CN105047581A - 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，减少因排气泵的异常或维护等引起的对衬底处理的影响。上述衬底处理装置具备：多个处理单元，其至少具有对衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵；连接通路，其在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接；以及切换部，其通过使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，来切换所述处理室的排气路径。

Description

衬底处理装置及半导体器件的制造方法

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体制造装置等衬底处理装置中，通常，在对衬底进行处理的处理室上连接排气泵，并通过该排气泵进行处理室的排气(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－64857号公报

发明内容

在与处理室连接的排气泵产生故障等异常的情况下，存在如下隐患：无法在使用排气泵的状态下继续进行衬底处理，从而无法进行所希望的处理。另外，在因排气泵的异常或定期维护等而进行排气泵的更换的情况下，产生无法进行衬底处理的停机时间(downtime)。

本发明的主要目的在于，减少由排气泵的异常或维护等引起的对衬底处理的影响。

根据本发明的一方案，提供一种衬底处理装置，具备：多个处理单元，其至少具有对衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵；连接通路，其在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接；以及切换部，其通过使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，来切换所述处理室的排气路径。

另外，根据本发明的一方案，提供一种半导体器件的制造方法，其由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，所述半导体器件的制造方法具备处理工序，在该处理工序中，经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

另外，根据本发明的一方案，提供一种程序，其使计算机执行处理步骤，在所述处理步骤中，由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，所述处理步骤具有如下步骤：经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

另外，根据本发明的一方案，提供一种记录介质，其记录有使计算机执行处理步骤的程序且能够被计算机读取，在该处理步骤中，由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，所述处理步骤具有如下步骤：经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

发明效果

根据本发明，能够减小因排气泵的异常或维护等引起的对衬底处理的影响。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的衬底处理装置的概略构成图。

图2是图1所示的衬底处理装置的气体供给系统以及气体排气系统的概略构成图。

图3是表示在图1所示的衬底处理装置中实施的衬底处理工序的流程图。

图4是表示图1所示的衬底处理装置所实施的排气路径的切换处理的流程图。

图5是表示图1所示的衬底处理装置所实施的排气路径的切换处理的流程图。

图6是表示本发明的第二实施方式的排气路径的切换处理的流程图。

图7是表示使用本发明的第三实施方式的衬底处理装置而形成的晶体管的栅极的构成例的图。

图8是表示图7所示的晶体管的栅极的制造工序例的流程图。

附图标记说明

晶片(衬底)···W

控制器(控制部)···CNT

制程室(处理室)···PM1、PM2、PM3、PM4

衬底处理装置···1

操作部(输入部)···100

排气通路···211、221、231、241

MBP(排气泵)···214、224、234、244

连接路径···251、252、253、254、255、256

阀(切换部)···213、223、233、243、261、262、263、264、265、266

APC(切换部)···212、222、232、242

具体实施方式

＜本发明的第一实施方式＞

以下，对本发明的第一实施方式的衬底处理装置的构成以及动作进行说明。

(1)衬底处理装置的构成

首先，使用图1以及图2对本发明的一个实施方式的衬底处理装置的构成进行说明。图1是本发明的一个实施方式的衬底处理装置的概略构成图。图2是图1所示的衬底处理装置的气体供给系统以及气体排气系统的概略构成图。

本实施方式的衬底处理装置1构成为具有多个单片式处理单元的集群型(clusterstyle)装置，所述单片式处理单元一张一张地对衬底进行处理。如图1所示，在衬底处理装置1中设置有：作为搬送室的可真空气密的真空搬送室(输送室，transferchamber)TM；作为准备室的真空锁定室(vacuumlockchamber)(加载互锁真空室，loadlockchamber)VL1、VL2；以及作为对作为衬底的晶片W进行处理的处理室的制程室(processchamber)(制程组件，processmodule)PM1、PM2、PM3、PM4。真空锁定室VL1、VL2、制程室PM1、PM2、PM3、PM4沿真空搬送室TM的外周集群状地配置。以下，在不需要特别区分制程室PM1、PM2、PM3、PM4的情况下，简记为“制程室PM”。

真空搬送室TM构成为能够承受真空状态等不足大气压的压力(负压)的加载互锁真空室构造。此外，在本发明的一个实施方式中，真空搬送室TM的壳体形成为俯视例如八边形的箱形状。

在真空搬送室TM内，设置有作为搬送机构的真空搬送自动装置VR。真空搬送自动装置VR在设置于臂上的衬底载置部上载置晶片W，在真空锁定室VL1、VL2与制程室PM之间，相互地进行晶片W的搬送。此外，真空搬送自动装置VR通过升降机EV，能够一边维持真空搬送室TM的气密性一边升降。

制程室PM对晶片W进行形成氧化膜、氮化膜或是金属膜等薄膜的成膜处理。在本实施方式中，在制程室PM中形成金属薄膜。

制程室PM1、PM2、PM3、PM4构成为能够分别经由闸阀G1、G2、G3、G4与真空搬送室TM连通。例如，在制程室PM1中对晶片W进行处理的情况下，使制程室PM1内成为与真空搬送室TM内同等的气体环境后打开闸阀G1并向制程室PM1内搬送晶片W，其后关闭闸阀G1。然后在制程室PM1内进行规定的处理，其后使制程室PM1内的气体环境回到与真空搬送室TM内同等的气体环境，然后打开闸阀G1，将制程室PM1内的晶片W搬出，其后关闭闸阀G1。对于制程室PM2～PM4也能够通过与闸阀G1同样地进行闸阀G2～G4的开闭动作来形成晶片W的处理气体环境。

真空锁定室VL1、VL2作为向真空搬送室TM内搬入晶片W的准备室发挥功能，或是作为从真空搬送室TM内搬出晶片W的准备室发挥功能。在真空锁定室VL1、VL2的内部分别设置有缓冲台ST1、ST2，在衬底的搬入搬出时暂时地支承晶片W。另外，虽然未图示，但是在真空锁定室VL1、VL2中设置有对晶片W进行冷却的冷却功能。此外，也可以与真空锁定室VL1、VL2独立地设置冷却用的室。

