JP2002544680A - 半導体処理技術 - Google Patents
半導体処理技術Info
- Publication number
- JP2002544680A JP2002544680A JP2000618870A JP2000618870A JP2002544680A JP 2002544680 A JP2002544680 A JP 2002544680A JP 2000618870 A JP2000618870 A JP 2000618870A JP 2000618870 A JP2000618870 A JP 2000618870A JP 2002544680 A JP2002544680 A JP 2002544680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- graph
- time
- time state
- environment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 316
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 189
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 18
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 12
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 4
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims 1
- PHCJRSXXXCZFPL-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)sulfanyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(SC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 PHCJRSXXXCZFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 46
- 208000031725 susceptibility to spondyloarthropathy Diseases 0.000 abstract description 46
- 238000011112 process operation Methods 0.000 abstract description 7
- 208000034804 Product quality issues Diseases 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 85
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 4
- 238000002872 Statistical quality control Methods 0.000 description 3
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013064 process characterization Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010978 in-process monitoring Methods 0.000 description 1
- 238000013339 in-process testing Methods 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B15/00—Systems controlled by a computer
- G05B15/02—Systems controlled by a computer electric
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/80—Management or planning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
(57)【要約】
本発明は、ウェーハファブのための製造環境（２１０）、および、生産運転の処理パラメータおよび測定方法データを獲得するためのＳＰＤＡデータ環境（２１２）を提供する。演算環境（２１４）はＳＰＤＡデータを処理して、本発明のデルタグラフ（５３６、５４０および５４２）を作成する。これらのデルタグラフは、次に、解析環境（２１６）で解析される。ＭＥＳ環境（２１８）は、解析を評価し、解析の結果が製造環境（２１０）のプロセス運転における処理または製品品質の問題を指し示す場合、プロセス介入を実行する。加えて、本発明は、設備信頼性およびウェーハ歩留りを改善するために、ＳＰＣ管理図のＳＰＤＡデルタグラフだけでなくデルタグラフに基づくプロセス管理限界を利用するＳＰＣ技術も提供し、半導体処理の問題を識別し、解析し、および異常対処する。本発明は、また、予防的メンテナンス時間状態（７３５および７４２）へおよび修理時間状態（７３１）へリンクされるサービス手順モジュール（７５５）を含む、コンピュータ統合化の設備時間状態のためのプロセス（７００）を提供する。
Description
【０００１】
本発明は、半導体処理のための技術に関する。
【０００２】
ＩＣ（集積回路）等の半導体デバイスは、一般に、半導体材料の単一体上へ一
体的に製作されるトランジスタ、ダイオード、および抵抗器等の電子回路素子を
有する。種々の回路素子は導電性コネクタを介して接続され、何百万個もの個々
の回路素子を含むことができる完成回路を形成する。集積回路は、普通には処理
ステップのシーケンスから成るプロセスにより、半導体ウェーハから製作される
。このプロセスは、通常、ウェーハ製造またはウェーハファブと称され、酸化、
エッチングマスク作成、エッチング、材料堆積、平坦化、およびクリーニング等
の操作を含む。
体的に製作されるトランジスタ、ダイオード、および抵抗器等の電子回路素子を
有する。種々の回路素子は導電性コネクタを介して接続され、何百万個もの個々
の回路素子を含むことができる完成回路を形成する。集積回路は、普通には処理
ステップのシーケンスから成るプロセスにより、半導体ウェーハから製作される
。このプロセスは、通常、ウェーハ製造またはウェーハファブと称され、酸化、
エッチングマスク作成、エッチング、材料堆積、平坦化、およびクリーニング等
の操作を含む。
【０００３】 アルミニウムゲートＰＭＯＳ（ｐ−チャネル金属酸化膜半導体トランジスタ）
のウェーハファブプロセス４０の概要が図１に概略的に示され、そこにはW. R.
Runyan 他の Semiconductor Integrated Circuit Processing Technology, Addi
son-Wesley Publ. Comp. Inc., p. 48, 1994 に記載されるような主要処理ステ
ップ４１から７３が図解されている。これらの主要処理ステップの各々は、普通
は、幾つかのサブステップを含む。例えば、ウェーハファブチャンバ内でのスパ
ッタ堆積によってアルミニウム層を設けるメタライゼーションのような主要処理
ステップが、米国特許第５，１０８，５７０号（R. C. Wang, 1992）に開示され
ている。このスパッタ堆積プロセスは、プロセス８０のサブステップ８１から９
７で図解されている。図２を参照されたい。
のウェーハファブプロセス４０の概要が図１に概略的に示され、そこにはW. R.
Runyan 他の Semiconductor Integrated Circuit Processing Technology, Addi
son-Wesley Publ. Comp. Inc., p. 48, 1994 に記載されるような主要処理ステ
ップ４１から７３が図解されている。これらの主要処理ステップの各々は、普通
は、幾つかのサブステップを含む。例えば、ウェーハファブチャンバ内でのスパ
ッタ堆積によってアルミニウム層を設けるメタライゼーションのような主要処理
ステップが、米国特許第５，１０８，５７０号（R. C. Wang, 1992）に開示され
ている。このスパッタ堆積プロセスは、プロセス８０のサブステップ８１から９
７で図解されている。図２を参照されたい。
【０００４】 図１および２は、順次ウェーハファブプロセスを示す。並行処理ステップを提
供するウェーハファブサブシステムを利用することも周知である。そのようなサ
ブシステムは、普通には１基以上のクラスタツールを含む。本明細書で定義する
クラスタツールは、チャンバおよびウェーハハンドリング装置から成る装置を含
み、そこでウェーハが真空のような制御されたクラスタツール環境から離れるこ
となくクラスタツールチャンバ内で処理される。クラスタツールの一例は、米国
特許第５，２３６，８６８号（J. Nulman, 1993）に開示されており、それは中
央チャンバおよび４個の処理チャンバを有する真空装置を用いる。中央チャンバ
内のウェーハハンドリングロボットは、ウェーハを真空環境内に保つ間、中央チ
ャンバから各チャンバ内へウェーハを搬送するために各処理チャンバの内部へア
クセスする。一例では、'８６８特許のクラスタ中のウェーハは、先ずクリーニ
ングチャンバへ、次にＰＶＤ（物理的気相堆積）チャンバへ処理のために搬送さ
れ、次にアニーリングチャンバへ、続いてデガスチャンバへ搬送されることによ
り、順次プロセスを利用する。並行して使用されるチャンバ内でウェーハを処理
するために、'８６８特許に開示されたようなクラスタツールを使用することも
周知である。例えば、遅い処理ステップに速い処理ステップが続く場合、３個の
チャンバを遅いプロセスのために並行して使用する一方、第４のチャンバを速い
プロセスのために使用できる。
供するウェーハファブサブシステムを利用することも周知である。そのようなサ
ブシステムは、普通には１基以上のクラスタツールを含む。本明細書で定義する
クラスタツールは、チャンバおよびウェーハハンドリング装置から成る装置を含
み、そこでウェーハが真空のような制御されたクラスタツール環境から離れるこ
となくクラスタツールチャンバ内で処理される。クラスタツールの一例は、米国
特許第５，２３６，８６８号（J. Nulman, 1993）に開示されており、それは中
央チャンバおよび４個の処理チャンバを有する真空装置を用いる。中央チャンバ
内のウェーハハンドリングロボットは、ウェーハを真空環境内に保つ間、中央チ
ャンバから各チャンバ内へウェーハを搬送するために各処理チャンバの内部へア
クセスする。一例では、'８６８特許のクラスタ中のウェーハは、先ずクリーニ
ングチャンバへ、次にＰＶＤ（物理的気相堆積）チャンバへ処理のために搬送さ
れ、次にアニーリングチャンバへ、続いてデガスチャンバへ搬送されることによ
り、順次プロセスを利用する。並行して使用されるチャンバ内でウェーハを処理
するために、'８６８特許に開示されたようなクラスタツールを使用することも
周知である。例えば、遅い処理ステップに速い処理ステップが続く場合、３個の
チャンバを遅いプロセスのために並行して使用する一方、第４のチャンバを速い
プロセスのために使用できる。
【０００５】 所望特性を有する製品を得るためには、普通のウェーハファブプロセスステッ
プの一つ以上の処理パラメータを、比較的狭い範囲で制御する必要があることは
、この技術に通常に精通する当業者にとってはよく知られている。例えば、米国
特許第５，７５４，２９７号（J. Nulman, 1998）は、スパッタリング等のウェ
ーハファブ金属膜堆積中に堆積レートをモニターする方法および装置を開示して
いる。この‘２９７特許は、入力スパッタ電力レベルが一定レベルに保持される
場合、金属堆積レートはスパッタターゲットの経時増加と共に低下することを教
示している。結果として、金属堆積レートのような重要処理特性は、所定のウェ
ーハファブ処理チャンバに対して、そのチャンバ内で処理されるデバイスの歩留
りと品質に影響を与え得るように運転毎に変化する。‘２９７特許に開示される
ように、堆積装置を、スパッタリングソースへの電力入力等の処理変量が金属堆
積処理特性で観測される変動に応答して調節される際に、所望レベル近くへもっ
と容易に保持できる。このことが必要とするのは、‘２９７特許でより詳細に説
明されているように、例えば、堆積環境を通過する光の光学的減衰に基づく堆積
レートモニタを使用することにより、材料が堆積ソースから堆積基板へ流動して
いるレートを検出する、処理特性のその場での測定である。
プの一つ以上の処理パラメータを、比較的狭い範囲で制御する必要があることは
、この技術に通常に精通する当業者にとってはよく知られている。例えば、米国
特許第５，７５４，２９７号（J. Nulman, 1998）は、スパッタリング等のウェ
ーハファブ金属膜堆積中に堆積レートをモニターする方法および装置を開示して
いる。この‘２９７特許は、入力スパッタ電力レベルが一定レベルに保持される
場合、金属堆積レートはスパッタターゲットの経時増加と共に低下することを教
示している。結果として、金属堆積レートのような重要処理特性は、所定のウェ
ーハファブ処理チャンバに対して、そのチャンバ内で処理されるデバイスの歩留
りと品質に影響を与え得るように運転毎に変化する。‘２９７特許に開示される
ように、堆積装置を、スパッタリングソースへの電力入力等の処理変量が金属堆
積処理特性で観測される変動に応答して調節される際に、所望レベル近くへもっ
と容易に保持できる。このことが必要とするのは、‘２９７特許でより詳細に説
明されているように、例えば、堆積環境を通過する光の光学的減衰に基づく堆積
レートモニタを使用することにより、材料が堆積ソースから堆積基板へ流動して
いるレートを検出する、処理特性のその場での測定である。
【０００６】 半導体材料、処理、および検査技術の進歩は、ＩＣ回路素子の全体サイズを低
減させる一方で、単一体上のそれらの数を増やす結果となった。これは、各処理
ステップおよび処理ステップの組合せまたはシーケンスに関する、製品とプロセ
スの高度な管理を要求する。従って、プロセスガス等の処理材料中の不純物や粒
子の汚染を管理する必要がある。また、‘５７０および‘２９７特許に示される
ように、温度、圧力、ガス流量レート、処理時間インターバル、および入力スパ
ッタ電力等の処理パラメータを制御する必要がある。図１および２に示されるよ
うに、ウェーハファブは複雑なシーケンスの処理ステップを含み、そこでは、ど
の特定処理ステップの結果も普通には一つ以上の先行処理ステップに大きく依存
している。例えば、隣接するＩＣ層における配線のためのエッチングマスクの重
ね合わせ、つまりアライメントに誤差があると、得られた配線は適正な設計位置
にない。この結果、過密に詰込まれた配線になり、これら配線間に電気的短絡欠
陥を形成する可能性がある。二つの異なる処理上の問題が累積効果を持ち得るこ
ともよく知られている。例えば、配線マスクが良好なアライメントにあれば電気
的短絡を引起さないであろう粒子サイズを有する粒子汚染を許容する（つまり検
出しない）仕様をプロセスが僅かに外れた場合、電気的短絡に至らせる程ではな
い配線エッチングマスクのミスアライメントであっても、電気的短絡を引起す一
因となり得るのである。
減させる一方で、単一体上のそれらの数を増やす結果となった。これは、各処理
ステップおよび処理ステップの組合せまたはシーケンスに関する、製品とプロセ
スの高度な管理を要求する。従って、プロセスガス等の処理材料中の不純物や粒
子の汚染を管理する必要がある。また、‘５７０および‘２９７特許に示される
ように、温度、圧力、ガス流量レート、処理時間インターバル、および入力スパ
ッタ電力等の処理パラメータを制御する必要がある。図１および２に示されるよ
うに、ウェーハファブは複雑なシーケンスの処理ステップを含み、そこでは、ど
の特定処理ステップの結果も普通には一つ以上の先行処理ステップに大きく依存
している。例えば、隣接するＩＣ層における配線のためのエッチングマスクの重
ね合わせ、つまりアライメントに誤差があると、得られた配線は適正な設計位置
にない。この結果、過密に詰込まれた配線になり、これら配線間に電気的短絡欠
陥を形成する可能性がある。二つの異なる処理上の問題が累積効果を持ち得るこ
ともよく知られている。例えば、配線マスクが良好なアライメントにあれば電気
的短絡を引起さないであろう粒子サイズを有する粒子汚染を許容する（つまり検
出しない）仕様をプロセスが僅かに外れた場合、電気的短絡に至らせる程ではな
い配線エッチングマスクのミスアライメントであっても、電気的短絡を引起す一
因となり得るのである。
【０００７】 上記のような処理および／または材料の欠陥は、一般的にウェーハファブの歩
留り低下を引起す。ここで、歩留りは、特定ファブで生産される受入可能なウェ
ーハの割合として定義される。処理パラメータのインプロセス試験およびモニタ
ーを利用して、所定のインプロセス製品またはプロセスの問題または欠陥が、処
理調節するかまたは運転を停止する等、プロセス運転への介入の可否を指し示し
ているかどうかを判断する。結果として、製品およびプロセスの管理手法が、ウ
ェーハファブの至るところで広範に使用されることになる。可能な場合、歩留り
問題は、特定の製品または処理の問題あるいは欠陥へ戻って追跡され、最終的に
はウェーハファブの歩留りを改善する。高歩留りは、処理された各ウェーハの製
造コストを最少化するために、そして電力、化学薬品、および水等の資源利用を
最大化するために望ましい一方、スクラップ、再加工、または処分を最少化する
。
留り低下を引起す。ここで、歩留りは、特定ファブで生産される受入可能なウェ
ーハの割合として定義される。処理パラメータのインプロセス試験およびモニタ
ーを利用して、所定のインプロセス製品またはプロセスの問題または欠陥が、処
理調節するかまたは運転を停止する等、プロセス運転への介入の可否を指し示し
ているかどうかを判断する。結果として、製品およびプロセスの管理手法が、ウ
ェーハファブの至るところで広範に使用されることになる。可能な場合、歩留り
問題は、特定の製品または処理の問題あるいは欠陥へ戻って追跡され、最終的に
はウェーハファブの歩留りを改善する。高歩留りは、処理された各ウェーハの製
造コストを最少化するために、そして電力、化学薬品、および水等の資源利用を
最大化するために望ましい一方、スクラップ、再加工、または処分を最少化する
。
【０００８】 好適なウェーハファブ管理限界を決定するために、そしてプロセスをこれらの
限界内に維持するために、ＳＰＣ（統計的プロセス管理）およびＳＱＣ（統計的
品質管理）手法を利用することが知られている。例えば、R. Zorich, Handbook
Of Quality Integrated Circuit Manufacturing, Academic Press Inc., pp. 46
4-498, 1991を参照されたい。ウェーハファブに好適なＳＰＣおよびＳＱＣ手法
は管理図の使用を含む。例えば、R. Zorich, pp. 475-498 を参照されたい。こ
の技術に通常に精通する当業者にはよく知られるように、管理図は、時間にわた
ってサンプリングされるチャンバ圧力等のプロセスまたは製品の、一つ以上の選
定変量のグラフ表示である。特定変量の目標値およびその上側と下側管理限界が
、よく知られた統計的サンプリング手法および演算方法を用いて管理図上に表示
される。変量の観測値、またはいくつかの観測値の平均値のような統計的に得ら
れた値が、前もって定めた管理限界を外れる場合に、そのプロセスは管理外れと
みなされる。管理限界は、普通は目標値の平均からの標準偏差の倍数、例えば２
σまたは３σで設定される。目標値は、歩留り、プロセス管理、および製品品質
等のウェーハファブ設計基準を満たす量試または量産から導出する。ＳＰＣとＳ
ＱＣとは、上の文脈で使用される場合は同義であると考えられる。R. Zorich, p
p. 464 を参照されたい。
限界内に維持するために、ＳＰＣ（統計的プロセス管理）およびＳＱＣ（統計的
品質管理）手法を利用することが知られている。例えば、R. Zorich, Handbook
Of Quality Integrated Circuit Manufacturing, Academic Press Inc., pp. 46
4-498, 1991を参照されたい。ウェーハファブに好適なＳＰＣおよびＳＱＣ手法
は管理図の使用を含む。例えば、R. Zorich, pp. 475-498 を参照されたい。こ
の技術に通常に精通する当業者にはよく知られるように、管理図は、時間にわた
ってサンプリングされるチャンバ圧力等のプロセスまたは製品の、一つ以上の選
定変量のグラフ表示である。特定変量の目標値およびその上側と下側管理限界が
、よく知られた統計的サンプリング手法および演算方法を用いて管理図上に表示
される。変量の観測値、またはいくつかの観測値の平均値のような統計的に得ら
れた値が、前もって定めた管理限界を外れる場合に、そのプロセスは管理外れと
みなされる。管理限界は、普通は目標値の平均からの標準偏差の倍数、例えば２
σまたは３σで設定される。目標値は、歩留り、プロセス管理、および製品品質
等のウェーハファブ設計基準を満たす量試または量産から導出する。ＳＰＣとＳ
ＱＣとは、上の文脈で使用される場合は同義であると考えられる。R. Zorich, p
p. 464 を参照されたい。
【０００９】 効果的なウェーハ在庫管理が、未処理ウェーハまたは一部処理済ウェーハの在
庫を最小限に保つために、そしてそれによってウェーハファブで生産される半導
体デバイスの単位コストを最小化するために必要である。プロセス内のウェーハ
在庫を最少化することは、ウェーハがプロセス内に長くあればある程、それだけ
それらの歩留りが低いことがよく知られているので、ウェーハ歩留り利益も伴う
。ウェーハ在庫管理は、典型的にはスケジューリング手法を用いて処理済ウェー
ハ需要の視点で、例えば処理上のボトルネックを回避するよう並列および直列の
