JP2007059765A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 分散コントローラシステムにおける各コントローラの制御パラメータの整合性を適正に管理することにより、製造損失の発生を未然に防止することができる半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理するプロセスモジュールと、第１のパラメータファイルにしたがって前記プロセスモジュール内の温度、圧力、ガス流量を制御する処理コントローラと、第２のパラメータファイルにしたがって前記基板を搬送するための機構を制御する搬送コントローラと、前記処理コントローラ及び前記搬送コントローラに対して前記基板の処理を実行させるための制御指示を行う操作コントローラとを備え、前記操作ユニットが、前記第１のパラメータファイル及び前記第２のパラメータファイルと前記操作コントローラが保持する第３のパラメータファイルとの整合性を確認し、整合性がとれている場合は、前記制御指示を行う。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板処理シーケンスに従って基板の一種である半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置に関し、特に、分散コントローラシステムによって半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置に関するものである。

近年、半導体製造装置の高機能化・高性能化に対応するために、その制御システムに用いられるコントローラを複数に分割し、複数のコントローラによる分散コントローラシステムによって制御の複合化を実現している。例えば、半導体基板を処理する複数のプロセスモジュール（処理室）を制御するための処理コントローラは、炉内温度やガス圧力などを管理する制御パラメータによって温度制御やガス流量制御などを行い、プロセスモジュール（処理室）での処理前後の半導体基板を搬送するための機構（真空搬送装置や大気搬送装置）を制御する搬送コントローラは、それぞれの半導体基板の搬送位置や搬送経路を設定する制御パラメータによって搬送制御を行っている。操作ユニット（操作コントローラ）は、これらのコントローラが保持する制御パラメータを保持するとともに、これらのコントローラに対して、制御指示を行っている。

基板処理中に何らかのエラーが発生し、メンテナンス作業を行う場合、搬送コントローラの制御パラメータの変更を行い、例えば基板の搬送（回収）を行う。又、例えば、真空搬送装置を変更する場合、新規に搬送コントローラの制御パラメータを設定しなおす。このような状態で、基板の処理を行う場合、搬送コントローラが保持するパラメータと、操作コントローラが保持するパラメータが異なっているので、操作コントローラの指示通りに制御を行うと却って操作不能となり、動作停止や装置故障を引き起こす恐れがあった。

上記従来の技術のように、それぞれのコントローラで種々の制御パラメータを保有しているため、各コントローラにおけるそれぞれの制御パラメータの整合性がとれていないと、半導体基板の成膜異常や動作停止・装置故障などを引き起こし、結果的には、半導体基板の製品歩留りを低下させて製造損失を増大させてしまうおそれがある。また、各コントローラの制御パラメータの整合性を正しくとるためには、各コントローラ間で制御情報を相互に交信しなければならないので、複数のコントローラによる分散コントローラシステムが複雑なものになっている。そのため、半導体製造装置が高機能化・高性能化すればするほど分散コントローラシステムの故障率が高くなってしまうおそれがある。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、分散コントローラシステムにおける各コントローラの制御パラメータの整合性を適正にすることにより、製造損失の発生を未然に防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理するプロセスモジュールと、第１のパラメータファイルにしたがってプロセスモジュール内の温度、圧力、ガス流量を制御する処理コントローラと、第２のパラメータファイルにしたがって基板を搬送するための機構を制御する搬送コントローラと、処理コントローラ及び搬送コントローラに対して基板の処理を実行させるための制御指示を行う操作コントローラとを備え、この操作コントローラが、第１のパラメータファイル及び第２のパラメータファイルと操作コントローラが保持する第３のパラメータファイルとの整合性を確認し、整合性がとれている場合は、前記制御指示を行う構成を採っている。

なお、本発明に係る半導体基板処理装置は、第１のパラメータファイル及び第２のパラメータファイルと第３のパラメータファイルとが不整合であった場合は、操作ユニット（操作コントローラ）は処理コントローラ及び搬送コントローラに対して制御指示を行わないようにしている。また、本発明に係る半導体基板処理装置は、第１のパラメータファイル及び第２のパラメータファイルと第３のパラメータファイルとが不整合であった場合は、操作ユニットが、操作ユニット自身が保有するパラメータファイルを処理コントローラ及び搬送コントローラにすることにより、第１のパラメータファイル及び第２のパラメータファイルを第３のパラメータファイルに合わせるようにしている。

