KR20180020902A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20180020902A
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고지 니시야마
가즈히로 이노우에
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

노광 처리 전의 기판이 재치겸 냉각부에 반입되어, 냉각된다. 냉각된 기판이 재치겸 냉각부로부터 반송 장치에 의해 유지되어, 반출된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우, 재치겸 냉각부로부터 반출된 기판이 반송 장치에 의해 노광 장치에 반송된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우, 재치겸 냉각부로부터 반출된 기판이 반송 장치에 의해 냉각겸 버퍼부에 반입된다. 냉각겸 버퍼부에 있어서, 기판의 온도가 유지된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치에 의해 냉각겸 버퍼부로부터 기판이 반출되어, 노광 장치에 반송된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조에 있어서의 리소그래피 공정에서는, 기판 상에 레지스트액 등의 도포액이 공급됨으로써 도포막이 형성된다. 도포막이 노광된 후, 현상됨으로써, 도포막에 소정의 패턴이 형성된다. 일본국 특허공개 2010-219434호 공보에는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치가 기재되어 있다.
일본국 특허공개 2010-219434호 공보에 기재된 기판 처리 장치는, 기판으로의 도포막의 형성 및 현상이 행해지는 처리 블록과, 노광에 적합한 온도로 기판이 냉각되는 인터페이스 블록을 포함한다. 또, 인터페이스 블록에는, 도포막이 형성된 기판을 노광을 위해 처리 블록으로부터 노광 장치에 반송함과 함께, 노광된 기판을 현상을 위해 노광 장치로부터 처리 블록에 반송하는 반송 장치가 설치된다.
기판의 처리 효율을 향상시키기 위해, 노광 장치에 의한 처리에 필요로 하는 시간이 예측되고, 예측된 시간에 의거하여 기판 처리 장치의 반송 장치가 선행 동작을 행하도록 제어되는 경우가 있다. 이러한 선행 동작에 있어서는, 반송 장치는, 노광 장치에 반입된 기판의 처리가 개시되면, 즉시 다음의 기판을 노광 장치에 반입한다.
그러나, 노광 장치의 가동이 일시적으로 정지하는 경우가 있다. 또, 노광 장치에서 기판이 정체하는 경우도 있다. 이 경우, 기판 처리 장치로부터 노광 장치로의 기판의 반입을 기다릴 필요가 있다. 그것에 의해, 기판 처리 장치에서의 기판의 처리 효율이 저하된다. 또, 기판의 온도가 노광 처리를 위해 최적화되어 있음에도 불구하고, 노광 장치에 반입될 때까지 기판의 온도가 변화되어, 기판을 적절히 처리할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은, 노광 장치의 상태에 따라 기판의 처리 효율의 저하를 억제하면서 적절한 상태의 기판을 노광 장치에 반입하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일국면에 따른 기판 처리 장치는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서, 기판 상에 감광성 재료를 도포하여 감광성막을 형성하는 도포 장치를 포함하는 처리부와, 처리부와 노광 장치 사이에서 기판의 수도(受渡)를 행하기 위한 수도부와, 기판의 반송을 제어하는 기판 반송 제어부를 구비하고, 수도부는, 기판을 유지하여 반송하는 제1 및 제2 반송 장치와, 기판을 재치(載置) 가능하게 구성되며, 재치된 기판을 냉각하기 위한 재치 냉각부와, 기판을 재치 가능하게 구성되며, 재치된 기판의 온도를 유지하기 위한 온도 유지부를 포함하고, 기판 반송 제어부는, 처리부로부터의 기판을 재치 냉각부에 반입하도록 제1 반송 장치를 제어하고, 재치 냉각부에 재치된 기판을 반출하도록 제2 반송 장치를 제어하고, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 노광 장치에 반송하도록 제2 반송 장치를 제어하고, 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 온도 유지부에 반입하도록 제2 반송 장치를 제어하고, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하다고 판정된 후, 온도 유지부로부터 기판을 반출하여 노광 장치에 반송하도록 제2 반송 장치를 제어한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 처리부의 도포 장치에 의해 기판 상에 감광성 재료가 도포되어, 감광성막이 형성된다. 수도부에 있어서 처리부로부터의 기판이 제1 반송 장치에 의해 유지되어, 재치 냉각부에 반입된다. 제1 반송 장치에 의해 반입된 기판이 재치 냉각부에 의해 냉각된다. 냉각된 기판이 재치 냉각부로부터 제2 반송 장치에 의해 유지되어, 반출된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출된 기판이 제2 반송 장치에 의해 노광 장치에 반송된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출된 기판이 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부에 반입된다. 제2 반송 장치에 의해 반입된 기판의 온도가 온도 유지부에 의해 유지된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부로부터 기판이 반출되어, 노광 장치에 반송된다.
이 구성에 의하면, 노광 장치의 가동이 일시적으로 정지한 경우 또는 노광 장치에서 기판이 정체한 경우에도, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 될 때까지 기판이 온도 유지부에 재치된다. 그 때문에, 제2 반송 장치는, 노광 장치에 반송해야 할 기판을 계속 유지할 필요가 없다. 이것에 의해, 제2 반송 장치는, 수도부에 있어서의 다른 기판의 반송을 계속할 수 있다. 또, 온도 유지부에 재치된 기판의 온도가 유지되므로, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 소정의 온도의 기판을 즉시 노광 장치에 반송할 수 있다. 이러한 결과, 노광 장치의 상태에 따라 기판의 처리 효율의 저하를 억제하면서 적절한 상태의 기판을 노광 장치에 반입하는 것이 가능해진다.
(2) 기판 반송 제어부는, 처리부로부터의 기판을 재치 냉각부에 반송하도록 제1 반송 장치를 제어하는 제1 반송 제어부와, 재치 냉각부에 재치된 기판을 반출하도록 제2 반송 장치를 제어하는 제2 반송 제어부와, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정하는 판정부와, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하다고 판정된 경우에, 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 노광 장치에 반송하도록 제2 반송 장치를 제어하는 제3 반송 제어부와, 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능하다고 판정된 경우에, 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 온도 유지부에 반입하고, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하다고 판정된 후, 온도 유지부로부터 기판을 반출하여 노광 장치에 반송하도록 제2 반송 장치를 제어하는 제4 반송 제어부를 포함해도 된다. 이 경우, 제2 반송 제어부의 제어를 용이하게 행할 수 있다.
(3) 수도부는, 재치 냉각부를 복수 포함하고, 기판 반송 제어부는, 복수의 재치 냉각부 중 일부의 재치 냉각부가 온도 유지부로서 기능하도록 제1 및 제2 반송 장치를 제어해도 된다. 이 경우, 재치 냉각부와 동일한 구성에 의해 온도 유지부를 실현할 수 있다. 이것에 의해, 온도 유지부의 제조 비용을 저감할 수 있다.
(4) 기판 반송 제어부는, 복수의 재치 냉각부 중 온도 유지부로서 기능하는 일부의 재치 냉각부가 순차적으로 변경되도록 제1 및 제2 반송 장치를 제어해도 된다. 이 경우, 일부의 재치 냉각부 만이 현저하게 경년 열화되는 것을 방지할 수 있다.
(5) 수도부는, 기판을 일시적으로 축적하기 위한 버퍼부를 더 포함하고, 기판 반송 제어부는, 재치 냉각부가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 처리부에 의해 처리된 기판을 버퍼부에 반송하고, 재치 냉각부가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 버퍼부에 축적된 기판을 재치 냉각부에 반송하도록 제1 반송 장치를 추가로 제어해도 된다.
이 경우, 제1 반송 장치는, 재치 냉각부에 반송해야 할 기판을 계속 유지할 필요가 없다. 이것에 의해, 제1 반송 장치는, 수도부에 있어서의 다른 기판의 반송을 계속할 수 있다. 또, 재치 냉각부가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 버퍼부에 재치된 기판을 즉시 재치 냉각부에 반송할 수 있다. 그 결과, 처리 효율의 저하를 보다 억제할 수 있다.
