JP2003273088A - プラズマリーク検出装置及び処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ処理装置におけるプラズマリークの
発生を略確実に検出することが可能なプラズマリーク検
出装置を提供する。 【解決手段】 処理容器８内の雰囲気を前記処理容器の
下部に設けた排気口から真空排気しつつ載置台の上方の
処理空間Ｓに形成されているプラズマにより前記載置台
１０上に載置されている被処理体Ｗに対して所定の処理
を施すプラズマ処理装置に設けられるプラズマリーク検
出装置において、前記処理空間より下方に漏れて流出す
るプラズマから発生するプラズマ光を検出する光検出器
６０と、前記光検出器の出力値に基づいてプラズマのリ
ークが発生しているか否かを判断するプラズマリーク判
断部６２と、を備える。これにより、プラズマリークの
発生を略確実に検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等を
プラズマ処理するプラズマ処理装置に設けられるプラズ
マリーク検出装置及び処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いては、被処理体である例えば半導体ウエハに対して成
膜処理、エッチング処理、スパッタ処理等の各種処理が
繰り返し行なわれる。これらの処理の多くは、スループ
ットを向上させるため及び処理品質の特性を向上させる
ため等の理由により、プラズマ処理装置を用いて行われ
る。この種のプラズマ処理装置では、真空引きされて真
空雰囲気になされた処理容器内にて、例えば上下の電極
間に高周波電圧を印加することによりプラズマを立て、
このプラズマにより各種ガスを反応させてウエハ表面に
所定の処理を施すようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のプ
ラズマ処理装置にあっては、ウエハ表面の上方の処理空
間に発生するプラズマの挙動がプラズマ処理に大きな影
響を与えることから、プラズマの状態を把握することが
重要である。例えば、処理容器内の処理空間におけるプ
ラズマは、この処理容器内を真空引きしているので、こ
の時の真空引きされて排気されるガス流に乗ってプラズ
マが排気側に僅かに流れ出てしまう現象、いわゆるプラ
ズマリークが発生する場合があった。このプラズマリー
クは処理容器内の構造物の消耗等の理由により発生する
と考えられるが、このプラズマリークを放置しておく
と、例えばエッチング処理の場合にはエッチングレート
が低下したり、成膜処理の場合には成膜レートが低下し
たりするのみならず、これらのプラズマ処理のウエハ面
内における均一性が大幅に低下して歩留りも劣化してし
まう、といった問題があった。

【０００４】そこで、このプラズマリークの発生を検出
するために、プラズマとの関係で上部電極（高周波電圧
の印加方法によっては下部電極）に発生する寄生直流電
圧や、高周波電圧を印加する時に高周波の反射を自動的
に抑制するために用いるマッチング回路の可変コンデン
サの位置等を監視することも行われているが、上記寄生
直流電圧やコンデンサの位置等を監視するだけではプラ
ズマリークの発生を捉えてこれを認識することは困難で
あった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これ
を有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目
的は、プラズマ処理装置におけるプラズマリークの発生
を略確実に検出することが可能なプラズマリーク検出装
置及び処理システムを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
処理容器内の雰囲気を前記処理容器の下部に設けた排気
口から真空排気しつつ載置台の上方の処理空間に形成さ
れているプラズマにより前記載置台上に載置されている
被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置に
設けられるプラズマリーク検出装置において、前記処理
空間より下方に漏れて流出するプラズマから発生するプ
ラズマ光を検出する光検出器と、前記光検出器の出力値
に基づいてプラズマのリークが発生しているか否かを判
断するプラズマリーク判断部と、を備えたことを特徴と
するプラズマリーク検出装置である。これにより、処理
容器の処理空間からこの排気側に向けてプラズマのリー
クが発生すると、このリークしたプラズマから発生する
光を光検出器によって捕捉することができ、これによっ
てプラズマリークの発生を略確実に検出することが可能
となる。従って、プラズマリークが発生した状態で被処
理体を連続的に処理することを防止でき、製品の歩留り
を向上させることが可能となる。