あるいは、第１のパラメータファイル及び第２のパラメータファイルと第３のパラメータファイルとが不整合であった場合は、操作ユニットが、搬送コントローラ及び処理コントローラの保有するパラメータファイルをアップロードすることにより、第３のパラメータファイルを処理コントローラの第１のパラメータファイル又は搬送コントローラの第２のパラメータファイルに合わせるようにしてもよい。また、ある一部の処理を行う場合は、操作ユニットの第３のパラメータファイルと処理コントローラの第１のパラメータファイル又は搬送コントローラの第２のパラメータファイルとの一部のパラメータを比較し、操作ユニットが比較結果に基づいて処理コントローラまたは搬送コントローラに制御指示を出すようにしてもよい。

なお、制御指示とは、操作ユニットが、自己の制御パラメータと処理コントローラ及び搬送コントローラの制御パラメータとの整合性を確認した後に出す指示のことであって、処理コントローラに対して、プロセスモジュール内で基板を処理するために（どのレシピを実行するか指示することで）温度制御、圧力制御等を行わせたり、又、搬送コントローラに対してどの基板をどのロードロック室を経由して各プロセスモジュールと各ロードロック室との間の搬送を行うか規定した搬送経路を指示して搬送制御を行わせるための指示をいう。

なお、パラメータファイルとは、各コントローラの制御情報（例えば、温度制御、圧力制御、バルブの開閉制御、真空搬送装置や大気搬送装置の位置、半導体基板の位置、各半導体基板の搬送経路（ある位置にある基板をどの位置に搬送するかという指示を示すデータ）などの情報）である。つまり、処理コントローラが保持するパラメータファイル（第１のパラメータファイル）は、例えば、温度制御、圧力制御、バルブの開閉制御などの情報であり、搬送コントローラが保持するパラメータファイル（第２のパラメータファイル）は、例えば、真空搬送装置や大気搬送装置の位置、半導体基板の位置及び半導体基板の搬送経路などの情報である。操作ユニットが編集管理するパラメータファイル（第３のパラメータファイル）は、例えば、処理コントローラのパラメータファイルと搬送コントローラのパラメータファイルの両方を含んでいる。更に、操作ユニットは、自ら保有するパラメータファイルと処理コントローラ及び搬送コントローラがそれぞれ保持するパラメータファイルとを比較し、合致しているかを管理する。

本発明の半導体基板処理装置によれば、第１のパラメータファイルにしたがってプロセスモジュールを制御して半導体基板の処理を行うプロセスモジュール内の温度、圧力、ガス流量等を制御する処理コントローラと、第２のパラメータファイルにしたがって半導体基板を搬送するための機構を制御する搬送コントローラと、これらのコントローラ（つまり、処理コントローラと搬送コントローラ）に対して基板処理のための制御指示を行う操作ユニットとを備えた分散コントローラシステムになっている。このような分散コントローラシステムにおいて、操作ユニットは、自己の保有する第３のパラメータファイルが処理コントローラの保有する第１のパラメータファイル及び搬送コントローラの保有する第２のパラメータファイルと一致しているか否かの整合性をチェックし、半導体基板を処理するための制御指示の管理を行っている。これによって、半導体基板の製造損失の発生を未然に防止することができるので、半導体基板の製品歩留りが高く、高機能かつ高性能な半導体基板処理装置を実現することができる。

以下、本発明に係る半導体基板処理装置の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態における半導体基板処理装置のコントローラ構成例を示す機能ブロック図である。

すなわち、図１に示す半導体基板処理装置は、半導体基板を処理する枚葉式の半導体基板処理装置であって、半導体基板を処理する複数のプロセスモジュール（処理室）ＰＭ１、ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４と、これらのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内に搬入された基板を処理するために、温度、圧力、ガス流量等を制御するそれぞれの処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４と、各プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４との間で半導体基板の取り出し及び投入を行う真空搬送装置を有する真空搬送室ＴＭと、上下２段で半導体基板を保持する各ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と、大気中において半導体基板の搬送を行う大気搬送装置を有する大気搬送室ＥＦＥＭと、複数の半導体基板を収納する基板収容器（カセット、ＦＯＵＰ等）を保持できるユニットであって大気搬送装置にてアクセスされる各ロードポートＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３と、オリフラ合わせを実施するユニットであって大気搬送装置にてアクセスされるアライメントユニットＡＵと、複数のプロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４と複数のロードポートＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３間で半導体基板を搬送するための機構である大気搬送装置や真空搬送装置等を制御する搬送コントローラＴＭＣと、各処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４及び搬送コントローラＴＭＣに対して半導体基板処理のための制御指示を行う操作ユニットＯＵとを備えた構成となっている。