(6) 수도부는, 기판을 재치 가능한 복귀 재치부를 더 포함하고, 기판 반송 제어부는, 복귀 재치부에 재치된 노광 후의 기판을 반출하여 반송하도록 제1 반송 장치를 추가로 제어하고, 노광 후의 기판을 노광 장치로부터 반출하여 복귀 재치부에 반송하도록 제2 반송 장치를 추가로 제어해도 된다. 이 경우, 노광 후의 기판을 복귀 재치부로부터 반출하여 용이하게 취출할 수 있다.
(7) 제1 반송 장치는, 기판을 유지하는 제1 및 제2 유지부를 가지며, 기판 반송 제어부는, 복귀 재치부로부터의 기판의 반출과, 재치 냉각부로의 기판의 반입을 연속적 또는 병렬적으로 행하도록 제1 반송 장치의 제1 및 제2 유지부를 제어해도 된다.
이 경우, 복귀 재치부로부터의 기판의 반출과, 재치 냉각부로의 기판의 반입이 연속적 또는 병렬적으로 행해지므로, 제1 반송 장치의 반송 효율이 향상된다. 이것에 의해, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(8) 제2 반송 장치는, 기판을 유지하는 제3 및 제4 유지부를 가지며, 기판 반송 제어부는, 노광 장치로부터의 기판의 반출과, 노광 장치로의 기판의 반입을 연속적 또는 병렬적으로 행하도록 제2 반송 장치의 제3 및 제4 유지부를 제어해도 된다.
이 경우, 노광 장치로부터의 기판의 반출과, 노광 장치로의 기판의 반입이 연속적 또는 병렬적으로 행해지므로, 제2 반송 장치의 반송 효율이 향상된다. 이것에 의해, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(9) 제2 반송 장치는, 기판을 유지하는 제5 및 제6 유지부를 가지며, 기판 반송 제어부는, 재치 냉각부로부터의 기판의 반출과, 복귀 재치부로의 기판의 반입을 연속적 또는 병렬적으로 행하도록 제2 반송 장치의 제5 및 제6 유지부를 추가로 제어해도 된다.
이 경우, 재치 냉각부로부터의 기판의 반출과, 복귀 재치부로의 기판의 반입이 연속적 또는 병렬적으로 행해지므로, 제2 반송 장치의 반송 효율이 향상된다. 이것에 의해, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(10) 본 발명의 다른 국면에 따른 기판 처리 방법은, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서, 처리부의 도포 장치에 의해 기판 상에 감광성 재료를 도포하여 감광성막을 형성하는 단계와, 수도부에 있어서 처리부로부터의 기판을 제1 반송 장치에 의해 유지하여 재치 냉각부에 반입하는 단계와, 제1 반송 장치에 의해 반입된 기판을 재치 냉각부에 의해 냉각하는 단계와, 냉각된 기판을 재치 냉각부로부터 제2 반송 장치에 의해 유지하여 반출하는 단계와, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 제2 반송 장치에 의해 노광 장치에 반송하는 단계와, 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부에 반입하는 단계와, 제2 반송 장치에 의해 반입된 기판의 온도를 온도 유지부에 의해 유지하는 단계와, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부로부터 기판을 반출하여 노광 장치에 반송하는 단계를 포함한다.
이 기판 처리 방법에 의하면, 처리부의 도포 장치에 의해 기판 상에 감광성 재료가 도포되어, 감광성막이 형성된다. 수도부에 있어서 처리부로부터의 기판이 제1 반송 장치에 의해 유지되어, 재치 냉각부에 반입된다. 제1 반송 장치에 의해 반입된 기판이 재치 냉각부에 의해 냉각된다. 냉각된 기판이 재치 냉각부로부터 제2 반송 장치에 의해 유지되어, 반출된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출된 기판이 제2 반송 장치에 의해 노광 장치에 반송된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 재치 냉각부로부터 반출된 기판이 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부에 반입된다. 제2 반송 장치에 의해 반입된 기판의 온도가 온도 유지부에 의해 유지된다. 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부로부터 기판이 반출되어, 노광 장치에 반송된다.
이 방법에 의하면, 노광 장치의 가동이 일시적으로 정지한 경우 또는 노광 장치에서 기판이 정체한 경우에도, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 될 때까지 기판이 온도 유지부에 재치된다. 그 때문에, 제2 반송 장치는, 노광 장치에 반송해야 할 기판을 계속 유지할 필요가 없다. 이것에 의해, 제2 반송 장치는, 수도부에 있어서의 다른 기판의 반송을 계속할 수 있다. 또, 온도 유지부에 재치된 기판의 온도가 유지되므로, 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 소정의 온도의 기판을 즉시 노광 장치에 반송할 수 있다. 이러한 결과, 노광 장치의 상태에 따라 기판의 처리 효율의 저하를 억제하면서 적절한 상태의 기판을 노광 장치에 반입하는 것이 가능해진다.
도 1은, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적 평면도,
도 2는, 도 1의 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도,
도 3은, 도 1의 열처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도,
도 4는, 반송부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도,
도 5(a)~(c)는, 냉각겸 버퍼부의 사용예를 설명하기 위한 도,
도 6(a)~(c)는, 냉각겸 버퍼부의 사용예를 설명하기 위한 도,
도 7은, 반송 장치를 제어하기 위한 로컬 콘트롤러의 구성을 나타내는 블럭도,
도 8은, 반송 제어 처리에 있어서의 도 7의 로컬 콘트롤러의 주제어부의 동작의 일부를 나타내는 플로차트,
도 9(a)~(c)는, 다른 실시의 형태에 있어서의 냉각겸 버퍼부의 구성을 나타내는 도,
도 10(a) 및 (b)는, 다른 실시의 형태에 있어서의 냉각겸 버퍼부의 구성을 나타내는 도이다.
이하, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 또는 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1은, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 1 및 이후의 소정의 도에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하며, Z방향은 연직 방향에 상당한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 인덱서 블록(11), 도포 블록(12), 현상 블록(13), 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)을 구비한다. 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에 의해, 인터페이스 블록(14)이 구성된다. 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록 노광 장치(15)가 배치된다.
인덱서 블록(11)은, 복수의 캐리어 재치부(111) 및 반송부(112)를 포함한다. 각 캐리어 재치부(111)에는, 복수의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(113)가 재치된다. 반송부(112)에는, 메인 콘트롤러(114) 및 반송 장치(115)가 설치된다. 메인 콘트롤러(114)는, 기판 처리 장치(100)의 다양한 구성 요소를 제어한다. 반송 장치(115)는, 기판(W)을 유지하면서 그 기판(W)을 반송한다.
도포 블록(12)은, 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열처리부(123)를 포함한다. 도포 처리부(121) 및 열처리부(123)는, 반송부(122)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(122)와 인덱서 블록(11) 사이에는, 기판(W)이 재치되는 기판 재치부(PASS1~PASS4)(도 4)가 설치된다. 반송부(122)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(127, 128)(도 4)가 설치된다.
현상 블록(13)은, 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열처리부(133)를 포함한다. 현상 처리부(131) 및 열처리부(133)는, 반송부(132)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(132)와 반송부(122) 사이에는, 기판(W)이 재치되는 기판 재치부(PASS5~PASS8)(도 4)가 설치된다. 반송부(132)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(137, 138)(도 4)가 설치된다.
세정 건조 처리 블록(14A)은, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)를 포함한다. 세정 건조 처리부(161, 162)는, 반송부(163)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(163)에는, 반송 장치(141, 142)가 설치된다.
반송부(163)와 반송부(132) 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 4)가 설치된다. 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)는, 복수의 기판(W)을 수용 가능하게 구성된다. 또, 반송부(163)와 반송부(132) 사이에는, 기판(W)이 재치되는 기판 재치부(PASS9, PASS10)(도 4)가 설치된다.
