JP5921859B2 - 基板処理システム及び制御装置及びプログラム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置を具備する基板処理システムに関するものである。

基板処理装置は、成膜品質を維持、安定させる為、定期的なメンテナンスを行う必要があり、又成膜処理中に異常、故障が発生した際には処理を中断して修理、メンテナンスを実施しなければならない場合がある。

メンテナンス作業や改造作業は、装置メーカや半導体デバイスメーカの作業者によって実施されるが、その際、装置パラメータの設定変更が必要となる場合が殆どであり、作業者は各作業を実施する際に変更が必要となる装置パラメータの設定を変更した上で、メンテナンス作業や改造作業を行う。

特に、メンテナンス作業時の装置パラメータ変更は調整作業時のみの一時的なものが殆どであり、メンテナンス作業が終了すると、成膜処理の開始前に元の設定に戻す必要がある。又、改造作業については、改造部位に合わせて関連する装置パラメータを成膜処理を開始する前に変更する必要がある。その為、作業者は設定変更が必要となる装置パラメータについて、作業前と作業後の設定を作業チェックリストに記録し、作業完了前にメンテナンス時の設定戻し忘れや改造時の設定変更漏れがないかを確認し、作業を終える。

メンテナンスや改造作業の完了後、テストＲＵＮを実施し、異常がなければ通常の成膜処理が開始されるが、テストＲＵＮの実施時、或は成膜処理開始後に成膜結果に異常が発生する場合がある。異常の原因として、メンテナンス時に実施した一時的な装置パラメータ変更の戻し忘れや、改造作業時の装置パラメータの設定変更漏れの場合が多い。

テストＲＵＮ実施時の異常については、装置パラメータを正しい設定に変更した後、再度テストＲＵＮを実施し、成膜結果を確認すればよいが、成膜処理開始後の成膜異常についてはロットアウトとなる場合が多くなる為、次工程に材料を回すことができず、次工程以降の装置に待ち時間が発生することとなる。又、成膜異常が発生した装置は装置パラメータを正しい設定に変更した後、再度テストＲＵＮを実施する必要がある為、当該装置で予定されていた成膜処理の実施計画にも影響を及し、各装置の生産計画の変更を強いられることとなり、歩留り低下の原因となっていた。

特開２００７−５９７６５号公報

本発明は斯かる実情に鑑み、基板処理装置の装置パラメータ設定戻し忘れや、設定変更漏れを防止し、基板のロットアウトの発生を未然に防止可能な基板処理システムを提供するものである。

本発明は、基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段とを少なくとも有する基板処理システムに係るものである。

本発明によれば、基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段とを少なくとも有するので、作業者の確認漏れや確認ミスによる装置パラメータ設定の異常を容易に発見することができると共に、装置パラメータ設定に異常がある状態で成膜処理が行われるのを防止することができ、基板のロットアウトを未然に防止できると共に歩留りの低下を抑制することができるという優れた効果を発揮する。

本発明の実施例に係る基板処理システムを示す概略構成図である。 該基板処理システムに於ける群管理装置の制御装置を示す構成図である。 前記基板処理システムに適用される基板処理装置の立断面図である。 図３のＡ−Ａ矢視図である。 パラメータ変更処理に於ける変更パラメータ登録画面を示す説明図である。 パラメータ変更処理に於いて、メンテナンス作業及び改造作業前に行われる処理を示すフローチャートである。 パラメータ変更処理に於いて、メンテナンス作業及び改造作業後に行われる処理を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。

図１は、本発明に於ける基板処理システム１の基本構成図を示している。該基板処理システム１は、群管理装置２と、該群管理装置２にＬＡＮ等の通信手段を介して通信可能に接続された複数台の基板処理装置３と、前記群管理装置２にＬＡＮ等の通信手段を介して通信可能に接続された複数のコントローラ４により構成される。尚、本実施例に於いては、前記群管理装置２と各基板処理装置３は、同じクリーンルーム内に設置されている。

前記群管理装置２は各基板処理装置３を制御し情報を管理する為の制御装置５を有し、該制御装置５により各基板処理装置３より送られる各種情報、例えば該基板処理装置３自体の状態、ウェーハ（基板）の情報、温度情報、ガス流量情報、圧力情報、及び各種センサ情報等を一元管理する様になっている。

