TWI689970B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

提供將產生包含附著成分之氛圍的複數之基板處理部之氛圍通過共通的排氣路徑而予以排氣時，可以確實地檢測出每個基板處理部之個別排氣路徑之異常的技術。

將對晶圓(W)進行抗蝕塗佈之複數的抗蝕塗佈單元(10A~10D)，經藉由排氣動力設備被排氣的共通排氣路徑(60)而予以排氣時，測量每個抗蝕塗佈單元(10A~10D)之個別排氣管(50A~50D)之排氣壓和共通排氣路徑(60)之排氣壓，比較各測量值和所對應之容許壓力範圍。因此，可以確實地檢測出個別排氣管(50A~50D)之附著物之堵塞等之異常。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明係關於在基板處理中將基板之氛圍予以排氣的技術。
在作為半導體製造工程之一個的光阻工程中，進行在半導體晶圓(以下，稱為(晶圓)之表面塗佈抗蝕等之各塗佈液的塗佈處理。例如，抗蝕塗佈裝置使用以包圍作為基板之保持部的旋轉夾具之周圍的方式設置杯體的杯體模組，對旋轉夾具上之晶圓滴下抗蝕液等之塗佈液，使晶圓旋轉而在其全面形成塗佈膜。此時，當從晶圓被甩乾的抗蝕液與杯體之壁面衝突時，抗蝕液成為細小的粒子(霧氣)，有霧氣附著於晶圓而被污染之虞。因此，杯體連接排氣管，進行晶圓之周圍之氛圍的排氣，抑制霧氣所致的污染。而且，例如將個別連接於複數之杯體的個別排氣管連接於成為根源之共通排氣路徑，藉由工場動力將共通排氣路徑予以排氣，依此進行各杯體之排氣。
然而，當杯體之排氣流量減少時，霧氣無被充分排氣，有附著於晶圓之虞。因此，雖然以監視被連接 於杯體之個別排氣管之排氣流量為佳，但是難以在個別排氣管設置流量計，藉由在個別排氣管設置壓力測量部而測量排氣壓，間接地監視排氣流量。例如，排氣壓之測量值上升時，藉由設置在個別排氣管之排氣調節風門，縮小排氣路徑之傳導率使排氣流量安定。
但是，個別排氣管之排氣壓不僅增減工場動力，也因霧氣朝每杯體模組之個別排氣路徑(杯內或個別排氣管)附著所致的堵塞而變動。因此，當在杯體內產生堵塞之時，排氣壓之測量值與增加工場動力之情況相同變高，作用於排氣調節風門縮小排氣路徑之傳導率的方向而導致排氣流量之不足，有無法充分謀求基板之污染防止之虞。
專利文獻1中記載有測量個別地被設置在複數之加熱裝置的個別排氣管之壓力，同時記載在個別排氣管合流之主排氣管設置壓力計的構成，記載著檢測加熱裝置之排氣系統之異常的技術。但是，針對區別加熱裝置中之排氣之異常的主要原因的手法，並無記載。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2000-260680號公報
本發明係鑒於如此之情形下而創作出，其目的在於提供將產生包含附著成分之氛圍的複數之基板處理部之氛圍通過共通的排氣路徑而予以排氣時，可以確實地檢測出每個基板處理部之個別排氣路徑之異常的技術。
本發明之基板處理裝置，其特徵在於具備：複數之基板處理部，其係進行產生包含附著成分之氛圍之基板處理；個別排氣路徑，其係個別地被設置在上述複數之基板處理部，用以將在該基板處理部中之基板的氛圍予以排氣；共通排氣路徑，其係上述個別排氣路徑之各個合流，藉由排氣動力設備被排氣；第1壓力測量部，其係被設置在上述個別排氣路徑之各個，用以測量上述個別排氣路徑之排氣壓；第2壓力測量部，其係被設置在上述共通排氣路徑，用以測量該共通排氣路徑之排氣壓；及異常檢測部，其係根據上述第1壓力測量部之測量值和第1容許壓力範圍之比較結果，和上述第2壓力測量部之測量值和第2容許壓力範圍之比較結果，檢測出在個別排氣路徑中的異常。
本發明之基板處理方法，其特徵在於具備：在基板處理部，進行產生包含附著成分之氛圍的基板處理 之工程；藉由個別地被設置在複數之基板處理部，用以將在該基板處理部中之基板之氛圍予以排氣之個別排氣路徑，和上述個別排氣路徑之各個合流，藉由排氣動力設備被排氣之共通排氣路徑，將基板處理部之氛圍予以排氣之工程；藉由個別地被設置在上述個別排氣路徑之第1壓力測量部測量個別排氣路徑之排氣壓之工程；藉由被設置在上述共通排氣路徑之第2壓力測量部，測量在共通排氣路徑流通之排氣的排氣壓之工程；及根據各個的第1壓力測量部之測量值和第1容許壓力範圍之比較結果，和第2壓力測量部之測量值和第2容許壓力範圍之比較結果，檢測出在個別排氣路徑中的異常之工程。
本發明之記憶媒體係記憶有被使用於基板處理裝置之電腦程式的記憶媒體，該基板處理裝置具備個別地被設置在進行產生包含附著成分之氛圍的基板處理之複數之基板處理部，用以將在該基板處理部中之基板之氛圍予以排氣之個別排氣路徑，和個別排氣路徑之各個合流，藉由排氣動力設備被排氣之共通排氣路徑，其特徵在於上述電腦程式係以實施上述基板處理方法之方式組成步驟群。