반송 장치(141, 142) 사이에 있어서, 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록, 냉각겸 버퍼부(C-BF)가 설치된다. 또, 냉각겸 버퍼부(C-BF)와 적층되도록, 후술하는 기판 재치부(PASS11) 및 복수의 재치겸 냉각부(P-CP)(도 4)가 설치된다. 또한, 냉각겸 버퍼부(C-BF)의 상방에 복귀 버퍼부(RBF1) 및 이송 버퍼부(SBF1)(도 4)가 설치되며, 냉각겸 버퍼부(C-BF)의 하방에 복귀 버퍼부(RBF2) 및 이송 버퍼부(SBF2)(도 4)가 설치된다.
냉각겸 버퍼부(C-BF)는, 기판(W)을 냉각하는 기능을 구비하고, 기판(W)을 일시적으로 수용 가능하게 구성된다. 기판 재치부(PASS11)는, 기판(W)을 재치 가능하게 구성된다. 재치겸 냉각부(P-CP)는, 기판(W)을 냉각하는 기능(예를 들면, 쿨링 플레이트)을 구비한다. 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서, 기판(W)이 노광 처리에 적절한 온도로 냉각된다. 복귀 버퍼부(RBF1, RBF2) 및 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)는, 기판(W)을 일시적으로 수용 가능하게 구성된다.
반입 반출 블록(14B)에는, 반송 장치(143)가 설치된다. 반송 장치(143)는, 노광 장치(15)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다. 노광 장치(15)에는, 기판(W)을 반입하기 위한 기판 반입부(15a) 및 기판(W)을 반출하기 위한 기판 반출부(15b)가 설치된다.
(2) 도포 처리부 및 현상 처리부
도 2는, 도 1의 도포 처리부(121), 현상 처리부(131) 및 세정 건조 처리부(161)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 도포 처리부(121)에는, 도포 처리실(21, 22, 23, 24)이 계층적으로 설치된다. 도포 처리실(21~24)의 각각에는, 도포 처리 유닛(스핀코터)(129)이 설치된다. 현상 처리부(131)에는, 현상 처리실(31, 32, 33, 34)이 계층적으로 설치된다. 현상 처리실(31~34)의 각각에는, 현상 처리 유닛(스핀 디벨로퍼)(139)이 설치된다.
각 도포 처리 유닛(129)은, 기판(W)을 유지하는 스핀 척(25) 및 스핀 척(25)의 주위를 덮도록 설치되는 컵(27)을 구비한다. 본 실시의 형태에서는, 각 도포 처리 유닛(129)에 2세트의 스핀 척(25) 및 컵(27)이 설치된다. 스핀 척(25)은, 도시하지 않은 구동 장치(예를 들면, 전동 모터)에 의해 회전 구동된다. 또, 도 1에 나타내는 바와 같이, 각 도포 처리 유닛(129)은, 처리액을 토출하는 복수의 처리액 노즐(28) 및 그 처리액 노즐(28)을 반송하는 노즐 반송 기구(29)를 구비한다.
도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척(25)이 회전됨과 함께, 복수의 처리액 노즐(28) 중 어느 하나의 처리액 노즐(28)이 노즐 반송 기구(29)에 의해 기판(W)의 상방으로 이동되고, 그 처리액 노즐(28)로부터 처리액이 토출된다. 그것에 의해, 기판(W) 상에 처리액이 도포된다. 또, 도시하지 않은 에지 린스 노즐로부터, 기판(W)의 주연부에 린스액이 토출된다. 그것에 의해, 기판(W)의 주연부에 부착되는 처리액이 제거된다.
도포 처리실(22, 24)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 반사 방지막용의 처리액이 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)에 공급된다. 도포 처리실(21, 23)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 레지스트막용의 처리액이 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)에 공급된다.
현상 처리 유닛(139)은, 도포 처리 유닛(129)과 마찬가지로, 스핀 척(35) 및 컵(37)을 구비한다. 또, 도 1에 나타내는 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 현상액을 토출하는 2개의 현상 노즐(38) 및 그 현상 노즐(38)을 X방향으로 이동시키는 이동 기구(39)를 구비한다.
현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척(35)이 회전됨과 함께, 한쪽의 현상 노즐(38)이 X방향으로 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급하고, 그 후, 다른쪽의 현상 노즐(38)이 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급한다. 이 경우, 기판(W)에 현상액이 공급됨으로써, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 또, 본 실시의 형태에 있어서는, 2개의 현상 노즐(38)로부터 서로 상이한 현상액이 토출된다. 그것에 의해, 각 기판(W)에 2종류의 현상액을 공급할 수 있다.
세정 건조 처리부(161)는, 도 1의 반송 장치(141)에 대응하여 설치된다. 세정 건조 처리부(161)에는, 복수(본 예에서는 3개)의 세정 건조 처리 유닛(SD1) 및 복수(본 예에서는 2개)의 세정 건조 처리 유닛(SD2)이, 현상 블록(13)에 인접하며 또한 적층되도록 설치된다. 복수의 세정 건조 처리 유닛(SD2)은, 복수의 세정 건조 처리 유닛(SD1)의 상방에 배치된다.
또, 세정 건조 처리부(161)에는, 복수(본 예에서는 6개)의 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)이, 반입 반출 블록(14B)에 인접하며 또한 적층되도록 설치된다. 복수의 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)은, 세정 건조 처리부(161)의 상부에 배치된다.
세정 건조 처리 유닛(SD1)에 있어서는, 노광 처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 있어서는, 노광 처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)에 있어서는, 노광 후 베이크 처리가 행해진다.
(3) 열처리부
도 3은, 도 1의 열처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 열처리부(123)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(101) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(102)를 가진다. 상단 열처리부(101) 및 하단 열처리부(102)에는, 복수의 열처리 유닛(PHP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(PAHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)이 설치된다.
열처리부(123)의 최상부에는, 로컬 콘트롤러(200)가 설치된다. 로컬 콘트롤러(200)는, 도 1의 메인 콘트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열처리부(123)의 동작을 제어한다.
열처리 유닛(PHP)에 있어서는, 기판(W)의 가열 처리 및 냉각 처리가 행해진다. 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서는, 기판(W)과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 행해진다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 HMDS(헥사메틸디실라산) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 함께, 기판(W)의 가열 처리가 행해진다. 냉각 유닛(CP)에 있어서는, 기판(W)의 냉각 처리가 행해진다.
열처리부(133)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(103) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(104)를 가진다. 상단 열처리부(103) 및 하단 열처리부(104)에는, 냉각 유닛(CP), 복수의 열처리 유닛(PHP) 및 에지 노광부(EEW)가 설치된다.
열처리부(133)의 최상부에는, 로컬 콘트롤러(300)가 설치된다. 로컬 콘트롤러(300)는, 도 1의 메인 콘트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열처리부(133)의 동작을 제어한다.
에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부의 노광 처리(에지 노광 처리)가 행해진다. 기판(W)에 에지 노광 처리가 행해짐으로써, 후의 현상 처리 시에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 제거된다. 그것에 의해, 현상 처리 후에 있어서, 기판(W)의 주연부가 다른 부분과 접촉한 경우에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 박리되어 파티클이 되는 것이 방지된다.
세정 건조 처리부(162)는, 도 1의 반송 장치(142)에 대응하여 설치된다. 세정 건조 처리부(162)에는, 복수(본 예에서는 3개)의 세정 건조 처리 유닛(SD1) 및 복수(본 예에서는 2개)의 세정 건조 처리 유닛(SD2)이, 현상 블록(13)에 인접하며 또한 적층되도록 설치된다. 복수의 세정 건조 처리 유닛(SD2)은, 복수의 세정 건조 처리 유닛(SD1)의 상방에 배치된다.
또, 세정 건조 처리부(162)에는, 복수(본 예에서는 6개)의 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)이, 반입 반출 블록(14B)에 인접하며 또한 적층되도록 설치된다. 복수의 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)은, 세정 건조 처리부(162)의 상부에 배치된다.
세정 건조 처리 유닛(SD1)에 있어서는, 노광 처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 있어서는, 노광 처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)에 있어서는, 노광 후 베이크 처리가 행해진다.