又、前記基板処理装置３より送られた各種情報は、前記群管理装置２を介して各コントローラ４の表示部（図示せず）に表示可能となっていると共に、該コントローラ４の操作部（図示せず）より入力された指示に従い、前記群管理装置２が各基板処理装置３を一括して制御する様になっている。尚、各基板処理装置３の制御は、前記制御装置５より直接行ってもよい。

次に、図２に於いて、該制御装置５の構成について説明する。

該制御装置５は、主にＣＰＵ等の演算制御部６と、メモリやＨＤＤ等の記憶部７と、入出力部８と、操作部９及び表示部１１とから構成されている。

前記記憶部７には、各基板処理装置３毎にデータ格納領域１２が形成される。又、前記記憶部７には各基板処理装置３に共通したプログラムが格納されるプログラム格納領域１３が形成され、該プログラム格納領域１３にはパラメータ退避プログラム１４、パラメータ設定変更プログラム１５、比較プログラム１６、比較結果格納表示プログラム１７、処理開始許可プログラム１８等のメンテナンス作業や改造作業に必要なプログラムが格納されている。

前記各データ格納領域１２は、それぞれメンテナンス作業や改造作業を行う際の各種設定値である現在装置パラメータの現在値を格納する現在パラメータ格納エリア１９、作業者が設定を変更した装置パラメータの種類を登録する変更パラメータ登録エリア２１、装置パラメータ変更前の通常の成膜処理を行う際の装置パラメータを退避させる作業開始前パラメータ退避エリア２２、該作業開始前パラメータ退避エリア２２に格納された装置パラメータと、メンテナンス作業後や改造作業後に作業者が元に戻した装置パラメータとの比較結果が格納される比較結果格納エリア２３を有している。

又、前記各データ格納領域１２には、定期メンテナンス等変更される装置パラメータが常に同一である場合に、変更装置パラメータ値を予め登録し、ファイルとして保存した複数の変更パラメータ登録ファイル２４が格納されている。

前記パラメータ退避プログラム１４は、前記基板処理装置３のメンテナンス作業や改造作業を行う際に、通常の成膜処理を行う際の各種装置パラメータを前記作業開始前パラメータ退避エリア２２にコピーする機能を有しており、前記演算制御部６と前記パラメータ退避プログラム１４とで退避手段が構成される。

前記パラメータ設定変更プログラム１５は、作業開始が入力された際に、変更した装置パラメータの項目を前記変更パラメータ登録エリア２１に登録すると共に、変更後の装置パラメータを含む全装置パラメータを現在値として前記現在パラメータ格納エリア１９に上書きする機能を有しており、前記演算制御部６と前記パラメータ設定変更プログラム１５とで設定手段が構成される。

前記比較プログラム１６は、前記現在パラメータ格納エリア１９より読込まれた装置パラメータと、作業後に作業者が入力した装置パラメータが一致するかどうかを比較する機能を有しており、前記演算制御部６と前記比較プログラム１６とで比較手段が構成される。

前記比較結果格納表示プログラム１７は、前記比較プログラム１６により比較された比較結果を前記比較結果格納エリア２３に格納すると共に、比較結果を前記表示部１１或は前記コントローラ４に表示する機能を有している。

更に、前記処理開始許可プログラム１８は、前記比較プログラム１６による比較結果が全て一致であれば成膜処理の開始を許可し、比較結果に不一致があれば成膜処理の開始を禁止する機能を有しており、前記演算制御部６と前記処理開始許可プログラム１８とで判断手段が構成される。

又、前記操作部９及び前記表示部１１は、前記演算制御部６と電気的に接続され、前記操作部９より各種命令の入力が可能であると共に、前記表示部１１には前記基板処理装置３の各種情報が表示される様になっている。尚、前記表示部１１をタッチパネルとし、該表示部１１が前記操作部９を兼ねる様にしてもよい。

