JP2015117156A - 基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法 - Google Patents

基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法 Download PDF

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Abstract

【課題】安定して正確なオゾンガス濃度を検知する。
【解決手段】オゾンガスを発生するオゾン発生器とオゾンガス濃度を検知するオゾンセンサとを備え、該オゾン発生器から供給されるオゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、前記オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度と、前記オゾン発生器の放電パワーとをモニタするモニタ部と、前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。
【選択図】図2

Description

基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法に関する。
オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度を用いて、オゾンガスを発生する機器やオゾンガスを分解する機器の状態を判定する技術が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。特許文献1では、オゾンセンサにより機器に供給されたオゾンガス濃度を検知し、適切なオゾンガスの量が機器に供給されているかを判定することにより、オゾンガスを分解する機器が寿命に達したかを判断する。
特開2011−5360号公報
しかしながら、特許文献1では、オゾンセンサが正常に動作せず、検出されたオゾンガス濃度が正常値でないと前記判断に誤りが生じ、トラブルの要因となる。特に、オゾンセンサの定期的なメンテナンスは、例えば、一日一回と頻度が高く、実際に実行することが難しいことが少なくない。
上記課題に対して、一側面では、オゾンガス濃度の異常を検出することで安定してオゾンガスを供給することが可能な、基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、
オゾンガスを発生するオゾン発生器とオゾンガス濃度を検知するオゾンセンサとを備え、該オゾン発生器から供給されるオゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
前記オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度と、前記オゾン発生器の放電パワーとをモニタするモニタ部と、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する制御部と、
を有する、基板処理装置が提供される。
また、上記課題を解決するために、他の態様によれば、
オゾンガスを発生するオゾン発生器を用いて基板を処理する基板処理装置に用いられるオゾンガス濃度の異常検出方法であって、
オゾンセンサによって検知された、基板処理装置に供給されるオゾンガス濃度をモニタし、
前記オゾン発生器の放電パワーをモニタし、
前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する、
ステップを含む、オゾンガス濃度の異常検出方法が提供される。
一の態様によれば、オゾンガス濃度の異常を検出することで、安定してオゾンガスを供給することができる。
一実施形態に係るBSP除去装置の全体構成の一例を示した図。 一実施形態に係るオゾンガス濃度の異常検出処理の一例を示したフローチャート。 一実施形態に係るオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示すグラフの一例を示した図。 一実施形態に係る相関情報の選択処理の一例を示したフローチャート。 一実施形態に係るオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示すグラフの一例を示した図。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
(はじめに)
半導体集積回路の製造においては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という、)等の基板に対してプラズマエッチングが行われると、プラズマ中で発生するラジカルやイオンがウェハのベベル面や裏面に回り込み、ポリマーがベベル面および裏面上に付着する。この付着物は、ベベル/バックサイドポリマー(Bevel/Backside Polymer、以下、「BSP」という)といわれる。BSPは、半導体集積回路に対して悪影響を与えるおそれがある。そこで、レーザーとオゾンガスを用いた熱処理によってBSPを除去するBSP除去装置が知られている。
BSP除去装置では、適切なオゾンガスの量が装置内に供給されていない場合、BSP除去時のエッチングレートが低下する。そこで、オゾンセンサにより装置内に供給されるオゾンガス濃度を検知し、適切なオゾンガスの量が装置内に供給されているかを判定することが行われている。
このとき、オゾンセンサが正常に動作しないと、間違ったオゾンガス濃度が検出されることになる。ところが、オゾンセンサの使用に当たっては、定期的に(例えば、一日一回)0点を補正するオフセット作業が必要になる。この定期メンテナンスは頻度が高く、マニュアルどおりにオゾンセンサの保守を行うことは困難な場合が少なくない。