(4) 반송부
도 4는, 반송부(122, 132, 163)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 반송부(122)는, 상단 반송실(125) 및 하단 반송실(126)을 가진다. 반송부(132)는, 상단 반송실(135) 및 하단 반송실(136)을 가진다. 상단 반송실(125)에는, 반송 장치(127)(반송 로봇)가 설치된다. 하단 반송실(126)에는, 반송 장치(128)가 설치된다. 상단 반송실(135)에는, 반송 장치(137)가 설치된다. 하단 반송실(136)에는, 반송 장치(138)가 설치된다.
반송 장치(127, 128, 137, 138)는, 각각 기판(W)을 유지하여 반송하기 위한 복수의 핸드(H1, H2)를 가진다. 또, 반송 장치(141~143)(도 1)도, 반송 장치(127, 128, 137, 138)의 핸드(H1, H2)와 동일한 복수의 핸드(H1, H2)를 가진다.
반송부(112)와 상단 반송실(125) 사이에는, 기판 재치부(PASS1, PASS2)가 설치된다. 반송부(112)와 하단 반송실(126) 사이에는, 기판 재치부(PASS3, PASS4)가 설치된다. 상단 반송실(125)과 상단 반송실(135) 사이에는, 기판 재치부(PASS5, PASS6)가 설치된다. 하단 반송실(126)과 하단 반송실(136) 사이에는, 기판 재치부(PASS7, PASS8)가 설치된다.
상단 반송실(135)과 반송부(163) 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1) 및 기판 재치부(PASS9)가 설치된다. 하단 반송실(136)과 반송부(163) 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF2) 및 기판 재치부(PASS10)가 설치된다.
반송부(163)에 있어서 반입 반출 블록(14B)과 인접하도록, 기판 재치부(PASS11), 복수(본 예에서는 4개)의 재치겸 냉각부(P-CP) 및 냉각겸 버퍼부(C-BF)가 상방으로부터 이 순서로 적층되도록 설치된다. 기판 재치부(PASS11)의 상방에, 복귀 버퍼부(RBF1) 및 이송 버퍼부(SBF1)가 적층되도록 설치된다. 냉각겸 버퍼부(C-BF)의 하방에, 복귀 버퍼부(RBF2) 및 이송 버퍼부(SBF2)가 적층되도록 설치된다.
반송 장치(127)는, 도포 처리실(21, 22)(도 2), 기판 재치부(PASS1, PASS2, PASS5, PASS6) 및 상단 열처리부(101)(도 3)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다. 반송 장치(128)는, 도포 처리실(23, 24)(도 2), 기판 재치부(PASS3, PASS4, PASS7, PASS8) 및 하단 열처리부(102)(도 3)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다.
반송 장치(137)는, 현상 처리실(31, 32)(도 2), 기판 재치부(PASS5, PASS6, PASS9), 재치겸 버퍼부(P-BF1) 및 상단 열처리부(103)(도 3)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다. 반송 장치(138)는, 현상 처리실(33, 34)(도 2), 기판 재치부(PASS7, PASS8, PASS10), 재치겸 버퍼부(P-BF2) 및 하단 열처리부(104)(도 3)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다.
반송 장치(141)(도 1)는, 세정 건조 처리부(161)(도 2), 재치겸 버퍼부(P-BF1), 기판 재치부(PASS9, PASS11) 및 재치겸 냉각부(P-CP)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다. 또, 반송 장치(141)는, 선행하는 기판(W)의 처리의 진행 상태에 따라서는, 복귀 버퍼부(RBF1) 및 이송 버퍼부(SBF1)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다.
반송 장치(142)(도 1)는, 세정 건조 처리부(162)(도 2), 재치겸 버퍼부(P-BF2), 기판 재치부(PASS10, PASS11) 및 재치겸 냉각부(P-CP)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다. 또, 반송 장치(142)는, 선행하는 기판(W)의 처리의 진행 상태에 따라서는, 복귀 버퍼부(RBF2) 및 이송 버퍼부(SBF2)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다.
반송 장치(143)는, 노광 장치(15)(도 1), 기판 재치부(PASS11) 및 재치겸 냉각부(P-CP)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다. 또, 반송 장치(143)는, 선행하는 기판(W)의 처리의 진행 상태에 따라서는, 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 대해 기판(W)의 수도를 행한다.
또, 반송부(163)의 최상부에는, 로컬 콘트롤러(400)가 설치된다. 로컬 콘트롤러(400)는, 도 1의 메인 콘트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)의 동작을 제어함과 함께, 반입 반출 블록(14B)의 동작을 제어한다.
(5) 기판 처리의 공정
도 1~도 4를 이용하여 기판 처리 시에 있어서의 인덱서 블록(11), 도포 블록(12), 현상 블록(13), 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)의 동작에 대해서 설명한다. 이하의 기판 처리에 있어서는, 기판 처리 장치(100) 및 노광 장치(15)에 의한 처리에 필요로 하는 시간이 예측되고, 예측된 시간에 의거하여 반송 장치(115, 127, 128, 137, 138, 141~143)의 동작이 제어된다.
인덱서 블록(11)의 캐리어 재치부(111)(도 1)에, 미처리의 기판(W)이 수용된 캐리어(113)가 재치된다. 반송 장치(115)는, 캐리어(113)로부터 기판 재치부(PASS1, PASS3)(도 4)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 또, 반송 장치(115)는, 기판 재치부(PASS2, PASS4)(도 4)에 재치된 처리 완료의 기판(W)을 캐리어(113)에 반송한다.
도포 블록(12)에 있어서, 반송 장치(127)(도 4)는, 기판 재치부(PASS1)에 재치된 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 3), 냉각 유닛(CP)(도 3) 및 도포 처리실(22)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 장치(127)는, 도포 처리실(22)에 의해 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 열처리 유닛(PHP)(도 3), 냉각 유닛(CP)(도 3) 및 도포 처리실(21)(도 2)에 순서대로 반송한다. 계속해서, 반송 장치(127)는, 도포 처리실(21)에 의해 레지스트막이 형성된 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 3) 및 기판 재치부(PASS5)(도 4)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 밀착 강화 처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(22)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 계속해서, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 레지스트막의 형성에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(21)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 재치된다.
또, 반송 장치(127)는, 기판 재치부(PASS6)(도 4)에 재치된 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS2)(도 4)에 반송한다.
반송 장치(128)(도 4)는, 기판 재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 3), 냉각 유닛(CP)(도 3) 및 도포 처리실(24)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 장치(128)는, 도포 처리실(24)에 의해 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 열처리 유닛(PHP)(도 3), 냉각 유닛(CP)(도 3) 및 도포 처리실(23)(도 2)에 순서대로 반송한다. 계속해서, 반송 장치(128)는, 도포 처리실(23)에 의해 레지스트막이 형성된 기판(W)을 열처리 유닛(PHP)(도 3) 및 기판 재치부(PASS7)(도 4)에 순서대로 반송한다.
또, 반송 장치(128)(도 4)는, 기판 재치부(PASS8)(도 4)에 재치된 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS4)(도 4)에 반송한다. 도포 처리실(23, 24)(도 2) 및 하단 열처리부(102)(도 3)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 도포 처리실(21, 22)(도 2) 및 상단 열처리부(101)(도 3)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 동일하다.
현상 블록(13)에 있어서, 반송 장치(137)(도 4)는, 기판 재치부(PASS5)에 재치된 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 에지 노광부(EEW)(도 3) 및 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 4)에 순서대로 반송한다. 이 경우, 에지 노광부(EEW)에 있어서, 기판(W)에 에지 노광 처리가 행해진다. 에지 노광 처리 후의 기판(W)이 재치겸 버퍼부(P-BF1)에 재치된다.
또, 반송 장치(137)(도 4)는, 기판 재치부(PASS9)(도 4)로부터 노광 후 베이크 처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 장치(137)는, 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 3), 현상 처리실(31, 32)의 한쪽(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 3) 및 기판 재치부(PASS6)(도 4)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 현상 처리에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된 후, 현상 처리실(31, 32)의 한쪽에 있어서, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS6)에 재치된다.