図１に示すような半導体基板処理装置の構成において、各プロセスモジュール（処理室）ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は半導体基板の成膜処理を実施する室であり、図示しないゲートバルブを開いた後に真空搬送装置によりアクセスされる。真空搬送装置は、各プロセスモジュール（処理室）ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４へ半導体基板を搬入し、又は各プロセスモジュール（処理室）ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４から半導体基板を搬出する装置であり、例えば２アームの搬送機構で各プロセスモジュール（処理室）ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４でのスワップ搬送を可能とする。例えば、２アームの真空搬送装置は、半導体基板を保持したままプロセスモジュール（処理室）ＰＭ１から半導体基板を取り出した後、その半導体基板をプロセスモジュール（処理室）ＰＭ２へ投入する。

また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は上下の２段で半導体基板を保持可能である。これらのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は図示しないゲートバルブで区切られており、室単位で大気圧及び真空圧の制御が実施可能である。各ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は大気圧制御を実施した後に、図示しないゲートバルブを開いた後に大気搬送装置からアクセスされる。つまり、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空圧制御を実施した後、図示しないゲートバルブを開いた後に真空搬送装置からアクセスされる。これらのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、ロード及びアンロード兼用であり、且つ成膜後の半導体基板の冷却用クーリングで使用される。

ロードポートＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３は、複数の半導体基板を保持できるユニットであり、大気搬送装置によりアクセスされる。大気搬送装置は、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３から半導体基板の取り出し、半導体基板の投入、アライメントユニットＡＵへの半導体基板の投入及び取り出し、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２へのウェハの投入及び取り出しを実施する装置であり、例えば大気搬送装置による２アームの搬送機構でロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２でのスワップ搬送を可能とする。すなわち、半導体基板を保持したままロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２から半導体基板を取り出した後、その半導体基板をロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２へ投入することができる。

次に、図１に示す半導体基板処理装置において、本発明に関わる分散コントローラシステムにおける各コントローラの制御パラメータの整合性を管理する方法について説明する。図１において、各処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４及び搬送コントローラＴＭＣが保持するパラメータファイルと、操作ユニットＯＵ側で編集管理するパラメータファイルとの整合性が適正に管理されるようになっている。

また、各コントローラ（つまり、処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４及び搬送コントローラＴＭＣ）を統括して制御する操作ユニットＯＵとは別のコントローラを設けて、各パラメータファイルの整合性について不一致があった場合には、このコントローラに、操作ユニットＯＵが制御指示を行わないようにガード手段を設ける。なお、図１においては、この他のコントローラやガード手段は図示されてはいない。

また、操作ユニットＯＵと各コントローラ（処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４及び搬送コントローラＴＭＣ）とのパラメータファイルの整合性に不一致があった場合、操作ユニットＯＵが各コントローラへ制御指示を行わないための図示しないガード手段を、操作ユニットＯＵ自身の内部に設ける。

また、各コントローラのパラメータファイルの整合性に不一致があった場合であっても、個別のコントローラヘの特定機能のみを許容するようにしてもよい。例えば、操作ユニットＯＵのパラメータファイルと処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４のパラメータファイルとの整合性に不一致があった場合でも、操作ユニットＯＵに設定された排気処理のパラメータファイルと処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４の排気処理のパラメータファイルとの間の整合性が一致していれば、排気処理機能のみは処理コントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４のパラメータファイルにしたがって実行するようにしてもよい。

また、操作ユニットＯＵと各コントローラのパラメータファイルとの整合性に不一致があった場合には、操作ユニットＯＵ側のパラメータファイルに合わせて制御指示を行わせるように各パラメータファイルの一覧画面上で、整合性に不一致のあったパラメータファイルを選択し、所定の操作を行うことで、各パラメータファイルの合わせ込みを行うためのダウンロードを行う機能を設けてもよい。

