JP2007157808A - 半導体装置の製造プロセス制御システムおよび半導体装置の製造プロセス制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体製造装置がオーバーホールをした直後でも、半導体製造装置の処理を制御するレシピを効率的に算出することのできる製造プロセス制御システムを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造プロセス制御システムは、半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルを格納するデータベースと、前記装置状態テーブルを基に該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを判定する制御部と、を有する。前記制御部は、前記データベースに格納された前記装置状態テーブルから抽出された前記半導体製造装置のレシピ値の履歴を基に、前記半導体製造装置のオーバーホール後のレシピ値を算出するようにしてもよく、前記オーバーホール後のレシピ値は、前記レシピ値の履歴から該オーバーホールの直近の所定の数のオーバーホール後のレシピ値を移動平均して算出してもよい。
【選択図】図10
【解決手段】半導体装置の製造プロセス制御システムは、半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルを格納するデータベースと、前記装置状態テーブルを基に該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを判定する制御部と、を有する。前記制御部は、前記データベースに格納された前記装置状態テーブルから抽出された前記半導体製造装置のレシピ値の履歴を基に、前記半導体製造装置のオーバーホール後のレシピ値を算出するようにしてもよく、前記オーバーホール後のレシピ値は、前記レシピ値の履歴から該オーバーホールの直近の所定の数のオーバーホール後のレシピ値を移動平均して算出してもよい。
【選択図】図10
Description
本発明は、半導体装置の製造プロセス制御システムおよび半導体装置の製造プロセス制御方法に関する。
近年、半導体装置の微細化、高密度化が要求されてきており、半導体装置の製造プロセスにおいて、ウエハ品質を均一に維持したり、半導体製造装置の状態維持を管理することが難しくなってきている。
これに対し、製造プロセスで用いられる半導体製造装置、半導体製造装置での処理条件や作業データなどをすべてコンピュータで管理するCIM(Computer Integrated Manufacturing)システムが普及し、品質向上や歩留まりの向上、作業ミスの低減などを図る効率的な生産支援がなされてきている。
ところが、実際の製造工程では、半導体装置の微細化や高密度化が進めば、半導体製造装置が安定した条件下で処理できるとは限らず、半導体装置の仕上がり精度が低下してしまう場合が起こり得る。
また、通常、半導体製造装置は、長時間運転すると、その調整値が変化してしまったり、消耗部品が劣化してしまったりするので、処理状態が少しずつ変わっていく傾向がある。そこで、半導体製造装置の状態変化が生じても半導体装置の仕上がり精度を均一性良く安定して維持できるよう、半導体製造装置の状態を監視しながら、それに応じた適正な制御を行うための制御システムも用いられるようになってきている。この代表的なシステムとして、SEMATECHガイドラインで提言されているAPC(Advanced Process Control)システムがある。
半導体装置製造システムは、このようなAPCシステムなどの製造プロセス制御システムとMES(Manufacturing Execution System)やCC(Cell Controller)などの製造管理システムとを組み合わせて構成され、製造プロセス制御に必要な演算を行うAPCシステムが、MESから必要なデータを取得するようになっている。APCシステムは、データを受信すると、その内容から半導体製造装置の最適な制御条件(以下、「レシピ」という)を、予め設定されている数学的プロセスモデルに従ったアルゴリズムを使用して求める。
これに関連する技術として、特許文献1には、製造管理システムと製造プロセス制御システムとを組み合わせた半導体装置製造システムが開示されている。
特開2004−349644号公報
上記したように、半導体装置製造システムにおいて、APCシステムとCIMシステムとを連携することにより、精度良く半導体装置を製造するシステムが開発されている。
このようなシステムを用いる場合であっても、半導体製造装置を構成する部品の劣化や、装置内部の状態によって、半導体製造装置をオーバーホールすることが必要となる。半導体製造装置をオーバーホールした直後は、装置の内部環境が変化するため、APCシステムによって最適なレシピを導出することは困難である。そのため、半導体製造装置をオーバーホールした後は、実験ロットによってレシピ算出のためのデータを取得しており、適切なデータが収集されるまでの間、APCシステムによる最適レシピを算出することができず、半導体装置製造のスループットの低下を招いていた。なお、APCによるレシピ算出は運用中の製造装置を対象としており、装置のオーバーホールをした直後のレシピ算出は考慮されていない。
一方、半導体製造装置をオーバーホールした後に使用するレシピは、エンジニアの経験によって算出することもできるが、半導体装置を制御するために必要なパラメータも多数あり、高精度にレシピを導出することは困難である。
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みなされたものであり、半導体製造装置がオーバーホールをした直後であっても、半導体製造装置の処理を制御するレシピを効率的に算出することのできる製造プロセス制御システムを提供することを目的とする。
また、他の目的は、半導体製造装置がオーバーホールする時期を適切に算出することのできる製造プロセス制御システムを提供することである。
