JP2002015969A - ウェーハ製造データ取得及び管理システム - Google Patents

ウェーハ製造データ取得及び管理システム

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JP2002015969A JP2001129826A JP2001129826A JP2002015969A JP 2002015969 A JP2002015969 A JP 2002015969A JP 2001129826 A JP2001129826 A JP 2001129826A JP 2001129826 A JP2001129826 A JP 2001129826A JP 2002015969 A JP2002015969 A JP 2002015969A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 1つ以上のセンサー、第1データ通信ポート
及び第2データ通信ポートを有するツールを含む、半導
体処理デバイスを提供する。 【解決手段】 センサーデータ取得サブシステム(808)
は、ツールから第2ポート(806)を通じてセンサーデー
タを取得する。データ取得サブシステム(808)は、第1
ポート(804)を通じてMES操作メッセージを取得す
る。センサーデータは、センサーデータ処理サブシステ
ム(810)のセンサー処理ユニット(828)へ通信される。セ
ンサー処理ユニット(828)は、センサーデータを処理及
び分析する。さらに、処理ユニット(828)は、たとえば
工程が管理限界内で稼動していない場合にアラームを作
動するなどの、製品又は処理関係の決定を行なうよう適
合され得る。別の実施形態では、それぞれ第1データ通
信ポート(1012〜1018)と第2データ通信ポート(1042〜1
048)を有する複数のツールを含む、ウェーハ製造設備(1
000)からのデータを処理するための、方法及び装置を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造のため
の装置、技術及び方法に関する。
【0002】
【発明の背景】IC(集積回路)などの半導体デバイス
は一般に、半導体単体上に集積的に作成されたトランジ
スタ、ダイオード及びレジスタなどの電子回路要素を有
する。様々な回路要素は導電コネクタを通じて接続され
て、何百もの個々の回路要素を含み得る完全な回路を形
成する。集積回路は一般に、一連の処理段階からなる工
程において、半導体ウェーハから製造される。この工程
は、通常ウェーハ製造工程と呼ばれ、酸化、エッチング
マスク作成、エッチング、材料の堆積、平坦化及び洗浄
などの過程を含む。
【0003】アルミニウムゲートPMOS(pチャンネ
ル型酸化MOSトランジスタ)ウェーハ製造工程40が
概略的に図1に示されている。また、1994年のアデ
ィソンウェズリー株式会社出版、W.R.Runyan
らによる半導体集積回路処理技術(Semiconductor Inte
grated Circuit Processing Technology)の48頁に記
載されているように、主要な処理段階41から73が図
示されている。これらの主要な処理段階のそれぞれは、
通常いくつかの副段階を含んでいる。たとえば、ウェー
ハ製造チャンバ内でスパッタ堆積法によりアルミニウム
層を供給する金属膜化などの主要な処理段階が、米国特
許第5,108,570号(1992年、R.C.Wa
ng)に開示されている。このスパッタ堆積工程が、工
程80の副段階81から97に概略的に示されている。
図2を参照されたい。
【0004】図1及び図2は、一連のウェーハ製造工程
を示している。並行する処理段階を提供するウェーハ製
造のサブシステムを利用することも知られている。その
ようなサブシステムには、通常1つ以上のクラスタツー
ルが含まれる。ここに定義されるように、クラスタツー
ルにはチャンバやウェーハを取り扱う装置のシステムが
含まれ、ここではクラスタツールの環境を真空などにし
ておくことなく、ウェーハはクラスタツールチャンバ内
で処理される。クラスタツールの例が米国特許番号第
5,236,868号(1993年、J.Nulma
n)に開示されており、それには中央チャンバ及び4つ
のプロセスチャンバを有する真空装置が採用されてい
る。中央チャンバ内のウェーハ取り扱いロボットは、ウ
ェーハを真空環境に保ちながら、ウェーハを中央チャン
バから各チャンバへ移送するために、各プロセスチャン
バの内部へ近づく。一例では、‘868特許のクラスタ
内のウェーハが処理のためにまず洗浄チャンバへ移送さ
れ、次にPVD(物理的気相堆積)チャンバへ、続いて
アニールチャンバ及びその後の脱ガスチャンバへ移送さ
れ、このようにして連続工程が利用される。‘868特
許に開示されているようなクラスタツールを使って、並
行使用されるチャンバ内でウェーハを処理することも知
られている。たとえば、ゆっくりした処理段階の後に速
い処理段階が続く場合、ゆっくりした工程には3つのチ
ャンバが並行に使用され、一方、速い工程には4つのチ
ャンバが使用される。
【0005】望ましい特性を有する製品を得るために、
典型的なウェーハ製造処理段階の1つ以上の処理パラメ
ータを、比較的狭い範囲内で制御する必要があることは
当業者には良く知られている。たとえば、米国特許番号
第5,754,297号(1998年、J.Nulma
n)には、スパッタリングなどの、ウェーハ製造の金属
膜堆積中、堆積速度をモニターする方法及び装置が開示
されている。‘297特許では、入力されるスパッタ電
力レベルが一定レベルに維持されている場合、スパッタ
ターゲットが古くなるにしたがい金属堆積速度は低下す
ることを教えている。結果として、任意のプロセスチャ
ンバに対して、運転ごとにそのチャンバ内で処理される
デバイスの歩留まりや品質に影響しうる形で、金属堆積
速度などの重要な処理特性が変化するおそれがある。
‘297特許に開示されているように、スパッタ源へ入
力される電力などの処理変数が、観測された金属堆積処
理特性の変動に呼応して調整されるならば、堆積システ
ムをもっと容易に、望ましいレベル付近に維持すること
ができる。このことは、たとえば堆積環境を進む光の光
学的減衰に基づく堆積速度モニターを使用して、材料が
堆積源から堆積基板へ流れる速度を検出する、‘297
特許により完全に記載されるような処理特性の元位置測
定を必要としている。
【0006】半導体材料、処理及び試験技術の進歩によ
り、IC回路要素の全寸法を縮小しながら、同時に単一
体上におけるIC回路要素の数が増加されてきた。この
ことから、各処理段階及び処理段階の組み合わせ又は順
序に対して、高度な製品管理及び工程管理が必要とされ
ている。したがって、処理ガスなどの処理物質中の、不
純物や粒子の不純物を制御することが必要である。ま
た、‘570及び‘297特許に説明されるように、温
度、圧力、ガス流速、処理時間間隔及び入力されるスパ
ッタ電力などの処理パラメータを制御することが必要で
ある。図1及び図2に図示されるように、ウェーハ製造
には一連の複雑な処理段階が含まれており、そこでは通
常いかなる特定の処理段階の結果も、先行する1つ以上
の処理段階に極めて左右される。たとえば、隣接するI
C層の相互接続用エッチングマスクの、重ね合わせや位
置合わせに誤差がある場合、結果として生じる相互接続
はその適正な設計位置にならない。このことは、相互接
続を過度に狭く詰め込み、これら相互接続間に電気的短
絡欠陥を形成する結果を招くおそれがある。また、2つ
の異なる処理問題が累積的影響を持つことも良く知られ
ている。たとえば、エッチングマスクの位置合わせミス
が電気的短絡に至るほど甚大でなくても、相互接続マス
クの位置合わせが良好であれば電気的短絡の原因とはな
らないような、粒子寸法の微粒子不純物を許す(つまり
検出しない)仕様から、その工程がわずかに外れた場
合、やはり電気的短絡を引き起こす一因となる可能性が
ある。
【0007】上述された処理及び/又は材料の欠陥は、
一般にウェーハの製造歩留まりを低下させる。ここで歩
留まりとは、特定の製造において生産される、条件を満
たすウェーハの割合として定義される。製造過程試験及
び処理パラメータのモニタリングは、一定の製造過程製
品あるいは処理問題又は欠陥が、処理修正や運転の中断
をするなど、処理の運転に介入が必要であるかどうかを
決定するために利用される。したがって、製品及び工程
の制御技術がウェーハ製造全体にわたり広範に使用され
る。可能性として、歩留まり問題は特定の製品又は処理
問題や欠陥に起因しており、ウェーハ製造の歩留まりが
根本的に改善される。各処理ウェーハの製造コストを最
小にし、また電力や化学薬品や水などの資源の使用を最
小にし、同時にスクラップ再生や廃棄を最小とするため
には、高い歩留まりが望ましい。
【0008】適切なウェーハ製造の管理限界を決定し、
またこれらの限界以内で処理を維持するため、SPC
(統計的工程管理)及びSQC(統計的品質管理)の手
法の使用が知られている。例として、R.Zorich
による高品質集積回路製造便覧(Handbook Of Quality
Integrated Circuit Manufacturing)、アカデミックプ
レス社、1991年の、464頁〜498頁を参照され
たい。ウェーハ製造に適したSPC又はSQC方法論に
は、管理図の使用が含まれる。たとえばR.Zoric
hの475頁〜498頁を参照されたい。当業者には良
く知られるように、管理図は、長時間にわたりサンプリ
ングされた、チャンバ圧力など、1つ以上の選択された
処理又は製品の変数を図式表示したものである。特定の
変数の目標値、及びその上限制御値及び下限制御値が、
良く知られる統計的サンプリング法及び計算法を使用し
て図に表わされる。変数の観測値、又は観測されたいく
つかの値の平均など、統計的に得られる値が、あらかじ
め定められた管理限界値を外れる場合、その工程は制御
から外れたと判断される。管理限界値は通常、目標値の
平均値の標準偏差の倍数、たとえば2σや3σなどに設
定される。目標値は、歩留まり、工程管理、及び製品品
質のようなウェーハ製造設計基準に合致する、試験運転
又は生産運転から得られる。SPC及びSQCは、上の
背景で使用される場合、同義と考えられる。R.Zor
ichの464頁を参照されたい。
【0009】ウェーハ製造の多くのコンポーネントやサ
ブシステムは、高度の処理信頼性及び再現性を達成し、
歩留まりを最大化するため、自動化されている。チャン
バなどのウェーハ製造ツールは、通常、一般にツールに
よって実行される工程を操作するための手段として知ら
れる、一連の指示を使用するコンピュータによって制御
される。しかしながら、様々な工程や方法が統合された
高度な自動化は、複雑さや多くのウェーハ製造工程の相
互依存があるために実現が困難であると見なされてい
る。たとえばPeter van Zandtによるマ
イクロチップ製造(Microchip Fabrication)、199
7年、マグローヒル社、第3版の472頁〜478頁を
参照されたい。
【0010】半導体処理システム内の複数のセンサーか
ら処理データを取得し、取得したデータを工程のモニタ
リングに利用することが知られている。例として、米国
特許第5,910,011号(1999年、J.P.
