TWI837272B - 處理方法及電漿處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於防止對外周構件施加電壓時之對於被處理體之製程特性之降低。
本發明提供一種處理方法，其係使用電漿處理裝置對被處理體進行處理者，該電漿處理裝置包含：載置台，其於腔室內載置被處理體；外周構件，其配置於上述載置台之周圍；及第1電源，其對上述外周構件施加電壓；且該處理方法包含如下工序：自上述第1電源對上述外周構件施加電壓；參照記憶有對外周構件施加之電壓與製程參數之修正值之相關資訊之記憶部，基於對上述外周構件施加之電壓而修正製程參數；及按照包含經修正之上述製程參數之製程條件而執行電漿處理。
Description
本發明係關於一種處理方法及電漿處理裝置。
配置於晶圓之周圍之外周構件(以下，亦稱為邊緣環)因暴露於電漿中而產生消耗。邊緣環之消耗會對針對晶圓實施之處理之結果帶來影響，使蝕刻形狀及蝕刻速率等製程特性降低。因此，專利文獻1提出一種降低因邊緣環之消耗引起之對蝕刻形狀等處理結果之影響之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻2]日本專利特開2007-258417號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種可防止對外周構件施加電壓時之對於被處理體之製程特性之降低之技術。
[解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，提供一種處理方法，其係使用電漿處理裝置對被處理體進行處理者，該電漿處理裝置包含：載置台，其於腔室內載置被處理體；外周構件，其配置於上述載置台之周圍；及第1電源，其對上述外周構件施加電壓；且該處理方法包含如下工序：自上述第1電源對上述外周構件施加電壓；參照記憶有對外周構件施加之電壓與製程參數之修正值之相關資訊之記憶部，基於對上述外周構件施加之電壓而修正製程參數；及按照包含經修正之上述製程參數之製程條件而執行電漿處理。
[發明之效果]
根據一態樣，可防止對外周構件施加電壓時之對於被處理體之製程特性之降低。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中，有對相同構成部分標註相同符號並省略重複說明之情形。
[電漿處理裝置]
參照圖1對一實施形態之電漿處理裝置1進行說明。圖1係表示一實施形態之電漿處理裝置1之一例之剖視模式圖。一實施形態之電漿處理裝置1係電容耦合型之平行平板處理裝置，具有腔室10。腔室10係例如包含表面經陽極氧化處理之鋁之圓筒狀之容器，且接地。
於腔室10之底部，介隔包含陶瓷等之絕緣板12配置圓柱狀之支持台14，於該支持台14之上例如設置有載置台16。載置台16具有靜電吸盤20與基台16a，於靜電吸盤20之上表面載置晶圓W。於晶圓W之周圍配置有例如包含矽之環狀之邊緣環24。邊緣環24亦稱為聚焦環。邊緣環24係配置於載置台16之周圍之外周構件之一例。於基台16a及支持台14之周圍設置有例如包含石英之環狀之絕緣體環26。於靜電吸盤20之中央側之內部，包含導電膜之第1電極20a夾隔於絕緣層20b之間。第1電極20a與電源22連接。藉由自電源22施加至第1電極20a之直流電壓產生靜電力，將晶圓W吸附至靜電吸盤20之晶圓載置面。再者，靜電吸盤20亦可具有加熱器，藉此控制溫度。
於支持台14之內部，形成有例如環狀或螺旋狀之冷媒室28。自冷卻器單元(未圖示)供給之特定溫度之冷媒、例如冷卻水通過配管30a、冷媒室28、配管30b返回至冷卻器單元。藉由冷媒於上述路徑循環，而可藉由冷媒之溫度控制晶圓W之溫度。進而，自傳熱氣體供給機構供給之傳熱氣體、例如He氣體經由氣體供給管線32供給至靜電吸盤20之正面與晶圓W之背面之間隙。藉由該傳熱氣體，靜電吸盤20之正面與晶圓W之背面之間之熱傳遞係數降低，而利用冷媒之溫度進行之晶圓W之溫度控制變得更有效。又，於靜電吸盤20具有加熱器之情形時，藉由加熱器之加熱與冷媒之冷卻，可響應性較高且精度較高地控制晶圓W之溫度。