逆に、操作ユニットＯＵと各コントローラのパラメータファイルとの整合性に不一致があった場合には、各コントローラ側のパラメータファイルに合わせて制御指示を行わせるように各パラメータファイルの一覧画面上で、整合性に不一致のあったパラメータファイルを選択し、所定の操作を行うことで、各パラメータファイルの合わせこみのためのアップロードを行う機能を設けてもよい。

次に、図２を用いて、図１に示す枚葉処理型の半導体製造装置における分散コントローラシステムにおける各コントローラの整合性を管理する方法についてさらに詳しく説明する。図２は、図１に示す半導体製造装置において操作ユニットＯＵのモニタ画面に表示される管理すべき制御パラメータの一覧画面を示す図である。半導体製造装置の全体を制御する操作ユニットＯＵは、管理すべき制御パラメータの一覧画面に、「パラメータ種別」「コントローラ」「操作ユニットＯＵのパラメータ情報（例えば、ファイル名、更新日時、バージョン情報など）」「コントローラのパラメータ情報（例えば、ファイル名、更新日時、バージョンなど）」を表示する。そして、操作ユニットＯＵのパラメータ情報とコントローラのパラメータ情報についてそれぞれの整合性に不一致がある場合は、該当するパラメータ部分を黄色表示することで、オペレータに不一致があることを判りやすくする。なお、パラメータ情報（パラメータファイル）の不一致箇所の色は基本的には背景色と異なればオペレータは認識可能であるが、注意を引き付けるためには黄色や赤色系統の色が好ましい。又、この状態では図示しないガード手段により操作ユニットＯＵは、各コントローラに対し制御指示を出せなくなっている。

図２に示すように、搬送位置（Ｖ−ＰＯＳＩＴ）、ガス圧力（Ｖ−ＰＲＥＳＳ）、バルブの開閉（Ｖ−ＶＡＬＶＥ）、温度（ＴＥＭＰ）などのパラメータ種別ごとに、コントローラ名（搬送コントローラＴＭＣや処理コントローラＰＭＣ１…ＰＭＣ４など）、操作ユニットＯＵのパラメータ情報[（ファイル名（ＰＲＯＤＵＣＴ）、更新日時（２０００/０１/０１ ０１：００：００）、バージョン情報（０１．００．００））、及びコントローラのパラメータ情報[（ファイル名（ＰＲＯＤＵＣＴ、ＭＡＩＮＴ）、更新日時（２０００/０１/０１ ０１：００：００）、バージョン情報（０１．００．００）]がパラメータ一覧画面として表示される。

通常は操作ユニットＯＵのパラメータファイルと各コントローラ（搬送コントローラＴＭＣや処理コントローラＰＭＣ１…ＰＭＣ４など）のパラメータファイルが異なることはない。しかし、図２の２段目の欄に示すように、パラメータ種別がＶ−ＰＯＳＩＴ、コントローラ名が搬送コントローラＴＭＣの欄は、操作ユニットＯＵのパラメータファイルがＰＲＯＤＵＣＴであり、搬送コントローラＴＭＣのパラメータファイルがＭＡＩＮＴとなっていてパラメータ情報が不整合になっている。

この場合、図２の２段目のパラメータファイルの行（黄色表示されている行）を選択し、図２のＤｏｗｎｌｏａｄキーを押下する。すると、操作ユニットＯＵが保持するパラメータファイル（ＰＲＯＤＵＣＴ）がダウンロードされ、搬送コントローラＴＭＣのパラメータファイルがＭＡＩＮＴからＰＲＯＤＵＣＴに変更される。このダウンロードが終了すると、黄色表示が解除され、操作ユニットＯＵは制御指示を出せる状態となる。

このようにパラメータ情報が不一致となっている理由は、半導体基板の量産時には操作ユニットＯＵのパラメータファイル（つまり、製造用のパラメータファイルＰＲＯＤＵＣＴ）を使用し、メンテナンス時には搬送コントローラＴＭＣのパラメータファイル（つまり、メンテナンス用のパラメータファイルＭＡＩＮＴ）を使用するようにしているためである。つまり、半導体製造装置の現場において製造中に個別のメンテナンスを行う必要が生じた場合に対応するために、操作ユニットＯＵのパラメータファイルと搬送コントローラＴＭＣ（又は、処理コントローラＰＭＣ）のパラメータファイルを異なったものにする必要があるからである。