処理ステップをスケジューリングすることによって、設備能力を最大化する。ウ
ェーハファブの効果的在庫管理が求めることは、例えば、スケジュール外のメン
テナンス、指定限界を外れた処理パラメータに起因する中断、プロセスガス等の
所要材料の欠品、必要なメンテナンス交換部品の欠品、チャンバ等の処理ツール
の欠品、または、電力中断などによって引き起こされるスケジュール外の休止時
間によるボトルネックと中断を低くすることである。
庫を最小限に保つために、そしてそれによってウェーハファブで生産される半導
体デバイスの単位コストを最小化するために必要である。プロセス内のウェーハ
在庫を最少化することは、ウェーハがプロセス内に長くあればある程、それだけ
それらの歩留りが低いことがよく知られているので、ウェーハ歩留り利益も伴う
。ウェーハ在庫管理は、典型的にはスケジューリング手法を用いて処理済ウェー
ハ需要の視点で、例えば処理上のボトルネックを回避するよう並列および直列の
処理ステップをスケジューリングすることによって、設備能力を最大化する。ウ
ェーハファブの効果的在庫管理が求めることは、例えば、スケジュール外のメン
テナンス、指定限界を外れた処理パラメータに起因する中断、プロセスガス等の
所要材料の欠品、必要なメンテナンス交換部品の欠品、チャンバ等の処理ツール
の欠品、または、電力中断などによって引き起こされるスケジュール外の休止時
間によるボトルネックと中断を低くすることである。
【００１０】 ウェーハファブの多くの構成要素またはサブシステムは、処理における高度の
信頼性と再現性とを達成し、歩留りを最大化するために自動化される。チャンバ
等のウェーハファブツールは、それらのツールによって実行されるプロセスを操
作するためのレシピとして一般的に知られるひとつの命令セットを使用するコン
ピュータによって制御されるのが普通である。しかし、種々のプロセスと測定方
法が統合される高度な自動化はウェーハファブプロセスの多くで、その複雑性と
相互依存性ゆえに達成が困難であることが認識される。例えば、Peter van Zand
t, Microchip Fabrication, 3 rd ed., McGraw-Hill, pp. 472-478, 1997 を参
照されたい。
信頼性と再現性とを達成し、歩留りを最大化するために自動化される。チャンバ
等のウェーハファブツールは、それらのツールによって実行されるプロセスを操
作するためのレシピとして一般的に知られるひとつの命令セットを使用するコン
ピュータによって制御されるのが普通である。しかし、種々のプロセスと測定方
法が統合される高度な自動化はウェーハファブプロセスの多くで、その複雑性と
相互依存性ゆえに達成が困難であることが認識される。例えば、Peter van Zand
t, Microchip Fabrication, 3 rd ed., McGraw-Hill, pp. 472-478, 1997 を参
照されたい。
【００１１】 例えばウェーハファブを含め、半導体製造設備の機能は図３に示す６つの状態
のような、設備の基本的状態で定義できることが、この技術に通常に精通する当
業者にはよく知られている。Semiconductor Equipment and Materials Inter-na
tional (SEMI) 発行の SEMI E 10-96, Standard For Definition And Measureme
nt Of Equipment Reliability, Availability, And Maintainability (RAM), pp
. 1-23, 1996 を参照されたい。半導体産業は、普通にはこれら６つの設備状態
を用いて、機能を遂行するものに依存しない機能的設備の問題に基づいて、設備
のＲＡＭ（信頼性、可用性、およびメンテナンス性）を測定し、これを表現する
。これらの６つの基本的な設備状態は、非スケジュール時間１０２（図３）、ス
ケジュール外停止時間１０４、スケジュール停止時間１０６、エンジニアリング
時間１０８、待機時間１１０、および生産的時間１１２を含む。非スケジュール
時間１０２は、設備が使用されるようにはスケジューリングされない、例えば不
稼動交替勤務の時間を表す。スケジュール外停止時間１０４は、設備がその意図
された機能を遂行する条件にない、例えば設備修理中の時間に関係する。スケジ
ュール停止時間１０６は、設備がその機能を遂行する能力にあるが、プロセス設
定または予防的メンテナンス等で、そうすることに利用できない場合に発生する
。エンジニアリング時間１０８は、設備が、技術的試験、例えば設備評価を行う
よう操作される場合の時間に関係する。待機時間１１０は、設備がその意図され
た機能を遂行する条件にあり、その機能を遂行する能力があるにもかかわらず設
備が操作されない、例えばオペレータが利用できない、または関連情報システム
から入力がない時間である。生産的状態１１２は、設備が定常的生産および再加
工等、その意図された機能を遂行している時間を表す。
のような、設備の基本的状態で定義できることが、この技術に通常に精通する当
業者にはよく知られている。Semiconductor Equipment and Materials Inter-na
tional (SEMI) 発行の SEMI E 10-96, Standard For Definition And Measureme
nt Of Equipment Reliability, Availability, And Maintainability (RAM), pp
. 1-23, 1996 を参照されたい。半導体産業は、普通にはこれら６つの設備状態
を用いて、機能を遂行するものに依存しない機能的設備の問題に基づいて、設備
のＲＡＭ（信頼性、可用性、およびメンテナンス性）を測定し、これを表現する
。これらの６つの基本的な設備状態は、非スケジュール時間１０２（図３）、ス
ケジュール外停止時間１０４、スケジュール停止時間１０６、エンジニアリング
時間１０８、待機時間１１０、および生産的時間１１２を含む。非スケジュール
時間１０２は、設備が使用されるようにはスケジューリングされない、例えば不
稼動交替勤務の時間を表す。スケジュール外停止時間１０４は、設備がその意図
された機能を遂行する条件にない、例えば設備修理中の時間に関係する。スケジ
ュール停止時間１０６は、設備がその機能を遂行する能力にあるが、プロセス設
定または予防的メンテナンス等で、そうすることに利用できない場合に発生する
。エンジニアリング時間１０８は、設備が、技術的試験、例えば設備評価を行う
よう操作される場合の時間に関係する。待機時間１１０は、設備がその意図され
た機能を遂行する条件にあり、その機能を遂行する能力があるにもかかわらず設
備が操作されない、例えばオペレータが利用できない、または関連情報システム
から入力がない時間である。生産的状態１１２は、設備が定常的生産および再加
工等、その意図された機能を遂行している時間を表す。
【００１２】 合計時間（図３を参照されたい）１１４は、測定されている期間中の合計時間
であり、これは６つの設備状態１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１
２を含む。
であり、これは６つの設備状態１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１
２を含む。
【００１３】 操作時間１１６は、状態１０４、１０６、１０８、１１０および１１２の合計
時間に関係する。操作時間１１６は、状態１０４および１０６から成る設備停止
時間１１８、および、設備使用可能時間１２０を含む。設備使用可能時間１２０
は、エンジニアリング時間１０８と、待機時間１１０および生産的時間１１２か
ら成る製造時間１２２とを含む。
時間に関係する。操作時間１１６は、状態１０４および１０６から成る設備停止
時間１１８、および、設備使用可能時間１２０を含む。設備使用可能時間１２０
は、エンジニアリング時間１０８と、待機時間１１０および生産的時間１１２か
ら成る製造時間１２２とを含む。
【００１４】 図４および５は、図３に示す６つの設備状態の更に詳細な図解を提供する。SE
MI E10-96, pp. 1-6 を参照されたい。図４に示すように、合計時間１１４は、
非スケジュール時間１０２および操作時間１１６から成る。非スケジュール時間
１０２は、不稼動交替勤務１３０、設備の設置、改変、再組付、またはグレード
アップ１３２、オフライン訓練１３４、および停止または始動時間１３６を含む
。図５に示すように、操作時間１１６は、設備停止時間１１８および設備使用可
能時間１２０から成る。設備停止時間１１８は、スケジュール外停止時間１０４
およびスケジュール停止時間１０６から成る。スケジュール外停止時間１０４は
、メンテナンス遅滞１４０、修理時間１４２、消耗品／化学薬品の交換１４４、
仕様外の投入１４６、または施設関連停止時間１４８、に関する停止時間を含む
。スケジュール停止時間１０６は、メンテナンス遅滞１５０、量産試験１５２、
予防的メンテナンス１５４、消耗品／化学薬品の交換１５６、段取り１５８、ま
たは施設関連１５９に関する停止時間に関係する。
MI E10-96, pp. 1-6 を参照されたい。図４に示すように、合計時間１１４は、
非スケジュール時間１０２および操作時間１１６から成る。非スケジュール時間
１０２は、不稼動交替勤務１３０、設備の設置、改変、再組付、またはグレード
アップ１３２、オフライン訓練１３４、および停止または始動時間１３６を含む
。図５に示すように、操作時間１１６は、設備停止時間１１８および設備使用可
能時間１２０から成る。設備停止時間１１８は、スケジュール外停止時間１０４
およびスケジュール停止時間１０６から成る。スケジュール外停止時間１０４は
、メンテナンス遅滞１４０、修理時間１４２、消耗品／化学薬品の交換１４４、
仕様外の投入１４６、または施設関連停止時間１４８、に関する停止時間を含む
。スケジュール停止時間１０６は、メンテナンス遅滞１５０、量産試験１５２、
予防的メンテナンス１５４、消耗品／化学薬品の交換１５６、段取り１５８、ま
たは施設関連１５９に関する停止時間に関係する。
【００１５】 図５に示す設備使用可能時間１２０は、エンジニアリング時間１０８および製
造時間１２２から成る。エンジニアリング時間１０８は、プロセス実験１６０お
よび設備実験１６２を含む。製造時間１１０は、待機時間１１０および生産的時
間１１２から成る。待機時間１１０は、無オペレータ１８０、無製品１８２、無
支援ツール１８４、または関連クラスタモジュールが停止１８６、の各時間を含
む。生産的時間１１２は、定常的生産１９０、第三者用稼動１９２、再加工１９
４、またはエンジニアリング運転１９６にある間の各時間に関係する。図３〜５
に関係して説明したような種々の設備状態は、半導体産業においてＲＡＭ関連設
備情報を連絡し、評価するための基盤を提供する。ＲＡＭ関連設備情報は、設備
の信頼性、設備の可用性、設備のメンテナンス可能性、および設備稼動率等、こ
の技術に通常に精通する当業者にはよく知られた項目を含む。例えば、SEMI E 1
0-96, pp. 6-11 を参照されたい。
造時間１２２から成る。エンジニアリング時間１０８は、プロセス実験１６０お
よび設備実験１６２を含む。製造時間１１０は、待機時間１１０および生産的時
間１１２から成る。待機時間１１０は、無オペレータ１８０、無製品１８２、無
支援ツール１８４、または関連クラスタモジュールが停止１８６、の各時間を含
む。生産的時間１１２は、定常的生産１９０、第三者用稼動１９２、再加工１９
４、またはエンジニアリング運転１９６にある間の各時間に関係する。図３〜５
に関係して説明したような種々の設備状態は、半導体産業においてＲＡＭ関連設
備情報を連絡し、評価するための基盤を提供する。ＲＡＭ関連設備情報は、設備
の信頼性、設備の可用性、設備のメンテナンス可能性、および設備稼動率等、こ
の技術に通常に精通する当業者にはよく知られた項目を含む。例えば、SEMI E 1
0-96, pp. 6-11 を参照されたい。
【００１６】 従って、改善されたプロセス管理、品質、歩留り、およびコスト低減をもたら
す方法および技術に対するニーズが存在する。また、処理設備の強化プロセスス
ケジューリングおよび改善された稼動率を提供するよう、設備時間状態を統合す
る要請がある。
す方法および技術に対するニーズが存在する。また、処理設備の強化プロセスス
ケジューリングおよび改善された稼動率を提供するよう、設備時間状態を統合す
る要請がある。
【００１７】
本発明は、半導体処理のための、殊にウェーハ製造のための新規な技術を提供
する。これらの新規な技術は、プロセス管理、品質、歩留り、設備のスケジュー
リング、およびコスト低減で必要とされる改善を提供する。
する。これらの新規な技術は、プロセス管理、品質、歩留り、設備のスケジュー
リング、およびコスト低減で必要とされる改善を提供する。
【００１８】 本発明の一実施の形態では、新規なデルタ解析技術を用いて、ウェーハファブ
チャンバ等のツールで同じレシピを使用する２回の半導体処理運転間で処理また
は性能に有意差があるかどうかを決定する。第１運転の処理パラメータまたは測
定方法データが時間に対してプロットされ、時間に対するガス流量レート等のデ
ータのグラフを取得する。同様のグラフが、第２の処理運転からのデータを使用
して作成される。グラフは同期した様式で重ね合わされる、例えば、グラフはプ
ロセス始動等の同じ時間のイベントで始まるように重ね合わされる。重ね合わさ
れたグラフの一方のデータが他方のグラフのデータから減算され、それによって
新規なデルタグラフを形成する。コンピュータ実装デルタグラフ解析は、両処理
運転間の非一貫性等の、半導体の処理問題および／または性能問題の識別、解析
、およびトラブルシューティングを容易にする。
チャンバ等のツールで同じレシピを使用する２回の半導体処理運転間で処理また
は性能に有意差があるかどうかを決定する。第１運転の処理パラメータまたは測
定方法データが時間に対してプロットされ、時間に対するガス流量レート等のデ
ータのグラフを取得する。同様のグラフが、第２の処理運転からのデータを使用
して作成される。グラフは同期した様式で重ね合わされる、例えば、グラフはプ
ロセス始動等の同じ時間のイベントで始まるように重ね合わされる。重ね合わさ
れたグラフの一方のデータが他方のグラフのデータから減算され、それによって
新規なデルタグラフを形成する。コンピュータ実装デルタグラフ解析は、両処理
運転間の非一貫性等の、半導体の処理問題および／または性能問題の識別、解析
、およびトラブルシューティングを容易にする。
【００１９】 本発明の別の実施の形態では、同じ半導体処理レシピが、２台の半導体処理チ
ャンバでの生産運転のために使用された。一方のチャンバからのチャンバ圧力等
の処理パラメータまたは測定方法データが時間に対してプロットされ、データ対
時間のグラフを結果として得た。同様のグラフが、他方のチャンバからの時間に
対するデータを使用して作成された。その後、同期したグラフ重ね合わせが、２
つのグラフにつき作成された。重ね合わせグラフの一方のデータが、他方のグラ
フのデータから減算され、こうしてデルタグラフを形成した。次に、デルタグラ
フを用いて、この特定のレシピを使用する際に、これらのチャンバ間に処理また
は性能の有意差があったか否かを判定した。コンピュータ実装の新規なデルタグ
ラフは、チャンバ間の性能差の識別、解析、またはトラブルシューティングに利
用され、従って、ウェーハファブ処理のより高い均一性、改善された設備稼動率
、および改善されたウェーハ歩留りに導く。
ャンバでの生産運転のために使用された。一方のチャンバからのチャンバ圧力等
の処理パラメータまたは測定方法データが時間に対してプロットされ、データ対
時間のグラフを結果として得た。同様のグラフが、他方のチャンバからの時間に
対するデータを使用して作成された。その後、同期したグラフ重ね合わせが、２
つのグラフにつき作成された。重ね合わせグラフの一方のデータが、他方のグラ
フのデータから減算され、こうしてデルタグラフを形成した。次に、デルタグラ
フを用いて、この特定のレシピを使用する際に、これらのチャンバ間に処理また
は性能の有意差があったか否かを判定した。コンピュータ実装の新規なデルタグ
ラフは、チャンバ間の性能差の識別、解析、またはトラブルシューティングに利
用され、従って、ウェーハファブ処理のより高い均一性、改善された設備稼動率
、および改善されたウェーハ歩留りに導く。
【００２０】 本発明のさらに別の実施の形態では、品質管理図が、試験運転または標準運転
等の半導体処理運転について作成される。次に、生産運転の品質管理図が、同一
チャンバにおいて同一レシピを使用して作成される。同期した重ね合わせ管理図
が、試験運転管理図および生産運転管理図を使用して作成される。次に、コンピ
ュータ実装デルタグラフが、一方の管理図のデータを他方の管理図から減算する
ことによって作成される。デルタグラフを解析して、生産運転と試験運転との間
に有意差があるかどうかを決定することによって、生産運転を解析してウェーハ
歩留りを改善するための方法を提供する。
等の半導体処理運転について作成される。次に、生産運転の品質管理図が、同一
チャンバにおいて同一レシピを使用して作成される。同期した重ね合わせ管理図
が、試験運転管理図および生産運転管理図を使用して作成される。次に、コンピ
ュータ実装デルタグラフが、一方の管理図のデータを他方の管理図から減算する
ことによって作成される。デルタグラフを解析して、生産運転と試験運転との間
に有意差があるかどうかを決定することによって、生産運転を解析してウェーハ
歩留りを改善するための方法を提供する。
【００２１】 本発明のなお更に別の実施の形態では、２台のウェーハファブツールを整合さ
せるための品質管理図が、両ツールで同一レシピを使用して、統計的に有意な回
数のプロセス運転を実行することによって作成される。次に、コンピュータ実装
デルタグラフが、時間に対して各ツールからの同じパラメータをプロットし、一
方のツールのデータを他方のツールのデータから減算することによって構築され
る。次に、解析を行って、どの処理運転が満足できるツール整合性能を結果とし
てもたらしたかを判定する。これらの運転を表すデルタグラフは、その後の管理
限界作成に使用され、管理限界はその後のプロセス運転のチャンバ整合性能を評
価することに使用できる。
せるための品質管理図が、両ツールで同一レシピを使用して、統計的に有意な回
数のプロセス運転を実行することによって作成される。次に、コンピュータ実装
デルタグラフが、時間に対して各ツールからの同じパラメータをプロットし、一
方のツールのデータを他方のツールのデータから減算することによって構築され
る。次に、解析を行って、どの処理運転が満足できるツール整合性能を結果とし
てもたらしたかを判定する。これらの運転を表すデルタグラフは、その後の管理
限界作成に使用され、管理限界はその後のプロセス運転のチャンバ整合性能を評
価することに使用できる。
【００２２】 本発明の別の実施の形態では、コンピュータ統合設備時間状態が提供されて、
設備機能の手動および自動スケジューリングを容易にするとともに、処理条件に
応答する改善された能力を提供する。時間状態は、それが統合されるコンピュー
タとのインタラクションによりユーザによってイネーブル化できる。この発明の
一実施の形態では、サービス手順モジュールが提供され、それは、これらの設備
時間状態の一つ以上へ自動的にリンクされ、これらの設備時間状態の一つがイネ
ーブル化される際に作動される。
設備機能の手動および自動スケジューリングを容易にするとともに、処理条件に
応答する改善された能力を提供する。時間状態は、それが統合されるコンピュー
タとのインタラクションによりユーザによってイネーブル化できる。この発明の
一実施の形態では、サービス手順モジュールが提供され、それは、これらの設備
時間状態の一つ以上へ自動的にリンクされ、これらの設備時間状態の一つがイネ
ーブル化される際に作動される。
【００２３】 本発明のさらに別の実施の形態では、コンピュータ統合化された設備時間状態
が、設備で実行されるプロセスと統合される。このプロセスのプロセス／品質プ
ロセス管理技術は、一つ以上の設備時間状態へリンクされ、プロセスが所定のプ
ロセス／品質の管理限界内で操作されていない場合に設備をオフラインに移行さ
せる。
が、設備で実行されるプロセスと統合される。このプロセスのプロセス／品質プ
ロセス管理技術は、一つ以上の設備時間状態へリンクされ、プロセスが所定のプ
ロセス／品質の管理限界内で操作されていない場合に設備をオフラインに移行さ
せる。
【００２４】 本発明の別の実施の形態では、新規なコンピュータ統合化された時間状態が、
トリガーの発生によりツールの予防的メンテナンス時間状態を自動的にイネーブ
ル化するメンテナンストリガーを把握するよう、およびそれに応答するように成
される。メンテナンストリガーの例は、所定の合計ウェーハ枚数、およびツール
の所定の合計操作時間を含む。
トリガーの発生によりツールの予防的メンテナンス時間状態を自動的にイネーブ
ル化するメンテナンストリガーを把握するよう、およびそれに応答するように成
される。メンテナンストリガーの例は、所定の合計ウェーハ枚数、およびツール
の所定の合計操作時間を含む。
【００２５】 本発明の他の実施の形態は、メモリに格納されるデジタル符号化データ構造を
含む。データ構造は、本発明のデルタグラフ手法および設備時間状態を含む。
含む。データ構造は、本発明のデルタグラフ手法および設備時間状態を含む。
【００２６】
本発明およびその実施の形態を説明する中では、明快さのために一定の専門用
語を利用している。そのような専門用語は、記載された実施の形態だけでなく全
ての同等物を含むことが意図されている。
語を利用している。そのような専門用語は、記載された実施の形態だけでなく全
ての同等物を含むことが意図されている。
【００２７】 図６に図解して示す、本発明の一実施の形態は、本発明のＳＰＤＡ（半導体プ
ロセスのデルタ解析）を用いる新規半導体プロセス２００を示す。本明細書に定
義されるように、ＳＰＤＡは、時間に対する処理または性能のデータの２つのグ
