TW202338317A - 處理液供給裝置及其檢查方法、基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可對濃度計的功能進行檢查的處理液供給裝置及其檢查方法、基板處理裝置。實施方式的處理液供給裝置具有：儲槽，儲存處理液；供給路徑，從儲槽向處理裝置供給處理液；加熱部，對處理液進行加熱；溫度計，對處理液的溫度進行測定；濃度計，對處理液的濃度進行測定；以及控制裝置，含有對濃度計進行檢查的檢查部，檢查部具有：溫度設定部，基於設置有處理液供給裝置的場所的大氣壓、與預先設定的處理液的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度；加熱控制部，通過利用加熱部對處理液進行加熱，達到以規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度；以及判定部，判定利用濃度計測定的達到目標溫度的處理液的濃度是否為以規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。

Description

處理液供給裝置及其檢查方法、基板處理裝置
本發明是有關於一種處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給裝置的檢查方法。
在製造半導體或平板顯示器等的製造工序中，使用如下的處理裝置，其通過對設在半導體晶片或玻璃基板等基板的表面的膜供給蝕刻用的處理液來進行蝕刻，以形成所期望的電路圖案。
例如，對旋轉的基板供給處理液以逐片地進行處理的逐片式處理裝置比起使多片浸漬於處理液中而統一進行處理的批次式的處理裝置，能夠使針對各基板的處理的均勻性高度一致，因此伴隨近年的電路圖案的微細化而得到廣泛利用。
但是，在逐片式的處理裝置中，由於是逐片地進行處理，因此若不縮短一片一片的處理時間，則生產性將比批次式差。因此，若既要維持高處理性能，又要提高生產性，則必須以短時間進行偏差少的處理。在批次式中，處理液的溫度、濃度等參數的變動只要在處理前的處理槽內耗費時間來調整後浸漬即可。但是，在逐片式中，供給至基板的處理液必須以影響工藝性能的參數始終成為固定狀態的方式來供給。
而且，無論是在批次式、逐片式的哪種處理裝置中，考慮到降低處理成本的觀點，都必須將用於處理的液體進行回收而再利用。即便在像這樣進行再利用的情況下，在批次式中，也能夠在浸漬於處理槽的長的處理時間內一邊確認參數一邊進行調整。但是，在逐片式的情況下，供給至基板的處理液的參數變動會作為處理性能的偏差而出現在製品中。因此，必須將所回收的處理液（回收液）也包括在內，而將始終調整為最優選的濃度或溫度的處理液（回收液）持續供給至基板。即，在逐片式中，必須將所使用的處理液的濃度或溫度的變動始終抑制在非常小的範圍內。
此處，對處理液的溫度變動造成大幅影響的是所述的回收液。即，在處理中使用的處理液由於溫度下降，因此回收使用完畢的處理液後必須使其再次升溫，但要將所述回收液的溫度維持為相對高的溫度來供給則需要工夫。例如，回收液在處理的時機，回收量發生變動。尤其，在同時在多個處理室中進行處理的情況下，回收量因時間引起的變動也大。在將回收液收集到儲槽中進行加熱而再利用的結構中，由於回收液的流入，將會產生大幅的溫度變動。
另一方面，關於處理液的濃度，由於必須耗費時間進行加熱或者通過添加純水等稀釋液來進行濃度調整，因此要利用供給儲槽進行調整。回收液在供給儲槽中經濃度調整而用作處理液，因此濃度調整的範圍相對小。但是，在處理液的成本高的情況下，為了提高處理液的回收率而實現處理成本的下降，混合有一定程度的沖洗液等不妨礙再使用的液體的處理液也要進行回收而再利用。因此，恢復在處理中使用的處理液的濃度變得重要。
即便在回收液必然為低濃度的情況下，在長時間未進行處理而未加入新的回收液的回收儲槽中，由於始終進行用於將回收儲槽內的液體維持為高溫的加熱，因此隨著時間的經過，回收液中的水蒸發而回收液的濃度也將變高。由於在無回收液流入的期間，也未進行基板的處理，因此也不會引起回收儲槽內的液體被輸送的供給儲槽側的液量下降，因而回收儲槽內的液體的濃度將進一步上升。因而，在回收儲槽中，濃度控制也變得重要。
作為在此種逐片式的處理液的回收與再利用時將溫度保持為一定的方法，提出了專利文獻1所示的基板處理裝置。所述基板處理裝置中設置將回收的處理液向處理部供給的兩個儲槽，一邊交替切換處理部與儲槽的連接，一邊進行基板處理。在各個儲槽中設有濃度計，根據所述濃度計的測定值，判斷處理液的劣化。對於產生處理液的劣化的儲槽，進行更換處理液的作業。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-273791號公報
[發明所要解決的問題] 在逐片式的基板處理裝置中，在對具有微細圖案的晶片進行蝕刻處理的情況下，由於處理液的濃度與溫度的變動，蝕刻速率產生偏差，造成製品的品質問題。因此，供給至基板的處理液的濃度與溫度的參數會對處理性能造成大幅影響。尤其，濃度計若無法判斷是否正常運行，則會導致產生製品不良。
更具體而言，為了在比沸點稍低的溫度下以濃度一定的穩定的狀態供給處理液，必須基於由濃度計測定的濃度值來控制稀釋液的添加量與由加熱器加熱引起的液溫此兩者。假設在濃度計因污垢等而濃度值產生偏離的情況下，由於並非正確的濃度，因此利用所述處理液進行了處理的製品無法進行規定的蝕刻處理。但是，現狀是在基板處理裝置中不存在對濃度計的功能進行檢查的功能。
本發明的實施方式的目的在於提供一種可對濃度計的功能進行檢查的處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給裝置的檢查方法。 [解決問題的技術手段]
本發明的實施方式是一種向利用處理液對基板進行處理的處理裝置供給所述處理液的處理液供給裝置，具有：儲槽，儲存所述處理液；供給路徑，從所述儲槽向所述處理裝置供給所述處理液；加熱部，對所述處理液進行加熱；溫度計，對所述處理液的溫度進行測定；濃度計，對所述處理液的濃度進行測定；以及檢查部，對所述濃度計進行檢查，所述檢查部具有：溫度設定部，基於設置有所述處理液供給裝置的場所的大氣壓、與預先設定的所述處理液的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度；加熱控制部，通過利用所述加熱部對所述處理液進行加熱，達到以所述規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度；以及判定部，判定由所述濃度計測定的達到所述目標溫度的所述處理液的濃度是否為以所述規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。
本發明的實施方式的基板處理裝置具有所述處理裝置與所述處理液供給裝置。
本發明的實施方式是一種處理液供給裝置的檢查方法，基於設置有處理液供給裝置的場所的大氣壓、與預先設定的處理液的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度，所述處理液供給裝置向利用所述處理液對基板進行處理的處理裝置供給所述處理液，利用加熱部對所述處理液進行加熱，以使利用溫度計而得的所述處理液的測定溫度成為以所述規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度，在所述處理液達到所述目標溫度的情況下，判定由對所述處理液的濃度進行測定的濃度計所測定的所述處理液的濃度是否為以所述規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。 [發明的效果]