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルを格納するデータベースと、前記装置状態テーブルを基に該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを判定する制御部と、を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御システムが提供される。
また、上記形態に係る半導体装置の製造プロセス制御システムにおいて、前記制御部は、前記データベースに格納された前記装置状態テーブルから抽出された前記半導体製造装置のレシピ値の履歴を基に、前記半導体製造装置のオーバーホール後のレシピ値を算出するようにしてもよく、前記オーバーホール後のレシピ値は、前記レシピ値の履歴から該オーバーホールの直近の所定の数のオーバーホール後のレシピ値を移動平均して算出してもよい。
この形態に係る半導体装置の製造プロセス制御システムにおいては、製造装置のオーバーホールが必要か否かを、データベースに格納された製造装置の状態を示す装置状態テーブルを基に算出している。このため、装置のオーバーホールが必要な時期を容易に算出することができ、装置の保全を効率的に行うことが可能となる。
また、製造装置がオーバーホールをした直後に製造装置を制御するための最適なレシピを求めるために、過去のオーバーホール後のレシピ値を基に算出している。このため、オーバーホール後に試験ロットを用いて製造装置を制御するレシピを算出するためのデータを抽出する時間をとる必要がなく、レシピを効率良く算出することができ、半導体装置の製造のスループットを向上させることが可能となる。
また、本発明の他の形態によれば、上記の形態に係る半導体装置の製造プロセス制御システムで実施する半導体装置の製造プロセス制御方法が提供される。その一形態に係る半導体装置の製造プロセス制御方法は、半導体製造装置がオーバーホールした旨の情報を入出力部を介して制御部が取得するステップと、前記情報を取得したときに、データベースに格納されている前記半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルから該半導体製造装置のレシピ値の履歴を前記制御部が抽出するステップと、前記抽出したレシピ値の履歴を基に、該半導体製造装置に対するレシピ値を前記制御部が算出するステップとを有する。
(1)第1の実施形態
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
第1の実施形態では、まず、半導体装置製造システムの概略について説明する。次に、半導体製造装置の状態の管理について説明し、半導体装置のオーバーホールが必要か否かの判定処理について説明する。
(半導体装置製造システムの概略)
図1は、半導体装置製造システム100の一例を示す概略構成図である。半導体装置製造システム100は、基本構成として、APCシステム40、外部CIMシステム10及び製造装置20を有する。
図1は、半導体装置製造システム100の一例を示す概略構成図である。半導体装置製造システム100は、基本構成として、APCシステム40、外部CIMシステム10及び製造装置20を有する。
APCシステム40は、アプリケーションサーバ41、CORBA(Common Object Request Broker Architecture)ネームサーバ42、演算サーバ43およびデータベースサーバ44を有している。
アプリケーションサーバ41は、APCシステム40の処理機能を実現するためのアプリケーションプログラムが格納されており、このアプリケーションプログラムの処理の実行および管理を行う。アプリケーションプログラムとしては、例えば、MESやCCシステムから所定のタイミングで収集する製造データをデータベースサーバ44内に所定の分類で系統立てて格納するためのプログラム、データを分類する際にそのデータ内の所定の項目だけを選択するフィルター条件を設定するためのプログラム、どの製造装置20のデータを用いてレシピ演算を行うかを設定するためのプログラム、レシピ演算に用いるアルゴリズムを特定したり開発中あるいは既存のアルゴリズムについてシミュレーションを行う際の条件を設定するためのプログラムなどがある。
CORBAネームサーバ42は、OMG(Object Management Group)が策定する分散システム環境のインフラを標準化したミドルウェアであるCORBAによる処理の実行および管理を行うようになっている。CORBAは、あらゆるオブジェクトのインタフェースをIDL(Interface Definition Language)と呼ばれる言語で定義し、このIDLにより異機種異言語の相互運用を実現するものである。APCシステム40におけるサーバ間の通信は、このCORBA45を用いて行う。
演算サーバ43は、データベースサーバ44内に格納されているアルゴリズムを用いてAPCレシピの演算を行えるようになっている。演算に用いられるアルゴリズムは、フィルター条件によって特定され、演算サーバ43で起動される。また、この演算サーバ43は、開発中あるいは既存のアルゴリズムによる演算のシミュレーションも行うことが出来るようになっている。
データベースサーバ44は、演算サーバ43での演算の結果生成されるAPCレシピが格納される演算結果データベース、アルゴリズムのシミュレーション結果が格納されるシミュレーション結果データベース、演算の実行に用いたデータやその演算の中間結果を示す演算実行情報を格納してログとして管理するためのログ管理データベースを有している。また、データベースサーバ44は、APCシステム40によってCCシステム50から収集された製造データが格納される製造履歴データベース、演算に用いるアルゴリズムが格納されるアルゴリズムデータベース、およびフィルター条件がAPCフィルターデータとして格納されるAPCフィルタデータベースを有している。
このように、APCシステム40は、その処理の目的に応じたサーバが物理的に分散して設けられており、それぞれの処理を独立してまたは並行して行えるように構成されている。
APCシステム40は、LAN80aを介してAPC操作端末81aに接続される。このAPC操作端末81aからAPCシステム40の各サーバに対して、各種設定、データ入力、処理実行命令などの操作を行うことができる。
