JP2002043229A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ダミーとして使用するウェーハの消費に関わる
コスト増大の問題及びダミーウェーハの装置外取り出し
と洗浄に関わる工程時間増大の問題を解決し、半導体製
造コストの低減を可能とする半導体製造装置を提供する
こと。 【解決手段】ヒ−タ１によって加熱された反応室２中、
ウェーハカセット７から石英ボート３へウェーハ移載機
４によって移載され、反応室２に搬入されたシリコンウ
ェーハ上に半導体膜を形成する半導体製造装置であっ
て、該シリコンウェーハと共に石英ボート３へ移載さ
れ、反応室２に搬入されるダミーウェーハとしての石英
ウェーハ６を貯蔵する石英ウェーハストッカ５を備えて
いることを特徴とする半導体製造装置を構成する。
コスト増大の問題及びダミーウェーハの装置外取り出し
と洗浄に関わる工程時間増大の問題を解決し、半導体製
造コストの低減を可能とする半導体製造装置を提供する
こと。 【解決手段】ヒ−タ１によって加熱された反応室２中、
ウェーハカセット７から石英ボート３へウェーハ移載機
４によって移載され、反応室２に搬入されたシリコンウ
ェーハ上に半導体膜を形成する半導体製造装置であっ
て、該シリコンウェーハと共に石英ボート３へ移載さ
れ、反応室２に搬入されるダミーウェーハとしての石英
ウェーハ６を貯蔵する石英ウェーハストッカ５を備えて
いることを特徴とする半導体製造装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に、ウェーハ上に半導体膜を形成する半導体製造
装置に関するものである。
し、特に、ウェーハ上に半導体膜を形成する半導体製造
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
工程において、ウェーハ上に半導体膜を形成する半導体
製造装置が使用されている。このような装置の従来例に
おける構成の主要部分を図２に示す。
工程において、ウェーハ上に半導体膜を形成する半導体
製造装置が使用されている。このような装置の従来例に
おける構成の主要部分を図２に示す。
【０００３】図２において、１はヒ−タであり、２は反
応室であり、反応室２はヒ−タ１によって半導体膜形成
反応に適する温度にまで加熱される。３はウェーハを積
載し、図中の矢印の方向に移動して、反応室２内に挿入
される石英ボートであり、４はシリコンウェーハ１４を
ウェーハカセット７から石英ボート３へ、あるいは、石
英ボート３からウェーハカセット７へ移すウェーハ移載
機である。なお、ウェーハカセット７は、ウェーハの装
置内への投入、装置内からの取り出しの際の運搬容器の
役割を果たす。９は半導体膜形成反応を起こすプロセス
ガスを装置内に導入するためのプロセスガスラインであ
り、１０は反応室２内を真空に排気し、あるいは所定の
圧力に保つための真空排気装置である。
応室であり、反応室２はヒ−タ１によって半導体膜形成
反応に適する温度にまで加熱される。３はウェーハを積
載し、図中の矢印の方向に移動して、反応室２内に挿入
される石英ボートであり、４はシリコンウェーハ１４を
ウェーハカセット７から石英ボート３へ、あるいは、石
英ボート３からウェーハカセット７へ移すウェーハ移載
機である。なお、ウェーハカセット７は、ウェーハの装
置内への投入、装置内からの取り出しの際の運搬容器の
役割を果たす。９は半導体膜形成反応を起こすプロセス
ガスを装置内に導入するためのプロセスガスラインであ
り、１０は反応室２内を真空に排気し、あるいは所定の
圧力に保つための真空排気装置である。
【０００４】図３は、半導体膜形成反応によって、ウェ
ーハ上に半導体膜を形成する際の反応室２の状態を示す
図である。シリコンウェーハ１４（図中、その一部のみ
を示す）は石英ボート３に積載され、反応室２内で、一
定間隔を置いて並んでいる。半導体膜形成反応を起こす
プロセスガスはプロセスガスライン９から供給され、イ
ンナーチューブ１３中を通りながら、半導体膜形成反応
を起こしてシリコンウェーハ１４上に半導体膜を形成
し、反応後のガスはアウターチューブ１２とインナーチ
ューブ１３との間を通って真空排気装置１０によって排
出される。図中、１５は反応室２からの熱の流出を妨げ
る断熱板である。
ーハ上に半導体膜を形成する際の反応室２の状態を示す
図である。シリコンウェーハ１４（図中、その一部のみ
を示す）は石英ボート３に積載され、反応室２内で、一
定間隔を置いて並んでいる。半導体膜形成反応を起こす
プロセスガスはプロセスガスライン９から供給され、イ
ンナーチューブ１３中を通りながら、半導体膜形成反応
を起こしてシリコンウェーハ１４上に半導体膜を形成
し、反応後のガスはアウターチューブ１２とインナーチ
ューブ１３との間を通って真空排気装置１０によって排
出される。図中、１５は反応室２からの熱の流出を妨げ
る断熱板である。
【０００５】図４は、半導体膜を形成する際のウェーハ
の配列を示す図である。この装置のようなバッチ式の半
導体膜形成装置の場合、シリコンウェーハ上の半導体膜
の膜厚均一性を常に安定して得るためには、反応条件一