上部電極34係與載置台16對向而設置於腔室10之頂壁。上部電極34與載置台16之間成為電漿處理空間。上部電極34經由絕緣性之遮蔽構件42將腔室10之頂壁之開口封閉。上部電極34具有電極板36與電極支持體38。電極板36具有形成於與載置台16之對向面之多個氣體噴出孔37，由矽或SiC等含矽物形成。電極支持體38將電極板36裝卸自如地支持，由導電性材料、例如表面經陽極氧化處理之鋁形成。於電極支持體38之內部，多個氣體通流孔41a、41b自氣體擴散室40a、40b向下方延伸，且與氣體噴出孔37連通。
氣體導入口62經由氣體供給管64連接於處理氣體供給源66。於氣體供給管64，自配置有處理氣體供給源66之上游側起依次設置有質量流量控制器(MFC)68及開閉閥70。處理氣體自處理氣體供給源66供給，藉由質量流量控制器68及開閉閥70控制流量及開閉，並經由氣體供給管64通過氣體擴散室40a、40b、氣體通流孔41a、41b自氣體噴出孔37呈射叢狀噴出。
電漿處理裝置1具有第1高頻電源90及第2高頻電源48。第1高頻電源90係產生第1高頻電力(以下，亦稱為「HF(High Frequency，高頻)功率」)之電源。第1高頻電力具有適合於產生電漿之頻率。第1高頻電力之頻率例如為27 MHz～100 MHz之範圍內之頻率。第1高頻電源90經由匹配器88及饋電線89而連接於基台16a。匹配器88具有用以使第1高頻電源90之輸出阻抗與負載側(基台16a側)之阻抗匹配之電路。再者，第1高頻電源90亦可經由匹配器88連接於上部電極34。
第2高頻電源48係產生第2高頻電力(以下，亦稱為「LF(Low frequency，低頻)功率」)之電源。第2高頻電力具有較第1高頻電力之頻率低之頻率。於使用第1高頻電力與第2高頻電力之情形時，第2高頻電力用作用以將離子引入至晶圓W之偏壓用高頻電力。第2高頻電力之頻率例如為400 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率。第2高頻電源48經由匹配器46及饋電線47而連接於基台16a。匹配器46具有用以使第2高頻電源48之輸出阻抗與負載側(基台16a側)之阻抗匹配之電路。
再者，亦可不使用第1高頻電力，而使用第2高頻電力，即，僅使用單一之高頻電力產生電漿。於該情形時，第2高頻電力之頻率亦可為較13.56 MHz大之頻率、例如40 MHz。電漿處理裝置1亦可不具備第1高頻電源90及匹配器88。藉由上述構成，載置台16亦作為下部電極發揮功能。又，上部電極34亦作為供給氣體之簇射頭發揮功能。
第2可變電源50與上部電極34連接，對上部電極34施加直流電壓。第1可變電源55與邊緣環24連接，對邊緣環24施加直流電壓。再者，第1可變電源55係對外周構件施加電壓之第1電源之一例。第2可變電源50係對上部電極34施加電壓之第2電源之一例。
排氣裝置84與排氣管82連接。排氣裝置84具有渦輪分子泵等真空泵，自形成於腔室10之底部之排氣口80通過排氣管82進行排氣，將腔室10內減壓至所需之真空度。又，排氣裝置84一面使用未圖示之計測腔室10內之壓力之壓力計之值，一面將腔室10內之壓力控制為固定。搬入搬出口85設置於腔室10之側壁。藉由閘閥86之開閉而自搬入搬出口85將晶圓W搬入搬出。
隔板83呈環狀設置於絕緣體環26與腔室10之側壁之間。隔板83具有複數個貫通孔，由鋁形成，且其表面由Y2
O3
等陶瓷被覆。