LAN80aには、MESやCCシステムなどの外部CIMシステム10が接続され、APCシステム40と外部CIMシステム10との間でデータ通信が行えるようになっている。外部CIMシステム10は、LAN80bを介して製造ラインの製造装置20に接続され、製造装置20での処理条件、測定条件などをコンピュータ管理する。製造装置20での処理終了後に得られる製造データは、外部CIMシステム10に送信された後、APCシステム40へ送信されて処理される。LAN80bには、外部要因収集用の端末81bも接続されている。
また、APCシステム40のCORBAネームサーバ42には、WAN(Wide Area Network)80cを介して外部端末82に接続され、異なる製造拠点とのデータ通信を可能としている。
図2は、APCシステム40の処理の説明図である。ここでは、外部CIMシステムとしてCCシステム50を用い、CCシステム50とAPCシステム40との間で行われる処理を例にして説明する。
半導体装置製造システム100において、APCシステム40は、他システムデータ連携機能実行プロセス71、APCDB連携機能実行プロセス72、APCシステム実行ログ管理実行プロセス73、APCフィルター管理実行プロセス74、APC演算処理機能実行プロセス75、アルゴリズムシミュレーション機能実行プロセス76及びWWW(World Wide Web)実行プロセス77を用いて処理を実行する。各実行プロセス間のデータ通信は、主にCORBA45を用いて行われる。
このように構成されたAPCシステム40の動作について以下に説明する。
まず、製造装置20は処理を終了すると、その処理によって取得された各種サマリ情報をCCシステム50に通知する。このサマリ情報には、処理条件、測定条件、測定データのほか、システムIDなどの管理番号、どの製品に関するデータであるかを示す品種名、どの半導体製造装置に関する製造データであるかを示す装置名、どの段階の製造プロセスにおける製造データであるかを示す大工程名称や小工程名称、処理が行われた日時などを示すイベント日時などの項目が含まれている。
製造装置20からCCシステム50に通知された各種サマリ情報は、CCシステム50内に設けられたデータベース(不図示)に格納される。
APCシステム40は、CCシステム50に対して、各種サマリ情報の問い合わせを行う。この問い合わせは、APCシステム40の他システムデータ連携機能実行プロセス71によって行われ、相手側システムの同期調整は不要である。このAPCシステム40からCCシステム50への問い合わせのタイミングは、APCシステム40の起動前に設定される。例えば、製造装置20による処理が終了してその各種サマリ情報がCCシステム50へ通知されてから製造装置20による次の処理が終了してその各種サマリ情報がCCシステム50に通知されるまでのインターバル、すなわち、製造装置20での処理が完了するタイミングを問い合わせのタイミングとして設定する。製造装置20が複数ある場合には、各製造装置20の処理時間に応じて問い合わせのタイミングを設定する。
また、APCシステム40において、予めデータベース60に登録する装置情報と各種サマリ項目とデータ(以下、イベント項目とデータという)を登録しておく。
他システムデータ連携機能実行プロセス71は、CCシステム50が保有している製造装置20で処理された製品の各イベント項目とデータの情報を取得する。
また、外部要因収集機能78を通じて、製造装置20のリアルタイムなセンサ情報や気圧などの情報を取り込むことも行う。外部要因収集機能78は、例えばFDC(Fault Detection and Classification)システムによって実現され、LANなどを介してAPCシステム40と接続される。
他システムデータ連携機能実行プロセス71では、予め定義された製造装置20毎のイベント項目をフィルタリングし、その項目と項目に合致するデータとのペアを形成する。さらに、キー項目となるその他の付帯情報を付加して、APCDB連携機能実行プロセス72にデータを渡す。
APCDB連携機能実行プロセス72は、他システムデータ連携機能実行プロセス71で形成したデータをデータベース60に登録する。
APCフィルター管理実行プロセス74では、予めフィルター条件が設定されているAPCフィルターデータ74aを用いてフィルター処理を施し、APCレシピ演算に必要な項目が選択される。また、フィルター条件に応じて、例えばアルゴリズムに付与されているID番号などの識別情報によりそのAPCレシピ演算に用いるアルゴリズムが特定される。ここで用いるアルゴリズムは、予め作成されデータベース60に格納しておく。APCフィルター管理実行プロセス74は、APC演算処理開始の指示をAPC演算処理機能実行プロセス75に与える。
APC演算処理機能実行プロセス75では、APCフィルター管理実行プロセス74で特定されたアルゴリズムが起動され、APCフィルター管理実行プロセス74で選択された項目のデータを用いてAPCレシピ演算が行われる。APCレシピ演算は、演算エンジン75aによって行われる。
APCレシピ演算終了後は、算出した最適レシピをAPCフィルター管理実行プロセス74に返し、APCフィルター管理実行プロセス74はその最適レシピをAPCDB連携機能実行プロセス72にわたして、データベース60に登録する。この際に、APCレシピ演算に関する演算実行情報をログとして、APCシステム実行ログ管理実行プロセス73から各種実行ログ管理データベース61に格納する。
CCシステム50は、ロット処理を行う際、処理のための最適レシピをAPCシステム40に問い合わせる。APCシステム40は、CCシステム50からの問い合わせに対して該当する最適レシピがデータベース60内にあるか否かを検索する。最適レシピが存在する場合には、それをデータベース60から抽出し、CCシステム50に送信する。CCシステム50は、受信した最適レシピを該当する製造装置20に送信し、製造装置20での処理が最適レシピで制御されるようになる。
以上説明した処理が繰り返し実行され、半導体装置の製造が行われる。
また、APCシステム40では、アルゴリズムシミュレーションを行う機能も有している。アルゴリズムシミュレーションでは、収集された製造データから特定の項目のデータを抽出してデータ解析が行われ、必要に応じてそのデータ解析結果を利用して、開発中または登録済みのアルゴリズムを起動して演算を行い、その動作確認や演算結果の検証を行うことが出来る。