本發明的實施方式可提供一種可對濃度計的功能進行檢查的處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給裝置的檢查方法。
以下，參照附圖來說明本發明的實施方式。 [概要] 如圖1所示，實施方式的處理液供給裝置1是通過依次經過多個儲槽T來將處理液L供給至通過處理液L來處理基板W的處理裝置100的裝置。處理液供給裝置1在供來自多個儲槽T的處理液L流通的共同流路C中設置一個濃度計D，一邊通過切換部SW來切換在共同流路C中流通的處理液L的儲槽T，一邊測定各儲槽T的處理液L的濃度，並調整稀釋液向各儲槽T的處理液L中的添加量、加熱處理液L的溫度，以使各儲槽T的處理液L成為以規定濃度（設定濃度）為基準的規定範圍內的目標濃度。另外，以下的說明中，將一邊在處理液供給裝置1與處理裝置100之間使處理液L循環一邊進行處理的裝置設為基板處理裝置SS。
而且，在實施方式的處理液供給裝置1中，利用氣壓計B測定放置有處理液供給裝置1的場所的氣壓，根據預先求出的處理液L的蒸氣壓曲線，求出處理液L達到規定的濃度的沸點溫度。將如此求出的沸點溫度設定為規定溫度（設定溫度），並對處理液L進行加熱。測定達到以規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度的處理液L的濃度，確認所述測定的濃度是否為目標濃度。由此，判斷濃度計D是正常還是異常。
另外，在處理液L的濃度比目標濃度低的情況下，若設為以求出的沸點溫度為基準的目標溫度，則在目標溫度下沸騰，穩定在目標濃度。因此，通過利用濃度計D測定達到目標溫度的處理液L的濃度，並與目標濃度進行比較，可確認濃度測定值是否為正確的濃度。但是，在處理液L的濃度比目標濃度高的情況下，處理液L不沸騰，即便達到目標溫度，濃度也保持比目標濃度高的狀態。在所述情況下，暫時稀釋以使處理液L的濃度成為目標濃度以下，然後再次加熱並測定濃度值，由此可判斷濃度計D是否正常。
如此，處理液供給裝置1具有濃度計D的自檢功能。在容許範圍內的情況下，即正常的情況下，持續使用濃度計D。在容許範圍外的情況下，即異常的情況下，進行輸出警報、清洗濃度計D、停止處理液L的供給等處理。
[處理裝置] 處理裝置100例如是通過對旋轉的基板W供給處理液L，從而去除形成在基板W的被處理面上的不必要的膜而保留電路圖案的逐片式的蝕刻裝置。以下的說明中，將處理液L中的用於處理的有效成分稱作化學液。而且，所謂濃度，是指處理液L中所含的化學液的濃度。本實施方式中，使用作為化學液的包含磷酸（H 3PO 4）的水溶液（以下設為磷酸溶液）來作為處理液L。為了確保處理速率，磷酸溶液必須設為高溫，且防止溫度下降的必要性高。但所使用的處理液L並不限定於此，例如可廣泛使用氫氟酸及硝酸的混合液、醋酸、硫酸及雙氧水的混合液（Sulfuric acid hydrogen Peroxide Mixture，SPM）等酸系的液體。
處理裝置100是逐片地處理基板W的逐片式的裝置。處理裝置100具有構成在作為容器的腔室100a中的旋轉部101、供給部102、回收部103。旋轉部101具有旋轉體101a、驅動源101c。旋轉體101a是通過卡銷等保持部101b來保持基板W的邊緣，使其以與基板W的處理面正交的軸為中心旋轉的旋轉平臺。驅動源101c是使旋轉體101a旋轉的馬達。
供給部102具有噴嘴102a、臂102b。噴嘴102a是朝向旋轉的基板W的處理面噴出處理液L的噴出部。臂102b在前端設有噴嘴102a，使噴嘴102a在旋轉體101a的中心上方與從旋轉體101a退避的位置之間擺動。噴嘴102a經由後述的供給配管S1而連接於處理液供給裝置1，供給處理液L。
回收部103是以包圍旋轉體101a的方式而設，將從噴嘴102a供給至旋轉的基板W的處理面並從基板W的端面漏出的處理液L從其底部予以回收的框體。在回收部103的底部以及腔室100a的底部設有開口，所述開口經由後述的回收配管R2連接於處理液供給裝置1。
[處理液供給裝置] 處理液供給裝置1對處理裝置100供給處理液L。而且，處理液供給裝置1回收在處理裝置100中使用完畢的處理液L，並與新供給的處理液L一同供給至處理裝置100。圖1中省略了圖示，但處理裝置100相對於一個處理液供給裝置1而設有多個。
處理液供給裝置1具有儲槽T、供給路徑S、加熱部H、稀釋部I、共同流路C、濃度計D、控制裝置E。儲槽T儲存處理液L。儲槽T包含多個儲槽，例如包含供給儲槽T1、回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、新液儲槽T4。以下，在不區分這些T1～T4的情況下，作為儲槽T來進行說明。
供給路徑S以處理液L可在多個儲槽T1～T4之間流通的方式來連接多個儲槽T1～T4，通過依次經過多個儲槽T1～T4來對處理裝置100供給處理液L。供給路徑S包含供給配管S1～供給配管S4。加熱部H對處理液L進行加熱。加熱部H包含加熱器H1～加熱器H4。另外，所謂依次經過多個儲槽T，只要是經過儲存處理液L的多個儲槽T中的兩個以上的儲槽T的結構即可。即，只要以處理液L可在至少兩個儲槽T之間流通的方式來連接即可。
（供給儲槽） 供給儲槽T1具有容器10a，在容器10a內儲存被供給至處理裝置100的處理液L。容器10a包含相對於處理液L而具有耐蝕性的原材料。在供給儲槽T1，連接有供給配管S1、返回配管R1。供給配管S1是連接於容器10a的底部，對處理裝置100的供給部102供給處理液L的配管。
在供給配管S1的路徑上，設有泵P1、加熱器H1、過濾器F、閥V1a。泵P1從供給儲槽T1的底部抽吸並送出處理液L。加熱器H1被設在泵P1的下游側，將從泵P1送出的處理液L加熱至規定的目標溫度。另外，此處，將從供給儲槽T1朝向處理裝置100的流動中的供給儲槽T1側設為上游，將處理裝置100側設為下游。在加熱器H1的下游側，設有溫度計TM，接收來自所述溫度計TM的回饋，調整加熱器H1的輸出。溫度計TM例如為熱敏電阻。通過加熱器H1加熱至目標溫度為止的處理液L被供給至處理裝置100的供給部102。
過濾器F被設在加熱器H1的下游，從流經供給配管S1的處理液L中去除雜質。閥V1a被設在過濾器F的下游，切換處理液L向處理裝置100的供給的有無。
返回配管R1在供給配管S1的閥V1a的上游分支而連接於供給儲槽T1。在返回配管R1中設有閥V1b。從供給配管S1供給至處理裝置100的處理液L在未進行基板W的處理的情況下，通過閥V1a關閉且閥V1b打開，而經由返回配管R1返回至供給儲槽T1。即，由返回配管R1與供給配管S1形成循環路徑。在所述循環路徑中，通過加熱器H1的加熱，供給儲槽T1內的處理液L的溫度被維持為固定溫度。
而且，雖未圖示，但在供給儲槽T1中設有探測液面的液面感測器。由此，能夠探測供給儲槽T1內的處理液L是否成為一定量以下。另外，在供給儲槽T1的容器10a內，也可設置有將處理液L加熱至固定溫度的加熱器。
（回收儲槽） 回收儲槽T2具有容器20a，在容器20a內儲存從處理裝置100回收的處理液L。容器20a包含相對於處理液L而具有耐蝕性的原材料。在回收儲槽T2，連接有回收配管R2、供給配管S2。回收配管R2是從處理裝置100的回收部103回收蝕刻處理後的處理液L的配管。