Cruse)を参照されたい。‘011特許に示される
ように、複数の処理パラメータに関係するデータがセン
サーから取得される。統計的エンジンが、関連する処理
パラメータ間の相関関係を示し、処理特性における特定
の変化の検出を援助する。関連付けられたデータは、処
理決定の補助のため、決定閾値を定義するデータと比較
することができる。処理決定とは、関連付けられたデー
タが処理終点に到達したことを示すときに、処理を停止
したり、あるいは、たとえば処理を停止すべきことを指
示する警報信号を用意することなどである。関連付けら
れた処理パラメータのデータは、ウェーハとウェーハと
の相関傾向を決定するために格納される。全体の信号対
雑音比は、2つ以上の信号又はパラメータの、‘011
特許の相関関係方法により低減され、したがって決定閾
値の検出が向上する。
【0011】ウェーハ製造ツールなど半導体製造装置の
ユニットは、一般にオンボードコンピュータを使用し
て、装置、処理、又は材料のパラメータを、ツールや製
造工程と関連付けて特定、及び/又は規定する。製造ユ
ニットのオンボードコンピュータとホストコンピュータ
間の通信インターフェースは、通常SECS II(S
EMI装置通信基準)などのプロトコルを含む。SEC
S IIなどの従来の通信プロトコルが、19200の
最大ボーレートを含む制限を持つことは、当業者には良
く知られることである。この種の通信プロトコルの、制
限されたデータ転送容量は、コンピュータとツール間の
通信に制約を課すものであり、それによってデータタイ
プやデータの転送速度が制限される。たとえば、SEC
S IIなどの従来のツール通信プロトコルは、ツール
からコンピュータへ広範な装置測定学データを通信する
には適切でない。これは特に、SPC関連データ、又は
SEMI E10−96データの広範な収集及び使用に
関連する場合である(以下参照)。
【0012】たとえばウェーハ製造を含む、半導体製造
装置の機能は、図3に概略的に示される6つの状態のよ
うな、基本的な装置の状態において定義できることは当
業者には良く知られることである。国際半導体製造装置
材料協会(SEMI)により出版された、SEMI E
10−96、装置の信頼性、可用性、及び整備性(RA
M)の定義及び評価のための基準(1996年)におけ
る1頁〜23頁を参照されたい。半導体工業では一般
に、誰が機能を実行するかに関係のない機能的装置の問
題に基づき、これら6つの装置状態を使用して装置のR
AM(信頼性、可用性及び整備性)を評価及び表現す
る。これら6つの基本的な装置状態は、予定されない時
間102(図3)、予定外の中断時間104、予定され
た中断時間106、エンジニアリング時間108、待機
時間110、及び生産時間112を含む。予定されない
時間102は、たとえば加工しない移動など、装置の使
用が予定されていない期間を表わす。予定外の中断時間
104は、たとえば装置修理中など、装置がその意図さ
れた機能を実行する状態にない期間に関する。予定され
た中断時間106は、工程準備や予防整備など、装置が
その機能を実行可能であるが、すぐにこれを行うことが
出来ないときに生じる。エンジニアリング時間108
は、たとえば装置の評価など、装置が操作されて技術試
験を実施している期間に関する。待機時間110は、操
作するオペレータが誰もいなかったり、関連する情報シ
ステムからの入力が何もないなど、装置はその意図され
た機能を実行する状態にあり、またその機能を実行可能
でありながら、装置が操作されていない期間のことであ
る。生産時間112は、通常の生産や再加工など、装置
がその意図された機能を実行している期間を表わす。
【0013】図3を参照して、総時間114は評価され
る期間中の全時間であり、これは6つの装置状態、10
2、104、106、108、110、及び112を含
む。作業時間116は、状態104,106,108,
110,及び112の合計期間をいう。作業時間116
は、状態104及び106からなる装置中断時間118
と、装置使用可能時間120を含む。装置使用可能時間
120は、エンジニアリング時間108と製造時間12
2を含み、製造時間122は待機時間110と生産時間
112からなる。
【0014】図4及び図5は、図3に示された6つの装
置状態の、より詳細な概略図を与えるものである。SE
MI E10−96の1頁〜6頁を参照のこと。図4に
示されるように、総時間114は、予定されない時間1
02と作業時間116からなる。予定されない時間10
2は、加工しない移動時間130、装置の設置、変更、
改造又は改善の時間132、オフライン訓練時間134
及び、シャットダウン又は運転開始時間136を含む。
作業時間116は図5に概略的に説明されるように、装
置中断時間118と装置使用可能時間120からなる。
装置中断時間118は、予定外の中断時間104と予定
された中断時間106からなる。予定外の中断時間10
4は、整備遅れのための中断時間140、修理時間14
2、消耗品/化学薬品の交換144、仕様外の入力14
6又は設備関連の中断時間148を含む。予定された中
断時間106は、整備遅れのための中断時間150、生
産試験152、予防整備154、消耗品/化学薬品の交
換156、準備158又は設備関連の中断時間159を
いう。
【0015】図5に示される装置使用可能時間120
は、エンジニアリング時間108と製造時間122から
なる。エンジニアリング時間108はプロセス実験16
0と装置実験162を含む。製造時間122は、待機時
間110と生産時間112を含む。待機時間110に
は、オペレータがいない時間180、製品がない時間1
82、支持ツールがない時間184、又は対応するクラ
スタモジュールが停止している時間186が含まれる。
生産時間112は、正規の生産が行なわれている時間1
90、第三者のための作業192、再加工194、又は
エンジニアリング運転196に関係する。図3〜図5に
関連して説明されるように、様々な装置状態が、半導体
産業における通信や、RAMに関する装置情報を評価す
るための基準を提供する。RAMに関する装置情報に
は、装置信頼性、装置可用性、装置整備性及び装置設備
使用率など、当業者には良く知られる題目が含まれる。
例として、SEMI E10−96の6頁〜11頁を参
照されたい。
【0016】したがって、ツールとホストコンピュータ
間に改善されたデータ転送容量をもたらし、同様に、改
善された工程管理、品質、歩留まり、及びコスト削減を
もたらす方法及び技術が必要とされている。また、ウェ
ーハ製造装置の時間状態と改善された整備及び工程スケ
ジューリングとを調和させることが必要である。
【0017】
【課題を解決するための手段】半導体処理デバイス及び
ウェーハ製造の、データ取得及び管理システムのための
本発明による新規な技術は、データ取得、工程管理、品
質、歩留まり、及びコスト削減に必要な改善をもたら
す。
【0018】本発明の一実施形態では、ツールに第1の
通信ポートと第2の通信ポートを含む、半導体製造ツー
ル及び処理方法が提供される。前期ツールにはまた、工
程、製品及び装置のパラメータを感知するセンサーが含
まれ、これらパラメータは第2ポートを通じてセンサー
のデータ取得ユニットへ通信される。第1ポートは、M
ESメッセージとクエリーを装置へ通信するために使用
される。
【0019】別の実施形態では、ウェーハ製造設備から
のデータを処理するために記載の方法及び装置が提供さ
れ、ウェーハ製造設備には、第1及び第2通信ポート
と、第2通信ポートと通信するセンサーをそれぞれにも
つ、複数のツールが含まれる。ウェーハ製造設備にはさ
らに、ホストデータベースとホストコンピュータ、及び
データベース管理システムとウェーハ製造管理ソフトウ
ェアが含まれる。命令を操作するツールは、各ツールの
第1ポートを通じて通信するレガシーソフトウェアを使
用して実行される。センサーデータは、各ツールの第2
ポートを通じて取得される。
【0020】さらに本発明の別の実施形態では、ウェー
ハ製造管理システムを操作するための、コンピュータ実
行可能工程が提供される。前記システムは、ウェーハ製
造データ構造を定義することにより、またこれら構造間
の関係を定義することによってシステムのためのモデル
を得る。システム構成データが、前記システムを操作す
るために選択される。構成データは次に、ユーザ入力に
したがって調整される。システムが作動すると、続いて
操作デーが収集される。操作データが集められると、次
に更新されたデータ構造を形成するためにフォーマット
される。データベース管理システムが使用されて、収集
されたデータを管理し、またシステムデータの構造なら
びにデータ構造間の関係に一貫性を保証する。
【0021】本発明のさらに別の実施形態において、第
1及び第2データ通信ポートを含むツールをそれぞれ有
する複数の半導体処理デバイスを使用して、半導体製造
のためのネットワーク分散型データベースが提供され
る。複数の半導体デバイスと、データベース管理システ
ムを相互接続するために、ネットワークが提供される。
【0022】本発明の別の実施形態では、ウェーハ製造
のための、1つ以上のツールを操作するために、コンピ
ュータ実行可能データ構造が提供される。データ構造は
管理システムデータを含む。
【0023】本発明のさらに別の実施形態では、関係表
に整理されたデータが、半導体製造のための、1つ以上
のアプリケーションによってアクセスされるよう適合さ
れている、データ構造が提供される。たとえば、手段マ
ネージャアプリケーションは手段管理関係表又は手段ス
テップ関係表にアクセスして、これらの表に情報を加え
たり、又はこれらの表の内容を変更することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】発明とその実施形態を説明する
際、明瞭さのため、特定の用語が使用される。そのよう
な用語は、実施形態の他にすべての等価物を意味するも
のである。
【0025】図6に概略的に説明される発明の一実施形
態は、本発明のEDAS(拡張データ取得システム)を
使用する、半導体処理デバイス600を表わす。新規の
EDASはモニタリング用、すなわち、半導体ウェーハ
又はIC(集積回路)の製造又は処理ツール(これ以
降、ツールと呼ぶ)を、監視、分析及びレポートするよ
う適合されている。これらのツールには、エッチング又
は堆積チャンバなどのウェーハ製造チャンバと、ウェー
ハ及びウェーハカセット取り扱い装置が含まれる。新規
のEDASには、(1)装置、工程及びウェーハのデー
タに関する情報を格納するためのDB(データベー
ス)、(2)データの取得又は収集、SPC分析及び履
歴レポートを行なうよう適合されたソフトウェア、及び
(3)個々のツール及び工場規模の装置に関する情報を
取得するためのUI(ユーザインターフェース)が含ま
れる。
【0026】本発明のEDASを制御及び実行するソフ
トウェアは、以下を提供する。すなわち、(1)装置デ
ータのデータ収集及び格納、(2)特にこれらデータ
が、関連するウェーハのロット履歴ファイルと関連付け
られている場合のリアルタイム及び履歴データの相関関
係のモニタリングを含む、工程及び装置のモニタリング
(3)アラーム付き応答を含む、単一処理イベントの管
理限界検出である。
【0027】EDASを使用するよう適合されたツール
は、2つの通信ポートを含む。第1通信ポートは、従来
のMES(製造実行システム)メッセージ及びデータを
通信するためのインターフェースを提供する。第1ポー
トは、SECS II(SEMI装置通信基準II)な
ど、従来の装置基準を利用する。通常、第1ポートは、
約19200の最大ボーレートで稼動するシリアルポー
トを含む。SECSIIの第1ポートは、当業者には良
く知られるいかなる技術をも使用する、従来の、また標
準として知られる、SECS IIメッセージをサポー
トするインターフェースプロトコルを提供する。新規の
第2ポートは、従来のSECS IIメッセージ及び、
EDASデータの通信用に適合された特製SECS I
Iメッセージをサポートする、インターフェースプロト
コルによって、EDASデータを通信するためのインタ
ーフェースを提供する。通常、第2ポートは第1ポート
よりも速いボーレートで動作する。好ましくは、第2ポ
ートには約38400の最大ボーレートで動作するシリ
アルポートが含まれる。新規の第2ポートはHSMS
(高速通信サービス)プロトコルを使用するメッセージ
をサポートする。第1及び第2ポートは、コンピュータ
実行可能メッセージをツールへ通信するために適合され
る。
【0028】図6に戻ると、デバイス600は、ツール
610、従来のMESメッセージ及びMESデータ61
4を通信するための第1通信ポート612、ツール61
0と新規のEDAS取得データ環境618間にインター
フェースを提供する新規の第2通信ポート616を含ん
でいる。情報処理及び分析環境624は、リンク622
を通じてEDAS取得データ環境618に連結されてい
る。デバイス600はまた、ツールDB620を含む。
任意で、デバイス600は判断環境626を備えること
が出来、判断環境626は、応答環境628と通信する
ために任意で適合されている。加えて、専用大容量記憶
装置630が、情報処理及び分析環境624に連結され
ている。任意により、ネットワーク634と通信する、
1つ以上のネットワークシリアルポート632を通じ
て、ネットワークアクセスが提供される。ここで定義す
るように、「環境」という表現には、技術の集合体と、
データ、データ構造又は情報を取得するためのリソース
を提供する方法及び/又はデバイスが含まれ、前記方法
及び/又はデバイスは、取得されたデータ、データ構造
