TW202333188A - 控制程式、控制方法及電漿處理裝置 - Google Patents

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竹田諒平
近江宗行
岡本晋
高良穣二
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種控制程式、控制方法及電漿處理裝置。 本發明係一種電漿處理裝置之控制程式，該電漿處理裝置係藉由對電漿產生源供給源極電力，且對載置作為處理對象之基板之載置台供給偏壓電力而進行電漿處理，且該控制程式使電腦執行如下處理，即，觀測上述源極電力或上述偏壓電力之峰間電壓值，根據上述峰間電壓值之變動，而以將上述源極電力與上述偏壓電力之比率固定，且使觀測之峰間電壓值接近初始設定值之方式，對供給至上述電漿產生源之源極電力及供給至上述載置台之偏壓電力進行修正。

Description

控制程式、控制方法及電漿處理裝置
本發明係關於一種控制程式、控制方法及電漿處理裝置。
電漿處理裝置用於基板之電漿處理。於電漿處理裝置之腔室內，基板配置於由稱為邊緣環或聚焦環之外周構件包圍之區域內。
當藉由電漿處理裝置執行電漿處理時，外周構件產生消耗而使得其厚度減少。隨著外周構件之厚度減少，外周構件之上方之鞘之上端位置變低。若外周構件之上方之鞘之上端位置變低，則來自電漿之離子相對於基板之邊緣以傾斜角度碰撞。其結果，形成於基板之邊緣之開口傾斜。專利文獻1揭示有對外周構件施加直流電壓以抑制形成於基板之邊緣之開口傾斜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-258417號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種抑制隨著配置於腔室內之構件之消耗而產生的製程特性之降低、及電漿處理裝置中之製程特性之個體差異的控制程式、控制方法及電漿處理裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施方式之控制程式係電漿處理裝置之控制程式，該電漿處理裝置係藉由對電漿產生源供給源極電力，且對載置作為處理對象之基板之載置台供給偏壓電力而進行電漿處理，該控制程式用以使電腦執行如下處理，即，觀測上述源極電力或上述偏壓電力之峰間電壓值，根據上述峰間電壓值之變動，而以將上述源極電力與上述偏壓電力之比率固定，且使觀測之峰間電壓值接近初始設定值之方式，對供給至上述電漿產生源之源極電力及供給至上述載置台之偏壓電力進行修正。 [發明之效果]
根據本發明，可抑制隨著配置於腔室內之構件之消耗而產生的製程特性之降低、及電漿處理裝置中之製程特性之個體差異。
(實施方式1) 以下，對電漿處理系統之構成例進行說明。圖1係用以說明電容耦合型之電漿處理裝置之構成例之圖。
電漿處理系統包含電容耦合型之電漿處理裝置1及控制部2。電容耦合型之電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。又，電漿處理裝置1包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部以將至少1種處理氣體導入至電漿處理腔室10內之方式構成。氣體導入部包含簇射頭13。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內。簇射頭13配置於基板支持部11之上方。一實施方式中，簇射頭13構成電漿處理腔室10之頂部(ceiling)之至少一部分。電漿處理腔室10具有由簇射頭13、電漿處理腔室10之側壁10a及基板支持部11界定之電漿處理空間10s。電漿處理腔室10具有用以將至少1種處理氣體供給至電漿處理空間10s之至少1個氣體供給口、及用以自電漿處理空間排出氣體之至少1個氣體排出口。電漿處理腔室10接地。簇射頭13及基板支持部11與電漿處理腔室10之殼體電性絕緣。
基板支持部11包含本體部111及環配件112。本體部111具有用以支持基板W之中央區域111a、及用以支持環配件112之環狀區域111b。晶圓係基板W之一例。本體部111之環狀區域111b於俯視下包圍本體部111之中央區域111a。基板W配置於本體部111之中央區域111a上，環配件112以包圍本體部111之中央區域111a上之基板W之方式，配置於本體部111之環狀區域111b上。因此，中央區域111a亦稱為用以支持基板W之基板支持面，環狀區域111b亦稱為用以支持環配件112之環支持面。
一實施方式中，本體部111包含基台1110及靜電吸盤1111。基台1110包含導電性構件。基台1110之導電性構件可作為下部電極發揮功能。靜電吸盤1111配置於基台1110之上。靜電吸盤1111包含陶瓷構件1111a與配置於陶瓷構件1111a內之靜電電極1111b。陶瓷構件1111a具有中央區域111a。一實施方式中，陶瓷構件1111a亦具有環狀區域111b。再者，如環狀靜電吸盤、環狀絕緣構件般包圍靜電吸盤1111之其他構件亦可具有環狀區域111b。該情形時，環配件112可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，亦可配置於靜電吸盤1111與環狀絕緣構件之雙方之上。又，與下述之RF(Radio Frequency，射頻)電源31及/或DC(Direct Current，直流電)電源32耦合之至少1個RF/DC電極，亦可配置於陶瓷構件1111a內。該情形時，至少1個RF/DC電極作為下部電極發揮功能。於將下述之偏壓RF信號及/或DC信號供給至至少1個RF/DC電極之情形時，RF/DC電極亦稱為偏壓電極。再者，基台1110之導電性構件與至少1個RF/DC電極亦可作為複數個下部電極發揮功能。又，靜電電極1111b亦可作為下部電極發揮功能。因此，基板支持部11包含至少1個下部電極。
環配件112包含1個或複數個環狀構件。一實施方式中，1個或複數個環狀構件包含1個或複數個邊緣環與至少1個罩環。邊緣環由導電性材料或絕緣材料形成，罩環由絕緣材料形成。邊緣環亦稱為聚焦環(FR)。圖1中例示之環配件112具備環狀之邊緣環112a、及配置於邊緣環112a之周圍之環狀之罩環112b。