真空锁定室VL1、VL2构成为能够分别经由闸阀G5、G6与真空搬送室TM连通，另外，构成为能够分别经由闸阀G7、G8与后述的大气搬送室LM连通。为了保持真空搬送室TM的真空状态以及大气搬送室LM的大气压状态，必须将设置于真空锁定室VL1、VL2的闸阀G5与G7的任一方、闸阀G6与G8的任一方关闭，不能将闸阀G5与G7、或闸阀G6与G8同时打开。例如，在打开真空搬送室TM侧的闸阀G5的情况下，必须使相反侧的闸阀G7处于关闭的状态，使真空锁定室VL1内的气体环境处于真空。此外，本说明书中所谓的“真空”是指工业上的真空。另外，在打开大气搬送室LM侧的闸阀G7的情况下，必须使相反侧的闸阀G5处于关闭的状态，使真空锁定室VL1内的气体环境处于大气环境。因此，通过在关闭闸阀G5、G6的状态下打开闸阀G7、G8，能够在保持真空搬送室TM内的真空气密的状态下在真空锁定室VL1、VL2与大气搬送室LM之间进行晶片W的搬送。

另外，真空锁定室VL1、VL2构成为能够承受真空状态等不足大气压的负压的加载互锁真空室构造，能够分别对其内部进行真空排气。因此，通过在关闭闸阀G7、G8并对真空锁定室VL1、VL2的内部进行真空排气后打开闸阀G7、G8，能够保持着真空搬送室TM内的真空状态地，在真空锁定室VL1、VL2与真空搬送室TM之间进行晶片W的搬送。

在衬底处理装置1中还设置有与真空锁定室VL1、VL2连接的大气搬送室LM和作为与该大气搬送室LM连接的衬底容纳部的加载端口(loadport)LP1、LP2、LP3。在加载端口LP1、LP2、LP3上，载置作为衬底收纳容器的衬底箱(pod)PD1、PD2、PD3。在衬底箱PD1、PD2、PD3内，设置有多个作为分别收纳晶片W的收纳部的开口。以下，在不需要特别区分加载端口LP1、LP2、LP3的情况下，简记为“加载端口LP”。另外，在不需要特别区分衬底箱PD1、PD2、PD3的情况下，简记为“衬底箱PD”。

在大气搬送室LM内，设置有一台作为大气搬送机构的大气搬送自动装置AR。大气搬送自动装置AR在真空锁定室VL1、VL2与载置在加载端口LP上的衬底箱PD之间，相互地进行作为衬底的晶片W的搬送。大气搬送自动装置AR也与真空搬送自动装置VR同样地具有衬底载置部即臂。

此外，在大气搬送室LM内，作为衬底位置的修正装置，设置有进行晶片W的结晶方位的位置对准等的定向平面(OrientationFlat)对准装置OFA。或者，代替定向平面对准装置OFA，设置刻痕对准装置，该刻痕对准装置通过形成在晶片W上的刻痕进行晶片W的结晶方位的位置对准。

上述的各构成与控制器CNT连接。控制器CNT至少具有运算部91以及存储部92。在控制器CNT上连接有输入使用者(操作者)的操作的操作部(输入部)100。操作部100具有显示器等显示部与键盘的组合或是触摸屏等。操作部100输入用于使衬底处理装置1动作的、来自操作者的各种指示并将其向控制器CNT输出，并且显示从控制器CNT输出的衬底处理装置1的信息(动作信息或异常信息等)。

另外，在控制器CNT上，除上述的各构成之外，还连接有：调整制程室PM内的晶片W的温度的温度调整器；向制程室PM内供给处理气体的气体供给系统(后述)；以及从制程室PM内对处理气体进行排气的气体排气系统(后述)。控制器CNT按照从操作部100输入的操作者的指示或上级控制器(未图示)的指示，从存储部92调出程序或方案，并按照其内容控制各构成的动作，由此来对晶片W执行所希望的处理。

此外，控制器CNT可以构成为专用的计算机，也可以构成为通用的计算机。例如，准备存储有上述程序的外部存储装置(例如，磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD或DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器或存储卡等半导体存储器)93，使用外部存储装置93在通用的计算机上安装程序，由此也能够构成控制器CNT。

另外，用于向计算机供给程序的单元并不限于经由外部存储装置93供给的情况。例如，也可以使用互联网或专用线路等通信方法，不经由外部存储装置93地供给程序。此外，存储部92或外部存储装置93构成为计算机可读取的记录介质。以下，将它们统一简称为记录介质。此外，在本说明书中使用记录介质一词的情况下，存在仅包含存储部92的情况、仅包含外部存储装置93的情况或是包含双方的情况。

接下来，对衬底处理装置1的气体供给系统以及气体排气系统进行说明。如图2所示，在制程室PM1、PM2、PM3、PM4上分别连接有气体供给系统GS1、GS2、GS3、GS4。以下，在不需要特别区分气体供给系统GS1、GS2、GS3、GS4的情况下，简记为“气体供给系统GS”。

气体供给系统GS由处理气体的供给源、使处理气体的供给ON/OFF的阀以及控制处理气体的流量的质量流量控制器等构成，向制程室PM供给晶片W的处理以及制程室PM的清洗处理所需要的气体。在此，所谓晶片W的处理是指上述的形成金属薄膜的处理，在本实施方式中，作为金属薄膜的一个例子，将晶体管的栅电极等所使用的TiN(氮化钛)成膜。作为TiN的成膜所需要的构成，气体供给系统GS至少具有：作为金属原料气体的TiCl₄(四氯化钛)的供给源；作为氮化剂的NH₃(氨)的供给源；作为非活性气体的N₂(氮气)的供给源；以及控制各气体的供给与流量的阀(阀体)及质量流量控制器。再有，作为制程室PM的清洗处理所需要的构成，气体供给系统GS至少具有清洗气体(例如NF₃(三氟化氮))的供给源、和控制清洗气体的供给与流量的阀及质量流量控制器。此外，在本说明书中，存在如下情况，将成膜处理或清洗处理所使用的气体统称为“处理气体”。

