JP5689283B2 - 基板処理方法及びその方法を実行するプログラムを記憶する記憶媒体 - Google Patents
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Description
先ず,本発明を複数のプラズマ処理装置を備えるマルチチャンバータイプの基板処理装置に適用した場合の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は,本実施形態にかかる基板処理装置100の外観斜視図である。同図に示す基板処理装置100は,例えばガラス基板などのフラットパネルディスプレイ用基板(FPD用基板)を被処理基板(以下,単に「基板」とも称する)Gとし,この基板Gに対してプラズマ処理を施すための3つのプラズマ処理装置200を備える。
次に,プラズマ処理装置200の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは,本発明のプラズマ処理装置を,基板Gをエッチングする容量結合型プラズマ(CCP)エッチング装置に適用した場合の構成例について説明する。図2は,本実施形態にかかるプラズマ処理装置200の概略構成を示す断面図である。
ここで,本発明にかかる基板保持機構を適用した載置台300の具体的な構成例について図2,図3を参照しながら説明する。図3は,載置台300の伝熱ガス供給機構の構成例を説明する図である。図3は,図2に示す載置台300の上部分の断面を簡略化して示したものである。図3では,説明を簡単にするために図2に示す静電保持部320を省略している。
102,104,106 ゲートバルブ
110 搬送室
120 ロードロック室
130 基板搬出入機構
140 インデクサ
142 カセット
200 プラズマ処理装置
202 チャンバ(処理容器)
204 基板搬入出口
208 排気管
209 排気装置
210 シャワーヘッド
222 バッファ室
224 吐出孔
226 ガス導入口
228 ガス導入管
230 開閉バルブ
232 マスフローコントローラ(MFC)
234 処理ガス供給源
300 載置台
302 ベース部材
310 サセプタ
311 絶縁被膜
312 整合器
314 高周波電源
315 DC電源
316 スイッチ
320 静電保持部
322 電極板
330 外枠部
340 冷媒流路
352 ガス流路
354 ガス孔
362 圧力制御バルブ(PCV)
364 流量センサ
366 伝熱ガス供給源
400 制御部
410 操作部
420 記憶部
G 基板
Claims (10)
- プラズマ処理装置に設けられた減圧可能な処理容器内の被処理基板に対してプラズマによる処理を施す基板処理方法であって,
前記プラズマ処理装置は,
前記処理容器内に配設され,前記被処理基板を載置保持する載置台を構成する基板保持部と,
前記基板保持部とその基板保持面に保持された被処理基板との間に伝熱ガス供給源からの伝熱ガスを供給するための伝熱ガス流路と,
前記伝熱ガス流路に流出させる伝熱ガス流量を検出する流量センサと,
前記プラズマを発生させるための高周波電力を前記処理容器内に供給する高周波電源と,
前記高周波電力によりプラズマ化される処理ガスを前記処理容器内に供給する処理ガス供給部と,を備え,
前記伝熱ガス供給源から前記基板保持部と前記被処理基板との間において前記伝熱ガスが所定の圧力となるように前記伝熱ガスを供給する調圧ステップと,
前記伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した前記伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると,前記処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し,前記基板保持面上の被処理基板上に前記処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップと,を有し,
前記放電ステップにおいて,前記流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け,前記各判定ポイントごとに前記閾値を設定し,判定することによって,前記伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 前記各判定ポイントにおける閾値は,前記伝熱ガスの過去の流量又はその変化量に基づいて決定することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記過去の流量又はその変化量は,その基板処理よりも前に実行した基板処理における同じ判定ポイントの流量又はその変化量の平均値であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記過去の流量又はその変化量は,その基板処理における直前判定ポイントの流量又はその変化量であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記放電ステップにおいて,放電開始後に前記伝熱ガスの圧力を昇圧するステップを有する場合には,昇圧直前に前記基板ずれ判定を停止し,昇圧直後から前記基板ずれ判定を再開することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記放電開始後から前記伝熱ガスの昇圧までに判定ポイントを設定し,前記基板ずれ判定を行ってから前記伝熱ガスを昇圧することを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記伝熱ガスの昇圧前の判定ポイントは,前記伝熱ガスの昇圧直前だけ設定して前記基板ずれ判定を行うことを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。
- 前記伝熱ガスの昇圧前の判定ポイントは,放電開始後から伝熱ガス昇圧までに複数の判定ポイントを設定して前記基板ずれ判定を行うことを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。
- 前記高周波電源による前記高周波電力の前記処理容器内への供給は,前記処理容器内に設けられたサセプタに高周波電力を印加することによって行うことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理方法。
- プラズマ処理装置に設けられた減圧可能な処理容器内の被処理基板に対してプラズマによる処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体であって,
前記プラズマ処理装置は,
前記処理容器内に配設され,前記被処理基板を載置保持する載置台を構成する基板保持部と,
前記基板保持部とその基板保持面に保持された被処理基板との間に伝熱ガス供給源からの伝熱ガスを供給するための伝熱ガス流路と,
前記伝熱ガス流路に流出させる伝熱ガス流量を検出する流量センサと,
前記プラズマを発生させるための高周波電力を前記処理容器内に供給する高周波電源と,
前記高周波電力によりプラズマ化される処理ガスを前記処理容器内に供給する処理ガス供給部と,を備え,
前記基板処理方法は,
前記伝熱ガス供給源から前記基板保持部と前記被処理基板との間において前記伝熱ガスが所定の圧力となるように前記伝熱ガスを供給する調圧ステップと,
前記伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した前記伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると,前記処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し,前記基板保持面上の被処理基板上に前記処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップと,を有し,
前記放電ステップにおいて,前記流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け,前記各判定ポイントごとに前記閾値を設定し,判定することによって,前記伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行うことを特徴とする記憶媒体。
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