(3)에서 웨이퍼(W)에 수분이 부착되고 나서 수분 제거 장치(4)에서 수분이 제거될 때까지의 동안에, 웨이퍼(W)를 시종 저산소 분위기 내로 유지할 수 있다. 이 결과, 수분이 부착되어 산소와 반응하기 쉽게 된 웨이퍼(W)가 산소와 반응하는 것을 방지할 수 있다. 즉 웨이퍼(W)가 산화되어, 웨이퍼의 표층막이 변질되는 것이 방지할 수 있다.
수분 제거 장치(4)의 배기관(86)에 수분 농도 센서(87)를 설치했기 때문에, 수분 제거 장치(4) 내에 수분이 없어진 것, 즉 웨이퍼(W)에 수분이 없어진 것을 검출할 수 있다. 또한, 수분 농도 센서(87)의 계측 결과에 기초하여 게이트 밸브(53)의 개폐를 제어하는 제어부(88)를 구비하였기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 수분이 제거되기 전에 잘못하여 게이트 밸브(53)가 개방되어 웨이퍼(W)가 성막 장치(5)로 반송되는 것을 방지할 수 있다.
반송부(7)에 배기관(35)이나 배기 장치(34)를 구비한 감압 기구를 설치했기 때문에, 반송부(7) 내의 압력을 제1 성막 장치(5) 및 제2 성막 장치(6) 내의 압력보다도 높고, 수분 제거 장치(4) 내의 압력보다도 낮게 할 수 있다. 이렇게 함으로써, 높은 감압 상태에서 처리가 이루어지는 제1 성막 장치(5)로 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 웨이퍼(W)를 단계적으로 감압 분위기에 익숙하도록 해 갈 수 있다. 이 결과, 급격한 압력 변동에 의한 웨이퍼(W)의 파손을 방지할 수 있다. 수분 제거 장치(4)도 세정 장치(3)의 상압보다도 낮은 압력으로 유지했기 때문에, 웨이퍼(W)가 세 정 장치(3)로부터 반송부(7)에 반송될 때에도, 주변 분위기를 서서히 감압해 나갈 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 수분 제거 장치(4) 내에 있어서의 수분의 제거를 제1 및 제2 가스 공급 노즐(74, 75)로부터의 고온 가스를 이용하여 하고 있었지만, 웨이퍼(W)를 복사열에 의해서 가열하는 가열 부재로서의 히터를 이용하여 실시하더라도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 도 7에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면측과 하면측에, 교류 전원(100)으로부터의 급전에 의해 발열하는 히터(101)가 배치된다. 이 히터(101)는 웨이퍼(W)와 비접촉이 되는 위치에 배치되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)에 부착된 수분을 제거할 때는, 웨이퍼(W)를 회전하면서, 웨이퍼(W)의 양면에 히터(101)로부터 복사열이 공급되어 웨이퍼(W)가 가열된다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)가 복사열에 의해서 가열되기 때문에, 열이 웨이퍼(W) 전면에 치우침 없이 보다 확실하게 공급되어, 웨이퍼(W)에 부착된 수분을 남김 없이 제거할 수 있다. 한편, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 부재는 히터에 한정되지 않고, 적외선 램프나, 가열된 가스를 분사함으로써 웨이퍼(W)를 가열하는 열전도를 이용한 것이라도 좋다.
이상의 실시형태에서 기재한 기판 처리 시스템(1)은, 성막 장치에서 형성된 막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 부재를 구비하고 있더라도 좋다. 예컨대 도 8에 도시한 바와 같이 반송부(7) 내의 반송 통로(20) 상에, 레이저광을 이용하여 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 부재로서의 막 두께 측정용 프로브(110)를 설치할 수 있다. 막 두께 측정용 프로브(110)는 예컨대 케이싱(21)의 상면에 부착되어, 위쪽에서부터 아래쪽을 향해서 레이저광을 조사할 수 있게 되어 있다. 그리고, 예 컨대 제1 성막 장치(5)에 의해 게이트 절연막이 형성된 웨이퍼(W)가 반송부(7)를 통해 제2 성막 장치(6)로 반송될 때에, 막 두께 측정용 프로브(110)에 의해서 게이트 절연막의 막 두께가 측정된다. 또한, 제2 성막 장치(6)에 있어서 게이트 전극막이 형성된 웨이퍼(W)가 반입출부(2)에 반송될 때에, 막 두께 측정 프로브(110)에 의해서 게이트 전극막의 막 두께가 측정된다. 이러한 기판 처리 시스템(1)에 따르면, 성막 장치와 동일한 시스템 내에서 막 두께 검사를 할 수 있다. 또한, 막 두께의 문제점을 조기에 검출할 수 있기 때문에, 예컨대 즉시 성막 장치를 정지시켜 레시피를 수정함으로써, 불량 웨이퍼(W)가 대량으로 제조되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 막 두께 측정용 프로브의 설치 위치는 반송부(7)에 한정되지 않고, 예컨대 각 성막 장치 내에 설치하더라도 좋다.