供給配管S2連接於容器20a的底部。在供給配管S2中設有泵P2、加熱器H2。泵P2從回收儲槽T2的底部抽吸並送出處理液L。加熱器H2被設在泵P2的下游，將從泵P2送出的處理液L加熱至規定的目標溫度。另外，此處，將從回收儲槽T2的底部朝向後述的緩衝儲槽T3、回收儲槽T2的上部（返回）或共同流路C的流動中的回收儲槽T2的底部側設為上游，將其相反側設為下游。在加熱器H2的下游側，設有溫度計TM，接收來自所述溫度計TM的回饋，調整加熱器H2的輸出。溫度計TM例如為熱敏電阻。
在供給配管S2的中途存在分支點，從所述分支點分支為向後述的緩衝儲槽T3輸液的路徑與返回回收儲槽T2的路徑。在所分支的路徑中分別設有閥V2a、閥V2b。閥V2a切換處理液L向緩衝儲槽T3的供給的有無。閥V2b切換處理液L向回收儲槽T2的返回的有無。
通過閥V2a關閉且閥V2b打開，經加熱器H2加熱的處理液L通常返回回收儲槽T2，因此進行循環。由此，加熱器H2將回收儲槽T2的處理液L加熱至目標溫度。但在緩衝儲槽T3的處理液L成為一定量以下而需要補充的情況下，通過閥V2a打開且閥V2b關閉，將已被加熱至目標溫度為止的處理液L供給至緩衝儲槽T3。由此，被回收並經再加熱的處理液L變得可再次利用。
而且，雖未圖示，但在回收儲槽T2中設有探測液面的液面感測器。由此，能夠探測回收儲槽T2內的處理液L是否成為一定量以下。通過探測是否為一定量以下，能夠判斷是否對緩衝儲槽T3供給處理液L。即，在為一定量以下的情況下，不對緩衝儲槽T3供給處理液L，而繼續向回收儲槽T2的循環。而且，在超過了一定量的情況下，在調整好處理液L的溫度以及濃度後，開始向緩衝儲槽T3的供給。另外，在回收儲槽T2內，也可設置有用於將處理液L加熱至固定溫度的加熱器。
（緩衝儲槽） 緩衝儲槽T3具有容器30a，在容器30a內儲存來自回收儲槽T2的處理液L。容器30a包含相對於處理液L而具有耐蝕性的原材料。在緩衝儲槽T3，連接有供給配管S3、所述的供給配管S2。
供給配管S3連接於容器30a的底部。在供給配管S3中設有泵P3、加熱器H3。泵P3從緩衝儲槽T3的底部抽吸並送出處理液L。加熱器H3被設在泵P3的下游，將從泵P3送出的處理液L加熱至規定的目標溫度。另外，此處，將從緩衝儲槽T3的底部朝向供給儲槽T1、緩衝儲槽T3的上部（返回）或共同流路C的流動中的緩衝儲槽T3的底部側設為上游，將其相反側設為下游。在加熱器H3的下游側，設有溫度計TM，接收來自所述溫度計TM的回饋，調整加熱器H3的輸出。溫度計TM例如為熱敏電阻。
在供給配管S3的中途存在分支點，從所述分支點分支為向供給儲槽T1輸液的路徑與返回緩衝儲槽T3的路徑。在分支的路徑中分別設有閥V3a、閥V3b。閥V3a切換處理液L向供給儲槽T1的供給的有無。閥V3b切換處理液L向緩衝儲槽T3的返回的有無。
通過閥V3a關閉且閥V3b打開，經加熱器H3加熱的處理液L通常返回緩衝儲槽T3，因此進行循環。由此，加熱器H3將緩衝儲槽T3的處理液L加熱至目標溫度。但在供給儲槽T1的處理液L成為一定量以下而需要補充的情況下，通過閥V3a打開且閥V3b關閉，從而將已加熱至目標溫度為止的處理液L供給至供給儲槽T1。
而且，雖未圖示，但在緩衝儲槽T3中設有探測液面的液面感測器。由此，能夠探測緩衝儲槽T3內的處理液L是否成為一定量以下。通過探測是否為一定量以下，能夠判斷是否從回收儲槽T2接受供給。即，在為一定量以下的情況下，從回收儲槽T2接受供給，不對供給儲槽T1供給處理液L而繼續向緩衝儲槽T3的循環。而且，在超過一定量的情況下，不從回收儲槽T2接受供給，而將處理液L的溫度以及濃度調整為各自的目標值即目標溫度以及目標濃度後，開始向供給儲槽T1的供給。另外，在緩衝儲槽T3內，也可設置有用於將處理液L加熱至固定溫度的加熱器。
進而，在所述的供給儲槽T1、回收儲槽T2、緩衝儲槽T3的底部，分別連接有設有閥Vz的配管，並匯流至共同的配管即排出路Z。排出路Z連接於工廠的廢液路徑。
（新液儲槽） 新液儲槽T4具有容器40a，在容器40a內儲存新調配的處理液L（以下稱作新液）。容器40a包含相對於處理液L而具有耐蝕性的原材料。在新液儲槽T4，連接有輸液配管R3、供給配管S4。輸液配管R3是從未圖示的處理液L的供給源對新液儲槽T4供給處理液L的配管。
供給配管S4連接於容器40a的底部。在供給配管S4中，設有泵P4、加熱器H4。泵P4從新液儲槽T4的底部抽吸並送出處理液L。加熱器H4被設在泵P4的下游，將從泵P4送出的處理液L加熱至規定的目標溫度。另外，此處，將從新液儲槽T4的底部朝向回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、供給儲槽T1、新液儲槽T4的上部（返回）或共同流路C的流動中的新液儲槽T4的底部側設為上游，將其相反側設為下游。在加熱器H4的下游側，設有溫度計TM，接收來自所述溫度計TM的回饋，調整加熱器H4的輸出。溫度計TM例如為熱敏電阻。
供給配管S4分支為向回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、供給儲槽T1輸液的輸液路徑與返回新液儲槽T4的路徑。輸液路徑向回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、供給儲槽T1分支，且分別設有閥V4a、閥V4c、閥V4d。閥V4a、閥V4c、閥V4d分別切換處理液L向回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、供給儲槽T1的輸送的有無。輸液路徑以及閥V4a、閥V4c、閥V4d是對回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、供給儲槽T1中的至少一個供給新液的新液供給部J。在返回新液儲槽T4的路徑中設有閥V4b。閥V4b切換處理液L向新液儲槽T4的返回的有無。
通過關閉閥V4a、閥V4c、閥V4d且閥V4b打開，經加熱器H4加熱的處理液L通常返回新液儲槽T4，因此進行循環。由此，加熱器H4將新液儲槽T4的處理液L加熱至目標溫度。進而，在新液成為可用作處理液L的狀態的情況，且成為供給儲槽T1的處理液L為一定量以下，緩衝儲槽T3的處理液L也低於一定量的狀況的情況下，關閉閥V4b並打開閥V4d，向供給儲槽T1輸液預先規定的一定量。由此，對被供給至處理裝置100而用於處理且依靠來自緩衝儲槽T3的供給並不足的處理液L進行補充。另外，從新液儲槽T4朝向回收儲槽T2的新液的供給是通過關閉閥V4b並打開閥V4a來進行。但朝向回收儲槽T2的新液的供給僅限於在回收儲槽T2的處理液L為一定量以下且無回收液從處理裝置100進入的狀況持續的情況下進行，以免回收儲槽T2因回收液與新液而溢出。
對於向供給儲槽T1補充了處理液L的新液儲槽T4，從輸液配管R3追加補充量的新液並進行後續的加熱。另外，朝向緩衝儲槽T3的新液的補充也是在緩衝儲槽T3的處理液L為一定量以下，且依靠來自回收儲槽T2的供給並不足的情況下，通過打開閥V4c來進行。
而且，雖未圖示，但在新液儲槽T4中設有探測液面的液面感測器。由此，能夠探測新液儲槽T4內的處理液L是否成為一定量以下，從而能夠判斷是否應通過來自輸液配管R3的輸液來進行補充。另外，在新液儲槽T4內，也可設置有用於將處理液L加熱至固定溫度的加熱器。