【０００６】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記光検出器は、前記処理容器内の下部の排気空間
を区画する容器側壁に設けた監視窓を介して前記プラズ
マ光を検出する。また、例えば請求項３に規定するよう
に、前記処理空間と前記排気空間との間は、複数の排気
スリットを有するリング状の排気プレートに区画されて
いる。また、例えば請求項４に規定するように、前記光
検出器の検出する前記プラズマ光は可視光である。

【０００７】また、例えば請求項５に規定するように、
前記プラズマリーク判断部の判断結果を表示する表示部
を有する。請求項６に係る発明は、上記プラズマリーク
検出装置を備えた処理システムであり、すなわち真空引
き可能になされた処理容器内の処理空間にて載置台上に
載置された被処理体に対してプラズマを用いて所定の処
理を施すようにしたプラズマ処理装置と、前記処理空間
より漏れて流出するプラズマから発生するプラズマ光に
基づいてプラズマのリークを検出する上記プラズマリー
ク検出装置と、を備えたことを特徴とする処理システム
である。この場合、例えば請求項７に規定するように、
前記プラズマリーク検出装置の判断結果に基づいて、前
記プラズマ処理装置は、次の被処理体の処理を制限す
る。また、例えば請求項８に規定するように、前記プラ
ズマリーク検出装置の判断結果に基づいて、前記プラズ
マ処理装置はプラズマ処理における諸条件を制御する。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプラズマリ
ーク検出装置及び処理システムの一実施例を添付図面に
基づいて詳述する。図１は本発明のプラズマリーク検出
装置を用いた第１実施例の処理システムを示す構成図で
ある。図示するように、この処理システム２は、被処理
体である例えば半導体ウエハに対して所定のプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置４と、このプラズマ処理装置
４におけるプラズマリークの発生を検出するプラズマリ
ーク検出装置６とにより、主に構成されている。

【０００９】まず、このプラズマ処理装置４は、例えば
アルミニウムよりなる円筒体状の処理容器８を有してお
り、この処理容器８は接地されていると共に、この中に
は、被処理体としての半導体ウエハＷを載置する載置台
１０が設けられている。この載置台１０は下部電極とし
ても機能することになる。そして、この載置台１０に対
向させて上記処理容器８の天井部には処理容器８内へ各
種の処理ガス（プラズマガスを含む）を導入するための
シャワーヘッド部１２が、絶縁部材１６を介して設けら
れており、この下面のガス噴射面に形成した多数のガス
噴射孔１４より上記処理ガスを処理空間Ｓに向けて噴射
するようになっている。このシャワーヘッド部１２は上
部電極としても機能する。

【００１０】この処理容器８の下部側壁は、半導体ウエ
ハＷを処理容器８内へ搬入搬出する際に開閉されるゲー
トバルブ１８が設けられる。また、この処理容器８の下
部側壁には、排気口２０が設けられており、この排気口
２０には図示しない真空ポンプ等を介設した真空排気系
２２が接続されて、上記処理容器８内を真空引き可能と
している。この真空排気系２２には、自動的に弁開度を
調整して上記処理容器８内の圧力調整を行う圧力調整弁
２４が介在されている。上記載置台１０は例えばアルミ
ニウムよりなり、この中には、冷媒を循環させる流路２
６が設けられている。この流路２６に冷媒を循環させる
ことにより上記載置台１０の温度を制御している。ま
た、この載置台１０の上面には、内部にチャック電極を
埋め込んだ例えばセラミック製の静電チャック２８がろ
う付け等により接合されており、この上面にウエハＷを
吸着して保持するようになっている。そして、この載置
台１０の下方に延びる導電性の支柱３０は、容器底部３
２を貫通しており、この支柱３０にはリード線３１を介
してマッチング回路３４及び例えば３．２ＭＨｚの高周
波電圧を発生するバイアス用高周波電源３６が接続され
ている。また、この支柱３０には、図示しない昇降機構
が取り付けられており、これを上記載置台１０と共に一
体的に昇降移動できるようになっている。