另外，在制程室PM1、PM2、PM3、PM4上分别连接有气体排气系统GE1、GE2、GE3、GE4。以下，在不需要特别区分气体排气系统GE1、GE2、GE3、GE4的情况下，简记为“气体排气系统GE”。

气体排气系统GE1具有：与制程室PM1连接的排气通路211；APC(AutoPressureController，自动压力控制器)212、阀(阀体)213、MBP(MechanicalBoosterPump，机械增加泵)214、DP(DryPump，干式泵)215；以及安装于MBP214的传感器216。APC212、阀213、MBP214、DP215在排气通路211上从其上游侧依次配置。这些各构成与上述的控制器CNT连接。

APC212具有可调整开度的阀体，按照来自控制器CNT的指示调整排气通路211的流导来调整排气流量，由此控制制程室PM1内的压力。MBP214是高真空(或是超高真空)泵，按照来自控制器CNT的指示对制程室PM1内的环境气体进行排气。DP216作为MBP214的辅助泵，按照来自控制器CNT的指示，进行从低真空到大气压的排气。另外，传感器216检测MBP214的故障等异常。在此，所谓MBP214的异常是指，例如虽然不会立即对排气能力造成影响，但是在继续动作的情况下可能会对排气能力产生影响(对晶片处理产生影响)，该MBP214的异常通过MBP214的转速、耗电、温度、MBP214附近的排气通路211的压力或是这些的组合等进行检测。即、传感器216是检测这些参数的传感器，并将其检测结果向控制器CNT输出。此外，MBP214在例如转速比稳定状态低的情况下、耗电上升的情况下、温度上升的情况下以及排气通路211的压力上升的情况下判断为异常。

气体排气系统GE2、GE3、GE4均分别与气体排气系统GE1同样，具有：排气通路221、231、241；APC222、232、242；阀223、233、234；MBP224、234、244；DP225、235、245；以及传感器226、236、246，该各构成也与上述的控制器CNT连接。

在本说明书中，将制程室PM和与其连接的气体供给系统GS以及气体排气系统GE等一系列构成称为“处理单元”。另外，也存在如下情况，将至少具有制程室PM和与其连接的排气通路、设置于该排气通路的作为阀体的阀(包括APC)以及排气泵(MBP、DP或是它们的组合)的构成称为“处理单元”。

衬底处理装置1具有在排气泵(MBP)的上游侧将各处理单元的排气通路彼此连接的连接通路251、252、253、254、255、256。即，各排气通路211、221、231、241分别通过连接通路251、252、253、254、255、256相互连接。具体来说，排气通路211与排气通路221在MBP214、224的上游侧且APC212、222的下游侧，通过连接通路251连接。另外，排气通路211与排气通路231在MBP214、234的上游侧且APC212、232的下游侧，通过连接通路252连接。另外，排气通路211与排气通路241在MBP214、244的上游侧且APC212、242的下游侧，通过连接通路253连接。另外，排气通路221与排气通路231在MBP224、234的上游侧且APC222、232的下游侧，通过连接通路254连接。另外，排气通路221与排气通路241在MBP224、244的上游侧且APC222、242的下游侧，通过连接通路255连接。另外，排气通路231与排气通路241在MBP234、244的上游侧且APC232、242的下游侧，通过连接通路256连接。

上述的阀213、223、233、243分别设置在排气通路211、221、231、241中比连接通路251、252、253、254、255、256的连接部位更靠下游侧。另外，在连接通路251、252、253、254、255、256上分别设置有阀261、262、263、264、265、266。阀261、262、263、264、265、266也与控制器CNT连接。

在此，对制程室PM的排气路径的切换进行说明。在此，例示制程室PM1并进行说明。制程室PM1通常通过设置于排气通路211上的MBP214(以及DP215)进行排气。此时，排气通路211的阀213开阀，连接通路251、252、253的阀261、262、263闭阀。

制程室PM1也能够通过其他的处理单元的排气泵(设置在与制程室PM2、PM3、PM4连接的排气通路221、231、241上的MBP224、234、244(以及DP225、235、245))进行排气。例如，通过将排气通路211的阀213闭阀并且将连接通路251的阀261以及排气通路221的阀223开阀，制程室PM1经由连接通路251而与设置于与制程室PM2连接的排气通路221上的MBP224(以及DP225)连通，从而切换排气路径。此时，使排气通路221的APC222的开度为全闭，并且使连接通路252、253、254、255的阀262、263、264、265闭阀。同样地，通过控制气体排气系统GE的各阀(包括APC)，对于各个制程室PM，能够利用设置于与其他的制程室连接的排气通路上的MBP(以及DP)进行排气。即、由设置于各气体排气系统GE的阀(包括APC)，构成切换制程室PM的排气路径的切换部。

(2)衬底处理工序

接下来，参照图3对通过本实施方式的衬底处理装置1实施的衬底处理工序的一例进行说明。图3是表示由图1所示的衬底处理装置实施的衬底处理工序的流程图。以下的处理通过由控制器CNT控制衬底处理装置1的各构成的动作而进行。

如图3所示，首先，通过大气搬送自动装置AR从载置于加载端口LP的衬底箱PD向大气搬送室LM内移送晶片W(S11)。此时，向大气搬送室LM，以使其内部大致处于大气压的方式供给纯净气体。在大气搬送室LM内，将晶片W载置于定向平面对准装置OFA上的衬底位置P2，并实施结晶方位的位置对准等。

接下来，通过大气搬送自动装置AR，拾取载置于衬底位置P2的晶片W，将其向真空锁定室VL1内移送并将晶片W载置于缓冲台ST1的衬底位置P3(S12)。此时，使闸阀G6、G7预先打开。另外，关闭闸阀G5、G8，并预先对真空搬送室TM、制程室PM、真空锁定室VL2内进行真空排气。

接下来，关闭闸阀G7，对真空锁定室VL1内部进行真空排气。在真空锁定室VL1降压至规定的压力后，保持着关闭闸阀G7的状态而打开闸阀G5。然后，通过真空搬送自动装置VR，拾取载置于衬底位置P3的晶片W，将其向制程室PM移送，并载置于制程室PM内部的衬底位置P(S13)。

向制程室PM搬入晶片W后，向该制程室PM内供给处理气体，对晶片W实施成膜处理(S14)。在此，如上所述地来形成金属薄膜。作为金属薄膜，例如形成晶体管的栅电极所使用的TiN(氮化钛)。在此，对TiN的成膜方法进行概述。

TiN的成膜例如通过依次执行以下四个工序来进行。首先，供给作为金属原料的TiCl₄(四氯化钛)气体。通过对质量流量控制器进行控制，使TiCl₄气体的流量为例如0.1～1000sccm的范围内的流量。另外，通过后述的排气泵，使制程室PM内的压力为例如10～1500Pa范围内的压力。另外，使TiCl₄气体的供给时间为例如0.01秒～300秒范围内的时间。另外，通过对温度调整器进行控制，将晶片W的温度(处理温度)调整至例如350～400℃范围内的温度。通过TiCl₄气体的供给，在晶片W上形成例如从不足单原子层到数原子层左右厚度的含Ti层。

接下来，停止向制程室PM内供给TiCl₄气体，并且通过排气泵对制程室PM内进行真空排气，将残留于制程室PM内的未反应或是参与含Ti层形成后的TiCl₄气体除去。此外，此时也可以通过供给非活性气体，来提高TiCl₄气体的除去效果。

接下来，向制程室PM内供给作为反应气体的NH₃(氨)气体。通过对质量流量控制器进行控制，使NH₃气体的流量为例如10～3000sccm范围内的流量。另外，通过排气泵，使制程室PM内的压力为例如10～1500Pa范围内的压力。另外，使NH₃气体的供给时间为例如0.01秒～300秒范围内的时间。另外，通过对温度调整器进行控制，将晶片W的温度(处理温度)调整至例如350～400℃范围内的温度。该NH₃气体与上述含Ti层的至少一部分反应。由此将含Ti层氮化，形成TiN。

接下来，停止向制程室PM内供给NH₃气体，并且通过排气泵对制程室PM内进行真空排气，将残留于制程室PM内的未反应或是参与含Ti层的氮化后的NH₃气体除去。此外，此时也可以通过供给非活性气体，来提高NH₃气体的除去效果。

将上述四个工序重复规定循环来形成所希望膜厚的TiN，由此成膜处理完成。

对晶片W的成膜处理完成后，打开闸阀G6，通过真空搬送自动装置VR，拾取载置于衬底位置P的处理完毕的晶片W，将其向真空锁定室VL2内移送并向缓冲台ST2上的衬底位置P10将晶片W载置(S15)。

接下来，关闭闸阀G6，向真空锁定室VL2内供给纯净气体使真空锁定室VL2内返回大致大气压。此时也可以通过未图示的冷却机构冷却晶片W。然后，打开闸阀G8，通过大气搬送自动装置AR，拾取载置于衬底位置P10的晶片W，并将其收纳于载置在加载端口LP上的衬底箱PD的空的开口中(S16)。

接下来，判断是否由同一制程室PM进行了规定次数的成膜处理(S17)。在实施了规定次数成膜处理的情况下实施该制程室PM的清洗处理(S18)，除去附着于制程室PM内的膜或副产物后，继续S11之后的处理。另一方面，在未进行规定次数成膜处理的情况下，跳过清洗处理(S18)而继续S11之后的处理。

接下来，参照图4对制程室PM的排气路径的切换处理进行说明。图4是表示由图1所示的衬底处理装置实施的排气路径的切换处理的流程图。图4所示的处理，在图3所示的衬底处理工序的执行中(或者，至少在其中的成膜工序S14的执行中)，通过控制器CNT进行。

首先，判断是否在MBP(排气泵)214、224、234、244中的任一个中产生异常(S21)。该判断基于传感器216、226、236、246的检测结果而进行。在MBP214、224、234、244中的任一个中检测到异常时，经由操作部100向使用者告知异常(S22)，判断是否有空载(idling)(空闲)中的制程室PM(S23)。在此所谓的空载中，是指未进行成膜处理(也可以包括用于进行成膜处理的晶片W的搬送状态)或清洗处理的状态。另外，空载中的制程室PM的有无，从除具有被检测到异常的BMP的处理单元以外的处理单元中进行判断。

在没有空载中的制程室PM的情况下(S23为否)，判断具有被检测到异常的BMP的处理单元是否处于成膜处理中(S24)。在具有被检测到异常的BMP的处理单元处于成膜处理中的情况下(S24为是)，判断是否有清洗处理中的制程室PM(S25)。清洗处理中的制程室PM的有无，从除具有被检测到异常的BMP的处理单元以外的处理单元中进行判断。

在有清洗处理中的制程室PM的情况下(S25为是)，中断该清洗处理(S26)，进行排气路径的切换(S27)。在此，排气路径的切换通过如下方式进行，控制上述的各气体排气系统GE的阀的开闭，使具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM经由连接通路251、252、253、254、255、256中的任一个连通于清洗处理被中断的处理单元的MBP。由此，对具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM通过未被检测到异常的MBP进行排气。

接下来，判断在具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM中，成膜处理是否完成(S28)。在成膜处理未完成的情况下(S28为否)，待机至成膜处理完成，若成膜处理完成(S28为是)，则将排气路径切换到原来的排气路径(S29)。此时，也可以禁止具有被检测到异常的MBP的处理单元执行下次之后的成膜处理或清洗处理的至少任一方。将排气路径切换到原来的排气路径(复原)后，在清洗处理被中断的制程室PM中，恢复(继续)该清洗处理(S30)。

这样，在成膜处理中MBP被检测到异常的情况下，若其他的处理单元中有处于清洗处理中的处理单元，则中断该清洗处理，由该清洗处理的排气所使用的MBP对成膜处理中的制程室PM进行排气。由此，能够将成膜处理中的制程室PM内维持在所希望的压力，从而能够继续进行所希望的成膜处理。因此，能够减小因排气泵的异常等而引起的对衬底处理的影响。特别地，由于能够防止因成膜不良而引起的晶片W的不合格(lotout)等，因此能够抑制生产率的降低。此外，由于清洗处理是在制程室PM中不存在晶片W的状态下实施的，因此使成膜处理优先完成。

另一方面，在具有空载中的制程室PM的情况下(S23为是)，暂时禁止该空载中的制程室PM的成膜处理以及清洗处理的执行(S31)，并进行排气路径的切换(S32)。在此，排气路径的切换通过如下方法进行，控制上述的各气体排气系统GE的阀的开闭，使具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM经由连接通路251、252、253、254、255、256中的任一个连通于空载中的处理单元的MBP。由此，通过未被检测到异常的MBP对具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM进行排气。

接下来，在具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM中，判断处理(成膜处理或清洗处理)是否完成(S33)。在处理未完成的情况下(S33为否)待机至处理完成，若处理完成(S33为是)，则将排气路径切换回原来的排气路径(S34)。此时，也可以禁止具有被检测到异常的MBP的处理单元执行下次之后的成膜处理或清洗处理中的至少任一方。将排气路径切换回原来的排气路径(复原)后，解除处于空载中的制程室PM的成膜处理以及清洗处理的禁止执行(S35)。

这样，在衬底处理工序中MBP被检测到异常的情况下，若在其他处理单元中有处于空载中的处理单元，则使用该空载中的处理单元的MBP对具有被检测到异常的MBP的处理单元的制程室PM进行排气。由此，能够将处理中的制程室PM内维持在所希望的压力，从而能够继续执行所希望的处理。因此，能够减小因排气泵的异常而引起的对衬底处理的影响。

此外，在MBP214、224、234、244中任一个都未产生异常的情况下(S21为否)，跳过之后的处理。另外，在具有被检测到异常的MBP的处理单元未处于成膜处理中的情况下(S24为否)，即、处于清洗处理中的情况下，待机至空载中的处理单元出现(返回S23)。在该待机中，具有被检测到异常的MBP的处理单元的清洗处理完成时，也可以跳过之后的处理(即、不进行排气路径的切换)。另外，此时，也可以禁止该处理单元执行成膜处理以及清洗处理中的至少任一方。

另外，在没有清洗处理中的制程室PM的情况下(S25为否)，待机至空载中或清洗处理中的制程室PM出现(返回S23)。在该待机中，具有被检测到异常的MBP的处理单元的成膜处理完成时，也可以跳过之后的处理(即、不进行排气路径的切换)。另外，此时，也可以禁止该处理单元执行成膜处理以及清洗处理中的至少任一方。

在图4所示的处理中，虽然基于排气泵的异常来切换排气路径，但是也能够基于来自使用者的指示来切换排气路径。以下，对该处理进行说明。图5是表示基于来自使用者的指示的排气路径的切换处理的流程图。图5所示的处理在衬底处理装置1的动作中始终通过控制器CNT进行。

首先，判断是否经由操作部100输入了来自使用者的排气路径的切换指示(S41)。在此所谓的来自使用者的排气路径的切换指示是指，停止使用的MBP的选择、从其他的处理单元中选择对具有停止使用的MBP的处理单元的制程室PM进行排气的MBP的指示。该指示例如在进行MBP的更换或维护时由使用者输入。在未输入来自使用者的排气路径的切换指示的情况下(S41为否)，跳过之后的处理。另一方面，在输入了来自使用者的排气路径的切换指示的情况下(S41为是)，判断切换目标的处理单元是否处于处理中(成膜处理或清洗处理的实施中)(S42)。所谓切换目标的处理单元是指，具有代替停止使用的MBP而使用的MBP的处理单元。

当切换目标的处理单元处于处理中时，在操作部100显示待机信息直至该处理完成(S43)。另一方面，在切换目标的处理单元不处于处理中的情况下(S42为否)，暂时地禁止该切换目标的处理单元的处理(S44)，切换排气路径(S45)。在此，排气路径的切换通过如下方式进行，控制上述各气体排气系统GE的阀的开闭，使具有被指示了使用停止的MBP的处理单元的制程室PM经由连接通路251、252、253、254、255、256中的任一个连通于指定的其他的处理单元的MBP。由此，对具有被指示了使用停止的MBP的处理单元的制程室PM通过其他的处理单元的MBP进行排气。

接下来，判断是否经由操作部100从使用者输入了排气路径的恢复指示(S46)。所谓的排气路径的恢复指示，是指使停止了使用的MBP的使用重新开始的指示。在未输入排气路径的恢复指示的情况下(S46为否)，待机至该恢复指示被输入。另一方面，若输入了排气路径的恢复指示(S46为是)，则将排气路径切换回原来的排气路径(S47)，并解除作为切换目标的处理单元的处理禁止(S48)。

这样，由于构成为基于来自使用者的排气路径的切换指示来切换排气路径，因此能够减小因排气泵的维护等引起的对衬底处理的影响。

此外，虽然在上述中，衬底处理装置1所具有的处理单元的数量为四个，但是处理单元的数量不限于此，只要是多个即可。另外，虽然例示了MBP作为检测异常的排气泵，但是也可以是TMP(TurboMolecularPump)或DP等其他的排气泵。另外，排气路径的切换并不限于制程室PM之间，也可以在图1中表示为“真空侧”的各构成之间切换排气路径。

另外，虽然处理单元选用一张一张地对晶片W进行处理的单片式，但也可以是同时处理多张晶片W的立式等形式。另外，虽然使各个排气通路通过连接通路分别与其他的全部排气通路连接，但也可以仅使相邻的处理单元的排气通路彼此通过连接通路连接。该情况下，在图4的S23或S25的处理中，空载中或清洗处理中的制程室PM从相邻的处理单元中选择。另外，在图5的S42的处理中，作为成为排气路径的切换目标的处理单元，仅能够选择与具有停止使用的MBP的处理单元相邻的处理单元。

＜本发明的第二实施方式＞

接下来，对本发明的第二实施方式的衬底处理装置进行说明。在前述的第一实施方式中，当从使用者输入了排气路径的切换指示时，暂时地禁止切换目标的处理单元的处理，但是在本发明的第二实施方式中，构成为通过时分而由多个制程室MP共用除停止了使用的MBP以外的MBP。

图6是表示本发明的第二实施方式的基于来自使用者的指示进行的排气路径的切换处理的流程图。此外，由于第二实施方式的衬底处理装置的构成与第一实施方式的一样，因此省略说明。

首先，判断是否经由操作部100输入了来自使用者的排气路径的切换指示(S51)。在此所谓的来自使用者的排气路径的切换指示至少是指，选择停止使用的MBP的指示。对于排气路径的切换指示，也可以包含将对具有停止使用的MBP的处理单元的制程室PM进行排气的MBP从其他的处理单元中选择的指示(以下称为“代替泵选择指示”)。在包含代替泵选择指示的情况下，从通过该代替泵选择指示而被指示的一个或多个MBP中选择代替地使用的泵。另外，在不包括代替泵选择指示的情况下，从除停止使用的MBP以外的全部MBP中选择代替地使用的泵。

在未输入来自使用者的排气路径的切换指示的情况下(S51为否)，跳过之后的处理。另一方面，在输入了来自使用者的排气路径的切换指示的情况下(S51为是)，判断在具有代替地使用的MBP的处理单元中的任一个中，是否具有处理中以外的制程室MP，即、判断是否具有例如处于空载中或处于成为处理对象的晶片W的待搬送状态的处理单元。在没有处理中以外的处理单元的情况下(S52为否)，待机至出现处理中以外的处理单元。另一方面，在具有处理中以外的处理单元的情况下(S52为是)，暂时地禁止该处理单元的处理(S53)，并切换排气路径(S54)。在此，排气路径的切换通过如下方式进行，控制上述的各气体排气系统GE的阀的开闭，使具有被指示了使用停止的MBP的处理单元的制程室PM经由连接通路251、252、253、254、255、256中的任一个连通于处理中以外的处理单元的MBP。由此，具有被指示了使用停止的MBP的处理单元的制程室PM通过其他的处理单元的MBP进行排气。

接下来，在具有被指示了使用停止的MBP的处理单元中开始处理(成膜处理或清洗处理)(S55)，接下来，判断该处理是否完成(S56)。在该处理未完成的情况下(S56为否)，待机至该处理完成。另一方面，若该处理完成(S56为是)，则将排气路径切换回原来的排气路径(S57)，并解除切换目标的处理单元的处理禁止(S58)。其后，若指示了S51的处理的返回、排气路径的切换，则一边共用处理中以外的处理单元的MBP一边继续执行各处理单元的处理。

这样，由于构成为基于来自使用者的排气路径的切换指示来切换排气路径，因此能够减小因排气泵的维护等引起的对衬底处理的影响。特别在本实施方式中，构成为通过时分而共用处理中以外的处理单元的排气泵，因此能够使衬底处理装置整体的处理更效率化。此外，在上述中，也可以以如下方式进行，在具有被指示了使用停止的排气泵的处理单元进行成膜处理的情况下，使用优先于进行清洗处理的处理单元的排气泵，在具有被指示了使用停止的排气泵的处理单元进行清洗处理的情况下，使用空载中的处理单元的排气泵等，按照作为对象的处理来改变优先度。

＜本发明的第三实施方式＞

接下来，对本发明的第三实施方式的衬底处理装置进行说明。虽然在前述的第一以及第二实施方式中，各制程室PM进行相同的处理(成膜处理以及清洗处理)，但在第三实施方式中，各制程室PM分别进行不同的处理。具体来说，第三实施方式的衬底处理装置构成为制程集成装置(processintegrationdevice)，对晶片W连续地进行半导体器件的制造工序涉及的不同处理。在本实施方式中，作为制程集成装置，对连接处理晶体管的栅极制造工序的一部分的情况进行例示并说明。

图7是表示使用第三实施方式的衬底处理装置而形成的晶体管的栅极的构成例的图，具体来说，是表示NMOS型晶体管的栅极的构成例的图。如图7所示，栅极是将在硅衬底(Si－sub)上形成的由氧化硅(SiO₂)构成的硅系绝缘膜、在该SiO₂上形成的由氧化铪(HfO₂)构成的高介电常数膜(High-k膜)以及在该HfO₂上形成的由金属氮化膜(TiN)构成的栅电极层叠而成的叠加构造。

＜栅极制造工序＞

接下来，对图7所示的晶体管的栅极的制造工序例进行说明。图8是表示图7所示的晶体管的栅极的制造工序例的流程图。

如图8所示，首先，用例如1％HF水溶液对硅衬底进行处理，除去在硅衬底上形成的牺牲氧化膜(“HF处理(HFtreatment)”工序)。接下来，在硅衬底上，通过热氧化处理而成膜氧化硅(SiO₂)(“SiO₂成膜(SiO₂formation)”工序)。SiO₂形成为硅衬底与之后形成的HfO₂的界面处的界面层。

接下来，在SiO₂上，成膜作为高介电常数膜的氧化铪(HfO₂)(“High-k成膜(High-kformation)”工序)。由SiO₂与HfO₂构成栅极绝缘膜。在HfO₂的成膜后，进行退火处理(“沉积后退火(PostDepositionAnnealing)”工序)。该退火处理以除去HfO₂中的杂质、HfO₂的致密化或结晶化为目的而进行。接下来，在HfO₂上，形成作为栅电极的金属氮化膜(TiN)(“TiN沉积(TiNdeposition)”工序)。如图所示，在该工序中，重复执行X次向晶片W交替供给TiCl₄和NH₃的TiN成膜处理。此外，X为1以上的整数。

接下来，进行将抗蚀剂作为掩膜并使用光刻技术的图案形成(“栅极图案形成(Gatepatterning)”工序)，并且进行使用干法刻蚀技术的图案蚀刻(“栅极蚀刻(Gateetching)”工序)。其后，除去该抗蚀剂(“抗蚀剂除去(Resistremoval)”工序))。然后，进行氢气退火等FGA(Forminggasannealing)处理(“FGA”工序)。

在本实施方式的衬底处理装置中，在上述的各工序中，由图1以及图2所示的制程室PM1～PM4实施包括“SiO₂成膜”工序、“High-k成膜”工序、“沉积后退火”工序以及“TiN沉积”工序的一系列工序。

具体来说，由制程室PM1实施“SiO₂成膜”工序，由制程室PM4实施“High-k成膜”工序，由制程室PM3实施“沉积后退火”工序，由制程室PM2实施“TiN沉积”工序。因此，在本实施方式中，与制程室PM1连接的气体供给系统GS1，至少具有热氧化处理所需要的氧化剂的供给源，与制程室PM3连接的气体供给系统GS3，至少具有退火处理所需要的非活性气体的供给源，与制程室PM4连接的气体供给系统GS4，至少具有氧化铪的成膜处理所需要的含铪气体的供给源和氧化剂的供给源。与制程室PM2连接的气体供给系统GS2的构成与第一实施方式一样。

此外，虽然在以前的实施方式与本实施方式中，各处理单元所实施的处理不同，但由于作为衬底处理装置的基本构成共通，因此省略详细的说明。

本实施方式的特征在于，鉴于各处理中的对排气泵的负载的多少，来设定进行各个处理的制程室PM的配置。在此，对于排气泵的负载，考虑转速或运行时间等各种参数，但在本实施方式中，作为引起排气泵异常的主要原因而考虑微粒的产生量。

一般情况下，相比于热氧化处理或退火处理，HfO₂成膜或TiN成膜等薄膜形成处理更易产生微粒。特别是在TiN那样的氮化膜中，容易产生因附着于制程室PM内的膜的应力而导致的剥离。另外，已知在TiN的成膜中使用TiCl₄那样的卤素原料的情况下，会大量产生通过卤元素与氮化剂的结合而产生的副产物。即、在上述的各个处理中，HfO₂和TiN的成膜处理比其他的处理更容易产生微粒，特别是在TiN的成膜处理中，微粒大量向排气系统流出。流出至排气系统的微粒附着于排气泵，成为排气泵异常的原因。

因此，在本实施方式中，将进行TiN的成膜处理的制程室PM，配置在进行微粒产生量比较少的热氧化处理和退火处理的制程室PM之间。由此，在进行TiN的成膜处理的处理单元的排气泵产生异常的情况下，能够使用与之相邻的处理单元的排气泵(比较难以产生异常的排气泵)来提高继续TiN的成膜处理的可能性。由于共用相邻的处理单元的排气泵会使将排气通路彼此连接的连接通路的长度缩短，因此从压损等观点来看有利。另外，虽然将全部的排气通路彼此连接会使排气系统的构成繁杂，但是通过像本实施方式一样地考虑排气泵的负载的多少而设定处理单元的配置，即使仅将相邻的处理单元的排气通路彼此连接而使构成简化，也能够提高代替产生异常的排气泵而由正常的排气泵继续处理的可能性。

此外，以前的实施方式中说明的排气路径的切换处理也能够适用于本实施方式。因此，即使在本实施方式中，也能够与以前的实施方式同样地，减小因排气泵的异常或维护等引起的对衬底处理的影响。

(本发明的优选的方式)

以下，对本发明的优选的方式进行附记。

(附记1)

一种衬底处理装置，具备：多个处理单元，其至少具有对衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵；连接通路，其在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接；以及切换部，其通过使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，来切换所述处理室的排气路径。

(附记2)

根据附记1所述的衬底处理装置，具备：控制所述切换部的动作的控制部；以及检测所述排气泵的异常的检测部，所述控制部构成为基于所述检测部的检测结果来控制所述切换部。

(附记3)

根据附记1或2所述的衬底处理装置，具备输入来自使用者的指示的输入部，所述控制部构成为基于从所述输入部输入的指示来控制所述切换部。

(附记4)

根据在附记3所述的衬底处理装置，所述控制部构成为以在时间上分割地由多个处理室共用所述排气泵的方式控制所述切换部。

(附记5)

根据附记2所述的衬底处理装置，在所述处理室中至少进行成膜处理和清洗处理，所述控制部构成为，以如下方式控制所述切换部：在通过所述检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室，连通于未检测到所述排气泵的异常、且具有清洗处理中的处理室的处理单元的排气泵。

(附记6)

根据附记5所述的衬底处理装置，所述控制部构成为，以如下方式控制所述切换部；在使由所述清洗处理中的处理室执行的清洗处理中断后，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室连通于具有所述清洗处理被中断的处理室的处理单元的排气泵。

(附记7)

根据附记6所述的衬底处理装置，所述控制部构成为，以使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室连通于具有所述清洗处理被中断的处理室的处理单元的排气泵的方式控制所述切换部，并且以当具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室中的处理完成时，使所述清洗处理被中断的处理室连通于具有该处理室的处理单元的排气泵的方式控制所述切换部。

(附记8)

根据附记1所述的衬底处理装置，所述多个处理单元包括对所述衬底进行不同的处理的至少三个处理单元，进行对所述排气泵的负载最大的处理的处理单元配置在其他的处理单元之间。

(附记9)

根据附记8所述的衬底处理装置，具备：控制所述切换部的动作的控制部；以及检测所述排气泵的异常的检测部，所述控制部构成为基于所述检测部的检测结果来控制所述切换部。

(附记10)

根据附记9所述的衬底处理装置，所述控制部构成为，以如下方式控制所述切换部：在通过所述检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室，连通于未检测到所述排气泵的异常、且具有空转中的处理室的处理单元的排气泵。

(附记11)

根据附记1到10中任一项所述的衬底处理装置，所述切换部包括配置于所述连接通路上的阀体、和在所述排气通路中配置于所述连接通路的连接部位的上游侧以及下游侧的阀体。

(附记12)

根据附记1到11中任一项所述的衬底处理装置，所述检测部检测所述排气泵的转速、耗电、温度以及所述排气通路的压力中的至少任一项。

(附记13)

一种半导体器件的制造方法，其由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，上述半导体器件的制造方法具备处理工序，在该处理工序中，经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

(附记14)

根据附记13所述的半导体器件的制造方法，在所述处理工序之前具有排气路径切换工序，在所述排气路径切换工序中以如下方式控制切换部：在通过检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，由此切换所述处理室的排气路径。

(附记15)

根据附记13所述的半导体器件的制造方法，在所述处理工序之前具有排气路径切换工序，在所述排气路径切换工序中以如下方式控制切换部：在输入了使所述多个处理单元中任一个处理单元的处理室使用其他的处理单元的排气泵进行排气的、来自使用者的指示时，使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，由此切换所述处理室的排气路径。

(附记16)

一种程序，其使计算机执行处理步骤，在所述处理步骤中，由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，所述处理步骤具有如下步骤：经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

(附记17)

根据附记16所述的程序，所述处理步骤具有以如下方式控制切换部的步骤：在通过检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，由此切换所述处理室的排气路径。

(附记18)

一种记录介质，其记录有使计算机执行处理步骤的程序且能够被计算机读取，在该处理步骤中，由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，所述处理步骤具有如下步骤：经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

(附记19)

根据附记18所述的记录介质，所述处理步骤具有以如下方式控制切换部的步骤：在通过检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，由此切换所述处理室的排气路径。

生产上的可利用性

本发明例如能够用于对硅晶片等衬底进行处理的衬底处理装置和半导体器件的制造方法等。

Claims (15)

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：

多个处理单元，其至少具有对衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵；

连接通路，其在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接；以及

切换部，其通过使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，来切换所述处理室的排气路径。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，具备：

控制所述切换部的动作的控制部；以及

检测所述排气泵的异常的检测部，

所述控制部构成为基于所述检测部的检测结果来控制所述切换部。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

具备输入来自使用者的指示的输入部，

所述控制部构成为基于从所述输入部输入的指示来控制所述切换部。

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为以在时间上分割地由多个处理室共用所述排气泵的方式控制所述切换部。

5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

在所述处理室中至少进行成膜处理和清洗处理，

所述控制部构成为，以如下方式控制所述切换部：在通过所述检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室，连通于未检测到所述排气泵的异常、且具有清洗处理中的处理室的处理单元的排气泵。

6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为，以如下方式控制所述切换部；在使由所述清洗处理中的处理室执行的清洗处理中断后，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室连通于具有所述清洗处理被中断的处理室的处理单元的排气泵。

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为，以使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室连通于具有所述清洗处理被中断的处理室的处理单元的排气泵的方式控制所述切换部，并且以当具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室中的处理完成时，使所述清洗处理被中断的处理室连通于具有该处理室的处理单元的排气泵的方式控制所述切换部。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述多个处理单元包括对所述衬底进行不同的处理的至少三个处理单元，进行对所述排气泵的负载最大的处理的处理单元配置在其他的处理单元之间。

9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，具备：

控制所述切换部的动作的控制部；以及

检测所述排气泵的异常的检测部，

所述控制部构成为基于所述检测部的检测结果来控制所述切换部。

10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为，以如下方式控制所述切换部：在通过所述检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室，连通于未检测到所述排气泵的异常、且具有空转中的处理室的处理单元的排气泵。

11.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述切换部包括配置于所述连接通路上的阀体、和在所述排气通路中配置于所述连接通路的连接部位的上游侧以及下游侧的阀体。

12.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述检测部检测所述排气泵的转速、耗电、温度以及所述排气通路的压力中的至少任一项。

13.一种半导体器件的制造方法，其由多个处理单元对衬底进行处理，该多个处理单元至少具有对所述衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵，所述半导体器件的制造方法的特征在于，

具备处理工序，在该处理工序中，经由在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接的连接通路，将所述处理室从与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵进行排气并对所述衬底进行处理。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述处理工序之前具有排气路径切换工序，在所述排气路径切换工序中以如下方式控制切换部：在通过检测部检测到所述排气泵的异常时，使具有所述被检测到异常的排气泵的处理单元的处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，由此切换所述处理室的排气路径。

15.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述处理工序之前具有排气路径切换工序，在所述排气路径切换工序中以如下方式控制切换部：在输入了使所述多个处理单元中任一个处理单元的处理室使用其他的处理单元的排气泵进行排气的、来自使用者的指示时，使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，由此切换所述处理室的排气路径。