本發明係在將進行產生包含附著成分之氛圍 的基板處理的複數之基板處理部，經由藉由排氣動力設備而被排氣的共通排氣路徑而予以排氣時，測量每個基板處理部之個別排氣路徑之排氣壓，和共通排氣路徑之排氣壓，且比較與各測量值對應之容許壓力範圍。因此，可以確實地檢測出在個別排氣路徑中之附著物之堵塞等之異常。另外，個別排氣路徑係指形成有將基板處理部之氛圍予以排氣的流路之部位，例如，在進行液處理的杯體模組之情況，包含杯體內之流路及被連接於該杯體之個別排氣管。
5A~5D‧‧‧第1壓力測量部
6‧‧‧第2壓力測量部
9‧‧‧控制部
10A~10D‧‧‧抗蝕塗佈單元
11‧‧‧旋轉夾具
20‧‧‧杯體
28‧‧‧排氣管
50A~50D‧‧‧個別排氣管
52A~52D‧‧‧排氣調節風門
60‧‧‧共通排氣管
W‧‧‧晶圓
圖1為表示抗蝕塗佈裝置之構成圖。
圖2為表示抗蝕塗佈單元的縱剖面圖。
圖3為表示被設置在與本發明之實施型態有關之抗蝕塗佈裝置的控制部的構成圖。
圖4為表示被記憶於記憶體之異常模式之檢測圖案的說明圖。
圖5為表示處理液之吐出、排氣調節風門之狀態、在第1壓力測量部及第2壓力測量部中之壓力測量值之時序圖的說明圖。
圖6為表示本發明之實施型態所涉及之排氣裝置之作用的說明圖。
圖7為表示本發明之實施型態所涉及之排氣裝置之作 用的說明圖。
圖8為表示處理液之吐出、排氣調節風門之狀態、在第1壓力測量部及第2壓力測量部中之壓力測量值之時序圖的說明圖。
圖9為表示本發明之實施型態所涉及之排氣裝置之作用的說明圖。
圖10為表示處理液之吐出、排氣調節風門之狀態、在第1壓力測量部及第2壓力測量部中之壓力測量值之時序圖的說明圖。
圖11為表示在第1及第2壓力測量部中之壓力測量值所致之壓力變動要因之區別的說明圖。
針對將與本發明之實施型態有關之基板處理裝置適用於具備抗蝕塗佈單元10A~10D之抗蝕塗佈裝置之實施型態進行說明，該抗蝕塗佈單元10A~10D係藉由旋轉塗佈將作為塗佈液之抗蝕液對晶圓W進行塗佈的基板處理部。與本實施型態有關之抗蝕塗佈裝置如圖1所示般，在複數之抗蝕塗佈單元10A~10D之各個連接共通的排氣部1而被構成，在此，為了方便設為具備四台之抗蝕塗佈單元10A~10D者。各抗蝕塗佈單元10A~10D被構成各個相同，在此，舉抗蝕塗佈單元10A為例進行說明。
如圖2所示般，抗蝕塗佈單元10A具備藉由真空吸附晶圓W之背面中央部，水平地保持該晶圓W之 作為基板保持部的旋轉夾具11。該旋轉夾具11由下方經軸部12被連接於旋轉機構13，藉由該旋轉機構13可以在垂直軸周圍旋轉。
在旋轉夾具11之下方側以隔著間隙包圍軸部12之方式設置圓形板14。再者，在圓形板14之圓周方向形成3處的貫通孔17，在各貫通孔17分別設置有升降銷15。在該些升降銷15之下方，設置共通之升降板18，升降銷15被構成藉由被設置在升降板18之下方的升降機構16升降自如。
再者，以包圍旋轉夾具11之方式設置有杯體20。旋轉夾具11、軸部12及旋轉機構13和杯體20構成杯體模組。杯體20係接取從旋轉之晶圓W飛散，或溢出掉落的排液，將該排液排出至抗蝕塗佈裝置外。杯體20具備在上述圓形板14之周圍設置有剖面形狀為山型之環狀的山型導引部21，以從山型導引部21之外周端延伸至下方之方式，設置有環狀之垂直壁23。山型導引部21係將從晶圓W溢出掉落之液體導引至晶圓W之外側下方。
再者，設置有以包圍山型導引部21之外側之方式，呈垂直的筒狀部22，和從該筒狀部22之上緣朝向內側上方傾斜延伸的上側導引部24。在上側導引部24於圓周方向設置有複數的開口部25。再者，以從上側導引部24之基端側周緣向上方延伸之方式設置有筒狀部31，且以從該筒狀部31之上緣朝向內側上方伸出之方式設置有傾斜壁32。再者，筒狀部22之下方側在山型導引部21 及垂直壁23之下方形成有剖面成為凹部型之環狀之液承接部26。在該液承接部26中，於外周側連接有排液路徑27。再者，在較液承接部26中之排液路徑27內周側，於從旋轉夾具11觀看成為互相對稱之位置，以從下方突入之形式設置有兩根排氣管28。
再者，如圖2所示般，抗蝕塗佈單元10A具備有用以對晶圓W供給抗蝕液之抗蝕液噴嘴41。抗蝕液噴嘴41係經抗蝕液供給管42而被連接於抗蝕液供給源43。
再者，抗蝕塗佈單元10A具備有用以對晶圓W供給用以稀釋抗蝕液的稀釋液之稀釋液噴嘴44。稀釋液噴嘴44經稀釋液供給管45而連接於稀釋液供給源46。再者，抗蝕塗佈單元10A具備有吐出用以除去被形成在晶圓W之周緣的抗蝕膜之溶劑的溶劑噴嘴47。溶劑噴嘴47經由溶劑供給管48而連接於溶劑供給源49。而且，抗蝕塗佈單元10A具備有朝向被保持於旋轉夾具11之晶圓W之背面供給例如純水等之沖洗液的背面側沖洗噴嘴40。背面側沖洗噴嘴40被構成連接於無圖示之沖洗液供給部，朝向晶圓W之背面供給沖洗液。
接著，針對被連接於先前所述之抗蝕塗佈單元10A~10D之排氣部1進行說明。如圖1所示般，排氣部1具備有例如分別個別地被連接於抗蝕塗佈單元10A~10D的個別排氣管50A~50D，和從個別排氣管50A~50D被排氣之排氣合流的共通排氣管60。