이상, 본 발명의 실시형태의 일례에 관해서 설명했지만, 본 발명은 이 예에 한하지 않고 여러 가지 형태를 채용할 수 있는 것이다. 예컨대 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 세정 장치(3), 수분 제거 장치(4), 제1 성막 장치(5) 및 제2 성막 장치(6)의 배치는 임의로 변경할 수 있다. 또한, 제1 성막 장치(5)나 제2 성막 장치(6)는 게이트 절연막, 게이트 전극막을 성막하는 장치에 한정되지 않고, 다른 막을 성막하는 장치, 예컨대 스퍼터링 장치 등이라도 좋다. 또한, 성막 장치의 수도 2대에 한정되지 않고, 임의로 선택할 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)에는, 제1 및 제2 성막 장치 대신에, CVD 혹은 PVD를 이용한 메탈 형성 장치, 배리어 메탈 형성 장치, 에칭 장치 등의 다른 처리 장치를 설치하더라도 좋다. 이러한 경우, 에칭 장치는 예컨대 상기 제1 성막 장치(5)와 같은 구성을 갖는 플라즈마를 이용한 것이라도 좋다. 본 발명에 적용되는 기판은 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD, 포토마스크용의 유리 기판 등의 다른 기판이라도 좋다. 또한, 본 발명의 기판 처리 시스템은, 전술한 바와 같은 게이트 절연막, 게이트 전극막을 갖는 반도체 장치의 제조에 한정되지 않고, 다른 반도체 장치의 제조에 이용하더라도 좋다.
본 발명에 따르면, 세정된 기판을 수분을 제거한 상태로 다음 처리 장치에 반송할 수 있기 때문에, 그 처리 장치에 있어서 수분에 의해 방해를 받지 않는 적정한 처리가 이루어져, 수율의 향상이 도모된다. 또한, 세정 장치와 같은 습식의 장치와, 수분을 싫어하는 건식의 장치를 동일한 시스템 내에 배치하여, 연속 처리할 수 있기 때문에, 작업 처리량의 향상이 도모된다.
본 발명은 세정 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 세정에 의해 기판에 부착된 수분을 완전히 제거하여, 그 기판을 수분을 제거한 상태로 성막 장치에 반송할 때에 유용하다.

Claims (27)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 기판 처리 시스템으로서,
    세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와,
    상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와,
    상기 수분 제거 장치에서 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부
    를 포함하고,
    상기 수분 제거 장치는 기판을 회전시키기 위한 회전 기구 및 기판에 고온 가스를 공급하는 고온 가스 공급부를 포함하고,
    상기 고온 가스 공급부는 상기 기판의 표면을 향하여 상기 고온 가스를 내뿜는 제1 공급부와, 상기 기판의 이면을 향하여 상기 고온 가스를 내뿜는 제2 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고온 가스에는 산소의 함유량이 4 ppm 이하인 것이 이용되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  8. 제6항에 있어서, 상기 수분 제거 장치는 상기 수분 제거 장치 내를 감압하는 감압 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 제6항에 있어서, 상기 수분 제거 장치에는 상기 수분 제거 장치 내의 전체에 산소 가스 이외의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 기판 처리 시스템으로서,
    세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와,
    상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와,
    상기 수분 제거 장치에서 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부
    를 포함하고,
    상기 수분 제거 장치는 상기 수분 제거 장치 내의 수분 농도를 측정하는 수분 농도 측정 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 수분 제거 장치는 상기 수분 제거 장치 내를 배기하기 위한 배기부를 구비하고,
    상기 수분 농도 측정 부재는 상기 배기부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  12. 제10항에 있어서, 상기 수분 제거 장치와 상기 반송부 사이의 기판의 반송구를 개폐하는 셔터와,
    상기 수분 농도 측정 부재로부터의 수분 농도의 측정 결과가 출력되고, 그 측정 결과에 기초하여 상기 셔터의 개폐를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  13. 제10항에 있어서, 상기 수분 제거 장치는 상기 수분 제거 장치 내를 감압하는 감압 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  14. 제10항에 있어서, 상기 수분 제거 장치에는 상기 수분 제거 장치 내의 전체에 산소 가스 이외의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  15. 기판 처리 시스템으로서,
    세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와,
    상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와,
    상기 수분 제거 장치에 의해 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부
    를 포함하고,
    상기 반송부는 기판의 반송 통로를 덮는 케이싱을 포함하고,
    상기 케이싱에는 상기 반송 통로 내에 건조 기체를 공급하는 건조 기체 공급부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 건조 기체는 산소 가스 이외의 기체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  17. 제15항에 있어서, 상기 반송부에는 상기 반송 통로 내의 분위기를 감압하는 감압 기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 감압 기구는 상기 반송 통로 내의 압력이 상기 다른 처리 장치 내의 압력과 상기 수분 제거 장치 내의 압력 사이가 되도록 제어할 수 있는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  19. 제15항에 있어서, 상기 다른 처리 장치는 기판 상에 막을 형성하는 성막 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  20. 제19항에 있어서, 상기 성막 장치에 있어서 기판 상에 형성된 막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  21. 제15항에 있어서, 상기 수분 제거 장치 내의 압력을 상기 세정 장치 내의 압력보다 낮고 상기 반송부 내의 압력보다 높게 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  22. 제6항, 제10항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다른 처리 장치는 에칭 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  23. 