又は情報と、任意で相互作用が可能である。ここで用い
られる環境には、コンピュータ環境が含まれる。ここで
定義するように、「コンピュータ環境」という表現には、
データ、データ構造又は情報を取得するためのリソース
を提供するコンピュータソフトウェア及び/又はハード
ウェアが含まれ、前記コンピュータソフトウェア及び/
又はハードウェアは、取得されたデータ、データ構造又
は情報と相互作用が可能である。
【0029】図6に表わされるように、ツール610
は、所望のウェーハ又はIC構造をもたらすために必要
な、たとえばオンボードコンピュータやコンピュータ操
作のソフトウェアを含むマイクロプロセッサの他、スイ
ッチ、また、たとえば電位差計などの可変抵抗器を使用
した電気回路を含む、機械的/電気的制御装置などの、
制御装置(図示しない)や入力を含んでいる。これらの
制御装置が、様々なツールの工程や、ガス流やウェーハ
取り扱いなど操作上の機能を、操作又は制御している。
1つ以上のセンサー(図示しない)が、ツール610と
接続されて用意され、処理データ、製品データ、装置パ
ラメータデータを感知及びレポートする。MES命令及
びクエリーなどツール610のための操作上の命令は、
ツールDB620を使用することによって、あるいはた
とえばキーボード、又はGUI(グラフィックユーザイ
ンターフェース)615などのMES入力デバイス、ラ
イトペンやマウスなどのポインティングデバイス、OC
R(光学式文字読取装置)、たとえば音声認識ソフトウ
ェアを使用する音声命令、及び取外し可能なデータ記憶
媒体又はデバイスなどを使用した、MESメッセージ6
14を使用することによって、当業者に良く知られるい
かなる方法及び技術でも使用して、ツール610へ提供
される。通常、操作上の命令は、ツールのオンボードプ
ロセッサにアクセスして、又は従来のデータエントリ技
術によっても、ツールに提供することができる。操作上
の命令には、たとえばバルブの開閉など、装置パラメー
タ用の特定の設定を含めることができる。これらの命令
にはまた、たとえば処理手段を指定したり、あるいはウ
ェーハのロット番号を指定したり、又は処理手順の開始
や終了を指定する、処理命令を含めることもできる。
【0030】新規EDASのための、入力メッセージ、
クエリー又はデータは、入力デバイス642及び/又は
ツールDB620を使用することにより、第2ポート6
16を通じてツール610へ提供することができる。入
力デバイス642の適した例には、キーボード、GU
I、ライトペンやマウスなどのポインティングデバイ
ス、OCR、音声命令、及び取り外し可能なデジタル又
は光学的なデータコンピュータディスク又はテープなど
の、取外し可能なデータ格納媒体又はデバイスが含まれ
る。本発明のEDASは、通常2つの入力デバイス61
5及び642を使用する。これら2つのデバイスは、メ
ッセージやクエリーの、MES入力用のデバイス615
の機能と、EDAS入力用のデバイス642の機能を別
々に持つ、1つの装置に統合できる(図示しない)こと
は理解されよう。ツール610のセンサーは、センサー
データを含むEDASデータを提供することが出来、こ
れは、第2ポート616を通じて通信され(図6参
照)、デバイス600のEDAS取得データ環境618
中に取得される。この環境には、データを受信して、情
報処理及び分析環境624へデータを通信するための、
大容量記憶装置及び/又は通信リンクが含まれている。
専用大容量記憶装置630は、ウェーハのロット履歴フ
ァイルを含む履歴データと、工程又は製品の管理限界の
ために、記憶媒体を提供する。レポート環境636は、
レポートをたとえばハードコピーで、あるいはモニター
上に表示することによって提供するよう適合されてい
る。これらのレポートには、英数字データとグラフ表示
が含まれる。リンク622などのリンクには、ハード接
続、導電表面、光要素、及び従来の無線通信技術が含ま
れる。
【0031】図6に示す新規の半導体処理デバイス60
0の情報処理及び分析環境624は、当業者に良く知ら
れるような方法を使用して、半導体ウェーハ及びIC構
造を生産するための設計及び歩留まり基準を満たす工程
管理限界を決定する。管理限界は、構造製造のための設
計及び歩留まり基準を満たす工程を示す、1つ以上の処
理パラメータ及び/又は製造過程製品パラメータを使用
して統計的に求められる。ひとたび管理限界が確立され
ると、環境624は、管理限界を確立するために使用し
たのと同じパラメータを用いて、これらの構造を生産す
る生産運転から、工程及び/又は製品測定情報を取得す
る。この環境内で、次に分析が行なわれ、工程又は製品
が管理限界内で生産されるかどうかを特定する。環境6
24は通常、この環境のデータ処理要求を実行するため
に、マイクロプロセッサなどのデータ処理装置を使用す
る。
【0032】本発明の情報処理及び分析環境624での
使用に適したSPC方法には、管理図法及びパレート図
が含まれる。パレート図は、欠陥の全発生数の累積及
び、その他の欠陥、又は問題の、それぞれの発生数と比
較した、特定の欠陥の発生数順位を表わす棒グラフ表示
である。当業者には良く知られるように、管理限界は通
常、設計されたように稼動し、また許容範囲内の歩留ま
りに帰着する工程を示す重要な又は決定的なパラメータ
に関係した、統計的に著しい数のデータの収集にしたが
って決定される。ツール610で実行される工程に適し
たパラメータには、スパッタ堆積工程におけるスパッタ
電力、ガス流速及び/又はガス圧力、及びチャンバ環境
における粒子汚染物を含めることができる。これらのパ
ラメータを特定の間隔で測定する測定データにより、管
理限界決定のための入力が提供される。加えて、元位置
製品試験に関する測定データを、同様に用いることもで
きる。たとえば、半導体基板上の導電膜のシート抵抗
を、半導体処理装置の真空環境内に基板を維持しながら
元位置で測定するために、‘989特許に開示された技
術を使用する。管理下で、すなわち操作仕様内及び/又
は歩留まり内で運転しながら工程から得られたデータ
が、次に当業者には良く知られる統計的手法を用いて計
算されて、工程管理限界を決定する。続く生産運転は、
その後、管理限界を決定するために使用したものと同
じ、処理パラメータの測定データ又は元位置製品パラメ
ータの測定データを使用して、分析される。
【0033】新規の半導体処理デバイス600(図6)
の、情報処理及び分析環境624は、履歴データとリア
ルタイムデータを比較し、又はチャンバマッチング分析
を実行し、SPC方法を使用して、たとえばレポート環
境636を通じて数量表示及び/又はグラフ表示を提供
するよう適合される。
【0034】環境624で実行された分析の結果は、図
6に概略的に表わされるように、判断環境626によっ
て取得される。判断環境626が、工程があらかじめ定
められた管理限界内で稼動していると決定した場合、干
渉はなされない。しかし、分析によって処理が管理限界
を外れていることが示されると、アラームや管理限界外
表示などの応答が、たとえば管理限界から外れているな
どの所定のアラーム状態に反応して、作動し得る。また
応答環境628を通じて、たとえば処理が管理限界内で
操作していない場合には、処理手順を中断することによ
って、処理の介入を開始することも考えられる。判断環
境626は、通常マイクロプロセッサを使用している。
【0035】環境618、620及び624はホストコ
ンピュータ640によって提供され得ることが理解され
よう(図6)。また、新規の半導体処理デバイス600
が、1つ以上のデジタルコード化された装置と、新規の
EDASを含む処理データ構造又は製品データ構造を備
える、新規の製品又は新規器材を含むことも理解されよ
う。
【0036】ツール610は、ポンプや冷却装置など
の、1つ以上の周辺デバイス644を備えることができ
る。周辺デバイスはネットワークポート646を通じ
て、ネットワーク634へデータを送信することができ
る。
【0037】図7に概略的に表わされる本発明の別の実
施形態は、本発明の半導体処理デバイス700を示して
いる。このデバイスは、EDASセンサーデータを提供
する1つ以上のセンサー(図示しない)を持つツール7
02を含み、EDASセンサーデータは新規の第2ポー
ト704を通じてデータ取得サブシステム706へ通信
され、データ取得サブシステム706はEDASデータ
取得ユニット708、任意のデジタルデータ処理ユニッ
ト710、ツールDB712及びネットワーク接続71
4を含む。デバイス700の、第2ポート704、ED
ASデータ取得ユニット708及びツールDB712
は、図6に関して説明されたデバイス600の、それぞ
れ第2ポート616、EDAS取得データ環境618、
及びツールDB620と類似である。図7に戻り、ED
AS情報、メッセージ又はクエリーは、EDAS入力デ
バイス705又はツールDB712から、第2ポート7
04を通じてツール702へ通信可能であるが、一方、
MESメッセージを、入力デバイス733を使用し、第
1ポート730を通じてツール702へ、通信すること
が可能である。入力デバイス705及び733、MES
メッセージ732及び第1ポート730は、デバイス6
00に関して説明された対応するユニットと類似であ
る。たとえばCPUを使用するデジタルデータ処理ユニ
ット710は、データを、データ処理サブシステム71
6による処理や、あるいはネットワークへの送信に適し
たフォーマットに変換又は処理するために使用すること
が可能である。
【0038】図7に示されるデバイス700のデータ取
得サブシステム706は、リンク718を通じて、ED
ASデータ処理ユニット720及び専用大容量データ記
憶装置722を含む、データ処理サブシステム716と
通信する。取得されたEDASデータは、EDASデー
タ取得ユニット708からEDASデータ処理ユニット
720へ通信される。EDASデータは、図6に示され
るデバイス600の、情報処理及び分析環境624に関
連して説明された方法などを使用して、ユニット720
において、処理及び分析され、その結果、処理済みED
ASデータとなる。さらにユニット720は、たとえ
ば、工程が管理限界以内で稼動していない場合にアラー
ムを作動するために、デバイス600の判断環境626
及び応答環境628に関して説明されたように、製品又
は処理に関連する判断を行なうよう適合されている。セ
ンサーデータ処理ユニット720の大容量データ記憶装
置722は、たとえば、ウェーハのロット履歴ファイル
を含む履歴データ、又は工程管理限界データを提供する
ことができる。レポートユニット724は、図6に示し
たデバイス600のレポート環境636と同様、たとえ
ば、EDASデータの処理及び分析から得られた結果を
表示又は印刷するよう適合されている。
【0039】ある実施形態において、新規の半導体処理
デバイス700はウェーハエッチング工程の終点を決定
するために使用される。エッチング工程の終点に達する
と同時に、エッチング段階は完了し、終了しなければな
らない。この処理の説明として、たとえば米国特許第
5,910,011号(Cruse)を参照されたい。
終点決定を行なうために、1つ以上のセンサーの出力が
モニターされて、この決定を行なわなくてはならない。
一般に、この作業には、センサーデータの処理をサポー
トするために、大容量記憶装置の使用が要求される。デ
バイス700のデータ取得サブシステム706は、40
0MHzのクロック速度で稼動するPCプロセッサを使
用したMicrosoft NT型オペレーティングシ
ステム上で実行される。PCプロセッサには、プログラ
ム及びデータを格納するために、3つのX GBハード
ディスクが含まれる。したがって、この具体的な実施形
態では、デジタルデータ処理ユニット710と大容量記
憶装置712が、共にPCプロセッサ及びそのハードデ
ィスクによって提供される。ネットワーク接続714
は、PCに組み込まれたイーサネット(登録商標)カー
ドと互換ソフトウェアによって提供される。データ処理
ユニット710とツールDB712の一部は、データ処
理ユニット710上で動作し、かつユニット710を、
EDASデータ取得ユニット708で取得されたセンサ
ーデータを処理及びフォーマットし、その後でセンサー
データをツールDB712へ格納するように構成する、
格納されたプログラムを含んでいる。
【0040】本実施形態ではエッチングチャンバにおけ
るウェーハエッチング処理の終点決定のために、構成ソ
フトウェアがハードディスクの1つに格納され、PC上
で動作し、EDASデータ取得ユニット708の第2ポ
ート704を通じてツール702からEDASデータを
受信するようにPCを調整する。構成ソフトウェアはま
た、データを処理及びフォーマットし、また所定のデー
タを、ハードディスクの1つ以上に格納する。任意で、
所定のデータを、ネットワーク接続714を通じて通信
することができる。ツール702と、第2ポート704
を通じてツール704と通信するデータ取得サブシステ
ム706の組み合わせが、センサーを備えた、EDAS
を使用するツールを定義する。データ処理サブシステム
716は終点処理サブシステム716からなり、データ
リンク718を通じてEDAS取得されたデータを受け
取る。データ処理ユニット720は、終点決定アプリケ
ーションを実行している専用の終点データ処理装置から
なる。専用処理装置720は、たとえば8GBハードデ
ィスクなどの、大容量記憶装置722によってサポート
される。終点処理装置720とデータ取得サブシステム
706間の通信は、データリンク718を通じて提供さ
れる。このように、終点処理サブシステム716は、終
点が現れたときを特定し、その結論は次に、リンク71