반송 장치(138)(도 4)는, 기판 재치부(PASS7)에 재치된 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 에지 노광부(EEW)(도 3) 및 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 4)에 순서대로 반송한다.
또, 반송 장치(138)(도 4)는, 기판 재치부(PASS10)(도 4)로부터 노광 후 베이크 처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 장치(138)는, 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 3), 현상 처리실(33, 34)의 한쪽(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 3) 및 기판 재치부(PASS8)(도 4)에 순서대로 반송한다. 현상 처리실(33, 34) 및 하단 열처리부(104)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 현상 처리실(31, 32)(도 2) 및 상단 열처리부(103)(도 3)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 동일하다.
세정 건조 처리 블록(14A)에 있어서, 반송 장치(141)(도 1)는, 재치겸 버퍼부(P-BF1)에 재치된 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(SD1)(도 2) 및 재치겸 냉각부(P-CP)(도 4)에 반송한다. 이 경우, 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 있어서, 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진 후, 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서, 노광 장치(15)(도 1)에 있어서의 노광 처리에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다.
또, 반송 장치(141)는, 기판 재치부(PASS11)(도 4)에 재치된 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(SD2)(도 2), 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)(도 2) 및 기판 재치부(PASS9)에 반송한다. 이 경우, 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 있어서, 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 그 후, 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)에 있어서, 노광 후 베이크 처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS9)에 재치된다.
반송 장치(142)(도 1)는, 재치겸 버퍼부(P-BF2)에 재치된 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(SD1)(도 3) 및 재치겸 냉각부(P-CP)(도 4)에 반송한다. 또, 반송 장치(142)는, 기판 재치부(PASS11)(도 4)에 재치된 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(SD2)(도 3), 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)(도 3) 및 기판 재치부(PASS10)에 반송한다.
반입 반출 블록(14B)에 있어서, 반송 장치(143)(도 4)는, 재치겸 냉각부(P-CP)에 재치된 냉각 후의 기판(W)을 노광 장치(15)의 기판 반입부(15a)(도 1)에 반입한다. 또, 반송 장치(143)는, 노광 장치(15)의 기판 반출부(15b)(도 1)로부터 노광 처리 후의 기판(W)을 취출하고, 그 기판(W)을 기판 재치부(PASS11)(도 4)에 반송한다.
(6) 냉각겸 버퍼부
상기와 같이, 반송 장치(115, 127, 128, 137, 138, 141~143)(이하, 간단히 반송 장치라고 부른다.)는, 기판 처리 장치(100) 및 노광 장치(15)에 의한 처리에 필요로 하는 시간에 의거하여 제어된다. 이것에 의해, 각 반송 장치는, 처리 후의 기판(W)을 소정의 재치 위치로부터 취출하는 동작과, 처리 전의 기판(W)을 상기 재치 위치 또는 다른 재치 위치에 재치하는 동작을 연속적 또는 병렬적으로 행할 수 있다. 여기서, 2개의 동작을 「병렬적으로 행한다」란, 상기 2개의 동작이 행해지는 기간 중 적어도 일부가 중복되어 있는 것을 의미한다.
그러나, 노광 장치(15)의 가동이 일시적으로 정지한 경우에는, 반송 장치는, 상기의 동작을 행할 수 없게 된다. 노광 장치(15)에서 기판(W)이 정체한 경우도 마찬가지이다. 그래서, 노광 장치(15)가 정지한 경우 또는 노광 장치(15)에서 기판(W)이 정체한 경우에는, 냉각겸 버퍼부(C-BF)가 이용된다. 도 5 및 도 6은, 냉각겸 버퍼부(C-BF)의 사용예를 설명하기 위한 도이다. 도 5 및 도 6에 있어서는, 도 4의 복귀 버퍼부(RBF1, RBF2) 및 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)의 도시가 생략된다.
도 5(a)에 있어서, 반송 장치(141)는, 노광 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS11)로부터 반출함과 함께, 세정 및 건조 처리 후의 기판(W)을 재치겸 냉각부(P-CP)에 반입한다. 또, 반송 장치(143)는, 노광 처리 후의 기판(W)을 기판 반출부(15b)로부터 반출함과 함께, 냉각된 기판(W)을 기판 반입부(15a)에 반입한다. 다음에, 도 5(b)에 있어서, 반송 장치(143)는, 냉각된 기판(W)을 재치겸 냉각부(P-CP)로부터 반출함과 함께, 노광 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS11)에 반입한다.
그 후, 도 5(c)에 있어서, 예측된 처리 시간에 의거하여 처리가 진행되고 있는 경우에는, 노광 처리 후의 기판(W)을 기판 반출부(15b)로부터 반출함과 함께, 냉각된 기판(W)을 기판 반입부(15a)에 반입하게 된다. 여기서, 노광 장치(15)의 가동이 일시적으로 정지하거나, 또는 기판 반입부(15a)에서 기판(W)이 정체하고 있는 경우를 생각한다. 이 경우, 기판 반입부(15a)가 기판(W)을 받아들임 불가능하기 때문에, 반송 장치(143)는, 노광 처리 후의 기판(W)을 기판 반출부(15b)로부터 반출할 수 있지만, 도 5(c)에 「×」로 나타내는 바와 같이, 냉각된 기판(W)을 기판 반입부(15a)에 반입할 수 없다. 그 때문에, 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에서의 기판(W)의 처리 효율이 저하된다.
그래서, 도 6(a)에 있어서, 반송 장치(143)는, 냉각된 기판(W)을 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 반입함과 함께, 노광 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS11)에 반입한다. 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 있어서는, 재치겸 냉각부(P-CP)와 마찬가지로, 노광 장치(15)에 있어서의 노광 처리에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다.
그 후, 도 6(b)에 있어서, 노광 장치(15)의 가동이 재개하거나, 또는 노광 장치(15) 내에서의 기판(W)의 정체가 해소됨으로써, 기판 반입부(15a)의 기판(W)이 노광 장치(15) 내에 도입된다. 그것에 의해, 기판 반입부(15a)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된다. 이 때, 반송 장치(143)는, 냉각된 기판(W)을 냉각겸 버퍼부(C-BF)로부터 반출한다. 계속해서, 도 6(c)에 있어서, 반송 장치(143)는, 냉각된 기판(W)을 기판 반입부(15a)에 반입한다. 또, 기판 반출부(15b)에 노광 처리 후의 기판(W)이 재치되어 있는 경우에는, 반송 장치(143)는, 기판 반출부(15b)로부터 기판(W)을 반출한다.
상기의 구성에 있어서는, 기판 반입부(15a)가 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에도, 반송 장치(143)는, 기판 반입부(15a)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 될 때까지 노광 처리에 적절한 온도로 냉각된 기판(W)을 유지하며 대기할 필요가 없다. 또, 기판 반입부(15a)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 되면, 반송 장치(143)는, 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 의해 노광 처리에 적절한 온도로 냉각된 기판(W)을 즉시 기판 반입부(15a)에 반입할 수 있다. 이것에 의해, 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에서의 기판(W)의 처리 효율의 저하를 최소로 할 수 있다.
기판 처리 장치(100)에서 기판(W)이 정체한 경우에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2), 복귀 버퍼부(RBF1, RBF2) 또는 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)가 이용된다. 구체적으로는, 도 2의 세정 건조 처리 유닛(SD1)이 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에는, 반송 장치(141)에 의해 기판(W)이 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 4)에 일시적으로 수용된다. 이 경우, 도 2의 세정 건조 처리 유닛(SD1)이 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치(141)에 의해 재치겸 버퍼부(P-BF1)로부터 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 기판(W)이 반송된다.
도 3의 세정 건조 처리 유닛(SD1)이 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에는, 반송 장치(142)에 의해 기판(W)이 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 4)에 일시적으로 수용된다. 이 경우, 도 3의 세정 건조 처리 유닛(SD1)이 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치(142)에 의해 재치겸 버퍼부(P-BF2)로부터 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 기판(W)이 반송된다.
