JP2015117156A - 基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】オゾンガスを発生するオゾン発生器とオゾンガス濃度を検知するオゾンセンサとを備え、該オゾン発生器から供給されるオゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、前記オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度と、前記オゾン発生器の放電パワーとをモニタするモニタ部と、前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。
【選択図】図2
Description
オゾンガスを発生するオゾン発生器とオゾンガス濃度を検知するオゾンセンサとを備え、該オゾン発生器から供給されるオゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
前記オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度と、前記オゾン発生器の放電パワーとをモニタするモニタ部と、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する制御部と、
を有する、基板処理装置が提供される。
オゾンガスを発生するオゾン発生器を用いて基板を処理する基板処理装置に用いられるオゾンガス濃度の異常検出方法であって、
オゾンセンサによって検知された、基板処理装置に供給されるオゾンガス濃度をモニタし、
前記オゾン発生器の放電パワーをモニタし、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する、
ステップを含む、オゾンガス濃度の異常検出方法が提供される。
半導体集積回路の製造においては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という、)等の基板に対してプラズマエッチングが行われると、プラズマ中で発生するラジカルやイオンがウェハのベベル面や裏面に回り込み、ポリマーがベベル面および裏面上に付着する。この付着物は、ベベル/バックサイドポリマー(Bevel/Backside Polymer、以下、「BSP」という)といわれる。BSPは、半導体集積回路に対して悪影響を与えるおそれがある。そこで、レーザーとオゾンガスを用いた熱処理によってBSPを除去するBSP除去装置が知られている。
まず、本実施形態に係るBSP除去装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係るBSP除去装置1の全体構成の一例を示す。
図2のオゾンガス濃度の異常検出処理が開始されると、制御部52は、モニタ部51からオゾンガス濃度Dを取得する(ステップS10)。次に、制御部52は、モニタ部51から放電パワーPを取得する(ステップS12)。なお、ステップS10,S12の取得タイミングや取得の順番はこれに限られない。
オゾン発生器22の経時変化に応じてオゾンガス濃度と放電パワーとの比例式の傾きが変わる場合がある。例えば、オゾン発生器22の経時変化に応じてオゾンガス濃度と放電パワーとの比例式の傾きは小さくなる傾向が考えられる。
図4は、一実施形態に係る相関情報の選択処理の一例を示したフローチャートである。
2:BSP
11:チャンバ
21:供給ライン
22:オゾンガス発生器
43:オゾンセンサ
50:制御装置
51:モニタ部
52:制御部
53:記憶部
54:入出力I/F部
55:タイマ
D:オゾン濃度
P:放電パワー
Claims (6)
- オゾンガスを発生するオゾン発生器とオゾンガス濃度を検知するオゾンセンサとを備え、該オゾン発生器から供給されるオゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
前記オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度と、前記オゾン発生器の放電パワーとをモニタするモニタ部と、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する制御部と、
を有する、基板処理装置。 - オゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報を予め記憶した記憶部を有し、
前記制御部は、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記記憶部に記憶されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報に応じて、前記モニタしたオゾンガス濃度の異常を検出する、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記記憶部に記憶されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報に応じて、前記モニタしたオゾンガス濃度に対して前記モニタされた放電パワーが予め定められた許容値の範囲外の場合、前記モニタしたオゾンガス濃度が異常であることを検出する、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記記憶部は、前記オゾン発生器の稼働時間に応じて変化するオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す複数の相関情報を予め記憶し、
前記オゾン発生器の稼働時間を計時するタイマを有し、
前記制御部は、
前記計時されたオゾン発生器の稼働時間に基づき、前記記憶部に記憶されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す複数の相関情報のうちからいずれかの相関情報を選択し、選択した相関情報に応じて、前記モニタしたオゾンガス濃度の異常を検出する、
請求項2又は3に記載の基板処理装置。 - 前記オゾンセンサは、前記オゾン発生器から前記基板処理装置にオゾンガスを供給する供給ラインに接続される、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - オゾンガスを発生するオゾン発生器を用いて基板を処理する基板処理装置に用いられるオゾンガス濃度の異常検出方法であって、
オゾンセンサによって検知された、基板処理装置に供給されるオゾンガス濃度をモニタし、
前記オゾン発生器の放電パワーをモニタし、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する、
ステップを含む、オゾンガス濃度の異常検出方法。
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