定下での半導体膜形成が起こるようにしなければならな
い。そのために、ウェーハの配列を図４に示したように
する。
の配列を示す図である。この装置のようなバッチ式の半
導体膜形成装置の場合、シリコンウェーハ上の半導体膜
の膜厚均一性を常に安定して得るためには、反応条件一
定下での半導体膜形成が起こるようにしなければならな
い。そのために、ウェーハの配列を図４に示したように
する。
【０００６】まず、ウェーハの配列の両端付近において
は、反応条件が一定とはなっていないので、その部分
（図中、ダミーウェーハ領域と表示）にはダミーのシリ
コンウェーハ（製品の取得を目的としていないウェー
ハ）を並べる。そして、それ以外の部分（図中、プロセ
ス領域と表示）においては、反応条件一定下で、製品の
取得を目的とするウェーハ上の半導体膜形成が起こるよ
うにする。
は、反応条件が一定とはなっていないので、その部分
（図中、ダミーウェーハ領域と表示）にはダミーのシリ
コンウェーハ（製品の取得を目的としていないウェー
ハ）を並べる。そして、それ以外の部分（図中、プロセ
ス領域と表示）においては、反応条件一定下で、製品の
取得を目的とするウェーハ上の半導体膜形成が起こるよ
うにする。
【０００７】つぎに、製品の取得を目的として上記プロ
セス領域に置かれるウェーハの枚数が不足して、ウェー
ハ間の間隔が空いてしまう場合には、図４に示したよう
に、その部分にダミーのシリコンウェーハ（図中、ダミ
ーウェーハと表示）を補充して空きがないようにし、ウ
ェーハ間隔の不揃いによる反応条件の不均一化を防ぐ。
セス領域に置かれるウェーハの枚数が不足して、ウェー
ハ間の間隔が空いてしまう場合には、図４に示したよう
に、その部分にダミーのシリコンウェーハ（図中、ダミ
ーウェーハと表示）を補充して空きがないようにし、ウ
ェーハ間隔の不揃いによる反応条件の不均一化を防ぐ。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、バッチ
式の半導体膜形成装置による半導体膜形においては、ダ
ミーのシリコンウェーハを用いて、半導体膜形成反応条
件の均一化を図っているが、多品種少量生産の場合等に
おいては特に、このダミーウェーハの消費量が増大し、
半導体製造コストの増加分として、これを無視できない
状況にある。
式の半導体膜形成装置による半導体膜形においては、ダ
ミーのシリコンウェーハを用いて、半導体膜形成反応条
件の均一化を図っているが、多品種少量生産の場合等に
おいては特に、このダミーウェーハの消費量が増大し、
半導体製造コストの増加分として、これを無視できない
状況にある。
【０００９】このダミーウェーハは、カセットに収納さ
れ、装置内に投入、載置され、その使用に際しては、必
要な枚数をカセットから取り出してボートに積載してい
る。
れ、装置内に投入、載置され、その使用に際しては、必
要な枚数をカセットから取り出してボートに積載してい
る。
【００１０】また、ダミーウェーハの洗浄は、カセット
毎に装置外へ取り出して行われるので、その操作に要す
る時間が、工程の所要時間の増大につながる。
毎に装置外へ取り出して行われるので、その操作に要す
る時間が、工程の所要時間の増大につながる。
【００１１】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
り、本発明が解決しようとする課題は、ダミーとして使
用するウェーハの消費に関わるコスト増大の問題及びダ
ミーウェーハの装置外取り出しと洗浄に関わる工程時間
増大の問題を解決し、半導体製造コストの低減を可能と
する半導体製造装置を提供することにある。
り、本発明が解決しようとする課題は、ダミーとして使
用するウェーハの消費に関わるコスト増大の問題及びダ
ミーウェーハの装置外取り出しと洗浄に関わる工程時間
増大の問題を解決し、半導体製造コストの低減を可能と
する半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、請求項１に記載のように、ウェーハ上に
半導体膜を形成する半導体製造装置であって、ダミーウ
ェーハを該半導体製造装置内に貯蔵する手段を備えたこ
とを特徴とする半導体製造装置を構成する。
に、本発明は、請求項１に記載のように、ウェーハ上に
半導体膜を形成する半導体製造装置であって、ダミーウ
ェーハを該半導体製造装置内に貯蔵する手段を備えたこ
とを特徴とする半導体製造装置を構成する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、図を用いて、本発明の実
施の形態を説明するが、本発明はこれに限られるもので
はない。
施の形態を説明するが、本発明はこれに限られるもので
はない。
【００１４】図１は、本発明に係る半導体製造装置の構
成を示す図である。図において、１はヒ−タであり、２
は反応室であり、反応室２はヒ−タ１によって半導体膜
形成反応に適する温度にまで加熱される。３はシリコン
ウェーハ及びダミーウェーハを積載し、図中の矢印の方
向に移動して反応室２内に挿入される石英ボートであ
り、４はシリコンウェーハをウェーハカセット７から石
英ボート３へ、あるいは、石英ボート３からウェーハカ
セット７へ移すウェーハ移載機である。なお、ウェーハ
カセット７は、ウェーハの装置内への投入、及び、装置
内からの取り出しの際の運搬容器の役割を果たす。５
は、請求項１に記載の、ダミーウェーハを半導体製造装
置内に貯蔵する手段に該当する石英ウェーハストッカで
あり、６は、請求項１に記載の、ダミーウェーハに該当
する石英ウェーハである。ウェーハ移載機４は、石英ウ
ェーハ６を石英ウェーハストッカ５から石英ボート３
へ、あるいは、石英ボート３から石英ウェーハストッカ
５へ移すウェーハ移載機としての役割も果たす。８は反
応室２内の汚れを落すためのクリーニング工程において
必要となるクリーニングガスを装置内に導入するための
クリーニングガスラインであり、９は半導体膜形成反応
を起こすプロセスガスを装置内に導入するためのプロセ
スガスラインであり、１０は反応室２内を真空に排気
し、あるいは所定の圧力に保つための真空排気装置であ
る。１１は（バッチ式の）半導体膜形成を行った回数を
数えるバッチカウンタである。
成を示す図である。図において、１はヒ−タであり、２
は反応室であり、反応室２はヒ−タ１によって半導体膜
形成反応に適する温度にまで加熱される。３はシリコン
ウェーハ及びダミーウェーハを積載し、図中の矢印の方
向に移動して反応室２内に挿入される石英ボートであ
り、４はシリコンウェーハをウェーハカセット７から石
英ボート３へ、あるいは、石英ボート３からウェーハカ
セット７へ移すウェーハ移載機である。なお、ウェーハ
カセット７は、ウェーハの装置内への投入、及び、装置
内からの取り出しの際の運搬容器の役割を果たす。５
は、請求項１に記載の、ダミーウェーハを半導体製造装
置内に貯蔵する手段に該当する石英ウェーハストッカで
あり、６は、請求項１に記載の、ダミーウェーハに該当
する石英ウェーハである。ウェーハ移載機４は、石英ウ
ェーハ６を石英ウェーハストッカ５から石英ボート３
へ、あるいは、石英ボート３から石英ウェーハストッカ
５へ移すウェーハ移載機としての役割も果たす。８は反
応室２内の汚れを落すためのクリーニング工程において
必要となるクリーニングガスを装置内に導入するための
クリーニングガスラインであり、９は半導体膜形成反応
を起こすプロセスガスを装置内に導入するためのプロセ
スガスラインであり、１０は反応室２内を真空に排気
し、あるいは所定の圧力に保つための真空排気装置であ
る。１１は（バッチ式の）半導体膜形成を行った回数を
数えるバッチカウンタである。
【００１５】シリコンウェーハへの半導体膜生成の際
に、石英ボート３上に積載されるウェーハの配列は図４
に示したものと同様である。ただし、本実施の形態にお
いては、ダミーウェーハとしては石英ウェーハ６を用い
る。このように、上下領域及びシリコンウェーハ欠落箇
所に石英ウェーハ６をダミーとして挿入することによっ
て、基本的には、石英ボート３にウェーハをフル充填
し、それを図中の矢印の方向に移動させて反応室２内に
搬入する。
に、石英ボート３上に積載されるウェーハの配列は図４
に示したものと同様である。ただし、本実施の形態にお
いては、ダミーウェーハとしては石英ウェーハ６を用い
る。このように、上下領域及びシリコンウェーハ欠落箇
所に石英ウェーハ６をダミーとして挿入することによっ
て、基本的には、石英ボート３にウェーハをフル充填
し、それを図中の矢印の方向に移動させて反応室２内に
搬入する。
【００１６】予め求めておいたプロセス条件にて、真空
排気装置１０を使用して減圧状態とした反応室２内にプ
ロセスガスライン９からプロセスガスを導入することに
より、シリコンウェーハ上に均一な半導体膜を生成させ
る。半導体膜形成反応後の石英ウェーハ６は、装置内に
おいて、ウェーハ移載機４によって、石英ウェーハスト
ッカ５に移載され、装置外に取り出されることなく、再
使用される。石英ウェーハ６には、実験により求められ
た限界使用回数（限界累積膜厚）があり、それを超えた
使用はパーティクル（微小ゴミ）発生の原因となり、半
導体製造の歩留まり低下を招く。そこで、石英ウェーハ
６の使用回数はバッチカウンタ１１によってカウント
（計数）され、その使用回数が限界使用回数に達する
と、その石英ウェーハ６は石英ウェーハストッカ５にス
トック（貯蔵）されるが、再使用されず、それに換わっ
て、石英ウェーハストッカ５中の予備の洗浄済み石英ウ
ェーハが使用される。このようななダミーウェーハの選
択は、石英ウェーハ６の使用回数が限界使用回数に達し
た場合にバッチカウンタ１１あるいはバッチカウンタ１
１の付属装置が発する警告によって、装置使用者が行っ
てもよいし、バッチカウンタ１１の出力に基づいて自動
的に行ってもよい。
排気装置１０を使用して減圧状態とした反応室２内にプ
ロセスガスライン９からプロセスガスを導入することに
より、シリコンウェーハ上に均一な半導体膜を生成させ
る。半導体膜形成反応後の石英ウェーハ６は、装置内に
おいて、ウェーハ移載機４によって、石英ウェーハスト
ッカ５に移載され、装置外に取り出されることなく、再
使用される。石英ウェーハ６には、実験により求められ