また、オゾンセンサは、石英管にガスを流して石英管の上下に配置されたUVランプからのUV光の減衰率を検知する。オゾンセンサは、石英管にオゾンガスが流れているとUVランプからのUV光の透過が低下することを利用してオゾンガス濃度を測定する。よって、石英管自体が曇るとオゾンセンサで検知されたオゾンガス濃度に誤差が生じる。
オゾンガス濃度の検出値が、実際にBSP除去装置内に供給されるオゾンガス濃度から乖離していると前述したようにBSP除去時の性能が低下する。そこで、以下では、安定して正確なオゾンガス濃度を検知することが可能な、基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法の一実施形態を提供する。
本実施形態にかかる基板処理装置は、オゾンガスを発生するオゾン発生器を用いて基板を処理する装置全般を含む。以下では、まず、本実施形態にかかる基板処理装置の一例として、ウェハの裏面やベベル面に付着したBSPをオゾンにより除去するBSP除去装置について説明する。その後、本実施形態にかかるオゾンガス濃度の異常検出方法について説明する。
[BSP除去装置の全体構成]
まず、本実施形態に係るBSP除去装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係るBSP除去装置1の全体構成の一例を示す。
BSP除去装置1は、BSP2が付着したウェハWを収容する容器であるチャンバ11を備えている。チャンバ11の内部には、ウェハWを回転可能にかつ水平に保持するスピンチャック12が設けられている。スピンチャック12は、チャンバ11の下方に設けられた回転モータ13に接続されている。スピンチャック12は、例えば真空吸着によりウェハWを保持した状態で回転することにより、スピンチャック12に吸着保持されたウェハWを回転させるようになっている。
チャンバ11の内部には、ウェハWの周縁部に対応する位置にBSP除去部14が設けられている。BSP除去部14を構成する本体15には、ウェハWの周縁部が回転しながら通過するように切り欠き部16が設けられている。切り欠き部16の下方部分15aには、ウェハWに付着したBSP2にレーザーを照射するレーザー照射ヘッド18が設けられている。レーザー照射ヘッド18は、本体15の下方部分15aに沿ってウェハWの径方向に移動可能となっており、また、レーザー照射ヘッド18は角度可変となっている。これにより、BSP2の付着状況に応じてレーザー照射位置を調節可能となっている。また、本体15には、BSP2にオゾンガスを吐出するオゾンガス吐出ノズル20と、オゾンガスをほぼ100%吸引するオゾンガス吸引ノズル19とが設けられている。オゾンガス吐出ノズル20はオゾンガスを供給する供給ライン(配管)21を介してオゾンガス発生器22に接続されている。オゾンガスは、オゾンガス発生器22から出力され、供給ライン21を介してチャンバ11内に導入され、オゾンガス吐出ノズル20から吐出される。オゾンガス吸引ノズル19には、主にオゾンガスを排気する排気流路を構成する排気配管31が接続されている。排気配管31は、工場酸排気配管(図示せず)に接続されている。排気配管31には、オゾンガスを分解するオゾンキラー41が接続されている。
チャンバ11の上部には大気を吸引してチャンバ11の内部に取り入れるためのファン32と、ファン32により吸引された大気のパーティクルを除去するフィルタ33とが設けられている。一方、チャンバ11の底部には排気口34が設けられている。そして、ファン32によりフィルタ33を介してチャンバ11内に大気が取り込まれ、排気口34から排気されることによりチャンバ11内に清浄空気のダウンフローが形成されるようになっている。排気口34には排気配管35が接続されており、排気配管35は工場酸排気配管(図示せず)に接続されている。
チャンバ11の側壁には、ウェハ搬入出口11aが設けられており、ウェハ搬入出口11aはゲートバルブ23により開閉可能となっている。ゲートバルブ23は、弁体24と弁体24を開閉するエアシリンダ26とを有している。弁体24を閉じた際、弁体24とチャンバ11との間はシールリング25によりシールされるようになっている。
オゾンセンサ43は、供給ライン21とオゾンガス吐出ノズル20との間のいずれかの位置に接続され、チャンバ11に供給されるオゾンガス濃度Dを検知する。ただし、オゾンセンサ43は、排気配管31に接続されてもよい。その場合、オゾンセンサ43は、チャンバ11から排気されるオゾンガス濃度を検知する。
オゾンセンサ43としては、高精度でオゾン濃度を検出することができればその方式は問わない。オゾンセンサ43の一例としては、中性ヨウ化カリウム溶液からオキシダントによって遊離したヨウ素イオンの吸光度を測定して定量する方式、オゾンの紫外線領域での吸光度を測定して定量する方式等のJISに規定されている方式を用いたものを好適に用いることができる。
BSP除去装置1は、制御装置50を有している。制御装置50は、主にBSP除去装置1の各構成部を制御する。制御装置50は、モニタ部51、制御部52、記憶部53、入出力I/F(インターフェース)部54及びタイマ55を有する。
モニタ部51は、オゾンセンサ43が検知したオゾンガス濃度Dをモニタする。具体的には、モニタ部51は、オゾンセンサ43からオゾンガス濃度Dを定期的または不定期に入力し、制御部52に出力する。
モニタ部51は、同様に、オゾン発生器22の放電パワーPをモニタする。オゾン発生器22は、平行平板の電極22aの空間にOガスを供給し、オゾンガスOに変換して出力する。その際、電極22aに25kHz程度の低周波電力を印加する。モニタ部51は、オゾン発生器22内の電源22bから出力される電力のパワーPを定期的または不定期に入力し、制御部52に出力する。