【００１１】そして、上記処理容器８の底部３２と上記
載置台１０の下面との間には、伸縮可能になされたベロ
ーズ３７が介在されており、処理容器８内の気密性を維
持したまま上記載置台１０を上下移動できるようになっ
ている。ここで、上記載置台１０を最下端に降下させた
状態で上記ゲートバルブ１８を介してウエハＷの移載を
行うようになっている。また、この載置台１０には、ウ
エハの移載時にこれを昇降させるリフタピン（図示せ
ず）が設けられる。上記シャワーヘッド部１２は、例え
ばアルミニウムよりなり、この側壁に例えば加熱ヒータ
部を埋め込むようにしてもよい。そして、このシャワー
ヘッド部１２には、リード線３８を介してマッチング回
路４０及び例えば４０．６８ＭＨｚのプラズマ発生用の
高周波電圧を印加するプラズマ発生用高周波電源４２が
接続されており、処理空間Ｓにプラズマを発生させるよ
うになっている。

【００１２】また、上記処理容器８の外周側には、上記
処理空間Ｓに対応させて円形リング状の磁石手段４４が
その周方向へ回転可能に設けられており、上記処理空間
Ｓ内に磁場を形成して発生するプラズマの密度を高める
ようになっている。そして、上記載置台１０の側面側と
上記処理容器８の内壁との間には、例えばアルミニウム
等よりなる円形リング状の排気プレート４６が設けられ
ており、この処理容器８内を上方の上記処理空間Ｓと下
方の排気空間４８とに２つに区画している。この排気プ
レート４６は、ここでは処理容器８側へ固定されている
と共に、載置台１０からは僅かに離間されて、この載置
台１０の上下移動を許容している。この排気プレート４
６には、多数の排気孔５０が形成されており、真空引き
時に上記処理空間４８内の雰囲気を、上記排気孔５０を
介して下方の排気空間４８側へ吸引し、更にこの雰囲気
を排気口２０から処理容器８の外へ排出できるようにな
っている。

【００１３】尚、上記排気プレート４６は、処理容器８
側へ固定するのではなく、載置台１０側へ固定してこれ
に支持させるようにしてもよい。また、上記排気プレー
ト４６の直ぐ下であって、上記排気空間４８を区画する
容器側壁には、例えば直径が数ｃｍ程度の監視孔５４が
形成されており、この監視孔５４には、例えばＯリング
等よりなるシール部材５６を介して監視窓５８が気密に
取り付け固定されている。この監視窓５８は、例えば石
英ガラスやクリスタル等の耐腐食性の大きな透明板部材
により形成されており、後述するようにリークしたプラ
ズマより発するプラズマ光を透過できるようになってい
る。

【００１４】そして、このプラズマ処理装置４の動作全
体は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる主制御部
５２によって制御されるようになっており、例えばその
制御動作の一部として、圧力調整弁２４の弁開度やプラ
ズマ発生用高周波電源４２の出力電力等を制御するよう
になっている。他方、上述したように形成されたプラズ
マ処理装置４に併設される前記プラズマリーク検出装置
６は、上記処理空間Ｓより下方に漏れて流出するプラズ
マから発生するプラズマ光ＰＬを検出する光検出器６０
と、上記光検出器６０の出力値に基づいてプラズマのリ
ークが発生しているか否かを判断するプラズマリーク判
断部６２とにより主に構成されている。

【００１５】具体的には、上記光検出器６０は、例えば
フォトダイオードよりなり、上記排気プレート４６の直
下の排気空間４８を臨むことができるように、上記監視
窓５８に接近させて設けられており、前述した様にリー
クしたプラズマからのプラズマ光ＰＬを受光して検出し
得るようになっている。また、上記プラズマリーク判断
部６２は、例えばマイクロコンピュータ等よりなり、上
記光検出器６０での検出値を取り込んで、これを例えば
アナログ−デジタル変換した後に、予め設定された閾値
と比較することにより、プラズマのリークが発生したか
否かを判断するようになっている。この時の閾値は必要
に応じて変更できるように可変になされている。

【００１６】そして、このプラズマリーク判断部６２に
は、ここでの判断結果をプリント表示やディスプレイ表
示するための表示部６４や、プラズマリークが発生した
時に光の点滅やブザーの鳴動等によりオペレータに対し
て警報を発するための警報部６６がそれぞれ接続されて
いる。そして、このプラズマリーク判断部６２での判断
結果は、前記主制御部５２にも入力されており、プラズ
マリークが発生した時には、例えば上記プラズマ処理の
諸条件、例えばプロセス圧力やプラズマ発生用の高周波
電力等をコントロールしたり、或いは、プラズマ処理装
置４の全体にインターロックをかけて、例えば次の半導
体ウエハの処理を制限したりするようになっている。こ
の場合、例えば複数の指示ボタンを有する入力手段６８
よりオペレータが適切な指示を、主制御部５２へ入力し
得るようになっている。