個別排氣管50A~50D分別構成相同，在此舉出被連接於抗蝕塗佈單元10A之個別排氣管50A為例進行說明。另外，在圖1中之各個別排氣管50A~50D中，針對與在個別排氣管50A之各部對應之部分，使用在個別排氣管50A之說明中所使用之數字相同之數字，並且分別賦予B、C、D以取代A來標示。
個別排氣管50A成為在水平方向延伸，一端側分歧成兩根之分歧路51A。各分岐路51A分別彎曲成圓弧狀，在各分歧路51A之端部，從上方側，分別連接有在抗蝕塗佈單元10A中之兩根排氣管28內之對應的排氣管28。
當將抗蝕塗佈單元10A側設為上流時，在較個別排氣管50A中之分歧路51A之分歧位置下游側，設置有用以測量在個別排氣管50A內流動之排氣之壓力的第1壓力測量部5A。再者，在個別排氣管50A中之第1壓力測量部5A之下游，設置有成為排氣量調整部之排氣調節風門52A。另外，在杯體20中的從晶圓W之周圍流至排氣管28之流路、排氣管28及個別排氣管50A相當於個別排氣路徑。
排氣調節風門52A具備引入個別排氣管50A之外部的氛圍的開口部53，例如藉由調整相對於被設置在開口部53之蓋部54之開口部53的角度，調整開口部53之開合度，且調整流入個別排氣管50A之外部氛圍之流量。而且，從開口部53引入外部氛圍之壓力損失較經分歧路51A從杯體20內引入排氣之時的壓力損失小。因 此，藉由增大開口部53之開口度，從開口度53被引入之外部氛圍之流量增加，且從杯體20內被拉入之排氣的流量減少。再者，因藉由增大開口部53之開口度，在個別排氣管50A的全體性之壓力損失減少，故在個別排氣管50A內之排氣之壓力下降。
而且，為了對每個排氣調節風門52A~52D，調整開口部53之開合度，設置有擷取所對應之第1壓力測量部(5A~5D)之測量值而對各排氣調節風門52A~52D之致動器輸出控制訊號的控制器(無圖示)。藉由該控制器，在第1壓力測量部5A之壓力測量值，較例如抗蝕處理製程中之壓力設定值高之情況，或是較壓力設定值低之情況，調整排氣調節風門52A之開合度而調整成排氣壓力成為一定。具體而言，為了使在第1壓力測量部5A中之壓力測量值高於壓力設定值，提高排氣調節門52A之開口部53之開合度。依此，從杯體20A流入個別排氣管50A，排氣減少，在個別排氣管50A流動之排氣之壓力損失變少，壓力下降。再者，在第1壓力測量部5A中之壓力測量值低於壓力設定值之情況，降低排氣調節風門52A之開口部53之開合度。依此，從杯體20A流入個別排氣管50A，排氣增加，在個別排氣管50A流動之排氣之壓力損失變大，壓力上升。如此一來，調整成從抗蝕塗佈單元10A之杯體20側引入的排氣之壓力成為一定，控制成從抗蝕塗佈單元10A側引入之排氣之流量成為一定。
作為排氣模式，在該例中，設定對基板進行 特定之處理之時的強排氣模式，和藉由較該強排氣模式時之排氣量少的排氣量進行排氣之弱排氣模式。強排氣模式係在晶圓W上之塗佈液藉由晶圓W之旋轉飛散於周圍而產生霧氣之時間帶被設定，弱排氣模式係在除此以外之時間帶(也包含在旋轉夾具上未載置晶圓W之時間帶)被設定。排氣模式之切換係從後述之控制部9藉由與各模式對應之壓力設定值被輸出至已述之控制器而被進行。即是，當與強排氣模式對應之壓力設定值被設定之時，以排氣調節風門52A~52D之開合度變大之方式，設定調節風門位置，當與弱排氣模式對應之壓力設定值被設定之時，以排氣調節風門52A~52D之開合度小於上述開合度之方式，設定調節風門位置。以下，將強排氣模式稱為「製程排氣」，將弱排氣模式稱為「空轉排氣」進行說明。
並且，在各排氣調節風門52A~52D，設置判定其開口部53之開合度為強排氣模式(製程排氣)之開合度，或為弱排氣模式(空轉排氣)之開合度的無圖示之開關感測器，對後述之控制部9發送其開合度為製程排氣時之開合度，和空轉排氣時之開合度中之哪一個的資訊訊號。
各個別排氣管50A~50D在排氣調節風門52A~52D之下流與1根之共通的共通排氣管60合流，共通排氣管60之下流連接於工場全體之排氣用設備(以下，稱為「工場動力」)。在共通排氣管60設置有測量在共通排氣管60流通之排氣之排氣壓力的第2壓力測量部 6。另外，圖1中之61係用以開關共通排氣管60之閥。
再者，基板處理裝置具備控制部9。如圖3所示般，控制部9具備有CPU91、程式92及記憶體93。另外，圖中90為匯流排。再者，控制部9被連接於第1壓力測量部5A~5D、第2壓力測量部6、各排氣調節風門52A~52D。再者，在控制部9連接有警報94及顯示部95。
在記憶體93記憶有在製程排氣時決定第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值之第1容許壓力範圍的上限臨界值及下限臨界值，空轉排氣時決定第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值之第1容許壓力範圍的上限臨界值及下限臨界值。並且，記憶決定在記憶第2壓力測量部6中之壓力測量值之第2壓力容許範圍的上限臨界值及下限臨界值。另外，上限臨界值及下限臨界值被設定成例如在製程排氣時及空轉排氣時之壓力設定值分別成為在製程排氣時及空轉排氣時之上限臨界值和下限臨界值之平均值。
