CN107785288A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种基板处理装置和基板处理方法，可以根据曝光装置的状态来抑制基板的处理效率的下降并将适当状态的基板搬入曝光装置中。曝光处理前的基板被搬入到载置兼冷却部并被冷却。利用搬送装置对冷却了的基板进行保持并将其搬出载置兼冷却部。在曝光装置可接收基板的情况下，通过搬送装置将从载置兼冷却部搬出来的基板搬送到曝光装置。在曝光装置不能接收基板的情况下，通过搬送装置将从载置兼冷却部搬出来的基板搬入到冷却兼缓冲部。在冷却兼缓冲部中，维持基板的温度。在曝光装置变成可接收基板之后，通过搬送装置将基板从冷却兼缓冲部搬出并搬送到曝光装置。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在制造半导体器件等的光刻工序中，通过将抗蚀剂溶液等涂布液供给到基板上来形成涂布膜。曝光涂布膜后，通过显影在涂布膜上形成规定的图案。日本特开2010-219434号公报中，记载了以与曝光装置相邻的方式配置的基板处理装置。
日本特开2010-219434号公报所记载的基板处理装置包括处理模块和接口模块，处理模块进行涂布膜在基板上的形成和显影，接口模块将基板冷却到适于曝光的温度。还有，接口模块中设有搬送装置，搬送装置将形成有涂布膜的基板从处理模块搬送到曝光装置来进行曝光，并将曝光后的基板从曝光装置搬送到处理模块来进行显影。
为了提高基板的处理效率，有时对曝光装置的处理所需时间进行预测，并基于预测的时间控制使基板处理装置的搬送装置进行前期动作。在上述的前期动作中，搬送装置在开始对已搬入曝光装置的基板处理后，立刻将下一个基板搬入曝光装置。
然而，有时曝光装置的运转临时停止。还有，有时基板在曝光装置中停滞。这样的情况下，需要等待基板从基板处理装置向曝光装置的搬入。由此，基板在基板处理装置中的处理效率下降。还有，尽管为了曝光处理而优化了基板的温度，但是，基板被搬入曝光装置前，其温度发生变化，从而变得不能适当地处理基板。
发明内容
本发明的目的是提供一种基板处理装置和基板处理方法，可以根据曝光装置的状态来抑制基板的处理效率的下降并将适当状态的基板搬入曝光装置中。
(1)本发明的一种方式的基板处理装置配置成与曝光装置相邻，具备：处理部，包括涂布装置，涂布装置用来在基板上涂布感光材料而形成感光膜；交接部，用于在处理部与曝光装置之间进行基板的交接；以及基板搬送控制部，对基板的搬送进行控制。交接部包括：第一和第二搬送装置，用来对基板进行保持及搬送；载置冷却部，能够载置基板，用于冷却所载置的基板；以及温度维持部，能够载置基板，用于维持所载置的基板的温度。基板搬送控制部控制第一搬送装置，以将来自处理部的基板搬入到载置冷却部，基板搬送控制部控制第二搬送装置，以将载置冷却部中载置的基板搬出，在曝光装置能够接收基板的情况下，基板搬送控制部控制第二搬送装置，以将从载置冷却部搬出来的基板搬送到曝光装置，在曝光装置不能接收基板的情况下，基板搬送控制部控制第二搬送装置，以将从载置冷却部搬出来的基板搬入到温度维持部，在判断出曝光装置能够接收基板之后，基板搬送控制部控制第二搬送装置，以将基板从温度维持部搬出并搬送到曝光装置。
在该基板处理装置中，通过处理部的涂布装置在基板上涂布感光材料而形成感光膜。在交接部中，第一搬送装置对来自处理部的基板进行保持并将其搬入载置冷却部。第一搬送装置所搬入的基板由载置冷却部进行冷却。第二搬送装置对冷却了的基板进行保持并将其搬出载置冷却部。在曝光装置可接收基板的情况下，通过第二搬送装置将从载置冷却部搬出来的基板搬送到曝光装置。在曝光装置不能接收基板的情况下，通过第二搬送装置将从载置冷却部搬出来的基板搬入到温度维持部。温度维持部对第二搬送装置所搬入的基板的温度进行维持。在曝光装置变成可接收基板之后，第二搬送装置将基板从温度维持部搬出并搬送到曝光装置。
根据该结构，即使是曝光装置的运转临时停止的情况或者基板停滞在曝光装置中的情况，直到曝光装置变成可接收基板，基板都载置在温度维持部中。因此，第二搬送装置不需要一直保持应当搬送到曝光装置的基板。由此，第二搬送装置能够继续对交接部中的其它基板进行搬送。还有，由于维持了在温度维持部中载置的基板的温度，所以，在曝光装置变成可接收基板后，能够立刻将规定温度的基板搬送到曝光装置。这样的结果，能够根据曝光装置的状态来抑制基板的处理效率的下降，并将适当状态的基板搬入到曝光装置。
(2)也可以是如下方式。基板搬送控制部包括：第一搬送控制部，控制第一搬送装置，以将来自处理部的基板搬送到载置冷却部；第二搬送控制部，控制第二搬送装置，以将在载置冷却部中载置的基板搬出；判断部，对曝光装置是否能够接收基板进行判断；第三搬送控制部，在判断出曝光装置能够接收基板的情况下，控制第二搬送装置，以将从载置冷却部搬出来的基板搬送到曝光装置；以及第四搬送控制部，在判断出曝光装置不能接收基板的情况下，控制第二搬送装置，以将从载置冷却部搬出来的基板搬入到温度维持部，在判断出曝光装置能够接收基板之后，将基板从温度维持部搬出并搬送到曝光装置。这样的情况下，能够容易地对第二搬送控制部进行控制。
(3)也可以是如下方式。交接部包括多个载置冷却部，基板搬送控制部对第一和第二搬送装置进行控制，以便使多个载置冷却部中的一部分载置冷却部作为温度维持部发挥作用。这样的情况下，能够通过与载置冷却部相同的结构来实现温度维持部。由此，能够降低温度维持部的制造成本。
(4)也可以是如下方式。基板搬送控制部对第一和第二搬送装置进行控制，以便依次变更多个载置冷却部中的作为温度维持部发挥作用的一部分载置冷却部。这样的情况下，能够防止只有一部分载置冷却部显著老化。
(5)也可以是如下方式。交接部还包括用于临时存积基板的缓冲部，基板搬送控制部还控制第一搬送装置，以在载置冷却部不能接收基板的情况下，将处理部处理后的基板搬送到缓冲部，在载置冷却部变成能接收基板之后，将缓冲部中存积的基板搬送到载置冷却部。
这样的情况下，第一搬送装置不需要一直保持应当搬送到载置冷却部的基板。由此，第一搬送装置能够继续对交接部中的其它基板进行搬送。还有，在载置冷却部变成可接收基板后，能够立刻将缓冲部中载置的基板搬送到载置冷却部。其结果，能够抑制处理效率的下降。
(6)也可以是如下方式。交接部还包括能够载置基板的回收载置部，基板搬送控制部还控制第一搬送装置，以将在回收载置部中载置的曝光后的基板搬出并进行搬送，并且，还控制第二搬送装置，以将曝光后的基板从曝光装置搬出并搬送到回收载置部。这样的情况下，能够将曝光后的基板从回收载置部搬出并容易地取出。