8を通じてデータ取得サブシステム706へ通信され
る。任意で、デバイス700はまた、アラームを開始し
たり、装置オペレータに警告し、終点に達したことを示
すために使用することもできる。
【0041】本発明の追加の実施形態は、MESのいく
つかと、新規のEDAS機能が組み合わせられたもので
あり、半導体処理デバイス800を表わす図8に概略的
に示される。デバイス800は、1つ以上のセンサー
(図示しない)を持つツール802を含む。デバイスは
また、第1ポート804、第2ポート806、データ取
得サブシステム808、センサーデータ処理サブシステ
ム810、データリンク812及びネットワーク接続8
14を含み、第1及び第2ポートは、デバイス600及
び700の対応するポートと類似である。データ取得サ
ブシステム808には、たとえばツール802のオンラ
イン状態に関するデータを取得するためのMESデータ
取得ユニット816と、たとえばSPC分析のためのツ
ールセンサーEDASデータを取得するEDASデータ
取得ユニット818が含まれる。デジタルデータ処理ユ
ニット820及びツールデータベース822もまた、デ
ータ取得サブシステム808に含まれる。デジタルデー
タ処理ユニット820は、MES取得ユニット816か
らとEDASデータ取得ユニット818からのデータを
処理するために適合されている。デバイス800のED
ASデータ取得ユニット818とツールDB822は、
デバイス700のEDASデータ取得ユニット708と
ツールDB712それぞれに類似である。
【0042】図8に示される処理デバイス800の入力
デバイス826は、MES入力のエントリとEDAS入
力のエントリ用に適合されており、それによって図7に
説明される処理デバイス700の、MES入力デバイス
733とEDAS入力デバイス705の機能の組み合わ
せを提供する。サブシステム808とリンク812を通
じて通信するセンサーデータ処理サブシステム810
は、図7に示されるデバイス700のEDASデータ処
理ユニット720と専用大容量記憶装置722に類似
の、専用EDASデータ処理ユニット828と専用大容
量記憶装置830を含む。MESデータ取得ユニット8
16からのMESデータは、データ処理ユニット820
によって処理することができる。データ処理ユニット8
20上で動作するソフトウェアアプリケーションは、M
ESデータの取り扱いと、MESデータをツールDB8
22の一部にするためのモジュールを含む。
【0043】デバイス800(図8)は、センサーデー
タ処理サブシステム810により駆動されるレポートユ
ニット824を含む。デバイス800のレポートユニッ
ト824は、図6に示されたデバイス600のレポート
環境636と、レポートユニット824がさらにMES
関連データをレポートするよう適合されていることを除
き、類似である。レポートユニット、データエントリデ
バイス、及びデータ処理ユニット820上で動作する互
換性ソフトウェアは、ツールオペレータが、ツール80
2及びデータ取得サブシステム808の構成及び操作
を、良く知られるインターフェースデバイスを使用して
管理できるようにする。半導体処理デバイス800はま
た、ポンプや冷却装置などの周辺デバイス834を含
む。ツール802の周辺デバイス834は、ネットワー
クを通じて命令を受け取ったり、操作データを提供する
ことができる。
【0044】本発明のさらなる実施形態は、半導体処理
デバイスのネットワークシステム900を提供する。図
9に概略的に示されるネットワークシステム900に
は、デバイス902、904及び906、DBMS(デ
ータベース管理システム)908、及び個々の半導体製
造デバイスとDBMSを相互接続するネットワーク91
0によって例示される、複数の半導体処理デバイスが含
まれる。その結果生じるシステムは、すべてのデジタル
記憶装置内の全データを含む、ネットワーク専用データ
ベースを形成する。システム900のある実施形態で
は、DBMS908がネットワークサーバとして構成さ
れ、個々の半導体処理装置902、904及び906
が、ネットワーククライアントとして構成される。本発
明の使用に適した半導体処理デバイスは、図6、図7、
図8にそれぞれ示される半導体処理デバイス600、7
00及び800を含む。
【0045】図10に説明する本発明の別の実施形態
は、ウェーハ製造設備を管理するシステム1000を表
わしている。システム1000は、ツール1(100
4)、ツール2(1006)、ツール3(1008)及
びツールn(1010)、ホストコンピュータ102
0、及び、ホストデータベース1022を有するウェー
ハ製造コンポーネント1002を含み、ツールはそれぞ
れ、第1ポート1012、1014、1016及び10
18と、それぞれ第2ポート1042、1044、10
46及び1048を有する。ホストコンピュータ102
0、ホストデータベース1022、及び第1ポート10
12〜1018は、ウェーハ製造コンポーネント100
2内にレガシーシステムを形成する。システム1000
の第1及び第2ポートは、図6に説明されたデバイス6
00の対応するポートに類似である。図10に戻り、ツ
ール1からツール2の各々は、EDASデータを提供す
るための1つ以上のセンサー(図示しない)を含む。シ
ステム1000はまた、データベース管理システム10
24、ウェーハ製造管理ソフトウェア1026、ネット
ワークインターフェース1028、ネットワーク103
0、EDASツールサブシステム1032、1034、
1036及び1038、及び非ツールクライアントコン
ピュータ1040を含む。各EDASツールサブシステ
ムは、その第2ポート通じてツールセンサーEDASデ
ータを受け取る。図10に示すように、各EDASツー
ルサブシステムは、EDASデータ収集フロントエンド
1050、1052、1054及び1056、ツールク
ライアント1058、1060、1062及び1064
と、大容量記憶装置1066、1068、1070及び
1072を含み、各大容量記憶装置はツールの各々に対
してDBを提供する。ツール1、2、3及びnに対する
ツールクライアント1058〜1064は、図7に示さ
れるデバイス700の任意のデータ処理ユニット710
及びEDASデータ処理サブシステム716の機能と、
類似の機能を提供する。図10に関して、デバイス70
0のレポートユニット724と類似のレポートユニット
(図示しない)をEDASツールサブシステム1032
〜1038の各々に備えることもできる。さらに類似の
レポートユニット(図示しない)を、非ツールクライア
ントコンピュータ1040に備えることも可能である。
EDASメッセージ及びクエリーを入力するため、処理
デバイス700(図7)のEDAS入力デバイス705
と類似の入力デバイスを、EDASツールサブシステム
1032〜1038の各々と、非ツールクライアントコ
ンピュータ1040に備えることができる。EDASメ
ッセージとクエリーはまた、デバイス700の、ツール
DB712がEDASメッセージの入力用に適合されて
いる入力システムと同様に、DB部1、2、3及びnを
使用してツール1、2、3及びnへ入力することもでき
る。
【0046】本発明は、図10に示すように、データベ
ース管理システム1024及びウェーハ製造管理ソフト
ウェア1026によってウェーハ製造コンポーネント1
002のレガシーシステムへ追加される、機能及びデー
タベース管理を提供し、データベース管理システム10
24及びウェーハ製造管理ソフトウェア1026は、ホ
ストコンピュータ1020とホストDB1022により
統合され、ホストコンピュータ1020を通じて提供さ
れるMES命令などの操作命令によってウェーハ製造コ
ンポーネント1002を管理するための、第1ポート1
012〜1018を利用した互換システムを形成する。
MES命令の重複値は、ホスト(レガシー)データベー
ス1022と追加されたデータベース管理機能1024
間で同期される。ある実施形態において、ホストコンピ
ュータ1020は、ホストDB1022などの1つ以上
の大容量記憶装置を持つワークステーションである。こ
の具体的な実施形態では、データベース管理1024、
ウェーハ製造管理ソフトウェア1026、及びネットワ
ークインターフェース1028の機能が、ワークステー
ション1020内に駐在し、同時にデータベース構造及
びデータ構造が、一部はホストDB1022上に、また
一部はツールサブシステム1032〜1038の大容量
記憶装置1066〜1072上に駐在する。上述のよう
に、システム1000のデータベースは同期されて、重
複情報のコピーをウェーハ製造コンポーネント1002
からデータベース1024へ転送する。本発明は、第2
ポート1042、1044、1046及び1048を通
じたセンサーデータを含むEDASデータ取得を含み、
またEDASツールサブシステム1032、1034、
1036及び1038をそれぞれ含む。本発明のEDA
Sデータ取得は、ウェーハ製造コンポーネント1002
の第1ポート1004、1006、1008及び101
0を通して得ることの出来ない情報を集めるために使用
される。
【0047】本発明の、別の具体的な実施形態では、上
述の管理システム1000(図10)が、ネットワーク
サーバとしてのホストコンピュータ1020及びネット
ワークインターフェース1028を実行し、またネット
ワーククライアントとしての各EDASツールサブシス
テム1032〜1038を実行する。別の具体的な実施
形態では、ウェーハ製造管理システム1000が1つ以
上の非ツールクライアントコンピュータ1040を含
み、これら非ツールクライアントコンピュータはユーザ
インターフェースをネットワークシステム全体にわたり
拡張するために使用され、非ツールクライアントコンピ
ュータは、ウェーハ製造コンポーネント1002、ホス
トコンピュータ1020、ホストデータベース1022
及びEDASツールサブシステム1032〜1038へ
のリモートアクセスを提供する。
【0048】新規の製造管理システム1000(図1
0)の、別の具体的な実施形態では、ウェーハ製造管理
ソフトウェア1026が、ホストワークステーション1
020と各EDASツールサブシステム1032〜10
38の間で区分化されている。この区分化が可能なの
は、いくつかの管理作業が、EDASサブシステム10
32〜1038のEDASを背景としたEDASデータ
取得に関係しており、ネットワーク1030などのより
限られたネットワーク接続を通じてEDASデータ収集
を管理するよう試みないためである。
【0049】ウェーハ製造管理システム1000の取得
されたEDASデータは、各EDASツールサブシステ
ム1032〜1038内に維持され、各ツールの取得さ
れたEDAS情報がツールサブシステム大容量記憶装置
1066〜1072上に格納される。データベース管理
機能1024はまた、ホストワークステーション102
0とツールサブシステムデータ処理ユニット1058〜
1064の間で区分化されている。データベース管理機
能1024が区分化されるのは、データベースのいくつ
かの部分が、EDASデータ取得により密接に関連し、
一方、ホストワークステーション1020からのデータ
へのアクセスの必要は、ネットワーク接続1030を通
じて取り扱われ得るからである。したがって、EDAS
データ収集に最も密接に関連するデータベース管理シス
テムのそれらの部分が、ツールサブシステムのデータ処
理ユニット1058〜1064上で動作してツールサブ
システムの大容量記憶装置1066〜1072を使用す
る区分に置かれる。結果として生じる、ホストコンピュ
ータ大容量記憶装置1022とツールサブシステムの大
容量記憶装置1066〜1072の間におけるシステム
データベースの部分の区分が、ネットワーク化され、分
散されたデータベース管理システムを規定する。
【0050】本発明の具体的な実施形態において、ED
ASツールサブシステム1032〜1038は、第1ポ
ートを通じてツールサブシステムと相互接続されたウェ
ーハ製造工程の終点決定サブシステムを含む。終点決定
サブシステムは、複数のEDASセンサーデータを提供
する複数のツールセンサーを使用し、これらデータを関
連付けて終点決定の精度を向上するために適合すること
ができる。
【0051】データベース管理システム1024(図1
0)は、分散型データベースに格納されたデータを分析
し、また図3〜図5に関して記述されたSEMI E1
0−96装置状態などの装置状態を含む、多数のフォー
マットでレポートを作成する能力を含む。本発明は、E
−10状態及び、たとえば装置RAMを、オペレータが
ユーザインターフェースを通じていつでも使用可能な、
新規の自動レポート機能を提供する。この機能は、ウェ
ーハ製造管理システム1000の分散データベースを使
用して、ツール整備計画、ツール診断手順、及び予備部
品の在庫リストを、ユーザインターフェースを通じてい
つでもユーザに使用可能にするために適合される。
【0052】ウェーハ製造管理ソフトウェア1026
は、ユーザインターフェース機能を可能にする管理シス
テム1000を実行して、システム構成を修正するため
に適したユーザ入力に関して責任を負う。
【0053】新規ウェーハ製造管理システム1000の
ある実施形態では、ウェーハ製造管理ソフトウェアが、
センサーデータ、分散型データベース、及びE10装置
状態へのユーザのアクセスを管理する安全規則のセット
を含む。これらの安全規則は、各ユーザが階層内に割り
当てられた安全レベルを持ち、必知の基準に基づき、階
層レベルに対する安全規則の下でアクセスが許されるよ
うな、あらかじめ定められた階層にしたがって、ユーザ
を分類することを可能にする。