又，基板支持部11亦可包含調溫模組，該調溫模組以將靜電吸盤1111、環配件112及基板中之至少一者調節為目標溫度之方式構成。調溫模組亦可包含加熱器、導熱介質、流路1110a、或該些之組合。於流路1110a中流動鹽水、氣體類之導熱流體。一實施方式中，流路1110a形成於基台1110內，1個或複數個加熱器配置於靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a內。又，基板支持部11亦可包含導熱氣體供給部，該導熱氣體供給部以對基板W之背面與中央區域111a之間之間隙供給導熱氣體之方式構成。
簇射頭13以將來自氣體供給部20之至少1種處理氣體導入至電漿處理空間10s內之方式構成。簇射頭13具有至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b、及複數個氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a之處理氣體，通過氣體擴散室13b而自複數個氣體導入口13c導入至電漿處理空間10s內。又，簇射頭13包含至少1個上部電極。再者，氣體導入部除包含簇射頭13以外，亦可包含形成於側壁10a之1個或複數個開口部上所安裝之1個或複數個側面氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。
氣體供給部20亦可包含至少1個氣體源21及至少1個流量控制器22。一實施方式中，氣體供給部20以將至少1種處理氣體自分別對應之氣體源21經由分別對應之流量控制器22而供給至簇射頭13的方式構成。各流量控制器22例如亦可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含對至少1種處理氣體之流量進行調變或脈衝化之1個或此以上之流量調變器件。
電源30包含經由至少1個阻抗匹配電路而與電漿處理腔室10耦合之RF電源31。RF電源31以將至少1個RF信號(RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極之方式構成。藉此，自供給至電漿處理空間10s之至少1種處理氣體形成電漿。因此，RF電源31可作為以於電漿處理腔室10中自1種或此以上之處理氣體產生電漿之方式構成之電漿產生部的至少一部分發揮功能。又，可藉由將偏壓RF信號供給至至少1個下部電極而於基板W產生偏壓電位，從而將形成之電漿中之離子成分饋入至基板W。
一實施方式中，RF電源31包含第1RF產生部31a及第2RF產生部31b。第1RF產生部31a構成為，經由至少1個阻抗匹配電路而與至少1個下部電極及/或至少1個上部電極耦合，產生電漿產生用之源極RF信號(源極RF電力)。一實施方式中，源極RF信號具有10 MHz～150 MHz之範圍內之頻率。一實施方式中，第1RF產生部31a亦可構成為產生具有不同頻率之複數個源極RF信號。產生之1個或複數個源極RF信號供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。以下，源極RF信號之峰間電壓亦記為HF＿Vpp，源極RF電力(源極電力)亦記為HF＿pw。
第2RF產生部31b構成為經由至少1個阻抗匹配電路而與至少1個下部電極耦合，產生偏壓RF信號(偏壓RF電力)。偏壓RF信號之頻率可與源極RF信號之頻率相同，亦可不同。一實施方式中，偏壓RF信號具有較源極RF信號之頻率低之頻率。一實施方式中，偏壓RF信號具有100 kHz～60 MHz之範圍內之頻率。一實施方式中，第2RF產生部31b亦可構成為產生具有不同頻率之複數個偏壓RF信號。產生之1個或複數個偏壓RF信號供給至至少1個下部電極。又，各種實施方式中，亦可將源極RF信號及偏壓RF信號中之至少一者脈衝化。以下，偏壓RF信號之峰間電壓亦記為LF＿Vpp，偏壓RF電力(偏壓電力)亦記為LF＿pw。又，源極RF電力及偏壓RF電力於無需對該些有區別地進行說明之情形時均記為RF＿pw。
又，電源30亦可包含與電漿處理腔室10耦合之DC電源32。DC電源32包含第1DC產生部32a及第2DC產生部32b。一實施方式中，第1DC產生部32a構成為與至少1個下部電極連接，且產生第1DC信號。產生之第1偏壓DC信號施加至至少1個下部電極。一實施方式中，第2DC產生部32b構成為與至少1個上部電極連接，且產生第2DC信號。產生之第2DC信號施加至至少1個上部電極。
各種實施方式中，亦可將第1及第2DC信號中之至少一者脈衝化。該情形時，脈衝電壓之序列施加至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。脈衝電壓亦可具有矩形、梯形、三角形或該些之組合之脈衝波形。一實施方式中，用以自DC信號產生脈衝電壓之序列之波形產生部連接於第1DC產生部32a與至少1個下部電極之間。因此，第1DC產生部32a及波形產生部構成脈衝電壓產生部。於第2DC產生部32b及波形產生部構成脈衝電壓產生部之情形時，脈衝電壓產生部連接於至少1個上部電極。脈衝電壓可具有正極性，亦可具有負極性。又，脈衝電壓之序列於1週期內亦可包含1個或複數個正極性脈衝電壓與1個或複數個負極性脈衝電壓。再者，亦可除RF電源31以外還設置有第1及第2DC產生部32a、32b，亦可代替第2RF產生部31b而設置第1DC產生部32a。
電漿處理系統亦可進而具備與邊緣環112a耦合之可變直流電源33。一實施方式中，可變直流電源33構成為與邊緣環112a連接，且產生第3DC信號。產生之DC信號施加至邊緣環112a。以下，施加至邊緣環112a之第3DC信號之電壓亦記為FRDC＿V。
排氣系統40可連接於例如設置於電漿處理腔室10之底部之氣體排出口10e。排氣系統40亦可包含壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥而調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵亦可包含渦輪分子泵、乾泵或該些之組合。