（稀釋部） 稀釋部I通過稀釋液來稀釋處理液L。稀釋液是使儲槽T內的液體的濃度下降的液體，在本實施方式中為純水。稀釋部I具有輸液配管R4。輸液配管R4是從未圖示的純水的供給源向供給儲槽T1、回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、新液儲槽T4分支而分別供給稀釋液的配管。在所分支的朝向各儲槽T1～T4的配管中分別設有閥V5。基於借助後述的濃度計D所進行的各儲槽T1～T4的處理液L的濃度測定，來向各儲槽T1～T4中添加規定添加量的純水。
（共同流路） 共同流路C是供多個儲槽T1～T4的處理液L流通的共同的路徑。本實施方式的共同流路C是從供給配管S1～供給配管S4分支的配管t1～配管t4所匯流的配管。即，在供給配管S1的過濾器F的下游設有分支點，從此分支點分支有配管t1。從供給配管S2的朝向緩衝儲槽T3以及回收儲槽T2的分支點，分支有配管t2。從供給配管S3的朝向供給儲槽T1以及緩衝儲槽T3的分支點，分支有配管t3。進而，從供給配管S4的朝向供給配管S1等以及新液儲槽T4的分支點，分支有配管t4。在來自供給配管S1～供給配管S4的配管t1～配管t4中，分別設有閥V6a。而且，共同流路C連接於向多個儲槽T1～T4分支而返回的配管bp1～配管bp4。在從共同流路C分支並朝向多個儲槽T1～T4的配管bp1～配管bp4中，分別設有閥V6b。這些閥V6a、V6b是如下的切換部SW，即，通過打開哪一個來切換在共同流路C中流通的處理液L是哪個儲槽T1～儲槽T4的處理液L。即，切換部SW切換使儲槽T1～儲槽T4的處理液L的哪個流通至共同流路C。
（濃度計） 濃度計D被設於共同流路C，對流經共同流路C的處理液L的濃度進行測定。朝向濃度計D的輸液與朝向儲槽T的返回是通過切換部SW的閥V6a、閥V6b的切換而對應於儲槽T1～儲槽T4的每一個來區分，且以處理液L不會在儲槽T1～儲槽T4間混合的方式來進行。即，至少構成為，從相同的儲槽T中流出的處理液L返回相同的儲槽T，以免積留在共同流路C內的其他儲槽T的處理液L混合。本實施方式的濃度計D在共同流路C中設有一個。濃度計D優選使用精度相對高的光學式的濃度計。
另外，在共同流路C上連接有對濃度計D內進行清洗的清洗液供給回路K。清洗液供給回路K具有將來自稀釋部I的稀釋液供給至共同流路C並使濃度計D內清洗的配管及閥Vk1。而且，在共同流路C上直接連接有將從清洗液供給回路K供給並清洗了濃度計D的稀釋液排出到排出路Z的配管，在所述配管上設有閥Vk2。
（氣壓計） 氣壓計B是作為收容處理液供給裝置1的框體的處理室，設置在配置有控制裝置E等的附帶區域。但是，氣壓計B的設置位置並不限定於此。即，只要可測定設置有處理液供給裝置1的場所的大氣壓即可，因此可為處理液供給裝置1的外部，也可為設置有處理液供給裝置1的室內或地板內等。
（控制裝置） 控制裝置E控制基板處理裝置SS的各部。控制裝置E為了實現基板處理裝置SS的各種功能，而具有執行程式的處理器、存儲程式或運行條件等各種資訊的記憶體、驅動各元件的驅動電路。另外，控制裝置E連接有輸入資訊的輸入部Ei、輸出資訊的輸出部Eo。輸入部Ei是觸控式螢幕、鍵盤、滑鼠、開關等輸入裝置。輸出部Eo是顯示器、燈、揚聲器、蜂鳴器等輸出裝置。
控制裝置E具有基板處理控制部21、濃度控制部22、檢查部23、清洗處理部24、儲存部25。基板處理控制部21通過控制處理裝置100以及處理液供給裝置1的各部來執行基板W的處理。即，基板處理控制部21控制基板W向腔室100a的搬入搬出、保持部101b對基板W的保持、驅動源101c對旋轉體101a的旋轉、臂102b對噴嘴102a的擺動、借助閥V1a及閥V1b的切換所實現的處理液L的供給的有無以及借助閥V2a、閥V2b、閥V3a、閥V3b、閥V4a、閥V4b的切換所進行的處理液L向各儲槽T1～T4的補充等。
濃度控制部22使濃度計D測定儲槽T1～儲槽T4各自的處理液L的濃度，並控制加熱部H以及稀釋部I，以使處理液L的濃度成為規定的目標值（目標濃度）。目標濃度包含設定濃度，是其前後的規定範圍。設定濃度例如為87.7%。另外，在所述濃度控制中，如上所述，對於處理液L的溫度也進行控制以成為規定的目標值（目標溫度）。目標溫度包含設定溫度，是其前後的規定範圍。設定溫度例如為160℃。濃度控制部22基於測定值與目標值（目標濃度、目標溫度）的差異以及測定值的變化量的其中任一者或兩者來算出加熱量以及稀釋液的添加量，以控制加熱部H以及稀釋部I。另外，在算出測定值與目標值的差異時，使用設定濃度、設定溫度，但不需要控制成與這些設定濃度、設定溫度準確地一致，只要能夠控制成收斂在目標濃度、目標溫度的範圍內即可。
更具體而言，濃度控制部22對切換部SW的閥V6a、閥V6b的開閉進行切換，以切換要測定濃度的儲槽T1～儲槽T4。儲槽T1～儲槽T4的切換是以針對儲槽T1～儲槽T4的每一個而設定的規定的時間間隔來進行。而且，濃度控制部22通過切換作為加熱部H的加熱器H1～加熱器H4的輸出、稀釋部I的閥V5的開閉，從而進行處理液L的借助加熱的濃縮、借助純水添加的稀釋。
既可通過時間間隔的設定來將所有儲槽T的測定時間設為相同，也可使各儲槽T的測定時間不同。例如可延長特定的儲槽T的測定時間。但在相同的測定時間的情況下，比起將一次的測定時間確保得長，更優選的是增加測定頻率。由此，能夠在固定的時間內測定多個儲槽T而調整各自的濃度，因此容易將整體收斂為目標值。
檢查部23具有溫度設定部231、加熱控制部232、判定部233。溫度設定部231基於設置有處理液供給裝置1的場所的大氣壓、與預先設定的處理液L的蒸氣壓曲線，將處理液L達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度（設定溫度）。大氣壓（設置有處理液供給裝置1的場所的大氣壓）從與控制裝置E連接的氣壓計B獲取。加熱控制部232通過利用加熱部H對處理液L進行加熱，達到以設定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度。判定部233判定由濃度計D測定的達到目標溫度的處理液L的濃度是否為以規定濃度（設定濃度）為基準的規定範圍內、即目標濃度。
加熱控制部232在由判定部233判定為並非目標濃度而是比目標濃度高的情況下，通過從稀釋部I供給稀釋液，使處理液L成為比目標濃度低的濃度、比目標溫度低的溫度後，利用加熱部H使處理液L再次加熱而達到目標溫度。判定部233再次判定由濃度計D測定的達到目標濃度的處理液L的濃度是否為目標濃度。
輸出部Eo在由判定部233判定為並非目標濃度而是比目標濃度低的情況下，或者比目標濃度高且通過稀釋後的再加熱再次判定為並非目標濃度的情況下，輸出通知此情況的資訊。例如，輸出部Eo的顯示器顯示表示濃度計D不正常的資訊，或者由於燈點亮或閃爍而通知濃度計D不正常。而且，輸出部Eo的揚聲器輸出通知濃度計D不正常的聲音，或者通過由蜂鳴器發出警告來通知濃度計D不正常。
蒸氣壓曲線可通過在設置處理液供給裝置1的場所，測定使處理液L沸騰而達到目標濃度時的溫度與氣壓，測定氣壓在低氣壓與高氣壓之間變化時的沸點溫度來求出。由於處理液供給裝置1的結構上的影響，也考慮到儲槽T內的氣壓與大氣壓存在差異，因此理想的是利用相同的裝置結構進行評價。關於蒸氣壓曲線，可設定由控制裝置E通過運算而求出者，也可設定從輸入部Ei輸入者。