ラフ提示が同期され重ね合わされる半導体処理技術を含む。次に、一方のグラフ
のデータが、他方のグラフのデータから減算され、それによって、図１０〜１７
に関連して更に説明するように、デルタグラフを提供する。本明細書で使用され
るように、ＳＰＤＡは、一つの特定ツール、幾つかのツールの組合せ、クラスタ
ーツール、一つのウェーハファブ、または幾つかのウェーハファブの性能を解析
するために好適である。図６に示す新規半導体プロセス２００は、製造環境２１
０、ＳＰＤＡデータ環境２１２、演算環境２１４、解析環境２１６、ＭＥＳ環境
２１８、および報告環境２２０を含む。本明細書で定義されるような表現「環境
」は、データ、データ構造、または情報を獲得するための資源を提供するととも
に、オプションで、獲得されたデータ、データ構造、または情報とインタラクシ
ョンが可能な技術、方法、および／または装置の集合を含む。本明細書で使用さ
れるような環境はコンピュータ環境を含む。本明細書で定義されるような表現「
コンピュータ環境」は、データ、データ構造、または情報を獲得するための資源
を提供する、および獲得されたデータ、データ構造、または情報とインタラクシ
ョンが可能なコンピュータのソフトウエアおよび／またはハードウエアを含む。
ロセスのデルタ解析）を用いる新規半導体プロセス２００を示す。本明細書に定
義されるように、ＳＰＤＡは、時間に対する処理または性能のデータの２つのグ
ラフ提示が同期され重ね合わされる半導体処理技術を含む。次に、一方のグラフ
のデータが、他方のグラフのデータから減算され、それによって、図１０〜１７
に関連して更に説明するように、デルタグラフを提供する。本明細書で使用され
るように、ＳＰＤＡは、一つの特定ツール、幾つかのツールの組合せ、クラスタ
ーツール、一つのウェーハファブ、または幾つかのウェーハファブの性能を解析
するために好適である。図６に示す新規半導体プロセス２００は、製造環境２１
０、ＳＰＤＡデータ環境２１２、演算環境２１４、解析環境２１６、ＭＥＳ環境
２１８、および報告環境２２０を含む。本明細書で定義されるような表現「環境
」は、データ、データ構造、または情報を獲得するための資源を提供するととも
に、オプションで、獲得されたデータ、データ構造、または情報とインタラクシ
ョンが可能な技術、方法、および／または装置の集合を含む。本明細書で使用さ
れるような環境はコンピュータ環境を含む。本明細書で定義されるような表現「
コンピュータ環境」は、データ、データ構造、または情報を獲得するための資源
を提供する、および獲得されたデータ、データ構造、または情報とインタラクシ
ョンが可能なコンピュータのソフトウエアおよび／またはハードウエアを含む。
【００２８】 図６に示す製造環境２１０は、ＩＣ構造等のウェーハファブの装置または装置
構成要素を製造する製造の装置、技術、および方法を含む。本明細書で定義する
ような表現「ＩＣ構造」は、完全に形成されたＩＣおよび部分的に形成されたＩ
Ｃを含む。製造環境は、ＩＣ構造を形成するために必要であるようなコントロー
ラおよび入力装置を含む。好適なコントローラは、プロセッサ、例えばオンボー
ドコンピュータ等のマイクロプロセッサと、コンピュータ操作されるソフトウエ
アと、スイッチや例えばポテンショメータ等の可変抵抗器を用いる電気回路等の
機械的／電気的コントローラとを含む。これらのコントローラは、製造環境２１
０内のガス流量レートおよびウェーハハンドリング等の、種々のプロセスおよび
操作上機能を操作または制御する。２１０のような製造環境の好適例は、チャン
バ等のウェーハファブツール、幾つかのツールの組合せ、クラスタツール、また
は一つ以上のウェーハファブを含む。
構成要素を製造する製造の装置、技術、および方法を含む。本明細書で定義する
ような表現「ＩＣ構造」は、完全に形成されたＩＣおよび部分的に形成されたＩ
Ｃを含む。製造環境は、ＩＣ構造を形成するために必要であるようなコントロー
ラおよび入力装置を含む。好適なコントローラは、プロセッサ、例えばオンボー
ドコンピュータ等のマイクロプロセッサと、コンピュータ操作されるソフトウエ
アと、スイッチや例えばポテンショメータ等の可変抵抗器を用いる電気回路等の
機械的／電気的コントローラとを含む。これらのコントローラは、製造環境２１
０内のガス流量レートおよびウェーハハンドリング等の、種々のプロセスおよび
操作上機能を操作または制御する。２１０のような製造環境の好適例は、チャン
バ等のウェーハファブツール、幾つかのツールの組合せ、クラスタツール、また
は一つ以上のウェーハファブを含む。
【００２９】 図６に示すＳＰＤＡデータ環境２１２は、製造環境２１０から情報を受取るよ
うに成されている。この情報は、処理情報、および運転またはウェーハＩＤ情報
を含むことができる。情報、例えば処理運転全体のまたは一部におけるチャンバ
圧力は、この技術に通常に精通するの者にはよく知られるような手法または技術
を使用して、特定の時間間隔の間に収集することができる。例えばデータプロセ
ッサを使用する演算環境２１４を用いて、ＳＰＤＡデータ環境２１２で収集され
た情報をチャート化する、つまりプロットする。チャンバ圧力データ等のデータ
は、特定の運転に対して、または特定のウェーハの処理に対して時間に対してチ
ャート化することができる。データ収集およびチャート化プロセスは、幾つかの
処理運転に対して繰返すことができる。このようにして取得されたグラフ、つま
りチャートは、始動イベント等の共通処理イベントへグラフが同期され、そして
チャートの時間間隔の各々で一方のグラフの圧力データを他方のグラフのデータ
から減算することによってＳＰＤＡを展開することができる。この減算プロセス
の結果、減算結果が時間に対してプロットされたデルタグラフが得られる。本明
細書で定義されるような用語「デルタグラフ」は、図１０および１２〜１５に関
係して更に説明するように、グラフの同期重ね合わせにおいて、一方のグラフの
他方のグラフからの減算による結果として得られるグラフを含む。本明細書に定
義されるような用語「同期された」は、グラフが重ね合わされる際に一致する共
通のイベントつまりデータ点を共有するように、２つのグラフが重ね合わされる
チャート化技術を含む。本明細書に定義されるような用語「共有イベント」は、
データが時間に対してプロットされる場合に、例えば時間がプロセスの始動でゼ
ロに等しいイベント等、２つ以上のグラフに共通なイベントつまりデータ点を含
む。
うに成されている。この情報は、処理情報、および運転またはウェーハＩＤ情報
を含むことができる。情報、例えば処理運転全体のまたは一部におけるチャンバ
圧力は、この技術に通常に精通するの者にはよく知られるような手法または技術
を使用して、特定の時間間隔の間に収集することができる。例えばデータプロセ
ッサを使用する演算環境２１４を用いて、ＳＰＤＡデータ環境２１２で収集され
た情報をチャート化する、つまりプロットする。チャンバ圧力データ等のデータ
は、特定の運転に対して、または特定のウェーハの処理に対して時間に対してチ
ャート化することができる。データ収集およびチャート化プロセスは、幾つかの
処理運転に対して繰返すことができる。このようにして取得されたグラフ、つま
りチャートは、始動イベント等の共通処理イベントへグラフが同期され、そして
チャートの時間間隔の各々で一方のグラフの圧力データを他方のグラフのデータ
から減算することによってＳＰＤＡを展開することができる。この減算プロセス
の結果、減算結果が時間に対してプロットされたデルタグラフが得られる。本明
細書で定義されるような用語「デルタグラフ」は、図１０および１２〜１５に関
係して更に説明するように、グラフの同期重ね合わせにおいて、一方のグラフの
他方のグラフからの減算による結果として得られるグラフを含む。本明細書に定
義されるような用語「同期された」は、グラフが重ね合わされる際に一致する共
通のイベントつまりデータ点を共有するように、２つのグラフが重ね合わされる
チャート化技術を含む。本明細書に定義されるような用語「共有イベント」は、
データが時間に対してプロットされる場合に、例えば時間がプロセスの始動でゼ
ロに等しいイベント等、２つ以上のグラフに共通なイベントつまりデータ点を含
む。
【００３０】 解析環境２１６（図６を参照されたい）は、デルタグラフを解析するために設
けられている。例えば、２つの処理運転が同一であるときに、結果として得られ
るデルタグラフは、グラフの時間軸に略平行な実質的な直線であり、グラフ上の
各データ点の値はほぼゼロである。実質的な直線からの統計的に有意な偏差はい
ずれも、２つの処理運転間に差があることを指し示し、それは処理上および／ま
たは設備上の問題または機能不全の可能性を指し示す。従って、ＳＰＤＡは、半
導体処理技術および／または設備性能の識別と異常対処を支援する。解析環境２
１６は個別の環境として示されるとはいえ、解析環境を、ＳＰＤＡデータの環境
２１２または演算環境２１４へ組込むことも意図される。
けられている。例えば、２つの処理運転が同一であるときに、結果として得られ
るデルタグラフは、グラフの時間軸に略平行な実質的な直線であり、グラフ上の
各データ点の値はほぼゼロである。実質的な直線からの統計的に有意な偏差はい
ずれも、２つの処理運転間に差があることを指し示し、それは処理上および／ま
たは設備上の問題または機能不全の可能性を指し示す。従って、ＳＰＤＡは、半
導体処理技術および／または設備性能の識別と異常対処を支援する。解析環境２
１６は個別の環境として示されるとはいえ、解析環境を、ＳＰＤＡデータの環境
２１２または演算環境２１４へ組込むことも意図される。
【００３１】 図６に示すＭＥＳ(製造実行システム)環境２１８は、新規半導体プロセス２０
０の生産関連アクティビティの、情報、制御、決定、および機能コーディネート
を提供する。ＭＥＳ環境２１８は、分析環境２１６で判定されるようなＳＰＤＡ
分析結果を獲得する。次に、ＭＥＳ環境は、製造環境２１０のプロセスが、予め
定義した処理パラメータ内または処理基準内にあるか、あるいはそこから外れて
いるかを判定する。次に、ＭＥＳ環境２１８内の決定機能が呼び出されて、製造
環境２１０内で介入を開始すべきか否かを決定することができる。そのような介
入は、運転を中止すること、チャンバ圧力等のパラメータを調節すること、処理
のために追加ウェーハをスケジューリングすること、あるいは修理またはメンテ
ナンスのアクティビティをスケジューリングすること、を含むことができる。こ
の介入は、図６に示すようなプロセス２００のリンク２２２と２２４を介して実
行されることができる。オプションとして、プロセス２００が報告環境２２０を
提供されて、例えば図６に示すリンク２２８，２３０，２３２，２３４，２３６
および２３８を用いて本発明の環境からデータおよび他の情報を獲得する。また
、ＭＥＳ環境２１８が製造環境２１０へリンクされるとき、報告は、報告環境２
２０へのリンク２２６を使用して同時に生成されることができる。上記リンクお
よびリンク２３８（図６）、２４０、２４２および２４４は、プロセス２００の
種々の環境間でデータと情報を手動で通信することによって提供されるリンク、
無線接続、および実体線接続を含む。これらのリンク化技術は、この技術に通常
に精通した当業者にはよく知られている。
０の生産関連アクティビティの、情報、制御、決定、および機能コーディネート
を提供する。ＭＥＳ環境２１８は、分析環境２１６で判定されるようなＳＰＤＡ
分析結果を獲得する。次に、ＭＥＳ環境は、製造環境２１０のプロセスが、予め
定義した処理パラメータ内または処理基準内にあるか、あるいはそこから外れて
いるかを判定する。次に、ＭＥＳ環境２１８内の決定機能が呼び出されて、製造
環境２１０内で介入を開始すべきか否かを決定することができる。そのような介
入は、運転を中止すること、チャンバ圧力等のパラメータを調節すること、処理
のために追加ウェーハをスケジューリングすること、あるいは修理またはメンテ
ナンスのアクティビティをスケジューリングすること、を含むことができる。こ
の介入は、図６に示すようなプロセス２００のリンク２２２と２２４を介して実
行されることができる。オプションとして、プロセス２００が報告環境２２０を
提供されて、例えば図６に示すリンク２２８，２３０，２３２，２３４，２３６
および２３８を用いて本発明の環境からデータおよび他の情報を獲得する。また
、ＭＥＳ環境２１８が製造環境２１０へリンクされるとき、報告は、報告環境２
２０へのリンク２２６を使用して同時に生成されることができる。上記リンクお
よびリンク２３８（図６）、２４０、２４２および２４４は、プロセス２００の
種々の環境間でデータと情報を手動で通信することによって提供されるリンク、
無線接続、および実体線接続を含む。これらのリンク化技術は、この技術に通常
に精通した当業者にはよく知られている。
【００３２】 図７は、本発明の別の実施の形態の概略図であり、２台のウェーハ処理チャン
バを用いる、本発明のＳＰＤＡを使用した新規半導体プロセス３００を示す。プ
ロセス３００は、ウェーハ処理チャンバ３１２および３１４を備える製造環境３
１０、ＳＰＤＡデータ環境３２０、演算環境３３０、解析環境３４０、ＭＥＳ環
境３５０、および報告環境３６０を含む。オプションとして、ＭＥＳ環境は、Ｍ
ＩＳ（経営情報システム）構成要素（図示しない）を含むことができる。好まし
くは、環境３２０、３３０、３４０、３５０および３６０はコンピュータ環境を
備える。
バを用いる、本発明のＳＰＤＡを使用した新規半導体プロセス３００を示す。プ
ロセス３００は、ウェーハ処理チャンバ３１２および３１４を備える製造環境３
１０、ＳＰＤＡデータ環境３２０、演算環境３３０、解析環境３４０、ＭＥＳ環
境３５０、および報告環境３６０を含む。オプションとして、ＭＥＳ環境は、Ｍ
ＩＳ（経営情報システム）構成要素（図示しない）を含むことができる。好まし
くは、環境３２０、３３０、３４０、３５０および３６０はコンピュータ環境を
備える。
【００３３】 図８は新規プロセス３００のウェーハ処理チャンバ３１２を示し、チャンバ３
１２は、例えば、コントローラ４１０、４１２、４１４、４１６、４１８および
４２０のようなチャンバーコントローラを設定または調整して、入力装置４２２
および４２４へ情報を提供する種々の入力を、ＭＥＳ環境３５０から受取る。Ｍ
ＥＳ環境３５０からのＭＥＳ入力に基づき、チャンバーステータスコントローラ
４１０は、チャンバのステータス、つまり待機中オンライン４２６、プロセス中
オンライン４２８、またはオフライン４３０を選定する。コントローラ４１２を
用いて、チャンバーステータスをウェーハファブシステム（図示しない）へリン
クする４３２か、リンクしない４３４かを選択する。コントローラ４１４は、電
力、水、および廃棄生成物除去等の設備システムのパラメータ４３６を制御する
。コントローラ４１６は、プロセスガスの流量レートおよび圧力等のチャンバ処
理パラメータ４３８を制御する。チャンバ測定方法パラメータ４４０はコントロ
ーラ４１８によって制御され、これらは、例えば'２９７のスパッタ堆積レート
モニタ、および検査のサンプリング頻度等のプロセス検査パラメータを制御する
ことを含む。ウェーハハンドリングロボットの操作パラメータ等のウェーハハン
ドリングパラメータ４４２は、コントローラ４２０によって制御される。ＭＥＳ
環境３５０からの入力は、例えば、チャンバをオフラインステータスに入れるこ
とにより、チャンバの全ての処理機能を止めるよう、チャンバーステータスコン
トローラ４１０を使用して生産運転を中止するために利用できる。
１２は、例えば、コントローラ４１０、４１２、４１４、４１６、４１８および
４２０のようなチャンバーコントローラを設定または調整して、入力装置４２２
および４２４へ情報を提供する種々の入力を、ＭＥＳ環境３５０から受取る。Ｍ
ＥＳ環境３５０からのＭＥＳ入力に基づき、チャンバーステータスコントローラ
４１０は、チャンバのステータス、つまり待機中オンライン４２６、プロセス中
オンライン４２８、またはオフライン４３０を選定する。コントローラ４１２を
用いて、チャンバーステータスをウェーハファブシステム（図示しない）へリン
クする４３２か、リンクしない４３４かを選択する。コントローラ４１４は、電
力、水、および廃棄生成物除去等の設備システムのパラメータ４３６を制御する
。コントローラ４１６は、プロセスガスの流量レートおよび圧力等のチャンバ処
理パラメータ４３８を制御する。チャンバ測定方法パラメータ４４０はコントロ
ーラ４１８によって制御され、これらは、例えば'２９７のスパッタ堆積レート
モニタ、および検査のサンプリング頻度等のプロセス検査パラメータを制御する
ことを含む。ウェーハハンドリングロボットの操作パラメータ等のウェーハハン
ドリングパラメータ４４２は、コントローラ４２０によって制御される。ＭＥＳ
環境３５０からの入力は、例えば、チャンバをオフラインステータスに入れるこ
とにより、チャンバの全ての処理機能を止めるよう、チャンバーステータスコン
トローラ４１０を使用して生産運転を中止するために利用できる。
【００３４】 図７および８に示すＭＥＳ環境３５０を利用して、生産運転情報入力装置４２
２によって生産運転情報４４４を提供することができる。そのような情報は、運
転識別子、運転のデータまたは目的、例えば試験、生産、または再加工を含むこ
とができる。製造環境４１０のチャンバ３１２におけるウェーハ兼ウェーハロッ
ト識別子４４６は、ウェーハ識別子入力装置４２４によって提供されることがで
きる。チャンバ測定方法結果４５８は、チャンバ測定方法パラメータ４４０を用
いた検査手順を使用して得られる。これらの結果は、ガス流量レート、チャンバ
圧力、または、例えば‘２９７特許に開示されたようなスパッタ堆積ソースから
堆積基板へ材料が流動しているレートを含む。オプションで、チャンバ３１２は
、例えば、チャンバ３１２の構成要素によって生成される警報信号に応答する、
非ＭＥＳ入力３５５を介する別途の入力を受取ることができる。
２によって生産運転情報４４４を提供することができる。そのような情報は、運
転識別子、運転のデータまたは目的、例えば試験、生産、または再加工を含むこ
とができる。製造環境４１０のチャンバ３１２におけるウェーハ兼ウェーハロッ
ト識別子４４６は、ウェーハ識別子入力装置４２４によって提供されることがで
きる。チャンバ測定方法結果４５８は、チャンバ測定方法パラメータ４４０を用
いた検査手順を使用して得られる。これらの結果は、ガス流量レート、チャンバ
圧力、または、例えば‘２９７特許に開示されたようなスパッタ堆積ソースから
堆積基板へ材料が流動しているレートを含む。オプションで、チャンバ３１２は
、例えば、チャンバ３１２の構成要素によって生成される警報信号に応答する、
非ＭＥＳ入力３５５を介する別途の入力を受取ることができる。
【００３５】 図７に示すように、本発明のプロセス３００はＳＰＤＡ環境３２０を利用して
、製造環境３１０のチャンバ３１２からインプロセス測定方法結果、ウェーハＩ
Ｄ，または運転情報等のデータを獲得する。チャンバ３１２からのＳＰＤＡデー
タの獲得は図７および８に図解的に示され下記の通りである。生産運転情報４４
４およびウェーハＩＤ４４６データだけでなくチャンバ測定方法パラメータ情報
４４０および測定方法結果４５８も、リンク４５５を介してＳＰＤＡ環境３２０
へ提供されることができる。
、製造環境３１０のチャンバ３１２からインプロセス測定方法結果、ウェーハＩ
Ｄ，または運転情報等のデータを獲得する。チャンバ３１２からのＳＰＤＡデー
タの獲得は図７および８に図解的に示され下記の通りである。生産運転情報４４
４およびウェーハＩＤ４４６データだけでなくチャンバ測定方法パラメータ情報
４４０および測定方法結果４５８も、リンク４５５を介してＳＰＤＡ環境３２０
へ提供されることができる。
【００３６】 図７および８に示す演算環境３３０を利用して、図１０および１１に関連して
更に説明するように、ＳＰＤＡ環境のデータ処理および報告をサポートする計算
を遂行する。図９に示すように、演算環境３３０は、普通にはマイクロプロセッ
サ等のプロセッサ５１０、アルゴリズムまたはデータ構造５１１、データベース
５１２、メモリ５１３、第１の新規アルゴリズム５１４、第２の新規アルゴリズ
ム５１５、オプションでのネットワーク構成要素５１６、およびオプションでの
ＡＩ（人工知能）構成要素５１７を含む。
更に説明するように、ＳＰＤＡ環境のデータ処理および報告をサポートする計算
を遂行する。図９に示すように、演算環境３３０は、普通にはマイクロプロセッ
サ等のプロセッサ５１０、アルゴリズムまたはデータ構造５１１、データベース
５１２、メモリ５１３、第１の新規アルゴリズム５１４、第２の新規アルゴリズ
ム５１５、オプションでのネットワーク構成要素５１６、およびオプションでの
ＡＩ（人工知能）構成要素５１７を含む。
【００３７】 アルゴリズムまたはデータ構造５１２（図９）が、この技術に通常に精通した
当業者によく知られる方法を使用して、プロセッサ５１０およびこのプロセッサ
に連動する任意の周辺装置を操作するだけでなく、ＳＰＤＡ環境３２０において
獲得される測定方法およびウェーハＩＤのデータのような情報を処理する。例え
ば、ＳＰＤＡ環境３２０は、チャンバ３１２における半導体エッチングプロセス
の、時間に対するバイアスフォワード電力、を収集した。これらのデータは、こ
の技術に通常に精通した当業者によく知られるようなデータ通信技術を使用して
演算環境３３０へ送信された。データは、次に、例えばアルゴリズム５１１を使
用して演算環境で演算されて、バイアスフォワード（すなわち、陰極）電力が時
間に対してプロットされる図１０に示すグラフ５１８を取得した。同様に、ＳＰ
ＤＡ環境３２０は、チャンバ３１２内で実行されるエッチングプロセスのチャン
バ圧力対時間データを獲得した。データは演算環境３３０で演算され、図１１に
示すグラフ５１９を結果として得た。グラフ５１８および５１９における結果の
ようなデータをプロットするためのアルゴリズム５１１は、この技術に通常に精
通した当業者にはよく知られている。グラフ５１８および５１９は、演算環境３
３０にデジタル形式で保存されることもでき、あるいはコンピュータモニタ上に
表示されることもできる。加えて、グラフは、例えば図７に示す報告環境３６０