於上述構成之電漿處理裝置1中進行電漿蝕刻處理等特定之電漿處理時，打開閘閥86，經由搬入搬出口85將晶圓W搬入至腔室10內並載置於載置台16上，關閉閘閥86。將處理氣體供給至腔室10之內部，並藉由排氣裝置84對腔室10內進行排氣。
對載置台16施加第1高頻電力及第2高頻電力。自電源22將直流電壓施加至第1電極20a，使晶圓W吸附於載置台16。再者，亦可自第2可變電源50對上部電極34施加直流電壓。
藉由電漿處理空間中產生之電漿中之自由基或離子對晶圓W之被處理面實施蝕刻等電漿處理。
於電漿處理裝置1設置有控制裝置整體之動作之控制部200。設置於控制部200之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)根據ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)及RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等記憶體中儲存之配方，執行蝕刻等所需之電漿處理。亦可於配方中設定相對於製程條件之裝置之控制資訊即製程時間、壓力(氣體之排氣)、第1高頻電力及第2高頻電力或電壓、各種氣體流量。又，亦可於配方中設定腔室內溫度(上部電極溫度、腔室之側壁溫度、晶圓W溫度、靜電吸盤溫度等)、自冷卻器輸出之冷媒之溫度等。再者，該等程式或表示處理條件之配方亦可記憶於硬碟或半導體記憶體。又，配方亦可以收容於CD-ROM(Compact Disc Read-Only Memory，唯讀記憶光碟)、DVD(Digital Video Disc，數位影音光碟)等可攜性之可由電腦讀取之記憶媒體之狀態安裝於特定位置並被讀出。
[邊緣環之消耗]
接下來，參照圖2對因邊緣環24之消耗而產生之鞘層之變化與傾斜(tilting)之產生進行說明。圖2係表示因邊緣環之消耗引起之傾斜之變動之圖。
如圖2(a)所示，於邊緣環24為新品之情形時，以晶圓W之上表面與邊緣環24之上表面成為相同高度之方式設計邊緣環24之厚度。此時，電漿處理中產生之晶圓W上之鞘層與邊緣環24上之鞘層成為相同厚度，不產生階差。
於該狀態下，電漿中之離子之向晶圓W及邊緣環24之照射角度相對於其等之表面大致垂直。其結果，形成於晶圓W上之凹部之形狀(蝕刻形狀)係於晶圓W之中央部及邊緣部均成為垂直。即，不產生形成於晶圓W上之凹部之形狀成為傾斜之傾斜。
於電漿處理中，邊緣環24暴露於電漿中而逐漸消耗。如此一來，如圖2(b)所示，邊緣環24之厚度變薄，而邊緣環24之上表面低於晶圓W之上表面。其結果，於邊緣環24上之鞘層與晶圓W上之鞘層之間產生階差。
於該情形時，如圖2(b)之箭頭所示產生傾斜，即，於晶圓W之邊緣部離子之照射角度傾斜而形成於晶圓W上之凹部之形狀成為傾斜。
針對於此，藉由自第1可變電源55將與邊緣環24之消耗量對應之特定之直流電壓施加至邊緣環24，而控制鞘層之厚度。藉此，將邊緣環24上之鞘層與晶圓W上之鞘層之間之階差消除而避免產生傾斜。
[蝕刻速率之變動]
然而，已知若將特定之直流電壓施加至邊緣環24而進行電漿處理，則對晶圓W之製程特性帶來影響。圖3表示對邊緣環24施加直流電壓而對晶圓W實施電漿蝕刻處理時之實驗結果之一例。以下表示該實驗中之製程條件。
＜製程條件＞
氣體 CF4
氣體、C4
F8
氣體、N2
氣體
HF功率 固定值
LF功率 固定值
圖3之橫軸表示對邊緣環施加之直流電壓(邊緣環DC電壓)，縱軸表示晶圓W之中央部(中心)之蝕刻速率(E/R)。藉此可知，藉由對邊緣環24施加直流電壓，而晶圓W之中央部之蝕刻速率上升，對邊緣環24施加之直流電壓越大，蝕刻速率越高。
進而，於圖4中，將HF功率及LF功率按3個階段變更而進行電漿蝕刻處理。HF功率及LF功率以外之製程條件與圖3之製程條件相同。
圖4所示之線B係為了便於說明而將HF功率及LF功率設為作為基準功率之「中」之情形時之蝕刻速率之結果。