(7)也可以是如下方式。第一搬送装置具有用来保持基板的第一和第二保持部，基板搬送控制部对第一搬送装置的第一和第二保持部进行控制，以便连续地或并行地进行基板从回收载置部的搬出和基板向载置冷却部的搬入。
这样的情况下，由于连续地或并行地进行基板从回收载置部的搬出和基板到载置冷却部的搬入，所以会提高第一搬送装置的搬送效率。由此，能够提高基板的处理效率。
(8)也可以是如下方式。第二搬送装置具有用来保持基板的第三和第四保持部，基板搬送控制部对第二搬送装置的第三和第四保持部进行控制，以便连续地或并行地进行基板从曝光装置的搬出和基板向曝光装置的搬入。
这样的情况下，由于连续地或并行地进行基板从曝光装置的搬出和基板到曝光装置的搬入，所以会提高第二搬送装置的搬送效率。由此，能够提高基板的处理效率。
(9)也可以是如下方式。第二搬送装置具有用来保持基板的第五和第六保持部，基板搬送控制部还对第二搬送装置的第五和第六保持部进行控制，以便连续地或并行地进行基板从载置冷却部的搬出和基板向回收载置部的搬入。
这样的情况下，由于连续地或并行地进行基板从载置冷却部的搬出和基板到回收载置部的搬入，所以会提高第二搬送装置的搬送效率。由此，能够提高基板的处理效率。
(10)本发明的其它方式的基板处理方法使用配置成与曝光装置相邻的基板处理装置对基板进行处理，包括：利用处理部的涂布装置在基板上涂布感光材料而形成感光膜的步骤；在交接部中，利用第一搬送装置对来自处理部的基板进行保持并将该基板搬入到载置冷却部的步骤；利用载置冷却部对第一搬送装置所搬入来的基板进行冷却的步骤；利用第二搬送装置对冷却后的基板进行保持并将该基板搬出载置冷却部的步骤；在曝光装置能够接收基板的情况下，利用第二搬送装置将从载置冷却部搬出来的基板搬送到曝光装置的步骤；在曝光装置不能接收基板的情况下，利用第二搬送装置将从载置冷却部搬出来的基板搬入到温度维持部的步骤；利用温度维持部对第二搬送装置所搬入的基板的温度进行维持的步骤；在曝光装置变成能够接收基板之后，利用第二搬送装置将基板从温度维持部搬出并搬送到曝光装置。
根据该基板处理方法，利用处理部的涂布装置在基板上涂布感光材料而形成感光膜。在交接部中，利用第一搬送装置对来自处理部的基板进行保持并将其搬入载置冷却部。第一搬送装置所搬入的基板由载置冷却部进行冷却。利用第二搬送装置对冷却后的基板进行保持并将其搬出载置冷却部。在曝光装置可接收基板的情况下，利用第二搬送装置将从载置冷却部搬出来的基板搬送到曝光装置。在曝光装置不能接收基板的情况下，利用第二搬送装置将从载置冷却部搬出来的基板搬入到温度维持部。温度维持部对第二搬送装置所搬入的基板的温度进行维持。在曝光装置变成可接收基板之后，第二搬送装置将基板从温度维持部搬出并搬送到曝光装置。
根据该方法，即使是曝光装置的运转临时停止的情况或者基板停滞在曝光装置中的情况，直到曝光装置变成可接收基板，基板都载置在温度维持部中。因此，第二搬送装置不需要一直保持住应当搬送到曝光装置的基板。由此，第二搬送装置能够继续对交接部中的其它基板进行搬送。还有，由于维持了温度维持部中载置的基板的温度，所以，在曝光装置变成可接收基板后，能够立刻将规定温度的基板搬送到曝光装置。这样的结果，能够根据曝光装置的状态来抑制基板的处理效率的下降，并将适当状态的基板搬入到曝光装置。
附图说明
图1是本发明的一实施方式所涉及的基板处理装置的示意性俯视图。
图2是表示图1的涂布处理部、显影处理部和清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图3是表示图1的热处理部和清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图4是表示搬送部的内部结构的示意性侧视图。
图5A～图5C是用于说明冷却兼缓冲部的使用例的图。
图6A～图6C用于说明冷却兼缓冲部的使用例的图。
图7是表示用于对搬送装置进行控制的局部控制器的结构的框图。
图8是表示图7的局部控制器的主控制部在搬送控制处理中的一部分动作的流程图。
图9A～图9C是表示其它实施方式的冷却兼缓冲部的结构的图。
图10A和图10B是表示其它实施方式的冷却兼缓冲部的结构的图。
具体实施方式
以下，使用附图，对本发明的一实施方式所涉及的基板处理装置和基板处理方法进行说明。另外，在以下说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩模用基板等。
(1)基板处理装置的结构
图1是本发明的一实施方式所涉及的基板处理装置的示意性俯视图。图1和其它附图中，为了明确位置关系，用箭头来表示彼此正交的X方向、Y方向和Z方向。X方向和Y方向在水平面内彼此正交，Z方向相当于铅锤方向。
如图1所示，基板处理装置100具备：分度器模块(インデクサブロック)11、涂布模块12、显影模块13、清洗干燥处理模块14A和搬入搬出模块14B。清洗干燥处理模块14A和搬入搬出模块14B构成接口模块14。曝光装置15配置成与搬入搬出模块14B相邻。
分度器模块11含有多个收纳架载置部111和搬送部112。在各收纳架载置部111上，载置了收纳架113，收纳架113将多个基板W分成多层地进行收纳。主控制器114和搬送装置115设置在搬送部112上。主控制器114对基板处理装置100的各种结构要素进行控制。搬送装置115保持基板W并搬送该基板W。
涂布模块12含有：涂布处理部121、搬送部122和热处理部123。涂布处理部121和热处理部123设置成隔着搬送部122而相对。在搬送部122与分度器模块11之间，设置有用来载置基板W的基板载置部PASS1～PASS4(图4)。在搬送部122上，设置有用来搬送基板W的搬送装置127、128(图4)。
显影模块13含有：显影处理部131、搬送部132和热处理部133。显影处理部131和热处理部133设置成隔着搬送部132而相对。在搬送部132与搬送部122之间，设置有载置基板W的基板载置部PASS5～PASS8(图4)。在搬送部132上，设置有用来搬送基板W的搬送装置137、138(图4)。
清洗干燥处理模块14A含有清洗干燥处理部161、162和搬送部163。清洗干燥处理部161、162设置成隔着搬送部163而相对。在搬送部163上，设置搬送装置141、142。
在搬送部163与搬送部132之间，设置有载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图4)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2可收纳多个基板W。还有，在搬送部163与搬送部132之间，设置有载置基板W的基板载置部PASS9、PASS10(图4)。