此處，將在大氣中對處理液L進行加熱而沸騰的狀態的蒸氣壓曲線的例子示於圖2。圖2中以虛線表示初始濃度的蒸氣壓曲線VPCi，以實線表示目標濃度的蒸氣壓曲線VPCt，以點劃線表示濃度比目標濃度高的液體的蒸氣壓曲線VPCh。另外，圖2如後述那樣，表示向新液儲槽T4補充濃度比目標濃度低的新液後，通過加熱使其沸騰而濃度發生變化的行為。即，是使用圖1所示的處理液供給裝置1的新液儲槽T4的加熱路徑來調整濃度的例子。但此處示出的蒸氣壓曲線VPCi、蒸氣壓曲線VPCt、蒸氣壓曲線VPCh、溫度及濃度變化的行為與處理液L的一般行為共同，因此根據圖2進行說明。
當大氣壓發生變化時，液體的沸點沿著蒸氣壓曲線移動。因此，在海拔高的位置設置裝置的情況下，或者由於颱風等而低氣壓通過的情況下，發生沸點降低的現象。即，如圖2的蒸氣壓曲線VPCi所示，在高的氣壓Pa的情況下成為高的沸點Bpa，在低的氣壓Pb的情況下成為降低的沸點Bpb。如此，所謂沸點因氣壓而發生變化，是指當對一定濃度的處理液L進行加熱時，氣壓越低則沸騰開始得越早，氣壓越高則沸騰的開始越晚。處理液L沸騰時的沸點由處理液L的濃度與氣壓決定，因此即便預先決定目標溫度，處理液L的濃度也會因氣壓的變化發生變化而不固定。即，當沸點發生變化時沸騰的溫度發生變化，蒸發的水分量發生變化，因此即便使處理液L為相同的溫度（目標溫度），沸騰的處理液L的濃度也發生變化。
發明人為了獲得判定濃度計D是否正常的有效的方法，著眼於此種蒸氣壓曲線。而且，經過努力研究，發現了以下的方法。即，關於所使用的處理液L，求出相對於設定濃度的蒸氣壓曲線VPCt。而且，根據蒸氣壓曲線VPCt，求出與大氣壓變化（蒸氣壓變化）相應的沸點溫度。例如，求出氣壓Pa時的沸點溫度Ta、氣壓Pb時的沸點溫度Tb。進而，利用濃度計D測定對處理液L進行加熱而達到沸點溫度Ta、沸點溫度Tb後的處理液L的濃度，判定測定值是否為以設定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。由此，可檢驗（check）濃度計D是否正常。
清洗處理部24在由判定部233判定為處理液L的濃度的測定值並非目標濃度的情況下，對濃度計D進行清洗處理。清洗處理部24通過控制清洗液供給回路K的閥Vk1、閥Vk2，使稀釋液在濃度計D中流通而進行清洗。即，通過打開閥Vk1、閥Vk2，從清洗液供給回路K向共同流路C供給稀釋液，並對濃度計D進行清洗，以排出到排出路Z的方式進行切換。而且，在對各儲槽T的處理液L的濃度進行測定時，進行將共同流路C內的處理液L置換為測定濃度的處理液L的動作。即，將測定濃度的來自儲槽T的處理液L在共同流路C中流動一定期間後進行濃度測定。如此，由於從各儲槽T向濃度計D輸液的最初的一定時間內，進行置換之前的處理液L的處理，因此不返回儲槽T，打開閥Vk2，由此使處理液L從共同流路C直接流向排出路Z。另外，在所述情況下，也可設為如下結構：通過另外設置從共同流路C直接流向排出路Z的流路等，可不經由儲槽T而進行排液。
儲存部25構成在記憶體中，存儲目標濃度、目標溫度、時間間隔、蒸氣壓曲線等。關於目標濃度、目標溫度、時間間隔，可由作業者通過輸入部Ei來輸入所期望的值。例如，對於對因被用於處理而濃度、溫度的變動大的處理液L進行回收的回收儲槽T2，可使測定頻率多於其他儲槽T而延長測定時間，以調整濃度。而且，也可使對基板處理的影響直接的供給儲槽T1的測定頻率多於其他儲槽T而實現基板W的處理的穩定化。另外，目標濃度、目標溫度也可通過規定濃度、規定溫度與容許的規定範圍的組合來設定。
[動作] 除了參照圖1以及圖2以外，還參照圖3以及圖4來說明如上所述的本實施方式的基板處理裝置SS的動作。另外，通過如下所述的順序來處理基板W的基板處理方法也是本實施方式的一方式。
（基板處理） 首先說明處理裝置100所進行的基板處理。成為處理對象的基板W由搬送機器人搬入至旋轉體101a上，由保持部101b予以保持。驅動源101c使旋轉體101a旋轉，由此，基板W旋轉。閥V1a打開，通過處理液供給裝置1而成為所期望的濃度、溫度的處理液L從噴嘴102a被供給至基板W的被處理面，由此來進行蝕刻處理。
當經過了規定的處理時間時，閥V1a關閉，處理液L的供給停止。隨後，基板W停止旋轉，搬送機器人將保持部101b所進行的保持已被解除的基板W從腔室100a予以搬出。
（處理液的供給） 接下來，說明處理液供給裝置1對處理液L的調整處理。供給儲槽T1的處理液L在供給至處理裝置100之前，在關閉閥V1a且打開閥V1b的狀態下，一邊在供給配管S1、返回配管R1、供給儲槽T1中循環，一邊通過加熱器H1進行加熱，由此被維持為目標溫度。並且，如上所述，在處理裝置100中的處理的時機，供給儲槽T1的處理液L被供給至處理裝置100。
緩衝儲槽T3的處理液L在供給至供給儲槽T1之前，在關閉閥V3a且打開閥V3b的狀態下，一邊在供給配管S3、緩衝儲槽T3中循環，一邊通過加熱器H3進行加熱，由此被維持為目標溫度。並且，在供給儲槽T1的處理液L成為一定量以下時，打開閥V3a且關閉閥V3b，由此被供給至供給儲槽T1。
回收儲槽T2的處理液L在供給至緩衝儲槽T3之前，在關閉閥V2a且打開閥V2b的狀態下，一邊在供給配管S2、回收儲槽T2中循環，一邊通過加熱器H2進行加熱，由此被維持為目標溫度。並且，在緩衝儲槽T3的處理液L成為一定量以下時，打開閥V2a且關閉閥V2b，由此被供給至緩衝儲槽T3。
新液儲槽T4的處理液L在供給至回收儲槽T2、緩衝儲槽T3、供給儲槽T1之前，在關閉閥V4a、閥V4c、閥V4d且打開閥V4b的狀態下，一邊在供給配管S4、新液儲槽T4中循環，一邊通過加熱器H4進行加熱，由此被維持為目標溫度。並且，在緩衝儲槽T3的處理液L的液量低於一定量而無法供給至供給儲槽T1，進而，供給儲槽T1的液量也低於一定量的情況下，打開閥V4d且關閉閥V4b，由此將來自新液儲槽T4的新液供給至供給儲槽T1。同樣地，在回收儲槽T2、緩衝儲槽T3中，也可在供給不足而處理液L成為一定量以下的情況下，打開閥V4a、閥V4c，由此，將新液供給至回收儲槽T2、緩衝儲槽T3。
（濃度控制） 如上所述，對在通過依次經過各儲槽T1～T4而將處理液L供給至處理裝置100的過程中進行的濃度控制進行說明。首先，在濃度測定中，如上所述，通過如下方式來進行：以規定的時間間隔來依次切換將切換部SW的閥V6a、閥V6b中的與t1-T1、t2-T2、t3-T3、t4-T4的各組的任一個對應的閥打開而將其他關閉的操作，由此切換在共同流路C中流通的處理液L的儲槽T1～儲槽T4，並利用濃度計D來測定濃度。
在測定各儲槽T1～T4的處理液L的濃度時，如上所述，將測定濃度的來自任一個儲槽T的處理液L在共同流路C中流動一定期間置換之前的處理液L後，進行濃度測定。由此，能夠從儲槽T1～儲槽T4選擇性地使處理液L在共同流路C中流通，因此可利用一個濃度計D，以規定的時間間隔測定各儲槽T1～T4的濃度。
並且，在根據所測定的濃度與目標濃度的差值而需要濃縮的情況下，提高對應的儲槽T1～儲槽T4的加熱器H1～加熱器H4的輸出。在需要稀釋的情況下，打開朝向對應的儲槽T1～儲槽T4的稀釋部I的配管的閥V5，以添加規定量的純水。
如上所述，各儲槽T1～T4中的處理液L的濃度可使用濃度計D進行調整。所述濃度調整的目的在於，在向處理裝置100供給處理液L的供給儲槽T1中，使處理液L的濃度穩定在目標濃度。在儲槽T1～儲槽T4中，回收儲槽T2由於回收的處理液L的流入，處理液L的溫度與濃度發生較大變動。因此，在向緩衝儲槽T3輸液的時機，在回收儲槽T2中有時無法與目標濃度一致。因此，在緩衝儲槽T3中，即便來自回收儲槽T2的處理液L流入，在向供給儲槽T1輸液時，也以溫度或濃度的變動量變得微小的方式送出。因此，必須基於利用濃度計D進行的濃度測定來控制濃度。若可效率良好地在短時間內進行此種控制，則也有時可省略分階段地調整儲槽T1～儲槽T4的情況。