制御部52は、マイクロプロセッサを有する。制御部52は、入出力I/F部54に接続され、入出力I/F部54を介してオペレータがBSP除去装置1を管理するためのコマンド等の入力操作を行うキーボード62、情報を出力するディスプレイ60及びスピーカ61等と接続される。制御部52には、所定の制御を行うための制御プログラムや、処理レシピが格納された記憶部53が接続されている。処理レシピは記憶部53の中の記憶媒体に記憶されている。制御部52は、必要に応じて、入出力I/F部54からの指示等に応じて任意の処理レシピを記憶部53から呼び出して実行させることで、BSPの除去処理を制御する。
記憶部53には、オゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す情報(以下、単に「相関情報」ともいう。)が予め記憶されている。オゾンガス濃度と放電パワーには比例関係がある。よって、記憶部53は、その比例式を予め記憶している。制御部52は、モニタしたオゾンガス濃度Dと放電パワーPとに基づき、相関情報に応じてオゾンセンサ43が検出するオゾンガス濃度に異常があるかを検出する。タイマ55は、オゾン発生器22の稼働時間を計時する。
図3は、記憶部53によって記憶される、オゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報の一例をグラフに示す。直線NLは、オゾンセンサ43が正常の場合のオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係(理想値)の比例式をグラフ化したものである。閾値Th1及び閾値Th2の直線は、オゾンセンサ43が正常と判断してもよい許容範囲を示す。つまり、モニタされたオゾンガス濃度Dに対して、モニタされた放電パワーPは、直線NL上の値であることが理想であるが、閾値Th1及び閾値Th2の直線の範囲の値であれば許容される。これにより、オゾンガス濃度の異常を検出する処理が、厳密になり過ぎないように制御される。
従って、モニタされたオゾン濃度Dが「D1」のとき、モニタされた放電パワーがP1の場合だけでなく、検出された放電パワーがPL〜PHの範囲内(許容値の範囲内)のいずれかの値を有していれば、オゾンセンサ43により検知されたオゾンガス濃度は正常であると判断される。一方、オゾンセンサ43が検出したオゾン濃度Dが「D1」のとき、検出された放電パワーがPL〜PHの範囲外であれば、オゾンセンサ43により検知されたオゾンガス濃度は異常であると判断される。例えば、検出された放電パワーがP2のとき、検知されたオゾンガス濃度は異常であると判断される。
なお、閾値Th1及び閾値Th2の直線を示す比例式は、直線NLを示す比例式とともに記憶部53に予め記憶されている。BSP除去装置1で実行されるエッチングでは、オゾンガス濃度の変化によってエッチングレートが急に低下するポイントがある。そこで、閾値Th1及び閾値Th2は、オゾンガス濃度の変化によってエッチングレートが急に低下する前のオゾンガスの濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報であって、許容される最大限の相関情報を示す値に予め定められている。
制御部52は、記憶部53に記憶された相関情報に応じて、モニタ部51がモニタしたオゾンガス濃度Dと放電パワーPに基づき、オゾンガス濃度の異常を検出する。より詳しくは、制御部52は、記憶部53に記憶された相関情報に基づき、モニタされたオゾンガス濃度Dに対してモニタされた放電パワーPが予め定められた閾値Th1から閾値Th2の範囲外のとき、オゾンガス濃度の異常を検出する。
制御部52は、オゾンガス濃度の異常を検出した場合、入出力I/F部54を介してディスプレイ60に警告を表示してもよい。また、制御部52は、オゾンガス濃度の異常を検出した場合、入出力I/F部54を介してスピーカ61に警告音を発生してもよい。
図1に戻り、かかる構成のBSP除去装置1においては、まず、ゲートバルブ23の弁体24を開にして、図示しない搬送アームによりウェハWを搬入出口11aを介してチャンバ11内に搬入し、スピンチャック12に真空吸着させる。そして、ゲートバルブ23の弁体24を閉じ、チャンバ11を気密にシールする。
次いで、回転モータ13によりスピンチャック12を回転させ、これによりスピンチャック12に吸着保持されているウェハWを回転させる。そして、このようにウェハWを回転させつつ、BSP除去部14のレーザー照射ヘッド18からウェハWに付着したBSP2にレーザーを照射するとともに、オゾンガス吐出ノズル20からオゾンガスを吹き付け、オゾンガス吸引ノズル19でオゾンガスを吸引する。これにより、レーザー照射による熱とオゾンガスによる酸化によって、BSP2が除去される。このとき、レーザーが所望の位置に当たるように、照射ヘッド18をウェハWの径方向に移動させるとともに、レーザー照射ヘッド18の角度調節を行う。このBSP除去処理の際には、オゾンガス吐出ノズル20からオゾンガスが供給され、オゾンガス吸引ノズル19から排気流路としての排気配管31を経て排気される。
本実施形態では、オゾンガスを供給する供給ライン21からサンプリングしたオゾンガス濃度Dをオゾンセンサ43で検出し、そのオゾンガス濃度Dをモニタ部51でモニタする。また、本実施形態では、オゾン発生器22の放電パワーPを検出し、モニタ部51でモニタする。
制御部52は、モニタ部51でモニタしたオゾンガス濃度D及び放電パワーPと、記憶部53に記憶された相関情報とを比較する。制御部52は、モニタされたオゾンガス濃度Dに対してモニタされた放電パワーPが予め定められた閾値Th1〜閾値Th2の範囲から外れる場合、モニタしたオゾンガス濃度が異常であることを検出し、警告を出力する。警告を確認したオペレータは、BSP除去装置1を停止し、オゾンセンサ43の0点補正(オフセット)等のメンテナンスを実行する。
制御装置50は、図示しないCPU(Central Processing Unit),ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等を有する。制御部52の機能は、CPUによって実現される。記憶部53の機能は、ROM又はRAMによって実現される。CPUは、ROM等の記憶領域に格納されたレシピに従って、低周波電力の印加、オゾンガスの供給、レーザ光の入射等を制御し、BSPの除去処理を実行する。また、CPUは、ROM等の記憶領域に格納された相関情報に応じて、モニタされたオゾンガス濃度の異常を検出する。
なお、制御部52の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されてもよく、ハードウエアを用いて動作することにより実現されてもよい。
以上、本実施形態に係るBSP除去装置1の全体構成の一例について説明した。次に、BSP除去装置1の制御装置50により実行される、オゾンガス濃度の異常検出処理の一例を、図2を参照しながら説明する。
[オゾンガス濃度の異常検出処理]
図2のオゾンガス濃度の異常検出処理が開始されると、制御部52は、モニタ部51からオゾンガス濃度Dを取得する(ステップS10)。次に、制御部52は、モニタ部51から放電パワーPを取得する(ステップS12)。なお、ステップS10,S12の取得タイミングや取得の順番はこれに限られない。
次に、制御部52は、NLの比例式を示す相関情報及び閾値Th1、Th2の比例式を示す相関情報を記憶部53から取得する(ステップS14)。次に、制御部52は、取得したオゾンガス濃度Dに対して取得した放電パワーPが閾値Th1〜Th2の範囲内かを判定する(ステップS16)。例えば、図3において、取得したオゾンガス濃度D1に対して取得した放電パワーP1がPL〜PHの範囲内かが判定される。
オゾンガス濃度Dに対する放電パワーPが閾値Th1〜Th2の範囲内の場合、制御部52は、モニタしたオゾンガス濃度が正常であることを検出する。例えば、図3において、取得したオゾンガス濃度D1に対して取得した放電パワーPが「P1」のとき、制御部52は、モニタしたオゾンガス濃度が正常であることを検出する。この場合、オゾンセンサ43は正常に稼働していると判断され、BSP除去処理時のオゾンガスのモニタは継続可能と判定される。よって、所定時間経過した後(ステップS18)、制御部52は、ステップS10に戻り、新たなオゾンガス濃度Dと放電パワーPとのモニタ値に基づく次の異常検出処理(ステップS10〜S16)を実行する。
一方、ステップS16において、オゾンガス濃度Dに対する放電パワーPが閾値Th1〜Th2の範囲外の場合、制御部52は、モニタしたオゾンガス濃度が異常であることを検出する(ステップS20)。例えば、図3において、取得したオゾンガス濃度D1に対して取得した放電パワーPが「P2」のとき、制御部52は、モニタしたオゾンガス濃度が異常であることを検出する。異常が検出された場合、制御部52は、警告を出力するように制御し(ステップS22)、本オゾンガス濃度の異常検出処理を終了する。出力する警告の一例としては、「オゾンセンサ43のメンテナンス(0点補正)が必要です」とディスプレイ60に表示したり、警告音をスピーカ61から出力したりすることが挙げられる。
以上、本実施形態に係るBSP除去装置1の制御装置50により実行される、オゾンガス濃度の異常検出処理の一例を説明した。
オゾンセンサ43が正常に動作しないと、実際にBSP除去装置1に供給されるオゾンガス濃度と異なるオゾンガス濃度が検出される。特に、オゾンセンサの定期的なメンテナンスは、例えば、一日一回と頻度が高く、実際に実行することが難しいことが少なくない。
そこで、本実施形態に係るオゾンガス濃度の異常検出処理は、オゾンガス濃度の異常の有無を、オゾンセンサ43の検出値とオゾン発生器22の放電パワーとからモニタする。そして、モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係が、予め定められたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係の許容範囲内であるかに基づき、オゾンセンサ43がオゾンガス濃度を正確に測定できているかを判定する。このようにして、オゾンセンサ43により検出されたオゾンガス濃度の検出値が異常であるかを判定することができる。
これにより、オゾンセンサ43の異常を早期に発見し、オペレータにオゾンセンサ43のメンテナンス(0点補正)を促し、オゾンセンサ43の故障や0点のズレを迅速に保守させることができる。このようなオペレータの迅速な対応により、安定したオゾンガスの供給を実現し、BSP処理装置1によるBSP除去の処理性能の低下を防ぎ、ロット不良を回避することができる。
[変形例]
オゾン発生器22の経時変化に応じてオゾンガス濃度と放電パワーとの比例式の傾きが変わる場合がある。例えば、オゾン発生器22の経時変化に応じてオゾンガス濃度と放電パワーとの比例式の傾きは小さくなる傾向が考えられる。
そこで、以下に説明する本実施形態の変形例では、記憶部53は、オゾン発生器22の稼働時間に応じて変化するオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す複数の相関情報を予め記憶する。具体的には、記憶部53は、オゾンガス濃度と放電パワーとの比例関係を示す複数の比例式を予め記憶する。そして、制御部52は、記憶部53に記憶された複数の相関情報から、オゾン発生器22の稼働時間に応じて最適なオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示した相関情報を選択する。
具体的には、オゾン発生器22の稼働時間は、タイマ55によって計時されている。制御部52は、計時されたオゾン発生器22の稼働時間に基づき、記憶部53に記憶された複数の相関情報のうちから最も適した相関情報を選択し、選択した相関情報に基づき、オゾンガス濃度の異常を検出する。以下、オゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す複数の相関情報から相関情報を選択する処理について、図4を参照しながら説明する。
[相関情報の選択処理]
図4は、一実施形態に係る相関情報の選択処理の一例を示したフローチャートである。
図4の相関情報の選択処理が開始されると、制御部52は、タイマ55が計時しているオゾン発生器22の稼働時間を取得する(ステップS30)。制御部52は、オゾン発生器22の稼働時間が予め定められた時間t1を経過したかを判定する(ステップS32)。
オゾン発生器22の稼働時間が時間t1を経過していない場合、制御部52は、記憶部53から相関情報1を選択する(ステップS34)。これにより、図5に示されるように、オゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す直線NL1〜NL4のうち、傾きが最も大きい直線NL1で示される相関情報1が選択される。選択後、本相関情報選択処理は終了する。
一方、オゾン発生器22の稼働時間が時間t1を経過した場合、制御部52は、オゾン発生器22の稼働時間が予め定められた時間t2を経過したかを判定する(ステップS36)。
オゾン発生器22の稼働時間が時間t2を経過していない場合、制御部52は、記憶部53から相関情報2を選択する(ステップS38)。これにより、図5に示されるように、傾きが二番目に大きい直線NL2で示される相関情報2が選択される。選択後、本相関情報選択処理は終了する。
一方、オゾン発生器22の稼働時間が時間t2を経過した場合、制御部52は、オゾン発生器22の稼働時間が予め定められた時間t3を経過したかを判定する(ステップS40)。
オゾン発生器22の稼働時間が時間t3を経過していない場合、制御部52は、記憶部53から相関情報3を選択する(ステップS42)。これにより、図5に示されるように、傾きが三番目に大きい直線NL3で示される相関情報3が選択される。選択後、本相関情報選択処理は終了する。
一方、オゾン発生器22の稼働時間が時間t3を経過した場合、制御部52は、記憶部53から相関情報4を選択する(ステップS44)。これにより、図5に示されるように、傾きが最も小さい直線NL4で示される相関情報4が選択される。選択後、本相関情報選択処理は終了する。
以上、本実施形態の変形例について説明した。これによれば、オゾン発生器22の経時変化に応じて、最も適切なオゾンガス濃度と放電パワーとの相関情報が選択される。これにより、オゾン発生器22の稼働時間に応じて選択されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関情報に基づき、オゾンガス濃度が正確に測定できているかをより精度良く判定することができる。
例えば、オゾン発生器22の稼働時間が時間t1を経過し、時間t2を経過していない場合、オゾン発生器22の稼働時間を考慮しないと、相関情報1、つまり、図5の直線NL1に基づき、オゾンガス濃度の検出値の異常の有無が判定される。この結果、例えば、モニタされたオゾン濃度DがD1、放電パワーがP1のとき、放電パワーP1はNL1上の値であり、オゾンセンサ43により検知されたオゾンガス濃度の検出値は正常であると判断される。
一方、本変形例では、オゾン発生器22の稼働時間に応じて、相関情報2、つまり、図5の直線NL2に基づき、オゾンガス濃度の検出値の異常の有無が判定される。この場合、例えば、モニタされたオゾン濃度DがD1、放電パワーがP3の場合、本変形例では、相関情報2に基づき、検出された放電パワーP3はNL2上の値であり、オゾンガス濃度は正常であると判断される。
これに対して、モニタされたオゾン濃度DがD1、放電パワーがP1の場合、本変形例では、相関情報2に基づき、検出された放電パワーP1はPL〜PH(図5では図示せず)の範囲外であるため、オゾンガス濃度の検出値は異常であると判断される。
このようにして、本実施形態の変形例では、オゾン発生器22の稼働時間に応じて選択されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関情報に基づき、オゾンガス濃度が正確に測定されているかをより精度良く判定することができる。
以上、基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法を上記実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。また、上記実施形態及び変形例を矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、本発明に係るオゾンガス濃度の異常検出方法は、オゾンガスの供給を監視するあらゆるシステムに適用可能である。また、本発明に係るオゾンガス濃度の異常検出方法は、オゾンガスの排出を監視するあらゆるシステムに適用可能である。
例えば、図1には図示していないが、オゾンセンサ43をオゾンキラー41に繋がる排気配管31に接続し、オゾンセンサを用いて排気配管31を介してサンプリングした排ガス中のオゾンガス濃度を検出してもよい。この場合、本発明に係るオゾンガス濃度の異常検出方法は、排ガス中のオゾンガス濃度と放電パワーとをモニタ部51でモニタし、オゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、オゾンガス濃度の検出値が異常かを判定してもよい。
なお、本発明において処理を施される基板は、上記実施形態にて説明に使用したウェハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ(Flat Panel Display)用の大型基板、EL素子又は太陽電池用の基板であってもよい。
1:BSP除去装置
2:BSP
11:チャンバ
21:供給ライン
22:オゾンガス発生器
43:オゾンセンサ
50:制御装置
51:モニタ部
52:制御部
53:記憶部
54:入出力I/F部
55:タイマ
D:オゾン濃度
P:放電パワー

Claims (6)

  1. オゾンガスを発生するオゾン発生器とオゾンガス濃度を検知するオゾンセンサとを備え、該オゾン発生器から供給されるオゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    前記オゾンセンサが検知するオゾンガス濃度と、前記オゾン発生器の放電パワーとをモニタするモニタ部と、
    前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する制御部と、
    を有する、基板処理装置。
  2. オゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報を予め記憶した記憶部を有し、
    前記制御部は、
    前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記記憶部に記憶されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報に応じて、前記モニタしたオゾンガス濃度の異常を検出する、
    請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記記憶部に記憶されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す相関情報に応じて、前記モニタしたオゾンガス濃度に対して前記モニタされた放電パワーが予め定められた許容値の範囲外の場合、前記モニタしたオゾンガス濃度が異常であることを検出する、
    請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記記憶部は、前記オゾン発生器の稼働時間に応じて変化するオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す複数の相関情報を予め記憶し、
    前記オゾン発生器の稼働時間を計時するタイマを有し、
    前記制御部は、
    前記計時されたオゾン発生器の稼働時間に基づき、前記記憶部に記憶されたオゾンガス濃度と放電パワーとの相関関係を示す複数の相関情報のうちからいずれかの相関情報を選択し、選択した相関情報に応じて、前記モニタしたオゾンガス濃度の異常を検出する、
    請求項2又は3に記載の基板処理装置。
  5. 前記オゾンセンサは、前記オゾン発生器から前記基板処理装置にオゾンガスを供給する供給ラインに接続される、
    請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. オゾンガスを発生するオゾン発生器を用いて基板を処理する基板処理装置に用いられるオゾンガス濃度の異常検出方法であって、
    オゾンセンサによって検知された、基板処理装置に供給されるオゾンガス濃度をモニタし、
    前記オゾン発生器の放電パワーをモニタし、
    前記モニタしたオゾンガス濃度と放電パワーとに基づき、前記オゾンガス濃度の異常を検出する、
    ステップを含む、オゾンガス濃度の異常検出方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7209061B1 (ja) 2021-09-07 2023-01-19 日本特殊陶業株式会社 オゾン発生器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6403431B2 (ja) * 2013-06-28 2018-10-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
JP6354539B2 (ja) * 2014-11-25 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体
JP7412134B2 (ja) * 2019-11-01 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62265103A (ja) * 1986-05-09 1987-11-18 Fuji Electric Co Ltd オゾン発生量の測定方法
JPH05168687A (ja) * 1991-12-20 1993-07-02 Toto Ltd オゾン脱臭装置
JPH08217415A (ja) * 1995-02-08 1996-08-27 Toshiba Corp オゾン発生設備診断方法