在搬送装置141、142之间，冷却兼缓冲部C-BF设置成与搬入搬出模块14B相邻。还有，后面叙述的基板载置部PASS11和多个载置兼冷却部P-CP(图4)设置成与冷却兼缓冲部C-BF层叠在一起。而且，回收缓冲部RBF1和送出缓冲部SBF1(图4)设置在冷却兼缓冲部C-BF的上方，回收缓冲部RBF2和送出缓冲部SBF2(图4)设置在冷却兼缓冲部C-BF的下方。
冷却兼缓冲部C-BF具备对基板W进行冷却的功能，可临时收纳基板W。基板W可载置在基板载置部PASS11中。载置兼冷却部P-CP具备对基板W进行冷却的功能(例如，冷却板)。载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却到适于曝光处理的温度。回收缓冲部RBF1、RBF2和送出缓冲部SBF1、SBF2可临时收纳基板W。
在搬入搬出模块14B中，设置有搬送装置143。搬送装置143进行基板W相对于曝光装置15的搬入和搬出。在曝光装置15中，设置有用于搬入基板W的基板搬入部15a和用于搬出基板W的基板搬出部15b。
(2)涂布处理部和显影处理部
图2是表示图1的涂布处理部121、显影处理部131和清洗干燥处理部161的内部结构的示意性侧视图。如图2所示，在涂布处理部121中，分层地设有涂布处理室21、22、23、24。在涂布处理室21～24的每一个中，设置有涂布处理单元(旋涂机)129。在显影处理部131中，分层地设有显影处理室31、32、33、34。在显影处理室31～34的每一个中，设置有显影处理单元(旋转显影机)139。
各涂布处理单元129具备旋转卡盘25和杯27，旋转卡盘25用来保持基板W，杯27设置成覆盖旋转卡盘25的周围。本实施方式中，各涂布处理单元129中设置2组的旋转卡盘25和杯27。旋转卡盘25由未图示的驱动装置(例如，电动机)进行驱动而旋转。还有，如图1所示，各涂布处理单元129具备多个处理液喷嘴28和喷嘴搬送机构29，处理液喷嘴28用于喷出处理液，喷嘴搬送机构29用于搬送这些处理液喷嘴28。
在涂布处理单元129中，利用未图示的驱动装置使旋转卡盘25进行旋转，并且，多个处理液喷嘴28中的某个处理液喷嘴28由喷嘴搬送机构29移动到基板W的上方，从该处理液喷嘴28喷出处理液。由此，处理液涂布在基板W上。还有，从未图示的边缘清洗喷嘴向基板W的周缘部喷出清洗液。由此，附着在基板W的周缘部的处理液被去除。
在涂布处理室22、24的涂布处理单元129中，防反射膜用的处理液由处理液喷嘴28供给到基板W上。在涂布处理室21、23的涂布处理单元129中，抗蚀膜用的处理液由处理液喷嘴28供给到基板W上。
显影处理单元139与涂布处理单元129同样地也具备旋转卡盘35和杯37。还有，如图1所示，显影处理单元139具备2个显影喷嘴38和移动机构39，显影喷嘴38用于喷出显影液，移动机构39用于使这些显影喷嘴38在X方向上移动。
在显影处理单元139中，利用未图示的驱动装置使旋转卡盘35进行旋转，并且，一个显影喷嘴38在X方向上持续移动并向各基板W供给显影液，然后，另一个显影喷嘴38持续移动并向各基板W供给显影液。这种情况下，显影液供给到基板W上，从而进行基板W的显影处理。还有，在本实施方式中，从2个显影喷嘴38喷出彼此不同的显影液。由此，能够向各基板W供给2种显影液。
清洗干燥处理部161对应于图1的搬送装置141而设置。在清洗干燥处理部161中，多个(本例中为3个)清洗干燥处理单元SD1和多个(本例中为2个)清洗干燥处理单元SD2设置成与显影模块13相邻且层叠在一起。多个清洗干燥处理单元SD2在多个清洗干燥处理单元SD1的上方。
还有，在清洗干燥处理部161中，多个(本例中为6个)曝光后加热处理单元PEB设置成与搬入搬出模块14B相邻且层叠在一起。多个曝光后加热处理单元PEB在清洗干燥处理部161的上部。
在清洗干燥处理单元SD1中，对曝光处理前的基板W进行清洗和干燥处理。在清洗干燥处理单元SD2中，对曝光处理后的基板W进行清洗和干燥处理。在曝光后加热处理单元PEB中，进行曝光后烘烤处理。
(3)热处理部
图3是表示图1的热处理部123、133和清洗干燥处理部162的内部结构的示意性侧视图。如图3所示，热处理部123具有设置在上方的上层热处理部101和设置在下方的下层热处理部102。在上层热处理部101和下层热处理部102中，设置有多个热处理单元PHP、多个紧贴强化处理单元PAHP和多个冷却单元CP。
在热处理部123的最上部，设置有局部控制器200。局部控制器200基于来自图1的主控制器114的指令，对涂布处理部121、搬送部122和热处理部123的动作进行控制。
在热处理单元PHP中，对基板W进行加热处理和冷却处理。在紧贴强化处理单元PAHP中，进行紧贴强化处理，紧贴强化处理用于提高基板W与防反射膜的紧贴性。具体来说，在紧贴强化处理单元PAHP中，对基板W涂布HMDS(六甲基二硅氮烷)等紧贴强化剂，并对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中，对基板W进行冷却处理。
热处理部133具有设置在上方的上层热处理部103和设置在下方的下层热处理部104。在上层热处理部103和下层热处理部104中，设置有冷却单元CP、多个热处理装置PHP和边缘曝光部EEW。
在热处理部133的最上部，设置有局部控制器300。局部控制器300基于来自图1的主控制器114的指令，对显影处理部131、搬送部132和热处理部133的动作进行控制。
在边缘曝光部EEW中，对基板W的周缘部进行曝光处理(边缘曝光处理)。通过对基板W进行边缘曝光处理，从而在之后的显影处理时去除基板W的周缘部上的抗蚀膜。由此，显影处理后，在基板W的周缘部与其它部分进行接触的情况下，防止基板W的周缘部上的抗蚀膜被剥离而成为颗粒。
清洗干燥处理部162对应于图1的搬送装置142而设置。在清洗干燥处理部162中，多个(本例中为3个)清洗干燥处理单元SD1和多个(本例中为2个)清洗干燥处理单元SD2设置成与显影模块13相邻且层叠在一起。多个清洗干燥处理单元SD2配置在多个清洗干燥处理单元SD1的上方。
还有，在清洗干燥处理部162中，多个(本例中为6个)曝光后加热处理单元PEB设置成与搬入搬出模块14B相邻且层叠在一起。多个曝光后加热处理单元PEB配置在清洗干燥处理部162的上部。
在清洗干燥处理单元SD1中，对曝光处理前的基板W进行清洗和干燥处理。在清洗干燥处理单元SD2中，对曝光处理后的基板W进行清洗和干燥处理。在曝光后加热处理单元PEB中，进行曝光后烘烤处理。