線A係將HF功率及LF功率設定為高於基準功率之情形時之蝕刻速率之結果。線C係將HF功率及LF功率設定為低於基準功率之情形時之蝕刻速率之結果。
根據該結果，於使HF功率及LF功率按上述3個階段變動之任一情形時，蝕刻速率上升之傾向均相同。即，可知於對邊緣環24施加直流電壓之情形時，晶圓W之中央部之蝕刻速率上升，蝕刻速率之控制性變差。
[HF功率及LF功率之修正]
因此，根據對邊緣環24施加之直流電壓、蝕刻速率以及HF功率及LF功率之關係，相對於不對邊緣環24施加直流電壓之情形，預測施加之情形時之晶圓W之中央部之蝕刻速率之偏移量。然後，針對所獲得之蝕刻速率之偏移量，計算用以使該蝕刻速率不偏移之近似式，根據近似式求出HF功率之修正值及LF功率之修正值。
藉此，對邊緣環24施加直流電壓時，利用HF功率之修正值及LF功率之修正值對電漿處理中施加之HF功率及LF功率進行修正，藉此，可抑制晶圓W之中央部之蝕刻速率之偏移。藉此，可提高蝕刻速率之面內均勻性或控制性而防止對邊緣環24施加電壓時之對於晶圓W之製程特性之降低。
圖5(a)之橫軸係晶圓之片數，縱軸係晶圓W之中央部之蝕刻速率。圖5(a)中之「實測值」係使用實驗計劃法對每一個晶圓改變製程參數而測定晶圓W之中央部之蝕刻速率所得之結果。
圖5(a)中之「評價值(計算值)」係根據「實測值」使用多變量解析求出表示晶圓W之中央部之蝕刻速率相對於製程參數之關係之近似式，與「實測值」同樣地對每一個晶圓改變製程參數而計算晶圓W之中央部之蝕刻速率所得之結果。藉此，「評價值」與「實測值」大致相同，因此，可認為近似式之精度較高。
圖5(b)係由根據「實測值」求出之近似式，計算晶圓W之中央部之蝕刻速率相同時之對邊緣環24施加之電壓與HF功率及LF功率之修正值之關聯所得的相關資訊。
藉此，藉由本實施形態之HF功率及LF功率之修正，即便於對邊緣環24施加直流電壓之情形時，晶圓W之中央部之蝕刻速率亦不偏移，而可確保蝕刻速率之控制性。
再者，圖5(b)表示使HF功率及LF功率以同一比率變化之情形時之邊緣環之施加電壓與HF功率及LF功率之相關關係，但HF功率及LF功率不限於以同一比率變化。
[製程參數之修正]
再者，使用之近似式只要為近似於實測值之式，則可為使用一次函數之近似式，亦可為使用除此以外之函數(二次函數等)之近似式。藉由對HF功率及LF功率進行使用上述近似式之修正，可使晶圓W之中央部之蝕刻速率不變化而確保晶圓W之製程特性之面內均勻性。
應針對施加至邊緣環24之直流電壓之變動值(差分)將HF功率及LF功率修正多少係根據近似式求出。因此，將其相關資訊預先記憶於控制部200之記憶體。
例如，於圖5(b)所示之曲線圖中，相對於橫軸之施加至邊緣環24之直流電壓相對於第1可變電源55之最大輸出值(表述為邊緣環DC電壓)之比率，縱軸(左)表示自不對邊緣環24施加時之HF功率之設定值修正之比率，縱軸(右)表示自不對邊緣環24施加時之LF功率之設定值修正之比率。
於該例中，若將施加至邊緣環24之直流電壓增加「30%」，則將HF功率自設定值減去「12.5%」，將LF功率自設定值減去「12.5%」。然後，施加修正後之HF功率及修正後之LF功率。
以此方式，根據施加至邊緣環24之直流電壓或其變動量而修正HF功率及LF功率，藉此，即便於對邊緣環24施加直流電壓之情形時，亦可抑制晶圓W之中央部之蝕刻速率之上升。藉此，可抑制因施加至邊緣環24之直流電壓而導致晶圓W之邊緣部產生傾斜，並且可提高蝕刻速率之控制性。
再者，於本實施形態中，根據施加至邊緣環24之直流電壓或其變動量而修正HF功率及LF功率，但根據施加至邊緣環24之直流電壓而修正之製程參數不限於HF功率及LF功率。修正之製程參數只要為產生之電漿密度變動之製程條件，則可為任意參數。修正之製程參數例如亦可為蝕刻速率變動之製程條件。