更に、前記入出力部８は、各基板処理装置３、各コントローラ４との通信を制御する機能を有している。

次に、図３、図４に於いて、前記基板処理システム１で用いられる前記基板処理装置３の一例について説明する。

該基板処理装置３は縦型炉を有し、該縦型炉内に処理室が形成され、該処理室に連設された気密な予備室を有している。又、前記基板処理装置３では、ウェーハ（基板）２５は密閉式の基板収容器（以下、ポッドと称す）２６に収納され、保管、搬送される様になっている。

図３、図４中、２７は気密な筐体を示し、該筐体２７の正面壁２８の下部にはメンテナンス用の正面メンテナンス口２９が介設され、該正面メンテナンス口２９は正面メンテナンス扉３１，３１によって開閉される様になっている。

前記正面壁２８の、前記正面メンテナンス扉３１の上側にはロードポート（基板収容器渡し台）３２が設けられ、該ロードポート３２と前記筐体２７内部とは、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）３３を介して連通し、該ポッド搬入搬出口３３はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）３４によって開閉される様になっている。前記ロードポート３２に対しては、工程内搬送装置（図示せず）により、前記ポッド２６の搬送、授受が行われる様になっている。

前記筐体２７内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）３５が設置されており、該回転式ポッド棚３５は複数個の前記ポッド２６を保管する様に構成されている。前記回転式ポッド棚３５には、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱３６と、該支柱３６の上下４段の各位置に於いて、放射状に設けられた複数枚の棚板（基板収容器載置台）３７とを備えており、該複数枚の棚板３７には前記ポッド２６が複数個それぞれ載置される様に構成されている。

前記ロードポート３２と前記回転式ポッド棚３５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）３８が設置されており、該ポッド搬送装置３８は、前記ポッド２６を保持して昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器搬送機構）３９と進退可能な搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）４１とで構成されており、前記ポッド搬送装置３８と前記回転式ポッド棚３５、後述するポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）４２との間で、前記ポッド２６を搬送する様に構成されている。

前記筐体２７内の前後方向の略中央部に於ける下部には、気密な筐体から構成される内部筐体４３が後端に亘って設けられている。該内部筐体４３の正面壁４４にはウェーハ２５を前記内部筐体４３内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）４５，４５が、垂直方向に上下２段に開口されており、該ウェーハ搬入搬出口４５，４５にはポッドオープナ４２，４２がそれぞれ設置されている。

該ポッドオープナ４２は前記ポッド２６を載置する載置台４６，４６と、前記ポッド２６のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）４７，４７とを備えている。前記ポッドオープナ４２は前記載置台４６に載置された前記ポッド２６のキャップを前記キャップ着脱機構４７によって着脱することにより、前記ポッド２６のウェーハ出入り口を開閉する様に構成されている。

前記内部筐体４３は気密な移載室４８を構成し、該移載室４８の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）４９が設置されている。該ウェーハ移載機構４９は、ウェーハ２５を水平方向に回転、進退可能なウェーハ移載装置（基板移載装置）５１及び該ウェーハ移載装置５１を昇降させる為のウェーハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）５２とで構成されている。

前記ウェーハ移載機構４９は、前記ウェーハ搬入搬出口４５に対峙して設けられ、前記ウェーハ移載装置エレベータ５２及び前記ウェーハ移載装置５１の協働により、ウェーハ２５の載置部である前記ウェーハ移載装置５１のツイーザ（基板保持体）５３で、ウェーハ２５をボート（基板保持具）５４に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）する様に構成されている。該ボート５４は、ウェーハ２５を所定枚数、例えば５０枚〜１２５枚程度、水平姿勢で多段に保持する様になっている。

前記ウェーハ移載装置エレベータ５２と対向し、前記移載室４８に清浄化した雰囲気又は不活性ガスであるクリーンエア５５を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット５６が設置されており、該クリーンユニット５６と前記ウェーハ移載装置５１との間には、ウェーハ２５の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置５７が設置されている。

前記クリーンユニット５６から吹出されたクリーンエア５５は、前記ノッチ合わせ装置５７及び前記ウェーハ移載機構４９に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２７の外部に排気されるか、若しくは前記クリーンユニット５６の吸込み側である一次側（供給側）に循環され、再び前記クリーンユニット５６によって、前記移載室４８に吹出される様に構成されている。