(4)搬送部
图4是表示搬送部122、132、163的内部结构的示意性侧视图。如图4所示，搬送部122具有上层搬送室125和下层搬送室126。搬送部132具有上层搬送室135和下层搬送室136。在上层搬送室125中设置有搬送装置127(搬运机械手)。在下层搬送室126中设置有搬送装置128。在上层搬送室135中设置有搬送装置137。在下层搬送室136中设置有搬送装置138。
搬送装置127、128、137、138各自具有用于保持基板W并进行搬送的多个机械手H1、H2。还有，搬送装置141～143(图1)也是一样，具有与搬送装置127、128、137、138的机械手H1、H2一样的多个机械手H1、H2。
在搬送部112与上层搬送室125之间，设置有基板载置部PASS1、PASS2。在搬送部112与下层搬送室126之间，设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬送室125与上层搬送室135之间，设置有基板载置部PASS5、PASS6。在下层搬送室126与下层搬送室136之间，设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬送室135与搬送部163之间，设置有载置兼缓冲部P-BF1和基板载置部PASS9。在下层搬送室136与搬送部163之间，设置有载置兼缓冲部P-BF2和基板载置部PASS10。
在搬送部163中，从上方开始以层叠在一起的方式依次设置基板载置部PASS11、多个(本例中为4个)载置兼冷却部P-CP和冷却兼缓冲部C-BF，并设置成与搬入搬出模块14B相邻。在基板载置部PASS11的上方，回收缓冲部RBF1和送出缓冲部SBF1设置为层叠在一起。在冷却兼缓冲部C-BF的下方，回收缓冲部RBF2和送出缓冲部SBF2设置为层叠在一起。
搬送装置127相对于涂布处理室21、22(图2)和基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6以及上层热处理部101(图3)进行基板W的交接。搬送装置128相对于涂布处理室23、24(图2)和基板载置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8以及下层热处理部102(图3)进行基板W的交接。
搬送装置137相对于显影处理室31、32(图2)和基板载置部PASS5、PASS6、PASS9以及载置兼缓冲部P-BF1、上层热处理部103(图3)进行基板W的交接。搬送装置138相对于显影处理室33、34(图2)和基板载置部PASS7、PASS8、PASS10以及载置兼缓冲部P-BF2、下层热处理部104(图3)进行基板W的交接。
搬送装置141(图1)相对于清洗干燥处理部161(图2)、载置兼缓冲部P-BF1和基板载置部PASS9、PASS11以及载置兼冷却部P-CP进行基板W的交接。还有，根据前期进行的基板W的处理进度，搬送装置141相对于回收缓冲部RBF1和送出缓冲部SBF1进行基板W的交接。
搬送装置142(图1)相对于清洗干燥处理部162(图2)、载置兼缓冲部P-BF2和基板载置部PASS10、PASS11以及载置兼冷却部P-CP进行基板W的交接。还有，根据提前进行的基板W的处理进度，搬送装置142相对于回收缓冲部RBF2和送出缓冲部SBF2进行基板W的交接。
搬送装置143相对于曝光装置15(图1)、基板载置部PASS11和载置兼冷却部P-CP行基板W的交接。还有，根据提前进行的基板W的处理进度，搬送装置143相对于冷却兼缓冲部C-BF进行基板W的交接。
还有，在搬送部163的最上部，设置有局部控制器400。局部控制器400基于来自图1的主控制器114的指令，对清洗干燥处理部161、162和搬送部163的动作进行控制，并对搬入搬出模块14B的动作进行控制。
(5)基板处理的工序
使用图1～图4，对处理基板时的分度器模块11、涂布模块12、显影模块13、清洗干燥处理模块14A和搬入搬出模块14B的动作进行说明。在以下的基板处理中，对基板处理装置100和曝光装置15的处理所需时间进行预测，并基于预测的时间控制搬送装置115、127、128、137、138、141～143的动作。
在分度器模块11的收纳架载置部111(图1)中，载置收纳架113，收纳架113收纳了未处理的基板W。搬送装置115将未处理的基板W从收纳架113搬送到基板载置部PASS1、PASS3(图4)。还有，搬送装置115将基板载置部PASS2、PASS4(图4)中载置的处理完成的基板W搬送到收纳架113。
涂布模块12中，搬送装置127(图4)将基板载置部PASS1中载置的基板W依次搬送到紧贴强化处理单元PAHP(图3)、冷却单元CP(图3)和涂布处理室22(图2)。接下来，搬送装置127将利用涂布处理室22形成了防反射膜的基板W依次搬送到热处理单元PHP(图3)、冷却单元CP(图3)和涂布处理室21(图2)。接下来，搬送装置127将利用涂布处理室21形成了抗蚀膜的基板W依次搬送到热处理单元PHP(图3)和基板载置部PASS5(图4)。
这种情况下，在紧贴强化处理单元PAHP中，对基板W进行紧贴强化处理，然后，在冷却单元CP中，基板W被冷却到适于形成防反射膜的温度。接下来，在涂布处理室22中，通过涂布处理单元129(图2)在基板W上形成防反射膜。接下来，在热处理装置PHP中，进行基板W的热处理，然后，在冷却单元CP中，基板W被冷却到适于形成抗蚀膜的温度。接下来，在涂布处理室21中，通过涂布处理单元129(图2)在基板W上形成抗蚀膜。然后，在热处理装置PHP中，进行基板W的热处理，并将该基板W载置到基板载置部PASS5中。
还有，搬送装置127将基板载置部PASS6(图5A～图5C)中载置的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS2(图5A～图5C)。
搬送装置128(图4)将基板载置部PASS3中载置的基板W依次搬送到紧贴强化处理单元PAHP(图3)、冷却单元CP(图3)和涂布处理室24(图2)。接下来，搬送装置128将利用涂布处理室24形成了防反射膜的基板W依次搬送到热处理装置PHP(图3)、冷却单元CP(图3)和涂布处理室23(图2)。接下来，搬送装置128将利用涂布处理室23形成了抗蚀膜的基板W依次搬送到热处理装置PHP(图3)和基板载置部PASS7(图4)。