控制部2處理使電漿處理裝置1執行本發明中所述之各種工序之電腦可執行的命令。控制部2可構成為以執行此處所述之各種工序之方式控制電漿處理裝置1之各要素。一實施方式中，控制部2之一部分或全部亦可包含於電漿處理裝置1中。控制部2亦可包含處理部2a1、記憶部2a2及通信介面2a3。控制部2例如藉由電腦2a實現。處理部2a1可構成為藉由自記憶部2a2讀出程式並執行讀出之程式而進行各種控制動作。該程式可預先儲存於記憶部2a2中，亦可於需要時經由介質來獲取。獲取之程式儲存於記憶部2a2中，藉由處理部2a1自記憶部2a2讀出而執行。介質可為能夠由電腦2a讀取之各種記憶介質M，亦可為與通信介面2a3連接之通信線路。處理部2a1亦可為CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。記憶部2a2亦可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)、或該些之組合。通信介面2a3亦可經由LAN(Local Area Network，局域網路)等通信線路而與電漿處理裝置1之間通信。
接下來，對因邊緣環112a之消耗而產生之鞘的變化與傾斜(tilting)之產生進行說明。圖2A及圖2B係用以說明因邊緣環112a之消耗所致之傾斜變動的圖。
圖2A表示邊緣環112a未消耗之狀態。邊緣環112a係作為環配件112之一部分而配置於基板支持部11之環狀區域111b。邊緣環112a之厚度以當配置於環狀區域111b時邊緣環112a之上表面之高度與晶圓W之上表面之高度一致的方式進行設計。於邊緣環112a未產生消耗之情形時，電漿處理中產生之晶圓W上之鞘與邊緣環112a上之鞘成為相同厚度而不產生階差。
此時，離子對晶圓W及邊緣環112a之照射角度與該些之表面大致垂直。其結果，形成於晶圓W之凹部之形狀(蝕刻形狀)於晶圓W之中央區域及周緣區域之任一者均為大致垂直，不產生凹部之形狀變斜之傾斜。
電漿處理中，邊緣環112a暴露於電漿中而慢慢消耗。圖2B表示邊緣環112a消耗之狀態。若因消耗而邊緣環112a之厚度變薄，則邊緣環112a之上表面低於晶圓W之上表面。其結果，如圖2B所示，邊緣環112a之上方之鞘與晶圓W之上方之鞘之間產生階差。
鞘產生階差之結果，如圖中之箭頭符號所示，於晶圓W之周緣區域中離子之照射方向變斜，從而產生形成於晶圓W之凹部之形狀變斜之傾斜。
並不限於上述邊緣環112a，隨著配置於電漿處理腔室10內之構件之消耗，電漿處理裝置1中之製程特性降低。此處，配置於電漿處理腔室10內之構件除邊緣環112a以外，還包含罩環112b、基板支持部11、上部電極、電漿處理腔室10之內壁等。又，電漿處理腔室10存在個體差異(機器差異)，於複數個電漿處理裝置1之間電漿特性不同。
相對於此，本實施方式之電漿處理系統係於電漿處理之執行中隨時監視電漿處理裝置1之狀態，並自主地控制各種參數。藉此，本實施方式之電漿處理系統抑制隨著構件之消耗而產生之製程特性之降低，使複數個電漿處理裝置1中之製程特性之個體差異變小。以下，對電漿處理系統之控制部2執行之處理進行說明。
(1)FRDC＿V之修正 作為構件之消耗對策，控制部2根據RF施加時間來修正FRDC＿V。圖3係說明FRDC＿V之修正方法之曲線圖。曲線圖之橫軸表示RF施加時間，縱軸表示FRDC＿V。此處，RF施加時間表示自第1RF產生部31a及第2RF產生部31b分別供給源極RF信號及偏壓RF信號之時間。FRDC＿V係施加至邊緣環112a之直流電壓值。
一實施方式中，控制部2每當RF施加時間經過50小時，便會使FRDC＿V增加特定增加幅度。增加幅度例如係直至經過200小時為止之期間為25 V，經過200小時後為12.5 V。再者，於FRDC＿V達到上限值(例如300 V)之情形時，控制部2維持其上限值。對FRDC＿V進行修正之時間間隔、及對FRDC＿V進行修正時之增加幅度並不限定於上述，可適當設計。
(2)LF＿pw之修正 LF＿Vpp受經時變化、FRDC＿V之變動之影響而上升。製品特性存在隨著LF＿Vpp之上升而惡化之情形。控制部2為了抑制製品特性之惡化而以與初始Vpp一致之方式對LF＿pw進行修正。此處，初始Vpp設定為在消耗品更換後之陳化處理中直至經過特定時間(例如50小時)為止之LF＿Vpp之平均值。每當更換邊緣環112a等消耗品時(每當將RF施加時間重置為0時)，藉由控制部2算出初始Vpp即可。控制部2亦可代替LF＿Vpp之平均值，而使用中央值、移動平均值等其他統計值來作為初始Vpp。
圖4係說明LF＿pw之修正例之曲線圖。曲線圖之橫軸表示RF施加時間，縱軸表示LF＿pw及LF＿Vpp。RF施加時間表示結束陳化處理而開始實際之電漿處理後之經過時間。LF＿pw及LF＿Vpp示為相對於適當基準值之變化率(%)。如上所述，LF＿Vpp受經時變化、FRDC＿V之變動之影響而上升。圖4之曲線圖表示於開始電漿處理後直至RF施加時間經過50小時為止之期間、經過50小時後直至經過100小時為止之期間等中，LF＿Vpp單調遞增之情況。本實施方式中，控制部2藉由對LF＿pw進行修正而抑制LF＿Vpp之上升。
控制部2例如使用以下之數1表示之修正式來對LF＿pw進行修正。
[數1]
此處，Cor LF＿pw表示針對偏壓電力之當前值之修正量。如數1所示，偏壓電力之修正量Cor LF＿pw示為平均LF＿Vpp(平均Vpp)、初始LF＿Vpp(初始Vpp)、Cor FRDC(FRDC＿V之修正量)、及修正係數α、β之函數。數1之函數形以修正量Cor LF＿pw取負值之方式規定。
控制部2於例如對FRDC＿V進行修正之時序，根據數1對LF＿pw進行修正。LF＿pw藉由修正而被減去。圖4之曲線圖表示每當RF施加時間經過50小時，便對FRDC＿V進行修正並且對LF＿pw進行修正之情況。LF＿pw藉由修正而階段性地每次被減去約1%。又，藉由LF＿pw之修正，而對LF＿Vpp以與初始Vpp一致之方式進行修正。
圖4之曲線圖中，表示於對FRDC＿V進行修正之時序對LF＿pw進行修正之例，但控制部2亦可設為如下構成，即，觀測LF＿Vpp，於LF＿Vpp之變動超過閾值之情形時，對LF＿pw進行修正。閾值例如係基於初始Vpp來設定。一例中，閾值設定為初始Vpp×1.005。
(3)HF＿pw之修正 HF＿Vpp受LF＿pw之修正之影響而上升。存在隨著HF＿Vpp之上升而製品特性惡化之情形。控制部2為了抑制製品特性之惡化而對HF＿pw進行修正。
圖5係說明HF＿pw之修正例之曲線圖。曲線圖之橫軸表示RF施加時間，縱軸表示HF＿pw及HF＿Vpp。RF施加時間表示結束陳化處理而開始實際之電漿處理後之經過時間。HF＿pw及HF＿Vpp示為相對於適當基準值之變化率(%)。HF＿Vpp受LF＿pw之變動之影響而上升。本實施方式中，控制部2藉由對HF＿pw進行修正而抑制HF＿Vpp之上升。
控制部2例如使用以下之數2所示之修正式來對HF＿pw進行修正。
