JP2008199023A - 基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】支持プレート上に配置された基板の位置は、支持プレートの温度を測定することによって分かる。基板を支持プレートに配置した後に基板の温度を測定し、測定された温度を基準温度と比較した後、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が正位置に配置されないものと判断する。基板が正位置に配置されていないものと判断される場合に、アラームを発生するか、又は基板に対する工程を中断させる。
【選択図】図6
【解決手段】支持プレート上に配置された基板の位置は、支持プレートの温度を測定することによって分かる。基板を支持プレートに配置した後に基板の温度を測定し、測定された温度を基準温度と比較した後、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が正位置に配置されないものと判断する。基板が正位置に配置されていないものと判断される場合に、アラームを発生するか、又は基板に対する工程を中断させる。
【選択図】図6
Description
本発明は、基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置に関し、さらに詳細には、支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置に関する。
半導体を製造するためには、フォトレジスト(photoresist)を使用するリソグラフィ(lithography)工程が必須である。フォトレジストは、光に感応する有機高分子又は感光剤と高分子との混合物からなり、露光と溶解過程とを経た後に基板上にパターンを形成したフォトレジストは、基板又は基板上の膜をエッチングする過程において基板へパターンを転写させる。このような高分子をフォトレジストといい、光源を用いて基板上に微細パターンを形成させる工程をリソグラフィ工程という。
このような半導体の製造工程において、基板上にライン又はスペースパターンなどのような各種の微細回路パターンを形成するか、イオン注入工程においてマスクとして用いられたフォトレジストは、主にアッシング(ashing)工程により基板から除去される。
一般に用いられるアッシング工程は、高温(200℃〜300℃)で加熱されたヒータチャック上にウェハを配置した状態で酸素プラズマをフォトレジストと反応させてフォトレジストを除去する。反応ガスには、主に酸素(O2)ガスを使用し、アッシング効率を増加させるために、他のガスを混合して使用する場合もある。
このとき、ウェハは、ヒータチャック上のプリセット(あらかじめ設定)された位置に配置されなければならない。ウェハがプリセットされた位置から外れるか、又はウェハが斜めに配置されると、ヒータチャックから発生した熱はウェハに円滑に伝達されることができない。
図1A〜図2Bは、支持プレート120上に配置されたウェハWを示す図である。
図1A及び図1Bは、支持プレート120上の正位置に設けられたウェハWを示す図である。正位置状態のウェハWは、支持プレート120のエッジに備えられたウェハガイド140の内側に配置される。
図2A及び図2Bは、支持プレート120上に正位置から外れて配置されたウェハWを示す図である。移送ロボット(図示せず)の誤動作によって、ウェハWがウェハガイド140の上部に配置されることがある。このような場合に、ウェハガイド140によってウェハWの一側が支持プレート120から離隔され、支持プレート120の熱がウェハWの離隔された部分に伝達されない。したがって、ウェハWの離隔された部分は、離隔されない部分に比べて温度が低く、これによってアッシング工程が十分に行われないという問題が発生した。
しかしながら、従来では、ウェハWの位置を判断できる方法がなかったので、ウェハWが正位置から外れて配置された場合にもアッシング工程を行い、これによって多量の不良ウェハWを生産せざるを得なかった。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、支持プレート上に基板が正位置から外れて配置された場合に、基板に対する工程を中断できる基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、次の詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態によれば、基板を支持プレートに配置し、支持プレートの温度を測定し、測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、基板の位置を判断することを特徴とする基板の位置を判断する方法が提供される。