再者，在記憶體93記憶有變更排氣調節風門52A~52D之開口部53之開合度，從空轉排氣，於切換至製程排氣之時，至個別排氣管50A~50D內之排氣壓力安定之時間△tr，及從製程排氣，切換至空轉排氣之時，至個別排氣管50A~50D內之排氣壓力安定之時間△tf。
變更排氣調節風門52A~52D之開合度，切換空轉排氣和製程排氣之間之時，在空轉排氣中之壓力和在製程排氣中之壓力之間變化。因此，包含了成為偏離在空 轉排氣中之壓力的上限臨界值及下限臨界值之範圍的壓力，和在製程排氣中之壓力的上限臨界值及下限臨界值之範圍的壓力中之任何一個之壓力的時間。因此，當切換空轉排氣和製程排氣之間之時，以不需要進行警報94之發報等之方式，切換空轉排氣和製程排氣之間之後，設定停止一定時間監視之時間△tr和時間△tf。
程式92接收各排氣調節風門52A~52D係處於製程排氣時之狀態，或處於空轉排氣時之狀態的訊號，同時分別測量被設置在各個別排氣管50A~52D的第1壓力測量部5A之壓力測量值及第2壓力測量部的壓力測量值。而且，依照排氣調節風門52A~52D為製程排氣時之狀態，或空轉排氣時之狀態，選擇在製程排氣時之第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值之上限臨界值及下限臨界值，在空轉排氣時之第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值之上限臨界值及下限臨界值而予以讀出。而且，監視第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值，比較該上限臨界值及該下限臨界值。因此，控制部9相當於異常檢測部。並且，在第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值高於上限臨界值之情況，或是低於下限臨界值之情況，使警報94鳴響，在顯示部95顯示測量到偏離臨界值之值的第1壓力測量部5A~5D是哪一個第1壓力測量部5A~5D的資訊，和高於上限臨界值之訊息，或低於下限臨界值之訊息。
再者，即使在顯示部95顯示依照在製程排氣 時和空轉排氣之各個中，第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值為正常排氣壓、高於上限臨界值之排氣壓，及低於下限臨界值之排氣壓中之哪一個，和第2壓力測量部6之壓力測量值為正常排氣壓，高於上限臨界值之排氣壓，及低於下限臨界值之排氣壓中之哪一個的組合而推測的異常模式(或是為正常之訊息)亦可。在此情況，例如圖4所示之表被記憶於記憶體93，根據第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值之傾向，和第2壓力測量部6之壓力測量值之傾向的組合，所對應之異常模式之推測原因被顯示於顯示器95。
再者，比較第2壓力測量部6之壓力測量值和上限臨界值及下限臨界值，第2壓力測量部6之壓力測量值高於上限臨界值之情況，或低於下限臨界值之情況，使警報94鳴響，於顯示部95顯示在第2壓力測量部6高於上限臨界值之資訊或低於下限臨界值之資訊。
接著，雖然針對與本發明之實施型態有關之抗蝕塗佈裝置之作用進行說明，但是首先針對在第1壓力測量部5A~5D及第2壓力測量部6之壓力測量值之監視方法，沿著在正常的排氣壓之一連串之抗蝕塗佈處理進行說明。在此，使用抗蝕塗佈單元10A，以進行抗蝕塗佈處理之例進行說明。
圖5係從上層針對在抗蝕塗佈裝置之抗蝕塗佈處理，表示各種藥液之吐出的接通斷開、排氣調節風門52A處於製程排氣時之排氣和空轉排氣時之排氣中之哪一 個的排氣狀態，或在第1壓力測量部5A之壓力測量值及第2壓力測量部6之壓力測量值之時間變化的時序圖。在圖5中之第1壓力測量部5A的壓力測量值之曲線，以實線表示的曲線表示在正常之排氣壓的第1壓力測量部5A的壓力測量值。
抗蝕塗佈裝置係在搬入晶圓W之前的時刻t0，排氣調節風門52A被開啟，成為空轉排氣時之狀態。因此，在第1壓力測量部5A，壓力測量值顯示低的值。再者，表示空轉排氣之狀態的開合度之訊號，從設置在排氣調節風門52A之開關感測器被發送至控制部9。依此，從記憶體93讀出與在空轉排氣之第1壓力測量部5A之壓力設定值之第1容許壓力範圍對應的上限臨界值P1H’及下限臨界值P1L’，監視在第1壓力測量部5A之壓力測量值是否成為上限臨界值P1H’和下限臨界值P1L’之間的排氣壓，即是正常的排氣壓力。並且，在第2壓力測量部6之壓力設定值之上限臨界值P2H及下限臨界值P2L被讀出，在第2壓力測量部6之壓力測量值是否為上限臨界值P2H和下限臨界值P2L之間的壓力，即是正常壓力之監視被開始。
接著，藉由例如外部之搬運裝置和升降銷15之協同作用，將晶圓W交接至抗蝕塗佈單元10A之旋轉夾盤11。之後，例如在時刻t1縮小排氣調節風門52A之開合度，使來自杯體20側之排氣量增加，切換成製程排氣。此時，因在個別排氣管50A之壓力損失上升，故在第 1壓力測量部5A之壓力測量值上升。再者，如先前所述般，在控制部9，從時刻t1至時間△tr之期間，停止第1壓力測量部5A之壓力測量值之監視。
並且，當排氣調節風門52A切換成製程排氣時，與製程排氣對應之第1壓力測量部5A之壓力測量值之上限臨界值P1H及下限臨界值P1L被讀出。之後，在時刻t1+△tr，在第1壓力測量部5A之排氣壓的測量被開始，壓力測量值是否在第1容許範圍內，即是上限臨界值P1H及下限臨界值P1L之範圍內被監視。
接著，在壓力安定之時刻t1+△tr以後之時刻t2，使旋轉夾盤11在垂直軸周圍旋轉，同時使稀釋液噴嘴44位於晶圓W之中心部之上方。之後，在進行製程排氣時之排氣之狀態，向晶圓W供給稀釋液。依此，成為晶圓W之表面濕潤之狀態。並且，在晶圓W表面擴散的稀釋液藉由離心力被甩開。
在此，針對從晶圓W被甩開之稀釋液之排氣進行說明。從晶圓W被甩開之稀釋液被杯體20承接，順著杯體20之內面，流入液承接部26。排氣管28因被設置成從液承接部26之下方突出，故流入液承接部26之液體之稀釋液不流入排氣管28地從排液路徑27被排液。並且，在排氣管28，在晶圓W之氛圍除了液體之稀釋液之狀態下成為流入。但是，對旋轉之晶圓W供給稀釋液，而甩開稀釋液之時，當稀釋液衝突至杯體20時，稀釋液成為霧氣。因霧氣在氛圍中漂移，故與從排氣管28被排 氣之氛圍一起被排氣。
之後，停止稀釋液之供給，使稀釋液噴嘴44從晶圓W之上方退避，接著，使抗蝕液噴嘴41位於晶圓W之中心部之上方。之後，在繼續製程排氣之排氣的狀態，並且維持晶圓W之旋轉數之狀態，開始抗蝕液之供給。依此，抗蝕液在晶圓W之表面擴散。再者，從晶圓W被甩開之抗蝕液衝突至杯體20而成為霧氣，包含霧氣的氛圍從排氣管28被排氣。
之後，停止抗蝕液之供給，使抗蝕液噴嘴41從晶圓W之上方退避，並且在維持晶圓W之旋轉數的原樣下，使溶劑噴嘴47位於晶圓W之周緣。接著，在時刻t3，增大在排氣調節風門52A之開口部53之開合度，切換成空轉排氣時之排氣。此時，因經由排氣調節風門52A之開口部53，外部之氛圍流入，故個別排氣管50A之壓力損失降低，第1壓力測量部5A之壓力測量值下降。
再者，因排氣調節風門52A之開口部53之開合度變大，從製程排氣之排氣切換至空轉排氣之排氣，故從時刻t3至時間△tf之期間，由於排氣壓移行，所以不進行排氣壓之監視。並且，排氣調節風門52A之開口部53之開合度切換，當切換至空轉排氣之排氣時，在空轉排氣時之第1壓力測量部5A之壓力測量值之上限臨界值P1H’及下限臨界值P1L’被讀出。之後，在時刻t3+△tf，藉由第1壓力測量部5A之排氣壓的測量被開始，壓力測量值是否在空轉排氣時之第1壓力測量部5A之壓力測量值之上 限臨界值P1H’及下限臨界值P1L’之範圍內被監視。
接著，在排氣壓安定之時刻t3+△tf以後之時刻t4，維持晶圓W之旋轉數之原樣，從溶劑噴嘴47向晶圓W之周緣供給溶劑。再者，從背面側沖洗噴嘴40向晶圓W之背面供給例如純水等之沖洗液。藉由從溶劑噴嘴47向晶圓W之周緣供給溶劑，晶圓W之周緣部之抗蝕膜溶解被除去，從背面側沖洗噴嘴40供給沖洗液，依此晶圓W之背面被洗淨。溶劑及沖洗液從晶圓W被甩開而衝突至杯體20之時，因不成為附著性之霧氣，故從排液路徑27被排液。之後晶圓W被交接至外部之搬運裝置而被搬出。
如此一來，在第1壓力測量部5A之壓力測量值，在從時刻t0至時刻t1之期間，及時刻t3+△tf以後，是否為在空轉排氣時從上限臨界值P1H’至下限臨界值P1L’之期間的壓力被監視，且從時刻t1+△tr至t3之期間，是否為在製程排氣時從上限臨界值P1H至下限臨界值P1L之期間的排氣壓被監視。
再者，第2壓力測量部6之壓力測量值不論空轉排氣時及製程排氣時，在塗佈處理之期間，同樣是否為從上限臨界值P2H至下限臨界值P2L之期間的排氣壓被監視。
接著，在上述抗蝕塗佈處理，針對第1壓力測量部5A之測量值變化之例進行說明。例如，在實施型態所示之抗蝕塗佈裝置，有例如抗蝕液之霧氣附著使得個別排氣管50A堵塞之情形。
在此，以於進行抗蝕液之供給之後，例如在個別排氣管50A之一方之分歧路51A之入口部分產生堵塞之例進行說明。在圖5中之第1壓力測量部5A之壓力測量值之曲線中的鏈線之曲線，表示在產生個別排氣管50A之堵塞之例中的第1壓力測量部5A之壓力測量值之變化圖案。
因當進行抗蝕液之塗佈之後，在個別排氣管50A之一方之分歧路51A產生堵塞時，如圖6所示般，在個別排氣管50A之壓力損失上升，故個別排氣管50A內之排氣壓上升。因此，如圖5所示般，例如於時刻ta，在第1壓力測量部5A，所測量到之壓力測量值高於在製程時之上限臨界值P1H。依此，在控制部9，藉由壓力測量值高於上限臨界值P1H，警報94被發報，並且在顯示部95表示在該第1壓力測量部5A高於上限臨界值P1H之資訊。
另外，在共通排氣管60，當在一個的個別排氣管50A產生堵塞使得壓力損失上升時，藉由增加在其他正常進行排氣之個別排氣管50B~50D的排氣流量，壓力損失之上升部分的排氣流量被補償。因此，在共通排氣管60，以全體而言，壓力損失不上升，在第2壓力測量部6之壓力測量值也落在第2容許壓力範圍內(P2L~P2H)。
再者，在其他正常地進行排氣之個別排氣管50B~50D，雖然排氣流量變多，但是因藉由複數之個別 排氣管50B~50D，補償一個的個別排氣管50A之壓力損失，故在其他之個別排氣管50B~50D之各個，在排氣流量或排氣壓，不會有大的變化。
因此，在顯示部95，表示第2壓力測量部6之壓力測量值為正常之資訊。再者，因第1壓力測量部5A之測量結果為「上限臨界值P1H以上」、第2壓力測量部6之測量結果為「正常」，故控制部9從圖4所示之表判斷成「個別排氣路徑之堵塞」，顯示該要因。並且，被設置在其他之個別排氣管50B~50D之第1壓力測量部5A之測量值為正常之資訊被顯示。
當之後繼續進行處理時，在時刻t3以後，因第1壓力測量部5A之測量結果為「上限臨界值P1H’以上」，第2壓力測量部6之測量結果為「正常」，故控制部9維持著判斷成「個別排氣管50A」之堵塞。如此一來，在個別排氣管50A之壓力損失上升之情況，不管製程排氣時之排氣及空轉排氣時之排氣，表示在第1壓力測量部5A之壓力測量值為「上限臨界值以上」，表示在第2壓力測量部6之壓力測量值為正常。再者，表示其他之第1壓力測量部5B~5C之壓力測量值為正常。
再者，例如在個別排氣管50A~50D之漏泄的產生，或在排氣調節風門52A~52D產生堵塞，從開口部53產生排氣洩漏(漏泄)之情況，例如圖7示意性表示般，在該個別排氣管50A之壓力損失減少，排氣壓下降。因此，在圖8，例如於時刻ta，當引起如此之事態時，如 鏈線所示般，第1壓力測量部5A之壓力測量值在製程排氣時，較下限臨界值P1L下降，在空轉排氣時，較下限臨界值P1L’下降。另外，實線表示正常時之壓力測量值。
即使在一個個別排氣管50A之壓力損失減少之情況下，藉由其他正常地進行排氣之個別排氣管50B~50D補償排氣流量。因此，針對在共通排氣管60之排氣壓力及排氣流量，無變化，第2壓力測量部6之測量值落在上限臨界值P2H和下限臨界值P2L之間。再者，設置在其他正常之個別排氣管50B~50D之第1壓力測量部5B~5D之壓力測量值也落在容許壓力範圍。因此，在此情況下，因第1壓力測量部5A之測量結果為「低於容許壓力範圍」，第2壓力測量部6之測量結果為「正常」，故判斷成漏泄產生，例如各壓力測量結果成為「漏泄產生」及產生漏泄之個別排氣路徑(杯體模組)的顯示，同時警報94被發報。
接著，針對工場動力變動之情況予以敘述。即使在製程排氣時，空轉排氣時，工場動力之排氣壓變動之情況，如圖9所示般，例如在工場動力之排氣壓上升之情況，在共通排氣管60之排氣壓上升。而且，在工場動力之排氣壓之上升之程度大之情況(大於容許範圍之情況)，第2壓力測量部6之測量結果成為「超越上限臨界值P2H」。另外，藉由在共通排氣管60之排氣壓力上升，於製程排氣時，在各個別排氣管50A~50D之排氣壓分別上升，超越上限臨界值P1H。另外，於空轉排氣時， 在各個別排氣管50A~50D，因從開放的排氣調節風門52A~52D流入之氣體之流量的變化量大，故壓力之變化量變小，例如落在容許壓力範圍。
圖10表示在時刻ta工場動力增加很多之情況，藉由鏈線表示壓力測量值。在工場動力增加很多之情況，第2壓力測量部6之測量結果可以僅以「超過上限臨界值P2H」這樣的資訊進行判斷，例如進行各壓力測量結果及「工場動力增加」之顯示，同時警報被發報。
再者，於工場動力之排氣壓減少很多之情況，因第2壓力測量部6之測量值低於下限臨界值P2L，故可以僅以該資訊，檢測出該現象，進行例如各壓力測量結果及「工場動力減少」之顯示，同時警報被發報。
圖11橫軸表示第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值，縱軸表示第2壓力測量部6之壓力測量值。圖11中之A表示製程排氣時之第1壓力測量值之第1容許壓力範圍及第2壓力測量值之第2容許壓力範圍，圖11中之B表示空轉排氣時之第1壓力測量值之第1容許壓力範圍及第2壓力測量值之第2容許壓力範圍。
當以如此之特性圖表示時，在個別排氣管50A~50D產生堵塞之情況，雖然產生堵塞之個別排氣管50A~50D之第1壓力測量部5A~5D之測量值上升，但是在第2壓力測量部之壓力測量值幾乎不上升。因此，在製程排氣時，第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值及第2壓力部6之壓力測量值位於圖6中之(1)之區域內。 再者，在空轉排氣時，第1壓力測量部5A~5D之測量值及第2壓力測量部6之測量值位於圖6中之(5)之區域內。再者，在個別排氣管50A~50D之漏泄的產生，或是排氣調節風門52A~52D產生堵塞，從開口部53產生排氣洩漏之情況，在製程排氣，第1壓力測量部5A~5D之測量值及第2壓力測量部6之測量值位於圖11中之(4)之區域內。再者，在空轉排氣時，第1壓力測量部5A~5D之測量值及第2壓力測量部6之測量值位於圖11中之(8)之區域內。
再者，在製程排氣時，在工場動力之排氣壓變動之情況，例如工場動力之排氣壓上升之情況，所有的第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值，和第2壓力測量部6之壓力測量值分別上升。因此，在製程排氣時，第1壓力測量部5A~5D之測量值及第2壓力測量部6之測量值位於圖11中之(2)之區域內。再者，空轉時成為圖11中之(6)之區域所示的值。並且，在工場動力之排氣壓下降之情況，位於圖11中之(3)之區域內，於空轉排氣時，位於圖11中之(7)的區域內。
若藉由上述實施型態時，測量個別地被連接於抗蝕塗佈單元10A~10D之個別排氣管50A~50D之排氣壓，同時個別排氣管50A~50D之各個合流，測量藉由排氣動力設備被排氣的共通排氣管60之排氣壓，且比較各測量值和所對應之容許壓力範圍。因此，可以確實地檢測出在包含個別排氣管50A~50D之各個別排氣路徑之附 著物之堵塞等之異常。
再者，因可以確實地檢測出個別排氣路徑之堵塞，故根據排氣壓調整杯體20之排氣量之時，不會有流量過度變少之情形。再者，亦可以進行在個別排氣路徑之漏泄的檢測，可以一併檢測出工場排氣之增加、減少。
再者，即使為在抗蝕之塗佈、顯像製程的進行基板之加熱處理的加熱裝置亦可。
在此情況，雖然有例如以附著物質產生昇華物，附著於排氣管之情形，但是可以確實地檢測出個別排氣管50A~50D之排氣壓的異常。
在上述實施型態中，雖然在顯示部95顯示「個別排氣路徑之堵塞」等之不良的要因，但是即使不進行要因之顯示，使顯示第1壓力測量部5A~5D及第2壓力測量部6之測量結果(在容許範圍內，或偏離容許範圍之上側或下側這樣的資訊)亦可。即使在此情況，操作員可以掌握不良之產生及其要因。再者，排氣調節風門52A~52D為製程排氣之開合度，或為空轉排氣之開合度之資訊，即從用以實施例如抗蝕塗佈處理之一連串的製程之處理配方判斷亦可。
〔實施例〕
藉由本發明，為了調查是否能夠由產生個別排氣管50A~50D之堵塞之時的第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值之變化和在第2壓力測量部6之壓力測量值之變 化，做出區別，進行以下之試驗。
使用實施型態所示之抗蝕塗佈裝置，密封被連接於4根抗蝕塗佈單元10A~10D之計8根的排氣管28之內的0根~8根，求出在各個之第1壓力測量部5A~5D及第2壓力測量部6的壓力測量值。
再者，將在抗蝕塗佈單元10A之兩根排氣管28分別設為排氣管a、b，將在抗蝕塗佈單元10B之兩根排氣管28分別設為排氣管c、d，將抗蝕塗佈單元10C之兩根排氣管28分別設為排氣管e、f，將抗蝕塗佈單元10D之兩根排氣管28分別設為排氣管g、h，求出分別密封表1所示之排氣管28而進行排氣之時的在各第1壓力測量部5A及第2壓力測量部6的壓力測量值。再者，降低個別排氣管50A之排氣調節風門52A之開合度，設定成製程排氣時之排氣流量，在其他之個別排氣管50B~50C，且在排氣調節風門52B~52D，提高開合度而設定成空轉排氣之排氣流量而進行試驗。
表1表示該結果，表示分別密封表1所示之排氣管28之時的在各第1壓力測量部5A~5D及第2壓力測量部6之的壓力測量值。另外，表1中之F超過第1壓力測量部5A~5D之最大測量值，表示無法測量。再者，賦予一個＊的資料表示兩根排氣管28之中的一根被密封的在個別排氣管50A~50D的壓力測量值，賦予兩個＊的資料表示兩根排氣管28之雙方被密封的在個別排氣管50A~50D的壓力測量值。另外，針對超越在第1壓力 測量部5A~5D之最大測量值者，無賦予＊。
Figure 106104280-A0202-12-0026-1
如在僅密封表1中之排氣管h之例的第1壓力測量部5D之壓力測量值，在密封排氣管f~h之例的第1壓力測量部5C之壓力測量值，及在密封排氣管d~h之例的第1壓力測量部5B之壓力測量值所示般，可知當排氣管28之中的一根被密封時，雖然被連接於該排氣管28之個別排氣管50B~50D之壓力測量值急遽上升，但是在其他的個別排氣管50A~50C之第1壓力測量部5A~5C及第2壓力測量部6之壓力測量值與密封的個別排氣管50B~50D之排氣壓幾乎不變化。
再者，如在密封排氣管g、h之例的第1壓力測量部5D之壓力測量值、在密封排氣管e~h之例的第1壓力測量部5C之壓力測量值及在密封排氣管c~h之例的第1壓力測量部5B之壓力測量值所示般，當兩根之排氣管28之雙方被密封時，設置在連接該排氣管28之個別排氣管50A~50D的第1壓力測量部5A~5D的壓力測量值急遽上升。
因此，在排氣管28堵塞之情況，雖然在被連 接於該排氣管28之個別排氣管50A~50D之第1壓力測量部5A~5D之壓力測量值上升，但是第2壓力測量部6之測量值可以說幾乎不變化。此應該係藉由無產生堵塞之個別排氣管50A~50D之排氣壓上升，在共通排氣管60之壓力損失幾乎無之故。