例如，修正之製程參數可僅為LF功率，亦可僅為HF功率。修正之製程參數可為自第2可變電源50施加至上部電極34之直流電壓，亦可為自處理氣體供給源66供給之氣體之種類及/或氣體之流量，還可為腔室10內之壓力。
即，製程參數可為自第1高頻電源90施加之第1頻率之高頻電力、自第2高頻電源48施加之較第1頻率低之第2頻率之高頻電力、供給至腔室10內之氣體、腔室10內之壓力、及自第2可變電源50施加至上部電極34之電壓之至少任一者。
[包含修正處理之處理方法]
最後，參照圖6對一實施形態之控制部200進行之修正處理進行說明。圖6係表示包含一實施形態之修正處理之處理方法之一例之流程圖。再者，用以使控制部200執行修正處理之程式預先儲存於控制部200之記憶體，由CPU自記憶體讀出並執行。
開始本處理時，控制部200獲取施加至邊緣環24之直流電壓(DC電壓)之值(步驟S1)。其次，控制部200計算施加至邊緣環24之直流電壓值中此次之直流電壓值與上一次之直流電壓值之差分(步驟S2)。再者，此次之直流電壓值與上一次之直流電壓值之獲取間隔可任意地設定。又，不限於此次之直流電壓值與上一次之直流電壓值之差分，亦可為此次之直流電壓值與上一次或此以前之直流電壓值之差分。例如，亦可使用此次之直流電壓值與上一次及上上次之直流電壓值之平均值之差分。
其次，控制部200參照記憶有圖5(b)所示之施加至邊緣環24之直流電壓之差分與HF功率及LF功率之修正值之相關資訊之記憶體，計算相對於直流電壓值之差分之HF功率及LF功率之修正值(步驟S3)。再者，圖5(b)之相關資訊之例係表示施加至邊緣環24之直流電壓與製程參數之修正值之相關關係之資訊之一例，並不限於此。上述相關資訊可為表示此次之直流電壓值及上一次之直流電壓值之變動量(差分)與製程參數之修正值之關聯的資訊，亦可為表示此次之直流電壓值與製程參數之修正值之關聯之資訊。於後者之情形時，跳過步驟S2，於步驟S3中，參照記憶於記憶體之相關資訊，計算對於步驟S1中所獲取之此次之直流電壓值的HF功率之修正值與LF功率之修正值即可。
繼而，控制部200自配方中設定之HF功率之設定值減去步驟S3中計算出之HF功率之修正值，設為修正後之HF功率(步驟S4)。又，自配方中設定之LF功率之設定值減去步驟S3中計算出之LF功率之修正值，設為修正後之LF功率(步驟S4)。
繼而，控制部200施加修正後之HF功率，且施加修正後之LF功率。控制部200針對其他製程條件控制為配方中設定之設定值，執行電漿處理(步驟S5)而結束本處理。
如以上所說明般，根據本實施形態之修正處理，可抑制對邊緣環24施加直流電壓時之晶圓W之中央部之蝕刻速率之上升。藉此，可抑制因對邊緣環24施加之直流電壓而導致晶圓W之邊緣部產生傾斜，並且可提高蝕刻速率之控制性。藉此，防止對邊緣環24施加電壓時之對於晶圓W之製程特性之降低。
應認為此次揭示之一實施形態之處理方法及電漿處理裝置於所有方面為例示而並非限制性者。上述實施形態可於不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨之情況下以各種形態進行變化及改良。上述複數個實施形態中記載之事項亦可於不矛盾之範圍內採取其他構成，又，可於不矛盾之範圍內進行組合。
施加至邊緣環24之電壓不限於直流電壓，亦可為交流電壓。將交流電壓施加至邊緣環24之情形時，經由匹配器、隔直流電容器連接交流電源而代替可變直流電源55。該交流電源輸出具有電漿中之離子能夠追隨之頻率f之交流、即較離子電漿頻率低之低頻或高頻之交流AC，能夠使其功率、電壓峰值或有效值可變。於蝕刻製程中來自交流電源之交流電壓經由隔直流電容器施加至邊緣環24時，於邊緣環24產生自偏壓電壓。即，對邊緣環24施加負之直流電壓分量。