기판 재치부(PASS9)가 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에는, 반송 장치(141)에 의해 기판(W)이 복귀 버퍼부(RBF1)(도 4)에 반송되어, 일시적으로 재치된다. 이 경우, 기판 재치부(PASS9)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치(141)에 의해 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)으로부터 기판 재치부(PASS9)에 기판(W)이 반송된다.
기판 재치부(PASS10)가 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에는, 반송 장치(142)에 의해 기판(W)이 복귀 버퍼부(RBF2)(도 4)에 반송되어, 일시적으로 재치된다. 이 경우, 기판 재치부(PASS10)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치(142)에 의해 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)으로부터 기판 재치부(PASS10)에 기판(W)이 반송된다.
또한, 재치겸 냉각부(P-CP) 전부가 도 2의 세정 건조 처리 유닛(SD1)으로부터의 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에는, 반송 장치(141)에 의해 기판(W)이 이송 버퍼부(SBF1)(도 4)에 반송되어, 일시적으로 재치된다. 이 경우, 어느 하나의 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치(141)에 의해 이송 버퍼부(SBF1)로부터 그 재치겸 냉각부(P-CP)에 기판(W)이 반송된다.
재치겸 냉각부(P-CP) 전부가 도 3의 세정 건조 처리 유닛(SD1)으로부터의 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우에는, 반송 장치(142)에 의해 기판(W)이 이송 버퍼부(SBF2)(도 4)에 반송되어, 일시적으로 재치된다. 이 경우, 어느 하나의 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 반송 장치(142)에 의해 이송 버퍼부(SBF2)로부터 그 재치겸 냉각부(P-CP)에 기판(W)이 반송된다.
도 6(c)의 예에 있어서는, 재치겸 냉각부(P-CP) 전부에 기판(W)이 재치되어, 재치겸 냉각부(P-CP)는 기판(W)을 받아들임 불가능하다. 이러한 경우에 있어서, 반송 장치(141)가 세정 및 건조 처리 후의 기판(W)을 유지하고 있을 때에는, 반송 장치(141)는 그 기판(W)을 도 4의 이송 버퍼부(SBF1)에 반송하게 된다. 마찬가지로, 도 1의 반송 장치(142)가 세정 및 건조 처리 후의 기판(W)을 유지하고 있을 때에는, 반송 장치(142)는 그 기판(W)을 도 4의 이송 버퍼부(SBF2)에 반송하게 된다.
(7) 반송 장치의 제어계
도 7은, 반송 장치(141~143)를 제어하기 위한 로컬 콘트롤러(400)의 구성을 나타내는 블럭도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 로컬 콘트롤러(400)는, 주제어부(401), 기억부(402), 반송 제어부(410, 420, 430, 440) 및 판정부(450)를 포함한다.
주제어부(401)는, 예를 들면 CPU(중앙 연산 처리 장치)를 포함한다. 기억부(402)는, 예를 들면 불휘발성 메모리 또는 하드 디스크를 포함하고, 반송 장치(141~143)를 제어하기 위한 반송 제어 프로그램을 기억한다. 주제어부(401)가 기억부(402)에 기억된 반송 제어 프로그램을 실행함으로써, 반송 제어부(410, 420, 430, 440) 및 판정부(450)의 기능이 실현된다.
판정부(450)는, 이송 판정부(451), 복귀 판정부(452) 및 노광 판정부(453)를 포함한다. 이송 판정부(451)는, 도 4의 각 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정하고, 판정 결과를 반송 제어부(410)에 부여한다. 복귀 판정부(452)는, 도 4의 기판 재치부(PASS9, PASS10)가 기판(W)을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정하고, 판정 결과를 반송 제어부(410)에 부여한다. 노광 판정부(453)는, 도 1의 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정하고, 판정 결과를 반송 제어부(430, 440)에 부여한다.
예를 들면, 각 재치겸 냉각부(P-CP), 기판 재치부(PASS9, PASS10) 및 기판 반입부(15a)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광전 센서가 설치된다. 이송 판정부(451), 복귀 판정부(452) 및 노광 판정부(453)는, 각 재치겸 냉각부(P-CP), 기판 재치부(PASS9, PASS10) 및 기판 반입부(15a)의 광전 센서의 출력 신호에 의거하여 기판(W)이 받아들임 가능한지 아닌지를 판정한다.
반송 제어부(410)는, 반송 장치(141, 142)의 동작을 제어하도록 구성된다. 반송 제어부(410)는, 이송 제어부(411) 및 복귀 제어부(412)를 포함한다. 이하, 반송 장치(141)에 대한 제어를 설명하지만, 반송 장치(142)에 대한 제어도 반송 장치(141)에 대한 제어와 동일하다.
이송 제어부(411)는, 도 4의 재치겸 버퍼부(P-BF1)에 재치된 기판(W)을 도 2의 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다. 또, 이송 제어부(411)는, 이송 판정부(451)에 의해 어느 하나의 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능하다고 판정된 경우, 세정 건조 처리 유닛(SD1)으로부터의 기판(W)을 상기 재치겸 냉각부(P-CP)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다.
한편, 이송 제어부(411)는, 이송 판정부(451)에 의해 재치겸 냉각부(P-CP) 전부가 기판(W)을 받아들임 불가능하다고 판정된 경우, 세정 건조 처리 유닛(SD1)으로부터의 기판(W)을 도 4의 이송 버퍼부(SBF1)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다. 이송 제어부(411)는, 어느 하나의 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 이송 버퍼부(SBF1)로부터의 기판(W)을 상기 재치겸 냉각부(P-CP)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다.
복귀 제어부(412)는, 도 4의 기판 재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)을 도 2의 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 반송한 후, 도 2의 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다. 복귀 제어부(412)는, 복귀 판정부(452)에 의해 도 4의 기판 재치부(PASS9)가 기판(W)을 받아들임 가능하다고 판정된 경우, 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)으로부터의 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다.
한편, 복귀 제어부(412)는, 복귀 판정부(452)에 의해 기판 재치부(PASS9)가 기판(W)을 받아들임 불가능하다고 판정된 경우, 세정 건조 처리 유닛(SD2)으로부터의 기판(W)을 도 4의 복귀 버퍼부(RBF1)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다. 복귀 제어부(412)는, 기판 재치부(PASS9)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 복귀 버퍼부(RBF1)로부터의 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)에 반송하도록 반송 장치(141)를 제어한다.
반송 제어부(420, 430, 440)는, 반송 장치(143)의 동작을 제어하도록 구성된다. 반송 제어부(420)는, 반출 제어부(421) 및 복귀 제어부(422)를 포함한다. 반송 제어부(440)는, 대기 제어부(441) 및 이송 제어부(442)를 포함한다. 반출 제어부(421)는, 재치겸 냉각부(P-CP)에 재치된 기판(W)을 반출하도록 반송 장치(143)를 제어한다. 복귀 제어부(422)는, 노광 장치(15)로부터의 기판(W)을 기판 재치부(PASS11)에 반송하도록 반송 장치(143)를 제어한다.
반송 제어부(430)는, 노광 판정부(453)에 의해 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능하다고 판정된 경우, 반출된 기판(W)을 노광 장치(15)에 반송하도록 반송 장치(143)를 제어한다. 대기 제어부(441)는, 노광 판정부(453)에 의해 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 불가능하다고 판정된 경우, 반출된 기판(W)을 도 4의 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 반송하도록 반송 장치(143)를 제어한다. 이송 제어부(442)는, 노광 판정부(453)에 의해 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능하다고 판정된 경우, 냉각겸 버퍼부(C-BF)로부터의 기판(W)을 노광 장치(15)에 반송하도록 반송 장치(143)를 제어한다.