測定された温度は、支持プレートの最低温度である。
測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度である。
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態によれば、基板を支持プレート上に配置し、支持プレートの温度を測定し、測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、基板の位置が支持プレートのプリセットされた位置にあるかを判断することを特徴とする基板を処理する方法が提供される。
測定された温度は、支持プレートの最低温度である。
測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度である。
測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が支持プレート上の正位置に配置されていないものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が支持プレート上の正位置に配置されたものと判断する。
基板が正位置に配置されていない場合には、基板に対する工程を中断し、基板が正位置に配置された場合には、基板に対する工程を行う。
基板が正位置に配置されていない場合に、アラームを発生する。
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態によれば、内部で基板に対する工程が行われるプロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に設置され、基板が配置される支持プレートと、支持プレートを加熱するヒータと、支持プレート上に設置されて、支持プレートの温度を感知する温度感知部と、温度感知部から伝達された信号を介して、ヒータを制御する温度制御器と、基板に対する工程を制御する主制御器と、を備え、主制御器は、温度感知部で感知された温度によって、支持プレートに配置された基板の位置を判断することを特徴とする基板処理装置が提供される。
主制御器は、支持プレートのプリセットされた基準温度が保存されているデータベース部と、データベース部に保存された基準温度と温度感知部で感知された温度とを比較することによって、基板の位置を判断する判断部と、を備える。
主制御器は、基板が支持プレート上の正位置に配置されていない場合にアラームを発生するアラーム部をさらに備える。
本発明によれば、支持プレート上に配置されたウェハの位置を判断できる。特に、位置を判断するための別途の設備を設置しなくても、ウェハの位置状態を容易に判断できる。
また、本発明によれば、位置不良が発生した場合に、アラームを介して作業者に知らせることができ、全体工程を中断させることによって、位置不良による工程不良を防止できる。
以下、本発明の実施の形態を、添付した図3〜図8を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施の形態は、多様な形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施の形態に限定されると解釈してはならない。本実施の形態は、単に当業者に本発明を完全に説明するために提供される。したがって、図面での要素の形状などは、明確な説明を強調するために一部が誇張されて示されている。
一方、以下では、アッシング装置を例に挙げて説明しているが、本発明は、ウェハ(基板)Wを支持プレート120に配置した状態で工程を行う蒸着装置をはじめとする多様な半導体の製造装置に応用できる。
図3は、一般的な半導体の製造設備を概略的に示す図であり、図4は、図3のバッファチャンバ2を概略的に示す図である。
図3に示すように、半導体の製造設備は、ウェハ移送システム1、バッファチャンバ2、トランスファモジュール5、プロセスモジュール6、及び主制御器7を備える。
ウェハ移送システム1は、バッファチャンバ2と隣接し、ウェハ容器(図示せず)からロードされたウェハWをバッファチャンバ2に移送する。ウェハ容器は、清浄室内でウェハWの格納及び運搬のために用いられるオープン型ウェハ容器と、比較的低い清浄度が維持される空間で大気中の異質物又は化学的な汚染からウェハを保護するために用いられる密閉型ウェハ容器とがある。密閉型ウェハ容器の代表的な例には、前面開放一体式容器(Front Open Unified Pod;FOUP)がある。また、ウェハ移送システム1の代表的な例には、設備前方端部モジュール(Equipment Front End Module;EFEM)があり、米国登録特許第6,473,996号には、設備前方端部モジュールが開示されている。