本發明之電漿處理裝置可應用於電容耦合電漿(CCP，Capacitively Coupled Plasma)、感應耦合電漿(ICP，Inductively Coupled Plasma)、放射狀線槽孔天線(RLSA，Radial Line Slot Antenna)、電子迴旋共振電漿(ECR，Electron Cyclotron Resonance Plasma)、螺旋微波電漿(HWP，Helicon Wave Plasma)之任一類型之電漿處理裝置。
於本說明書中，作為被處理體之一例，列舉晶圓W進行了說明。但，被處理體不限於此，亦可為用於FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)之各種基板、印刷基板等。
1:電漿處理裝置
10:腔室
12:絕緣板
14:支持台
16:載置台
16a:基台
20:靜電吸盤
20a:第1電極
20b:絕緣層
22:電源
24:邊緣環
26:絕緣體環
28:冷媒室
30a:配管
30b:配管
32:氣體供給管線
34:上部電極
36:電極板
37:氣體噴出孔
38:電極支持體
40a:氣體擴散室
40b:氣體擴散室
41a:氣體通流孔
41b:氣體通流孔
42:遮蔽構件
46:匹配器
47:饋電線
48:第2高頻電源
50:第2可變電源
55:第1可變電源
62:氣體導入口
64:氣體供給管
66:處理氣體供給源
68:質量流量控制器
70:開閉閥
80:排氣口
82:排氣管
83:隔板
84:排氣裝置
85:搬入搬出口
86:閘閥
88:匹配器
89:饋電線
90:第1高頻電源
200:控制部
A:線
B:線
C:線
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
W:晶圓
圖1係表示一實施形態之電漿處理裝置之一例之剖視模式圖。
圖2(a)、(b)係表示因邊緣環之消耗引起之傾斜之變動之圖。
圖3係表示對邊緣環施加電壓時之蝕刻速率之一例之圖。
圖4係表示對邊緣環施加電壓時之蝕刻速率之一例之圖。
圖5(a)、(b)係表示一實施形態之處理方法之處理結果之一例之圖。
圖6係表示一實施形態之處理方法之一例之流程圖。
Claims (7)
- 一種處理方法，其係使用電漿處理裝置對被處理體進行處理者，該電漿處理裝置包含：載置台，其包含靜電吸盤且作為第1電極而發揮功能，該靜電吸盤於腔室內載置被處理體；外周構件，其配置於上述靜電吸盤之周圍；第1可變電源，其經組態以對上述外周構件施加直流(DC)電壓；第1高頻電源，其施加第1高頻電力至上述第1電極或與上述第1電極對向之第2電極；及第2高頻電源，其施加具有較上述第1高頻電力之頻率低的頻率之第2高頻電力至上述第1電極，且該處理方法包含如下工序：自上述第1可變電源對上述外周構件施加上述直流電壓；參照儲存於上述電漿處理裝置之記憶部之資訊，基於對上述外周構件施加之上述直流電壓而修正上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之至少一者，上述資訊包含施加至上述外周構件之上述直流電壓及用於修正上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之上述至少一者之修正量之間的關係；及按照包含已被修正之上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之上述至少一者之製程條件而執行電漿處理。
- 如請求項1之處理方法，其進一步包含：修正影響要產生之電漿密度之製程條件。
- 如請求項1或2之處理方法，其進一步包含：修正影響蝕刻速率之製程條件。
- 如請求項1或2之處理方法，其進一步包含：修正供給至上述腔室內之氣體、上述腔室內之壓力、及自第2可變電源對與上述載置台對向之上述第2電極施加之電壓之至少任一者。