(8) 반송 제어 처리
도 8은, 반송 제어 처리에 있어서의 도 7의 로컬 콘트롤러(400)의 주제어부(401)의 동작의 일부를 나타내는 플로차트이다. 도 8의 반송 제어 처리에 있어서는, 재치겸 냉각부(P-CP)로부터 노광 장치(15)에 기판(W)을 반송하기 위한 반송 장치(143)의 동작이 제어된다. 도 8의 반송 제어 처리는, 반송 장치(143)에 의해 노광 장치(15)로부터 도 4의 기판 재치부(PASS11)에 기판(W)을 반송하기 위한 반송 제어 처리와 병렬로 실행된다. 도 4의 기판 처리 장치(100), 도 7의 로컬 콘트롤러(400) 및 도 8의 플로차트를 참조하면서 주제어부(401)에 의한 반송 제어 처리를 설명한다.
우선, 주제어부(401)는, 반송 장치(143)에 의해 어느 하나의 재치겸 냉각부(P-CP)로부터 기판(W)을 반출한다(단계 S1). 또한, 반송 장치(143)가 기판 재치부(PASS11)에 반입해야 할 기판(W)을 유지하고 있는 경우에는, 주제어부(401)는, 단계 S1의 처리를 실행함과 함께, 상기 기판(W)을 기판 재치부(PASS11)에 반입한다.
다음에, 주제어부(401)는, 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정한다(단계 S2). 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우, 주제어부(401)는, 반출된 기판(W)을 반송 장치(143)에 의해 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 반입한다(단계 S3). 그 후, 주제어부(401)는, 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정한다(단계 S4). 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우, 주제어부(401)는, 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 될 때까지 대기한다.
단계 S4에서 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능한 경우, 주제어부(401)는, 반송 장치(143)에 의해 냉각겸 버퍼부(C-BF)로부터 기판(W)을 반출하고(단계 S5), 단계 S6의 처리로 진행된다. 단계 S2에서 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능한 경우에도, 주제어부(401)는 단계 S6으로 진행된다.
단계 S6에 있어서, 주제어부(401)는, 반출된 기판(W)을 반송 장치(143)에 의해 노광 장치(15)에 반입한다(단계 S6). 또한, 노광 장치(15)에 노광 처리 후의 기판(W)이 존재하는 경우에는, 주제어부(401)는, 단계 S6의 처리를 실행함과 함께, 상기 기판(W)을 노광 장치(15)로부터 반출한다. 그 후, 주제어부(401)는 단계 S1로 돌아온다.
(9) 효과
본 실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 노광 장치(15)의 가동이 일시적으로 정지한 경우 또는 노광 장치(15)에서 기판(W)이 정체한 경우, 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 될 때까지 기판(W)이 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 재치된다. 그 때문에, 반송 장치(143)는, 노광 장치(15)에 반송해야 할 기판(W)을 계속 유지할 필요가 없다. 이것에 의해, 반송 장치(143)는, 반입 반출 블록(14B)에 있어서의 다른 기판(W)의 반송을 계속할 수 있다.
또, 냉각겸 버퍼부(C-BF)에 재치된 기판(W)의 온도가 유지되므로, 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 소정의 온도의 기판(W)을 즉시 노광 장치(15)에 반송할 수 있다. 이러한 결과, 노광 장치(15)의 상태에 따라 기판(W)의 처리 효율의 저하를 억제하면서 적절한 상태의 기판(W)을 노광 장치(15)에 반입하는 것이 가능해진다.
또한, 재치겸 냉각부(P-CP) 전부가 기판(W)을 받아들임 불가능한 경우, 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 의한 세정 후의 기판(W)이 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)에 반송된다. 어느 하나의 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)에 축적된 기판(W)이 상기 재치겸 냉각부(P-CP)에 반송된다.
이 경우, 반송 장치(141, 142)는, 재치겸 냉각부(P-CP)에 반송해야 할 기판(W)을 계속 유지할 필요가 없다. 이것에 의해, 반송 장치(141, 142)는, 세정 건조 처리 블록(14A)에 있어서의 다른 기판(W)의 반송을 계속할 수 있다. 또, 재치겸 냉각부(P-CP)가 기판(W)을 받아들임 가능하게 된 후, 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)에 재치된 기판(W)을 즉시 재치겸 냉각부(P-CP)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 처리 효율의 저하를 보다 억제할 수 있다.
(10) 다른 실시의 형태
상기 실시의 형태에 있어서, 냉각겸 버퍼부(C-BF)가 재치겸 냉각부(P-CP)와는 별개로 설치되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 도 9 및 도 10은, 다른 실시의 형태에 있어서의 냉각겸 버퍼부의 구성을 나타내는 도이다. 도 9 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 본 실시의 형태에 있어서는, 냉각겸 버퍼부(C-BF)가 설치되지 않고, 복수(본 예에서는 5개)의 재치겸 냉각부(P-CP)가 설치된다. 5개의 재치겸 냉각부(P-CP)를 각각 재치겸 냉각부(P-CP1~P-CP5)라고 부른다.
도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로의 제1회째의 기판(W)의 반송 시에는, 재치겸 냉각부(P-CP1~P-CP4) 중 어느 하나가 이용되며, 재치겸 냉각부(P-CP5)는 이용되지 않도록 반송 장치(141~143)가 제어된다. 이 때, 재치겸 냉각부(P-CP5)는, 냉각겸 버퍼부로서 이용되도록 반송 장치(141~143)가 제어된다. 그 때문에, 기판 반입부(15a)가 기판(W)을 받아들임 불가능할 때, 반송 장치(143)는, 유지된 기판(W)을 재치겸 냉각부(P-CP5)에 반입한다.
마찬가지로, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로의 제2회째의 기판(W)의 반송 시에는, 재치겸 냉각부(P-CP1~P-CP3, P-CP5) 중 어느 하나가 이용되며, 재치겸 냉각부(P-CP4)는 이용되지 않는다. 이 때, 재치겸 냉각부(P-CP4)는, 냉각겸 버퍼부로서 이용된다.
도 9(c)에 나타내는 바와 같이, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로의 제3회째의 기판(W)의 반송 시에는, 재치겸 냉각부(P-CP1, P-CP2, P-CP4, P-CP5) 중 어느 하나가 이용되며, 재치겸 냉각부(P-CP3)는 이용되지 않는다. 이 때, 재치겸 냉각부(P-CP3)는, 냉각겸 버퍼부로서 이용된다.
도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로의 제4회째의 기판(W)의 반송 시에는, 재치겸 냉각부(P-CP1, P-CP3~P-CP5) 중 어느 하나가 이용되며, 재치겸 냉각부(P-CP2)는 이용되지 않는다. 이 때, 재치겸 냉각부(P-CP2)는, 냉각겸 버퍼부로서 이용된다.
도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로의 제5회째의 기판(W)의 반송 시에는, 재치겸 냉각부(P-CP2~P-CP5) 중 어느 하나가 이용되며, 재치겸 냉각부(P-CP1)는 이용되지 않는다. 이 때, 재치겸 냉각부(P-CP1)는, 냉각겸 버퍼부로서 이용된다.
상기의 동작이 반복됨으로써, 재치겸 냉각부(P-CP1~P-CP5) 중 어느 한쪽이 순서대로 냉각겸 버퍼부로서 이용된다. 이 구성에 의하면, 냉각겸 버퍼부를 재치겸 냉각부(P-CP)와 별개로 설치할 필요가 없고, 냉각겸 버퍼부를 재치겸 냉각부(P-CP)와 동일한 구성에 의해 실현할 수 있다. 이것에 의해, 냉각겸 버퍼부의 제조 비용을 저감할 수 있다. 또, 재치겸 냉각부(P-CP) 전부가 순차적으로 냉각겸 버퍼부로서 이용되므로, 일부의 재치겸 냉각부(P-CP) 만이 현저하게 경년 열화되는 것이 방지된다.
또, 도 9 및 도 10의 예에 있어서는, 1장의 기판(W)이 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로 반송될 때 마다 냉각겸 버퍼부로서 이용되는 재치겸 냉각부(P-CP)가 변경되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 소정 장수의 기판(W)이 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로 반송될 때 마다 냉각겸 버퍼부로서 이용되는 재치겸 냉각부(P-CP)가 변경되어도 된다. 혹은, 소정의 경과시간 마다 냉각겸 버퍼부로서 이용되는 재치겸 냉각부(P-CP)가 변경되어도 된다.