【0054】新規の管理システム1000のデータベー
ス管理機能1024は、あらかじめ定められた計画にし
たがって、分散型データベース内の選択されたデータを
分析するために必要な技術を提供する。選択されたデー
タは、履歴システムデータ、単一のツールに関するデー
タ、単一のウェーハに関するデータ、又は単一の生産運
転に関するデータを含む。データベース管理機能102
4のレポート生成機能は、ユーザインターフェースを通
じたそのような分析の結果をレポートするために有用で
ある。そのようなレポートは、たとえばSPC関連のレ
ポート、ツール性能データ及びチャンバマッチング結果
を含む。
【0055】図11に説明される、本発明の別の実施形
態は、ウェーハ製造システムの1つ以上のツールを操作
するためのコンピュータ実行可能工程の、データオブジ
ェクト間の階層的関係を含む、新規の階層的関係システ
ム1100を示す。ウェーハ製造のためのコンピュータ
実行可能工程の例には、図10に示されたデバイス10
00の、DBMS1024、ウェーハ製造管理ソフトウ
ェア1026、ネットワークインターフェース1028
及びホストコンピュータ1020の組み合わせが含まれ
る。図11に示される図表は、ツールの操作中にその工
程が集め、生成し、取り扱いをするデータオブジェクト
(単に「データ」とも呼ばれる)の型又は副型を表わし
ている。図表は「コントロールシステムデータの全セッ
ト」に関する上部から始まる。この項目は、参照番号1
101によって指定され、システム構成データ110
2、システムパラメータ1104、工程管理データ11
06、及び収集された(すなわち「集められた」)デー
タ1108を含む。システム構成データ1102は、ツ
ール構成データ及びパラメータ(「シスコンス(sys
cons)」は「システム定数」)1110、ツールコ
ンポーネントデバイス構成データ及びパラメータ(やは
りシスコンス(syscons)と称する)1112、
ユーザ及びグループアクセス権データ1114、及びデ
ータ収集構成データ1116を含む。システムパラメー
タ1104には、SVID(状態変数識別子)データ1
118、操作シスコンス(syscons)データ11
20(「シスコンス(syscons)」は多くの文脈
で交換可能に使用され、意味の明瞭さを保証する必要が
ある場合には区別される)、データ及びイベントデータ
1122が含まれる。工程管理データ1106には、順
番1124、手段1126、及びSPC/APC(高度
工程管理)/FD(不良検出)規則1128が含まれ
る。収集されたデータ1108には、イベントログデー
タ1130、ウェーハ履歴データ1132、工程データ
1134、及びSPC/APC/FD結果データ113
6が含まれる。
【0056】図6に表わされる処理デバイス600の、
第1ポート612及び第2ポート616にそれぞれ類似
の、第1通信ポート及び第2通信ポートを含む1つ以上
のツール(図示しない)を使用することが考えられる。
さらに、図11に示される工程管理データ1106を、
第1ポートを通じてツールへ通信し、またツールセンサ
ー(図示しない)から収集されたデータを、第2ポート
を通じてデータ収集ユニット又は環境に通信することも
考えられる。
【0057】所望の機能を提供するために、コンピュー
タ実行可能工程(これ以降、単純に「管理システム」と
称す)が、図11に示されるデータを使用し、収集す
る。様々なデータの型が、互いに多くの共通点を持って
いる。以降の表1に、これらの様々なデータ型の割り当
ての特色について説明する。
【0058】表1 管理システムデータ型 1.データの永続性 データを生成する工程の通用範囲を超える寿命である。
たとえば、構成データ1102はシステムロード間で保
存される。保存された工程管理データ1106のオフラ
イン分析は、欠陥の原因を発見し、修正することによっ
て、スループットを向上し、欠陥製品の数を減少するた
めに有用である。 2.データ構造 システムデータ1100のほとんどは、単一のデータ型
からなっていない。その代わりに、各エントリがそれ自
身の、固有の属性のセットによって記述される。たとえ
ば、どんなイベントもその番号、記号列記述部、種類
(アラーム、警告、プロンプト、又は追跡)によって、
及びイベントのパラメータの番号及び型によって記述さ
れる。イベントを適正に処理するために、そのすべての
関連データが全体として使用される。 3.データに相互接続及び相互依存性 データは実在のエントリを記述し、したがって互いに相
互依存している。たとえば、現行構成1102が有効な
SVIDの1118を定義し、有効なSVIDが次々に
可能なデータ収集構成1116に影響を与える。ウェー
ハ履歴はログされたイベント1130などを参照する。
データの相互依存性は、特に収集されたデータ1108
が分析されるときに明らかになる。この場合、欠陥の理
由を探すために、ロットについて、特定のウェーハに関
するすべての情報が、データ間のリンクを使用して探し
出されなければならない。 4.データ上の制約 データの有効値を定義する制限であり、またこれらのデ
ータによって記述されるエントリの、物理的性質に基づ
く制限である。たとえば、負の日付や0Kの温度は無効
であり、サポートされてはならない。参照の整合性の制
約は、データの相互依存性を反映する。この種類の制約
は、他のデータによって参照されるデータを消去するこ
とを許さない。参照の整合性はまた、類似データのより
大きいセットに属する特定のデータの、共通の変更が一
貫しているよう要求する。たとえば、手段1126の名
前が変更されると、この手段を含むすべての順番112
4もまた更新されなければならない。 5.無認可の公開、変更、又は破壊からのデータの保護 データは、それらがツール機能に影響したためにミッシ
ョンクリティカルであり、それらの不当な変更はシステ
ムの破壊を招くおそれがある。収集されたデータの損失
は、より以上に重大である。 6.共通データ ほとんどのデータが、いくつかの機能モジュールによっ
て同時に使用される。
【0059】本発明は、いくつかの又はすべての、上の
データ特性をサポートする機能を提供するために適合さ
れている。この機能を使用するための最も適した方法
は、管理システムデータ1101(図11)の完全なセ
ットをデータベースとして構造化することである。デー
タベースは、データ保管場所として見ると、システムデ
ータの全セットと、正しいデータベース状態を定義する
システムデータの関係及びシステムデータに対する制約
を含む。データベースはデータベース管理システム(D
BMS)によってサポートされているが、DBMSと
は、データの永続性、一貫性、非重複性、安全性、共有
可能性をサポートしながら、データベースにアクセスす
るためのサービスを提供するソフトウェアである。デー
タベースは、簡単で強力、かつフレキシブルなデータの
格納、フィルタリング、及び探索を提供する。それは、
データの分類、比較、及びデータの探索再現性と変則性
を単純化する。データベースは、システムデータの取り
扱いを管理するための単なる簡便な方法ではなく、コー
ドの大きさを著しく減少させるものでもある。結果とし
て、ソフトウェア信頼性とフォールトトレランスが上昇
し、将来コード変更の実施が単純になる。DBMSは、
管理システム機能の一部をそれぞれサポートする、個々
のアプリケーションのセットを実行する方法を提供す
る。これらのアプリケーションは、データベースのデー
タを共有しながら、データベーススキーマの部分にアク
セスする。
【0060】本発明の別の実施形態は、図12に概略的
に説明されるように、半導体製造のためのコンピュータ
実行された管理システム1200を示す。このシステム
はデータベース1202、データベース管理システム
(DBMS)1204、データ収集エンジン(データ収
集)1206、EDASツールサブシステム1208、
1210、1212(図10に描かれたウェーハ製造管
理システム1000のEDASツールサブシステム10
32〜1038と類似)、ツール構成アプリケーション
1214、ユーザ構成アプリケーション1216、ウェ
ーハ履歴アプリケーション1218、イベントログアプ
リケーション1220、手段マネージャアプリケーショ
ン1222、SPC/APC/FDアプリケーション1
224、及びデータ収集アプリケーション1226を含
む。発明の具体的な実施形態では、データベースとアプ
リケーションは、NTフロントエンドなどの専用PC上
に駐在する。デバイス600の(図6を参照)第1ポー
ト612などの、従来の通信ポートと共に動作するアプ
リケーションは、新しい管理システムへ蓄積され、それ
らが従来持っているようなデータの取り扱いを続ける。
新しいデータベースは、従来技術のデータに対応して新
しいデータ構造を維持し、SECS IIプロトコルメ
ッセージによって新しい値と古い値の同期を取る。アプ
リケーションは半導体製造を管理するために適合され
る。
【0061】データベースとデータベースアプリケーシ
ョンの使用によって、管理システム1200へ新規の特
性と特徴が与えられる。これらの中には、以下のものが
ある。すなわち(1)上に議論したデータ関係とその他
のデータ特徴のサポートによる、より簡便なデータアク
セス、(2)データへのリモートアクセス、(3)レガ
シーが実行中のときだけでなく、ツールが非活動状態の
ときにも、ツールを構成し、手段を編集し、収集された
データを分析するなどための能力、及び(4)より簡単
なツール統合と、その他のソフトウェアのために開放さ
れたインターフェースである。
【0062】図13に説明される本発明の別の実施形態
では、機能的データベーススキーマ1300が示され、
ここではデータが関連する物理的実体を記述する。デー
タは、図13に長方形で表わされる関係表に整理され
る。機能的データベーススキーマ1300には以下の表
が含まれる。すなわち、チャンバモデル1302、チャ
ンバ分散1304、現行システム構成1306、サブシ
ステム1308、デバイス1310、現行デバイス構成
1312、ソフトバージョン1314、sysconロ
グ1316、syscon1318、カテゴリー132
0、パラメータ−SVID1322、イベント132
4、イベントログ1326、アクセスライト1327,
ユニット1328、イベントソース1330、ユーザグ
ループ1332、ウェーハ巡回1334、ウェーハ履歴
イベントログ1336、手段1338、ステップ134
0、ユーザ1342、アプリケーション1344、メト
リクス1346、トリガ1348、手段概要1350、
ステップ概要1352、ログタイプ1354、セッショ
ン1356、信号1358、セッションログ1360、
信号ログ1362、工程データ記述1364、工程デー
タ1366、ロット1368、及びウェーハ1370で
ある。
【0063】コンピュータ実行される管理システム12
00(図12)の各アプリケーションは、機能的データ
ベーススキーマ1300(図13)の1つ以上の表にア
クセスする。たとえば、システム1200の手段マネー
ジャ1222は、手段の編集及び、チャンバモデル、ユ
ーザクリエイタ、手段パラメータの特定の値などのいく
つかの基準を使用する特定の手段の探索を提供する。手
段マネージャ1222は、データを手段1338と手段
ステップ1340に直接入れる。これらの表は、ロット
1368、ウェーハ1370、手段概要1350、ウェ
ーハ巡回1334、ウェーハ履歴イベントログ133
6、及びロットタイプ1354の表と共に、ウェーハ履
歴アプリケーション1318によって順に使用される。
手段概要1350がログされると、ユーザは手段の詳細
を見ることができる。
【0064】スキーマ1300(図13)のいくつかの
表、たとえば手段1338は、ユーザによって変更(編
集)可能であり、一方、その他の表は「ディクショナ
リ」を定義する。ディクショナリは、ディクショナリ情
報を含み、図13でアスタリスクにより特定された表で
ある。ディクショナリ情報はリリースソフトウェアの一
部として出荷され、変更されることはできない。「ディ
クショナリ」情報は、ツールロットタイプ(たとえば処
理エンジニアリング)、ツールのサブシステム(メイン
フレーム、チャンバA他)、チャンバモデル及びチャン
バ分散、これらのタイプのチャンバに構成され得るデバ
イスなどについて、あらかじめ定義された知識を記述し
ている。データの分離により、新しい情報が現れたとき
に、アプリケーションがそのコードに変更なく動作する
ことを可能とする。たとえば、新しいソフトウェアのベ
ースラインは新しいチャンバ分散をサポートする。この
場合ディクショナリは、対応する表中(必要に応じ、チ
ャンバ分散、チャンバモデル)に、あらかじめ定められ
た新しいレコードが用意される。新しいレコードと古い
レコードの間に相違がないため、手段マネージャコード
に変更の必要はない。
【0065】図13に示すように、データはいくつかの
多対多のつながりとの複雑な関係を持っている。表自体
もまた、複雑な構造を持つ。このことは特に、構成デー
タに関連する表について真である。将来、構成をより詳
細に記述するため、データベース構造を変更する必要を
避けるために、特別なディクショナリ構造が発明され
た。この新しい構造では、特定のチャンバやデバイス属
性を表わすのではなく、2つの専用領域が、抽象的な
「親」と「子」として機能する。親と子は、いかなる実
体のいかなる属性も記述できる。前のレコードで子とし
て使用した属性を、次のレコードでは親として使用して
よい。それによって、同じ表に、別の実体を、そのすべ
ての属性と共に含む可能性が与えられる。同じルートか
ら開始して、「AMAT?チャンバモデル?CVD」、
「AMAT?ツール?チャンバA?ステーション#1?