アルゴリズムシミュレーションは、アルゴリズムシミュレーション機能実行プロセス76で実行する。アルゴリズムシミュレーション機能実行プロセス76は、開発中または登録済みのアルゴリズムを特定し、APCフィルター管理実行プロセス74に演算開始指示を出す。その後、APCフィルター管理実行プロセス74はAPC演算処理機能実行プロセス75に演算開始の指示をする。演算終了後、APC演算処理機能実行プロセス75は算出した最適レシピをAPCフィルター管理実行プロセス74に返す。APCフィルター管理実行プロセス74は最適レシピをAPCDB連携機能実行プロセス72に渡し、APCDB連携機能実行プロセス72は最適レシピをデータベース60に登録する。
また、APCシステム実行ログ管理実行プロセス73は最適レシピの他に詳細な演算実行情報をログとして、実行ログ管理データベース61に登録する。演算結果を格納するデータベース60とログ情報を登録するデータベース61には、アルゴリズムシミュレーション用の専用領域が設けられ、アルゴリズムシミュレーションで実行した結果はこの専用領域に格納される。これは、シミュレーション結果が製品の仕上がり履歴に影響を及ぼさないようにするためである。
また、WWW実行プロセス77によって、データベース60に格納されている演算結果や過去の製造データのトレンドを、ブラウザを用いて参照することができる。さらに、データベース60に格納されているシミュレーション結果を参照することも可能である。
なお、APCシステム40では、収集する製造データを、他システムデータ連携機能実行プロセス71が管理する収集データ一時退避領域71aに格納するので、データベースサーバ44にトラブルが発生しても、製造データを欠落させることなく製造履歴を復元させることができるようになっている。
以下にエッチング工程を例にとってAPCシステム40の処理を説明する。
図3は、APCシステム40と製造装置20との関係を示す概略説明図である。ここでは、製造装置20としてエッチング装置を対象としている。前測定装置31及び後測定装置33は、ウエハ上の膜厚を測定する装置である。前測定装置31では、エッチング処理をする前の膜厚を測定し、後測定装置33では、エッチング処理後の膜厚を測定する。
この例では、製造プロセスの安定化のために、エッチング処理前の膜厚の測定結果と、エッチング処理後の膜厚の測定結果を使用して、最適なエッチング処理を行う条件を求めている。
図4及び図5を参照して、最適なエッチング処理を行う条件を求める方法について説明する。エッチング装置では、最適なエッチング量(深さ)になるようなエッチング時間を制御条件(レシピ)としている。
図4(a)は、エッチング前のウエハ上の膜34aを示しており、その膜厚Tは前測定装置31によって測定される。図4(b)は、最適なエッチング処理が行われた場合のウエハ上の膜34bを示している。図4(c)は、エッチング後のウエハ上の膜34cを示しており、その膜厚tは後測定装置33によって測定される。
図4(b)に示すような、最適な深さのエッチング処理を行うために、エッチング処理前に前測定装置31で測定した膜厚と、エッチング処理後に後測定装置33で測定した膜厚を用いる。
APCシステム40において最適レシピ(最適なエッチング時間Time)を求めるためのアルゴリズムとして、例えば以下に示す計算式が用いられる。
Time = (T2 − t2) / ((T1 − t1) / Time1)
ここで、(T1−t1)は対象としているロットの一つ前のロットについてのエッチング処理におけるエッチング前後の膜厚の差であり、Time1は最適なエッチング時間である。また、(T2−t2)は、対象としているロットについてのエッチング処理におけるエッチング前後の目標とする膜厚の差であって、T2は前測定をした結果求めた値であり、t2は目標とする膜厚の値である。
ここで、(T1−t1)は対象としているロットの一つ前のロットについてのエッチング処理におけるエッチング前後の膜厚の差であり、Time1は最適なエッチング時間である。また、(T2−t2)は、対象としているロットについてのエッチング処理におけるエッチング前後の目標とする膜厚の差であって、T2は前測定をした結果求めた値であり、t2は目標とする膜厚の値である。
図5に、ロット毎のAPC算出結果をまとめた図を示す。上記のアルゴリズムを用いてロット4のエッチング時間の最適値(APC算出結果)を求めるために、ロット3の前測定結果T1=29.8、後測定結果t1=12、ロット3でのエッチング時間の最適値Time1=60、及びロット4の前測定結果T2=29.2と目標値t2を使用する。これらの値を用いて、ロット4におけるエッチング時間の最適値を求めることができる。
このように、処理対象となっているロットに対して、前回のロットにおけるエッチング処理前後の膜厚の測定結果及び最適エッチング時間と、処理対象のロットのエッチング前の膜厚の測定結果及びエッチング後の膜厚の目標値を用いて、処理対象のロットに対する最適なエッチング時間を導出する。
これにより、出来上がり精度を均一に維持することができ、製造プロセスを安定化することができる。
(半導体製造装置の状態の管理)
図2に示したように、半導体装置製造システム100では、APCシステム40において導出したレシピを半導体装置の製造管理を行うCCシステム50に送信している。また、APCシステム40は、ロットの処理毎に半導体製造装置の状態を示す情報を取得して半導体製造装置の状態を把握し、常に最適な製造処理が行われるようにレシピ値を算出している。本実施形態では、APCシステム40がレシピ値を算出するだけでなく、半導体製造装置の状態を管理することにより、装置のオーバーホールが必要か否かを判定できるようにしている。このような処理を行うために、半導体製造装置の状態を管理する装置状態テーブルを用意している。
図2に示したように、半導体装置製造システム100では、APCシステム40において導出したレシピを半導体装置の製造管理を行うCCシステム50に送信している。また、APCシステム40は、ロットの処理毎に半導体製造装置の状態を示す情報を取得して半導体製造装置の状態を把握し、常に最適な製造処理が行われるようにレシピ値を算出している。本実施形態では、APCシステム40がレシピ値を算出するだけでなく、半導体製造装置の状態を管理することにより、装置のオーバーホールが必要か否かを判定できるようにしている。このような処理を行うために、半導体製造装置の状態を管理する装置状態テーブルを用意している。