还有，搬送装置128(图4)将基板载置部PASS8(图4)中载置的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS4(图4)。基板W在涂布处理室23、24(图2)和下层热处理部102(图3)中的处理内容与基板W在上述的涂布处理室21、22(图2)和上层热处理部101(图3)中的处理内容相同。
显影模块13中，搬送装置137(图4)将基板载置部PASS5中载置的形成抗蚀膜后的基板W依次搬送到边缘曝光部EEW(图3)和载置兼缓冲部P-BF1(图4)。这样的情况下，在边缘曝光部EEW中，对基板W进行边缘曝光处理。边缘曝光处理后的基板W载置在载置兼缓冲部P-BF1中。
还有，搬送装置137(图4)从基板载置部PASS9(图4)中取出曝光后烘烤处理后的基板W。搬送装置137将该基板W依次搬送到冷却单元CP(图3)和显影处理室31、32中的一个(图2)以及热处理单元PHP(图3)、基板载置部PASS6(图4)。
这样的情况下，在冷却单元CP中，基板W冷却到适于显影处理的温度，然后，在显影处理室31、32的一个中，对基板W进行显影处理。然后，在热处理装置PHP中，进行基板W的热处理，并将该基板W载置到基板载置部PASS6中。
搬送装置138(图4)将基板载置部PASS7中载置的形成抗蚀膜后的基板W依次搬送到边缘曝光部EEW(图3)和载置兼缓冲部P-BF2(图4)。
还有，搬送装置138(图4)从基板载置部PASS10(图4)中取出曝光后烘烤处理后的基板W。搬送装置138将该基板W依次搬送到冷却单元CP(图3)和显影处理室33、34中的一个(图2)以及热处理单元PHP(图3)、基板载置部PASS8(图4)。基板W在显影处理室33、34和下层热处理部104中的处理内容与基板W在上述的显影处理室31、32(图2)和上层热处理部103(图3)中的处理内容相同。
清洗干燥处理模块14A中，搬送装置141(图1)将载置兼缓冲部P-BF1中载置的基板W搬送到清洗干燥处理单元SD1(图2)和载置兼冷却部P-CP(图4)。这样的情况下，在清洗干燥处理单元SD1中，对基板W进行清洗和干燥处理，然后，在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却到适于曝光装置15(图1)进行曝光处理的温度。
还有，搬送装置141将基板载置部PASS11(图4)中载置的基板W搬送到清洗干燥处理单元SD2(图2)、曝光后加热处理单元PEB(图2)和基板载置部PASS9。这样的情况下，在清洗干燥处理单元SD2中，对基板W进行清洗和干燥处理。然后，在曝光后加热处理单元PEB中，进行曝光后烘烤处理，并将该基板W载置到基板载置部PASS9中。
搬送装置142(图1)将载置兼缓冲部P-BF2中载置的基板W搬送到清洗干燥处理单元SD1(图3)和载置兼冷却部P-CP(图4)。还有，搬送装置142将基板载置部PASS11(图4)中载置的基板W搬送到清洗干燥处理单元SD2(图3)、曝光后加热处理单元PEB(图3)和基板载置部PASS10。
搬入搬出模块14B中，搬送装置143(图4)将载置兼冷却部P-CP中载置的冷却后的基板W搬入到曝光装置15的基板搬入部15a(图1)。还有，搬送装置143从曝光装置15的基板搬出部15b(图1)中取出曝光处理后的基板W，并将该基板W搬送到基板载置部PASS11(图4)。
(6)冷却兼缓冲部
如上所述，基于基板处理装置100和曝光装置15的处理所需时间，控制搬送装置115、127、128、137、138、141～143(以下，简称为搬送装置)。由此，各搬送装置可以连续地或并行地进行取出动作和载置动作，取出动作是指将处理后的基板W从规定的载置位置取出，载置动作是指将处理前的基板W载置到该载置位置或其它载置位置。其中，“并行地进行”2个动作是指该2个动作进行期间中的至少一部分期间重叠。
不过，在曝光装置15的运转临时停止的情况下，搬送装置就不能进行上述的动作。基板W停滞在曝光装置15中的情况也是一样的。于是，在曝光装置15停止的情况下或基板W停滞在曝光装置15中的情况下，使用冷却兼缓冲部C-BF。图5A～图5C和图6A～图6C用于说明冷却兼缓冲部C-BF的使用例的图。在图5A～图5C和图6A～图6C中，省略了图4的回收缓冲部RBF1、RBF2和送出缓冲部SBF1、SBF2的图示。
图5A中，搬送装置141将曝光处理后的基板W从基板载置部PASS11搬出，并将清洗和干燥处理后的基板W搬入到载置兼冷却部P-CP。还有，搬送装置143将曝光处理后的基板W从基板搬出部15b搬出，并将冷却了的基板W搬入到基板搬入部15a。接下来，图5B中，搬送装置143将冷却了的基板W从载置兼冷却部P-CP搬出，并将曝光处理后的基板W搬入到基板载置部PASS11。
然后，图5C中，在基于预测的处理时间进行处理的情况下，将曝光处理后的基板W从基板搬出部15b搬出，并将冷却了的基板W搬入到基板搬入部15a。在这里，设想曝光装置15的运转临时停止或基板W停滞在基板搬入部15a中的情况。这样的情况下，由于基板搬入部15a不能接收基板W，所以，搬送装置143虽然可以将曝光处理后的基板W从基板搬出部15b搬出，但如图5C中的“×”所示那样，不能将冷却了的基板W搬入到基板搬入部15a。因此，基板W在清洗干燥处理模块14A和搬入搬出模块14B中的处理效率下降。
因此，图6A中，搬送装置143将冷却了的基板W搬入到冷却兼缓冲部C-BF，并将曝光处理后的基板W搬入到基板载置部PASS11。在冷却兼缓冲部C-BF中，与载置兼冷却部P-CP同样地，基板W被冷却到适于曝光装置15进行曝光处理的温度。
然后，图6B中，曝光装置15的运转重启，或者基板W在曝光装置15内的停滞解除，从而基板搬入部15a的基板W被放入曝光装置15内。由此，基板搬入部15a变成可接收基板W。此时，搬送装置143将冷却了的基板W从冷却兼缓冲部C-BF搬出。接下来，图6C中，搬送装置143将冷却了的基板W搬入到基板搬入部15a。还有，在曝光处理后的基板W载置于基板搬出部15b中的情况下，搬送装置143从基板搬出部15b中将基板W搬出。
在上述的结构中，即使是基板搬入部15a不能接收基板W的情况，搬送装置143也不需要保持冷却到适于曝光处理的温度的基板W并待机，直到基板搬入部15a变成可接收基板W为止。还有，基板搬入部15a变成可接收基板W后，搬送装置143能够立刻将利用冷却兼缓冲部C-BF冷却到适于曝光处理的温度的基板W搬入到基板搬入部15a。由此，基板W在清洗干燥处理模块14A和搬入搬出模块14B中的处理效率的下降能够最小化。