RF1」、「AMAT?ツール?チャンバB?ガスパネ
ル?フロー#2?MFC」などのような階層の分岐を、
同じ表中に置くことができる。階層の最低レベルの移動
は、通常の列対列及び表体表のジャンプによるのではな
く、レコード対レコードのジャンプを通じて実現され
る。したがって、構成のどんな新しいレベルも、ディク
ショナリに表列や表ではなく、新しいレコートだけを追
加する必要がある。このアプローチにより、データベー
ススキーマを再構築する必要がなくなる。
【0066】ディクショナリレコード間の多対多の関係
を定義するために、ディクショナリが特定の表と連係さ
れて、そのレコードがディクショナリレコードの相互へ
の通信を記述する。これにより、多次元階層の実現が可
能となる。この階層は、普通の2次元ツリーのすべての
機能を包含し、また様々の点から開始しながら、異なる
観点から階層を参照することを可能にするフレキシブル
な機構を提供する。
【0067】データベースによるアプローチは、現在あ
る要求を実現し、また、より高度なレベルのツールの統
合と統計的工程管理を実現する。データ対データのコー
ドからの分離、それらの構造化及びDBMSサポート、
よりオープンで一貫したソフトウェアの実現が可能とな
る。データ、それらの関係、有効性、一貫性を管理し、
データアクセスに対する並行性機構を提供することで、
DBMSはコードを単純化し、フォールトトレランスを
向上する。データ指向の機能(比較、分類、探索など)
がより簡単な方法で実現され、ユーザにとってより便利
になり得る。その他の、第三者のアプリケーションを含
むソフトウェアコンポーネントに対して、「オープン
な」データアクセスを与えることにより、データベース
は従来技術のソフトウェア設計に関わらず、新しい機能
実現の可能性を与える。このことは、従来のコードとス
ムースに統合するSPC/APC/FDの実現を可能と
する。
【0068】ウェーハ製造システムを操作するためのコ
ンピュータ実行可能工程の、別の特定な実施形態におい
て、工程はウェーハ製造システムを定義するために、デ
ータ構造を定義し、また定義されたデータ構造(図13
のデータベーススキーマ)間の関係を定義する。工程
は、実際に存在して操作可能なツールにしたがって適し
たモデル(図11の1106)を選択するために、ツー
ルがネットワークに接続され操作の準備が出来ているな
どの、システム構成情報(図11の1102)を収集す
る。工程には、システムオペレータに存在するシステム
構成を知らせるためのアプリケーションと、特定のツー
ルや周辺デバイスを作動/停止することによってシステ
ム構成を変更するための、オペレータの入力に対する応
答が含まれる。工程はまた、ウェーハ製造システムを管
理するためにモデルを使用して、たとえば特定の集積回
路タイプの生産などの所望の結果を得ることを可能とす
る、手段(図11の1126)を含む。システムの制御
は、2つの選択的な方法の1つによって達成される。第
1の選択肢において、工程は、オペレータが、必要とさ
れる介入を特定し、副処理を停止したりガスバルブを調
節するなどの必要な制御動作を手動で行なえるようにす
る、アラームやレポートを出す。第2の選択肢では、工
程は制御信号を出し、制御信号はツールや周辺デバイス
に送信されて、ツールや周辺デバイスで、必要な閉ルー
プ制御を達成する電気機械的作用に変換される。
【0069】本発明の工程は、手段にしたがってウェー
ハ製造システムの操作を開始し、その後、エッチング工
程及び関連する工程が続いている間、ウェーハ製造シス
テムツール及び周辺デバイスから操作データ(図11の
1108)を集める。コンピュータ実行可能工程は、収
集されたデータをフォーマット及び処理して、データベ
ース定義されたデータ構造を形成する。工程は、モデル
と形成されたデータ構造を使用してウェーハ製造工程を
制御し、また手段にしたがったエッチング及び関連工程
の続行中、収集、モデリング及び制御を続ける。
【0070】ウェーハ製造システムを操作するための、
新規のコンピュータ実行可能工程の、別の具体的な実施
形態では、工程が、工程終点に達するときを特定し、そ
の後、上述の選択的制御手法のうち1つを使用して工程
を終了し、適切な順番(図11の1124)にしたがっ
て続く工程を開始する。ウェーハ製造システムを操作す
るための、新規のコンピュータ実行可能工程の、さらに
別の実施形態では、コンピュータ実行可能工程が、工程
の大半が実行される第1コンピュータ(図9の908)
と、第2コンピュータの間に区分化され、第2コンピュ
ータは、データ収集及び処理操作を、複数のそのような
第2コンピュータ上、たとえばサブシステム902〜9
06(図9)で取り扱い、第2コンピュータ902から
集められフォーマットされ処理された操作データを、D
BMS908の第1コンピュータが受け取れるようにす
る通信機能(たとえば図9のネットワーク910)が提
供される。
【0071】ウェーハ製造システムを操作するための、
新規のコンピュータ実行可能工程の、別の具体的な実施
形態では、工程は単一のデータベース(図12の120
2)を超え、物理的データベースの境界を拡張する。こ
の実施形態では、第2コンピュータ(図9の902)が
ツール1サブシステムで収集されたデータを格納し、工
程に即時必要なデータのみを第1コンピュータ908へ
転送する。この具体的な実施形態は、ネットワーク化さ
れ、分散されたデータベースを定義する。ウェーハ製造
システムを操作するための、新規のコンピュータ実行可
能工程の、別の具体的な実施形態において、工程は区分
を拡張して複数の第2コンピュータ(図9の902〜9
06)を含み、それぞれ特定のツール及びツールとそれ
に関連する周辺デバイスのセットからデータを集める。
この実施形態では、そのような各第2コンピュータが、
すべてのコンピュータ実行可能工程の、同じ区分のコピ
ーを実行する。区分は特定のツールセットからのデータ
の収集、フォーマット、処理及び格納をもたらす。この
具体的な実施形態では、通信機能が拡張されて、ツール
サブシステム902〜906からの複数のデータ収集ス
トリームを取り扱う。
【0072】本発明の第1及び第2データ通信ポートを
使用する新規の製造ツールは、改良されたデータ通信に
ツールセンサーを提供する。これは、ポートによりツー
ルセンサーが、メッセージ、クエリー及びデータを、従
来の(標準の)通信ポートが装備される従来ツールより
も高速で通信可能になるからである。第2ポートは本発
明のツールに、従来の(標準の)データチャンネル、す
なわち第1ポートに加え、新規のデータチャンネルを提
供する。第2ポートは、それが従来の第1ポートよりも
極めて高いボーレートで動作可能のときに、特に有利で
ある。
【0073】ウェーハ製造システムを操作するための、
新規のコンピュータ実行可能工程の、さらに別の具体的
な実施形態では、すべてのデータ収集ストリームを管理
するためと、集められたデータが定義されたデータ構造
と一致していることを保証するために、第1コンピュー
タ908上で実行される区分に、データベース管理シス
テムアプリケーション908が含まれる。この具体的な
実施形態において、データベース管理システム908
は、収集されたデータストリーム902〜906から定
義されたデータ構造を確立する責任を負う。ウェーハ製
造システムを操作するための、新規のコンピュータ実行
可能工程の、別の具体的な実施形態では、データベース
管理システム908に、モデル用の全データ構造が定義
された構造と一致することと、構造間のすべての関係が
実施されることを保証し、またデータを不正なアクセス
から保護するための、全責任が割り当てられている。こ
の具体的な実施形態では、データベース管理機能の区分
は第2コンピュータにより実行され、またデータベース
管理機能の区分は、各第2コンピュータに格納された収
集データに関して同じ責任を持つ。通信機能(図9のネ
ットワーク910)が拡張され、データベース管理シス
テムが、分散型データベースの各第2コンピュータで格
納されたデータを含むことが可能となる。最後に、ウェ
ーハ製造システムを操作するための、新規のコンピュー
タ実行可能工程の、別の具体的な実施形態では、工程は
CD−ROM、DVD−ROMなどのコンピュータ可読
媒体に格納される。
【0074】発明は好適実施形態に関して記述された。
当業者には、本発明の要素を様々な方法から構成するこ
とや、コンポーネントの配置を様々な方法で変更するこ
とが可能であることが理解されよう。発明の実施形態が
詳細に説明され、添付図面に示されたが、さらに様々な
変更が、請求の範囲に述べられる発明の範囲から逸脱す
ることなく可能であることは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術のウェーハ製造工程を概略的に説明す
るフローチャートである。
【図2】従来技術のウェーハ製造スパッタメタライゼー
ション工程を概略的に説明するフローチャートである。
【図3】従来技術の装置時間状態を概略的に説明するス
タック図ある。
【図4】図3に示されるスタック図の、従来技術の装置
時間状態を概略的に表わすブロック図である。
【図5】図3に示されるスタック図の、従来技術の装置
時間状態を概略的に表わすブロック図である。
【図6】本発明の半導体処理デバイスを概略的に説明す
るブロック図である。
【図7】本発明の別の半導体処理デバイスを概略的に説
明するブロック図である。
【図8】本発明のさらなる半導体処理デバイスを概略的
に説明するブロック図である。
【図9】本発明の計器装置サブシステムとデータベース
管理システムのネットワークを概略的に説明するブロッ
ク図である。
【図10】本発明のウェーハ製造管理システムを管理す
るための、ネットワーク化され、分散されたデータベー
ス管理システムを概略的に示すブロック図である。
【図11】本発明のウェーハ製造システムを操作するた
めのコンピュータ実行可能工程におけるデータオブジェ
クト間の、階層的関係を説明するブロック図である。
【図12】本発明のウェーハ製造システムを管理するた
めの、システムの機能モジュール間の関係を説明するブ
ロック図である。
【図13】本発明のデータベースにおける要素間の関係
を説明する、機能的データベース概略図である。
【符号の説明】
40…ウェーハ製造工程、41…ウェーハ洗浄、43…
酸化物領域の成長、45…ソース−ドレイン酸化物の除
去、47…ソースドレインB拡散、49…ゲート酸化物
の除去、51…プリゲート洗浄、53…ゲート酸化物の
成長、55…イオン埋め込み閾値の調整、57…コンタ
クト酸化物の除去、59…メタライゼーション、61…
メタルのパターニング、63…メタルのエッチング、6
5…アニール、67…保護膜の堆積、69…保護膜のパ
ターニング、71…保護膜のエッチング、73…ウェー
ハの多重試験、80…工程、81…ウェーハ支持プラッ
トホームの予備加熱、83…プラットホームへのウェー
ハの設置、85…所定位置へウェーハを取付け、87…
所定の真空にチャンバを排気、89…所定温度にウェー
ハを加熱、91…所定の流量範囲及び圧力範囲内で、ス
パッタガスをチャンバへ流入、93…所定の第1スパッ
タ堆積条件で第1のスパッタ堆積を実施、95…所定の
第2スパッタ堆積条件で第2のスパッタ堆積を実施、9
7…任意で、所定の第3スパッタ堆積条件で第3のスパ
ッタ堆積を実施、102…予定されない時間、104…
予定外の中断時間、106…予定された中断時間、10
8…エンジニアリング時間、110…待機時間、112
…生産時間、114…総時間、116…作業時間、11
8…装置中断時間、120…装置使用可能時間、122
…製造時間、130…加工しない移動時間、132…装
置の設置、変更、改造又は改善時間、134…オフライ
ン訓練時間、136…シャットダウン/運転開始時間、
140…整備遅れ、142…修理時間、144…消耗品
/化学薬品の交換、146…仕様外の入力、148…設
備関連の中断時間、150…整備遅れ、152…生産試
験、154…予防整備、156…消耗品/化学薬品の交
換、158…準備、159…設備関連の中断時間、16
0…工程実験、162…装置実験、180…オペレータ
がいない、182…製品がない、184…支持ツールが
ない、186…クラスタモジュールが停止している、1
90…正規の生産、192…第三者のための作業、19
4…再加工、196…エンジニアリング運転、600…
半導体処理デバイス、610…ツール、612…第1ポ
ート、614…MESメッセージ、615…MES入力
デバイス、616…第2ポート、618…EDAS取得
データ環境、620…ツールDB、622…リンク、6
24…情報処理及び分析環境、626…判断環境、62
8…応答環境、630…専用大容量記憶装置、632…
ネットワークシリアルポート、634…ネットワーク、
636…レポート環境、640…ホストコンピュータ、
642…EDAS入力デバイス、644…周辺デバイ
ス、646…ネットワークシリアルポート、700…半