図6は、半導体製造装置の状態を管理する装置状態テーブルの一例を示している。このテーブルに示すカラムのうち、TRANSACTION-IDは半導体装置製造システムが実行している処理を識別する項目、EQUIPMENT-IDは製造装置を識別する項目、EVENT-NAMEはCCシステム50からAPCシステム40に通知するイベントの名称、GROUP-KEYは製造装置で処理されているロットを識別する項目、EVENT-DATEはイベントが発生した日時、ITEMは装置のパラメータアイテム名(例えば、センサー項目)、VALUEは装置のパラメータデータ(例えば、センサー値)を表している。
この装置状態テーブルによって、半導体装置の状態を管理するために、半導体装置がオーバーホールした場合であっても、所定のカラムにデータを格納するようにしている。
半導体製造装置がオーバーホールしたときに、CCシステム50から収集するデータとして、「オーバーホールイベント」、「オーバーホール時に処置したパーツID」及び「オーバーホール時のステータス情報(例えば、パーツの交換の有無を示す情報)」がある。
装置のオーバーホールが発生したとき、オーバーホールイベントのデータはEVENT-NAMEカラムに設定される。EVENT-NAMEカラムには、通常は装置パラメータのイベント情報が格納されるが、装置のオーバーホールが発生したときには、例えば、このカラムにEQP-MAINTENANCEというデータが格納される。これにより、装置のオーバーホールが発生したことが認識できるようになる。また、オーバーホール時に処置(例えば洗浄)したパーツIDはITEMカラムに格納される。ITEMカラムには、通常は装置のパラメータアイテム名(例えば、センサー項目)が格納されるが、オーバーホールが発生したときには、洗浄した部品名(例えば、TUBE)が格納される。また、オーバーホール時のステータス情報はVALUEカラムに格納される。VALUEカラムには、通常は装置のパラメータデータが格納されるが、オーバーホールが発生したときには、対象となる部品を洗浄したか否か等の情報が格納される。
なお、図6ではオーバーホールが発生した場合として、EQP-MAINTENANCE(洗浄)が格納される例を示しているが、オーバーホールイベントとしてはこの他に、EQP-EXCHANGE(交換)等もあり、オーバーホールの種別に応じたデータが格納される。
半導体製造装置がオーバーホールをした場合には、その情報を装置状態テーブルに格納し、オーバーホール発生後の装置の状態、すなわち、APCアルゴリズムで使用する各種データも格納する。これにより、オーバーホールした場合の情報もAPCシステム40が管理するデータベース60内に格納されることになり、オーバーホール後の装置に関するデータの傾向を一元的に管理することができる。
(半導体製造装置のオーバーホールが必要か否かの判定処理)
次に、上記したような装置状態テーブルを用いて、半導体製造装置のオーバーホールが必要か否かを判定する方法について説明する。
次に、上記したような装置状態テーブルを用いて、半導体製造装置のオーバーホールが必要か否かを判定する方法について説明する。
半導体製造装置のオーバーホールが必要か否かは、例えば、1ロットの処理の終了毎にAPCシステム40が判定し、その結果をAPC操作端末(表示部)81aに表示する。また、オペレータがAPC操作端末81aを使用して、装置のオーバーホールの時期を問い合わせるようにしても良い。
半導体製造工程において、1ロットの処理が終了すると、CCシステム50から処理終了のイベントがAPCシステム40に送信される。APCシステム40は、1ロット処理終了の信号を受信すると、装置状態テーブルから当該処理が行われていた装置に関する情報を抽出する。例えば、CVD処理であった場合に、CVD処理装置の配管部分の薄膜の堆積量を抽出する。堆積量に応じて、CVD処理装置のオーバーホール(配管の洗浄)が必要となるからである。このような洗浄の時期を知るために、ロット処理時とそのロット処理時までの配管部分の堆積量との関係を示すデータを用いる。
図7は、このようなデータをグラフ形式に表した図である。この例では、CVD工程における処理回数とCVD装置の部品(配管)に付着する累積膜厚との関係を示している。図7の横軸は処理回数であり、オーバーホールをしたときを起点として何回目かを示している。図7の縦軸は製造装置の配管の累積付着膜厚である。この累積付着膜厚が所定の厚さになったときに、メンテナンスが必要になると予め規定しておく。例えば、図7において、配管部分の洗浄が必要な時期は、累積付着膜厚が18nmになったとき(メンテナンス必要膜厚とよぶ)と規定しておく。また、警告を発する時期は、累積付着膜厚が16nmになったとき(メンテナンス警告膜厚とよぶ)と規定しておく。
このような装置の状態履歴を示すデータは、装置状態テーブル(図6参照)を基に作成される。装置状態テーブルには、CVD処理毎に取得される装置の状態が格納されている。図7の横軸の処理回数は、装置状態テーブルのオーバーホールが発生したEVENT-DATEを起点として、CVD処理が行われたことを示す行をカウントすることによって算出される。図7において、オーバーホールはXおよびYの時点で発生している。また、累積付着膜厚は、ITEMカラムのt-thickに対応するvalueカラムの値を参照して取得される。
製造装置のオーバーホールが必要か否かの判定は、次のようにして行う。
まず、対象となるロット処理が終了したときの装置の配管部分の累積付着膜厚を、装置状態テーブルのt-thickに対応するvalueカラムから抽出する。抽出した値が、メンテナンス必要膜厚に達していれば、オーバーホールが必要であると判定する。この場合には、装置のオーバーホールが必要である旨を示すオーバーホール用コードを当該装置に対応づけて付与する。また、抽出した値が、メンテナンス警告膜厚に達していれば、オーバーホールの時期が近いと判定する。
例えば、対象となるロット処理が終了した時点が図7のA点と仮定すると、その時点では累積付着膜厚がメンテナンス必要膜厚に達していない。従って、まだ配管の洗浄が必要ではないと判定される。よって、次のロットにおけるCVD処理装置に対するレシピ値を、レシピ導出アルゴリズムを用いて計算して、CCシステム50に送信する。