在基板W停滞于基板处理装置100中的情况下，使用载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2或回收缓冲部RBF1、RBF2或者送出缓冲部SBF1、SBF2。具体来说，在图2的清洗干燥处理单元SD1不能接收基板W的情况下，基板W由搬送装置141临时收纳在载置兼缓冲部P-BF1(图4)中。这样的情况下，图2的清洗干燥处理单元SD1变成可接收基板W后，基板W由搬送装置141从载置兼缓冲部P-BF1搬送到清洗干燥处理单元SD1。
在图3的清洗干燥处理单元SD1不能接收基板W的情况下，基板W由搬送装置142临时收纳在载置兼缓冲部P-BF2(图4)中。这样的情况下，图3的清洗干燥处理单元SD1变成可接收基板W后，基板W由搬送装置142从载置兼缓冲部P-BF2搬送到清洗干燥处理单元SD1。
在基板载置部PASS9不能接收基板W的情况下，基板W由搬送装置141搬送到回收缓冲部RBF1(图4)并临时载置。这样的情况下，在基板载置部PASS9变成可接收基板W后，基板W由搬送装置141从曝光后加热处理单元PEB搬送到基板载置部PASS9。
在基板载置部PASS10不能接收基板W的情况下，基板W由搬送装置142搬送到回收缓冲部RBF2(图4)并临时载置。这样的情况下，在基板载置部PASS10变成可接收基板W后，基板W由搬送装置142从曝光后加热处理单元PEB搬送到基板载置部PASS10。
而且，在全部的载置兼冷却部P-CP都不能接收来自图2的清洗干燥处理单元SD1的基板W的情况下，基板W由搬送装置141搬送到送出缓冲部SBF1(图4)并临时载置。这样的情况下，任意某个载置兼冷却部P-CP变成可接收基板W后，基板W由搬送装置141从送出缓冲部SBF1搬送到该载置兼冷却部P-CP。
在全部的载置兼冷却部P-CP都不能接收来自图3的清洗干燥处理单元SD1的基板W的情况下，基板W由搬送装置142搬送到送出缓冲部SBF2(图4)并临时载置。这样的情况下，任意某个载置兼冷却部P-CP变成可接收基板W后，基板W由搬送装置142从送出缓冲部SBF2搬送到该载置兼冷却部P-CP。
在图6C的例子中，全部的载置兼冷却部P-CP上载置有基板W，载置兼冷却部P-CP不能接收基板W。在这样的情况下，在搬送装置141保持清洗和干燥处理后的基板W时，搬送装置141就将该基板W搬送到图4的送出缓冲部SBF1。同样地，在图1的搬送装置142保持清洗和干燥处理后的基板W时，搬送装置142就将该基板W搬送到图4的送出缓冲部SBF2。
(7)搬送装置的控制系统
图7是用于对搬送装置141～143进行控制的局部控制器400的结构框图。如图7所示，局部控制器400含有：主控制部401、存储部402和搬送控制部410、420、430、440以及判断部450。
主控制部401例如含有CPU(中央运算处理装置)。存储部402例如包括非易失性存储器或硬盘，对用于控制搬送装置141～143的搬送控制程序进行存储。通过主控制部401执行存储部402中存储的搬送控制程序，来实现搬送控制部410、420、430、440和判断部450的功能。
判断部450包括送出判断部451、回收判断部452和曝光判断部453。送出判断部451对图4的各载置兼冷却部P-CP是否可接收基板W进行判断，并将判断结果提供给搬送控制部410。回收判断部452对图4的基板载置部PASS9、PASS10是否可接收基板W进行判断，并将判断结果提供给搬送控制部410。曝光判断部453对图1的曝光装置15是否可接收基板W进行判断，并将判断结果提供给搬送控制部430、440。
例如，在各载置兼冷却部P-CP和基板载置部PASS9、PASS10以及基板搬入部15a中，设置有检测有无基板W的光电传感器。送出判断部451、回收判断部452和曝光判断部453基于各载置兼冷却部P-CP和基板载置部PASS9、PASS10以及基板搬入部15a的光电传感器的输出信号，对是否可接收基板W进行判断。
搬送控制部410对搬送装置141、142的动作进行控制。搬送控制部410包括送出控制部411和回收控制部412。以下，对有关搬送装置141的控制进行说明，另外，有关搬送装置142的控制也与有关搬送装置141的控制相同。
送出控制部411对搬送装置141进行控制，以将图4的载置兼缓冲部P-BF1中载置的基板W搬送到图2的清洗干燥处理单元SD1。还有，送出控制部411对搬送装置141进行控制，以在送出判断部451判断出某个载置兼冷却部P-CP可接收基板W的情况下，将来自清洗干燥处理单元SD1的基板W搬送到该载置兼冷却部P-CP。
另一方面，送出控制部411对搬送装置141进行控制，以在送出判断部451判断出全部载置兼冷却部P-CP都不能接收基板W的情况下，将来自清洗干燥处理单元SD1的基板W搬送到图4的送出缓冲部SBF1。送出控制部411对搬送装置141进行控制，以在某个载置兼冷却部P-CP变成可接收基板W后，将来自送出缓冲部SBF1的基板W搬送到该载置兼冷却部P-CP。
回收控制部412对搬送装置141进行控制，以将图4的基板载置部PASS11中载置的基板W搬送到图2的清洗干燥处理单元SD2之后，再搬送到图2的曝光后加热处理单元PEB。回收控制部412对搬送装置141进行控制，以在回收判断部452判断出图4的基板载置部PASS9可接收基板W的情况下，将来自曝光后加热处理单元PEB的基板W搬送到基板载置部PASS9。
另一方面，回收控制部412对搬送装置141进行控制，以在回收判断部452判断出基板载置部PASS9不能接收基板W的情况下，将来自清洗干燥处理单元SD2的基板W搬送到图4的回收缓冲部RBF1。回收控制部412对搬送装置141进行控制，以在基板载置部PASS9变成可接收基板W后，将来自回收缓冲部RBF1的基板W搬送到基板载置部PASS9。
搬送控制部420、430、440对搬送装置143的动作进行控制。搬送控制部420含有搬出控制部421和回收控制部422。搬送控制部440含有待机控制部441和送出控制部442。搬出控制部421对搬送装置143进行控制，以将在载置兼冷却部P-CP中载置的基板W搬出。回收控制部422对搬送装置143进行控制，以将来自曝光装置15的基板W搬送到基板载置部PASS11。
搬送控制部430对搬送装置143进行控制，以在曝光判断部453判断出曝光装置15可接收基板W的情况下，将搬出来的基板W搬送到曝光装置15。待机控制部441对搬送装置143进行控制，以在曝光判断部453判断出曝光装置15不能接收基板W的情况下，将搬出来的基板W搬送到图4的冷却兼缓冲部C-BF。送出控制部442对搬送装置143进行控制，以在曝光判断部453判断出曝光装置15可接收基板W的情况下，将来自冷却兼缓冲部C-BF的基板W搬送到曝光装置15。