を使用して、印刷形式で提供されることができる。
当業者によく知られる方法を使用して、プロセッサ５１０およびこのプロセッサ
に連動する任意の周辺装置を操作するだけでなく、ＳＰＤＡ環境３２０において
獲得される測定方法およびウェーハＩＤのデータのような情報を処理する。例え
ば、ＳＰＤＡ環境３２０は、チャンバ３１２における半導体エッチングプロセス
の、時間に対するバイアスフォワード電力、を収集した。これらのデータは、こ
の技術に通常に精通した当業者によく知られるようなデータ通信技術を使用して
演算環境３３０へ送信された。データは、次に、例えばアルゴリズム５１１を使
用して演算環境で演算されて、バイアスフォワード（すなわち、陰極）電力が時
間に対してプロットされる図１０に示すグラフ５１８を取得した。同様に、ＳＰ
ＤＡ環境３２０は、チャンバ３１２内で実行されるエッチングプロセスのチャン
バ圧力対時間データを獲得した。データは演算環境３３０で演算され、図１１に
示すグラフ５１９を結果として得た。グラフ５１８および５１９における結果の
ようなデータをプロットするためのアルゴリズム５１１は、この技術に通常に精
通した当業者にはよく知られている。グラフ５１８および５１９は、演算環境３
３０にデジタル形式で保存されることもでき、あるいはコンピュータモニタ上に
表示されることもできる。加えて、グラフは、例えば図７に示す報告環境３６０
を使用して、印刷形式で提供されることができる。
【００３８】 図７に示すチャンバ３１４は、図７および８に示すチャンバ３１２に類似する
。チャンバ３１４からのデータは、図１０と１１に関連して説明した技術と同様
な技術を使用して、ＳＰＤＡ環境３２０（図７）で収集される。これらの技術を
使用して、ＳＰＤＡデータ環境３２０は、チャンバ３１２からこれらのデータを
収集するのに使用されたエッチングプロセスとエッチングプロセスのチャンバ圧
力対時間データだけでなくバイアスフォワード電力対時間データも獲得した。次
に、チャンバ３１４から取得されたデータは、チャンバ３１２に関してグラフ５
１８（図１０）および５１９（図１１）をプロットする際に用いられた技術を使
用してプロットされてグラフを得た。その後に、新規アルゴリズム５１４（図９
）を用いて、図１２に図で示すグラフ重ね合わせを作る。ステップ５２６で、チ
ャンバ３１２からのバイアスフォワードデジタル変換器信号５２２と、チャンバ
３１４からのバイアスフォワード電力デジタル変換器信号５２４とが同期された
。次に、同期した出力が重ね合わされて（ステップ５２８を参照されたい。）、
グラフ５１８、すなわちチャンバ３１２のバイアスフォワード電力対時間グラフ
と、チャンバ３１４からの対応するグラフであるグラフ５３４との重ね合わせを
構築した。グラフ５１８と５３４との同期した重ね合わせを、図１３に示す。
。チャンバ３１４からのデータは、図１０と１１に関連して説明した技術と同様
な技術を使用して、ＳＰＤＡ環境３２０（図７）で収集される。これらの技術を
使用して、ＳＰＤＡデータ環境３２０は、チャンバ３１２からこれらのデータを
収集するのに使用されたエッチングプロセスとエッチングプロセスのチャンバ圧
力対時間データだけでなくバイアスフォワード電力対時間データも獲得した。次
に、チャンバ３１４から取得されたデータは、チャンバ３１２に関してグラフ５
１８（図１０）および５１９（図１１）をプロットする際に用いられた技術を使
用してプロットされてグラフを得た。その後に、新規アルゴリズム５１４（図９
）を用いて、図１２に図で示すグラフ重ね合わせを作る。ステップ５２６で、チ
ャンバ３１２からのバイアスフォワードデジタル変換器信号５２２と、チャンバ
３１４からのバイアスフォワード電力デジタル変換器信号５２４とが同期された
。次に、同期した出力が重ね合わされて（ステップ５２８を参照されたい。）、
グラフ５１８、すなわちチャンバ３１２のバイアスフォワード電力対時間グラフ
と、チャンバ３１４からの対応するグラフであるグラフ５３４との重ね合わせを
構築した。グラフ５１８と５３４との同期した重ね合わせを、図１３に示す。
【００３９】 次いで本発明に従って、図１２に示すステップ５３０で、新規アルゴリズム５
１５（図９および１２）を用いて、グラフ５１８のバイアスフォワード電力デー
タを、グラフ５３４のそれから減算した。このステップで、チャンバ３１２のデ
ジタル変換器出力が、チャンバ３１４の同期したデジタル変換器出力から減算さ
れた。その後に、ステップ５３２で、変換器出力の減算の結果として、デルタグ
ラフが形成された。得られたデルタグラフ５３６を図１４に示す。従って、デル
タグラフ５３６は、用いられたエッチングプロセス中のチャンバ３１２と３１４
との間のバイアスフォワード電力差を図示する。このグラフからチャンバ３１２
と３１４との間のバイアスフォワード電力に有意な差があったことを結論付ける
ことができる。驚くべきことに、図１２と１３を比較すると、チャンバ３１２と
３１４との間の性能差は、グラフ５１８と５３４の重ね合わせ（図１３）におけ
るよりも、新規ＳＰＤＡのデルタグラフ５３６（図１４）での方がより明瞭に示
されている。
１５（図９および１２）を用いて、グラフ５１８のバイアスフォワード電力デー
タを、グラフ５３４のそれから減算した。このステップで、チャンバ３１２のデ
ジタル変換器出力が、チャンバ３１４の同期したデジタル変換器出力から減算さ
れた。その後に、ステップ５３２で、変換器出力の減算の結果として、デルタグ
ラフが形成された。得られたデルタグラフ５３６を図１４に示す。従って、デル
タグラフ５３６は、用いられたエッチングプロセス中のチャンバ３１２と３１４
との間のバイアスフォワード電力差を図示する。このグラフからチャンバ３１２
と３１４との間のバイアスフォワード電力に有意な差があったことを結論付ける
ことができる。驚くべきことに、図１２と１３を比較すると、チャンバ３１２と
３１４との間の性能差は、グラフ５１８と５３４の重ね合わせ（図１３）におけ
るよりも、新規ＳＰＤＡのデルタグラフ５３６（図１４）での方がより明瞭に示
されている。
【００４０】 グラフ５１８および５３４のグラフ重ね合わせを作成するために使用した技術
および方法を同様に用いて、チャンバ３１２および３１４に関するチャンバ圧力
対時間のグラフ重ね合わせを作成した。図１５に示すように、グラフ５１９（図
１１）、すなわちチャンバ３１２のエッチングプロセスのチャンバ圧力対時間の
グラフと、チャンバ３１４のチャンバ圧力対時間を表すグラフ５３８との同期し
た重ね合わせが、作成された。本発明のデルタグラフ５４０（図１６を参照され
たい。）が、グラフ５３８すなわちチャンバ３１４のチャンバ圧力データを、グ
ラフ５１９すなわちチャンバ３１２のそれから減算することによって作成された
。図１５に示す重ね合わせグラフと図１６に示すデルタグラフとの間の比較は、
チャンバ３１２と３１４との間に圧力性能差があったことを更に明瞭に示す。
および方法を同様に用いて、チャンバ３１２および３１４に関するチャンバ圧力
対時間のグラフ重ね合わせを作成した。図１５に示すように、グラフ５１９（図
１１）、すなわちチャンバ３１２のエッチングプロセスのチャンバ圧力対時間の
グラフと、チャンバ３１４のチャンバ圧力対時間を表すグラフ５３８との同期し
た重ね合わせが、作成された。本発明のデルタグラフ５４０（図１６を参照され
たい。）が、グラフ５３８すなわちチャンバ３１４のチャンバ圧力データを、グ
ラフ５１９すなわちチャンバ３１２のそれから減算することによって作成された
。図１５に示す重ね合わせグラフと図１６に示すデルタグラフとの間の比較は、
チャンバ３１２と３１４との間に圧力性能差があったことを更に明瞭に示す。
【００４１】 図１７に示すデルタグラフ５４２は、本発明のＳＰＤＡ技術を用いることによ
って得られた。このデルタグラフは、図１０〜１６に関連して説明した方法およ
び技術を用いて、同じレシピを使用するチャンバ３１２および３１４と同様な２
台の処理チャンバのＲＦピーク・ツー・ピーク電圧（すなわち、ソースコイルを
横切る全電圧降下）対時間グラフの減算の結果である。デルタグラフ５４２は、
ＲＦピーク・ツー・ピーク電圧に関して２台のチャンバ間の有意な性能差を示す
。
って得られた。このデルタグラフは、図１０〜１６に関連して説明した方法およ
び技術を用いて、同じレシピを使用するチャンバ３１２および３１４と同様な２
台の処理チャンバのＲＦピーク・ツー・ピーク電圧（すなわち、ソースコイルを
横切る全電圧降下）対時間グラフの減算の結果である。デルタグラフ５４２は、
ＲＦピーク・ツー・ピーク電圧に関して２台のチャンバ間の有意な性能差を示す
。
【００４２】 図９に戻ると、演算環境３３０のデータベース５１２は、チャンバーパラメー
タ、測定方法、および、ウェーハＩＤまたは運転のデータを含むことができる。
メモリ５１３は、例えばインプロセス測定方法データを格納することに使用でき
る。オプションのネットワーク構成要素５１６は、例えばバスまたはＬＡＮ（ロ
ーカルエリアネットワーク）を使用して、新規プロセス３００と、遠隔データベ
ースまたは遠隔管理機能等の外部エンティティとの間のリンクを提供する。オプ
ションのＡＩ構成要素５１７を用いて、例えば、多くの生産運転で得られた経験
に基づいて、測定方法パラメータおよびデータを選定するようデータベース５１
２に格納されたデータを処理することに使用することができる。本明細書に説明
したように、演算環境３３０は、本発明のＳＰＤＡ手法および手順と併せて利用
される。しかし、この演算環境を製造環境３１０と関連して実施されるプロセス
の、いずれかおよび全ての機能のために使用することも意図される。新規プロセ
ス３００の種々の環境間のリンクは、図７に図解して示される。これらのリンク
は、プロセス３００の種々の環境間でデータおよび情報を手動で通信することに
よって提供されるリンク、無線接続、および実体線接続を含む。これらのリンク
化技術は、この技術に通常に精通した当業者にはよく知られている。
タ、測定方法、および、ウェーハＩＤまたは運転のデータを含むことができる。
メモリ５１３は、例えばインプロセス測定方法データを格納することに使用でき
る。オプションのネットワーク構成要素５１６は、例えばバスまたはＬＡＮ（ロ
ーカルエリアネットワーク）を使用して、新規プロセス３００と、遠隔データベ
ースまたは遠隔管理機能等の外部エンティティとの間のリンクを提供する。オプ
ションのＡＩ構成要素５１７を用いて、例えば、多くの生産運転で得られた経験
に基づいて、測定方法パラメータおよびデータを選定するようデータベース５１
２に格納されたデータを処理することに使用することができる。本明細書に説明
したように、演算環境３３０は、本発明のＳＰＤＡ手法および手順と併せて利用
される。しかし、この演算環境を製造環境３１０と関連して実施されるプロセス
の、いずれかおよび全ての機能のために使用することも意図される。新規プロセ
ス３００の種々の環境間のリンクは、図７に図解して示される。これらのリンク
は、プロセス３００の種々の環境間でデータおよび情報を手動で通信することに
よって提供されるリンク、無線接続、および実体線接続を含む。これらのリンク
化技術は、この技術に通常に精通した当業者にはよく知られている。
【００４３】 メモリに格納される新規アルゴリズム５１４および５１５（図１２）を含む、
一つ以上のデジタル符号化データ構造を備える新規な製品、または新規な装置を
提供することも考慮される。この新規な製品のために好適なメモリは、コンピュ
ータディスク、磁気テープ、および光ディスク等のリムーバブル電子データ記憶
装置を含む。新規な装置のために好適なメモリは、メモリを有する、コンピュー
タ等のデータ処理装置を含む。
一つ以上のデジタル符号化データ構造を備える新規な製品、または新規な装置を
提供することも考慮される。この新規な製品のために好適なメモリは、コンピュ
ータディスク、磁気テープ、および光ディスク等のリムーバブル電子データ記憶
装置を含む。新規な装置のために好適なメモリは、メモリを有する、コンピュー
タ等のデータ処理装置を含む。
【００４４】 図７および９に概略的に示すように、解析環境３４０は、本発明のＳＰＤＡ技
術の結果を解析するために提供されて、ＩＣ処理における処理上または設備上の
問題を同定する、異常対処する、または正す。例えば、それぞれ図１４、１６お
よび１７に示すデルタグラフ５３６、５４０および５４２の解析は、図７に示す
製造環境３１０のチャンバ３１２と３１４との間に有意な性能差があること指し
示している。これは、チャンバを整合するために、チャンバの一方、または両チ
ャンバの処理パラメータに調節が必要であることを意味する。そのようなチャン
バ整合は、ウェーハ歩留りの向上およびスクラップの低減だけでなく、生産用ウ
ェーハファブを準備するのに必要な時間を削減する点においても重要である。解
析環境３４０は本発明の他の環境とは別な環境として示されたが、解析環境３４
０を演算環境３３０（図７）またはＳＰＤＡデータ環境３２０と統合することも
意図される。例えば、ＳＰＤＡ環境３２０、演算環境３３０、および解析環境３
４０を一つのコンピュータ環境内に含めることが意図される。
術の結果を解析するために提供されて、ＩＣ処理における処理上または設備上の
問題を同定する、異常対処する、または正す。例えば、それぞれ図１４、１６お
よび１７に示すデルタグラフ５３６、５４０および５４２の解析は、図７に示す
製造環境３１０のチャンバ３１２と３１４との間に有意な性能差があること指し
示している。これは、チャンバを整合するために、チャンバの一方、または両チ
ャンバの処理パラメータに調節が必要であることを意味する。そのようなチャン
バ整合は、ウェーハ歩留りの向上およびスクラップの低減だけでなく、生産用ウ
ェーハファブを準備するのに必要な時間を削減する点においても重要である。解
析環境３４０は本発明の他の環境とは別な環境として示されたが、解析環境３４
０を演算環境３３０（図７）またはＳＰＤＡデータ環境３２０と統合することも
意図される。例えば、ＳＰＤＡ環境３２０、演算環境３３０、および解析環境３
４０を一つのコンピュータ環境内に含めることが意図される。
【００４５】 解析環境３４０で実行された解析の結果は、図７に概略的に示すように、ＭＥ
Ｓ環境３５０に獲得される。チャンバ３１２および３１４が所定の整合処理性能
または処理基準を満たさないことを解析が示場合、ＭＥＳ決定が成されて、プロ
セスに介入する。この介入は、例えば、図７に図解されるリンク５５０および５
５２を使用した、ＭＥＳ環境３５０からチャンバ３１２および３１４に至る自動
化／閉ループの介入であってよい。オプションで、同じリンクを用いた非自動化
介入であることもできる。そのような介入は、チャンバ３１２および／またはチ
ャンバ３１４の、処理パラメータを調節すること、そして設備のメンテナンスま
たは修理を行うことを含む。オプションで、これらリンクを用いた非自動化ＭＥ
Ｓ介入であることもできる。
Ｓ環境３５０に獲得される。チャンバ３１２および３１４が所定の整合処理性能
または処理基準を満たさないことを解析が示場合、ＭＥＳ決定が成されて、プロ
セスに介入する。この介入は、例えば、図７に図解されるリンク５５０および５
５２を使用した、ＭＥＳ環境３５０からチャンバ３１２および３１４に至る自動
化／閉ループの介入であってよい。オプションで、同じリンクを用いた非自動化
介入であることもできる。そのような介入は、チャンバ３１２および／またはチ
ャンバ３１４の、処理パラメータを調節すること、そして設備のメンテナンスま
たは修理を行うことを含む。オプションで、これらリンクを用いた非自動化ＭＥ
Ｓ介入であることもできる。
【００４６】 図８に概略的に示すように、チャンバ３１２との自動化および非自動化のＭＥ
Ｓ介入は、コントローラ４１０、４１２、４１４、４１６、４１８および４２０
だけでなく、情報入力装置４２２および４２４も介して実行できる。普通には、
チャンバ３１２のようなウェーハファブツールは、種々のプロセスおよび操作上
機能を操作または制御するために、オンボードコンピュータまたは分散コンピュ
ータ機能を用い、そして、ＭＥＳ環境３５０（図７）およびＳＰＤＡデータ環境
３２０はチャンバ３１２にアクセスするために特別なプロトコルを必要とするこ
とが理解されよう。報告環境３６０は、図７に概略的に示すように、本発明の種
々の環境からデータおよび他の情報を獲得できる。例えば、ＭＥＳ環境３５０が
双方向リンク５５０および５５２を介してチャンバ３１２へリンクされる際に、
報告は、リンク５５４を介して報告環境３６０で同時に生成されることができる
。報告環境３６０によって生成される報告は、印刷物、コンピュータモニタ上の
表示、および音声を含む。これらの報告はリアルタイムで生成されることができ
る。この環境によって生成された報告を、図９に示すネットワーク５１６のよう
なネットワークへ提供することも意図される。
Ｓ介入は、コントローラ４１０、４１２、４１４、４１６、４１８および４２０
だけでなく、情報入力装置４２２および４２４も介して実行できる。普通には、
チャンバ３１２のようなウェーハファブツールは、種々のプロセスおよび操作上
機能を操作または制御するために、オンボードコンピュータまたは分散コンピュ
ータ機能を用い、そして、ＭＥＳ環境３５０（図７）およびＳＰＤＡデータ環境
３２０はチャンバ３１２にアクセスするために特別なプロトコルを必要とするこ
とが理解されよう。報告環境３６０は、図７に概略的に示すように、本発明の種
々の環境からデータおよび他の情報を獲得できる。例えば、ＭＥＳ環境３５０が
双方向リンク５５０および５５２を介してチャンバ３１２へリンクされる際に、
報告は、リンク５５４を介して報告環境３６０で同時に生成されることができる
。報告環境３６０によって生成される報告は、印刷物、コンピュータモニタ上の
表示、および音声を含む。これらの報告はリアルタイムで生成されることができ
る。この環境によって生成された報告を、図９に示すネットワーク５１６のよう
なネットワークへ提供することも意図される。
【００４７】 本発明のＳＰＤＡ技術を２台のＩＣ処理チャンバ間での処理または性能の比較
に関連して説明したが、これらの技術は、１台のチャンバでの使用にも等しく好
適である。例えば、２回の処理運転が、同じ処理レシピを使用して１台のチャン
バで実行され得る。２回の処理運転の同じパラメータから生じるＳＰＤＡデルタ
グラフを利用して、次に、運転毎の処理または設備性能に有意な問題があるかど
うかを決定することができる。同様に、生産運転のチャンバ性能は、生産運転お
よび試験運転のＳＰＤＡデルタグラフの使用により試験運転と比較することがで
きる。試験運転または標準化された条件下での運転のＳＰＤＡデータは、新規プ
ロセス３００のデータベース５１３（図９）のようなデータベースに格納できる
。次に、これらのデータベースは、その後の生産運転のＳＰＤＡ解析に使用でき
る。
に関連して説明したが、これらの技術は、１台のチャンバでの使用にも等しく好
適である。例えば、２回の処理運転が、同じ処理レシピを使用して１台のチャン
バで実行され得る。２回の処理運転の同じパラメータから生じるＳＰＤＡデルタ
グラフを利用して、次に、運転毎の処理または設備性能に有意な問題があるかど
うかを決定することができる。同様に、生産運転のチャンバ性能は、生産運転お
よび試験運転のＳＰＤＡデルタグラフの使用により試験運転と比較することがで
きる。試験運転または標準化された条件下での運転のＳＰＤＡデータは、新規プ
ロセス３００のデータベース５１３（図９）のようなデータベースに格納できる
。次に、これらのデータベースは、その後の生産運転のＳＰＤＡ解析に使用でき
る。
【００４８】 加えて、本発明のＳＰＤＡ技術は、その場での製品検査に関係する測定方法デ
ータを評価するためにも同等に好適である。例えば、基板を半導体プロセス装置
の真空環境以内に保持する一方で、半導体基板上の導電性膜のシート抵抗をその
場で測定するために米国特許第５，６９８，９８９号（J. Nulman, 1997）に開
示された技術を使用する。新規なＩＣ製作プロセスのＳＰＤＡデータ環境は、試
験運転または標準化された処理条件下での運転のシート抵抗データを収集できる
。その後に、ＳＰＤＡデータ環境は、同じレシピを使用する生産運転のシート抵
抗データを収集できる。次に、データは図１０〜１７に示すグラフ５１８から５
４２に関連して説明したＳＰＤＡ技術を使用して処理されて、本発明の一つ以上
のＳＰＤＡデルタグラフを導くことができる。デルタグラフを解析することによ
り、試験運転と生産運転との間に有意差があるかどうかを決定できるので、プロ
セス管理およびウェーハ歩留りを改善するための技術を提供する。
ータを評価するためにも同等に好適である。例えば、基板を半導体プロセス装置
の真空環境以内に保持する一方で、半導体基板上の導電性膜のシート抵抗をその
場で測定するために米国特許第５，６９８，９８９号（J. Nulman, 1997）に開
示された技術を使用する。新規なＩＣ製作プロセスのＳＰＤＡデータ環境は、試
験運転または標準化された処理条件下での運転のシート抵抗データを収集できる
。その後に、ＳＰＤＡデータ環境は、同じレシピを使用する生産運転のシート抵
抗データを収集できる。次に、データは図１０〜１７に示すグラフ５１８から５
４２に関連して説明したＳＰＤＡ技術を使用して処理されて、本発明の一つ以上
のＳＰＤＡデルタグラフを導くことができる。デルタグラフを解析することによ
り、試験運転と生産運転との間に有意差があるかどうかを決定できるので、プロ
セス管理およびウェーハ歩留りを改善するための技術を提供する。
【００４９】 本発明の別の実施の形態を図１８に示し、ＩＣ製作のための新規プロセス６０
０を図解して示す。このプロセスは、ＳＰＣ技術のような処理基準を使用するこ
とと併せて本発明のＳＰＤＡ技術を利用する。プロセス６００は、製造環境６１
０、ＳＰＣデータ環境６２０、演算環境６３０、解析環境６４０、ＭＥＳ環境６
５０、および報告環境６６０を含む。オプションで、ＭＥＳ環境はＭＩＳ構成要
素（図示しない）も含むことができる。
０を図解して示す。このプロセスは、ＳＰＣ技術のような処理基準を使用するこ
とと併せて本発明のＳＰＤＡ技術を利用する。プロセス６００は、製造環境６１