(11) 청구항의 각 구성 요소와 실시의 형태의 각 요소의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시의 형태의 각 요소의 대응의 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기의 실시의 형태에서는, 노광 장치(15)가 노광 장치의 예이며, 기판 처리 장치(100)가 기판 처리 장치의 예이며, 도포 처리 유닛(129)이 도포 장치의 예이다. 도포 블록(12) 및 현상 블록(13)이 처리부의 예이며, 기판(W)이 기판의 예이며, 인터페이스 블록(14)이 수도부의 예이며, 로컬 콘트롤러(400)가 기판 반송 제어부의 예이다. 반송 장치(141, 142)가 제1 반송 장치의 예이며, 반송 장치(143)가 제2 반송 장치의 예이며, 재치겸 냉각부(P-CP)가 재치 냉각부의 예이며, 냉각겸 버퍼부(C-BF)가 온도 유지부의 예이다.
반송 제어부(410, 420, 430, 440)가 각각 제1~제4 반송 제어부의 예이며, 판정부(450)가 판정부의 예이며, 이송 버퍼부(SBF1, SBF2)가 버퍼부의 예이며, 기판 재치부(PASS11)가 복귀 재치부의 예이다. 반송 장치(141, 142)의 핸드(H1, H2)가 각각 제1 및 제2 유지부의 예이며, 반송 장치(143)의 핸드(H1, H2)가 각각 제3 및 제4 유지부의 예이며, 반송 장치(143)의 핸드(H1, H2)가 각각 제5 및 제6 유지부의 예이다.
청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 가지는 다른 다양한 요소를 이용할 수도 있다.
본 발명은, 노광 장치를 이용하는 다양한 기판의 처리에 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서,
    기판 상에 감광성 재료를 도포하여 감광성막을 형성하는 도포 장치를 포함하는 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광 장치 사이에서 기판의 수도(受渡)를 행하기 위한 수도부와,
    기판의 반송을 제어하는 기판 반송 제어부를 구비하고,
    상기 수도부는,
    기판을 유지하여 반송하는 제1 및 제2 반송 장치와,
    기판을 재치(載置) 가능하게 구성되며, 재치된 기판을 냉각하기 위한 재치 냉각부와,
    기판을 재치 가능하게 구성되며, 재치된 기판의 온도를 유지하기 위한 온도 유지부를 포함하고,
    상기 기판 반송 제어부는,
    상기 처리부로부터의 기판을 상기 재치 냉각부에 반입하도록 상기 제1 반송 장치를 제어하고, 상기 재치 냉각부에 재치된 기판을 반출하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하며,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우에, 상기 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 상기 노광 장치에 반송하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하고,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 상기 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 상기 온도 유지부에 반입하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하고, 상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하다고 판정된 후, 상기 온도 유지부로부터 기판을 반출하여 상기 노광 장치에 반송하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 반송 제어부는,
    상기 처리부로부터의 기판을 상기 재치 냉각부에 반송하도록 상기 제1 반송 장치를 제어하는 제1 반송 제어부와,
    상기 재치 냉각부에 재치된 기판을 반출하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하는 제2 반송 제어부와,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한지 아닌지를 판정하는 판정부와,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하다고 판정된 경우에, 상기 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 상기 노광 장치에 반송하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하는 제3 반송 제어부와,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능하다고 판정된 경우에, 상기 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 상기 온도 유지부에 반입하고, 상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하다고 판정된 후, 상기 온도 유지부로부터 기판을 반출하여 상기 노광 장치에 반송하도록 상기 제2 반송 장치를 제어하는 제4 반송 제어부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수도부는, 상기 재치 냉각부를 복수 포함하고,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 복수의 재치 냉각부 중 일부의 재치 냉각부가 상기 온도 유지부로서 기능하도록 상기 제1 및 제2 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 복수의 재치 냉각부 중 상기 온도 유지부로서 기능하는 일부의 재치 냉각부가 순차적으로 변경되도록 상기 제1 및 제2 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수도부는, 기판을 일시적으로 축적하기 위한 버퍼부를 더 포함하고,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 재치 냉각부가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 상기 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 버퍼부에 반송하고, 상기 재치 냉각부가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 상기 버퍼부에 축적된 기판을 상기 재치 냉각부에 반송하도록 상기 제1 반송 장치를 추가로 제어하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수도부는, 기판을 재치 가능한 복귀 재치부를 더 포함하고,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 복귀 재치부에 재치된 노광 후의 기판을 반출하여 반송하도록 상기 제1 반송 장치를 추가로 제어하고, 노광 후의 기판을 상기 노광 장치로부터 반출하여 상기 복귀 재치부에 반송하도록 상기 제2 반송 장치를 추가로 제어하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 반송 장치는, 기판을 유지하는 제1 및 제2 유지부를 가지며,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 복귀 재치부로부터의 기판의 반출과, 상기 재치 냉각부로의 기판의 반입을 연속적 또는 병렬적으로 행하도록 상기 제1 반송 장치의 상기 제1 및 제2 유지부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 반송 장치는, 기판을 유지하는 제3 및 제4 유지부를 가지며,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 노광 장치로부터의 기판의 반출과, 상기 노광 장치로의 기판의 반입을 연속적 또는 병렬적으로 행하도록 상기 제2 반송 장치의 상기 제3 및 제4 유지부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 반송 장치는, 기판을 유지하는 제5 및 제6 유지부를 가지며,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 재치 냉각부로부터의 기판의 반출과, 상기 복귀 재치부로의 기판의 반입을 연속적 또는 병렬적으로 행하도록 상기 제2 반송 장치의 상기 제5 및 제6 유지부를 추가로 제어하는, 기판 처리 장치.
  10. 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
    처리부의 도포 장치에 의해 기판 상에 감광성 재료를 도포하여 감광성막을 형성하는 단계와,
    수도부에 있어서 상기 처리부로부터의 기판을 제1 반송 장치에 의해 유지하여 재치 냉각부에 반입하는 단계와,
    상기 제1 반송 장치에 의해 반입된 기판을 재치 냉각부에 의해 냉각하는 단계와,
    냉각된 기판을 상기 재치 냉각부로부터 제2 반송 장치에 의해 유지하여 반출하는 단계와,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능한 경우에, 상기 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 상기 제2 반송 장치에 의해 상기 노광 장치에 반송하는 단계와,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 불가능한 경우에, 상기 재치 냉각부로부터 반출한 기판을 상기 제2 반송 장치에 의해 온도 유지부에 반입하는 단계와,
    상기 제2 반송 장치에 의해 반입된 기판의 온도를 상기 온도 유지부에 의해 유지하는 단계와,
    상기 노광 장치가 기판을 받아들임 가능하게 된 후, 상기 제2 반송 장치에 의해 상기 온도 유지부로부터 기판을 반출하여 상기 노광 장치에 반송하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7181068B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7387316B2 (ja) * 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法
JP7461725B2 (ja) * 2019-09-12 2024-04-04 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
JP7363591B2 (ja) * 2020-03-05 2023-10-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7405889B2 (ja) * 2022-03-23 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030065389A (ko) * 2002-01-31 2003-08-06 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판반송방법
JP2008135517A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
KR20140116782A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 기판 처리 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0940721A3 (en) * 1998-03-04 2003-03-12 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Reticle library apparatus and method
JP3542919B2 (ja) 1999-03-18 2004-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4080405B2 (ja) * 2003-09-22 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7738987B2 (en) 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
JP5006122B2 (ja) * 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5102717B2 (ja) * 2008-08-13 2012-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置およびこれを備えた基板処理装置
JP5462506B2 (ja) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030065389A (ko) * 2002-01-31 2003-08-06 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판반송방법
KR100919084B1 (ko) * 2002-01-31 2009-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판반송방법
JP2008135517A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
KR20140116782A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 기판 처리 장치

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US10656524B2 (en) 2020-05-19
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