而且，當向新液儲槽T4補充室溫的新液時，之前調整為目標濃度與目標溫度後的處理液L由於補充的新液而發生變化。關於變化的方向，溫度處於比目標溫度低的一側，濃度處於補充的新液的濃度側。關於處理液L的溫度，通過使加熱器H4的出口的溫度為處理液L的溫度成為目標溫度的設定溫度，可恢復新液儲槽T4的處理液L的溫度。另一方面，關於濃度，可能的調整方法根據所補充的處理液L的濃度發生變化。
在基板W的處理中所使用的處理液L大多在高濃度的化學液中混合純水並調整濃度來使用。但是，如磷酸溶液那樣，在使用溫度為溶液的沸點且蝕刻速率最高的處理液L中，需要在沸點附近進行調整，因此通過使室溫的處理液L沸騰而使濃度上升來進行調整。在此種處理液L中，主要的方法是通過加熱以從低濃度側成為高濃度的方式進行調整。
另一方面，當通過暫時加熱而調整了溫度的處理液L成為比目標濃度高的狀態時，即便通過來自新液儲槽T4的表面的散熱使處理液L的溫度降低，處理液L的濃度也不會降低。為了降低濃度，必須通過添加稀釋液或混合低濃度的新液來降低新液儲槽T4中的處理液L的整體濃度。在所述情況下，也伴隨溫度的降低，因此為了使濃度與溫度兩者同時與目標濃度、目標溫度一致，根據混合液的濃度與溫度計算添加量來添加。但是，難以求出在濃度與目標濃度一致的添加量下同時溫度也與目標溫度一致的解。因此，進行將濃度設為目標濃度的稀釋液或新液的添加，暫時降低溫度後，通過加熱使溫度與目標值一致。
（濃度計檢查） 接下來，參照圖3的流程圖對濃度計D的檢查順序進行說明。首先，控制裝置E的檢查部23獲取由氣壓計B測定的設置有處理液供給裝置1的場所的大氣壓（步驟S01）。溫度設定部231基於所獲取的大氣壓與預先設定的處理液L的蒸氣壓曲線（設定濃度的蒸氣壓曲線），將達到設定濃度的沸點溫度設定為規定溫度（設定溫度）（步驟S02）。加熱控制部232利用加熱部H對處理液L進行加熱（步驟S03）。根據溫度計TM的測定值判斷，在處理液L達到目標溫度的情況下（步驟S04的是（YES）），通過使處理液L在濃度計D中流動來測定處理液L的濃度（步驟S05）。另外，在用於濃度計D的檢查的濃度測定中，也通過預先使來自儲槽T的處理液L在濃度計D中通液一定時間，來置換之前的處理液L。
判定部233判定由濃度計D測定的處理液L的濃度是否為目標濃度（步驟S06）。在為目標濃度的情況下（步驟S07的是），結束檢查，繼續進行基板W的處理。在並非目標濃度（步驟S07的否（NO））且比目標濃度低的情況下（步驟S08的否），輸出部Eo輸出通知所述情況的資訊（步驟S15）。
在並非目標濃度（步驟S07的否）且比目標濃度高的情況下（步驟S08的是），通過添加稀釋液，使濃度值低於目標濃度，使溫度低於目標溫度（步驟S09）。然後，加熱控制部232利用加熱部H使處理液L再次加熱（步驟S10），在達到目標溫度的情況下（步驟S11的是），利用濃度計D對處理液L的濃度進行測定（步驟S12）。判定部233再次判定由濃度計D測定的處理液L的濃度是否為目標濃度（步驟S13）。在為目標濃度的情況下（步驟S14的是），結束檢查，繼續進行基板W的處理。在並非目標濃度的情況下（步驟S14的否），輸出部Eo輸出通知所述情況的資訊（步驟S15）。
另外，如上所述，通過測定大氣壓來計算沸點溫度的變化，若使儲槽T的處理液L的溫度上升到所述沸點溫度，則也可進行使處理液L的濃度為目標濃度的控制。如此，使濃度和溫度與目標濃度和目標溫度一致的情況優選為在處理液L的準備完成之前，不向其他儲槽T1～T3進行補充的新液儲槽T4中實施。在補充低濃度的新液後使其加熱，升溫至達到目標濃度的目標溫度，由此也可與目標濃度一致。
此處，圖4表示新液儲槽T4中的處理液L的溫度（實線）、與經加熱器H4加熱的處理液L的加熱器H4的出口溫度（虛線）隨時間經過的變化。如圖4的實線所示，當利用循環路徑的加熱部H、即線上的加熱器H4對濃度與溫度降低後的新液儲槽T4的處理液L進行加熱時，通過返回到新液儲槽T4的處理液L，濃度與溫度逐漸接近目標濃度及目標溫度。在利用線上的加熱器H4進行的加熱中，如圖4的虛線所示，將加熱器H4的出口溫度設定為比設定溫度稍高的溫度。由此，當經加熱器H4加熱的處理液L返回到新液儲槽T4時，可加快新液儲槽T4內的處理液L的溫度的上升。即，隨著時間經過，處理液L的溫度上升，可使新液儲槽T4的處理液L的溫度與濃度接近目標溫度與目標濃度。所述值優選為設定為通過使用濃度計D的稀釋液的添加量的控制而可將新液儲槽T4的溫度維持在目標溫度的溫度。
線上的加熱器H4中，由於處理液L沸騰而返回到新液儲槽T4，因此產生的水蒸氣從新液儲槽T4的表面放出。此時的沸騰溫度成為在大氣壓下變化的沸點溫度，濃度成為目標濃度。稍微提高溫度時，通過與濃度低的新液儲槽T4的處理液L混合，也迅速接近目標濃度。通過循環的路徑的加熱，新液儲槽T4的處理液L的溫度逐漸上升，接近目標溫度。在所述情況下，在循環的路徑被抽吸的處理液L的溫度與加熱器H4的設定溫度的差變小，加熱器H4的加熱量變微少。
若成為所述狀態，則由加熱器H4引起的處理液L的沸騰變得極微少，加熱器H4的出口溫度也穩定。即便利用濃度計D測定所述狀態的處理液L，測定後的濃度值也穩定。所述濃度值是預先設定的沸點的濃度，成為目標濃度。因此，如上所述，根據濃度計D的濃度值是否表示目標濃度，能夠檢驗濃度計D是否正常地發揮功能。
所述檢驗在沸騰平息後進行時，可更穩定地進行測定，因此濃度計D的顯示值有可能略高於目標濃度。在所述情況下，通過以其他方式測定處理液L的濃度，調查與目標濃度的差，將所述差值作為偏移值從下次起使用，能夠更高精度地判定濃度計D是否正常。作為其他方式，例如有通過對處理液L進行採樣並測定比重來確認濃度的方式。
利用對新液儲槽T4的處理液L進行加熱使其沸騰的情況，若可判定濃度計D的功能是否正常，則可消除利用濃度計D進行其他儲槽T1～T3的濃度控制的風險。而且，由於新液儲槽T4中的處理液L的補充是根據處理裝置100中的處理基板數進行，因此能夠以一定的處理間隔確認濃度計D的功能。在處理的頻率多的情況下，可變更為以一定的時間間隔設定。
在判定為濃度計D不正常的情況下，如上所述輸出警報。進而也能夠進行以下的處理。例如，在上次的新液的補充中，由於濃度計D正常，因此判斷為不處於立即停止裝置的水準，在供給儲槽T1用盡之前，可繼續進行基板W的處理。
在此期間，也可通過濃度計D的清洗，再次確認是否可復位。若清洗處理部24進行濃度計D的清洗，再次確認濃度值處於容許範圍內，則能夠使用。濃度計D由於處理液L引起的污垢的附著等原因，濃度值大多從正常值發生變化，因此有效的是利用清洗的復位。即便在清洗後所測定的濃度值也處於容許範圍外的情況下，輸出部Eo也可輸出警報，以使操作員能夠判斷。而且，在濃度值處於容許範圍外且其偏離量非常大的情況下，也可停止處理液供給裝置1。
更具體而言，對如下處理進行說明：處理液供給裝置1向處理裝置100供給包含磷酸溶液的高溫的處理液L，由此對作為基板W的晶片的氮化膜進行蝕刻。磷酸溶液由於沸騰液的蝕刻速率最高（極大值），因此在沸點附近進行處理。但是，關於在沸騰液中的處理，也考慮到對晶片的損傷，因此實際上在比沸點稍低的溫度下使用。在所述情況下為了獲得高的蝕刻速率，預先提高處理液L中的磷酸濃度變得有效。
由處理液供給裝置1可穩定地進行供給的溫度一般為160℃左右，包含磷酸溶液的處理液L的濃度為87.7%左右。因此，在處理液供給裝置1中以86%左右補充後的新液進行加熱並沸騰，由此使水分蒸發而使濃度上升。
在所述情況下，當對儲槽T內的處理液L整體進行加熱時，儲槽T整體開始沸騰，使濃度持續上升是危險的，難以實施。例如，在對儲槽T整體進行加熱使其濃度上升的情況下，也有時大量的處理液L一下子沸騰，在所述情況下，有時會發生儲槽T的液面變動、一下子增加的水蒸氣引起的儲槽T的內壓上升導致的蒸氣洩漏、處理液L向排氣管流入等現象。因此，通常如上所述，以利用線上的加熱部H對從儲槽T利用泵P抽吸後的處理液L進行加熱使其沸騰並返回儲槽T的方式，使儲槽T內的處理液L的濃度、溫度慢慢上升。處理液L的沸騰發生在加熱後返回儲槽T中的配管內，當處理液L返回儲槽T時，產生的水蒸氣從儲槽T的表面向大氣放出，排氣到裝置外。
如此，使儲槽T內的處理液L的濃度為87.7%，但僅通過將線上的加熱部H的出口溫度控制在160℃，無法始終使儲槽T內的濃度為相同的87.7%。其原因在於：處理液L的沸騰溫度根據加熱部H的出口的氣壓而發生變化。
向儲槽T補充低濃度的新液並通過加熱沸騰將濃度控制為目標值時的氣壓引起的沸點的變化可利用與所述圖2所示者相同的蒸氣壓曲線來表示。在氣壓高的Pa的情況下，將規定溫度設定為目標濃度的沸點溫度Ta。當對處理液L進行加熱時，關於因新液的補充而降低的處理液L的濃度，在比設定的規定溫度低的溫度下沸騰開始，濃度逐漸上升。不久當處理液L的溫度接近設定溫度時，加熱部H的加熱減弱，儲槽T的溫度成為目標溫度。此時，儲槽T的處理液L的濃度成為目標濃度。
但是，在對處理液L進行加熱的情況下，當氣壓變高（Pb→Pa）時，沸騰溫度變高（Tb→Ta）。如此，處理液L沸騰、即達到飽和蒸氣壓的溫度在氣壓下發生變化。因此，沸騰時的處理液L的濃度也發生變化。於是，在氣壓低的Pb時，若將設定溫度設定為Ta，則儲槽T的處理液L一邊沸騰一邊上升到溫度Ta。即，處理液L的蒸氣壓曲線成為濃度值比目標濃度高的蒸氣壓曲線。因此，關於處理液L的狀態，在α點成為比目標濃度高的濃度值。
為了防止所述情況，若預先求出目標濃度的蒸氣壓曲線，根據加熱時的大氣壓修正設定溫度，則可僅通過利用加熱進行的溫度控制，使儲槽T的處理液L達到目標濃度。例如，預先調查由大氣壓變化引起的濃度87.7%的包含磷酸溶液的處理液L的沸騰溫度，測定放置有處理液供給裝置1的環境的大氣壓、即所設置的場所的大氣壓，由此使低濃度的處理液L加熱沸騰，可知曉處理液L的濃度達到87.7%時的溫度。在處理液供給裝置1中，若使所述溫度為設定溫度，持續加熱儲槽T的處理液L而達到目標溫度，則形成了目標濃度為87.7%的處理液L。之後，只要維持溫度與濃度即可。如此，若進行儲槽T的處理液L的濃度控制，則可將儲槽T的濃度維持為一定。
另外，如上所述，若儲槽T的處理液L的溫度成為目標溫度時的濃度在濃度計D中濃度值顯示87.7%，則可判定為濃度計D可正常地測量。即，根據在包含測定誤差等的設定濃度的容許值內是否存在濃度計D的測量值，可檢驗濃度計D是否正常地發揮功能，從而可判斷是否能夠進行之後的利用濃度計D的濃度控制。
[效果] （1）本實施方式是一種向利用處理液L對基板W進行處理的處理裝置100供給處理液L的處理液供給裝置1，其具有：儲槽T，儲存處理液L；供給路徑S，從儲槽T向處理裝置100供給處理液L；加熱部H，對處理液L進行加熱；溫度計TM，對處理液L的溫度進行測定；濃度計D，對處理液L的濃度進行測定；以及檢查部23，對濃度計D進行檢查。
檢查部23具有：溫度設定部231，基於設置有處理液供給裝置1的場所的大氣壓、與預先設定的處理液L的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度；加熱控制部232，通過利用加熱部H對處理液L進行加熱，達到以規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度；以及判定部233，判定利用濃度計D測定的達到目標溫度的處理液L的濃度是否為以規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。
另外，本實施方式的處理液供給裝置1的檢查方法中，基於設置有處理液供給裝置1的場所的大氣壓、與預先設定的處理液L的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度，所述處理液供給裝置1對利用處理液L對基板W進行處理的處理裝置100供給處理液L，利用加熱部H對處理液L進行加熱，以使利用溫度計TM而得的處理液L的測定溫度成為以規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度，在處理液L成為目標溫度的情況下，判定由對處理液L的濃度進行測定的濃度計D所測定的處理液L的濃度是否為以規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。
如此，由於可通過處理液L的加熱與濃度比較來檢驗濃度計D是否正常，因此可減少利用偏離正常值的濃度的處理液L進行處理而引起的製品不良等的發生。在濃度計D的功能有問題的情況下，也可停止處理，因此可將製品不良防患於未然。經補充的處理液L的加熱在處理液L的供給過程中隨時發生，每次均可對濃度計D進行檢查，因此可將由濃度計D的清洗或校正等作業引起的處理等待抑制到最小限度。進而，在濃度計D中存在故障等明顯無法繼續使用的異常的情況下，與使用代替部件繼續使用的方法不同，可檢驗直至與正常值的偏離來檢查濃度計D，因此能夠進行精度高的處理。例如，可檢查直至由污垢引起的測定值的變化。
（2）加熱控制部232在由判定部233判定為處理液L並非目標濃度而是比目標濃度高的情況下，通過處理液L的稀釋，在處理液L達到比目標濃度低的濃度、比目標溫度低的溫度後，利用加熱部H使處理液L再次加熱而達到目標溫度， 判定部233再次判定由濃度計D測定的達到目標溫度的處理液L的濃度是否為目標濃度。
具有輸出部Eo，所述輸出部Eo在由判定部233再次判定為並非目標濃度的情況下，輸出通知所述情況的資訊。因此，操作員可知曉濃度計D的異常，從而可判斷能否繼續處理。
（3）具有清洗處理部24，所述清洗處理部24在由判定部233判定為並非目標濃度的情況下，使濃度計D進行清洗處理。因此，在濃度計D的測定值存在偏離的情況下，通過進行清洗處理進行功能恢復，可減少製品不良的發生。
（4）處理液供給裝置1具有對大氣壓進行測定的氣壓計B。因此，可準確地測定設置有處理液供給裝置1的場所的氣壓。
（5）具有利用稀釋液對處理液L進行稀釋的稀釋部I，儲槽T包含：供給儲槽T1，向處理裝置100供給處理液L；回收儲槽T2，回收在處理裝置100中使用完畢的處理液L；以及新液儲槽T4，供給新的處理液L，控制裝置E具有濃度控制部22，所述濃度控制部22在由判定部233判定為處於規定範圍內的情況下，基於由濃度計D測定的濃度，控制加熱部H及稀釋部I，由此對供給儲槽T1、回收儲槽T2及新液儲槽T4的處理液L的濃度進行調整。
因此，利用多個中的任一個儲槽T的處理液L對濃度計D進行功能檢驗，由此利用濃度計D進行濃度控制的其他儲槽T的控制的可靠性變高。
[變形例] 所述的實施方式也可構成如下所述的變形例。 （1）可分兩個階段設定相對於設定濃度的容許範圍，在超過一個階段的容許範圍的情況下進行處理液的清洗，在超過兩個階段的容許範圍的情況下，停止處理液L的供給。
（2）即便在濃度計D並非一個而是使用多個濃度計D的情況下，也可確認各濃度計D的功能是否正常。例如，可在所述圖1所示的連接t4與t2的路徑、連接t4與t1的路徑上分別設置濃度計D。而且，也可設為如下結構：省略緩衝儲槽T3，從回收儲槽T2向供給儲槽T1供給處理液L。
（3）所述的方式中，通過水添加來稀釋處理液L，但也可通過追加低濃度的新液來實現稀釋即濃度下降。進而，處理液L只要能夠將供給至處理裝置100時的濃度與溫度控制為規定的值即可，因此緩衝儲槽T3或回收儲槽T2的目標濃度未必需要與供給儲槽T1的目標濃度一致。即，也可針對每個儲槽T來變更目標濃度。例如，也可根據加熱的控制性與水添加的控制性的差異來變更目標值。
（4）檢查部23、儲存部25的全部或一部分不限定於構成在對處理液供給裝置1整體進行控制的控制裝置E的情況。可構成在與控制裝置E分體的控制裝置，也可構成在溫度計TM、濃度計D等控制部。
[其他實施方式] 以上，對本發明的實施方式以及各部的變形例進行了說明，但本實施方式或各部的變形例是作為一例而提示，並不意圖限定發明的範圍。前述的這些新穎的實施方式能夠以其他的各種方式來實施，可在不脫離發明主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含在發明的範圍或主旨中，並且包含在發明申請專利範圍所記載的發明中。
1:處理液供給裝置 10a～40a:容器 21:基板處理控制部 22:濃度控制部 23:檢查部 24:清洗處理部 25:儲存部 100:處理裝置 100a:腔室 101:旋轉部 101a:旋轉體 101b:保持部 101c:驅動源 102:供給部 102a:噴嘴 102b:臂 103:回收部 231:溫度設定部 232:加熱控制部 233:判定部 B:氣壓計 bp1～bp4:配管 Bpa、Bpb:沸點 C:共同流路 D:濃度計 E:控制裝置 Ei:輸入部 Eo:輸出部 F:過濾器 H:加熱部 H1～H4:加熱器 I:稀釋部 J:新液供給部 K:清洗液供給回路 L:處理液 P1～P4:泵 Pa、Pb:氣壓 R1:返回配管 R2:回收配管 R3、R4:輸液配管 S:供給路徑 S01～S15:步驟 S1～S4:供給配管 SS:基板處理裝置 SW:切換部 T:儲槽 T1:供給儲槽（儲槽） T2:回收儲槽（儲槽） T3:緩衝儲槽（儲槽） T4:新液儲槽（儲槽） t1～t4:配管 Ta、Tb:沸點溫度 TM:溫度計 V1a～V6b、Vk1、Vk2、Vz:閥 VPCi、VPCh、VPCt:蒸氣壓曲線 W:基板 Z:排出路
圖1是表示實施方式的處理裝置及處理液供給裝置的簡略結構圖。 圖2是表示實施方式的處理液供給裝置中的處理液的蒸氣壓曲線的推移的圖表。 圖3是表示利用實施方式的處理液供給裝置進行的濃度計檢查的順序的流程圖。 圖4是表示實施方式的處理液供給裝置中的濃度控制的圖表。
1:處理液供給裝置
10a~40a:容器
21:基板處理控制部
22:濃度控制部
23:檢查部
24:清洗處理部
25:儲存部
100:處理裝置
100a:腔室
101:旋轉部
101a:旋轉體
101b:保持部
101c:驅動源
102:供給部
102a:噴嘴
102b:臂
103:回收部
231:溫度設定部
232:加熱控制部
233:判定部
B:氣壓計
bp1~bp4:配管
C:共同流路
D:濃度計
E:控制裝置
Ei:輸入部
Eo:輸出部
F:過濾器
H:加熱部
H1~H4:加熱器
I:稀釋部
J:新液供給部
K:清洗液供給回路
L:處理液
P1~P4:泵
R1:返回配管
R2:回收配管
R3、R4:輸液配管
S:供給路徑
S1~S4:供給配管
SS:基板處理裝置
SW:切換部
T:儲槽
T1:供給儲槽(儲槽)
T2:回收儲槽(儲槽)
T3:緩衝儲槽(儲槽)
T4:新液儲槽(儲槽)
t1~t4:配管
TM:溫度計
V1a~V6b、Vk1、Vk2、Vz:閥
W:基板
Z:排出路

Claims (8)

  1. 一種處理液供給裝置，向利用處理液對基板進行處理的處理裝置供給所述處理液，所述處理液供給裝置具有： 儲槽，儲存所述處理液； 供給路徑，從所述儲槽向所述處理裝置供給所述處理液； 加熱部，對所述處理液進行加熱； 溫度計，對所述處理液的溫度進行測定； 濃度計，對所述處理液的濃度進行測定；以及 檢查部，對所述濃度計進行檢查， 所述檢查部具有： 溫度設定部，基於設置有所述處理液供給裝置的場所的大氣壓、與預先設定的所述處理液的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度； 加熱控制部，通過利用所述加熱部對所述處理液進行加熱，達到以所述規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度；以及 判定部，判定由所述濃度計測定的達到所述目標溫度的所述處理液的濃度是否為以所述規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。
  2. 如請求項1所述的處理液供給裝置，其中所述加熱控制部在由所述判定部判定為並非所述目標濃度而是比所述目標濃度高的情況下，通過所述處理液的稀釋，在所述處理液達到比所述目標濃度低的濃度、比所述目標溫度低的溫度後，利用所述加熱部使所述處理液再次加熱而達到所述目標溫度， 所述判定部再次判定利用所述濃度計測定的達到所述目標溫度的所述處理液的濃度是否為所述目標濃度。
  3. 如請求項2所述的處理液供給裝置，具有輸出部，所述輸出部在由所述判定部再次判定為並非所述目標濃度的情況下，輸出通知所述情況的資訊。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的處理液供給裝置，具有清洗處理部，所述清洗處理部在由所述判定部判定為並非所述目標濃度的情況下，使所述濃度計進行清洗處理。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的處理液供給裝置，具有氣壓計，所述氣壓計對所述大氣壓進行測定。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的處理液供給裝置，具有稀釋部，所述稀釋部利用稀釋液對所述處理液進行稀釋， 所述儲槽包含： 供給儲槽，向所述處理裝置供給所述處理液； 回收儲槽，回收在所述處理裝置中使用完畢的所述處理液；以及 新液儲槽，供給新的所述處理液， 所述處理液供給裝置具有濃度控制部，所述濃度控制部在由所述判定部判定為是所述目標濃度的情況下，基於由所述濃度計測定的濃度，控制所述加熱部及所述稀釋部，由此對所述供給儲槽、所述回收儲槽及所述新液儲槽的所述處理液的濃度進行調整。
  7. 一種基板處理裝置，包括： 所述處理裝置；以及 如請求項1至請求項6中任一項所述的處理液供給裝置。
  8. 一種處理液供給裝置的檢查方法，其基於設置有處理液供給裝置的場所的大氣壓、與預先設定的處理液的蒸氣壓曲線，將達到規定濃度的沸點溫度設定為規定溫度，所述處理液供給裝置向利用所述處理液對基板進行處理的處理裝置供給所述處理液， 利用加熱部對所述處理液進行加熱，以使利用溫度計而得的所述處理液的測定溫度成為以所述規定溫度為基準的規定範圍內的目標溫度， 在所述處理液達到所述目標溫度的情況下，判定由對所述處理液的濃度進行測定的濃度計所測定的所述處理液的濃度是否為以所述規定濃度為基準的規定範圍內的目標濃度。
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