導体処理デバイス、702…ツール、704…第2ポー
ト、705…EDAS入力デバイス、706…データ取
得サブシステム、708…EDASデータ取得ユニッ
ト、710…デジタルデータ処理ユニット、712…ツ
ールDB、714…接続、716…データ処理サブシス
テム、718…リンク、720…EDASデータ処理ユ
ニット、722…専用大容量記憶装置、724…レポー
トユニット、730…第1ポート、732…MESメッ
セージ、733…MES入力デバイス、800…半導体
処理デバイス、802…ツール、804…第1ポート、
806…第2ポート、808…センサーデータ取得サブ
システム、810…センサーデータ処理サブシステム、
812…リンク、814…接続、816…MESデータ
取得ユニット、818…EDASデータ取得ユニット、
820…デジタルデータ処理ユニット、822…ツール
DB、824…レポートユニット、826…入力デバイ
ス、828…EDASデータ処理ユニット、830…専
用大容量記憶装置、900…半導体処理デバイス、90
2…ツール1サブシステム、904…ツール2サブシス
テム、906…ツールnサブシステム、908…DBM
S、910…ネットワーク、1000…製造管理システ
ム、1002…ウェーハ製造コンポーネント、1004
…ツール1、1006…ツール2、1008…ツール
3、1010…ツールn、1012…第1データ通信ポ
ート、1014…第1データ通信ポート、1016…第
1データ通信ポート、1018…第1データ通信ポー
ト、1020…ホストコンピュータ、1024…データ
ベース管理システム(DBMS)、1026…ウェーハ
製造管理ソフトウェア、1028…ネットワークインタ
ーフェース、1030…ネットワーク、1032…ED
ASツールサブシステム、1034…EDASツールサ
ブシステム、1036…EDASツールサブシステム、
1038…EDASツールサブシステム、1040…非
ツールクライアントコンピュータ、1042…第2デー
タ通信ポート、1044…第2データ通信ポート、10
46…第2データ通信ポート、1048…第2データ通
信ポート、1050…EDASデータ収集フロントエン
ド、1052…EDASデータ収集フロントエンド、1
054…EDASデータ収集フロントエンド、1056
…EDASデータ収集フロントエンド、1058…ツー
ルクライアント、1060…ツールクライアント、10
62…ツールクライアント、1064…ツールクライア
ント、1066…大容量記憶装置、1068…大容量記
憶装置、1070…大容量記憶装置、1072…大容量
記憶装置、1100…階層的関係システム、1101…
管理システムデータの完全なデータ、1102…システ
ム構成データ、1104…システムパラメータ、110
6…工程管理データ、1108…収集されたデータ、1
110…ツール構成(シスコンス(syscon
s))、1112…デバイス構成(シスコンス(sys
cons))、1114…ユーザ及びグループアクセス
権データ、1116…データ収集構成、1118…SV
ID(状態変数識別子)、1120…操作シスコンス
(syscons)、1122…イベント、1124…
順番、1126…手段、1128…工程管理データ11
06には、1124、1126、及びSPC/APC/
FD規則、1130…イベントログ、1132…ウェー
ハ履歴、1134…工程データ、1136…SPC/A
PC/FD結果データ、1202…データベース、12
04…データベース管理システム、1206…データ収
集エンジン、1208…ツールサブシステム、1210
…ツールサブシステム、1212…ツールサブシステ
ム、1214…ツール構成、1216…ユーザ構成、1
218…ウェーハ履歴、1220…イベントログ、12
22…手段マネージャ、1224…SPC/APC/F
D、1226…データ収集構成、1302…チャンバモ
デル、1304…チャンバ分散、1306…現行システ
ム構成、1308…サブシステム、1310…デバイ
ス、1312…現行デバイス構成、1314…ソフトバ
ージョン、1316…sysconログ、1318…s
yscon、1320…カテゴリー、1322…パラメ
ータ−SVID、1324…イベント、1326…イベ
ントログ、1327…アクセスライト(Access Righ
t)、1328…ユニット、1330…イベントソー
ス、1332…ユーザグループ、1334…ウェーハ巡
回、1336…ウェーハ履歴イベントログ、1338…
手段、1340…ステップ、1342…ユーザ、134
4…アプリケーション、1346…メトリクス、134
8…トリガ、1350…手段概要、1352…ステップ
概要、1354…ロットタイプ、1356…セッショ
ン、1358…信号、1360…セッションログ、13
62…信号ログ、1364…工程データ記述、1366
…工程データ、1368…ロット、1370…ウェー
ハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シェリー コルドバ アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サニーヴェイル, ゲイル アヴェニュー 731 (72)発明者 マイケル イー. ウィルマー アメリカ合衆国, カリフォルニア州, ポルトラ ヴァリー, ポルトラ ロード 1111 (72)発明者 ユカリ ニシムラ アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サニーヴェイル, アザラ プレイス 652 ナンバー3 (72)発明者 ナタリア クロプノワ アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サニーヴェイル, サージェント ドライ ヴ 1211 (72)発明者 クラリス エム. ノレット アメリカ合衆国, カリフォルニア州, ロス アルトス, ウェスト ポルトラ アヴェニュー 225 (72)発明者 テリー ドイル アメリカ合衆国, カリフォルニア州, ポルトラ ヴァリー, アンデタ ウェイ 120 (72)発明者 リチャード シー. ライオン アメリカ合衆国, カリフォルニア州, ボウルダー クリーク, ホプキンズ ガ ルチ 1224 (72)発明者 エフグエニ ロボフスキー アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サン ノゼ, アンバーグローヴ ドライ ヴ 1494 (72)発明者 インナ ロウネヴァ アメリカ合衆国, カリフォルニア州, パロ アルト, タンランド ドライヴ 1080 ナンバー208 (72)発明者 ウン ヤン トー アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サン ノゼ, ボイントン アヴェニュー 1189 (72)発明者 テリー レイス アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サン ノゼ, ベイ ストリート 397 Fターム(参考) 5F004 AA16 CB15 5F045 BB08 GB04 GB16 GB17

Claims (49)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体製造デバイスからのデータを処理
    する方法であって、前記デバイスは、少なくとも1つの
    センサー、第1データ通信ポート及び第2データ通信ポ
    ートを有するツールを含み、前記方法は、 a)第1ポートを通じてツールへの操作命令を実行する
    ステップと、 b)センサーデータを検出し、その後レポートするため
    の、少なくとも1つのセンサーを操作するステップと、 c)第2ポートを通じて、コンピュータ実行されたデー
    タ取得工程へセンサーデータを通信するステップとを含
    む、半導体製造デバイスからのデータを処理する方法。
  2. 【請求項2】 前記データ取得工程が、データ取得サブ
    システム内でデータを取得するステップを含み、前記デ
    ータ取得サブシステムが、 a)センサーデータ取得ユニットと、 b)ツールDBとを含み、前記センサーデータ取得ユニ
    ットと前記ツールDBが、前記第2ポートと通信するた
    めに適合されている、請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記データ取得サブシステムからデータ
    処理サブシステムへセンサーデータを通信するステップ
    をさらに含み、前記データ処理サブシステムが、 a)データ取得サブシステムと通信する、センサーデー
    タ処理ユニットと、 b)センサーデータ処理ユニットと通信する、専用大容
    量記憶装置とを含む、請求項2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記データ処理サブシステム内で前記セ
    ンサーデータを処理するステップをさらに含み、処理済
    センサーデータが形成される、請求項3に記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記処理済データが分析され、分析デー
    タが形成される、請求項4に記載の方法。
  6. 【請求項6】 前記分析データが使用されて、所定の条
    件の発生と同時にアラームを与える、請求項5に記載の
    方法。
  7. 【請求項7】 前記分析データがSPCデータを含む、
    請求項5に記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記SPCデータが、前記専用大容量記
    憶装置に格納された履歴データを使用してさらに分析を
    受ける、請求項7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記分析データが、チャンバマッチング
    データを含む、請求項7に記載の方法。
  10. 【請求項10】 前記データ処理サブシステムが、ウェ
    ーハエッチング工程に対する終点処理システムを含む、
    請求項3に記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記センサーデータが、拡張されたデ
    ータ取得システムデータを含む、請求項1に記載の方
    法。
  12. 【請求項12】 前記ツールへのメッセージの入力が、
    別々のMES及び拡張されたデータ取得システム入力デ
    バイス、一体化されたMES及び拡張されたデータ取得
    システム入力デバイス、及びデータベースから成る群か
    ら選択される1つ以上のデバイスによって提供される、
    請求項11に記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記第1ポートが、約19200の最
    大ボーレートでデータを通信するシリアルポートを含
    み、前記第2ポートが、約38400の最大ボーレート
    でデータを通信するシリアルポートを含む、請求項1に
    記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記第1ポートが、標準SECS I
    Iメッセージをサポートするインターフェースプロトコ
    ルを含み、前記第2ポートが、標準SECSIIメッセ
    ージと特製SECS IIメッセージとから成る群から
    選択されるメッセージをサポートする、インターフェー
    スプロトコルを含む、請求項13に記載の方法。
  15. 【請求項15】 ウェーハ製造設備を管理するシステム
    からのデータを処理する方法であって、前記設備が、少
    なくとも1つのセンサー、第1データ通信ポート及び第
    2データ通信ポートを有する複数のツールを含み、前記
    システムが、複数のツールへ操作命令を提供するため
    に、ホストコンピュータとホストデータベースがレガシ
    ーソフトウェアを含むような、ホストコンピュータとホ
    ストデータベースをさらに含み、前記方法が、 a)データベース管理システムを、ホストコンピュータ
    及びホストデータベースと統合するステップと、 b)ウェーハ製造管理ソフトウェアを、ホストコンピュ
    ータ及びホストデータベースと統合するステップと、 c)データベース管理システムとホストデータベース間
    の、操作命令の重複値の同期を取るステップと、 d)レガシーソフトウェアを使用し、また操作命令を複
    数のツールの各々へ、複数のツールの各々に含まれる第
    1ポートの各々を通じて通信する、ツール操作命令を実
    行するステップと、 e)センサーデータを検出し、その後レポートするため
    に、複数のツールの各々の少なくとも1つのセンサーを
    操作するステップと、 f)複数のツールの各々から、複数のツールの各々の第