제6항, 제10항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 장치는 하우징으로 덮여 있으며, 산소 가스 이외의 가스를 상기 하우징 내에 공급하는 급기부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  24. 제6항, 제10항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 이 기판 처리 시스템 내의 전체를 분위기 제어할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  25. 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와, 상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와, 상기 수분 제거 장치에서 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부를 포함하고, 상기 수분 제거 장치는 기판을 회전시키기 위한 회전 기구 및 기판에 고온 가스를 공급하는 고온 가스 공급부를 포함하고, 상기 고온 가스 공급부는 상기 기판의 표면을 향하여 상기 고온 가스를 내뿜는 제1 공급부와, 상기 기판의 이면을 향하여 상기 고온 가스를 내뿜는 제2 공급부를 포함하는 것인 기판 처리 시스템을 이용하여, 반도체 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법.
  26. 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와, 상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와, 상기 수분 제거 장치에서 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부를 포함하고, 상기 수분 제거 장치는 상기 수분 제거 장치 내의 수분 농도를 측정하는 수분 농도 측정 부재를 구비하는 것인 기판 처리 시스템을 이용하여, 반도체 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법.
  27. 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 세정 장치와, 상기 세정 장치에 의해 세정된 기판에 부착된 수분을 제거하는 수분 제거 장치와, 상기 수분 제거 장치에 의해 수분이 제거된 기판을 건조 분위기 내를 통과시켜 기판의 다른 처리 장치로 반송하기 위한 반송부를 포함하고, 상기 반송부는 기판의 반송 통로를 덮는 케이싱을 포함하고, 상기 케이싱에는 상기 반송 통로 내에 건조 기체를 공급하는 건조 기체 공급부가 설치되어 있는 것인 기판 처리 시스템을 이용하여, 반도체 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020057016564A 2003-03-04 2004-03-04 기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 KR100712942B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003057202A JP2004266212A (ja) 2003-03-04 2003-03-04 基板の処理システム
JPJP-P-2003-00057202 2003-03-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050107782A KR20050107782A (ko) 2005-11-15
KR100712942B1 true KR100712942B1 (ko) 2007-05-02

Family

ID=32958730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016564A KR100712942B1 (ko) 2003-03-04 2004-03-04 기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060216948A1 (ko)
EP (1) EP1630858B1 (ko)
JP (1) JP2004266212A (ko)
KR (1) KR100712942B1 (ko)
CN (1) CN100447975C (ko)
AT (1) ATE545950T1 (ko)
TW (1) TWI286780B (ko)
WO (1) WO2004079808A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007088398A (ja) * 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
JP4711904B2 (ja) * 2006-07-31 2011-06-29 日東電工株式会社 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法
FR2920046A1 (fr) 2007-08-13 2009-02-20 Alcatel Lucent Sas Procede de post-traitement d'un support de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs, et station de post-traitement pour la mise en oeuvre d'un tel procede
WO2011106064A1 (en) * 2010-02-24 2011-09-01 Veeco Instruments Inc. Processing methods and apparatus with temperature distribution control
CN102386057B (zh) * 2010-09-01 2013-10-23 上海宏力半导体制造有限公司 一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法
US9153464B2 (en) * 2011-05-31 2015-10-06 Semes Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9673037B2 (en) * 2011-05-31 2017-06-06 Law Research Corporation Substrate freeze dry apparatus and method
JP5604371B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
CN103839853A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种衬底处理系统
US9267875B2 (en) * 2013-11-21 2016-02-23 Medtronic Minimed, Inc. Accelerated life testing device and method
KR101730147B1 (ko) * 2015-07-23 2017-05-12 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2017043803A (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 株式会社島津製作所 成膜装置および成膜方法
JP6555078B2 (ja) * 2015-10-29 2019-08-07 株式会社島津製作所 成膜方法
WO2019089115A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-09 Applied Materials, Inc. Tool architecture using variable frequency microwave for residual moisture removal of electrodes
JP7213624B2 (ja) * 2018-05-01 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
CN110273133A (zh) * 2019-07-26 2019-09-24 西安拉姆达电子科技有限公司 一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机