一方、対象となるロット処理が終了した時点が図7のB点と仮定すると、その時点で累積付着膜厚がメンテナンス警告膜厚に達している。従って、配管の洗浄の時期が迫っていると判定される。そのため、例えば、APC操作端末に、装置のオーバーホールをする時期が迫っていることを表示する。
また、過去のデータを基にして、次にオーバーホールが必要となるまで、何回処理ができるかを算出することも可能である。
例えば、CVD装置の配管の洗浄するまでの最大使用回数Rtは、次のように定義した式を用いて求めることができる。
Rt = Rl/(TCth/TCt)
ここで、Rlは部品の洗浄が必要となる累積付着膜厚の値である。TCthは部品に付着する累積付着膜厚である。TCtは部品の累積使用回数であり、図7の処理回数に対応する。
ここで、Rlは部品の洗浄が必要となる累積付着膜厚の値である。TCthは部品に付着する累積付着膜厚である。TCtは部品の累積使用回数であり、図7の処理回数に対応する。
以下に、装置の状態履歴データを用いて製造装置20のオーバーホールが必要か否かを判定する処理について図8のフローチャートを参照して説明する。
まず、ステップS11では、1ロットの処理が終了したことが、CCシステム50を介して製造装置20からAPCシステム40に通知される。1ロットの処理終了イベントを受信した後、ステップS12に移行する。
次のステップS12では、APCシステム40のAPC演算処理機能実行プロセス75を実行するコンピュータの制御装置が、APCDB連携機能実行プロセス72を介してデータベース60に格納されている装置状態テーブルから、装置の状態履歴データを導出する。例えば、CVD処理装置において、配管部品に堆積する累積付着膜厚がCVD処理回数に応じてどのように変化しているかを示すデータを装置の状態履歴データとする。CVD処理回数は、装置状態テーブル(図6参照)のオーバーホールが発生したときを示すEVENT-DATEを起点とし、CVD処理が行われたことを示す行をカウントすることによって得られる。また、累積付着膜厚は、装置状態テーブルのITEMカラムのt-thickに対応するvalueカラムの値を参照して得られる。
次のステップS13では、1ロット処理終了時点での製造装置20の状態を導出する。装置の状態は、例えば、ロット処理後のCVD装置の配管部分に膜がどれだけ付着しているかによって表される。
次のステップS14では、APCシステム40は、製造装置20のオーバーホールが必要か否かを判定する。この判定は、APCシステム40のAPC演算処理機能実行プロセス75を実行するコンピュータの制御装置が、ステップS12で導出した装置の状態履歴データを参照して行う。すなわち、装置の状態履歴テーブルから、対象とする装置の状態を示す累積付着膜厚が、オーバーホール要求膜厚に達しているか否かを判定することによって行う。
製造装置のオーバーホールが必要ではないと判定されると、その製造装置に対するレシピ算出のために新たなデータを取得する必要がないため、その時点で有しているデータを基にレシピの算出を行い、レシピ値をCCシステム50に送信して終了する。
一方、オーバーホールが必要であると判定されると、装置オーバーホール用コードを装置状態テーブルの対象としている装置状態に対応するように付与して終了する。また、製造装置のオーバーホールが必要である旨の情報をAPC操作端末81aの表示画面に表示し、オペレータに製造装置のオーバーホールを促すようにしてもよい。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置の製造プロセス制御システムでは、製造装置20のオーバーホールが必要か否かを、製造装置20の状態を管理するテーブルを基に算出している。このため、装置のオーバーホールが必要な時期を容易に算出することができ、装置の保全を効率的に行うことが可能となる。
(2)第2の実施形態
第2の実施形態では、製造装置20がオーバーホールをした後に、APCシステム40がその製造装置20に対するレシピを算出する具体的な方法について説明する。なお、半導体装置製造システム100の構成は、第1の実施形態で説明したものと同様である。
第2の実施形態では、製造装置20がオーバーホールをした後に、APCシステム40がその製造装置20に対するレシピを算出する具体的な方法について説明する。なお、半導体装置製造システム100の構成は、第1の実施形態で説明したものと同様である。
(製造装置のオーバーホール直後のレシピを算出する方法)
半導体製造装置のオーバーホール後のレシピの算出は、データベースに格納されている装置状態テーブルの情報を基に作成した、レシピ値の履歴を用いて行う。
半導体製造装置のオーバーホール後のレシピの算出は、データベースに格納されている装置状態テーブルの情報を基に作成した、レシピ値の履歴を用いて行う。
レシピ値の履歴は、装置状態テーブルに格納されているデータを基に、装置のオーバーホール後のデータを抽出することによって取得される。例えば、オーバーホール時に交換した部品があれば、その部品についての交換後のレシピ値を導出した履歴を参照し、レシピ値が安定し、レシピ値として採用された値を抽出する。この値をオーバーホールによって交換した後のレシピ値として確定する。この部品の交換があった場合のすべてについて同様な処理を行い、この部品のオーバーホール後のレシピ値の履歴とする。
図9は、半導体製造処理に対するレシピ値の履歴を示したグラフの一例を示している。図9の横軸は、レシピ値の算出日を示し、図9の縦軸は、CVD装置におけるガス流量を示している。図9(a)は、従来の例であり、装置がオーバーホールした後(O1やO2)は実験的にレシピを算出しているために、安定したレシピ値が得られるまでに時間がかかっていることを示している。図9(b)は、上記の処理によりレシピ値の履歴を求めたものであり、装置がオーバーホールした後、O3やO4に示すように、レシピ値の変動がないようにしている。
対象としているオーバーホール後の初回のロットに対するレシピ値は、上記の処理により求めたレシピ値履歴を用いて算出する。
図10は、製造装置20がオーバーホールをした後に、その製造装置20に対するレシピを算出する処理の一例を示すフローチャートである。
