CN103228914A - 真空排气装置和真空处理装置以及真空排气方法 - Google Patents
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Abstract
本发明在第一真空泵(53)产生问题的情况下,通过由控制构件(66)对分隔阀(58)、开闭阀(59)、第一入口开闭阀(61)以及第二入口开闭阀(62)进行开闭控制,由第二真空泵(55a)维持第一真空处理室(51)的真空状态,且由第二真空泵(55b)维持第二真空处理室(52)的真空状态。
Description
技术领域
本发明涉及使处理室成为真空状态进行排气的真空排气装置以及真空排气方法。
另外,本发明涉及连接了真空排气装置的真空处理装置。
背景技术
在制造以液晶显示器为代表的平板显示器的过程中,在真空氛围的基板处理室(处理室)中,对玻璃基板实施配线用金属膜的成膜处理等规定的处理。基板处理装置具备切换为大气状态和真空状态并运送玻璃基板的加载锁定室(处理室)、多个处理室,加载锁定室以及多个处理室由真空泵排气,产生真空环境(例如,参见专利文献1)。
伴随着半导体的制造工艺流程的复合化,在使多个处理室独立的状态下,对处理室进行真空排气的真空处理装置逐渐占据设备的主流。为此,为了在每个处理室得到所希望的真空状态,例如,逐渐使用下述的真空排气装置:对于加载锁定室并列连接多台真空泵,由多台真空泵进行真空排气,且在多个处理室上分别具备真空排气构件(例如,涡轮分子泵),在各自的真空排气构件上连接辅助的真空泵,进行真空排气。
在上述的真空处理装置中,例如,在相对于设置在多个处理室的真空排气构件分别连接的辅助的真空泵产生问题的情况下,存在难以对多个处理室进行排气,给处理装置中的制造工艺流程造成障碍的可能性。另外,在辅助的真空泵上产生问题的情况下,需要用于更换真空泵的作业时间、使排气暂时停止,在更换了真空泵后进行排气至所希望的真空状态的时间,在长时间中使制造工艺流程全部停止。
这样,在具备在使多个处理室独立的状态下对处理室进行真空排气的真空排气装置的真空处理装置中,因为在一台真空泵产生故障等问题的情况下,使制造工艺流程全部停止,所以,现状是存在真空处理装置的运行率降低的可能性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-73599号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述状况做出的发明,其目的在于,提供一种即使在一台真空泵产生问题的情况下,也能够不会给其它的处理带来影响地继续进行真空排气的真空排气装置以及真空排气方法。
另外,本发明是鉴于上述状况做出的发明,其目的在于,提供一种即使在一台真空泵产生问题的情况下,也能够不会给其它的处理带来影响地继续进行真空排气,不会使运行率降低的真空处理装置。
用于解决课题的手段
用于实现上述目的的有关技术方案1的本发明的真空排气装置的特征在于,具备:第一真空泵,其与第一处理室连接,并使上述第一处理室成为规定的真空状态;多个第二真空泵,它们由一个入口集合配管并列连接于第二处理室,并使上述第二处理室成为规定的真空状态;连结配管,其从上述第一真空泵的入口配管延伸,并与上述入口集合配管连接;流路选择构件,其选择将上述第一处理室以及上述第一真空泵连通的流路或者将上述第一处理室以及上述第二真空泵中的一台连通的流路中的任一个;异常导出构件,其将上述第一真空泵的异常导出;和控制构件,其在由上述异常导出构件导出了上述第一真空泵的异常时,由上述流路选择构件选择将上述第一处理室以及上述多个第二真空泵中的一台连通的流路,维持上述第一处理室的规定的真空状态。
在有关技术方案1的本发明中,在由异常导出构件识别到第一真空泵产生问题时,由多个第二真空泵中的一台维持第一处理室的规定的真空状态,在不影响第二处理室的真空维持的状态下,维持第一处理室的规定的真空状态。因此,成为即使在一台真空泵(第一真空泵)产生问题的情况下,也能够不会给其它的处理带来影响地继续进行真空排气的真空排气装置。
而且,有关技术方案2的本发明的真空排气装置是在技术方案1所述的真空排气装置中,其特征在于,上述流路选择构件具备:分隔阀,其将上述多个第二真空泵中的一台的入口配管的上述连结配管侧的部位的上述入口集合配管分隔;开闭阀,其开闭上述连结配管的流路;第一入口开闭阀,其将连接上述连结配管的部位的后流侧的上述第一真空泵的入口配管的流路;和第二入口开闭阀进行开闭,其开闭上述入口集合配管的后流侧中的上述多个第二真空泵中的一台的入口配管,上述控制构件在由上述异常导出构件导出上述第一真空泵的异常时,由上述分隔阀将上述入口集合配管和上述多个第二真空泵中的一台的入口配管之间的流路关闭,且由上述第一入口开闭阀将上述第一真空泵的入口配管的流路关闭,另一方面,由上述开闭阀将上述连结配管的流路打开,且由上述第二入口开闭阀将上述多个第二真空泵中的一台的入口配管的流路打开,将上述多个第二真空泵中的一台连接于上述第一处理室,维持上述第一处理室的规定的真空状态。
在有关技术方案2的本发明中,通过由控制构件综合控制分隔阀、开闭阀、第一入口开闭阀以及第二入口开闭阀,由此能够由阀体的操作将第一处理室维持为规定的真空状态。
另外,有关技术方案3的本发明的真空排气装置是在技术方案1或者2所述的真空排气装置中,其特征在于,上述第一处理室由多个处理室构成,上述处理室分别具备排气泵,上述第一真空泵与每一个的上述排气泵连接,作为上述排气泵的辅助来运转。
在有关技术方案3的本发明中,即使是在与分别对第一处理室进行排气的排气泵连接的第一真空泵产生问题的情况下,也能够继续进行排气泵的辅助的运转。
另外,有关技术方案4的本发明的真空排气装置是在技术方案1至3中的任一项所述的真空排气装置中,其特征在于,上述异常导出构件是计量上述第一真空泵的上游侧的流路的真空程度的压力计量构件。
在有关技术方案4的本发明中,因为由压力计量构件计量第一真空泵的上游侧的流路的真空程度,所以,能够切实地掌握第一真空泵的异常。
另外,有关技术方案5的本发明的真空排气装置是在技术方案1至4中的任一项所述的真空排气装置中,其特征在于,具备:出口集合管,其连通上述第二真空泵的出口侧;辅助配管,其将至少一台上述第二真空泵的入口配管和上述出口集合管连接;和切换构件,其将至少一台上述第二真空泵的上述入口配管的流路向上述入口集合管侧或者上述辅助配管侧切换。
在有关技术方案5的本发明中,在进行维持现有的真空压状态的运转的情况下,由切换构件将至少一台第二真空泵的入口配管连通到出口集合管侧,由至少一台第二真空泵进行其它的第二真空泵的最终级的容积部的排气,使因其它的第二真空泵的气体的输送而产生的负荷近似为零,不必使用辅助泵,能够抑制多台第二真空泵的消耗电力。
用于实现上述目的的有关技术方案6的本发明的真空处理装置的特征在于,技术方案1至5中的任一项所述的上述第一处理室是运入基板并进行规定的处理的基板处理室。
在有关技术方案6的本发明中,能够做成具备如下的真空排气装置的真空处理装置:即使是在一台真空泵(第一真空泵)产生问题的情况下,也能够不会给其它的处理带来影响地继续进行真空排气。
用于实现上述目的的有关技术方案7的本发明的真空排气方法的特征在于,在由第一真空泵使第一处理室成为规定的真空状态,且由并列配置的多个第二真空泵使第二处理室成为规定的真空状态时,在上述第一真空泵产生异常的情况下,将上述多个第二真空泵中的一台连接于上述第一处理室,维持上述第一处理室的真空状态。
在有关技术方案7的本发明中,即使是在一台真空泵(第一真空泵)产生问题的情况下,也能够不会给其它的处理带来影响地继续进行真空排气。
发明效果
本发明的真空排气装置以及真空排气方法,即使是在一台真空泵(第一真空泵)产生问题的情况下,也能够不会给其它的处理带来影响地继续进行真空排气。
另外,本发明的真空处理装置,即使是在一台真空泵(第一真空泵)产生问题的情况下,也能够不给其它的处理带来影响,使真空排气继续进行,消除运行率的降低。
附图说明
图1是本发明的真空处理装置的概念系统图。
图2是有关本发明的第一实施例的真空处理装置的示意系统图。
图3是有关本发明的第二实施例的真空处理装置的示意系统图。
具体实施方式
图1表示对具备本发明的真空排气装置的真空处理装置的概念进行说明的系统。
本发明的真空处理装置具备例如进行玻璃基板的处理的第一真空处理室51以及第二真空处理室52。在第一真空处理室51上连接第一真空泵53,由第一真空泵53对第一真空处理室51的内部排气,第一真空处理室51成为规定的真空状态。对于第二真空处理室52具备一个入口集合配管54,在入口集合配管54并列连接第二真空泵55a以及第二真空泵55b。由2台第二真空泵55对第二真空处理室52的内部排气,规定的第二真空处理室52成为规定的真空状态。
具备从第一真空泵53的入口配管60延伸的连结配管57,连结配管57与第二真空泵55中的一台(图中左侧)的第二真空泵55a的入口配管56a连接。在连结配管57的相反侧的入口集合配管54设置分隔阀58,由分隔阀58分隔第二真空泵55a的连结配管57侧的部位的入口集合配管54。
另外,在连结配管57上设置开闭阀59,由开闭阀59开闭连结配管57的流路。在连接有连结配管57的部位的后流侧(下游侧)的第一真空泵53的入口配管60上设置第一入口开闭阀61,由第一入口开闭阀61开闭入口配管60。再有,在入口集合配管54的后流侧中的第二真空泵55a的入口配管56a上设置第二入口开闭阀62,由第二入口开闭阀62开闭入口配管56a。
在第一真空泵53的入口配管60的前流侧(上游侧)具备作为压力计量构件(异常导出构件)的压力检测构件65,由压力检测构件65检测入口配管60的真空程度,导出第一真空泵53有无异常。压力检测构件65的检测信息被输入控制构件66,控制构件66与第一真空泵53有无异常相应地控制分隔阀58、开闭阀59、第一入口开闭阀61以及第二入口开闭阀62的开闭。
另外,作为异常导出构件,也可以检测第一真空泵53的驱动状态(旋转状态等),将第一真空泵53的异常直接导出。
在通常时,分隔阀58、第一入口开闭阀61以及第二入口开闭阀62为打开状态,且开闭阀59为关闭状态。在该状态下,由第一真空泵53将第一真空处理室51维持在规定的真空状态,由2台第二真空泵55将第二真空处理室52维持在规定的真空状态。
在由压力检测构件65检测到第一真空泵53产生了问题的情况下,即、在导出了第一真空泵53的异常时,由控制构件66使分隔阀58以及第一入口开闭阀61成为关闭状态,使开闭阀59以及第二入口开闭阀62成为打开状态。在该状态下,入口集合配管54和第二真空泵55a的入口配管56a之间的流路被关闭,且第一真空泵53的入口配管60的流路被关闭。同时,连结配管57的流路被打开,且第二真空泵55a的入口配管56a的流路被打开。
据此,在第二真空泵55a与第一真空处理室51连接,且维持第一真空处理室51的真空状态的同时,保持第二真空泵55b与第二真空处理室52连接的状态,维持第二真空处理室52的真空状态。因此,即使是在第一真空泵53产生问题的情况下,通过由控制构件66自动地开闭阀体,能够不会给第二真空处理室52带来影响地维持第一真空处理室51的真空状态。
通过在由第二真空泵55a维持第一真空处理室51的真空状态的状态下,更换第一真空泵53,由控制构件66自动地开闭阀体,能够向通常的运转状态复原,即、向由第一真空泵53将第一真空处理室51维持在规定的真空状态,且由2台第二真空泵55将第二真空处理室52维持在规定的真空状态的运转状态复原。
为此,即使在第一真空泵53产生问题,也使第一真空处理室51的排气继续进行,不会给真空处理装置的制造工艺流程造成障碍,不需要用于更换第一真空泵53的作业时间、使排气暂时停止在更换第一真空泵53后进行排气至所希望的真空状态的时间,不需要在长时间使制造工艺流程全部停止。其结果为,能够抑制真空处理装置的运行率的降低,使对制造工艺流程的影响为最小限度。
根据图2、图3,具体地说明具备本发明的真空排气装置的真空处理装置。
下面所示的实施例中,作为真空处理装置,以对大型的玻璃基板实施处理的串排式的纵型处理装置为例进行说明,上述纵型处理装置将加热装置、等离子CVD装置、溅射装置、干法刻蚀装置等的处理室(第一处理室)串联排列,将基板从一方端部的处理室(加载锁定室:第二处理室)运入、运出。
而且,在加载锁定室上并列连接多个第二真空泵,通过第二真空泵的驱动,使加载锁定室的内部成为规定的真空状态。另外,作为第一处理室的多个真空处理室分别具备真空排气构件(例如,涡轮分子泵),辅助的真空泵(第一真空泵)与各自的真空排气构件连接,对多个真空处理室进行真空排气。
图2表示对具备有关本发明的第一实施例的真空排气装置的真空处理装置的整体结构进行说明的示意系统,图3表示对具备有关本发明的第二实施例的真空排气装置的真空处理装置的整体结构进行说明的示意系统。
另外,对与图1所示的部件相同的部件标注相同的符号。另外,就第一实施例以及第二实施例的部件而言,对相同部件标注相同符号,省略重复的说明。
作为应用本发明的真空处理装置,并不限于通过实施例所示的串排式的纵型处理装置,也可以应用在中央部具备基板运送共用室,在基板供给室的周边具备多个基板处理室的真空处理装置。
根据图2说明第一实施例。
图示的真空处理装置1是相对于被大致竖直地保持的大型的玻璃基板(基板:例如,平板显示器)进行处理的纵型处理装置,是将作为第二处理室的加载锁定室2以及作为第一处理室的加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7按顺序连接而构成的串排式的真空处理装置。在真空处理装置1的内部,从加载锁定室2到第四真空处理室7设置有用于运送基板的去路以及归路。
被运入到加载锁定室2的基板由加载锁定室2以真空状态被保持后,由加热室3加热,依次从第一真空处理室4运送到第四真空处理室7,路径反转,从第四真空处理室7通过第一真空处理室4、加热室3返回加载锁定室2,被运出。
在加载锁定室2上连接真空排气装置11,由真空排气装置11使加载锁定室2的内部成为规定的真空状态。真空排气装置11并列地具备多台(在图示例中为11台)第二真空泵12(图1中为55),排气速度被保持在规定的速度。
在加载锁定室2上连接真空配管13的一端,真空配管13的另一端与入口集合配管14连接。在11台第二真空泵12的入口侧分别连接入口配管15,入口配管15与入口集合配管14连接。细节将在后面阐述,端部(图中右侧端部)的第二真空泵12S(第二真空泵12中的一台)的入口配管56上具备第二入口开闭阀62。
也就是说,11台第二真空泵12由各自的入口配管15(后述的入口配管56)、一个入口集合配管14以及真空配管13相对于加载锁定室2并列连接。
11台第二真空泵12例如是容积输送型的干式泵,在最终级的容积部(容积室)上连接具备消音器16的排气系统17。通过一起驱动11台第二真空泵12,在各第二真空泵12中,来自入口侧的流体依次在容积室中输送,被输送到排气侧,从最终级的容积室向排气系统17排气。据此,能够使加载锁定室2成为所希望的真空状态。
另一方面,加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7分别具备排气泵(涡轮分子泵)3a、4a、5a、6a、7a,由排气泵3a、4a、5a、6a、7a将加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7排气成真空状态。
排气泵3a、4a、5a、6a、7a经真空配管40与一台第一真空泵41(图1中为53)的入口配管60连接。第一真空泵41的入口配管60具备第一入口开闭阀61,通过将第一入口开闭阀61打开,驱动一台第一真空泵41,使得第一真空泵41作为排气泵3a、4a、5a、6a、7a的辅助来运转。通过驱动第一真空泵41,加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的内部成为规定的真空状态,成为工序处理所需要的真空氛围。
第一真空泵41例如是容积输送型的干式泵,在最终级的容积部(容积室)上连接着具备消音器16的排气系统17。
作为第一处理室的加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7与第一真空泵41连接,作为第二处理室的加载锁定室2经入口集合配管14与11台第二真空泵12连接。而且,具备将第一处理室以及第一真空泵41连通的流路和将第一处理室以及第二真空泵12S(第二真空泵12中的一台)连通的流路,由选择构件50(细节在后面阐述)选择任意的流路。
在第一真空泵41的入口配管60的前流侧的真空配管40上具备作为压力计量构件(异常导出构件)的压力检测构件65,由压力检测构件65检测入口配管60的真空程度,导出第一真空泵41有无异常。压力检测构件65的检测信息被输入控制构件66,控制构件66与第一真空泵41有无异常相应地由选择构件50切换流路。
即、在检测到第一真空泵41异常的情况下,由控制构件66选择连通第一处理室以及第二真空泵12S(第二真空泵12中的一台)的流路,由第二真空泵12S继续进行作为排气泵3a、4a、5a、6a、7a的辅助的运转。
具体说明选择构件50。
具备从第一真空泵41的入口配管60延伸的连结配管57,连结配管57与第二真空泵12S的入口配管56连接。在连结配管57的相反侧中的入口集合配管14上设置分隔阀58,由分隔阀58分隔第二真空泵12S的连结配管57侧的部位的入口集合配管14。
另外,在连结配管57上设置开闭阀59,由开闭阀59开闭连结配管57的流路。在连接有连结配管57的部位的后流侧的第一真空泵41的入口配管60上设置第一入口开闭阀61,由第一入口开闭阀61开闭入口配管60。再有,在入口集合配管14的后流侧中的第二真空泵12S的入口配管56上设置第二入口开闭阀62,由第二入口开闭阀62开闭入口配管56。
压力检测构件65的检测信息被输入控制构件66,控制构件66与第一真空泵41有无异常相应地控制分隔阀58、开闭阀59、第一入口开闭阀61以及第二入口开闭阀62的开闭。
在通常时,通过11台第二真空泵12驱动,经真空配管13、入口集合配管14以及各自的入口配管15(包括后述的入口配管56)对加载锁定室2排气,实施使加载锁定室2成为规定的真空状态的氛围的运转、维持现有的真空状态的运转(待机运转)。
而且,使分隔阀58、第一入口开闭阀61以及第二入口开闭阀62为打开状态,且使开闭阀59为关闭状态。在该状态下,通过驱动第一真空泵41,第一真空泵41作为排气泵3a、4a、5a、6a、7a的辅助来运转。据此,加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的内部成为规定的真空状态,成为工序处理所需要的真空氛围。
在由压力检测构件65检测到第一真空泵41产生了问题的情况下,即、在导出了第一真空泵41的异常时,根据控制构件66的指令,使分隔阀58以及第一入口开闭阀61为关闭状态,使开闭阀59以及第二入口开闭阀62为打开状态。在该状态下,入口集合配管14和第二真空泵12S的入口配管56之间的流路被关闭,且第一真空泵41的入口配管60的流路被关闭。同时,连结配管57的流路被打开,且第二真空泵12S的入口配管56的流路被打开。
据此,第二真空泵12S被连接于排气泵3a、4a、5a、6a、7a,维持加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的真空状态。同时,通过入口集合配管14,继续进行加载锁定室2和其余的第二真空泵12的入口配管15的连接,维持加载锁定室2的运转状态。
因此,即使是在第一真空泵41产生了问题的情况下,通过由控制构件66自动开闭分隔阀58、开闭阀59、第一入口开闭阀61以及第二入口开闭阀62,能够不给加载锁定室2的运转状态带来影响地维持加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的真空状态。
通过在由第二真空泵12S维持着加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的真空状态的状态下,更换第一真空泵41,由控制构件66自动开闭分隔阀58、开闭阀59、第一入口开闭阀61以及第二入口开闭阀62,能够向通常的运转状态复原。即、能够向由第一真空泵41将加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7维持在规定的真空状态,且由11台第二真空泵12使加载锁定室2成为规定的真空状态的运转状态复原。
为此,即使在第一真空泵41产生问题,也使加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的排气继续进行,不会给真空处理装置的制造工艺流程造成障碍,不需要用于更换第一真空泵41的作业时间、使排气暂时停止在更换了第一真空泵41后进行排气至所希望的真空状态的时间,没有必要在长时间使制造工艺流程全部停止。其结果为,能够抑制真空处理装置的运行率的降低,使对制造工艺流程的影响为最小限度。
根据图3,说明第二实施例。
在图示的真空处理装置31的真空排气装置32中,在以由第二真空泵12维持加载锁定室2的现有的真空状态的方式进行运转(待机运转)的情况下以及在使第一真空泵41以规定的维持旋转进行运转的情况下,由一台第二真空泵12a(图中左起第六台)进行其它的第二真空泵12以及第一真空泵41的最终级的容积室的排气,维持其它的第二真空泵12以及第一真空泵41的最终级的真空。其它的结构与图2所示的第一实施例相同。
据此,待机运转时(维持旋转下的运转时)中的其它的第二真空泵12以及第一真空泵41的动力在理论上由于没有进行流体的输送,所以,仅仅成为机械损失,不使用辅助泵等,能够大幅削减第二真空泵12以及第一真空泵41的消耗电力。
对用于由一台第二真空泵12a维持其它的第二真空泵12以及第一真空泵41的最终级的真空的结构进行说明。
在第二真空泵12(除第二真空泵12a外)以及第一真空泵41的最终级的容积室(排气侧)上分别连接排气配管18的一端,具备连接着排气配管18的另一端的排气集合配管19。另一方面,在第二真空泵12(包括第二真空泵12a)的入口配管15上分别设置开闭阀21,第二真空泵12a的开闭阀21成为排气调整阀21a。遍及排气调整阀21a的第二真空泵12a侧和排气集合配管19地设置辅助配管22,在辅助配管22上设置辅助排气阀23(切换构件)。
辅助排气阀23与排气调整阀21a(开闭阀21)开闭的动作联动地进行开闭动作。也就是说,在排气调整阀21a(开闭阀21)打开的情况下,辅助排气阀23被关闭,通过所有的第二真空泵12的驱动,加载锁定室2成为规定的真空状态,且通过第一真空泵41的驱动,加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7被维持在规定的真空状态。
另外,在待机运转时,排气调整阀21a(开闭阀21)被关闭,且辅助排气阀23被打开,其它的第二真空泵12的最终级的容积室的流体以及第一真空泵41的流体由一台第二真空泵12a经排气配管18、排气集合配管19以及辅助配管22排气,维持真空状态。
另外,在入口集合配管14上设置压力传感器24,根据压力传感器24的检测信息,控制排气调整阀21a(开闭阀21)的开闭动作以及辅助排气阀23的开闭动作。也就是说,根据入口集合配管14的实际的压力(真空程度:加载锁定室2的真空程度),控制减压动作。
在基板的运送行程时等进行维持现有的真空状态的运转(待机运转)的情况下,排气调整阀21a(开闭阀21)被关闭,且辅助排气阀23被打开,一台第二真空泵12a以外的其它的第二真空泵12以及第一真空泵41的最终级的容积室的流体由第二真空泵12a经排气配管18、排气集合配管19以及辅助配管22排气,维持真空状态。
据此,待机运转时的其它的第二真空泵12的最终级的处理室没有向大气开放,其它的第二真空泵12不需要将最终级的处理室从大气减压到真空的动力。另外,第一真空泵41的与减压相伴的动力被降低。为此,第二真空泵12以及第一真空泵41的动力理论上仅为没有进行流体的输送的机械损失,能够不设置辅助泵等地大幅抑制第二真空泵12以及第一真空泵41的消耗电力。
因此,在上述的真空处理装置31中,即使在第一真空泵41产生了问题的情况下,也不会给加载锁定室2的运转状态带来影响,而能够维持加热室3、第一真空处理室4、第二真空处理室5、第三真空处理室6以及第四真空处理室7的真空状态,且能够大幅抑制第二真空泵12以及第一真空泵41的消耗电力。
产业上利用的可能性
本发明能够在将处理室排气为真空状态的真空排气装置以及真空排气方法的产业领域利用。
另外,本发明能够在连接了真空排气装置的真空处理装置的产业领域利用。
附图标记说明
1、31:真空处理装置;2:加载锁定室;3:加热室;4:第一真空处理室;5:第二真空处理室;6:第三真空处理室;7:第四真空处理室;11、32:真空排气装置;12、12a、55:第二真空泵;13:真空配管;14、54:入口集合配管;15、56、60:入口配管;16:消音器;17:排气系统;18:排气配管;19:排气集合配管;21:开闭阀;21a:排气调整阀;22:辅助配管;23:辅助排气阀;24:压力传感器;40:真空配管;41、53:第一真空泵;50:选择构件;51:第一真空处理室;52:第二真空处理室;57:连结配管;58:分隔阀;59:开闭阀;61:第一入口开闭阀;62:第二入口开闭阀;65:压力检测构件;66:控制构件。
Claims (7)
1.一种真空排气装置,其特征在于,具备:
第一真空泵,其与第一处理室连接,并使上述第一处理室成为规定的真空状态;
多个第二真空泵,它们由一个入口集合配管并列连接于第二处理室,并使上述第二处理室成为规定的真空状态;
连结配管,其从上述第一真空泵的入口配管延伸,并与上述入口集合配管连接;
流路选择构件,其选择将上述第一处理室以及上述第一真空泵连通的流路或者将上述第一处理室以及上述第二真空泵中的一台连通的流路中的任一个;
异常导出构件,其将上述第一真空泵的异常导出;和
控制构件,在由上述异常导出构件导出了上述第一真空泵的异常时,由上述流路选择构件选择将上述第一处理室以及上述多个第二真空泵中的一台连通的流路,维持上述第一处理室的规定的真空状态。
2.如权利要求1所述的真空排气装置,其特征在于,
上述流路选择构件具备:
分隔阀,其将上述多个第二真空泵中的一台的入口配管的上述连结配管侧的部位的上述入口集合配管分隔;
开闭阀,其开闭上述连结配管的流路;
第一入口开闭阀,其将连接上述连结配管的部位的后流侧的上述第一真空泵的入口配管的流路进行开闭;和
第二入口开闭阀,其开闭上述入口集合配管的后流侧中的上述多个第二真空泵中的一台的入口配管,
上述控制构件在由上述异常导出构件导出上述第一真空泵的异常时,由上述分隔阀将上述入口集合配管和上述多个第二真空泵中的一台的入口配管之间的流路关闭,且由上述第一入口开闭阀将上述第一真空泵的入口配管的流路关闭,另一方面,由上述开闭阀将上述连结配管的流路打开,且由上述第二入口开闭阀将上述多个第二真空泵中的一台的入口配管的流路打开,将上述多个第二真空泵中的一台连接于上述第一处理室,维持上述第一处理室的规定的真空状态。
3.如权利要求1或2所述的真空排气装置,其特征在于,
上述第一处理室由多个处理室构成,上述处理室分别具备排气泵,上述第一真空泵与每一个上述排气泵连接,作为上述排气泵的辅助来运转。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的真空排气装置,其特征在于,
上述异常导出构件是计量上述第一真空泵的上游侧的流路的真空程度的压力计量构件。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的真空排气装置,其特征在于,具备:
出口集合管,其连通上述第二真空泵的出口侧;
辅助配管,其将至少一台上述第二真空泵的入口配管和上述出口集合管连接;和
切换构件,其将至少一台上述第二真空泵的上述入口配管的流路向上述入口集合管侧或者上述辅助配管侧切换。
6.一种真空处理装置,其特征在于,权利要求1至5中的任一项所述的上述第一处理室是运入基板并进行规定的处理的基板处理室。
7.一种真空排气方法,其特征在于,在由第一真空泵使第一处理室成为规定的真空状态,且由并列配置的多个第二真空泵使第二处理室成为规定的真空状态时,在上述第一真空泵产生异常的情况下,将上述多个第二真空泵中的一台连接于上述第一处理室,维持上述第一处理室的真空状态。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104078395A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-01 | 上海华力微电子有限公司 | 一种半导体设备不间断真空系统 |
CN105047581A (zh) * | 2014-04-25 | 2015-11-11 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
CN105829723A (zh) * | 2013-11-19 | 2016-08-03 | 厄利孔莱博尔德真空有限责任公司 | 真空泵系统和用于操作真空泵系统的方法 |
CN107799445A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-13 | 德淮半导体有限公司 | 用于半导体工艺腔的泵系统 |
CN108486543A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-09-04 | 惠科股份有限公司 | 基板成膜机台及使用方法 |
CN108593198A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统 |
CN110462269A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-11-15 | 株式会社富士金 | 流量控制装置及流量控制装置的流量控制方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2793622B1 (de) | 2011-12-21 | 2019-02-27 | Merck Patent GmbH | Verwendung von cyclohexanolderivaten als antimikrobielle wirkstoffe |
US10978315B2 (en) | 2014-05-30 | 2021-04-13 | Ebara Corporation | Vacuum evacuation system |
CN105552001B (zh) * | 2015-12-10 | 2018-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种真空系统 |
KR101958411B1 (ko) | 2018-08-28 | 2019-03-14 | 한국알박(주) | 막 증착 장치 및 방법 |
CN111312841A (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | 汉能移动能源控股集团有限公司 | 一种抽真空装置及层压系统 |
JP6786668B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2020-11-18 | 株式会社荏原製作所 | 真空排気システム |
KR102472781B1 (ko) | 2020-07-01 | 2022-11-30 | 강혁권 | 치과용 석션 장치 |
KR200495072Y1 (ko) * | 2020-08-21 | 2022-02-25 | 주식회사 한국가스기술공사 | 기어박스 수분제거용 고압 흡입기 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56146083A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Vacuum exhaust system |
JP2003083248A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Ebara Corp | 真空排気システム |
JP2004218648A (ja) * | 1999-03-05 | 2004-08-05 | Tadahiro Omi | 真空装置 |
CN1541307A (zh) * | 2001-09-06 | 2004-10-27 | ���ƹɷ�����˾ | 真空排气装置以及真空排气装置的运转方法 |
CN1637283A (zh) * | 2003-12-31 | 2005-07-13 | 波克股份有限公司 | 用于真空加工腔室的控制、抽吸和去除的设备和方法 |
CN1888426A (zh) * | 2005-06-27 | 2007-01-03 | 建国科技大学 | 多级式抽真空装置及其抽真空方法 |
JP2010167338A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Renesas Electronics Corp | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4112659B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-07-02 | 大陽日酸株式会社 | 希ガスの回収方法及び装置 |
JP4585198B2 (ja) | 2002-12-27 | 2010-11-24 | 武田薬品工業株式会社 | 体重増加抑制剤 |
JP2010167388A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Emprie Technology Development LLC | ナノポーラス表面を有する製品の製造方法 |
-
2011
- 2011-12-22 KR KR1020137012065A patent/KR101410076B1/ko active IP Right Grant
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- 2011-12-22 CN CN201180057050.8A patent/CN103228914B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56146083A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Vacuum exhaust system |
JP2004218648A (ja) * | 1999-03-05 | 2004-08-05 | Tadahiro Omi | 真空装置 |
JP2003083248A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Ebara Corp | 真空排気システム |
CN1541307A (zh) * | 2001-09-06 | 2004-10-27 | ���ƹɷ�����˾ | 真空排气装置以及真空排气装置的运转方法 |
CN1637283A (zh) * | 2003-12-31 | 2005-07-13 | 波克股份有限公司 | 用于真空加工腔室的控制、抽吸和去除的设备和方法 |
CN1888426A (zh) * | 2005-06-27 | 2007-01-03 | 建国科技大学 | 多级式抽真空装置及其抽真空方法 |
JP2010167338A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Renesas Electronics Corp | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105829723A (zh) * | 2013-11-19 | 2016-08-03 | 厄利孔莱博尔德真空有限责任公司 | 真空泵系统和用于操作真空泵系统的方法 |
CN105829723B (zh) * | 2013-11-19 | 2018-02-16 | 莱宝有限公司 | 真空泵系统和用于操作真空泵系统的方法 |
CN105047581A (zh) * | 2014-04-25 | 2015-11-11 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
CN104078395A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-01 | 上海华力微电子有限公司 | 一种半导体设备不间断真空系统 |
CN110462269A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-11-15 | 株式会社富士金 | 流量控制装置及流量控制装置的流量控制方法 |
CN110462269B (zh) * | 2017-06-22 | 2021-06-15 | 株式会社富士金 | 流量控制装置及流量控制装置的流量控制方法 |
CN107799445A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-13 | 德淮半导体有限公司 | 用于半导体工艺腔的泵系统 |
CN108486543A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-09-04 | 惠科股份有限公司 | 基板成膜机台及使用方法 |
US11466363B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-10-11 | HKC Corporation Limited | Substrate film forming machine table and usage method |
CN108593198A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012086767A1 (ja) | 2012-06-28 |
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KR101410076B1 (ko) | 2014-06-25 |
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