(8)搬送控制处理
图8是图7的局部控制器400的主控制部401在搬送控制处理中的一部分动作的流程图。在图8的搬送控制处理中，对搬送装置143的动作进行控制，搬送装置143用于将基板W从载置兼冷却部P-CP搬送到曝光装置15。图8的搬送控制处理与另一个搬送控制处理并行地执行，该另一个搬送控制处理是指控制搬送装置143将基板W从曝光装置15搬送到图4的基板载置部PASS11。参照图4的基板处理装置100、图7的局部控制器400和图8的流程图，对主控制部401的搬送控制处理进行说明。
首先，主控制部401通过搬送装置143从某个载置兼冷却部P-CP中将基板W搬出(步骤S1)。另外，在搬送装置143保持应当搬入基板载置部PASS11的基板W时，主控制部401执行步骤S1的处理，并将该基板W搬入到基板载置部PASS11。
接下来，主控制部401对曝光装置15是否可接收基板W进行判断(步骤S2)。在曝光装置15不能接收基板W情况下，主控制部401通过搬送装置143将搬出来的基板W搬入到冷却兼缓冲部C-BF(步骤S3)。然后，主控制部401对曝光装置15是否可接收基板W进行判断(步骤S4)。在曝光装置15不能接收基板W情况下，主控制部401待机到曝光装置15变成可接收基板W为止。
在步骤S4中曝光装置15可接收基板W的情况下，主控制部401通过搬送装置143从冷却兼缓冲部C-BF中搬出基板W(步骤S5)，再前进到步骤S6的处理。在步骤S2中曝光装置15可接收基板W的情况下，主控制部401也是前进到步骤S6。
步骤S6中，主控制部401通过搬送装置143将搬出来的基板W搬入到曝光装置15(步骤S6)。另外，在曝光装置15中存在曝光处理后的基板W的情况下，主控制部401执行步骤S6的处理，并将该基板W从曝光装置15中搬出。然后，主控制部401返回到步骤S1。
(9)效果
在本实施方式所涉及的基板处理装置100中，在曝光装置15的运转临时停止的情况下或者基板W停滞在曝光装置15中的情况下，直到曝光装置15变成可接收基板W为止，基板W都载置在冷却兼缓冲部C-BF中。因此，搬送装置143不需要一直保持应当搬送到曝光装置15的基板W。由此，搬送装置143能够继续对搬入搬出模块14B中的其它基板W进行搬送。
还有，由于维持了冷却兼缓冲部C-BF中载置的基板W的温度，所以，在曝光装置15变成可接收基板W后，能够立刻将规定温度的基板W搬送到曝光装置15。这样的结果，能够根据曝光装置15的状态来抑制基板W的处理效率的下降，并将适当状态的基板W搬入到曝光装置15。
而且，在全部的载置兼冷却部P-CP都不能接收基板W的情况下，由清洗干燥处理单元SD1清洗后的基板W被搬送到送出缓冲部SBF1、SBF2。在某个载置兼冷却部P-CP变成可接收基板W后，存积在送出缓冲部SBF1、SBF2中的基板W被搬送到该载置兼冷却部P-CP。
这样的情况下，搬送装置141、142不需要一直保持应当搬送到载置兼冷却部P-CP的基板W。由此，搬送装置141、142能够继续对清洗干燥处理模块14A中的其它基板W进行搬送。还有，在载置兼冷却部P-CP变成可接收基板W后，能够立刻将送出缓冲部SBF1、SBF2中载置的基板W搬送到载置兼冷却部P-CP。因此，能够进一步抑制基板W的处理效率的下降。
(10)其它实施方式
上述实施方式中，冷却兼缓冲部C-BF是与载置兼冷却部P-CP分别设置的，但本发明不限于此。图9A～图9C和图10A和图10B是表示其它实施方式的冷却兼缓冲部的结构的图。如图9A～图9C和图10A和图10B所示，在本实施方式中，没有设置冷却兼缓冲部C-BF，而设置有多个(本例中为5个)载置兼冷却部P-CP。5个载置兼冷却部P-CP分别称为载置兼冷却部P-CP1～P-CP5。
如图9A所示，在将基板W从清洗干燥处理模块14A搬送到搬入搬出模块14B的第一轮中，对搬送装置141～143进行控制，以使用载置兼冷却部P-CP1～P-CP4中的某个，而不使用载置兼冷却部P-CP5。此时，对搬送装置141～143进行控制，使载置兼冷却部P-CP5被用作冷却兼缓冲部。因此，在基板搬入部15a不能接收基板W时，搬送装置143将所保持的基板W搬入到载置兼冷却部P-CP5。
同样地，如图9B所示，在将基板W从清洗干燥处理模块14A搬送到搬入搬出模块14B的第二轮中，使用载置兼冷却部P-CP1～P-CP3、P-CP5中的某个，而不使用载置兼冷却部P-CP4。此时，载置兼冷却部P-CP4被用作冷却兼缓冲部。
如图9C所示，在将基板W从清洗干燥处理模块14A搬送到搬入搬出模块14B的第三轮中，使用载置兼冷却部P-CP1、P-CP2、P-CP4、P-CP5中的某个，而不使用载置兼冷却部P-CP3。此时，载置兼冷却部P-CP3被用作冷却兼缓冲部。
如图10A所示，在将基板W从清洗干燥处理模块14A搬送到搬入搬出模块14B的第四轮中，使用载置兼冷却部P-CP1、P-CP3～P-CP5中的某个，而不使用载置兼冷却部P-CP2。此时，载置兼冷却部P-CP2被用作冷却兼缓冲部。
如图10B所示，在将基板W从清洗干燥处理模块14A搬送到搬入搬出模块14B的第五轮中，使用载置兼冷却部P-CP2～P-CP5中的某个，而不使用载置兼冷却部P-CP1。此时，载置兼冷却部P-CP1被用作冷却兼缓冲部。
通过重复上述的动作，载置兼冷却部P-CP1～P-CP5中的每一个依次被用作冷却兼缓冲部。根据该结构，可以不用分别设置冷却兼缓冲部与载置兼冷却部P-CP，而通过与载置兼冷却部P-CP相同的结构来实现冷却兼缓冲部。由此，能够降低冷却兼缓冲部的制造成本。还有，由于全部的载置兼冷却部P-CP依次被用作冷却兼缓冲部，所以防止了只有一部分载置兼冷却部P-CP显著老化。
还有，在图9A至图10B的例子中，每当1个基板W从清洗干燥处理模块14A被搬送到搬入搬出模块14B，用作冷却兼缓冲部的载置兼冷却部P-CP都发生变化，但本发明不限于此。例如，也可以是每当预定个数的基板W从清洗干燥处理模块14A被搬送到搬入搬出模块14B，用作冷却兼缓冲部的载置兼冷却部P-CP发生变化。或者，也可以是每经过规定的时间，用作冷却兼缓冲部的载置兼冷却部P-CP发生变化。
(11)权利要求书的各结构要素与实施方式的各要素的对应关系
以下，对权利要求书的各结构要素与实施方式的各要素的对应关系的例子进行说明，但本发明不限于下述例子。