た限界使用回数（限界累積膜厚）があり、それを超えた
使用はパーティクル（微小ゴミ）発生の原因となり、半
導体製造の歩留まり低下を招く。そこで、石英ウェーハ
６の使用回数はバッチカウンタ１１によってカウント
（計数）され、その使用回数が限界使用回数に達する
と、その石英ウェーハ６は石英ウェーハストッカ５にス
トック（貯蔵）されるが、再使用されず、それに換わっ
て、石英ウェーハストッカ５中の予備の洗浄済み石英ウ
ェーハが使用される。このようななダミーウェーハの選
択は、石英ウェーハ６の使用回数が限界使用回数に達し
た場合にバッチカウンタ１１あるいはバッチカウンタ１
１の付属装置が発する警告によって、装置使用者が行っ
てもよいし、バッチカウンタ１１の出力に基づいて自動
的に行ってもよい。
【００１７】本発明に係る半導体製造装置は、上述のよ
うに、ダミーウェーハを半導体製造装置内に貯蔵する手
段（本実施の形態においては石英ウェーハストッカ５）
を有する。このダミーウェーハ貯蔵手段の貯蔵容量（収
容可能なウェーハの枚数）を大きくしておけば、ダミー
ウェーハのクリーニング（洗浄）を装置外で行う場合に
おいても、ダミーウェーハの投入、取り出しの回数を、
従来装置に較べて少なくすることができ、その分だけ装
置操作の単純化が可能となり、これが半導体生産コスト
の低減につながる。
うに、ダミーウェーハを半導体製造装置内に貯蔵する手
段（本実施の形態においては石英ウェーハストッカ５）
を有する。このダミーウェーハ貯蔵手段の貯蔵容量（収
容可能なウェーハの枚数）を大きくしておけば、ダミー
ウェーハのクリーニング（洗浄）を装置外で行う場合に
おいても、ダミーウェーハの投入、取り出しの回数を、
従来装置に較べて少なくすることができ、その分だけ装
置操作の単純化が可能となり、これが半導体生産コスト
の低減につながる。
【００１８】さらに、本実施の形態においては、ダミー
ウェーハとして石英ウェーハ６を用いているので、ダミ
ーウェーハの装置内クリーニングが可能であり、このた
め、クリーニングのためのダミーウェーハの投入、取り
出しが不要となる。これについて以下に説明する。
ウェーハとして石英ウェーハ６を用いているので、ダミ
ーウェーハの装置内クリーニングが可能であり、このた
め、クリーニングのためのダミーウェーハの投入、取り
出しが不要となる。これについて以下に説明する。
【００１９】反応室２や石英ボート３は石英ウェーハ６
に較べて洗浄頻度が少ないため、ストック（貯蔵）され
た石英ウェーハ６を全て使いきったか、あるいは、反応
室等の洗浄時期に達した時点で、反応室２内のクリーニ
ング（洗浄）を行う。クリーニングの際は、使用限界に
達した全ての石英ウェーハ６をウェーハ移載機４によっ
て石英ボート３に移載し、反応室２内に挿入し、クリー
ニングガス（ＣＩＦ３等）をクリーニングガスライン８
を通して反応室２内に導入し、予め求めておいた条件下
で、石英反応管、石英ボート３と共に、複数枚の石英ウ
ェーハ６を一括してクリーニングする。クリーニング終
了後、石英ウェーハ６はウェーハ移載機４によって石英
ウェーハストッカ５へ移載され、再使用可能な洗浄済み
石英ウェーハとしてストック（貯蔵）される。
に較べて洗浄頻度が少ないため、ストック（貯蔵）され
た石英ウェーハ６を全て使いきったか、あるいは、反応
室等の洗浄時期に達した時点で、反応室２内のクリーニ
ング（洗浄）を行う。クリーニングの際は、使用限界に
達した全ての石英ウェーハ６をウェーハ移載機４によっ
て石英ボート３に移載し、反応室２内に挿入し、クリー
ニングガス（ＣＩＦ３等）をクリーニングガスライン８
を通して反応室２内に導入し、予め求めておいた条件下
で、石英反応管、石英ボート３と共に、複数枚の石英ウ
ェーハ６を一括してクリーニングする。クリーニング終
了後、石英ウェーハ６はウェーハ移載機４によって石英
ウェーハストッカ５へ移載され、再使用可能な洗浄済み
石英ウェーハとしてストック（貯蔵）される。
【００２０】以上の説明から明らかなように、本実施の
形態においては、ダミーウェーハのクリーニング（洗
浄）のたびに、従来装置においては必要であったダミー
ウェーハ用のカセットの投入、取り出しを行わなくて済
み、製品用ウェーハカセットの投入、取り出しを妨げる
ことはなく、ダミーウェーハの装置外取り出しと洗浄に
関わる工程所要時間増大の問題が解決される。
形態においては、ダミーウェーハのクリーニング（洗
浄）のたびに、従来装置においては必要であったダミー
ウェーハ用のカセットの投入、取り出しを行わなくて済
み、製品用ウェーハカセットの投入、取り出しを妨げる
ことはなく、ダミーウェーハの装置外取り出しと洗浄に
関わる工程所要時間増大の問題が解決される。
【００２１】また、ダミーウェーハ（たとえば、図１に
おける石英ウェーハ６）の使用回数をバッチカウンタ
（図１における１１）によってカウント（計数）し、そ
の使用回数が予め与えられた使用限界の回数に達する
と、バッチカウンタあるいはバッチカウンタの付属装置
が装置使用者に警告を発する機能を本発明に係る半導体
製造装置に付与しておけば、限界回数を超えたダミーウ
ェーハの使用による半導体製造歩留まりの低下を未然に
防ぐことができる。
おける石英ウェーハ６）の使用回数をバッチカウンタ
（図１における１１）によってカウント（計数）し、そ
の使用回数が予め与えられた使用限界の回数に達する
と、バッチカウンタあるいはバッチカウンタの付属装置
が装置使用者に警告を発する機能を本発明に係る半導体
製造装置に付与しておけば、限界回数を超えたダミーウ
ェーハの使用による半導体製造歩留まりの低下を未然に
防ぐことができる。
【００２２】さらに、ダミーウェーハの洗浄は、反応室
等の洗浄と合わせて行うので、メンテナンス時間の短縮
も可能である。すなわち、反応管、ボート等の石英治具
を、半導体膜形成工程において付着した半導体膜をクリ
ーニングガス（ＣＩＦ３等）によって除去して、クリー
ニングする機能を本発明に係る半導体製造装置に付与し
ておけば、使用済みのダミーウェーハ（たとえば、図１
における石英ウェーハ６）を一括してボート（図１にお
ける３）に充填して、反応室（図１における２）に搬入
し、前記クリーニングと同時にクリーニングすることが
でき、それによって、メンテナンス時間を短縮すること
ができる。
等の洗浄と合わせて行うので、メンテナンス時間の短縮
も可能である。すなわち、反応管、ボート等の石英治具
を、半導体膜形成工程において付着した半導体膜をクリ
ーニングガス（ＣＩＦ３等）によって除去して、クリー
ニングする機能を本発明に係る半導体製造装置に付与し
ておけば、使用済みのダミーウェーハ（たとえば、図１
における石英ウェーハ６）を一括してボート（図１にお
ける３）に充填して、反応室（図１における２）に搬入
し、前記クリーニングと同時にクリーニングすることが
でき、それによって、メンテナンス時間を短縮すること
ができる。
【００２３】また、石英ウェーハは、多数回の繰り返し
洗浄に耐え、半永久的に使用可能であるので、ダミーと
して使用するウェーハの消費に関わるコスト増大の問題
も解決される。
洗浄に耐え、半永久的に使用可能であるので、ダミーと
して使用するウェーハの消費に関わるコスト増大の問題
も解決される。
【００２４】また、本発明に係る半導体製造装置におい
て、有効に使用されるダミーウェーハは、上記の石英ウ
ェーハに限られるものではなく、半導体膜形成時の温度
に耐え、多数回の繰り返し洗浄に耐えるものであればよ
い。たとえば、シリコンウェーハの両面にアルミナ（Ａ
ｌ２Ｏ３）膜をＣＶＤ法（化学気相堆積法）によって堆
積してなるウェーハも、本発明に係る半導体製造装置に
おいて、ダミーウェーハとして有効に使用される。
て、有効に使用されるダミーウェーハは、上記の石英ウ
ェーハに限られるものではなく、半導体膜形成時の温度
に耐え、多数回の繰り返し洗浄に耐えるものであればよ
い。たとえば、シリコンウェーハの両面にアルミナ（Ａ
ｌ２Ｏ３）膜をＣＶＤ法（化学気相堆積法）によって堆
積してなるウェーハも、本発明に係る半導体製造装置に
おいて、ダミーウェーハとして有効に使用される。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を実施する
ことにより、ダミーとして使用するウェーハの消費に関
わるコスト増大の問題及びダミーウェーハの装置外取り
出しと洗浄に関わる工程時間増大の問題を解決し、半導
体製造コストを低減することができる半導体製造装置を
提供することができる。
ことにより、ダミーとして使用するウェーハの消費に関
わるコスト増大の問題及びダミーウェーハの装置外取り
出しと洗浄に関わる工程時間増大の問題を解決し、半導
体製造コストを低減することができる半導体製造装置を
提供することができる。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】従来の半導体製造装置の例における装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図３】半導体膜形成反応によって、ウェーハ上に半導
体膜を形成する際の反応室の状態を示す図である。
体膜を形成する際の反応室の状態を示す図である。
【図４】半導体膜を形成する際のウェーハの配列を示す
図である。
図である。
１…ヒータ、２…反応室、３…石英ボート、４…ウェー
ハ移載機、５…石英ウェーハストッカ、６…石英ウェー
ハ、７…ウェーハカセット、８…クリーニングガスライ
ン、９…プロセスガスライン、１０…真空排気装置、１
１…バッチカウンタ、１２…アウターチューブ、１３…
インナーチューブ、１４…シリコンウェーハ、１５…断
熱板。
ハ移載機、５…石英ウェーハストッカ、６…石英ウェー
ハ、７…ウェーハカセット、８…クリーニングガスライ
ン、９…プロセスガスライン、１０…真空排気装置、１
１…バッチカウンタ、１２…アウターチューブ、１３…
インナーチューブ、１４…シリコンウェーハ、１５…断
熱板。
Claims (1)
- 【請求項１】ウェーハ上に半導体膜を形成する半導体製
造装置であって、ダミーウェーハを該半導体製造装置内
に貯蔵する手段を備えたことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000223454A JP2002043229A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 半導体製造装置 |
| US09/911,741 US20020014311A1 (en) | 2000-07-25 | 2001-07-25 | Substrate processing apparatus and method |
| KR10-2001-0045002A KR100520671B1 (ko) | 2000-07-25 | 2001-07-25 | 기판처리장치 및 방법 |
| US10/915,463 US7003219B2 (en) | 2000-07-25 | 2004-08-11 | Substrate processing method |
| US11/296,440 US7553518B2 (en) | 2000-07-25 | 2005-12-08 | Substrate processing method |
| US12/470,084 US8173214B2 (en) | 2000-07-25 | 2009-05-21 | Substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000223454A JP2002043229A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043229A true JP2002043229A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18717542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000223454A Pending JP2002043229A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20020014311A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002043229A (ja) |
| KR (1) | KR100520671B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135486A (ja) * | 2008-11-07 | 2009-06-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | はんだ接合方法 |
| JP2012156510A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Asm Internatl Nv | 熱処理炉およびそのライナー |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002043229A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US6849131B2 (en) * | 2002-10-05 | 2005-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Truncated dummy plate for process furnace |
| US7748542B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Batch deposition tool and compressed boat |
| JP2007173695A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
| JP5090097B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-12-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
| JP5463066B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2014-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ロット処理開始判定方法及び制御装置 |
| JP5545055B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持体構造及び処理装置 |
| JP6144924B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2017-06-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム |
| DE202015002400U1 (de) | 2015-03-31 | 2015-05-26 | Mct Holdings Limited | Silikatüberzug |