【００１７】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、載置台１０を下方向へ降
下させた状態で、開放されたゲートバルブ１８より未処
理の半導体ウエハＷを処理容器８内へ取り込み、これを
載置台１０上に載置してこれを保持する。そして、この
載置台１０を上昇させて、これを図１中で実線で示すよ
うに処理位置に位置させる。次に、この処理容器８内に
アルゴンガス等のプラズマガスを含む処理ガス、例えば
エッチングガスをシャワーヘッド部１２から所定の流量
で供給しつつ処理容器８内を真空引きして所定のプロセ
ス圧力を維持する。これと同時に、プラズマ発生用高周
波電源４２よりシャワーヘッド部１２と載置台１０との
間に高周波電圧を印加し、この処理空間ＳにプラズマＰ
を立てて、ウエハＷに対して所定のプラズマ処理、例え
ばプラズマエッチング処理を施すことになる。

【００１８】さて、このようにプラズマ処理を行ってい
る過程で、上述のようにこの処理容器８内は常時真空引
きされており、処理空間Ｓの雰囲気は、排気プレート４
６に設けた多数の排気孔５０を介して下方の排気空間４
８に流れ込み、これより更に排気口２０を介して真空排
気系２４側へ排気されていく。ここで、何らかの理由に
よりプラズマリークが発生すると、このリークしたプラ
ズマは処理空間Ｓ側より上記排気孔５０を介して排気空
間４８側に漏れて僅かに流出することになり、このリー
クしたプラズマから発せられるプラズマ光ＰＬは、容器
側壁に設けた透明な監視窓５８を透過して外へ漏れ出る
ことになる。

【００１９】すると、プラズマリーク検出装置６の光検
出器６０は、上記監視窓５８を透過したプラズマ光ＰＬ
を検出し、この検出値はプラズマリーク判断部６２へ入
力されることになる。このプラズマリーク判断部６２
は、上記検出値である光量が所定の閾値を超えているか
否かを判断し、この閾値を超えている場合には、プラズ
マリークが発生したと判断し、その旨を上記主制御部５
２へ通知すると共に、表示部６４にて、プラズマリーク
が発生した旨を表示する。また、これと同時に、警報部
６６を活動状態として、例えば警報ランプを点滅させた
り、警報ブザーを鳴動させたりして、プラズマリークの
発生をオペレータに認識させることになる。また、この
プラズマリークの発生の通知を受けた上記主制御部５２
は、現在処理中のウエハＷは所定のレシピに従った所定
の通りの処理は継続して行うが、このウエハＷの処理が
終了した時には、次の未処理のウエハに対しては処理を
停止するように、未処理のウエハの搬入操作も含めてこ
のプラズマ処理装置４の全体の動作にインターロックを
かける。

【００２０】そして、上記プラズマリークの発生を認識
したオペレータは状況を判断して、入力手段６８より、
次に実行すべき指示を入力する。例えばメンテナンス等
が必要な場合には”処理中止”を入力し、先に処理済み
となったウエハを搬出するが次の未処理のウエハの搬入
は行わないようにして、メンテナンスを待つようにす
る。或いは、プラズマリークの程度が軽微で処理にそれ
程支障がない場合等には、”処理続行”を入力し、新た
な未処理のウエハの処理を行うようにする。このプラズ
マリークの大小の程度は、前述したようにプラズマリー
ク判断部６２における閾値を適宜変更することにより選
択することができる。