[數2]
此處，Cor HF＿pw表示針對源極電力之當前值之修正量。如數2所示，源極電力之修正量Cor HF＿pw示為Cor LF＿pw、及修正係數γ之函數。數2之函數形以源極電力與偏壓電力之比率固定之方式規定。
以下，對FRDC＿V及RF＿pw之修正步序進行說明。 圖6係說明實施方式1中之修正處理之執行步序之流程圖。於電漿處理裝置1中更換包含邊緣環112a之消耗品，根據規定處理工序之配方來開始製程之後，控制部2執行以下步序。控制部2對在電漿處理裝置1中開始製程後之經過時間進行計時，而判斷是否經過特定時間(例如25小時)(步驟S101)。
於判斷未經過特定時間之情形時(S101：否)，控制部2收集LF＿Vpp之值(步驟S102)。控制部2使收集之LF＿Vpp之值與時刻建立關聯而記憶於記憶部2a2中，將處理返回至步驟S101。
於判斷經過特定時間之情形時(S101：是)，控制部2根據記憶於記憶部2a2中之LF＿Vpp之值來算出初始Vpp(步驟S103)。控制部2算出記憶於記憶部2a2中之LF＿Vpp之平均值作為初始Vpp。代替性的是，控制部2亦可算出記憶於記憶部2a2中之LF＿Vpp之中央值、移動平均值作為初始Vpp。控制部2使算出之初始Vpp記憶於記憶部2a2中。
接下來，控制部2判斷是否對FRDC＿V進行修正(步驟S104)。本實施方式中，控制部2每當RF施加時間經過50小時，便會對FRDC＿V進行修正。該情形時，控制部2藉由判斷製程開始後是否經過50小時、或上次修正後是否經過50小時，而可判斷是否對FRDC＿V進行修正。
於在步驟S104中判斷為要進行修正之情形時(S104：是)，控制部2對FRDC＿V進行修正(步驟S105)。控制部2藉由控制可變直流電源33之動作，而使施加至邊緣環112a之FRDC＿V增加特定增加幅度。增加幅度事先記憶於記憶部2a2中。一例中，直至RF施加時間總共經過200小時為止之期間，增加幅度為25 V，經過200小時後為12.5 V。控制部2對FRDC＿V進行修正之後，執行下述步驟S107之處理，而一併對RF＿pw進行修正。
於在步驟S104中判斷為不進行修正之情形時(S104：否)，控制部2判斷是否對RF＿pw進行修正(步驟S106)。控制部2觀測LF＿Vpp，於例如平均LF＿Vpp超過閾值之情形時，可判斷對RF＿pw進行修正。閾值例如設定為步驟S103中算出之初始Vpp之1.005倍之值。
於在步驟S106中判斷不對RF＿pw進行修正之情形時(S106：否)，控制部2執行步驟S109以下之處理。
於在步驟S106中判斷對RF＿pw進行修正之情形時(S106：是)，或於在步驟S105中對FRDC＿V進行了修正之情形時，控制部2對RF＿pw進行修正(步驟S107)。於步驟S107中，控制部2對偏壓電力及源極電力之雙方進行修正。
控制部2例如基於數1，根據當前之平均LF＿Vpp、初始LF＿Vpp、及FRDC＿V之修正量來算出LF＿pw之修正量。又，控制部2例如基於數2，以可在將HF＿pw與LF＿pw之比率固定之同時維持HF＿Vpp的方式算出HF＿pw之修正量。控制部2可根據算出之LF＿pw及HF＿pw之修正量，而算出修正後之LF＿pw及HF＿pw之值。
控制部2藉由控制第1RF產生部31a而以滿足修正後之HF＿pw之方式產生源極RF信號(源極RF電力)。產生之源極RF信號(源極RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。又，控制部2藉由控制第2RF產生部31b，而以滿足修正後之LF＿pw之方式產生偏壓RF信號(偏壓RF電力)。產生之偏壓RF信號(偏壓RF電力)供給至至少1個下部電極。
接下來，控制部2輸出各種修正值(步驟S108)。控制部2輸出之修正值包含步驟S105中算出之FRDC＿V之修正值、及步驟S107中算出之RF＿pw之修正值。控制部2將包含該些修正值之資訊通過通信介面2a3輸出至外部電腦。外部電腦可為統一管理複數個電漿處理裝置1之管理伺服器，亦可為電漿處理裝置1之管理者等攜帶之行動終端等。又，於電腦2a搭載有液晶顯示器等顯示部之情形時，控制部2亦可使該顯示部顯示包含上述修正值之資訊。
接下來，控制部2判斷製程是否結束(步驟S109)。根據配方來判斷製程之結束。於判斷製程未結束之情形時(S109：否)，控制部2將處理返回至步驟S104。於判斷製程結束之情形時(S109：是)，控制部2結束本流程圖之處理。
圖7係表示修正值之輸出例之圖。控制部2於算出針對FRDC＿V及RF＿pw之修正值之情形時，產生如圖7所示之將輸出項目與各項目之值設為組之修正值表並於上述步驟S108輸出。
圖7所示之修正值表中，作為與FRDC＿V之修正相關之輸出項目而包含FRDC＿Current、FRDC＿Delta、及FRDC(Optimized)。此處，FRDC＿Current表示當前之FRDC＿V之控制值。FRDC＿Delta係FRDC＿V之修正量，表示與當前控制值之差量。FRDC(Optimized)表示FRDC＿V之修正值(修正後之FRDC＿V之控制值)。
又，圖7所示之修正值表中，作為與LF＿pw相關之輸出項目而包含LF＿Power＿Current、LF＿Power＿Delta、LF＿Power＿Delta(Pecentage)、及LF＿Power(Optimized)。此處，LF＿Power＿Current表示當前之LF＿pw之控制值。LF＿Power＿Delta係LF＿pw之修正量，表示與當前控制值之差量。LF＿Power＿Delta(Pecentage)係LF＿pw之修正比率，表示相對於當前控制值之變化比率。LF＿Power(Optimized)表示LF＿pw之修正值(修正後之LF＿pw之控制值)。
又，圖7所示之修正值表中，作為與HF＿pw相關之輸出項目而包含HF＿Power＿Current、HF＿Power＿Delta、HF＿Power＿Delta(Pecentage)、及HF＿Power(Optimized)。此處，HF＿Power＿Current表示當前HF＿pw之控制值。HF＿Power＿Delta係HF＿pw之修正量，表示與當前控制值之差量。HF＿Power＿Delta(Pecentage)係HF＿pw之修正比率，表示相對於當前控制值之變化比率。HF＿Power(Optimized)表示HF＿pw之修正值(修正後之HF＿pw之控制值)。