在上述实施方式中，曝光装置15是曝光装置的例子，基板处理装置100是基板处理装置的例子，涂布处理单元129是涂布装置的例子。涂布模块12和显影模块13是处理部的例子，基板W是基板的例子，接口模块14是交接部的例子，局部控制器400是基板搬送控制部的例子。搬送装置141、142是第一搬送装置的例子，搬送装置143是第二搬送装置的例子，载置兼冷却部P-CP是载置冷却部的例子，冷却兼缓冲部C-BF是温度维持部的例子。
搬送控制部410、420、430、440分别是第一～第四搬送控制部的例子，判断部450是判断部的例子，送出缓冲部SBF1、SBF2是缓冲部的例子，基板载置部PASS11是回收载置部的例子。搬送装置141、142的机械手H1、H2分别是第一和第二保持部的例子，搬送装置143的机械手H1、H2分别是第三和第四保持部的例子，搬送装置143的机械手H1、H2分别是第五和第六保持部的例子。
对于权利要求的各结构要素来说，也可以使用具有权利要求记载的结构或功能的其它各种结构要素。
[产业可利用性]
本发明能够有效地应用到使用曝光装置的各种基板处理中。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，配置成与曝光装置相邻，其特征在于，
具备：
处理部，包括涂布装置，所述涂布装置用来在基板上涂布感光材料而形成感光膜；
交接部，用于在所述处理部与所述曝光装置之间进行基板的交接；以及
基板搬送控制部，对基板的搬送进行控制，
所述交接部包括：
第一和第二搬送装置，用来保持并搬送基板；
载置冷却部，能够载置基板，用于冷却所载置的基板；以及
温度维持部，能够载置基板，用于维持所载置的基板的温度，
所述基板搬送控制部控制所述第一搬送装置，以将来自所述处理部的基板搬入到所述载置冷却部，所述基板搬送控制部控制所述第二搬送装置，以将在所述载置冷却部中载置的基板搬出，
在所述曝光装置能够接收基板的情况下，所述基板搬送控制部控制所述第二搬送装置，以将从所述载置冷却部搬出来的基板搬送到所述曝光装置，
在所述曝光装置不能接收基板的情况下，所述基板搬送控制部控制所述第二搬送装置，以将从所述载置冷却部搬出来的基板搬入到所述温度维持部，在判断出所述曝光装置能够接收基板之后，所述基板搬送控制部控制所述第二搬送装置，以将基板从所述温度维持部搬出并搬送到所述曝光装置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板搬送控制部包括：
第一搬送控制部，控制所述第一搬送装置，以将来自所述处理部的基板搬送到所述载置冷却部；
第二搬送控制部，控制所述第二搬送装置，以将在所述载置冷却部中载置的基板搬出；
判断部，对所述曝光装置是否能够接收基板进行判断；
第三搬送控制部，在判断出所述曝光装置能够接收基板的情况下，控制所述第二搬送装置，以将从所述载置冷却部搬出来的基板搬送到所述曝光装置；以及
第四搬送控制部，在判断出所述曝光装置不能接收基板的情况下，控制所述第二搬送装置，以将从所述载置冷却部搬出来的基板搬入到所述温度维持部，在判断出所述曝光装置能够接收基板之后，将基板从所述温度维持部搬出并搬送到所述曝光装置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接部包括多个所述载置冷却部，
所述基板搬送控制部对所述第一和第二搬送装置进行控制，以使多个所述载置冷却部中的一部分载置冷却部作为所述温度维持部发挥作用。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板搬送控制部对所述第一和第二搬送装置进行控制，以便依次变更多个所述载置冷却部中的作为所述温度维持部发挥作用的一部分载置冷却部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接部还包括用于临时存积基板的缓冲部，
所述基板搬送控制部还控制所述第一搬送装置，以在所述载置冷却部不能接收基板的情况下，将所述处理部处理后的基板搬送到所述缓冲部，在所述载置冷却部变成能够接收基板之后，将在所述缓冲部中存积的基板搬送到所述载置冷却部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接部还包括能够载置基板的回收载置部，
所述基板搬送控制部还控制所述第一搬送装置，以将在所述回收载置部中载置的曝光后的基板搬出并进行搬送，并且，还控制所述第二搬送装置，以将曝光后的基板从所述曝光装置搬出并搬送到所述回收载置部。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一搬送装置具有用来保持基板的第一和第二保持部，
所述基板搬送控制部对所述第一搬送装置的所述第一和第二保持部进行控制，以便连续地或并行地进行基板从所述回收载置部的搬出和基板向所述载置冷却部的搬入。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二搬送装置具有用来保持基板的第三和第四保持部，
所述基板搬送控制部对所述第二搬送装置的所述第三和第四保持部进行控制，以便连续地或并行地进行基板从所述曝光装置的搬出和基板向所述曝光装置的搬入。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二搬送装置具有用来保持基板的第五和第六保持部，
所述基板搬送控制部还对所述第二搬送装置的所述第五和第六保持部进行控制，以便连续地或并行地进行基板从所述载置冷却部的搬出和基板向所述回收载置部的搬入。
10.一种基板处理方法，使用配置成与曝光装置相邻的基板处理装置对基板进行处理，其特征在于，
包括：
利用处理部的涂布装置在基板上涂布感光材料而形成感光膜的步骤；
在交接部中利用第一搬送装置对来自所述处理部的基板进行保持并将该基板搬入到载置冷却部的步骤；
利用载置冷却部对所述第一搬送装置所搬入来的基板进行冷却的步骤；
利用第二搬送装置对冷却后的基板进行保持并将该基板搬出所述载置冷却部的步骤；
在所述曝光装置能够接收基板的情况下，利用所述第二搬送装置将从所述载置冷却部搬出来的基板搬送到所述曝光装置的步骤；
在所述曝光装置不能接收基板的情况下，利用所述第二搬送装置将从所述载置冷却部搬出来的基板搬入到温度维持部的步骤；
利用所述温度维持部对所述第二搬送装置所搬入的基板的温度进行维持的步骤；以及
在所述曝光装置变成能够接收基板之后，利用所述第二搬送装置将基板从所述温度维持部搬出并搬送到所述曝光装置的步骤。
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