０、ＳＰＣデータ環境６２０、演算環境６３０、解析環境６４０、ＭＥＳ環境６
５０、および報告環境６６０を含む。オプションで、ＭＥＳ環境はＭＩＳ構成要
素（図示しない）も含むことができる。
【００５０】 新規プロセス６００の製造環境６１０は、図８に関連して説明したチャンバ３
１２と同様な、ＩＣ処理用チャンバ６１２（図１８）を含む。ＳＰＣデータ環境
６２０は、図７に示す新規プロセス３００のＳＰＤＡ環境３２０におけるＳＰＤ
Ａデータ獲得に関連して説明した技術と同様に、チャンバ６１２からＳＰＣデー
タを収集する。次に、ＳＰＣデータを利用して、例えば、管理図を作成できる。
１２と同様な、ＩＣ処理用チャンバ６１２（図１８）を含む。ＳＰＣデータ環境
６２０は、図７に示す新規プロセス３００のＳＰＤＡ環境３２０におけるＳＰＤ
Ａデータ獲得に関連して説明した技術と同様に、チャンバ６１２からＳＰＣデー
タを収集する。次に、ＳＰＣデータを利用して、例えば、管理図を作成できる。
【００５１】 本発明のために好適なＳＰＣ手法は、管理図手法およびパレート（Pareto）図
を含む。パレート図は、全ての欠陥の発生累積数、および他の欠陥または問題の
各々の発生数と比較した特定欠陥の発生数の順位を表示する棒チャート表示であ
る。管理図は本発明の技術のために殊に好適である。この技術に通常に精通した
当業者によく知られるように、管理限界は、普通には、設計通りに稼動して受入
可能な歩留りが得られるプロセスの重要なパラメータ、つまりクリティカルパラ
メータに関連する、統計的に有意なデータ数の収集に続いて決定される。製造環
境６１０で遂行されるプロセスに好適なパラメータは、チャンバ環境におけるス
パッタ堆積プロセスでのスパッタ電力、ガス流量レートおよび／または圧力、お
よび粒子汚染を含む。特定の間隔でこれらのパラメータを測定する測定方法デー
タは管理限界決定用入力を提供する。加えて、その場での製品検査に関係する測
定方法データを同じように使用することができる。例えば、基板を半導体プロセ
ス装置の真空環境内に保持する一方で、半導体基板上の導電性膜のシート抵抗を
その場で測定するために'９８９特許に開示された技術を使用する。管理下で、
すなわち操作上仕様および／または歩留り以内で運転されている間のプロセスか
ら取得されるデータは、次に、この技術に通常に精通した当業者によく知られる
統計的手法を使用してプロセス管理限界を決定するよう演算される。その後の生
産運転は、次に、管理限界を決定することに使用されたのと同じ処理またはその
場での製品パラメータの測定方法データを使用して解析される。
を含む。パレート図は、全ての欠陥の発生累積数、および他の欠陥または問題の
各々の発生数と比較した特定欠陥の発生数の順位を表示する棒チャート表示であ
る。管理図は本発明の技術のために殊に好適である。この技術に通常に精通した
当業者によく知られるように、管理限界は、普通には、設計通りに稼動して受入
可能な歩留りが得られるプロセスの重要なパラメータ、つまりクリティカルパラ
メータに関連する、統計的に有意なデータ数の収集に続いて決定される。製造環
境６１０で遂行されるプロセスに好適なパラメータは、チャンバ環境におけるス
パッタ堆積プロセスでのスパッタ電力、ガス流量レートおよび／または圧力、お
よび粒子汚染を含む。特定の間隔でこれらのパラメータを測定する測定方法デー
タは管理限界決定用入力を提供する。加えて、その場での製品検査に関係する測
定方法データを同じように使用することができる。例えば、基板を半導体プロセ
ス装置の真空環境内に保持する一方で、半導体基板上の導電性膜のシート抵抗を
その場で測定するために'９８９特許に開示された技術を使用する。管理下で、
すなわち操作上仕様および／または歩留り以内で運転されている間のプロセスか
ら取得されるデータは、次に、この技術に通常に精通した当業者によく知られる
統計的手法を使用してプロセス管理限界を決定するよう演算される。その後の生
産運転は、次に、管理限界を決定することに使用されたのと同じ処理またはその
場での製品パラメータの測定方法データを使用して解析される。
【００５２】 ＳＰＣデータ環境６２０におけるＳＰＣデータは、演算環境６３０へ通信され
、演算環境はＳＰＣデータを処理して、チャンバ６１２で実行されたプロセスの
ための管理限界を決定する。これらのデータ処理技術はこの技術に通常に精通し
た当業者にはよく知られている。チャンバ６１２における生産運転に関するＳＰ
Ｃデータは、次に、管理限界の決定で使用された同じレシピを用い同じ処理パラ
メータまたはチャンバ測定方法を評価してＳＰＣ環境６２０で収集される。これ
らの生産運転データは演算環境６３０で処理されて、この技術に通常に精通した
当業者によく知られる方法および技術を使用して管理図を提供する。演算環境６
３０が用いられて、これら管理図の２つの同期したグラフ重ね合わせを提供する
。次に、グラフ重ね合わせは演算環境６３０で処理され、図１４、１６および１
７に示すデルタグラフ５３６、５４０および５４２の作成で用いられた同様の技
術を使用してデルタグラフを提供する。その後に、デルタグラフは解析環境６４
０で解析されて、２回の生産運転間に処理または性能の有意差があるかどうかを
決定する。解析の結果はＭＥＳ環境６５０へ通信されて、２回の生産運転間での
処理または性能の有意差の有無に基づき、少しでも有意差があればチャンバ６１
２のプロセス介入のための対策方針を決定する。ＳＰＤＡがＳＰＣと併せて用い
られる本発明のＳＰＤＡ技術は、処理チャンバにおける生産運転間の処理および
／または性能の差を識別して評価するためには、このように好適であり、それに
よってウェーハ歩留りを高め、処理材料および処理設備のより最適な活用をもた
らす。報告環境６６０（図１８）は、新規プロセス３００の報告環境３６０に関
連して説明した報告と同様に、新規プロセス６００の環境から報告を生成するよ
うに成される。
、演算環境はＳＰＣデータを処理して、チャンバ６１２で実行されたプロセスの
ための管理限界を決定する。これらのデータ処理技術はこの技術に通常に精通し
た当業者にはよく知られている。チャンバ６１２における生産運転に関するＳＰ
Ｃデータは、次に、管理限界の決定で使用された同じレシピを用い同じ処理パラ
メータまたはチャンバ測定方法を評価してＳＰＣ環境６２０で収集される。これ
らの生産運転データは演算環境６３０で処理されて、この技術に通常に精通した
当業者によく知られる方法および技術を使用して管理図を提供する。演算環境６
３０が用いられて、これら管理図の２つの同期したグラフ重ね合わせを提供する
。次に、グラフ重ね合わせは演算環境６３０で処理され、図１４、１６および１
７に示すデルタグラフ５３６、５４０および５４２の作成で用いられた同様の技
術を使用してデルタグラフを提供する。その後に、デルタグラフは解析環境６４
０で解析されて、２回の生産運転間に処理または性能の有意差があるかどうかを
決定する。解析の結果はＭＥＳ環境６５０へ通信されて、２回の生産運転間での
処理または性能の有意差の有無に基づき、少しでも有意差があればチャンバ６１
２のプロセス介入のための対策方針を決定する。ＳＰＤＡがＳＰＣと併せて用い
られる本発明のＳＰＤＡ技術は、処理チャンバにおける生産運転間の処理および
／または性能の差を識別して評価するためには、このように好適であり、それに
よってウェーハ歩留りを高め、処理材料および処理設備のより最適な活用をもた
らす。報告環境６６０（図１８）は、新規プロセス３００の報告環境３６０に関
連して説明した報告と同様に、新規プロセス６００の環境から報告を生成するよ
うに成される。
【００５３】 本発明の別の実施の形態では、ＳＰＤＡ技術が新規なＳＰＣ手法のために用い
られ、そこでは管理図が次のようにデルタグラフに基づいている。例えば、チャ
ンバ３１２および３１４（図７）のような２台のチャンバの性能比較から得られ
るデルタグラフは、それぞれ図１４、１６および１７に示すデルタグラフ５３６
、５４０および５４２に示すようにこれら２台のチャンバ間の有意な性能差があ
ることを指し示すことができる。検査されたパラメータ、すなわちバイアスフォ
ワード電力、チャンバ圧力、およびＲＦピーク・ツー・ピーク電圧に対してチャ
ンバ３１２と３１４との間に有意な性能差がなかったとすれば、結果として得ら
れたであろう実質的な直線から、これらのデルタグラフの各々は相違する。本発
明の新規なＳＰＣ手法は、プロセスまたは製品の管理限界を決定するために、そ
してプロセスが管理限界の外側で操作されることをこれらの限界が指し示す場合
自動化プロセス介入技術をオプションで提供するために提供される。
られ、そこでは管理図が次のようにデルタグラフに基づいている。例えば、チャ
ンバ３１２および３１４（図７）のような２台のチャンバの性能比較から得られ
るデルタグラフは、それぞれ図１４、１６および１７に示すデルタグラフ５３６
、５４０および５４２に示すようにこれら２台のチャンバ間の有意な性能差があ
ることを指し示すことができる。検査されたパラメータ、すなわちバイアスフォ
ワード電力、チャンバ圧力、およびＲＦピーク・ツー・ピーク電圧に対してチャ
ンバ３１２と３１４との間に有意な性能差がなかったとすれば、結果として得ら
れたであろう実質的な直線から、これらのデルタグラフの各々は相違する。本発
明の新規なＳＰＣ手法は、プロセスまたは製品の管理限界を決定するために、そ
してプロセスが管理限界の外側で操作されることをこれらの限界が指し示す場合
自動化プロセス介入技術をオプションで提供するために提供される。
【００５４】 本発明に従うＳＰＣデルタグラフ管理図は、例えば、２台の処理チャンバ間、
同じチャンバ内での２回の処理運転間、または、同じウェーハファブツール内で
製作される半導体構造の２つのロット間、の特定の比較にとって統計的に有意な
数のデルタチャートを収集することによって作成される。管理下、すなわち操作
仕様および／または歩留りの範囲内で運転されている間のプロセスから得られる
デルタグラフは、次に、この技術に通常に精通した当業者によく知られる統計的
手法を用いて演算され、プロセス管理限界を決定する。例えば図１４に示すグラ
フ５３６に示されるようなバイアスフォワード電力差を使用したチャンバ比較の
デルタグラフから収集された経緯データを用いて、チャンバが受容可能に整合さ
れていると知られたときに観測されたバイアスフォワード電力差の範囲を決定す
ることができる。次に、この範囲を用いて、これらチャンバ間の満足できる性能
整合を指し示す管理限界を設定することができる。チャンバ間のその後のいずれ
の比較のデルタグラフも、グラフが所定の管理限界以内にあるか否かを判定する
よう評価されることができる。この評価は、デルタグラフ上へ所定の管理限界を
示すことによって視覚的に、またはデルタグラフデータを関連管理データと比較
して一覧表にすることによって数値的に行うことができる。有利なことに、この
新規ＳＰＣ技術は、この技術に精通した当業者によく知られる方法を用いて、プ
ロセスが所定の管理限界内にない場合には警報を出すために使用されることがで
きる。代替として、プロセス運転を中止する等の自動的プロセス介入は、プロセ
スがその管理限界内にない場合、例えば、図１８に関連して説明するＭＥＳ環境
６５０のようなＭＥＳ環境に警報信号を自動的に入れることによって発動される
ことができる。
同じチャンバ内での２回の処理運転間、または、同じウェーハファブツール内で
製作される半導体構造の２つのロット間、の特定の比較にとって統計的に有意な
数のデルタチャートを収集することによって作成される。管理下、すなわち操作
仕様および／または歩留りの範囲内で運転されている間のプロセスから得られる
デルタグラフは、次に、この技術に通常に精通した当業者によく知られる統計的
手法を用いて演算され、プロセス管理限界を決定する。例えば図１４に示すグラ
フ５３６に示されるようなバイアスフォワード電力差を使用したチャンバ比較の
デルタグラフから収集された経緯データを用いて、チャンバが受容可能に整合さ
れていると知られたときに観測されたバイアスフォワード電力差の範囲を決定す
ることができる。次に、この範囲を用いて、これらチャンバ間の満足できる性能
整合を指し示す管理限界を設定することができる。チャンバ間のその後のいずれ
の比較のデルタグラフも、グラフが所定の管理限界以内にあるか否かを判定する
よう評価されることができる。この評価は、デルタグラフ上へ所定の管理限界を
示すことによって視覚的に、またはデルタグラフデータを関連管理データと比較
して一覧表にすることによって数値的に行うことができる。有利なことに、この
新規ＳＰＣ技術は、この技術に精通した当業者によく知られる方法を用いて、プ
ロセスが所定の管理限界内にない場合には警報を出すために使用されることがで
きる。代替として、プロセス運転を中止する等の自動的プロセス介入は、プロセ
スがその管理限界内にない場合、例えば、図１８に関連して説明するＭＥＳ環境
６５０のようなＭＥＳ環境に警報信号を自動的に入れることによって発動される
ことができる。
【００５５】 メモリに格納される新規なデルタグラフに基づく新規なＳＰＣ手法を含む、一
つ以上のデジタル符号化データ構造を備える新規製品または新規装置を提供する
ことも意図される。この新規製品に好適なメモリは、コンピュータディスク、磁
気テープ、および光ディスク等のリムーバブル電子データ記憶装置を含む。新規
装置に好適なメモリは、メモリを有する、コンピュータ等のデータ処理装置を含
む。
つ以上のデジタル符号化データ構造を備える新規製品または新規装置を提供する
ことも意図される。この新規製品に好適なメモリは、コンピュータディスク、磁
気テープ、および光ディスク等のリムーバブル電子データ記憶装置を含む。新規
装置に好適なメモリは、メモリを有する、コンピュータ等のデータ処理装置を含
む。
【００５６】 図１９は、本発明の別の実施の形態の図解表示であり、新規半導体製作プロセ
ス７００の、処理チャンバ等のウェーハファブツールの設備時間状態を示す。こ
れら設備時間状態は、非スケジュール時間７０２（図３）、スケジュール外停止
時間７０４、スケジュール停止時間７０６、エンジニアリング時間７０８、待機
時間７１０、および生産的時間７１２を含む。設備状態７０２、７０４、７０６
、７０８、７１０および７１２の説明は、それぞれ状態１０２（図３）、１０４
、１０６、１０８、１１０および１１２の説明と同様である。新規プロセス７０
０の状態７０４、７０６、７０８、７１０および７１２は、図２０および２１に
関連して更に説明するように、種々の設備機能の中央集中化の手動および自動の
スケジューリングを容易にするために、および半導体処理条件に応答する能力を
改善するために、一つのコンピュータ環境以内に統合される。好適なコンピュー
タ環境は、この技術に通常に精通した当業者によく知られるような一つ以上のコ
ンピュータを用いるコンピュータシステムおよびマイクロコンピュータを含む。
コンピュータ統合化の設備状態の各々は、例えばＳＥＣＳ（ＳＥＭＩ設備通信の
標準）のような通信標準を使用して、この技術に通常に精通した当業者によく知
られるようなリンク化技術を使用して適切な設備へリンクされる。
ス７００の、処理チャンバ等のウェーハファブツールの設備時間状態を示す。こ
れら設備時間状態は、非スケジュール時間７０２（図３）、スケジュール外停止
時間７０４、スケジュール停止時間７０６、エンジニアリング時間７０８、待機
時間７１０、および生産的時間７１２を含む。設備状態７０２、７０４、７０６
、７０８、７１０および７１２の説明は、それぞれ状態１０２（図３）、１０４
、１０６、１０８、１１０および１１２の説明と同様である。新規プロセス７０
０の状態７０４、７０６、７０８、７１０および７１２は、図２０および２１に
関連して更に説明するように、種々の設備機能の中央集中化の手動および自動の
スケジューリングを容易にするために、および半導体処理条件に応答する能力を
改善するために、一つのコンピュータ環境以内に統合される。好適なコンピュー
タ環境は、この技術に通常に精通した当業者によく知られるような一つ以上のコ
ンピュータを用いるコンピュータシステムおよびマイクロコンピュータを含む。
コンピュータ統合化の設備状態の各々は、例えばＳＥＣＳ（ＳＥＭＩ設備通信の
標準）のような通信標準を使用して、この技術に通常に精通した当業者によく知
られるようなリンク化技術を使用して適切な設備へリンクされる。
【００５７】 図１９へ戻ると、合計時間７１４は、測定されている期間中の合計時間であり
、６つの設備状態７０２〜７１２を含む。合計時間７１４の非スケジュール時間
１０２は、コンピュータ環境に統合されない。この時間状態は、再発性および非
再発性の時間を含み、ユーザによって入力される。この文脈において、再発性の
時間状態の例は暦の休日であり、それは時間に先んじて入力される。非再発性の
非スケジュール時間状態は、例えば電源オフの設備時間を含み、それはそれが発
生した後に入力される。合計統合化時間７１６は、メンテナンス用オフライン７
１８およびプロセス用オンライン７２０を含む。図２０に示すように、本発明の
メンテナンス用オフライン時間状態７１８は、スケジュール外停止時間７０４、
スケジュール停止時間７０６、およびエンジニアリング時間７０８を備える。ス
ケジュール外停止時間７０４は、メンテナンス遅滞時間７３０、修理時間７３１
、消耗品／化学薬品の交換時間７３２、仕様外入力時間７３３、設備関連時間７
３４、および予防的メンテナンス時間７３５のための設備状態を含む。スケジュ
ール停止時間７０６は、メンテナンス遅滞時間７４０、生産試験時間７４１、予
防的メンテナンス時間７４２、消耗品／化学薬品の交換時間７４３、設定時間７
４４、および設備関連時間７４５のための設備状態を備える。エンジニアリング
時間７０８は、プロセス特性付け時間７５０および設備評価時間７５１のための
設備状態を含む。
、６つの設備状態７０２〜７１２を含む。合計時間７１４の非スケジュール時間
１０２は、コンピュータ環境に統合されない。この時間状態は、再発性および非
再発性の時間を含み、ユーザによって入力される。この文脈において、再発性の
時間状態の例は暦の休日であり、それは時間に先んじて入力される。非再発性の
非スケジュール時間状態は、例えば電源オフの設備時間を含み、それはそれが発
生した後に入力される。合計統合化時間７１６は、メンテナンス用オフライン７
１８およびプロセス用オンライン７２０を含む。図２０に示すように、本発明の
メンテナンス用オフライン時間状態７１８は、スケジュール外停止時間７０４、
スケジュール停止時間７０６、およびエンジニアリング時間７０８を備える。ス
ケジュール外停止時間７０４は、メンテナンス遅滞時間７３０、修理時間７３１
、消耗品／化学薬品の交換時間７３２、仕様外入力時間７３３、設備関連時間７
３４、および予防的メンテナンス時間７３５のための設備状態を含む。スケジュ
ール停止時間７０６は、メンテナンス遅滞時間７４０、生産試験時間７４１、予
防的メンテナンス時間７４２、消耗品／化学薬品の交換時間７４３、設定時間７
４４、および設備関連時間７４５のための設備状態を備える。エンジニアリング
時間７０８は、プロセス特性付け時間７５０および設備評価時間７５１のための
設備状態を含む。
【００５８】 本発明のサービス手順モジュール７５５(図２０を参照されたい)がオプション
で、スケジュール外停止時間７０４の修理時間状態７３１、およびスケジュール
停止時間７０６の予防的メンテナンス状態７４２へリンクされる。更に、スケジ
ュール外停止時間７０４の予防的メンテナンス時間状態７３５は、オプションで
サービス手順モジュール７５５へリンクされることができる。新規サービス手順
モジュール７５５は、ウェーハファブツールの修理および／またはメンテナンス
の手順とツール較正手順とに関する情報および／またはデータ構造を含む。これ
ら手順は、状態７３１，７３５および７４２等のリンクされた時間状態が能動化
されるときに発動されることができる。オプションでこれら手順は、スペアパー
ツの仕様および入手可否に関する情報を含むこともできる。サービスモジュール
内の該当セクションへキーワードまたはフレーズを配置させる、および／または
、リンクさせるように、ブラウザまたはサーチ技術とともに使用するサービス手
順モジュール７５５を適合させることも意図されている。これらのキーワードお
よびフレーズは、設備の機能不全を検知する設備オペレータのようなサーチャー
を、モジュール内の該当セクションへ自動的にリンクすることにより、診断、修
理、メンテナンスの手順とルーチンとを支援することになる。
で、スケジュール外停止時間７０４の修理時間状態７３１、およびスケジュール
停止時間７０６の予防的メンテナンス状態７４２へリンクされる。更に、スケジ
ュール外停止時間７０４の予防的メンテナンス時間状態７３５は、オプションで
サービス手順モジュール７５５へリンクされることができる。新規サービス手順
モジュール７５５は、ウェーハファブツールの修理および／またはメンテナンス
の手順とツール較正手順とに関する情報および／またはデータ構造を含む。これ
ら手順は、状態７３１，７３５および７４２等のリンクされた時間状態が能動化
されるときに発動されることができる。オプションでこれら手順は、スペアパー
ツの仕様および入手可否に関する情報を含むこともできる。サービスモジュール
内の該当セクションへキーワードまたはフレーズを配置させる、および／または
、リンクさせるように、ブラウザまたはサーチ技術とともに使用するサービス手
順モジュール７５５を適合させることも意図されている。これらのキーワードお
よびフレーズは、設備の機能不全を検知する設備オペレータのようなサーチャー
を、モジュール内の該当セクションへ自動的にリンクすることにより、診断、修
理、メンテナンスの手順とルーチンとを支援することになる。
【００５９】 新規モジュール７５５のデータ構造又は手順(図２０を参照されたい)は、コン