修正值表之輸出項目並不限定於圖7所示者，可適當設定。例如，修正值表亦可包含RF施加時間、FRDC＿V、LF＿Vpp、LF＿pw、HF＿Vpp、HF＿pw等在製程之執行中測量之值作為輸出項目。又，修正值表亦可包含初始Vpp、修正係數α、β、γ等用於修正運算之參數作為輸出項目。進而，修正值表亦可包含FRDC＿V、LF＿Vpp、LF＿pw、HF＿Vpp、HF＿pw等之控制範圍(上限及下限)作為輸出項目。
控制部2亦可將產生之修正值表自通信介面2a3輸出至外部電腦。又，控制部2亦可使產生之修正值表顯示於顯示部。
如上所述，實施方式1中，控制部2根據RF施加時間來對FRDC＿V進行修正，因此可抑制隨著邊緣環112a之消耗而產生之製程特性的降低。又，實施方式1中，控制部2於平均LF＿Vpp超過閾值之情形時、對FRDC＿V進行了修正之情形時，對RF＿pw進行修正，因此可抑制製品特性之惡化。
實施方式1中，設為控制部2執行修正處理之構成，但亦可設為在能夠與控制部2通信之雲伺服器等外部伺服器執行修正處理之構成。又，安裝於控制部2之程式亦可作為程式製品來提供。
(實施方式2) 實施方式2中對如下構成進行說明，即，觀測源極電力之峰間電壓(HF＿Vpp)，並根據HF＿Vpp之變動來對源極電力及偏壓電力進行修正。 電漿處理系統之整體構成、電漿處理裝置1之內部構成、控制部2之內部構成等與實施方式1相同，因此省略其說明。
圖8係說明實施方式2之修正處理之執行步序之流程圖。於電漿處理裝置1中更換包含邊緣環112a之消耗品，根據規定處理工序之配方來開始製程後，控制部2執行以下步序。控制部2對在電漿處理裝置1中開始製程後之經過時間進行計時，判斷是否經過特定時間(例如25小時)(步驟S201)。
於判斷未經過特定時間之情形時(S201：否)，控制部2收集HF＿Vpp之值(步驟S202)。控制部2使收集之HF＿Vpp之值與時刻建立關聯而記憶於記憶部2a2中，將處理返回至步驟S201。
於判斷經過特定時間之情形時(S201：是)，控制部2根據記憶於記憶部2a2中之HF＿Vpp之值而算出初始Vpp(步驟S203)。控制部2算出記憶於記憶部2a2中之LF＿Vpp之平均值作為初始Vpp。代替性的是，控制部2亦可算出記憶於記憶部2a2中之LF＿Vpp之中央值、移動平均值作為初始Vpp。控制部2使算出之初始Vpp記憶於記憶部2a2中。
接下來，控制部2判斷是否對FRDC＿V進行修正(步驟S204)。本實施方式中，控制部2每當RF施加時間經過50小時，便對FRDC＿V進行修正。該情形時，控制部2藉由判斷製程開始後是否經過50小時、或上次修正後是否經過50小時，而可判斷是否對FRDC＿V進行修正。
於在步驟S204中判斷要進行修正之情形時(S204：是)，控制部2對FRDC＿V進行修正(步驟S205)。控制部2藉由控制可變直流電源33之動作，而使施加至邊緣環112a之FRDC＿V增加特定增加幅度。增加幅度事先記憶於記憶部2a2中。一例中，直至RF施加時間總共經過200小時為止之期間，增加幅度為25 V，經過200小時後為12.5 V。控制部2對FRDC＿V進行修正後，執行下述步驟S207之處理，而一併對RF＿pw進行修正。
於在步驟S204判斷不進行修正之情形時(S204：否)，控制部2判斷是否對RF＿pw進行修正(步驟S206)。控制部2觀測HF＿Vpp，於例如平均HF＿Vpp超過閾值之情形時，判斷對RF＿pw進行修正。閾值例如設定為在步驟S203中算出之初始Vpp之1.005倍之值。
於在步驟S206判斷不對RF＿pw進行修正之情形時(S206：否)，控制部2執行步驟S209以下之處理。
於在步驟S206判斷對RF＿pw進行修正之情形時(S206：是)、或在步驟S205中對FRDC＿V進行了修正之情形時，控制部2對RF＿pw進行修正(步驟S207)。步驟S207中，控制部2對偏壓電力及源極電力之雙方進行修正。具體而言，與實施方式1相同，控制部2以在將HF＿pw與LF＿pw之比率固定之同時，使觀測之HF＿Vpp接近初始設定值(初始Vpp)之方式，對偏壓電力及源極電力之雙方進行修正。
控制部2藉由控制第1RF產生部31a而以滿足修正後之HF＿pw之方式產生源極RF信號(源極RF電力)。產生之源極RF信號(源極RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。又，控制部2藉由控制第2RF產生部31b而以滿足修正後之LF＿pw之方式產生偏壓RF信號(偏壓RF電力)。產生之偏壓RF信號(偏壓RF電力)供給至至少1個下部電極。
接下來，控制部2輸出各種修正值(步驟S208)。控制部2輸出之修正值與實施方式1相同。控制部2將包含修正值之資訊通過通信介面2a3輸出至外部電腦。外部電腦可為統一管理複數個電漿處理裝置1之管理伺服器，亦可為電漿處理裝置1之管理者等攜帶之行動終端等。又，於電腦2a搭載有液晶顯示器等顯示部之情形時，控制部2亦可使該顯示部顯示包含上述修正值之資訊。
接下來，控制部2判斷製程是否結束(步驟S209)。根據配方來判斷製程之結束。於判斷製程未結束之情形時(S209：否)，控制部2將處理返回至步驟S204。於判斷製程結束之情形時(S209：是)，控制部2結束本流程圖之處理。
(實施方式3) 如上所述，亦可對電漿處理裝置1之下部電極施加脈衝電壓。該情形時，控制部2觀測施加至電漿處理裝置1之下部電極之脈衝電壓之電流值，根據觀測之電流值之變動來對源極電力及脈衝電壓進行修正即可。實施方式3中，對如下構成進行說明，即，根據施加至下部電極之脈衝電壓之電流值之變動來對源極電力及脈衝電壓進行修正。 再者，電漿處理系統之整體構成、電漿處理裝置1之內部構成、控制部2之內部構成等與實施方式1相同，因此省略其說明。
圖9係說明實施方式3中之修正處理之執行步序之流程圖。於電漿處理裝置1中更換包含邊緣環112a之消耗品，根據規定處理工序之配方來開始製程之後，控制部2執行以下步序。控制部2對在電漿處理裝置1中開始製程後之經過時間進行計時，而判斷是否經過特定時間(例如25小時)(步驟S301)。
於判斷未經過特定時間之情形時(S301：否)，控制部2收集施加至下部電極之脈衝電壓之電流值(步驟S302)。控制部2使收集之電流值與時刻建立關聯而記憶於記憶部2a2中，將處理返回至步驟S301。