バッファチャンバ2は、ウェハ移送システム1とトランスファモジュール5との間に配置され、図4に示すように、二段に設置された冷却ステージ3a、3bと整列ステージ4a、4bとを備える。冷却ステージ3a、3bは、プロセスモジュール6で工程が完了した後にトランスファモジュール5によりロードされたウェハWを冷却し、整列ステージ4a、4bは、プロセスモジュール6で工程を行うために、トランスファモジュール5にロードされるウェハWを整列させる。冷却ステージ3a、3bを用いてウェハWを冷却する方法と、整列ステージ4a、4bを用いてウェハWを整列する方法とは、本発明の技術分野の当業者にとって周知の事実であるので、これに対する詳細な説明は省略する。
トランスファモジュール5の一側は、バッファチャンバ2に接続され、トランスファモジュール5の他側は、複数のプロセスモジュール6に接続される。トランスファモジュール5内には、移送ロボット(図示せず)が設置され、移送ロボットは、整列ステージ4a、4bで整列されたウェハWをプロセスモジュール6に移送し、プロセスモジュール6で工程が完了したウェハWを冷却ステージ3a、3bに移送する。
プロセスモジュール6は、トランスファモジュール5に接続され、ウェハWに対して工程を行う。図3には、二つのプロセスモジュール6が示されているが、三個以上のプロセスモジュール6を備えることができる。プロセスモジュール6についての詳細な説明は後述する。
主制御器7は、ウェハ移送システム1、バッファチャンバ2、トランスファモジュール5、及びプロセスモジュール6に接続され、ウェハWに対する全体工程は、主制御器7によって制御される。本実施の形態では、主制御器7によって全体工程が制御されると説明しているが、これは、説明の便宜のためのものであって、主制御器7は、複数の副制御器からなることができ、複数の副制御器は、各々の設備内に設置させることができる。
図5は、図3のプロセスモジュール6を概略的に示す図である。図5に示すように、プロセスモジュール6は、工程処理部10、プラズマ生成部20、及び排気部30を備える。工程処理部10は、アッシング工程を含む基板処理工程を行う。プラズマ生成部20は、アッシング工程時に用いられるプラズマを生成させ工程処理部10に供給する。そして、排気部30は、工程処理部10の内部のガス及び反応副産物などを外部に排出する。
工程処理部10は、ハウジング12、ヒータチャック100、シャワーヘッド16、及び電源18を備える。ハウジング12は、アッシング工程を行うプロセスチャンバを提供する。ハウジング12の側壁には、工程時に基板(ウェハ)Wの出入が行われる基板出入口12aが形成される。基板出入口12aは、スリットドア(図示せず)のような開閉部材により開閉される。そして、ハウジング12の下部壁には、ハウジング12内のガスを排出する排気口12bが形成される。排気口12bは、ヒータチャック100の周りに形成され、後述する排気部30に接続される。
ヒータチャック100は、工程時に基板Wを支持する。ヒータチャック100には、静電チャック(electrode chuck)が使用される。また、ヒータチャック100は、工程時に基板(ウェハ)Wを配置させてプリセットされた工程温度に加熱する。ヒータチャック100についての詳細な説明は後述する。
シャワーヘッド16は、ヒータチャック100の上部面に向けてプラズマを噴射する。電源18は、ヒータチャック100に電力を供給する。すなわち、電源18は、ヒータチャック100のそれぞれにプリセットされた大きさのバイアス電力を供給する。
プラズマ生成部20は、工程時にプラズマを発生させてシャワーヘッド16に供給する。プラズマ生成部20には、遠隔プラズマ発生装置が使用される。すなわち、プラズマ生成部20は、マグネトロン(magnetron)22、導波管(wave guide line)24、及びガス供給管26を備える。マグネトロン22は、工程時にプラズマを生成するためのマイクロ波を発生させる。導波管24は、マグネトロン22で生成させたマイクロ波をガス供給管26へ誘導する。ガス供給管26は、工程時に反応ガスを供給する。このとき、ガス供給管26を介して供給された反応ガスは、マグネトロン22から生成させたマイクロ波によりプラズマが発生する。プラズマ生成部20から生成されたプラズマは、アッシング工程時に工程処理部10のシャワーヘッド16に供給される。
排気部30は、工程処理部10の圧力調節及び内部ガスの排気を行う。排気部30は、主排気ライン34及び補助排気ライン32を備える。図5に示すように、二つの補助排気ライン32は、二つの排気口12bにそれぞれ接続され、二つの補助排気ライン32は、主排気ライン34に接続される。したがって、補助排気ライン32を介して排気されたガスは、主排気ライン34で集まり、主排気ライン34を介して外部に排出される。主排気ライン34上には、別途のポンプ(図示せず)を設置させることができる。ポンプは、ハウジング12内のガスを強制的に吸入して、ハウジング12の内部圧力を下げる。
以下、図5を参考にして、プロセスモジュール6を用いた工程を詳細に説明する。
工程が開始されると、ウェハWは、ウェハ出入口(基板出入り口)12aを介してヒータチャック100上にロード(loading)される。ウェハWがロードされると、ウェハWは、ヒータチャック100によりプリセットされた工程温度に加熱される。そして、電源18は、ヒータチャック100にバイアス電力を供給する。また、ポンプ(図示せず)を用いてハウジング12の内部空気を強制排出することによって、ハウジング12の内部の圧力をプリセットされた圧力に減圧する。このとき、ハウジング12内の工程圧力は、最大1200mTorr(≒159.9864Pa)であり、ヒータチャック100に供給されるバイアス電力は、最大500Wである。仮に、工程圧力が1200mTorr(≒159.9864Pa)を超過するか、又はバイアス電力が500Wを超過すると、工程時にハウジング12の内部に放電現象が発生してしまう。
ハウジング12の内部工程圧力及び温度などの工程条件がプリセットされた条件を満足すると、プラズマ生成部30は、プラズマを生成して工程処理部10に供給し、排気部30は、工程処理部10の内部圧力を一定に維持させる。すなわち、プラズマ生成部30のマグネトロン22は、マイクロ波を発生させ、導波管24は、ガス供給管26を介してシャワーヘッド16に供給される反応ガスとしてマイクロ波を供給して、プラズマを発生させる。そして、プラズマがシャワーヘッド16を通過するとき、プラズマ内の電子又はイオンなどのような荷電粒子は、接地された金属材質のシャワーヘッド16により閉じ込められ、酸素ラジカルなどのような電荷を帯びない中性粒子のみがシャワーヘッド16を介して基板Wに供給される。このような酸素プラズマは、基板Wの表面に残留するレジストを除去する。そして、排気部30は、ハウジング12の内部に供給されたプラズマ及び反応ガスを一定流量で排気させて、ハウジング12の内部圧力を維持する。ウェハWの表面のレジストが除去されると、ウェハWは、支持部材であるヒータチャック100からアンロード(unload)された後にウェハ出入口12aを介してハウジング12の内部から搬出される。
図6は、図5のヒータチャック100を概略的に示す図である。ヒータチャック100は、支持プレート120、ウェハガイド140、及び複数のリフトピン160を備える。支持プレート120は、ウェハWより大きな直径を有する円板形状であり、支持プレート120の上部には、ウェハWが配置される。ウェハガイド140は、支持プレート120の上部面のエッジに置かれ、支持プレート120の上部面から突出する。上述のように、正位置状態のウェハWは、支持プレート120のエッジに備えられたウェハガイド140の内側に配置される。
リフトピン160は、支持プレート120を貫通して支持プレート120の上部に昇降可能であり、複数提供される。リフトピン160は、支持プレート120上にウェハWをロードする際に、ウェハWを持ち上げるために上昇し、ロードされたウェハWを支持プレート120の上部面に配置するために下降する。リフトピン160の下端には、リフト軸162が接続され、リフト軸162は、駆動部164によって昇降する。
支持プレート120内にはヒータ122が設置され、支持プレート120上には複数の感知センサ124が埋設される。ヒータ122は、外部から供給される電源を用いて、支持プレート120を加熱する。感知センサ124は、支持プレート120の温度をリアルタイムで感知する。複数の感知センサ124は、設置された領域の温度を各々感知できるので、複数の感知センサ124を用いて支持プレート120の位置に応じる温度を把握することができる。しかしながら、本実施の形態とは異なり、一つの感知センサ124を設置させることができる。
感知センサ124によって感知された温度は、温度制御器300に伝達される。温度制御器300は、支持プレート120の温度がプリセットされた温度に到達すると、ヒータ122に伝達される電源を遮断することによって、支持プレート120の温度をプリセットされた温度に維持できる。一方、ディスプレイ部200は、感知センサ124によって感知された温度を表示する。
温度制御器300は、主制御器7に接続され、主制御器7の制御によってヒータ122を作動する。ユーザは、所望の工程によって支持プレート120の温度を異なるように設定でき、主制御器7は、設定された温度を温度制御器300に伝達する。温度制御器300は、設定された温度によって感知センサ124及びヒータ122を制御することができる。
一方、主制御器300には、アラーム装置400が接続される。アラーム装置400は、主制御器7により制御され、非常状況が発生した場合に、外部に警報音を出力する。
図7は、図6に示す支持プレート120の温度変化を概略的に示すグラフであり、図8は、本発明によるウェハWの位置を判断する方法を示すフローチャートである。以下では、図6に示すヒータチャック100を用いて、ウェハWの位置を判断する方法を説明する。
図7に示すように、支持プレート120上にウェハWが配置される前に支持プレート120は、約250℃に加熱され、加熱された状態を維持する。
上述のように、ウェハWがウェハ出入口12aを介してヒータチャック100上にロードされる(S10)。ロードされたウェハWは、図6に示すように、上昇したリフトピン160上に配置され、リフトピン160により支持プレート120から一定の距離が離隔した状態を維持する。このとき、ウェハWの温度は、支持プレート120の温度に比べて低いので、ウェハWと支持プレート120との間の熱伝逹によって支持プレート120の温度が多少下げることができる。しかしながら、ウェハWが支持プレート120と離隔された状態を維持するので、支持プレート120の温度変化は微々たるものである。
次に、リフトピン160を下降させてウェハWを支持プレート120上に配置させた後に、支持プレート120の温度を測定する(S20)。ウェハWを支持プレート120上に配置させると、ウェハWと支持プレート120との間で熱伝逹が活発に行われ、支持プレート120は、ウェハWによって一定温度まで冷却される。しかしながら、支持プレート120は、ヒータ122によって加熱されるので、一定時間が経過すると、支持プレート120の温度は上昇する。図7に示すように、実線で示すグラフは、支持プレート120上の正位置にウェハWが配置された場合に、支持プレート120の温度変化を示す。支持プレート120は、約247℃まで冷却された後にヒータ122によって再度250℃に加熱される。
点線で示すグラフは、支持プレート120上の正位置にウェハWが配置されない場合における支持プレート120の温度変化を示す。上述の図2A及び図2Bに示すように、ウェハWが移送ロボットの誤動作によってウェハガイド140の上部に配置されることがあり、この場合にウェハガイド140によってウェハWの一側が支持プレート120から離隔されるので、ウェハWと支持プレート120との間で熱伝逹が活発に行われることがない。これは、熱伝逹量は、接触面積に比例するためである。したがって、ウェハWが正位置に配置されていない場合に、支持プレート120は、247℃まで冷却されず、247℃より高い温度まで冷却された後に再加熱される。すなわち、ウェハWが正位置に配置された場合に、支持プレート120の温度変化ΔT1は、ウェハWが正位置に配置されていない場合に支持プレート120の温度変化ΔT2に比べて大きい。
次に、測定された温度と基準温度とを比較して、ウェハWの位置を判断する(S30)。基準温度は、ウェハWの位置を判断するための値であり、ウェハWが正位置に配置された場合に測定された支持プレート120の温度から上下に誤差範囲を有する。基準温度は、主制御器7のデータベース部7aに保存され、主制御器7の処理部7bは、測定された温度と基準温度とを比較して、ウェハWの位置を判断する。測定された温度が基準温度の範囲内の場合には、処理部7bは、ウェハWが正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外の場合には、処理部7bは、ウェハWが正位置に配置されていないものと判断する。誤差範囲は、ユーザが要求するウェハWの位置の正確度に応じて決定される。ウェハWが正位置に正確に配置させる必要がある場合に、誤差範囲は縮小され、そうでない場合には、誤差範囲は多少拡大される。一方、測定された温度を基準温度と比較する方法は様々である。以下、比較する方法について説明する。
第1の方法は、支持プレート120の最低温度を測定した後に、測定された最低温度と基準温度とを比較する。すなわち、図7に示すように、ウェハWが正位置に配置された場合に、最低温度は247℃になり、誤差範囲が1℃と仮定したときの基準温度は246℃〜248℃である。したがって、測定された支持プレート120の最低温度が基準温度の範囲内の場合に、ウェハWは、正位置に配置されたものと判断される。
第2の方法は、プリセットされる時間が経過した後に支持プレート120の温度を測定して、測定された温度と基準温度とを比較する。例えば、プリセットされた時間をt1とし、t1で測定された支持プレート120の温度は247℃になり、誤差範囲が1℃と仮定したときの基準温度は246℃〜248℃である。したがって、プリセットされた時間t1が経過した後に測定された支持プレート120の温度が基準温度の範囲内の場合に、ウェハWは、正位置に配置されるものと判断できる。