例えば、真空搬送装置や大気搬送装置等の機種変更等を行なう場合、ティーチング作業を行なう。このティーチング作業で取得される機種変更後のティーチングのデータは搬送コントローラＴＭＣに保存される。このとき、搬送コントローラＴＭＣのパラメータファイルのデータが変更される。（もしくは、新規にパラメータファイルが作成される。）この状態で基板処理を実行しようとすると、操作ユニットＯＵのパラメータファイルと搬送コントローラＴＭＣのパラメータファイルは不一致となってしまう。ダウンロードを行なうと、ティーチングしたデータがなくなるだけでなく、基板処理中に真空搬送装置等の破損に至る可能性もある。従って、このような場合は、操作ユニットＯＵのパラメータファイルと搬送コントローラＴＭＣのパラメータファイルを一致させるために、アップロードを行なう必要がある。

図３は、図１に示す半導体基板処理装置におけるパラメータ情報確認のためのイニシャルシーケンスを示す図である。この図は、操作ユニットＯＵと搬送コントローラＴＭＣ又は処理コントローラＰＭＣ（以下、単にコントローラという）との間で行われる処理シーケンスである。

まず、操作ユニットＯＵが起動したタイミングにおいて（ステップＳ１）、管理すべきパラメータの情報を調べるために図２に示すようなパラメータ一覧画面が表示され、操作ユニットＯＵの情報が更新される（ステップＳ２）。

次に、操作ユニットＯＵは情報の更新を行った後にコントローラとの通信を確立し（ステップＳ３）、コントローラに対してパラメータ情報の取得要求を行う。つまり、コントローラに対して要求するパラメータ種別のリストを求める（ステップＳ４）。そして、該当するコントローラは自己の内部で管理しているパラメータ情報のリストを操作ユニットＯＵへ渡す（ステップＳ５）。

すると、操作ユニットＯＵはパラメータ情報取得結果の情報をパラメータ一覧画面へ反映させてコントローラ情報の更新を行う。このとき、操作ユニットＯＵは自身のパラメータ情報と食い違いがある場合は、一覧画面の中から該当するパラメータエリアを黄色の表示する。つまり、パラメータの不整合部分を黄色の表示にする（ステップＳ６）。

そして、操作ユニットＯＵは一覧画面全体の情報から、１つ以上のパラメータに不一致がある場合は、不整合有無情報エリアに「不整合あり」を表す識別情報を記憶する。例えば、「不整合あり」のときにフラグを立てる。このようにして、不整合有無情報を記憶領域に格納する（ステップＳ７）。なお、前述のステップＳ２からステップＳ６までの処理は操作ユニットＯＵと各コントローラとがそれぞれ独立して行うことができる。

また、操作ユニットＯＵは、オペレータより運転開始指示を受けた場合は、ステップＳ６で格納した不整合有無情報エリアを参照して運転開始が可能であるか否かを判断する。ここで運転開始が不可能な場合は、『パラメータ情報不一致』を表わす警告表示を行う。

なお、運転開始の指示はオペレータ以外に、ホストコンピュータや１つ以上の半導体基板処理装置をモニタリングする目的で集中管理するコンピュータなどからリモート指示を行うこともできる。この場合においても運転開始が不可能なときは『パラメータ情報不一致』を表わす警告通知を行う。

また、運転開始が可能である判断については、『不整合有無情報エリア』を持たない場合でも、一覧情報を再度チェックして判定を行ったり、判断時点で各コントローラへ問い合せるなどによって判定の代用を行うことも可能である。さらに、操作ユニットＯＵ以外のコントローラ（処理コントローラＰＭＣや搬送コントローラＴＭＣ）に『不整合有無情報エリア』を保持することも可能である。

また、操作ユニットＯＵが、運転開始の判定を行うのみではなく、操作ユニットＯＵ以外のコントローラに対してある機能を実行する場合には、この機能に関連する特定のパラメータ情報の一致を確認することで、特定の処理を行なわせるようにしても構わない。例えば、図１の真空搬送装置からプロセスモジュールＰＭｌヘ半導体基板を搬送したい場合は、真空搬送装置とプロセスモジュールＰＭｌのポジションパラメータと圧力パラメータと温度パラメータのみの整合性を確認することで搬送できるようにしてもよい。なお、この場合は機能毎に判定に用いるパラメータ情報を別に管理することが望ましい。