於判斷經過特定時間之情形時(S301：是)，控制部2根據記憶於記憶部2a2中之電流值而算出初始電流值(步驟S303)。控制部2算出記憶於記憶部2a2中之電流值之平均值作為初始電流值。代替性的是，控制部2亦可算出記憶於記憶部2a2中之電流值之中央值、移動平均值作為初始電流值。控制部2使算出之初始電流值記憶於記憶部2a2。
接下來，控制部2判斷是否對FRDC＿V進行修正(步驟S304)。本實施方式中，控制部2每當RF施加時間經過50小時，便會對FRDC＿V進行修正。該情形時，控制部2藉由判斷製程開始後是否經過50小時、或上次修正後是否經過50小時，來判斷是否對FRDC＿V進行修正。
於在步驟S304中判斷要進行修正之情形時(S304：是)，控制部2對FRDC＿V進行修正(步驟S305)。控制部2藉由控制可變直流電源33之動作，而使施加至邊緣環112a之FRDC＿V增加特定增加幅度。增加幅度事先記憶於記憶部2a2中。一例中，直至RF施加時間總共經過200小時為止之期間，增加幅度為25 V，經過200小時後為12.5 V。控制部2於對FRDC＿V進行修正後，執行下述步驟S307之處理，而一併對源極電力及脈衝電壓進行修正。
於在步驟S304中判斷不進行修正之情形時(S304：否)，控制部2判斷是否對源極電力及脈衝電壓進行修正(步驟S306)。控制部2觀測施加至下部電極之脈衝電壓之電流值，於觀測之電流值超過閾值之情形時，可判斷對源極電力及脈衝電壓進行修正。閾值例如係根據步驟S303中算出之初始電流值來設定。
於在步驟S306中判斷不進行修正之情形時(S306：否)，控制部2執行步驟S309以下之處理。
於在步驟S306中判斷要進行修正之情形時(S306：是)、或在步驟S305中對FRDC＿V進行了修正之情形時，控制部2對電漿產生用之源極電力與施加至下部電極之脈衝電壓進行修正(步驟S307)。具體而言，控制部2以在將源極電力與脈衝電壓之比率固定之同時，使觀測之脈衝電壓之電流值接近初始電流值之方式，對源極電力及脈衝電壓之雙方進行修正。
控制部2藉由控制第1RF產生部31a，而以滿足修正後之HF＿pw之方式產生源極RF信號(源極RF電力)。產生之源極RF信號(源極RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。又，控制部2藉由控制第1DC產生部32a而產生修正後之脈衝電壓。產生之脈衝電壓供給至至少1個下部電極。
接下來，控制部2輸出各種修正值(步驟S308)。控制部2輸出之修正值包含步驟S305中算出之FRDC＿V之修正值、及步驟S307中算出之源極電力及脈衝電壓之修正值。控制部2將包含該些修正值之資訊通過通信介面2a3輸出至外部電腦。外部電腦可為統一管理複數個電漿處理裝置1之管理伺服器，亦可為電漿處理裝置1之管理者等攜帶之行動終端等。又，於電腦2a搭載有液晶顯示器等顯示部之情形時，控制部2使該顯示部顯示包含上述修正值之資訊。
接下來，控制部2判斷製程是否結束(步驟S309)。根據配方來判斷製程之結束。於判斷製程未結束之情形時(S309：否)，控制部2將處理返回至步驟S304。於判斷製程結束之情形時(S309：是)，控制部2結束本流程圖之處理。
(實施方式4) 實施方式4之電漿處理裝置1中，代替FRDC＿V而將脈衝電壓施加至邊緣環112a。例如，電漿處理裝置1具備之第1DC產生部32a對至少1個下部電極施加脈衝電壓，並且亦對邊緣環112a施加脈衝電壓。此種電漿處理裝置1中，亦可對施加至邊緣環112a之脈衝電壓進行修正，並且對電漿產生用之源極電力、及施加至下部電極之脈衝電壓進行修正。實施方式4中，將施加至邊緣環112a之脈衝電壓稱為第1脈衝電壓，將施加至下部電極之脈衝電壓稱為第2脈衝電壓。
圖10係對實施方式4之修正處理之執行步序進行說明之流程圖。於電漿處理裝置1中更換包含邊緣環112a之消耗品，根據規定處理工序之配方來開始製程後，控制部2執行以下步序。控制部2對在電漿處理裝置1中開始製程後之經過時間進行計時，而判斷是否經過特定時間(例如25小時)(步驟S401)。
於判斷未經過特定時間之情形時(S401：否)，控制部2收集第2脈衝電壓之電流值(步驟S402)。控制部2使收集之電流值與時刻建立關聯而記憶於記憶部2a2中，將處理返回至步驟S401。
於判定經過特定時間之情形時(S401：是)，控制部2根據記憶於記憶部2a2中之電流值來算出初始電流值(步驟S403)。控制部2算出記憶於記憶部2a2中之電流值之平均值作為初始電流值。代替性的是，控制部2亦可算出記憶於記憶部2a2中之電流值之中央值、移動平均值作為初始電流值。控制部2使算出之初始電流值記憶於記憶部2a2中。
接下來，控制部2判斷是否對第1脈衝電壓進行修正(步驟S404)。本實施方式中，控制部2每當RF施加時間經過50小時，便會對第1脈衝電壓進行修正。該情形時，控制部2藉由判斷開始製程後是否經過50小時、或上次修正後是否經過50小時，而可判斷是否對第1脈衝電壓進行修正。
於在步驟S404中判斷要進行修正之情形時(S404：是)，控制部2對第1脈衝電壓進行修正(步驟S405)。控制部2藉由控制第1DC產生部32a之動作，而使施加至邊緣環112a之脈衝電壓之大小增加。增加幅度事先記憶於記憶部2a2中。控制部2於對第1脈衝電壓進行修正後，執行下述步驟S407之處理，而一併對源極電力及第2脈衝電壓進行修正。
於在步驟S404中判斷不進行修正之情形時(S404：否)，控制部2判斷是否對源極電力及第2脈衝電壓進行修正(步驟S406)。控制部2觀測施加至下部電極之第2脈衝電壓之電流值，於觀測之電流值超過閾值之情形時，可判斷對源極電力及第2脈衝電壓進行修正。閾值例如係根據步驟S403中算出之初始電流值來設定。
於在步驟S406中判斷不進行修正之情形時(S406：否)，控制部2執行步驟S409以下之處理。
於在步驟S406判斷要進行修正之情形時(S406：是)、或在步驟S405中對第1脈衝電壓進行了修正之情形時，控制部2對源極電力及第2脈衝電壓進行修正(步驟S407)。具體而言，控制部2以在將源極電力與第2脈衝電壓之比率固定之同時，使觀測之第2脈衝電壓之電流值接近初始電流值之方式，對源極電力及第2脈衝電壓之雙方進行修正。
控制部2藉由控制第1RF產生部31a，而以滿足修正後之HF＿pw之方式產生源極RF信號(源極RF電力)。產生之源極RF信號(源極RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。又，控制部2藉由控制第1DC產生部32a而產生修正後之第2脈衝電壓。產生之第2脈衝電壓供給至至少1個下部電極。
接下來，控制部2輸出各種修正值(步驟S408)。控制部2輸出之修正值包含步驟S405中算出之第1脈衝電壓之修正值、及步驟S407中算出之源極電力及第2脈衝電壓之修正值。控制部2將包含該些修正值之資訊通過通信介面2a3輸出至外部電腦。外部電腦可為統一管理複數個電漿處理裝置1之管理伺服器，亦可為電漿處理裝置1之管理者等攜帶之行動終端等。又，於在電腦2a搭載有液晶顯示器等顯示部之情形時，控制部2亦可使該顯示部顯示包含上述修正值之資訊。
接下來，控制部2判斷製程是否結束(步驟S409)。根據配方來判斷製程之結束。於判斷製程未結束之情形時(S409：否)，控制部2將處理返回至步驟S404。於判斷製程結束之情形時(S409：是)，控制部2結束本流程圖之處理。
(實施方式5) 實施方式5中，對過度修正防止功能進行說明。 再者，電漿處理裝置1之構成、控制部2之構成與實施方式1相同，因此省略其說明。
如實施方式1中所說明，控制部2於平均LF＿Vpp超過閾值之情形時、對FRDC＿V進行了修正之情形時，根據數1及數2來對LF＿pw及HF＿pw進行修正。然而，若修正量較大，則源極電力、偏壓電力變低，因此有無法發揮所需製程性能之可能性。由此，實施方式5中，針對LF＿pw及HF＿pw之修正而設置有過度修正防止功能。
圖11係表示過度修正防止處理之執行步序之流程圖。控制部2於算出對LF＿pw及HF＿pw之修正量之情形時，執行以下處理。
控制部2於步驟S501中，判斷對LF＿pw之修正量之絕對值(｜Cor LF＿pw｜)是否為第1閾值以上。第1閾值例如設定為當前LF＿pw之5%之值(LF＿pw×0.05)。再者，第1閾值並不限於LF＿pw之5%之值，亦可適當設定。
控制部2於步驟S502中，判斷對HF＿pw之修正量之絕對值(｜Cor HF＿pw｜)是否為第2閾值以上。第2閾值例如設定為當前之HF＿pw之5%之值(HF＿pw×0.05)。再者，第2閾值並不限於HF＿pw之5%之值，亦可適當設定。
於在步驟S501中判斷｜Cor LF＿pw｜為第1閾值以上之情形時，或在步驟S502中判斷｜Cor HF＿pw｜為第2閾值以上之情形時，控制部2停止LF＿pw及HF＿pw之修正(步驟S503)。該情形時，不變更LF＿pw及HF＿pw而繼續進行製程。
另一方面，於在步驟S501中判斷｜Cor LF＿pw｜未達第1閾值之情形時，且在步驟S502中判斷｜Cor HF＿pw｜未達第2閾值之情形時，控制部2不停止修正而結束本流程圖之處理。該情形時，對LF＿pw及HF＿pw進行修正，繼續進行製程。
如上所述，實施方式5中，藉由對LF＿pw及HF＿pw之修正設置過度修正防止功能，可防止源極電力、偏壓電力之值低於假設範圍。
(實施方式6) 實施方式6中，對修正係數α、β、γ之校正步序進行說明。 再者，電漿處理裝置1之構成、控制部2之構成與實施方式1相同，因此省略其說明。
電漿處理裝置中，一般定期將處理室內向大氣開放而進行包含邊緣環之組件之更換、處理室內之附著物之除去等濕洗。然而，剛進行濕洗後之處理室內之環境與量產穩定時之環境不同，因此結果使得於濕洗前後電漿處理性能有變化。
為了解決該問題點，而進行對量產時之電漿處理加以模擬之電漿處理(以下，稱為陳化處理)，使處理室內之狀態接近量產穩定時。陳化處理中，大多使用與製品用之被處理體不同之虛設之被處理體來進行電漿處理，藉此對量產時之電漿處理進行模擬。
實施方式6中，於記述該陳化處理之步序之陳化配方中嵌入修正係數α、β、γ之校正用之步驟，藉此於每一陳化處理中對修正係數進行校正。包含嵌入有修正係數校正用之步驟之陳化配方的各種配方，例如預先記憶於控制部2內之記憶部2a2中。
圖12係說明修正係數之校正步序之流程圖。控制部2判斷是否需要陳化處理(步驟S601)。於將電漿處理腔室10向大氣開放以更換包含邊緣環112a之電漿處理裝置1之組件、或除去處理室內之附著物之情形時，控制部2判斷需要陳化處理。於判斷不需要陳化處理之情形時(S601：否)，控制部2結束本流程圖之處理。
於判斷需要陳化處理之情形時(S601：是)，控制部2自記憶部2a2讀入嵌入有修正係數校正用之步驟之陳化配方(步驟S602)，根據讀入之陳化配方來執行陳化處理(步驟S603)。
控制部2於執行陳化處理之過程中，根據修正係數校正用之步驟來對修正係數α、β、γ進行校正。控制部2例如於修正係數校正用之步驟中藉由對測量之LF＿pw、LF＿Vpp、HF＿pw、HF＿Vpp之值進行解析，而可對修正係數α、β、γ進行校正。
藉由執行嵌入有修正係數校正用之步驟之陳化配方而獲得校正後的修正係數α、β、γ，因此控制部2使獲得之修正係數α、β、γ記憶於記憶部2a2中(步驟S604)。
再者，於準備步驟數不同之複數種陳化配方之情形時，亦可針對每一陳化配方來使對修正係數進行校正時之初始值、校正方法不同。
如上所述，實施方式6中，每當執行陳化處理，便會對修正係數進行校正，因此不管電漿處理裝置1之機器差異如何，均可使用適當之修正係數對源極電力、偏壓電力進行修正。
實施方式6中，設為藉由在陳化配方中嵌入修正係數α、β、γ之校正用之步驟來對修正係數進行校正的構成，亦可不嵌入於陳化配方中，而單獨實施係數修正用之配方。
當認為此次揭示之實施方式於所有點均為例示而非限制性者。本發明之範圍並非為上述意思，而是藉由申請專利範圍表示，並意圖包含與申請專利範圍相同之意思及範圍內之所有變更。
實施方式中說明了向電容耦合型之電漿處理裝置1之應用例，但並不限於電容耦合型，亦可應用於Inductively Coupled Plasma(ICP，電感耦合電漿)、Radial Line Slot Antenna(RLSA，徑向線縫隙天線)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR，微波電子回旋共振電漿)、Helicon Wave Plasma(HWP，螺旋波電漿)之任意類型之電漿處理裝置。
實施方式中，列舉晶圓W作為設成處理對象之基板之一例來進行明，但作為處理對象之基板並不限於晶圓W，亦可為用於FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)之各種基板、印刷基板等。