ウェハWが正位置に配置されていない場合に、主制御器7は、アラーム装置400を駆動してアラームを発生させ(S40)、作業者は、アラームにより工程中のエラー発生の有無を把握することができる。また、主制御器7は、全体設備で行われている工程を一時中断させ(S50)、作業者は、措置を行った後に工程を再開できる。
上述によれば、支持プレート120上に配置されたウェハWの位置を判断でき、ウェハWが正位置に配置されていない場合にアラームを発生させて作業者に位置不良を知らせることができる。また、ティーチング不良時の全体工程を中断させることによって、位置不良による工程不良を防止することができる。
1 ウェハ移送システム
2 バッファチャンバ
5 トランスファモジュール
6 プロセスモジュール
7 主制御器
10 工程処理部
20 プラズマ発生部
30 排気部
100 ヒータチャック
120 支持プレート
140 ウェハガイド
2 バッファチャンバ
5 トランスファモジュール
6 プロセスモジュール
7 主制御器
10 工程処理部
20 プラズマ発生部
30 排気部
100 ヒータチャック
120 支持プレート
140 ウェハガイド
Claims (12)
- 基板を支持プレートに配置し、
前記支持プレートの温度を測定し、
前記測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、
前記基板の位置を判断することを特徴とする基板の位置を判断する方法。 - 前記測定された温度は、前記支持プレートの最低温度であることを特徴とする請求項1に記載の基板の位置を判断する方法。
- 前記測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度であることを特徴とする請求項1または2に記載の基板の位置を判断する方法。
- 基板を支持プレート上に配置し、
前記支持プレートの温度を測定し、
前記測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、
前記基板の位置が前記支持プレートのプリセットされた位置にあるかを判断することを特徴とする基板を処理する方法。 - 前記測定された温度は、前記支持プレートの最低温度であることを特徴とする請求項4に記載の基板を処理する方法。
- 前記測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度であることを特徴とする請求項4に記載の基板を処理する方法。
- 前記測定された温度が前記基準温度の範囲外にある場合、前記基板が前記支持プレート上の正位置に配置されていないものと判断し、
前記測定された温度が前記基準温度の範囲内にある場合、前記基板が前記支持プレート上の正位置に配置されたものと判断することを特徴とする請求項4乃至請求項6のうちのいずれか一項に記載の基板を処理する方法。 - 前記基板が正位置に配置されていない場合には、前記基板に対する工程を中断し、
前記基板が正位置に配置された場合には、前記基板に対する工程を行うことを特徴とする請求項7に記載の基板を処理する方法。 - 前記基板が正位置に配置されていない場合に、アラームを発生することを特徴とする請求項7に記載の基板を処理する方法。
- 内部で基板に対する工程が行われるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバの内部に設置され、前記基板が配置される支持プレートと、
前記支持プレートを加熱するヒータと、
前記支持プレート上に設置されて、前記支持プレートの温度を感知する温度感知部と、
前記温度感知部から伝達された信号を介して、前記ヒータを制御する温度制御器と、
前記基板に対する工程を制御する主制御器と、を備え、
前記主制御器は、前記温度感知部で感知された温度によって、前記支持プレートに配置された前記基板の位置を判断することを特徴とする基板処理装置。 - 前記主制御器は、
前記支持プレートのプリセットされた基準温度が保存されているデータベース部と、
前記データベース部に保存された前記基準温度と前記温度感知部で感知された温度とを比較することによって、前記基板の位置を判断する判断部と、
を備えることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記主制御器は、前記基板が前記支持プレート上の正位置に配置されていない場合にアラームを発生するアラーム部をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
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