ピュータフロッピー（登録商標）ディスク、リムーバブルコンピューターハード ディスク、磁気テープおよび光ディスク等の、リムーバブル電子データ記憶媒体 上に格納されて、異なる製造場所での同一手順の使用を容易にする。代替として 、データ構造は、この技術に通常に精通した当業者によく知られるような記憶装 置を使用する、ツールから遠隔である場所に配置された媒体を含め、非リムーバ ブル電子データ記憶装置媒体上に格納される。モジュール７５５のデータ構造ま たは手順は、一つ以上のモデムを利用するデータ通信方法またはサーバーとして 通例知られる一台以上のコンピュータを使用するデータ通信技術、無線接続、お よび実体線接続を含み、この技術に通常に精通した当業者によく知られる通信技 術を使用して、遠隔の場所からツールへ送信されることができる。新規サービス モジュール７５５は、この技術に通常に精通した当業者によく知られる方法およ び装置構成要素を使用してツールへ操作可能に接続されることができる。
ピュータフロッピー（登録商標）ディスク、リムーバブルコンピューターハード ディスク、磁気テープおよび光ディスク等の、リムーバブル電子データ記憶媒体 上に格納されて、異なる製造場所での同一手順の使用を容易にする。代替として 、データ構造は、この技術に通常に精通した当業者によく知られるような記憶装 置を使用する、ツールから遠隔である場所に配置された媒体を含め、非リムーバ ブル電子データ記憶装置媒体上に格納される。モジュール７５５のデータ構造ま たは手順は、一つ以上のモデムを利用するデータ通信方法またはサーバーとして 通例知られる一台以上のコンピュータを使用するデータ通信技術、無線接続、お よび実体線接続を含み、この技術に通常に精通した当業者によく知られる通信技 術を使用して、遠隔の場所からツールへ送信されることができる。新規サービス モジュール７５５は、この技術に通常に精通した当業者によく知られる方法およ び装置構成要素を使用してツールへ操作可能に接続されることができる。
【００６０】 図２１に示すように、プロセス用オンライン時間状態７２０は、待機時間状態
７１０、ロード／アンロード生産的時間状態７７０、および仕様外用オンライン
時間状態７８０を備える。ロード／アンロード生産的時間状態７７０は、生産時
間７７１、エンジニアリング時間７７２、スケジュール認定時間７７３、および
スケジュール外認定時間７７４のための設備状態を含み、ここで、認定時間は、
ツール変更が成された後に、ツールを評価し認定すること、すなわち、ツールが
満足できて操作していることを判定するのに使用される時間を称する。生産時間
状態７７１は、定常的生産時間７７５、製品の再加工時間７７６、エンジニアリ
ング時間と分配される生産時間７７７および第三者用生産時間７７８のための設
備状態を備える。仕様外用オンライン時間状態７８０（図２１）は、メンテナン
ス遅滞時間状態７８２を有するスケジュール外時間状態７８１を有する。
７１０、ロード／アンロード生産的時間状態７７０、および仕様外用オンライン
時間状態７８０を備える。ロード／アンロード生産的時間状態７７０は、生産時
間７７１、エンジニアリング時間７７２、スケジュール認定時間７７３、および
スケジュール外認定時間７７４のための設備状態を含み、ここで、認定時間は、
ツール変更が成された後に、ツールを評価し認定すること、すなわち、ツールが
満足できて操作していることを判定するのに使用される時間を称する。生産時間
状態７７１は、定常的生産時間７７５、製品の再加工時間７７６、エンジニアリ
ング時間と分配される生産時間７７７および第三者用生産時間７７８のための設
備状態を備える。仕様外用オンライン時間状態７８０（図２１）は、メンテナン
ス遅滞時間状態７８２を有するスケジュール外時間状態７８１を有する。
【００６１】 図１９〜２１に示す新規プロセス７００の、ウェーハファブオペレータまたは
技術者等のユーザは、例えばキーボードコマンド、音声コマンド、またはマウス
または光ペン等のポインティング装置により、この技術に通常に精通した当業者
によく知られる方法および技術を使用して、プロセスのコンピュータ環境とイン
タラクションすることによって状態を変更するまたはイネーブル化するオプショ
ンを有する。主設備状態は、下記のとおりイネーブル化される。生産的時間状態
７１２（図１９）は、プロセスのユーザ、またはホストコンピュータがロード／
アンロード状態７７０（図２１）をコマンドする際にイネーブル化される。待機
時間状態７１０（図１９および２１）は、ユーザによってイネーブル化される。
待機状態は、ユーザが待機入力を提供しなかった場合、５分のような所定の時間
間隔に続いて自動的にイネーブル化されよう。エンジニアリング時間状態７０８
（図１８および１９）は、プロセス特性付け７５０（図２０）または設備評価７
５１を選定するオプションのユーザ入力を設ける。エンジニアリング時間状態７
０８は、ユーザ入力が時間状態７０８に設けられない場合、生産的時間状態７１
２（図１９）の一部としてエンジニアリング時間状態７７２（図２１）へ割当て
られる。
技術者等のユーザは、例えばキーボードコマンド、音声コマンド、またはマウス
または光ペン等のポインティング装置により、この技術に通常に精通した当業者
によく知られる方法および技術を使用して、プロセスのコンピュータ環境とイン
タラクションすることによって状態を変更するまたはイネーブル化するオプショ
ンを有する。主設備状態は、下記のとおりイネーブル化される。生産的時間状態
７１２（図１９）は、プロセスのユーザ、またはホストコンピュータがロード／
アンロード状態７７０（図２１）をコマンドする際にイネーブル化される。待機
時間状態７１０（図１９および２１）は、ユーザによってイネーブル化される。
待機状態は、ユーザが待機入力を提供しなかった場合、５分のような所定の時間
間隔に続いて自動的にイネーブル化されよう。エンジニアリング時間状態７０８
（図１８および１９）は、プロセス特性付け７５０（図２０）または設備評価７
５１を選定するオプションのユーザ入力を設ける。エンジニアリング時間状態７
０８は、ユーザ入力が時間状態７０８に設けられない場合、生産的時間状態７１
２（図１９）の一部としてエンジニアリング時間状態７７２（図２１）へ割当て
られる。
【００６２】 スケジュール停止時間状態７０６（図１９および２０）および随伴する状態７
４０、７４１、７４２、７４３、７４４および７４５（図２０）は、ユーザによ
って、例えば光ペンコマンドを使用してプロセスのコンピュータ環境とのインタ
ラクションによりイネーブル化される。
４０、７４１、７４２、７４３、７４４および７４５（図２０）は、ユーザによ
って、例えば光ペンコマンドを使用してプロセスのコンピュータ環境とのインタ
ラクションによりイネーブル化される。
【００６３】 スケジュール外停止時間状態７０４（図１９および２０）は、ユーザによって
、半導体ウェーハ等の製品、または製作プロセスが所要の品質または性能の基準
を満たさない際に、例えばこの決定を成すことに管理図を使用して、メンテナン
ス用オフライン時間状態７１８中にイネーブル化される。ツールにおける最後の
ウェーハの処理が完了すると、ホストコンピュータは、処理不良条件の発生を警
告される。待機状態７１０（図１９および２１）は、ユーザがスケジュール外停
止時間状態への入力または応答を提供しない際に自動的にイネーブル化される。
ユーザが非スケジュール時間状態７０２に対応する入力を提供しない限り、プロ
セスは合計統合化時間状態７１６（図１９）に留まる。
、半導体ウェーハ等の製品、または製作プロセスが所要の品質または性能の基準
を満たさない際に、例えばこの決定を成すことに管理図を使用して、メンテナン
ス用オフライン時間状態７１８中にイネーブル化される。ツールにおける最後の
ウェーハの処理が完了すると、ホストコンピュータは、処理不良条件の発生を警
告される。待機状態７１０（図１９および２１）は、ユーザがスケジュール外停
止時間状態への入力または応答を提供しない際に自動的にイネーブル化される。
ユーザが非スケジュール時間状態７０２に対応する入力を提供しない限り、プロ
セスは合計統合化時間状態７１６（図１９）に留まる。
【００６４】 仕様外用オンライン時間状態７８０（図２１）は、プロセス用オンライン時間
状態７２０中に製品またはプロセスが所定の品質または性能の基準を満たさない
際に、自動的に作動される。状態７８０は、自動的にスケジュール外時間状態７
８１へ進み、状態７８１は可聴的または可視的警報等の警報条件をイネーブル化
でき、ユーザに仕様外イベントの発生を警告する。状態７８１は、自動的にメン
テナンス遅滞状態７８２へ進み、状態７８２は新規プロセス７００を待機状態に
入れる。メンテナンス遅滞状態７８２は、新規プロセス７００のいずれか他の設
備時間状態へ進行するためにユーザの介入を必要とする。時間状態７８０の自動
的作動は、プロセス／品質の管理技術へリンクされることができる。例えば、本
発明のＳＰＤＡ技術を使用する新規ＳＰＣ技術は、プロセスがその管理限界内に
ないことを指し示す入力により、ＭＥＳ環境６５０（図１８）のようなＭＥＳ環
境を提供するように成されることができる。このＭＥＳ入力は、次に、新規プロ
セス７００に仕様外用オンライン時間状態７８０（図２１）を自動的に発動させ
ることができ、メンテナンス遅滞状態７８２に自動的に帰着し、状態７８２はプ
ロセスがこの時間状態で中止されることを意味する。
状態７２０中に製品またはプロセスが所定の品質または性能の基準を満たさない
際に、自動的に作動される。状態７８０は、自動的にスケジュール外時間状態７
８１へ進み、状態７８１は可聴的または可視的警報等の警報条件をイネーブル化
でき、ユーザに仕様外イベントの発生を警告する。状態７８１は、自動的にメン
テナンス遅滞状態７８２へ進み、状態７８２は新規プロセス７００を待機状態に
入れる。メンテナンス遅滞状態７８２は、新規プロセス７００のいずれか他の設
備時間状態へ進行するためにユーザの介入を必要とする。時間状態７８０の自動
的作動は、プロセス／品質の管理技術へリンクされることができる。例えば、本
発明のＳＰＤＡ技術を使用する新規ＳＰＣ技術は、プロセスがその管理限界内に
ないことを指し示す入力により、ＭＥＳ環境６５０（図１８）のようなＭＥＳ環
境を提供するように成されることができる。このＭＥＳ入力は、次に、新規プロ
セス７００に仕様外用オンライン時間状態７８０（図２１）を自動的に発動させ
ることができ、メンテナンス遅滞状態７８２に自動的に帰着し、状態７８２はプ
ロセスがこの時間状態で中止されることを意味する。
【００６５】 本発明の別の実施の形態では、図１９〜２１に関連して説明した新規設備時間
状態が、一つ以上のメンテナンストリガーを把握するよう、およびそれに応答す
るように成される。本発明で定義されるような表現「メンテナンストリガー」は
、予防的メンテナンス時間状態７４２（図２０）およびサービス手順モジュール
７５５を自動的にイネーブル化するイベントを含む。メンテナンストリガーの例
は、直近のツールメンテナンス以降の所定の合計ウェーハ枚数、所定の合計ＲＦ
時間、および所定の合計操作時間を含む。これらのトリガーは、普通にはツール
のユーザによって定義される。トリガーが発生する際に、予防的メンテナンス時
間状態７４２が、自動的にイネーブル化され、それによってプロセス運転を中止
することに帰着する。トリガー警告をこの実施の形態に統合することも意図され
る。本発明で定義されるような用語「トリガー警告」は、メンテナンストリガー
の発生より前のプロセスにおける所定の条件、点，または時間で作動される警報
等の警告信号を含む。例えば、５００操作時間後に所定のメンテナンストリガー
を有するプロセスは、４２５操作時間後に、すなわち、プロセス運転を自動的に
中止するであろうメンテナンストリガーより７５時間前にトリガー警告を有し得
る。
状態が、一つ以上のメンテナンストリガーを把握するよう、およびそれに応答す
るように成される。本発明で定義されるような表現「メンテナンストリガー」は
、予防的メンテナンス時間状態７４２（図２０）およびサービス手順モジュール
７５５を自動的にイネーブル化するイベントを含む。メンテナンストリガーの例
は、直近のツールメンテナンス以降の所定の合計ウェーハ枚数、所定の合計ＲＦ
時間、および所定の合計操作時間を含む。これらのトリガーは、普通にはツール
のユーザによって定義される。トリガーが発生する際に、予防的メンテナンス時
間状態７４２が、自動的にイネーブル化され、それによってプロセス運転を中止
することに帰着する。トリガー警告をこの実施の形態に統合することも意図され
る。本発明で定義されるような用語「トリガー警告」は、メンテナンストリガー
の発生より前のプロセスにおける所定の条件、点，または時間で作動される警報
等の警告信号を含む。例えば、５００操作時間後に所定のメンテナンストリガー
を有するプロセスは、４２５操作時間後に、すなわち、プロセス運転を自動的に
中止するであろうメンテナンストリガーより７５時間前にトリガー警告を有し得
る。
【００６６】 メモリに格納される新規プロセス７００の状態７０４、７０６、７０８、７１
０および７１２（図１９）のような本発明の新規な設備時間状態を含む、一つ以
上のデジタル符号化データ構造を備える新規な製品または新規な装置を提供する
ことも意図される。これらの時間状態のデータ構造は、例えばＳＥＣＳのような
通信標準を使用してウェーハファブツール等の装置と通信するように成される。
この新規製品のために好適なメモリは、コンピュータディスク、磁気テープ、お
よび光ディスク等のリムーバブル電子データ記憶装置を含む。新規装置のために
好適なメモリは、メモリを有する、コンピュータ等のデータ処理装置を含む。
０および７１２（図１９）のような本発明の新規な設備時間状態を含む、一つ以
上のデジタル符号化データ構造を備える新規な製品または新規な装置を提供する
ことも意図される。これらの時間状態のデータ構造は、例えばＳＥＣＳのような
通信標準を使用してウェーハファブツール等の装置と通信するように成される。
この新規製品のために好適なメモリは、コンピュータディスク、磁気テープ、お
よび光ディスク等のリムーバブル電子データ記憶装置を含む。新規装置のために
好適なメモリは、メモリを有する、コンピュータ等のデータ処理装置を含む。
【００６７】 新規プロセス７００のコンピュータ統合化の設備時間状態は、ユーザが設備の
いずれのリンクされた部分の時間状態をリアルタイムで決定することを可能にし
、そして、それは、これらの状態がコンピュータ環境に統合されていない場合に
起り得るような設備状態での曖昧さを招く可能性を低減する。新規プロセス７０
０が、この技術に通常に精通した当業者によく知られるような通信技術を使用し
て、ＬＡＮ等のネットワークへリンクされる際に、新規プロセス７００は、リア
ルタイムでの遠隔の設備時間状態の決定または報告を容易にする。
いずれのリンクされた部分の時間状態をリアルタイムで決定することを可能にし
、そして、それは、これらの状態がコンピュータ環境に統合されていない場合に
起り得るような設備状態での曖昧さを招く可能性を低減する。新規プロセス７０
０が、この技術に通常に精通した当業者によく知られるような通信技術を使用し
て、ＬＡＮ等のネットワークへリンクされる際に、新規プロセス７００は、リア
ルタイムでの遠隔の設備時間状態の決定または報告を容易にする。
【００６８】 本発明のコンピュータ統合化の設備時間状態は、ＲＡＭ設備性能のようなＲＡ
Ｍ設備性能を追跡し、評価し、連絡するために好適である。例えば、操作上の使
用可能時間（％）＝オンラインプロセス時間７２０（図２１）ｘ１００％、を合
計統合化時間７１６（図１９）で除算する、一方で、操作上稼動率（％）＝ロー
ド／アンロード生産的時間７７０（図２１）ｘ１００％、を合計時間７１４（図
１９）で除算する。
Ｍ設備性能を追跡し、評価し、連絡するために好適である。例えば、操作上の使
用可能時間（％）＝オンラインプロセス時間７２０（図２１）ｘ１００％、を合
計統合化時間７１６（図１９）で除算する、一方で、操作上稼動率（％）＝ロー
ド／アンロード生産的時間７７０（図２１）ｘ１００％、を合計時間７１４（図
１９）で除算する。
【００６９】 図１９〜２１に示す新規プロセス７００によって例証される本発明は、プロセ
ス７００に関連して説明したものと相違するコンピュータ統合化の設備時間状態
を利用するプロセスまたはシステムに対して同等に操作可能であることが理解さ
れよう。
ス７００に関連して説明したものと相違するコンピュータ統合化の設備時間状態
を利用するプロセスまたはシステムに対して同等に操作可能であることが理解さ
れよう。
【００７０】 本発明を好ましい実施の形態という観点で説明した。この技術に精通した当業
者は、本発明の要素を様々な手段で構築すること、および構成要素の配備を様々
な方式で改変することが可能であろうことを認識するであろう。本発明の実施の
形態が詳細に説明され、添付図面に示されたとはいえ、種々の更なる改変が、先
の特許請求の範囲に表明されたような発明の範囲から逸脱することなく、可能で
あることは明白であろう。
者は、本発明の要素を様々な手段で構築すること、および構成要素の配備を様々
な方式で改変することが可能であろうことを認識するであろう。本発明の実施の
形態が詳細に説明され、添付図面に示されたとはいえ、種々の更なる改変が、先
の特許請求の範囲に表明されたような発明の範囲から逸脱することなく、可能で
あることは明白であろう。
【図１】 従来技術のウェーハファブプロセスを概略的に示すフローチャートである。
【図２】 従来技術のウェーハファブのスパッタメタライゼーションプロセスを概略的に
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図３】 従来技術の設備時間状態を図解的に示す重ね合わせチャートである。
【図４】 従来技術の図３に示す積重ねチャートの設備時間状態を概略的に示すブロック
図である。
図である。
【図５】 従来技術の図３に示す積重ねチャートの設備時間状態を概略的に示すブロック
図である。
図である。
【図６】 本発明の半導体プロセスを概略的に示すブロック図である。
【図７】 本発明の別の半導体プロセスを概略的に示すブロック図である。
【図８】 図７に示すプロセスのウェーハファブチャンバを概略的に示すブロック図であ
る。
る。
【図９】 図７に示すプロセスの演算環境を概略的に示すブロック図である。
【図１０】 図７に示すプロセスのチャンバーバイアスフォワード電力対時間の線図である
。
。
【図１１】 図７に示すプロセスのチャンバ圧力対時間の線図である。
【図１２】 本発明のデルタグラフを構築する方法を概略的に示すフローチャートである。
【図１３】 図７に示すプロセスのチャンバーバイアスフォワード電力対時間の２つの重ね
合わせたグラフの線図である。
合わせたグラフの線図である。
【図１４】 図１３に示す重ね合わせグラフにおけるバイアスフォワード電力差対時間のデ
ルタグラフの線図である。
ルタグラフの線図である。
【図１５】 図７に示すプロセスのチャンバ圧力対時間の２つの重ね合わせグラフの線図で
ある。
ある。
【図１６】 図１５に示す重ね合わせグラフのチャンバ圧力差対時間におけるデルタグラフ
の線図である。
の線図である。
【図１７】 図７に示すプロセスのチャンバＲＦピーク・ツー・ピーク電圧差のデルタグラ
フの線図である。
フの線図である。
【図１８】 本発明の別途の半導体プロセスを概略的に示すブロック図である。
【図１９】 本発明の別の実施の形態を概略的に示す積重ねチャートである。
【図２０】 図１９に示す積重ねチャートの設備時間状態を概略的に示すブロック図である
。
。
【図２１】 図１９に示す積重ねチャートの設備時間状態を概略的に示すブロック図である
。
。
４０ ウェーハファブプロセス ８０ プロセス ８１ サブステップ １１４ 合計時間 １１６ 操作時間 １１８ 設備停止時間 １２０ 設備使用可能時間 １２２ 製造時間 ２００、３００ プロセス ２２６、２３８、４５５、５５０、５５４ リンク ３１０ 製造環境 ３１２ ウェーハ処理チャンバ ３３０ 演算環境 ５１４、５１５ アルゴリズム ５１８、５１９、５３４ グラフ ５３６、５４０ デルタグラフ ７１４ 合計時間 ７１６ 合計統合化時間 ７１８ メンテナンス用オフライン ７２０ プロセス用オンライン時間状態
Claims (47)
- 【請求項１】 コンピュータを用いてデータを解析する方法であって、 ａ）第１データ対第２データの第１グラフを作成するステップと、 ｂ）第３データ対第２データの第２グラフを作成するステップと、 ｃ）前記第１および第２グラフが同期するように、前記第１グラフを前記第２
グラフ上に重ね合わせるステップと、および ｄ）前記第１および第２グラフのデルタグラフを形成するステップと、 を含む方法。 - 【請求項２】 重ね合わせるステップは、 ａ）前記第１グラフ上の共有イベントを識別するステップと、 ｂ）前記第２グラフ上の前記共有イベントを識別するステップと、および ｃ）前記第１および第２グラフの前記共有イベントが一致し、それによって前
記第１および第２グラフが同期するように、前記第１および第２グラフを重ね合
わせるステップと、を含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 デルタグラフを形成するステップは、前記第１および第２グ
ラフの第１のデータを前記第１および第２グラフの第２のデータから減算するス
テップを含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記第１および第３データは、半導体処理データ、半導体処
理パラメータ、および半導体測定方法データから成る群から選択されるデータを
含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記第２データは時間増分を含む、請求項４に記載の方法。
- 【請求項６】 前記第１および第３データは半導体処理管理図データを含む
、請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 第１グラフを作成するステップは、半導体プロセスを操作し
ている第１半導体処理ツールの第１グラフを作成するステップを含み、第２グラ
フを作成するステップは、半導体プロセスを操作している第２半導体処理ツール
の第２グラフを作成するステップを含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 半導体処理ツール間の性能差を決定するコンピュータ実装方