CN111081826B (zh) * 2019-12-31 2022-02-08 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种异质结电池制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0414222A (ja) * 1990-05-07 1992-01-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH11307507A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Super Silicon Kenkyusho:Kk ウエハ乾燥装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02277236A (ja) * 1989-04-18 1990-11-13 Taiyo Sanso Co Ltd 洗浄装置
JPH0758801B2 (ja) * 1989-06-08 1995-06-21 浜松ホトニクス株式会社 受光素子の電極設計方法およびその受光素子
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
JPH03116730A (ja) * 1989-09-28 1991-05-17 Nec Yamagata Ltd ウェーハ乾燥装置
JPH06181249A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Ebara Corp 基板搬送システム
US5745946A (en) * 1994-07-15 1998-05-05 Ontrak Systems, Inc. Substrate processing system
US5794299A (en) * 1996-08-29 1998-08-18 Ontrak Systems, Inc. Containment apparatus
JP4061693B2 (ja) * 1998-02-05 2008-03-19 神鋼電機株式会社 電子部品製造設備
JP2000156363A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置
JP2001199715A (ja) * 2000-01-14 2001-07-24 Sony Corp フラーレン重合体及びその生成方法、並びに、フラーレン重合体を用いた機能素子及びその製造方法
US6793967B1 (en) * 1999-06-25 2004-09-21 Sony Corporation Carbonaceous complex structure and manufacturing method therefor
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP3837026B2 (ja) 2001-01-23 2006-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2002237482A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Sony Corp 真空スピンドライヤー方法及び装置
JP2002289668A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP3871112B2 (ja) * 2001-06-21 2007-01-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2003051481A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
CN1329972C (zh) 2001-08-13 2007-08-01 株式会社荏原制作所 半导体器件及其制造方法
US7905960B2 (en) * 2004-03-24 2011-03-15 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus for manufacturing substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0414222A (ja) * 1990-05-07 1992-01-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH11307507A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Super Silicon Kenkyusho:Kk ウエハ乾燥装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004266212A (ja) 2004-09-24
WO2004079808A1 (ja) 2004-09-16
US20060216948A1 (en) 2006-09-28
KR20050107782A (ko) 2005-11-15
TW200426898A (en) 2004-12-01
TWI286780B (en) 2007-09-11
CN1757099A (zh) 2006-04-05
CN100447975C (zh) 2008-12-31
EP1630858B1 (en) 2012-02-15
EP1630858A1 (en) 2006-03-01
ATE545950T1 (de) 2012-03-15
EP1630858A4 (en) 2009-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100712942B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법
US6932884B2 (en) Substrate processing apparatus
US8945412B2 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and substrate processing apparatus
JP5802407B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR19980041847A (ko) 기판 처리시스템
JP2002324828A (ja) 基板両面処理装置
JP4750773B2 (ja) 基板の処理システム
KR102358308B1 (ko) 기판 처리 장치, 인젝터 내의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법
JP5724713B2 (ja) 熱処理装置
KR102264573B1 (ko) 기판 처리 장치, 처리 가스 노즐 내의 파티클 코팅 방법 및 기판 처리 방법
JP2009188411A (ja) シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム
KR100855325B1 (ko) 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3643954B2 (ja) 洗浄処理装置
JP2008311555A (ja) 基板処理装置
JP2005259902A (ja) 基板処理装置
US12027384B2 (en) Heat treatment apparatus and dummy substrate processing method
JPH09275088A (ja) 基板処理装置
JP2018186238A (ja) 掃気ノズル及びこれを用いた基板処理装置、並びにパーティクル除去方法
JP2008166820A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
CN116705677A (zh) 衬底处理装置及半导体装置的制造方法
JP2005353978A (ja) シリル化処理装置およびシリル化処理方法
JPH0536808A (ja) 半導体製造装置
JP2008124502A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法及び電子機器
JP2002261089A (ja) 半導体製造装置
JP2005175053A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130404

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee