JP2010171288A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被処理体Gに対して、処理条件に従ってプラズマ処理を行う処理室を備えたプラズマ処理装置であって、処理条件とは異なる複数の再処理条件を記憶した記憶部と、プラズマ処理中の異常発生の有無を監視する監視機能と、発生した異常の種類を判定する判定機能とを備えた制御系50を具備し、プラズマ処理中に異常が発生した場合、制御系50は、判定した異常の種類に応じて、複数の再処理条件の中から一つの再処理条件を選択し、被処理体Gに対して再処理を行う。
【選択図】図2
Description
処理経過時間80sec :プラズマ発光強度が再度低下
処理経過時間100sec:プラズマ発光強度が下限(ジャストエッチング)
処理経過時間110sec:処理終了
図6Bは、高周波出力10kWの基本条件にて、異常が発生したガラス基板Gの処理経過時間毎のプロセス情報を示す。図6Bに示す例では、処理経過時間58secのとき、瞬時に反射波が過大となっている。ここで、図6Bは異常発生までのプロセス情報を示している。本例において、装置コントローラ50は、処理の続行が可能と判断し、再処理条件を下記のように設定する。
Claims (6)
- 被処理体に対して、処理条件に従ってプラズマ処理を行う処理室を備えたプラズマ処理装置であって、
前記処理条件とは異なる複数の再処理条件を記憶した記憶部と、前記プラズマ処理中の異常発生の有無を監視する監視機能と、発生した異常の種類を判定する判定機能とを備えた制御系を具備し、
前記プラズマ処理中に異常が発生した場合、前記制御系は、判定した異常の種類に応じて、前記複数の再処理条件の中から一つの再処理条件を選択し、前記被処理体に対して再処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ処理中に異常が発生した場合、前記制御系は、プラズマ処理の続行が可能か否かを判断し、処理の続行が可能であると判断したときに、一つの再処理条件を選択し、前記被処理体に対して再処理を施すことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記記憶部には、前記被処理体または前記処理室内の温度、プラズマの発光強度、及びプラズマを発生維持させる高周波電力の反射波の大きさに関する規定値が予め記憶され、プラズマ処理中の前記被処理体の温度、前記プラズマの発光強度、及び前記反射波の大きさが、前記規定値を逸脱したときに、前記制御系は、異常が発生したと判断することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御系は、正常に処理を終了した被処理体における処理経過時間毎の前記被処理体または前記処理室内の温度、前記高周波出力の値、前記プラズマ発光の強度、及び前記反射波の大きさから、前記規定値を処理経過時間毎に設定し、前記記憶部に記憶させることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御系は、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、プラズマを発生維持させる高周波電力を前記処理室内に供給する高周波電源系を制御し、
前記再処理条件は、前記処理条件に対し、前記処理ガスの流量、前記処理ガスの種類、前記処理室内の排気量、前記高周波電力の出力の少なくともいずれか一つが異なることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御系は、異常が発生したと判断してから、前記被処理体に対して再処理を施すまでの間、プラズマを発生維持させるための高周波電力をプラズマの維持に必要な最低限の出力にすることを特徴とする請求項1から請求項5いずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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