- 如請求項3之處理方法，其進一步包含：修正供給至上述腔室內之氣體、上述腔室內之壓力、及自第2可變電源對與上述載置台對向之上述第2電極施加之電壓之至少任一者。
- 一種電漿處理裝置，其包含：載置台，其包含靜電吸盤且作為第1電極而發揮功能，該靜電吸盤於腔室內載置被處理體；外周構件，其配置於上述靜電吸盤之周圍；第1可變電源，其經組態以對上述外周構件施加直流電壓；第1高頻電源，其施加第1高頻電力至上述第1電極或與上述第1電極對向之第2電極；第2高頻電源，其施加具有較上述第1高頻電力之頻率低的頻率之第2高頻電力至上述第1電極，及控制部，其經組態以：使上述第1可變電源對上述外周構件施加上述直流電壓；參照儲存於上述電漿處理裝置之記憶部之資訊，基於對上述外周構件施加之上述直流電壓而修正上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之至少一者，上述資訊包含施加至上述外周構件之上述直流電壓及用於修正上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之上述至少一者之修正量之間的關係；及 使上述電漿處理裝置按照包含已被修正之上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之上述至少一者之製程條件而執行電漿處理。
- 一種處理方法，其係使用電漿處理裝置對被處理體進行處理者，該電漿處理裝置包含：載置台，其包含靜電吸盤且作為第1電極而發揮功能，該靜電吸盤於腔室內載置被處理體；外周構件，其配置於上述靜電吸盤之周圍；第1可變電源，其經組態以對上述外周構件施加直流電壓；第1高頻電源，其施加第1高頻電力至上述第1電極或與上述第1電極對向之第2電極；及第2高頻電源，其施加具有較上述第1高頻電力之頻率低的頻率之第2高頻電力至上述第1電極，且該處理方法包含如下工序：自上述第1可變電源對上述外周構件施加上述直流電壓；基於對上述外周構件施加之上述直流電壓及用於修正上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之至少一者之修正量，修正上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之至少一者，上述修正量係事先獲得且以使得於施加上述直流電壓之情形時之在上述被處理體之中央部之蝕刻速率與於不施加上述直流電壓之情形時之在上述被處理體之中央部之蝕刻速率不偏移之方式而決定；且按照包含已被修正之上述第1高頻電力及上述第2高頻電力之上述至少一者之製程條件而執行電漿處理。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| TW202042304A TW202042304A (zh) | 2020-11-16 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180025891A1 (en) | 2016-07-25 | 2018-01-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge rf generators |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180025891A1 (en) | 2016-07-25 | 2018-01-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge rf generators |
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