CN104078395A - 一种半导体设备不间断真空系统 - Google Patents

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CN104078395A CN201410331325.8A CN201410331325A CN104078395A CN 104078395 A CN104078395 A CN 104078395A CN 201410331325 A CN201410331325 A CN 201410331325A CN 104078395 A CN104078395 A CN 104078395A
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邓尚上
赖朝荣
苏俊铭
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Shanghai Huali Microelectronics Corp
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Shanghai Huali Microelectronics Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

本发明提供了一种半导体设备不间断真空系统，包括：第一计量器、主泵、备用泵和处理装置；其中，处理装置被连接至第一计量器、主泵和备用泵以从第一计量器接收信号并控制主泵和备用泵；主泵用于对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态；备用泵在启动时用于对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态；其中，第一计量器监控主泵的运作状态，并将主泵的运作状态实时反馈给计算机系统。计算机系统在根据从第一计量器接收到的主泵的运作状态判断主泵工作异常时计算主泵工作异常的持续时间，并且在所述持续时间超过设定响应时间启动备用泵对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态。

Description

一种半导体设备不间断真空系统
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种半导体设备不间断真空系统。
背景技术
真空系统在半导体制造领域中被广泛使用，通常采用各种类型的泵组成真空系统，常见的有干泵，分子泵，冷凝泵等。随着半导体产业的发展，以及半导体制程研发的不断创新，真空技术尤为重要，并且对真空度的要求越来越高。
真空会对许多关键参数指标产生决定性的影响，例如真空在离子注入技术中影响：剂量，颗粒或金属污染，束流稳定性等。
在实际生产中遇到许多与真空系统有关的技术难题，例如：关键工艺区域的泵发生异常导致整个真空系统崩溃，大量制品受到影响而报废；关键区域的泵异常后导致真空条件变差，导致制品相关核心电性参数异常；与工艺腔或者工艺管路相连接的泵异常可能导致相关阀门，管路受损，甚至导致倒冲，倒灌，造成颗粒，金属污染等问题。采用不间断真空系统是其未来的发展趋势之一，选择不间断真空系统是半导体产业先进的发展方向。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种半导体设备不间断真空系统，其能够在主泵出现异常并且不能在设定响应时间内恢复时立刻切换至备用泵，从而减少相关连锁反应带来的腔体或者管路的颗粒、倒灌、污染等风险，维持整个真空系统的稳定。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种半导体设备不间断真空系统，其特征在于包括：第一计量器、主泵、备用泵和处理装置；其中，处理装置被连接至第一计量器、主泵和备用泵以从第一计量器接收信号并控制主泵和备用泵；主泵用于对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态；备用泵在启动时用于对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态；其中，第一计量器监控主泵的运作状态，并将主泵的运作状态实时反馈给计算机系统。
优选地，计算机系统在根据从第一计量器接收到的主泵的运作状态判断主泵工作异常时计算主泵工作异常的持续时间，并且在所述持续时间超过设定响应时间启动备用泵对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态。
优选地，所述持续时间未超过设定响应时间的情况下，计算机系统不启动备用泵。
优选地，设定响应时间是根据半导体设备的被抽真空的体积设定的。
优选地，设定响应时间介于一分钟至三十分钟的范围内。
优选地，所述半导体设备不间断真空系统还包括第二计量器，用于监控备用泵的运作状态，并将备用泵的运作状态实时反馈给计算机系统。