法であって、 ａ）第１ツールで処理技術を実行するステップと、 ｂ）前記第１ツールで実行される前記処理技術の第１性能データ対時間を獲得
するステップと、 ｃ）前記第１性能データ対時間を含む第１グラフを作成するステップと、 ｄ）第２ツールで前記処理技術を実行するステップと、 ｅ）前記第１および第２グラフが同期するように、前記第１グラフを前記第２
グラフ上に重ね合わせるステップと、および ｆ）前記第１および第２グラフのデルタグラフを形成するステップと、 を含む方法。 - 【請求項９】 処理技術の管理限界を決定するコンピュータ実装方法であっ
て、 ａ）前記処理技術をｎ回実行するステップと、 ｂ）前記処理技術の満足できる性能を指し示す基準を決定するステップと、 ｃ）前記処理技術が前記基準を満たす、前記ｎ回中のｍ回を決定するステップ
と、 ｄ）前記ｍ回の各々のデルタグラフを構築するステップと、および ｅ）前記ｍ回の前記デルタグラフから管理限界を導出するステップと、 を含む方法。 - 【請求項１０】 ｎは統計的に有意な数を含む、請求項９に記載の方法。
- 【請求項１１】 プロセスを管理する方法であって、 ａ）前記プロセスを実行するステップと、 ｂ）プロセスデータを生成するステップと、 ｃ）第１データ対第２データの第１グラフを作成するステップと、 ｄ）第３データ対第２データの第２グラフを作成するステップと、 ｅ）前記第１および第２グラフのデルタグラフを形成するステップと、 ｇ）前記解析結果を所定のプロセス基準と比較するステップと、および ｈ）前記結果が前記基準を満たさない場合、前記プロセスを調節するステップ
と、 を含む方法。 - 【請求項１２】 前記方法はコンピュータによって実施される、請求項１１
に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記プロセスは半導体製造プロセスを含む、請求項１１に
記載の方法。 - 【請求項１４】 （１）第１データ対第２データを獲得し、 （２）第３データ対第２データを獲得し、 （３）前記第１データ対前記第２データをプロットすることによって第１グラ
フを形成し、 （４）前記第３データ対前記第２データをプロットすることによって第２グラ
フを形成し、そして （５）前記第１および第２グラフのデルタグラフを構築するように成される環
境を備える装置。 - 【請求項１５】 半導体処理ツールを備える、請求項１４に記載の装置。
- 【請求項１６】 プロセスを管理するための装置であって、 ａ）（１）第１データ対第２データを獲得し、（２）第３データ対第２データ
を獲得し、（３）前記第１データ対前記第２データをプロットすることによって
第１グラフを形成し、（４）前記第３データ対前記第２データをプロットするこ
とによって第２グラフを形成し、そして（５）前記第１および第２グラフのデル
タグラフを構築するように成された第１環境と、 ｂ）前記デルタグラフを解析することによって解析結果を取得するように成さ
れた第２環境と、および、 ｃ）前記結果を前記プロセスへ通信するように成された第３環境と、 を備える装置。 - 【請求項１７】 更に、（１）前記解析結果を所定のプロセス基準と比較し
、（２）前記解析結果が前記プロセス基準を満たさない場合に、前記プロセスに
介入するように成された第４環境を備える、請求項１６に記載の装置。 - 【請求項１８】 介入するステップは、自動的に介入するステップを含む、
請求項１７に記載の装置。 - 【請求項１９】 前記装置は半導体処理ツールを備える、請求項１６に記載
の装置。 - 【請求項２０】 第１グラフおよび第２グラフからデルタグラフを形成する
ように成されたデジタル符号化データ構造を含むメモリであって、前記構造が、 ａ）前記第１および第２グラフが同期するように、前記第１グラフを前記第２
グラフ上に重ね合わせるための第１アルゴリズムと、および ｂ）前記同期した第１および第２グラフから前記デルタグラフを形成するため
の第２アルゴリズムと、 を含むメモリ。 - 【請求項２１】 装置の設備時間状態をイネーブル化するための方法であっ
て、 ａ）コンピュータ統合化された複数の時間状態を含む設備時間状態を定義する
ステップと、 ｂ）コンピュータ統合化された前記複数の時間状態の各々を前記装置へリンク
するステップと、および ｃ）コンピュータ統合化された前記複数の時間状態の一つを作動させるステッ
プと、 を含む方法。 - 【請求項２２】 作動させるステップは、コンピュータ統合化された前記時
間状態との間のユーザインタラクションを含む、請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２３】 作動させるステップは、コンピュータ統合化された前記時
間状態との間の自動インタラクションを含む、請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２４】 コンピュータ統合化された前記複数の時間状態は、メンテ
ナンス用オフライン時間状態およびプロセス用オンライン時間状態から成る群か
ら選択される一つ以上の時間状態を含む、請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２５】 さらに、前記複数の作動される設備時間状態の少なくとも
一つと統合化されるサービス手順モジュールにアクセスするステップを含む、請
求項２１に記載の方法。 - 【請求項２６】 前記サービス手順モジュールは、装置修理情報、装置メン
テナンス手順、および装置較正手順から成る群から選択される情報を含む、請求
項２５に記載の方法。 - 【請求項２７】 前記情報はブラウザで検索できる、請求項２６に記載の方
法。 - 【請求項２８】 前記装置は半導体製造ツールを備える、請求項２１に記載
の方法。 - 【請求項２９】 プロセスを実行するために装置の設備時間状態をイネーブ
ル化する方法であって、前記プロセスは前記設備時間状態と統合化され、 ａ）前記プロセスと統合化された一つ以上の時間状態を含む、コンピュータ統
合化された複数の時間状態を有する設備時間状態を定義するステップと、および ｂ）プロセス統合化された前記一つ以上の時間状態を作動させるステップと、 を含む方法。 - 【請求項３０】 さらに、プロセス管理限界を決定するステップを含む、請
求項２９に記載の方法。 - 【請求項３１】 作動させるステップは、前記プロセスが前記管理限界を外
れて実行される場合に、自動的に応答するステップを含む、請求項３０に記載の
方法。 - 【請求項３２】 前記管理限界はＳＰＣ限界を含む、請求項３０に記載の方
法。 - 【請求項３３】 前記プロセスは半導体製造プロセスを含む、請求項２９に
記載の方法。 - 【請求項３４】 プロセスを実行するために装置の設備時間状態をイネーブ
ル化する方法であって、前記プロセスは前記設備時間状態と統合化され、 ａ）前記プロセスと統合化される一つ以上の時間状態を含む、コンピュータ統
合化された複数の時間状態を有する設備時間状態を定義するステップと、 ｂ）デルタグラフ技術の管理限界を含むプロセス管理限界を決定するステップ
と、および ｃ）前記プロセスが前記管理限界を外れて実行される場合に、プロセス統合化
された前記一つ以上の時間状態を作動させるステップと、 を含む方法。 - 【請求項３５】 前記プロセスは半導体製造プロセスを含む、請求項３４に
記載の方法。 - 【請求項３６】 プロセスを実行するために装置の予防的メンテナンス時間
状態をイネーブル化する方法であって、 ａ）メンテナンストリガーを決定するステップと、および ｂ）前記メンテナンストリガーの発生により前記時間状態をイネーブル化する
ステップと、 を含む方法。 - 【請求項３７】 さらに、前記プロセスの所定の条件の発生により作動され
るトリガー警告を含む、請求項３６に記載の方法。 - 【請求項３８】 プロセスを実行するように成される装置であって、コンピ
ュータ統合化された時間状態を含む装置。 - 【請求項３９】 さらに、一つ以上の前記時間状態と統合化されるサービス
手順モジュールを含む、請求項３８に記載の装置。 - 【請求項４０】 前記時間状態は、メンテナンス用オフライン時間状態およ
びプロセス用オンライン時間状態から成る群から選択される一つ以上の時間状態
を含む、請求項３８に記載の装置。 - 【請求項４１】 少なくとも一つの前記時間状態は、前記プロセスが所定の
プロセス管理限界を外れて実行される場合に、自動的にイネーブル化される、請
求項３８に記載の装置。 - 【請求項４２】 前記管理限界はＳＰＣ限界を含む、請求項４１に記載の装
置。 - 【請求項４３】 メンテナンストリガーの発生によりイネーブル化される予
防的メンテナンス時間状態を含む、請求項３８に記載の装置。 - 【請求項４４】 前記プロセスは半導体製造プロセスを含む、請求項３８に
記載の装置。 - 【請求項４５】 プロセスを実行するように成される装置であって、 ａ）コンピュータ統合化された時間状態と、 ｂ）デルタグラフ技術を介して決定されるプロセス管理限界と、および ｃ）前記デルタグラフ技術と少なくとも一つの前記時間状態との間のリンクと
、を備え 、前記リンクは、前記プロセスが前記管理限界を外れて実行された場
合に、作動される 装置。 - 【請求項４６】 前記プロセスは半導体製造プロセスを含む、請求項４５に
記載の装置。 - 【請求項４７】 デジタル符号化データ構造を含むメモリであって、前記構
造は、装置と通信するように成された時間状態データ構造を備えるメモリ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/314,275 | 1999-05-18 | ||
| US09/314,275 US6556949B1 (en) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | Semiconductor processing techniques |
| PCT/US2000/013916 WO2000070495A2 (en) | 1999-05-18 | 2000-05-18 | Semiconductor processing techniques |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002544680A true JP2002544680A (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=23219307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000618870A Pending JP2002544680A (ja) | 1999-05-18 | 2000-05-18 | 半導体処理技術 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6556949B1 (ja) |
| EP (1) | EP1181651A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002544680A (ja) |
| KR (1) | KR100756728B1 (ja) |
| WO (1) | WO2000070495A2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518078A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システムの自動構成のための方法 |
| CN110571170A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-13 | 南京泰治自动化技术有限公司 | 一种led封装企业的mes系统快流过账方法及装置 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6747734B1 (en) | 2000-07-08 | 2004-06-08 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology |
| US6428673B1 (en) | 2000-07-08 | 2002-08-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrochemical processing of a microelectronic workpiece, capable of modifying processing based on metrology |
| ITBO20010330A1 (it) * | 2001-05-25 | 2002-11-25 | Gd Spa | Metodo per la stima dell'efficienza di una macchina automatica |
| US7702418B2 (en) * | 2001-06-13 | 2010-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Secure reader system |
| US6879876B2 (en) | 2001-06-13 | 2005-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Liquid handling system with electronic information storage |
| US6704691B2 (en) * | 2001-07-18 | 2004-03-09 | Promos Technologies, Inc. | Method and system for in-line monitoring process performance using measurable equipment signals |
| JP4592235B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2010-12-01 | 株式会社東芝 | 生産装置の故障診断方法及び生産装置の故障診断システム |
| US7280883B2 (en) * | 2001-09-06 | 2007-10-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus |
| DE10161307A1 (de) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren eines wiederholt auftretenden Prozesses und Verfahren und Vorrichtung zum Evaluieren einer Mehrzahl von Prozeßvorrichtungen gleichen Typs sowie Verfahren und Vorrichtung zum Verbessern der Leistungsfähigkeit einer Prozeßvorrichtung |
| US7289230B2 (en) | 2002-02-06 | 2007-10-30 | Cyberoptics Semiconductors, Inc. | Wireless substrate-like sensor |
| TWI240881B (en) * | 2002-05-09 | 2005-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Monitor and diagnostic system and its method for breakdown facilities |
| US20030225474A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-04 | Gustavo Mata | Specialization of active software agents in an automated manufacturing environment |
| DE10240115B4 (de) * | 2002-08-30 | 2004-10-28 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System zum Handhaben von Substraten in einer Produktionslinie mit einer Cluster-Anlage und einer Messanlage |
| US7375035B2 (en) * | 2003-04-29 | 2008-05-20 | Ronal Systems Corporation | Host and ancillary tool interface methodology for distributed processing |
| US6947801B2 (en) * | 2003-08-13 | 2005-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for synchronizing control limit and equipment performance |
| US6950783B1 (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-27 | Powerchip Semiconductor Corp. | Method and related system for semiconductor equipment prevention maintenance management |
| US20050224523A1 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Liquid dispensing method and system with headspace gas removal |
| US7647132B2 (en) * | 2004-05-05 | 2010-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for problem case packaging |
| US20050279207A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Liquid delivery system |
| US6998866B1 (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-14 | International Business Machines Corporation | Circuit and method for monitoring defects |
| US20080275582A1 (en) * | 2004-11-19 | 2008-11-06 | Nettles Steven C | Scheduling AMHS pickup and delivery ahead of schedule |
| US7631286B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-12-08 | Wafertech Llc | Automated metrology recipe generation |
| TWI287182B (en) * | 2006-02-16 | 2007-09-21 | Powerchip Semiconductor Corp | Method for managing tools using statistical process control and storage medium therefor |
| US20070250726A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Rossetti David A | Method of controlling wakeup frequency in a wireless communication system |
| JP5698456B2 (ja) | 2006-06-13 | 2015-04-08 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 気体除去を含む液体分配システム |
| KR101722362B1 (ko) | 2006-07-10 | 2017-04-11 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 정보 저장 엘리먼트를 갖는 물질 저장 용기를 관리하기 위한 시스템 및 방법 |
| US7778798B2 (en) * | 2006-10-12 | 2010-08-17 | Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. | System and method for measuring tool performance |
| JP2008112209A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Omron Corp | 稼働状態モニタリング装置、稼働状態モニタリング方法、およびプログラム |
| US9387428B2 (en) * | 2008-02-05 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes |
| WO2009100163A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for operating an electronic device manufacturing system |
| TWM358407U (en) * | 2008-12-31 | 2009-06-01 | Princeton Technology Corp | Semiconductor device test system of network monitoring |