【００２１】このように、本実施例によれば、処理空間
Ｓから漏れ出たリークプラズマからのプラズマ発光ＰＬ
を確実に捉えることができるので、プラズマリークの発
生の有無を精度良く、しかも確実に捕捉することができ
る。従って、プラズマリークの発生を知らない状態で半
導体ウエハを連続して処理することがなくなるので、プ
ラズマ処理の面内均一性が悪化することを防止して、そ
の歩留りを向上させることが可能となる。上記した第１
実施例では、上下の電極間、すなわちシャワーヘッド部
１２と載置台１０との間の処理空間Ｓに磁場を与えてプ
ラズマＰを発生させるようにした、いわゆるマグネトロ
ン型のプラズマ処理装置を用いた処理システムについて
説明したが、これに限定されず、磁場を用いないプラズ
マ処理装置にも本発明を適用し得る。

【００２２】図２はこのような本発明の第２実施例の処
理システムを示す構成図である。尚、ここでは図１に示
す部分と同一構成部分については同一符号を付して説明
を省略する。図示するように、この処理システムでは、
磁場を使用しない、いわゆる平行平板型のプラズマ処理
装置７０を用いており、従って、処理容器８の外周に
は、図１に示したような磁石手段４４を有していない。
また、載置台１０は、上下方向へ可動式にはなされてお
らず、支柱３０により容器底部３２より起立させて固定
している。

【００２３】従って、ウエハＷを搬出入する時に開閉さ
れるゲートバルブ１８は、この載置台１０の側方に位置
する容器側壁に設けられている。そして、この載置台１
０の外周側に設けた排気プレート４６の僅かに直ぐ下の
容器側壁に監視窓５８を設け、ここに光検出器６０を含
むプラズマリーク検出装置６を設けている。この第２実
施例の場合にも、前述した第１実施例の場合と同様に、
処理空間Ｓから漏れ出たリークプラズマからのプラズマ
発光ＰＬを確実に捉えることができるので、プラズマリ
ークの発生の有無を精度良く、しかも確実に捕捉するこ
とができる。従って、プラズマリークの発生を知らない
状態で半導体ウエハを連続して処理することがなくなる
ので、プラズマ処理の面内均一性が悪化することを防止
して、その歩留りを向上させることが可能となる。

【００２４】また、以上説明した実施例では、上下の電
極間に高周波電圧を印加することによりプラズマを発生
させるようにしたプラズマ処理装置を使用した場合を例
にとって説明したが、これに限定されず、マイクロ波を
用いてプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装
置に本発明を適用し得る。図３はこのような本発明の第
３実施例の処理システムを示す構成図である。尚、ここ
では図１に示す部分と同一構成部分については同一符号
を付して説明を省略する。

【００２５】図示するように、この処理システムでは、
マイクロ波を用いたプラズマ処理装置７２を用いてい
る。まず、載置台１０は、絶縁部材７４を介して容器底
部３２に固定されており、これにはバイアス用高周波電
源３６が接続されている。そして、ガス供給手段として
は、シャワーヘッド部ではなくて、ガスノズル７６が容
器側壁を貫通させて設けられている。また、処理容器８
の天井部には、例えば石英ガラスよりなる透過窓７８が
シール部材８０を介して気密に設けられている。そし
て、この透過窓７８の上方に、多数のスロット溝８２を
有する平面アンテナ部材８４と、例えば窒化アルミ等よ
りなる遅波材８６とが設けられており、これら全体をシ
ールドボックス８５により覆っている。

【００２６】上記平面アンテナ部材８４は、同軸導波管
８８及びモード変換器９０を介して、例えば２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波発生器９２へ接続されており、上記平
面アンテナ部材８４の各スロット溝８２から処理空間Ｓ
に向けてマイクロ波を放射することにより、ここにプラ
ズマを立てるようになっている。そして、この載置台１
０の外周側に設けた排気プレート４６の僅かに直ぐ下の
容器側壁に監視窓５８を設け、ここに光検出器６０を含
むプラズマリーク検出装置６を設けている。この第３実
施例の場合にも、前述した第１実施例の場合と同様に、
処理空間Ｓから漏れ出たリークプラズマからのプラズマ
発光ＰＬを確実に捉えることができるので、プラズマリ
ークの発生の有無を精度良く、しかも確実に捕捉するこ
とができる。従って、プラズマリークの発生を知らない
状態で半導体ウエハを連続して処理することがなくなる
ので、プラズマ処理の面内均一性が悪化することを防止
して、その歩留りを向上させることが可能となる。