該移載室４８の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧と称す）を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体５８が設置されており、該耐圧筐体５８により前記ボート５４を収容可能な容積を有し、処理室で処理したウェーハ２５の放熱を行うロードロック方式の予備室であるロードロック室５９が、前記処理室に隣接して形成されている。

前記耐圧筐体５８の正面壁６１にはウェーハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）６２が開設されており、該ウェーハ搬入搬出開口６２はゲートバルブ（基板搬入搬出開口開閉機構）６３によって開閉される様になっている。前記耐圧筐体５８の一対の側壁には前記ロードロック室５９へ窒素ガスを給気する為のガス供給管６４と、前記ロードロック室５９を負圧に排気する為の排気管６５とがそれぞれ接続されている。

前記ロードロック室５９上方には、処理炉６６が設けられている。該処理炉６６下端の炉口部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）６７により開閉される様に構成されている。前記正面壁６１の上端部には、炉口部開放時に前記炉口ゲートバルブ６７を収納する炉口ゲートバルブカバー６８が取付けられている。

前記ロードロック室５９には前記ボート５４を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）６９が設置されている。該ボートエレベータ６９は水平方向に延出するアーム７１を有し、該アーム７１には蓋体としてのシールキャップ７２が水平に設けられており、該シールキャップ７２は前記ボート５４を垂直に支持し、前記炉口部を閉塞可能な様に構成されている。

尚、図示はしないが、前記基板処理装置３は制御部を有し、該制御部には各機構を駆動させる為のプログラムや、成膜処理を行う為のレシピ等が格納されている。

次に本発明が実施される基板処理装置３の作用について説明する。

前記ポッド２６が前記ロードポート３２に供給されると、前記ポッド搬入搬出口３３が前記フロントシャッタ３４によって開放され、前記ロードポート３２上の前記ポッド２６は前記ポッド搬送装置３８によって前記筐体２７の内部へ前記ポッド搬入搬出口３３から搬入される。

搬入された前記ポッド２６は前記回転式ポッド棚３５の指定された前記棚板３７へ前記ポッド搬送装置３８によって搬送されて載置され、一時的に保管された後、前記棚板３７から一方の前記ポッドオープナ４２に搬送されて前記載置台４６に移載されるか、若しくは直接前記ポッドオープナ４２に搬送されて前記載置台４６に移載される。この際、前記ウェーハ搬入搬出口４５は前記キャップ着脱機構４７によって閉じられており、前記移載室４８にはクリーンエア５５が流通され、充満されている。例えば、前記移載室４８にはクリーンエア５５として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２７の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。

前記載置台４６に載置された前記ポッド２６はその開口部側面端が前記ウェーハ搬入搬出口４５の開口縁辺部に押付けられ、前記ポッド２６のキャップは前記キャップ着脱機構４７によって取外され、ウェーハ出入り口が開放される。又、前記ロードロック室５９が大気圧状態とされていた前記耐圧筐体５８の前記ウェーハ搬入搬出開口６２が前記ゲートバルブ６３によって開放される。

前記ポッド２６が前記ポッドオープナ４２によって開放され、前記ウェーハ搬入搬出開口６２が開放されると、前記ウェーハ２５は前記ポッド２６から前記ツイーザ５３によってウェーハ出入り口を通じてピックアップされ、前記ノッチ合わせ装置５７により整合された後、前記ウェーハ搬入搬出開口６２を通して前記ロードロック室５９に搬入される。該ロードロック室５９では、予め前記ボートエレベータ６９により前記ボート５４が降下（アンロード）され、待機状態となっており、該ボート５４に前記ウェーハ２５が前記ウェーハ移載装置５１により装填される。前記ボート５４に前記ウェーハ２５を装填した前記ウェーハ移載装置５１は前記ポッド２６に戻り、次のウェーハ２５を前記ボート５４に装填する。

上段又は下段の一方のポッドオープナ４２のウェーハ２５が前記ウェーハ移載機構４９により装填されている作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ４２には前記回転式ポッド棚３５から別のポッド２６が前記ポッド搬送装置３８によって搬送され、前記ポッドオープナ４２による前記ポッド２６の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウェーハ２５が前記ボート５４に装填されると、前記ウェーハ搬入搬出開口６２が前記ゲートバルブ６３によって閉じられ、前記ロードロック室５９は前記排気管６５から真空引きされることで減圧される。