    2ポートを通じてセンサーデータを取得するステップと
    を含む、ウェーハ製造設備を管理するためのシステムか
    らのデータを処理する方法。
  16. 【請求項16】 前記センサーデータが、拡張されたデ
    ータ取得システムデータを含む、請求項15に記載の方
    法。
  17. 【請求項17】 複数のツールの各々からの、拡張され
    たデータ取得システムデータの取得が、各ツールに対す
    る前記拡張されたデータ取得システムのツールサブシス
    テムにおけるデータの取得を含み、各ツールに対する拡
    張されたデータ取得システムのツールサブシステムが、 a)第2ポートと通信する、拡張されたデータ取得シス
    テムのデータ収集フロントエンドと、 b)データ収集フロントエンドと通信するツールクライ
    アントと、 c)ツールサブシステムが第2ポートと通信する、前記
    ツールクライアントと通信する大容量記憶装置とを含
    む、請求項16に記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記ウェーハ製造管理ソフトウェア及
    びデータベース管理システムを、ネットワーク接続を通
    じて、各ツールサブシステムの各ツールクライアントに
    接続するためのネットワークインターフェースをさらに
    含む、請求項17に記載の方法。
  19. 【請求項19】 前記ツールサブシステム、ホストコン
    ピュータ及びホストデータベースからなるグループの、
    1つ以上にリモートアクセスするための非クライアント
    コンピュータをさらに含む、請求項18に記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記第1データ通信ポートが、約19
    200の最大ボーレートでデータを通信するシリアルポ
    ートを含み、前記第2ポートが約38400の最大ボー
    レートでデータを通信するシリアルポートを含む、請求
    項15に記載の方法。
  21. 【請求項21】 SEMI E10−96装置状態のレ
    ポートをさらに含む、請求項20に記載の方法。
  22. 【請求項22】 選択されたデータの分析をさらに含
    む、請求項20に記載の方法。
  23. 【請求項23】 ウェーハ製造システムの、1つ以上の
    ツールを操作するためのコンピュータで実行可能な方法
    であって、前記方法は、システム構成データ、システム
    パラメータデータ、工程管理データ及び収集されたデー
    タから成る群から選択される1つ以上のデータを含む管
    理システムデータの実行を含む、方法。
  24. 【請求項24】 前記システム構成データが、ツール構
    成データ及びパラメータ、ツールコンポーネントデバイ
    ス構成データ及びパラメータ、ユーザ及びグループのア
    クセス権データ、及びデータ収集構成データから成る群
    から選択される1つ以上を含む、請求項23に記載の方
    法。
  25. 【請求項25】 前記システムパラメータデータが、S
    VIDデータ、操作シスコンス(syscons)デー
    タ及びイベントデータから成る群から選択される1つ以
    上のデータを含む、請求項23に記載の方法。
  26. 【請求項26】 前記工程管理データが、順番、手段及
    びSPC/APC/FD規則から成る群から選択される
    1つ以上を含む、請求項23に記載の方法。
  27. 【請求項27】 前記収集されたデータが、イベントロ
    グデータ、ウェーハ履歴データ、工程データ及びSPC
    /APC/FDデータから成る群から選択される1つ以
    上を含む、請求項23に記載の方法。
  28. 【請求項28】 前記データベース管理システムによっ
    てサポートされるデータベースを使用することによる、
    管理システムデータの格納及び管理をさらに含む、請求
    項23に記載の方法。
  29. 【請求項29】 前記工程管理データが、少なくとも1
    つのツールへ第1ポートを通じて通信され、また、収集
    されたデータが、少なくとも1つのツールから第2通信
    ポートを通じて通信される、請求項23に記載の方法。
  30. 【請求項30】 前記第1ポートが、約19200の最
    大ボーレートでデータを通信するシリアルポートを含
    み、第2ポートが約38400の最大ボーレートでデー
    タを通信するシリアルポートを含む、請求項29に記載
    の方法。
  31. 【請求項31】 ウェーハ製造管理システムを操作する
    ためのコンピュータで実行可能なプロセスであって、 a)ウェーハ製造データ構造を定義し、またこれら構造
    間の関係を定義することにより、システムのためのモデ
    ルを得るステップと、 b)1つ以上のシステム操作に対して、システム構成デ
    ータを選択するステップと、 c)システム構成データを実行するステップと、 d)ユーザ入力に応答するシステム構成データを変更す
    るステップと、 e)変更されたシステム構成にしたがってウェーハ製造
    工程を作動するステップと、 f)作動されたウェーハ製造工程から操作データを収集
    するステップと、 g)収集された操作データをフォーマット及び処理し
    て、更新されたデータ構造を形成するステップと、 h)収集されたデータを管理し、また収集されたデータ
    が、(1)ウェーハ製造データ構造、(2)これらの構
    造間の関係及び(3)更新されたデータ構造に一致する
    ことを保証するために、データベース管理システムを実
    行するステップとを含む、プロセス。
  32. 【請求項32】 半導体処理ツールを含む半導体処理デ
    バイスであって、前記デバイスは、 a)第1データ通信ポートがコンピュータ実行可能メッ
    セージをツールへ通信する、前記第1データ通信ポート
    と、 b)第2データ通信ポートがコンピュータ実行可能メッ
    セージをツールへ通信する、前記第2データ通信ポート
    と、 c)工程データ、製品データ及び装置パラメータデータ
    から成る群から選択されるデータを、検出し、その後レ
    ポートするためにツールへ備えられる少なくとも1つの
    センサーとを含み、少なくとも1つのセンサーが第2ポ
    ートと通信する、デバイス。
  33. 【請求項33】 前記第1ポートが、約19200の最
    大ボーレートでデータを通信するシリアルポートを含
    み、前記第2ポートが約38400の最大ボーレートで
    データを通信するシリアルポートを含む、請求項32に
    記載のデバイス。
  34. 【請求項34】 前記第1ポートが操作命令をツールへ
    通信し、また前記第2ポートが拡張されたデータ取得シ
    ステムデータをツールへ通信する、請求項32に記載の
    デバイス。
  35. 【請求項35】 前記第1ポートが、標準SECS I
    Iメッセージから成る群から選択されたメッセージを通
    信するための、第1インターフェースを含み、また、前
    記第2ポートが、標準SECS IIメッセージと特製
    SECS IIメッセージから成る群から選択されるメ
    ッセージを通信するための、第2インターフェースを含
    む、請求項32に記載のデバイス。
  36. 【請求項36】 a)センサーデータ取得ユニットと、 b)ツールDBとを含み、前記センサーデータ取得ユニ
    ットとツールDBが、第2ポートと通信するために適合
    されているデータ取得サブシステムとをさらに含む、請
    求項32に記載のデバイス。
  37. 【請求項37】 a)データ取得サブシステムと通信す
    るセンサーデータ処理ユニットと、 b)前記センサーデータ処理ユニットと通信する、専用
    大容量記憶装置とを含む、データ処理サブシステムとを
    さらに含む、請求項36に記載のデバイス。
  38. 【請求項38】 ウェーハ製造設備であって、a)複数
    のツールと、 b)コンピュータ実行可能メッセージをツールへ通信す
    るための、第1データ通信ポートを有する複数のツール
    と、 c)コンピュータ実行可能メッセージをツールへ通信す
    るための、第2データ通信ポートを有する複数のツール
    と、 d)前記第2データ通信ポートと通信するセンサーを有
    する各ツールとを含む、ウェーハ製造設備。
  39. 【請求項39】 a)ホストコンピュータと、b)前記
    ホストコンピュータとホストデータベースが、複数のツ
    ールの各々に 操作命令を与える、前記ホストデータベースと、 c)前記ホストコンピュータ及び前記ホストデータベー
    スを一体化した、データベース管理システムと、 d)前記ホストコンピュータ及び前記ホストデータベー
    スを一体化した、ウェーハ製造管理ソフトウェアとをさ
    らに含む、請求項38に記載の設備。
  40. 【請求項40】 前記第2ポートと通信する、拡張され
    たデータ取得システムのツールサブシステムをさらに含
    む、請求項38に記載の設備。
  41. 【請求項41】 a)前記ツールサブシステムの各々と
    通信するデータ収集エンジンと、 b)前記データ収集エンジンと通信するデータベース管
    理システムと、 c)データベース管理システムと通信するデータベース
    と、 d)ツール構成、ユーザ構成、ウェーハ履歴、イベント
    ログ、手段マネージャ、SPC/APC/FD及びデー
    タ収集構成から成る群から選択される少なくとも1つ以
    上のアプリケーションとをさらに含み、少なくとも1つ
    以上のアプリケーションがデータベース管理システムと
    通信する、請求項38に記載の設備。
  42. 【請求項42】 半導体製造のためのネットワーク分散
    型データベースであって、前記分散型データベースは、 a)複数の半導体処理デバイスの各々が、コンピュータ
    実行可能メッセージをツールに通信するための、第1及
    び第2データ通信ポートを有するツールを含む、前記複
    数の半導体処理デバイスと、 b)データベース管理システムと、 c)複数の半導体デバイスとデータベース管理システム
    とを相互接続するネットワークとを含む、ネットワーク
    分散型データベース。
  43. 【請求項43】 ウェーハ製造システムの1つ以上のツ
    ールを操作するための、コンピュータで実行可能なデー
    タ構造であって、システム構成データ、システムパラメ
    ータデータ、工程管理データ及び収集されたデータから
    成る群から選択される1つ以上のデータを含む管理シス
    テムデータを含む、データ構造。
  44. 【請求項44】 前記システム構成データが、ツール構
    成データ及びパラメータ、ツールコンポーネントデバイ
    ス構成データ及びパラメータ、ユーザ及びグループのア
    クセス権データ、及びデータ収集構成データから成る群
    から選択される1つ以上を含む、請求項43に記載のデ
    ータ構造。
  45. 【請求項45】 前記システムパラメータデータが、S
    VIDデータ、操作シスコンス(syscons)デー
    タ、及びイベントデータから成る群から選択される1つ
    以上のデータを含む、請求項43に記載のデータ構造。
  46. 【請求項46】 前記工程管理データが、順番、手段及
    びSPC/APC/FD規則から成る群から選択される
    1つ以上を含む、請求項43に記載のデータ構造。
  47. 【請求項47】 前記収集されたデータが、イベントロ
    グデータ、ウェーハ履歴データ、工程データ及びSPC
    /APC/FDデータから成る群から選択される1つ以
    上を含む、請求項43に記載のデータ構造。
  48. 【請求項48】 関係表に整理されたデータを含み、1
    つ以上の表が、半導体製造を管理するためのアプリケー
    ションによりアクセスされるために適合されており、前
    記アプリケーションは、ツール構成、ユーザ構成、ウェ
    ーハ履歴、イベントログ、手段マネージャ、SPC/A
    PC/FD及びデータ収集マネージャから成る群から選
    択される、データ構造。
  49. 【請求項49】 手段マネージャ及びデータ構造手段ス
    テップから成る群から選択される関係表を含み、手段マ
    ネージャとデータ構造からなるグループが、手段マネー
    ジャアプリケーションによってアクセスされるよう適合
    されている、請求項48に記載のデータ構造。
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