由此，本发明提供了一种半导体设备不间断真空系统，其能够在主泵出现异常并且不能在设定响应时间内恢复时立刻切换至备用泵，从而减少相关连锁反应带来的腔体或者管路的颗粒、倒灌、污染等风险，维持整个真空系统的稳定。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的半导体设备不间断真空系统的框图。
图2示意性地示出了根据本发明另一优选实施例的半导体设备不间断真空系统的框图。
图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的半导体设备不间断真空系统的操作流程示例的示意图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的半导体设备不间断真空系统的框图。
如图1所示，根据本发明优选实施例的半导体设备不间断真空系统包括：第一计量器10、主泵30、备用泵40和处理装置(例如，计算机系统100)。
其中，处理装置被连接至第一计量器10、主泵30和备用泵40以从第一计量器10接收信号并控制主泵30和备用泵40。
主泵30用于对半导体设备200抽真空和/或保持半导体设备200的真空状态；备用泵40在启动时用于对半导体设备200抽真空和/或保持半导体设备200的真空状态。
其中，第一计量器10监控主泵30的运作状态，并将主泵30的运作状态实时反馈给计算机系统100。
其中，例如，计算机系统100在根据从第一计量器10接收到的主泵30的运作状态判断主泵30工作异常时(例如停止工作或者抽真空能力下降等)计算主泵30工作异常的持续时间，并且在所述持续时间超过设定响应时间(例如，一分钟至三十分钟的范围内的任意时间，例如三分钟，可根据半导体设备200的被抽真空的体积进行设定)启动备用泵40对半导体设备200抽真空和/或保持半导体设备200的真空状态。
而且，例如，所述持续时间未超过设定响应时间的情况下(即，主泵30工作异常的时间不超过设定响应时间)，计算机系统100可不启动备用泵40。
图2示意性地示出了根据本发明另一优选实施例的半导体设备不间断真空系统的框图。如图2所示，优选地，根据本发明另一优选实施例的半导体设备不间断真空系统还包括第二计量器20，用于监控备用泵40的运作状态，并将备用泵40的运作状态实时反馈给计算机系统100。
由此，本发明的优选实施例提供了一种半导体设备不间断真空系统，其能够在主泵出现异常并且不能在设定响应时间内恢复时立刻切换至备用泵，从而减少相关连锁反应带来的腔体或者管路的颗粒、倒灌、污染等风险，维持整个真空系统的稳定。
图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的半导体设备不间断真空系统的操作流程示例的示意图。
如图3所示，在主泵30正常工作时，由第一计量器10监控主泵30的运作状态，并由第一计量器10持续实时反馈主泵30的运作状态给计算机系统。在主泵30出现异常且能在设定的响应时间内恢复时，计算机系统100使得主泵30继续响应工作；在主泵30出现异常并且不能在设定响应时间内恢复时，计算机系统100立刻切换至备用泵40，维持整个真空系统的稳定。
在优选地配备了第二计量器20的情况下，计算机系统100在根据从第二计量器20传递过来的备用泵40的运作状态判断备用泵20工作异常时，可结束相关工艺流程。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种半导体设备不间断真空系统，其特征在于包括：第一计量器、主泵、备用泵和处理装置；其中，处理装置被连接至第一计量器、主泵和备用泵以从第一计量器接收信号并控制主泵和备用泵；主泵用于对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态；备用泵在启动时用于对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态；其中，第一计量器监控主泵的运作状态，并将主泵的运作状态实时反馈给计算机系统。
2.根据权利要求1所述的半导体设备不间断真空系统，其特征在于，计算机系统在根据从第一计量器接收到的主泵的运作状态判断主泵工作异常时计算主泵工作异常的持续时间，并且在所述持续时间超过设定响应时间启动备用泵对半导体设备抽真空和/或保持半导体设备的真空状态。
3.根据权利要求2所述的半导体设备不间断真空系统，其特征在于，所述持续时间未超过设定响应时间的情况下，计算机系统不启动备用泵。
4.根据权利要求2所述的半导体设备不间断真空系统，其特征在于，设定响应时间是根据半导体设备的被抽真空的体积设定的。
5.根据权利要求2所述的半导体设备不间断真空系统，其特征在于，设定响应时间介于一分钟至三十分钟的范围内。
6.根据权利要求1或2所述的半导体设备不间断真空系统，其特征在于还包括第二计量器，用于监控备用泵的运作状态，并将备用泵的运作状态实时反馈给计算机系统。
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