図４は、図１に示す半導体基板処理装置におけるコントローラ立上げの流れを示すフローチャートである。まず、コントローラ（処理コントローラＰＭＣ又は搬送コントローラＴＭＣ）を立上げる場合はコントローラ電源をＯＮし、操作ユニットＯＵのモニタ画面にて全てのユニットが接続されていることを確認する（ステップＳ１１）。なお、電源投入の順序は、操作ユニットＯＵ、搬送コントローラＴＭＣ、処理コントローラＰＭＣの順である。つまり、操作ユニットＯＵを他のコントローラより前に立上げておく必要がある。

次に、操作ユニットＯＵのモニタ画面にて全てのユニットのファイルが一致していることを確認する。ここで、ファイルが不一致の場合はダウンロード又はアップロードを実行して全てのユニットのファイルを一致させる（ステップＳ１２）。さらに、操作ユニットＯＵのモニタ画面にてアラーム（警報）の有無を確認する（ステップＳ１３）。

そして、アラーム（警報）の発生がないことを確認した後にホスト接続機能のイニシャライズを行う（ステップＳ１４）。これによってコントローラの立上げは終了する（ステップＳ１５）。
その後、運転準備を行い、通常の基板処理が行なわれる。

なお、上記の実施の形態のような１枚ごとに半導体基板を処理する枚葉式の半導体基板処理装置ではなく、所定の枚数の半導体基板を一括して処理するバッチ式の半導体基板処理装置にも本発明を適用することができる。特に図示しないが、例えば、複数の半導体基板をまとめて処理するバッチ炉と、このバッチ炉を制御する処理コントローラ（ＰＭＣ）と、１つ以上のバッチ炉との間で半導体基板を搬送するための機構を制御する搬送コントローラ（ＴＭＣ）と、これらの処理コントローラ及び搬送コントローラに対して基板処理のための制御指示を行う操作ユニット（ＯＵ）とを備え、これら処理コントローラ（ＰＭＣ）及び搬送コントローラ（ＴＭＣ）が保持する各パラメータファイルと操作ユニット（ＯＵ）で編集管理するパラメータファイルとの整合性を確認し、整合性が一致していれば制御指示を出すように構成してもよい。

なお、上記の実施の形態で述べた半導体基板処理装置は、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。さらに、複数の半導体基板処理装置を集中管理する集中管理装置にも適用することができる。また、半導体基板処理装置の炉内の処理には何等関係なく、例えば、酸化、拡散、アニール等のような様々な処理にも適用することができる。

本発明の一実施の形態における半導体基板処理装置のコントローラ構成例を示す機能ブロック図である。 図１に示す半導体基板処理装置において操作ユニット０Ｕのモニタ画面に表示される管理すべき制御パラメータの一覧画面を示す図である。 図１に示す半導体基板処理装置におけるパラメータ情報確認のためのイニシャルシーケンスを示す図である。 図１に示す半導体基板処理装置におけるコントローラ立上げの流れを示すフローチャートである。

符号の説明

ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４ プロセスモジュール（処理室）
ＰＭＣ１，ＰＭＣ２，ＰＭＣ３，ＰＭＣ４ 処理コントローラ
ＬＭ１，ＬＭ２ ロードロック室
ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３ ロードポート
ＡＵ アライメントユニット
ＴＭＣ 搬送コントローラ、
ＯＵ 操作ユニット

Claims (1)

1. 基板を処理するプロセスモジュールと、
   第１のパラメータファイルにしたがって前記プロセスモジュール内の温度、圧力、ガス流量を制御する処理コントローラと、
   第２のパラメータファイルにしたがって前記基板を搬送するための機構を制御する搬送コントローラと、
   前記処理コントローラ及び前記搬送コントローラに対して前記基板の処理を実行させるための制御指示を行う操作コントローラとを備え、
   前記操作コントローラが、前記第１のパラメータファイル及び前記第２のパラメータファイルと前記操作コントローラが保持する第３のパラメータファイルとの整合性を確認し、整合性がとれている場合は、前記制御指示を行うことを特徴とする基板処理装置。

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