| US8676818B2 (en) * | 2010-05-03 | 2014-03-18 | International Business Machines Corporation | Dynamic storage and retrieval of process graphs representative of business processes and extraction of formal process models therefrom |
| WO2012174077A1 (en) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Waters Technologies Corporation | Techniques for qualification and maintenance of scientific information system devices |
| JP6262137B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2018-01-17 | 株式会社日立国際電気 | 統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及びプログラム |
| KR101669170B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2016-11-09 | 구흥섭 | Fdc 데이터의 추세변화 분석방법 |
| TWI575343B (zh) * | 2015-12-23 | 2017-03-21 | 迅得機械股份有限公司 | 製程監控方法 |
| JP6716160B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-07-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び加工方法 |
| JP6745673B2 (ja) | 2016-08-05 | 2020-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体システム |
| US11526158B2 (en) * | 2017-07-14 | 2022-12-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Display device, manufacturing system, and display method |
| US12074075B2 (en) * | 2020-09-09 | 2024-08-27 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Data analysis method, electronic device, and storage medium for graphical analysis of wafer yield |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11118528A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 測定データ表示装置 |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4356961A (en) * | 1981-06-18 | 1982-11-02 | Honeywell, Inc. | Dual deadband control system |
| US4703434A (en) * | 1984-04-24 | 1987-10-27 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus for measuring overlay error |
| US5260868A (en) | 1986-08-11 | 1993-11-09 | Texas Instruments Incorporate | Method for calendaring future events in real-time |
| US4890239A (en) * | 1987-10-20 | 1989-12-26 | Shipley Company, Inc. | Lithographic process analysis and control system |
| JPH01283934A (ja) | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置およびその制御方法 |
| JPH03212925A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
| US5124927A (en) * | 1990-03-02 | 1992-06-23 | International Business Machines Corp. | Latent-image control of lithography tools |
| US5108570A (en) | 1990-03-30 | 1992-04-28 | Applied Materials, Inc. | Multistep sputtering process for forming aluminum layer over stepped semiconductor wafer |
| US5236868A (en) | 1990-04-20 | 1993-08-17 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system |
| DE69132012T2 (de) | 1990-10-16 | 2000-11-16 | Consilium, Inc. | Objektorientierte architektur für fabrikverwaltung |
| US5295242A (en) | 1990-11-02 | 1994-03-15 | Consilium, Inc. | Apparatus and method for viewing relationships in a factory management system |
| US5270222A (en) | 1990-12-31 | 1993-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis |
| US5293216A (en) * | 1990-12-31 | 1994-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Sensor for semiconductor device manufacturing process control |
| US6085747A (en) * | 1991-06-14 | 2000-07-11 | Respironics, Inc. | Method and apparatus for controlling sleep disorder breathing |
| JP3154425B2 (ja) | 1992-01-07 | 2001-04-09 | フクダ電子株式会社 | 心電図情報記録方法及び装置 |
| US5586041A (en) | 1992-12-14 | 1996-12-17 | Ford Motor Company | Method and system for real-time statistical process monitoring |
| GB9309513D0 (en) * | 1993-05-08 | 1993-06-23 | Univ Coventry | Electrochemical method of modifying biomolecules in particular proteins |
| US5367624A (en) | 1993-06-11 | 1994-11-22 | Consilium, Inc. | Interface for controlling transactions in a manufacturing execution system |
| US5408405A (en) | 1993-09-20 | 1995-04-18 | Texas Instruments Incorporated | Multi-variable statistical process controller for discrete manufacturing |
| KR950034499A (ko) | 1994-01-28 | 1995-12-28 | 제임스 조셉 드롱 | 물리적인 증기증착 과정동안 필름들의 증착속도를 모니터하기 위한 방법 및 장치 |
| US5629216A (en) | 1994-06-30 | 1997-05-13 | Seh America, Inc. | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies |
| EP0706209A3 (en) | 1994-10-06 | 1996-12-27 | Applied Materials Inc | Thin film resistance measurement |
| JPH08149583A (ja) | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | プロセスコントローラ及びデータ監視方法 |
| KR100213603B1 (ko) | 1994-12-28 | 1999-08-02 | 가나이 쯔또무 | 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판 |
| JPH08233555A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパターンの測定方法及びレジストパターンの測定装置 |
| US5715181A (en) * | 1995-04-03 | 1998-02-03 | Horst; Robert L. | Isogrammetric analysis method for high-yield processes |
| US5956251A (en) | 1995-06-28 | 1999-09-21 | The Boeing Company | Statistical tolerancing |
| US5740429A (en) | 1995-07-07 | 1998-04-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | E10 reporting tool |
| JPH0934535A (ja) | 1995-07-13 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | メンテナンス通告方式 |
| US6249712B1 (en) | 1995-09-26 | 2001-06-19 | William J. N-O. Boiquaye | Adaptive control process and system |
| US5761064A (en) | 1995-10-06 | 1998-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Defect management system for productivity and yield improvement |
| US5864483A (en) | 1996-08-01 | 1999-01-26 | Electronic Data Systems Corporation | Monitoring of service delivery or product manufacturing |
| US5808303A (en) | 1997-01-29 | 1998-09-15 | Art Aerospace Research Technologies Inc. | Infrared screening and inspection system |
| US5862054A (en) | 1997-02-20 | 1999-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process monitoring system for real time statistical process control |
| US5914879A (en) * | 1997-03-04 | 1999-06-22 | Advanced Micro Devices | System and method for calculating cluster tool performance metrics using a weighted configuration matrix |
| JP3393035B2 (ja) | 1997-05-06 | 2003-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置及び半導体製造装置 |
| US5910011A (en) | 1997-05-12 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system |
| US6201999B1 (en) | 1997-06-09 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool |
| JPH1167853A (ja) | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | ウェーハマップ解析補助システムおよびウェーハマップ解析方法 |
| US6128588A (en) * | 1997-10-01 | 2000-10-03 | Sony Corporation | Integrated wafer fab time standard (machine tact) database |
| KR100278600B1 (ko) | 1998-01-14 | 2001-01-15 | 윤종용 | 반도체 제조설비 관리시스템의 설비유닛의 상태 관리방법 |
| KR19990065483A (ko) * | 1998-01-14 | 1999-08-05 | 윤종용 | 반도체 제조설비 관리시스템의 설비 유닛상태 관리방법 |
| US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US5987398A (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Sony Corporation | Method and apparatus for statistical process control of machines and processes having non-constant mean of a response variable |
| US6223091B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-04-24 | Siemens Energy & Automation, Inc. | Alarm event generator apparatus, means and system |
| US6204220B1 (en) * | 1998-07-01 | 2001-03-20 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Substituted 2-oxo-3-alkynoic acids and methods of use thereof |
| US6076028A (en) * | 1998-09-29 | 2000-06-13 | Veridian Engineering, Inc. | Method and apparatus for automatic vehicle event detection, characterization and reporting |
| US6138143A (en) | 1999-01-28 | 2000-10-24 | Genrad, Inc. | Method and apparatus for asynchronous transaction processing |
-
1999
- 1999-05-18 US US09/314,275 patent/US6556949B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-18 WO PCT/US2000/013916 patent/WO2000070495A2/en active Application Filing
- 2000-05-18 KR KR1020017014694A patent/KR100756728B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-18 JP JP2000618870A patent/JP2002544680A/ja active Pending
- 2000-05-18 EP EP00932654A patent/EP1181651A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11118528A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 測定データ表示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518078A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システムの自動構成のための方法 |
| CN110571170A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-13 | 南京泰治自动化技术有限公司 | 一种led封装企业的mes系统快流过账方法及装置 |
| CN110571170B (zh) * | 2019-09-02 | 2021-10-01 | 江苏泰治科技股份有限公司 | 一种led封装企业的mes系统快流过账方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100756728B1 (ko) | 2007-09-07 |
| WO2000070495A2 (en) | 2000-11-23 |
| KR20020019022A (ko) | 2002-03-09 |
| WO2000070495A3 (en) | 2001-02-08 |
| EP1181651A2 (en) | 2002-02-27 |
| US6556949B1 (en) | 2003-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002544680A (ja) | 半導体処理技術 | |
| KR100640700B1 (ko) | 반도체 프로세싱 방법 및 그 장치 | |
| KR100706584B1 (ko) | 반도체 프로세싱 방법 및 그 장치 | |
| KR100748044B1 (ko) | 반도체 프로세싱 방법 및 그 장치 | |
| TWI412906B (zh) | 具有虛擬量測功能的製造執行系統與製造系統 | |
| US7636608B2 (en) | Method for dynamic sensor configuration and runtime execution | |
| US6952656B1 (en) | Wafer fabrication data acquisition and management systems | |
| US7113838B2 (en) | Method and apparatus for monitoring tool performance | |
| JP4643560B2 (ja) | 処理システムの自動構成のための方法 | |
| US20050187649A1 (en) | Method and apparatus for the monitoring and control of a semiconductor manufacturing process | |
| JP2000252179A (ja) | 半導体製造プロセス安定化支援システム | |
| US20060129257A1 (en) | Novel method and apparatus for integrating fault detection and real-time virtual metrology in an advanced process control framework | |
| US6697696B1 (en) | Fault detection control system using dual bus architecture, and methods of using same | |
| JP2001118764A (ja) | 半導体処理技術 | |
| Deraman et al. | MODEL OF RULE PARAMETER CREATION FOR WAFER SCRAP PREVENTION IN THE APPLIED MATERIALS CENTURA 5200 METAL ETCHER PROCESS |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070517 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |