JP2013225659A - 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】ダミーキャリアが再投入された際に、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことができるようにする。
【解決手段】所定枚数の各種基板を処理する処理室と、少なくとも各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、ダミーキャリアが基板収容部上から搬出されるときのダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持する記憶部と、ダミーキャリアが基板収容部に再投入されると記憶部が保持する膜厚値に基づいてダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定する管理部と、を少なくとも備えて基板処理装置を構成する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、複数の基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置、そのメンテナンス方法及びプログラムに関する。

複数の基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置において、ダミー基板を用いる場合の一般的な運用方法としては、複数のダミー基板を収納したダミーキャリアを基板処理装置内に常駐させ、製品基板が処理室内で処理可能な基板枚数に満たない場合、ダミーキャリアから不足分のダミー基板を搬出し、空きスペースをダミー基板で埋めることにより、処理室内の処理の均一化を図るというものがある。この場合、ダミー基板は繰り返し使用されるため、例えば基板処理が成膜処理であると、複数回使用されるうちにダミー基板上には堆積膜が累積していく。

そのため、ダミー基板を用いる場合には、従来からダミー基板の累積膜厚の管理及びこの累積膜厚に基づくダミーキャリアの交換が行われている。例えば、特許文献１では、累積膜厚と該累積膜厚に関するダミーキャリア交換条件の両方に応じて、次に使用するダミー基板を選択することが記載されている。また、カセット識別子と、カセットに保持されているダミー基板の枚数と、カセット内のダミー基板のマップ情報とを保持しておき、ダミーキャリアが交換されて新しいダミーキャリアが装置内に供給されたときに、各ダミー基板の累積膜厚値のカウンタをゼロクリアすることが記載されている。このように、従来、縦型装置などでダミーキャリアが交換されると同時にダミー基板が交換されるため、各ダミー基板の累積膜厚値はリセットされていた。枚葉装置においても同様に累積膜厚値を管理しており、累積膜厚値が閾値に達したときにアラームを発生し、ダミーキャリアが交換されないと次の処理を行えないようにしている。このため、ダミーキャリアが交換されると、累積膜厚値がゼロクリアされるように構成されている。

特許第４２９４９７２号公報

しかしながら、ダミーキャリアが基板処理装置内から搬出される場合に、ダミー基板の累積膜厚値がゼロクリアされてしまうと、不都合が生じる場合がある。枚葉装置においては、累積膜厚値が閾値に到達しなくても、メンテナンス作業や突発的な異常発生による復旧処理などを行う際に、ダミーキャリアが払い出されることがある。このような場合、実際にダミー基板に累積している膜厚値と装置コントローラ部が認識している膜厚値との乖離が発生して累積膜厚値の管理ができなくなる。現状は、メンテナンス作業や復旧処理などが終了してダミーキャリアを再投入した後、ノート等にメモしておいた累積膜厚値について再度入力作業をしなければならないという手間が生じている。

本発明の目的は、ダミーキャリアが再投入された際に、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことができる基板処理装置、メンテナンス方法およびプログラムを提供することにある。

本発明の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を処理する処理室と、
少なくとも前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持する記憶部と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定する管理部と、
を備えた基板処理装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
所定枚数の各種基板を処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
前記基板処理装置の定期メンテナンスのために、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記定期メンテナンスの後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
他装置で使用したダミー基板を収納したダミーキャリアを前記基板収容部上に投入する工程と、
前記基板収容部上に投入されたダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値についての情報を取得する工程と、
取得情報に基づき前記基板収容部上のダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記基板収容部上にダミーキャリアが投入された後における当該ダミーキャリア内の各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種である製品基板を収納したキャリアまたは前記各種基板の他の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
前記製品基板を収納した前記キャリアを前記基板収容部上に載置する載置工程と、
前記基板収容部上の前記キャリアから搬出した前記製品基板に対する処理を前記処理室内にて行う処理工程と、
前記載置工程を開始する前に、前記ダミー基板を収納した前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
前記処理工程の後に、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記ダミーキャリアの再投入後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置に接続されて用いられるコンピュータに、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持するステップと、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定するステップと、
を実行させるプログラムが提供される。

本発明によれば、基板処理装置において、ダミーキャリアが再投入された際に、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことができる。

本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の装置コントローラ部の概略構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の装置コントローラ部で管理するダミー基板についての情報の一具体例を示す説明図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の操作部が管理するメンテナンス情報の一具体例を示す説明図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の装置コントローラ部における機能構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置でのダミーキャリア再投入時の処理動作の一例を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置でのダミーキャリア再投入時のメンテナンス情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置でのダミーキャリア再投入時のダミー基板情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置でのダミーキャリア再投入時の自動設定処理の動作例を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置でのダミーキャリア再投入時のメンテナンス情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置でのダミーキャリア再投入時のダミー基板情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。

＜本発明の第１の実施形態＞
以下に、本発明の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。

（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る基板処理装置は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを実行することで基板に対する処理を行うものであり、複数枚の基板に対して同時に処理を行う多枚葉式の基板処理装置として構成されたものである。

処理対象となる基板としては、例えば、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「製品基板」という。）が挙げられる。さらには、例えば、処理室内の処理の均一化を図るべく、製品基板が処理室内で処理可能な基板枚数に満たない場合に空きスペースに配置されるダミー基板についても、処理対象となる基板に含まれる。

これら製品基板やダミー基板等に対して行う処理としては、エッチング、アッシング、成膜処理等が挙げられるが、本実施形態では特に成膜処理を行うものとする。成膜処理の典型的な例としては、化学反応による成膜（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理がある。

以下、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略構成図である。

図１に示すように、基板処理装置１０は、真空側と大気側とに分れている。

（真空側の構成）
基板処理装置１０の真空側には、真空気密可能な真空搬送室ＴＭ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）と、予備室としてのロードロック室ＬＭ（Ｌｏａｄ Ｌｏｃｋ Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＬＭ２と、複数の基板Ｗを一括処理する処理室としてのプロセスチャンバＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＰＭ２と、が設けられている。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、真空搬送室ＴＭの外周を囲むように配置されている。

真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることができる構造に構成されている。なお、本実施形態において、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。

真空搬送室ＴＭ内には、搬送手段としての真空ロボットＶＲが設けられている。真空ロボットＶＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２との間で、シリコン（Ｓｉ）等からなる製品基板やダミー基板等の基板Ｗの搬送を基板載置部である２本のアームに載せることで相互に行う。なお、真空ロボットＶＲは、真空搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。また、２本のアームはそれぞれ水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。また、真空搬送室ＴＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Ｗの存在を検知できるように構成されている。

プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、基板Ｗが載置される基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５およびＳＴ２１〜ＳＴ２５をそれぞれ備え、例えば基板Ｗを５枚ずつ一括処理する多枚葉式の処理室として構成されている。すなわち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、それぞれが化学反応によるＣＶＤなど、基板Ｗに付加価値を与える処理室として機能する。また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、その機能に応じた各種の構成、例えばガス導入・排気機構や温度制御・プラズマ放電機構（いずれも図示せず）を備えている。

また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、図示しないゲートバルブを介して真空搬送室ＴＭとそれぞれ連通している。したがって、ゲートバルブを開けることにより、真空搬送室ＴＭとの間で基板Ｗの搬送を行うことが可能である。また、ゲートバルブを閉じることにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力や処理ガス雰囲気を保持したまま、基板Ｗに対して各種の基板処理を行うことが可能である。

ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空搬送室ＴＭ内へ基板Ｗを搬入する予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内から基板Ｗを搬出する予備室として機能する。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部には、基板Ｗを搬入搬出する際、基板Ｗを一時的に支持する基板載置部としての図示しないバッファステージが、それぞれ設けられている。バッファステージは、複数枚（例えば２枚）の基板Ｗを保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。

また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、図示しないゲートバルブを介して真空搬送室ＴＭとそれぞれ連通しており、また、図示しないゲートバルブを介して後述する大気搬送室ＥＦＥＭとそれぞれ連通している。したがって、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを閉じたまま、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と大気搬送室ＥＦＥＭとの間で基板Ｗの搬送を行うことが可能である。

また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来る構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを閉じてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部を真空排気した後で、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と真空搬送室ＴＭとの間で、基板Ｗの搬送を行うことが可能である。

（大気側の構成）
一方、基板処理装置１０の大気側には、上述の通り、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２に接続されたフロントモジュールである大気搬送室ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）と、大気搬送室ＥＦＥＭに接続され、例えば１ロット分、２５枚の基板Ｗを収納した基板収納手段としてのキャリアＣＡ１〜ＣＡ３を載置する基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。

大気搬送室ＥＦＥＭ内には、搬送手段としての大気ロボットＡＲが例えば１台設けられている。大気ロボットＡＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間で基板Ｗの搬送を相互に行なう。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板載置部である２本のアームを有する。また、大気搬送室ＥＦＥＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Ｗの存在を検知できるように構成されている。

なお、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、基板位置補正装置として、基板Ｗの結晶方位の位置合わせ等を行う図示しないオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置が設けられている。基板Ｗがノッチタイプであるときは、基板位置補正装置としてのノッチ合わせ装置を設けることも可能である。また、大気搬送室ＥＦＥＭには、大気搬送室ＥＦＥＭの内部にクリーンエアを供給する図示しないクリーンエアユニットが設けられている。

各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３は、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に、複数枚の基板Ｗを収納する基板収納手段としてのキャリアＣＡ１〜ＣＡ３をそれぞれ載置するように構成される。キャリアＣＡ１〜ＣＡ３内には、基板Ｗをそれぞれ収納する収納部としてのスロット（図示せず）が例えば１ロット分、２５スロット設けられている。各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３はキャリアＣＡ１〜ＣＡ３が載置されると、キャリアＣＡ１〜ＣＡ３に付され、キャリアＣＡ１〜ＣＡ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード等を読み取って記憶するよう構成される。

また、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のうち、例えばロードポートＬＰ３には、ダミー基板としての基板Ｗを収納するキャリア（以下「ダミーキャリア」という。）Ｃ３が常駐されている。製品基板としての基板Ｗは、例えばキャリアＣＡ１又はキャリアＣＡ２に収納され、ロードポートＬＰ１又はロードポートＬＰ２に載置され、基板処理装置１０内に搬送されて各種の基板処理を受けることとなる。なお、基板処理装置１０の基板処理能力の向上を図るため、また、多品種小ロット化に伴って製品基板用の搬送スペースを多数確保する必要があるため、基板処理装置１０内に常駐されるダミーキャリアＣ３は１つに留めることが望ましい。

以上、本実施形態の基板処理装置１０について説明をしたが、各室の数や構成、組み合わせは上記に限られず、適宜、選択することができる。

（２）装置コントローラ部の構成
以上のように構成された基板処理装置１０は、その処理動作が装置コントローラ部２０からの指示によって制御される。装置コントローラ部２０は、基板処理装置１０の内部に設けられたものであってもよいし、あるいは基板処理装置１０とは別体で設置されて通信回線等を介して電気的に接続されるものであってもよい。

以下、本実施形態に係る装置コントローラ部２０の構成を図面に基づいて説明する。図２は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１０の装置コントローラ部２０の概略構成の一例を示すブロック図である。

図２に示すように、装置コントローラ部２０は、大別すると、操作部２２と、制御部クラスタコントローラ（以下、クラスタコントローラを「ＣＣ」と略す。）２３と、制御部プロセスモジュールコントローラ（以下、プロセスモジュールコントローラを「ＰＭＣ」と略す。）２４と、を備えて構成されている。これらの操作部２２、制御部ＣＣ２３及び制御部ＰＭＣ２４は、いずれもコンピュータとしての機能を有して構築されたものである。なお、ここでいうコンピュータは、プログラムを実行することでそのプログラムで指示された情報処理を行うものであり、その一例としてはＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、メモリ、入出力装置等の組み合わせによって構成されたものが挙げられる。

操作部２２、制御部ＣＣ２３及び制御部ＰＭＣ２４は、スイッチングハブ２５を介して、ＬＡＮ等の通信ネットワークにより相互に接続されている。なお、スイッチングハブ２５には、他にも、真空搬送室ＴＭが備える真空ロボットＶＲと大気搬室ＥＦＥＭが備える大気ロボットＡＲとを制御するロボットコントローラ２６が接続されている。

操作部２２は、ディスプレイ装置等の出力装置とキーボード及びマウス等の入力装置とを備えており、オペレータ（操作者）に対する情報出力を行うとともに、オペレータからの情報入力を受け付けるように構成されている。さらに、操作部２２は、所定プログラムを実行することにより、システム制御コマンドの指示、モニタ内容の表示、ロギングデータの保持、アラーム解析、パラメータ編集などの処理を行う機能を有している。

制御部ＣＣ２３は、システム全体の運用制御、真空ロボットＶＲのコントロール制御、大気ロボットＡＲのコントロール制御、真空搬送室ＴＭの排気系制御などの処理を行う機能を有している。真空搬送室ＴＭの排気系制御には、排気するガス流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の動作制御、排気用バルブのオン／オフ制御、排気ポンプの動作制御などが含まれる。つまり、制御部ＣＣ２３は、操作部２２で作成又は編集されたシーケンスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を搬送する際の制御データ（制御指示）を、真空ロボットＶＲや大気ロボットＡＲ、各種バルブ、スイッチ等に対して出力し、基板処理装置１０内における基板Ｗの搬送を制御するように構成されている。そのために、制御部ＣＣ２３には、排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ２３ａと、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ２３ｂとが、シーケンサ２３ｃを介してそれぞれ接続されている。また、制御部ＣＣ２３では、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されたキャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３を識別するために、当該キャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３のキャリアＩＤを示すバーコード１，２，３・・・を読み取る機能も有している。

制御部ＰＭＣ２４は、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を個別に制御する機能を有している。つまり、制御部ＰＭＣ２４は、操作部２２で作成又は編集されたプロセスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を処理する際の制御データ（制御指示）を、圧力コントローラ２４ａや、処理ガスの供給・排気用バルブ、各種スイッチ、ＭＦＣ、温度調整器等に対して出力し、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内における基板処理の制御を行うように構成されている。そのために、制御部ＰＭＣ２４には、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ２４ａが接続されているとともに、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ２４ｂ、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ２４ｃが、シーケンサ２４ｄを介してそれぞれ接続されている。

なお、装置コントローラ部２０は、操作部２２、制御部ＣＣ２３及び制御部ＰＭＣ２４等の他にも、記憶装置２７を備えている。記憶装置２７は、例えばＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やハードディスク装置等の不揮発性記憶装置として構成されている。記憶装置２７は、基板処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、レシピは、後述する基板処理工程における各手順を装置コントローラ部２０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、この制御プログラムやレシピ等を総称して、単にプログラムともいう。記憶装置２７が記憶する各種プログラムには、詳細を後述する「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」が含まれている。

なお、装置コントローラ部２０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２８を用意し、係る外部記憶装置２８を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係る装置コントローラ部２０を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１８を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置２８を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置２７や外部記憶装置２８は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２７単体のみを含む場合、外部記憶装置２８単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

（３）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１０の動作について、図１を参照しながら説明する。以下の説明において、基板処理装置１０の各部の動作は装置コントローラ部２０により制御される。その制御に従いつつ基板処理装置１０が行う基板処理工程は、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。

（基板搬入）
基板処理工程では、先ず、スタンバイ処理として、真空搬送室ＴＭ内及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内を真空排気して、真空搬送圧の状態にしておく。また、併せて、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、略大気圧になるようにクリーンエアを供給する。

その後、例えば複数枚の基板Ｗを収納したキャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３のいずれかがロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のいずれかに載置（投入）されると、キャリアＩＤの読み取り結果等を基にして、投入されたキャリアが製品基板、ダミー基板のいずれを収納するものであるかを判定する。

ここで、ホストコンピュータ３０又は操作部２２からジョブを実行する旨のコマンド指示を受けると、制御部ＣＣ２３は、大気ロボットＡＲを制御するロボットコントローラ２６に対して、基板Ｗについてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２のいずれかへの搬入を指示する。そして、基板Ｗがロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２のいずれかへ搬入されると、その基板Ｗが搬入されたいずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部を真空排気する。

いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内を所定の圧力まで減圧したら、制御部ＣＣ２３は、真空ロボットＶＲを制御するロボットコントローラ２６に対して、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内に搬入された基板Ｗについて、真空搬送室ＴＭ内を経た後に、例えばプロセスチャンバＰＭ１内への搬入を指示する。基板ＷのプロセスチャンバＰＭ１内への搬入は、例えばプロセスチャンバＰＭ１内にて処理可能な基板枚数の基板Ｗが搬入され、プロセスチャンバＰＭ１内の全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５が埋まるまで繰り返される。

（プロセスチャンバ内での処理）
所定の基板枚数の基板ＷがプロセスチャンバＰＭ１内に搬送された後は、プロセスチャンバＰＭ１内に処理ガスを供給したり基板Ｗを加熱したりなどして、基板Ｗに対して所定の処理、例えばプラズマ等を用いた成膜処理等を実施する。このとき、プロセスチャンバＰＭ２内においても、同一の、或いは異なる内容の基板処理が同時進行される場合もある。

このとき、全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５を埋めることなく、１バッチの基板枚数に満たない状態で基板処理を行った場合、基板Ｗが搬入されなかった基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５には、基板処理の内容に応じて、不要の成膜やエッチング処理等が施されてしまう。特に、プラズマを用いた基板処理では、プラズマ電極ともなる基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に電気的特性の変化やそれに伴う基板処理性能の変化が生じ、成膜特性やエッチング特性が悪化してしまう。

このことから、本実施形態の基板処理装置１０では、製品基板で全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５を埋めてから基板処理が施される。たとえ製品基板で全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５が埋まらない場合でも、製品基板とダミー基板とを組み合わせて１バッチとするように構成されている。よって、全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に基板Ｗが載置されて、基板処理が施されるので、成膜特性やエッチング特性等の基板処理特性が安定する。

プロセスチャンバＰＭ１内における基板Ｗの処理が完了すると、装置コントローラ部２０では、プロセスチャンバＰＭ１のステータスが更新される。具体的には、例えばプロセスチャンバＰＭ１内に形成された堆積膜の累積膜厚値である「ＰＭ累積膜厚値」が更新される。また、これと併せて、詳細を後述するように、ダミー基板についてのステータスも更新される。

なお、以上のような処理は、プロセスチャンバＰＭ１内のみならず、プロセスチャンバＰＭ２内においても、同様に行われる。

（基板搬出）
必要な処理が全て完了したら、上述した基板搬入の場合とは逆の手順で、例えばプロセスチャンバＰＭ１内部の基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に設置されている処理済の基板Ｗを搬出する。これにより、処理済みの製品基板は、例えばロードポートＬＰ１に載置されたキャリアＣＡ１に搬出されて空きスロットに収納される。また、ダミー基板については、例えばロードポートＬＰ３に載置されたダミーキャリアＣ３に搬出されて空きスロットに収納される。処理済みの全ての基板Ｗを所定のキャリアＣＡ１，Ｃ３等に収納したら、ダミー基板を収納したダミーキャリアＣ３はロードポートＬＰ３に常駐させたまま、処理済みの製品基板を収納したキャリアＣＡ１をロードポートＬＰ１から搬出して、基板処理工程を完了する。

（４）ダミー基板の運用
次に、上述した基板処理工程における一連の処理動作でのダミー基板の運用について、さらに詳しく説明する。

（ダミー基板の用途）
本実施形態の基板処理装置１０では、ダミー基板を、以下に述べる二つの用途で使用する。

第１の用途としては、製品基板がプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での一括処理枚数に満たない場合、不足枚数の補充にダミー基板が用いられる。すなわち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内で製品基板を処理する際に、基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５に空きスペースがあると、その空きスペースを埋めるためにダミー基板が用いられる。このような空きスペースをダミー基板で埋めることにより、当該空きスペースへの不要な成膜を防止することができ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での処理の均一化が図れるようになる。特に、プラズマ処理の場合は、不要な処理によるプラズマ電極の電気的特性の変化、それに伴う成膜状態の変化が生じ、その結果として成膜特性の劣化が生じ得るため、これを防止するために非常に有用である。

第２の用途としては、不良またはトラブルが発生した基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５で製品基板が処理されるのを抑制するためにダミー基板が用いられる。すなわち、不良またはトラブルが発生した基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５に対して、製品基板に代わってダミー基板が搬入されて用いられる。具体的には、基板載置台毎のヒータを検討する向きもあり、その場合には基板載置台毎に特性が異なってしまうため、ダミー基板を用いることで製品基板に悪影響が及ぶのを回避できる。また、熱電対引き出し線がある基板載置台の下を通過している場合には、その基板載置台の特性が異なっている可能性もあるが、その場合にもダミー基板を用いることで製品基板に悪影響が及ぶのを回避できる。さらには、ダミー基板を用いることで、プロセス条件出しにて製品基板の搬入枚数や基板載置台等を固定できるという利点も得られる。

このように、ダミー基板については、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での一括処理枚数となるように、また、不良／トラブル発生基板載置台への搬入のために、制御部ＣＣ２３からの指示に従いつつ、自動的に基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５上に載置されて用いられる。これにより、操作部２２を操作するオペレータは、ロットスタート画面にて製品基板のみ指定すればよい。

（ダミー基板の膜厚管理）
ところで、ダミー基板は、繰り返し使用されるので、例えば基板処理が成膜処理であると、複数回使用されるうちに堆積膜が累積していく。そのため、ダミー基板を過剰に使用すると、累積膜厚が増大し、パーティクルが発生し、また膜応力の過多や繰り返し使用による熱履歴によりダミー基板の反りや変形等が発生してしまい、搬送エラーを起こしやすくなる。このことから、本実施形態の基板処理装置１０では、装置コントローラ部２０がダミー基板の累積膜厚を管理する。

累積膜厚の管理は、操作部２２と制御部ＣＣ２３の少なくとも一方がダミー基板についての情報を記憶保持することによって行う。図３は、ダミー基板についての情報の一具体例を示す説明図である。

図３に示すように、操作部２２と制御部ＣＣ２３の少なくとも一方は、ダミーキャリアＣ３に収納される１ロット分（例えば２５枚）を一つの単位として、そこに収納される各ダミー基板についての情報を記憶保持する。ダミー基板についての情報には、当該ダミー基板の累積膜厚値が含まれている。そして、必要に応じて（例えばプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での処理が行われる度に）、記憶保持している情報の更新を行う。

このようにして、操作部２２と制御部ＣＣ２３の少なくとも一方は、ダミー基板についてのステータス、特にダミー基板の累積膜厚値を含む情報を管理する。なお、管理する情報（特に累積膜厚値）は、ダミー基板についてのモニタ情報として、操作部２２からオペレータに対して表示出力されるようになっている。

また、ダミー基板の累積膜厚値は、予め設定されている閾値と比較され、当該閾値に達したか否か、すなわち当該ダミー基板の交換が必要であるか否か判断される。

この判断に用いられる閾値は、操作部２２が管理するメンテナンス情報の一つとして、その設定が行われる。図４は、メンテナンス情報の一具体例を示す説明図である。

図４に示すように、閾値の設定にあたり、操作部２２は、メンテナンス情報の管理画面を、オペレータに対して表示出力する。そして、その管理画面上にて「ダミー基板累積膜厚」が選択されると、操作部２２は、閾値の入力設定を行えるようにする。入力設定される閾値には、アラート（警報）閾値とアラーム（警告）閾値との二段階がある。

また、メンテナンス情報の管理画面には、累積膜厚を管理している一単位分のダミー基板のうちで累積膜厚値が最大の値が、モニタ表示されている。そして、アラート閾値及びアラーム閾値が設定入力された後、操作部２２は、モニタ表示中の累積膜厚値がアラート閾値またはアラーム閾値への到達を監視している。

累積膜厚値がアラート閾値に到達した場合、操作部２２は、交換用のダミーキャリアの準備を促すべく、例えば表示画面上における累積膜厚表示エリアの背景色をアラート色（例えば黄色）で表示することでアラート出力を行うとともに、ホストコンピュータ３０へのアラート報告を行う。また、累積膜厚値がアラーム閾値に到達した場合、操作部２２は、使用限界を超過したダミー基板の使用を禁止すべく、例えば表示画面上における累積膜厚表示エリアの背景色をアラーム色（例えば赤色）で表示することでアラーム出力を行うとともに、ホストコンピュータ３０へのアラーム報告を行う。その上で、操作部２２は、さらに、実行中の全ジョブ完了までは動作継続を行うが、新規ジョブは実行を許可せず、全ジョブ実行完了後にダミーキャリアＣ３を自動でロードポートＬＰ３上から搬出するように、制御部ＣＣ２３に対してコマンド指示を与える。

以上のようなアラート出力またはアラーム出力に応じてダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上から搬出されると、操作部２２と制御部ＣＣ２３の少なくとも一方は、当該ダミーキャリアＣ３が収納しているダミー基板についてのステータス、特にダミー基板の累積膜厚値を含む情報を、原則としてゼロクリアする。

その後は、新たなダミー基板を収納したダミーキャリアＣ３が例えばロードポートＬＰ３上に再投入されて、引き続きダミー基板の運用が行われる。

（５）ダミーキャリアの再投入
ダミーキャリアＣ３のロードポートＬＰ３上への再投入については、上述したアラート出力またはアラーム出力に応じて行われるものの他に、以下に述べる第１〜第４の再投入態様によるものがある。

（第１の再投入態様）
基板処理装置１０については、定期メンテナンスを行う必要がある。定期メンテナンスとしては、例えば、フロントモジュールである大気搬送室ＥＦＥＭのオーバーホールや、大気搬送室ＥＦＥＭ内の大気ロボットＡＲ等の搬送系のグリスアップが挙げられる。このような定期メンテナンスを行う場合には、大気搬送室ＥＦＥＭに接続するロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上にキャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３が載置されていると、当該キャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３が作業の邪魔になってしまうおそれがある。そのため、定期メンテナンスを行う場合には、例えばロードポートＬＰ３上にダミーキャリアＣ３があれば、収容するダミー基板の累積膜厚値がアラート閾値に達していないときでも、そのダミーキャリアＣ３が一旦ロードポートＬＰ３上から搬出される。そして、定期メンテナンスの作業終了後に、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上に再投入されることになる。

（第２の再投入態様）
基板処理装置１０が用いられる半導体装置の製造現場では、当該基板処理装置１０と他装置（例えば、縦型の基板処理装置や定期メンテナンスに入った他の基板処理装置１０）との間で、ダミー基板を共用することがある。このような場合には、他装置で使用したダミー基板（使用済みであるが累積膜厚値がアラート閾値に達していないもの）を基板処理装置１０にて再利用することが考えられる。つまり、再利用するダミー基板を収容したダミーキャリアＣ３が、ロードポートＬＰ３上に投入されることになる。以下、ここでの投入についても「再投入」と称する。

（第３の再投入態様）
基板処理装置１０については、装置の改変作業を行う必要が生じる場合がある。改変作業としては、装置を動作させるソフトウエアのバージョンアップのための作業が挙げられる。また、例えば突発的な異常発生による復旧処理のために、装置の構成部品を改変（交換）することもあり得る。このような改変作業を行う場合には、その作業後に動作確認を行うことが必須となるが、その動作確認中に装置が予期せぬ動作を行うこともあり得る。そのため、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上にキャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３が載置されていると、予期せぬ動作によりキャリア破損等のトラブルやこれに類する事態が発生してしまうことが懸念される。このことから、装置の改変作業を行う場合には、例えばロードポートＬＰ３上にダミーキャリアＣ３があれば、収容するダミー基板の累積膜厚値がアラート閾値に達していないときでも、そのダミーキャリアＣ３が一旦ロードポートＬＰ３上から搬出される。そして、装置の改変作業が終了し、その作業後の動作確認が完了した後に、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上に再投入されることになる。

（第４の再投入態様）
基板処理装置１０においては、例えば、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上のキャリアＣＡ１〜ＣＡ３に収納される製品基板の枚数がプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での一括処理枚数（例えば５枚）の倍数であり、長期間にわたってダミー基板を必要としないことがわかっている場合がある。その場合には、ダミーキャリアＣ３をロードポートＬＰ３上から搬出し、なるべく製品基板を収納するキャリアＣＡ１〜ＣＡ３のためにロードポートＬＰ１〜ＬＰ３を確保して、効率的な運用を図ることが想定される。そして、このような運用を図る場合には、ダミー基板を必要としない期間が経過した後に、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上に再投入されることになる。

（再投入の際の問題点）
以上に挙げた第１〜第４の再投入態様において、ロードポートＬＰ３上からのダミーキャリアＣ３の搬出時にダミー基板の累積膜厚値を含む情報がゼロクリアされてしまうと、再投入されたダミーキャリアＣ３におけるダミー基板に実際に累積している膜厚値と、装置コントローラ部２０が認識している膜厚値との間には、乖離が発生してしまう。このことから、本実施形態に係る基板処理装置１０における装置コントローラ部２０は、以下に説明するように、ダミーキャリアＣ３が再投入された際に各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行えるように構成されている。

（６）装置コントローラ部の機能構成
以下、本実施形態に係る基板処理装置１０における装置コントローラ部２０の機能構成について、図５を用いて説明する。図５は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１０の装置コントローラ部２０における機能構成を示すブロック図である。

装置コントローラ部２０は、「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」を記憶装置２７に格納している。そして、装置コントローラ部２０の起動時に、または、ダミーキャリアＣ３が例えばロードポートＬＰ３上に載置され、そのことがセンサ等によって検知され、その検知信号を装置コントローラ部２０が受信した時に、「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」を記憶装置２７から読み出して実行するように構成されている。

「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」の実行によって、装置コントローラ部２０は、上述したアラート出力及びアラーム出力を含む累積膜厚管理処理を行う。さらに、「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」の実行によって、装置コントローラ部２０における操作部２２及び制御部ＣＣ２３においては、図５に示す機能構成が実現される。すなわち、操作部２２では、メッセージ解析部４１、ＬＰ管理部４２、ダミーキャリア制御部４３、データ記憶部４４、制御部通信部４５、材料管理部４６、累積膜厚管理部４７、画面表示部４８、及び、情報設定部４９としての機能が実現される。また、制御部ＣＣ２３では、メッセージ解析部５１、材料管理部５２、及び、操作部通信部５３としての機能が実現される。

メッセージ解析部４１は、制御部ＣＣ２３または操作部２２が備える他の部からの要求や通知等のメッセージを受信し、その内容に応じて受信メッセージの他の部への割り振りを行うように構成されている。

ＬＰ管理部４２は、キャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３のロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に対する投入又は搬出を管理し、キャリア認証結果などの管理データをＬＰ管理データ６１として格納し、さらにはキャリア認証メッセージをダミーキャリア制御部４３へ渡すように構成されている。

ダミーキャリア制御部４３は、ダミーキャリアＣ３のロードポートＬＰ３上からの搬出タイミングになると、同一キャリアの再投入に備えて、当該ダミーキャリアＣ３のキャリアＩＤとダミー基板累積膜厚値データを、データ記憶部４４に格納するように構成されている。また、ダミーキャリア制御部４３は、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上に再投入された場合に、ＬＰ管理部４２から渡されたキャリア認証メッセージに累積膜厚自動設定フラグが立てられていると、データ記憶部４４での格納データと再投入されたダミーキャリアＣ３のキャリアＩＤとが一致しているか否かを確認し、一致していればデータ記憶部４４での格納データにおける各ダミー基板の累積膜厚値を読み出して、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部通信部４５へ渡すように構成されている。さらに、ダミーキャリア制御部４３は、メッセージ解析部４１からダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを渡されると、データ記憶部４４から読み出した格納データにおける各ダミー基板の累積膜厚値を、材料管理部４６へ渡すように構成されている。

データ記憶部４４は、ダミーキャリア制御部４３からの指示に従いつつ、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上から搬出されるときの当該ダミーキャリアＣ３の各ダミー基板の膜厚値を保持するように構成されている。さらに、データ記憶部４４は、ダミーキャリアＣ３を識別する識別子であるキャリアＩＤについても、各ダミー基板の膜厚値と同様に、保持するように構成されている。つまり、データ記憶部４４は、ダミーキャリアＣ３の搬出時における当該ダミーキャリアＣ３のキャリアＩＤと各ダミー基板の累積膜厚値とを保持することで、本発明における記憶部として機能するようになっている。

制御部通信部４５は、ダミーキャリア制御部４３から渡されたダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを、制御部ＣＣ２３におけるメッセージ解析部５１へ渡すように構成されている。

材料管理部４６は、ダミーキャリア制御部４３から各ダミー基板の累積膜厚値を渡されると、操作部２２の側で管理しているダミー基板のステータスに関するデータである基板データ６２、さらに詳しくは当該基板データ６２に含まれるダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡された累積膜厚値によって更新するように構成されている。つまり、材料管理部４６は、ダミーキャリアＣ３が再投入されると、データ記憶部４４が保持する各ダミー基板の膜厚値に基づいて、基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を再設定することで、本発明における管理部として機能するようになっている。

累積膜厚管理部４７は、ダミー基板についてのモニタ情報やメンテナンス情報等の表示出力にあたり、その表示出力の基になる画面表示データ６３を、基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値に基づいて更新するように構成されている。したがって、画面表示データ６３における各ダミー基板の累積膜厚値は、再設定後の基板データ６２と同一内容のものになる。なお、累積膜厚管理部４７では、例えばメンテナンス情報の表示出力（例えば図４参照）を行う場合であれば、累積膜厚値の最大値を累積膜厚モニタ値として画面表示データ６３の更新を行うようになっている。

画面表示部４８は、画面表示データ６３を参照しつつ、ダミー基板についてのモニタ情報やメンテナンス情報等の表示出力を行うための画像を生成し、その生成画像を操作部２２のディスプレイ装置等にて表示出力させるように構成されている。画面表示部４８によって表示出力される画像には、例えば以下のようなものがある。その一つは、例えばロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３についてのメンテナンス情報として、当該ダミーキャリアＣ３内のダミー基板の累積膜厚値を含む情報を出力するための画像である（例えば図４参照）。また、他の一つは、例えばロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３内の各ダミー基板についての情報として、当該各ダミー基板の累積膜厚値を含む情報を一覧形式で出力するための画像である（例えば図３参照）。つまり、これらの画像を表示出力させる画面表示部４８は、本発明におけるメンテナンス情報出力部または情報出力部としての機能を有したものである。

情報設定部４９は、画面表示部４８が表示出力させる画面上において、オペレータによる操作内容に従いつつ、メンテナンス情報に含まれる累積膜厚値の編集、または一覧形式で出力された累積膜厚値の各ダミー基板別での編集を受け付けるように構成されている。つまり、このような累積膜厚値の編集を受け付ける情報設定部４９は、本発明における第一設定部または第二設定部としての機能を有したものである。

メッセージ解析部５１は、操作部２２と制御部ＣＣ２３との間の要求や通知等のメッセージを解析し、その内容に応じて受信したメッセージを他の部へ割り振るように構成されている。

材料管理部５２は、操作部２２からダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを受け取ると、制御部ＣＣ２３の側で管理しているダミー基板のステータスに関するデータである基板データ６４、さらに詳しくは当該基板データ６４に含まれるダミー基板の累積膜厚値を、受け取ったダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージにおける累積膜厚値によって更新するように構成されている。つまり、材料管理部５２は、ダミーキャリアＣ３が再投入されると、操作部２２のデータ記憶部４４が保持する各ダミー基板の膜厚値に基づいて、基板データ６４に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を再設定するようになっている。また、材料管理部５２は、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージに応じて基板データ６４の累積膜厚値を更新すると、ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを操作部通信部５３へ渡すように構成されている。

操作部通信部５３は、材料管理部５２からのダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを、操作部２２のメッセージ解析部４１へ渡すように構成されている。

なお、ここでは、操作部２２と制御部ＣＣ２３のそれぞれが基板データ６２，６４を管理している場合を例に挙げている。ただし、基板データは、操作部２２と制御部ＣＣ２３の少なくとも一方が管理していればよい。どちらか一方のみが管理する場合には、操作部２２と制御部ＣＣ２３が同一の基板データを共用することになる。

（７）ダミーキャリア再投入時の処理
次に、本実施形態に係る基板処理装置１０において、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上へ再投入された際に、ダミー基板の累積膜厚値を自動設定する処理動作を、図面に基づいて説明する。

（自動設定処理）
図６は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１０でのダミーキャリア再投入時の自動設定処理の動作例を示すフローチャートである。なお、ここでは、上述した第１の再投入態様（すなわち定期メンテナンスの実施）によって、ダミーキャリアＣ３の再投入を行う場合を例に挙げて説明する。

図６に示すように、操作部２２において、ダミーキャリアＣ３の払い出し（すなわちロードポートＬＰ３上からの搬出）をセンサ等の検知結果により認識すると（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）、ダミーキャリア制御部４３は、当該ダミーキャリアＣ３のキャリアＩＤと、当該ダミーキャリアＣ３に収納された各ダミー基板の累積膜厚値とを、データ記憶部４４に格納する（Ｓ１０２）。各ダミー基板の累積膜厚値については、例えば操作部２２がその時点で管理している基板データ６２にアクセスして取得することが考えられる。これにより、データ記憶部４４は、ダミーキャリアＣ３のキャリアＩＤ毎に、当該ダミーキャリアＣ３が搬出されたときの各ダミー基板の累積膜厚値と各スロット番号とを、互いに関連付けた状態で保持することになる（Ｓ１０３）。

そして、ロードポートＬＰ３等の定期メンテナンスが実施された後に（Ｓ１０４）、例えばロードポートＬＰ３上にダミーキャリアＣ３が再投入されると、ＬＰ管理部４２は、そのダミーキャリアＣ３に対するキャリア認証結果について、キャリア認証メッセージとしてダミーキャリア制御部４３へ渡す（Ｓ１０５）。キャリア認証メッセージを受け取ると、ダミーキャリア制御部４３は、データ記憶部４４にアクセスして、データ記憶部４４が保持しているデータ、すなわち前回払い出したダミーキャリアＣ３についてのデータ（特にキャリアＩＤ及び各スロット番号で特定される各ダミー基板の累積膜厚値）を取得する（Ｓ１０６）。

ここで、ダミーキャリア制御部４３は、キャリア認証メッセージに係るキャリアＩＤを、データ記憶部４４から取得したキャリアＩＤと照合し、それぞれが互いに一致するか否かを判断する（Ｓ１０７）。そして、キャリアＩＤが一致する場合、ダミーキャリア制御部４３は、前回払い出したダミーキャリアＣ３についてのデータに基づき、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うか否かを判断する（Ｓ１０８）。この判断は、例えば、受け取ったキャリア認証メッセージに再設定を禁止する旨のフラグが付されているか否かによって行うことが考えられる。

その結果、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うと判断した場合であれば、ダミーキャリア制御部４３は、データ記憶部４４から取得した各ダミー基板の累積膜厚値を含むダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを作成し、そのダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部ＣＣ２３の側へ渡す（Ｓ１０９）。なお、キャリアＩＤが一致せず（Ｓ１０７）、または再設定を行わないと判断すると（Ｓ１０８）、いずれの場合においても、操作部２２は、その時点でダミー基板の累積膜厚値の再設定のための処理を終了する。

操作部２２からダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを受け取ると、制御部ＣＣ２３の側では、材料管理部５２が、再投入されたダミーキャリアＣ３について制御部ＣＣ２３の側で管理する基板データ６４に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージに含まれる累積膜厚値によって更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ１１０）。そして、累積膜厚値の再設定を行うと、材料管理部５２は、ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを操作部２２の側へ渡す。

ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを受け取ると、操作部２２の側では、ダミーキャリア制御部４３が、データ記憶部４４から取得した各ダミー基板の累積膜厚値を、材料管理部４６へ渡す。これにより、材料管理部４６は、操作部２２の側で管理する基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡された累積膜厚値によって更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ１１１）。これにより、再投入されたダミーキャリアＣ３についての基板データ６２は、その内容がゼロクリアされるのではなく、ロードポートＬＰ３上からの搬出時と同内容に自動で再設定されることになる。

さらに、操作部２２の側では、累積膜厚管理部４７が、ダミー基板についての情報を表示出力するための画面表示データ６３を、再設定後の基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値に基づいて更新する（Ｓ１１１）。これにより、オペレータは、画面上の表示出力内容を目視することで、再設定後におけるダミー基板の累積膜厚値を認識できるようになる。

（メンテナンス情報設定処理）
上述した一連の手順によれば、同一キャリアＩＤのダミーキャリアＣ３が再投入されると、その再投入時に、当該ダミーキャリアＣ３内の各ダミー基板の累積膜厚値が、ロードポートＬＰ３上からのキャリア搬出時と同内容に自動で再設定される。ところが、何らかの理由で上述した一連の手順を利用できない場合が生じてしまうことも考えられる。

このことから、本実施形態に係る基板処理装置１０は、以下に述べる手順によっても、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことが可能である。図７は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１０でのダミーキャリア再投入時のメンテナンス情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。

図７に示すように、ダミーキャリアＣ３が例えばロードポートＬＰ３上に再投入されるまでの手順は、上述した自動設定処理の場合（図６参照）と全く同様である（Ｓ２０１〜Ｓ２０４）。

その後、操作部２２の側では、累積膜厚管理部４７が管理する画面表示データ６３を参照しつつ、画面表示部４８によってメンテナンス情報の表示出力が行われる。さらに詳しくは、ロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３についてのメンテナンス情報として、当該ダミーキャリアＣ３内のダミー基板の累積膜厚値を含む情報が、画面表示部４８によって表示出力される（Ｓ２０５）。このときに表示出力されるメンテナンス情報の管理画面には、ダミーキャリアＣ３内のダミー基板のうちで累積膜厚値が最大の値が、モニタ表示されている（例えば図４参照）。そして、メンテナンス情報の管理画面上において、累積膜厚値のモニタ値がオペレータによって編集されると、情報設定部４９がその編集内容を受け付ける（Ｓ２０５）。つまり、オペレータ操作によって、累積膜厚値のモニタ値（すなわち代表値）が再設定されることになる。

累積膜厚値のモニタ値が再設定されると、ダミーキャリア制御部４３は、再設定されたモニタ値を含むダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを作成し、そのダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部ＣＣ２３の側へ渡す（Ｓ２０６）。

操作部２２からダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを受け取ると、制御部ＣＣ２３の側では、材料管理部５２が、再投入されたダミーキャリアＣ３について制御部ＣＣ２３の側で管理する基板データ６４に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージに含まれるモニタ値によって一律に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ２０７）。そして、累積膜厚値の再設定を行うと、材料管理部５２は、ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを操作部２２の側へ渡す。

ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを受け取ると、操作部２２の側では、ダミーキャリア制御部４３が、情報設定部４９で受け付けた編集後の累積膜厚値のモニタ値を、材料管理部４６へ渡す。これにより、材料管理部４６は、操作部２２の側で管理する基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡されたモニタ値によって一律に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ２０８）。これにより、再投入されたダミーキャリアＣ３についての基板データ６２は、その内容がゼロクリアされるのではなく、メンテナンス情報の管理画面上で編集されたモニタ値によって、全ダミー基板の累積膜厚値が一律に再設定されることになる。

（ダミー基板情報設定処理）
また、本実施形態に係る基板処理装置１０は、以下に述べる手順によっても、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことが可能である。図８は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１０でのダミーキャリア再投入時のダミー基板情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。

図８に示すように、ダミーキャリアＣ３が例えばロードポートＬＰ３上に再投入されるまでの手順は、上述した自動設定処理の場合（図６参照）と全く同様である（Ｓ３０１〜Ｓ３０４）。

その後、操作部２２の側では、累積膜厚管理部４７が管理する画面表示データ６３を参照しつつ、画面表示部４８によって一覧形式で纏められた各ダミー基板についての情報の表示出力が行われる。さらに詳しくは、ロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３内の各ダミー基板についての情報として、当該各ダミー基板の累積膜厚値を含む情報を一覧形式で纏めたものが、画面表示部４８によって表示出力される（Ｓ３０５）。このときに表示出力される各ダミー基板についての情報は、ダミーキャリアＣ３におけるスロットナンバーと対応付けられて、各ダミー基板の累積膜厚値がそれぞれ個別に表示されている（例えば図３参照）。そして、各ダミー基板についての情報の表示画面上において、それぞれの累積膜厚値がオペレータによって個別に編集されると、情報設定部４９がその編集内容を受け付ける（Ｓ３０５）。つまり、オペレータ操作によって、必要に応じてそれぞれの累積膜厚値が個別に再設定されることになる。

それぞれの累積膜厚値が再設定されると、ダミーキャリア制御部４３は、再設定された累積膜厚値を含むダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを作成し、そのダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部ＣＣ２３の側へ渡す（Ｓ３０６）。

操作部２２からダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを受け取ると、制御部ＣＣ２３の側では、材料管理部５２が、再投入されたダミーキャリアＣ３について制御部ＣＣ２３の側で管理する基板データ６４に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージに含まれるそれぞれの累積膜厚値によって個別に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ３０７）。そして、累積膜厚値の再設定を行うと、材料管理部５２は、ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを操作部２２の側へ渡す。

ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを受け取ると、操作部２２の側では、ダミーキャリア制御部４３が、情報設定部４９で受け付けた編集後の累積膜厚値を、材料管理部４６へ渡す。これにより、材料管理部４６は、操作部２２の側で管理する基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡されたそれぞれの累積膜厚値によって個別に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ３０８）。これにより、再投入されたダミーキャリアＣ３についての基板データ６２は、その内容がゼロクリアされるのではなく、各ダミー基板についての情報の表示画面上で編集されたそれぞれの累積膜厚値によって、各ダミー基板の累積膜厚値が個別に再設定されることになる。

（８）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３が例えばロードポートＬＰ３上に載置される基板処理装置１０において、ロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３が搬出されても、そのダミーキャリアＣ３内の各ダミー基板の累積膜厚値を保持しておくことで、各ダミー基板の累積膜厚値を継続的に管理できるので、そのダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上に再投入された際に、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことができる。

したがって、本実施形態によれば、ロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３が搬出されても、そのダミーキャリアＣ３内の各ダミー基板の累積膜厚値を再設定できるので、ダミーキャリアＣ３が搬出される毎にダミー基板を新たなものに交換する必要がなく、予
め設定された累積膜厚の閾値までダミー基板を有効に利用することができる。例えば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で１回あたりＳｉＯ膜１０ｎｍ程度の成膜処理を行う場合に、ダミー基板の累積膜厚値の閾値をＳｉＯ膜１０００ｎｍとすると、一つのダミー基板を１００回まで利用することができる。さらに詳しくは、例えば、１日に成膜処理を４回ずつ、１回あたりダミー基板を１枚利用したとして、２つのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で計算すると、１日あたりのダミー基板利用回数は４回×１枚×２つ＝８回となり、ダミーキャリアＣ３にダミー基板が２５枚あると、全てのダミー基板が累積膜厚の閾値に到達するまでの回数は２５枚×１００回＝２５００回となり、その閾値到達に要する日数は２５００回÷８回＝約３００日となる。このように、一旦使用を開始したダミーキャリアＣ３は、約３００日という長期間にわたって使用し続けられるため、例えば定期メンテナンス等によってロードポートＬＰ３上から一時的に搬出される可能性が高い。そのため、本実施形態のように、各ダミー基板の累積膜厚値を再設定できるようにして、累積膜厚の閾値まで各ダミー基板を有効に利用できるようにすることは、利点が大きいと言える。

（ｂ）また、本実施形態によれば、ロードポートＬＰ３上のダミーキャリアＣ３が搬出されても、そのダミーキャリアＣ３が再投入された際に各ダミー基板の累積膜厚値が再設定され、各ダミー基板の累積膜厚値を継続的に管理できるので、累積膜厚値が閾値に達しているにも拘らず、累積膜厚値が閾値以上のダミー基板を誤って使用してしまうといったことがない。つまり、ダミー基板の誤使用が装置内パーティクルの発生原因となり得るというリスクを未然に回避することができる。

（ｃ）また、本実施形態によれば、累積膜厚値に起因するダミー基板交換周期の前に、例えば定期メンテナンスの実施により、ダミーキャリアＣ３がロードポートＬＰ３上から搬出されたとしても、ダミーキャリアＣ３の再投入後には各ダミー基板の累積膜厚値を継続的に管理できるので、本当に必要な場合にのみダミー基板の交換を行えばよく、ダミーキャリアＣ３が搬出される度にダミー基板の交換を行う場合に比べて、無駄コストの削減が期待できる。

（ｄ）また、本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３の搬出及び再投入を通じて各ダミー基板の累積膜厚値を継続的に管理することで、ダミーキャリアＣ３内の複数のダミー基板のうち、どのダミー基板が累積膜厚値の閾値に達しているか否か明確に管理することができる。そのため、ダミーキャリアＣ３内のダミー基板が原因となって装置内パーティクルが発生した場合であっても、累積膜厚値の閾値に達しているダミー基板のみを新たなものに交換すればよく、ダミーキャリアＣ３毎、すなわち全てのダミー基板を交換する場合に比べて、無駄コストの発生を抑えられる。

（ｅ）また、本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３が再投入された際の各ダミー基板の累積膜厚値の再設定にあたり、原則として自動設定処理（例えば図６参照）を行うが、何らかの理由で自動設定処理を利用できない場合であっても、オペレータがメンテナンス情報の管理画面から設定処理を行ったり（例えば図７参照）、各ダミー基板についての情報の一覧表示画面から設定処理を行ったり（例えば図８参照）することができる。つまり、オペレータが、累積膜厚値の再設定を行うこともできる。したがって、オペレータが意図する累積膜厚値を直接的に反映させることも可能となり、基板処理装置１０を運用する上での自由度や利便性等を高めることができる。特に、基板処理装置１０の立ち上げ時には、オフライン運用でオペレータが画面操作する場面が多いことも想定されるが、オペレータが直接累積膜厚値を設定する機能を用意しておくことで、オペレータにとっては非常に有用なものとなる。

（ｆ）また、本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３を再投入する場合として、定期メンテナンスの実施による第１の再投入態様を想定している。したがって、定期メンテナンスの実施によって故障やトラブル等がない安定的な基板処理装置１０の動作・運用が実現可能としつつ、さらに上記（ａ）〜（ｅ）で述べたうちの一つ又はそれ以上の効果を奏する。

（ｇ）また、本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３を再投入する場合として、他装置で使用したダミー基板の再利用という第２の再投入態様を想定している。したがって、ダミー基板を再利用することで当該ダミー基板の有効利用を図り無駄コストの削減が可能になり、さらに上記（ａ）〜（ｅ）で述べたうちの一つ又はそれ以上の効果を奏する。特に、第２の再投入態様の場合については、上記（ｅ）で述べたように、オペレータが累積膜厚値を設定し得るようにすることが有効である。ただし、他装置で使用したダミー基板の累積膜厚値を当該他装置等から取得する機能を設けておけば、オペレータが直接的に設定するのではなく、原則通り自動設定処理を行うようにすることも考えられる。

（ｈ）また、本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３を再投入する場合として、装置改変作業による第３の再投入態様を想定している。したがって、装置改変作業により基板処理装置１０の機能や性能等の向上を図りつつ、さらに上記（ａ）〜（ｅ）で述べたうちの一つ又はそれ以上の効果を奏する。特に、第３の再投入態様のように装置改変作業を経る場合には、基板処理装置１０が安定的に動作し得るようになるまでにダミーキャリアＣ３の一時的な搬出を要することも多くなると考えられるが、そのような場合であっても各ダミー基板の累積膜厚値の再設定により当該累積膜厚値を継続的に管理できるようにすることは非常に有用であると言える。

（ｉ）また、本実施形態によれば、ダミーキャリアＣ３を再投入する場合として、長期間にわたってダミー基板が不要となる第４の再投入態様を想定している。したがって、全てのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３を、製品基板を収納するキャリアＣＡ１〜ＣＡ３のために確保することで、基板処理装置１０の効率的な運用を図ることを実現可能としつつ、さらに上記（ａ）〜（ｅ）で述べたうちの一つ又はそれ以上の効果を奏する。

＜本発明の第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。

本実施形態では、ＡＭＨＳ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｈａｎｄｌｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ）により、キャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３を自動搬送する場合の運用について説明する。ＡＭＨＳとは、半導体生産ラインにおいて、ウエハＡＭＨＳ装置間または基板処理装置１０のロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間で、基板Ｗの搬送を当該基板ＷがキャリアＣＡ１〜ＣＡ３，Ｃ３に収納された状態で自動的に行うシステムである。

（９）ダミーキャリア再投入時の処理
本実施形態においては、主として、ダミーキャリアＣ３のロードポートＬＰ３上への再投入の際にダミー基板の累積膜厚値を再設定する処理動作が、上述した第１の実施形態の場合とは異なる。

（自動設定処理）
図９は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１０でのダミーキャリア再投入時の自動設定処理の動作例を示すフローチャートである。なお、ここでも、上述した第１の実施形態の場合と同様に、第１の再投入態様（すなわち定期メンテナンスの実施）によって、ダミーキャリアＣ３の再投入を行う場合を例に挙げて説明する。

図９に示すように、ダミーキャリアＣ３が搬出された後、定期メンテナンスを実施するまでの手順は、上述した第１の実施形態の場合での自動設定処理の場合（図６参照）と全く同様である（Ｓ４０１〜Ｓ４０４）。

定期メンテナンスの実施後、ＡＭＨＳによって例えばロードポートＬＰ３上にダミーキャリアＣ３が再投入されると、ホストコンピュータ３０からは、ダミーキャリアＣ３についてのキャリア認証メッセージが送られてくる（Ｓ４０５）。このキャリア認証メッセージは、ホストコンピュータ３０にて、「累積膜厚自動設定フラグ（有り）」という付加データが設定されているものとする。このような付加データが付されたキャリア認証メッセージを受け取ると、ダミーキャリア制御部４３は、データ記憶部４４にアクセスして、データ記憶部４４が保持しているデータ、すなわち前回払い出したダミーキャリアＣ３についてのデータ（特にキャリアＩＤ及び各ダミー基板の累積膜厚値）を取得する（Ｓ４０６）。

ここで、ダミーキャリア制御部４３は、キャリア認証メッセージに係るキャリアＩＤを、データ記憶部４４から取得したキャリアＩＤと照合し、それぞれが互いに一致するか否かを判断する（Ｓ４０７）。そして、キャリアＩＤが一致する場合、ダミーキャリア制御部４３は、キャリア認証メッセージに「累積膜厚自動設定フラグ（有り）」という付加データが設定されているか否かを判断する（Ｓ４０８）。

その結果、「累積膜厚自動設定フラグ（有り）」が付加されていれば、ダミーキャリア制御部４３は、データ記憶部４４から取得した各ダミー基板の累積膜厚値を含むダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを作成し、そのダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部ＣＣ２３の側へ渡す（Ｓ４０９）。なお、キャリアＩＤが一致せず（Ｓ４０７）、または「累積膜厚自動設定フラグ（有り）」が付加されていなければ（Ｓ４０８）、いずれの場合においても、操作部２２は、その時点でダミー基板の累積膜厚値の再設定のための処理を終了する。

ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを受け取ると、操作部２２の側では、ダミーキャリア制御部４３が、データ記憶部４４から取得した各ダミー基板の累積膜厚値を、材料管理部４６へ渡す。これにより、材料管理部４６は、操作部２２の側で管理する基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡された累積膜厚値によって更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ４１１）。これにより、再投入されたダミーキャリアＣ３についての基板データ６２は、その内容がゼロクリアされるのではなく、ロードポートＬＰ３上からの搬出時と同内容に自動で再設定されることになる。

さらに、操作部２２の側では、累積膜厚管理部４７が、ダミー基板についての情報を表示出力するための画面表示データ６３を、再設定後の基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値に基づいて更新する（Ｓ４１１）。これにより、オペレータは、画面上の表示出力内容を目視することで、再設定後におけるダミー基板の累積膜厚値を認識できるようになる。

（メンテナンス情報設定処理）
上述した一連の手順によれば、同一キャリアＩＤのダミーキャリアＣ３が再投入されると、その再投入時に、当該ダミーキャリアＣ３内の各ダミー基板の累積膜厚値が、ロードポートＬＰ３上からのキャリア搬出時と同内容に自動で再設定される。ところが、何らかの理由で上述した一連の手順を利用できない場合が生じてしまうことも考えられる。

このことから、本実施形態に係る基板処理装置１０は、以下に述べる手順によっても、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことが可能である。図１０は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１０でのダミーキャリア再投入時のメンテナンス情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。

図１０に示すように、ダミーキャリアＣ３が搬出された後、定期メンテナンスを実施するまでの手順は、上述した自動設定処理の場合（図９参照）と全く同様である（Ｓ５０１〜Ｓ５０３）。

定期メンテナンスの実施後、ＡＭＨＳによって例えばロードポートＬＰ３上にダミーキャリアＣ３が再投入されると、ホストコンピュータ３０からは、ダミーキャリアＣ３についてのキャリア認証メッセージが送られてくる（Ｓ５０４）。このキャリア認証メッセージは、ホストコンピュータ３０にて、「メンテナンス情報ダミー基板累積膜厚値設定フラグ（有り）」及び「累積膜厚値のモニタ値」という付加データが設定されているものとする。

このような付加データが付されたキャリア認証メッセージを受け取ると（Ｓ５０５）、ダミーキャリア制御部４３は、付加されていた累積膜厚値のモニタ値を含むダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを作成し、そのダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部ＣＣ２３の側へ渡す（Ｓ５０６）。

操作部２２からダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを受け取ると、制御部ＣＣ２３の側では、材料管理部５２が、再投入されたダミーキャリアＣ３について制御部ＣＣ２３の側で管理する基板データ６４に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージに含まれるモニタ値によって一律に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ５０７）。そして、累積膜厚値の再設定を行うと、材料管理部５２は、ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを操作部２２へ渡す。

ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを受け取ると、操作部２２では、ダミーキャリア制御部４３が、キャリア認証メッセージに付されていた累積膜厚値のモニタ値を、材料管理部４６へ渡す。これにより、材料管理部４６は、操作部２２で管理する基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡されたモニタ値によって一律に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ５０８）。これにより、再投入されたダミーキャリアＣ３についての基板データ６２は、その内容がゼロクリアされるのではなく、ホストコンピュータ３０からのキャリア認証メッセージに付加されていたモニタ値によって、全ダミー基板の累積膜厚値が一律に再設定されることになる。

（ダミー基板情報設定処理）
また、本実施形態に係る基板処理装置１０は、以下に述べる手順によっても、各ダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことが可能である。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１０でのダミーキャリア再投入時のダミー基板情報設定処理の動作例を示すフローチャートである。

図１１に示すように、ダミーキャリアＣ３が搬出された後、定期メンテナンスを実施するまでの手順は、上述した自動設定処理の場合（図９参照）と全く同様である（Ｓ６０１〜Ｓ６０３）。

定期メンテナンスの実施後、ＡＭＨＳによって例えばロードポートＬＰ３上にダミーキャリアＣ３が再投入されると、ホストコンピュータ３０からは、ダミーキャリアＣ３についてのキャリア認証メッセージが送られてくる（Ｓ６０４）。このキャリア認証メッセージは、ホストコンピュータ３０にて、「ダミー基板累積膜厚値設定フラグ（有り）」及び「各ダミー基板の累積膜厚値」という付加データが設定されているものとする。

このような付加データが付されたキャリア認証メッセージを受け取ると（Ｓ６０５）、ダミーキャリア制御部４３は、付加されていた各ダミー基板の累積膜厚値を含むダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを作成し、そのダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを制御部ＣＣ２３の側へ渡す（Ｓ６０６）。

操作部２２からダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージを受け取ると、制御部ＣＣ２３の側では、材料管理部５２が、再投入されたダミーキャリアＣ３について制御部ＣＣ２３の側で管理する基板データ６４に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミー基板累積膜厚値更新要求メッセージに含まれるそれぞれの累積膜厚値によって個別に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ６０７）。そして、累積膜厚値の再設定を行うと、材料管理部５２は、ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを操作部２２の側へ渡す。

ダミー基板累積膜厚値更新応答メッセージを受け取ると、操作部２２の側では、ダミーキャリア制御部４３が、キャリア認証メッセージに付されていた各ダミー基板の累積膜厚値を、材料管理部４６へ渡す。これにより、材料管理部４６は、操作部２２の側で管理する基板データ６２に含まれる各ダミー基板の累積膜厚値を、ダミーキャリア制御部４３から渡されたそれぞれの累積膜厚値によって個別に更新することで、当該累積膜厚値の再設定を行う（Ｓ６０８）。これにより、再投入されたダミーキャリアＣ３についての基板データ６２は、その内容がゼロクリアされるのではなく、ホストコンピュータ３０からのキャリア認証メッセージに付加されていたそれぞれの累積膜厚値によって、各ダミー基板の累積膜厚値が個別に再設定されることになる。

（その他）
なお、基板処理装置１０とホストコンピュータ３０との間では、基板処理装置１０からホストコンピュータ３０に対して、ダミー基板のステータス変化に応じて累積膜厚値をイベント報告（ＳＥＭＩ Ｅ９０ 基板トラッキング仕様）することがある。このようなイベント報告を行う場合には、上述したようなホストコンピュータ３０からのキャリア認証メッセージを利用したメンテナンス情報設定処理（図１０参照）又はダミー基板情報設定処理（図１１参照）を行うのにあたり、イベント報告された累積膜厚値を利用してキャリア認証メッセージにおける付加データを設定することが考えられる。

（１０）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、上述した第１の実施形態の場合において説明した効果に加えて、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。

（ｊ）本実施形態によれば、ＡＭＨＳによるキャリア自動搬送にも対応することが可能となるので、半導体生産ラインにおける生産性向上を図る上で非常に有効なものとなる。

（ｋ）また、本実施形態によれば、ホストコンピュータ３０からダミー基板の累積膜厚値の再設定を行うことができる。しかも、その場合において、例えば基板処理装置１０からのイベント報告を利用すれば、ホストコンピュータ３０にてキャリア再投入を意識したダミー基板の累積膜厚を管理する必要がない。

（ｌ）また、本実施形態によれば、ホストコンピュータ３０にて累積膜厚値を付加データとしてキャリア認証メッセージに付加する必要があるが、例えば他装置で使用したダミー基板の再利用という第２の再投入態様に対応する場合、他装置にて設定管理された累積膜厚値をオンライン運用でそのまま利用することも実現可能となる。さらに、第１〜第４の再投入態様に対応する場合であっても、基板処理装置１０からダミー基板のステータス変化に応じて累積膜厚値が基板単位でイベント報告されていれば、ホストコンピュータ３０は、そのイベント報告に係るデータを利用して付加データを設定することも実現可能である。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、ダミーキャリアが載置される基板収容部が、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３として構成されている例について説明したが、本発明は係る実施形態に限定されない。例えば、図１に示した大気搬送室ＥＦＥＭ内の側方（図中の右側および／または左側）や、搬送室ＴＭ内の側方（図中の右側および／または左側）等に棚や台を設置し、この棚や台を、ダミーキャリアが載置される基板収容部として用いることとしてもよい。

例えば、上述した実施形態では、装置コントローラ部２０が「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」を実行することによって上述した一連の処理機能が実現される場合、すなわち「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」が装置コントローラ部２０にインストール済である場合を例にあげたが、「ダミー基板累積膜厚管理プログラム」は、装置コントローラ部２０へのインストールに先立ち、装置コントローラ部２０と接続する通信回線を通じて提供されるものであってもよいし、あるいは装置コントローラ部２０で読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであってもよい。

例えば、上述した実施形態では、処理対象となる製品基板が半導体ウエハ基板である場合を例にあげたが、本発明はこれに限定されることなく、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。

また例えば、上述した実施形態では、基板処理装置１０が行う処理として成膜処理を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理の他、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］
本発明の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置であって、
少なくとも前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持する記憶部と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定する管理部と、
を備えた基板処理装置が提供される。

［付記２］
好ましくは、
付記１の基板処理装置であって、
前記記憶部は、前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときに、当該ダミーキャリアを識別する識別子を前記膜厚値と関連付けて保持する基板処理装置が提供される。

［付記３］
また好ましくは、
付記１の基板処理装置であって、
前記基板収容部上の前記ダミーキャリアについてのメンテナンス情報として当該ダミーキャリア内のダミー基板の累積膜厚値を含む情報を出力するメンテナンス情報出力部と、
前記メンテナンス情報出力部が出力するメンテナンス情報に含まれる累積膜厚値を編集する第一設定部と、を有し、
前記管理部は、前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、前記第一設定部で編集された後の累積膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の全ダミー基板の膜厚値を再設定する基板処理装置が提供される。

［付記４］
また好ましくは、
付記１の基板処理装置であって、
前記基板収容部上の前記ダミーキャリア内の各ダミー基板についての情報として当該各ダミー基板の累積膜厚値を含む情報を一覧形式で出力する情報出力部と、
前記情報出力部が出力する累積膜厚値を各ダミー基板別に編集する第二設定部と、
を有し、
前記管理部は、前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、前記第二設定部で編集された後の累積膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定する基板処理装置が提供される。

［付記５］
また好ましくは、
前記基板処理装置を管理する管理装置に接続されて用いられ、
前記管理装置から前記ダミー基板の累積膜厚値に関する付加データが添付されたキャリア認証メッセージを受け付けるように構成された付記１乃至付記４のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。

［付記６］
また好ましくは、
付記５の基板処理装置であって、
前記管理部は、前記キャリア認証メッセージを受け付けると、当該キャリア認証メッセージに添付された前記付加データにおける累積膜厚値に基づき、前記ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定する基板処理装置が提供される。

［付記７］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
前記基板処理装置の定期メンテナンスのために、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記定期メンテナンスの後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

［付記８］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
他装置で使用したダミー基板を収納したダミーキャリアを前記基板収容部上に投入する工程と、
前記基板収容部上に投入されたダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値についての情報を取得する工程と、
取得情報に基づき前記基板収容部上のダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記基板収容部上にダミーキャリアが投入された後における当該ダミーキャリア内の各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

［付記９］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
前記基板処理装置の改変作業のために、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、 前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記改変作業の後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

［付記１０］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種である製品基板を収納したキャリアまたは前記各種基板の他の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いて、
前記製品基板を収納した前記キャリアを前記基板収容部上に載置する載置工程と、前記載置工程を開始する前に、前記ダミー基板を収納した前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、前記製品基板に対する処理を前記処理室内にて行う基板処理工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。

［付記１１］
また好ましくは、
前記製品基板の収納枚数が１０枚以下になると、前記ダミーキャリアを再投入する付記１０の半導体装置の製造方法が提供される。

［付記１２］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種である製品基板を収納したキャリアまたは前記各種基板の他の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
前記製品基板を収納した前記キャリアを前記基板収容部上に載置する載置工程と、
前記基板収容部上の前記キャリアから搬出した前記製品基板に対する処理を前記処理室内にて行う処理工程と、
前記載置工程を開始する前に、前記ダミー基板を収納した前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
前記処理工程の後に、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記ダミーキャリアの再投入後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
を含むメンテナンス方法が提供される。

［付記１３］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置に接続されて用いられるコンピュータに、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持するステップと、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定するステップと、
を実行させるプログラムが提供される。

［付記１４］
本発明の他の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置に接続されて用いられるコンピュータに、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持するステップと、
前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定するステップと、
を実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

１０ 基板処理装置
２０ 装置コントローラ部
４３ ダミーキャリア制御部
４４ データ記憶部
４６ 材料管理部
ＣＡ１〜ＣＡ３ キャリア
Ｃ３ ダミーキャリア
ＬＰ１〜ＬＰ３ ロードポート
ＰＭ１，ＰＭ２ プロセスチャンバ
Ｗ 基板

Claims (5)

1. 所定枚数の各種基板を処理する処理室と、
   少なくとも前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、
   前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持する記憶部と、
   前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定する管理部と、
   を備えた基板処理装置。
2. 所定枚数の各種基板を処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
   前記基板処理装置の定期メンテナンスのために、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
   前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
   前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
   前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
   前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記定期メンテナンスの後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
   を含むメンテナンス方法。
3. 所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
   他装置で使用したダミー基板を収納したダミーキャリアを前記基板収容部上に投入する工程と、
   前記基板収容部上に投入されたダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値についての情報を取得する工程と、
   取得情報に基づき前記基板収容部上のダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
   前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記基板収容部上にダミーキャリアが投入された後における当該ダミーキャリア内の各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
   を含むメンテナンス方法。
4. 所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種である製品基板を収納したキャリアまたは前記各種基板の他の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置にて用いられるメンテナンス方法であって、
   前記製品基板を収納した前記キャリアを前記基板収容部上に載置する載置工程と、
   前記基板収容部上の前記キャリアから搬出した前記製品基板に対する処理を前記処理室内にて行う処理工程と、
   前記載置工程を開始する前に、前記ダミー基板を収納した前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出する工程と、
   前記ダミーキャリアを前記基板収容部上から搬出するときに、当該ダミーキャリア内に収納されている各ダミー基板に累積した膜厚値を保持しておく工程と、
   前記処理工程の後に、前記ダミーキャリアを前記基板収容部上に再投入する工程と、
   前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると、保持している膜厚値に基づき、当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値の再設定を行う工程と、
   前記再設定がされた後の膜厚値に応じて前記ダミーキャリアの再投入後における前記各ダミー基板を用いた処理を行う工程と、
   を含むメンテナンス方法。
5. 所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室と、前記各種基板の一種であるダミー基板を収納したダミーキャリアが載置される基板収容部と、を備えた基板処理装置に接続されて用いられるコンピュータに、
   前記ダミーキャリアが前記基板収容部上から搬出されるときの当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を保持するステップと、
   前記ダミーキャリアが前記基板収容部上に再投入されると前記記憶部が保持する膜厚値に基づいて当該ダミーキャリア内の各ダミー基板の膜厚値を再設定するステップと、
   を実行させるプログラム。

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