| US9733123B2 (en) * | 2015-12-18 | 2017-08-15 | Captain Jrt Llc | Multi-fiber optical connector assembly that includes an optical connector and a connector housing |
| US20190330740A1 (en) * | 2018-04-30 | 2019-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN111346871A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-06-30 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种lpcvd石英舟的清理方法及清理设备 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH07105357B2 (ja) * | 1989-01-28 | 1995-11-13 | 国際電気株式会社 | 縦型ｃｖｄ拡散装置に於けるウェーハ移載方法及び装置 |
| JP2644912B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| JP3140068B2 (ja) * | 1991-01-31 | 2001-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
| JPH05275511A (ja) | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
| JPH05283306A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ダミーウェハ |
| JPH06188413A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
| JPH09306980A (ja) * | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Asahi Glass Co Ltd | 縦型ウエハボート |
| US5882413A (en) * | 1997-07-11 | 1999-03-16 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer |
| JPH11269644A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-05 | Anelva Corp | パーティクル発生防止方法及びスパッタリング装置 |
| JPH11345778A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構 |
| JP2002043229A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000223454A patent/JP2002043229A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-25 KR KR10-2001-0045002A patent/KR100520671B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-25 US US09/911,741 patent/US20020014311A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-08-11 US US10/915,463 patent/US7003219B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-08 US US11/296,440 patent/US7553518B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-05-21 US US12/470,084 patent/US8173214B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7553518B2 (en) | 2009-06-30 |
| US20050008352A1 (en) | 2005-01-13 |
| US20060081334A1 (en) | 2006-04-20 |
| US8173214B2 (en) | 2012-05-08 |
| US7003219B2 (en) | 2006-02-21 |
| KR100520671B1 (ko) | 2005-10-11 |
| US20020014311A1 (en) | 2002-02-07 |
| US20090246962A1 (en) | 2009-10-01 |
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