t0、t1、t2、t3、t4、ta、tf‧‧‧時刻
P1H、P1H’、P2H‧‧‧上限臨界值
P1L、P1L’、P2L‧‧‧下限臨界值

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：複數之基板處理部，其係進行產生包含附著成分之氛圍之基板處理；個別排氣路徑，其係個別地被設置在上述複數之基板處理部，用以將在該基板處理部中之基板的氛圍予以排氣；共通排氣路徑，其係上述個別排氣路徑之各個合流，藉由排氣動力設備被排氣；第1壓力測量部，其係被設置在上述個別排氣路徑之各個，用以測量上述個別排氣路徑之排氣壓；第2壓力測量部，其係被設置在上述共通排氣路徑，用以測量該共通排氣路徑之排氣壓；異常檢測部，其係根據上述第1壓力測量部之測量值和第1容許壓力範圍之比較結果，和上述第2壓力測量部之測量值和第2容許壓力範圍之比較結果，檢測出在個別排氣路徑中的異常；及排氣量調整部，其係被設置在上述個別排氣路徑中，較第1壓力測量部之測量位置靠共通排氣路徑側，在對基板進行特定之處理之時的強排氣模式，和藉由較該強排氣模式時之排氣量少之排氣量進行排氣之弱排氣模式之間進行切換，上述第1容許壓力範圍對應於上述強排氣模式及弱排氣模式之各個而被設定。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述異常檢測部被構成於上述第1壓力測量部之測量值高於第1容許壓力範圍之上限，並且上述第2壓力測量部之測量值落在第2容許壓力範圍之時，判斷在設置有該第1壓力測量部之個別排氣路徑產生堵塞。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中上述異常檢測部被構成於上述第1壓力測量部之測量值低於第1容許壓力範圍之下限，並且上述第2壓力測量部之測量值落在第2容許壓力範圍之時，判斷在設置有該第1壓力測量部之個別排氣路徑產生漏泄。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中上述異常檢測部被構成於上述第2壓力測量部之測量值高於第2容許壓力範圍之上限時，排氣動力設備之動力增加，上述第2壓力測量部之測量值低於第2容許壓力範圍之下限之時，判斷排氣動力設備之動力減少。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中上述基板處理部具備：基板保持部，其係水平地保持基板；旋轉機構，其係使基板保持部在垂直軸周圍旋轉；及杯體，其係包圍被保持於基板保持部之基板之周圍，內部之氛圍經上述個別排氣路徑而被排氣，上述基板處理係在對基板供給塗佈液之狀態使基板旋轉的塗佈處理。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中上述塗佈液係用以在基板形成抗蝕膜之抗蝕液。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中上述排氣量調整部為調節風門，因應上述調節風門之狀態選擇與上述強排氣模式對應之第1容許壓力範圍及與上述弱排氣模式對應之第1容許壓力範圍之一方。
  8. 一種基板處理方法，其特徵在於包含：在基板處理部，進行產生包含附著成分之氛圍之基板處理的工程；藉由個別地被設置在複數之基板處理部，用以將在該基板處理部中之基板之氛圍予以排氣之個別排氣路徑，和上述個別排氣路徑之各個合流，藉由排氣動力設備被排氣之共通排氣路徑，將基板處理部之氛圍予以排氣之工程；藉由個別地被設置在上述個別排氣路徑之第1壓力測量部測量個別排氣路徑之排氣壓之工程；藉由被設置在上述共通排氣路徑之第2壓力測量部，測量在共通排氣路徑流通之排氣的排氣壓之工程；及根據各個的第1壓力測量部之測量值和第1容許壓力範圍之比較結果，和第2壓力測量部之測量值和第2容許壓力範圍之比較結果，檢測出在個別排氣路徑中的異常之工程，使用排氣量調整部，其係被設置在上述個別排氣路徑中，較第1壓力測量部之測量位置靠共通排氣路徑側，在對基板進行特定之處理之時的強排氣模式，和藉由較該強排氣模式時之排氣量少之排氣量進行排氣之弱排氣模式之 間進行切換，上述第1容許壓力範圍對應於上述強排氣模式及弱排氣模式之各個而被設定。
  9. 如請求項8所記載之基板處理方法，其中上述基板處理係在對基板供給用以形成塗佈膜之塗佈液之狀態使基板在垂直軸周圍旋轉的塗佈處理。
  10. 一種記憶媒體，其係記憶有被使用於基板處理裝置之電腦程式的記憶媒體，該基板處理裝置具備個別地被設置在進行產生包含附著成分之氛圍的基板處理之複數之基板處理部，用以將在該基板處理部中之基板之氛圍予以排氣之個別排氣路徑，和個別排氣路徑之各個合流，藉由排氣動力設備被排氣之共通排氣路徑，其特徵在於上述電腦程式係以實行如請求項8或9所記載之基板處理方法之方式，編組步驟群。
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