【００２７】尚、プラズマ発生の方式として以上の各実
施例で説明したものに限定されず、どのような形式でプ
ラズマを発生させるプラズマ処理装置にも本発明を適用
できるのは勿論である。また、被処理体としては、半導
体ウエハに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも
適用できるのは勿論である。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
リーク検出装置及び処理システムによれば、次のように
優れた作用効果を発揮することができる。処理容器の処
理空間からこの排気側に向けてプラズマのリークが発生
すると、このリークしたプラズマから発生する光を光検
出器によって捕捉することができ、これによってプラズ
マリークの発生を略確実に検出することができる。従っ
て、プラズマリークが発生した状態で被処理体を連続的
に処理することを防止でき、製品の歩留りを向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマリーク検出装置を用いた第１
実施例の処理システムを示す構成図である。

【図２】本発明の第２実施例の処理システムを示す構成
図である。

【図３】本発明の第３実施例の処理システムを示す構成
図である。

【符号の説明】

２ 処理システム ４，７０，７２ プラズマ処理装置 ６ プラズマリーク検出装置 ８ 処理容器 １０ 載置台（下部電極） １２ シャワーヘッド部（上部電極） ４２ プラズマ発生用高周波電源 ４６ 排気プレート ４８ 排気空間 ５０ 排気孔 ５２ 主制御部 ５８ 監視窓 ６０ 光検出器 ６２ プラズマリーク判断部 ６４ 表示部 ６６ 警報部 ９２ マイクロ波発生器 ＰＬ プラズマ光 Ｓ 処理空間 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 EA04 FA03 KA37 KA39 KA41 5F004 BA04 BA06 BA08 BA09 BA20 BB22 BB25 CB03 CB20 5F045 AA08 BB14 EC03 EF05 EG02 EH05 EH14 EM05 GB02 GB08

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内の雰囲気を前記処理容器の下
   部に設けた排気口から真空排気しつつ載置台の上方の処
   理空間に形成されているプラズマにより前記載置台上に
   載置されている被処理体に対して所定の処理を施すプラ
   ズマ処理装置に設けられるプラズマリーク検出装置にお
   いて、 前記処理空間より下方に漏れて流出するプラズマから発
   生するプラズマ光を検出する光検出器と、 前記光検出器の出力値に基づいてプラズマのリークが発
   生しているか否かを判断するプラズマリーク判断部と、 を備えたことを特徴とするプラズマリーク検出装置。
2. 【請求項２】 前記光検出器は、前記処理容器内の下部
   の排気空間を区画する容器側壁に設けた監視窓を介して
   前記プラズマ光を検出することを特徴とする請求項１記
   載のプラズマリーク検出装置。
3. 【請求項３】 前記処理空間と前記排気空間との間は、
   複数の排気スリットを有するリング状の排気プレートに
   区画されていることを特徴とする請求項２記載のプラズ
   マリーク検出装置。
4. 【請求項４】 前記光検出器の検出する前記プラズマ光
   は可視光であることを特徴とする請求項１乃至３のいず
   れかに記載のプラズマリーク検出装置。
5. 【請求項５】 前記プラズマリーク判断部の判断結果を
   表示する表示部を有することを特徴とする請求項１乃至
   ４のいずれかに記載のプラズマリーク検出装置。
6. 【請求項６】 真空引き可能になされた処理容器内の処
   理空間にて載置台上に載置された被処理体に対してプラ
   ズマを用いて所定の処理を施すようにしたプラズマ処理
   装置と、 前記処理空間より漏れて流出するプラズマから発生する
   プラズマ光に基づいてプラズマのリークを検出する請求
   項１乃至５のいずれかに記載のプラズマリーク検出装置
   と、 を備えたことを特徴とする処理システム。
7. 【請求項７】 前記プラズマリーク検出装置の判断結果
   に基づいて、前記プラズマ処理装置は、次の被処理体の
   処理を制限することを特徴とする請求項６記載の処理シ
   ステム。
8. 【請求項８】 前記プラズマリーク検出装置の判断結果
   に基づいて、前記プラズマ処理装置はプラズマ処理にお
   ける諸条件を制御することを特徴とする請求項６又は７
   記載のプラズマ処理システム。