JP2003146624A (ja) * 2001-11-08 2003-05-21 Mitsubishi Electric Corp オゾン濃度制御装置
JP2004031654A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
JP2009500855A (ja) * 2005-07-07 2009-01-08 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド マルチ・チャンバ・ツールのためのオゾン・システム
JP2009046345A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Mitsubishi Electric Corp オゾン発生装置
JP2010047429A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Mitsubishi Electric Corp オゾン発生装置
US20130092084A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Intermolecular, Inc. Systems and Methods for Measuring, Monitoring and Controlling Ozone Concentration

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3671389B2 (ja) * 1999-12-03 2005-07-13 三菱電機株式会社 基板処理方法および装置
US6511924B2 (en) * 2001-04-20 2003-01-28 Applied Materials, Inc. Method of forming a silicon oxide layer on a substrate
US20060240677A1 (en) * 2002-09-20 2006-10-26 Hitachi Kokusai Electric Inc., Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP4093462B2 (ja) * 2002-10-09 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5601796B2 (ja) 2009-06-23 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 Bsp除去装置
CA2835731C (en) * 2011-07-12 2014-07-08 Ruks Engineering Ltd. Real-time gas monitoring method and system
CA2869291C (en) * 2012-04-05 2017-01-17 Mitsubishi Electric Corporation Ozone-generating system and ozone generation method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62265103A (ja) * 1986-05-09 1987-11-18 Fuji Electric Co Ltd オゾン発生量の測定方法
JPH05168687A (ja) * 1991-12-20 1993-07-02 Toto Ltd オゾン脱臭装置
JPH08217415A (ja) * 1995-02-08 1996-08-27 Toshiba Corp オゾン発生設備診断方法
JP2003146624A (ja) * 2001-11-08 2003-05-21 Mitsubishi Electric Corp オゾン濃度制御装置
JP2004031654A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
JP2009500855A (ja) * 2005-07-07 2009-01-08 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド マルチ・チャンバ・ツールのためのオゾン・システム
JP2009046345A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Mitsubishi Electric Corp オゾン発生装置
JP2010047429A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Mitsubishi Electric Corp オゾン発生装置
US20130092084A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Intermolecular, Inc. Systems and Methods for Measuring, Monitoring and Controlling Ozone Concentration

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7209061B1 (ja) 2021-09-07 2023-01-19 日本特殊陶業株式会社 オゾン発生器
JP2023038477A (ja) * 2021-09-07 2023-03-17 日本特殊陶業株式会社 オゾン発生器

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