まず、ステップS21において、APCシステム40がCCシステム50から製造装置20のオーバーホールが必要である旨の情報(オーバーホールイベント)を取得する。
次のステップS22では、APCシステム40は製造装置20のオーバーホールの種別を判定する。オーバーホールは、製造装置20を構成する部品の交換や製造装置20の洗浄などのメンテナンス方法がある。これら複数のオーバーホール種別からオーバーホールを特定するために、データベースに格納された装置状態テーブルを参照する。装置状態テーブルは、所定の期間または所定の処理の実行毎に製造装置20からCCシステム50を介してAPCシステム40に送信され、APCシステム40が保有するデータベース60に格納される。この装置状態テーブルは図6で示したように、オーバーホールが発生したときにオーバーホールイベント名とオーバーホールの種別およびどの部品が対象となっているかの情報が含まれている。これにより、オーバーホール種別が何であるかを取得することができる。
次のステップS23では、ステップS22で取得したオーバーホール種別に応じて、オーバーホールの対象となる部品情報(部品名)を取得する。オーバーホールの対象となる部品は、上記した装置状態テーブルから取得する。
次のステップS24では、対象となる部品のオーバーホール時のレシピ値の履歴を抽出する。対象となる部品情報を取得した後は、同じ部品を交換した後のレシピ値の履歴を抽出する。
次のステップS25では、オーバーホール時のレシピ値の履歴から、レシピを算出する。レシピの算出は、以下のようにして行う。
オーバーホール時のレシピ値の履歴を基に、移動平均法などの手法を用いてレシピ値を予測する。例えば、対象としている処理がCVD工程であって、チャンバーの配管に膜が堆積し、配管の洗浄が必要と判定された場合を考える。この場合のレシピは最適な膜厚にするために必要な処理時間とする。ステップS24において抽出したレシピ値の履歴から直近の数回(例えば、5回)の洗浄直後のレート(成膜速度)を抽出し、それらの平均を求める移動平均法によって、今回の洗浄後の予測レートを求める。次に、目標とする膜厚の値を予測レートで徐して、レシピ値を算出する。このレシピ値の算出は、APCシステム40のAPC演算処理機能実行プロセスを実行するコンピュータの制御装置により行われる。
次のステップS26では、ステップS25で算出したレシピをCCシステム50に出力して本処理は終了する。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置の製造プロセス制御システムでは、製造装置がオーバーホールをした直後に製造装置を制御するための最適なレシピを求めるために、オーバーホール後のレシピ値の履歴を基に算出している。このため、オーバーホール後に試験ロットを用いて製造装置を制御するレシピを算出するためのデータを抽出する時間をとる必要がなく、レシピを効率良く算出することができ、半導体装置の製造のスループットを向上させることが可能となる。
(付記1) 半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルを格納するデータベースと、
前記装置状態テーブルを基に該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを判定する制御部と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御システム。
前記装置状態テーブルを基に該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを判定する制御部と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御システム。
(付記2) 前記制御部は、前記データベースに格納された前記装置状態テーブルから抽出された前記半導体製造装置のレシピ値の履歴を基に、前記半導体製造装置のオーバーホール後のレシピ値を算出することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造プロセス制御システム。
(付記3) 前記オーバーホール後のレシピ値は、前記レシピ値の履歴から該オーバーホールの直近の所定の数のオーバーホール後のレシピ値を移動平均して算出されることを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造プロセス制御システム。
(付記4) 前記制御部は、前記半導体製造装置からオーバーホールした旨の情報を取得したとき、オーバーホールイベント、オーバーホール時に処置した部品、及びオーバーホール時のステータスを前記装置状態テーブルの所定の箇所に格納することを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造プロセス制御システム。
(付記5) 更に、前記オーバーホールが必要かどうかの判定結果を表示する表示部を有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造プロセス制御システム。
(付記6) 半導体製造装置がオーバーホールした旨の情報を入出力部を介して制御部が取得するステップと、
前記情報を取得したときに、データベースに格納されている前記半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルから該半導体製造装置のレシピ値の履歴を前記制御部が抽出するステップと、
前記抽出したレシピ値の履歴を基に、該半導体製造装置に対するレシピ値を前記制御部が算出するステップと
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御方法。
前記情報を取得したときに、データベースに格納されている前記半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルから該半導体製造装置のレシピ値の履歴を前記制御部が抽出するステップと、
前記抽出したレシピ値の履歴を基に、該半導体製造装置に対するレシピ値を前記制御部が算出するステップと
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御方法。
(付記7) 前記オーバーホール後のレシピ値は、前記レシピ値の履歴から該オーバーホールの直近の所定の数のオーバーホール後のレシピ値を移動平均して算出されることを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
(付記8) 前記レシピ値を算出するステップの後、
前記半導体製造装置から取得したオーバーホールイベント、オーバーホール時に処置した部品、及びオーバーホール時のステータスを前記装置状態テーブルの所定の箇所に格納するステップを有することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
前記半導体製造装置から取得したオーバーホールイベント、オーバーホール時に処置した部品、及びオーバーホール時のステータスを前記装置状態テーブルの所定の箇所に格納するステップを有することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
(付記9) データベースに格納されている半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルから該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを制御部が判定するステップ
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御方法。
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御方法。
(付記10) 前記オーバーホールが必要かどうかを前記制御部が判定するステップの後、前記判定結果を前記制御部が表示部の表示画面に出力させるステップと
を有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
を有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
(付記11) 前記オーバーホールが必要かどうかは、前記半導体製造装置に付着する膜の厚さが予め規定したメンテナンスが必要となる膜厚に達しているか否かによって判定することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
100…半導体装置製造システム、10…外部CIMシステム、20…製造装置、31…前測定装置、33…後測定装置、40…APCシステム(製造プロセス制御システム)、41…アプリケーションサーバ、42…CORBAネームサーバ、43…演算サーバ、44…データベースサーバ、45…CORBA、50…CCシステム(製造管理システム)、60…データベース、61…各種実行ログ管理データベース、71…他システムデータ連携機能実行プロセス、71a…収集データ一時退避領域、72…APCDB連携機能実行プロセス、73…APCシステム実行ログ管理実行プロセス、74…APCフィルター管理実行プロセス、75…APC演算処理機能実行プロセス、76…アルゴリズムシミュレーション機能実行プロセス、77…WWW実行プロセス、78…外部要因収集機能、80a、80b…LAN、80c…WAN、81a…APC操作端末。
Claims (5)
- 半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルを格納するデータベースと、
前記装置状態テーブルを基に該半導体製造装置のオーバーホールが必要かどうかを判定する制御部と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御システム。 - 前記制御部は、前記データベースに格納された前記装置状態テーブルから抽出された前記半導体製造装置のレシピ値の履歴を基に、前記半導体製造装置のオーバーホール後のレシピ値を算出することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造プロセス制御システム。
- 前記オーバーホール後のレシピ値は、前記レシピ値の履歴から該オーバーホールの直近の所定の数のオーバーホール後のレシピ値を移動平均して算出されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造プロセス制御システム。
- 半導体製造装置がオーバーホールした旨の情報を入出力部を介して制御部が取得するステップと、
前記情報を取得したときに、データベースに格納されている前記半導体製造装置の状態を示す装置状態テーブルから該半導体製造装置のレシピ値の履歴を前記制御部が抽出するステップと、
前記抽出したレシピ値の履歴を基に、該半導体製造装置に対するレシピ値を前記制御部が算出するステップと
を有することを特徴とする半導体装置の製造プロセス制御方法。 - 前記レシピ値を算出するステップの後、
前記半導体製造装置から取得したオーバーホールイベント、オーバーホール時に処置した部品、及びオーバーホール時のステータスを前記装置状態テーブルの所定の箇所に格納するステップを有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造プロセス制御方法。
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JP2005347541A JP2007157808A (ja) | 2005-12-01 | 2005-12-01 | 半導体装置の製造プロセス制御システムおよび半導体装置の製造プロセス制御方法 |
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WO2010058606A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 株式会社ニコン | 保持部材管理装置、積層半導体製造装置および保持部材管理方法 |
JP2013115189A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
-
2005
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