1:電漿處理裝置 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通信介面 10:電漿處理腔室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 13:簇射頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:電源 31:RF電源 31a:第1RF產生部 31b:第2RF產生部 32:DC電源 32a:第1DC產生部 32b:第2DC產生部 33:可變直流電源 40:排氣系統 111:本體部 111a:中央區域 111b:環狀區域 112:環配件 112a:邊緣環 112b:罩環 1110:基台 1110a:流路 1111:靜電吸盤 1111a:陶瓷構件 1111b:靜電電極 M:記憶介質 W:晶圓 S101~109、S201~209、S301~309、S401~409、S501~503、S601~604:步驟
圖1係用以說明電容耦合型之電漿處理裝置之構成例之圖。 圖2A係用以說明由邊緣環之消耗所致之傾斜變動之圖。 圖2B係用以說明由邊緣環之消耗所致之傾斜變動之圖。 圖3係說明FRDC＿V之修正方法之曲線圖。 圖4係說明LF＿pw之修正例之曲線圖。 圖5係說明HF＿pw之修正例之曲線圖。 圖6係說明實施方式1中之修正處理之執行步序之流程圖。 圖7係表示修正值之輸出例之圖。 圖8係說明實施方式2中之修正處理之執行步序之流程圖。 圖9係說明實施方式3中之修正處理之執行步序之流程圖。 圖10係說明實施方式4中之修正處理之執行步序之流程圖。 圖11係表示過度修正防止處理之執行步序之流程圖。 圖12係說明修正係數之校正步序之流程圖。
S101~109:步驟

Claims (12)

  1. 一種控制程式，其係電漿處理裝置之控制程式，該電漿處理裝置係藉由對電漿產生源供給源極電力，且對載置作為處理對象之基板之載置台供給偏壓電力而進行電漿處理，且該控制程式用以使電腦執行如下處理，即， 觀測上述源極電力或上述偏壓電力之峰間電壓值， 根據上述峰間電壓值之變動，而以將上述源極電力與上述偏壓電力之比率固定，且使觀測之峰間電壓值接近初始設定值之方式，對供給至上述電漿產生源之源極電力及供給至上述載置台之偏壓電力進行修正。
  2. 如請求項1之控制程式，其用以使上述電腦執行如下處理，即，根據上述源極電力及上述偏壓電力之施加時間，而對施加至配置於上述載置台之周圍之外周構件的直流電壓之值進行修正。
  3. 如請求項2之控制程式，其用以使上述電腦執行如下處理，即，於觀測之峰間電壓值超過閾值之情形時、或對上述直流電壓之值進行了修正之情形時，對上述源極電力及上述偏壓電力進行修正。
  4. 如請求項2或3之控制程式，其用以使上述電腦執行如下處理，即，針對每一在更換包含上述外周構件之組件後實施之陳化處理，而對用於上述源極電力及上述偏壓電力之修正之修正係數進行校正。
  5. 如請求項4之控制程式，其中藉由根據嵌入有修正係數校正用之步驟之陳化配方來執行上述陳化處理，而對上述修正係數進行校正。
  6. 如請求項4或5之控制程式，其用以使上述電腦執行如下處理，即，於上述修正係數之校正後收集上述源極電力或上述偏壓電力之峰間電壓值，且 根據收集結果來算出上述初始設定值。
  7. 如請求項1至6中任一項之控制程式，其用以使上述電腦執行如下處理，即，於修正後之源極電力或偏壓電力超過設定範圍之情形時，輸出警告。
  8. 一種控制程式，其係電漿處理裝置之控制程式，該電漿處理裝置係藉由對電漿產生源供給源極電力，且對載置作為處理對象之基板之載置台施加脈衝電壓而進行電漿處理，且該控制程式用以使電腦執行如下處理，即， 觀測上述脈衝電壓之電流值，且 根據上述電流值之變動，而以將上述源極電力與上述脈衝電壓之比率固定，且使觀測之脈衝電壓之電流值接近初始設定值之方式，對供給至上述電漿產生源之源極電力及施加至上述載置台之脈衝電壓進行修正。
  9. 一種控制方法，其係電漿處理裝置之控制方法，該電漿處理裝置係藉由對電漿產生源供給源極電力，且對載置作為處理對象之基板之載置台供給偏壓電力而進行電漿處理，且該控制方法用以使電腦執行如下處理，即， 觀測上述源極電力或上述偏壓電力之峰間電壓值， 根據上述峰間電壓值之變動，而以將上述源極電力與上述偏壓電力之比率固定，且使觀測之峰間電壓值接近初始設定值之方式，對供給至上述電漿產生源之源極電力及供給至上述載置台之偏壓電力進行修正。
  10. 一種控制方法，其係電漿處理裝置之控制方法，該電漿處理裝置係藉由對電漿產生源供給源極電力，且對載置作為處理對象之基板之載置台施加脈衝電壓而進行電漿處理，且該控制方法用以使電腦執行如下處理，即， 觀測上述脈衝電壓之電流值， 根據上述電流值之變動，而以將上述源極電力與上述脈衝電壓之比率固定，且使觀測之脈衝電壓之電流值接近初始設定值之方式，對供給至上述電漿產生源之源極電力及施加至上述載置台之脈衝電壓進行修正。
  11. 一種電漿產生裝置，其具備：載置台，其載置作為處理對象之基板；外周構件，其配置於上述載置台之周圍；第1電源，其對電漿產生源供給源極電力；第2電源，其對上述載置台供給偏壓電力；第3電源，其對上述外周構件施加直流電壓；及控制部；且該電漿產生裝置具備： 觀測部，其觀測上述源極電力或上述偏壓電力之峰間電壓值；及 修正部，其根據上述峰間電壓值之變動，而以將上述源極電力與上述偏壓電力之比率固定，且使觀測之峰間電壓值接近初始設定值之方式，對上述第1電源所供給之源極電力及上述第2電源所供給之偏壓電力進行修正； 上述控制部以將藉由上述修正部進行了修正之源極電力及偏壓電力分別供給至上述電漿產生源及上述載置台之方式，控制上述第1電源及上述第2電源之動作。
  12. 一種電漿產生裝置，其具備：載置台，其載置作為處理對象之基板；外周構件，其配置於上述載置台之周圍；第1電源，其對電漿產生源供給源極電力；第2電源，其對上述載置台施加脈衝電壓；第3電源，其對上述外周構件施加直流電壓；及控制部；且該電漿產生裝置具備： 觀測部，其觀測上述脈衝電壓之電流值；及 修正部，其根據上述電流值之變動，而以將上述源極電力與上述偏壓電力之比率固定，且使觀測之脈衝電壓之電流值接近初始設定值之方式，對上述第1電源所供給之源極電力及上述第2電源所施加之脈衝電壓進行修正； 上述控制部以將藉由上述修正部進行了修正之源極電力供給至上述電漿產生源，且將進行了修正之脈衝電壓施加至上述載置台之方式，控制上述第1電源及上述第2電源之動作。
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