前記ロードロック室５９が前記処理炉６６の処理室と同圧に減圧されると、炉口部が前記炉口ゲートバルブ６７によって開放され、該炉口ゲートバルブ６７は前記炉口ゲートバルブカバー６８に収納される。前記ボートエレベータ６９により前記ボート５４が上昇され、前記処理室に装入（ロード）される。該ボート５４が装入されると、前記炉口部は前記シールキャップ７２により気密に閉塞される。

ローディング後は、前記処理炉６６により、ウェーハ２５に対して任意の処理が実施される。処理後は、前記ボートエレベータ６９により前記ボート５４が引出され、更に前記ロードロック室５９内部を大気圧に復帰させた後に前記ゲートバルブ６３を開放する。その後は、前記ノッチ合わせ装置５７でのウェーハ２５の整合工程を除き、上述の逆の手順で、前記ウェーハ２５及び前記ポッド２６は前記筐体２７の外部へ払出される。

次に、メンテナンス作業、改造作業を行う際の装置パラメータの変更処理、及びメンテナンス作業、改造作業が終了し、再度成膜処理を行う迄の装置パラメータ変更処理について、図５〜図７を参照して説明する。尚、以下では各基板処理装置３の内の１つの装置パラメータを変更する場合について説明している。

図５中、７３は装置パラメータの変更を行う際の変更パラメータ登録画面を示している。

該変更パラメータ登録画面７３は、装置パラメータの種類が表示されるパラメータ名エリア７４、該パラメータ名エリア７４に表示された装置パラメータの現在値が表示される作業前パラメータエリア７５、及び作業者が変更後の装置パラメータを入力する作業後パラメータエリア７６、比較結果が表示される比較結果表示エリア７７を有すると共に、詳細ボタン７８、読込みボタン７９、保存ボタン８１、作業開始ボタン８２、作業終了ボタン８３、再チェックボタン８４等の各種処理を実行させる為のボタンを有している。

次に、図６のフローチャートを用いて、メンテナンス作業、改造作業前の装置パラメータの変更処理を説明する。

ＳＴＥＰ：０１ メンテナンス作業や改造作業を行うにあたり、先ず前記パラメータ名エリア７４より変更するパラメータ名を選択する。選択した装置パラメータの前記作業後パラメータエリア７６に変更後の装置パラメータ値を入力した後、前記保存ボタン８１を押下することで、変更したパラメータ名及び装置パラメータ値が前記変更パラメータ登録エリア２１に登録される。

ＳＴＥＰ：０２ 次に前記作業開始ボタン８２が押下されると、前記パラメータ退避プログラム１４により、作業開始前、即ち通常の成膜処理を行う為の全装置パラメータが前記作業開始前パラメータ退避エリア２２にコピーされると共に、前記処理開始許可プログラム１８により成膜処理の開始が禁止状態となる。

ＳＴＥＰ：０３ その後、前記パラメータ設定変更プログラム１５により、前記変更パラメータ登録エリア２１に登録された変更装置パラメータで前記現在パラメータ格納エリア１９に格納された装置パラメータが上書きされ、上書きされた装置パラメータを現在値としてメンテナンス作業、改造作業等の所定の作業が行われる。

次に、図７のフローチャートを用い、メンテナンス作業、改造作業の終了後の装置パラメータ復帰処理について説明する。

ＳＴＥＰ：１１ 前記パラメータ名エリア７４より変更するパラメータ名を選択し、選択した装置パラメータの前記作業後パラメータエリア７６に、変更後の装置パラメータ値を入力した後前記作業終了ボタン８３を押下する。

ＳＴＥＰ：１２ その後、前記比較プログラム１６により前記現在パラメータ格納エリア１９に格納された装置パラメータが順次読込まれ、読込まれた装置パラメータのパラメータ名が前記変更パラメータ登録エリア２１に登録されたパラメータ名と一致するかどうかが比較される。

ＳＴＥＰ：１３ ＳＴＥＰ：１２にて、読込まれた装置パラメータのパラメータ名が登録されたパラメータ名と一致した場合には、前記比較プログラム１６により前記作業後パラメータエリア７６に入力された装置パラメータ値と前記作業開始前パラメータ退避エリア２２に格納された装置パラメータ値が一致するかどうかが比較される。

ＳＴＥＰ：１４ ＳＴＥＰ：１３にて装置パラメータ値が一致しなかった場合には、設定戻し忘れ或は設定変更漏れと判断され、前記比較結果格納表示プログラム１７により前記比較結果格納エリア２３にパラメータ名や装置パラメータ値等の装置パラメータ設定内容が書込まれる。

ＳＴＥＰ：１５ ＳＴＥＰ：１３にて、装置パラメータ値が一致した場合、及びＳＴＥＰ：１４にて装置パラメータ設定内容が書込まれた後、全ての装置パラメータについて比較が終了したかどうかが判断され、終了していなければ前記現在パラメータ格納エリア１９より次の装置パラメータが読込まれ、再度ＳＴＥＰ：１２の処理が行われる。

ＳＴＥＰ：１６ ＳＴＥＰ：１２にて、読込まれた装置パラメータのパラメータ名が登録されたパラメータ名と一致しなかった場合には、前記比較プログラム１６により前記現在パラメータ格納エリア１９に格納された装置パラメータ値と前記作業開始前パラメータ退避エリア２２に格納された装置パラメータ値が一致するかどうかが比較される。

ＳＴＥＰ：１７ ＳＴＥＰ：１６にて、装置パラメータ値が一致しなかった場合には、不必要な装置パラメータ設定変更と判断され、前記比較結果格納表示プログラム１７により前記比較結果格納エリア２３に装置パラメータ設定内容が書込まれる。

ＳＴＥＰ：１８ ＳＴＥＰ：１６にて、装置パラメータ値が一致した場合、及びＳＴＥＰ：１７にて装置パラメータ設定内容が書込まれた後、全ての装置パラメータについて比較が終了したかどうかが判断され、終了していなければ前記現在パラメータ格納エリア１９より次の装置パラメータが読込まれ、再度ＳＴＥＰ：１２の処理が行われる。

ＳＴＥＰ：１９ ＳＴＥＰ：１５及びＳＴＥＰ：１８にて全ての装置パラメータについて比較が終了したと判断されると、次に前記比較結果格納エリア２３に書込みがあるかどうかが判断される。

ＳＴＥＰ：２０ ＳＴＥＰ：１９にて前記比較結果格納エリア２３に書込みがないと判断されると、前記比較結果格納表示プログラム１７により前記比較結果表示エリア７７に比較結果が正常であった旨のメッセージが表示されると共に、前記処理開始許可プログラム１８により成膜処理の開始が許可され、装置パラメータ変更処理を終了する。

ＳＴＥＰ：２１ ＳＴＥＰ：１９にて前記比較結果格納エリア２３に書込みがあったと判断されると、装置パラメータ設定に異常があると判断され、前記比較結果格納表示プログラム１７により前記比較結果表示エリア７７に警告メッセージが表示され、処理を終了する。尚、警告メッセージが表示された状態で前記詳細ボタン７８を押下することで、比較結果に異常があった装置パラメータのパラメータ名や設定値等の詳細情報が表示される。

ＳＴＥＰ：２１にて表示された警告メッセージの内容に従って装置パラメータ値を修正した後、前記再チェックボタン８４を押下することで、再度ＳＴＥＰ：１２〜ＳＴＥＰ：２１の処理が行われ、比較結果が全て一致すれば前記処理開始許可プログラム１８により成膜処理の開始が許可され、装置パラメータ変更処理を終了する。

上述の様に、本実施例では、メンテナンス作業、改造作業の為に装置パラメータの変更を行った後、成膜処理を行う為に変更した装置パラメータを元に戻す際に、自動的に正常な装置パラメータとの比較を行い、比較結果を表示する様にしたので、作業者の確認漏れや確認ミスによる装置パラメータ設定の異常を容易に発見することができる。従って、装置パラメータ設定に異常がある状態で成膜処理を開始することにより、ウェーハ２５の成膜異常によるロットアウトを未然に防止できると共に、歩留りの低下を抑制することができる。

又、メンテナンス作業、改造作業を行う際には前記処理開始許可プログラム１８により成膜処理の開始が禁止され、装置パラメータの比較結果に異常があれば成膜処理が開始できない様になっているので、警告メッセージが出ていた際に誤って成膜処理を開始してしまうのを防止することができる。

更に、メンテナンス作業等変更される装置パラメータが常に同じ場合には予め設定値を前記変更パラメータ登録ファイル２４として登録しているので、登録した装置パラメータ設定を行う際には前記変更パラメータ登録ファイル２４を読込むだけでよく、作業性が向上すると共に、設定時の入力ミスを防止することができる。

尚、本実施例では、各基板処理装置３の装置パラメータ設定を前記群管理装置２の前記制御装置５より一括して、或は個別に行う様になっているが、各基板処理装置３の制御部に前記データ格納領域１２及び前記プログラム格納領域１３を形成し、各基板処理装置３毎に装置パラメータ設定ができる様にしてもよい。

又、前記群管理装置２は前記基板処理装置３とは同じクリーンルーム内ではなく、それぞれ別のフロアに設置する様にしてもよい。又、前記群管理装置２は、データベースや制御部、操作部や表示部を一体とする必要はなく、それぞれ別体とし、クリーンルームに配置されたデータベース内のデータを、遠隔で事務所に配置されたコントローラによる解析を行える様に構成してもよい。

又、本実施例の基板処理システム１に適用される基板処理装置３は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置でも適用可能であり、又エッチング装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、検査装置等の各種装置にも適用可能であるのは言う迄もない。

更に、成膜処理には、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、Ｅｐｉやその他酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含み、又アニール処理、酸化処理、拡散処理等の処理でも実施可能である。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、制御装置により前記基板処理装置を管理する群管理装置であって、前記制御装置が作業前の装置パラメータを退避させる退避手段と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段とを少なくとも有することを特徴とする群管理装置。

（付記２）メンテナンス作業開始時に作業前の装置パラメータを退避させる工程と、メンテナンス作業後に設定された装置パラメータをメンテナンス作業前の装置パラメータと比較する工程と、比較する工程で装置パラメータが一致しなかった場合に表示部に警告メッセージを表示すると共に成膜処理の開始を禁止する工程とを有することを特徴とする基板処理装置のメンテナンス方法。

（付記３）メンテナンス作業前の装置パラメータを退避手段により退避させ、退避させた装置パラメータとメンテナンス作業後の装置パラメータを比較手段により比較させ、比較結果が不一致であった場合に判断手段により成膜処理の開始を禁止させることを特徴とする基板処理装置のメンテナンスプログラム。

１ 基板処理システム
２ 群管理装置
３ 基板処理装置
４ コントローラ
５ 制御装置
６ 演算制御部
７ 記憶部
１２ データ格納領域
１３ プログラム格納領域
１４ パラメータ退避プログラム
１５ パラメータ設定変更プログラム
１６ 比較プログラム
１８ 処理開始許可プログラム
１９ 現在パラメータ格納エリア
２１ 変更パラメータ登録エリア
２２ 作業開始前パラメータ退避エリア
２３ 比較結果格納エリア
７３ 変更パラメータ登録画面

Claims (4)

1. 基板を処理する基板処理装置と、装置パラメータを退避させる退避手段と、前記装置パラメータの各設定値を設定する設定手段と、前記退避手段により退避させた前記装置パラメータと前記設定手段に設定された前記装置パラメータとを比較する比較手段と、を少なくとも有する制御装置と、を有する基板処理システムであって、
   前記制御装置は、
   メンテナンス作業前に変更する前記装置パラメータを登録する登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータのパラメータ名及び装置パラメータ値を登録させるメンテナンス作業前の装置パラメータ変更処理と、
   メンテナンス作業後に前記登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータの前記パラメータ名及び前記装置パラメータ値を登録させる処理と、
   メンテナンス作業前とメンテナンス作業後にそれぞれ登録された前記装置パラメータの前記パラメータ名を比較する処理と、
   前記退避手段により退避させた前記装置パラメータの前記装置パラメータ値とメンテナンス作業後に登録された前記装置パラメータ値とを比較し、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する警告メッセージを前記登録画面に表示する処理と、
   前記警告メッセージの内容に従って前記装置パラメータ値を修正し、該装置パラメータ値の比較結果を全て一致させて、変更した該装置パラメータを元に戻す処理と、
   を有するメンテナンス作業後の装置パラメータ復旧処理と、
   を実行することを特徴とする基板処理システム。
2. 装置パラメータを退避させる退避手段と、前記装置パラメータの各設定値を設定する設定手段と、前記退避手段により退避させた前記装置パラメータと前記設定手段に設定された前記装置パラメータとを比較する比較手段と、を少なくとも有する制御装置であって、
   メンテナンス作業前に変更する前記装置パラメータを登録する登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータのパラメータ名及び装置パラメータ値を登録させるメンテナンス作業前の装置パラメータ変更処理と、
   メンテナンス作業後に前記登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータの前記パラメータ名及び前記装置パラメータ値を登録させる処理と、
   メンテナンス作業前とメンテナンス作業後にそれぞれ登録された前記装置パラメータの前記パラメータ名を比較する処理と、
   前記退避手段により退避させた前記装置パラメータの前記装置パラメータ値とメンテナンス作業後に登録された前記装置パラメータ値とを比較し、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する警告メッセージを前記登録画面に表示する処理と、
   前記警告メッセージの内容に従って前記装置パラメータ値を修正し、該装置パラメータ値の比較結果を全て一致させて、変更した該装置パラメータを元に戻す処理と、
   を有するメンテナンス作業後の装置パラメータ復旧処理と、
   を実行する制御装置。
3. 装置パラメータを退避させる退避手段と、前記装置パラメータの各設定値を設定する設定手段と、前記退避手段により退避させた前記装置パラメータと前記設定手段に設定された前記装置パラメータとを比較する比較手段と、を少なくとも有する制御装置で実行されるプログラムであって、
   前記制御装置に、
   メンテナンス作業前に変更する前記装置パラメータを登録する登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータのパラメータ名及び装置パラメータ値を登録させるメンテナンス作業前の装置パラメータ変更処理と、
   メンテナンス作業後に前記登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータの前記パラメータ名及び前記装置パラメータ値を登録させる処理と、
   メンテナンス作業前とメンテナンス作業後にそれぞれ登録された前記装置パラメータの前記パラメータ名を比較する処理と、
   前記退避手段により退避させた前記装置パラメータの前記装置パラメータ値とメンテナンス作業後に登録された前記装置パラメータ値とを比較し、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する警告メッセージを前記登録画面に表示する処理と、
   前記警告メッセージの内容に従って前記装置パラメータ値を修正し、該装置パラメータ値の比較結果を全て一致させて、変更した該装置パラメータを元に戻す処理と、
   を有するメンテナンス作業後の装置パラメータ復旧処理と、
   を実行させるプログラム。
4. メンテナンス作業前に変更する前記装置パラメータを登録する登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータのパラメータ名及び装置パラメータ値を登録させるメンテナンス作業前の装置パラメータ変更処理と、
   メンテナンス作業後に前記登録画面を表示し、該登録画面上で、選択された前記装置パラメータの前記パラメータ名及び前記装置パラメータ値を登録させる処理と、
   メンテナンス作業前とメンテナンス作業後にそれぞれ登録された前記装置パラメータの前記パラメータ名を比較する処理と、
   退避手段により退避させた前記装置パラメータの前記装置パラメータ値とメンテナンス作業後に登録された前記装置パラメータ値とを比較し、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する警告メッセージを前記登録画面に表示する処理と、
   前記警告メッセージの内容に従って前記装置パラメータ値を修正し、該装置パラメータ値の比較結果を全て一致させて、変更した該装置パラメータを元に戻す処理と、
   メンテナンス作業前の前記装置パラメータ値を用いて成膜処理を行う為のレシピを実行して、基板を処理する処理と、
   を有する半導体装置の製造方法。

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